JP2002110661A - プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、性能管理システム、及び性能確認システム - Google Patents

プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、性能管理システム、及び性能確認システム

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JP2002110661A
JP2002110661A JP2000295086A JP2000295086A JP2002110661A JP 2002110661 A JP2002110661 A JP 2002110661A JP 2000295086 A JP2000295086 A JP 2000295086A JP 2000295086 A JP2000295086 A JP 2000295086A JP 2002110661 A JP2002110661 A JP 2002110661A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマ処理装置を分解、搬送後再組み立て
した後において、所望の性能が維持されているかどうか
を簡便かつ迅速に評価できるようにする。 【解決手段】 プラズマを励起するための電極を有する
プラズマ処理室ＣＮと、この電極４，８に接続された高
周波電源１と、プラズマ処理室ＣＮと高周波電源１との
インピーダンス整合を得るための整合回路２とを具備
し、プラズマ処理室ＣＮの第１直列共振周波数ｆ0 の３
倍が、高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給さ
れる電力周波数ｆe より大きな値かどうかにより、性能
を評価する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
又はプラズマ処理システムの性能評価方法、性能管理シ
ステム、及び性能確認システムに係り、特に、プラズマ
処理装置又はプラズ処理システムが納入後に所望の性能
を維持し続けることを、継続的に担保することに用いて
好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ（ chemical vapor depositio
n）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング
等のプラズマ処理をおこなうプラズマ処理装置の一例と
しては、従来から、図３１に示すような、いわゆる２周
波数励起タイプのものが知られている。図３１に示すプ
ラズマ処理装置は、高周波電源１とプラズマ励起電極４
との間に整合回路２Ａが介在されている。整合回路２Ａ
はこれら高周波電源１とプラズマ励起電極４との間のイ
ンピーダンスの整合を得るための回路として設けられて
いる。
【０００３】高周波電源１からの高周波電力は整合回路
２Ａを通して給電板３によりプラズマ励起電極４へ供給
される。この整合回路２Ａは導電体からなるハウジング
により形成されるマッチングボックス２内に収納されて
おり、プラズマ励起電極４および給電板３は、導体から
なるシャーシ２１によって覆われている。プラズマ励起
電極（カソード電極）４の下側には凸部４ａが設けられ
るとともに、このプラズマ励起電極（カソード電極）４
の下には、多数の孔７が形成されているシャワープレー
ト５が凸部４ａに接して設けられている。これらプラズ
マ励起電極４とシャワープレート５との間には空間６が
形成されている。この空間６にはガス導入管１７が接続
されており、導体からなるガス導入管１７の途中には絶
縁体１７ａが挿入されてプラズマ励起電極１４側とガス
供給源側とが絶縁されている。
【０００４】ガス導入管１７から導入されたガスは、シ
ャワープレート５の孔７を介してチャンバ壁１０により
形成されたチャンバ室６０内に供給される。なお、符号
９はチャンバ壁１０とプラズマ励起電極（カソード電
極）４とを絶縁する絶縁体である。また、排気系の図示
は省略してある。一方、チャンバ室６０内には基板１６
を載置しプラズマ励起電極ともなるウエハサセプタ（サ
セプタ電極）８が設けられておりその周囲にはサセプタ
シールド１２が設けられている。
【０００５】サセプタシールド１２はサセプタ電極８を
受けるシールド支持板１２Ａと、このシールド支持板１
２Ａの中央部に垂下形成された筒型の支持筒１２Ｂとか
らなり、支持筒１２Ｂはチャンバ底部１０Ａを貫通して
設けられるとともに、この支持筒１２Ｂの下端部とチャ
ンバ底部１０Ａとがベローズ１１により密閉接続されて
いる。ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２
は、これらの隙間がシャフト１３の周囲に設けられた電
気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによって真空絶縁され
るとともに電気的にも絶縁されている。また、ウエハサ
セプタ８およびサセプタシールド１２は、ベローズ１１
により上下動可能となっており、プラズマ励起電極４，
８間の距離の調整ができる。ウエハサセプタ８には、シ
ャフト１３およびマッチングボックス１４内に収納され
た整合回路を介して第２の高周波電源１５が接続されて
いる。なお、チャンバ壁１０とサセプタシールド１２と
は直流的に同電位となっている。
【０００６】図３２に従来のプラズマ処理装置の他の例
を示す。図３２に示すプラズマ処理装置とは異なり、図
３２に示すプラズマ処理装置は１周波励起タイプのプラ
ズマ処理装置である。すなわち、カソード電極４にのみ
高周波電力を供給しており、サセプタ電極８は接地され
ている。図３１で示される高周波電源１５とマッチング
ボックス１４がない。また、サセプタ電極８とチャンバ
壁１０とは直流的に同電位となっている。
【０００７】上記のプラズマ処理装置においては、一般
的に１３．５６ＭＨｚ程度の周波数の電力を投入して、
両電極４，８の間でプラズマを生成し、このプラズマに
より、ＣＶＤ（ chemical vapor deposition）、スパッ
タリング、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ
処理をおこなうものである。
【０００８】しかし、上記のプラズマ処理装置において
は、電力消費効率（高周波電源１からプラズマ励起電極
４に投入した電力に対してプラズマ中で消費された電力
の割合）は必ずしも良好ではない。特に、高周波電源か
ら供給される周波数が高くなるほど、プラズマ処理装置
における電力消費効率の低下が顕著である。同時にま
た、基板サイズが大きくなるほどその低下が顕著であ
る。その結果、電力消費効率が低いことにより、プラズ
マ空間で消費される実効的な電力が上がらないため、成
膜速度が遅くなる、また、たとえば絶縁膜の成膜の場合
にあってはより絶縁耐圧の高い絶縁膜の形成が困難であ
る、という問題点を有している。
【０００９】そして、このようなプラズマ処理装置の動
作確認および、動作の評価方法としては、例えば、以下
のように実際に成膜等の処理をおこない、この被成膜特
性を評価するというような方法でおこなっていた。 （１）堆積速度と膜面内均一性 基板上にプラズマＣＶＤにより所望の膜を成膜する。 レジストのパターニングをおこなう。 膜をドライエッチングする。 アッシングによりレジストを剥離する。 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測する。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチ基板面内において１６ポイ
ントで測定する。 （２）ＢＨＦエッチングレート 上記（１）〜と同様にレジストマスクをパターニン
グする。 ＢＨＦ液に１分間基板を浸漬する。 純水洗浄後乾燥し、レジストを硫酸過水（Ｈ2ＳＯ4＋
Ｈ2Ｏ2）で剥離する。 上記（１）と同様段差を計測する。 浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。 （３）絶縁耐圧 ガラス基板上にスパッタリングにより導電性膜を成膜
し、下部電極としてパターニングする。 プラズマＣＶＤにより絶縁膜を成膜する。 と同様の方法で上部電極を形成する。 下部電極用にコンタクト孔を形成する。 上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特
性）を測定する。このとき最大電圧として２００Ｖ程度
まで印加する。 電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎると
ころが、１μＡ／ｃｍ2に相当するので、この時のＶを
絶縁耐圧として定義する。
【００１０】さらに、上記のようなプラズマ処理装置に
対しては、従来から、半導体および液晶製造に用いられ
る場合において、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度
や、加工速度）が早く生産性が高いこと、そして、被処
理基体面内方向におけるプラズマ処理の均一性（膜厚の
膜面内方向分布、加工処理ばらつきの膜面内方向分布）
に優れていることが求められているが、近年では、被処
理基板の大型化に伴い、膜面内方向の均一性に対する要
求が一段と強まっている。また、被処理基板の大型化に
伴い、投入電力量もｋＷオーダーが投入されるまで増大
し、電力消費量が増す傾向にある。このため、電源の高
容量化に伴い、電源の開発コストが増大するとともに、
装置稼働時には電力使用が増すことからランニングコス
トを削減することが望まれている。また、電力消費量が
増大することは、環境負荷となる二酸化炭素の排出量が
増大する。これは、被処理基板の大型化に伴ってさらに
放出量が増大するとともに電力消費効率をさらに下げて
しまうため電力消費量が増大するので、この二酸化炭素
の放出量削減への要求も高くなっている。一方、プラズ
マ励起周波数として、従来一般的であった１３．５６Ｍ
Ｈｚに対して、これを越える３０ＭＨｚ以上のＶＨＦ帯
の周波数を用いるなど、高周波数化を図ることで、プラ
ズマ空間で消費される実効的な電力を向上させることが
できる。その結果として、プラズマＣＶＤなどの堆積装
置においては、成膜時の堆積速度を向上させることがで
きる可能性が示されていた。
【００１１】さらに、上記のようなプラズマチャンバを
複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズ
マチャンバに対して、プラズマ処理の機差をなくし、異
なるプラズマチャンバにおいて処理をおこなった被処理
基板においても、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度
や、加工速度）や生産性、そして、被処理基体面内方向
におけるプラズマ処理の均一性（膜厚の膜面内方向分布
等の、処理のばらつきをなくしたいという要求がある。
同時に、プラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装
置に対しては、個々のプラズマチャンバに対して、供給
するガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラ
メータが等しい同一のプロセスレシピを適用して、略同
一のプラズマ処理結果が得られることが望まれている。
そして、プラズマ処理装置の新規設置時や調整・保守点
検時において、複数のプラズマチャンバごとの機差をな
くして処理のばらつきをなくし同一のプロセスレシピに
より略同一の処理結果を得るために必要な調整時間の短
縮が求められるとともに、このような調整に必要なコス
トの削減が要求されていた。
【００１２】さらに、上記のようなプラズマ処理装置を
複数有するプラズマ処理システムに対しても、同様に、
各プラズマ処理装置における個々のプラズマチャンバに
対して、プラズマ処理の機差をなくしたいという要求が
存在していた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のプラズ
マ処理装置においては、１３．５６ＭＨｚ程度の周波数
の電力を投入するように設計されており、これ以上の周
波数の電力を投入することに対応していない。より具体
的には、高周波電力を投入する部分、つまり、プラズマ
処理をおこなうチャンバ全体としては、インピーダン
ス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性が考慮さ
れておらず、次のような不具合が生じていた。 １３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力を投入した
場合、電力消費効率があがらず、成膜時に堆積速度を向
上することができないばかりか、むしろ、堆積速度が遅
くなる場合があった。 さらに投入する電力をより高周波数化すると、周波数
の上昇に伴って、プラズマ空間で消費される実効的な電
力は上昇してピークを迎え、その後、減少に転じて、つ
いにはグロー放電できなくなってしまい高周波数化の意
味がなくなってしまう。
【００１４】また、次のような不具合も生じていた。プ
ラズマチャンバを複数有するプラズマ処理装置やプラズ
マ処理システムに対しては、複数のプラズマチャンバに
対してインピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周
波的な特性の機差をなくすという設計がなされていない
ため、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間
で消費される実効的な電力等がそれぞれ均一になってい
ない可能性がある。このため、複数のプラズマチャンバ
に対して同一のプロセスレシピを適用しているにも関わ
らず、同一のプラズマ処理結果が得られない可能性があ
る。したがって、同じプラズマ処理結果を得るために
は、個々のプラズマチャンバごとに、それぞれ供給する
ガス流量や圧力、供給電力、処理時間等の外部パラメー
タと上記の（１）〜（３）のような評価方法による処理
結果とを比較して、これらの相関関係を把握する必要が
あるが、そのデータ量は膨大なものになり、すべてをお
こなうことが困難である。
【００１５】そして、このようなプラズマ処理装置の動
作確認および、動作の評価方法としては、上記の（１）
〜（３）のような方法を採用した場合には、適正な動作
をしているかどうかの確認をするためにはプラズマ処理
装置を作動させることが必要である上に、プラズマ処理
装置の設置場所とは別の検査場所などにおいて被処理基
板を複数のステップにより処理測定する必要がある。こ
のため、評価結果がでるまでには数日、あるいは数週間
を要しており、装置開発段階においては、プラズマ処理
室の性能確認に時間がかかりすぎるため、これを短縮し
たいという要求があった。
【００１６】さらに、複数のプラズマチャンバを有する
プラズマ処理装置やプラズマ処理システムに対して上記
の（１）〜（３）のような検査方法を採用した場合に
は、複数のプラズマチャンバごとの機差をなくして処理
のばらつきをなくし、同一のプロセスレシピにより同一
処理結果を得るために必要な調整時間が、月単位で必要
となってしまう。このため、調整期間の短縮が求められ
るとともに、このような調整に必要な検査用基板等の費
用、この検査用基板の処理費用、および、調整作業に従
事する作業員の人件費等、コストが膨大なものになると
いう問題があった。
【００１７】このように、プラズマ処理装置において
は、所望のレベルの性能を備えると共に、複数のプラズ
マチャンバ（プラズマ処理室）を備えるプラズマ処理装
置やプラズマ処理システムにあっては、プラズマ処理の
性能の機差をなくすような配慮が求められていた。しか
し、たとえこのような配慮が充分になされたプラズマ処
理装置であっても、プラズマ処理装置を搬送する際に
は、一般に一端分解してから搬送し、搬送先で再組み立
てすることが行われている。この場合には、搬送中の振
動や再組み立て作業の不備等により搬送前の性能が維持
されていない危険性があった。
【００１８】そして、このようなプラズマ処理装置の性
能が所望の性能レベルや所望の機差内に維持されている
かどうかを確認するための評価方法として、上記の
（１）〜（３）のような動作評価方法を採用した場合に
は、プラズマ処理装置を作動させることが必要である上
に、プラズマ処理装置の設置場所とは別の検査場所など
において被処理基板を複数のステップにより処理測定す
る必要がある。そして、装置性能が仕様を満足できない
場合には、装置を調整して、プラズマ処理を実施し、被
処理基板を評価するといった一連の長いサイクルを繰り
返す必要がある上、納入した装置の立ち上げ期間が長期
化するといった問題があった。製造ラインの立ち上げ期
間の長短は、そのまま年度の売り上げに大きな影響を及
ぼしていた。このため、より簡便な方法でプラズマ処理
装置の性能を把握し、問題発見から改善までのサイクル
を早め、装置の立ち上げ期間を短縮するという要求があ
った。
【００１９】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、以下の目的を達成しようとするものである。 プラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性能
が、納入先において適正に発揮されていたかどうかを確
認するための迅速かつ簡便な評価方法を提供すること。 納入先において、プラズマ処理装置やプラズマ処理
システムの性能が適正に発揮されるように管理するため
の、あるいは、性能が適正に発揮されていない場合に
は、保守作業を直ちに行えるよう管理するための性能管
理システムを提供すること。 適正な動作状態に簡便に維持可能なプラズマ処理装
置を提供すること。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方法は、
プラズマを励起するための電極を有するプラズマ処理室
と、前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源
と、入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周
波電源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電
力配電体を前記出力端子に接続することにより前記プラ
ズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を
得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置を、搬送
元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み
立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であっ
て、前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子
に接続される前記高周波電力配電体の端部とされる測定
位置で測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波
数ｆ0の、納入後における値ｆ01の３倍が、前記高周波
電力の電力周波数ｆe より大きい値である場合に、所定
の性能を維持していると判断し、前記電力周波数ｆe 以
下の値である場合に、所定の性能を維持していないと判
断することを特徴とする。
【００２１】また、プラズマ処理室を複数有するプラズ
マ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置
の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有
する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電力
を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子と
を有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに
前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に
接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電
源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備す
るプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬
送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理
装置の性能評価方法であって、前記高周波電力を供給す
る際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力
配電体の端部とされる測定位置で測定した前記複数のプ
ラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後における値Ａ1
のばらつきＡ1rが、その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minに
よって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場
合に、所定の性能を維持していると判断し、所定の価以
上の値である場合に所定の性能を維持していないと判断
することを特徴とする。
【００２２】同様に、プラズマ処理室を複数有するプラ
ズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装
置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を
有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電
力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子
とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出
力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源
を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プ
ラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合
を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置を、搬
送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組
み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であっ
て、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接
続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部
とされる測定位置で測定した前記複数のプラズマ処理室
の高周波特性Ａの、納入後における値Ａ1のばらつきＡ
1rが、その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場
合に、所定の性能を維持していると判断し、所定の価以
上の値である場合に所定の性能を維持していないと判断
することを特徴とする。
【００２３】同様に、プラズマ処理室を複数有するプラ
ズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装
置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を
有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電
力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子
とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出
力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源
を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プ
ラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合
を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置を、搬
送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組
み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であっ
て、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電
体に接続される前記入力端子とされる測定位置で測定し
た前記複数のプラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後
における値Ａ1のばらつきＡ1rが、その最大値Ａ1maxと
最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場
合に、所定の性能を維持していると判断し、所定の価以
上の値である場合に所定の性能を維持していないと判断
することを特徴とする。
【００２４】また、プラズマ処理室を複数有するプラズ
マ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置
の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を有
する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電力
を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子と
を有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとともに
前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に
接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波電
源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備す
るプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬
送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理
装置の性能評価方法であって、前記高周波電力を供給す
る際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電力
配電体の端部とされる測定位置で測定した前記複数のプ
ラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ0の、納入後にお
ける値ｆ01のばらつきｆ01rが、その最大値ｆ01maxと最
小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、ｆ01rの値が所定の価より小さい値であ
り、かつ、納入後における値ｆ01の３倍が、いずれも前
記高周波電力の電力周波数ｆe より大きな値である場合
に、所定の性能を維持していると判断し、ｆ01rの値が
所定の価以上の値である場合、又は納入後における値ｆ
01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆe
以下の値である場合に、所定の性能を維持していないと
判断することを特徴とする。
【００２５】同様に、プラズマ処理室を複数有するプラ
ズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装
置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を
有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電
力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子
とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出
力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源
を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プ
ラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合
を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置を、搬
送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組
み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であっ
て、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接
続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部
とされる測定位置で測定した前記複数のプラズマ処理室
の第１直列共振周波数ｆ0の、納入後における値ｆ01の
ばらつきｆ01rが、その最大値ｆ01maxと最小値ｆ01min
によって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、ｆ01rの値が所定の価より小さい値であ
り、かつ、納入後における値ｆ01の３倍が、いずれも前
記高周波電力の電力周波数ｆe より大きな値である場合
に、所定の性能を維持していると判断し、ｆ01rの値が
所定の価以上の値である場合、又は納入後における値ｆ
01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆe
以下の値である場合に、所定の性能を維持していないと
判断することを特徴とする。
【００２６】同様に、プラズマ処理室を複数有するプラ
ズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装
置の性能評価方法は、プラズマを励起するための電極を
有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波電
力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子
とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出
力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電源
を高周波電力給電体を介して接続することにより前記プ
ラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合
を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置を、搬
送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組
み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であっ
て、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電
体に接続される前記入力端子とされる測定位置で測定し
た前記複数のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ0
の、納入後における値ｆ01のばらつきｆ01rが、その最
大値ｆ01maxと最小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、ｆ01rの値が所定の価より小さい値であ
り、かつ、納入後における値ｆ01の３倍が、いずれも前
記高周波電力の電力周波数ｆe より大きな値である場合
に、所定の性能を維持していると判断し、ｆ01rの値が
所定の価以上の値である場合、又は納入後における値ｆ
01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆe
以下の値である場合に、所定の性能を維持していないと
判断することを特徴とする。
【００２７】また、プラズマ処理装置を複数有するプラ
ズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処
理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するため
の電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電
力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子
とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するととも
に前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子
に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波
電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備
するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理シ
ステムを、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納
入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性
能評価方法であって、前記高周波電力を供給する際に整
合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の
端部とされる測定位置で測定した前記プラズマ処理室の
高周波特性Ａの、納入後における値Ａ1のばらつきＡ1r
が、その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場
合に、所定の性能を維持していると判断し、所定の価以
上の値である場合に所定の性能を維持していないと判断
することを特徴とする。
【００２８】同様に、プラズマ処理装置を複数有するプ
ラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ
処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するた
めの電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波
電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端
子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記
出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電
源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記
プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整
合を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置が複
数設けられたプラズマ処理システムを、搬送元にて分解
後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後
のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、前記
高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される
前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部とされる
測定位置で測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａ
の、納入後における値Ａ1のばらつきＡ1rが、その最大
値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場
合に、所定の性能を維持していると判断し、所定の価以
上の値である場合に所定の性能を維持していないと判断
することを特徴とする。
【００２９】同様に、プラズマ処理装置を複数有するプ
ラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ
処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するた
めの電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波
電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端
子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記
出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電
源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記
プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整
合を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置が複
数設けられたプラズマ処理システムを、搬送元にて分解
後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後
のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、前記
高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続
される前記入力端子とされる測定位置で測定した前記プ
ラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後における値Ａ1
のばらつきＡ1rが、その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minに
よって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場
合に、所定の性能を維持していると判断し、所定の価以
上の値である場合に所定の性能を維持していないと判断
することを特徴とする。
【００３０】また、プラズマ処理装置を複数有するプラ
ズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処
理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するため
の電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電
力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端子
とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するととも
に前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端子
に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周波
電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具備
するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処理シ
ステムを、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納
入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システムの性
能評価方法であって、前記高周波電力を供給する際に整
合回路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の
端部とされる測定位置で測定した前記プラズマ処理室の
第１直列共振周波数ｆ0の、納入後における値ｆ01のば
らつきｆ01rが、その最大値ｆ01maxと最小値ｆ01minに
よって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、ｆ01rの値が所定の価より小さい値であ
り、かつ、納入後における値ｆ01の３倍が、いずれも前
記高周波電力の電力周波数ｆe より大きな値である場合
に、所定の性能を維持していると判断し、ｆ01rの値が
所定の価以上の値である場合、又は納入後における値ｆ
01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆe
以下の値である場合に、所定の性能を維持していないと
判断することを特徴とする。
【００３１】同様に、プラズマ処理装置を複数有するプ
ラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ
処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するた
めの電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波
電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端
子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記
出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電
源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記
プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整
合を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置が複
数設けられたプラズマ処理システムを、搬送元にて分解
後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後
のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、前記
高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される
前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部とされる
測定位置で測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振
周波数ｆ0の、納入後における値ｆ01のばらつきｆ
01rが、その最大値ｆ01maxと最小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、ｆ01rの値が所定の価より小さい値であ
り、かつ、納入後における値ｆ01の３倍が、いずれも前
記高周波電力の電力周波数ｆe より大きな値である場合
に、所定の性能を維持していると判断し、ｆ01rの値が
所定の価以上の値である場合、又は納入後における値ｆ
01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆe
以下の値である場合に、所定の性能を維持していないと
判断することを特徴とする。
【００３２】同様に、プラズマ処理装置を複数有するプ
ラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ
処理システムの性能評価方法は、プラズマを励起するた
めの電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周波
電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端
子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前記
出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波電
源を高周波電力給電体を介して接続することにより前記
プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整
合を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置が複
数設けられたプラズマ処理システムを、搬送元にて分解
後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てした後
のプラズマ処理システムの性能評価方法であって、前記
高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に接続
される前記入力端子とされる測定位置で測定した前記プ
ラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ0の、納入後にお
ける値ｆ01のばらつきｆ01rが、その最大値ｆ01maxと最
小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、ｆ01rの値が所定の価より小さい値であ
り、かつ、納入後における値ｆ01の３倍が、いずれも前
記高周波電力の電力周波数ｆe より大きな値である場合
に、所定の性能を維持していると判断し、ｆ01rの値が
所定の価以上の値である場合、又は納入後における値ｆ
01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆe
以下の値である場合に、所定の性能を維持していないと
判断することを特徴とする。
【００３３】また、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムは、プラズマを励起するための電極を有
するプラズマ処理室と、前記電極に高周波電力を供給す
るための高周波電源と、入力端子と出力端子とを有し該
入力端子に前記高周波電源を接続するとともに前記電極
に接続した高周波電力配電体を前記出力端子に接続する
ことにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのイ
ンピーダンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズ
マ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、
該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理装置の性
能管理システムであって、前記高周波電源からプラズマ
処理室に供給される電力周波数ｆeを記憶するサーバー
と、このサーバーと通信回線で接続された納入先入出力
装置とを備え、前記サーバーは、前記高周波電力を供給
する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周波電
力配電体の端部とされる測定位置で測定した前記プラズ
マ処理室の第１直列共振周波数ｆ0の納入後における値
ｆ01を、前記納入先入出力装置から受信し、納入後にお
ける値ｆ01の３倍が前記電力周波数ｆeより大きな値で
ある場合には、所定の性能を維持している旨の信号を、
納入後における値ｆ01の３倍が前記電力周波数ｆe以下
である場合には、所定の性能を維持していない旨の信号
を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴とす
る。
【００３４】また、プラズマ処理室を複数有するプラズ
マ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置
の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極
を有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波
電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端
子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとと
もに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端
子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周
波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具
備するプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先
に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ
処理装置の性能管理システムであって、前記高周波電源
からプラズマ処理室に供給される電力周波数ｆeを記憶
するサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された
納入先入出力装置とを備え、前記サーバーは、前記高周
波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される
前記高周波電力配電体の端部とされる測定位置で測定し
た前記各々のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ0
の納入後における値ｆ01を、前記納入先入出力装置から
受信し、納入後における値ｆ01の３倍が、いずれも前記
高周波電力の電力周波数ｆe より大きな値である場合
に、所定の性能を維持している旨の信号を、納入後にお
ける値ｆ01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電力周
波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能を維持して
いない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信するこ
とを特徴とする。
【００３５】また、プラズマ処理室を複数有するプラズ
マ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装置
の性能管理システムは、プラズマを励起するための電極
を有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周波
電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力端
子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続するとと
もに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力端
子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高周
波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を具
備するプラズマ処理装置を、搬送元にて分解後、納入先
に搬送して、該納入先にて再組み立てした後のプラズマ
処理装置の性能管理システムであって、出力装置を備え
たサーバーと、このサーバーと通信回線で接続された納
入先入力装置とを備え、前記サーバーは、前記高周波電
力を供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記
高周波電力配電体の端部とされる測定位置で測定した前
記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後におけ
る値Ａ1を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前
記納入先入力装置から受信し、この値Ａ1のばらつきＡ
1rが、その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出
力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小
値Ａ1minを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力
することを特徴とする。
【００３６】同様に、プラズマ処理室を複数有するプラ
ズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装
置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電
極を有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周
波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力
端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前
記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波
電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前
記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス
整合を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置
を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先に
て再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理シス
テムであって、出力装置を備えたサーバーと、このサー
バーと通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、
前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高
周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周
波電源側端部とされる測定位置で測定した前記各々のプ
ラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後における値Ａ
1を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入
先入力装置から受信し、この値Ａ1のばらつきＡ1rが、
その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出
力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小
値Ａ1minを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力
することを特徴とする。
【００３７】同様に、プラズマ処理室を複数有するプラ
ズマ処理装置に対応して、本発明に係るプラズマ処理装
置の性能管理システムは、プラズマを励起するための電
極を有する複数のプラズマ処理室と、各々の電極に高周
波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力
端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を前
記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周波
電源を高周波電力給電体を介して接続することにより前
記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダンス
整合を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置
を、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先に
て再組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法
であって、出力装置を備えたサーバーと、このサーバー
と通信回線で接続された納入先入力装置とを備え、前記
サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波
電力給電体に接続される前記入力端子とされる測定位置
で測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの
納入後における値Ａ1を、各々のプラズマ処理室の固有
番号と共に前記納入先入力装置から受信し、この値Ａ1
のばらつきＡ1rが、その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minに
よって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出
力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小
値Ａ1minを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力
することを特徴とす。
【００３８】また、プラズマ処理装置を複数有するプラ
ズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処
理システムの性能管理システムは、プラズマを励起する
ための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周
波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力
端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続すると
ともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力
端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高
周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を
具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処
理システムを、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、
該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システム
の性能管理システムであって、前記高周波電源からプラ
ズマ処理室に供給される電力周波数ｆeを記憶するサー
バーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入
出力装置とを備え、前記サーバーは、前記高周波電力を
供給する際に整合回路の出力端子に接続される前記高周
波電力配電体の端部とされる測定位置で測定した前記各
々のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ0の納入後
における値ｆ01を、前記納入先入出力装置から受信し、
納入後における値ｆ01の３倍が、いずれも前記高周波電
力の電力周波数ｆe より大きな値である場合に、所定の
性能を維持している旨の信号を、納入後における値ｆ01
のいずれかの３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆe 以
下の値である場合に、所定の性能を維持していない旨の
信号を、各々納入先入出力装置に発信することを特徴と
する。
【００３９】同様に、プラズマ処理装置を複数有するプ
ラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ
処理システムの性能管理システムは、プラズマを励起す
るための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高
周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出
力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を
前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周
波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより
前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダン
ス整合を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置
が複数設けられたプラズマ処理システムを、搬送元にて
分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てし
た後のプラズマ処理システムの性能管理システムであっ
て、前記高周波電源からプラズマ処理室に供給される電
力周波数ｆeを記憶するサーバーと、このサーバーと通
信回線で接続された納入先入出力装置とを備え、前記サ
ーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電
源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源
側端部とされる測定位置で測定した前記プラズマ処理室
の第１直列共振周波数ｆ0の納入後における値ｆ01を、
前記納入先入出力装置から受信し、納入後における値ｆ
01の３倍が、いずれも前記高周波電力の電力周波数ｆe
より大きな値である場合に、所定の性能を維持している
旨の信号を、納入後における値ｆ01のいずれかの３倍が
前記高周波電力の電力周波数ｆe 以下の値である場合
に、所定の性能を維持していない旨の信号を、各々納入
先入出力装置に発信することを特徴とする。
【００４０】同様に、プラズマ処理装置を複数有するプ
ラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ
処理システムの性能管理システムは、プラズマを励起す
るための電極を有するプラズマ処理室と、 前記電極に
高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と
出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体
を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高
周波電源を高周波電力給電体を介して接続することによ
り前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダ
ンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装
置が複数設けられたプラズマ処理システムを、搬送元に
て分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立て
した後のプラズマ処理システムの性能評価方法であっ
て、前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前
記高周波電力給電体に接続される前記入力端子とされる
測定位置で測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振
周波数ｆ0の納入後における値ｆ01を、前記納入先入出
力装置から受信し、納入後における値ｆ01の３倍が、い
ずれも前記高周波電力の電力周波数ｆe より大きな値で
ある場合に、所定の性能を維持している旨の信号を、納
入後における値ｆ01のいずれかの３倍が前記高周波電力
の電力周波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能を
維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発
信することを特徴とする。
【００４１】また、プラズマ処理装置を複数有するプラ
ズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ処
理システムの性能管理システムは、プラズマを励起する
ための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高周
波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出力
端子とを有し該入力端子に前記高周波電源を接続すると
ともに前記電極に接続した高周波電力配電体を前記出力
端子に接続することにより前記プラズマ処理室と前記高
周波電源とのインピーダンス整合を得る整合回路と、を
具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ処
理システムを、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、
該納入先にて再組み立てした後のプラズマ処理システム
の性能管理システムであって、出力装置を備えたサーバ
ーと、このサーバーと通信回線で接続された納入先入力
装置とを備え、前記サーバーは、前記高周波電力を供給
する際に前記高周波電源に接続される前記高周波電力給
電体の前記高周波電源側端部とされる測定位置で測定し
た前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後に
おける値Ａ1を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共
に前記納入先入力装置から受信し、この値Ａ1のばらつ
きＡ1rが、その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出
力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小
値Ａ1minを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力
することを特徴とする。
【００４２】同様に、プラズマ処理装置を複数有するプ
ラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ
処理システムの性能管理システムは、プラズマを励起す
るための電極を有するプラズマ処理室と、前記電極に高
周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と出
力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体を
前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高周
波電源を高周波電力給電体を介して接続することにより
前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダン
ス整合を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装置
が複数設けられたプラズマ処理システムを、搬送元にて
分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立てし
た後のプラズマ処理システムの性能管理システムであっ
て、出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信
回線で接続された納入先入力装置とを備え、前記サーバ
ーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に
接続される前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端
部とされる測定位置で測定した前記各々のプラズマ処理
室の高周波特性Ａの納入後における値Ａ1を、各々のプ
ラズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から
受信し、この値Ａ1のばらつきＡ1rが、その最大値Ａ
1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出
力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小
値Ａ1minを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力
することを特徴とする。
【００４３】同様に、プラズマ処理装置を複数有するプ
ラズマ処理システムに対応して、本発明に係るプラズマ
処理システムの性能管理システムは、プラズマを励起す
るための電極を有するプラズマ処理室と、 前記電極に
高周波電力を供給するための高周波電源と、入力端子と
出力端子とを有し前記電極に接続した高周波電力配電体
を前記出力端子に接続するとともに該入力端子に前記高
周波電源を高周波電力給電体を介して接続することによ
り前記プラズマ処理室と前記高周波電源とのインピーダ
ンス整合を得る整合回路と、を具備するプラズマ処理装
置が複数設けられたプラズマ処理システムを、搬送元に
て分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組み立て
した後のプラズマ処理システムの性能評価方法であっ
て、出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信
回線で接続された納入先入力装置とを備え、前記サーバ
ーは、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給
電体に接続される前記入力端子とされる測定位置で測定
した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後
における値Ａ1を、各々のプラズマ処理室の固有番号と
共に前記納入先入力装置から受信し、この値Ａ1のばら
つきＡ1rが、その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによっ
て、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出
力装置から、保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小
値Ａ1minを与えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力
することを特徴とする。
【００４４】また、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能確認システムは、購入発注者が販売保守者から購入し
た本発明に係るの性能管理システムで管理されたプラズ
マ処理装置又はプラズマ処理システムの、搬送元にて分
解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組立てした後
の動作性能状況を示す性能状況情報の閲覧を公衆回線を
介して要求する購入発注者側情報端末と、販売保守者が
前記性能状況情報をアップロードする販売保守者側情報
端末と、前記購入発注者側情報端末の要求に応答して、
販売保守者側情報端末からアップロードされた性能状況
情報を購入発注者側情報端末に提供する性能状況情報提
供手段と、を具備することを特徴とする。
【００４５】上記各発明において、高周波特性Ａとある
のは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数における
インピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレ
ジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけ
るリアクタンスＸのいずれかを採用することができる。
また、前記高周波特性Ａとして、第１直列共振周波数ｆ
0 を採用することが好ましい。
【００４６】また、上記各発明において、高周波特性Ａ
（又は第１直列共振周波数ｆ0）の納入後における値Ａ1
（又はｆ01）のばらつきＡ1r（又はｆ01r）と対比する
所定の値として好ましい値は０．１であり、、より好ま
しい値は０．０３である。
【００４７】また、上記本発明に係るプラズマ処理装置
の性能管理システム又はプラズマ処理システムの性能管
理システムにおいて、納入後における値ｆ01の３倍と前
記高周波電力の電力周波数ｆe とを比較して性能を判断
する場合には、前記サーバーが搬送元において出力装置
を備え、納入後における値ｆ01の３倍が前記高周波電力
の電力周波数ｆe 以下の値である場合に、前記出力装置
から、保守作業命令を出力することが望ましい。
【００４８】また、上記本発明に係るプラズマ処理装置
の性能確認システムにおいては、上記性能状況情報を、
前記高周波特性Ａを含むものとすることができる。ま
た、上記性能状況情報が、カタログまたは仕様書として
出力されるものとすることができる。
【００４９】以下、上記各発明をさらに詳細に説明す
る。上記各発明では、プラズマ処理室の電極に高周波電
力を供給する際に測定したプラズマ処理室の高周波特性
Ａを評価指標とした。これは、高周波特性Ａが、プラズ
マ空間で消費される実効的な電力等のプラズマ処理装置
の性能と密接な関連性を有するとともに、搬送中の振動
や納入後の再組み立ての不備で精度に狂い生じる等、性
能に悪影響を及ぼす事象が発生した場合には、容易に変
動する値であることに着目したものである。
【００５０】そして、分解搬送後に再組み立てする新規
設置時や、その後の使用によるプラズマ処理の繰り返
し、あるいは調整・保守点検等の際に、プラズマ処理室
の性能が所定の性能レベルを維持しているか、また、プ
ラズマ処理室が複数ある場合には、性能の機差が充分抑
えられているか等の評価を可能としたものである。
【００５１】この高周波特性Ａの測定は瞬時に行うこと
ができるので、基板への実際の成膜等による従来の検査
方法を採用した場合に比べて、大幅に評価時間を短縮す
ることができる。また、性能評価に必要な検査用基板等
の費用、この検査用基板の検査処理費用、および、評価
作業に従事する作業員の人件費等の、コストを削減する
ことが可能となる。
【００５２】そのため、本発明に係るプラズマ処理装置
の評価方法によれば、プラズマ処理装置の性能評価を瞬
時にしかもコストをかけずに行うことができる。また、
プラズマ処理装置が、複数のプラズマ処理室を有してい
る場合には、各プラズマ処理室毎に求めた高周波特性Ａ
を指標とすることにより、各プラズマ処理室に対して、
常に同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズ
マ処理結果を得ること、つまり、プラズマ処理室におい
て例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッ
チングレート等、略均一な膜特性の膜を継続して得るこ
とを可能とするものである。
【００５３】また、本発明に係るプラズマ処理システム
の評価方法によれば、プラズマ処理装置の性能評価を瞬
時にしかもコストをかけずに行うことができる。また、
プラズマ処理システムは、複数のプラズマ処理装置から
なるため、複数のプラズマ処理室を有している。これら
各プラズマ処理室毎に求めた高周波特性Ａを指標とする
ことにより、各プラズマ処理室に対して、常に同一のプ
ロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を
得ること、つまり、プラズマ処理室において例えば成膜
をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート
等、略均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とす
るものである。
【００５４】また、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムによれば、メーカー等が管理するサーバ
ーを利用することにより、納入先の使用者等が簡便に性
能評価結果を知ることができる。また、本発明に係るプ
ラズマ処理システムの性能管理システムによれば、メー
カー等が管理するサーバーを利用することにより、納入
先の使用者等が簡便に性能評価結果や機差に関する情報
を知ることができる。
【００５５】従って、何れの発明も、問題のあるプラズ
マ処理作業を行ってしまうことを事前に回避し、良好な
状態にプラズマ処理装置を保つことに寄与するものであ
る。また、プラズマ処理室に対して、常に同一のプロセ
スレシピを適用して、略同一のプラズマ処理結果を得る
こと、つまり、プラズマチャンバにおいて例えば成膜を
おこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート
等、略均一な膜特性の膜を継続して得ることを可能とす
るものである。
【００５６】上記各発明において、前記高周波特性Ａの
測定位置は、前記高周波電力を供給する際に整合回路の
出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部とさ
れる測定位置とすることができる。これにより、高周波
特性の変動を評価することで、プラズマ空間で消費され
る実効的な電力の変動を評価することができる。そし
て、同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズ
マ処理結果を得ることができるかどうかの評価が可能と
なる。
【００５７】また、本発明においては、上記の測定位置
に変えて、前記高周波電力を供給する際に前記高周波電
力給電体（給電線）に接続される前記入力端子とされる
測定位置を前記高周波特性Ａの測定位置とすることがで
きる。これにより、プラズマ処理室だけでなく、整合回
路も含めて電気的高周波特性を評価することができる。
そのため、上記測定位置で評価するのと比較して、プラ
ズマ空間で消費される実効的な電力の評価、ひいてはプ
ラズマ処理結果に対する評価をより的確に行うことがで
きる。
【００５８】また、上記の測定位置に変えて、前記高周
波電力を供給する際に前記高周波電源に接続される前記
高周波電力給電体（給電線）の前記高周波電源側端部と
される測定位置を前記高周波特性Ａの測定位置とするこ
とができる。これにより、プラズマ処理室と整合回路だ
けでなく、高周波電力給電体も含めて電気的高周波特性
を評価することができる。そのため、上記２つの測定位
置で評価するのと比較して、プラズマ空間で消費される
実効的な電力の評価、ひいてはプラズマ処理結果に対す
る評価を、さらに的確に行うことができる。
【００５９】上記各発明において、前記高周波特性Ａ
は、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数におけるイ
ンピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレジ
スタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数における
リアクタンスＸのいずれかとすることができる。これに
より、電気的高周波的な特性でプラズマ処理装置を評価
することが可能となる。なお、この内共振周波数ｆとし
ては、後述するように、高周波電力を供給する際に整合
回路の出力端に接続される高周波電力配電体の端部で測
定したプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ0’や、
前記電極と協働してプラズマを発生する対向電極との容
量によって規定される直列共振周波数ｆ0を採用したり
することができる。高周波特性Ａとしては、これらの他
に数１で示される電圧電流の振幅比や数２で示される電
圧電流の位相差等を適宜採用できる。
【００６０】
【数１】
【００６１】
【数２】
【００６２】ここで、前記高周波特性Ａとして、インピ
ーダンスＺを採用した場合には、このインピーダンスＺ
は、プラズマ励起する周波数における値であるから、Ｚ
とθとの周波数依存性を測定してはじめて把握可能なパ
ラメータである共振周波数ｆに対して、プラズマチャン
バの高周波数特性の周波数依存性を見る必要がなく、共
振周波数ｆに比べて把握が容易である。また、プラズマ
チャンバのプラズマ励起する周波数における電気的高周
波数的特性をより直接的に捉えることができるパラメー
タである。また、レジスタンスＲ、および、リアクタン
スＸ、を採用した場合には、これらレジスタンスＲとリ
アクタンスＸとのベクトル量であるインピーダンスＺを
見ることに比べて、さらに直接的にプラズマチャンバの
プラズマ励起する周波数における電気的高周波数的特性
を捉えることができる。
【００６３】また、前記高周波特性Ａとしては、第１直
列共振周波数ｆ0 を採用することができる。この第１直
列共振周波数ｆ0 は、機械的な構造をその多くの要因と
して決まる電気的高周波的な特性であり、各プラズマ処
理室（プラズマチャンバ）ごとに異なっていると考えら
れる。また、この第１直列共振周波数ｆ0 は、プラズマ
発生の安定性や均一な動作に密接に関係する評価指標で
あると考えられる。これにより、高周波特性Ａとして、
第１直列共振周波数ｆ0 を選択した場合には、より的確
な性能評価が可能となるものである。
【００６４】なお、前記高周波特性Ａとして、共振周波
数ｆを採用した場合には、第１直列共振周波数ｆ0 以外
の直並列共振周波数にも着目するので、チャンバ内で分
岐されたすべての電流経路の特性を見ることになる。そ
のため、第１直列共振周波数ｆ0 を採用する場合に比べ
て、機差をより詳細に確認できるメリットを有するが、
解析に手間を要するというデメリットを有する。
【００６５】ここで、第１直列共振周波数ｆ0 の定義に
ついて説明する。まず、プラズマチャンバのインピーダ
ンスの周波数依存性を計測する。このとき、後述するよ
うにプラズマチャンバのインピーダンス測定範囲を規定
し、このインピーダンス測定範囲に対して、供給する電
力周波数ｆe を含む範囲で測定周波数を変化させてイン
ピーダンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定することによ
り、プラズマチャンバのインピーダンスの周波数依存性
を計測する。ここで、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．
１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の値に設定される電力
周波数ｆe に対応して、測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜
１００ＭＨｚ程度の範囲に設定する。図６は第１直列共
振周波数ｆ0 を説明するためのインピーダンスＺと位相
θとの周波数依存特性を示すグラフである。ついで、図
６に示すように、測定周波数に対してインピーダンスＺ
と位相θをプロットしてインピーダンス特性曲線および
位相曲線を描画し、インピーダンスＺの極小値のうち周
波数の最小のもの、つまり、測定周波数の低い側から数
えて一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化した
ときに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周
波数ｆ0 として定義する。
【００６６】次に、前述のプラズマチャンバのインピー
ダンス測定範囲（高周波数特性測定範囲）について説明
する。プラズマチャンバには整合回路を介して高周波電
源が接続されているが、この整合回路の出力端子よりも
出力側をインピーダンス測定範囲とする。ここで、整合
回路は、プラズマチャンバ内のプラズマ状態等の変化に
対応してインピーダンスを調整するために、その多くは
複数の受動素子を具備する構成とされている。図２は整
合回路２Ａを示す模式図である。例えば、整合回路２Ａ
としては、図２に示すように、高周波電源１とプラズマ
放電用の電極４との間に、コイル２３とチューニングコ
ンデンサ２４とが直列に設けられ、さらに、高周波電源
１には他のロードコンデンサ２２が並列に接続され一端
がアースされている構成の整合回路２Ａが挙げられる。
このような整合回路の受動素子のうち、出力最終段の受
動素子の出力端子位置で切り離す、つまり、直接電極４
側に接続される素子、上記例の場合は、チューニングコ
ンデンサ２４の出力端子位置ＰＲで、整合回路２Ａを切
り離した状態で、これよりも先のプラズマチャンバ部分
を前記測定範囲と定義する。
【００６７】また、上記の測定位置に変えて、図２に示
すように、高周波電源１と整合回路２Ａを接続する給電
線（高周波電力給電体）１Ａを、高周波電源１側端部か
ら切り離し、この高周波電源１側端部とされる測定位置
ＰＲ２で、高周波電源１Ａを切り離した状態で、これよ
りも先のプラズマチャンバ部分を前記測定範囲と定義す
ることができる。さらに、上記の測定位置に変えて、図
２に示すように、高周波電源１と整合回路２Ａを接続す
る給電線（高周波電力給電体）１Ａを、整合回路２Ａ側
端部からから切り離し、この整合回路２Ａの給電線１Ａ
に接続される入力端子とされる測定位置ＰＲ３で、高周
波電源１Ａおよび給電線１Ａを切り離した状態で、これ
よりも先のプラズマチャンバ部分を前記測定範囲と定義
することができる。
【００６８】本発明においては、一つの評価基準（以下
「評価基準１」という。）として、前記プラズマ処理室
の第１直列共振周波数ｆ0 の３倍が、前記電力周波数ｆ
e より大きな値の範囲であるかどうかを用いた。これ
は、以下の理由による。すなわち、前記プラズマ処理室
の第１直列共振周波数ｆ0 の３倍が、前記電力周波数ｆ
e より大きな値の範囲であれば、従来一般的に使用され
ていた１３．５６ＭＨｚ程度以上の高い周波数の電力を
投入した場合であっても、電力を効率よくプラズマ発生
空間に導入することが可能となり、同一周波数を供給し
た場合に、プラズマ空間で消費される実効的な電力を大
きくすることができる。その結果、膜の積層をおこなう
際には、堆積速度の向上を図ることを可能とすることが
できる。この第１直列共振周波数ｆ0 は、機械的な構造
をその多くの要因としてきまる電気的高周波的な特性で
あり、各プラズマ処理室ごとに異なっていると考えられ
る。そして、この第１直列共振周波数ｆ0 を基に性能を
評価することにより、各プラズマ処理室に対しても、従
来考慮されていなかったその全般的な電気的高周波的特
性を評価することが可能となり、プラズマ発生の安定性
を期待しうるかどうかの判断ができる。その結果、動作
安定性の高いプラズマ処理装置を維持する上で、適切な
性能評価方法と性能管理システムを提供することが可能
となる。
【００６９】本発明においては、他の評価基準（以下
「評価基準２」という。）として、納入後における値Ａ
1のばらつきＡ1rが、所定の価より小さな値の範囲であ
るかどうかを用いた。これは、以下の理由による。すな
わち、プラズマ処理室の電極に高周波電力を供給する際
に、整合回路の出力端子に接続される高周波電力配電体
の端部で測定したプラズマ処理室の高周波特性Ａを、複
数あるプラズマ処理室の各々について測定し、その最大
値Ａmax と最小値Ａmin を求める。そして、これらの最
大値Ａmax と最小値Ａmin を用いて、ばらつきＡ1rを以
下の式（１）のように定義する。 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） （１） このＡ1rの値が所定の値より小さい値であれば、複数の
プラズマ処理室に対してインピーダンス、共振周波数特
性等の電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能
となり、これにより、インピーダンス特性などを指標と
する一定の管理幅内に複数のプラズマ処理室を設定する
ことが可能となるので、個々のプラズマ処理室におい
て、プラズマ空間で消費される実効的な電力等をそれぞ
れ略均一にすることができる。その結果、複数のプラズ
マ処理室に対して同一のプロセスレシピを適用して、略
同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプ
ラズマ処理室において例えば成膜をおこなった際に、膜
厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の
膜を得ることが可能となる。
【００７０】また、本発明においては、上記評価基準１
と評価基準２とを組み合わせて用いることができる。こ
の場合、動作安定性の高いプラズマ処理装置を維持する
上で、適切な性能評価方法を提供することが可能となる
と共に、複数のプラズマ処理室に対してインピーダン
ス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性の機差が
小さい状況を維持する上で、適切な性能評価方法を提供
することが可能となる。
【００７１】上記評価基準２において、前記高周波特性
Ａは、共振周波数ｆ、前記高周波電力の周波数における
インピーダンスＺ、前記高周波電力の周波数におけるレ
ジスタンスＲ、または、前記高周波電力の周波数におけ
るリアクタンスＸのいずれかとすることができる。ま
た、評価基準２において、前記高周波特性Ａとして、上
述の第１直列共振周波数ｆ0 を採用することができる。
【００７２】この場合、高周波特性Ａ（又は第１直列共
振周波数ｆ0）の納入後における値Ａ1（又はｆ01）のば
らつきＡ1r（又はｆ01r）と対比する所定の値に特に制
限はないが、例えば、０．１とすることができる。この
場合、略同一の条件で積層をおこなったプラズマチャン
バにおいて、膜厚のばらつきの値を±５％の範囲におさ
める等、プラズマ処理の均一性を維持することが可能に
なる。
【００７３】さらに、上記の所定の値を０．０３より小
さい範囲に設定することで、複数のプラズマチャンバに
対してインピーダンス、共振周波数特性等の電気的高周
波的な特性の機差をなくすことが可能となり、これによ
り、インピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に
複数のプラズマチャンバを設定することが可能となるの
で、個々のプラズマチャンバにおいて、プラズマ空間で
消費される実効的な電力をそれぞれ略均一にすることが
できる。その結果、複数のプラズマチャンバに対して同
一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理
結果を得ること、つまり、複数のプラズマチャンバにお
いて例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エ
ッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得ることが可
能となる。具体的には、上記のばらつきの値を０．０３
より小さい範囲に設定することにより、略同一の条件で
積層をおこなったプラズマチャンバにおいて、膜厚のば
らつきの値を±２％の範囲におさめることができる。
【００７４】上記本発明に係るプラズマ処理装置の性能
管理システム又はプラズマ処理システムの性能管理シス
テムは、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの
メーカー、流通業者、メンテナンス業者等からユーザー
等にプラズマ処理装置を納入するに際して、搬送元で分
解後、納入先に搬送して、納入先にて再組み立てをする
という一連の処理工程を経た後、また、その後の使用期
間中に、プラズマ処理装置の性能が維持されているかど
うかを上記評価基準で評価しその性能を管理するシステ
ムである。本管理システムにおけるサーバーは、プラズ
マ処理装置のメーカー、流通業者、メンテナンス業者等
の搬送元が管理するものであるが、その設置場所は搬送
元に特に限定されない。
【００７５】サーバーには、納入先に設置された入出力
装置又は入力装置が通信回線で接続されている。この通
信回線の媒体や形式に特に限定はなく、離間した地点に
おかれたサーバーと入出力装置との間で信号の授受がで
きるものであればよい。すなわち、ケーブル回線、光フ
ァイバー回線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒
体を適宜使用できると共に、電話回線網、インターネッ
ト網等種々の通信形式を活用できる。また、納入先の入
出力装置、入力装置にも特に限定はなく、パーソナルコ
ンピュータ、専用端末機、電話機等を利用する通信回線
の種類等に適応できる範囲で適宜選択できる。なお、評
価基準２を用いる性能管理システムにおける納入先入力
装置では、少なくとも入力機能が必要で、出力機能は必
須ではないが、出力機能を備えていても差し支えないの
はもちろんである。
【００７６】評価基準１を用いる性能管理システムの場
合、このサーバーは高周波電源からプラズマ処理室に供
給される電力周波数ｆeを記憶している。そして、この
記憶したｆeを用いて、搬入先にあるプラズマ処理装置
の性能を評価するものである。なお、このｆeの値は、
メーカー等で管理している標準的な電力周波数ｆeとし
ても良いが、プラズマ処理室の固有番号毎にｆeの値を
記憶することにより、納入先の個別のプラズマ処理装置
に対応して、より的確な評価ができる。従って、より精
度の高い管理システムとすることができる。ここで、プ
ラズマ処理室の固有番号とは、プラズマ処理室を個別に
特定できる番号であれば特に限定はなく、その形式は数
字だけでなく文字等を含むものであってもよい。例え
ば、プラズマ処理室を一つ備えたプラズマ処理装置の場
合、当該プラズマ処理装置の製造番号を、当該プラズマ
処理装置の固有番号として扱うこともできる。
【００７７】この場合、サーバーは納入先入出力装置か
ら第１直列共振周波数ｆ0の納入後における値ｆ01を受
信する。ここで、納入後とは、再組み立て直後だけでな
く、その後の使用期間中を含むものである。すなわち、
サーバーは、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理
システムの性能を反映する値ｆ01を、適宜継続して受信
できるものである。また、上記サーバーは、納入先入出
力装置から、第１直列共振周波数ｆ0の納入後における
値ｆ01を、必要に応じて、その値を与えるプラズマ処理
室の固有番号と共に受信するようにしてもよい。
【００７８】納入先入出力装置からサーバーに対して、
ｆ01の値や、必要に応じてプラズマ処理室の固有番号を
送信するためには、納入先入出力装置に納入先のユーザ
ーや、納入先を訪問したサービスマン等がこれらの値を
手で入力することができるが、この入力作業は適宜自動
化や省力化が可能である。例えば、納入先入出力装置
に、プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムに接続
されたインピーダンス測定器を接続して、インピーダン
ス測定器から前記サーバーに、ｆ01を直接送信すること
ができる。また、単独のプラズマ処理室を備えたプラズ
マ処理装置を単独で使用する納入先においては、プラズ
マ処理室の固有番号については、一度納入先入出力装置
に登録し、その後は入力作業を省略することができる。
【００７９】サーバーは、上記納入後における値ｆ01、
電力周波数ｆeの値から、内部の演算処理装置を用いて
ｆ01の３倍と電力周波数ｆeの値を比較する。そして、
比較の結果、納入後における値ｆ01の３倍が前記電力周
波数ｆeより大きな値である場合には、所定の性能を維
持している旨の信号を、納入後における値ｆ01の３倍が
前記電力周波数ｆe以下である場合には、所定の性能を
維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に発
信する。すなわち、納入先入出力装置は評価情報を受信
することができ、これにより、納入先においてプラズマ
処理装置の性能評価結果を把握することが可能となる。
なお、納入先入出力装置は、評価情報を表示器に表示し
たり、プリントアウトしたり、あるいは警報信号を発す
る等、適宜の方法で評価情報をユーザー等に伝達するこ
とができる。
【００８０】この場合のサーバーは、また、搬送元にお
いて出力装置を備え、納入後における値ｆ01のいずれか
の３倍が前記高周波電力の電力周波数ｆe 以下の値であ
る場合に、前記出力装置から、保守作業命令を出力する
ことが望ましい。この場合、対応するプラズマ処理室の
固有番号も併せて出力することが望ましい。これによ
り、納入先のプラズマ処理装置やプラズマ処理システム
の不具合を搬送元においていち早く把握し、直ちに保守
サービスを提供することができる。なお、サーバーが搬
送元におかれていない場合には、サーバーと出力装置と
の間には任意の通信回線が使用される。
【００８１】評価基準２を用いる性能管理システムの場
合、サーバーは出力装置を備えている。この出力装置の
設置場所に特に限定はないが、搬送元、メーカー、サー
ビスセンター等、納入先に対する保守サービスを提供す
る場所ににおかれていることが望ましい。サーバーと出
力装置とが遠隔地におかれている場合には、両者の間に
は任意の通信回線が使用される。そして、このサーバー
は、評価基準２を用いて、搬入先にあるプラズマ処理装
置の性能を評価すると共に、望ましくない評価結果を得
た場合には、出力装置から保守作業命令を、その評価結
果に用いられた最大値Ａ1max又は最小値Ａ1minを与えた
プラズマ処理室の固有番号と共に出力するものである。
【００８２】この場合、サーバーは評価基準２による評
価を行うために、納入先入力装置から高周波特性Ａの納
入後における値Ａ1を受信する。ここで、納入後とは、
再組み立て直後だけでなく、その後の使用期間中を含む
ものである。すなわち、サーバーは、納入先のプラズマ
処理装置やプラズマ処理システムの性能を反映する値Ａ
1を、適宜継続して受信できるものである。また、上記
サーバーは、納入先入力装置から、高周波特性Ａの納入
後における値Ａ1と共に、その値を与えるプラズマ処理
室の固有番号も受信する。
【００８３】納入先入出力装置からサーバーに対して、
Ａ1の値や、プラズマ処理室の固有番号を送信するため
には、納入先入出力装置に納入先のユーザーや、納入先
を訪問したサービスマン等がこれらの値を手で入力する
ことができるが、この入力作業は適宜自動化や省力化が
可能である。例えば、納入先入出力装置に、プラズマ処
理装置又はプラズマ処理システムに接続されたインピー
ダンス測定器を接続して、インピーダンス測定器から前
記サーバーに、Ａ1を直接送信することができる。ま
た、単独のプラズマ処理室を備えたプラズマ処理装置を
単独で使用する納入先においては、プラズマ処理室の固
有番号については、一度納入先入出力装置に登録し、そ
の後は入力作業を省略することができる。
【００８４】サーバーは、プラズマ処理装置全体、又は
プラズマ処理システム全体におけるプラズマ処理室のＡ
1を総て受信すると、それらの値の中から、最大値Ａ
1maxと最小値Ａ1minと、これらに対応する固有番号を特
定する。そして、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） との定義に従い、ばらつきＡ1rを求め、その値が所定の
価以上の場合に、前記出力装置から、保守作業命令を当
該最大値Ａ1max又は最小値Ａ1minを与えたプラズマ処理
室の固有番号と共に出力する。これにより、納入先のプ
ラズマ処理装置やプラズマ処理システムの不具合を搬送
元等のサービス提供者側でいち早く把握し、直ちに保守
サービスを提供することができる。
【００８５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るプラズマ処理
装置の性能評価方法の第１実施形態を、図面に基づいて
説明する。 ［第１実施形態］図１は本実施形態の性能評価方法の対
象となるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図、図
２は図１におけるプラズマ処理装置の整合回路を示す模
式図である。
【００８６】このプラズマ処理装置は、ＣＶＤ（ chemi
cal vapor deposition）、ドライエッチング、アッシン
グ等のプラズマ処理をおこなう１周波励起タイプのプラ
ズマ処理装置とされ、図１に示すように、プラズマを励
起するための平行平板型電極４，８を有するプラズマチ
ャンバ（プラズマ処理室）ＣＮと、この電極３に接続さ
れた高周波電源１と、前記プラズマチャンバＣＮと前記
高周波電源１とのインピーダンス整合を得るための整合
回路２Ａとを具備する構成とされる。同時に、このプラ
ズマ処理装置は、後述するように、前記整合回路２Ａの
出力端子位置ＰＲから測定した前記プラズマチャンバＣ
Ｎの第１直列共振周波数ｆ0の３倍が、前記高周波電源
１からプラズマチャンバＣＮに供給される電力周波数ｆ
e より大きな値かどうかが評価される。
【００８７】さらに詳細に説明すると、このプラズマ処
理装置は、図１，図２に示すように、プラズマチャンバ
ＣＮの上部に高周波電源１に接続されたプラズマ励起電
極（電極）４およびシャワープレート５が設けられ、プ
ラズマチャンバＣＮの下部にはシャワープレート５に対
向して被処理基板１６を載置するサセプタ電極（電極）
８が設けられている。プラズマ励起電極（電極）４は、
給電板（高周波電力配電体）３および整合回路２Ａを介
して第１の高周波電源１と接続されている。これらプラ
ズマ励起電極４および給電板３は、シャーシ２１に覆わ
れるとともに、整合回路２Ａは導電体からなるマッチン
グボックス２の内部に収納されている。給電板３として
は、幅５０〜１００ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ、長さ１００
〜３００ｍｍの形状を有する銅の表面に銀めっきを施し
たものが用いられており、この給電板３は、後述する整
合回路２Ａのチューニングコンデンサ２４の出力端子、
および、プラズマ励起電極４にそれぞれネジ止めされて
いる。
【００８８】また、プラズマ励起電極（カソード電極）
４の下側には凸部４ａが設けられるとともに、このプラ
ズマ励起電極（カソード電極）４の下には、多数の孔７
が形成されているシャワープレート５が凸部４ａに接し
て設けられている。これらプラズマ励起電極４とシャワ
ープレート５との間には空間６が形成されている。この
空間６にはガス導入管１７が接続されており、導体から
なるガス導入管１７の途中には絶縁体１７ａが挿入され
てプラズマ励起電極４側とガス供給源側とが絶縁されて
いる。
【００８９】ガス導入管１７から導入されたガスは、シ
ャワープレート５の多数の孔７からチャンバ壁１０によ
り形成されたチャンバ室６０内に供給される。チャンバ
壁１０とプラズマ励起電極（カソード電極）４とは絶縁
体９により互いに絶縁されている。また、排気系の図示
は省略してある。一方、チャンバ室６０内には基板１６
を載置しプラズマ励起電極ともなるウエハサセプタ（サ
セプタ電極）８が設けられている。
【００９０】サセプタ電極（対向電極）８の下部中央に
は、シャフト１３が接続され、このシャフト１３がチャ
ンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、シャフ
ト１３の下端部とチャンバ底部１０Ａ中心部とがベロー
ズ１１により密閉接続されている。これら、ウエハサセ
プタ８およびシャフト１３はベローズ１１により上下動
可能となっており、プラズマ励起電極４，８間の距離の
調整ができる。これらサセプタ電極８とシャフト１３が
接続されているため、サセプタ電極８，シャフト１３，
ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０は
直流的に同電位となっている。さらに、チャンバ壁１０
とシャーシ２１は接続されているため、チャンバ壁１
０，シャーシ２１，マッチングボックス２はいずれも直
流的に同電位となっている。
【００９１】ここで、整合回路２Ａは、プラズマチャン
バＣＮ内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダ
ンスを調整するために、その多くは複数の受動素子を具
備する構成とされている。整合回路２Ａは、図１，図２
に示すように、複数の受動素子として、高周波電源１と
給電板３との間に、コイル２３とチューニングコンデン
サ２４とが直列に設けられ、これらコイル２３とチュー
ニングコンデンサ２４とには、並列にロードコンデンサ
２２が接続され、このロードコンデンサ２２の一端はマ
ッチングボックス２１に接続されている。ここで、チュ
ーニングコンデンサ２４は給電板３を介してプラズマ励
起電極４に接続されている。マッチングボックス２は、
同軸ケーブルとされる給電線１Ａのシールド線に接続さ
れており、このシールド線が直流的にアースされてい
る。これにより、サセプタ電極８，シャフト１３，ベロ
ーズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁１０，シャ
ーシ２１，マッチングボックス２は接地電位に設定され
ることになり、同時に、ロードコンデンサ２２の一端も
直流的にアースされた状態となる。
【００９２】このプラズマ処理装置においては、１３．
５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的には、例え
ば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８Ｍ
Ｈｚ等の周波数の電力を投入して、両電極４，８の間で
プラズマを生成し、このプラズマにより、サセプタ電極
８に載置した基板１６にＣＶＤ（ chemical vapor depo
sition）、ドライエッチング、アッシング等のプラズマ
処理をおこなう。
【００９３】このとき、高周波電力は、高周波電源１か
ら給電線１Ａの同軸ケーブル，整合回路２Ａ，給電板
３，プラズマ励起電極（カソード電極）４に供給され
る。一方、高周波電流の経路を考えた場合、電流はこれ
らを介してプラズマ空間（チャンバ室６０）を経由した
後、さらにもう一方の電極（サセプタ電極）８，シャフ
ト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ
壁１０を通る。その後、シャーシ２１，マッチングボッ
クス２，給電線１Ａのシールド線を通り、高周波電源１
のアースに戻る。
【００９４】ここで、本実施形態の評価方法で指標とし
て用いられるプラズマ処理装置における第１直列共振周
波数ｆ0 について説明する。
【００９５】第１直列共振周波数ｆ0 は、プラズマチャ
ンバＣＮのインピーダンスの周波数依存性を計測し、イ
ンピーダンスＺの極小値のうち最小の周波数の値であ
り、この値が、前記電力周波数ｆe より大きな値の範囲
になるよう設定される。この第１直列共振周波数ｆ0
は、機械的な構造をその多くの要因としてきまる電気的
高周波的な特性であり、具体的には図３，図４に示すよ
うに測定される。図３はプラズマ処理装置のインピーダ
ンス特性を説明するための模式図であり、図４は、図３
の等価回路を示す回路図である。
【００９６】プラズマチャンバＣＮの測定範囲として
は、整合回路２Ａの受動素子のうち出力最終段の受動素
子の出力端子位置で切り離した状態をその対象とする。
つまり、図３に示すように、給電板３に接続される出力
端子位置ＰＲで、給電板３と整合回路２Ａの端子とのネ
ジ止めを外して整合回路２Ａを切り離した状態のプラズ
マチャンバＣＮを測定範囲とする。
【００９７】そして図３に破線で示すように、インピー
ダンス測定器ＡＮのプローブ１０５を切り離した出力端
子位置ＰＲおよびプラズマチャンバＣＮの例えばシャー
シ２１とされるアース位置に接続する。この状態で、イ
ンピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば
１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲に変化させて、プラズマ
チャンバＣＮの上記測定範囲に対するインピーダンスの
ベクトル量（Ｚ，θ）を測定する。このプローブ１０５
は、図３に示すように、導線１１０上に絶縁被覆１１２
を設け、この絶縁被覆１１２上に外周導体１１１を被覆
してなるものである。このプローブ１０５は同軸ケーブ
ルを通してインピーダンス測定器（共振周波数測定器）
ＡＮに接続されている。
【００９８】ついで、図５に示すように、測定周波数ｆ
（ＭＨｚ）を横軸とし、縦軸としてインピーダンスＺ
（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）とを同一のグラフ上にプロッ
トしていく。ここで、図において、左側の縦軸はインピ
ーダンスＺ（Ω）であり、右側の縦軸は位相θ（ｄｅ
ｇ）に対応している。描画されたインピーダンス特性曲
線および位相曲線のうち、インピーダンスの最小値Ｚ
min の周波数、つまり、測定周波数ｆの低い側から数え
て一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したと
きに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波
数ｆ0 として定義する。
【００９９】このとき、測定される第１直列共振周波数
ｆ0 に対して、考慮されている電気的高周波的要因は、
図３に示すように、上記測定範囲のうち、以下のものが
考えられる。 給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬf および抵抗
Ｒf プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ
電極容量Ｃe シャフト１３のインダクタンスＬC および抵抗ＲC ベローズ１１のインダクタンスＬB および抵抗ＲB チャンバ壁１０のインダクタンスＬA および抵抗ＲA 絶縁体１７ａを挟んでガス導入管１７とプラズマ励起電
極４との間の容量ＣA プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣB プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の容量ＣC
【０１００】これらの電気的高周波的要因が、プラズマ
発光時に供給される高周波電流が流れる回路と同様にし
て、図４に示すように、給電板（フィーダ）３のインダ
クタンスＬf および抵抗Ｒf 、プラズマ励起電極４とサ
セプタ電極８との間のプラズマ電極容量Ｃe 、シャフト
１３のインダクタンスＬC および抵抗ＲC 、ベローズ１
１のインダクタンスＬB および抵抗ＲB 、チャンバ壁１
０のインダクタンスＬ A および抵抗ＲA 、が順に直列に
接続されてその終端の抵抗ＲA がアースされるととも
に、抵抗Ｒf とプラズマ電極容量Ｃe との間に、容量Ｃ
A ，容量ＣB ，容量ＣC の一端がアースされた状態でそ
れぞれ並列に接続された等価回路を形成しており、この
等価回路のインピーダンス特性を計測することで、本実
施形態の第１直列共振周波数ｆ0 を定義することができ
る。
【０１０１】このように定義された第１直列共振周波数
ｆ0 の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数
ｆe より大きな値の範囲になるかどうかにより、所望の
性能を維持しているか否かが判断される。すなわち、第
１直列共振周波数ｆ0 の３倍が、高周波電源１から供給
される電力周波数ｆe 以下の場合には、所望の性能が維
持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持
できていないと判断した場合には、第１直列共振周波数
ｆ0 の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数
ｆe より大きな値の範囲になるように、第１直列共振周
波数ｆ0を是正する措置をとることができる。ここで、
第１直列共振周波数ｆ0 を是正する方法としては、例え
ば、 給電板３の形状（長さ）を調整する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０とのオーバーラ
ップ面積を調整する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の絶縁材
料やその厚さを調節する。 サセプタ電極８とチャンバ壁１０とを導体で接続す
る。 等の手法を適用することができる。
【０１０２】例えば、このプラズマ処理装置において
は、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設定して、０
〜１００ＭＨｚの範囲の測定周波数ｆ（ＭＨｚ）に対し
てインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）を測定
し、図６に示すように、インピーダンス特性曲線および
位相曲線を描画する。そして、 ３ｆ0 ＞ ｆe （２） を満たすように、例えば、第１直列共振周波数ｆ0 を１
６．５ＭＨｚとなるような是正措置をとることが可能と
なる。
【０１０３】本実施形態の性能評価方法においては、プ
ラズマチャンバＣＮの第１直列共振周波数ｆ0 の３倍
を、前記電力周波数ｆe より大きな値の範囲にする是正
作業が可能となることにより、従来は、考慮されていな
かったプラズマチャンバＣＮの全体的な電気的高周波的
な特性を適正な範囲に収めることができる。これによ
り、動作安定性を向上して、従来一般的に使用されてい
た１３．５６ＭＨｚ程度以上の高い周波数の電力を投入
した場合であっても、高周波電源１からの電力を、プラ
ズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ発生
空間に効率よく導入することが可能となる。同時に、同
一周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と
比べて、プラズマ空間で消費される実効的な電力を大き
くし、生成するプラズマ密度の上昇を図ることができ
る。その結果、プラズマ励起周波数の高周波化による処
理速度の向上を図ること、つまり、プラズマＣＶＤ等に
より膜の積層をおこなう際には、堆積速度の向上を図る
ことができる。
【０１０４】さらに、本実施形態の性能評価の結果、適
切な是正作業が施されれば、プラズマ空間に効率よく電
力が供給されることにより、プラズマの不要な広がりも
抑制でき、被処理基体１６における膜面内方向における
プラズマ処理の均一性の向上を図ることができ、成膜処
理においては膜厚の膜面内方向分布の均一性の向上を図
ることが可能となる。同時に、高い電力を投入すること
によりプラズマポテンシャルを低くすることができ、イ
オンによるダメージを抑制できるので、プラズマＣＶ
Ｄ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状
態の向上、すなわち、堆積した膜における絶縁耐圧や、
エッチング液に対する耐エッチング性、そして、いわゆ
る膜の「固さ」つまり膜の緻密さ等の膜特性の向上を図
ることが可能となる。ここで、膜の緻密さは例えば、Ｂ
ＨＦ液によるエッチングに対する浸食されにくさ、耐エ
ッチング性によって表現可能である。
【０１０５】さらに、上記是正作業が施されれば、同一
周波数を供給した場合に、従来のプラズマ処理装置と比
べてプラズマ空間に効率よく電力が供給することができ
るため、電力の消費効率を向上し、同等の処理速度もし
くは膜特性を得るために、従来より少ない投入電力です
むようにできる。したがって、電力消費の低減を図るこ
と、ランニングコストの削減を図ることができる。同時
に、従来と同じ投入時間を用いる場合には、処理時間を
短縮することが可能となり、生産性の向上を図ることが
できる。いずれの場合も省力化が可能となり、電力消費
に伴う二酸化炭素の排出総量を削減することが可能とな
る。
【０１０６】そして、本実施形態の性能評価方法によれ
ば、プラズマ処理装置の実機が設置してある場所で、イ
ンピーダンス測定器ＡＮにより第１直列共振周波数ｆ0
を測定するだけで、短時間にプラズマ処理装置の性能確
認および、性能の評価が可能となる。このため、成膜さ
れた基板を検査するために、製造ラインを数日あるいは
数週間停止してプラズマ処理装置の性能確認および、性
能の評価をする必要がなくなり、製造ラインとしての生
産性を向上することができる。この第１直列共振周波数
ｆ0 は、機械的な構造をその多くの要因としてきまる電
気的高周波的な特性であり、各プラズマ処理室ごとに異
なっていると考えられる。上記の範囲に、この第１直列
共振周波数ｆ0 を指標とすることにより、各プラズマ処
理室に対しても、従来考慮されていなかったその全般的
な電気的高周波的特性を設定することが可能となり、プ
ラズマ発生の安定性を期待することができる。その結
果、動作安定性の高いプラズマ処理装置を提供すること
が可能となる。しかも、これらの性能評価を、装置を搬
送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再組
み立てした後に実施するために、搬送中の振動や搬入後
の再組み立て作業の不備で精度に狂いが生じる等、性能
に悪影響を及ぼす事象が発生した後に、簡便かつ短時間
で性能を確認できるので、問題発見から改善までのサイ
クルを早めることができるので、納入後の装置の立ち上
げ期間を短縮することが可能となる。
【０１０７】なお、図１６に示すように、それぞれのイ
ンピーダンスが一致する複数本の導線１０１ａ〜１０１
ｈの一端をプローブ取付具１０４に接続してなるフィク
スチャを使用してプラズマチャンバＣＮのインピーダン
ス特性を測定することも可能である。プローブ取付具１
０４は、例えば５０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍの銅板
を、締め付け部１０６とリング部とができるように成形
されている。リング部はプローブ１０５の外側にはめ込
み可能な径とされる。このプローブ取付部１０４に導線
１０１ａ〜１０１ｈの一端をハンダ付けなどにより電気
的に接続する。導線１０１ａ〜１０１ｈの他端には、測
定対象（プラズマチャンバＣＮ）との着脱用の端子（圧
着端子）１０２ａ〜１０２ｈが取り付けられている。こ
のフィクスチャを使用するに際してはプローブ取付具１
０４のリング状部１０４をプローブ１０５にはめ込み、
締め付け部１０６で締め付けを行う。一方各導線１０１
ａ〜１０１ｈは略点対称となるように圧着端子１０２ａ
〜１０２ｈにおいて測定対象に、図１７に示すように、
ねじ１１４により着脱自在にねじ止めする 導体１０１ａ〜１０１ｈは、例えばアルミニウム、銅、
銀、金により構成すればよく、または、銀、金を５０μ
ｍ以上メッキして構成してもよい。
【０１０８】このようなフィクスチャを使用してインピ
ーダンスを測定する方法を図１７を用いて説明する。ま
ずプラズマ処理装置の高周波電源１とマッチングボック
ス２をプラズマ処理装置から取り外す。インピーダンス
測定具のプローブ１０５の導線１１０を給電板３に接続
する。次いでインピーダンス測定具のフィクスチャの導
線１０１ａ〜１０１ｈに接続する圧着端子１０２ａ〜１
０２ｈをプラズマ処理装置のハウジング２１に給電板３
を中心とする略点対称となるようにネジ１１４によって
ネジ止めする。インピーダンス測定具をこのように配置
した後、測定信号をインピーダンス測定具の導線１１０
に供給し、前記プラズマ処理装置の給電板３からプラズ
マ空間６０を経てハウジング２１に至る経路のインピー
ダンスを測定する。これにより、測定対象の大きさ、あ
るいは、測定する２点間の距離に制約を与えることな
く、かつ、測定対象に均一に電流を流すことができ、測
定対象のインピーダンスを測定するのに影響を及ぼさな
い残留インピーダンス値を設定することにより、正確に
インピーダンス測定をおこなうことができる。
【０１０９】なお、図１のプラズマ処理装置において
は、サセプタ電極側８に基板１６を載置してプラズマ励
起電極４に対する電力周波数ｆe と第１直列共振周波数
ｆ0 とを設定したが、カソード電極４側に基板１６を取
り付けるよう対応することも可能である。
【０１１０】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能評価方法の第２実施形態を、図面に基づいて説明す
る。 ［第２実施形態］図７は本実施形態の性能評価方法の対
象となるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図であ
る。
【０１１１】このプラズマ処理装置は、２周波数励起タ
イプのプラズマ処理装置とされ、図１〜図４に示したプ
ラズマ処理装置と異なるのはサセプタ電極８側に電力を
供給する点と、測定用端子６１に関する点である。それ
以外の対応する構成要素には同一の符号を付してその説
明を省略する。このプラズマ処理装置は、プラズマチャ
ンバ（プラズマ処理室）ＣＮの第１直列共振周波数ｆ0
の３倍が、前記高周波電源１からプラズマチャンバＣＮ
に供給される電力周波数ｆe より大きな値かどうかが評
価される。
【０１１２】このプラズマ処理装置は、図７に示すよう
に、サセプタ電極８の周囲にサセプタシールド１２が設
けられ、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１２
は、これらの隙間がシャフト１３の周囲の設けられた電
気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによって真空絶縁され
るとともに電気的にも絶縁されている。また、ウエハサ
セプタ８およびサセプタシールド１２は、ベローズ１１
により上下動可能に構成されている。この構成により、
プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間の距離が調
整可能となっている。また、サセプタ電極８は、シャフ
ト１３下端に接続された給電板２８、および、導電体か
らなるサセプタ電極側マッチングボックス２６内部に収
納された整合回路２５を介して第２の高周波電源２７と
接続されている。これら給電板２８は、サセプタシール
ド１２の支持筒１２Ｂ下端に接続されたシャーシ２９に
覆われるとともに、シャーシ２９は、同軸ケーブルとさ
れる給電線２７Ａのシールド線によって接続されマッチ
ングボックス２６とともにアースされている。これによ
り、サセプタシールド１２，シャーシ２９，マッチング
ボックス２９は直流的に同電位となっている。
【０１１３】ここで、整合回路２５は、第２の高周波電
源２７とサセプタ電極８との間のインピーダンスの整合
を図るものとされ、この整合回路２５としては、図７に
示すように、複数の受動素子として、第２の高周波電源
２７と給電板２８との間に、チューニングコイル３０と
チューニングコンデンサ３１とが直列に設けられ、これ
らと並列にロードコンデンサ３２が接続され、このロー
ドコンデンサ３２の一端はマッチングボックス２６に接
続されており、整合回路２Ａと略同様の構成とされてい
る。マッチングボックス２６は給電線２７Ａのシールド
線を介して接地電位に設定されており、同時に、ロード
コンデンサ３２の一端がアースされている。なお、チュ
ーニングコイル３０と直列にチューニングコイルを接続
することや、ロードコンデンサ３２と並列にロードコン
デンサを設けることも可能である。給電板２８としては
給電板３と同様なものが適用され、この給電板２８は整
合回路２５からの端子およびシャフト１３にそれぞれネ
ジ止めされている。
【０１１４】このプラズマチャンバＣＮの測定範囲であ
る、整合回路２Ａの受動素子のうち出力最終段の受動素
子であるチューニングコンデンサ２４の出力端子位置Ｐ
Ｒには、前記プラズマチャンバＣＮのインピーダンス測
定用端子（共振周波数測定用端子）６１が設けられてい
る。このインピーダンス測定用端子６１は、第１実施形
態で測定範囲を規定した出力端子位置ＰＲから、導体に
よってシャーシ２１の外部までのびている。
【０１１５】このプラズマ処理装置においては、サセプ
タ電極８上に被処理基板１６を載置し、第１、第２の高
周波電源１，２７からプラズマ励起電極４とサセプタ電
極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加するとともにガ
ス導入管１７からシャワープレート６を介して反応ガス
をチャンバ６０内に供給してプラズマを発生させ、被処
理基板１６に対して成膜等のプラズマ処理をおこなう。
このとき、第１の高周波電源１から１３．５６ＭＨｚ程
度以上の周波数の電力、具体的には、例えば１３．５６
ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４０．６８ＭＨｚ等の周波
数の電力を投入する。そして、第２の高周波電源２７か
らも第１の高周波電源１と同等の電力を供給するか、ま
たは、異なる周波数の電力、例えば１．６ＭＨｚ程度の
電力を投入することもできる。
【０１１６】ここで、本実施形態の評価方法で指標とし
て用いられるプラズマ処理装置における第１直列共振周
波数ｆ0は、第１実施形態と同様にして測定・定義す
る。本実施形態の第１直列共振周波数ｆ0 は、具体的に
は図８，図９に示すように測定・定義される。図８は図
７のプラズマ処理装置のインピーダンス特性を説明する
ための模式図であり、図９は、図８の等価回路を示す回
路図である。
【０１１７】本実施形態におけるプラズマチャンバＣＮ
の測定範囲としては、インピーダンス測定用端子６１か
らみたプラズマチャンバＣＮの状態をその対象とする。
つまり、図９に示すように、第１実施形態における測定
範囲と同様にして、チューニングコンデンサ２４の出力
端子位置ＰＲと直列に接続されたインピーダンス測定用
端子６１を測定範囲とする。つまり、プラズマ発生時に
は、出力端子位置ＰＲから給電板３等と並列に接続され
た整合回路２Ａ、および、サセプタ電極８に接続された
整合回路２５は、インピーダンス特性（高周波数特性）
測定時には切り離すことになる。ここで、図には高周波
電源１，２７が記載してあるが、これらは電力供給状態
を示すものではなく、整合回路２Ａ，２５の接地状態を
示すことを主眼とするものである。というのも、電力供
給状態においては、インピーダンス特性を計測すること
はできないからである。
【０１１８】そして、図８に破線で示すように、インピ
ーダンス測定器ＡＮのプローブ１０５をインピーダンス
測定用端子６１およびプラズマチャンバＣＮの例えばシ
ャーシ２１とされるアース位置に接続する。この状態
で、インピーダンス測定器ＡＮの発振する測定周波数を
例えば１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲に変化させて、プ
ラズマチャンバＣＮの上記測定範囲に対するインピーダ
ンスのベクトル量（Ｚ，θ）を測定する。
【０１１９】ついで、図１０に示すように、測定周波数
ｆ（ＭＨｚ）を横軸とし、縦軸としてインピーダンスＺ
（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）とを同一のグラフ上にプロッ
トしていく。ここで、図において、左側の縦軸はインピ
ーダンスＺ（Ω）であり、右側の縦軸は位相θ（ｄｅ
ｇ）に対応している。描画されたインピーダンス特性曲
線および位相曲線のうち、インピーダンスの最小値Ｚ
min の周波数、つまり、測定周波数ｆの低い側から数え
て一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したと
きに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波
数ｆ0 として定義する。
【０１２０】このとき、測定される第１直列共振周波数
ｆ0 に対して、考慮されている電気的高周波的要因は、
図８に示すように、上記測定範囲のうち、以下のものが
考えられる。 給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬf および抵抗
Ｒf プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ
電極容量Ｃe サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量Ｃ
S サセプタシールド１２の支持筒１２Ｂのインダクタンス
ＬC および抵抗ＲC ベローズ１１のインダクタンスＬB および抵抗ＲB チャンバ壁１０のインダクタンスＬA および抵抗ＲA 絶縁体１７ａを挟んだガス導入管１７とプラズマ励起電
極４との間の容量ＣA プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣB プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の容量ＣC
【０１２１】これらの電気的高周波的要因が、プラズマ
発光時に供給される高周波電流の流れる回路と同様と見
なせる状態として、図９に示すように、給電板（フィー
ダ）３のインダクタンスＬf および抵抗Ｒf 、プラズマ
励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量
Ｃe 、サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の
容量ＣS 、サセプタシールド１２の支持筒１２Ｂのイン
ダクタンスＬC および抵抗ＲC 、ベローズ１１のインダ
クタンスＬB および抵抗ＲB 、チャンバ壁１０のインダ
クタンスＬA および抵抗ＲA が、順に直列に接続されて
その終端の抵抗ＲA がアースされるとともに、出力端子
位置ＰＲに接続された整合回路２Ａからの寄与、抵抗Ｒ
f とプラズマ電極容量Ｃe との間に一端がアースされた
状態でそれぞれ並列に接続された容量ＣA ，容量ＣB ，
容量ＣC が、等価回路を形成しており、この等価回路の
インピーダンス特性を計測することで、本実施形態の第
１直列共振周波数ｆ0 を定義することができる。
【０１２２】このように定義された第１直列共振周波数
ｆ0 の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数
ｆe より大きな値の範囲になるかどうかにより、所望の
性能を維持しているか否かが判断される。すなわち、第
１直列共振周波数ｆ0 の３倍が、高周波電源１から供給
される電力周波数ｆe 以下の場合には、所望の性能が維
持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持
できていないと判断した場合には、第１直列共振周波数
ｆ0 の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数
ｆe より大きな値の範囲になるように、第１直列共振周
波数ｆ0を是正する措置をとることができる。ここで、
第１直列共振周波数ｆ0 を是正する方法としては、例え
ば、 給電板３の形状長さを変化させる。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０とのオーバーラ
ップ面積を制御する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の絶縁材
料を厚くする。 サセプタ電極８とチャンバ壁１０とを導体で接続する
等調整する。 等の手法を適用することができる。
【０１２３】例えば、このプラズマ処理装置において
は、電力周波数ｆe を４０．６８ＭＨｚに設定して、１
〜１００ＭＨｚの範囲の測定周波数ｆ（ＭＨｚ）に対し
てインピーダンスＺ（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）を測定
し、図１０に示すように、インピーダンス特性曲線およ
び位相曲線を描画する。そして、 ３ｆ0 ＞ ｆe （２） を満たすように是正措置をとることが可能となる。な
お、第１直列共振周波数ｆ0 は、 １．３ｆ0 ＞ ｆe （３） を満たすことがより好ましい。そこで、上記式を満たす
かどうかを評価基準として、例えば、第１直列共振周波
数ｆ0 を４２．５ＭＨｚとなるような是正措置をとるこ
とも可能である。
【０１２４】本実施形態の性能評価方法においては、第
１実施形態と同等の効果を奏するとともに、前記プラズ
マチャンバＣＮの前記整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ
に、前記プラズマチャンバＣＮのインピーダンス測定用
端子６１を設けることにより、プラズマチャンバＣＮの
インピーダンス特性測定時において、プロービングを容
易におこなうことが可能となり、搬送元にて分解後、納
入先に搬送して、該納入先にて再組立てした後の第１直
列共振周波数ｆ0 の測定時における作業効率を向上する
ことができる。
【０１２５】なお、本実施形態において、インピーダン
ス測定用端子６１が、マッチングボックス２を貫通せず
に、インピーダンスを測定する際にプラズマ処理装置の
高周波電源１とマッチングボックス２をプラズマ処理装
置から取り外すようにして、評価指標となる第１直列共
振周波数ｆ0 の測定を行うことも可能である。
【０１２６】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能評価方法の第３実施形態を、図面に基づいて説明す
る。 ［第３実施形態］図１１は本実施形態の性能評価方法の
対象となるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図で
ある。
【０１２７】このプラズマ処理装置は、２周波数励起タ
イプのプラズマ処理装置とされ、図７〜図９に示したプ
ラズマ処理装置と異なるのは、測定用端子６１付近の構
成に関する点と、第１直列共振周波数ｆ0 および直列共
振周波数ｆ0'の評価に関する点である。それ以外の対応
する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。このプラズマ処理装置は、プラズマチャンバ（プラ
ズマ処理室）ＣＮの第１直列共振周波数ｆ0 の３倍が、
前記高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給され
る電力周波数ｆe より大きな値かどうかが評価される。
また、後述するように、電極間４，８の容量Ｃe によっ
て規定される直列共振周波数ｆ0'が、電力周波数ｆe の
（電極間の距離ｄ／プラズマ非発光部の距離δ）の平方
根倍よりも大きいかどうかが評価される。
【０１２８】このプラズマ処理装置は、図１１に示すよ
うに、整合回路２Ａの出力端子位置ＰＲ付近に、前記整
合回路２Ａと前記インピーダンス測定用端子（共振周波
数測定用端子）６１とを切り替えるスイッチとして、整
合回路２Ａと給電板３との間に設けられるスイッチＳＷ
１と、インピーダンス測定用端子６１と給電板との間に
設けられるスイッチＳＷ２とが設けられている。これら
スイッチ、ＳＷ１，ＳＷ２は、前記高周波電力配電体３
端部と前記共振周波数測定用端子６１との間に、プラズ
マを励起する際には前記配電体３端部と前記測定用端子
６１との電気的接続を切るとともに前記配電体３端部と
前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を確保
し、かつ、前記プラズマ処理室ＣＮの共振周波数を測定
する際には前記配電体３端部と前記測定用端子６１との
電気的接続を確保するとともに前記配電体３と前記整合
回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を切断するもの
とされている。
【０１２９】ここで、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を整合回
路２Ａ側に接続した場合における整合回路２Ａの出力端
子位置ＰＲ側からのインピーダンス特性（共振周波数特
性）と、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を前記インピーダンス
測定用端子６１側に接続した場合におけるインピーダン
ス測定用端子６１側からのインピーダンス特性（共振周
波数特性）とが等しく設定さる、つまり、後述の図１１
に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ
1 とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ2とが等し
く設定される。すなわち、前記スイッチＳＷ１，ＳＷ２
により、前記高周波配電体３端部と前記共振周波数測定
用端子６１との電気的接続を切るとともに前記配電体３
端部と前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続
を確保した場合における前記整合回路２Ａの出力端子Ｐ
Ｒ位置で測定する共振周波数特性と、前記スイッチＳＷ
１，ＳＷ２により、前記配電体３端部と前記測定用端子
６１との電気的接続を確保するとともに前記配電体３と
前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を切断
した場合における前記共振周波数測定用端子６１で測定
した共振周波数特性と、が等しく設定されてなる。
【０１３０】これは、スイッチＳＷ１を整合回路２Ａ側
に接続してスイッチＳＷ２を開いた場合における整合回
路２Ａの出力端子位置ＰＲ側つまり出力端子位置ＰＲか
らスイッチＳＷ２への分岐点ＢまでのインピーダンスＺ
1 と、前記スイッチＳＷ２を前記インピーダンス測定用
端子６１側に接続してスイッチＳＷ１を開いた場合にお
けるインピーダンス測定用端子６１側つまりインピーダ
ンス測定用端子６１からスイッチＳＷ１への分岐点Ｂま
でのインピーダンスＺ2 とが等しく設定されるというこ
とを意味している。インピーダンス測定用端子６１に
は、図８に示した第２実施形態と同様に、インピーダン
ス測定器ＡＮのプローブが着脱自在に接続されてなる。
このプローブには、同時に、プラズマチャンバＣＮの例
えばシャーシ２１とされるアース位置に着脱自在に接続
されている。
【０１３１】ここで、本実施形態の評価方法で指標とし
て用いられるプラズマ処理装置における第１直列共振周
波数ｆ0は、第２実施形態と同様にして測定・定義す
る。本実施形態の第１直列共振周波数ｆ0 は、具体的に
は図１１，図１２に示すように測定・定義される。図１
２は図１１のプラズマ処理装置のインピーダンス特性測
定用の等価回路を示す回路図である。
【０１３２】本実施形態の性能評価方法においては、ス
イッチＳＷ１を閉じるとともに、スイッチＳＷ２を開い
た状態において、図７〜図９に示した第２実施形態と同
様にして、サセプタ電極８上に被処理基板１６を載置
し、第１、第２の高周波電源１，２７からプラズマ励起
電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を
印加するとともにガス導入管１７からシャワープレート
６を介して反応ガスをチャンバ６０内に供給してプラズ
マを発生させ、被処理基板１６に対して成膜等のプラズ
マ処理をおこなう。このとき、第１の高周波電源１から
１３．５６ＭＨｚ程度以上の周波数の電力、具体的に
は、例えば１３．５６ＭＨｚ，２７．１２ＭＨｚ，４
０．６８ＭＨｚ等の周波数の電力を投入する。そして、
第２の高周波電源２７からも第１の高周波電源１からと
同等か、異なる周波数の電力、例えば１．６ＭＨｚ程度
の電力を投入することもできる。
【０１３３】本実施形態のプラズマチャンバＣＮの測定
範囲としては、インピーダンス測定用端子６１からみた
プラズマチャンバＣＮの状態をその対象とする。これ
は、図１１に示すように、スイッチＳＷ１付近のインピ
ーダンスＺ1 とスイッチＳＷ２付近のインピーダンスＺ
2 とが等しく設定されたことで、出力端子位置ＰＲから
みた状態のプラズマチャンバＣＮの測定範囲に等しいも
のとなっている。これは、インピーダンス測定時におい
て整合回路２Ａを電気的に切り離すためには機械的に回
路を着脱する必要のあった第１，第２実施形態に対し
て、本実施形態では、図１１に示すように、スイッチＳ
Ｗ１によって整合回路２Ａを測定範囲から切り離し、測
定範囲外とすることができるためで、これにより、プラ
ズマチャンバＣＮのインピーダンス特性を測定すること
が容易になる。ここで、第２実施形態における測定範囲
と比べるとスイッチＳＷ２が加わっているが、これは、
プラズマ発光時にはスイッチＳＷ１は閉じた状態となっ
ている、つまり、インピーダンス特性に対するスイッチ
ＳＷ１の寄与が存在していることに対応している。すな
わち、このスイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ1 と
等しいインピーダンスＺ2 を有するスイッチＳＷ２付近
を含んで上記測定範囲とすることにより、インピーダン
ス測定用端子６１からみたプラズマチャンバＣＮの測定
範囲を、実際にプラズマ発光時に高周波電流の流れる回
路状態に近づけてインピーダンス測定の正確性をより向
上することが可能となる。
【０１３４】そして、スイッチＳＷ２を閉じるととも
に、スイッチＳＷ１を開いた状態に設定して、図７〜図
９に示した第２実施形態と同様にして、インピーダンス
測定器ＡＮの発振する測定周波数を例えば１ＭＨｚ〜１
５０ＭＨｚの範囲に変化させて、プラズマチャンバＣＮ
の上記測定範囲に対するインピーダンスのベクトル量
（Ｚ，θ）を測定する。ここで、インピーダンス測定器
ＡＮが、インピーダンス測定用端子６１に着脱自在に接
続されてなることにより、プラズマチャンバＣＮと整合
回路２Ａとを着脱することなく、かつ、第２実施形態に
おける図８に示したインピーダンス測定プローブ１０５
を着脱することなく、スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替え
のみによりインピーダンス特性の測定および第１直列共
振周波数ｆ0の測定を容易におこなうことが可能とな
る。
【０１３５】ついで、図１３に示すように、測定周波数
ｆ（ＭＨｚ）を横軸とし、縦軸としてインピーダンスＺ
（Ω）と位相θ（ｄｅｇ）とを同一のグラフ上にプロッ
トしていく。ここで、図において、左側の縦軸はインピ
ーダンスＺ（Ω）であり、右側の縦軸は位相θ（ｄｅ
ｇ）に対応している。描画されたインピーダンス特性曲
線および位相曲線のうち、インピーダンスの最小値Ｚ
min の周波数、つまり、測定周波数ｆの低い側から数え
て一番最初に位相θがマイナスからプラスに変化したと
きに、位相θがゼロとなる周波数を、第１直列共振周波
数ｆ0 として定義する。
【０１３６】このとき、測定される第１直列共振周波数
ｆ0 に対して、考慮されている電気的高周波的要因は、
図１３に示すように、上記測定範囲のうち、以下のもの
が考えられる。 スイッチＳＷ２のインダクタンスＬSWおよび抵抗ＲSW 給電板（フィーダ）３のインダクタンスＬf および抵抗
Ｒf プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ
電極容量Ｃe 整合回路２５からの寄与 サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間の容量Ｃ
S サセプタシールド１２の支持筒１２Ｂのインダクタンス
ＬC および抵抗ＲC ベローズ１１のインダクタンスＬB および抵抗ＲB チャンバ壁１０のインダクタンスＬA および抵抗ＲA 絶縁体１７ａを挟んでガス導入管１７とプラズマ励起電
極４との間の容量ＣA プラズマ励起電極４とシャーシ２１との間の容量ＣB プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の容量ＣC
【０１３７】これらの電気的高周波的要因が、プラズマ
発光時に供給される高周波電流が流れる回路と同様と見
なせる状態として、図１２に示すように、スイッチＳＷ
２のインダクタンスＬSWおよび抵抗ＲSW、給電板（フィ
ーダ）３のインダクタンスＬ f および抵抗Ｒf 、プラズ
マ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容
量Ｃe 、サセプタ電極８とサセプタシールド１２との間
の容量ＣS 、シャフト１３のインダクタンスＬC および
抵抗ＲC 、ベローズ１１のインダクタンスＬBおよび抵
抗ＲB 、チャンバ壁１０のインダクタンスＬA および抵
抗ＲA 、が順に直列に接続されてその終端の抵抗ＲA が
アースされるとともに、抵抗Ｒf とプラズマ電極容量Ｃ
e との間に一端がアースされた状態でそれぞれ並列に接
続された容量ＣA ，容量ＣB ，容量ＣC が、等価回路を
形成しており、この等価回路のインピーダンス特性を計
測することで、本実施形態の第１直列共振周波数ｆ0 を
定義することができる。
【０１３８】このように定義された第１直列共振周波数
ｆ0 の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数
ｆe より大きな値の範囲になるかどうかにより、所望の
性能を維持しているか否かが判断される。すなわち、第
１直列共振周波数ｆ0 の３倍が、高周波電源１から供給
される電力周波数ｆe 以下の場合には、所望の性能が維
持できていないと判断する。そして、所望の性能が維持
できていないと判断した場合には、第１直列共振周波数
ｆ0 の３倍が、高周波電源１から供給される電力周波数
ｆe より大きな値の範囲になるように、第１直列共振周
波数ｆ0を是正する措置をとることができる。ここで、
第１直列共振周波数ｆ0 を是正する方法としては、例え
ば、 給電板３の形状長さを変化する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０とのオーバーラ
ップ面積を減少する。 プラズマ励起電極４とチャンバ壁１０との間の絶縁材
料を厚くする。 サセプタシールド１２とチャンバ壁１０とを導体で短
絡する。 等の手法を適用することができる。
【０１３９】例えば、本実施形態のプラズマ処理装置の
性能評価方法においては、電力周波数ｆe を４０．６８
ＭＨｚに設定して、０〜１５０ＭＨｚの範囲の測定周波
数ｆ（ＭＨｚ）に対してインピーダンスＺ（Ω）と位相
θ（ｄｅｇ）を測定し、図１３に示すように、インピー
ダンス特性曲線および位相曲線を描画する。そして、 ３ｆ0 ＞ ｆe （２） を満たすように是正措置をとることが可能となる。な
お、第１直列共振周波数ｆ0 は、 ｆ0 ＞ ３ｆe （４） を満たすことがより好ましい。そこで、上記式を満たす
かどうかを評価基準として、例えば、第１直列共振周波
数ｆ0 を１２３．７８ＭＨｚとなるような是正措置をと
ることも可能である。
【０１４０】そして、本実施形態においては、プラズマ
励起電極（電極）４とサセプタ電極（対向電極）８との
間のプラズマ電極容量Ｃe によって規定される直列共振
周波数ｆ0'を、前記電力周波数ｆe の３倍より大きな値
かどうかの評価も行う。 ｆ0' ＞ ３ｆe （５） ここで、直列共振周波数ｆ0'は、上記の第１直列共振周
波数ｆ0'における、インピーダンス特性の測定と同様に
して、プラズマ励起電極４，サセプタ電極８間のインピ
ーダンス特性として定義されるものである。つまりサセ
プタ電極８の一端をアースして、プラズマ励起電極８の
一端からインピーダンス特性を測定し、測定周波数ｆの
低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラ
スに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、直
列共振周波数ｆ0'として定義している。直列共振周波数
ｆ0'は、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との機械
的な形状によって規定される電気的高周波的な特性であ
り、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラ
ズマ電極容量Ｃe の平方根の逆数に比例する値となる。
これにより、直接プラズマを発光させる前記電極４，８
の周波数特性を評価できるため、プラズマ発光空間に対
して電力をより効果的に投入することができ、さらなる
電力消費効率の向上か、または、処理効率の向上を図る
ことできるような性能評価が可能となる。
【０１４１】さらに、本実施形態においては、プラズマ
励起電極４とサセプタ電極８との間のプラズマ電極容量
Ｃe によって規定される直列共振周波数ｆ0'を、前記電
力周波数ｆe に対して、下記（６）式なる関係を満たす
かどうかを評価する。 ｆ0' ＞ （ｄ／δ）1/2 （６）
【０１４２】図１４は、プラズマ発光状態における電極
間の状態を示す模式図である。図１４に示すように、こ
の対向する平行平板型とされるプラズマ励起電極４，サ
セプタ電極８間の距離をｄとし、この電極４，８間の距
離方向においてそれぞれの電極４，８と発光時のプラズ
マとの距離の和をδとする。つまり、プラズマ発光時に
目視できるプラズマ発光領域Ｐとプラズマ励起電極４と
の間のプラズマ発光していない部分の距離をδa 、プラ
ズマ発光領域Ｐとサセプタ電極８との間のプラズマ発光
していない部分の距離をδb としたときに、式（７）に
示すようにこれらの和をδとする。 δa ＋δb ＝ δ （７） ここで、電極４，８間の距離ｄと、電極４，８間におい
てプラズマの発光していない部分の距離の和δとから、
実際にプラズマ発光状態における電極４，８間のモデル
的な容量Ｃ0"が求められる。
【０１４３】プラズマ発光時における平行平板電極４，
８は、その間にあるプラズマ発光領域Ｐが導体として見
なせるため、あたかも、電極４，８間の距離がδになっ
たようにみなすことができる。その結果、プラズマ発光
時の平行平板電極４，８間の容量Ｃ0"は、電極４，８間
の距離に反比例するため、非プラズマ発光時に容量Ｃ 0
だったものが、プラズマ発光時には見かけ上ｄ／δ倍に
なる。 Ｃ0 ∝ １／ｄ Ｃ0" ∝ １／δ （８） ∴Ｃ0" ∝ ｄ／δ・Ｃ0
【０１４４】そして、前記直列共振周波数ｆ0'は容量Ｃ
0 の平方根の逆数に比例するため、プラズマ発光時にお
ける電極４，８間の直列共振周波数ｆ0"は容量Ｃ0"の平
方根の逆数に比例する、つまり、ｄ／δの平方根の逆数
に比例する。 ｆ0' ∝ １／√Ｃ0 ｆ0" ∝ １／√Ｃ0" （９） ∴ｆ0" ∝ （ｄ／δ）-1/2・ｆ0'
【０１４５】このプラズマ発光時における電極４，８間
の直列共振周波数ｆ0"と前記電力周波数ｆe との関係に
ついて、第１直列共振周波数ｆ0 と電力周波数ｆe との
関係のように評価することができる。 ｆ0" ＞ ｆe （１０） この式（１０）を式（９）によって書き直すと、上記式
（６）となる。前記直列共振周波数ｆ0'と前記電力周波
数ｆe とが、上記式（６）なる関係を満たしてなること
により、、上記のプラズマ発光時におけるモデル的な容
量Ｃ0"から規定される直列共振周波数ｆ0"の値と、非プ
ラズマ発光時における電極４，８間の容量から規定され
る直列共振周波数ｆ0'の値との関係を評価することがで
きる。したがって、直列共振周波数ｆ0'のｄ／δの平方
根の逆数倍の値が、電力周波数ｆe よりも大きいかどう
かを評価することにより、プラズマ発光時における電極
４，８の直列共振周波数ｆ0'と電力周波数ｆe との関係
を評価し、プラズマ発光時の電力消費効率について判断
することが可能となる。
【０１４６】本実施形態のプラズマ処理装置の性能評価
方法においては、第１実施形態と同等の効果を奏すると
ともに、インピーダンス測定用端子６１にインピーダン
ス測定器を着脱自在に接続するとともに、スイッチＳＷ
１，ＳＷ２を設け、これらのインピーダンスＺ1 とイン
ピーダンスＺ2 とを等しく設定することで、プラズマチ
ャンバＣＮと整合回路２Ａとを着脱することなく、か
つ、インピーダンス測定用プローブ１０５を着脱するこ
となく、スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみによりイ
ンピーダンス特性の測定および第１直列共振周波数ｆ0
の測定を容易におこなうことが可能となり、同時に、イ
ンピーダンス測定端子６１に接続されたインピーダンス
測定器ＡＮからのインピーダンス測定値を、整合回路２
Ａ出力側最終段の出力位置ＰＲから測定した値と同等と
見なすことができるため、第１直列共振周波数ｆ0 の算
出の補正が不要となり、実測値の換算が不要となり、作
業効率を向上し、第１直列共振周波数ｆ0 の測定をより
正確におこなうことができる。さらに、前記直列共振周
波数ｆ0'と前記電力周波数ｆe との値を比較することに
より、直接プラズマを発光させる前記電極４，８の周波
数特性を評価できるため、プラズマ発光空間に対して電
力をより効果的に投入することができ、さらなる電力消
費効率、または、処理効率についての適切な判断が可能
となる。
【０１４７】なお、図１１において、２つのスイッチＳ
Ｗ１およびスイッチＳＷ２を設ける構成としたが、分岐
点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点からプローブまで
のインピーダンスが等しく設定されていれば、よく、例
えば１つのスイッチによりこれらの接続を切り替え可能
とすることもできる。
【０１４８】さらに、本発明における上記の各実施形態
においては、プラズマ励起電極４に対する電力周波数ｆ
e と第１直列共振周波数ｆ0 とを比較したが、サセプタ
電極側８に対する周波数を比較の対象とすることも可能
である。この場合、図７，図１１にＰＲ’で示すよう
に、インピーダンス測定範囲を規定する整合回路２５の
出力端子位置を設定することができる。さらに、平行平
板型の電極４，８を有するタイプに変えて、ＩＣＰ（in
ductive coupled plasma）誘導結合プラズマ励起型、Ｒ
ＬＳＡ（radial line slot antenna）ラジアルラインス
ロットアンテナ型などのプラズマ処理装置や、ＲＩＥ
（Riactive Ion Etching）反応性スパッタエッチング用
の処理装置に適用することもできる。なお、電極４，８
に替えて、ターゲット材を取り付けることにより、プラ
ズマ処理としてスパッタリングをおこなうことも可能で
ある。
【０１４９】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能評価方法の第４実施形態を、図面に基づいて説明す
る。 ［第４実施形態］図１８は本実施形態の性能評価方法の
対象となるプラズマ処理装置の概略構成を示す図であ
る。このプラズマ処理装置７１は、例えば、トップゲー
ト型ＴＦＴの半導体能動膜をなす多結晶シリコンの成膜
からゲート絶縁膜の成膜までの一貫処理が可能なものと
され、複数のプラズマ処理室を有する装置とされる。
【０１５０】この形態の対象となるプラズマ処理装置７
１は、図１８に示すように、略七角形状の搬送室７２の
周囲に、５つの処理室と１つのローダ室７３と１つのア
ンローダ室７４とが連設されている。また、５つの処理
室の内訳としては、アモルファスシリコン膜を成膜する
第１成膜室、シリコン酸化膜を成膜する第２成膜室、お
よびシリコン窒化膜を成膜する第３成膜室からなるプラ
ズマ処理室７５，７６，７７、成膜後の被処理基板のア
ニーリング処理を行うレーザアニール室７８、成膜後の
被処理基板の熱処理を行う熱処理室７９、である。
【０１５１】上記構成の処理室７５，７６，７７は、い
ずれも第１の実施形態として、図１及び図２に基づき説
明したプラズマ処理装置と同一構成であるので、その詳
細な説明を省略する。これらの処理室７５，７６，７７
のいずれかにおいてアモルファスシリコン膜、シリコン
酸化膜、シリコン窒化膜等の成膜をおこなう際には、サ
セプタ電極８上に被処理基板１６を載置し、高周波電源
１から高周波電極４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ
高周波電力を印加するとともにガス導入管１７からシャ
ワープレート６を介して反応ガスをチャンバ室６０内に
供給してプラズマを発生させ、被処理基板１６上にアモ
ルファスシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜
等を成膜する。
【０１５２】レーザアニール室７８は、図１９に示すよ
うに、チャンバ８０の上部にレーザ光源８１が設けられ
る一方、チャンバ８０内の下部には被処理基板１６を載
置するためのステージ８２が直交するＸ方向、Ｙ方向の
２方向に水平移動可能に設けられている。そして、レー
ザ光源８１の出射部８１ａからスポット状のレーザ光８
３（１点鎖線で示す）が出射されると同時に、被処理基
板１６を支持したステージ８２がＸ方向、Ｙ方向に水平
移動することにより、レーザ光８３が被処理基板１６の
全面を走査できるようになっている。レーザ光源８１に
は例えばＸｅＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロ
ゲンガスを用いたガスレーザを用いることができる。ま
た、レーザアニール室７８の構成は、レーザ光を出射す
るレーザ光源を備え、レーザ光源から出射されるスポッ
ト状のレーザ光が被処理基板の表面をくまなく走査でき
る構成のものであれば、種々の構成の装置を用いること
ができる。この場合、レーザ光源は例えばＸｅＣｌ、Ａ
ｒＦ、ＡｒＣｌ、ＸｅＦ等のハロゲンガスを用いたガス
レーザを用いることができる。膜の種類によってはＹＡ
Ｇレーザ等の他のレーザ光源を用いることもでき、レー
ザ光の照射の形態としては、パルスレーザアニール、連
続発振レーザアニールを用いることができる。また、熱
処理室の構成は、例えば多段式電気炉型の装置を用いる
ことができる。
【０１５３】熱処理室７９は、図２０に示すように、多
段式電気炉型のものであり、チャンバー８４内に多段に
設けられたヒータ８５の各々に被処理基板１８が載置さ
れる構成になっている。そして、ヒータ８５の通電によ
り複数枚の被処理基板１６が加熱されるようになってい
る。なお、熱処理室８９と搬送室７２との間にはゲート
バルブ８６が設けられている。
【０１５４】図１８に示すローダ室７３、アンローダ室
７４には、ローダカセット、アンローダカセットが着脱
可能に設けられている。これら２つのカセットは、複数
枚の被処理基板１６が収容可能なものであり、ローダカ
セットに成膜前の被処理基板１６が収容され、アンロー
ダカセットには成膜済の被処理基板１６が収容される。
そして、これら処理室ユニットとローダ室７３、アンロ
ーダ室７４の中央に位置する搬送室７２に基板搬送ロボ
ット（搬送手段）８７が設置されている。基板搬送ロボ
ット８７はその上部に伸縮自在なリンク機構を有するア
ーム８８を有し、アーム８８は回転可能かつ昇降可能と
なっており、アーム８８の先端部で被処理基板１６を支
持、搬送するようになっている。
【０１５５】上記構成のプラズマ処理装置７１は、例え
ば各処理室における成膜条件、アニール条件、熱処理条
件等、種々の処理条件や処理シーケンスをオペレータが
設定する他は、各部の動作が制御部により制御されてお
り、自動運転する構成になっている。したがって、この
プラズマ処理装置７１を使用する際には、処理前の被処
理基板１６をローダカセットにセットし、オペレータが
スタートスイッチを操作すれば、基板搬送ロボット８７
によりローダカセットから各処理室内に被処理基板１６
が搬送され、各処理室で一連の処理が順次自動的に行わ
れた後、基板搬送ロボット８７によりアンローダカセッ
トに収容される。
【０１５６】本実施形態の性能評価方法の対象となるプ
ラズマ処理装置７１においては、複数のプラズマ処理室
７５，７６，７７のそれぞれにおいて、高周波特性Ａと
しての第１直列共振周波数ｆ0の、納入後における値ｆ
01のばらつきｆ01rが、その最大値ｆ01maxと最小値ｆ
01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、ｆ01rの値が所定の価として０．１より小
さい値であるかどうかにより、所望の性能を維持してい
るか否かが判断される。すなわち、ｆ01rの値が０．１
より小さい場合には所望の性能を維持していると判断
し、０．１以上の場合には、所望の性能が維持できてい
ないと判断する。そして、所望の性能が維持できていな
いと判断した場合には、ｆ01rの値が０．１より小さい
値の範囲になるように、第１直列共振周波数ｆ0を是正
する措置をとることができる。ここで、第１直列共振周
波数ｆ0は、及びその是正方法は、上記第１実施形態で
説明したとおりであるので、その説明を省略する。
【０１５７】このように、それぞれのプラズマ処理室７
５，７６，７７の高周波特性として第１直列共振周波数
ｆ0 のうち、その最大値ｆ0maxと最小値ｆ0minのばらつ
きを、上記（１０）式に示すように定義し、この値が
０．１より小さい範囲の値かどうかを評価することで、
複数のプラズマ処理室７５，７６，７７に対して電気的
高周波的な特性の機差をなくすような是正措置が可能と
なり、これにより、インピーダンス特性を指標とする一
定の管理幅内に複数のプラズマ処理室７５，７６，７７
の状態を設定することが可能となるので、個々のプラズ
マ処理室７５，７６，７７において、プラズマ空間で消
費される実効的な電力等をそれぞれ略均一にすることが
できる。
【０１５８】その結果、複数のプラズマ処理室７５，７
６，７７に対して同一のプロセスレシピを適用して、略
同一のプラズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプ
ラズマ処理室７５，７６，７７において例えば成膜をお
こなった際に、膜厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、
略均一な膜特性の膜を得ることが可能となる。具体的に
は、上記のばらつきの値を０．１より小さい範囲に設定
することにより、略同一の条件で積層をおこなったプラ
ズマ処理室７５，７６，７７において、膜厚のばらつき
の値を±５％の範囲におさめることができる。そのた
め、従来考慮されていなかったプラズマ処理装置７１の
全般的な電気的高周波的特性を設定することが可能とな
り、プラズマ発生の安定性を期待することができる。そ
の結果、動作安定性が高く、各プラズマ処理室７５，７
６，７７で均一な動作が期待できるプラズマ処理装置７
１を維持管理することが可能となる。これにより、複数
のプラズマ処理室７５，７６，７７に対する膨大なデー
タから外部パラメータと実際の基板を処理するような評
価方法による処理結果との相関関係によるプロセス条件
の把握を不必要とすることができる。
【０１５９】したがって、新規設置時や調整・保守点検
時において、各プラズマ処理室７５，７６，７７ごとの
機差をなくして処理のばらつきをなくし同一のプロセス
レシピにより略同一の処理結果を得るために必要な調整
時間を、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方
法を採用した場合に比べて、第１直列共振周波数ｆ0を
測定することにより、大幅に短縮することができる。し
かも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理
装置７１の動作確認および、動作の評価をおこなうとい
う２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置
７１の評価を、しかも、プラズマ処理装置７１の実機が
設置してある場所で短時間におこなうことが可能であ
る。その上、被処理基板１６への実際の成膜等による検
査方法を採用した場合、別々におこなうしかなかった複
数のプラズマ処理室７５，７６，７７に対する結果をほ
ぼ同時に実現することができる。このため、製造ライン
を数日あるいは数週間停止してプラズマ処理装置７１の
動作確認および、動作の評価をする必要がなくなり、製
造ラインとしての生産性を向上することができる。ま
た、このような調整に必要な検査用基板等の費用、この
検査用基板の処理費用、および、調整作業に従事する作
業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０１６０】さらに、この各プラズマ処理室７５，７
６，７７においては、第１から第３の実施形態において
採用した評価方法を併せて採用することができる。すな
わち、各々の第１直列共振周波数ｆ0と、電力周波数ｆe
とを比較した評価基準を上記ばらつきｆ01rに基づく評
価と併用することにより、機差だけでなく、プラズマ処
理室７５，７６，７７の全体的な電気的高周波的な特性
をそれぞれ適正な範囲に収めることができる。これによ
り、各プラズマ処理室７５，７６，７７において第１か
ら第３の実施形態と同様の効果を得ることが可能とな
る。しかも、これらを、複数のプラズマ処理室７５，７
６，７７において同時に実現することができる。
【０１６１】以下、本発明に係る性能評価方法の第５実
施形態を、図面に基づいて説明する。 ［第５実施形態］図２１は本実施形態の性能評価方法の
対象となるプラズマ処理装置９１の概略構成を示す断面
図である。このプラズマ処理装置９１は、図１０に示す
ように、略四角形の搬送室９２の周囲にロードロック室
９３と熱処理室９９と処理室９５，９６とが設けられた
構成とされている。この装置は基板移載用の搬送ロボッ
トが設置されている搬送室９２を中央にして、各室の間
が、ゲートｇ１，ｇ２，ｇ３，ｇ４で区切られている。
搬送室（待機室）９２と加熱室９９とその他の処理室９
５，９６はそれぞれ個別の高真空ポンプによって高真空
度に排気されている。ロードロック室９１は低真空ポン
プによって低真空度に排気されている。
【０１６２】この実施形態のプラズマ処理装置９１にお
いては、その構成要素が図１８〜図２０に示した第４実
施形態のプラズマ処理装置７１に対応しており、それぞ
れ、搬送室７２に搬送室９２が、熱処理室７９に熱処理
室９９が、ロードロック室９３がローダ室７３およびア
ンローダ室７４に対応しており、略同一の構成の部分に
関しては説明を省略する。
【０１６３】また、上記構成の処理室９５，９６は、２
周波数励起タイプのプラズマ処理装置で、いずれも第２
の実施形態として、図７に基づき説明したプラズマ処理
装置と同一構成であるので、その詳細な説明を省略す
る。プラズマ処理室９５，９６は、図１８に示した第４
実施形態のプラズマ処理室７５，７６に対応して、それ
ぞれ異なる種類の膜を成膜するような異なる処理をおこ
なうことも可能であり、また、同一のプロセスレシピに
より同一の処理をおこなうこともできるのものである
が、略同一の構成とされている。
【０１６４】上記構成のプラズマ処理装置９１は、ゲー
トｇ０を開放して被処理基板１６をロードロック室９３
に搬入し、ゲートｇ０を閉塞してロードロック室９３を
低真空ポンプによって排気する。ゲートｇ１，ｇ２を開
放してロードロック室９３に搬入された基板１６を、搬
送室９２の搬送ロボットの移載アームによって熱処理室
９９に移動し、ゲートｇ１，ｇ２を閉塞して搬送室９２
と熱処理室９９を高真空ポンプによって排気する。つい
で基板１６を加熱処理し、終了後、ゲートｇ２，ｇ４を
開放して熱処理された基板１６を、搬送室９２の搬送ロ
ボットの移載アームによってプラズマ処理室９５に移動
する。プラズマ処理室９５の基板１６を反応処理し、終
了後ゲートｇ４，ｇ３を開放して処理された基板１６
を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アームによってプ
ラズマ処理室９６に移動する。プラズマ処理室９６の基
板１６を反応処理し、終了後ゲートｇ３，ｇ１を開放し
て基板１６を、搬送室９２の搬送ロボットの移載アーム
によってロードロック室９３に移動する。このとき、例
えば各処理室における成膜条件等の処理条件や処理シー
ケンスをオペレータが設定する他は、各部の動作が制御
部により制御されており、自動運転する構成になってい
る。したがって、このプラズマ処理装置９１を使用する
際には、処理前の被処理基板１６をロードロック室９３
のローダカセットにセットし、オペレータがスタートス
イッチを操作すれば、基板搬送ロボットによりローダカ
セットから各処理室内に被処理基板１６が搬送され、各
処理室で一連の処理が順次自動的に行われた後、基板搬
送ロボットによりアンローダカセット（ローダカセッ
ト）に収容される。
【０１６５】上記構成のプラズマチャンバ９５，９６に
おいては、第２実施形態と同様に、サセプタ電極８上に
被処理基板１６を載置し、高周波電源１から高周波電極
４とサセプタ電極８の双方にそれぞれ高周波電力を印加
するとともにガス導入管１７からシャワープレート６を
介して反応ガスをチャンバ室６０内に供給してプラズマ
を発生させ、被処理基板１６上にアモルファスシリコン
膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を成膜する。
【０１６６】そして、これらの複数のプラズマ処理室９
５，９６は、図２１に示すように、後述するスイッチＳ
Ｗ２等を介してインピーダンス測定器（高周波特性測定
器）ＡＮに接続されている。同時に、複数のプラズマ処
理室９５，９６においては、第１直列共振周波数ｆ0 の
納入後における値ｆ01のうち、最大値ｆ01maxと最小値
ｆ01minのばらつきｆ01rが、その最大値ｆ01maxと最小
値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、ｆ01rの値が０．０３より小さい範囲の値
であるかどうかにより、所望の性能を維持しているか否
かが判断される。すなわち、ｆ01rの値が０．０３より
小さい場合には所望の性能を維持していると判断し、
０．０３以上の場合には、所望の性能が維持できていな
いと判断する。そして、所望の性能が維持できていない
と判断した場合には、ｆ01rの値が０．０３より小さい
値の範囲になるように、第１直列共振周波数ｆ0を是正
する措置をとることができる。ここで、第１直列共振周
波数ｆ0は、及びその是正方法は、上記第２実施形態で
説明したとおりであるので、その説明を省略する。
【０１６７】本実施形態においては、第４実施形態と同
等の効果を奏するとともに、各プラズマ処理室９５，９
６における前記第１直列共振周波数ｆ0 の納入後におけ
る値ｆ01のばらつきが０．０３より小さい範囲の値かど
うかを評価するので、適切な是正措置を施すことがで
き、複数のプラズマ処理室９５，９６に対してインピー
ダンス、共振周波数特性等の電気的高周波的な特性の機
差をなくすことが可能となり、これにより、インピーダ
ンス特性を指標として一定の管理幅内に複数のプラズマ
処理室の状態を設定することが可能となるので、個々の
プラズマ処理室９５，９６において、プラズマ空間で消
費される実効的な電力等をそれぞれ略均一にすることが
できる。その結果、複数のプラズマ処理室９５，９６に
対して同一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラ
ズマ処理結果を得ること、つまり、複数のプラズマ処理
室において例えば成膜をおこなった際に、膜厚、絶縁耐
圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の膜を得るこ
とが可能となる。具体的には、上記のばらつきの値を
０．０３より小さい範囲に設定することにより、略同一
の条件で積層をおこなったプラズマ処理室において、膜
厚のばらつきの値を±２％の範囲におさめることができ
る。
【０１６８】さらに、このプラズマ処理装置９１におい
ては、複数のプラズマ処理室９５，９６の前記整合回路
２Ａの出力端子位置ＰＲにインピーダンス測定用端子
（測定用端子）６１を設け、この測定用端子６１にイン
ピーダンス測定器ＡＮを着脱自在に接続するとともに、
スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設けることで、複数のプラズ
マ処理室９５，９６のインピーダンス特性測定時におい
て、第４実施形態のようにプラズマ処理室９５，９６と
整合回路２Ａとを切り離すために、電力供給線と整合回
路２Ａとを着脱する必要がない。このため、前記プラズ
マ処理室９５，９６のインピーダンス特性を測定する際
のプロービングを容易におこなうことが可能となり、第
１直列共振周波数ｆ0 の測定時における作業効率を向上
することができる。
【０１６９】さらに、これら複数のプラズマ処理室９
５，９６においてインピーダンスＺ1とインピーダンス
Ｚ2 とを等しく設定することにより、個々のプラズマ処
理室９５，９６において、プラズマ処理室９５，９６と
整合回路２Ａとを着脱することなく、かつ、インピーダ
ンス測定用プローブ１０５を着脱することなく、スイッ
チＳＷ１，ＳＷ２切り替えのみによりインピーダンス特
性の測定および第１直列共振周波数ｆ0 の測定と、プラ
ズマ処理装置の動作状態つまりプラズマ発生状態と、の
切り替えを容易におこなうことが可能となる。ここで、
インピーダンス特性の測定および第１直列共振周波数ｆ
0 の測定時において、スイッチＳＷ１，ＳＷ２切り替え
のみにより複数のプラズマ処理室９５，９６を順に切り
替えることができ、第１直列共振周波数ｆ0 の測定時に
おける作業効率を向上することができる。同時に、個々
のインピーダンス測定端子６１に接続されたインピーダ
ンス測定器ＡＮからのインピーダンス測定値を、複数の
プラズマ処理室９５，９６において整合回路２Ａ出力側
最終段の出力位置ＰＲから測定した値と同等と見なすこ
とができるため、第１直列共振周波数ｆ0 の算出の補正
が個々のプラズマ処理室９５，９６において不要とな
り、実測値の換算が不要となり、作業効率を向上し、第
１直列共振周波数ｆ0 の測定をより正確におこなうこと
ができる。さらに、複数のプラズマ処理室９５，９６に
おいて第３実施形態と同様に、直列共振周波数ｆ0'と電
力周波数ｆe との値を比較した評価方法により、適切な
是正措置を施すことで、直接プラズマを発光させる前記
電極４，８の周波数特性をそれぞれのプラズマ処理室９
５，９６において規定できるため、プラズマ発光空間に
対して電力をより効果的に投入することができ、本実施
形態のプラズマ処理装置９１全体でさらなる電力消費効
率の向上か、または、処理効率の向上を図ることが可能
となる。
【０１７０】なお、このプラズマ処理装置において、２
つのスイッチＳＷ１およびスイッチＳＷ２を設ける構成
としたが、分岐点から出力端子位置ＰＲまでと分岐点か
らプローブまでのインピーダンスが等しく設定されてい
れば、よく、例えば１つのスイッチによりこれらの接続
を切り替え可能とすることもできる。
【０１７１】さらに、この各プラズマ処理室９５，９６
においては、第１から第３の実施形態において採用した
評価方法を併せて採用することができる。すなわち、各
々の第１直列共振周波数ｆ0と、電力周波数ｆe とを比
較した評価基準を上記ばらつきｆ01rに基づく評価と併
用することにより、機差だけでなく、プラズマ処理室９
５，９６の全体的な電気的高周波的な特性をそれぞれ適
正な範囲に収めることができる。これにより、各プラズ
マ処理室９５，９６において第１から第３の実施形態と
同様の効果を得ることが可能となる。しかも、これら
を、複数のプラズマ処理室９５，９６において同時に実
現することができる。
【０１７２】以下、本発明に係るプラズマ処理システム
の性能評価方法の第６実施形態を、図面に基づいて説明
する。 ［第６実施形態］図２２は本実施形態の性能評価方法の
対象となるプラズマ処理システムの概略構成を示す模式
図である。
【０１７３】このプラズマ処理システムは、図１８に示
した第４実施形態におけるプラズマ処理装置と略同等の
プラズマ処理装置７１，７１’と、図２１に示した第５
実施形態におけるプラズマ処理装置と略同等のプラズマ
処理装置９１と、を組み合わせて概略構成されている。
先に説明した第４，第５実施形態におけるプラズマ処理
装置の構成要素に対応するものには同一の符号を付して
その説明を省略する。
【０１７４】このプラズマ処理システムは、図２２に示
すように、３つのプラズマ処理室９５，９６，９７を有
するプラズマ処理装置７１、２つのプラズマ処理室９
５，９６を有するプラズマ処理装置９１、および、３つ
のプラズマ処理室９５，９６，９７を有するプラズマ処
理装置７１’が製造ラインの一部を構成するものとされ
ている。
【０１７５】このプラズマ処理システムの製造ラインに
おける工程は、例えば、以下のようになっている。ま
ず、プラズマ処理前処理をおこなった被処理基板１６
に、プラズマ処理装置７１のプラズマ処理室９５におい
て成膜処理をおこない、ついで、熱処理室７９において
加熱処理をおこない、その後、レーザーアニール室７８
においてアニール処理がおこなわれ、プラズマ処理室９
６，９７において、被処理基板１６に順次第２，第３の
成膜処理がおこなわれる。次いで、プラズマ処理装置７
１から搬出された被処理基板１６に、図示しない他の処
理装置において、フォトリソグラフィー工程によりフォ
トレジストの形成をおこなう。そして、プラズマ処理装
置９１のプラズマ処理室９５においてプラズマエッチン
グをおこない、ついで、プラズマ処理室９６において、
被処理基板１６に成膜処理をおこなう。次いで、プラズ
マ処理装置９１から搬出された被処理基板１６に、図示
しない他の処理装置において、レジストを剥離し、新た
にフォトリソグラフィー工程によりパターニングする。
最後に、プラズマ処理装置７１’のプラズマチャンバ９
５、９６，９７において被処理基板１６に順次第１，第
２，第３の成膜処理がおこなわれ、被処理基板１６をプ
ラズマ処理後処理へと送り、製造ラインにおける本実施
形態のプラズマ処理システムにおける工程は終了する。
【０１７６】このプラズマ処理システムは、図２２に示
すように、各プラズマ処理室９５，９６，９７のインピ
ーダンス測定用端子６１がスイッチＳＷ３を介してイン
ピーダンス測定器ＡＮに接続されている。スイッチＳＷ
３は各プラズマ処理室９５，９６，９７の測定時に測定
対象のプラズマ処理室９５，９６，９７とインピーダン
ス測定器ＡＮとのみを接続して、それ以外のプラズマ処
理室９５，９６，９７を切断するよう切り替えるスイッ
チとして設けられている。そして、この測定用端子６１
から、スイッチＳＷ３までのインピーダンスが、各プラ
ズマ処理室９５，９６，９７に対して等しくなるよう
に、測定用の同軸ケーブルの長さが等しく設定されてい
る。インピーダンス測定用端子６１には、図７に示す第
５実施形態と同様にして、インピーダンス測定器ＡＮの
プローブが着脱自在に接続されている。
【０１７７】ここで、複数のプラズマ処理装置の各プラ
ズマ処理室９５，９６，９７における第１直列共振周波
数ｆ0 は、スイッチＳＷ３を切り替えることにより、第
５実施形態と同様にして測定できる。そして、その複数
のプラズマ処理室９５，９６，９７においては、第１直
列共振周波数ｆ0 の納入後における値ｆ01のうち、最大
値ｆ01maxと最小値ｆ01minのばらつきｆ01rが、その最
大値ｆ01maxと最小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、ｆ01rの値が０．０３より小さい範囲の値
であるかどうかにより、所望の性能を維持しているか否
かが判断される。すなわち、ｆ01rの値が０．０３より
小さい場合には所望の性能を維持していると判断し、
０．０３以上の場合には、所望の性能が維持できていな
いと判断する。そして、所望の性能が維持できていない
と判断した場合には、ｆ01rの値が０．０３より小さい
値の範囲になるように、第１直列共振周波数ｆ0を是正
する措置をとることができる。ここで、第１直列共振周
波数ｆ0は、及びその是正方法は、上記第１及び第２実
施形態で説明したとおりであるので、その説明を省略す
る。
【０１７８】本実施形態においては、第４，第５実施形
態と同等の効果を奏するとともに、各プラズマ処理室９
５，９６，９７の第１直列共振周波数ｆ0 の納入後にお
ける値ｆ01のばらつきが、０．０３より小さい範囲の値
かどうかを評価するので、適切な是正措置を施すことが
でき、複数のプラズマ処理装置７１，９１，７１’にお
いて、それぞれ、各プラズマ処理室９５，９６，９７に
対する電気的高周波的な特性の機差をなくすことが可能
となり、これにより、プラズマ処理システム全体におい
てインピーダンス特性を指標とする一定の管理幅内に複
数のプラズマ処理室９５，９６，９７の状態を設定する
ことが可能となるので、個々のプラズマ処理室９５，９
６，９７において、プラズマ空間で消費される実効的な
電力等をそれぞれ略均一にすることができる。
【０１７９】その結果、プラズマ処理システム全体にお
いて複数のプラズマ処理室９５，９６，９７に対して同
一のプロセスレシピを適用して、略同一のプラズマ処理
結果を得ること、つまり、複数のプラズマ処理室９５，
９６，９７において例えば成膜をおこなった際に、膜
厚、絶縁耐圧、エッチングレート等、略均一な膜特性の
膜を得ることが可能となる。具体的には、上記のばらつ
きの値を０．０３より小さい範囲に設定することによ
り、略同一の条件で積層をおこなったプラズマ処理室９
５，９６，９７において、膜厚のばらつきの値を±２％
の範囲におさめることができる。そのため、従来考慮さ
れていなかったプラズマ処理システムの全般的な電気的
高周波的特性を設定することが可能となり、個々のプラ
ズマチャンバ９５，９６，９７におけるプラズマ発生の
安定性を期待することができる。その結果、動作安定性
が高く、各プラズマ処理室９５，９６，９７で均一な動
作が期待できるプラズマ処理システムを提供することが
可能となる。これにより、単一のプラズマ処理装置より
も多数のプラズマ処理室９５，９６，９７に対する膨大
なデータから外部パラメータと実際の基板を処理するよ
うな評価方法による処理結果との相関関係によるプロセ
ス条件の把握を不必要とすることができる。
【０１８０】したがって、新規設置時や調整・保守点検
時において、各プラズマ処理室９５，９６，９７ごとの
機差をなくして処理のばらつきをなくし、各プラズマ処
理室９５，９６，９７において同一のプロセスレシピに
より略同一の処理結果を得るために必要な調整時間を、
被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を採用
した場合に比べて、第１直列共振周波数ｆ0 を測定する
ことにより、大幅に短縮することができる。しかも、処
理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理システム
の動作確認および、動作の評価をおこなうという２段階
の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理システムの評
価を、しかも、プラズマ処理システムの実機が設置して
ある場所で短時間におこなうことが可能である。その
上、被処理基板１６への実際の成膜等による検査方法を
採用した場合、別々におこなうしかなかった複数のプラ
ズマ処理室９５，９６，９７に対する結果をほぼ同時に
実現することができる。このため、製造ラインを数日あ
るいは数週間停止してプラズマ処理システムの動作確認
および、動作の評価をする必要がなくなり、製造ライン
としての生産性を向上することができる。また、このよ
うな調整に必要な検査用基板等の費用、この検査用基板
の処理費用、および、調整作業に従事する作業員の人件
費等、コストを削減することが可能となる。
【０１８１】さらに、この各プラズマ処理室９５，９
６，９７においては、第１から第３の実施形態において
採用した評価方法を併せて採用することができる。すな
わち、各々の第１直列共振周波数ｆ0と、電力周波数ｆe
とを比較した評価基準を上記ばらつきｆ01rに基づく評
価と併用することにより、機差だけでなく、プラズマ処
理室９５，９６，９７の全体的な電気的高周波的な特性
をそれぞれ適正な範囲に収めることができる。これによ
り、各プラズマ処理室９５，９６，９７において第１か
ら第３の実施形態と同様の効果を得ることが可能とな
る。しかも、これらを、複数のプラズマ処理室９５，９
６，９７において同時に実現することができる。
【０１８２】さらに、スイッチＳＷ１，ＳＷ２を設けて
これらのインピーダンスＺ1 とインピーダンスＺ2 とを
等しく設定し、同時に、測定用端子６１からスイッチＳ
Ｗ３までのインピーダンスを複数のプラズマ処理装置７
１，７１’、９１における各プラズマチャンバ９５，９
６，９７に対して等しくなるように設定することで、ス
イッチＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３を切り替えるだけで、イ
ンピーダンス測定端子６１に接続されたインピーダンス
測定器ＡＮからのインピーダンス測定値を、整合回路２
Ａ出力側最終段の出力位置ＰＲから測定した値と同等と
見なすことができる。同時に、各プラズマチャンバ９
５，９６，９７のインピーダンス特性に対する測定用端
子６１からスイッチＳＷ３までのインピーダンス特性の
差異を考慮する必要がなくなるため、複数のプラズマ処
理装置７１，７１’、９１におけるプラズマチャンバ９
５，９６，９７に対する第１直列共振周波数ｆ0 の算出
の補正が不要となり、実測値の換算が不要となり、プラ
ズマ処理システムの電気的高周波的特性の設定における
作業効率を向上し、第１直列共振周波数ｆ0 の測定をよ
り正確におこなうことができる。
【０１８３】なお、本実施形態において、スイッチＳＷ
１，ＳＷ２，ＳＷ３を測定しようとする各プラズマチャ
ンバ９５，９６，９７に対する切り替え動作を連動させ
ることが可能であり、また、２つのスイッチＳＷ１およ
びスイッチＳＷ２の構成を、分岐点から出力端子位置Ｐ
Ｒまでと分岐点からプローブまでのインピーダンスが等
しく設定される１つのスイッチとすることもできる。
【０１８４】本発明における上記の第４から第６の各実
施形態においては、図２３に示すように、プラズマ処理
室９５，９６，９７に対応して、整合回路２Ａと、高周
波電源１とが、それぞれ設けられて、プラズマ処理室９
５，９６，９７における整合回路２Ａの接続位置に、Ｓ
Ｗ４を介してインピーダンス測定器ＡＮを接続したが、
図２４に示すように、個々のプラズマ処理室９５，９
６，９７に対する整合回路２Ａ，２Ａ，２Ａが、同一の
高周波電源１に接続される構成や、図２５に示すよう
に、個々のプラズマ処理室９５，９６，９７が、同一の
整合回路２Ａに接続される構成にも適用可能である。こ
の場合、図２４に示すように、プラズマ処理室９５，９
６，９７と整合回路２Ａとの接続位置に、ＳＷ４を介し
てインピーダンス測定器ＡＮが接続される。
【０１８５】また、上記の第４から第６の各実施形態に
おいては、高周波特性Ａとして第１直列共振周波数ｆ0
に対する設定を上記式（１０）の様におこなったが、こ
れ以外にも、高周波特性Ａとして、共振周波数ｆ、前記
高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前記高
周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、または、前
記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸのいずれ
かを採用し、前記式（１０Ａ）のように設定することが
できる。
【０１８６】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムを第７実施形態として、図面に基づいて
説明する。 ［第７実施形態］図２６及び図２７は本実施形態に係る
プラズマ処理装置の性能管理システムのシステム構成
図、図２８は、同性能管理システムで実現される評価情
報提供方法を示すフローチャートである。
【０１８７】図２６に示す性能管理システムは、サーバ
２１０と、納入先の入出力装置２２０と、これらサーバ
２１０と入出力装置２２０とを接続する通信回線２３０
と、サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とか
ら構成されている。また、図２７に示す性能管理システ
ムは、図２６の構成に加えて、プラズマ処理装置２５０
に接続されたインピーダンス測定器２６０とから構成さ
れている。本管理システムの対象となるプラズマ処理装
置に特に限定はなく、第１から第５の実施形態において
示したプラズマ処理装置又は第６の実施形態において示
したプラズマ処理システムにおけるプラズマ処理装置等
が対象となる。
【０１８８】サーバ２１０は、プラズマ処理装置のメー
カー、流通業者、メンテナンス業者等の搬送元が管理す
るもので、その設置場所も搬送元とすることが望まし
い。また、このサーバ２１０は、同時に複数の納入先の
入出力装置２２０に対してサービスを提供するための高
速な処理能力を持った計算機と、多様なサービスと納入
先のプラズマ処理装置に関する情報を格納するための大
容量記憶装置を備えたものであることが望ましい、具体
的には、大型計算機、高性能ワークステーション等がよ
い。サーバ２１０は、計算機２１１およびこれに接続さ
れた記憶装置２１２と、通信回線２３０と接続するため
の送受信手段２１３とから構成されている。また、この
サーバーに、搬送元に設置された出力装置２４０が接続
されている。
【０１８９】また、納入先の入出力装置２２０は、プラ
ズマ処理装置やプラズマ処理システムの納入先の顧客
や、納入先を訪れたサービスマン等が利用するもので、
納入先に設置されるか、又は納入先に携帯されて利用さ
れる。この入出力装置は通信回線２３０を利用してサー
バー２１０と信号の授受を行えるものであれば特に限定
はなく、具体的にはパーソナルコンピュータ、専用端末
機、電話機等が利用できる。納入先入出力装置２２０
は、本体２２１、および通信回線２３０と接続するため
の送受信手段２２３とから構成されている。
【０１９０】通信回線２３０は、その媒体や形式に特に
限定はなく、離間した地点におかれたサーバー２１０と
入出力装置２２０との間で信号の授受ができるものであ
ればよい。すなわち、ケーブル回線、光ファイバー回
線、衛星回線等の種々の有線や無線の通信媒体を適宜使
用できると共に、電話回線網、インターネット網等種々
の通信形式を活用できる。
【０１９１】以下、図２６及び図２７を参照しながら、
図２８のフローチャートに従い、本実施形態における処
理動作を説明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサ
ービスマン等、本性能管理システムの利用者は、同シス
テムで性能評価を開始するにあたり、まず、納入先に納
入された、あるいは使用中のプラズマ処理装置につい
て、納入後のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ01
を測定し、この値を入出力装置２２０から入力する。ま
た、図２７に示す性能管理システムの場合には、プラズ
マ処理装置２５０に接続されたインピーダンス測定器２
６０から直接測定値が入力される。この入力されたｆ01
の値は、通信回線２３０を通じてサーバ２１０に送信さ
れる（ステップ３０１）。
【０１９２】これに対しサーバ２１０は、｛ｆ01×３｝
を計算する（ステップ３０２）。次にサーバ２１０は、
記憶装置２１２に格納されたプラズマ処理室の電極に供
給される高周波電源の電力周波数ｆeの情報５００を呼
び出し、この値と先に計算した｛ｆ01×３｝とを比較
し、当該プラズマ処理装置の性能を評価する。具体的に
は、｛ｆ01×３｝が前記電力周波数ｆeより大きな値で
ある場合には、所定の性能を維持していると判断し、
｛ｆ01×３｝が前記電力周波数ｆe以下である場合に
は、所定の性能を維持していないと判断する（ステップ
３０３）。なお、実施形態４から実施形態６に示した複
数のプラズマ処理室を有するプラズマ処理装置又はプラ
ズマ処理システムから複数のｆ01の入力を受けた場合に
は、すべての｛ｆ01×３｝が前記電力周波数ｆeより大
きな値である場合のみ、所定の性能を維持していると判
断し、それ以外の場合には、所定の性能を維持していな
いと判断する。
【０１９３】次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果
を納入先の入出力装置２２０、及び搬送元の出力装置２
４０の双方に提供する（ステップ３０４）。この内、入
出力装置２２０に対しては、プリントアウトや画面表示
の指令信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信し
たりする。具体的には、所定の性能を維持していると判
断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能は、適切
に維持されておりますので、そのままご使用くださ
い。」といったメッセージを、所定の信号を維持してい
ないと判断した場合には、例えば「ご照会の装置の性能
は、適切に維持されていない恐れがありますので、取扱
説明書に従い調整をお願いします。」といったメッセー
ジを、プリントアウト、画面表示、音声等で顧客やサー
ビスマン等に伝えられるようにする。また、出力装置２
４０に対しても、所定の信号を維持していないと判断し
た場合に、プリントアウトや画面表示、信号出力等の指
令信号を送信したり、あるいは、警報音発生信号を送信
したりする。そして、出力装置２４０から、プリントア
ウト、画面表示、信号出力、あるいは警報音等の保守作
業命令を出力する。なお、搬送元において、いずれの納
入先のどの装置が保守を必要としているかを判断するた
めに、入出力装置２２０からプラズマ処理室の固有番号
を受信し、これを出力装置２４０から出力することが望
ましいが、入出力装置２２０の固有番号、例えばアドレ
ス番号や電話番号等から判断して、その判断結果を出力
装置２４０から出力してもよい。
【０１９４】この結果、納入先の顧客や納入先を訪問し
たサービスマン等は、プラズマ処理装置を実際に動作さ
せて成膜された基板を検査するという作業を行うことな
く、直ちに当該プラズマ装置の性能を評価基準１に基づ
き評価することができる。しかも、処理をおこなった基
板の評価によりプラズマ処理装置の動作確認および、動
作の評価をおこなうという２段階の方法でなく、ダイレ
クトにプラズマ処理装置の評価を、しかも、プラズマ処
理装置のプラズマチャンバＣＮが設置してある場所で短
時間におこなうことが可能である。その上、被処理基板
への実際の成膜等による検査方法を採用した場合、別々
に行うしかなかった複数のプラズマチャンバを有するプ
ラズマ処理装置の場合についても、結果をほぼ同時に得
ることができる。このため、納入後の装置性能につい
て、簡便かつ短時間で確認でき、問題がある場合には、
問題発見から改善までのサイクルを早めることができる
ので、装置の立ち上げ期間を短縮することができる。ま
た、このような確認に必要な検査用基板等の費用、この
検査用基板の処理費用、および、確認作業に従事する作
業員の人件費等、コストを削減することが可能となる。
【０１９５】また、搬送元のメーカー等においては、納
入先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守
作業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、
顧客に対するアフタサービス体制を充実させることがで
きる。
【０１９６】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムの他の実施形態を第８実施形態として、
図面に基づいて説明する。 ［第８実施形態］図２９は本実施形態に係るプラズマ処
理装置の性能管理システムのシステム構成図、図３０
は、同性能管理システムで実現される評価情報提供方法
を示すフローチャートである。なお、両図において、図
２６から図２８と同一の構成要素には、同一の符号を附
してその説明を省略する。
【０１９７】図２９に示す性能管理システムは、サーバ
２１０と、納入先の入力装置２７０と、これらサーバ２
１０と入力装置２７０とを接続する通信回線２３０と、
サーバーに接続された搬送元の出力装置２４０とから構
成されている。本管理システムの対象となるのは、プラ
ズマ処理室を複数有するプラズマ処理装置又はプラズマ
処理システムで、第４から第６の実施形態において示し
たプラズマ処理装置又はプラズマ処理システム等が対象
となる。
【０１９８】以下、図２９を参照しながら、図３０のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。納入先の顧客や、納入先を訪れたサービスマン
等、本性能管理システムの納入先側における利用者は、
同システムで性能評価を開始するにあたり、まず、入力
装置２７０から、納入先に納入されたプラズマ処理装置
について、プラズマ処理室の固有番号Ｓ及び各プラズマ
処理室の高周波特性Ａ1の測定値を入力する。この入力
された固有番号Ｓ及びＡ1の値は、通信回線２３０を通
じてサーバ２１０に送信される（ステップ４０１）。な
お、プラズマ処理装置に接続されたインピーダンス測定
器を入力装置２７０に接続しておいて、サーバー２１０
からの指令により自動的にプラズマ処理室の固有番号Ｓ
及び各プラズマ処理室の高周波特性Ａ1の測定値が入力
されるようにしてもよい。
【０１９９】これに対しサーバ２１０は、高周波特性Ａ
1の情報の中から、最大値Ａ1max及び最小値Ａ1minを検
索して対応する固有番号Ｓと共に特定する（ステップ４
０２）。次いで、下記式に従いばらつきＡ1rを計算する
（ステップ４０３）。 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min）
【０２００】次にサーバ２１０は、Ａ1rと所定の価、例
えば０．１とを比較し、当該プラズマ処理装置の性能を
評価する。具体的には、Ａ1rが所定の価より小さい値の
場合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持し
ていると判断する。また、Ａ 1rが所定の価以上の値の場
合には、当該プラズマ処理装置が所定の性能を維持して
いないと判断する（ステップ４０４）。
【０２０１】次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果
所定の性能を維持していないと判断した場合に、搬送元
の出力装置２４０に評価情報として、保守作業命令を当
該最大値Ａ1max又は最小値Ａ1minを与えたプラズマ処理
室の固有番号と共に提供する（ステップ４０５）。具体
的には、サーバ２１０は、出力装置２４０に対して、プ
リントアウトや画面表示の指令信号を送信したり、ある
いは、警報音発生信号を送信したりする。そして、搬送
元において、保守作業命令と共に、いずれの納入先のど
の装置が保守を必要としているかを判断するために必要
な情報として、該当するプラズマ処理室の固有番号が出
力される。
【０２０２】本実施形態のプラズマ処理装置の管理シス
テムにおいては、搬送元において、何れのプロセス処理
装置に問題が生じたか、あるいは何れのプロセス処理装
置のいずれのプロセス処理室に問題が生じたか等を直ち
に把握できる。
【０２０３】すなわち、メーカーサービス会社等の搬送
元においては、納入したプラズマ処理装置やプラズマ処
理システムを実際に動作させて成膜された基板を検査す
るという作業を行うことなく、直ちに当該プラズマ装置
の性能を評価基準２に基づき評価することができる。し
かも、処理をおこなった基板の評価によりプラズマ処理
装置等の動作確認および、動作の評価をおこなうという
２段階の方法でなく、ダイレクトにプラズマ処理装置の
評価を、しかも、プラズマ処理装置のプラズマチャンバ
ＣＮが設置してある場所で短時間におこなうことが可能
である。その上、被処理基板への実際の成膜等による検
査方法を採用した場合、別々に行うしかなかった複数の
プラズマチャンバを有するプラズマ処理装置の場合につ
いても、結果をほぼ同時に得ることができる。このた
め、納入後の装置性能について、簡便かつ短時間で確認
でき、問題がある場合には、問題発見から改善までのサ
イクルを早めることができるので、装置の立ち上げ期間
を短縮することができる。また、このような確認に必要
な検査用基板等の費用、この検査用基板の処理費用、お
よび、確認作業に従事する作業員の人件費等、コストを
削減することが可能となる。
【０２０４】また、搬送元のメーカー等において、納入
先のプラズマ処理装置に問題が生じた場合には、保守作
業命令を受けて直ちにこれを知ることができるので、顧
客に対するアフタサービス体制を充実させることができ
る。
【０２０５】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能管理システムの他の実施形態を第９実施形態として説
明する。 ［第９実施形態］本実施形態に係るプラズマ処理装置の
性能管理システムのシステム構成もまた、第７実施形態
の図２７で示される。本実施形態と第７実施形態との構
成上の相違は、サーバ２１０が、エンジニア情報６０１
として、各々所定の値の範囲によって決められた故障レ
ベルを含む状態レベルと、故障レベルに対応して登録さ
れたサービスエンジニアの情報を記憶しているものであ
る点である。表１は、エンジニア情報６０１の一例を示
すものである。
【０２０６】
【表１】
【０２０７】以下、図２７を参照しながら、図４０のフ
ローチャートに従い、本実施形態における処理動作を説
明する。図４０のフローチャートにおけるステップ５０
１及びステップ５０２は、各々図２０のステップ４０
１、４０２と同一なのでその説明を省略する。
【０２０８】ステップ５０２で|ΔＡ|を求めた後、サー
バ２１０は、|ΔＡ|をエンジニア情報６０１に照らし
て、どの状態レベルにあるかを評価する。そして、|Δ
Ａ|のレベルが、いずれかの故障レベルであると評価し
た際は、当該故障レベルに対応してエンジニア情報６０
１に登録されているサービスエンジニアの情報を呼び出
す。（ステップ５０３）。
【０２０９】次にサーバ２１０は、上記性能評価の結果
として、状態レベルを納入先の入出力装置２２０、及び
搬送元の出力装置２４０の双方に提供する（ステップ４
０４）。この内、入出力装置２２０に対しては、状態レ
ベル（故障レベル）をプリントアウトや画面表示の指令
信号を送信したり、あるいは、音声信号を送信したりす
ることにより発信する。具体的には、状態レベルは「最
良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の装置
の性能は、適切に維持されておりますので、そのままご
使用ください。」といったメッセージを、状態レベルは
「良」であると判断した場合には、例えば「ご照会の装
置の性能は、適切に維持されておりますが、念のため点
検を受けることをお勧めします。」といったメッセージ
を、状態レベルが何れかの故障レベルであると判断した
場合には、例えば「ご照会の装置は、故障レベル２に該
当します。性能が適切に維持されていない恐れがありま
すので、サービスエンジニアに調整を依頼してくださ
い。」といったメッセージを、プリントアウト、画面表
示、音声等で顧客やサービスマン等に伝えられるように
する。また、サーバ２１０は、出力装置２４０に対して
は、状態レベルがいずれかの故障レベルに該当する場
合、状態レベルだけでなく、当該故障レベルに対応した
サービスエンジニアの情報と共に保守作業命令を出力す
る。
【０２１０】本実施形態のプラズマ処理装置の管理シス
テムによれば、搬送元において、保守作業命令が出力さ
れると共に、どの程度の故障レベルかや、その故障レベ
ルに応じてランク分けされたサービスエンジニアの情報
も出力される。そのため、このシステムによれば、遠隔
地に納入したプラズマ処理装置であっても、搬送元にお
いて、その故障レベルを把握することができる。そし
て、その故障レベルに応じて、教育訓練度合の異なるサ
ービスエンジニアを派遣することができる。従って、人
材活用が合理化できると共に、迅速、かつ、的確なサポ
ートが可能となる。すなわち、装置納入後のフィールド
サポート体制の合理化が可能となるものである。
【０２１１】以下、本発明に係るプラズマ処理装置の性
能確認システムの実施形態を第１０実施形態として、図
面に基づいて説明する。なお、以下の説明では、購入発
注者を単に発注者、また販売保守者を単に保守者とい
う。 ［第１０実施形態］図３３は本実施形態のプラズマ処理
装置の性能確認システムのシステム構成図である。この
図において、参照符号Ｃ1 ，Ｃ2 ，……はクライアント
・コンピュータ（以下、単にクライアントという）、Ｓ
はサーバ・コンピュータ（性能状況情報提供手段，以下
単にサーバという）、Ｄはデータベース・コンピュータ
（基準情報記憶手段，以下単にデータベースという）、
またＮは公衆回線である。クライアントＣ1 ，Ｃ2 ，…
…とサーバＳとデータベースＤとは、この図に示すよう
に公衆回線Ｎを介して相互に接続されている。
【０２１２】クライアントＣ1 ，Ｃ2 ，……は、一般に
広く普及しているインターネットの通信プロトコル（Ｔ
ＣＰ／ＩＰ等）を用いてサーバＳと通信する機能（通信
機能）を備えたものである。このうち、クライアントＣ
1 （発注者側情報端末）は、発注者が保守者に発注した
プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムのプラズ
マチャンバの性能状況を公衆回線Ｎを介して確認するた
めのコンピュータであり、サーバＳが保持する「プラズ
マチャンバの性能情報提供ページ」を情報提供ページ
（Ｗｅｂページ）として閲覧する機能（プラズマチャン
バの性能状況情報閲覧機能）を備えたものである。ま
た、クライアントＣ2 （保守者側情報端末）は、保守者
が上記「性能状況情報」の一部である「第１直列共振周
波数ｆ0 情報」をサーバＳにアップロードするととも
に、クライアントＣ1 を介して発注者から発せられた電
子メールを受信するためのものである。ここで、プラズ
マ処理装置又はプラズマ処理システムは、上記の第１〜
第３実施形態に準じる構成とされるとともに、チャンバ
数等の構成条件は、任意に設定可能なものとされる。
【０２１３】上記サーバＳの通信機能は、公衆回線Ｎが
アナログ回線の場合にはモデムによって実現され、公衆
回線ＮがＩＳＤＮ（Integrated Services Digital Netw
ork）等のデジタル回線の場合には専用ターミナルアダ
プタ等によって実現される。サーバＳは、性能状況情報
提供用のコンピュータであり、上記クライアントＣ1 か
ら受信される閲覧要求に応じて、性能状況情報をインタ
ーネットの通信プロトコルを用いてクライアントＣ1 に
送信する。ここで、上述した発注者が保守者からプラズ
マ処理装置を納入された時点では、性能状況情報を閲覧
するための個別の「閲覧専用パスワード」が保守者から
個々の発注者に提供されるようになっている。このサー
バＳは、正規な閲覧専用パスワードが提供された場合の
み、性能状況情報のうち動作保守状況情報をクライアン
トＣ1 に送信するように構成されている。
【０２１４】ここで、具体的詳細については後述する
が、上記「性能状況情報」は、保守者の販売するプラズ
マ処理装置またはプラズマ処理システムにおけるプラズ
マチャンバの機種に関する情報、各機種における仕様書
としての品質性能情報、納入された各実機における品質
性能を示すパラメータの情報、および、このパラメー
タ、メンテナンスの履歴情報等から構成されている。こ
のうち、各実機における品質性能、パラメータ、メンテ
ナンスの履歴情報については、「閲覧専用パスワード」
が提供された発注者のみに閲覧可能となっている。
【０２１５】また、これら「性能状況情報」は、保守者
または発注者からサーバＳに提供されるとともに実際の
動作・保守状況を示す「動作保守状況情報」と、データ
ベースＤに蓄積されると共にカタログとして未購入のク
ライアントが閲覧可能な「性能基準情報」とから構成さ
れるものである。「性能基準情報」は、保守者が各プラ
ズマチャンバによっておこなうプラズマ処理に対して客
観的に性能を記述するためのものであり、プラズマＣＶ
Ｄ、スパッタリングなどの成膜処理においては、成膜状
態を予測可能とするものである。
【０２１６】本実施形態では、これら「性能基準情報」
は、データベースＤに蓄積されるようになっている。サ
ーバＳは、クライアントＣ1 から受信される「性能状況
情報」の閲覧要求に対して、データベースＤを検索する
ことにより必要な「性能基準情報」を取得して、「性能
状況情報提供ページ」として発注者のクライアントＣ1
に送信するように構成されている。また、サーバＳは、
「閲覧専用パスワード」が提供された発注者から受信さ
れる「性能状況情報」の閲覧要求に対しては、同様に、
データベースＤを検索することにより必要な「性能基準
情報」を取得するとともに、当該「性能基準情報」にク
ライアントＣ2 を介して保守者から提供された「動作保
守状況情報」を組み合わせて「性能状況情報」を構成
し、「性能状況情報提供ページ」として発注者のクライ
アントＣ1 に送信するように構成されている。
【０２１７】データベースＤは、このような「性能状況
情報」を構成する「性能基準情報」をプラズマ処理装置
またはプラズマ処理システムのプラズマチャンバの機種
毎に記憶蓄積するものであり、サーバＳから受信される
検索要求に応じてこれら「性能基準情報」を読み出して
サーバＳに転送する。図３３では１つのサーバＳのみを
示しているが、本実施形態では、汎用性のある「性能基
準情報」を保守者が複数箇所から管理する複数のサーバ
間で共通利用することが可能なように、これらサーバと
は個別のデータベースＤに「性能基準情報」を蓄積する
ようにしている。
【０２１８】次に、このように構成されたプラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムの性能確認システムの
動作について、図３４に示すフローチャートに沿って詳
しく説明する。なお、このフローチャートは、上記サー
バＳにおける「性能状況情報」の提供処理を示すもので
ある。
【０２１９】通常、保守者は、不特定の発注者に対して
販売するプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバの「性能状況情報」、特に
「性能基準情報」を購入時の指標として提示することに
なる。一方、発注者は、この「性能基準情報」によって
プラズマチャンバＣＮにどのような性能、つまりどのよ
うなプラズマ処理が可能なのかを把握することができ
る。
【０２２０】また、保守者は、特定の発注者に対して納
入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムに
おけるプラズマチャンバの「性能状況情報」のうち、
「性能基準情報」を使用時の指標として提示するととも
に、「動作保守状況情報」を動作状態のパラメータとし
て提示することになる。一方、ユーザーとしての発注者
は、「性能基準情報」と「動作保守状況情報」とを比較
することによってプラズマ処理装置またはプラズマ処理
システムにおける各プラズマチャンバの動作確認をおこ
なうとともにメンテナンスの必要性を認識し、かつ、プ
ラズマ処理状態の状態を把握することができる。
【０２２１】例えば、プラズマ処理装置またはプラズマ
処理システムを保守者から購入しようとする発注者は、
サーバＳにアクセスすることにより、以下のようにして
自らが購入しようとするプラズマ処理装置またはプラズ
マ処理システムの「性能状況情報」の実体を容易に確認
することができる。
【０２２２】まず、発注者がアクセスしようとした場合
には、予め設定されたサーバＳのＩＰアドレスに基づい
てクライアントＣ1 からサーバＳに表示要求が送信され
る。一方、サーバＳは、上記表示要求の受信を受信する
と（ステップＳ１）、カタログページＣＰをクライアン
トＣ1 に送信する（ステップＳ２）。図３５は、このよ
うにしてサーバＳからクライアントＣ1 に送信されたメ
インページＣＰの一例である。このカタログページＣＰ
には、保守者が販売する多数の機種毎にその「性能状況
情報」のうち「性能基準情報」を表示するための機種選
択ボタンＫ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４…、と、後述するよう
に、プラズマ処理装置またはプラズマ処理システムを保
守者から納入された発注者の使用するカスタマーユーザ
画面の表示要求をするためのカスタマーユーザボタンＫ
４から構成されている。
【０２２３】例えば、発注者がクライアントＣ1 に備え
られたポインティングデバイス（例えばマウス）等を用
いることによって上記プラズマ処理装置またはプラズマ
処理システムの機種を選択指定した後、機種選択ボタン
Ｋ１〜Ｋ４…のいずれかを選択指定すると、この指示
は、「性能状況情報」のうち「性能基準情報」の表示要
求としてサーバＳに送信される。
【０２２４】この表示要求を受信すると（ステップＳ
３）、サーバＳは、選択された機種のうち、表示要求さ
れた情報に該当するサブページをクライアントＣ1 に送
信する。すなわち、サーバＳは、「性能基準情報」の表
示が要求された場合（Ａ）、図３６に示すような選択さ
れた機種を指定することによってデータベースＤから
「真空性能」「給排気性能」「温度性能」「プラズマ処
理室電気性能」等のデータ、およびこれらのデータにお
けるプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム毎
の、各パラメータのばらつきの値のデータを取得し、こ
れらの掲載された仕様書ページＣＰ１をクライアントＣ
1 に送信する（ステップＳ４）。
【０２２５】仕様書ページＣＰ１には、図３６に示すよ
うに、選択された機種を示す機種種別Ｋ６、真空性能表
示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表示欄Ｋ
９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０から構成され
ている。これらは、選択された機種のプラズマチャンバ
における「性能基準情報」に対応するものであり、それ
ぞれ、真空性能表示欄Ｋ７には、 到達真空度 １×１０-4Ｐａ以下 操作圧力 ３０〜３００Ｐａ 給排気性能表示欄Ｋ８には、 排気特性 ５００ＳＣＣＭ流して２０Ｐａ以下 温度性能表示欄Ｋ９には、 ヒータ設定温度 ２００〜３５０±１０℃ チャンバ設定温度 ６０〜８０±２．０℃ の項目が記載されている。ここで、ＳＣＣＭ(standard
cubic centimeters per minute) は、標準状態（０℃、
１０１３ｈＰａ）に換算した際におけるガス流量を表し
ており、ｃｍ3／ｍｉｎ に等しい単位を表している。
【０２２６】そしてこれらのパラメータＰに対して、そ
れぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれ
のパラメータＰのうちその最大値Ｐmax と最小値Ｐmin
のばらつきを、以下の式（１０Ｂ） （Ｐmax −Ｐmin ）／（Ｐmax ＋Ｐmin ） （１０Ｂ） として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそ
れぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０２２７】また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１
０には、前述した第１〜第４実施形態で説明した第１直
列共振周波数ｆ0 の値、および、この設定範囲と電力周
波数ｆe との関係が記載される。また、これ以外にも、
電力周波数ｆe におけるプラズマチャンバのレジスタン
スＲおよびリアクタンスＸ、そして、プラズマ励起電極
４とサセプタ電極８間のプラズマ容量Ｃ0 プラズマ励起
電極４と、プラズマチャンバの接地電位とされる各部と
の間のロス容量ＣX 等の値が記載される。また、仕様書
ページＣＰ１には、「プラズマ処理装置またはプラズマ
処理システムの納入時においては各パラメータ値がこの
ページに記載された設定範囲内にあることを保証しま
す」という性能保証の文言が記載される。
【０２２８】これにより、従来は、考慮されていなかっ
たプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの全体
的な電気的高周波的な特性およびプラズマチャンバの電
気的特性のばらつきを購入時の新たなる指標として提示
することができる。また、クライアントＣ1 またはクラ
イアントＣ2 において、これら性能状況情報をプリンタ
等に出力しハードコピーを作ることにより、上記の性能
状況情報内容の記載されたカタログまたは仕様書として
出力することが可能である。さらに、第１直列共振周波
数ｆ0 、レジスタンスＲ、アクタンスＸ、容量Ｃ0 ，Ｃ
X 等の値および上記性能保証の文言をクライアントＣ1
…の端末、カタログまたは仕様書等に提示することによ
り、発注者が、電機部品を吟味するようにプラズマチャ
ンバＣＮの性能を判断して保守者から購入することが可
能となる。
【０２２９】なお、サーバＳは、このようなサブページ
のクライアントＣ1 への送信が完了した後に、クライア
ントＣ1 から接続解除要求が受信されない場合は（ステ
ップＳ５）、次のサブページの表示要求を待って待機し
（ステップＳ３）、一方、クライアントＣ1 から接続解
除要求が受信された場合には（ステップＳ５）、当該ク
ライアントＣ1 との交信を終了する。
【０２３０】また、プラズマ処理装置またはプラズマ処
理システムを保守者から納入した発注者は、サーバＳに
アクセスすることにより、以下のようにして自らが購入
したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムにお
けるプラズマチャンバの「性能状況情報」の実体を容易
に確認することができる。この発注者は保守者と売買契
約を締結した時点で、発注者個別に対応するとともに、
購入したプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
の機種番号、およびそれぞれのプラズマチャンバの機種
番号にも対応可能なカスタマーユーザＩＤと、プラズマ
処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラ
ズマチャンバの「動作保守状況情報」を閲覧するための
個別の「ユーザー専用パスワード（閲覧専用パスワー
ド）」が保守者から個々の発注者に提供されるようにな
っている。このサーバＳは、正規な閲覧専用パスワード
が提供された場合のみ、「動作保守状況情報」をクライ
アントＣ1 に送信するように構成されている。
【０２３１】まず、発注者がアクセスしようとした場合
には、前述のカタログページＣＰにおいて、カスタマー
ユーザボタンＫ５を指定操作することにより、発注者は
カスタマーユーザ画面の表示要求をサーバＳに送信す
る。一方、サーバＳは、上記表示要求の受信を受信する
と（ステップＳ３−Ｂ）、当該発注者に対して、「閲覧
専用パスワード」の入力を促す入力要求としてのサブペ
ージをクライアントＣ1 に送信する（ステップＳ６）。
図３７はカスタマーユーザページＣＰ２を示すものであ
り、このカスタマーユーザページＣＰ２はカスタマーユ
ーザＩＤ入力欄Ｋ１１、およびパスワード入力欄Ｋ１２
から構成される。
【０２３２】この入力要求としてのカスタマーユーザペ
ージＣＰ２はクライアントＣ1 に表示されるので、発注
者は、当該入力要求に応答してプラズマ処理装置または
プラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバの
識別を可能とするために、保守者から供与された「閲覧
専用パスワード」を「カスタマーユーザＩＤ」とともに
クライアントＣ1 に入力することになる。ここで、発注
者は、図３７に示すカスタマーユーザＩＤ入力欄Ｋ１１
およびパスワード入力欄Ｋ１２に、それぞれ、カスタマ
ーコードＩＤとパスワードを入力する。サーバＳは、ク
ライアントＣ1から正規の「カスタマーユーザＩＤ」お
よび「閲覧専用パスワード」が受信された場合のみ（ス
テップＳ７）、当該「閲覧専用パスワード」に予め関連
付けられた「動作保守状況情報」のサブページをクライ
アントＣ1 に送信する（ステップＳ９）。
【０２３３】すなわち、「動作保守状況情報」の閲覧
は、上記プラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
の購入契約を締結した特定の発注者のみ、つまり正規の
「閲覧専用パスワード」を知り得るもののみに許可され
るようになっており、当該発注者以外の第３者がサーバ
Ｓにアクセスしても「動作保守状況情報」を閲覧するこ
とができない。通常、保守者は同時に多数の発注者との
間で納入契約を締結するとともに、各々の発注者へ複数
のプラズマ処理装置またはプラズマ処理システムの納入
を同時に並行して行う場合があるが、上記「閲覧専用パ
スワード」は、個々の発注者毎および各プラズマ処理装
置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズマチ
ャンバ毎に相違するものが提供されるので、個々の発注
者は、各プラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
およびその各プラズマチャンバに対して、それぞれ自ら
に提供された「閲覧専用パスワード」に関連付けられた
「動作保守状況情報」を個別に閲覧することができる。
【０２３４】したがって、納入に係わる秘密情報が発注
者相互間で漏洩することを確実に防止することができる
とともに、複数のプラズマ処理装置またはプラズマ処理
システムが納入された場合にでもそれぞれのプラズマ処
理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズ
マチャンバを個別に識別可能とすることができる。な
お、サーバＳは、正規の「閲覧専用パスワード」が受信
されない場合には（ステップＳ７）、接続不許可メッセ
ージをクライアントＣ1 に送信して（ステップＳ８）、
発注者に「閲覧専用パスワード」を再度入力するように
促す。発注者が「閲覧専用パスワード」を誤入力した場
合には、この機会に正規の入力を行うことにより「動作
保守状況情報」を閲覧することができる。
【０２３５】このＩＤ、パスワードが確認されると（ス
テップＳ７）、サーバＳは、表示要求された情報に該当
するサブページをデータベースＤから読み出してクライ
アントＣ1 に送信する。すなわち、サーバＳは、ユーザ
ＩＤによって識別された個別のプラズマ処理装置または
プラズマ処理システムおよびその各プラズマチャンバに
対する「性能基準情報」「動作保守状況情報」の表示が
要求された場合、機種を指定することによってデータベ
ースＤから「真空性能」「給排気性能」「温度性能」
「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これ
らの掲載された仕様書ページＣＰ３をクライアントＣ1
に送信する（ステップＳ９）。
【０２３６】図３８は、このようにしてサーバＳからク
ライアントＣ1 に送信された「動作保守状況情報」のサ
ブページＣＰ３である。このメンテナンス履歴ページＣ
Ｐ３には、図３８に示すように、納入されたプラズマ処
理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラズ
マチャンバの機械番号を示すロット番号表示Ｋ１３、真
空性能表示欄Ｋ７、給排気性能表示欄Ｋ８、温度性能表
示欄Ｋ９、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１０、そし
て、真空性能メンテナンス欄Ｋ１４、給排気性能メンテ
ナンス欄Ｋ１５、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６、プラ
ズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７から構成され
ている。これらは、納入された実機の「性能基準情報」
および「動作保守状況情報」に対応するものであり、そ
れぞれ、真空性能表示欄Ｋ７、真空性能メンテナンス欄
Ｋ１４には、 到達真空度 １．３×１０-5Ｐａ以下 操作圧力 ２００Ｐａ 給排気性能表示欄Ｋ８、給排気性能メンテナンス欄Ｋ１
５には、 排気特性 ６．８×１０-7Ｐａ・ｍ3／ｓｅｃ 温度性能表示欄Ｋ９、温度性能メンテナンス欄Ｋ１６に
は、 ヒータ設定温度 ３０２．３±４．９℃ チャンバ設定温度 ８０．１±２．１℃ の項目が記載されている。
【０２３７】そしてこれらのパラメータＰに対して、そ
れぞれのプラズマ処理装置またはプラズマ処理システム
における各プラズマチャンバ毎のばらつきを、それぞれ
のパラメータＰのうちその最大値Ｐmax と最小値Ｐmin
のばらつきを、以下の式（１０Ｂ） （Ｐmax −Ｐmin ）／（Ｐmax ＋Ｐmin ） （１０Ｂ） として定義し、これらのばらつきの値の各プラズマ処理
装置またはプラズマ処理システムにおける設定範囲をそ
れぞれのパラメータの項目に対して表示する。
【０２３８】さらに、このサブページＣＰ３には、各プ
ラズマチャンバ毎のメンテナンス欄を表示するための
「詳細」ボタンＫ１８が各メンテナンス履歴欄Ｋ１４，
Ｋ１５，Ｋ１６，Ｋ１７ごとに設けられ、発注者が、当
該情報を閲覧可能となっている。
【０２３９】発注者が、当該詳細欄により表示要求をお
こなった場合には、メンテナンス履歴の詳細情報の記載
されたメンテナンス詳細ページＣＰ４がデータベースＤ
からクライアントＣ1 に送信する。
【０２４０】図３９は、このようにしてサーバＳからク
ライアントＣ1 に送信された「詳細メンテナンス情報」
のサブページＣＰ４である。図には電気性能メンテナン
スのページを示している。このメンテナンス履歴ページ
ＣＰ３には、図３９に示すように、納入されたプラズマ
処理装置またはプラズマ処理システムおよびその各プラ
ズマチャンバの機械番号を示すロット番号表示Ｋ１３、
選択された各メンテナンス欄が表示される。ここで、各
メンテナンス欄としては、各プラズマチャンバに対応す
るパラメータＰのメンテナンス時の値と、これらのパラ
メータＰのばらつきの値とが、プラズマ処理装置または
プラズマ処理システム、および、各プラズマチャンバ毎
のロット番号毎に表示される。
【０２４１】また、プラズマ処理室電気性能表示欄Ｋ１
０およびプラズマ処理室電気性能メンテナンス欄Ｋ１７
には、前述した第１〜第４実施形態で説明したように、
第１直列共振周波数ｆ0 の値、および、この設定範囲と
電力周波数ｆe との関係が記載される。また、これ以外
にも、電力周波数ｆe におけるプラズマチャンバのレジ
スタンスＲおよびアクタンスＸ、そして、プラズマ励起
電極４とサセプタ電極８間のプラズマ容量Ｃ0 プラズマ
励起電極４と、プラズマチャンバの接地電位とされる各
部との間のロス容量ＣX 等の値が記載される。
【０２４２】同時に、データベースＤから「性能基準情
報」としての「真空性能」「給排気性能」「温度性能」
「プラズマ処理室電気性能」等のデータを取得し、これ
らを図３８，図３９に示すように、「動作保守状況情
報」とセットでメンテナンス履歴ページＣＰ３、メンテ
ナンス詳細ページＣＰ４に表示することにより、「性能
基準情報」を参照して「動作保守状況情報」を閲覧する
ことができ、これにより、発注者は、納入されたプラズ
マ処理装置またはプラズマ処理システムおよびプラズマ
チャンバの「性能状況情報」のうち、「性能基準情報」
を使用時の指標として確認するとともに、「動作保守状
況情報」を動作状態を示すパラメータとして検討するこ
とができる。同時に、「性能基準情報」と「動作保守状
況情報」とを比較することによってプラズマ処理装置ま
たはプラズマ処理システムおよびプラズマチャンバの動
作確認をおこなうとともにメンテナンスの必要性を認識
し、かつ、プラズマ処理状態の状態を把握することがで
きる。
【０２４３】なお、サーバＳは、このようなサブページ
ＣＰ３、ＣＰ４のクライアントＣ1への送信が完了した
後に、クライアントＣ1 から接続解除要求が受信されな
い場合は（ステップＳ５）、接続不許可メッセージをク
ライアントＣ1 に送信して（ステップＳ８）、発注者に
「閲覧専用パスワード」を再度入力するか、次のサブペ
ージの表示要求を待って待機し（ステップＳ３）、一
方、クライアントＣ1 から接続解除要求が受信された場
合には（ステップＳ５）、当該クライアントＣ1との交
信を終了する。
【０２４４】本実施形態のプラズマ処理装置またはプラ
ズマ処理システムの性能確認システムにおいて、購入発
注者が販売保守者に発注したプラズマ処理装置またはプ
ラズマ処理システムの動作性能状況を示す性能状況情報
の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者側情報端
末と、販売保守者が前記性能状況情報をアップロードす
る販売保守者側情報端末と、前記購入発注者側情報端末
の要求に応答して、販売保守者側情報端末からアップロ
ードされた性能状況情報を購入発注者側情報端末に提供
する性能状況情報提供手段と、を具備することができ、
さらに、前記性能状況情報が、前記第１直列共振周波数
ｆ0 およびこのパラメータに対して、それぞれのプラズ
マ処理装置またはプラズマ処理システムにおける各プラ
ズマチャンバ毎のばらつきの値を含むとともに、前記性
能状況情報が、カタログまたは仕様書として出力される
ことにより、販売保守者がアップロードしたプラズマ処
理装置またはプラズマ処理システムおよびそのプラズマ
チャンバの性能基準情報および動作保守状況情報からな
る性能状況情報に対して、購入発注者が情報端末から公
衆回線を介して閲覧を可能とすることにより、発注者に
対して、購入時に判断基準となる情報を伝達することが
可能となり、かつ、使用時における、プラズマ処理装置
またはプラズマ処理システムおよびそのプラズマチャン
バごとの動作性能・保守情報を容易に提供することが可
能となる。また、前記性能状況情報が、上述したように
プラズマチャンバに対する性能パラメータとしての前記
第１直列共振周波数ｆ0 およびそのばらつきの値を含む
ことにより、発注者のプラズマ処理装置またはプラズマ
処理システムその各プラズマチャンバに対する性能判断
材料を提供できるとともに、購入時における適切な判断
をすることが可能となる。さらに、前記性能状況情報
を、カタログまたは仕様書として出力することができ
る。
【０２４５】
【実施例】（比較例Ａ）電力周波数ｆe を４０．６８Ｍ
Ｈｚに設定し、第１直列共振周波数ｆ0 を１１．６３Ｍ
Ｈｚに設定した比較例について、上記の図１５に示す等
価回路の各要素として、給電板３のインダクタンスＬf
および抵抗Ｒf 、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８
との間のプラズマ電極容量Ｃe 、サセプタ電極８とサセ
プタシールド１２（アース）との間の容量ＣS 、シャフ
ト１３，ベローズ１１，チャンバ壁１０のインダクタン
スＬS および抵抗ＲS 、プラズマ励起電極４とアース間
の容量Ｃx を実測した。これらの値を表２に示す。
【０２４６】（実施例Ａ１）比較例Ａのプラズマ処理装
置に対して、給電板３の長さを改善して、第１直列共振
周波数ｆ0 を１３．８２ＭＨｚに設定し、３ｆ0 ＞ｆe
としたものを実施例１とする。 （実施例Ａ２）実施例Ａ１に対して給電板３をさらに改
善するとともにプラズマ励起電極８とチャンバ壁とのオ
ーバーラップ面積を改善して、第１直列共振周波数ｆ0
を３０．０１ＭＨｚに設定し、３ｆ0 ＞ｆeとしたもの
を実施例Ａ２とする。 （実施例Ａ３）実施例Ａ２に対しプラズマ励起電極８と
チャンバ壁１０との絶縁物を厚くして、第１直列共振周
波数ｆ0 を３３．５７ＭＨｚに設定し、１．３ｆ0 ＞ｆ
eとしたものを実施例Ａ３とする。 （実施例Ａ４）実施例Ａ３に対し給電板３をなくし、整
合回路２Ａのチューニングコンデンサ２４をプラズマ励
起電極８に直結するとともに、サセプタシールド１２の
シールド支持板１２Ａ先端側とチャンバ壁１０とを短絡
して、第１直列共振周波数ｆ0を１２３．７８ＭＨｚに
設定し、ｆ0 ＞３ｆeとしたものを実施例Ａ４とする。
なお、いずれの実施例も電力周波数ｆe を４０．６８Ｍ
Ｈｚに設定した。これらの値を表２に示する。
【０２４７】
【表２】
【０２４８】さらに、これら実施例および比較例に対す
る評価として、８００Ｗ、４００Ｗの条件でＳｉＮx 膜
の成膜をおこない、このＳｉＮx 膜に対する評価とし
て、以下のようにおこなった。 （１）堆積速度と膜面内均一性 ガラス基板上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成
膜する。 フォトリソによりレジストのパターニングをおこな
う。 ＳＦ6 とＯ2 を用いてＳｉＮx 膜をドライエッチング
する。 Ｏ2 アッシングによりレジストを剥離する。 ＳｉＮx 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測す
る。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチガラス基板面内において１
６ポイントで測定する。 （２）ＢＨＦエッチングレート 上記（１）〜と同様にレジストマスクをパターニン
グする。 ２５℃のＢＨＦ液（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ ＝１：１０の混合
液）に１分間ガラス基板を浸漬する。 純水洗浄後乾燥し、レジストを硫酸過水（Ｈ2ＳＯ4＋
Ｈ2Ｏ2）で剥離する。 上記（１）と同様段差を計測する。 浸漬時間と段差からエッチング速度を算出する。
【０２４９】さらに、これら実施例および比較例に対す
る評価として、８００Ｗ、４００Ｗの条件でＳｉＮx 膜
の成膜をおこない、このＳｉＮx 膜に対する評価を以下
のようにおこなった。 （３）絶縁耐圧 ガラス基板上にスパッタリングによりクロム膜を成膜
し、下部電極としてパターニングする。 プラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成膜する。 と同様の方法でクロムからなる上部電極を形成す
る。 下部電極用にコンタクト孔を形成する。 上下電極にプロービングし、Ｉ−Ｖ特性（電流電圧特
性）を測定する。このとき最大電圧として２００Ｖ程度
まで印加する。 電極面積を１００μｍ角とし、１００ｐＡをよぎると
ころが、１μＡ／ｃｍ2に相当するので、この時のＶを
絶縁耐圧として定義する。これらの結果を、表３に示
す。
【０２５０】
【表３】
【０２５１】これらの結果から、第１直列共振周波数ｆ
0 の値と、堆積速度、膜面内均一性、ＢＨＦエッチング
レート、絶縁耐圧について、３ｆ0 ＞ｆeとした場合に
は、堆積速度、絶縁耐圧が改善され、１．３ｆ0 ＞ｆe
とした場合には、堆積速度、絶縁耐圧がさらに改善され
るとともに、膜面内均一性、ＢＨＦエッチングレートが
改善されていることがわかる。さらに、ｆ0 ＞３ｆeと
した場合には、半分の出力の４００Ｗで、同様の膜特性
を有する成膜をおこなうことが可能となっていることが
わかる。つまり、第１直列共振周波数ｆ0 の値を設定す
ることにより、プラズマ処理装置の性能が向上してい
る。したがって、第１直列共振周波数ｆ0を性能評価の
指標とできることがわかる。
【０２５２】（実施例Ｂ１）上記のプラズマ処理装置に
おいて、実施例１Ｂとして、プラズマ処理室に対する第
１直列共振周波数ｆ0 の最大値ｆ0maxと最小値ｆ0minに
対するばらつきを、式（１０）に従って０．０９に設定
する。同時に、これら第１直列共振周波数ｆ 0 の平均値
を４３ＭＨｚに設定する。 （実施例Ｂ２）上記のプラズマ処理装置において、実施
例２として、プラズマ処理室に対する第１直列共振周波
数ｆ0 の最大値ｆ0maxと最小値ｆ0minに対するばらつき
を、式（１０）に従って０．０２に設定する。同時に、
これら第１直列共振周波数ｆ0の平均値を４３ＭＨｚに
設定する。 （比較例Ｂ）上記のプラズマ処理装置において、比較例
１として、プラズマ処理室に対する第１直列共振周波数
ｆ0 の最大値ｆ0maxと最小値ｆ0minに対するばらつき
を、式（１０）に従って０．１１に設定する。同時に、
これら第１直列共振周波数ｆ0の平均値を４３ＭＨｚに
設定する。
【０２５３】上記の実施例Ｂ１，Ｂ２および比較例にお
いて、実施例および比較例Ｂに対する評価として同一の
プロセスレシピを適用し、窒化珪素膜を堆積し、以下の
ように各プラズマ処理室に対する膜厚ばらつきを計測し
た。 ガラス基板上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮx 膜を成
膜する。 フォトリソによりレジストのパターニングをおこな
う。 ＳＦ6 とＯ2 を用いてＳｉＮx 膜をドライエッチング
する。 Ｏ2 アッシングによりレジストを剥離する。 ＳｉＮx 膜の膜厚段差を触針式段差計により計測す
る。 成膜時間と膜厚から堆積速度を算出する。 膜面内均一性は、６インチガラス基板面内において１
６ポイントで測定する。
【０２５４】ここで、成膜時における条件は、 基板温度 ３５０℃ ＳｉＨ4 ４０ｓｃｃｍ ＮＨ3 ２００ｓｃｃｍ Ｎ2 ６００ｓｃｃｍ 堆積速度 ほぼ２００ｎｍ／ｍｉｎ程度 である。これらの結果を表４に示す。
【０２５５】
【表４】
【０２５６】これらの結果から、第１直列共振周波数ｆ
0 のばらつきの値を設定した場合には、プラズマ処理室
ごとの機差による膜厚のばらつきが改善されていること
がわかる。つまり、第１直列共振周波数ｆ0 の値を設定
することにより、プラズマ処理装置の動作特性が向上し
ている。したがって、第１直列共振周波数ｆ0のばらつ
きを性能評価の指標とできることがわかる。
【０２５７】
【発明の効果】本発明のプラズマ処理装置又はプラズマ
処理システムの性能評価方法によれば、プラズマ処理装
置を分解、搬送後再組み立てが施された後、すなわち納
入後に、プラズマ処理装置やプラズマ処理システムの性
能が適正に維持されているかどうかを迅速かつ簡便に確
認できる。また、本発明のプラズマ処理装置の性能管理
システム又はプラズマ処理システムの性能管理システム
によれば、納入先において、プラズマ処理装置の性能が
適正に維持されるために、納入先におけるプラズマ処理
装置の性能評価をメーカー等の搬送元で支援できると共
に、メーカー等の搬送元で充実した保守サービス体制を
整えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方
法の第１実施形態の対象となるプラズマ処理装置を示す
概略構成図である。
【図２】 図１におけるプラズマ処理装置の整合回路を
示す模式図である。
【図３】 図１のプラズマ処理装置のインピーダンス特
性を説明するための模式図である。
【図４】 図３におけるプラズマ処理装置の等価回路を
示す回路図である。
【図５】 第１直列共振周波数ｆ0 を説明するためのイ
ンピーダンスＺと位相θとの周波数依存特性を示すグラ
フである。
【図６】 本発明の第１実施形態における第１直列共振
周波数ｆ0 およびインピーダンスＺと位相θとの周波数
依存特性を示すグラフである。
【図７】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方
法の第２実施形態の対象となるプラズマ処理装置を示す
概略構成図である。
【図８】 図７のプラズマ処理装置のインピーダンス特
性を説明するための模式図である。
【図９】 図８におけるプラズマ処理装置の等価回路を
示す回路図である。
【図１０】 本発明の第２実施形態における第１直列共
振周波数ｆ0 およびインピーダンスＺと位相θとの周波
数依存特性を示すグラフである。
【図１１】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価
方法の第３実施形態の対象となるプラズマ処理装置の概
略構成図である。
【図１２】 図１１におけるプラズマ処理装置の等価回
路を示す回路図である。
【図１３】 本発明の第３実施形態における第１直列共
振周波数ｆ0 およびインピーダンスＺと位相θとの周波
数依存特性を示すグラフである。
【図１４】 プラズマ発光状態における電極間の状態を
示す模式図である。
【図１５】 本発明に係るプラズマ処理装置の実施例に
おける等価回路を説明する回路図である。
【図１６】 インピーダンス測定器のプローブを示す斜
視図である。
【図１７】 図１６のインピーダンス測定器のプローブ
の接続状態を示す模式図である。
【図１８】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価
方法の第４実施形態の対象となるプラズマ処理装置の概
略構成図である。
【図１９】 図１８におけるレーザアニール室を示す縦
断面図である。
【図２０】 図１８における熱処理室を示す縦断面図で
ある。
【図２１】 発明に係るプラズマ処理装置の性能評価方
法の第５実施形態の対象となるプラズマ処理装置の概略
構成図である。
【図２２】 発明に係るプラズマ処理システムの性能評
価方法の第６実施形態の対象となるプラズマ処理システ
ムの概略構成図である。
【図２３】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価
方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成
図である。
【図２４】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価
方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成
図である。
【図２５】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能評価
方法の対象となる他のプラズマ処理装置を示す概略構成
図である。
【図２６】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管
理システムの第７実施形態におけるシステム構成図であ
る。
【図２７】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管
理システムの第７実施形態における他のシステム構成図
である。
【図２８】 第７実施形態に係る性能管理システムで
実現される評価情報提供方法を示すフローチャートであ
る。
【図２９】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管
理システムの第８実施形態におけるシステム構成図であ
る。
【図３０】 同性能管理システムで実現される評価情
報提供方法を示すフローチャートである。
【図３１】 従来のプラズマ処理装置の一例を示す
模式図である。
【図３２】 従来のプラズマ処理装置の他の例を示す模
式図である。
【図３３】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シ
ステムを示すシステム構成図である。
【図３４】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シ
ステムに係わるサーバＳの性能状況情報の提供処理を示
すフローチャートである。
【図３５】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シ
ステムに係わるメインページＣＰの構成を示す平面図で
ある。
【図３６】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シ
ステムに係わるサブページＣＰ１の構成を示す平面図で
ある。
【図３７】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シ
ステムに係わるメインページＣＰ２の構成を示す平面図
である。
【図３８】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シ
ステムに係わるサブページＣＰ３の構成を示す平面図で
ある。
【図３９】 本発明のプラズマ処理装置の性能確認シ
ステムに係わるサブページＣＰ４の構成を示す平面図で
ある。
【図４０】 本発明に係るプラズマ処理装置の性能管
理システムの第９実施形態で実現される評価情報提供方
法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１…高周波電源 １Ａ…給電線 ２…マッチングボックス ２Ａ…整合回路 ３…給電板 ４…プラズマ励起電極（電極：カソード電極） ５…シャワープレート ６…空間 ７…孔 ８…ウエハサセプタ（対向電極：サセプタ電極） ９…絶縁体 １０…チャンバ壁 １０Ａ…チャンバ底部 １１…ベローズ １２…サセプタシールド １２Ａ…シールド支持板 １２Ｂ…支持筒 １３…シャフト １６…基板 １７…ガス導入管 １７ａ，１７ｂ…絶縁体 ２１…シャーシ ２２…ロードコンデンサ ２３…コイル ２４…チューニングコンデンサ ２５…整合回路 ２６…マッチングボックス ２７…第２の高周波電源 ２７Ａ…給電線 ２８…給電板（高周波電力配電体） ２９…シャーシ ３０…コイル ３１…チューニングコンデンサ ３２…ロードコンデンサ ６０…チャンバ室 ６１…インピーダンス測定用端子（共振周波数測定用端
子） １０５…プローブ ＡＮ…インピーダンス測定器（共振周波数測定器） Ｂ…分岐点 ＣＮ…プラズマチャンバ（プラズマ処理室） Ｐ…プラズマ発光領域 ＰＲ，ＰＲ’…出力端子位置 ＳＷ１，ＳＷ２…スイッチ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年８月２４日（２００１．８．２
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ（ chemical vapor depositio
n）、スパッタリング、ドライエッチング、アッシング
等のプラズマ処理をおこなうプラズマ処理装置の一例と
しては、従来から、図３１に示すような、いわゆる２周
波励起タイプのものが知られている。図３１に示すプラ
ズマ処理装置は、高周波電源１とプラズマ励起電極４と
の間に整合回路２Ａが介在されている。整合回路２Ａは
これら高周波電源１とプラズマ励起電極４との間のイン
ピーダンスの整合を得るための回路として設けられてい
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】さらに、上記のようなプラズマチャンバを
複数有するプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズ
マチャンバに対して、プラズマ処理の機差をなくし、異
なるプラズマチャンバにおいて処理をおこなった被処理
基板においても、プラズマ処理速度（成膜時の堆積速度
や、加工速度）や生産性、そして、被処理基体面内方向
におけるプラズマ処理の均一性を向上させたい（膜厚の
膜面内方向分布等の、処理のばらつきをなくしたい）と
いう要求がある。同時に、プラズマチャンバを複数有す
るプラズマ処理装置に対しては、個々のプラズマチャン
バに対して、供給するガス流量や圧力、供給電力、処理
時間等の外部パラメータが等しい同一のプロセスレシピ
を適用して、略同一のプラズマ処理結果が得られること
が望まれている。そして、プラズマ処理装置の新規設置
時や調整・保守点検時において、複数のプラズマチャン
バごとの機差をなくして処理のばらつきをなくし同一の
プロセスレシピにより略同一の処理結果を得るために必
要な調整時間の短縮が求められるとともに、このような
調整に必要なコストの削減が要求されていた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】このように、プラズマ処理装置において
は、所望のレベルの性能を備えると共に、複数のプラズ
マチャンバ（プラズマ処理室）を備えるプラズマ処理装
置やプラズマ処理システムにあっては、プラズマ処理の
性能の機差をなくすような配慮が求められていた。しか
し、たとえこのような配慮が充分になされたプラズマ処
理装置であっても、プラズマ処理装置を搬送する際に
は、一般に一旦分解してから搬送し、搬送先で再組み立
てすることが行われている。この場合には、搬送中の振
動や再組み立て作業の不備等により搬送前の性能が維持
されていない危険性があった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６２】ここで、前記高周波特性Ａとして、インピ
ーダンスＺを採用した場合には、このインピーダンスＺ
は、プラズマ励起する周波数における値であるから、Ｚ
とθとの周波数依存性を測定してはじめて把握可能なパ
ラメータである共振周波数ｆに対して、プラズマチャン
バの高周波数特性の周波数依存性を見る必要がなく、共
振周波数ｆに比べて把握が容易である。また、プラズマ
チャンバのプラズマ励起する周波数における電気的高周
波的特性をより直接的に捉えることができるパラメータ
である。また、レジスタンスＲ、および、リアクタンス
Ｘ、を採用した場合には、これらレジスタンスＲとリア
クタンスＸとのベクトル量であるインピーダンスＺを見
ることに比べて、さらに直接的にプラズマチャンバのプ
ラズマ励起する周波数における電気的高周波的特性を捉
えることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８７】さらに詳細に説明すると、このプラズマ処
理装置は、図１，図２に示すように、プラズマチャンバ
ＣＮの上部に高周波電源１に接続されたプラズマ励起電
極（カソード電極）４およびシャワープレート５が設け
られ、プラズマチャンバＣＮの下部にはシャワープレー
ト５に対向して被処理基板１６を載置するウエハサセプ
タ（サセプタ電極）８が設けられている。プラズマ励起
電極（カソード電極）４は、給電板（高周波電力配電
体）３および整合回路２Ａを介して第１の高周波電源１
と接続されている。これらプラズマ励起電極４および給
電板３は、シャーシ２１に覆われるとともに、整合回路
２Ａは導電体からなるマッチングボックス２の内部に収
納されている。給電板３としては、幅５０〜１００ｍ
ｍ、厚さ０．５ｍｍ、長さ１００〜３００ｍｍの形状を
有する銅の表面に銀めっきを施したものが用いられてお
り、この給電板３は、後述する整合回路２Ａのチューニ
ングコンデンサ２４の出力端子、および、プラズマ励起
電極４にそれぞれネジ止めされている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９０】ウエハサセプタ（サセプタ電極）８の下部
中央には、シャフト１３が接続され、このシャフト１３
がチャンバ底部１０Ａを貫通して設けられるとともに、
シャフト１３の下端部とチャンバ底部１０Ａ中心部とが
ベローズ１１により密閉接続されている。これら、ウエ
ハサセプタ８およびシャフト１３はベローズ１１により
上下動可能となっており、プラズマ励起電極４，８間の
距離の調整ができる。これらサセプタ電極８とシャフト
１３が接続されているため、サセプタ電極８，シャフト
１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チャンバ壁
１０は直流的に同電位となっている。さらに、チャンバ
壁１０とシャーシ２１は接続されているため、チャンバ
壁１０，シャーシ２１，マッチングボックス２はいずれ
も直流的に同電位となっている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９１】ここで、整合回路２Ａは、プラズマチャン
バＣＮ内のプラズマ状態等の変化に対応してインピーダ
ンスを調整するために、その多くは複数の受動素子を具
備する構成とされている。整合回路２Ａは、図１，図２
に示すように、複数の受動素子として、高周波電源１と
給電板３との間に、コイル２３とチューニングコンデン
サ２４とが直列に設けられ、これらコイル２３とチュー
ニングコンデンサ２４とには、並列にロードコンデンサ
２２が接続され、このロードコンデンサ２２の一端はマ
ッチングボックス２１に接続されている。ここで、チュ
ーニングコンデンサ２４は給電板３を介してプラズマ励
起電極４に接続されている。マッチングボックス２は、
同軸ケーブルとされる給電線１Ａのシールド線に接続さ
れており、このシールド線が直流的にアースされてい
る。これにより、ウエハサセプタ（サセプタ電極）８，
シャフト１３，ベローズ１１，チャンバ底部１０Ａ，チ
ャンバ壁１０，シャーシ２１，マッチングボックス２は
接地電位に設定されることになり、同時に、ロードコン
デンサ２２の一端も直流的にアースされた状態となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１１】このプラズマ処理装置は、２周波励起タイ
プのプラズマ処理装置とされ、図１〜図４に示したプラ
ズマ処理装置と異なるのはサセプタ電極８側に電力を供
給する点と、測定用端子６１に関する点である。それ以
外の対応する構成要素には同一の符号を付してその説明
を省略する。このプラズマ処理装置は、プラズマチャン
バ（プラズマ処理室）ＣＮの第１直列共振周波数ｆ0 の
３倍が、前記高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに
供給される電力周波数ｆe より大きな値かどうかが評価
される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１２】このプラズマ処理装置は、図７に示すよう
に、サセプタ電極８の周囲にサセプタシールド１２が設
けられ、ウエハサセプタ（サセプタ電極）８およびサセ
プタシールド１２は、これらの隙間がシャフト１３の周
囲の設けられた電気絶縁物からなる絶縁手段１２Ｃによ
って真空絶縁されるとともに電気的にも絶縁されてい
る。また、ウエハサセプタ８およびサセプタシールド１
２は、ベローズ１１により上下動可能に構成されてい
る。この構成により、プラズマ励起電極４とサセプタ電
極８との間の距離が調整可能となっている。また、サセ
プタ電極８は、シャフト１３下端に接続された給電板２
８、および、導電体からなるサセプタ電極側マッチング
ボックス２６内部に収納された整合回路２５を介して第
２の高周波電源２７と接続されている。これら給電板２
８は、サセプタシールド１２の支持筒１２Ｂ下端に接続
されたシャーシ２９に覆われるとともに、シャーシ２９
は、同軸ケーブルとされる給電線２７Ａのシールド線に
よって接続されマッチングボックス２６とともにアース
されている。これにより、サセプタシールド１２，シャ
ーシ２９，マッチングボックス２９は直流的に同電位と
なっている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２７】このプラズマ処理装置は、２周波励起タイ
プのプラズマ処理装置とされ、図７〜図９に示したプラ
ズマ処理装置と異なるのは、測定用端子６１付近の構成
に関する点と、第１直列共振周波数ｆ0 および直列共振
周波数ｆ0'の評価に関する点である。それ以外の対応す
る構成要素には同一の符号を付してその説明を省略す
る。このプラズマ処理装置は、プラズマチャンバ（プラ
ズマ処理室）ＣＮの第１直列共振周波数ｆ0 の３倍が、
前記高周波電源１からプラズマチャンバＣＮに供給され
る電力周波数ｆe より大きな値かどうかが評価される。
また、後述するように、電極間４，８の容量Ｃe によっ
て規定される直列共振周波数ｆ0'が、電力周波数ｆe の
（電極間の距離ｄ／プラズマ非発光部の距離δ）の平方
根倍よりも大きいかどうかが評価される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２９】ここで、スイッチＳＷ１を整合回路２Ａ側
に接続した場合における整合回路２Ａの出力端子位置Ｐ
Ｒ側からのインピーダンス特性（共振周波数特性）と、
スイッチＳＷ２を前記インピーダンス測定用端子６１側
に接続した場合におけるインピーダンス測定用端子６１
側からのインピーダンス特性（共振周波数特性）とが等
しく設定される、つまり、後述の図１１に示すように、
スイッチＳＷ１付近のインピーダンスＺ1 とスイッチＳ
Ｗ２付近のインピーダンスＺ2 とが等しく設定される。
すなわち、前記スイッチＳＷ１，ＳＷ２により、前記高
周波配電体３端部と前記共振周波数測定用端子６１との
電気的接続を切るとともに前記配電体３端部と前記整合
回路２Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を確保した場合
における前記整合回路２Ａの出力端子ＰＲ位置で測定す
る共振周波数特性と、前記スイッチＳＷ１，ＳＷ２によ
り、前記配電体３端部と前記測定用端子６１との電気的
接続を確保するとともに前記配電体３と前記整合回路２
Ａの出力端子ＰＲとの電気的接続を切断した場合におけ
る前記共振周波数測定用端子６１で測定した共振周波数
特性と、が等しく設定されてなる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１４０】そして、本実施形態においては、プラズマ
励起電極（カソード電極）４とサセプタ電極（対向電
極）８との間のプラズマ電極容量Ｃe によって規定され
る直列共振周波数ｆ0'を、前記電力周波数ｆe の３倍よ
り大きな値かどうかの評価も行う。 ｆ0' ＞ ３ｆe （５） ここで、直列共振周波数ｆ0'は、上記の第１直列共振周
波数ｆ0'における、インピーダンス特性の測定と同様に
して、プラズマ励起電極４，サセプタ電極８間のインピ
ーダンス特性として定義されるものである。つまりサセ
プタ電極８の一端をアースして、プラズマ励起電極８の
一端からインピーダンス特性を測定し、測定周波数ｆの
低い側から数えて一番最初に位相θがマイナスからプラ
スに変化したときに、位相θがゼロとなる周波数を、直
列共振周波数ｆ0'として定義している。直列共振周波数
ｆ0'は、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との機械
的な形状によって規定される電気的高周波的な特性であ
り、プラズマ励起電極４とサセプタ電極８との間のプラ
ズマ電極容量Ｃe の平方根の逆数に比例する値となる。
これにより、直接プラズマを発光させる前記電極４，８
の周波数特性を評価できるため、プラズマ発光空間に対
して電力をより効果的に投入することができ、さらなる
電力消費効率の向上か、または、処理効率の向上を図る
ことできるような性能評価が可能となる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１６３】また、上記構成の処理室９５，９６は、２
周波励起タイプのプラズマ処理装置で、いずれも第２の
実施形態として、図７に基づき説明したプラズマ処理装
置と同一構成であるので、その詳細な説明を省略する。
プラズマ処理室９５，９６は、図１８に示した第４実施
形態のプラズマ処理室７５，７６に対応して、それぞれ
異なる種類の膜を成膜するような異なる処理をおこなう
ことも可能であり、また、同一のプロセスレシピにより
同一の処理をおこなうこともできるのものであるが、略
同一の構成とされている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２−１−17− 301 Ｆターム(参考） 5F004 AA16 BA04 BB11 BB13 BB28 DA18 DA26 DB07 DB26 5F045 AA08 AB33 AC01 AC12 AC15 BB08 DQ17 EH14 GB08 GB16

Claims (48)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プラズマを励起するための電極を有す
    るプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
    源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
    電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
    処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
    整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であ
    って、 前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接
    続される前記高周波電力配電体の端部とされる測定位置
    で測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ
    0の、納入後における値ｆ01の３倍が、 前記高周波電力の電力周波数ｆe より大きい値である場
    合に、所定の性能を維持していると判断し、前記電力周
    波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能を維持して
    いないと判断することを特徴とするプラズマ処理装置の
    性能評価方法。
  2. 【請求項２】 プラズマを励起するための電極を有す
    る複数のプラズマ処理室と、 各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源
    と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
    源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
    電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
    処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
    整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であ
    って、 前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接
    続される前記高周波電力配電体の端部とされる測定位置
    で測定した前記複数のプラズマ処理室の高周波特性Ａ
    の、納入後における値Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の値より小さい値である場合に、所定の
    性能を維持していると判断し、所定の価以上の値である
    場合に所定の性能を維持していないと判断することを特
    徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
  3. 【請求項３】 プラズマを励起するための電極を有す
    る複数のプラズマ処理室と、 各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源
    と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であ
    って、 前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に
    接続される前記入力端子とされる測定位置で測定した前
    記複数のプラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後にお
    ける値Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場合に、所定の
    性能を維持していると判断し、所定の価以上の値である
    場合に所定の性能を維持していないと判断することを特
    徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
  4. 【請求項４】 プラズマを励起するための電極を有す
    る複数のプラズマ処理室と、 各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源
    と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であ
    って、 前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続さ
    れる前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部とさ
    れる測定位置で測定した前記複数のプラズマ処理室の高
    周波特性Ａの、納入後における値Ａ1のばらつきＡ
    1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場合に、所定の
    性能を維持していると判断し、所定の価以上の値である
    場合に所定の性能を維持していないと判断することを特
    徴とするプラズマ処理装置の性能評価方法。
  5. 【請求項５】 前記高周波特性Ａが、共振周波数ｆ、
    前記高周波電力の周波数におけるインピーダンスＺ、前
    記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、また
    は、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンスＸの
    いずれかであることを特徴とする請求項２から請求項４
    の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
  6. 【請求項６】 前記高周波特性Ａが、第１直列共振周
    波数ｆ0であることを特徴とする請求項２から請求項４
    の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能評価方法。
  7. 【請求項７】 前記所定の価が０．１であることを特
    徴とする請求項２から請求項４の何れかに記載のプラズ
    マ処理装置の性能評価方法。
  8. 【請求項８】 前記所定の価が０．０３であることを
    特徴とする請求項２から請求項４の何れかに記載のプラ
    ズマ処理装置の性能評価方法。
  9. 【請求項９】 プラズマを励起するための電極を有す
    る複数のプラズマ処理室と、 各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源
    と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
    源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
    電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
    処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
    整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であ
    って、 前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接
    続される前記高周波電力配電体の端部とされる測定位置
    で測定した前記複数のプラズマ処理室の第１直列共振周
    波数ｆ0の、納入後における値ｆ01のばらつきｆ01rが、 その最大値ｆ01maxと最小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、 ｆ01rの値が所定の価より小さい値であり、かつ、納入
    後における値ｆ01の３倍が、いずれも前記高周波電力の
    電力周波数ｆe より大きな値である場合に、所定の性能
    を維持していると判断し、 ｆ01rの値が所定の価以上の値である場合、又は納入後
    における値ｆ01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電
    力周波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能を維持
    していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装
    置の性能評価方法。
  10. 【請求項１０】 プラズマを励起するための電極を有
    する複数のプラズマ処理室と、 各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源
    と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であ
    って、 前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に
    接続される前記入力端子とされる測定位置で測定した前
    記複数のプラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ0の、
    納入後における値ｆ01のばらつきｆ01rが、 その最大値ｆ01maxと最小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、 ｆ01rの値が所定の価より小さい値であり、かつ、納入
    後における値ｆ01の３倍が、いずれも前記高周波電力の
    電力周波数ｆe より大きな値である場合に、所定の性能
    を維持していると判断し、 ｆ01rの値が所定の価以上の値である場合、又は納入後
    における値ｆ01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電
    力周波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能を維持
    していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装
    置の性能評価方法。
  11. 【請求項１１】 プラズマを励起するための電極を有
    する複数のプラズマ処理室と、 各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源
    と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であ
    って、 前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続さ
    れる前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部とさ
    れる測定位置で測定した前記複数のプラズマ処理室の第
    １直列共振周波数ｆ0の、納入後における値ｆ01のばら
    つきｆ01rが、 その最大値ｆ01maxと最小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、 ｆ01rの値が所定の価より小さい値であり、かつ、納入
    後における値ｆ01の３倍が、いずれも前記高周波電力の
    電力周波数ｆe より大きな値である場合に、所定の性能
    を維持していると判断し、 ｆ01rの値が所定の価以上の値である場合、又は納入後
    における値ｆ01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電
    力周波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能を維持
    していないと判断することを特徴とするプラズマ処理装
    置の性能評価方法。
  12. 【請求項１２】 前記所定の価が０．１であることを
    特徴とする請求項９から請求項１１の何れかに記載のプ
    ラズマ処理装置の性能評価方法。
  13. 【請求項１３】 前記所定の価が０．０３であること
    を特徴とする請求項９から請求項１１の何れかに記載の
    プラズマ処理装置の性能評価方法。
  14. 【請求項１４】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
    源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
    電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
    処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
    整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ
    処理システムを、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法
    であって、 前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接
    続される前記高周波電力配電体の端部とされる測定位置
    で測定した前記プラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入
    後における値Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場合に、所定の
    性能を維持していると判断し、所定の価以上の値である
    場合に所定の性能を維持していないと判断することを特
    徴とするプラズマ処理システムの性能評価方法。
  15. 【請求項１５】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ
    処理システムを、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法
    であって、 前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に
    接続される前記入力端子とされる測定位置で測定した前
    記プラズマ処理室の高周波特性Ａの、納入後における値
    Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場合に、所定の
    性能を維持していると判断し、所定の価以上の値である
    場合に所定の性能を維持していないと判断することを特
    徴とするプラズマ処理システムの性能評価方法。
  16. 【請求項１６】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ
    処理システムを、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法
    であって、 前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続さ
    れる前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部とさ
    れる測定位置で測定した前記プラズマ処理室の高周波特
    性Ａの、納入後における値Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価より小さい値である場合に、所定の
    性能を維持していると判断し、所定の価以上の値である
    場合に所定の性能を維持していないと判断することを特
    徴とするプラズマ処理システムの性能評価方法。
  17. 【請求項１７】 前記高周波特性Ａが、共振周波数
    ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンス
    Ｚ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、
    または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンス
    Ｘのいずれかであることを特徴とする請求項１４から請
    求項１６の何れかに記載のプラズマ処理システムの性能
    評価方法。
  18. 【請求項１８】 前記高周波特性Ａが、第１直列共振
    周波数ｆ0であることを特徴とする請求項１４から請求
    項１６の何れかに記載のプラズマ処理システムの性能評
    価方法。
  19. 【請求項１９】 前記所定の価が０．１であることを
    特徴とする請求項１４から請求項１６の何れかに記載の
    プラズマ処理システムの性能評価方法。
  20. 【請求項２０】 前記所定の価が０．０３であること
    を特徴とする請求項１４から請求項１６の何れかに記載
    のプラズマ処理システムの性能評価方法。
  21. 【請求項２１】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
    源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
    電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
    処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
    整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ
    処理システムを、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法
    であって、 前記高周波電力を供給する際に整合回路の出力端子に接
    続される前記高周波電力配電体の端部とされる測定位置
    で測定した前記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ
    0の、納入後における値ｆ01のばらつきｆ01rが、 その最大値ｆ01maxと最小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、 ｆ01rの値が所定の価より小さい値であり、かつ、納入
    後における値ｆ01の３倍が、いずれも前記高周波電力の
    電力周波数ｆe より大きな値である場合に、所定の性能
    を維持していると判断し、 ｆ01rの値が所定の価以上の値である場合、又は納入後
    における値ｆ01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電
    力周波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能を維持
    していないと判断することを特徴とするプラズマ処理シ
    ステムの性能評価方法。
  22. 【請求項２２】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ
    処理システムを、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法
    であって、 前記高周波電力を供給する際に前記高周波電力給電体に
    接続される前記入力端子とされる測定位置で測定した前
    記プラズマ処理室の第１直列共振周波数ｆ0の、納入後
    における値ｆ01のばらつきｆ01rが、 その最大値ｆ01maxと最小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、 ｆ01rの値が所定の価より小さい値であり、かつ、納入
    後における値ｆ01の３倍が、いずれも前記高周波電力の
    電力周波数ｆe より大きな値である場合に、所定の性能
    を維持していると判断し、 ｆ01rの値が所定の価以上の値である場合、又は納入後
    における値ｆ01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電
    力周波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能を維持
    していないと判断することを特徴とするプラズマ処理シ
    ステムの性能評価方法。
  23. 【請求項２３】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ
    処理システムを、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法
    であって、 前記高周波電力を供給する際に前記高周波電源に接続さ
    れる前記高周波電力給電体の前記高周波電源側端部とさ
    れる測定位置で測定した前記プラズマ処理室の第１直列
    共振周波数ｆ0の、納入後における値ｆ01のばらつきｆ
    01rが、 その最大値ｆ01maxと最小値ｆ01minによって、 ｆ01r＝（ｆ01max−ｆ01min）／（ｆ01max＋ｆ01min） と定義され、 ｆ01rの値が所定の価より小さい値であり、かつ、納入
    後における値ｆ01の３倍が、いずれも前記高周波電力の
    電力周波数ｆe より大きな値である場合に、所定の性能
    を維持していると判断し、 ｆ01rの値が所定の価以上の値である場合、又は納入後
    における値ｆ01のいずれかの３倍が前記高周波電力の電
    力周波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能を維持
    していないと判断することを特徴とするプラズマ処理シ
    ステムの性能評価方法。
  24. 【請求項２４】 前記所定の価が０．１であることを
    特徴とする請求項２１から請求項２３の何れかに記載の
    プラズマ処理システムの性能評価方法。
  25. 【請求項２５】 前記所定の価が０．０３であること
    を特徴とする請求項２１から請求項２３の何れかに記載
    のプラズマ処理システムの性能評価方法。
  26. 【請求項２６】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
    源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
    電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
    処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
    整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システム
    であって、 前記高周波電源からプラズマ処理室に供給される電力周
    波数ｆeを記憶するサーバーと、このサーバーと通信回
    線で接続された納入先入出力装置とを備え、 前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回
    路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部
    とされる測定位置で測定した前記プラズマ処理室の第１
    直列共振周波数ｆ0の納入後における値ｆ01を、前記納
    入先入出力装置から受信し、 納入後における値ｆ01の３倍が前記電力周波数ｆeより
    大きな値である場合には、所定の性能を維持している旨
    の信号を、納入後における値ｆ01の３倍が前記電力周波
    数ｆe以下である場合には、所定の性能を維持していな
    い旨の信号を、各々納入先入出力装置に発信することを
    特徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
  27. 【請求項２７】 前記サーバーが搬送元において出力
    装置を備え、納入後における値ｆ01のいずれかの３倍が
    前記高周波電力の電力周波数ｆe 以下の値である場合
    に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを
    特徴とする請求項２６に記載のプラズマ処理装置の性能
    管理システム。
  28. 【請求項２８】 プラズマを励起するための電極を有
    する複数のプラズマ処理室と、 各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源
    と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
    源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
    電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
    処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
    整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システム
    であって、 前記高周波電源からプラズマ処理室に供給される電力周
    波数ｆeを記憶するサーバーと、このサーバーと通信回
    線で接続された納入先入出力装置とを備え、 前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回
    路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部
    とされる測定位置で測定した前記各々のプラズマ処理室
    の第１直列共振周波数ｆ0の納入後における値ｆ01を、
    前記納入先入出力装置から受信し、 納入後における値ｆ01の３倍が、いずれも前記高周波電
    力の電力周波数ｆe より大きな値である場合に、所定の
    性能を維持している旨の信号を、 納入後における値ｆ01のいずれかの３倍が前記高周波電
    力の電力周波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能
    を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に
    発信することを特徴とするプラズマ処理装置の性能管理
    システム。
  29. 【請求項２９】 前記サーバーが搬送元において出力
    装置を備え、納入後における値ｆ01のいずれかの３倍が
    前記高周波電力の電力周波数ｆe 以下の値である場合
    に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを
    特徴とする請求項２８に記載のプラズマ処理装置の性能
    管理システム。
  30. 【請求項３０】 プラズマを励起するための電極を有
    する複数のプラズマ処理室と、 各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源
    と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
    源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
    電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
    処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
    整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システム
    であって、 出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線
    で接続された納入先入力装置とを備え、 前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回
    路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部
    とされる測定位置で測定した前記各々のプラズマ処理室
    の高周波特性Ａの納入後における値Ａ1を、各々のプラ
    ズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受
    信し、 この値Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出力装置から、
    保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小値Ａ1minを与
    えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特
    徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
  31. 【請求項３１】 プラズマを励起するための電極を有
    する複数のプラズマ処理室と、 各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源
    と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能評価方法であ
    って、 出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線
    で接続された納入先入力装置とを備え、 前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高
    周波電力給電体に接続される前記入力端子とされる測定
    位置で測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性
    Ａの納入後における値Ａ1を、各々のプラズマ処理室の
    固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、 この値Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出力装置から、
    保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小値Ａ1minを与
    えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特
    徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
  32. 【請求項３２】 プラズマを励起するための電極を有
    する複数のプラズマ処理室と、 各々の電極に高周波電力を供給するための高周波電源
    と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置を、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理装置の性能管理システム
    であって、 出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線
    で接続された納入先入力装置とを備え、 前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高
    周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周
    波電源側端部とされる測定位置で測定した前記各々のプ
    ラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後における値Ａ
    1を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入
    先入力装置から受信し、 この値Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出力装置から、
    保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小値Ａ1minを与
    えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特
    徴とするプラズマ処理装置の性能管理システム。
  33. 【請求項３３】 前記高周波特性Ａが、共振周波数
    ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンス
    Ｚ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、
    または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンス
    Ｘのいずれかであることを特徴とする請求項３０から請
    求項３２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理
    システム。
  34. 【請求項３４】 前記高周波特性Ａが、第１直列共振
    周波数ｆ0であることを特徴とする請求項３０から請求
    項３２の何れかに記載のプラズマ処理装置の性能管理シ
    ステム。
  35. 【請求項３５】 前記所定の価が０．１であることを
    特徴とする請求項３０から請求項３２の何れかに記載の
    プラズマ処理装置の性能管理システム。
  36. 【請求項３６】 前記所定の価が０．０３であること
    を特徴とする請求項３０から請求項３２の何れかに記載
    のプラズマ処理装置の性能管理システム。
  37. 【請求項３７】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
    源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
    電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
    処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
    整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ
    処理システムを、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理シス
    テムであって、 前記高周波電源からプラズマ処理室に供給される電力周
    波数ｆeを記憶するサーバーと、このサーバーと通信回
    線で接続された納入先入出力装置とを備え、 前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回
    路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部
    とされる測定位置で測定した前記各々のプラズマ処理室
    の第１直列共振周波数ｆ0の納入後における値ｆ01を、
    前記納入先入出力装置から受信し、 納入後における値ｆ01の３倍が、いずれも前記高周波電
    力の電力周波数ｆe より大きな値である場合に、所定の
    性能を維持している旨の信号を、 納入後における値ｆ01のいずれかの３倍が前記高周波電
    力の電力周波数ｆe 以下の値である場合に、所定の性能
    を維持していない旨の信号を、各々納入先入出力装置に
    発信することを特徴とするプラズマ処理システムの性能
    管理システム。
  38. 【請求項３８】 前記サーバーが搬送元において出力
    装置を備え、納入後における値ｆ01のいずれかの３倍が
    前記高周波電力の電力周波数ｆe 以下の値である場合
    に、前記出力装置から、保守作業命令を出力することを
    特徴とする請求項３７に記載のプラズマ処理システムの
    性能管理システム。
  39. 【請求項３９】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し該入力端子に前記高周波電
    源を接続するとともに前記電極に接続した高周波電力配
    電体を前記出力端子に接続することにより前記プラズマ
    処理室と前記高周波電源とのインピーダンス整合を得る
    整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ
    処理システムを、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理シス
    テムであって、 出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線
    で接続された納入先入力装置とを備え、 前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に整合回
    路の出力端子に接続される前記高周波電力配電体の端部
    とされる測定位置で測定した前記各々のプラズマ処理室
    の高周波特性Ａの納入後における値Ａ1を、各々のプラ
    ズマ処理室の固有番号と共に前記納入先入力装置から受
    信し、 この値Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出力装置から、
    保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小値Ａ1minを与
    えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特
    徴とするプラズマ処理システムの性能管理システム。
  40. 【請求項４０】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ
    処理システムを、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理システムの性能管理シス
    テムであって、 出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線
    で接続された納入先入力装置とを備え、 前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高
    周波電源に接続される前記高周波電力給電体の前記高周
    波電源側端部とされる測定位置で測定した前記各々のプ
    ラズマ処理室の高周波特性Ａの納入後における値Ａ
    1を、各々のプラズマ処理室の固有番号と共に前記納入
    先入力装置から受信し、 この値Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出力装置から、
    保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小値Ａ1minを与
    えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特
    徴とするプラズマ処理システムの性能管理システム。
  41. 【請求項４１】 プラズマを励起するための電極を有
    するプラズマ処理室と、 前記電極に高周波電力を供給
    するための高周波電源と、 入力端子と出力端子とを有し前記電極に接続した高周波
    電力配電体を前記出力端子に接続するとともに該入力端
    子に前記高周波電源を高周波電力給電体を介して接続す
    ることにより前記プラズマ処理室と前記高周波電源との
    インピーダンス整合を得る整合回路と、 を具備するプラズマ処理装置が複数設けられたプラズマ
    処理システムを、 搬送元にて分解後、納入先に搬送して、該納入先にて再
    組み立てした後のプラズマ処理システムの性能評価方法
    であって、 出力装置を備えたサーバーと、このサーバーと通信回線
    で接続された納入先入力装置とを備え、 前記サーバーは、前記高周波電力を供給する際に前記高
    周波電力給電体に接続される前記入力端子とされる測定
    位置で測定した前記各々のプラズマ処理室の高周波特性
    Ａの納入後における値Ａ1を、各々のプラズマ処理室の
    固有番号と共に前記納入先入力装置から受信し、 この値Ａ1のばらつきＡ1rが、 その最大値Ａ1maxと最小値Ａ1minによって、 Ａ1r＝（Ａ1max−Ａ1min）／（Ａ1max＋Ａ1min） と定義され、 Ａ1rの値が所定の価以上の場合に、前記出力装置から、
    保守作業命令を当該最大値Ａ1max又は最小値Ａ1minを与
    えたプラズマ処理室の固有番号と共に出力することを特
    徴とするプラズマ処理システムの性能管理システム。
  42. 【請求項４２】 前記高周波特性Ａが、共振周波数
    ｆ、前記高周波電力の周波数におけるインピーダンス
    Ｚ、前記高周波電力の周波数におけるレジスタンスＲ、
    または、前記高周波電力の周波数におけるリアクタンス
    Ｘのいずれかであることを特徴とする請求項３９から請
    求項４１の何れかに記載のプラズマ処理システムの性能
    管理システム。
  43. 【請求項４３】 前記高周波特性Ａが、第１直列共振
    周波数ｆ0であることを特徴とする請求項３９から請求
    項４１の何れかに記載のプラズマ処理システムの性能管
    理システム。
  44. 【請求項４４】 前記所定の価が０．１であることを
    特徴とする請求項３９から請求項４１の何れかに記載の
    プラズマ処理システムの性能管理システム。
  45. 【請求項４５】 前記所定の価が０．０３であること
    を特徴とする請求項３９から請求項４１の何れかに記載
    のプラズマ処理システムの性能管理システム。
  46. 【請求項４６】 購入発注者が販売保守者から購入し
    た請求項２８から請求項５３の何れかに記載の性能管理
    システムで管理されたプラズマ処理装置又はプラズマ処
    理システムの、搬送元にて分解後、納入先に搬送して、
    該納入先にて再組立てした後の動作性能状況を示す性能
    状況情報の閲覧を公衆回線を介して要求する購入発注者
    側情報端末と、 販売保守者が前記性能状況情報をアップロードする販売
    保守者側情報端末と、 前記購入発注者側情報端末の要求に応答して、販売保守
    者側情報端末からアップロードされた性能状況情報を購
    入発注者側情報端末に提供する性能状況情報提供手段
    と、 を具備することを特徴とするプラズマ処理装置又はプラ
    ズマ処理システムの性能確認システム。
  47. 【請求項４７】 性能状況情報が、前記高周波特性Ａ
    を含むことを特徴とする請求項４６記載のプラズマ処理
    装置又はプラズマ処理システムの性能確認システム。
  48. 【請求項４８】 性能状況情報が、カタログまたは仕
    様書として出力されることを特徴とする請求項４７記載
    のプラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能確
    認システム。
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