JP2002111152A - Circuit board - Google Patents

Circuit board

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JP2002111152A
JP2002111152A JP2000299898A JP2000299898A JP2002111152A JP 2002111152 A JP2002111152 A JP 2002111152A JP 2000299898 A JP2000299898 A JP 2000299898A JP 2000299898 A JP2000299898 A JP 2000299898A JP 2002111152 A JP2002111152 A JP 2002111152A
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wiring conductor
surface wiring
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parts
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Tsutomu Oda
勉 小田
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Kyocera Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit board where bonding strength in a surface wiring conductor, warpage in a substrate, and sheet resistance are superior even if a laminate substrate and the surface wiring conductor are simultaneously sintered. SOLUTION: In this circuit board 10 where the surface wiring conductor 4 is formed on the surface of a laminate substrate 1 where a plurality of dielectric layers 1a to 1e are laminated, the surface wiring conductor 4 contains 0.05 to 2 wt.% rhodium, and 1-3 wt.% manganese oxide to 100 wt.% Ag-based conductive material.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、積層体基板に表面
配線導体を形成した回路基板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit board in which a surface wiring conductor is formed on a laminate substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、焼成温度を800〜1050
℃と比較的低い温度で焼成可能な材料を用いた回路基板
が広く提案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a firing temperature of 800 to 1050 has been used.
A circuit board using a material that can be fired at a relatively low temperature of ° C. has been widely proposed.

【0003】回路基板は、複数の誘電体層を積層した基
板と、該積層体基板の各誘電体層間に配置した内部配線
導体と、該積層体基板の表面に配置した表面配線導体
と、各誘電体層の厚み方向に所定内部配線導体間、所定
内部配線導体と表面配線導体との間を接続するビアホー
ル導体とから構成されている。
[0003] A circuit board includes a substrate on which a plurality of dielectric layers are laminated, an internal wiring conductor disposed between the dielectric layers of the laminated substrate, a surface wiring conductor disposed on the surface of the laminated substrate, and It is composed of predetermined internal wiring conductors in the thickness direction of the dielectric layer, and via hole conductors connecting between the predetermined internal wiring conductors and the surface wiring conductor.

【0004】なお、積層体基板の表面に配置した表面配
線導体には、ICチップを始め、各種電子部品が搭載さ
れている。
[0004] Various electronic components such as an IC chip are mounted on the surface wiring conductor arranged on the surface of the laminated substrate.

【0005】上述の内部配線導体の導電率を高めて回路
の高速化を行うために、内部配線導体、ビアホール導
体、表面配線導体としては、金属成分がAg単体または
Ag−Pd、Ag−PtなどのAg合金から成るAg系
材料が使用されている。また、誘電体層としては、上述
のAg系材料の融点から、低温(800〜1050℃)
で焼成可能な材料が用いられている。例えば、ガラス成
分とセラミック成分とから成るガラス−セラミック材料
である。
In order to increase the conductivity of the above-mentioned internal wiring conductors to increase the circuit speed, the internal wiring conductors, via-hole conductors and surface wiring conductors may be composed of Ag alone or Ag-Pd, Ag-Pt, or the like. Ag-based material composed of the above Ag alloy is used. In addition, the dielectric layer is formed at a low temperature (800 to 1050 ° C.) from the melting point of the Ag-based material described above.
A material that can be fired is used. For example, a glass-ceramic material composed of a glass component and a ceramic component.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、融点が
960℃程度のAgを主成分とする表面配線導体材料
は、上述の如きガラスセラミックなどの低温焼成可能な
基板との同時焼成を行った際に、基板上の表面配線導体
が過焼結ぎみになって、表面配線導体がポーラスな組織
になってしまうことが多々あった。そして、このような
ポーラスな組織となった表面配線導体にメッキ処理を施
すと、表面配線導体のポアから酸やアルカリ等の処理液
が浸入し、表面配線導体内部の組織間、あるいは表面配
線導体と基板との界面を侵し、表面配線導体の接着強度
が大幅に劣化するという問題があった。
However, the surface wiring conductor material mainly composed of Ag having a melting point of about 960 ° C. is required to be co-fired with a low-temperature sinterable substrate such as a glass ceramic as described above. In many cases, the surface wiring conductor on the substrate is over-sintered, resulting in the surface wiring conductor having a porous structure. When a plating treatment is applied to the surface wiring conductor having such a porous structure, a treatment liquid such as an acid or an alkali penetrates from the pores of the surface wiring conductor, and the gap between the structures inside the surface wiring conductor or the surface wiring conductor. There is a problem that the adhesive strength of the surface wiring conductor is greatly deteriorated.

【0007】ここで、単に表面配線導体の過焼結を避け
ることだけを考えれば、内部配線導体を形成した基板を
表面配線導体の無い状態で焼成した後、表層に2次メタ
ライズでメッキ性の良いAg導体を焼き付ける方法はあ
る。しかし、これでは工数の増加になるため、コスト的
に不利である。また、キャビティを有する形状の製品の
場合、キャビティ内にAg導体を2次メタライズで形成
するのは困難である。
Here, in order to simply avoid oversintering of the surface wiring conductors, the substrate on which the internal wiring conductors are formed is fired without the surface wiring conductors, and then the surface layer is plated with secondary metallization. There is a way to bake a good Ag conductor. However, this increases the number of steps, which is disadvantageous in terms of cost. In the case of a product having a cavity, it is difficult to form an Ag conductor in the cavity by secondary metallization.

【0008】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、低温焼結可能な基板と表面
配線導体との同時焼成を行った場合でも、接着強度が良
好な表面配線導体を得ることのできる回路基板を提供す
ることにある。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and has an object to achieve good adhesive strength even when a low-temperature sinterable substrate and a surface wiring conductor are simultaneously fired. An object of the present invention is to provide a circuit board capable of obtaining a proper surface wiring conductor.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の回路基板は、複
数の誘電体層を積層して成る積層体基板の表面に表面配
線導体を形成した回路基板において、前記表面配線導体
は、Ag系導体材料100重量部に対して、0.05〜
2重量部のロジウムと、1〜3重量部の酸化マンガンを
含有している。
A circuit board according to the present invention is a circuit board having a surface wiring conductor formed on the surface of a laminated substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, wherein the surface wiring conductor is made of an Ag-based material. 0.05 to 100 parts by weight of the conductor material
It contains 2 parts by weight of rhodium and 1 to 3 parts by weight of manganese oxide.

【作用】本発明では、表面配線導体は、Ag系導体材料
100重量部に対して、0.05〜2重量部のロジウム
と、1〜3重量部の酸化マンガンを含有している。
According to the present invention, the surface wiring conductor contains 0.05 to 2 parts by weight of rhodium and 1 to 3 parts by weight of manganese oxide based on 100 parts by weight of the Ag-based conductor material.

【0010】すなわち、ロジウム(Rh)が、Ag系導
体材料100重量部に対して、0.05〜2重量部含有
されているため、焼成により得られるAg導体が、ポー
ラスな組織になるのを抑制する作用を有する。そのた
め、Ag導体表面にメッキ処理を施す際に使用する薬液
が、Ag導体の組織内に浸入しにくくなる。その結果、
Ag導体の基板に対する密着性が良好に保たれることに
なる。
That is, since rhodium (Rh) is contained in an amount of 0.05 to 2 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ag-based conductor material, it is necessary that the Ag conductor obtained by firing has a porous structure. Has the effect of suppressing. For this reason, a chemical solution used when plating the Ag conductor surface is less likely to penetrate into the Ag conductor tissue. as a result,
Good adhesion of the Ag conductor to the substrate is maintained.

【0011】なお、ロジウムの含有量が0.05重量部
を下回ると、840〜950℃での基板との同時焼成時
に発生するAg導体の異常粒成長を抑制しきれず、Ag
導体がポーラスな組織になりやすい。一方、2重量部を
上回ると、ロジウム自身は焼結しないため、Ag粉末の
焼結を妨げ、シート抵抗が増大してしまう。
If the content of rhodium is less than 0.05 parts by weight, the abnormal grain growth of the Ag conductor, which occurs at the time of simultaneous firing with the substrate at 840 to 950 ° C., cannot be suppressed.
The conductor tends to have a porous structure. On the other hand, if it exceeds 2 parts by weight, rhodium itself does not sinter, so that sintering of the Ag powder is hindered and the sheet resistance increases.

【0012】また、酸化マンガン(MnO)が、Ag系
導体材料100重量部に対して、1〜3重量部含有され
ることにより、誘電体−表面配線導体界面の反応層には
MnO2添加特有の針状結晶物が析出し、セラミック基
板と表面配線導体の接触面積が大きくなるため、いわゆ
るアンカー効果(Ag系導電性ペーストを構成するAg
粒子と基板材料のガラス成分が強固に結合し合う)を発
揮して、セラミック基板と表面配線導体との接着力を高
めるため、高い接着信頼性が達成される。
Further, since manganese oxide (MnO) is contained in an amount of 1 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the Ag-based conductor material, MnO 2 is added to the reaction layer at the interface between the dielectric and the surface wiring conductor. Precipitates, and the contact area between the ceramic substrate and the surface wiring conductor increases, so that the so-called anchor effect (Ag constituting the Ag-based conductive paste) is obtained.
Since the particles and the glass component of the substrate material are strongly bonded to each other) and the adhesive strength between the ceramic substrate and the surface wiring conductor is increased, high adhesive reliability is achieved.

【0013】なお、酸化マンガンの含有量が1重量部を
下回ると、アンカー効果が十分に発揮されない。一方、
3重量部を越えて過剰に添加されると、上記針状結晶物
が、表面配線導体4の表面に析出されることから、シー
ト抵抗が増大してしまう。
If the manganese oxide content is less than 1 part by weight, the anchor effect cannot be sufficiently exhibited. on the other hand,
If it is added in excess of 3 parts by weight, the needle-like crystals are deposited on the surface of the surface wiring conductor 4, and the sheet resistance increases.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の回路基板を図面に
基づいて説明する。図1は、本発明に係る回路基板の断
面図である。図1において、10は回路基板であり、1
は積層基板、2は積層基板1内に形成された内部配線導
体、3は積層基板1内のに形成されたビアホール導体、
4は積層基板1の表面に形成した表面配線導体、5はI
Cチップ部品であり、6は他の電子部品である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a circuit board according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of a circuit board according to the present invention. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a circuit board,
Is a laminated substrate, 2 is an internal wiring conductor formed in the laminated substrate 1, 3 is a via-hole conductor formed in the laminated substrate 1,
Reference numeral 4 denotes a surface wiring conductor formed on the surface of the laminated substrate 1;
Reference numeral 6 denotes a C chip component, and reference numeral 6 denotes another electronic component.

【0015】積層基板1は、ガラス−セラミック材料か
ら成る誘電体層1a〜1eと、誘電体層1a〜1eの各
層間に、所定回路網を達成したり、容量成分を発生する
ための内部配線導体2が配置されている。
The laminated substrate 1 includes dielectric layers 1a to 1e made of a glass-ceramic material, and internal wiring for achieving a predetermined circuit network and generating a capacitance component between the dielectric layers 1a to 1e. The conductor 2 is arranged.

【0016】また、誘電体層1a〜1eには、その層の
厚み方向を貫くビアホール導体3が形成されている。
In the dielectric layers 1a to 1e, via-hole conductors 3 are formed so as to penetrate the layers in the thickness direction.

【0017】さらに、誘電体層1a〜1eを積層した積
層基板1の表面には、表面配線導体4が形成されてい
る。
Further, a surface wiring conductor 4 is formed on the surface of the laminated substrate 1 on which the dielectric layers 1a to 1e are laminated.

【0018】誘電体層1a〜1eは、例えば850〜1
050℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガラス
ーセラミック材料からなる。具体的なセラミック材料と
しては、クリストバライト、石英、コランダム(αアル
ミナ)、ムライト、コージライトなどの絶縁セラミック
材料、BaTiO3 、Pb4Fe2Nb212、TiO2
どの誘電体セラミック材料、Ni−Znフェライト、M
n−Znフェライト(広義の意味でセラミックという)
などの磁性体セラミック材料などが挙げられる。なお、
その平均粒径1.0〜6.0μm、好ましくは1.5〜
4.0μmに粉砕したものを用いる。また、セラミック
材料は2種以上混合して用いられてもよい。特に、コラ
ンダムを用いた場合、コスト的に有利となる。
The dielectric layers 1a to 1e are, for example, 850 to 1
It is made of a glass-ceramic material that can be fired at a relatively low temperature of around 050 ° C. Specific ceramic materials include insulating ceramic materials such as cristobalite, quartz, corundum (α-alumina), mullite, cordierite, dielectric ceramic materials such as BaTiO 3 , Pb 4 Fe 2 Nb 2 O 12 , TiO 2 , and Ni -Zn ferrite, M
n-Zn ferrite (ceramic in a broad sense)
And other magnetic ceramic materials. In addition,
Its average particle size is 1.0 to 6.0 μm, preferably 1.5 to 6.0 μm.
Use the one crushed to 4.0 μm. Further, two or more ceramic materials may be used in combination. In particular, the use of corundum is advantageous in terms of cost.

【0019】ガラス成分のフリットは、焼成処理するこ
とによってコージェライト、ムライト、アノーサイト、
セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ド
ロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶やスピネ
ル構造の結晶相を析出するものであればよく、例えば、
23、SiO2、Al23、ZnO、アルカリ土類酸
化物を含むガラスフリットが挙げられる。この様なガラ
スフリットは、ガラス化範囲が広くまた屈伏点が600
〜800℃付近となっている。
The frit of the glass component is subjected to a baking treatment to obtain cordierite, mullite, anorthite,
Serdian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite or a substituted derivative thereof or a crystal of a spinel structure may be precipitated, for example,
Glass frit containing B 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, and alkaline earth oxide can be used. Such a glass frit has a wide vitrification range and a yield point of 600
~ 800 ° C.

【0020】この誘電体層1a〜1eの厚みは、例えば
100〜300μm程度である。
The thickness of the dielectric layers 1a to 1e is, for example, about 100 to 300 μm.

【0021】内部配線導体2、ビアホール導体3は、A
g系(Ag単体、Ag−Pd、Ag−PtなどのAg合
金)を主成分とする導体膜(導体)からなり、内部配線
導体2の厚みは8〜15μm程度である。また、ビアホ
ール導体3の直径は任意な値とすることができるが、大
径化として低抵抗化するために、80〜350μmとし
ている。特に、ビアホール導体3は、Ag系材料、β石
英、誘電体層1a〜1eを構成するガラス成分と概略同
一のガラス成分、コージェライト、ムライト、アノーサ
イト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶や
スピネル構造の結晶相を析出し得る、例えばB23、S
iO2、Al23、ZnO、アルカリ土類酸化物を含む
ガラスフリットが挙げられる。
The internal wiring conductor 2 and the via hole conductor 3
The internal wiring conductor 2 is made of a conductor film (conductor) mainly composed of a g-based material (Ag alone, an Ag alloy such as Ag-Pd, Ag-Pt), and the thickness of the internal wiring conductor 2 is about 8 to 15 μm. The diameter of the via-hole conductor 3 can be set to an arbitrary value, but is set to 80 to 350 μm in order to increase the diameter and reduce the resistance. In particular, the via-hole conductor 3 is made of an Ag-based material, β-quartz, a glass component substantially the same as the glass component constituting the dielectric layers 1a to 1e, cordierite, mullite, anorthite, Celsian, spinel, garnite, willemite, dolomite, A crystal phase of petalite or a substituted derivative thereof or a crystal phase having a spinel structure can be precipitated, for example, B 2 O 3 , S
Glass frit containing iO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, and alkaline earth oxide may be used.

【0022】なお、誘電体層1a〜1e内のガラス成分
と概略同一のガラス成分とは、誘電体層1a〜1eに含
有されるガラス成分と全く同じ成分か、組成比率を若干
変更したもの、特性改善のために添加物を加えたもの、
基本特性(熱特性)を大きく変化させない程度で組成を
変更・削除したものであってもよい。
The glass components substantially the same as the glass components in the dielectric layers 1a to 1e may be the same as the glass components contained in the dielectric layers 1a to 1e, or may have a slightly different composition ratio. Additives to improve properties,
The composition may be changed or deleted without significantly changing the basic characteristics (thermal characteristics).

【0023】表面配線導体4は、Ag系(Ag単体、A
g−Pd、Ag−PtなどのAg合金)を主成分とする
導体膜から成り、主に積層基板1の表面で所定回路配線
を構成するとともに、半田を介して接合される電子部品
6の接続パッドとなったり、また、厚膜抵抗膜、厚膜コ
ンデンサ素子の端子電極となる。特に、内部配線導体2
との接続において、表面配線導体4は、誘電体層1aか
ら露出するビアホール導体3と接続する。
The surface wiring conductor 4 is made of Ag (Ag alone, A
(Ag alloys such as g-Pd, Ag-Pt, etc.) as a main component, and forms a predetermined circuit wiring mainly on the surface of the laminated substrate 1 and also connects the electronic components 6 joined via solder. It becomes a pad, or a terminal electrode of a thick-film resistive film or a thick-film capacitor element. In particular, the internal wiring conductor 2
The surface wiring conductor 4 is connected to the via-hole conductor 3 exposed from the dielectric layer 1a.

【0024】本発明の特徴的なことは、表面配線導体4
は、Ag系導体材料100重量部に対して、0.05〜
2重量部のロジウムと、1〜3重量部の酸化マンガンを
含有している。
The feature of the present invention is that the surface wiring conductor 4
Is 0.05 to 100 parts by weight of the Ag-based conductor material.
It contains 2 parts by weight of rhodium and 1 to 3 parts by weight of manganese oxide.

【0025】なお、電子部品6は、積層セラミックコン
デンサやチップ抵抗器などのチップ状電子部品やその他
発振装置やトランジスタなどが例示でき、表面配線導体
4に半田を介して接続されている。
The electronic component 6 can be exemplified by a chip-shaped electronic component such as a multilayer ceramic capacitor or a chip resistor, other oscillating devices or transistors, and is connected to the surface wiring conductor 4 via solder.

【0026】また、ICチップ5は、ICチップ5の下
面に形成したパンプ部材、AlまたはAuのボンディン
グ細線を介して表面配線導体4に接続されている。次
に、回路基板10の製造方法について説明する。
The IC chip 5 is connected to the surface wiring conductor 4 via a pump member formed on the lower surface of the IC chip 5 and a thin Al or Au bonding wire. Next, a method for manufacturing the circuit board 10 will be described.

【0027】まず、積層体基板1の誘電体層1a〜1e
となる大型のグリーンシート、内部配線導体2、ビアホ
ール導体3を形成するための例えばAg系の導電性ペー
スト、表面配線導体4を形成するための例えばAu系、
Ag系の導電性ペースト、オーバーコートガラス層5を
形成するためのガラスペーストを用意する。
First, the dielectric layers 1a to 1e of the laminate substrate 1
For example, an Ag-based conductive paste for forming the large green sheet, the internal wiring conductor 2 and the via-hole conductor 3, for example, an Au-based for forming the surface wiring conductor 4,
An Ag-based conductive paste and a glass paste for forming the overcoat glass layer 5 are prepared.

【0028】グリーンシートは、複数の回路基板を抽出
できるように、複数の回路基板領域を有しており、ガラ
ス−セラミック材料から成っている。例えば、セラミッ
ク粉末、低融点ガラス成分のフリット、有機バインダ、
有機溶剤を均質混練したスラリーを、ドクターブレード
法によって所定厚みにテープ成型して、所定大きさに切
断してシートを作成する。
The green sheet has a plurality of circuit board regions so that a plurality of circuit boards can be extracted, and is made of a glass-ceramic material. For example, ceramic powder, frit of low melting glass component, organic binder,
The slurry obtained by uniformly kneading the organic solvent is tape-formed to a predetermined thickness by a doctor blade method, and cut into a predetermined size to form a sheet.

【0029】セラミック粉末は、クリストバライト、石
英、コランダム(αアルミナ)、ムライト、コージライ
トなどの絶縁セラミック材料、BaTiO3、Pb4Fe
2Nb212、TiO2などの誘電体セラミック材料、N
i−Znフェライト、Mn−Znフェライト(広義の意
味でセラミックという)なとの磁性体セラミック材料な
どが挙げられ、その平均粒径1.0〜6.0μm、好ま
しくは1.5〜4.0μmに粉砕したものを用いる。な
お、セラミック材料は2種以上混合して用いられてもよ
い。特に、コランダムを用いた場合、コスト的に有利と
なる。
The ceramic powder includes insulating ceramic materials such as cristobalite, quartz, corundum (α-alumina), mullite, cordierite, BaTiO 3 , Pb 4 Fe
Dielectric ceramic materials such as 2 Nb 2 O 12 and TiO 2 , N
Magnetic ceramic materials such as i-Zn ferrite and Mn-Zn ferrite (referred to as ceramic in a broad sense) are mentioned, and their average particle size is 1.0 to 6.0 μm, preferably 1.5 to 4.0 μm. Crushed. Note that two or more ceramic materials may be used in combination. In particular, the use of corundum is advantageous in terms of cost.

【0030】低融点ガラス成分のフリットは、焼成処理
することによってコージェライト、ムライト、アノーサ
イト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶や
スピネル構造の結晶相を析出するものであればよく、例
えば、B23、SiO2、Al23、ZnO、アルカリ
土類酸化物を含むガラスフリットが挙げられる。
The frit of the low-melting glass component precipitates a crystal phase of cordierite, mullite, anorthite, serdian, spinel, garnite, willemite, dolomite, petalite or a substituted derivative thereof or a crystal phase having a spinel structure by firing. Any material may be used, for example, glass frit containing B 2 O 3 , SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO, and alkaline earth oxide.

【0031】上述のセラミック材料とガラス材料との構
成比率は、850〜1050℃の比較的低温で焼成する
ために、セラミック材料が10〜60wt%、好ましく
は30〜50wt%であり、ガラス材料が90〜40w
t%、好ましくは70〜50wt%である。
The composition ratio between the ceramic material and the glass material is 10 to 60 wt%, preferably 30 to 50 wt%, for firing at a relatively low temperature of 850 to 1050 ° C. 90-40w
t%, preferably 70 to 50 wt%.

【0032】有機バインダは、固形分(セラミック粉
末、低融点ガラス成分のフリット)との濡れ性も重視す
る必要があり、比較的低温で且つ短時間の焼成工程で焼
失できるように熱分解性に優れたものが好ましく、アク
リル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキ
シル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和
化合物が好ましい。
The organic binder also needs to pay attention to wettability with solids (ceramic powder, frit of low-melting glass component). Excellent ones are preferable, and ethylenically unsaturated compounds having a carboxyl group and an alcoholic hydroxyl group such as acrylic acid or methacrylic acid-based polymers are preferable.

【0033】溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用い
ることができる。例えば、有機溶剤の場合には、2,
2,4−トリメチル−1,3−ペンタジオールモノイソ
ベンチートなどが用いられ、水系溶剤の場合には、水溶
性である必要があり、モノマー及びバインダには、親水
性の官能基、例えばカルボキシル基が付加されている。
As the solvent, an organic solvent or an aqueous solvent can be used. For example, in the case of an organic solvent,
For example, 2,4-trimethyl-1,3-pentadiol monoisoventate or the like is used. In the case of an aqueous solvent, it needs to be water-soluble, and the monomer and the binder include a hydrophilic functional group such as carboxyl. A group has been added.

【0034】その付加量は酸価で表せば2〜300であ
り、好ましくは5〜100である。付加量が少ない場合
は水への溶解性、固定成分の粉末の分散性が悪くなり、
多い場合は熱分解性が悪くなるため、付加量は、水への
溶解性、分散性、熱分解性を考慮して、上述の範囲で適
宜付加される。
The amount of addition is 2 to 300, preferably 5 to 100, in terms of acid value. If the added amount is small, the solubility in water, the dispersibility of the powder of the fixed component becomes poor,
When the amount is large, the thermal decomposability deteriorates. Therefore, the addition amount is appropriately added in the above range in consideration of solubility in water, dispersibility, and thermal decomposability.

【0035】次に、誘電体層1a〜1eとなるグリーン
シートの各回路基板領域に、ビアホール導体3となる貫
通穴をパンチングによって形成する。同時に、該貫通穴
にビアホール導体3となる導体をAg系導電性ペースト
の印刷・充填によって形成するとともに、特に、誘電体
層1b〜1eとなるグリーンシート上には、内部配線導
体2となる導体膜を、Ag系導電性ペーストの印刷・乾
燥によって形成する。また、誘電体層1aとなるグリー
ンシート上には、表面配線導体4となる導体膜を、Ag
系導電性ペーストの印刷・乾燥によって形成する。
Next, a through hole serving as a via hole conductor 3 is formed in each circuit board region of the green sheet serving as the dielectric layers 1a to 1e by punching. At the same time, a conductor serving as the via-hole conductor 3 is formed in the through hole by printing and filling with an Ag-based conductive paste, and particularly, a conductor serving as the internal wiring conductor 2 is formed on the green sheet serving as the dielectric layers 1b to 1e. The film is formed by printing and drying an Ag-based conductive paste. On the green sheet serving as the dielectric layer 1a, a conductor film serving as the surface wiring conductor 4 is formed of Ag.
It is formed by printing and drying a system conductive paste.

【0036】ここで、ビアホール導体3、内部配線導体
2のAg系導電性ペーストは、Ag系(Ag単体、Ag
−PdなどのAg合金)粉末、ホウ珪酸系低融点ガラス
フリット、エチルセルロースなどの有機バインダー、溶
剤を均質混合したものが用いられる。
Here, the Ag-based conductive paste of the via-hole conductor 3 and the internal wiring conductor 2 is made of an Ag-based paste (Ag alone, Ag-based).
-Ag alloys such as Pd), borosilicate low melting point glass frit, organic binders such as ethylcellulose, and a homogeneous mixture of solvents are used.

【0037】また、表面配線導体4のAg系導電性ペー
ストは、Ag系(Ag単体、Ag−PdなどのAg合
金)粉末、Pt粉末、低融点ガラスフリット、有機バイ
ンダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。
The Ag-based conductive paste of the surface wiring conductor 4 is obtained by homogeneously mixing Ag-based (Ag alone, Ag alloy such as Ag-Pd) powder, Pt powder, low-melting glass frit, organic binder, and solvent. Is used.

【0038】次に、各回路基板領域にビアホール導体3
となる導体、内部配線導体2となる導体膜が形成された
誘電体層1b〜1eとなるグリーンシート、表面配線導
体4となる導体膜が形成された誘電体層1aとなるグリ
ーンシートを、積層順に応じて積層し、例えば60kg
f/cm3の圧力で圧着等で一体化して大型積層体基板
を形成する。
Next, a via hole conductor 3 is formed in each circuit board area.
, A green sheet that becomes the dielectric layers 1b to 1e on which the conductor film that becomes the internal wiring conductor 2 is formed, and a green sheet that becomes the dielectric layer 1a on which the conductor film that becomes the surface wiring conductor 4 is formed. Laminated according to the order, for example, 60kg
A large-sized laminate substrate is formed by pressure bonding or the like at a pressure of f / cm 3 .

【0039】次に、未焼成状態の大型積層体基板に、各
回路基板領域を区画するように分割溝を形成する。
Next, division grooves are formed in the large-sized laminate substrate in an unfired state so as to divide each circuit board region.

【0040】次に、未焼成状態の大型積層体基板を、酸
化性雰囲気または大気雰囲気で同時焼成処理する。な
お、この焼成工程は、脱バインダ過程と焼結過程からな
る。
Next, the unsintered large-sized laminated substrate is subjected to a simultaneous firing treatment in an oxidizing atmosphere or an air atmosphere. The firing step includes a binder removal step and a sintering step.

【0041】脱バインダ過程は、誘電体層1a〜1eと
なるグリーンシート、内部配線導体2となる導体膜、ビ
アホール導体3となる導体、表面配線導体4となる導体
膜に含まれる有機成分を焼失させるためのものであり、
例えば500〜600℃の温度領域で行われる。
The binder removal process burns off organic components contained in the green sheets serving as the dielectric layers 1a to 1e, the conductor film serving as the internal wiring conductor 2, the conductor serving as the via hole conductor 3, and the conductor film serving as the surface wiring conductor 4. Is to let
For example, it is performed in a temperature range of 500 to 600 ° C.

【0042】また、焼結過程は、ガラス−セラミックの
グリーンシートのガラス成分を結晶化させると同時にセ
ラミック粉末の粒界に均一に分散させ、積層体基板に一
定強度を与え、内部配線導体2となる導体膜、ビアホー
ル導体3となる導体、表面配線導体4となる導体膜の導
電材料の金属粉末、Ag粉末を粒成長させ、低抵抗化さ
せて、誘電体層1a〜1eと一体化させるものである。
これは、ピーク温度850〜1050℃に達するまでに
行われる。
In the sintering process, the glass component of the glass-ceramic green sheet is crystallized and simultaneously dispersed uniformly at the grain boundaries of the ceramic powder to give a certain strength to the laminated substrate, and the internal wiring conductor 2 A conductive powder of a conductive film, a conductor of a via hole conductor 3, and a metal powder or an Ag powder of a conductive material of a conductive film of the surface wiring conductor 4 are grain-grown to reduce the resistance, and are integrated with the dielectric layers 1a to 1e. It is.
This is done until a peak temperature of 850-1050 <0> C is reached.

【0043】ここで、ガラス−セラミック材料が焼結反
応(焼結収縮)を開始する温度(約600℃)よりも低
い温度(例えば550℃)で、導電材料の金属粉末が
(焼結収縮)を開始することになる。
At this time, at a temperature (for example, 550 ° C.) lower than the temperature (about 600 ° C.) at which the glass-ceramic material starts the sintering reaction (sintering shrinkage), the metal powder of the conductive material is turned (sintering shrinkage). Will start.

【0044】これにより、各回路基板領域の内部に内部
配線導体2、ビアホール導体3が形成され、且つ表面に
表面配線導体4が形成された大型回路基板が達成される
ことになる。
As a result, a large-sized circuit board having the internal wiring conductor 2 and the via-hole conductor 3 formed inside each circuit board area and the surface wiring conductor 4 formed on the surface is achieved.

【0045】次に、表面配線導体4に接続する厚膜抵抗
素子、各種電子部品6を半田などで接合・実装を行う。
Next, the thick film resistance element connected to the surface wiring conductor 4 and various electronic components 6 are joined and mounted by soldering or the like.

【0046】最後に、各回路基板を区画する分割溝に沿
って分割処理を行う。これにより、大型回路基板から
は、図1に示す複数の回路基板10が抽出されることに
なる。
Finally, a dividing process is performed along the dividing grooves for dividing each circuit board. Thus, a plurality of circuit boards 10 shown in FIG. 1 are extracted from the large circuit board.

【0047】以上のように、本発明では、表面配線導体
4は、Ag系導体材料100重量部に対して、0.05
〜2重量部のロジウムと、1〜3重量部の酸化マンガン
を含有している。
As described above, in the present invention, the surface wiring conductor 4 is 0.05% by weight based on 100 parts by weight of the Ag-based conductor material.
Contains ~ 2 parts by weight rhodium and 1-3 parts by weight manganese oxide.

【0048】本発明では、表面配線導体は、Ag系導体
材料100重量部に対して、0.05〜2重量部のロジ
ウムと、1〜3重量部の酸化マンガンを含有している。
In the present invention, the surface wiring conductor contains 0.05 to 2 parts by weight of rhodium and 1 to 3 parts by weight of manganese oxide based on 100 parts by weight of the Ag-based conductor material.

【0049】すなわち、ロジウム(Rh)が、Ag系導
体材料100重量部に対して、0.05〜2重量部含有
されているため、焼成により得られるAg導体が、ポー
ラスな組織になるのを抑制する作用を有する。そのた
め、Ag導体表面にメッキ処理を施す際に使用する薬液
が、Ag導体の組織内に浸入しにくくなる。その結果、
Ag導体の基板に対する密着性が良好に保たれることに
なる。
That is, since rhodium (Rh) is contained in an amount of 0.05 to 2 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the Ag-based conductor material, the Ag conductor obtained by firing has a porous structure. Has the effect of suppressing. For this reason, a chemical solution used when plating the Ag conductor surface is less likely to penetrate into the Ag conductor tissue. as a result,
Good adhesion of the Ag conductor to the substrate is maintained.

【0050】なお、ロジウムの含有量が0.05重量部
を下回ると、840〜950℃での基板との同時焼成時
に発生するAg導体の異常粒成長を抑制しきれず、Ag
導体がポーラスな組織になりやすい。一方、2重量部を
上回ると、ロジウム自身は焼結しないため、Ag粉末の
焼結を妨げ、シート抵抗が増大してしまう。
If the content of rhodium is less than 0.05 parts by weight, the abnormal grain growth of the Ag conductor which occurs at the time of simultaneous firing with the substrate at 840 to 950 ° C. cannot be suppressed.
The conductor tends to have a porous structure. On the other hand, if it exceeds 2 parts by weight, rhodium itself does not sinter, so that sintering of the Ag powder is hindered and the sheet resistance increases.

【0051】また、酸化マンガン(MnO)が、Ag系
導体材料100重量部に対して、0.05〜3重量部含
有されることにより、誘電体−表面配線導体界面の反応
層にはMnO2添加特有の針状結晶物が析出し、基板と
表面配線導体の接触面積が大きくなるため、いわゆるア
ンカー効果(Ag系導電性ペーストを構成するAg粒子
と基板材料のガラス成分が強固に結合し合う)を発揮し
て、積層体基板1と表面配線導体4との接着力を高める
ため、高い接着信頼性が達成される。
Further, since manganese oxide (MnO) is contained in an amount of 0.05 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the Ag-based conductor material, the reaction layer at the interface between the dielectric and the surface wiring conductor has MnO 2. A needle-like crystal peculiar to the addition precipitates and the contact area between the substrate and the surface wiring conductor increases, so that the so-called anchor effect (the Ag particles constituting the Ag-based conductive paste and the glass component of the substrate material are strongly bonded to each other) ) To enhance the adhesive strength between the laminate substrate 1 and the surface wiring conductor 4, thereby achieving high adhesive reliability.

【0052】なお、酸化マンガンの含有量が1重量部を
下回ると、アンカー効果が十分に発揮されない。一方、
3重量部を越えて過剰に添加されると、上記針状結晶物
が、表面配線導体4の表面に析出されることから、シー
ト抵抗が増大してしまう。
When the content of manganese oxide is less than 1 part by weight, the anchor effect cannot be sufficiently exhibited. on the other hand,
If it is added in excess of 3 parts by weight, the needle-like crystals are deposited on the surface of the surface wiring conductor 4, and the sheet resistance increases.

【0053】なお、積層体基板全体の厚みを均一にし、
均一なプレスを行えるようにするために、表面配線導体
の所定位置、例えば各種電子部品が搭載される部分や外
部との電気的な接続を行う端子電極部分を除いた部分
に、ガラス層を形成してもよい。
The thickness of the entire laminated substrate is made uniform,
In order to enable uniform pressing, a glass layer is formed at predetermined positions on the surface wiring conductor, for example, at a portion excluding a portion on which various electronic components are mounted and a terminal electrode portion for making an electrical connection to the outside. May be.

【0054】[0054]

【実施例】次に、本発明について実施例に基づき更に詳
細に説明する。
Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples.

【0055】本発明者は、上記製造方法により、回路基
板10を作製した。なお、誘電体層1は100μm×5
層、内部配線導体2の厚みは10μmとなるようにし
た。
The inventor manufactured the circuit board 10 by the above-described manufacturing method. Note that the dielectric layer 1 is 100 μm × 5
The thickness of the layer and the internal wiring conductor 2 was set to 10 μm.

【0056】試料番号1〜3、5〜6は、Ag系導体材
料100重量部に対して、0.05〜2重量部のロジウ
ムと、1〜3重量部の酸化マンガンを含有させた。
Sample Nos. 1 to 3 and 5 to 6 contained 0.05 to 2 parts by weight of rhodium and 1 to 3 parts by weight of manganese oxide based on 100 parts by weight of the Ag-based conductor material.

【0057】試料番号8、9は、ロジウム含有量をそれ
ぞれ0%、1.5%とした。
Sample Nos. 8 and 9 had rhodium contents of 0% and 1.5%, respectively.

【0058】試料番号4、7は、酸化マンガン含有量を
それぞれ0.5%、4%とした。
Sample Nos. 4 and 7 had manganese oxide contents of 0.5% and 4%, respectively.

【0059】このようにして得られた回路基板10の接
着強度、反り、及びシート抵抗をそれぞれ測定、評価し
た。その結果を表1に示す。
The adhesive strength, warpage, and sheet resistance of the circuit board 10 thus obtained were measured and evaluated. Table 1 shows the results.

【0060】[0060]

【表1】 [Table 1]

【0061】なお、表1における接着強度(kgf)
は、ピール法、すなわち導電性ペーストの焼き付けによ
って形成された2mm角の表面配線導体上に、0.6m
mφの錫メッキ銅リード線を半田付け接続した後、この
リード線を引っ張ることによって求められる数値であ
る。そこで、本実施例においては、235±5℃に温度
調整されたAg(Ag)2%入りの共晶半田中に2mm
×2mmの大きさを有する厚膜導体を5±1秒間だけ浸
漬し、かつ、この厚膜導体に対して、リード線である直
径0.8mmの錫メッキ銅線を半田付け接続した後、こ
のリード線を引っ張り試験機によって20cm/分の速
度で引っ張ることによって測定された接着強度を示して
いる。なお、メッキ前後の表面配線導体についてそれぞ
れ接着強度を調べた。接着強度の評価として、1.5k
g以上のものを良品、1.5kg未満のものを不良とし
た。
The adhesive strength (kgf) in Table 1 was used.
Is 0.6 m on a surface wiring conductor of 2 mm square formed by the peeling method, that is, baking of a conductive paste.
This value is obtained by soldering a tin-plated copper lead wire having a diameter of mφ and then pulling the lead wire. Thus, in this embodiment, 2 mm of eutectic solder containing 2% Ag (Ag) adjusted to 235 ± 5 ° C.
A thick-film conductor having a size of × 2 mm is immersed for only 5 ± 1 seconds, and a tin-plated copper wire having a diameter of 0.8 mm, which is a lead wire, is connected to the thick-film conductor by soldering. Figure 3 shows the bond strength measured by pulling the lead wire at a speed of 20 cm / min with a tensile tester. The adhesive strength of each of the surface wiring conductors before and after plating was examined. 1.5k for evaluation of adhesive strength
g or more was determined to be good, and less than 1.5 kg was determined to be defective.

【0062】また、反りの測定方法は、焼成後の寸法で
8.5mm角の基板を形成し、基板を導体を上に向けて
平面上に平置して、導体設置領域にて、最低高さを示す
基板下側の面と、最高高さを示す導体上側の面との高さ
の差を接触膜厚計のプローブを当てることによって測定
し、50μm未満のものを良品、50μm以上のものを
不良とした。
The method for measuring the warpage is as follows. A substrate having a size of 8.5 mm square after firing is formed, and the substrate is placed flat on a flat surface with the conductor facing upward. The difference in height between the lower surface of the substrate indicating the height and the upper surface of the conductor indicating the highest height is measured by applying a probe of a contact film thickness meter. Was regarded as defective.

【0063】また、シート抵抗(mΩ/□)は、長さ
(L)及び幅(W)が100:1の寸法関係(L/W=
100/1)を有するパターンとされた厚膜導体上の2
点を周知の4端子法(ホイートストンブリッジを用いた
抵抗値測定方法)によって測定した上での膜厚換算によ
って求めた導体抵抗値である。シート抵抗の評価とし
て、2.5mΩ/□以下であれば、実用的な条件を満足
するものである。試料数は各々100個とした。
The sheet resistance (mΩ / □) has a dimensional relationship (L / W = 100) where the length (L) and the width (W) are 100: 1.
100/1) on a patterned thick film conductor having
It is a conductor resistance value obtained by measuring a point by a well-known four-terminal method (resistance measurement method using a Wheatstone bridge) and then converting the film thickness. When the sheet resistance is evaluated to be 2.5 mΩ / □ or less, it satisfies practical conditions. The number of samples was 100 each.

【0064】表面配線導体4が、Ag系導体材料100
重量部に対して、0.05〜2重量部のロジウムと、1
〜3重量部の酸化マンガンを含有している場合(試料番
号1〜3、5〜6)は、初期・メッキ後接着強度が1.
5kg以上となり、反りが50μm未満、シート抵抗が
2.5mΩ/□以下となった。
The surface wiring conductor 4 is made of an Ag-based conductor material 100
0.05 to 2 parts by weight of rhodium and 1 part by weight
When manganese oxide is contained in an amount of 1 to 3 parts by weight (sample numbers 1 to 3 and 5 to 6), the initial and post-plating adhesive strength is 1.
5 kg or more, the warpage was less than 50 μm, and the sheet resistance was 2.5 mΩ / □ or less.

【0065】これに対し、ロジウム含有量が0%である
場合(試料番号8)は、反りが60μmとなった。一
方、ロジウム含有量が1.5%である場合(試料番号
9)は、シート抵抗が2.7mΩ/□となった。
On the other hand, when the rhodium content was 0% (sample No. 8), the warpage was 60 μm. On the other hand, when the rhodium content was 1.5% (Sample No. 9), the sheet resistance was 2.7 mΩ / □.

【0066】また、酸化マンガン含有量が0.5%であ
る場合(試料番号4)は、メッキ後接着強度が1.0k
gと低下した。一方、酸化マンガン含有量が4%である
場合(試料番号7)は、シート抵抗が2.8mΩ/□と
なった。
When the manganese oxide content was 0.5% (Sample No. 4), the adhesive strength after plating was 1.0 k.
g. On the other hand, when the manganese oxide content was 4% (Sample No. 7), the sheet resistance was 2.8 mΩ / □.

【0067】なお、本発明は上記の実施の形態例に限定
されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内
での種々の変更や改良等は何ら差し支えない。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes and improvements may be made without departing from the scope of the present invention.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、表面配
線導体は、Ag系導体材料100重量部に対して、0.
05〜2重量部のロジウムを含有しているため、焼成に
より得られるAg導体が、ポーラスな組織になるのを抑
制する作用を有する。そのため、Ag導体表面にメッキ
処理を施す際に使用する薬液が、Ag導体の組織内に浸
入しにくくなる。その結果、Ag導体の基板に対する密
着性が良好に保たれることになる。
As described above, according to the present invention, the surface wiring conductor is used in an amount of 0.1 to 100 parts by weight of the Ag-based conductor material.
Since 0.5 to 2 parts by weight of rhodium is contained, the Ag conductor obtained by firing has an effect of suppressing the formation of a porous structure. For this reason, a chemical solution used when plating the Ag conductor surface is less likely to penetrate into the Ag conductor tissue. As a result, good adhesion of the Ag conductor to the substrate is maintained.

【0069】また、表面配線導体は、Ag系導体材料1
00重量部に対して、1〜3重量部の酸化マンガンを含
有しているため、積層体基板1と表面配線導体4との界
面の反応層にMnO2添加特有の針状結晶物が析出し、
積層体基板と表面配線導体の接触面積が大きくなり、い
わゆるアンカー効果(Ag系導電性ペーストを構成する
Ag粒子と基板材料のガラス成分が強固に結合し合う)
を発揮して、積層体基板と表面配線導体との接着力を高
めることから、高い接着信頼性が達成される。
The surface wiring conductor is made of Ag-based conductor material 1
Since 1 to 3 parts by weight of manganese oxide is contained with respect to 00 parts by weight, a needle-like crystal peculiar to MnO 2 addition precipitates in the reaction layer at the interface between the laminated substrate 1 and the surface wiring conductor 4. ,
The contact area between the laminate substrate and the surface wiring conductor increases, so-called anchor effect (the Ag particles constituting the Ag-based conductive paste and the glass component of the substrate material are strongly bonded).
To enhance the adhesive strength between the laminate substrate and the surface wiring conductor, thereby achieving high bonding reliability.

【0070】したがって、小型で高性能の回路基板を簡
単且つ安価な方法で製造することができる。
Therefore, a small and high-performance circuit board can be manufactured by a simple and inexpensive method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る回路基板の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a circuit board according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 回路基板 1 積層体基板 1a〜1e 誘電体層 2 内部配線 3 スルーホール導体 4 表面配線 5 ICチップ 6 電子部品 REFERENCE SIGNS LIST 10 circuit board 1 laminated board 1 a to 1 e dielectric layer 2 internal wiring 3 through-hole conductor 4 surface wiring 5 IC chip 6 electronic component

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の誘電体層を積層して成る積層体基
板の表面に表面配線導体を形成した回路基板において、 前記表面配線導体は、Ag系導体材料100重量部に対
して、0.05〜2重量部のロジウムと、1〜3重量部
の酸化マンガンを含有していることを特徴とする回路基
板。
1. A circuit board in which a surface wiring conductor is formed on the surface of a laminated substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers, wherein the surface wiring conductor is used in an amount of 0.1 to 100 parts by weight of the Ag-based conductor material. A circuit board comprising 0.05 to 2 parts by weight of rhodium and 1 to 3 parts by weight of manganese oxide.
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