JP2002111070A - Reflective light-emitting diode - Google Patents

Reflective light-emitting diode

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JP2002111070A
JP2002111070A JP2000296052A JP2000296052A JP2002111070A JP 2002111070 A JP2002111070 A JP 2002111070A JP 2000296052 A JP2000296052 A JP 2000296052A JP 2000296052 A JP2000296052 A JP 2000296052A JP 2002111070 A JP2002111070 A JP 2002111070A
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light
light emitting
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reflective
emitting diode
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Yoshinobu Suehiro
好伸 末広
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Toyoda Gosei Co Ltd
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  • Led Device Packages (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To keep an external radiation efficiency at a high level even if a reflective light-emitting diode is downsized. SOLUTION: Related to a reflective light-emitting diode 1, leads 3a, 3b, and 4 which supply an electric power to a light-emitting element 2 are sealed with a transparent epoxy resin 6, and a reflective surface form is molded on a light- emitting surface side of the light-emitting element 2 while a form of radiation surface 7 is molded on a rear surface side with a metal vapor-deposited on the reflective surface to form a reflective mirror 5. The reflective surface has a symmetrical shape rotating a part of an oval about a center axis where a position of the light-emitting element 2 being a primary focal point while a point f1 being a secondary focal point is rotated around the center axis of the reflective LED 1. The light reflective on the reflective mirror 5 after emitted from the light-emitting element 2 is converted toward a circle 8 passing the point f1, so even if the area ratio of the light-emitting element 2 increases, the light-emitting element 2 does not shield the light.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子から発光
された光を金属製等の凹形の反射鏡で反射する反射型発
光ダイオード(以下、「反射型LED」とも略する。)
に関するものである。なお、本明細書中ではLEDチッ
プそのものは「発光素子」と呼び、LEDチップを搭載
した発光装置全体を「発光ダイオード」または「LE
D」と呼ぶこととする。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflection type light emitting diode (hereinafter also abbreviated as "reflection type LED") for reflecting light emitted from a light emitting element with a concave reflector made of metal or the like.
It is about. In this specification, the LED chip itself is called a “light emitting element”, and the entire light emitting device on which the LED chip is mounted is referred to as a “light emitting diode” or “LE”.
D ".

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、発光素子がマウントされたリード
が樹脂封止されるとともに、発光素子の発光面側に反射
面形状、発光素子の背面側に放射面形状が成形された反
射型LEDが案出されている。このLEDにおいては、
反射面形状に成形された樹脂表面に金属蒸着を施すこと
によって反射鏡が形成される。かかる構造のLEDで
は、発光素子が発した略全光量を反射鏡で光制御できる
ため、高い外部放射効率が実現できる。
2. Description of the Related Art Conventionally, a reflection type LED in which a lead on which a light emitting element is mounted is sealed with a resin, a reflecting surface shape is formed on a light emitting surface side of the light emitting element, and a radiation surface shape is formed on a back side of the light emitting element. It has been devised. In this LED,
The reflecting mirror is formed by performing metal evaporation on the resin surface formed into the reflecting surface shape. In the LED having such a structure, almost the entire amount of light emitted from the light emitting element can be light-controlled by the reflecting mirror, so that high external radiation efficiency can be realized.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる構造の
LEDにおいては、反射鏡で反射される光の一部は発光
素子やリードによって遮られ、外部に放射されない。し
たがって、LEDを小型化した場合、発光素子やリード
の大きさは変わらないため、放射面積に対して遮光面積
の割合が大幅に増加し、外部放射効率が大幅に低下する
という問題があった。この問題に対し、図8に示される
ような反射型LED101の特許出願がされている(特
開平6−350140号公報)。この反射型LED10
1は、発光素子102の下方以外の反射鏡105の反射
面は発光素子102を焦点とする回転放物面とし、発光
素子102の下方のみ凸型の円錐形状105aとして、
発光素子102から真下に放射された光も外部放射させ
ようとするものである。
However, in the LED having such a structure, a part of the light reflected by the reflecting mirror is blocked by the light emitting element or the lead and is not radiated to the outside. Therefore, when the size of the LED is reduced, the size of the light emitting element or the lead does not change, so that the ratio of the light shielding area to the radiation area is greatly increased, and there is a problem that the external radiation efficiency is greatly reduced. To address this problem, a patent application for a reflective LED 101 as shown in FIG. 8 has been filed (JP-A-6-350140). This reflective LED 10
1 is that the reflecting surface of the reflecting mirror 105 other than below the light emitting element 102 is a paraboloid of revolution with the light emitting element 102 as the focal point, and only the lower part of the light emitting element 102 is a convex conical shape 105a.
Light emitted directly below the light emitting element 102 is also to be externally emitted.

【0004】しかし、かかる形状の反射鏡105では、
不連続な鋭いエッジ部分105bが生ずるため、反射さ
れる光の配光特性も不連続となって連続的な滑らかな放
射光が得られない。また、かかる反射鏡105の形状を
樹脂モールドで形成するとボイドが発生しやすくなり、
金属板をプレスして成形しようとすると極度な変曲点を
有するため良品がなかなか得られず、表面粗度も悪くな
るという問題点があった。
However, in the reflecting mirror 105 having such a shape,
Since the discontinuous sharp edge portion 105b is generated, the light distribution characteristic of the reflected light is discontinuous, and continuous smooth emitted light cannot be obtained. Further, when the shape of the reflecting mirror 105 is formed by a resin mold, voids are easily generated,
When a metal plate is pressed to be formed, it has an extremely inflection point, so that it is difficult to obtain a good product and the surface roughness becomes poor.

【0005】そこで、本発明は、小型化しても外部放射
効率を高い水準に維持できるとともに滑らかで連続的な
配光性を有する放射光が得られる実用的な反射型LED
を提供することを課題とするものである。
Accordingly, the present invention provides a practical reflection type LED which can maintain a high level of external radiation efficiency even if it is miniaturized, and can obtain a radiation light having a smooth and continuous light distribution.
It is an object to provide

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明にかかる
反射型発光ダイオードは、発光素子と、前記発光素子に
電力を供給するリード部と、前記発光素子の発光面に対
向して設けられ、前記発光素子が発する光を前記発光素
子周辺には至らない方向へ反射した後に外部放射する中
心点以外は滑らかな略連続面からなる反射鏡と、前記発
光素子の背面側の放射部とを具備するものである。ここ
で、放射部は、光透過性材料の界面である放射面である
場合もあり、何もない中空の開放部分である場合もあ
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a reflection type light emitting diode provided with a light emitting element, a lead for supplying power to the light emitting element, and a light emitting surface of the light emitting element. A reflecting mirror consisting of a smooth substantially continuous surface except for a central point that emits light emitted from the light emitting element in a direction that does not reach the periphery of the light emitting element and then externally emits, and a radiating portion on the back side of the light emitting element. It is provided. Here, the radiating portion may be a radiating surface which is an interface of the light transmitting material, or may be a hollow open portion having nothing.

【0007】また、「中心点以外は滑らかな略連続面」
とは、図7(a)に示されるような多角形の一部(直線
65a,65b,65c,65d,65e,65f,6
5g,65hからなる。)を中心軸周りに回転させた中
心軸対称形状や、図7(b)に示されるような発光素子
72と樹脂76の外部の一点とを焦点とする楕円の一部
を中心軸周りに回転させた中心軸対称形状75aと発光
素子72を焦点とする回転放物面形状75bの組み合わ
せ等である。これらは厳密な意味では不連続面である
が、鋭いエッジを生ずるような急激な面形状の変化はな
く、中心点の凸部以外は滑らかな略連続とみなせる面で
ある。
[0007] "Smooth substantially continuous surface except for the center point"
Means a part of a polygon (straight lines 65a, 65b, 65c, 65d, 65e, 65f, 6f) as shown in FIG.
5g, 65h. ) Is rotated about the central axis, or a part of an ellipse whose focal point is the light emitting element 72 and a point outside the resin 76 as shown in FIG. 7B is rotated about the central axis. It is a combination of the center axis symmetric shape 75a and the paraboloid of revolution 75b having the light emitting element 72 as a focal point. Although these are discontinuous surfaces in a strict sense, they are surfaces that can be regarded as smooth and substantially continuous except for a convex portion at the center point without a sudden change in surface shape that causes a sharp edge.

【0008】したがって、反射型LEDを小型化して放
射部の面積に対する遮光部(発光素子とリード部)のう
ち発光素子の面積比が増大しても、反射鏡で反射された
光は発光素子周辺には至らずに外部放射されるので発光
素子による遮光が起こることはなく、小型化しても外部
放射効率を高く保つことができる反射型LEDとなる。
さらに、滑らかで連続的な配光性を有する放射光が得ら
れるとともに、反射鏡を樹脂モールドで形成する場合に
も金属板プレスで形成する場合にも、精度良く表面粗度
の優れた反射鏡を備えた実用的な反射型LEDとするこ
とができる。
Therefore, even if the size of the reflection type LED is reduced and the area ratio of the light emitting element in the light shielding part (light emitting element and lead part) to the area of the radiating part is increased, the light reflected by the reflecting mirror does not surround the light emitting element. Therefore, light is not emitted by the light-emitting element because the light is emitted outside the LED, and the reflection-type LED can maintain a high external radiation efficiency even if it is miniaturized.
In addition, the mirror provides smooth and continuous light distribution, and has excellent surface roughness with high accuracy, both when the reflector is formed by resin molding and by pressing a metal plate. And a practical reflection type LED provided with

【0009】請求項2の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1の構成において、前記発光素子及び前
記リード部の一部を封止し、前記発光素子と前記反射鏡
との間を充填する光透過性材料を有するものである。し
たがって、発光素子が封止されることによって、湿度に
よる劣化の心配がなくなる。また、リード部の一部が封
止されることによってワイヤボンディングが外部から保
護され、信頼性のある電気的接続が得られる。さらに、
発光素子と反射鏡との間が光透過性材料で充填されるこ
とによって、中空の場合よりも屈折率が高くなり、光の
放射効率が向上する。このように、発光素子とワイヤボ
ンディングの信頼性が向上するとともに外部放射効率が
より高くなる反射型LEDとなる。
According to a second aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to the first aspect, the light emitting element and a part of the lead portion are sealed, and a space between the light emitting element and the reflecting mirror is filled. Having a light transmitting material. Therefore, there is no need to worry about deterioration due to humidity by sealing the light emitting element. In addition, since a part of the lead portion is sealed, the wire bonding is protected from the outside, and a reliable electrical connection can be obtained. further,
By filling the space between the light emitting element and the reflecting mirror with the light transmitting material, the refractive index becomes higher than in the case of a hollow body, and the light radiation efficiency is improved. As described above, the reflection type LED in which the reliability of the light emitting element and the wire bonding is improved and the external radiation efficiency is higher is obtained.

【0010】請求項3の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1または請求項2の構成において、前記
反射鏡は、前記発光素子の光を前記リード部を含む平面
において環状に集光するものである。ここで、環状に集
光する方法としては、反射鏡の形状を、例えば発光素子
と他の一点を2つの焦点とする楕円の一部を反射型LE
Dの中心軸周りに回転した中心対称形状とする方法があ
る。このように、反射光をリード部を含む平面において
環状に集光することによって、発光素子を避けてその周
囲に光を集めることができる。したがって、光が遮られ
るのはリード部の2箇所のみとなり、その他の光はほぼ
全て放射部から放射されるので、高い外部放射効率を得
ることができる。
According to a third aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to the first or second aspect, the reflecting mirror condenses the light of the light emitting element in a ring shape on a plane including the lead portion. Things. Here, as a method of converging the light in an annular shape, the shape of the reflecting mirror may be, for example, a light emitting element and a part of an ellipse having another point as two focal points may be a reflection type LE.
There is a method of forming a center-symmetric shape rotated around the central axis of D. As described above, by condensing the reflected light in a ring shape on the plane including the lead portion, the light can be collected around the light-emitting element while avoiding the light-emitting element. Therefore, the light is blocked only at two places of the lead portion, and almost all other light is radiated from the radiating portion, so that a high external radiation efficiency can be obtained.

【0011】請求項4の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1または請求項2の構成において、前記
反射鏡は、前記発光素子の光を前記リード部を含む平面
において多点に集光するものである。ここで、多点に集
光する方法としては、反射鏡の形状を、例えば発光素子
と他の一点を2つの焦点とする楕円を回転させた回転楕
円面の一部を複数個集めた形状とする方法がある。この
ように、反射光をリード部を含む平面において多点に集
光することによって、発光素子ばかりでなくリード部を
も避けて光を集めることができる。したがって、発光素
子から発せられた光のほぼ全光量を外部放射することが
でき、より高い外部放射効率を得ることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to the first or second aspect, the reflecting mirror condenses the light of the light emitting element at multiple points on a plane including the lead portion. Is what you do. Here, as a method of condensing light at multiple points, the shape of the reflecting mirror may be, for example, a shape obtained by collecting a plurality of spheroidal surfaces obtained by rotating an ellipse whose two focal points are a light emitting element and another point. There is a way to do that. As described above, by condensing the reflected light at multiple points on the plane including the lead portion, it is possible to collect the light while avoiding not only the light emitting element but also the lead portion. Therefore, almost the entire amount of light emitted from the light emitting element can be externally radiated, and higher external radiation efficiency can be obtained.

【0012】請求項5の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成に
おいて、前記反射鏡は、5mm以下の直径を有するもの
である。一般に、発光素子の大きさは0.3mm×0.
3mm程度であり、これをマウントするリード先端の大
きさは0.5mm×0.5mm程度である。したがっ
て、反射鏡の直径が5mmを超えるような反射型LED
においては、発光素子による遮光の影響は殆どないた
め、本発明におけるような工夫をする必要もない。逆に
いうと、反射鏡の直径が5mm以下になるあたりから発
光素子の遮光による影響が出始め、反射型LEDの小型
化の問題点となる。よって、反射鏡の直径が5mm以下
の反射型LEDにおいては、発光素子が発する光を発光
素子周辺には至らない方向へ反射した後に外部放射する
ことによって、発光素子の遮光の影響を避ける必要があ
る。このようにして、反射鏡の直径が5mm以下であっ
て発光素子による遮光の影響が出るような小型の反射型
LEDにおいても、高い外部放射効率を維持することが
できる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to fourth aspects, the reflecting mirror has a diameter of 5 mm or less. Generally, the size of the light emitting element is 0.3 mm × 0.2 mm.
It is about 3 mm, and the size of the tip of the lead for mounting it is about 0.5 mm × 0.5 mm. Therefore, a reflective LED in which the diameter of the reflector exceeds 5 mm
In this case, since there is almost no influence of light shielding by the light emitting element, it is not necessary to devise the present invention. Conversely, when the diameter of the reflecting mirror becomes about 5 mm or less, the influence of light shielding of the light emitting element starts to appear, which is a problem of downsizing the reflective LED. Therefore, in the case of a reflective LED having a reflector diameter of 5 mm or less, it is necessary to avoid the influence of light shielding of the light emitting element by reflecting light emitted from the light emitting element in a direction not reaching the light emitting element and then radiating the light to the outside. is there. In this way, high external radiation efficiency can be maintained even in a small reflective LED in which the diameter of the reflector is 5 mm or less and the light-emitting element is affected by shading.

【0013】請求項6の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成に
おいて、前記発光素子の周辺に前記発光素子の光を受け
て蛍光を発する蛍光体を備えるものである。発光素子の
周辺に蛍光体を配置するためには、一方のリードの先端
をカップ状にして中心に発光素子をマウントし、その周
囲のカップ内に蛍光体を充填する方法等がある。かかる
構造をとると、反射型LED自体を小型化しなくても、
蛍光体を充填するカップによって遮光部の面積比が大き
くなってしまう。しかし、本発明の反射型LEDによれ
ば、反射鏡で反射された光は発光素子周辺には至らずに
放射部から外部放射されるので蛍光体を充填するカップ
による遮光が起こることはなく、蛍光体を備えていても
外部放射効率を高く保つことができる反射型LEDとな
る。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the reflective light emitting diode according to any one of the first to fourth aspects, wherein the phosphor emits fluorescence around the light emitting element by receiving light from the light emitting element. It is provided with. In order to dispose the phosphor around the light emitting element, there is a method of mounting the light emitting element around the center with the tip of one lead in a cup shape and filling the surrounding cup with the phosphor. With such a structure, even if the reflection type LED itself is not miniaturized,
The cup filled with the phosphor increases the area ratio of the light-shielding portion. However, according to the reflective LED of the present invention, the light reflected by the reflecting mirror does not reach the periphery of the light emitting element and is emitted from the radiating portion to the outside, so that light is not blocked by the cup filling the phosphor, The reflection type LED can maintain high external radiation efficiency even with the phosphor.

【0014】請求項7の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成に
おいて、前記発光素子は複数個であるものである。複数
の発光素子をマウントするには、やはり一方のリードの
先端をカップ状にして底に複数の発光素子をマウント
し、その周囲のカップ内に拡散材を充填する方法等があ
る。かかる構造をとると、反射型LED自体を小型化し
なくても、複数の発光素子をマウントするカップによっ
て遮光部の面積比が大きくなってしまう。しかし、本発
明の反射型LEDによれば、反射鏡で反射された光は発
光素子周辺には至らずに外部放射されるので複数の発光
素子をマウントするカップによる遮光が起こることはな
く、複数の発光素子を備えていても外部放射効率を高く
保つことができる反射型LEDとなる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to fourth aspects, the plurality of light emitting elements are provided. In order to mount a plurality of light emitting elements, there is a method of mounting the plurality of light emitting elements on the bottom by forming the tip of one of the leads into a cup shape and filling the surrounding cup with a diffusing material. With such a structure, the area ratio of the light-shielding portion is increased by the cup for mounting a plurality of light-emitting elements without reducing the size of the reflective LED itself. However, according to the reflection type LED of the present invention, the light reflected by the reflector is not radiated to the periphery of the light emitting element but is radiated to the outside, so that light is not blocked by a cup mounting a plurality of light emitting elements. Even if the light emitting element is provided, the reflection type LED can keep the external radiation efficiency high.

【0015】請求項8の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項2乃至請求項7のいずれか1つの構成に
おいて、前記反射鏡は、前記光透過材料によってモール
ドされ、表面に鏡面加工を施されたものである。ここ
で、鏡面加工の方法としては、光透過性材料の表面に金
属蒸着を施す等の方法がある。かかる方法によれば、反
射型LEDの量産化が可能となり、低コスト化を図るこ
とができる。
According to an eighth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the second to seventh aspects, the reflecting mirror is molded with the light transmitting material and the surface is mirror-finished. It was done. Here, as a method of mirror finishing, there is a method of performing metal evaporation on the surface of the light-transmitting material. According to this method, mass production of the reflection type LED becomes possible, and cost reduction can be achieved.

【0016】請求項9の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項7のいずれか1つの構成に
おいて、前記反射鏡は、凹面形状に加工した金属板、ま
たは前記金属板の凹面にメッキ処理を施したものであ
る。したがって、温度変化に対して耐性を有し、樹脂面
に金属蒸着した反射鏡のように温度変化による皺の発生
等によって反射鏡としての機能を失うということがない
ので、表面実装用のリフロー炉に対応することが可能な
ものとなる。これによって、表面実装部品として何ら制
限なく用いることができるので、多量に実装される反射
型LEDとして適したものとなる。特に、小型化した反
射型LEDは、表面実装部品としての需要が大きいの
で、小型化した場合により実用的な反射型LEDとな
る。
According to a ninth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to seventh aspects, the reflecting mirror is a metal plate processed into a concave shape or a concave surface of the metal plate. Is plated. Therefore, it is resistant to temperature changes, and does not lose its function as a reflecting mirror due to the occurrence of wrinkles due to temperature changes, unlike a reflecting mirror metal-deposited on a resin surface. Can be handled. As a result, it can be used as a surface-mounted component without any limitation, so that it is suitable as a reflection-type LED to be mounted in a large amount. In particular, since there is a great demand for a miniaturized reflective LED as a surface mount component, it becomes a more practical reflective LED when miniaturized.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0018】図1(a)は本発明の実施の形態1にかか
る反射型発光ダイオードの全体構成を示す縦断面図、
(b)は本発明の実施の形態1にかかる反射型発光ダイ
オードにおける集光の様子を示す平面図である。図2
は、本発明の実施の形態2にかかる反射型発光ダイオー
ドの全体構成を示す縦断面図である。図3は、本発明の
実施の形態3にかかる反射型発光ダイオードの全体構成
を示す縦断面図である。図4は、本発明の実施の形態4
にかかる反射型発光ダイオードの全体構成を示す平面図
である。図5は、本発明の実施の形態5にかかる反射型
発光ダイオードの全体構成を示す縦断面図である。図6
は、本発明の実施の形態6にかかる反射型発光ダイオー
ドの全体構成を示す縦断面図である。
FIG. 1A is a longitudinal sectional view showing the entire structure of the reflective light emitting diode according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 2B is a plan view showing a state of light collection in the reflective light emitting diode according to the first exemplary embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing the entire configuration of the reflective light emitting diode according to the second embodiment of the present invention. FIG. 3 is a longitudinal sectional view illustrating the entire configuration of the reflective light emitting diode according to the third embodiment of the present invention. FIG. 4 shows Embodiment 4 of the present invention.
1 is a plan view showing the entire configuration of a reflection type light emitting diode according to FIG. FIG. 5 is a longitudinal sectional view illustrating the entire configuration of the reflective light emitting diode according to the fifth embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing an overall configuration of a reflective light emitting diode according to a sixth embodiment of the present invention.

【0019】実施の形態1図1に示されるように、本発
明の実施の形態1の反射型発光ダイオード1は、発光素
子2に電力を供給する1対のリード3a,3bのうち、
片方のリード3aに発光素子2をマウントし、もう一方
のリード3bと発光素子2とをワイヤ4でボンディング
して電気的接続を行ったリード部を透明エポキシ樹脂6
で封止するとともに発光素子2の発光面側に反射面の形
状を、背面側に放射面7の形状(平坦面)をモールドし
たものである。そして、反射面に金属蒸着を施すことに
よって、反射鏡5が形成されている。
Embodiment 1 As shown in FIG. 1, a reflective light-emitting diode 1 according to Embodiment 1 of the present invention includes a pair of leads 3a and 3b for supplying power to a light-emitting element 2.
The light emitting element 2 is mounted on one of the leads 3a, and the other lead 3b and the light emitting element 2 are bonded to each other with a wire 4 to make electrical connection.
The light emitting element 2 is formed by molding the shape of the reflection surface on the light emitting surface side and the shape (flat surface) of the radiation surface 7 on the back side. The reflecting mirror 5 is formed by depositing metal on the reflecting surface.

【0020】反射面の形状は、発光素子2の位置を第1
の焦点とし、透明エポキシ樹脂6の外部の点f1を第2
の焦点とする楕円の一部を反射型LED1の中心軸周り
に回転させた中心軸対称形状に形成されている。したが
って、中心点以外は滑らかな略連続面である。かかる構
造の反射型LED1においては、発光素子2から発せら
れ反射鏡5で反射された光は、図1(b)に示されるよ
うに、反射型LED1の中心軸を中心とし、点f1を通
る円8に向かって集光される。実際には、放射面7にお
ける屈折があるため、円8上に集光される光はごく僅か
であるが、発光素子2から発せられたほぼ全ての光が円
8の近傍を通過することになる。
The shape of the reflecting surface is such that the position of the light emitting element 2 is the first position.
And the point f1 outside the transparent epoxy resin 6
A part of the ellipse which is the focal point is rotated about the central axis of the reflective LED 1 so as to have a central axis symmetrical shape. Therefore, it is a smooth substantially continuous surface except for the center point. In the reflective LED 1 having such a structure, light emitted from the light emitting element 2 and reflected by the reflecting mirror 5 passes through a point f1 about the central axis of the reflective LED 1 as shown in FIG. 1B. Light is collected toward the circle 8. Actually, the light condensed on the circle 8 is very small due to the refraction on the radiation surface 7, but almost all the light emitted from the light emitting element 2 passes near the circle 8. Become.

【0021】したがって、発光素子2から発せられ反射
鏡5で反射された光は、発光素子2の周辺には至らない
方向へ反射され、リード3a,3bを含む平面では発光
素子2周辺を含まない環状領域に集光し、さらに集光し
た後に外部放射されるので、反射型LED1が小型化さ
れて放射面7に対する遮光部(発光素子2とリード部3
a,3b)のうち発光素子2の面積比が増大しても、発
光素子2による遮光が起こることはない。遮光されるの
は、2つのリード3a,3bと円8が交差する2箇所の
みである。これによって、小型化しても外部放射効率を
高く保つことができる反射型LEDとなる。さらに、反
射鏡5は中心点以外は滑らかな略連続面であるため、滑
らかで連続的な配光性を有する放射光が得られるととも
に、反射鏡5を樹脂モールドで形成する場合にも精度良
く表面粗度の優れた反射鏡5を備えた実用的な反射型L
EDとすることができる。
Therefore, the light emitted from the light emitting element 2 and reflected by the reflecting mirror 5 is reflected in a direction not reaching the periphery of the light emitting element 2, and the plane including the leads 3a and 3b does not include the periphery of the light emitting element 2. Since the light is condensed on the annular area and further radiated to the outside after being condensed, the reflection type LED 1 is downsized and the light-shielding portion (the light-emitting element 2 and the lead
Even if the area ratio of the light-emitting element 2 in (a, 3b) increases, no light-shielding by the light-emitting element 2 occurs. The light is shielded only at two points where the two leads 3a and 3b and the circle 8 intersect. As a result, a reflection-type LED that can maintain high external radiation efficiency even if it is miniaturized. Further, since the reflecting mirror 5 is a smooth and substantially continuous surface except for the center point, it is possible to obtain a radiated light having a smooth and continuous light distribution, and to accurately form the reflecting mirror 5 even when the reflecting mirror 5 is formed of a resin mold. Practical reflection type L equipped with reflection mirror 5 having excellent surface roughness
Can be ED.

【0022】実施の形態2 次に、本発明の実施の形態2について、図2を参照して
説明する。図2に示されるように、本実施の形態2の反
射型発光ダイオード11は、発光素子12に電力を供給
する1対のリード13a,13bのうち、片方のリード
13aの先端をカップ12a状にして中心に発光素子1
2をマウントし、その周囲のカップ12a内に蛍光体1
8と透明エポキシ樹脂の混合物が充填されている。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, the reflection type light emitting diode 11 according to the second embodiment is configured such that, of a pair of leads 13a and 13b for supplying power to the light emitting element 12, the tip of one of the leads 13a is shaped like a cup 12a. Light emitting element 1 in the center
2 and mount the phosphor 1 in the cup 12a around it.
8 and a transparent epoxy resin mixture.

【0023】そして、もう一方のリード13bと発光素
子12とをワイヤ14でボンディングして電気的接続を
行ったリード部を透明エポキシ樹脂16で封止するとと
もに、発光素子12の発光面側に反射面の形状が、背面
側に放射面17の形状(平坦面)がモールドされてい
る。さらに、反射面に金属蒸着を施すことによって、反
射鏡15が形成されている。
Then, the other lead 13b and the light emitting element 12 are bonded to each other with a wire 14 and the electrically connected lead is sealed with a transparent epoxy resin 16 and reflected on the light emitting surface side of the light emitting element 12. As for the shape of the surface, the shape (flat surface) of the radiation surface 17 is molded on the back side. Further, the reflecting mirror 15 is formed by performing metal deposition on the reflecting surface.

【0024】反射面の形状は、発光素子12がマウント
されたカップ12aの位置を第1の焦点とし、透明エポ
キシ樹脂16の外部の点f2を第2の焦点とする楕円の
一部を反射型LED11の中心軸周りに回転させた中心
軸対称形状に形成されている。
The shape of the reflecting surface is such that a portion of the ellipse having the position of the cup 12a on which the light emitting element 12 is mounted as the first focal point and the point f2 outside the transparent epoxy resin 16 as the second focal point is a reflection type. It is formed in a central axis symmetrical shape rotated around the central axis of the LED 11.

【0025】発光素子12は紫外線発光素子であり、蛍
光体18は紫外線の放射を受けて白色の蛍光を発するも
のである。したがって、反射型LED11のカップ12
aの下面からは白色の蛍光が反射鏡15に向けて放射さ
れる。
The light emitting element 12 is an ultraviolet light emitting element, and the phosphor 18 emits white fluorescent light upon receiving the radiation of the ultraviolet light. Therefore, the cup 12 of the reflective LED 11
White fluorescent light is emitted toward the reflecting mirror 15 from the lower surface of “a”.

【0026】かかる構造の反射型LED11において
は、反射型LED11自体を小型化しなくても、蛍光体
18を充填するカップ12aによって遮光部の面積比が
大きくなってしまう。しかし、カップ12aから発せら
れ反射鏡15で反射された光は、反射型LED11の中
心軸を中心とし、点f2を通る円に向かって集光され
る。実際には、放射面17における屈折があるためこの
円上に集光される光はごく僅かであるが、カップ12a
から発せられたほぼ全ての光がこの円の近傍を通過する
ことになる。
In the reflective LED 11 having such a structure, the area ratio of the light-shielding portion is increased by the cup 12a filled with the phosphor 18 without reducing the size of the reflective LED 11 itself. However, the light emitted from the cup 12a and reflected by the reflecting mirror 15 is collected toward a circle passing through the point f2 around the central axis of the reflective LED 11. In practice, the light condensed on this circle is very small due to refraction at the radiation surface 17, but the cup 12a
Almost all light emitted from passes through the vicinity of this circle.

【0027】したがって、カップ12aから発せられ反
射鏡15で反射された光は、カップ12aの周辺には至
らない方向へ反射された後に外部放射されるので、カッ
プ12aによる遮光が起こることはなく、蛍光体18を
使用しても外部放射効率を高く保つことができる反射型
LEDとなる。
Accordingly, the light emitted from the cup 12a and reflected by the reflecting mirror 15 is reflected outside in a direction not reaching the periphery of the cup 12a and then radiated externally, so that the light is not blocked by the cup 12a. Even if the phosphor 18 is used, the reflection type LED can keep the external radiation efficiency high.

【0028】なお、本実施の形態2においては、発光素
子12を紫外線発光素子として、蛍光体18を紫外線を
受けて白色の蛍光を発するものとしたが、発光素子と蛍
光体の組み合わせはこれに限定されるものではない。例
えば、発光素子12を青色発光素子として、蛍光体18
が青色光を受けて黄色の蛍光を発するものとしても良
い。
In the second embodiment, the light emitting element 12 is an ultraviolet light emitting element and the phosphor 18 emits white fluorescent light upon receiving ultraviolet rays. However, the combination of the light emitting element and the phosphor is not limited to this. It is not limited. For example, the light emitting element 12 is a blue light emitting element, and the phosphor 18
May receive blue light and emit yellow fluorescence.

【0029】実施の形態3 次に、本発明の実施の形態3について、図3を参照して
説明する。図3に示されるように、本実施の形態3の反
射型発光ダイオード21は、三つの発光素子R,G,B
に電力を供給するリード23a,23bのうち、片方の
リード23aの先端をカップ22状にして内部に赤色発
光素子R、緑色発光素子G、青色発光素子Bをマウント
し、これらの発光素子の周囲のカップ22内に拡散材2
8と透明エポキシ樹脂の混合物が充填されている。拡散
材28としては、一般にはシリカの微粉が使用され、3
色の発光素子R,G,Bの発する光を拡散させて混合す
るために用いられる。
Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the reflective light emitting diode 21 according to the third embodiment includes three light emitting elements R, G, and B.
Of the leads 23a and 23b for supplying power to the red light emitting element R, the green light emitting element G, and the blue light emitting element B are mounted inside with the tip of one of the leads 23a being shaped like a cup 22, and around these light emitting elements. Material 2 in cup 22
8 and a transparent epoxy resin mixture. As the diffusing material 28, fine powder of silica is generally used.
It is used to diffuse and mix the light emitted by the light emitting elements R, G, B of the colors.

【0030】そして、もう一方のリード23bは三本に
分かれており、三つの発光素子R,G,Bとそれぞれ個
別に三本のワイヤ24R,24G,24Bでボンディン
グして電気的接続を行ったリード部を透明エポキシ樹脂
26で封止するとともに、発光素子R,G,Bの発光面
側に反射面の形状が、背面側に放射面27の形状(平坦
面)がモールドされている。さらに、反射面に金属蒸着
を施すことによって、反射鏡25が形成されている。
The other lead 23b is divided into three, and is electrically connected to the three light emitting elements R, G, B by three wires 24R, 24G, 24B, respectively. The lead portion is sealed with a transparent epoxy resin 26, and the shape of the reflecting surface is molded on the light emitting surface side of the light emitting elements R, G, B, and the shape (flat surface) of the radiation surface 27 is molded on the back side. Further, the reflecting mirror 25 is formed by performing metal deposition on the reflecting surface.

【0031】このように、三つの発光素子R,G,Bは
別々に電気的接続が行われているので、各発光素子R,
G,Bに供給する電力を自在に制御することができ、こ
れによって各発光素子R,G,Bの輝度が様々に制御さ
れて拡散材28で混合されることによって様々な色の光
を出すことができる。
As described above, since the three light emitting elements R, G, and B are separately electrically connected, each of the light emitting elements R, G, and B is connected.
The power supplied to G and B can be freely controlled, whereby the brightness of each light emitting element R, G and B is variously controlled and mixed with the diffusion material 28 to emit light of various colors. be able to.

【0032】反射面の形状は、発光素子R,G,Bがマ
ウントされたカップ22の位置を第1の焦点とし、透明
エポキシ樹脂26の外部の点f3を第2の焦点とする楕
円の一部を反射型LED21の中心軸周りに回転させた
中心軸対称形状に形成されている。
The shape of the reflection surface is an ellipse having the position of the cup 22 on which the light emitting elements R, G, and B are mounted as the first focal point and the point f3 outside the transparent epoxy resin 26 as the second focal point. It is formed in a central axis symmetrical shape in which the portion is rotated around the central axis of the reflective LED 21.

【0033】かかる構造の反射型LED21において
は、反射型LED21自体を小型化しなくても、拡散材
28を充填するカップ22によって遮光部の面積比が大
きくなってしまう。しかし、カップ22から発せられ反
射鏡25で反射された光は、反射型LED21の中心軸
を中心とし、点f3を通る円に向かって集光される。実
際には、放射面27における屈折があるためこの円上に
集光される光はごく僅かであるが、カップ22から発せ
られたほぼ全ての光がこの円の近傍を通過することにな
る。
In the reflective LED 21 having such a structure, the area ratio of the light shielding portion is increased by the cup 22 filled with the diffusion material 28 without reducing the size of the reflective LED 21 itself. However, the light emitted from the cup 22 and reflected by the reflecting mirror 25 is collected toward a circle passing through the point f3 around the central axis of the reflective LED 21. Actually, the light condensed on this circle is very small due to the refraction at the radiation surface 27, but almost all the light emitted from the cup 22 passes near this circle.

【0034】したがって、カップ22から発せられ反射
鏡25で反射された光は、カップ22の周辺には至らな
い方向へ反射された後に外部放射されるので、カップ2
2による遮光が起こることはなく、複数の発光素子R,
G,Bを使用しても外部放射効率を高く保つことができ
る反射型LEDとなる。
Accordingly, the light emitted from the cup 22 and reflected by the reflector 25 is reflected in a direction that does not reach the periphery of the cup 22 and then radiated to the outside.
2 does not occur, and a plurality of light emitting elements R,
Even if G and B are used, the reflection type LED can maintain high external radiation efficiency.

【0035】本実施の形態3においては、複数の発光素
子として光の三原色の発光素子R,G,Bを使用した場
合について説明したが、このうち2色の組み合わせや黄
色や紫色等の他の色の発光素子との組み合わせなど様々
な組み合わせが可能である。また、場合によっては、同
色の発光素子を2個以上並べて使用しても良い。
In the third embodiment, the case where the light emitting elements R, G, and B of three primary colors of light are used as the plurality of light emitting elements has been described. However, a combination of two colors and other light emitting elements such as yellow and purple are used. Various combinations such as a combination with a color light emitting element are possible. In some cases, two or more light emitting elements of the same color may be used side by side.

【0036】実施の形態4 次に、本発明の実施の形態4について、図4を参照して
説明する。本実施の形態4の反射型LED31が上記実
施の形態1〜3と異なるのは、反射鏡35の形状であ
る。
Fourth Embodiment Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The reflection type LED 31 of the fourth embodiment differs from the first to third embodiments in the shape of the reflecting mirror 35.

【0037】図4に示されるように、本実施の形態4の
反射型LED31は、発光素子32に電力を供給する1
対のリード33a,33bのうち、片方のリード33a
に発光素子32をマウントし、もう一方のリード33b
と発光素子32とをワイヤ34でボンディングして電気
的接続を行ったリード部を透明エポキシ樹脂で封止する
とともに発光素子32の発光面側に反射面の形状を、背
面側に放射面の形状をモールドしたものである。そし
て、反射面に金属蒸着を施すことによって、反射鏡35
が形成されている。
As shown in FIG. 4, the reflection type LED 31 of the fourth embodiment supplies the power to the light emitting element 32.
One lead 33a of the pair of leads 33a and 33b
The light emitting element 32 is mounted on the
The lead portion, which has been electrically connected by bonding the light emitting element 32 and the light emitting element 32 with each other, is sealed with a transparent epoxy resin. Is molded. Then, the reflecting mirror 35 is formed by performing metal evaporation on the reflecting surface.
Are formed.

【0038】反射鏡35の形状は、発光素子32の位置
を第1の焦点とし、透明エポキシ樹脂6の内部の点f4
a,f4b,f4c,f4d,f4e,f4fをそれぞ
れ第2の焦点とする六つの回転楕円面の一部35a,3
5b,35c,35d,35e,35fをつなぎ合わせ
た形状に形成されている。かかる構造の反射型LED3
1においては、発光素子32から発せられた光のうち反
射面35aで反射された光は点f4aに集光される。同
様に、反射面35bで反射された光は点f4bに、反射
面35cで反射された光は点f4cに、反射面35dで
反射された光は点f4dに、反射面35eで反射された
光は点f4eに、反射面35fで反射された光は点f4
fに、それぞれ集光される。
The shape of the reflecting mirror 35 is such that the position of the light emitting element 32 is the first focal point, and the point f4 inside the transparent epoxy resin 6 is
a, f4b, f4c, f4d, f4e, and portions 35a, 3 of six spheroids each having f4f as a second focal point.
5b, 35c, 35d, 35e, and 35f are formed in a connected shape. Reflective LED 3 having such a structure
In 1, in the light emitted from the light emitting element 32, the light reflected by the reflection surface 35a is collected at the point f4a. Similarly, the light reflected by the reflecting surface 35b is at a point f4b, the light reflected by the reflecting surface 35c is at a point f4c, the light reflected by the reflecting surface 35d is at a point f4d, and the light reflected by the reflecting surface 35e. Represents the point f4e, and the light reflected by the reflection surface 35f represents the point f4.
f.

【0039】このように、発光素子32から発せられた
光は全て六つの点f4a,f4b,f4c,f4d,f
4e,f4fに分かれて集光される。したがって、発光
素子32の周辺のみならず、2つのリード33a,33
bの近傍をも避けて反射集光されるので、全く遮光され
ることなく、発光素子32から発せられた光のほぼ全光
量が放射面から外部放射される。これによって、小型化
しても外部放射効率をより高く維持できる反射型LED
となる。
As described above, the light emitted from the light emitting element 32 is all six points f4a, f4b, f4c, f4d, f
Light is condensed separately into 4e and f4f. Therefore, not only the periphery of the light emitting element 32 but also the two leads 33a, 33
Since the light is reflected and condensed while avoiding the vicinity of b, almost the entire amount of light emitted from the light emitting element 32 is radiated from the radiation surface to the outside without any light shielding. This makes it possible to maintain a high external radiation efficiency even if the size is reduced.
Becomes

【0040】実施の形態5 次に、本発明の実施の形態5について、図5を参照して
説明する。本実施の形態5が上記実施の形態1〜4と異
なるのは、反射鏡が金属板をプレス加工することにより
形成されている点である。
Fifth Embodiment Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Embodiment 5 is different from Embodiments 1 to 4 in that the reflecting mirror is formed by pressing a metal plate.

【0041】図5に示されるように、本実施の形態5の
反射型LED41は、発光素子42に電力を供給する1
対のリード43a,43bのうち、片方のリード43a
に発光素子42をマウントし、もう一方のリード43b
と発光素子42とをワイヤ44でボンディングしたリー
ド部に、銅合金板をプレス加工して凹状に形成した後凹
面に銀メッキ処理してなる反射鏡45を取付け、これら
を円筒形の透明エポキシ樹脂46で封止するとともに発
光素子42の背面側に放射面47の形状(平坦面)をモ
ールドしたものである。
As shown in FIG. 5, the reflection type LED 41 according to the fifth embodiment supplies a power to the light emitting element 42.
One lead 43a of the pair of leads 43a and 43b
The light emitting element 42 is mounted on the other lead 43b.
A reflecting mirror 45 formed by pressing a copper alloy plate to form a concave shape and then performing silver plating on the concave surface is attached to a lead portion where the light emitting element 42 and the light emitting element 42 are bonded by a wire 44. The shape (flat surface) of the radiation surface 47 is molded on the back side of the light emitting element 42 while sealing with 46.

【0042】反射鏡45の反射面の形状は、実施の形態
1〜3と同様に、発光素子42の位置を第1の焦点と
し、透明エポキシ樹脂46の外部の点f5を第2の焦点
とする楕円の一部を反射型LED41の中心軸周りに回
転させた中心軸対称形状に形成されている。したがっ
て、中心点以外は滑らかな略連続面である。かかる構造
の反射型LED41においては、発光素子42から発せ
られ反射鏡45で反射された光は、反射型LED41の
中心軸を中心とし、点f5を通る円に向かって集光され
る。実際には、放射面47における屈折があるため、こ
の円上に集光される光はごく僅かであるが、発光素子4
2から発せられたほぼ全ての光がこの円の近傍を通過す
ることになる。
As in the first to third embodiments, the shape of the reflecting surface of the reflecting mirror 45 is such that the position of the light emitting element 42 is the first focal point and the point f5 outside the transparent epoxy resin 46 is the second focal point. A part of the ellipse is rotated about the central axis of the reflective LED 41 and is formed in a central axis symmetrical shape. Therefore, it is a smooth substantially continuous surface except for the center point. In the reflection type LED 41 having such a structure, the light emitted from the light emitting element 42 and reflected by the reflection mirror 45 is collected toward a circle passing through the point f5 with the center axis of the reflection type LED 41 as the center. Actually, since there is refraction on the radiation surface 47, the light condensed on this circle is very small.
Almost all light emitted from 2 will pass near this circle.

【0043】したがって、発光素子42から発せられ反
射鏡45で反射された光は、発光素子42の周辺には至
らない方向へ反射された後に外部放射されるので、反射
型LED41が小型化されて放射面47に対する遮光部
(発光素子42とリード部43a,43b)のうち発光
素子42の面積比が増大しても、発光素子42による遮
光が起こることはない。これによって、小型化しても外
部放射効率を高く保つことができる反射型LEDとな
る。また、滑らかで連続的な配光性を有する放射光が得
られるとともに、反射鏡45を金属板プレス加工で形成
する場合にも、精度良く表面粗度の優れた反射鏡45を
備えた実用的な反射型LEDとすることができる。
Therefore, the light emitted from the light emitting element 42 and reflected by the reflecting mirror 45 is reflected in a direction not reaching the periphery of the light emitting element 42 and then radiated outside, so that the size of the reflective LED 41 is reduced. Even if the area ratio of the light-emitting element 42 in the light-shielding portion (light-emitting element 42 and lead portions 43a and 43b) with respect to the radiation surface 47 increases, light-shielding by the light-emitting element 42 does not occur. As a result, a reflection-type LED that can maintain high external radiation efficiency even if it is miniaturized. Further, a radiation light having a smooth and continuous light distribution can be obtained, and even when the reflecting mirror 45 is formed by pressing a metal plate, the reflecting mirror 45 is provided with the reflecting mirror 45 having excellent surface roughness with high accuracy. Reflective LED.

【0044】さらに、反射鏡45は、凹面形状に加工し
た銅合金板の凹面に銀メッキ処理を施したものである。
したがって、温度変化に対して耐性を有し、樹脂面に金
属蒸着した反射鏡のように温度変化による皺の発生等に
よって反射鏡としての機能を失うということがないの
で、表面実装用のリフロー炉に対応することが可能なも
のとなる。これによって、表面実装部品として何ら制限
なく用いることができるので、多量に実装される反射型
LEDとして適したものとなる。特に、小型化した反射
型LEDは、表面実装部品としての需要が大きいので、
小型化した場合により実用的な反射型LEDとなる。
Further, the reflecting mirror 45 is obtained by subjecting a concave surface of a copper alloy plate processed into a concave shape to silver plating.
Therefore, it is resistant to temperature changes, and does not lose its function as a reflecting mirror due to the occurrence of wrinkles due to temperature changes, unlike a reflecting mirror metal-deposited on a resin surface. Can be handled. As a result, it can be used as a surface-mounted component without any limitation, so that it is suitable as a reflection-type LED to be mounted in a large amount. In particular, there is a great demand for miniaturized reflective LEDs as surface mount components,
When the size is reduced, the reflective LED becomes more practical.

【0045】実施の形態6 次に、本発明の実施の形態6について、図6を参照して
説明する。本実施の形態6が上記実施の形態1〜5と異
なるのは、樹脂成形によってリード部を支持する基台を
作成し、この基台の底面に反射鏡が形成されている点で
ある。
Sixth Embodiment Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The sixth embodiment differs from the first to fifth embodiments in that a base for supporting the lead portion is formed by resin molding, and a reflecting mirror is formed on the bottom surface of the base.

【0046】図6に示されるように、本実施の形態6の
反射型LED51においては、アクリル樹脂を射出成形
してなる基台56の底面に、実施の形態1〜3,5と同
様の形状を有する反射面がモールドされ、この反射面に
金属蒸着することによって反射鏡55が形成されてい
る。基台56の上部には2つのリード53a,53bが
貫通して取付けられ、リード53aには発光素子52が
マウントされ、リード53bと発光素子52はワイヤ5
4でボンディングされている。なお、発光素子52は、
反射面を構成する楕円の一部を中心軸周りに回転させた
面の楕円の焦点の1つに位置するように調整されてい
る。
As shown in FIG. 6, in the reflective LED 51 of the sixth embodiment, the same shape as in the first to third and fifth embodiments is provided on the bottom surface of the base 56 formed by injection molding acrylic resin. Is molded, and the reflecting mirror 55 is formed by metal vapor deposition on the reflecting surface. Two leads 53a and 53b are penetrated and mounted on the upper portion of the base 56, and the light emitting element 52 is mounted on the lead 53a.
4 is bonded. In addition, the light emitting element 52
It is adjusted so that a part of the ellipse constituting the reflection surface is located at one of the focal points of the ellipse on the surface rotated around the central axis.

【0047】かかる構造の反射型LED51において
は、発光素子52から発せられ反射鏡55で反射された
光は、反射型LED51の中心軸を中心とし、楕円のも
う1つの焦点f6を通る円に向かって集光される。した
がって、発光素子52から発せられ反射鏡55で反射さ
れた光は、発光素子52の周辺には至らない方向へ反射
された後に外部放射されるので、反射型LED51が小
型化されて遮光部(発光素子52とリード部53a,5
3b)のうち発光素子52の面積比が増大しても、発光
素子52による遮光が起こることはない。これによっ
て、小型化しても外部放射効率を高く保つことができる
反射型LEDとなる。
In the reflection type LED 51 having such a structure, the light emitted from the light emitting element 52 and reflected by the reflection mirror 55 is directed to a circle centered on the central axis of the reflection type LED 51 and passing through another focal point f6 of the ellipse. Is collected. Therefore, the light emitted from the light emitting element 52 and reflected by the reflecting mirror 55 is reflected in a direction not reaching the periphery of the light emitting element 52 and is then radiated to the outside. Therefore, the size of the reflective LED 51 is reduced and the light shielding portion ( Light emitting element 52 and leads 53a, 5
In 3b), even if the area ratio of the light emitting element 52 is increased, light is not blocked by the light emitting element 52. As a result, a reflection-type LED that can maintain high external radiation efficiency even if it is miniaturized.

【0048】また、本実施の形態6の反射型LED51
においては、アクリル樹脂を射出成形してなる基台56
に金属蒸着で反射鏡55を形成しているので、量産化が
可能であり、反射型LED51を低コスト化することが
できる。なお、本実施の形態6においては、基台56を
アクリル樹脂で成形しているが、ポリカーボネート樹脂
等のその他の樹脂を用いることもできる。
The reflection type LED 51 according to the sixth embodiment
In the above, a base 56 formed by injection molding an acrylic resin
Since the reflecting mirror 55 is formed by metal vapor deposition, mass production is possible, and the cost of the reflective LED 51 can be reduced. In the sixth embodiment, the base 56 is formed of an acrylic resin, but other resins such as a polycarbonate resin may be used.

【0049】また、本実施の形態6の反射型LED51
においては、放射面がなく放射部が中空の開放部分にな
っており、発光素子52が外部の空気に曝されている
が、湿気による発光素子52の劣化が懸念される場合に
は、基台56の上面にガラス板をかぶせて内部を乾燥窒
素でシールドすれば良い。
The reflection type LED 51 according to the sixth embodiment
Has no radiating surface, the radiating portion is a hollow open portion, and the light emitting element 52 is exposed to outside air. What is necessary is just to cover the upper surface of 56 with a glass plate, and to shield the inside with dry nitrogen.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
かかる反射型発光ダイオードは、発光素子と、前記発光
素子に電力を供給するリード部と、前記発光素子の発光
面に対向して設けられ、前記発光素子が発する光を前記
発光素子周辺には至らない方向へ反射した後に外部放射
する反射鏡と、前記発光素子の背面側の放射部とを具備
するものである。したがって、反射型LEDを小型化し
て放射部の面積に対する遮光部(発光素子とリード部)
のうち発光素子の面積比が増大しても、反射鏡で反射さ
れた光は発光素子周辺には至らずに外部放射されるので
発光素子による遮光が起こることはなく、小型化しても
外部放射効率を高く保つことができる反射型LEDとな
る。さらに、滑らかで連続的な配光性を有する放射光が
得られるとともに、反射鏡を樹脂モールドで形成する場
合にも金属板プレスで形成する場合にも精度良く表面粗
度の優れた反射鏡を備えた実用的な反射型LEDとする
ことができる。
As described above, the reflection type light emitting diode according to the first aspect of the present invention has a light emitting element, a lead for supplying power to the light emitting element, and a light emitting surface of the light emitting element. A reflecting mirror for reflecting light emitted from the light emitting element in a direction not reaching the periphery of the light emitting element and then radiating the light to the outside; and a radiating portion on the back side of the light emitting element. Therefore, the size of the reflection type LED is reduced, and the light-shielding portion (light-emitting element and lead portion) with respect to the area of the radiating portion is reduced.
Even if the area ratio of the light-emitting element increases, the light reflected by the reflecting mirror is emitted outside without reaching the periphery of the light-emitting element. The reflection type LED can keep the efficiency high. In addition, a radiation mirror with smooth and continuous light distribution can be obtained, and a reflection mirror with excellent surface roughness can be obtained with high accuracy regardless of whether the reflection mirror is formed by a resin mold or a metal plate press. It can be provided with a practical reflection type LED provided.

【0051】請求項2の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1の構成において、前記発光素子及び前
記リード部の一部を封止し、前記発光素子と前記反射鏡
との間を充填する光透過性材料を有するものである。し
たがって、請求項1に記載の効果に加えて、発光素子が
封止されたことによって、湿度による劣化の心配がなく
なる。また、リード部の一部が封止されたことによって
ワイヤボンディングが外部から保護され、信頼性のある
電気的接続が得られる。さらに、発光素子と反射鏡との
間が光透過性材料で充填されたことによって、中空の場
合よりも屈折率が高くなり、光の放射効率が向上する。
このように、発光素子とワイヤボンディングの信頼性が
向上するとともに外部放射効率がより高くなる反射型L
EDとなる。
According to a second aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to the first aspect, the light emitting element and a part of the lead portion are sealed, and a space between the light emitting element and the reflecting mirror is filled. Having a light transmitting material. Therefore, in addition to the effect of the first aspect, since the light emitting element is sealed, there is no fear of deterioration due to humidity. In addition, since a part of the lead portion is sealed, the wire bonding is protected from the outside, and a reliable electrical connection can be obtained. Further, by filling the space between the light emitting element and the reflecting mirror with the light transmitting material, the refractive index becomes higher than in the case of a hollow body, and the light radiation efficiency is improved.
As described above, the reliability of the light emitting element and the wire bonding is improved, and the external light emitting efficiency is further improved.
ED.

【0052】請求項3の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1または請求項2の構成において、前記
反射鏡は、前記発光素子の光を前記リード部を含む平面
において環状に集光するものである。このように、反射
光をリード部を含む平面において環状に集光することに
よって、請求項1または請求項2に記載の効果に加え
て、発光素子を避けてその周囲に光を集めることができ
る。したがって、光が遮られるのはリード部の2箇所の
みとなり、その他の光はほぼ全て放射部から放射される
ので、高い外部放射効率を得ることができる。
According to a third aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to the first or second aspect, the reflecting mirror condenses the light of the light emitting element in a ring shape on a plane including the lead portion. Things. As described above, by converging the reflected light in a ring shape on the plane including the lead portion, in addition to the effect described in claim 1 or 2, light can be collected around the light emitting element while avoiding the light emitting element. . Therefore, the light is blocked only at two places of the lead portion, and almost all other light is radiated from the radiating portion, so that a high external radiation efficiency can be obtained.

【0053】請求項4の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1または請求項2の構成において、前記
反射鏡は、前記発光素子の光を前記リード部を含む平面
において多点に集光するものである。このように、反射
光をリード部を含む平面において多点に集光することに
よって、請求項1または請求項2に記載の効果に加え
て、発光素子ばかりでなくリード部をも避けて光を集め
ることができる。したがって、発光素子から発せられた
光のほぼ全光量を外部放射することができ、より高い外
部放射効率を得ることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to the first or second aspect, the reflecting mirror condenses the light of the light emitting element at multiple points on a plane including the lead portion. Is what you do. In this way, by condensing the reflected light at multiple points on the plane including the lead portion, in addition to the effects described in claim 1 or 2, the light is avoided not only at the light emitting element but also at the lead portion. Can be collected. Therefore, almost the entire amount of light emitted from the light emitting element can be externally radiated, and higher external radiation efficiency can be obtained.

【0054】請求項5の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成に
おいて、前記反射鏡は、5mm以下の直径を有するもの
である。一般に、発光素子の大きさは0.3mm×0.
3mm程度であり、これをマウントするリード先端の大
きさは0.5mm×0.5mm程度である。したがっ
て、反射鏡の直径が5mmを超えるような反射型LED
においては、発光素子による遮光の影響は殆どないた
め、本発明におけるような工夫をする必要もない。逆に
いうと、反射鏡の直径が5mm以下になるあたりから発
光素子の遮光による影響が出始め、反射型LEDの小型
化の問題点となる。よって、反射鏡の直径が5mm以下
の反射型LEDにおいては、発光素子が発する光を発光
素子周辺には至らない方向へ反射した後に外部放射する
ことによって、発光素子の遮光の影響を避ける必要があ
る。このようにして、請求項1乃至請求項4のいずれか
1つに記載の効果に加えて、反射鏡の直径が5mm以下
であって発光素子による遮光の影響が出るような小型の
反射型LEDにおいても、高い外部放射効率を維持する
ことができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to fourth aspects, the reflecting mirror has a diameter of 5 mm or less. Generally, the size of the light emitting element is 0.3 mm × 0.2 mm.
It is about 3 mm, and the size of the tip of the lead for mounting it is about 0.5 mm × 0.5 mm. Therefore, a reflective LED in which the diameter of the reflector exceeds 5 mm
In this case, since there is almost no influence of light shielding by the light emitting element, it is not necessary to devise the present invention. Conversely, when the diameter of the reflecting mirror becomes about 5 mm or less, the influence of light shielding of the light emitting element starts to appear, which is a problem of downsizing the reflective LED. Therefore, in the case of a reflective LED having a reflector diameter of 5 mm or less, it is necessary to avoid the influence of light shielding of the light emitting element by reflecting light emitted from the light emitting element in a direction not reaching the light emitting element and then radiating the light to the outside. is there. In this way, in addition to the effect according to any one of claims 1 to 4, a small reflective LED in which the diameter of the reflecting mirror is 5 mm or less and the effect of shading by the light emitting element is exerted. In this case, high external radiation efficiency can be maintained.

【0055】請求項6の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成に
おいて、前記発光素子の周辺に前記発光素子の光を受け
て蛍光を発する蛍光体を備えるものである。発光素子の
周辺に蛍光体を配置するためには、一方のリードの先端
をカップ状にして中心に発光素子をマウントし、その周
囲のカップ内に蛍光体を充填する方法等がある。かかる
構造をとると、反射型LED自体を小型化しなくても、
蛍光体を充填するカップによって遮光部の面積比が大き
くなってしまう。しかし、本発明の反射型LEDによれ
ば、反射鏡で反射された光は発光素子周辺には至らずに
放射部から外部放射されるので、請求項1乃至請求項4
のいずれか1つに記載の効果に加えて、蛍光体を充填す
るカップによる遮光が起こることはなく、外部放射効率
を高く保つことができる反射型LEDとなる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to fourth aspects, the phosphor emits fluorescence around the light emitting element by receiving light from the light emitting element. It is provided with. In order to dispose the phosphor around the light emitting element, there is a method of mounting the light emitting element around the center with the tip of one lead in a cup shape and filling the surrounding cup with the phosphor. With such a structure, even if the reflection type LED itself is not miniaturized,
The cup filled with the phosphor increases the area ratio of the light-shielding portion. However, according to the reflective LED of the present invention, the light reflected by the reflecting mirror is radiated outside from the radiating portion without reaching the periphery of the light emitting element.
In addition to the effect described in any one of the above, in addition to the fact that light is not blocked by the cup filled with the phosphor, the reflection type LED can maintain high external radiation efficiency.

【0056】請求項7の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項4のいずれか1つの構成に
おいて、前記発光素子は複数個であるものである。複数
の発光素子をマウントするには、やはり一方のリードの
先端をカップ状にして底に複数の発光素子をマウント
し、その周囲のカップ内に拡散材を充填する方法等があ
る。かかる構造をとると、反射型LED自体を小型化し
なくても、複数の発光素子をマウントするカップによっ
て遮光部の面積比が大きくなってしまう。しかし、本発
明の反射型LEDによれば、反射鏡で反射された光は発
光素子周辺には至らずに外部放射されるので、請求項1
乃至請求項4のいずれか1つに記載の効果に加えて、複
数の発光素子をマウントするカップによる遮光が起こる
ことはなく、外部放射効率を高く保つことができる反射
型LEDとなる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to fourth aspects, the plurality of light emitting elements are provided. In order to mount a plurality of light emitting elements, there is a method of mounting the plurality of light emitting elements on the bottom by forming the tip of one of the leads into a cup shape and filling the surrounding cup with a diffusing material. With such a structure, the area ratio of the light-shielding portion is increased by the cup for mounting a plurality of light-emitting elements without reducing the size of the reflective LED itself. However, according to the reflection type LED of the present invention, the light reflected by the reflection mirror is radiated outside without reaching the periphery of the light emitting element.
In addition to the effects described in any one of the fourth to fourth aspects, there is no light blocking by a cup for mounting a plurality of light emitting elements, and the reflection type LED can maintain high external radiation efficiency.

【0057】請求項8の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項2乃至請求項7のいずれか1つの構成に
おいて、前記反射鏡は、前記光透過材料によってモール
ドされ、表面に鏡面加工を施されたものである。かかる
方法によれば、請求項2乃至請求項7のいずれか1つに
記載の効果に加えて、反射型LEDの量産化が可能とな
り、低コスト化を図ることができる。
According to an eighth aspect of the present invention, in the reflection type light emitting diode according to any one of the second to seventh aspects, the reflecting mirror is molded with the light transmitting material and the surface is mirror-finished. It was done. According to this method, in addition to the effects described in any one of claims 2 to 7, mass production of the reflective LED becomes possible, and cost reduction can be achieved.

【0058】請求項9の発明にかかる反射型発光ダイオ
ードは、請求項1乃至請求項7のいずれか1つの構成に
おいて、前記反射鏡は、凹面形状に加工した金属板、ま
たは前記金属板の凹面にメッキ処理を施したものであ
る。したがって、請求項1乃至請求項7のいずれか1つ
に記載の効果に加えて、温度変化に対して耐性を有し、
樹脂面に金属蒸着した反射鏡のように温度変化による皺
の発生等によって反射鏡としての機能を失うということ
がないので、表面実装用のリフロー炉に対応することが
可能なものとなる。これによって、表面実装部品として
何ら制限なく用いることができるので、多量に実装され
る反射型LEDとして適したものとなる。特に、小型化
した反射型LEDは、表面実装部品としての需要が大き
いので、小型化した場合により実用的な反射型LEDと
なる。
According to a ninth aspect of the present invention, in the reflective light emitting diode according to any one of the first to seventh aspects, the reflecting mirror is a metal plate processed into a concave shape or a concave surface of the metal plate. Is plated. Therefore, in addition to the effects described in any one of claims 1 to 7, it has resistance to temperature changes,
Since the function as a reflecting mirror is not lost due to the occurrence of wrinkles due to a temperature change as in the case of a reflecting mirror in which metal is vapor-deposited on a resin surface, it is possible to support a reflow furnace for surface mounting. As a result, it can be used as a surface-mounted component without any limitation, so that it is suitable as a reflection-type LED to be mounted in a large amount. In particular, since there is a great demand for a miniaturized reflective LED as a surface mount component, it becomes a more practical reflective LED when miniaturized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1(a)は本発明の実施の形態1にかかる
反射型発光ダイオードの全体構成を示す縦断面図、
(b)は本発明の実施の形態1にかかる反射型発光ダイ
オードにおける集光の様子を示す平面図である。
FIG. 1A is a longitudinal sectional view showing an entire configuration of a reflective light emitting diode according to a first embodiment of the present invention;
FIG. 2B is a plan view showing a state of light collection in the reflective light emitting diode according to the first exemplary embodiment of the present invention.

【図2】 図2は、本発明の実施の形態2にかかる反射
型発光ダイオードの全体構成を示す縦断面図である。
FIG. 2 is a vertical cross-sectional view illustrating an entire configuration of a reflective light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 図3は、本発明の実施の形態3にかかる反射
型発光ダイオードの全体構成を示す縦断面図である。
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view illustrating an entire configuration of a reflective light-emitting diode according to a third embodiment of the present invention.

【図4】 図4は、本発明の実施の形態4にかかる反射
型発光ダイオードの全体構成を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing an entire configuration of a reflective light-emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】 図5は、本発明の実施の形態5にかかる反射
型発光ダイオードの全体構成を示す縦断面図である。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing the entire configuration of a reflective light-emitting diode according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】 図6は、本発明の実施の形態6にかかる反射
型発光ダイオードの全体構成を示す縦断面図である。
FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing the entire configuration of a reflective light-emitting diode according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】 図7(a)は中心点以外は滑らかな略連続面
からなる反射鏡の一例を示す縦断面図、(b)は他の例
を示す縦断面図である。
7A is a longitudinal sectional view showing an example of a reflecting mirror having a smooth substantially continuous surface except for a center point, and FIG. 7B is a longitudinal sectional view showing another example.

【図8】 図8は、従来技術における反射型発光ダイオ
ードの全体構成を示す縦断面図である。
FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing the entire configuration of a reflection type light emitting diode according to a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,11,21,31,41,51 反射型発光
ダイオード 2,12,R,G,B,32,42,52 発光素子 3a,3b,4,13a,13b,14 リード部 5,15,25,35,45,55 反射鏡 6,16,26,46 光透過性材
料 7,17,27,47 放射部 18 蛍光体
1,11,21,31,41,51 Reflective light emitting diode 2,12, R, G, B, 32,42,52 Light emitting element 3a, 3b, 4,13a, 13b, 14 Lead part 5,15,25 , 35, 45, 55 Reflecting mirror 6, 16, 26, 46 Light transmitting material 7, 17, 27, 47 Radiating part 18 Phosphor

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光素子と、 前記発光素子に電力を供給するリード部と、 前記発光素子の発光面に対向して設けられ、前記発光素
子が発する光を前記発光素子周辺には至らない方向へ反
射した後に外部放射する中心点以外は滑らかな略連続面
からなる反射鏡と、 前記発光素子の背面側の放射部とを具備する反射型発光
ダイオード。
A light-emitting element; a lead section for supplying power to the light-emitting element; and a light-emitting element provided to face the light-emitting surface of the light-emitting element so that light emitted from the light-emitting element does not reach the periphery of the light-emitting element. A reflective light emitting diode comprising: a reflecting mirror having a smooth and substantially continuous surface except for a central point that emits external light after being reflected to the light emitting element; and a radiating portion on the back side of the light emitting element.
【請求項2】 前記発光素子及び前記リード部の一部を
封止し、前記発光素子と前記反射鏡との間を充填する光
透過性材料を有することを特徴とする請求項1に記載の
反射型発光ダイオード。
2. The light-emitting device according to claim 1, further comprising a light-transmissive material that seals a part of the light-emitting element and the lead portion and fills a space between the light-emitting element and the reflector. Reflective light emitting diode.
【請求項3】 前記反射鏡は、前記発光素子の光を前記
リード部を含む平面において環状に集光することを特徴
とする請求項1または請求項2に記載の反射型発光ダイ
オード。
3. The reflection type light emitting diode according to claim 1, wherein the reflecting mirror condenses the light of the light emitting element in a ring shape on a plane including the lead portion.
【請求項4】 前記反射鏡は、前記発光素子の光を前記
リード部を含む平面において多点に集光することを特徴
とする請求項1または請求項2に記載の反射型発光ダイ
オード。
4. The reflection type light emitting diode according to claim 1, wherein the reflection mirror condenses the light of the light emitting element at multiple points on a plane including the lead portion.
【請求項5】 前記反射鏡は、5mm以下の直径を有す
ることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1
つに記載の反射型発光ダイオード。
5. The reflection mirror according to claim 1, wherein the reflection mirror has a diameter of 5 mm or less.
4. The reflective light-emitting diode according to any one of the above.
【請求項6】 前記発光素子は、前記発光素子の周辺に
前記発光素子の光を受けて蛍光を発する蛍光体を備える
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1つ
に記載の反射型発光ダイオード。
6. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device includes a phosphor around the light emitting device to emit fluorescence by receiving light from the light emitting device. Reflective light emitting diode.
【請求項7】 前記発光素子は、複数個であることを特
徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載の
反射型発光ダイオード。
7. The reflection type light emitting diode according to claim 1, wherein the light emitting element is plural.
【請求項8】 前記反射鏡は、前記光透過材料によって
モールドされ、表面に鏡面加工を施されたものであるこ
とを特徴とする請求項2乃至請求項7のいずれか1つに
記載の反射型発光ダイオード。
8. The reflection according to claim 2, wherein the reflection mirror is molded with the light transmitting material, and has a surface mirror-finished. Type light emitting diode.
【請求項9】 前記反射鏡は、凹面形状に加工した金属
板、または前記金属板の凹面にメッキ処理を施したもの
であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれ
か1つに記載の反射型発光ダイオード。
9. The reflection mirror according to claim 1, wherein the reflection mirror is a metal plate processed into a concave shape, or the concave surface of the metal plate is plated. 3. The reflective light emitting diode according to item 1.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009213833A (en) * 2007-03-30 2009-09-24 Nippon Koden Corp Probe adapted to measure biological signal
US7607801B2 (en) 2003-10-31 2009-10-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus
WO2009145056A1 (en) * 2008-05-29 2009-12-03 株式会社 パールライティング Reflection light emitting diode
CN102969434A (en) * 2012-11-23 2013-03-13 京东方科技集团股份有限公司 LED (Light Emitting Diode) assembly
JP2013168233A (en) * 2012-02-14 2013-08-29 Citizen Holdings Co Ltd Light-emitting device
JP2013225575A (en) * 2012-04-20 2013-10-31 Dainippon Printing Co Ltd Lead frame for optical semiconductor device, optical semiconductor device, and method of manufacturing them
DE102012015394A1 (en) * 2012-08-03 2014-02-06 Bartenbach Holding Gmbh Facade and / or wall lighting device
CN113451488A (en) * 2020-05-27 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Display device and method of manufacturing the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7607801B2 (en) 2003-10-31 2009-10-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus
JP2009213833A (en) * 2007-03-30 2009-09-24 Nippon Koden Corp Probe adapted to measure biological signal
WO2009145056A1 (en) * 2008-05-29 2009-12-03 株式会社 パールライティング Reflection light emitting diode
JP2013168233A (en) * 2012-02-14 2013-08-29 Citizen Holdings Co Ltd Light-emitting device
JP2013225575A (en) * 2012-04-20 2013-10-31 Dainippon Printing Co Ltd Lead frame for optical semiconductor device, optical semiconductor device, and method of manufacturing them
DE102012015394A1 (en) * 2012-08-03 2014-02-06 Bartenbach Holding Gmbh Facade and / or wall lighting device
CN102969434A (en) * 2012-11-23 2013-03-13 京东方科技集团股份有限公司 LED (Light Emitting Diode) assembly
CN113451488A (en) * 2020-05-27 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Display device and method of manufacturing the same

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