JP2002111961A - Image-inputting device - Google Patents
Image-inputting deviceInfo
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- JP2002111961A JP2002111961A JP2000300860A JP2000300860A JP2002111961A JP 2002111961 A JP2002111961 A JP 2002111961A JP 2000300860 A JP2000300860 A JP 2000300860A JP 2000300860 A JP2000300860 A JP 2000300860A JP 2002111961 A JP2002111961 A JP 2002111961A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は画像入力装置に関
し、特に入射した光を検出する光感応性素子を基板上に
配置し得られた光画像情報を電気信号へと変換する画像
入力装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image input device, and more particularly, to an image input device in which a light-sensitive element for detecting incident light is arranged on a substrate and optical image information obtained is converted into an electric signal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、代表的な画像入力装置として、Ｃ
ＣＤ（ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅｄｄｅｖｉｃｅ）が
広く知られている。ＣＣＤは、各種の画像入力機器に採
用され、隆盛を極めている。しかしながら、ＣＣＤにつ
いては、更なる高精細化を行うには、限界にきている。
これを改善するため、様々な構造の画像入力装置が考案
され、その開発が進められている。例えば、Ｅｒｉｃ
Ｒ．Ｆｏｓｓｕｍによる文献Ａｃｔｉｖｅ Ｐｉｘｅｌ
Ｓｅｎｓｏｒｓ：Ａｒｅ ＣＣＤ‘ｓ Ｄｉｎｏｓａ
ｕｒｓ？（ＳＰＩＥ．ｖｏｌ．１９００，ｐｐ２−１
４）には、画像入力装置についての構造が多種類記載さ
れている。ただし、どの画像入力装置も光電変換効率、
雑音特性等に問題があり、より高性能化が進められてい
る。なお、本明細書中において、「光電変換効率」と
は、一定の光量に対して出力される電圧値をいうものと
する。2. Description of the Related Art At present, a typical image input device is C
A CD (charge coupled device) is widely known. CCDs are used in various image input devices, and are very prosperous. However, the CCD has reached its limit in achieving higher definition.
In order to improve this, various types of image input devices have been devised and are being developed. For example, Eric
R. Active Pixel by Fossum
Sensors: Are CCD's Dinosa
urs? (SPIE. Vol. 1900, pp2-1
4) describes various types of structures of the image input device. However, every image input device has photoelectric conversion efficiency,
There is a problem in noise characteristics and the like, and higher performance is being promoted. Note that, in this specification, “photoelectric conversion efficiency” refers to a voltage value output for a constant light amount.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＣＣ
Ｄに代表される画像入力装置は、いずれも無機半導体で
ある、シリコンの光吸収特性を利用している。これをカ
ラー化する場合、受光部をカラーフィルタで覆う等の工
夫が必要である。これらが光電変換効率の低下を引き起
こすという欠点がある。As described above, the CC
An image input device represented by D utilizes the light absorption characteristics of silicon, which is an inorganic semiconductor. In the case of color conversion, it is necessary to take measures such as covering the light receiving section with a color filter. There is a disadvantage that these cause a decrease in photoelectric conversion efficiency.
【０００４】また、シリコン基板上に、ＰＩＮフォトダ
イオードを作成した場合、光電流の一部は基板中に拡散
する。このため、これが雑音電流の増加に寄与するとい
う欠点もある。When a PIN photodiode is formed on a silicon substrate, a part of the photocurrent is diffused into the substrate. For this reason, there is a disadvantage that this contributes to an increase in noise current.
【０００５】本発明は上述した従来技術の欠点を解決す
るためになされたものであり、その目的は高精細化で
き、かつ雑音の少ない画像入力装置を提供することであ
る。また、本発明の他の目的は、光電変換効率が高い画
像入力装置を提供することである。The present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an object of the present invention is to provide an image input device which can achieve high definition and has little noise. Another object of the present invention is to provide an image input device having high photoelectric conversion efficiency.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明による画像入力装
置は、光を検出する光感応性素子と、前記光感応性素子
をオンオフさせるためのスイッチング素子とを含む画素
が半導体基板上あるいは絶縁性基板上に形成された半導
体膜上に複数配列されることによって構成される画像入
力装置であって、前記光感応性素子は有機光電変換素子
であることを特徴とする。光感応素子を無機半導体であ
るシリコンの代わりに、直接遷移型有機光電変換素子を
用いることにより、光吸収係数を大きくすることがで
き、高い光変換効率が得られる。また、光感応素子を半
導体基板上あるいは絶縁性基板上に形成された半導体膜
から隔離して形成できるため、当該半導体基板あるいは
半導体膜中に拡散する拡散電流を抑えることができる。According to the present invention, there is provided an image input device, wherein a pixel including a light-sensitive element for detecting light and a switching element for turning on and off the light-sensitive element is formed on a semiconductor substrate or on an insulating substrate. An image input device constituted by arranging a plurality of semiconductor films formed on a substrate, wherein the photosensitive element is an organic photoelectric conversion element. By using a direct-transition organic photoelectric conversion element instead of silicon, which is an inorganic semiconductor, for the light-sensitive element, the light absorption coefficient can be increased, and high light conversion efficiency can be obtained. Further, since the photosensitive element can be formed separately from the semiconductor film formed on the semiconductor substrate or the insulating substrate, diffusion current that diffuses into the semiconductor substrate or the semiconductor film can be suppressed.
【０００７】また、前記有機光電変換素子を、吸収波長
の互いに異なる３種類の材料を用いて作成し、この３種
類の材料を用いてそれぞれ作成された有機光電変換素子
を規則的に配列しても良い。これにより、カラーフィル
タが不要となり、光電変換効率の高いカラー画像入力装
置を実現できる。Further, the organic photoelectric conversion element is formed using three kinds of materials having different absorption wavelengths, and the organic photoelectric conversion elements respectively formed using the three kinds of materials are regularly arranged. Is also good. This eliminates the need for a color filter and realizes a color image input device with high photoelectric conversion efficiency.
【０００８】さらに、前記有機光電変換素子に集光する
光学素子を更に設けても良い。これにより、光電変換効
率をより向上させることができる。Further, an optical element for condensing light on the organic photoelectric conversion element may be further provided. Thereby, the photoelectric conversion efficiency can be further improved.
【０００９】なお、前記有機光電変換素子を発光素子と
しても用いても良い。これにより、表示装置と画像入力
装置とを兼用することができる。The organic photoelectric conversion device may be used as a light emitting device. Thereby, the display device and the image input device can be shared.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。なお、以下の説明において
参照する各図では、他の図と同等部分は同一符号によっ
て示されている。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings referred to in the following description, the same parts as those in the other drawings are denoted by the same reference numerals.
【００１１】図１は本発明による画像入力装置の実施の
一形態を示す構造図である。同図に示されているよう
に、本実施形態による画像入力装置１は、シリコン基板
上に形成されたトランジスタ１１と、金属配線１２と、
有機光吸収層１３ａ及び有機キャリア輸送層１３ｂから
なる有機受光素子１３と、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉ
ｎ ｏｘｉｄｅ）膜１４とを含んで構成されている。上
記有機キャリア輸送層１３ｂは、有機光吸収層１３ａで
発生したキャリアを効率よく転送する働きを持つ。本実
施形態による画像入力装置１では、無機半導体であるシ
リコンの代わりに、有機受光素子１３を用いて受光部１
０が構成されている。なお、図中の１６ａ〜１６ｄは酸
化シリコン膜（ＳｉＯ2）である。FIG. 1 is a structural view showing an embodiment of an image input device according to the present invention. As shown in the drawing, the image input device 1 according to the present embodiment includes a transistor 11 formed on a silicon substrate, a metal wiring 12,
An organic light receiving element 13 comprising an organic light absorbing layer 13a and an organic carrier transporting layer 13b, and ITO (indium ti).
(oxide) film 14. The organic carrier transporting layer 13b has a function of efficiently transferring carriers generated in the organic light absorbing layer 13a. In the image input device 1 according to the present embodiment, the light receiving unit 1 uses an organic light receiving element 13 instead of silicon, which is an inorganic semiconductor.
0 is configured. Incidentally, reference numerals 16a to 16d in the figure are silicon oxide films (SiO 2 ).
【００１２】かかる構成において、トランジスタ１１を
オンオフさせることにより、有機受光素子１３からの電
流の導出をオンオフ制御する。これにより、入射光に応
じた電流値を検出する。したがって、図１に示されてい
る構造を多数配列すれば、画像入力装置を構成すること
ができる。In such a configuration, by turning on / off the transistor 11, the on / off control of the derivation of the current from the organic light receiving element 13 is performed. Thus, a current value corresponding to the incident light is detected. Therefore, by arranging a large number of structures shown in FIG. 1, an image input device can be configured.
【００１３】ここで、隣接するトランジスタ１１の領域
と隣接する他のトランジスタ領域（図示せず）との間に
は、素子分離領域１５が設けられている。光感応素子を
無機半導体のシリコンではなく、直接遷移型の有機受光
素子としたので、光吸収係数を大きくすることができ
る。従って、高い光変換効率を得ることができる。ま
た、光感応素子をシリコン基板から隔離して形成したの
で、発生したキャリアがシリコン基板中に拡散すること
がない。この結果、高効率のノイズ特性が良い画像入力
装置を実現できる。Here, an element isolation region 15 is provided between a region of the adjacent transistor 11 and another adjacent transistor region (not shown). Since the photosensitive element is a direct transition type organic light receiving element instead of inorganic semiconductor silicon, the light absorption coefficient can be increased. Therefore, high light conversion efficiency can be obtained. Further, since the photosensitive element is formed separately from the silicon substrate, the generated carriers do not diffuse into the silicon substrate. As a result, a highly efficient image input device having good noise characteristics can be realized.
【００１４】この画像入力装置の作成手順について説明
する。まず、シリコン基板上にＭＯＳＦＥＴよるトラン
ジスタ１１を作成する。次に、アルミニウム（Ａｌ）や
銅（Ｃｕ）等の金属配線１２を施す。さらに、シリコン
酸化膜のパターンニングによってバンクを形成する。そ
して、インクジェット技術等によって有機光吸収層１３
ａ、１３ｂを順に積層し、Ｒ（ｒｅｄ）、Ｇ（ｇｒｅｅ
ｎ）、Ｂ（ｂｌｕｅ）の各画素を形成する。最後に、Ｉ
ＴＯ膜１４を形成する。なお、ＭＯＳＦＥＴは、ＴＦＴ
あるいはバイポーラトランジスタであっても良い。The procedure for creating this image input device will be described. First, a transistor 11 composed of a MOSFET is formed on a silicon substrate. Next, a metal wiring 12 such as aluminum (Al) or copper (Cu) is provided. Further, a bank is formed by patterning the silicon oxide film. Then, the organic light absorbing layer 13 is formed by an ink-jet technique or the like.
a and 13b are sequentially stacked, and R (red) and G (green)
n) and B (blue) pixels are formed. Finally, I
The TO film 14 is formed. The MOSFET is a TFT
Alternatively, it may be a bipolar transistor.
【００１５】このように作成した各画素を配列すれば、
カラー画像入力装置を構成することができる。このと
き、平面図である図２に示されているように、Ｒ、Ｇ、
Ｂの各画素が規則的に配置されることになる。すなわ
ち、同じ波長を吸収する画素同士が隣接することがない
ように、配置される。By arranging the pixels thus created,
A color image input device can be configured. At this time, as shown in FIG. 2 which is a plan view, R, G,
Each pixel of B is regularly arranged. That is, they are arranged such that pixels absorbing the same wavelength are not adjacent to each other.
【００１６】ここで、各画素の吸収スペクトルは、図３
に示されているように、可視光領域の波長３８０〜７８
０ｎｍのうち、Ｒ、Ｇ、Ｂにそれぞれ対応する波長にお
いて、ピークを有することになる。つまり、吸収波長の
互いに異なる３種類の材料を用いてＲ、Ｇ、Ｂの画素が
作成され、これら画素が規則的に配列されているのであ
る。The absorption spectrum of each pixel is shown in FIG.
As shown in FIG.
At 0 nm, there are peaks at wavelengths respectively corresponding to R, G, and B. That is, R, G, and B pixels are formed using three types of materials having different absorption wavelengths, and these pixels are regularly arranged.
【００１７】図４に示されているように、ＲＧＢの各画
素の受光部１０は、電圧源４１によって逆バイアスが印
加されている。そこに、光が入射すると、Ｒ、Ｇ、Ｂの
各波長領域の光が選択的に各画素に吸収されて電気信号
となる。この信号をトランジスタ１１のゲート端子に与
える電圧Ｔｘによってスイッチング制御し、増幅器４２
に入力する。As shown in FIG. 4, a reverse bias is applied to the light receiving section 10 of each pixel of RGB by a voltage source 41. When light enters there, light in each of the R, G, and B wavelength regions is selectively absorbed by each pixel to become an electric signal. This signal is subjected to switching control by a voltage Tx applied to the gate terminal of the transistor 11, and an amplifier 42
To enter.
【００１８】図５には図１中の有機受光素子１３の順バ
イアス時及び逆バイアス時における特性が示されてい
る。順バイアス時においては、バイアス電圧ＶFが閾値
電圧Ｖtを越えると、電流値が増大すると共に発光す
る。FIG. 5 shows the characteristics of the organic light receiving element 13 in FIG. 1 at the time of forward bias and at the time of reverse bias. In the forward bias, the bias voltage V F exceeds the threshold voltage V t, emits light with a current value is increased.
【００１９】一方、逆バイアス時において、バイアス電
圧ＶRが低い場合には、光の入射がないと、同図中の実
線で示されているように、電流値も低い。一方、光の入
射があると、同図中の破線で示されているように、直接
遷移によるキャリアの発生が起こり電流値が急激に上昇
する。この光電流値の差５０を上述した増幅器４２に入
力し、増幅するのである。On the other hand, when the bias voltage V R is low at the time of reverse bias, the current value is low as shown by the solid line in FIG. On the other hand, when light is incident, as shown by a broken line in the figure, carriers are generated by direct transition, and the current value rises sharply. The difference 50 of the photocurrent value is input to the amplifier 42 and amplified.
【００２０】なお、必要であれば、ＲＧＢの各画素に対
して集光レンズを設けても良い。すなわち、各画素につ
いての断面構成を示す図６を参照すると、ＲＧＢの各画
素に集光する複数のレンズ６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂからなる
マイクロレンズアレイ６０を受光部の上に設けている。
これにより、入射光を各画素の受光部に集め、光電変換
効率を向上させることができる。If necessary, a condenser lens may be provided for each of the RGB pixels. That is, referring to FIG. 6, which shows a cross-sectional configuration of each pixel, a microlens array 60 including a plurality of lenses 6R, 6G, and 6B that converge on each pixel of RGB is provided on the light receiving unit.
Accordingly, incident light can be collected at the light receiving portion of each pixel, and the photoelectric conversion efficiency can be improved.
【００２１】ところで、画像入力装置の受光部を有機表
示部としても用いることにより、画像入力装置と有機Ｅ
Ｌ（electroluminescense）表示装置とを兼用すること
ができる。すなわち、正逆バイアスを択一的に与えるこ
とによって、有機ＥＬ表示画面の一部分を画像入力装置
として用いることができる。By using the light receiving portion of the image input device also as an organic display portion, the image input device and the organic EL device can be used.
An L (electroluminescense) display device can also be used. That is, by selectively applying the forward and reverse bias, a part of the organic EL display screen can be used as an image input device.
【００２２】ここで、有機発光層には、以下のような材
料を用いれば良いと考えられる。まず、低分子系材料と
して、以下のものを用いれば良い。すなわち、 シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエ
ン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン
誘導体、ジスチルベンゼン誘導体、トリフェニルジアミ
ン誘導体、シロール誘導体、ペリノン誘導体、オリゴチ
オフェン誘導体、ペリレン誘導体、等の色素系材料を用
いることができる。また、キレート金属錯体、アゾメ
チン金属錯体、ベンゾキリノール金属錯体、ベンゾオキ
サゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、等の金
属錯体系材料を用いることができる。さらに、上記
、の材料に内部量子効率向上及び安定性改善を目的
としたドーピング材料を導入した発光材料を用いること
ができる。Here, it is considered that the following materials may be used for the organic light emitting layer. First, the following may be used as the low molecular material. That is, a dye-based material such as a cyclopentadiene derivative, a tetraphenylbutadiene derivative, an oxadiazole derivative, a pyrazoloquinoline derivative, a distilbenzene derivative, a triphenyldiamine derivative, a silole derivative, a perinone derivative, an oligothiophene derivative, or a perylene derivative. Can be used. In addition, a metal complex-based material such as a chelate metal complex, an azomethine metal complex, a benzoquinolinol metal complex, a benzoxazole metal complex, or a benzothiazole metal complex can be used. Further, a light emitting material in which a doping material for improving internal quantum efficiency and stability is introduced into the above-described materials can be used.
【００２３】さらに、高分子系材料として、以下のもの
を用いれば良い。すなわち、 ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリ（パ
ラフェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（パラフェニ
レンビニレン誘導体）（ＭＥＴ−ＰＰＶ）、ポリ（３−
アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（９，９−ジア
ルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、ポリパラフェニレン
（ＰＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリナフチレ
ンビニレン（ＰＮＶ）、及び上記材料にドーピング材料
を導入した材料を用いることができる。Further, the following may be used as the polymer material. That is, polyethylene terephthalate (PET), poly (paraphenylenevinylene) (PPV), poly (paraphenylenevinylene derivative) (MET-PPV), poly (3-
Alkylthiophene) (PAT), poly (9,9-dialkylfluorene) (PDAF), polyparaphenylene (PPP), polycarbonate (PC), polynaphthylenevinylene (PNV), and a material obtained by introducing a doping material into the above materials Can be used.
【００２４】一方、有機キャリア輸送層には、以下のよ
うな材料を用いれば良いと考えられる。すなわち、N,N'
-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-bipheny
l〕-4,4'-diamine(TPD)、2-(biphenyl-4-yl)-5-(4-tert
-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)、4,4',4”-tri
(N-carbazolyl)triphenylamine(TCTA)、1,3,5-tris〔N-
(4-diphenylaminophenyl)phenylamino〕benzene(p-DPA-
TDAB)、1,3,5-tris〔4-(3-methylphenylphenylamino)ph
enyl〕benzene(m-MTDAPB)、4,4,',4”-tris(3-methylph
enylphenylamino)triphenylamine(m-MTDATA)、4,4',4”
-tris(1-naphthylphenylphenylamino)triphenylamine(1
-TNATA)、4,4',4”-tris(2-naphthylphenylphenylamin
o)triphenylamine(2-TNATA)、4,4',4”-tris〔bis(4'-t
ert-butylbiphenyl-4-yl)amino〕triphenylamine(t-Bu-
TBATA)、1,3,5-tris(4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadia
zolyl)benzene(TPOB)、tri(p-terphenyl-4-yl)amine(p-
TTA)、bis{4-〔bis(4-methylphenyl)amino〕phenyl}oli
gothiophene(BMA-nT)等のアモルファス分子材料を用い
ることができる。On the other hand, it is considered that the following materials may be used for the organic carrier transport layer. That is, N, N '
-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl- [1,1'-bipheny
l] -4,4'-diamine (TPD), 2- (biphenyl-4-yl) -5- (4-tert
-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD), 4,4 ', 4 ”-tri
(N-carbazolyl) triphenylamine (TCTA), 1,3,5-tris (N-
(4-diphenylaminophenyl) phenylamino) benzene (p-DPA-
TDAB), 1,3,5-tris (4- (3-methylphenylphenylamino) ph
enyl] benzene (m-MTDAPB), 4,4, ', 4 ”-tris (3-methylph
enylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA), 4,4 ', 4 ”
-tris (1-naphthylphenylphenylamino) triphenylamine (1
-TNATA), 4,4 ', 4 ”-tris (2-naphthylphenylphenylamin
o) triphenylamine (2-TNATA), 4,4 ', 4 "-tris [bis (4'-t
ert-butylbiphenyl-4-yl) amino) triphenylamine (t-Bu-
TBATA), 1,3,5-tris (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadia
zolyl) benzene (TPOB), tri (p-terphenyl-4-yl) amine (p-
TTA), bis {4- [bis (4-methylphenyl) amino] phenyl} oli
An amorphous molecular material such as gothiophene (BMA-nT) can be used.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、直接遷移
型の有機受光素子を用いることにより、高効率・低雑音
の画像入力装置を実現できるという効果がある。また、
有機光電変換素子を、吸収波長の互いに異なる３種類の
材料を用いて作成し、この３種類の材料を用いてそれぞ
れ作成された有機光電変換素子を規則的に配列すること
により、カラーフィルタが不要であり、光電変換効率の
高いカラー画像入力装置を実現できるという効果があ
る。さらに、有機光電変換素子に集光する光学素子を更
に設けることにより、光電変更効率をより向上させるこ
とができるという効果がある。なお、有機光電変換素子
を発光素子としても用いることにより、有機ＥＬ表示装
置と画像入力装置とを兼用することができるという効果
がある。As described above, the present invention has an effect that a high efficiency and low noise image input device can be realized by using a direct transition type organic light receiving element. Also,
An organic photoelectric conversion element is made using three types of materials having different absorption wavelengths, and a color filter is unnecessary by regularly arranging the organic photoelectric conversion elements made using these three types of materials. Therefore, there is an effect that a color image input device having high photoelectric conversion efficiency can be realized. Further, by further providing an optical element for condensing light on the organic photoelectric conversion element, there is an effect that the photoelectric conversion efficiency can be further improved. By using the organic photoelectric conversion element also as a light emitting element, there is an effect that an organic EL display device and an image input device can be used together.
【図１】本発明による画像入力装置の実施の一形態を示
す構造図である。FIG. 1 is a structural diagram showing an embodiment of an image input device according to the present invention.
【図２】図１の画像入力装置を配列した場合を示す平面
図である。FIG. 2 is a plan view showing a case where the image input devices of FIG. 1 are arranged.
【図３】各画素の吸収スペクトルを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an absorption spectrum of each pixel.
【図４】図１の画像入力装置の等価回路を示す回路図で
ある。FIG. 4 is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the image input device of FIG.
【図５】図１中の受光部の光電特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing photoelectric characteristics of a light receiving unit in FIG.
【図６】図１の画像入力装置に対してマイクロレンズア
レイを追加した状態を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a state where a microlens array is added to the image input device of FIG. 1;
１ 画像入力装置 １０ 受光部 １１ トランジスタ １２ 金属配線 １３ 有機受光素子 １４ ＩＴＯ膜 １５ 素子分離領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Image input device 10 Light receiving part 11 Transistor 12 Metal wiring 13 Organic light receiving element 14 ITO film 15 Element isolation region
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ Ｆターム(参考） 4M118 AA01 AA05 AA10 AB01 CA01 CA27 CB05 GC20 GD04 5C024 CX37 DX01 EX43 GX20 5C051 AA01 BA02 DA03 DB01 DB04 DB35 DC02 DC07 5F049 MB08 NA01 NB03 PA20 RA02 RA08 SE04 SS03 UA14 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H04N 5/335 H01L 31/10 A F term (Reference) 4M118 AA01 AA05 AA10 AB01 CA01 CA27 CB05 GC20 GD04 5C024 CX37 DX01 EX43 GX20 5C051 AA01 BA02 DA03 DB01 DB04 DB35 DC02 DC07 5F049 MB08 NA01 NB03 PA20 RA02 RA08 SE04 SS03 UA14
Claims (6)
応性素子をオンオフさせるためのスイッチング素子とを
含む画素が半導体基板上に複数配列されることによって
構成される画像入力装置であって、前記光感応性素子は
有機光電変換素子であることを特徴とする画像入力装
置。1. An image input device comprising a plurality of pixels including a light-sensitive element for detecting light and a switching element for turning on and off the light-sensitive element arranged on a semiconductor substrate. The image input device, wherein the photosensitive element is an organic photoelectric conversion element.
前記半導体基板の代わりに、絶縁性基板上に設けられた
半導体膜上に前記画素が複数配列されることによって構
成されることを特徴とする画像入力装置。2. The image input device according to claim 1, wherein
An image input device comprising a plurality of pixels arranged on a semiconductor film provided on an insulating substrate instead of the semiconductor substrate.
いて、前記有機光電変換素子は、吸収波長の互いに異な
る３種類の材料を用いて作成され、この３種類の材料を
用いてそれぞれ作成された有機光電変換素子が規則的に
配列されてなることを特徴とする画像入力装置。3. The image input device according to claim 1, wherein the organic photoelectric conversion element is formed by using three kinds of materials having different absorption wavelengths, and each of the organic photoelectric conversion elements is formed by using the three kinds of materials. An image input device, wherein the organic photoelectric conversion elements are arranged regularly.
力装置において、前記有機光電変換素子は、直接遷移型
のエネルギーギャップを有することを特徴とする画像入
力装置。4. The image input device according to claim 1, wherein the organic photoelectric conversion element has a direct transition type energy gap.
力装置において、前記有機光電変換素子に集光する光学
素子を更に含むことを特徴とする画像入力装置。5. The image input device according to claim 1, further comprising an optical element for condensing light on said organic photoelectric conversion element.
力装置において、前記有機光電変換素子を発光素子とし
ても用いることを特徴とする画像入力装置。6. The image input device according to claim 1, wherein the organic photoelectric conversion element is also used as a light emitting element.
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