JP2002084016A - 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法 - Google Patents
強磁性トンネル接合素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002084016A JP2002084016A JP2000270945A JP2000270945A JP2002084016A JP 2002084016 A JP2002084016 A JP 2002084016A JP 2000270945 A JP2000270945 A JP 2000270945A JP 2000270945 A JP2000270945 A JP 2000270945A JP 2002084016 A JP2002084016 A JP 2002084016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferromagnetic
- layer
- tunnel junction
- insulating layer
- tunnel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法に
関し、強磁性トンネル接合に於ける絶縁層の平坦性を向
上させる旨の簡単な手段を採ることに依って、抵抗変化
率が大きく、且つ、トンネル抵抗値が低い強磁性トンネ
ル接合素子を実現しようとする。 【解決手段】 強磁性層／絶縁層／強磁性層からなる積
層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、絶縁層
に於ける表面粗さＲａが１．０〔ｎｍ〕以下となるよう
にする。
関し、強磁性トンネル接合に於ける絶縁層の平坦性を向
上させる旨の簡単な手段を採ることに依って、抵抗変化
率が大きく、且つ、トンネル抵抗値が低い強磁性トンネ
ル接合素子を実現しようとする。 【解決手段】 強磁性層／絶縁層／強磁性層からなる積
層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、絶縁層
に於ける表面粗さＲａが１．０〔ｎｍ〕以下となるよう
にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高密度磁気記録の
読み出しヘッド、磁場感知用のセンサ、磁気メモリなど
として有用な強磁性トンネル接合素子及びその製造方法
に関する。
読み出しヘッド、磁場感知用のセンサ、磁気メモリなど
として有用な強磁性トンネル接合素子及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属層／絶縁体層／金属層からなる積層
構造をもつ接合に於いて、絶縁体層が２〜３〔Å〕乃至
２０〜３０〔Å〕程度の薄層である場合、上下両面の金
属層間に電圧を印加した場合、僅かな電流が流れる。
構造をもつ接合に於いて、絶縁体層が２〜３〔Å〕乃至
２０〜３０〔Å〕程度の薄層である場合、上下両面の金
属層間に電圧を印加した場合、僅かな電流が流れる。
【０００３】この電流はトンネル電流と呼ばれ、また、
その現象は、トンネル効果と呼ばれていて、量子力学的
に説明される。
その現象は、トンネル効果と呼ばれていて、量子力学的
に説明される。
【０００４】また、前記積層構造に於いて、上下両面の
金属層を強磁性体に代替し、強磁性層／絶縁層／強磁性
層からなる積層構造をもつ接合が知られ、強磁性トンネ
ル接合と呼ばれ、その積層構造は周知であるから図示し
ないが、要すれば、「日経エレクトロニクス ２０００
年６月５日号 第１６８頁乃至第１７２頁」、を参照さ
れるとよい。
金属層を強磁性体に代替し、強磁性層／絶縁層／強磁性
層からなる積層構造をもつ接合が知られ、強磁性トンネ
ル接合と呼ばれ、その積層構造は周知であるから図示し
ないが、要すれば、「日経エレクトロニクス ２０００
年６月５日号 第１６８頁乃至第１７２頁」、を参照さ
れるとよい。
【０００５】その強磁性トンネル接合に於けるトンネル
電流の大きさは、上下両面の強磁性層に於ける磁化状態
に依存することが知られ、両強磁性層に於ける磁化の方
向が同じ向きである場合に最も大きいトンネル電流が流
れ、そして、前記磁化の方向が反対の向きである場合に
トンネル電流は最も小さくなる。
電流の大きさは、上下両面の強磁性層に於ける磁化状態
に依存することが知られ、両強磁性層に於ける磁化の方
向が同じ向きである場合に最も大きいトンネル電流が流
れ、そして、前記磁化の方向が反対の向きである場合に
トンネル電流は最も小さくなる。
【０００６】この理由は、強磁性体内の伝導電子が分極
していて、電子がこの分極を維持したままトンネルする
ことに起因すると説明され、アップ（ｕｐ）方向に分極
した電子は、アップ状態にしかトンネルできず、ダウン
（ｄｏｗｎ）方向に分極した電子は、ダウン状態にしか
トンネルできない。
していて、電子がこの分極を維持したままトンネルする
ことに起因すると説明され、アップ（ｕｐ）方向に分極
した電子は、アップ状態にしかトンネルできず、ダウン
（ｄｏｗｎ）方向に分極した電子は、ダウン状態にしか
トンネルできない。
【０００７】絶縁層を挟んだ両強磁性層の磁化方向が同
じである場合、同じ状態から同じ状態にトンネルできる
為、トンネル確率が高く、大きなトンネル電流が流れる
のであるが、前記磁化方向が逆の場合、アップ電子とダ
ウン電子のトンネル先の状態に空きがなければトンネル
することができず、従って、トンネル確率は低く、トン
ネル電流は小さくなる。
じである場合、同じ状態から同じ状態にトンネルできる
為、トンネル確率が高く、大きなトンネル電流が流れる
のであるが、前記磁化方向が逆の場合、アップ電子とダ
ウン電子のトンネル先の状態に空きがなければトンネル
することができず、従って、トンネル確率は低く、トン
ネル電流は小さくなる。
【０００８】前記磁化方向に依存する現象を抵抗値で表
すと、磁化方向が同じである場合の抵抗をＲp 、反対で
ある場合の抵抗をＲapとした場合、抵抗変化率ＭＲは、 ＭＲ＝（Ｒap−Ｒp ）／Ｒp ×１００〔％〕 の式で表される。
すと、磁化方向が同じである場合の抵抗をＲp 、反対で
ある場合の抵抗をＲapとした場合、抵抗変化率ＭＲは、 ＭＲ＝（Ｒap−Ｒp ）／Ｒp ×１００〔％〕 の式で表される。
【０００９】強磁性層としてＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ等の強磁
性金属を用いた場合、抵抗変化率ＭＲとして２０〔％〕
〜５０〔％〕程度の値が得られる旨が理論的に予測さ
れ、また、実験的にもそれに近い値が得られている。
性金属を用いた場合、抵抗変化率ＭＲとして２０〔％〕
〜５０〔％〕程度の値が得られる旨が理論的に予測さ
れ、また、実験的にもそれに近い値が得られている。
【００１０】この抵抗変化率ＭＲは、従来の異方性磁気
抵抗効果（ＡＭＲ）、或いは、巨大磁気抵抗効果（ＧＭ
Ｒ）と比較して大きいことから、次世代の磁気センサと
して位置付けられ、ハードディスクドライブの読み取り
ヘッド、磁気メモリなどへの応用が期待されている。
抵抗効果（ＡＭＲ）、或いは、巨大磁気抵抗効果（ＧＭ
Ｒ）と比較して大きいことから、次世代の磁気センサと
して位置付けられ、ハードディスクドライブの読み取り
ヘッド、磁気メモリなどへの応用が期待されている。
【００１１】然しながら、強磁性トンネル効果を実現す
るには、極めて薄い絶縁層が必要であることから、大き
なＭＲ比を示す強磁性トンネル接合を作成することは困
難であり、例えば、成膜条件や材料に依って、強磁性接
合のＭＲ比は大きく異なり、特に、トンネル抵抗を小さ
くする為に絶縁層を薄くした場合、ピンホールが生成さ
れ易くなり、そのピンホールが強磁性トンネル接合の特
性を劣化させる。
るには、極めて薄い絶縁層が必要であることから、大き
なＭＲ比を示す強磁性トンネル接合を作成することは困
難であり、例えば、成膜条件や材料に依って、強磁性接
合のＭＲ比は大きく異なり、特に、トンネル抵抗を小さ
くする為に絶縁層を薄くした場合、ピンホールが生成さ
れ易くなり、そのピンホールが強磁性トンネル接合の特
性を劣化させる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、強磁性トン
ネル接合に於ける絶縁層の平坦性を向上させる旨の簡単
な手段を採ることに依って、抵抗変化率が大きく、且
つ、トンネル抵抗値が低い強磁性トンネル接合素子を実
現しようとする。
ネル接合に於ける絶縁層の平坦性を向上させる旨の簡単
な手段を採ることに依って、抵抗変化率が大きく、且
つ、トンネル抵抗値が低い強磁性トンネル接合素子を実
現しようとする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明では、強磁性層／
絶縁層／強磁性層からなる積層構造に於ける絶縁層の表
面粗さ（平均粗さＲａ）で１．０〔ｎｍ〕以下とし、ま
た、下地材料を適切に選択することが基本になってい
る。
絶縁層／強磁性層からなる積層構造に於ける絶縁層の表
面粗さ（平均粗さＲａ）で１．０〔ｎｍ〕以下とし、ま
た、下地材料を適切に選択することが基本になってい
る。
【００１４】前記手段を採ることに依り、小さなトンネ
ル抵抗値をもち、且つ、大きなＭＲ比を示す強磁性トン
ネル接合を再現性良く安定に実現することができる。
ル抵抗値をもち、且つ、大きなＭＲ比を示す強磁性トン
ネル接合を再現性良く安定に実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】実施の形態１ スパッタリング法を適用することに依り、Ｓｉ基板上に
厚さ約４０〔ｎｍ〕の下地材料層を堆積し、その上にＮ
ｉＦｅ層（厚さ４．０〔ｎｍ〕）／ＣｏＦｅ層（厚さ
３．０〔ｎｍ〕）／Ａｌ−ＡｌＯ層／ＣｏＦｅ層（厚さ
２．５〔ｎｍ〕）／ＩｒＭｎ層（厚さ１５〔ｎｍ〕）／
Ａｕ層（厚さ１０〔ｎｍ〕）からなる積層構造のトンネ
ル接合を作成した。
厚さ約４０〔ｎｍ〕の下地材料層を堆積し、その上にＮ
ｉＦｅ層（厚さ４．０〔ｎｍ〕）／ＣｏＦｅ層（厚さ
３．０〔ｎｍ〕）／Ａｌ−ＡｌＯ層／ＣｏＦｅ層（厚さ
２．５〔ｎｍ〕）／ＩｒＭｎ層（厚さ１５〔ｎｍ〕）／
Ａｕ層（厚さ１０〔ｎｍ〕）からなる積層構造のトンネ
ル接合を作成した。
【００１６】この場合、到達真空度１×１０-4〔Ｐ
ａ〕、プロセスガスとしてＡｒを０．２〔Ｐａ〕、成膜
速度を０．１〔ｎｍ／秒〕〜１０〔ｎｍ／秒〕とするこ
とで、平均粗さＲａとして０．１〔ｎｍ〕〜５〔ｎｍ〕
程度を得た。
ａ〕、プロセスガスとしてＡｒを０．２〔Ｐａ〕、成膜
速度を０．１〔ｎｍ／秒〕〜１０〔ｎｍ／秒〕とするこ
とで、平均粗さＲａとして０．１〔ｎｍ〕〜５〔ｎｍ〕
程度を得た。
【００１７】強磁性層間の絶縁層、即ち、ＡｌＯ層を作
成するには、厚さが１．２〔ｎｍ〕のＡｌ層を成膜し、
スパッタリング装置の成膜室内に純酸素を５００〔Ｐ
ａ〕まで導入し、その状態を５〔分〕間維持することに
依って実現される。
成するには、厚さが１．２〔ｎｍ〕のＡｌ層を成膜し、
スパッタリング装置の成膜室内に純酸素を５００〔Ｐ
ａ〕まで導入し、その状態を５〔分〕間維持することに
依って実現される。
【００１８】前記のようにして作成した接合構造を１
〔μｍ2 〕〜１０〔μｍ2 〕の大きさにパターニング
し、トンネル抵抗値の磁場依存性を測定し、ＭＲ比を算
出した。
〔μｍ2 〕〜１０〔μｍ2 〕の大きさにパターニング
し、トンネル抵抗値の磁場依存性を測定し、ＭＲ比を算
出した。
【００１９】また、上部強磁性層を成膜する前に於ける
積層構造の表面粗さについてＡＦＭ（ａｔｏｍｉｃ ｆ
ｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて測定した。
積層構造の表面粗さについてＡＦＭ（ａｔｏｍｉｃ ｆ
ｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて測定した。
【００２０】下地材料を変えることで、層の表面状態も
ＭＲ比も異なった接合を得ることができ、そして、これ
ら各試料に於けるトンネル抵抗値は１００〔Ωμｍ2 〕
以下を示した。
ＭＲ比も異なった接合を得ることができ、そして、これ
ら各試料に於けるトンネル抵抗値は１００〔Ωμｍ2 〕
以下を示した。
【００２１】図１は下地材料を換えた場合に於ける表面
粗さ（平均粗さＲａ）とＭＲ比との相関を表す線図であ
り、横軸には平均粗さＲａを、縦軸にはＭＲ比をそれぞ
れ採ってある。
粗さ（平均粗さＲａ）とＭＲ比との相関を表す線図であ
り、横軸には平均粗さＲａを、縦軸にはＭＲ比をそれぞ
れ採ってある。
【００２２】図中に記載された元素記号に付記されてい
る数字、例えば「Ｃｒ１０」に於ける「１０」は、Ｃｒ
の厚さ〔ｎｍ〕を示している。但し、Ｃｕ80Ａｌ20に於
ける「８０」と「２０」はＣｕＡｌ合金に於ける割合を
示している。
る数字、例えば「Ｃｒ１０」に於ける「１０」は、Ｃｒ
の厚さ〔ｎｍ〕を示している。但し、Ｃｕ80Ａｌ20に於
ける「８０」と「２０」はＣｕＡｌ合金に於ける割合を
示している。
【００２３】図に依れば、粗さが１．０〔ｎｍ〕程度以
下になるとＭＲ比が大きくなっていることが看取され
る。
下になるとＭＲ比が大きくなっていることが看取され
る。
【００２４】実施の形態１に於いて採用した下地材料
は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｐｔ及びそ
れ等を積層した層であるが、平均粗さＲａを小さくする
ことができる材料であれば、上掲の材料に固執する必要
はなく、前記図中には見られないが、例えばＣｒ／Ａ
ｕ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｃｒ／Ｐｔ、Ｃｒ／Ｐｄ、Ｔａ／Ｃｕ
などの積層構造も全く同じ効果を奏することができる。
は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｐｔ及びそ
れ等を積層した層であるが、平均粗さＲａを小さくする
ことができる材料であれば、上掲の材料に固執する必要
はなく、前記図中には見られないが、例えばＣｒ／Ａ
ｕ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｃｒ／Ｐｔ、Ｃｒ／Ｐｄ、Ｔａ／Ｃｕ
などの積層構造も全く同じ効果を奏することができる。
【００２５】実施の形態２ 実施の形態１に於いては、下地材料の層厚を図示の厚さ
に設定したが、下地に於ける層厚の絶対値は必ずしも例
示した値である必要はなく、下地材料、又は、その組み
合わせが同じである場合、層厚を異にする試料を作成し
たところ、実施の形態１と同効であった。
に設定したが、下地に於ける層厚の絶対値は必ずしも例
示した値である必要はなく、下地材料、又は、その組み
合わせが同じである場合、層厚を異にする試料を作成し
たところ、実施の形態１と同効であった。
【００２６】実施の形態３ 実施の形態１及び２に於いては、下地材料を変えること
で平均粗さＲａを変化させたが、同じ効果は、下地材料
や下部の強磁性層に於ける表面を研磨して平坦化するこ
とでも得ることができる。
で平均粗さＲａを変化させたが、同じ効果は、下地材料
や下部の強磁性層に於ける表面を研磨して平坦化するこ
とでも得ることができる。
【００２７】即ち、下地材料層の成膜後、例えば化学機
械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐ
ｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法を適用し、表面に於ける
粗さが１〔ｎｍ〕程度以下になるよう研磨してから接合
部分を作成したり、或いは、下部強磁性層を成膜した段
階でＣＭＰ法を適用して研磨を行い、その後、絶縁層を
形成することでも他の実施の形態と同じ効果を得ること
ができる。
械研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐ
ｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法を適用し、表面に於ける
粗さが１〔ｎｍ〕程度以下になるよう研磨してから接合
部分を作成したり、或いは、下部強磁性層を成膜した段
階でＣＭＰ法を適用して研磨を行い、その後、絶縁層を
形成することでも他の実施の形態と同じ効果を得ること
ができる。
【００２８】本発明に依る強磁性トンネル接合素子は、
高密度磁気記録の読み出しヘッド、磁場感知用のセン
サ、磁気メモリその他種々の分野に用いて好適である。
高密度磁気記録の読み出しヘッド、磁場感知用のセン
サ、磁気メモリその他種々の分野に用いて好適である。
【００２９】
【発明の効果】本発明に依る強磁性トンネル接合素子及
びその製造方法に於いては、強磁性層／絶縁層／強磁性
層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於
いて、絶縁層に於ける表面粗さＲａが１．０〔ｎｍ〕以
下であるようにすることが基本になっている。
びその製造方法に於いては、強磁性層／絶縁層／強磁性
層からなる積層構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於
いて、絶縁層に於ける表面粗さＲａが１．０〔ｎｍ〕以
下であるようにすることが基本になっている。
【００３０】前記構成を採ることに依り、小さなトンネ
ル抵抗値をもち、且つ、大きなＭＲ比を示す強磁性トン
ネル接合を再現性良く安定に実現することが可能とな
り、また、その強磁性トンネル接合を実現するには、強
磁性層／絶縁層／強磁性層からなる積層構造の下地材料
を適切に選択したり、或いは、絶縁層の下方に在る下部
の強磁性層や下地層を研磨する旨の簡単な手段で容易に
実現することができ、特殊な手段は全く不要である。
ル抵抗値をもち、且つ、大きなＭＲ比を示す強磁性トン
ネル接合を再現性良く安定に実現することが可能とな
り、また、その強磁性トンネル接合を実現するには、強
磁性層／絶縁層／強磁性層からなる積層構造の下地材料
を適切に選択したり、或いは、絶縁層の下方に在る下部
の強磁性層や下地層を研磨する旨の簡単な手段で容易に
実現することができ、特殊な手段は全く不要である。
【図１】下地材料を換えた場合に於ける表面粗さ（平均
粗さＲａ）とＭＲ比との相関を表す線図である。
粗さＲａ）とＭＲ比との相関を表す線図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 43/12 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ (72)発明者 小林 和雄 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AB07 AD54 5D034 BA03 BA15 DA07 5E049 AA01 AA04 AA07 BA12 BA16 GC01
Claims (3)
- 【請求項１】強磁性層／絶縁層／強磁性層からなる積層
構造をもつ強磁性トンネル接合素子に於いて、 絶縁層に於ける表面粗さＲａが１．０〔ｎｍ〕以下であ
ることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 - 【請求項２】基板に下地材料層を形成してから表面を研
磨する工程と、 研磨後の下地材料層上に強磁性層／絶縁層／強磁性層か
らなる積層構造を形成する工程とが含まれてなることを
特徴とする強磁性トンネル接合素子の製造方法。 - 【請求項３】基板に下地材料層及び下部の強磁性層を積
層形成してから表面を研磨する工程と、 研磨後の強磁性層上に絶縁層／強磁性層からなる積層構
造を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする強
磁性トンネル接合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000270945A JP2002084016A (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000270945A JP2002084016A (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002084016A true JP2002084016A (ja) | 2002-03-22 |
Family
ID=18757298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000270945A Withdrawn JP2002084016A (ja) | 2000-09-07 | 2000-09-07 | 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002084016A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031866A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Sony Corp | トンネル磁気抵抗効果膜および磁気抵抗記憶装置 |
| JP2004266252A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 磁気トンネル接合構造体及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-09-07 JP JP2000270945A patent/JP2002084016A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031866A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Sony Corp | トンネル磁気抵抗効果膜および磁気抵抗記憶装置 |
| JP2004266252A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 磁気トンネル接合構造体及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5069034B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法 | |
| JP3890893B2 (ja) | スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法 | |
| US6710987B2 (en) | Magnetic tunnel junction read head devices having a tunneling barrier formed by multi-layer, multi-oxidation processes | |
| KR100347084B1 (ko) | 외부자계센서로서 이용 가능한 자기터널접합소자 | |
| KR100931818B1 (ko) | 고성능 자기 터널링 접합 ｍｒａｍ을 제조하기 위한 새로운버퍼(시드)층 | |
| US6258470B1 (en) | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film | |
| US6574079B2 (en) | Magnetic tunnel junction device and method including a tunneling barrier layer formed by oxidations of metallic alloys | |
| JP3695515B2 (ja) | トンネル磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気メモリ及びその製造方法 | |
| US10354707B2 (en) | Composite seed layer | |
| US20090322319A1 (en) | Magnetoresistive sensor with tunnel barrier and method | |
| JP2006506828A (ja) | 改良型ｍｒａｍトンネル接合のためのナノ結晶層 | |
| JP2013058768A (ja) | 磁気メモリ構造およびトンネル磁気抵抗効果型再生ヘッドならびにそれらの製造方法 | |
| JP3050189B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| WO2002099906A1 (fr) | Element magnetoresistant, element de memorisation par magnetoresistance et memoire magnetique | |
| JP3473016B2 (ja) | 強磁性トンネル接合素子と磁気ヘッドと磁気メモリ | |
| JP3181525B2 (ja) | スピンバルブ型薄膜素子及び前記スピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッド | |
| JP2002124716A (ja) | 磁気抵抗素子及び該素子を用いたメモリ素子 | |
| WO2000052489A1 (fr) | Capteur magnetique et son procede de fabrication, dispositif de liaison a tunnel ferromagnetique et son procede de fabrication, tete magnetique comportant ces organes | |
| JP3496215B2 (ja) | 強磁性トンネル接合素子の製造方法 | |
| JP4575101B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ | |
| JP2000322714A (ja) | トンネル磁気抵抗効果型磁界検出素子及びその製造方法とそれを用いた磁気ヘッド | |
| JP2000150985A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP2002084016A (ja) | 強磁性トンネル接合素子及びその製造方法 | |
| JP2000011333A (ja) | トンネリング磁気抵抗効果素子およびその製造方法 | |
| JP3137288B2 (ja) | 交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071204 |