JP2002090750A - 配向膜およびその製造方法 - Google Patents
配向膜およびその製造方法Info
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- JP2002090750A JP2002090750A JP2000282915A JP2000282915A JP2002090750A JP 2002090750 A JP2002090750 A JP 2002090750A JP 2000282915 A JP2000282915 A JP 2000282915A JP 2000282915 A JP2000282915 A JP 2000282915A JP 2002090750 A JP2002090750 A JP 2002090750A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】感光性の重合体に直線偏光性または部分偏光性
の光を照射することにより調製された液晶表示用配向膜
および、その製造方法。 【構成】化学式１で表される構造を含む感光性の重合体
を基板上に塗布し製膜する。該膜は、製膜時は等方性で
あるが、紫外線ランプ、電源および、自然光を偏光に変
換する光学素子（例えばグランテーラープリズム）から
なる装置を用い直線偏光性の紫外光を照射すると照射光
の電界振動方向に沿い配置されている感光成分の間のみ
で、選択的に光反応が進み異方性が発現するとともに、
この異方性は照射量により９０度変化する。該異方性の
膜は、液晶分子を膜の異方性に沿って配向させることか
ら、１つのマスクパターンを用いるだけで、画素を分割
して配向制御できる配向膜となる。
の光を照射することにより調製された液晶表示用配向膜
および、その製造方法。 【構成】化学式１で表される構造を含む感光性の重合体
を基板上に塗布し製膜する。該膜は、製膜時は等方性で
あるが、紫外線ランプ、電源および、自然光を偏光に変
換する光学素子（例えばグランテーラープリズム）から
なる装置を用い直線偏光性の紫外光を照射すると照射光
の電界振動方向に沿い配置されている感光成分の間のみ
で、選択的に光反応が進み異方性が発現するとともに、
この異方性は照射量により９０度変化する。該異方性の
膜は、液晶分子を膜の異方性に沿って配向させることか
ら、１つのマスクパターンを用いるだけで、画素を分割
して配向制御できる配向膜となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、感光性の重合体の
膜に、直線偏光性または部分偏光性の光を照射すること
によって、液晶パネルに封入した液晶の配向を促進する
膜を提供し、液晶表示装置の製造方法の改良に役立つも
のである。
膜に、直線偏光性または部分偏光性の光を照射すること
によって、液晶パネルに封入した液晶の配向を促進する
膜を提供し、液晶表示装置の製造方法の改良に役立つも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶パネルに封入した液晶を配向
させるには、図２に示すような、基板（２１）に塗布し
たポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンテ
レフタレートなどの高分子化合物の表面（２２）をナイ
ロンやポリエステル繊維を植毛した布（２４）を巻きつ
けたドラム（２３）で擦り、これら高分子化合物を配向
させるか、表面に極微細な溝を形成する方法、またはそ
れらフィルムを延伸配向させ異方性を付与する方法、更
には、酸化珪素（ＳiＯ）を基板に対して斜めから蒸着
して得られるＳiＯ斜方蒸着膜を利用する方法などによ
り作製された配向膜が利用されてきた。
させるには、図２に示すような、基板（２１）に塗布し
たポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレンテ
レフタレートなどの高分子化合物の表面（２２）をナイ
ロンやポリエステル繊維を植毛した布（２４）を巻きつ
けたドラム（２３）で擦り、これら高分子化合物を配向
させるか、表面に極微細な溝を形成する方法、またはそ
れらフィルムを延伸配向させ異方性を付与する方法、更
には、酸化珪素（ＳiＯ）を基板に対して斜めから蒸着
して得られるＳiＯ斜方蒸着膜を利用する方法などによ
り作製された配向膜が利用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような、高分子化
合物の表面を植毛した布で物理的に擦る方法は、微細な
埃の発生による液晶製造ラインの汚染や静電気による放
電が原因のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子の破壊な
ど、液晶パネルの製造工程において問題となっていた。
また、ＳiＯの斜方蒸着法は、基板上での蒸着角や膜厚
の均一性を保つことが難しいことやプロセスが大掛かり
になってしまうなどの問題点があった。また、これらの
従来法では、同一の基板内における液晶分子の配向は一
定方向のみとなり、同一の基板内に配向方向が異なる領
域を有する膜を作製できなかった。
合物の表面を植毛した布で物理的に擦る方法は、微細な
埃の発生による液晶製造ラインの汚染や静電気による放
電が原因のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子の破壊な
ど、液晶パネルの製造工程において問題となっていた。
また、ＳiＯの斜方蒸着法は、基板上での蒸着角や膜厚
の均一性を保つことが難しいことやプロセスが大掛かり
になってしまうなどの問題点があった。また、これらの
従来法では、同一の基板内における液晶分子の配向は一
定方向のみとなり、同一の基板内に配向方向が異なる領
域を有する膜を作製できなかった。
【０００４】
【課題を解決する手段】前記の問題に鑑み、本発明で
は、側鎖に少なくとも化学式１で表される構造を含み、
主鎖が炭化水素、アクリレート、メタクリレート、マレ
イミド、Ｎ−フェニルマレイミド、シロキサンである化
学式２で表される単位を含有する感光性の重合体であ
り、該単位の単独重合体、または共重合体、更には、ア
ルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルケニルオ
キシ基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基および
それらを弗化した基などを含む単位を少なくとも一つこ
れらに共重合した重合体を用いた配向膜およびその製造
方法を提供する。
は、側鎖に少なくとも化学式１で表される構造を含み、
主鎖が炭化水素、アクリレート、メタクリレート、マレ
イミド、Ｎ−フェニルマレイミド、シロキサンである化
学式２で表される単位を含有する感光性の重合体であ
り、該単位の単独重合体、または共重合体、更には、ア
ルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルケニルオ
キシ基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基および
それらを弗化した基などを含む単位を少なくとも一つこ
れらに共重合した重合体を用いた配向膜およびその製造
方法を提供する。
【化２】 但し、ｎ＝１〜１２、Ｘ＝ｎｏｎｅ、−ＣＯＯ、−ＯＣ
Ｏ−、−Ｎ=Ｎ−、−Ｃ=Ｃ−ｏｒ−Ｃ6Ｈ4−、−Ｒ1〜
−Ｒ8＝−Ｈ、ハロゲン基、またはメトキシ基などのア
ルキルオキシ基、更に−Ｒ9＝メチル基、エチル基など
のアルキル基、またはそれらを弗化した基である。該重
合体は側鎖に感光性基を含み、該重合体の塗布膜に直線
偏光性または部分偏光性の紫外線を照射することによ
り、感光性基の部分が反応し、配向膜を形成し得る。こ
の解決手段によって微細な埃の発生や静電気による放
電、大掛かりなプロセス、一方向のみの配向など、従来
技術の問題点が解決される。
Ｏ−、−Ｎ=Ｎ−、−Ｃ=Ｃ−ｏｒ−Ｃ6Ｈ4−、−Ｒ1〜
−Ｒ8＝−Ｈ、ハロゲン基、またはメトキシ基などのア
ルキルオキシ基、更に−Ｒ9＝メチル基、エチル基など
のアルキル基、またはそれらを弗化した基である。該重
合体は側鎖に感光性基を含み、該重合体の塗布膜に直線
偏光性または部分偏光性の紫外線を照射することによ
り、感光性基の部分が反応し、配向膜を形成し得る。こ
の解決手段によって微細な埃の発生や静電気による放
電、大掛かりなプロセス、一方向のみの配向など、従来
技術の問題点が解決される。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の詳細を説明す
る。前述の単独重合体または共重合体は、液晶性高分子
のメソゲン成分として多用されているビフェニル、ター
フェニル、フェニルベンゾエート、アゾベンゼンなどの
置換基と感光性基からなる構造成分が、炭化水素、アク
リレート、メタクリレート、マレイミド、Ｎ−フェニル
マレイミド、シロキサンなどの主鎖にスペーサーを介し
て結合した液晶性を有する重合体である。また、該重合
体に、液晶性を損なわない程度の低分子を添加すること
や、液晶性を損なうことなく液晶性を示さない共重合モ
ノマーと共重合してもかまわない。該重合体の溶液を基
板上に塗布（スピンコート）した重合体塗布膜を形成す
る。該重合体塗布膜は、製膜時には等方的であるが、該
膜に直線偏光性または部分偏光性の紫外線を照射する
と、照射光の電界振動方向または最も電界振動の強い方
向に沿い配置されている感光性基の光反応が優先的に進
行し、異方性の膜となる。この光反応を進めるには、化
学式１の感光性の部分が反応し得る波長の直線偏光の照
射を要する。この波長は、化学式１で示された−Ｒ1〜
−Ｒ9の種類によっても異なるが、一般に２００−５０
０nmであり、中でも２５０−４５０nmの有効性が高い場
合が多い。
る。前述の単独重合体または共重合体は、液晶性高分子
のメソゲン成分として多用されているビフェニル、ター
フェニル、フェニルベンゾエート、アゾベンゼンなどの
置換基と感光性基からなる構造成分が、炭化水素、アク
リレート、メタクリレート、マレイミド、Ｎ−フェニル
マレイミド、シロキサンなどの主鎖にスペーサーを介し
て結合した液晶性を有する重合体である。また、該重合
体に、液晶性を損なわない程度の低分子を添加すること
や、液晶性を損なうことなく液晶性を示さない共重合モ
ノマーと共重合してもかまわない。該重合体の溶液を基
板上に塗布（スピンコート）した重合体塗布膜を形成す
る。該重合体塗布膜は、製膜時には等方的であるが、該
膜に直線偏光性または部分偏光性の紫外線を照射する
と、照射光の電界振動方向または最も電界振動の強い方
向に沿い配置されている感光性基の光反応が優先的に進
行し、異方性の膜となる。この光反応を進めるには、化
学式１の感光性の部分が反応し得る波長の直線偏光の照
射を要する。この波長は、化学式１で示された−Ｒ1〜
−Ｒ9の種類によっても異なるが、一般に２００−５０
０nmであり、中でも２５０−４５０nmの有効性が高い場
合が多い。
【０００６】この直線偏光性または部分偏光性の光を照
射することにより発現する膜の異方性は、照射する直線
偏光性または部分偏光性の光の照射エネルギが低い場合
と高い場合では異方性の発現する方向が９０度変化する
ことが実験的に確認されている。化学式２において、ｎ
＝６、Ｘ＝−ＣＯＯ、−Ｒ1〜−Ｒ8＝−Ｈ、−Ｒ9＝メ
チル基、主鎖がメタクリレートである重合体を用いた場
合、照射する直線偏光の照射エネルギを１５０ｍＪ／ｃ
ｍ2とし、照射後１３０℃で５分間熱処理すると、図３
に示すように照射した直線偏光の電界振動と平行方向と
垂直方向で紫外光域の吸光度に差が生じる。照射した直
線偏光の電界振動と平行方向の２７５ｎｍにおける吸光
度をＡ//、垂直方向の２７５ｎｍにおける吸光度をＡ⊥
とすると、二色比ＤＲ〔＝（Ａ//−Ａ⊥）／（Ａ//＋Ａ
⊥）〕は−０．４７と求められ、Ａ⊥＞Ａ//となること
が確認された。これに対し、照射する直線偏光の照射エ
ネルギを５００ｍＪ／ｃｍ2まで増加し、照射後１３０
℃で５分間熱処理すると、図４に示すように照射した直
線偏光の電界振動と平行な方向と垂直な方向で紫外光域
の吸光度に差が生じ、そのときの２７５ｎｍにおける二
色比ＤＲは０．４９と求められ、Ａ⊥＜Ａ//となること
が確認された。このように本発明の感光性化合物では照
射した直線偏光の照射エネルギにより膜の異方性が９０
度変化することが確認されている。異方性の膜に、液晶
分子が接触した場合、液晶分子は膜との相互作用によ
り、一定方向に配向するようになる。本発明の感光性化
合物でも、このような液晶配向性が確認されており、膜
の異方性が直線偏光の照射エネルギにより９０度変化す
るのに合わせて、液晶配向方向も直線偏光の照射エネル
ギにより９０度変化することが確認されている。
射することにより発現する膜の異方性は、照射する直線
偏光性または部分偏光性の光の照射エネルギが低い場合
と高い場合では異方性の発現する方向が９０度変化する
ことが実験的に確認されている。化学式２において、ｎ
＝６、Ｘ＝−ＣＯＯ、−Ｒ1〜−Ｒ8＝−Ｈ、−Ｒ9＝メ
チル基、主鎖がメタクリレートである重合体を用いた場
合、照射する直線偏光の照射エネルギを１５０ｍＪ／ｃ
ｍ2とし、照射後１３０℃で５分間熱処理すると、図３
に示すように照射した直線偏光の電界振動と平行方向と
垂直方向で紫外光域の吸光度に差が生じる。照射した直
線偏光の電界振動と平行方向の２７５ｎｍにおける吸光
度をＡ//、垂直方向の２７５ｎｍにおける吸光度をＡ⊥
とすると、二色比ＤＲ〔＝（Ａ//−Ａ⊥）／（Ａ//＋Ａ
⊥）〕は−０．４７と求められ、Ａ⊥＞Ａ//となること
が確認された。これに対し、照射する直線偏光の照射エ
ネルギを５００ｍＪ／ｃｍ2まで増加し、照射後１３０
℃で５分間熱処理すると、図４に示すように照射した直
線偏光の電界振動と平行な方向と垂直な方向で紫外光域
の吸光度に差が生じ、そのときの２７５ｎｍにおける二
色比ＤＲは０．４９と求められ、Ａ⊥＜Ａ//となること
が確認された。このように本発明の感光性化合物では照
射した直線偏光の照射エネルギにより膜の異方性が９０
度変化することが確認されている。異方性の膜に、液晶
分子が接触した場合、液晶分子は膜との相互作用によ
り、一定方向に配向するようになる。本発明の感光性化
合物でも、このような液晶配向性が確認されており、膜
の異方性が直線偏光の照射エネルギにより９０度変化す
るのに合わせて、液晶配向方向も直線偏光の照射エネル
ギにより９０度変化することが確認されている。
【０００７】また、本発明の重合体において、低い照射
エネルギの時に発現するに二色性は、１６０℃程度の加
熱により比較的容易に解消できることが確認されてお
り、熱と光による書き込み消去型の光記録材料として、
また、直線偏光の光照射により、電界振動と平行方向の
感光性基が選択的に反応するが、続く熱処理により感光
部位が方向性なく可逆的に戻ることから、光照射と熱処
理を繰り返すことにより異方性が増加し、高度に配向し
たフィルムとなり、位相差フィルムとしても利用可能で
ある。
エネルギの時に発現するに二色性は、１６０℃程度の加
熱により比較的容易に解消できることが確認されてお
り、熱と光による書き込み消去型の光記録材料として、
また、直線偏光の光照射により、電界振動と平行方向の
感光性基が選択的に反応するが、続く熱処理により感光
部位が方向性なく可逆的に戻ることから、光照射と熱処
理を繰り返すことにより異方性が増加し、高度に配向し
たフィルムとなり、位相差フィルムとしても利用可能で
ある。
【０００８】このようなことから、本発明の感光性の重
合体は、基板に塗布（スピンコート）して製膜し、同一
の基板内の領域毎に直線偏光性または部分偏光性の光の
照射エネルギを変化させることによって、同一の基板内
に液晶配向方向のことなる領域を付与することができる
ことから、物理的に基板表面を擦るなどの工程が不要
で、静電気、埃などを発生することなく、液晶パネルに
おいて液晶配向方向を画素毎に制御した液晶表示装置を
提供できる。更には、光照射と熱処理という比較的簡便
な手法により書き込み消去型の光記録材料、位相差フィ
ルムを提供できる。
合体は、基板に塗布（スピンコート）して製膜し、同一
の基板内の領域毎に直線偏光性または部分偏光性の光の
照射エネルギを変化させることによって、同一の基板内
に液晶配向方向のことなる領域を付与することができる
ことから、物理的に基板表面を擦るなどの工程が不要
で、静電気、埃などを発生することなく、液晶パネルに
おいて液晶配向方向を画素毎に制御した液晶表示装置を
提供できる。更には、光照射と熱処理という比較的簡便
な手法により書き込み消去型の光記録材料、位相差フィ
ルムを提供できる。
【０００９】
【実施例】図１には、本発明の重合体を用いた液晶配向
膜の製造方法（装置）を示す。電源（１２）によって励
起された紫外線ランプ（１１）で発生した非偏光（１
６）を、光学素子（１３）（例えばグランテーラープリ
ズム）を介して、偏光紫外線（１７）に変換し、基板
（１５）上に塗布された樹脂膜（１４）に照射する（基
板法線方向から照射すると限定するものではない）。
膜の製造方法（装置）を示す。電源（１２）によって励
起された紫外線ランプ（１１）で発生した非偏光（１
６）を、光学素子（１３）（例えばグランテーラープリ
ズム）を介して、偏光紫外線（１７）に変換し、基板
（１５）上に塗布された樹脂膜（１４）に照射する（基
板法線方向から照射すると限定するものではない）。
【００１０】（実施例１）化学式３で示される重合体１
は、昇温過程で３５℃と２１０℃に吸熱ピークが認めら
れ、偏光顕微鏡で観察すると、該温度領域で複屈折性の
光学模様を発現する液晶性の材料である。該重合体をク
ロロホルムに溶解し、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で
覆った基板上に約１００nmの厚さでスピンコートした。
該基板にグランテーラープリズムを用いて直線偏光に変
換した紫外線（５０ｍＷ／ｃｍ2）を、水平面に対し垂
直方向から室温で３秒間照射した。この基板２枚を、直
線偏光を照射したときの電界振動方向が平行になるよう
対向させて液晶セルを作製し、この液晶セルに２色性色
素Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ１４（アルドリッチ社
製）を分散させた液晶Ｅ７（メルクジャパン社製）を充
填し、８０℃まで加熱し液晶を等方相としたのち室温ま
で冷却した。偏光顕微鏡でこの液晶セルを観察したとこ
ろ液晶の配向方向は照射した直線偏光の電界振動と垂直
方向であることが確認された。更に、片方の基板を９０
度回転したセルを組み立て、液晶Ｅ７を充填し、ＴＮ型
セルを作製したところ、両基板間への電圧印加により液
晶セルの駆動が確認された。
は、昇温過程で３５℃と２１０℃に吸熱ピークが認めら
れ、偏光顕微鏡で観察すると、該温度領域で複屈折性の
光学模様を発現する液晶性の材料である。該重合体をク
ロロホルムに溶解し、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で
覆った基板上に約１００nmの厚さでスピンコートした。
該基板にグランテーラープリズムを用いて直線偏光に変
換した紫外線（５０ｍＷ／ｃｍ2）を、水平面に対し垂
直方向から室温で３秒間照射した。この基板２枚を、直
線偏光を照射したときの電界振動方向が平行になるよう
対向させて液晶セルを作製し、この液晶セルに２色性色
素Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ１４（アルドリッチ社
製）を分散させた液晶Ｅ７（メルクジャパン社製）を充
填し、８０℃まで加熱し液晶を等方相としたのち室温ま
で冷却した。偏光顕微鏡でこの液晶セルを観察したとこ
ろ液晶の配向方向は照射した直線偏光の電界振動と垂直
方向であることが確認された。更に、片方の基板を９０
度回転したセルを組み立て、液晶Ｅ７を充填し、ＴＮ型
セルを作製したところ、両基板間への電圧印加により液
晶セルの駆動が確認された。
【化３】
【００１１】（実施例２）重合体１をクロロホルムに溶
解し、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で覆った基板上に
約１００nmの厚さでスピンコートした。該基板にグラン
テーラープリズムを用いて直線偏光に変換した紫外線
（５０ｍＷ／ｃｍ2）を、水平面に対し垂直方向から室
温で１０秒間照射した。この基板２枚を、直線偏光を照
射したときの電界振動方向が平行になるよう対向させて
液晶セルを作製し、この液晶セルに２色性色素Ｄｉｓｐ
ｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ１４（アルドリッチ社製）を分散さ
せた液晶Ｅ７（メルクジャパン社製）を充填し、８０℃
まで加熱し液晶を等方相としたのち室温まで冷却した。
偏光顕微鏡でこの液晶セルを観察したところ液晶の配向
方向は照射した直線偏光の電界振動と平行方向であるこ
とが確認された。更に、片方の基板を９０度回転したセ
ルを組み立て、液晶Ｅ７を充填し、ＴＮ型セルを作製し
たところ、両基板間への電圧印加により液晶セルの駆動
が確認された。
解し、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で覆った基板上に
約１００nmの厚さでスピンコートした。該基板にグラン
テーラープリズムを用いて直線偏光に変換した紫外線
（５０ｍＷ／ｃｍ2）を、水平面に対し垂直方向から室
温で１０秒間照射した。この基板２枚を、直線偏光を照
射したときの電界振動方向が平行になるよう対向させて
液晶セルを作製し、この液晶セルに２色性色素Ｄｉｓｐ
ｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ１４（アルドリッチ社製）を分散さ
せた液晶Ｅ７（メルクジャパン社製）を充填し、８０℃
まで加熱し液晶を等方相としたのち室温まで冷却した。
偏光顕微鏡でこの液晶セルを観察したところ液晶の配向
方向は照射した直線偏光の電界振動と平行方向であるこ
とが確認された。更に、片方の基板を９０度回転したセ
ルを組み立て、液晶Ｅ７を充填し、ＴＮ型セルを作製し
たところ、両基板間への電圧印加により液晶セルの駆動
が確認された。
【００１２】（実施例３）重合体１をクロロホルムに溶
解し、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で覆った基板上に
約１００nmの厚さでスピンコートした。該基板にグラン
テーラープリズムを用いて直線偏光に変換した紫外線
（５０ｍＷ／ｃｍ2）を、水平面に対し垂直方向から室
温で７秒間照射した。次いで、マスクパターンを用い、
マスクされた領域以外のみ電界方向の揃った直線偏光の
紫外線を更に３秒間照射した。この基板とマスクを用い
ず直線偏光の紫外線を１０秒間照射した基板とを用い、
直線偏光を照射したときの電界振動方向が平行になるよ
う対向させて液晶セルを作製し、この液晶セルにメルク
ジャパン（株）製の液晶Ｅ７を充填し、８０℃まで加熱
し液晶を等方相としたのち室温まで冷却した。偏光顕微
鏡の直交ニコル、平行ニコルで観察したところマスクパ
ターンと合致した明暗反転が観察された。
解し、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で覆った基板上に
約１００nmの厚さでスピンコートした。該基板にグラン
テーラープリズムを用いて直線偏光に変換した紫外線
（５０ｍＷ／ｃｍ2）を、水平面に対し垂直方向から室
温で７秒間照射した。次いで、マスクパターンを用い、
マスクされた領域以外のみ電界方向の揃った直線偏光の
紫外線を更に３秒間照射した。この基板とマスクを用い
ず直線偏光の紫外線を１０秒間照射した基板とを用い、
直線偏光を照射したときの電界振動方向が平行になるよ
う対向させて液晶セルを作製し、この液晶セルにメルク
ジャパン（株）製の液晶Ｅ７を充填し、８０℃まで加熱
し液晶を等方相としたのち室温まで冷却した。偏光顕微
鏡の直交ニコル、平行ニコルで観察したところマスクパ
ターンと合致した明暗反転が観察された。
【００１３】
【発明の効果】以上に記述したように、本発明によれ
ば、感光性の重合体への直線偏光性または部分偏光性の
光の照射によって配向膜が得られると共に、この膜を液
晶表示装置用の配向膜に応用できる。更に、照射量によ
り液晶分子の配向が９０度変化することから、１つのマ
スクパターンで液晶の配向を２方向に制御できるので、
マスクパターンを２つ必要とせず位置合わせも不要とす
ることができる。また、ラビングなど、液晶分子を配向
させる操作が不要な配向膜が調製されるので、液晶表示
装置の組立工程で生じる欠陥が著しく低減される。
ば、感光性の重合体への直線偏光性または部分偏光性の
光の照射によって配向膜が得られると共に、この膜を液
晶表示装置用の配向膜に応用できる。更に、照射量によ
り液晶分子の配向が９０度変化することから、１つのマ
スクパターンで液晶の配向を２方向に制御できるので、
マスクパターンを２つ必要とせず位置合わせも不要とす
ることができる。また、ラビングなど、液晶分子を配向
させる操作が不要な配向膜が調製されるので、液晶表示
装置の組立工程で生じる欠陥が著しく低減される。
【００１４】
【図１】本発明の配向膜の製造方法を示す概念図
【図２】従来の配向膜の製造方法を示す例図
【図３】本発明の重合体に直線偏光性の紫外光を１５０
ｍＪ／ｃｍ2照射し、照射後１３０℃で５分間熱処理し
たときの偏光紫外吸収スペクトル
ｍＪ／ｃｍ2照射し、照射後１３０℃で５分間熱処理し
たときの偏光紫外吸収スペクトル
【図４】本発明の重合体に直線偏光性の紫外光を５００
ｍＪ／ｃｍ2照射し、照射後１３０℃で５分間熱処理し
たときの偏光紫外吸収スペクトル
ｍＪ／ｃｍ2照射し、照射後１３０℃で５分間熱処理し
たときの偏光紫外吸収スペクトル
１１・・・紫外線ランプ １２・・・電源 １３・・・光学素子（グランテーラープリズム） １４・・・樹脂膜（感光性の重合体） １５・・・基板 １６・・・非偏光（紫外線） １７・・・偏光（紫外線）
Claims (4)
- 【請求項１】 側鎖に化学式１で表される構造を含む感
光性の重合体を基板上に塗布する工程および、塗布され
た重合体に光を照射する操作を含む工程で、作製される
ことを特徴とする、配向膜および、その製造方法。 【化１】 但し、ｎ＝１〜１２、Ｘ＝ｎｏｎｅ、−ＣＯＯ、−ＯＣ
Ｏ−、−Ｎ=Ｎ−、−Ｃ=Ｃ−ｏｒ−Ｃ6Ｈ4−、−Ｒ1〜
−Ｒ8＝−Ｈ、ハロゲン基、またはメトキシ基などのア
ルキルオキシ基、更に−Ｒ9＝メチル基、エチル基など
のアルキル基、またはそれらを弗化した基である。 - 【請求項２】 請求項１に記載の感光性の重合体を基板
上に塗布する工程および、塗布された重合体に直線偏光
性または部分偏光性の光を照射する操作を含む工程で、
作製されることを特徴とする、配向膜および、その製造
方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の製造方
法において、基板を加熱ならびに冷却する工程を含ん
で、作製されることを特徴とする、配向膜および、その
製造方法。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２または請求項３
に記載の製造方法により製造された、配向膜により液晶
配向を達成させた液晶表示装置。
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