JP2002100694A - Base for electronic component, electronic component provided with the base, and manufacturing method of the electronic component - Google Patents

Base for electronic component, electronic component provided with the base, and manufacturing method of the electronic component

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JP2002100694A
JP2002100694A JP2000285759A JP2000285759A JP2002100694A JP 2002100694 A JP2002100694 A JP 2002100694A JP 2000285759 A JP2000285759 A JP 2000285759A JP 2000285759 A JP2000285759 A JP 2000285759A JP 2002100694 A JP2002100694 A JP 2002100694A
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JP
Japan
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electronic component
thin film
patterning
ceramic
metallized
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JP2000285759A
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Japanese (ja)
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Hozumi Nakada
穂積 中田
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Daishinku Corp
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Daishinku Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the size of a ceramic base by improving patterning precision on the ceramic base. SOLUTION: In a process of manufacturing a ceramic base 2 for mounting a crystal vibrator, the baked ceramic base 2 having almost entire surface metallized M is plated P with a nickel and gold on the metallized surface. The metabollized layer M and the plated layer P on the surface of the ceramic base are patterned with an element mounting pattern of a specified shape by a photolithography method.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型水晶振
動子などに代表される電子部品のベース及びそのベース
を備えた電子部品並びにその電子部品の製造方法に係
る。特に、本発明は、ベース上のパターニング精度の向
上を図るための対策に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a base of an electronic component typified by a surface mount type crystal unit, an electronic component having the base, and a method of manufacturing the electronic component. In particular, the present invention relates to a measure for improving patterning accuracy on a base.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、モバイルコンピュータ等の情報機
器や、携帯電話、自動車電話、ページングシステム等の
移動体通信機器にあっては、装置の小型化が急速に進ん
でいる。このため、これらに用いられる水晶振動子など
の電子部品にも更なる小型化が要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization of information devices such as mobile computers and mobile communication devices such as mobile phones, car phones, and paging systems has been rapidly progressing. For this reason, there is a demand for further miniaturization of electronic components such as quartz oscillators used for these components.

【0003】この種の水晶振動子の構成としては、例え
ば特開平10−126201号公報に開示されているよ
うに、セラミックベースと、このセラミックベース上に
導電性接着剤等を介して搭載された圧電素子(水晶振動
片)と、この圧電素子を覆って振動子内部空間を密閉す
るようにセラミックベースに接着されたキャップとを備
えている。また、セラミックベースの表裏面には電極が
形成され、セラミックベースに形成されたスルーホール
を介して表裏の各電極が導通されている。
[0003] As a configuration of this type of crystal resonator, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-126201, a ceramic base is mounted on the ceramic base via a conductive adhesive or the like. The piezoelectric device includes a piezoelectric element (quartz vibrating piece) and a cap adhered to a ceramic base so as to cover the piezoelectric element and seal the internal space of the vibrator. Further, electrodes are formed on the front and back surfaces of the ceramic base, and the electrodes on the front and back surfaces are electrically connected via through holes formed in the ceramic base.

【0004】また、これまでの水晶振動子のセラミック
ベースの製造工程としては、セラミックパウダやバイン
ダにより成形された軟質セラミックシート体の表面の全
面をメタライズ(酸化クロム等による)すると共に、そ
の上にスクリーン印刷などによってシールパターンや素
子実装パターンを印刷し、この状態でセラミックシート
体を焼成してセラミックベースを成形していた。
[0004] Further, as a conventional process for manufacturing a ceramic base of a crystal unit, the entire surface of a soft ceramic sheet formed by ceramic powder or a binder is metallized (by chromium oxide or the like) and is further formed thereon. A seal pattern or an element mounting pattern is printed by screen printing or the like, and in this state, the ceramic sheet is fired to form a ceramic base.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述したよ
うに、従来のセラミックベースの製造工程では、シール
パターンや素子実装パターンを印刷した状態でセラミッ
クシート体を焼成しているため、この焼成時のセラミッ
クシート体の収縮によって上記のパターニング位置が所
定位置からずれてしまう可能性がある。つまり、上記焼
成時には、セラミックシート体が例えば30%程度収縮
することがあり、この収縮割合がセラミックシート体の
各部で不均一になると、上記パターニング位置にずれが
生じてしまい、このパターニング位置に対する圧電素子
やキャップの取付位置関係が適切に設定されず不良品の
発生率が高くなってしまう。
However, as described above, in the conventional ceramic base manufacturing process, the ceramic sheet is fired in a state where the seal pattern and the element mounting pattern are printed. The patterning position may deviate from a predetermined position due to shrinkage of the ceramic sheet body. That is, at the time of the above-mentioned firing, the ceramic sheet body may shrink, for example, by about 30%. If the shrinkage ratio is not uniform in each part of the ceramic sheet body, the patterning position shifts, and the piezoelectricity with respect to this patterning position is reduced. The positional relationship between the element and the cap is not properly set, and the occurrence rate of defective products increases.

【0006】このため、従来では、この焼成時の収縮を
考慮し、パターニング位置に多少のずれが生じても、こ
のパターニング位置に対する圧電素子やキャップの取付
位置関係が適切に得られるように、パターン幅寸法やパ
ターン同士の間の間隔寸法を大きめに設定していた。
For this reason, conventionally, in consideration of the shrinkage at the time of baking, even if the patterning position slightly shifts, the patterning position of the piezoelectric element or the cap with respect to the patterning position can be appropriately obtained. The width dimension and the spacing dimension between patterns are set to be relatively large.

【0007】しかし、これでは、セラミックベースの大
型化を避けることができず、水晶振動子の小型化を図る
には限界があった。
However, in this case, an increase in the size of the ceramic base cannot be avoided, and there is a limit in reducing the size of the crystal unit.

【0008】一方、この種の水晶振動子にあっては、外
形寸法はできるだけ小さく、つまりできるだけ小型化さ
れていることが望ましいが、水晶振動片の振動特性を良
好に確保するためには水晶振動子の内部キャビティはで
きるだけ大きい方が好ましい。何故なら、内部キャビテ
ィを大きくすることにより、振動子内部のガス分子が希
釈され、このガス分子による振動特性への悪影響が低減
されるからである。また、水晶振動片のスプリアス管理
を容易にするためには、この水晶振動片を大型にするこ
とが好ましいが、そのためには大きな内部キャビティを
必要とするからである。
On the other hand, in this type of crystal resonator, it is desirable that the external dimensions are as small as possible, that is, as small as possible. However, in order to ensure good vibration characteristics of the crystal resonator element, the crystal The internal cavity of the child is preferably as large as possible. This is because, by increasing the internal cavity, gas molecules inside the vibrator are diluted, and adverse effects of the gas molecules on the vibration characteristics are reduced. Further, in order to facilitate the spurious management of the crystal resonator element, it is preferable to increase the size of the crystal resonator element, but this requires a large internal cavity.

【0009】この互いに相反する要求を満たすための一
つの手段として、セラミックベース上のキャップの接合
に寄与する領域(シールエリア)をできる限り小さくす
ることが挙げられる。しかし、上述した如く、焼成時の
セラミックベースの収縮を考慮すれば上記シールパター
ンのパターン幅を狭くするには限界があり(例えば、こ
のシールパターン幅を0.3mm以下にすることはできな
い)、このシールエリアを極めて小さくして上記の要求
を満たす構成を得ることは不可能であるのが実情であ
る。
One means for satisfying these mutually contradictory requirements is to make the area (sealing area) contributing to the joining of the cap on the ceramic base as small as possible. However, as described above, there is a limit in reducing the pattern width of the seal pattern in consideration of shrinkage of the ceramic base during firing (for example, the seal pattern width cannot be reduced to 0.3 mm or less). In fact, it is impossible to obtain a configuration that satisfies the above requirements by making this seal area extremely small.

【0010】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、セラミックベース上
のパターニング精度を向上させることにより、セラミッ
クベースの小型化を図ることにある。
The present invention has been made in view of the above point, and an object of the present invention is to reduce the size of a ceramic base by improving the patterning accuracy on the ceramic base.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】−発明の概要− 上記の目的を達成するために、本発明は、素子実装パタ
ーンなどのパターニングを行う前段階でセラミックベー
スを焼成しておき、これによってパターニング後にセラ
ミックベースの収縮が起こらないようにしている。
Means for Solving the Problems-Summary of the Invention-In order to achieve the above object, according to the present invention, a ceramic base is fired at a stage before patterning such as an element mounting pattern, and thereby, after patterning, The shrinkage of the ceramic base is prevented.

【0012】−解決手段− 具体的には、素子が搭載されるセラミックス製の電子部
品用ベースを前提とする。この電子部品用ベースにおい
て、表面の全面または一部分がメタライズされた焼成後
のセラミック体に対し、その表面の全面に導電性金属の
薄膜を成形し、これらメタライズ層及び薄膜層をパター
ニングすることにより所定形状の素子実装パターンを形
成している。
-Solution Means- Specifically, a base for a ceramic electronic component on which the element is mounted is assumed. In this electronic component base, a conductive metal thin film is formed on the entire surface of the fired ceramic body whose entire surface or a part of the surface is metallized, and the metallized layer and the thin film layer are patterned by a predetermined method. An element mounting pattern having a shape is formed.

【0013】また、他の構成として、表面の全面または
一部分がメタライズされた焼成後のセラミック体に対
し、そのメタライズ層に所定のパターニングを行い、こ
のパターニングされたメタライズ層上のみに導電性金属
の薄膜を成形することにより所定形状の素子実装パター
ンを形成している。
As another configuration, a predetermined patterning is performed on the metallized layer of the fired ceramic body whose entire surface or a part of the surface is metallized, and a conductive metal layer is formed only on the patterned metallized layer. An element mounting pattern having a predetermined shape is formed by molding a thin film.

【0014】更に、他の構成として、表面の一部分がメ
タライズされた焼成後のセラミック体に対し、その表面
の全面に導電性金属の薄膜を成形し、この薄膜層をパタ
ーニングすることにより所定形状の素子実装パターンを
形成している。
Further, as another configuration, a conductive metal thin film is formed on the entire surface of the fired ceramic body having a part of the surface metallized, and the thin film layer is patterned to have a predetermined shape. An element mounting pattern is formed.

【0015】加えて、表裏面に亘って形成されたビアホ
ールを備えた焼成後のセラミック体に対し、その表面に
おけるビアホールを含む領域に導電性金属の薄膜を成形
し、この薄膜層をパターニングすることにより所定形状
の素子実装パターンを形成した構成も挙げられる。
In addition, for the fired ceramic body having via holes formed over the front and back surfaces, a conductive metal thin film is formed in a region including the via holes on the surface, and the thin film layer is patterned. Thus, a configuration in which an element mounting pattern having a predetermined shape is formed by the method described above can be used.

【0016】また、このベースを使用した電子部品の製
造方法の一つとして、表面の全面または一部分がメタラ
イズされた焼成後のセラミック体に対し、その表面の全
面に導電性金属の薄膜を成形する薄膜成形工程と、メタ
ライズ層及び薄膜層をパターニングして所定形状の素子
実装パターンを形成するパターニング工程と、素子実装
パターンに対応させて素子を搭載する素子搭載工程とを
備えさせることが挙げられる。
As one method of manufacturing an electronic component using this base, a conductive metal thin film is formed on the entire surface of a fired ceramic body having the entire surface or a part thereof metallized. The method includes providing a thin film forming step, a patterning step of patterning the metallized layer and the thin film layer to form an element mounting pattern having a predetermined shape, and an element mounting step of mounting an element corresponding to the element mounting pattern.

【0017】更に、他の製造方法として、表面の一部分
がメタライズされた焼成後のセラミック体に対し、その
表面の全面に導電性金属の薄膜を成形する薄膜成形工程
と、薄膜層をパターニングして所定形状の素子実装パタ
ーンを形成するパターニング工程と、上記素子実装パタ
ーンに対応させて素子を搭載する素子搭載工程とを備え
させることも挙げられる。
Further, as another manufacturing method, a thin film forming step of forming a conductive metal thin film over the entire surface of the fired ceramic body having a part of the surface metallized, and patterning the thin film layer. It is also possible to provide a patterning step of forming an element mounting pattern of a predetermined shape and an element mounting step of mounting an element corresponding to the element mounting pattern.

【0018】また、表裏面に亘って形成されたビアホー
ルを備えた焼成後のセラミック体に対し、その表面にお
けるビアホールを含む領域に導電性金属の薄膜を成形す
る薄膜成形工程と、薄膜層をパターニングして所定形状
の素子実装パターンを形成するパターニング工程と、上
記素子実装パターンに対応させて素子を搭載する素子搭
載工程とを備えさせることも挙げられる。
A thin film forming step of forming a thin film of a conductive metal in a region including a via hole on the surface of the fired ceramic body having a via hole formed over the front and back surfaces, and patterning the thin film layer. A patterning step of forming an element mounting pattern having a predetermined shape, and an element mounting step of mounting an element corresponding to the element mounting pattern.

【0019】そして、これらの製造方法において、薄膜
成形工程の前に、セラミックパウダにより成形されたセ
ラミックシート体の表面をメタライズするメタライズ工
程と、このメタライズされたセラミックシート体を焼成
してセラミック体を成形する焼成工程とを行うようにし
た製造方法も本発明の範疇である。
In these manufacturing methods, before the thin film forming step, a metallizing step of metallizing the surface of the ceramic sheet formed by the ceramic powder, and firing the metallized ceramic sheet to form the ceramic body A manufacturing method in which a firing step of forming is performed is also included in the scope of the present invention.

【0020】他の製造方法としては、表面の全面または
一部分がメタライズされた焼成後のセラミック体に対
し、そのメタライズ層をパターニングするパターニング
工程と、このパターニング工程においてパターニングさ
れたメタライズ層上のみに導電性金属の薄膜を成形して
所定形状の素子実装パターンを形成する薄膜成形工程
と、上記素子実装パターンに対応させて素子を搭載する
素子搭載工程とを備えさせている。
Another manufacturing method includes a patterning step of patterning the metallized layer on the fired ceramic body having the entire surface or a part of the surface metallized, and conducting only on the metallized layer patterned in the patterning step. A thin film forming step of forming an element mounting pattern having a predetermined shape by forming a thin film of a conductive metal, and an element mounting step of mounting an element corresponding to the element mounting pattern are provided.

【0021】そして、この製造方法において、パターニ
ング工程の前に、セラミックパウダにより成形されたセ
ラミックシート体の表面をメタライズするメタライズ工
程と、このメタライズされたセラミックシート体を焼成
してセラミック体を成形する焼成工程とを行うようにし
た製造方法も本発明の範疇である。
In this manufacturing method, before the patterning step, a metallizing step of metallizing the surface of the ceramic sheet formed by the ceramic powder, and firing the metallized ceramic sheet to form a ceramic body A manufacturing method in which the firing step is performed is also included in the scope of the present invention.

【0022】これら特定事項により、パターニング後に
ベースが収縮することがなくなる。このため、パターニ
ングの位置精度を高く確保することができ、パターニン
グ位置に対する素子等の取付位置関係が適切に設定され
る。具体的には、メタライズ層及び薄膜層をフォトリソ
グラフィ工法によってパターニングすることで高いパタ
ーニングの位置精度が得られる。また、パターン幅寸法
やパターン同士の間の間隔寸法を小さく設定することが
可能になるので、ベースを小型化でき、それに伴って電
子部品の小型化を図ることができる。
By these specific items, the base does not shrink after patterning. For this reason, a high positional accuracy of the patterning can be ensured, and the mounting positional relationship of the elements and the like with respect to the patterning position is appropriately set. Specifically, high patterning positional accuracy can be obtained by patterning the metallized layer and the thin film layer by a photolithography method. In addition, since the pattern width dimension and the space dimension between the patterns can be set small, the base can be reduced in size, and accordingly, the electronic components can be reduced in size.

【0023】また、上述の如く作製されたベース上に素
子が搭載されて構成された電子部品も本発明の範疇であ
る。このベースの採用により、ベースにキャップを取り
付ける場合のシールパターンのシールエリア(ベース上
のキャップの接合に寄与する領域)を非常に小さく設定
することが可能になり、電子部品の外形寸法を小さくし
ながらも、その内部キャビティを比較的大きく確保する
ことができる。このため、電子部品を小型化しながらも
素子の特性を良好に得ることが可能になり、高性能の電
子部品を提供することができる。
The present invention also includes an electronic component in which an element is mounted on the base manufactured as described above. By using this base, the seal area of the seal pattern (the area contributing to the joining of the cap on the base) when attaching the cap to the base can be set very small, and the external dimensions of the electronic component can be reduced. However, a relatively large internal cavity can be ensured. For this reason, it is possible to obtain good device characteristics while reducing the size of the electronic component, and to provide a high-performance electronic component.

【0024】また、上記薄膜成形工程における具体的な
動作としては、メタライズ表面にニッケルメッキが行わ
れた後、そのニッケルメッキ層の表面に金メッキが施さ
れる。この2層で成る薄膜の下側の層を、酸化物を生成
しやすいニッケル層としたことで、メタライズ層に対す
る薄膜の密着性が良好に得られる。
Further, as a specific operation in the above-mentioned thin film forming step, after nickel plating is performed on the metallized surface, gold plating is performed on the surface of the nickel plating layer. Since the lower layer of the two-layer thin film is a nickel layer that easily generates an oxide, good adhesion of the thin film to the metallized layer can be obtained.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。本形態では表面実装型水晶振動子
に本発明を適用した場合について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a case will be described in which the present invention is applied to a surface-mount type crystal unit.

【0026】−水晶振動子の構成説明− 図1は本形態に係る水晶振動子1の概略を示す分解斜視
図である。この図1に示すように、水晶振動子1は、本
発明でいうセラミック体としてのセラミックベース2の
上面に、導電性を有する素子搭載部3A,3Bが取り付
けられ、この素子搭載部3A,3Bに本発明でいう素子
としての矩形状のATカット水晶板4が搭載され、更
に、この水晶板4を覆って振動子内部空間を封止するよ
うに、セラミックベース2にキャップ5が取り付けられ
て構成されている。
FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a crystal resonator 1 according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the quartz crystal resonator 1 has conductive element mounting portions 3A and 3B attached to the upper surface of a ceramic base 2 as a ceramic body according to the present invention, and the element mounting portions 3A and 3B. In addition, a rectangular AT-cut quartz plate 4 as an element according to the present invention is mounted, and a cap 5 is attached to the ceramic base 2 so as to cover the quartz plate 4 and seal the internal space of the vibrator. It is configured.

【0027】上記セラミックベース2はアルミナ(Al
23)等のセラミックス材料で成り、平板状に形成され
ている。また、このセラミックベース2の上面にはタン
グステン(W)等の金属材料の全面メタライズが施され
ていると共に、更に、その表面にニッケル(Ni)及び
金(Au)のメッキ層で成る表面電極21A,21B等
のパターニングが施されている。
The ceramic base 2 is made of alumina (Al)
It is made of a ceramic material such as 2 O 3 ) and is formed in a flat plate shape. The upper surface of the ceramic base 2 is entirely metallized with a metal material such as tungsten (W), and a surface electrode 21A made of a plating layer of nickel (Ni) and gold (Au) on the surface. , 21B and the like.

【0028】表面電極21A,21Bは、セラミックベ
ース2の厚さ方向に貫通するスルーホール22A,22
Bにタングステン等の金属材料が充填されていることに
より、図示しない裏面電極と導通している。
The surface electrodes 21A and 21B are provided with through holes 22A and 22 penetrating in the thickness direction of the ceramic base 2.
Since B is filled with a metal material such as tungsten, it is electrically connected to a back electrode (not shown).

【0029】水晶板4は、表裏面にスパッタリング蒸着
法等により、図示しない励振電極及び引出電極が形成さ
れている。この励振電極及び引出電極は、例えばクロム
メッキが施され且つその上面に銀メッキが施されて構成
されている。
Excitation electrodes and extraction electrodes (not shown) are formed on the front and back surfaces of the quartz plate 4 by a sputtering deposition method or the like. The excitation electrode and the extraction electrode are formed, for example, by chromium plating and silver plating on the upper surface.

【0030】そして、水晶板4の引出電極と素子搭載部
3A,3Bとが互いに重なり合うように、水晶板4が素
子搭載部3A,3B上に搭載され、例えばシリコーン樹
脂系、又はポリイミド系、エポキシ系等の導電性接着剤
により、この両者が電気的機械的に接続されている。
The quartz plate 4 is mounted on the element mounting portions 3A and 3B such that the extraction electrodes of the crystal plate 4 and the element mounting portions 3A and 3B overlap each other. Both are electrically and mechanically connected by a conductive adhesive such as a system.

【0031】キャップ5は、金属材料のプレス加工によ
り成形されており、下面側が開放された逆凹型で、その
外形寸法は上記セラミックベース2の外形寸法と略等し
く設計されている。また、このキャップ5の外周縁部に
は水平方向に延びるフランジ51が形成されており、こ
のフランジ51がセラミックベース2の上面外縁部に半
田付けされている。これにより、振動子内部空間が気密
封止されている。以上が、本形態に係る水晶振動子1の
概略構成である。
The cap 5 is formed by pressing a metal material, is an inverted concave type having an open lower surface, and is designed so that its outer dimensions are substantially equal to the outer dimensions of the ceramic base 2. A flange 51 extending in the horizontal direction is formed on the outer peripheral edge of the cap 5, and this flange 51 is soldered to the outer peripheral edge of the upper surface of the ceramic base 2. Thereby, the internal space of the vibrator is hermetically sealed. The above is the schematic configuration of the crystal resonator 1 according to the present embodiment.

【0032】−水晶振動子1の製造工程の説明− 次に、上述の如く構成される水晶振動子1の製造工程に
ついて説明する。本形態の特徴とする工程は上記セラミ
ックベース2の成形工程である。
Description of Manufacturing Process of Quartz Crystal Resonator 1 Next, a description will be given of a manufacturing process of the crystal resonator 1 configured as described above. The characteristic process of the present embodiment is a molding process of the ceramic base 2.

【0033】セラミックベース2の成形工程としては、
先ず、所定の溶液中にセラミックスパウダを分散させる
と共にバインダを添加して生成される液体をシート状に
成形し、これにより、図2(a)に示すように、本発明
でいうセラミックシート体としての軟質のシート状セラ
ミックス素材2A(一般にグリーンシートと呼ばれてい
る)を成形する。このシート状セラミックス素材2Aを
図2(b)に示すように所定の形状に裁断し、その表面
に対してタングステンによって略全面にメタライズM
(図2(c)の斜線部分参照)を施す(メタライズ工
程)。この際、シート状セラミックス素材2Aには上記
スルーホール(図2では図示せず)が形成され、このス
ルーホール内にもタングステンが充填される。また、シ
ート状セラミックス素材2Aの裏面側には裏面電極を構
成する図示しないパッドも一体的に形成される。
The molding process of the ceramic base 2 includes:
First, a liquid produced by dispersing ceramic powder in a predetermined solution and adding a binder is formed into a sheet shape. As a result, as shown in FIG. Is formed into a soft sheet-like ceramic material 2A (generally called a green sheet). This sheet-shaped ceramic material 2A is cut into a predetermined shape as shown in FIG.
(See the hatched portion in FIG. 2C) (metallization step). At this time, the through hole (not shown in FIG. 2) is formed in the sheet-shaped ceramic material 2A, and the through hole is also filled with tungsten. A pad (not shown) constituting a back electrode is also integrally formed on the back surface of the sheet-shaped ceramic material 2A.

【0034】その後、この略全面がメタライズされたシ
ート状セラミックス素材2Aを焼成することで、平板状
のセラミックベース2(未だパターニングされていない
もの)が得られる(焼成工程)。このセラミックベース
2の大きさとしては、上記焼成の際にシート状セラミッ
クス素材が収縮(例えば30%程度の収縮)して得られ
る。
After that, the sheet-like ceramic material 2A whose substantially entire surface is metallized is fired to obtain a flat ceramic base 2 (not yet patterned) (firing step). The size of the ceramic base 2 is obtained by shrinking (for example, shrinking by about 30%) the sheet-shaped ceramic material during the firing.

【0035】次に、このセラミックベース2の表面に対
してニッケルメッキ及び金メッキが施され、これによっ
てセラミックベース2の表面に金属薄膜(メッキ層)P
(図2(d)の網線部分参照)が形成されることになる
(薄膜成形工程)。
Next, nickel plating and gold plating are performed on the surface of the ceramic base 2, whereby a metal thin film (plating layer) P is formed on the surface of the ceramic base 2.
(Refer to the hatched portion in FIG. 2D) is formed (thin film forming step).

【0036】その後、上記メタライズ層M及びメッキ層
Pが周知のフォトリソグラフィ工法によってパターニン
グされ、これによって所定形状のシールパターン及び素
子実装部パターンが形成される(パターニング工程)。
Thereafter, the metallized layer M and the plated layer P are patterned by a well-known photolithography method, whereby a seal pattern and an element mounting portion pattern having a predetermined shape are formed (patterning step).

【0037】以上の工程によりセラミックベース2が成
形される。
The ceramic base 2 is formed by the above steps.

【0038】このようにして成形されたセラミックベー
ス2に対して、図1の如く、上記素子搭載部3A,3B
及び水晶板4が載置され(素子搭載工程)、キャップ5
がセラミックベースの外周縁部に半田付けされることに
より水晶振動子1が完成する。
With respect to the ceramic base 2 thus formed, as shown in FIG. 1, the element mounting portions 3A, 3B
And the quartz plate 4 are placed (element mounting step), and the cap 5
Is soldered to the outer peripheral edge of the ceramic base, whereby the crystal unit 1 is completed.

【0039】−実施形態の効果− 以上説明したように、本形態の水晶振動子1では、表面
の略全面がメタライズMされた焼成後のセラミックベー
ス2に対し、ニッケル及び金の薄膜Pを成形し、これら
各層に対してパターニングを行っている。従来の製造方
法では、スクリーン印刷などによってパターニングした
シート状セラミック素材を焼成してセラミックベースを
得るようにしていたため、焼成に伴う収縮によってパタ
ーニング位置にずれが生じ、このパターニング位置に対
する水晶板やキャップの取付位置関係が適切に設定され
ない可能性があった。本形態では、パターニング後にセ
ラミックベース2が収縮することがないので、パターニ
ングの位置精度を高く確保することができる。具体的に
は、従来の1/10以下の精度である±0.01mm以内
の高い精度でパターニング精度を得ることが可能にな
る。
-Effects of Embodiment- As described above, in the crystal unit 1 of the present embodiment, the thin film P of nickel and gold is formed on the fired ceramic base 2 having substantially the entire surface metallized M. Then, patterning is performed on each of these layers. In the conventional manufacturing method, since a ceramic base is obtained by firing a sheet-shaped ceramic material patterned by screen printing or the like, the patterning position shifts due to shrinkage due to firing, and the quartz plate or cap moves with respect to this patterning position. There was a possibility that the mounting positional relationship was not set properly. In the present embodiment, since the ceramic base 2 does not shrink after patterning, high patterning accuracy can be ensured. Specifically, it is possible to obtain the patterning accuracy with a high accuracy within ± 0.01 mm, which is 1/10 or less of the conventional accuracy.

【0040】このため、パターニング位置に対する水晶
板4やキャップ5の取付位置関係が適切に設定され、不
良品の発生率を低減することができる。また、パターニ
ング位置にずれが生じ難いため、パターン幅寸法やパタ
ーン同士の間の間隔寸法を従来のものよりも小さく設定
することが可能になり、セラミックベース2を小型化で
き、それに伴って水晶振動子1の小型化を図ることがで
きる。更には、上記シールパターンの精度を高くできる
ため、このシールパターンのシールエリア(セラミック
ベース2上のキャップ5の接合に寄与する領域)を非常
に小さく設定することが可能になり、水晶振動子の外形
寸法を小さくしながらも、その内部キャビティを比較的
大きく確保することができる。その結果、水晶板4の振
動特性を良好に得ることが可能になり、高性能の水晶振
動子1を提供することができる。また、同一キャビティ
内に複数の水晶板を搭載する構成を採用する場合(多数
個同時実装)であっても個々の水晶板の搭載位置を適切
に得ることが可能になる。
For this reason, the mounting position relationship between the crystal plate 4 and the cap 5 with respect to the patterning position is appropriately set, and the incidence of defective products can be reduced. Further, since the patterning position hardly shifts, it is possible to set the pattern width dimension and the space dimension between the patterns smaller than those of the conventional one, and the ceramic base 2 can be downsized, and the The size of the child 1 can be reduced. Further, since the accuracy of the seal pattern can be increased, the seal area of the seal pattern (the area contributing to the joining of the cap 5 on the ceramic base 2) can be set very small, and the crystal oscillator A relatively large internal cavity can be ensured while reducing the external dimensions. As a result, the vibration characteristics of the quartz plate 4 can be obtained favorably, and the high-performance quartz resonator 1 can be provided. In addition, even when a configuration in which a plurality of quartz plates are mounted in the same cavity is used (a large number of quartz plates are simultaneously mounted), it is possible to appropriately obtain the mounting positions of the individual quartz plates.

【0041】また、本形態のキャップ5はプレス加工に
より成形されているため、従来の絞り加工によるものに
比べて高い寸法精度で作製されており、上述した高い精
度でのパターニングと相俟って、上記効果をよりいっそ
う大きく発揮させることができる。また、絞り加工で作
製されたものに比べてフランジ51の形状を最適化で
き、これによって水晶振動子1の更なる小型化が図れ
る。具体的に説明すると、図3(a)はプレス加工され
たキャップ5のセラミックベース2に対する接合(半田
付け)箇所を示し、図3(b)は絞り加工されたキャッ
プ5’のセラミックベース2’に対する接合箇所を示し
ている。このように、絞り加工されたキャップ5’で
は、キャップ本体部52’とフランジ51’との間にR
部が存在し、これが振動子1の小型化を阻害していた。
これに対し、プレス加工されたキャップ5では、キャッ
プ本体部52とフランジ51との間にR部が殆ど無く、
絞り加工されたキャップ5’を採用したものに比べて振
動子1の小型化を図ることができる。
Further, since the cap 5 of the present embodiment is formed by press working, it is manufactured with higher dimensional accuracy than that obtained by conventional drawing, and in combination with the above-described patterning with high accuracy. Thus, the above-mentioned effect can be further exerted. In addition, the shape of the flange 51 can be optimized as compared with the one manufactured by drawing, whereby the size of the crystal unit 1 can be further reduced. More specifically, FIG. 3A shows a joining (soldering) position of the pressed cap 5 to the ceramic base 2, and FIG. 3B shows a ceramic base 2 ′ of the drawn cap 5 ′. 3 shows a joining portion with respect to. Thus, in the drawn cap 5 ′, the distance between the cap body 52 ′ and the flange 51 ′ is R
There was a portion, which hindered downsizing of the vibrator 1.
On the other hand, in the pressed cap 5, there is almost no R portion between the cap body 52 and the flange 51,
The size of the vibrator 1 can be reduced as compared with the case where the drawn cap 5 'is adopted.

【0042】尚、本形態では、シート状セラミックス素
材2Aの略全面にメタライズ層Mを形成していたが、本
発明はこれに限らず、メタライズが必要な一部分のみに
メタライズ層を形成するようにしてもよい。
In the present embodiment, the metallized layer M is formed on substantially the entire surface of the sheet-shaped ceramic material 2A. However, the present invention is not limited to this, and the metallized layer is formed only on a part requiring metallization. You may.

【0043】−変形例− 次に、本発明の変形例について説明する。-Modification- Next, a modification of the present invention will be described.

【0044】(薄膜材料の変形例)先ず、焼成後のセラ
ミックベース2に対して成形される薄膜Pの材料の変形
例としては、上記ニッケルに代えてクロム(Cr)を採
用してもよい。つまり、この2層で成る薄膜Pの下側の
層としては酸化物を生成しやすい金属であることが好ま
しく、これによりメタライズ層Mとの密着性が良好に得
られる。また、もう一方の層の材料としては、上記金に
代えて銀(Ag)や銅(Cu)を採用することも可能で
ある。
(Modification of Thin Film Material) First, as a modification of the material of the thin film P formed on the ceramic base 2 after firing, chromium (Cr) may be used instead of nickel. That is, the lower layer of the thin film P composed of these two layers is preferably made of a metal which easily generates an oxide, whereby good adhesion to the metallized layer M can be obtained. Further, as the material of the other layer, silver (Ag) or copper (Cu) can be employed instead of gold.

【0045】(キャップ5の変形例)キャップ5の変形
例としては、図4に示すように、キャップ5を断面コ字
状に形成する。つまり上記フランジ51を形成させな
い。このため、キャップ5の開放側の端縁をセラミック
ベース2上のシールパターンに付き合わせるようにして
半田付けすることになる。この場合、例えばキャップ5
の板厚寸法が0.1mmである場合、シールパターンのシ
ールエリアの幅寸法も0.1mmでよい。従来の工法で
は、焼成時のセラミックベースの収縮を考慮すればシー
ルエリアは0.3mm以上必要であった。本発明によれ
ば、このシールエリアを0.1mmに設定してもセラミッ
クベース2に対するキャップ5の接合を良好に行うこと
ができ、このシールエリアの縮小化に伴って水晶振動子
1の小型化が図れるのである。
(Modification of Cap 5) As a modification of the cap 5, as shown in FIG. 4, the cap 5 is formed in a U-shaped cross section. That is, the flange 51 is not formed. Therefore, soldering is performed so that the open side edge of the cap 5 abuts on the seal pattern on the ceramic base 2. In this case, for example, the cap 5
Is 0.1 mm, the width of the seal area of the seal pattern may be 0.1 mm. In the conventional method, a sealing area of 0.3 mm or more was required in consideration of shrinkage of the ceramic base during firing. According to the present invention, the cap 5 can be satisfactorily joined to the ceramic base 2 even if the sealing area is set to 0.1 mm, and the size of the crystal unit 1 can be reduced with the reduction of the sealing area. Can be achieved.

【0046】(多数個取りによる製法)上述した水晶振
動子1の製法は特に多数個取りによる製法に適してい
る。つまり、大型のセラミックベース2を上記製法によ
り作製し、そのセラミックベース2に対して複数の水晶
板4を載置した後、それぞれをキャップ5により封止
し、その後、切断して複数の水晶振動子1を得るように
した製法である。このような製法の複数の具体例につい
て以下に説明する。
(Manufacturing method by multi-cavity) The above-described method of manufacturing the crystal unit 1 is particularly suitable for a manufacturing method by multi-cavity. That is, a large-sized ceramic base 2 is manufactured by the above-described method, a plurality of quartz plates 4 are placed on the ceramic base 2, each is sealed with a cap 5, and then cut to obtain a plurality of quartz-crystal vibrating parts. This is a manufacturing method in which a child 1 is obtained. A plurality of specific examples of such a manufacturing method will be described below.

【0047】先ず、第1の製法としては、図5に示すよ
うに、セラミックベース2に対して複数の水晶板を載置
し(図5では水晶板を省略している)、それぞれに対応
して個別に複数のキャップ5,5,…を半田付けし、各
水晶振動子1同士の間のセラミックベース2をレーザや
ダイシングによって切断するものである。図5では、そ
の切断位置を一点鎖線で示している。
First, as a first manufacturing method, as shown in FIG. 5, a plurality of quartz plates are placed on the ceramic base 2 (the quartz plates are omitted in FIG. 5), and each of them corresponds to each. Are soldered individually to cut the ceramic base 2 between the crystal units 1 by laser or dicing. In FIG. 5, the cutting position is indicated by a dashed line.

【0048】第2の製法は、図6に示すように、キャッ
プ5として、複数の水晶振動子1に跨るように一体化さ
れたものを採用し、切断時には、このキャップ5とセラ
ミックベース2とを共に切断するようにしたものであ
る。図6においても、その切断位置を一点鎖線で示して
いる。
In the second manufacturing method, as shown in FIG. 6, a cap 5 integrated with a plurality of quartz resonators 1 is adopted. When the cap 5 is cut, the cap 5 and the ceramic base 2 are connected to each other. Are cut together. In FIG. 6 as well, the cutting position is indicated by a chain line.

【0049】第3の製法も、図7に示すように、キャッ
プ5として、複数の水晶振動子1に跨るように一体化さ
れたものを採用している。この製法は、キャップ5の一
部分(個々の水晶振動子1同士の間の部分)を薄肉に形
成しておき、切断時には、この薄肉部分53を切断する
ようにしている。図7においても、その切断位置を一点
鎖線で示している。
As shown in FIG. 7, the third manufacturing method also employs a cap 5 integrated over a plurality of crystal units 1 as a cap. In this manufacturing method, a portion of the cap 5 (a portion between the individual crystal units 1) is formed thin, and the thin portion 53 is cut at the time of cutting. Also in FIG. 7, the cutting position is indicated by a dashed line.

【0050】尚、上記各製法の場合、裏面電極を構成す
るパッド23,23,…は切断位置を考慮して設定して
おく。つまり、切断位置よりも内側にパッド23が位置
するようにしておく。
In each of the above-mentioned manufacturing methods, the pads 23, 23,... Constituting the back electrode are set in consideration of the cutting position. That is, the pad 23 is positioned inside the cutting position.

【0051】(メタライズ層及びメッキ層の変形例)メ
ッキ層Pの形成領域は必ずしもメタライズ層Mの形成領
域に一致させる必要はなく、このメッキ層Pの形成領域
をメタライズ層Mの形成領域よりも大きく設定してもよ
い。以下、この構成について図面を用いて具体的に説明
する。
(Modification of Metalized Layer and Plating Layer) The region where the plated layer P is formed does not necessarily have to coincide with the region where the metalized layer M is formed. You may set it large. Hereinafter, this configuration will be specifically described with reference to the drawings.

【0052】図8は本例におけるメタライズ工程及び焼
成工程が行われた後のセラミックベース2を示すもので
あって、(a)は平面図、(b)は裏面図、(c)は
(a)におけるA−A線に沿った断面図である。また、
図9は本例における薄膜成形工程及びパターニング工程
が行われた後のセラミックベース2を示すものであっ
て、(a)は平面図、(b)は裏面図、(c)は(a)
におけるB−B線に沿った断面図である。また、図9
(a)では水晶板(音叉型水晶板)4の搭載位置を破線
で示している。
FIGS. 8A and 8B show the ceramic base 2 after the metallizing step and the firing step in this example have been performed. FIG. 8A is a plan view, FIG. 8B is a rear view, and FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. Also,
9A and 9B show the ceramic base 2 after the thin film forming step and the patterning step in this example have been performed, wherein FIG. 9A is a plan view, FIG. 9B is a rear view, and FIG. 9C is FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. FIG.
In (a), the mounting position of the quartz plate (tuning fork type quartz plate) 4 is indicated by a broken line.

【0053】これら図に示すように、本例では、メタラ
イズ工程において、セラミックベース2の表面側におい
ては、スルーホール内にタングステンが充填された部分
(ビアホール24A,24Bと呼ばれる部分)のみがメ
タライズ層Mとして形成されている。各図では、このビ
アホール24A,24Bの形成部分に網線を付してい
る。
As shown in these figures, in the present example, in the metallization step, only the portions (the portions called via holes 24A and 24B) filled with tungsten in the through holes on the surface side of the ceramic base 2 are metallized layers. M is formed. In each of the drawings, the formation portions of the via holes 24A and 24B are indicated by mesh lines.

【0054】一方、セラミックベース2の裏面側におい
ては、その四隅部分にメタライズ層Mが形成されてい
る。これら裏面側のメタライズ層Mは、上記ビアホール
24A,24Bを覆うように形成されたデバイス端子用
のメタライズ層M1,M1と、アース端子用のメタライ
ズ層M2,M2とで成っている。各図では、これらメタ
ライズ層M1,M2の形成部分に斜線を付している。
On the other hand, on the back side of the ceramic base 2, metallized layers M are formed at four corners thereof. These metallization layers M on the back surface are composed of metallization layers M1 and M1 for device terminals formed so as to cover the via holes 24A and 24B, and metallization layers M2 and M2 for ground terminals. In each figure, the formation portions of these metallized layers M1 and M2 are hatched.

【0055】そして、薄膜成形工程では、セラミックベ
ース2の表面側において各ビアホール24A,24Bを
含む表面略全体に金属薄膜のメッキ層Pが形成され、パ
ターニング工程において、図9(a)に示すように、フ
ォトリソグラフィ工法によるシールパターンSP及び素
子実装部パターンCPのパターニングが行われることに
なる。
Then, in the thin film forming step, a plating layer P of a metal thin film is formed on substantially the entire surface including the via holes 24A and 24B on the surface side of the ceramic base 2, and in the patterning step, as shown in FIG. Next, patterning of the seal pattern SP and the element mounting portion pattern CP by the photolithography method is performed.

【0056】このように、本例では、メタライズ工程に
おけるメタライズ層Mの成形領域の大きさと薄膜成形工
程におけるメッキ層Pの成形領域の大きさとが互いに異
なっている。特に、本例の構成では、セラミックベース
2の表面側のメタライズ層Mの形成領域を必要最小限に
抑えることができ、メタライズ層Mを構成する材料の使
用量を削減できて低コスト化を図ることができる。
As described above, in this example, the size of the metallized layer M in the metallization step is different from the size of the plated layer P in the thin film forming step. In particular, in the configuration of the present example, the formation area of the metallized layer M on the front surface side of the ceramic base 2 can be minimized, and the amount of material used to form the metallized layer M can be reduced to reduce cost. be able to.

【0057】(パターニング工程及び薄膜成形工程の変
形例)パターニング工程及び薄膜成形工程の変形例とし
て、予め、メタライズ層Mをパターニングしておき、こ
れに対してメッキ層Pを成形することが挙げられる。つ
まり、表面の全面または一部分がメタライズされた焼成
後のセラミックベース2に対して、そのメタライズ層M
にエッチング処理を行って、シールパターン及び素子実
装部パターンの形状に対応したパターニングを行う。そ
の後、このパターニングされたメタライズ層上にニッケ
ルメッキ及び金メッキを施してメッキ層Pを形成する。
これにより、セラミックベース2の表面に所定形状のシ
ールパターン及び素子実装部パターンが形成される。
(Modification of Patterning Step and Thin Film Forming Step) As a modification of the patterning step and thin film forming step, a metallized layer M is patterned in advance, and a plating layer P is formed thereon. . That is, the metallized layer M is applied to the fired ceramic base 2 having the entire surface or a part of the surface metallized.
Then, patterning corresponding to the shapes of the seal pattern and the element mounting portion pattern is performed. Thereafter, nickel plating and gold plating are performed on the patterned metallized layer to form a plated layer P.
As a result, a seal pattern having a predetermined shape and an element mounting portion pattern are formed on the surface of the ceramic base 2.

【0058】本例によれば、メッキ層Pに対するフォト
リソグラフィ工法によるパターニング処理が不要にな
り、セラミックベース2の製造工程の簡素化を図ること
ができる。
According to this embodiment, the patterning process for the plating layer P by the photolithography method is not required, and the manufacturing process of the ceramic base 2 can be simplified.

【0059】−その他の実施形態− 尚、本発明は、上記構成の水晶振動子1に限らず、その
他の構成の水晶振動子(音叉型など)や、水晶に代えて
ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどを使用した
圧電振動子や、その他種々の電子部品に適用可能であ
る。
-Other Embodiments- The present invention is not limited to the quartz oscillator 1 having the above-described structure, but may have other structures such as a quartz oscillator (tuning fork type) or lithium niobate or tantalum acid instead of quartz. The present invention is applicable to a piezoelectric vibrator using lithium or the like and various other electronic components.

【0060】また、上記キャップ5をセラミックベース
2に半田付けする際、半田の再溶融処理を行って、脱ガ
スを行わせるようにしてもよい。
When the cap 5 is soldered to the ceramic base 2, the solder may be re-melted to perform degassing.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上のように、本発明では、素子実装パ
ターンなどのパターニングを行う前段階でセラミックベ
ースを焼成しておき、これによってパターニング後にセ
ラミックベースの収縮が起こらないようにしている。こ
のため、パターニング後にベースが収縮することがなく
なり、パターニングの位置精度を高く確保することがで
きる。その結果、パターニング位置に対する素子等の取
付位置関係が適切に設定でき、パターン幅寸法やパター
ン同士の間の間隔寸法を小さく設定することが可能にな
るため、ベースを小型化でき、それに伴って電子部品の
小型化及び低コスト化を図ることができる。
As described above, in the present invention, the ceramic base is baked before the patterning of the element mounting pattern or the like is performed, thereby preventing the ceramic base from shrinking after the patterning. For this reason, the base does not shrink after patterning, and high positional accuracy of patterning can be ensured. As a result, it is possible to appropriately set the relationship of the mounting position of the element or the like with respect to the patterning position, and it is possible to set the pattern width dimension and the interval dimension between the patterns to be small. The size and cost of parts can be reduced.

【0062】また、ベースのメタライズ表面にニッケル
メッキが行われた後、ニッケルメッキ層の表面に金メッ
キを施すようにした場合には、薄膜の下側の層を酸化物
を生成しやすい層とすることができ、メタライズ層に対
する薄膜の密着性が良好に得られ、ベースの品質の向上
を図ることができる。
In the case where gold plating is performed on the surface of the nickel plating layer after nickel plating is performed on the metallized surface of the base, the lower layer of the thin film is a layer that easily generates oxide. Thus, good adhesion of the thin film to the metallized layer can be obtained, and the quality of the base can be improved.

【0063】更に、ベースの表裏面の電極を導通させる
ためのビアホールの形成部分のみをメタライズ領域とし
た場合には、メタライズ層の形成領域を必要最小限に抑
えることができ、メタライズ層を構成する材料の使用量
の削減に伴う低コスト化を図ることができて、電子部品
の実用性の向上を図ることができる。
Furthermore, when only the formation portion of the via hole for conducting the electrodes on the front and back surfaces of the base is used as the metallized region, the formation region of the metallized layer can be suppressed to a necessary minimum and the metallized layer is formed. The cost can be reduced due to the reduction in the amount of material used, and the practicality of the electronic component can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態に係る水晶振動子の概略を示す分解斜
視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view schematically showing a crystal resonator according to an embodiment.

【図2】セラミックベースの成形工程を示す図である。FIG. 2 is a view showing a forming process of a ceramic base.

【図3】(a)はプレス加工されたキャップのセラミッ
クベースに対する接合箇所を示し、(b)は絞り加工さ
れたキャップのセラミックベースに対する接合箇所を示
す断面図である。
FIG. 3A is a cross-sectional view illustrating a joint portion of a pressed cap to a ceramic base, and FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a joint portion of a drawn cap to a ceramic base.

【図4】キャップの変形例を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a modification of the cap.

【図5】多数個取りの第1の製法を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a first multi-cavity manufacturing method.

【図6】多数個取りの第2の製法を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a second multi-cavity manufacturing method.

【図7】多数個取りの第3の製法を示す図である。FIG. 7 is a view showing a third multi-cavity manufacturing method.

【図8】メタライズ層及びメッキ層の変形例における焼
成工程後のセラミックベースを示し、(a)は平面図、
(b)は裏面図、(c)は(a)におけるA−A線に沿
った断面図である。
FIG. 8 shows a ceramic base after a firing step in a modification of the metallization layer and the plating layer, wherein (a) is a plan view,
(B) is a rear view, and (c) is a cross-sectional view along the line AA in (a).

【図9】メタライズ層及びメッキ層の変形例におけるパ
ターニング工程後のセラミックベースを示し、(a)は
平面図、(b)は裏面図、(c)は(a)におけるB−
B線に沿った断面図である。
9A and 9B show a ceramic base after a patterning step in a modification of the metallization layer and the plating layer, wherein FIG. 9A is a plan view, FIG. 9B is a rear view, and FIG.
It is sectional drawing which followed the B line.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 水晶振動子(電子部品) 2 セラミックベース(セラミック体) 2A シート状セラミック素材(セラミックシート
体) 24A,24B ビアホール 4 水晶板(素子)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Quartz crystal oscillator (electronic component) 2 Ceramic base (ceramic body) 2A Sheet-shaped ceramic material (ceramic sheet body) 24A, 24B Via hole 4 Quartz plate (element)

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 素子が搭載されるセラミックス製の電子
部品用ベースにおいて、 表面の全面または一部分がメタライズされた焼成後のセ
ラミック体に対し、その表面の全面に導電性金属の薄膜
を成形し、これらメタライズ層及び薄膜層をパターニン
グすることにより所定形状の素子実装パターンが形成さ
れていることを特徴とする電子部品用ベース。
1. A ceramic electronic component base on which an element is mounted, wherein a fired ceramic body having the entire surface or a part thereof metallized is formed with a conductive metal thin film on the entire surface thereof. An electronic component base, wherein an element mounting pattern having a predetermined shape is formed by patterning the metallized layer and the thin film layer.
【請求項2】 素子が搭載されるセラミックス製の電子
部品用ベースにおいて、 表面の全面または一部分がメタライズされた焼成後のセ
ラミック体に対し、そのメタライズ層に所定のパターニ
ングを行い、このパターニングされたメタライズ層上の
みに導電性金属の薄膜を成形することにより所定形状の
素子実装パターンが形成されていることを特徴とする電
子部品用ベース。
2. In a ceramic electronic component base on which an element is mounted, a predetermined patterning is performed on a metallized layer of a fired ceramic body whose entire surface or a part of the surface is metallized, and An electronic component base, wherein an element mounting pattern having a predetermined shape is formed by forming a thin film of a conductive metal only on a metallized layer.
【請求項3】 素子が搭載されるセラミックス製の電子
部品用ベースにおいて、 表面の一部分がメタライズされた焼成後のセラミック体
に対し、その表面の全面に導電性金属の薄膜を成形し、
この薄膜層をパターニングすることにより所定形状の素
子実装パターンが形成されていることを特徴とする電子
部品用ベース。
3. A ceramic electronic component base on which an element is mounted, wherein a fired ceramic body having a part of its surface metallized is formed by forming a conductive metal thin film on the entire surface of the fired ceramic body.
An electronic component base, wherein an element mounting pattern having a predetermined shape is formed by patterning the thin film layer.
【請求項4】 素子が搭載されるセラミックス製の電子
部品用ベースにおいて、 表裏面に亘って形成されたビアホールを備えた焼成後の
セラミック体に対し、その表面におけるビアホールを含
む領域に導電性金属の薄膜を成形し、この薄膜層をパタ
ーニングすることにより所定形状の素子実装パターンが
形成されていることを特徴とする電子部品用ベース。
4. A ceramic electronic component base on which an element is mounted, wherein a fired ceramic body having a via hole formed over the front and back surfaces has a conductive metal in a region including the via hole on the surface. An electronic component base, wherein an element mounting pattern having a predetermined shape is formed by forming a thin film of the above and patterning the thin film layer.
【請求項5】 上記請求項1〜4のうち何れか一つに記
載のベース上に素子が搭載されて構成されていることを
特徴とする電子部品。
5. An electronic component comprising an element mounted on the base according to any one of claims 1 to 4.
【請求項6】 セラミックベース上に素子が搭載されて
成る電子部品の製造方法において、 表面の全面または一部分がメタライズされた焼成後のセ
ラミック体に対し、その表面の全面に導電性金属の薄膜
を成形する薄膜成形工程と、 メタライズ層及び薄膜層をパターニングして所定形状の
素子実装パターンを形成するパターニング工程と、 上記素子実装パターンに対応させて素子を搭載する素子
搭載工程とを備えていることを特徴とする電子部品の製
造方法。
6. A method for manufacturing an electronic component comprising an element mounted on a ceramic base, wherein a fired ceramic body having the entire surface or a part thereof metallized is coated with a conductive metal thin film over the entire surface. A thin film forming step of forming; a patterning step of patterning a metallized layer and a thin film layer to form an element mounting pattern of a predetermined shape; and an element mounting step of mounting an element corresponding to the element mounting pattern. A method for manufacturing an electronic component, comprising:
【請求項7】 セラミックベース上に素子が搭載されて
成る電子部品の製造方法において、 表面の全面または一部分がメタライズされた焼成後のセ
ラミック体に対し、そのメタライズ層をパターニングす
るパターニング工程と、 このパターニング工程においてパターニングされたメタ
ライズ層上のみに導電性金属の薄膜を成形して所定形状
の素子実装パターンを形成する薄膜成形工程と、 上記素子実装パターンに対応させて素子を搭載する素子
搭載工程とを備えていることを特徴とする電子部品の製
造方法。
7. A method of manufacturing an electronic component comprising an element mounted on a ceramic base, wherein a patterning step of patterning a metallized layer on a fired ceramic body having the entire surface or a part thereof metallized; A thin film forming step of forming a conductive metal thin film only on the metallized layer patterned in the patterning step to form an element mounting pattern of a predetermined shape; and an element mounting step of mounting an element corresponding to the element mounting pattern. A method for manufacturing an electronic component, comprising:
【請求項8】 請求項7記載の電子部品の製造方法にお
いて、 パターニング工程の前に、 セラミックパウダにより成形されたセラミックシート体
の表面をメタライズするメタライズ工程と、 このメタライズされたセラミックシート体を焼成してセ
ラミック体を成形する焼成工程とを行うことを特徴とす
る電子部品の製造方法。
8. The method for manufacturing an electronic component according to claim 7, wherein before the patterning step, a metallizing step of metallizing a surface of the ceramic sheet body formed by ceramic powder, and firing the metallized ceramic sheet body And performing a firing step of forming a ceramic body by heating.
【請求項9】 セラミックベース上に素子が搭載されて
成る電子部品の製造方法において、 表面の一部分がメタライズされた焼成後のセラミック体
に対し、その表面の全面に導電性金属の薄膜を成形する
薄膜成形工程と、 薄膜層をパターニングして所定形状の素子実装パターン
を形成するパターニング工程と、 上記素子実装パターンに対応させて素子を搭載する素子
搭載工程とを備えていることを特徴とする電子部品の製
造方法。
9. A method for manufacturing an electronic component comprising an element mounted on a ceramic base, wherein a thin film of a conductive metal is formed on the entire surface of the fired ceramic body having a part of its surface metallized. An electronic device comprising: a thin film forming step; a patterning step of patterning a thin film layer to form an element mounting pattern having a predetermined shape; and an element mounting step of mounting an element corresponding to the element mounting pattern. The method of manufacturing the part.
【請求項10】 セラミックベース上に素子が搭載され
て成る電子部品の製造方法において、 表裏面に亘って形成されたビアホールを備えた焼成後の
セラミック体に対し、その表面におけるビアホールを含
む領域に導電性金属の薄膜を成形する薄膜成形工程と、 薄膜層をパターニングして所定形状の素子実装パターン
を形成するパターニング工程と、 上記素子実装パターンに対応させて素子を搭載する素子
搭載工程とを備えていることを特徴とする電子部品の製
造方法。
10. A method of manufacturing an electronic component comprising an element mounted on a ceramic base, wherein a fired ceramic body having a via hole formed over the front and back surfaces is provided in a region including the via hole on the front surface. A thin film forming step of forming a conductive metal thin film; a patterning step of patterning the thin film layer to form an element mounting pattern having a predetermined shape; and an element mounting step of mounting an element corresponding to the element mounting pattern. A method of manufacturing an electronic component.
【請求項11】 請求項6、9または10記載の電子部
品の製造方法において、 薄膜成形工程の前に、 セラミックパウダにより成形されたセラミックシート体
の表面をメタライズするメタライズ工程と、 このメタライズされたセラミックシート体を焼成してセ
ラミック体を成形する焼成工程とを行うことを特徴とす
る電子部品の製造方法。
11. The method for manufacturing an electronic component according to claim 6, wherein before the thin film forming step, a metallizing step of metallizing a surface of the ceramic sheet body formed by the ceramic powder; And baking a ceramic sheet to form a ceramic body.
【請求項12】 請求項6〜11のうち何れか一つに記
載の電子部品の製造方法において、 薄膜成形工程では、メタライズ表面にニッケルメッキが
行われた後、そのニッケルメッキ層の表面に金メッキが
施されることを特徴とする電子部品の製造方法。
12. The method for manufacturing an electronic component according to claim 6, wherein in the thin film forming step, after nickel plating is performed on the metallized surface, gold plating is performed on the surface of the nickel plating layer. A method of manufacturing an electronic component, wherein the method is performed.
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