JP2002108842A - モード切替回路 - Google Patents

モード切替回路

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JP2002108842A JP2000294809A JP2000294809A JP2002108842A JP 2002108842 A JP2002108842 A JP 2002108842A JP 2000294809 A JP2000294809 A JP 2000294809A JP 2000294809 A JP2000294809 A JP 2000294809A JP 2002108842 A JP2002108842 A JP 2002108842A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】外部I/Fピンを追加せずに、内蔵プログラム
を書き替えたり、動作モードを切り替えることができる
ようにする。また、過大電圧が加わっても、内部素子の
破壊を防止する。 【解決手段】外部I/Fピン4に高電圧検出回路7を付
加し、外部ピン4に高電圧(例えば、10V)を印加す
ることで、HDV出力8をマイコン(1)2に与え、マ
イコン2に内蔵されたプログラムを書き替える。書き替
えは、シリアルI/Fピン9とマイコン2との間のデー
タバス10を介してデータを転送することによりプログ
ラムの書き替え、または動作モードの切り替えを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、動作プログラムを
内蔵する機器において、外部I/Fピンを増加すること
なくプログラムを書き換えるためのモード切替回路に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来より、実動作モードとテストモード
の切替回路としては、例えば、特開平9−44467号
公報に記載のマイクロコンピュータ(以下、A方式)が
ある。これは、不揮発性メモリを内蔵するマイクロコン
ピュータにおいて、実動作とテストモードの切り替え
を、モード切替兼不揮発性メモリ用高電圧電源端子によ
り行うものである。しかし、兼用端子を設けるだけなら
ば、データ書き込み用(消去用)の高電圧がモード切替
回路に直接印加され、その回路を構成する素子の破壊等
を招いてしまう。このため、兼用端子とモード切替回路
との間に、入力高電圧を通常の電源電圧レベルの電圧に
レベル変換する電圧調整回路を設ける。さらに、電圧調
整回路とモード切替回路との間に、リセット時のみ電圧
調整回路の出力をモード切替回路に伝達する伝達制御手
段を設ける。また、特開平4−289476号公報に記
載の高電圧検出回路(以下、B方式)では、通常モード
からテストモードへの切り替えを高電圧印加により行っ
ている。すなわち、テストモードに切り替える特別モー
ドを起動するために、通常の高電圧電源電位よりも高い
特別モード用電圧を検出する高電圧検出回路を設け、こ
の回路内の検出電圧比較手段により通常電源電圧検出手
段と特別モード電圧検出手段の出力を比較することによ
りモードを切り替えている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の方
式(A方式、B方式)では、動作プログラムを内蔵する
機器において、外部I/Fピンを追加することなく、実
動作モードからテストモードへの切り替えを行ってい
た。しかし、ピンのモードを切り替えることにより、内
蔵プログラムを書き替えることや、動作モードを切り替
えることはできなかった。さらに、高電圧検出回路の入
力に10Vを越えるような過大電圧が印加されても、素
子を破壊されないようにすることが必要である。さら
に、内蔵プログラムの書き替え時以外には、他の周辺ロ
ジックとのシリアルI/Fピンとして機能するようにす
ると、内部バス線数の節約が可能となって、望ましい。
さらに、内蔵プログラムに対して、指定ブロックへの書
き替えモードなど、複数のモード切り替えができるよう
にすれば望ましい。
【0004】そこで、本発明の第1の目的は、このよう
な従来の問題を解決し、外部I/Fピンを追加すること
なく、書き込み回路を書き込みモードに変更することが
できるモード切替回路を提供することにある。また、本
発明の第2の目的は、高電源検出回路の入力に10Vを
越えるような過大な電圧が印加された場合にも、素子が
破壊されないようなモード切替回路を提供することにあ
る。また、本発明の第3の目的は、内蔵プログラムの書
き替え時以外には、他の周辺ロジックとのシリアルI/
FピンあるいはデータI/Fピンとして機能するように
して、内部バス線数の節約を図ることができるモード切
替回路を提供することにある。さらに、本発明の第4の
目的は、内蔵プログラムに対して、指定ブロックへの書
き替えモードなど、複数のモード切り替えができるよう
なモード切替回路を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のモード切替回路は、外部I/Fピンに高
電圧検出回路を付加して、特定の外部I/Fピンに高電
圧(例えば、10V)を与えることにより、外部I/F
ピンを増加せずに書き込み回路を書き込みモードへ変化
させる。 また、外部I/Fピン入力部に過大電圧入力が加えら
れた場合にオンするようなツェナーダイオードを付加す
ることにより、過大電圧入力時の内部素子の破壊を防止
する。 また、高電圧検出回路の出力の後にマルチプレクサ回
路を付加し、内蔵プログラムの書き替えを行いたい場合
には、ある特定のピンに高電圧を与えることにより、マ
ルチプレクサ回路を切り替えてシリアルI/Fの信号の
流れを変える。 また、高電圧検出回路の出力の後に複数のマルチプレ
クサ回路を付加し、内蔵プログラムの書き替えを行いた
い場合には、ある特定のピンに高電圧を与えることによ
り、マルチプレクサ回路を切り替えて内部バスI/Fの
信号の流れを変える。 さらに、複数の外部I/Fピンに対して高電圧検出回
路を付加し、高電圧検出回路の出力をデコード回路によ
りそれぞれ所望のモードに切り替えるようにする。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を、図面に
より詳細に説明する。 (第1の実施例)図1は、本発明の第1の実施例(請求
項1に対応)を示す書き込み回路のモード変更手段のブ
ロック図である。特定の外部I/Fピン4の入力段5の
前の信号ラインに高電圧検出回路(以下、HVD)7を
付加する。HDV7の付加された特定のI/Fピン4に
対して高電圧(例えば、10V)が印加することによ
り、HDV7はHVD動作出力信号8をマイコン2に出
力する。マイコン2は、HDV動作出力信号8を検知す
ると、書き込みモードへの移行などの動作モードを変更
する。これにより、別のモード移行のための設定ピンを
設ける必要がなく、I/Fピン4がHDV動作用印加電
圧検知ピンとして兼用することができる。なお、9はシ
リアルI/Fピン、10は内蔵プログラムを書き替える
ためのデータバスである。本実施例によれば、外部I/
Fピンを増加せずに、書き込み回路を書き込みモードに
変更することができる。
【0007】(第2の実施例)図2は、本発明の第2の
実施例(請求項2に対応)を示すHDVの回路構成図お
よびピン出力電圧のテーブル図である。図2(a)にお
いて、一般ロジックの動作電源電圧は3.3Vであり、
特定I/Fピン4に印加する高電圧は10Vである。特
定I/Fピン4に高電圧10Vを印加した時に、図2
(b)に示すように、HDV7の出力B(8)はLog
ic Hレベルを出力する。また、特定I/Fピン4の
状態がOpenまたは0VまたはLogic Hレベル
(3.3V)の場合、出力B(8)はLogicLレベ
ルを出力する。特定I/Fピン4に高電圧10Vを印加
した場合には、抵抗R(2)13およびR(3)14の
抵抗分圧比で、出力(B)8からLogic Hレベル
の信号が出力される。なお、ダイオード(Di)12
は、高電圧がロジック入力に印加されないようにする保
護用ダイオードである。また、ツェナダイオード(ZD
i)15は、特定I/Fピン4に10Vを超える電圧が
印加された場合、出力(B)8の電圧レベルが異常な電
圧を出力することを防止するための回路保護用ツェナー
ダイオードである(例えば、12V耐圧のZDiを使
用)。このように、本実施例では、外部I/Fピン4に
過大電圧が入力された場合に、ツェナーダイオード(Z
Di)15がオンすることにより、過大電圧入力時の内
部素子の破壊を防止することができる。
【0008】(第3の実施例)図3は、本発明の第3の
実施例(請求項3に対応)を示すHDVによるシリアル
インターフェース信号方向の切り替え回路図である。本
実施例では、HDV回路7の出力の後にマルチプレクサ
回路(MUX)17を付加し、内蔵プログラムの書き替
えを行いたいときには、ある特定のピン4に高電圧を加
えることで、シリアルI/F信号の流れを変える。すな
わち、シリアルI/Fピン16を使用して内蔵プログラ
ムを書き替える回路において、HDV7の出力先にマル
チプレクサ(MUX)17を付加することで、通常は機
器内部のマイコン(1)2とマイコン(2)20間のシ
リアル通信18の通路として動作させ、内蔵プログラム
の書き替えを行いたい時には、特定I/Fピン4に高電
圧を与えることで、シリアルI/Fの信号の流れを変え
られるようにする。つまり、内蔵プログラムの書き替え
を行う時には、ピン16とマイコン(1)2との間でシ
リアル通信19の通路に切り替える。この通路のデータ
により内蔵プログラムの書き替えを行う。これにより、
内蔵プログラムの書き替えのためのシリアルI/Fを兼
用できるので、シリアルI/Fのリソースを節約でき
る。
【0009】(第4の実施例)図4は、本発明の第4の
実施例(請求項4に対応)を示すHDVによるパラレル
インターフェース信号方向の切り替え回路図である。本
実施例では、HDV7の出力の後に、複数のマルチプレ
クサ回路(MUX)22を付加し、内蔵プログラムの書
き替えを行いたい時には、ある特定のピン4に高電圧を
与えることにより、内部バスI/F23の流れを変え
る。すなわち、外部パラレルI/Fピン21を使用して
内蔵プログラムを書き替える回路において、内蔵プログ
ラムの書き替え時以外はマイコン(1)2とマイコン
(2)20のI/F信号の通路23として機能し、特定
I/Fピン4に高電圧を印加した場合、多段MUX22
を介して内蔵プログラムを書き替えるためのI.Fピン
21として外部に出力される通路24として機能する。
これにより、内蔵プログラムの書き替えのためのパラレ
ルI/Fを特別に設ける必要がなくなる。つまり、内部
バスの信号線数を増加せずに、内蔵プログラムの書き替
えを行うことができる。
【0010】(第5の実施例)図5は、本発明の第5の
実施例(請求項5に対応)を示すHDV複数段構成によ
るモード切替回路図である。本実施例では、図5に示す
ように、複数の外部I/Fピン4,28に対してHDV
回路7,27を付加し、HDVの出力をデコード回路2
9によりそれぞれ所望のモードに切り替えるようにす
る。すなわち、内蔵プログラムに対して、指定ブロック
への書き替えモードなど、複数のモード切り替えができ
るようにするため、複数の外部I/Fピン4,28に対
してHDV回路7,27を付加し、HDV出力をデコー
ド回路(2to4Decord)29においてデコード
し、所望のモードに切り替えるようにする。これによ
り、外部I/Fピンを増やすことなく、複数のモード切
り替えができるようになる。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
外部ピンを増加することなく、書き込み回路を書き込み
モードに移行することができる(請求項1)。また、ツ
ェナーダイオードを付加することで、HDVロジックを
有する外部I/Fピンに過大な電圧が印加されたときで
も、内部素子が破壊されることがない(請求項2)。ま
た、HDV回路の出力の後にマルチプレクサ回路を設け
ることで、シリアルI/Fのリソースを節約することが
できる(請求項3)。同じく、HDV回路の出力の後に
複数のマルチプレクサ回路を設けることで、パラレルI
/Fのリソースを増加することなく、内蔵プログラムの
書き替えを行うことができる(請求項4)。さらに、複
数の外部I/Fピンに対してHVD回路を付加し、それ
らの出力をデコード回路により所望のモードに切り替え
ることで、外部I/Fピンを増やすことなく、複数のモ
ード切り替えが可能になる(請求項5)。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例(請求項1)を示す書き
込み回路のモード変更手段の構成図である。
【図2】本発明の第2の実施例(請求項2)を示すHD
V回路図および入出力電圧テーブル図である。
【図3】本発明の第3の実施例(請求項3)を示すHD
VによるシリアルI/F信号方向切り替え機能の図であ
る。
【図4】本発明の第4の実施例(請求項4)を示すHD
VによるパラレルI/F信号方向の切り替え機能の図で
ある。
【図5】本発明の第5の実施例(請求項5)を示すHD
V複数段構成によるモード切替によるによる表構造に基
づいて検索した結果のデータ構造を説明する図である。
【符号の説明】
1…書き込み回路、2…マイコン(1)、4…I/Fピ
ン、3…高電圧、5…入力段、6…入力線、7…HDV
(高電圧検出回路)、8…HDV出力、9…シリアルI
/Fピン、10…内蔵プログラム書き替え用データバ
ス、11,13,14…抵抗、12…ダイオード、15
…ツェナダイオード、16…外部シリアルI/Fピン、
17…マルチプレクサ、18…シリアル通信の通路、1
9…シリアルI/F信号の通路、20…マイコン
(2)、21…外部パラレルI/Fピン、22…多段マ
ルチプレクサ、23…I/F信号の通路、24…パラレ
ルI/F信号の通路、28…外部I/Fピン、27…H
DV、25…入力段、26…入力線、29…デコード回
路。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 動作プログラムを内蔵する電子機器にお
    いて、 前記動作プログラムを実行するマイクロコンピュータ
    と、 高電圧を印加するための前記電子機器の外部端子と、 前記外部端子と前記マイクロコンピュータとの間に接続
    され、前記高電圧を検出することにより、内蔵プログラ
    ムの書き込みモードに移行する高電圧検出回路とを具備
    したことを特徴とするモード切替回路。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のモード切替回路におい
    て、 前記高電圧検出回路内の高電圧を印加するための外部端
    子に、ツェナダイオードを接続したことを特徴とするモ
    ード切替回路。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載のモード切替回路におい
    て、 前記高電圧検出回路の出力の後に接続され、通常時と内
    蔵プログラムの書き替え時とで切り替え可能なマルチプ
    レクサ回路と、 前記マルチプレクサ回路を介して通常はデータI/Fピ
    ンとして動作し、内蔵プログラムの書き替え時には内蔵
    プログラム書き替え用ピンとして動作する外部端子とを
    具備したことを特徴とするモード切替回路。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載のモード切替回路におい
    て、 前記高電圧検出回路の出力の後に接続され、通常時と内
    蔵プログラムの書き替え時とで切り替え可能な多段マル
    チプレクサ回路と、 前記マルチプレクサ回路を介して通常は複数の外部ピン
    として動作し、内蔵プログラムの書き替え時には内蔵プ
    ログラム書き替え用のパラレル外部ピンとして動作する
    外部端子とを具備したことを特徴とするモード切替回
    路。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載のモード切替回路におい
    て、 前記高電圧検出回路と対応する外部端子とを複数対設
    け、前記高電圧検出回路の各出力をデコード回路により
    所望のモードに切り替えるための信号に変換することを
    特徴とするモード切替回路。
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JP2006170898A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Ricoh Co Ltd 半導体装置のテスト回路
JP2008140113A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Seiko Instruments Inc ボルテージレギュレータ

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JP2006170898A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Ricoh Co Ltd 半導体装置のテスト回路
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