JP2002092985A

JP2002092985A - 光ディスク成形用スタンパおよびそのスタンパを製造するための基板

Info

Publication number: JP2002092985A
Application number: JP2000283062A
Authority: JP
Inventors: Michi Misumi; 美知三角; Hideo Kitamura; 英男北村; Takanori Matsui; 孝憲松井; Akira Mihashi; 章三橋
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2000-09-19
Filing date: 2000-09-19
Publication date: 2002-03-29

Abstract

(57)【要約】【課題】光ディスク成形用スタンパおよびそのスタンパ
を製造するための基板を提供する。【解決手段】Ａｌ：１．５〜６．５％を含有し、さら
に、Ｔｉ：０．５〜７．０％、Ｔａ：０．５〜６．５
％、Ｎｂ：０．５〜３．５％の内の１種または２種以上
を含有し、さらにＣｏ：１．０〜２０．０％を含有し、
残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有するＮ
ｉ基合金またはＮｉ基単結晶合金からなる光ディスク成
形用スタンパ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、各種光ディスクを製
造するためのスタンパおよびそのスタンパを作製するた
めの基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度に情報を蓄積できる光記録
媒体として、光ディスクの製造が盛んに行われている。
これら光ディスクは、表面にランドおよびグルーブが形
成された光ディスク盤の上に追記型媒体、相変化媒体、
もしくは光磁気記録媒体などの記録膜を成膜し、さらに
保護膜を成膜して製造される。情報は光ディスク盤のラ
ンドまたはグルーブのどちらかに記録され、これらラン
ドおよびグルーブを有する光ディスク盤は、通常、熱可
塑性樹脂を微小凹凸の情報信号が形成された金属製母型
（以下、金属スタンパという）をセットした金型内に高
温で注入し、金属スタンパの微小凹凸を熱可塑性樹脂表
面に転写してランドおよびグルーブを形成した後、冷却
し硬化させることにより作製する。前記金属スタンパ
は、従来、電鋳法で作製されていたが、この方法による
金属スタンパの製造には大型の電鋳装置を必要とし、さ
らに大きな電力を得るための配電設備や広いクリーンル
ームを必要とし、さらに、電鋳を行った後、スタンパ内
外周のトリミング、研磨、打抜きなどの後処理工程を必
要とすることなどから製造コストが高くなるという問題
点があった。

【０００３】そこで、近年、金属スタンパは金属基板の
表面にＡｒイオンを照射してエッチングするドライエッ
チング法により製造することが盛んに行われるようにな
ってきた。このＡｒイオンを照射するドライエッチング
法は一般にイオンミリング法と呼ばれており、このイオ
ンミリング法による金属スタンパの製造方法を図１
（ａ）〜（ｆ）の断面図により説明する。まず、図１
（ａ）に示される金属基板１を用意する。この金属基板
１はステンレス鋼（例えばＳＵＳ３０３）またはＮｉの
金属板が用いられている。この金属基板１の上に図１
（ｂ）に示されるようにフォトレジストを塗布してフォ
トレジスト層２を形成する。次に、図１（ｃ）に示され
るようにフォトレジスト層２に情報に対応するレーザ光
（Ａｒレーザ光）を照射してフォトレジスト層２を記録
露光し、露光レジスト層２１および非露光レジスト層２
２からなるフォトレジスト層２を形成する。この記録露
光されたフォトレジスト層２を現像処理して図１（ｄ）
に示されるように非露光レジスト層２２を除去し、金属
基板１の表面に露光レジスト層２１を残して金属基板１
の一部表面を露出させる。かかる一部表面が露出した金
属基板１にＡｒイオンを照射すると、図１（ｅ）に示さ
れるように金属基板１の一部表面が露出した部分がエッ
チングされて凹部３が形成され、その後、露光レジスト
層２１を除去することにより図１（ｆ）に示されるよう
な凸部４および凹部３を有する金属スタンパ５が作られ
る。前記金属基板１にＡｒイオン照射してエッチングす
ることにより凹部を形成したりカッティングしたりする
ことを一般にイオンミリングと称している。

【０００４】前記金属基板１として、ステンレス鋼（例
えばＳＵＳ３０３）またはＮｉの金属板が用いられてい
るが、ステンレス板で作製した金属スタンパは、ステン
レスの熱膨脹係数が大きいために、Ａｒイオンを照射し
てイオンミリングを行うと、ステンレス板が加熱されて
大きく膨脹し、そのため正確な寸法の凹部および凸部を
形成することができないという欠点があった。したがっ
て、現在ではステンレス板よりも熱膨張係数の小さいＮ
ｉ板で作製した金属スタンパが多く用いられている。

【０００５】このＮｉ板で作製した金属スタンパは、一
層のコスト低減のために厚さを一層薄くしているが、金
属スタンパの厚さが薄くなるにつれて人手によるハンド
リングが難しくなり、金属スタンパの加工、移送、装填
などの操作を人手で行うと、金属スタンパを変形させて
しまうことがある。そのために金属スタンパの加工、移
送、装填などの操作は磁石でチャッキングしながら行わ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年、光ディスクに蓄
積される情報はますます高密度化すると共に正確さを要
求され、また一方で光ディスクの製造コストの削減が求
められている。このため光ディスク盤のランドやグルー
ブの形状を一層精密に形成すると共に、一枚の金属スタ
ンパで一層多くの光ディスクを射出成形することが求め
られている。かかる要求に対して、Ｎｉは熱膨脹係数が
比較的小さいところから、Ｎｉ板で作製した金属スタン
パは正確な寸法の凹部および凸部が形成されるが、Ｎｉ
は一般に硬さが低く、加工または熱処理しても十分に硬
度を高めることができないところから、Ｎｉ板で作製し
た金属スタンパを用いて光ディスク盤を射出成形する
と、光ディスク盤の製造枚数が増加するにつれて金属ス
タンパの凹部および凸部の端部が摩耗し、光ディスク盤
に形成されるランドおよびグルーブの精度が低下する。
そのため、Ｎｉ板で作製した金属スタンパを用いて光デ
ィスク盤を射出成形できる枚数は５万枚が限度であると
いわれており、Ｎｉ板で作製した１枚の金属スタンパを
用いてそれ以上に光ディスク盤の作製枚数を増やすこと
ができないためにコスト高となる欠点があった。

【０００７】

【課題を解決する手段】そこで、本発明者らは、従来の
Ｎｉ板から作製した金属スタンパよりも一層多数枚の光
ディスク盤を射出成形することができる金属スタンパを
得るべく鋭意研究を行った結果、（ａ）Ｎｉに質量％で
（以下、％は質量％を示す）Ａｌ：１．５〜６．５％添
加し、さらにＴｉ：０．５〜７．０％、Ｔａ：０．５〜
６．５％、Ｎｂ：０．５〜３．５％の内の１種または２
種以上を含有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からな
る組成を有するＮｉ基合金からなる光ディスク成形用ス
タンパは、塑性加工および熱処理により硬度を高くする
ことができ、熱膨脹係数もＮｉとほぼ同じ程度に低く、
さらに離型性も良くなるところから、このＮｉ基合金板
で作製した金属スタンパを用いて光ディスク盤を作製す
ると、従来のＮｉ板から作製した金属スタンパよりも一
層多くの光ディスク盤を射出成形することができる、
（ｂ）しかし、前記ＮｉにＡｌ：１．５〜６．５％添加
し、さらにＴｉ：０．５〜７．０％、Ｔａ：０．５〜
６．５％、Ｎｂ：０．５〜３．５％の内の１種または２
種以上を添加したＮｉ基合金は磁気特性が低下して磁石
によるチャッキング操作が難しくなるところから、これ
にさらにＣｏ：１．０〜２０．０％を含有させて磁気特
性を回復させ、それによって磁石によるチャッキング操
作を可能とし、ハンドリングしやすくすることが好まし
い、などの知見を得たのである。

【０００８】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、（１）Ａｌ：１．５〜６．５％を含有
し、さらにＴｉ：０．５〜７．０％、Ｔａ：０．５〜
６．５％、Ｎｂ：０．５〜３．５％の内の１種または２
種以上を含有し、さらにＣｏ：１．０〜２０．０％を含
有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有
するＮｉ基合金からなる光ディスク成形用スタンパ、に
特徴を有するものである。

【０００９】金属スタンパに一層正確な寸法の凹部およ
び凸部を形成するには、前記(１)記載の組成を有するＮ
ｉ基合金を単結晶組織とすることが好ましい。したがっ
て、この発明は、（２）Ａｌ：１．５〜６．５％を含有
し、さらにＴｉ：０．５〜７．０％、Ｔａ：０．５〜
６．５％、Ｎｂ：０．５〜３．５％の内の１種または２
種以上を含有し、さらにＣｏ：１．０〜２０．０％を含
有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組成、並
びに単結晶組織を有するＮｉ基単結晶合金からなる光デ
ィスク成形用スタンパ、に特徴を有するものである。

【００１０】前記（１）または（２）記載の光ディスク
成形用スタンパは、Ａｌ：１．５〜６．５％を含有し、
さらにＴｉ：０．５〜７．０％、Ｔａ：０．５〜６．５
％、Ｎｂ：０．５〜３．５％の内の１種または２種以上
を含有し、さらにＣｏ：１．０〜２０．０％を含有し、
残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有するＮ
ｉ基合金板またはＮｉ基単結晶合金板から作られる。し
たがって、この発明は、前記（１）記載の組成を有する
Ｎｉ基合金板および前記（２）記載の組成を有するＮｉ
基単結晶合金板をも含むものであるから、この発明は、
（３）前記（１）記載のＮｉ基合金からなるスタンパ製
造用基板、（４）前記（２）記載のＮｉ基単結晶合金か
らなるスタンパ製造用基板、に特徴を有するものであ
る。

【００１１】この発明のＮｉ基単結晶合金からなる光デ
ィスク成形用スタンパは、Ｎｉ基単結晶合金からなる基
板から作られるが、前記Ｎｉ基単結晶合金からなる基板
の製造方法の一例を以下に説明する。

【００１２】まず、図２の断面図に示されるように、底
部に貫通するくの字または螺旋状に方向変化する湯道
（セパレータともという）９を有する鋳型１０を用意
し、この鋳型１０を冷却板１１の上に載置し、鋳型１０
にＮｉ基合金の溶湯を注入する。注入された溶湯は冷却
板１１に接する部分から凝固し、前記くの字または螺旋
状に方向変化した湯道９によって凝固方向が選別され、
上方向に向かって凝固し、一方向凝固法によるＮｉ基単
結晶合金インゴットが得られる。

【００１３】このようにして得られたＮｉ基単結晶合金
インゴットを図３の斜視図に示す。図３において、６は
一方向凝固法により製造したＮｉ基単結晶合金インゴッ
ト、７はスライス線でありスライス線は点線で示されて
いる。８はＮｉ基単結晶合金インゴット６をスライス線
７に沿ってスライスして得られたＮｉ基単結晶合金板で
ある。このＮｉ基単結晶合金板８を所定の寸法に切断し
て基板を作製し、これを図１に示される金属基板１とし
て使用し、通常の方法により光ディスク成形用スタンパ
５を作製する。

【００１４】前記一方向凝固法により製造したＮｉ基単
結晶合金インゴット６をスライス線７に沿ってスライス
する場合、スライスの角度は結晶の成長方向に対して特
に限定されるものではないが、結晶の成長方向に対して
直角となるようにスライスすることが最も好ましく、し
たがって、結晶の成長方向に対して直角となるようにス
ライスして得られたＮｉ基単結晶合金板から作製した光
ディスク成形用スタンパが最も好ましい。

【００１５】次に、この発明のＮｉ基合金またはＮｉ基
単結晶合金からなる光ディスク成形用スタンパおよびそ
のスタンパを製造するための基板の合金組成における各
元素の限定理由について詳述する。

【００１６】ＡｌＡｌは、熱処理によりＮｉ合金素地中に非常に微細な析
出物を均一に分散することにより硬さを増加させること
ができ、さらに樹脂の型離れを良くする作用があるので
含有させるが、その含有量が１．５％未満では不十分で
あり、一方、６．５％を越えて添加すると加工性が低下
するので好ましくない。したがって、Ａｌの含有量は
１．５〜６．５％に定めた。Ａｌ含有量の一層好ましい
範囲は３．５〜５．０％である。

【００１７】ＴｉＴｉは、熱処理によりＮｉ合金素地中にＮｉおよびＡｌ
と結合した非常に微細な析出物を均一に分散させること
により硬度を増加させる作用を有するので含有させる
が、その含有量が０．５％未満では不十分であり、一
方、７．０％を越えて添加すると加工性が低下するので
好ましくない。したがって、Ｔｉの含有量は０．５〜
７．０％に定めた。Ｔｉ含有量の一層好ましい範囲は
１．０〜５．０％である。

【００１８】ＴａＴａは、熱処理によりＮｉ合金素地中にＮｉおよびＡｌ
と結合した非常に微細な析出物を均一に分散させること
により硬度を増加させる作用を有するので含有させる
が、その含有量が０．５％未満では不十分であり、一
方、６．５％を越えて添加すると加工性が低下するので
好ましくない。したがって、Ｔａの含有量は０．５〜
６．５％に定めた。Ｔａ含有量の一層好ましい範囲は
１．０〜５．５％である。

【００１９】ＮｂＮｂは、熱処理によりＮｉ合金素地中にＮｉおよびＡｌ
と結合した非常に微細な析出物を均一に分散させること
により硬度を増加させる作用を有するので含有させる
が、その含有量が０．５％未満では不十分であり、一
方、３．５％を越えて添加すると加工性が低下するので
好ましくない。したがって、Ｎｂの含有量は０．５〜
３．５％に定めた。Ｎｂ含有量の一層好ましい範囲は
１．０〜３．０％である。

【００２０】ＣｏＣｏは、Ａｌ、さらにＴｉ、Ｔａ、Ｎｂなどを添加する
ことにより低下したＮｉ基合金の磁性を向上させるため
に添加するが、その含有量が１．０％未満では所望の効
果が得られないので好ましくなく、一方、２０％を越えて
添加すると加工性が低下すると共に、コストも上がるの
で好ましくない。したがって、Ｃｏ：１．０〜２０．０
％に定めた。Ｃｏ含有量の一層好ましい範囲は３．０〜
１０．０％である。

【００２１】なお、この発明の光ディスク成形用スタン
パを構成するＮｉ基合金の不可避不純物は、Ｆｅ：２．
０％未満、Ｃ：０．０１％未満、Ｓ：０．０１％未満で
あることが好ましい。

【００２２】

【発明の実施の形態】実施例１表１〜２に示される成分組成を有するＮｉ基合金を真空
溶解し、得られた溶湯を鋳型に鋳込んで縦：２５０ｍ
ｍ、横：２５０ｍｍ、長さ：２０００ｍｍのインゴット
に鋳造し、得られたインゴットを温度：１２２０℃、５
時間保持の溶体化熱処理した後、さらに温度：１１９０
℃で熱間鍛造し、その後、温度：１１９０℃で熱間圧延
し、さらに常温で冷間圧延することにより厚さ：１ｍｍ
のＮｉ基合金板材に加工した。このＮｉ基合金板材に温
度：１２２０℃、３０分間保持したのち水冷の焼鈍処理
を施し、さらに温度：６２０℃、２時間保持の時効熱処
理を施した。

【００２３】このようにして得られたＮｉ基合金板材か
ら直径：１５０ｍｍ、厚さ：１ｍｍの円板を切りだし、
この円板の表裏両面を両面砥石ラップ盤によりラッピン
グし、その後、表面のみを片面ポリッシング機で研磨
し、Ｒｍａｘ：０．０２μｍ以下の鏡面に仕上げること
により厚さ：０．５ｍｍのスタンパ用基板を作製した。
さらに、厚さ：１ｍｍの純Ｎｉ板から同様にしてＲｍａ
ｘ：０．０２μｍ以下の鏡面に仕上げた厚さ：０．５ｍ
ｍのスタンパ用基板を作製した。

【００２４】これらスタンパ用基板の表面にフォトレジ
スト層を０．４μｍの厚さに均一にコーティングした。
このフォトレジスト層の上から記録すべき情報に対応す
るＡｒレーザービームを照射してフォトレジスト層を露
光し、現像してＡｒレーザービームの照射された領域以
外のフォトレジスト層を除去し、基板表面の一部を露出
させた後、焼き付けを行った。

【００２５】このようにして基板表面の一部が露出しか
つ基板表面に残存フォトレジスト層を有するスタンパ用
基板の上からＡｒイオンを照射し、残存フォトレジスト
層をマスクとしてイオンミリングを行い、スタンパ用基
板の表面に深さ：０．１μｍの凹部を形成したのち、前
記残存フォトレジスト層を除去することにより本発明ス
タンパ１〜２４および従来スタンパ１を製造した。本発
明スタンパ１〜２４は、製造工程のハンドリング上必要
となる十分な磁気特性を有することを確認した。

【００２６】得られた本発明スタンパ１〜２４および従
来スタンパ１を光ディスク盤の射出成形機の金型内にセ
ットし、ポリカーボネート樹脂を射出成形して光ディス
ク盤を１０万枚作製した。最後の１０万枚目に作製した
光ディスク盤の表面にそれぞれ窒化シリコン（Ｓｉ₃ Ｎ
₄ ）誘電体層、ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層、窒化シリコ
ン（Ｓｉ₃ Ｎ₄）誘電体層の順に成膜することにより光
ディスクを作製した。

【００２７】このようにして作製した光ディスクを、波長：８３０ｎｍ、ＮＡ：０．５５、ケラレ係数：０．１、波面収差：０．０３λ（ｒｍｓ値）、偏向状態：直線偏光、の条件でガイド溝に対して平行となる方向のピックアッ
プにより再生し、反射光量信号出力をスペクトラムアナ
ライザーに入力し、ランド部およびグルーブ部のノイズ
レベルの測定し、その結果を表１〜２に示した。

【００２８】

【表１】

【００２９】

【表２】

【００３０】表１〜２に示される結果から、本発明スタ
ンパ１〜２４を用いて作製した１０万枚目の光ディスク
盤にそれぞれ誘電体層および光磁気記録層を塗布した光
ディスクのランド部およびグルーブ部のノイズレベル
は、従来スタンパ１を用いて作製した１０万枚目の光デ
ィスク盤に誘電体層および光磁気記録層を塗布した光デ
ィスクのランド部およびグルーブ部のノイズレベルに比
べて低いところから、表１に示されるＮｉ基合金からな
る本発明スタンパ１〜２４は、純Ｎｉからなる従来スタ
ンパ１よりも格段に多くの光ディスク盤を作製すること
ができることがわかる。

【００３１】実施例２実施例１で作製した表１〜２に示される組成のＮｉ基合
金溶湯を温度：１５５０℃で内径：１５０ｍｍ、外径：
１７０ｍｍ、高さ：２００ｍｍの寸法を有する図２に示
される鋳型１０に鋳造して図３に示される形状の一方向
凝固法により製造したＮｉ基単結晶合金のインゴット６
を作製し、この単結晶純ＮｉおよびＮｉ基合金インゴッ
ト６をスライスして外径：１５０ｍｍ、厚さ：１．０ｍ
ｍの寸法を有するＮｉ基単結晶合金板を作製した。

【００３２】このようにして得られた単結晶Ｎｉ基合金
板の表裏両面を両面砥石ラップ盤によりラッピングし、
その後、表面のみを片面ポリッシング機で研磨し、Ｒｍ
ａｘ：０．０２μｍ以下の鏡面に仕上げることにより厚
さ：０．５ｍｍを有するスタンパ製造用基板を作製し
た。

【００３３】これらスタンパ製造用基板の表面にフォト
レジスト層を０．４μｍの厚さに均一にコーティングし
た。このフォトレジスト層の上から記録すべき情報に対
応するＡｒレーザービームを照射してフォトレジスト層
を露光し、現像してＡｒレーザービームの照射された領
域のフォトレジスト層を除去し、基板表面の一部を露出
させた後、焼き付けを行った。

【００３４】前記基板表面の一部が露出しかつ基板表面
に残存フォトレジスト層を有するスタンパ用基板の上か
らＡｒイオンを照射し、残存フォトレジスト層をマスク
としてイオンミリングを行い、スタンパ用基板の表面に
深さ：０．１μｍの凹部を形成したのち、前記残存フォ
トレジスト層を除去することにより本発明単結晶金属ス
タンパ２５〜４８を製造した。

【００３５】得られた本発明スタンパ２５〜４８を光デ
ィスク盤の射出成形機の金型内にセットし、ポリカーボ
ネート樹脂を射出成形して光ディスク盤を１０万枚作製
した。最後の１０万枚目に作製した光ディスク盤の表面
にそれぞれ窒化シリコン（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）誘電体層、Ｔｂ
ＦｅＣｏ光磁気記録層、窒化シリコン（Ｓｉ₃ Ｎ₄）誘
電体層の順に成膜することにより光ディスクを作製し
た。

【００３６】このようにして作製した光ディスクを、波長：８３０ｎｍ、ＮＡ：０．５５、ケラレ係数：０．１、波面収差：０．０３λ（ｒｍｓ値）、偏向状態：直線偏光、の条件でガイド溝に対して平行となる方向のピックアッ
プにより再生し、反射光量信号出力をスペクトラムアナ
ライザーに入力し、ランド部およびグルーブ部のノイズ
レベルの測定し、その結果を表３〜４に示した。

【００３７】

【表３】

【００３８】

【表４】

【００３９】表３〜４に示される結果から、本発明スタ
ンパ２５〜４８を用いて作製した１０万枚目の光ディス
ク盤にそれぞれ誘電体層および光磁気記録層を塗布した
光ディスクのランド部およびグルーブ部のノイズレベル
は、表２の純Ｎｉからなる従来スタンパ１よりも格段に
多くの光ディスク盤を作製することができることがわか
る。さらに、表３〜４の本発明スタンパ２５〜４８を用
いて作製した１０万枚目の光ディスク盤にそれぞれ誘電
体層および光磁気記録層を塗布した光ディスクのランド
部およびグルーブ部のノイズレベルは、表１〜２の本発
明スタンパ１〜２４を用いて作製した１０万枚目の光デ
ィスク盤に誘電体層および光磁気記録層を塗布した光デ
ィスクのランド部およびグルーブ部のノイズレベルに比
べて低いところから、Ｎｉ基単結晶合金からなる本発明
スタンパ２５〜４８は、Ｎｉ基合金からなる本発明スタ
ンパ１〜２４に比べて優れていることができることがわ
かる。

【００４０】

【発明の効果】上述のように、この発明の光ディスク成
形用スタンパは、正確な寸法のランドおよびグルーブを
有する光ディスク盤を従来よりも大量に製造できるとこ
ろから光ディスク盤の単価を下げることができ、光ディ
スク盤に誘電体層および光磁気記録層を塗布して得られ
る光ディスクのコストを下げることができて光記録媒体
産業の発展に大いに貢献し得るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の金属スタンパの製造方法を説明するため
の断面図である。

【図２】単結晶金属のインゴットを製造するための鋳型
の断面図である。

【図３】単結晶金属のインゴットおよびこれらをスライ
スして得られた板の斜視図である。

【符号の説明】

１金属基板２フォトレジスト層３凹部４凸部５金属スタンパ６Ｎｉ基単結晶合金インゴット７スライス線８Ｎｉ基単結晶合金板９湯道１０鋳型１１冷却板２１露光レジスト層２２非露光レジスト層

フロントページの続き (72)発明者松井孝憲埼玉県大宮市北袋町１−297 三菱マテリアル株式会社総合研究所内 (72)発明者三橋章埼玉県桶川市上日出谷1230 三菱マテリアル株式会社桶川製作所内Ｆターム(参考） 4F202 AA28 AH79 AJ02 CA11 CB01 CD22 CK41 5D121 AA02 CA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】質量％で、Ａｌ：１．５〜６．５％、Ｔ
ｉ：０．５〜７．０％、Ｃｏ：１．０〜２０．０％を含
有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有
するＮｉ基合金からなることを特徴とする光ディスク成
形用スタンパ。
【請求項２】質量％で、Ａｌ：１．５〜６．５％、Ｔ
ａ：０．５〜６．５％、Ｃｏ：１．０〜２０．０％を含
有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有
するＮｉ基合金からなることを特徴とする光ディスク成
形用スタンパ。
【請求項３】質量％で、Ａｌ：１．５〜６．５％、Ｎ
ｂ：０．５〜３．５％、Ｃｏ：１．０〜２０．０％を含
有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有
するＮｉ基合金からなることを特徴とする光ディスク成
形用スタンパ。
【請求項４】質量％で、Ａｌ：１．５〜６．５％、Ｔ
ｉ：０．５〜７．０％、Ｔａ：０．５〜６．５％、Ｃ
ｏ：１．０〜２０．０％を含有し、残部がＮｉおよび不
可避不純物からなる組成を有するＮｉ基合金からなるこ
とを特徴とする光ディスク成形用スタンパ。
【請求項５】質量％で、Ａｌ：１．５〜６．５％、Ｔ
ｉ：０．５〜７．０％、Ｎｂ：０．５〜３．５％、Ｃ
ｏ：１．０〜２０．０％を含有し、残部がＮｉおよび不
可避不純物からなる組成を有するＮｉ基合金からなるこ
とを特徴とする光ディスク成形用スタンパ。
【請求項６】質量％で、Ａｌ：１．５〜６．５％、Ｔ
ａ：０．５〜６．５％、Ｎｂ：０．５〜３．５％、Ｃ
ｏ：１．０〜２０．０％を含有し、残部がＮｉおよび不
可避不純物からなる組成を有するＮｉ基合金からなるこ
とを特徴とする光ディスク成形用スタンパ。
【請求項７】質量％で、Ａｌ：１．５〜６．５％、Ｔ
ｉ：０．５〜７．０％、Ｔａ：０．５〜６．５％、Ｎ
ｂ：０．５〜３．５％、Ｃｏ：１．０〜２０．０％を含
有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有
するＮｉ基合金からなることを特徴とする光ディスク成
形用スタンパ。
【請求項８】請求項１〜７の内のいずれかの請求項に記
載のＮｉ基合金で構成されていることを特徴とするスタ
ンパ製造用基板。
【請求項９】請求項１〜７の内のいずれかの請求項に記
載の組成および単結晶組織を有するＮｉ基単結晶合金か
らなることを特徴とする光ディスク成形用スタンパ。
【請求項１０】請求項９記載のＮｉ基単結晶合金で構成
されていることを特徴とするスタンパ製造用基板。