JP2000348394A - 光ディスク成形用スタンパおよびそのスタンパを製造するための基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ディスク成形用スタンパおよびそのスタン
パを製造するための基板を提供する。 【解決手段】単結晶金属で構成された光ディスク成形用
スタンパおよびそのスタンパを製造するための基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、各種光ディスクを製
造するためのスタンパおよびそのスタンパを製造するた
めの基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度に情報を蓄積できる光記録
媒体として、光ディスクの製造が盛んに行われている。
これら光ディスクは、表面にランドおよびグルーブが形
成された光ディスク盤の上に追記型媒体、相変化媒体、
もしくは光磁気記録媒体などの記録膜を成膜し、さらに
保護膜を成膜して製造される。情報は光ディスク盤のラ
ンドまたはグルーブのどちらかに記録され、これらラン
ドおよびグルーブを有する光ディスク盤は、通常、熱可
塑性樹脂を微小凹凸の情報信号が形成された金属製母型
（以下、金属スタンパという）をセットした金型内に高
温で注入し、金属スタンパの微小凹凸を熱可塑性樹脂表
面に転写してランドおよびグルーブを形成した後、冷却
し硬化させることにより作製する。前記金属スタンパ
は、従来、電鋳法で作製されていたが、この方法による
金属スタンパの製造には大型の電鋳装置を必要とし、さ
らに大きな電力を得るための配電設備や広いクリーンル
ームを必要とし、さらに、電鋳を行った後、スタンパ内
外周のトリミング、研磨、打つ抜きなどの後処理工程を
必要とすることなどから製造コストが高くなるという問
題点があった。

【０００３】そこで、近年、金属スタンパは金属基板の
表面にＡｒイオンを照射してエッチングするドライエッ
チング法により製造することが盛んに行われるようにな
ってきた。このＡｒイオンを照射するドライエッチング
法は一般にイオンミリング法と呼ばれており、このイオ
ンミリング法による金属スタンパの製造方法を図３
（ａ）〜（ｆ）の断面図により説明する。まず、図３
（ａ）に示される金属基板１を用意する。この金属基板
１はステンレス鋼（例えばＳＵＳ３０３）またはＮｉの
金属板が用いられている。この金属基板１の上に図３
（ｂ）に示されるようにフォトレジストを塗布してフォ
トレジスト層２を形成する。次に、図３（ｃ）に示され
るようにフォトレジスト層２に情報に対応するレーザ光
（Ａｒレーザ光）を照射してフォトレジスト層２を記録
露光し、露光レジスト層２１および非露光レジスト層２
２からなるフォトレジスト層２を形成する。この記録露
光されたフォトレジスト層２を現像処理して図３（ｄ）
に示されるように非露光レジスト層２２を除去し、金属
基板１の表面に露光レジスト層２１を残して金属基板１
の一部表面を露出させる。かかる一部表面が露出した金
属基板１にＡｒイオンを照射すると、図３（ｅ）に示さ
れるように金属基板１の一部表面が露出した部分がエッ
チングされて凹部３が形成され、その後、露光レジスト
層２１を除去することにより図３（ｆ）に示されるよう
な凸部４および凹部３を有する金属スタンパ５が作られ
る。前記金属基板１にＡｒイオン照射してエッチングす
ることにより凹部を形成したりカッティングしたりする
ことを一般にイオンミリングと称している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、光ディスクに蓄
積される情報はますます高密度化しており、高密度な情
報が内蔵された光ディスクを作製するには一層微細で精
密なランドおよびグルーブを有する光ディスク盤が必要
となり、この一層微細で精密なランドおよびグルーブを
有する高精度な光ディスク盤を作るには表面に一層微細
で寸法精度の高い凹部および凸部が形成された金属スタ
ンパが必要である。しかし、従来のステンレス板または
Ｎｉ板では十分に精度の高い微細な凹部および凸部を有
する金属スタンパを形成することができないところから
前記要求に十分に対応することができなかった。

【０００５】

【課題を解決する手段】そこで、本発明者らは従来の金
属スタンパよりも一層高精度の凹凸を有する金属スタン
パ得るべく鋭意研究を行った結果、単結晶金属板から作
製した光ディスク成形用スタンパは、通常の圧延金属板
で作製した光ディスク成形用スタンパに比べて精度が優
れている、という知見を得たのである。

【０００６】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、（１）単結晶金属で構成されている光
ディスク成形用スタンパ、に特徴を有するものである。

【０００７】前記光ディスク成形用スタンパを構成する
単結晶金属は、腐食しにくくしかも樹脂の高温射出成形
に対して変形することのない十分な硬度を有し、さらに
熱膨張係数の小さな金属または合金の単結晶であればい
かなる金属または合金の単結晶であっても良いが、耐食
性、熱膨張係数および硬度を考慮すると、純Ｎｉもしく
はＮｉ基合金、純ＣｏもしくはＣｏ基合金、または耐食
性の優れたＦｅ基合金の各単結晶であることが好まし
い。

【０００８】したがって、この発明は、（２）単結晶純
Ｎｉもしくは単結晶Ｎｉ基合金で構成されている光ディ
スク成形用スタンパ、（３）単結晶純Ｃｏもしくは単結
晶Ｃｏ基合金で構成されている光ディスク成形用スタン
パ、（４）耐食性の優れた単結晶Ｆｅ基合金で構成され
ている光ディスク成形用スタンパ、に特徴を有するもの
である。

【０００９】前記単結晶純Ｎｉよりも単結晶Ｎｉ基合金
の方が好ましく、単結晶Ｎｉ基合金の内でも、重量％
で、Ｍｏ：１０．０〜３０．０％を含有し、残部がＮｉ
および不可避不純物からなる組成を有する単結晶Ｎｉ基
合金、Ｍｏ：１０．０〜３０．０％、Ｃｒ：３．０〜２
５．０％を含有し、残部がＮｉおよび不可避不純物から
なる組成を有する単結晶Ｎｉ基合金、Ａｌ：２．５〜
８．０％を含有し、残部がＮｉおよび不可避不純物から
なる組成を有する単結晶Ｎｉ基合金、Ａｌ：２．５〜
８．０％、Ｔｉ：０．５〜５．０％を含有し、残部がＮ
ｉおよび不可避不純物からなる組成を有する単結晶Ｎｉ
基合金は熱膨張係数が小さくしかも硬度を高めることが
できるので一層好ましい、

【００１０】したがって、この発明は、（５）重量％
で、Ｍｏ：１０．０〜３０．０％を含有し、残部がＮｉ
および不可避不純物からなる組成を有する単結晶Ｎｉ基
合金で構成されている光ディスク成形用スタンパ、
（６）重量％で、Ｍｏ：１０．０〜３０．０％、Ｃｒ：
３．０〜２５．０％を含有し、残部がＮｉおよび不可避
不純物からなる組成を有する単結晶Ｎｉ基合金で構成さ
れている光ディスク成形用スタンパ、（７）重量％で、
Ａｌ：２．５〜８．０％を含有し、残部がＮｉおよび不
可避不純物からなる組成を有する単結晶Ｎｉ基合金で構
成されている光ディスク成形用スタンパ、（８）重量％
で、Ａｌ：２．５〜８．０％、Ｔｉ：０．５〜５．０％
を含有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組成
を有する単結晶Ｎｉ基合金で構成されている光ディスク
成形用スタンパ、に特徴を有するものである。

【００１１】単結晶純Ｃｏおよび単結晶Ｃｏ基合金で構
成される光ディスク成形用スタンパは、いずれも優れた
特性を有するが、前記単結晶Ｃｏ基合金の内でも、重量
％でＮｉ：５〜３０％，Ｃｒ：１０〜３０％，Ｗ：３〜
２０％を含有し、残部Ｃｏおよび不可避不純物からなる
組成を有する単結晶Ｃｏ基合金であることが好ましい。
したがって、この発明は、（９）重量％でＮｉ：５〜３
０％，Ｃｒ：１０〜３０％，Ｗ：３〜２０％を含有し、
残部Ｃｏおよび不可避不純物からなる組成を有する単結
晶Ｃｏ基合金で構成されている光ディスク成形用スタン
パ、に特徴を有するものである。

【００１２】光ディスク成形用スタンパの素材として単
結晶純Ｆｅよりも耐食性に優れた単結晶Ｆｅ基合金の方
が好ましく、単結晶Ｆｅ基合金の内でも、重量％でＣ
ｒ：１０〜３５％を含有し、残部Ｆｅおよび不可避不純
物からなる組成を有する単結晶Ｆｅ基合金、Ｃｒ：１０
〜３５％、Ｍｏ：０．２〜１０％を含有し、残部Ｆｅお
よび不可避不純物からなる組成を有する単結晶Ｆｅ基合
金、Ｃｒ：１０〜３５％、Ｎｉ：２〜８％を含有し、残
部Ｆｅおよび不可避不純物からなる組成を有する単結晶
Ｆｅ基合金、Ｃｒ：１０〜３５％、Ｎｉ：２〜８％、Ｍ
ｏ：０．２〜１０％を含有し、残部Ｆｅおよび不可避不
純物からなる組成を有する単結晶Ｆｅ基合金であること
が一層好ましい。

【００１３】したがって、この発明は、（10）重量％で
Ｃｒ：１０〜３５％を含有し、残部Ｆｅおよび不可避不
純物からなる組成を有する単結晶Ｆｅ基合金で構成され
ている光ディスク成形用スタンパ、（11）Ｃｒ：１０〜
３５％、Ｍｏ：０．２〜１０％を含有し、残部Ｆｅおよ
び不可避不純物からなる組成を有する単結晶Ｆｅ基合金
で構成されている光ディスク成形用スタンパ、（12）Ｃ
ｒ：１０〜３５％、Ｎｉ：２〜８％を含有し、残部Ｆｅ
および不可避不純物からなる組成を有する単結晶Ｆｅ基
合金で構成されている光ディスク成形用スタンパ、（1
3）Ｃｒ：１０〜３５％、Ｎｉ：２〜８％、Ｍｏ：０．
２〜１０％を含有し、残部Ｆｅおよび不可避不純物から
なる組成を有する単結晶Ｆｅ基合金で構成されている光
ディスク成形用スタンパ、に特徴を有するものである。

【００１４】この発明の単結晶金属からなる光ディスク
成形用スタンパは、前記（１）〜（13）に記載の単結晶
金属からなる基板から作られ、この発明は、前記基板を
も含むものである。したがって、この発明は、（14）前
記（１）〜（13）の内のいずれかに記載の単結晶金属か
らなるスタンパ製造用基板、に特徴を有するものであ
る。

【００１５】光ディスク成形用スタンパを単結晶金属で
作製すると寸法精度の優れた凹凸を有するスタンパが得
られる理由としてエッチングの方向性が均一になること
が考えられる。次に、この発明の単結晶金属からなる光
ディスク成形用スタンパおよびそのスタンパを製造する
ための基板の合金組成における各元素の限定理由につい
て詳述する。

【００１６】（ａ）Ｎｉ基合金 Ｍｏ Ｍｏは、Ｎｉ素地中に固溶して、熱膨張率を低下させ、
さらに樹脂の型離れを良くする作用があるので含有させ
るが、その含有量が１０．０％未満では不十分であり、
一方、３０．０％を越えて添加すると合金の硬さ分布が
不均一になり、結果としてイオンミリングによるエッチ
ング形状が不均一になるので好ましくない。したがっ
て、Ｍｏの含有量は１０．０〜３０．０％に定めた。Ｍ
ｏ含有量の一層好ましい範囲は、２３．０〜２８．０％
である。

【００１７】Ｃｒ Ｃｒは、Ｍｏ：１０．０〜３０．０％含有のＮｉ基合金
の硬さ分布を一層均一にする作用を有するので、必要に
応じて含有させるが、その含有量が３．０％未満では不
十分であり、一方、２５．０％を越えて添加すると靭性
が低下して樹脂の射出成形時にランド部の角部（端部）
が欠けることがあり、スタンパの形状変化を起こすよう
になるので好ましくない。したがって、Ｃｒの含有量は
３．０〜２５．０％に定めた。

【００１８】Ａｌ Ａｌは、熱処理によりＮｉ基合金素地中に非常に微細な
析出物を均一に分散することにより硬さを増加させるこ
とができ、さらに樹脂の型離れを良くする作用があるの
で含有させるが、その含有量が２．５％未満では不十分
であり、一方、８．０％を越えて添加すると表面を研磨
したときにピーリングと呼ばれる傷が発生しやすくなる
ので好ましくない。したがって、Ａｌの含有量は２．５
〜８．０％に定めた。Ａｌ含有量の一層好ましい範囲は
４．０〜５．０％である。

【００１９】Ｔｉ Ｔｉは、熱処理によりＡｌとの相乗効果でＮｉ基合金素
地中に非常に微細な析出物を均一に分散することにより
硬度を増加させ、さらに射出成形した樹脂の離型性を増
す作用を有するので、必要に応じて含有させるが、その
含有量が０．５％未満では不十分であり、一方、５．０
％を越えて添加すると表面を研磨したときにピーリング
と呼ばれる傷が発生しやすくなるので好ましくない。し
たがって、Ｔｉの含有量は０．５〜５．０％に定めた。

【００２０】（ｂ）Ｃｏ基合金 Ｎｉ Ｎｉは、Ｃｏ基合金素地中に固溶して、熱膨張率を低下
させ、さらにイオンミリング性を良くする作用があるの
で含有させるが、その含有量が５．０％未満では不十分
であり、一方、３０．０％を越えて添加すると硬さが低
下するようになりスタンパの寿命が短くなるので好まし
くない。したがって、Ｎｉの含有量は５．０〜３０．０
％に定めた。Ｎｉ含有量の一層好ましい範囲は、２１．
０〜２３．０％である。

【００２１】Ｃｒ Ｃｒは、Ｃｏ基合金の硬さ分布を一層均一にする作用を
有するので含有させるが、その含有量が１０．０％未満
では不十分であり、一方、３０．０％を越えて添加する
と靭性が低下して樹脂の射出成形時にランド部の角部
（端部）が欠けることがあり、スタンパの形状変化を起
こすようになるので好ましくない。したがって、Ｃｒの
含有量は１０．０〜３０．０％に定めた。Ｃｒ含有量の
一層好ましい範囲は、２１．０〜２３．０％である。

【００２２】Ｗ Ｗは、Ｃｏ基合金素地中に固溶して、熱膨張率を低下さ
せ、さらにイオンミリング時のスタンパの寸法変化を少
なくし、さらに射出成形樹脂の型離れを良くする作用を
有するので含有させるが、その含有量が３．％未満では
不十分であり、一方、２０．０％を越えて添加すると合
金の硬さ分布が不均一になり、結果としてイオンミリン
グによるエッチング形状が不均一になるので好ましくな
い。したがって、Ｗの含有量は３．０〜２０．０％に定
めた。Ｗ含有量の一層好ましい範囲は、１３．０〜１
６．０％である

【００２３】（ｃ）Ｆｅ基合金 Ｃｒ Ｃｒは、Ｆｅ基合金の熱膨張係数を低下させる作用を有
するので添加するが、その含有量が１０．０％未満では
不十分であり、一方、３５．０％を越えて添加すると靭
性が低下して樹脂の射出成形時にランド部の角部（端
部）が欠けることがあり、スタンパの形状変化を起こす
ようになるので好ましくない。したがって、Ｃｒの含有
量は１０．０〜３５．０％に定めた。Ｃｒ含有量の一層
好ましい範囲は、１５．０〜２０．０％である。

【００２４】Ｍｏ Ｍｏは、Ｆｅ基合金素地中に固溶して熱膨張係数を低下
させ、さらに射出成形樹脂の型離れを良くする作用があ
るので必要に応じて含有させるが、その含有量が０．２
％未満では不十分であり、一方、１０．０％を越えて添
加すると靭性が低下して樹脂の射出成形時にランド部の
角部（端部）が欠けることがあり、スタンパの形状変化
を起こすようになるので好ましくない。したがって、Ｍ
ｏの含有量は０．２〜１０．０％に定めた。

【００２５】Ｎｉ Ｎｉは、イオンミリング性を良くする作用があるので必
要に応じて含有させるが、その含有量が２０％未満では
不十分であり、一方８．０％を越えて添加すると熱膨張
係数を大きくする作用があり、スタンパの寸法精度を悪
くするので好ましくない。したがって、Ｎｉの含有量は
５．０〜３０．０％に定めた。

【００２６】この発明の単結晶金属からなる光ディスク
成形用スタンパは、単結晶金属からなる基板から作られ
るが、前記単結晶金属からなる基板の製造方法の一例を
以下に説明する。

【００２７】まず、図２の断面図に示されるように、底
部に貫通するくの字または螺旋状に方向変化する湯道
（セパレータともという）９を有する鋳型１０を用意
し、この鋳型１０を冷却板１１の上に載置し、鋳型１０
に金属（純金属または合金）の溶湯を注入する。注入さ
れた溶湯は冷却板１１に接する部分から凝固し、前記く
の字または螺旋状に方向変化した湯道９によって凝固方
向が選別され、上方向に向かって凝固し、一方向凝固法
による単結晶金属インゴットが得られる。

【００２８】このようにして得られた単結晶金属インゴ
ットを図１の斜視図に示す。図１において、６は一方向
凝固法により製造した単結晶金属インゴット、７はスラ
イス線でありスライス線は点線で示されている。８は単
結晶金属インゴット６をスライス線７に沿ってスライス
して得られた単結晶金属板である。この単結晶金属板８
を所定の寸法に切断して基板を作製し、これを図３に示
される金属基板１として通常の方法により光ディスク成
形用スタンパ５を作製する。

【００２９】前記一方向凝固法により製造した単結晶金
属インゴット６をスライス線７に沿ってスライスする場
合、スライスの角度は結晶の成長方向に対して特に限定
されるものではないが、結晶の成長方向に対して直角と
なるようにスライスすることが最も好ましく、したがっ
て、結晶の成長方向に対して直角となるようにスライス
して得られた単結晶金属板から作製した光ディスク成形
用スタンパが最も好ましい。したがって、この発明は、
（15）一方向凝固法により製造した前記（１）〜（13）
の内のいずれかに記載の単結晶金属で構成されているデ
ィスク成形用スタンパ、（16）一方向凝固法により製造
した前記（１）〜（13）の内のいずれかに記載の単結晶
金属で構成されているスタンパ製造用基板、に特徴を有
するものである。

【００３０】

【発明の実施の形態】実施例１ 表１に示される組成の純ＮｉおよびＮｉ基合金を通常の
真空溶解炉を用いて溶解し、得られた溶湯を温度：１５
５０℃で内径：１５０ｍｍ、外径：１７０ｍｍ、高さ：
２００ｍｍの寸法を有する図２に示される鋳型１０に鋳
造して図１に示される形状の一方向凝固法により製造し
た単結晶純Ｎｉおよび単結晶Ｎｉ基合金のインゴット６
を作製し、この単結晶純ＮｉおよびＮｉ基合金インゴッ
ト６をスライスして外径：１５０ｍｍ、厚さ：１．０ｍ
ｍの寸法を有する単結晶純Ｎｉ板および単結晶Ｎｉ基合
金板を作製した。

【００３１】このようにして得られた単結晶純Ｎｉ板お
よび単結晶Ｎｉ基合金板から直径：１５０ｍｍの円板を
切りだし、この円板の表裏両面を両面砥石ラップ盤によ
りラッピングし、その後、表面のみを片面ポリッシング
機で研磨し、Ｒｍａｘ：０．０２μｍ以下の鏡面に仕上
げることによりスタンパ製造用基板を作製した。

【００３２】これらスタンパ製造用基板の表面にフォト
レジスト層を０．４μｍの厚さに均一にコーティングし
た。このフォトレジスト層の上から記録すべき情報に対
応するＡｒレーザービームを照射してフォトレジスト層
を露光し、現像してＡｒレーザービームの照射された領
域のフォトレジスト層を除去し、基板表面の一部を露出
させた後、焼き付けを行った。

【００３３】前記基板表面の一部が露出しかつ基板表面
に残存フォトレジスト層を有するスタンパ用基板の上か
らＡｒイオンを照射し、残存フォトレジスト層をマスク
としてイオンミリングを行い、スタンパ用基板の表面に
深さ：０．１μｍの凹部を形成したのち、前記残存フォ
トレジスト層を除去することにより本発明単結晶金属ス
タンパ１〜９を製造した。

【００３４】従来例１ 比較のために、実施例１で作製した純Ｎｉ溶湯を温度：
１５６０℃で通常の鋳造法により直径：２５０ｍｍ、高
さ：２０００ｍｍの寸法を有する純Ｎｉインゴットを作
製し、このインゴットを圧延し、圧延して得られた厚
さ：１．０ｍｍの寸法を有する圧延板から直径：１５０
ｍｍの円板を切りだし、この円板の表裏両面を両面砥石
ラップ盤によりラッピングし、その後、表面のみを片面
ポリッシング機で研磨し、Ｒｍａｘ：０．０２μｍ以下
の鏡面に仕上げることによりスタンパ製造用基板を作製
した。このスタンパ製造用基板により実施例１と同様に
して従来スタンパ１を作製した。

【００３５】実施例１で作製した本発明単結晶金属スタ
ンパ１〜９および従来例１で作製した従来スタンパ１を
射出成形機の金型内にセットし、ポリカーボネート樹脂
を射出成形して光ディスク盤を作製した。得られた光デ
ィスク盤の表面にそれぞれ窒化シリコン（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）
誘電体層、ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層、窒化シリコン
（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）誘電体層の順に成膜することにより光デ
ィスクを作製した。

【００３６】このようにして作製した光ディスクを、 波長：８３０ｎｍ、 ＮＡ：０．５５、 ケラレ係数：０．１、 波面収差：０．０３λ（ｒｍｓ値）、 偏向状態：直線偏光、 の条件でガイド溝に対して平行となる方向のピックアッ
プにより再生し、反射光量信号出力をスペクトラムアナ
ライザーに入力し、ランド部およびグルーブ部のノイズ
レベルの測定し、その結果を表１に示した。

【００３７】

【表１】

【００３８】表１に示される結果から、本発明単結晶金
属スタンパ１〜９を用いて作製した光ディスク盤に誘電
体層および光磁気記録層を塗布した光ディスクのランド
部およびグルーブ部のノイズレベルは、純Ｎｉ圧延板製
の従来スタンパ１を用いて作製した光ディスク盤に誘電
体層および光磁気記録層を塗布した光ディスクのランド
部およびグルーブ部のノイズレベルに比べて低いところ
から、本発明単結晶金属スタンパ１〜９は従来スタンパ
１に比べて精度の高い優れた光ディスク盤を製造できる
ことが分かる。

【００３９】実施例２ 表２に示される成分組成の純ＣｏおよびＣｏ基合金を用
意し、これらＣｏ基合金を実施例１と同様にして溶解
し、鋳造して一方向凝固法により製造した単結晶純Ｃｏ
および単結晶Ｃｏ基合金のインゴットを作製し、このイ
ンゴットを実施例１と同様にしてスライスして外径：１
５０ｍｍ、厚さ：１．０ｍｍの寸法を有する単結晶純Ｃ
ｏ板および単結晶Ｃｏ基合金板を作製した。これら単結
晶純Ｃｏ板および単結晶Ｃｏ基合金板から実施例１と同
様にしてスタンパ製造用基板を作製し、このスタンパ製
造用基板から実施例１と同様にして本発明単結晶金属ス
タンパ１０〜１８を作製した。これら本発明単結晶金属
スタンパ１０〜１８を用い、実施例１と同様にして光デ
ィスクを作製し、得られた光ディスクのランド部および
グルーブ部のノイズレベルを前記方法と同じ方法で測定
し、その結果を表２に示した。

【００４０】

【表２】

【００４１】表２の本発明単結晶金属スタンパ１０〜１
８を用いて作製した光ディスク盤に誘電体層および光磁
気記録層を塗布した光ディスクのランド部およびグルー
ブ部のノイズレベルは、表１の従来スタンパ１を用いて
作製した光ディスク盤に誘電体層および光磁気記録層を
塗布した光ディスクのランド部およびグルーブ部のノイ
ズレベルに比べて低いところから、本発明単結晶金属ス
タンパ１０〜１８は従来スタンパ１に比べて精度の高い
優れた光ディスクを作製できることが分かる。

【００４２】実施例３ 表３に示される成分組成のＦｅ基合金を用意し、これら
Ｆｅ基合金を実施例１と同様にして溶解し、鋳造して一
方向凝固法により単結晶Ｆｅ基合金インゴットを作製
し、このインゴットを実施例１と同様にしてスライスし
て外径：１５０ｍｍ、厚さ：１．０ｍｍの寸法を有する
単結晶Ｆｅ基合金板を作製した。これら単結晶Ｆｅ基合
金板から実施例１と同様にしてスタンパ製造用基板を作
製し、このスタンパ製造用基板から実施例１と同様にし
て本発明単結晶金属スタンパ１９〜２７を作製した。こ
れら本発明単結晶金属スタンパ１９〜２７を用い、実施
例１と同様にして光ディスクを作製し、得られた光ディ
スクのランド部およびグルーブ部のノイズレベルを前記
方法と同じ方法で測定し、その結果を表３に示した。

【００４３】

【表３】

【００４４】表３に示される本発明単結晶金属スタンパ
１９〜２７を用いて作製した光ディスクのランド部およ
びグルーブ部のノイズレベルは、表１の従来スタンパ１
を用いて作製した光ディスクのランド部およびグルーブ
部のノイズレベルに比べて低いところから、本発明単結
晶金属スタンパ１９〜２７は従来スタンパ１に比べて精
度の高い優れた光ディスクを作製できることが分かる。

【００４５】

【発明の効果】上述のように、この発明の光ディスク成
形用スタンパは、高精度のランドおよびグルーブを有す
る光ディスクを製造できるところから、光記録媒体産業
の発展に大いに貢献し得るものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】単結晶金属のインゴットおよびこれらをスライ
スして得られた板の斜視図である。

【図２】単結晶金属のインゴットを製造するための鋳型
の断面図である。

【図３】従来の金属スタンパの製造方法を説明するため
の断面図である。

【符号の説明】

１ 金属基板 ２ フォトレジスト層 ３ 凹部 ４ 凸部 ５ 金属スタンパ ６ 単結晶金属インゴット ７ スライス線 ８ 単結晶金属板 ９ 湯道 １０ 鋳型 １１ 冷却板 ２１ 露光レジスト層 ２２ 非露光レジスト層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 博規 埼玉県桶川市上日出谷1230 三菱マテリア ル株式会社桶川製作所内 (72)発明者 加藤 公明 埼玉県桶川市上日出谷1230 三菱マテリア ル株式会社桶川製作所内 (72)発明者 佐々木 尚 埼玉県桶川市上日出谷1230 三菱マテリア ル株式会社桶川製作所内 (72)発明者 渋谷 巧 埼玉県桶川市上日出谷1230 三菱マテリア ル株式会社桶川製作所内 (72)発明者 三橋 章 埼玉県桶川市上日出谷1230 三菱マテリア ル株式会社桶川製作所内 Ｆターム(参考） 5D121 CA07

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】単結晶金属で構成されていることを特徴と
   する光ディスク成形用スタンパ。
2. 【請求項２】一方向凝固法により製造された単結晶金属
   で構成されていることを特徴とする光ディスク成形用ス
   タンパ。
3. 【請求項３】前記単結晶金属は、単結晶純Ｎｉまたは単
   結晶Ｎｉ基合金であることを特徴とする請求項１または
   ２記載の光ディスク成形用スタンパ。
4. 【請求項４】前記単結晶金属は、単結晶純Ｃｏまたは単
   結晶Ｃｏ基合金であることを特徴とする請求項１または
   ２記載の光ディスク成形用スタンパ。
5. 【請求項５】前記単結晶金属は、単結晶Ｆｅ基合金であ
   ることを特徴とする請求項１または２記載の光ディスク
   成形用スタンパ。