JP2002083265A - Character recognition device for semiconductor wafer, and character recognizing optical unit - Google Patents

Character recognition device for semiconductor wafer, and character recognizing optical unit

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JP2002083265A
JP2002083265A JP2000273524A JP2000273524A JP2002083265A JP 2002083265 A JP2002083265 A JP 2002083265A JP 2000273524 A JP2000273524 A JP 2000273524A JP 2000273524 A JP2000273524 A JP 2000273524A JP 2002083265 A JP2002083265 A JP 2002083265A
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semiconductor wafer
light
optical system
character recognition
wafer
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JP2000273524A
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Japanese (ja)
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Motoji Tanaka
基司 田中
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Nidek Co Ltd
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Nidek Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a character recognition device, capable of improving the character recognition rate, even in a wafer which has been subjected to CMP. SOLUTION: In this character recognition device for semiconductor wafer for recognizing a identification character formed on a semiconductor wafer, this device comprises an infrared projecting optical system for projecting infrared rays to the area including the identification characters of the semiconductor wafer, an imaging optical system having an image-pickup element for receiving the infrared-ray transmitting the area including the identification character by the projection of the infrared-ray projecting optical system, and a character recognition means for processing the image taken by the image pick-up element to recognize the identified characters.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ形成
された識別文字を認識する文字認識装置、及び文字認識
装置に取付けられる文字認識用光学ユニットに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a character recognition device for recognizing identification characters formed on a semiconductor wafer and an optical unit for character recognition attached to the character recognition device.

【0002】[0002]

【従来技術】半導体集積回路の製造では、半導体集積回
路を形成する多数の半導体ウエハ(以下、単にウエハと
呼ぶ)を管理するために、レーザ等を使用してウエハ表
面に凹凸状の識別文字(以下ID番号という)を形成し
ている。このID番号に基づいてウエハの選択的な取り
出しや並べ替えを行ったり、同じ種類のウエハごとの仕
分けを行うために、自動的にID番号を認識する文字認
識装置が使用される。
2. Description of the Related Art In the manufacture of a semiconductor integrated circuit, in order to manage a large number of semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as wafers) forming the semiconductor integrated circuit, a laser or the like is used on a wafer surface to form uneven identification characters (not shown). (Hereinafter referred to as ID number). In order to selectively remove and rearrange wafers based on the ID numbers and to sort wafers of the same type, a character recognition device that automatically recognizes ID numbers is used.

【0003】この種の文字認識装置としては、装置上に
設けられた照明部よりID番号を含む領域のウエハ面を
照明し、そこからの反射光をCCDカメラ等の撮像装置
により撮像し、その撮像信号に基づいてID番号を識別
するものが知られている。ウエハ面への照明光の投光と
しては、ウエハ面からの正反射光を主に利用する明視野
照明と乱反射光を主に利用する暗視野照明があり、ウエ
ハ面の膜状態やID番号の形成状態等に応じて有利な方
を選択的に切換えたり、その光量を調整することでID
番号の認識率を上げるようにしていた。
As a character recognition device of this type, an illumination unit provided on the device illuminates a wafer surface in an area including an ID number, and images reflected light from the wafer surface by an imaging device such as a CCD camera. A device that identifies an ID number based on an imaging signal is known. The projection of the illumination light onto the wafer surface includes bright-field illumination mainly using specularly reflected light from the wafer surface and dark-field illumination mainly using diffusely reflected light. By selectively switching the more advantageous one according to the formation state or the like and adjusting the light amount,
The number recognition rate was raised.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
の表面の凹凸を平坦化するCMP方法(Chemical Mecha
nical Polish方法)によって製造されるウエハにおいて
は、レーザ等によって刻印されたID番号が埋められて
しまい、反射光を利用した従来の文字認識方法では読み
取り難くなっている。
However, a CMP method (Chemical Mecha) for flattening irregularities on the surface of a wafer.
In a wafer manufactured by the conventional method, the ID number stamped by a laser or the like is buried, which makes it difficult to read by a conventional character recognition method using reflected light.

【0005】本発明は、上記従来装置の欠点に鑑み、C
MPを施されたウエハであっても文字認識率を向上させ
ることのできる文字認識装置を提供することを技術課題
とする。
[0005] In view of the above-mentioned drawbacks of the conventional device, the present invention provides a C
It is an object of the present invention to provide a character recognition device capable of improving a character recognition rate even on a wafer subjected to MP.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は以下のような構成を備えることを特徴とす
る。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention is characterized by having the following configuration.

【0007】(1) 半導体ウエハに形成された識別文
字を認識する半導体ウエハ用文字認識装置において、前
記半導体ウエハの識別文字を含む領域に赤外光を投光す
る赤外光投光光学系と、該赤外光投光光学系の投光によ
って前記識別文字を含む領域を透過する赤外光を受光す
る撮像素子を持つ撮像光学系と、前記撮像素子により撮
像された画像を処理して識別文字を認識する文字認識手
段と、を備えることを特徴とする。
(1) In a character recognition apparatus for a semiconductor wafer for recognizing identification characters formed on a semiconductor wafer, an infrared light projecting optical system for projecting infrared light to a region of the semiconductor wafer including the identification characters is provided. An image pickup optical system having an image pickup element for receiving infrared light transmitted through a region including the identification character by light emission of the infrared light projection optical system, and processing an image picked up by the image pickup element for identification. And character recognition means for recognizing characters.

【0008】(2) (1)の赤外光投光光学系は、広
帯域の赤外光を発する光源を備えることを特徴とする。
(2) The infrared light projecting optical system of (1) is characterized by including a light source that emits infrared light in a wide band.

【0009】(3) (1)の半導体ウエハ用文字認識
装置において、前記半導体ウエハ内部を透過しない赤外
光の前記撮像素子への入射をカットする遮蔽手段を設け
たことを特徴とする。
(3) In the character recognition device for a semiconductor wafer of (1), a shielding means for cutting the incidence of infrared light, which does not pass through the inside of the semiconductor wafer, on the image pickup device is provided.

【0010】(4) (3)の遮蔽手段は、前記光源と
ウエハとの間に置かれ、前記識別文字付近の前記半導体
ウエハ内部を透過しない投光を遮蔽する位置に配置され
た遮蔽部材であることを特徴とする。
(4) The shielding means of (3) is a shielding member disposed between the light source and the wafer, and arranged at a position near the identification character for shielding light that does not pass through the inside of the semiconductor wafer. There is a feature.

【0011】(5) (4)の半導体ウエハ用文字認識
装置において、前記撮像光学系は前記半導体ウエハの表
面側に配置されており、さらに装置は、前記識別文字が
形成された前記半導体ウエハの表面側に可視の明視野照
明光又は可視の暗視野照明光を投光する可視光投光光学
系と、該可視光投光光学系による投光と前記赤外投光光
学系による投光とを選択的に切換える切換え手段とを備
えることを特徴とする。
(5) In the character recognition device for a semiconductor wafer according to (4), the imaging optical system is arranged on a front surface side of the semiconductor wafer, and the device further comprises a device for recognizing the semiconductor wafer on which the identification characters are formed. A visible light projection optical system that projects visible bright field illumination light or visible dark field illumination light on the surface side, and projection by the visible light projection optical system and projection by the infrared projection optical system. And switching means for selectively switching between.

【0012】(6) 半導体ウエハの識別文字を含む領
域に赤外光を投光する投光光学系と、前記半導体ウエハ
を透過した前記赤外光の光束を受光する受光光学系と、
前記半導体ウエハ内部を透過しない赤外光の前記受光光
学系への入射をカットする遮蔽手段と、を備えることを
特徴とする。
(6) a light projecting optical system for projecting infrared light to a region of the semiconductor wafer including the identification character, and a light receiving optical system for receiving the light beam of the infrared light transmitted through the semiconductor wafer;
Shielding means for cutting the incidence of infrared light that does not pass through the inside of the semiconductor wafer to the light receiving optical system.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて以下に説明する。図1は実施形態の装置の外観図で
ある。1は文字認識装置本体である。2a、2bは多数
枚の半導体ウエハ40を収納するキャリヤ41a、41
bを載置するキャリヤ載置台である。キャリヤ載置台2
a、2bの上面にはそれぞれキャリヤ41a、41bの
位置決めと固定をするための図示無き固定部材が固着さ
れている。このキャリヤ載置台2a、2bは本体内部の
ローダ機構により上下動し、キャリヤ41a、41b内
のスロットに1枚ずつ収納されたウエハ40がエアピン
セット3で取り出され、または収納される。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an external view of the apparatus of the embodiment. Reference numeral 1 denotes a character recognition device main body. 2a, 2b are carriers 41a, 41 for accommodating a large number of semiconductor wafers 40.
b is a carrier mounting table for mounting b. Carrier mounting table 2
Fixed members (not shown) for positioning and fixing the carriers 41a and 41b are fixed to the upper surfaces of the carriers a and 2b, respectively. The carrier mounting tables 2a and 2b are moved up and down by a loader mechanism inside the main body, and the wafers 40 stored one by one in the slots in the carriers 41a and 41b are taken out or stored by the air tweezers 3.

【0014】エアピンセット3はその腕の両側に形成さ
れた略U字型の吸着部3aでウエハ40を吸着保持し、
駆動路4にしたがって図中のA方向、B方向に移動可能
である。吸着部3aには小孔が設けられており、この小
孔はエアピンセット3内部を通って真空チューブ、電磁
弁等を経て図示無き吸引装置につながっている。この吸
引装置を作動することによりウエハ40を吸着保持す
る。
The air tweezers 3 suck and hold the wafer 40 by suction portions 3a of substantially U shape formed on both sides of the arm.
It can be moved in the directions A and B in the figure according to the drive path 4. The suction part 3a is provided with a small hole, and the small hole passes through the inside of the air tweezers 3 and is connected to a suction device (not shown) via a vacuum tube, a solenoid valve, and the like. By operating the suction device, the wafer 40 is held by suction.

【0015】5は文字認識用ステージであり、図示無き
パルスモータにより回転、上下動をするようになってい
る。このステージ5にも吸着部3aと同様の機能を持つ
小孔が設けられており、これによってウエハ40を吸着
保持する。
Reference numeral 5 denotes a character recognition stage which is rotated and moved up and down by a pulse motor (not shown). The stage 5 is also provided with a small hole having the same function as the suction section 3a, and thereby holds the wafer 40 by suction.

【0016】6はウエハ40が持つオリフラ(Orientat
ional Flat)を検出するためのオリフラ検出部であ
る。オリフラ検出部6はLEDと受光素子等から構成さ
れ、ステージ5に載置されたウエハ40のオリフラを検
出できる位置関係に配置されている。図2のように、ウ
エハ40上のウエハ管理用のID番号50は、オリフラ
40aに対して所定の位置関係に形成されている。した
がって、オリフラ40aの位置を検出することによりI
D番号50の位置を特定できる。
Reference numeral 6 denotes an orientation flat (Orientat) of the wafer 40.
ori Flat detector for detecting ional flat). The orientation flat detector 6 includes an LED, a light receiving element, and the like, and is arranged in a positional relationship capable of detecting the orientation flat of the wafer 40 placed on the stage 5. As shown in FIG. 2, the wafer management ID number 50 on the wafer 40 is formed in a predetermined positional relationship with the orientation flat 40a. Therefore, by detecting the position of the orientation flat 40a, I
The position of D number 50 can be specified.

【0017】10はその詳細を後述する文字認識部であ
り、ステージ5に載置されたウエハ40のID番号50
付近を照明する照明光学系と、ウエハ表面からの反射光
及びウエハを透過した透過光を受光してID番号50を
撮像する撮像光学系(受光光学系)を持つ。
Reference numeral 10 denotes a character recognition unit, the details of which will be described later, and is an ID number 50 of the wafer 40 mounted on the stage 5.
It has an illumination optical system for illuminating the vicinity, and an imaging optical system (light receiving optical system) for receiving reflected light from the wafer surface and transmitted light transmitted through the wafer to image the ID number 50.

【0018】文字認識部10の下方には、ステージ5に
載置されたウエハ40を下方(裏面側)から赤外光を投
光する光源20と、光源20からの光束を平行光にする
コリメータレンズ21が置かれ、赤外光投光光学系を構
成している。光源20は文字認識部10によってID番
号50を撮像、認識する際にID番号50を下方から照
明できる位置に設置されており、光源20から発せられ
る照明光は、ウエハ40を透過し、文字認識部10内の
撮像光学系に受光される。
Below the character recognition unit 10, a light source 20 for projecting infrared light from below (back side) the wafer 40 mounted on the stage 5, and a collimator for collimating the light beam from the light source 20 The lens 21 is placed, and constitutes an infrared light projecting optical system. The light source 20 is installed at a position where the ID number 50 can be illuminated from below when capturing and recognizing the ID number 50 by the character recognizing unit 10. Illumination light emitted from the light source 20 passes through the wafer 40 and performs character recognition. The light is received by the imaging optical system in the unit 10.

【0019】ウエハ40は赤外光を透過する性質を有す
るため、光源20には赤外光を発する光源を使用する。
また、赤外光を発する光源のうち、単波長を発する光源
(例えばLED等)を使用する場合、ウエハ40上にコ
ーティングされている膜が、その波長を透過させ難い材
料であると、文字認識部10に受光される光量は少なく
なってしまう。このため、ハロゲンランプやタングステ
ンランプ等の、広帯域の赤外域の光束を発するととも
に、光量のある光源を使用することが好ましい。本実施
の形態では、ハロゲンランプを使用する。
Since the wafer 40 has a property of transmitting infrared light, a light source that emits infrared light is used as the light source 20.
When a light source (e.g., an LED) that emits a single wavelength is used among the light sources that emit infrared light, character recognition may be performed if the film coated on the wafer 40 is a material that hardly transmits that wavelength. The amount of light received by the unit 10 is reduced. For this reason, it is preferable to use a light source that emits a luminous flux in a broadband infrared region, such as a halogen lamp or a tungsten lamp, and has a large amount of light. In this embodiment, a halogen lamp is used.

【0020】22は遮蔽板である。遮蔽板22は光源2
0と、ステージ5上に載置されたウエハ40との間に置
かれ、ウエハ40のエッジ部40b(周縁部)より外側
から投光される照明光、言い換えるとウエハ40の内部
を透過しない照明光を遮蔽するように設置される。
Reference numeral 22 denotes a shielding plate. The shielding plate 22 is the light source 2
0, and illumination light that is placed between the wafer 40 placed on the stage 5 and projected from outside the edge portion 40b (peripheral portion) of the wafer 40, in other words, illumination that does not pass through the inside of the wafer 40. It is installed to shield light.

【0021】図3(a)、(b)はウエハ40がステー
ジ5上に載置された状態を上方と側方から見た時の該略
図である。この図に示すように、遮蔽板22の末端であ
る端部22aが、ウエハ40のエッジ部40bの一部分
に被さるように位置し、エッジ部40bより外側から投
光される照明光が直接撮像光学系に入射するのを防いで
いる。
FIGS. 3A and 3B are schematic views of the state in which the wafer 40 is mounted on the stage 5 when viewed from above and from the side. As shown in this figure, the end 22a which is the end of the shielding plate 22 is positioned so as to cover a part of the edge 40b of the wafer 40, and the illumination light projected from the outside of the edge 40b directly receives the imaging light. It is prevented from entering the system.

【0022】本実施の形態では、光源20にハロゲンラ
ンプを使用しているため、ウエハ40に対する投光径が
大きくなってしまう。このためエッジ部40bより外側
から投光される照明光はウエハ40を透過せず、直接文
字認識部10(撮像光学系)に入射することとなる。ウ
エハ40を透過せず直接入射する光束は、ウエハ40を
透過してきた光束より当然光量が大きいため、ID番号
50を認識する際に大きな障害となる。本実施形態で
は、遮蔽板22を使用することによって、ウエハ40を
透過しない照明光束をなくし、ID番号認識時の障害と
なる光束の発生を抑制している。
In this embodiment, since a halogen lamp is used as the light source 20, the diameter of light projected on the wafer 40 becomes large. For this reason, the illumination light projected from the outside of the edge portion 40b does not pass through the wafer 40 but directly enters the character recognition section 10 (imaging optical system). The light beam directly incident without passing through the wafer 40 naturally has a larger light amount than the light beam transmitted through the wafer 40, and thus becomes a major obstacle in recognizing the ID number 50. In the present embodiment, the use of the shielding plate 22 eliminates the illumination light flux that does not pass through the wafer 40 and suppresses the generation of a light flux that is an obstacle when recognizing the ID number.

【0023】本実施形態では、遮蔽板22を用いている
が、これに限るものではなく、ID番号50のみが照明
されるか、エッジ部40bより外側(外周)からの投光
をなくせば良い。例えば、光源20の前面にスリットを
置き、ID番号50のみを照明することとしても良い。
また、本実施形態ではウエハ40の裏面側に遮蔽板22
を設置しているが、これはウエハ表面を照明する照明光
学系(明視野照明光学系、暗視野照明光学系)の障害と
ならないようにしたためである。したがって、透過光の
みを使用して文字認識を行う場合には、遮蔽板22はウ
エハ40の表、裏のどちらに設置してもよい。
In the present embodiment, the shielding plate 22 is used. However, the present invention is not limited to this, and only the ID number 50 may be illuminated or light emitted from outside (outer periphery) of the edge portion 40b may be eliminated. . For example, a slit may be provided in front of the light source 20 to illuminate only the ID number 50.
In the present embodiment, the shielding plate 22 is provided on the back side of the wafer 40.
This is because the illumination optical system (bright-field illumination optical system, dark-field illumination optical system) for illuminating the wafer surface is not obstructed. Therefore, when character recognition is performed using only transmitted light, the shielding plate 22 may be installed on either the front or the back of the wafer 40.

【0024】7はコントロール部であり、照明光学系
(明視野照明光学系、暗視野照明光学系、赤外光投光光
学系)の切り替え、その光量調節、オリフラに対するI
D番号の位置角度設定等の文字認識に必要な各種設定を
行ったり、予め設定したものを呼び出したりする。コン
トロール部7は小モニタ7aを備え、ID番号の認識結
果の是非、現在の設定の状態等を表示する。8は文字認
識部10により撮像されたウエハ40上のID番号等の
状態を映し出すモニタであり、操作者はこのモニタ8を
観ながら装置が適切に文字認識を行えるように文字認識
部10の設定を行う。
Reference numeral 7 denotes a control unit which switches illumination optical systems (bright-field illumination optical system, dark-field illumination optical system, infrared light projection optical system), adjusts the amount of light, and controls the orientation flat.
Various settings necessary for character recognition, such as the setting of the position and angle of the D number, are performed, and a preset one is called. The control unit 7 includes a small monitor 7a, and displays whether the recognition result of the ID number is correct, the current setting state, and the like. Reference numeral 8 denotes a monitor that displays the state of the ID number and the like on the wafer 40 imaged by the character recognition unit 10. The operator sets the character recognition unit 10 so that the apparatus can appropriately perform character recognition while watching the monitor 8. I do.

【0025】次に、文字認識部10の構成を図1及び図
4に基づいて説明する。図4は文字認識部10の光学系
及びその周辺の概略を示した概略構成図である。
Next, the configuration of the character recognition unit 10 will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing an outline of the optical system of the character recognition unit 10 and its periphery.

【0026】文字認識部10の光学系は光学系筐体19
に配置され、照明光学系と撮像光学系から構成される。
照明光学系は、LED等の光源11とコリメータレンズ
12とにより光軸L1に沿ってウエハ面に垂直方向から
照明光を投光する明視野照明光学系と、光軸L1を挟ん
で複数個配置されたLED等の光源13によりウエハ面
に斜め方向から照明光を投光する暗視野照明光学系から
構成されている。撮像光学系は、光軸L1上に配置され
たハーフミラー14、光路を変えるためのミラー15、
フォーカスレンズ16、絞り17、CCDカメラ18を
備える。CCDカメラ18は可視光と赤外光の領域に感
度を持つものを使用している。
The optical system of the character recognition unit 10 is an optical system housing 19.
And comprises an illumination optical system and an imaging optical system.
The illumination optical system includes a bright field illumination optical system for projecting illumination light from a direction perpendicular to the wafer surface along the optical axis L1 by a light source 11 such as an LED and a collimator lens 12, and a plurality of illumination optical systems sandwiching the optical axis L1. And a dark-field illumination optical system for projecting illumination light onto the wafer surface from an oblique direction by a light source 13 such as an LED. The imaging optical system includes a half mirror 14 arranged on the optical axis L1, a mirror 15 for changing the optical path,
The camera includes a focus lens 16, an aperture 17, and a CCD camera 18. The CCD camera 18 has sensitivity in the visible light region and the infrared light region.

【0027】光源11を発した照明光はコリメータレン
ズ12により平行光束とされ、ハーフミラー14を通
り、ウエハ40上のID番号50付近を照明する。ま
た、光源13を発した発散光も、ウエハ40上のID番
号50付近を照明する。光源13の配置位置はウエハ4
0上を均等に照明するように設定されている。光源11
の照明によるウエハ40上からの正反射光は、ハーフミ
ラー14によって光軸を変えられ、ミラー15、フォー
カスレンズ16、絞り17を経てCCDカメラ18の撮
像面に届き、CCDカメラ18により明視野画像が得ら
れる。一方、光源13の照明光によるウエハ40上から
の反射光の内、ID番号50の凹凸により乱反射した光
が同様の光路を経てCCDカメラ18の撮像面に届き、
CCDカメラ18により暗視野画像が得られる。
The illumination light emitted from the light source 11 is converted into a parallel light beam by the collimator lens 12, passes through the half mirror 14, and illuminates the vicinity of the ID number 50 on the wafer 40. The divergent light emitted from the light source 13 also illuminates the vicinity of the ID number 50 on the wafer 40. The light source 13 is located on the wafer 4
It is set so as to illuminate evenly above 0. Light source 11
The optical axis of the specularly reflected light from the wafer 40 by the illumination is changed by the half mirror 14, reaches the imaging surface of the CCD camera 18 via the mirror 15, the focus lens 16, and the diaphragm 17, and is bright-field imaged by the CCD camera 18. Is obtained. On the other hand, of the light reflected from the wafer 40 by the illumination light of the light source 13, the light irregularly reflected by the unevenness of the ID number 50 reaches the imaging surface of the CCD camera 18 via the same optical path,
A dark-field image is obtained by the CCD camera 18.

【0028】また、赤外光投光光学系においては、光源
20を発した発散光がコリメータレンズ21によって平
行光束となり、光軸L1に沿ってウエハ裏面に垂直方向
から照明光を投光する。赤外光がウエハ40の裏面を透
過するとともに、光軸L1と平行な光束のみが前述同様
の光路を経てCCDカメラ18の撮像面に届き、CCD
カメラ18によりウエハ40の裏面から投光した光によ
る透過画像が得られる。
In the infrared light projecting optical system, the divergent light emitted from the light source 20 is converted into a parallel light beam by the collimator lens 21, and the illumination light is projected from the vertical direction to the back surface of the wafer along the optical axis L1. While the infrared light is transmitted through the back surface of the wafer 40, only the light beam parallel to the optical axis L1 reaches the imaging surface of the CCD camera 18 via the same optical path as described above.
A transmitted image is obtained by light projected from the back surface of the wafer 40 by the camera 18.

【0029】なお、図4において、6aはオリフラ検出
部6のLEDであり、6bはそのCCD(受光素子)で
あり、CCD6bの出力に基づいてウエハ40のオリフ
ラの位置角度、偏心の有無が検出される。
In FIG. 4, reference numeral 6a denotes an LED of the orientation flat detector 6, and 6b denotes its CCD (light receiving element). The position angle of the orientation flat of the wafer 40 and the presence or absence of eccentricity are detected based on the output of the CCD 6b. Is done.

【0030】以上のような構成の装置において、その動
作を図5の制御系ブロック図を使用して説明する。
The operation of the apparatus having the above configuration will be described with reference to a control system block diagram shown in FIG.

【0031】ウエハ40が収納されたキャリヤ41aと
空のキャリヤ41bを載置台2a、2bにそれぞれセッ
トした後、コントロール部7にて使用する照明光学系の
選択を行った後(ここでは明視野照明光学系が選択され
たものとする)、OKボタンを押して装置に動作開始を
指令する。また、制御回路30はエアピンセット移動機
構31によりエアピンセット3を駆動し、キャリヤ41
aからウエハ40を取り出してステージ5上まで搬送さ
せる。ステージ5上に載せられたウエハ40は、オリフ
ラ検出部6によってその位置が検出され、その検出信号
に基づいてステージ回転機構35を駆動して、ID番号
50が光軸L1上に位置するようにステージ5を回転さ
せる。
After the carrier 41a in which the wafer 40 is stored and the empty carrier 41b are set on the mounting tables 2a and 2b, respectively, an illumination optical system to be used is selected by the control unit 7 (here, bright field illumination). It is assumed that the optical system has been selected), and an OK button is pressed to instruct the apparatus to start operation. Further, the control circuit 30 drives the air tweezers 3 by the air tweezers moving mechanism 31 and
The wafer 40 is taken out from a and transferred onto the stage 5. The position of the wafer 40 placed on the stage 5 is detected by the orientation flat detector 6, and the stage rotation mechanism 35 is driven based on the detection signal so that the ID number 50 is positioned on the optical axis L1. The stage 5 is rotated.

【0032】ウエハ40が所定位置に配置されたら、制
御部30は、まず照明光源11を点灯してID番号を含
むウエハ面を照明する。この照明光により照明されたウ
エハ面からの正反射光は前述した光学系を介してCCD
カメラ18に入射する。CCDカメラ18からの出力信
号はA/Dコンバータ38によりデジタル変換された
後、明視野画像としてフレームメモリ36aに取り込ま
れる。フレームメモリ36aに取り込まれた明視野画像
は画像処理部37に送られる。画像処理部37はこの画
像データに基づいてID番号50の文字認識用データを
得る。
When the wafer 40 is placed at a predetermined position, the control unit 30 first turns on the illumination light source 11 to illuminate the wafer surface including the ID number. The specularly reflected light from the wafer surface illuminated by this illumination light is transmitted to the CCD via the above-described optical system.
The light enters the camera 18. The output signal from the CCD camera 18 is digitally converted by the A / D converter 38, and then is taken into the frame memory 36a as a bright field image. The bright field image captured in the frame memory 36a is sent to the image processing unit 37. The image processing section 37 obtains character recognition data of ID number 50 based on the image data.

【0033】また、ウエハ40がCMP等にて製造され
ている場合、表面の反射光では文字認識用のデータが得
られ難くなる。この場合、コントロール部7にて赤外光
投光光学系を選択し、前述同様の操作を行う。赤外光投
光光学系が選択されると、制御部30は赤外光照明用の
光源20を点灯してウエハ40を裏面から投光する。
When the wafer 40 is manufactured by CMP or the like, it becomes difficult to obtain data for character recognition from the reflected light on the surface. In this case, the control unit 7 selects the infrared light projecting optical system, and performs the same operation as described above. When the infrared light projecting optical system is selected, the control unit 30 turns on the light source 20 for infrared light illumination and projects the wafer 40 from the back surface.

【0034】光源20からの投光により、ウエハ40の
裏面を照明した光束はウエハ40の表面側に透過すると
ともに、その一部の光束がCCDカメラ18に入射す
る。CCDカメラ18からの出力信号はA/Dコンバー
タ38によりデジタル変換された後、光源20の点灯に
同期してフレームメモリ36に透過画像として取り込ま
れる。フレームメモリ36に取り込まれた透過画像デー
タは画像処理部37に送られる。画像処理部37はこの
画像データに基づいてID番号50の文字認識用データ
を得る。
The light emitted from the light source 20 illuminates the back surface of the wafer 40 and is transmitted to the front surface of the wafer 40, and a part of the light is incident on the CCD camera 18. The output signal from the CCD camera 18 is converted into a digital signal by the A / D converter 38, and is taken into the frame memory 36 as a transmission image in synchronization with the lighting of the light source 20. The transmitted image data taken into the frame memory 36 is sent to the image processing unit 37. The image processing section 37 obtains character recognition data of ID number 50 based on the image data.

【0035】このように、ウエハの表面の反射光(明視
野照明光、暗視野照明光)では、ID番号が認識し難い
場合、ウエハの裏面からの透過光によって文字認識を行
うことができる。また反対に、裏面からの透過光を使用
するよりも、ウエハ表面での反射光を使用した方が、文
字認識率を上げることができる場合には、反射光を使用
する照明光学系に切換えればよい。このように認識を行
うウエハの状態によって、適宜選択することができる。
As described above, when the ID number is difficult to recognize with the reflected light (bright-field illumination light and dark-field illumination light) on the front surface of the wafer, character recognition can be performed by transmitted light from the back surface of the wafer. On the other hand, if the reflected light on the wafer surface can be used to increase the character recognition rate rather than using the transmitted light from the back surface, switching to an illumination optical system using reflected light is possible. I just need. Such selection can be made appropriately depending on the state of the wafer to be recognized.

【0036】また、赤外光投光光学系を使用することに
よって、ウエハ表面に刻印されたID番号だけではな
く、ウエハ裏面に刻印されたID番号の文字認識におい
ても対応することができる。
Further, by using the infrared light projecting optical system, not only the ID number stamped on the wafer surface but also the character recognition of the ID number stamped on the back surface of the wafer can be dealt with.

【0037】[0037]

【発明の効果】以上のように、本発明ではウエハの裏面
から照明光を当て、その透過光を使用することによっ
て、CMPを施されたウエハであっても文字認識率を向
上させることができる。
As described above, according to the present invention, the character recognition rate can be improved even if the wafer is subjected to CMP by irradiating the illumination light from the back surface of the wafer and using the transmitted light. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態の装置の外観図である。FIG. 1 is an external view of an apparatus according to an embodiment.

【図2】ウエハ40の詳細を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing details of a wafer 40;

【図3】ウエハ40がステージ5上に載置された状態を
上方と側方から見た時の該略図である。
FIG. 3 is a schematic view of a state in which a wafer 40 is mounted on a stage 5 when viewed from above and from the side.

【図4】文字認識部10の光学系及びその周辺の概略を
示した概略構成図である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing an outline of an optical system of the character recognition unit 10 and its periphery.

【図5】制御系を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a control system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 装置本体 5 ステージ 7 コントロール部 8 モニタ 10 文字認識部 11 光源 13 光源 18 CCDカメラ 20 光源 22 遮蔽板 30 制御回路 36 フレームメモリ 37 画像処理部 38 A/Dコンバータ 40 ウエハ Reference Signs List 1 apparatus main body 5 stage 7 control unit 8 monitor 10 character recognition unit 11 light source 13 light source 18 CCD camera 20 light source 22 shielding plate 30 control circuit 36 frame memory 37 image processing unit 38 A / D converter 40 wafer

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウエハに形成された識別文字を認
識する半導体ウエハ用文字認識装置において、前記半導
体ウエハの識別文字を含む領域に赤外光を投光する赤外
光投光光学系と、該赤外光投光光学系の投光によって前
記識別文字を含む領域を透過する赤外光を受光する撮像
素子を持つ撮像光学系と、前記撮像素子により撮像され
た画像を処理して識別文字を認識する文字認識手段と、
を備えることを特徴とする半導体ウエハ用文字認識装
置。
1. A semiconductor wafer character recognition device for recognizing identification characters formed on a semiconductor wafer, comprising: an infrared light projecting optical system for projecting infrared light onto a region of the semiconductor wafer containing the identification characters; An imaging optical system having an imaging element for receiving infrared light transmitted through a region including the identification character by the projection of the infrared light projection optical system; and an identification character processing the image captured by the imaging element. Character recognition means for recognizing
A character recognition device for a semiconductor wafer, comprising:
【請求項2】 請求項1の赤外光投光光学系は、広帯域
の赤外光を発する光源を備えることを特徴とする半導体
ウエハ用文字認識装置。
2. The character recognition device for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the infrared light projecting optical system includes a light source that emits broadband infrared light.
【請求項3】 請求項1の半導体ウエハ用文字認識装置
において、前記半導体ウエハ内部を透過しない赤外光の
前記撮像素子への入射をカットする遮蔽手段を設けたこ
とを特徴とする半導体ウエハ用文字認識装置。
3. The semiconductor wafer character recognition device according to claim 1, further comprising shielding means for cutting infrared light that does not pass through the inside of the semiconductor wafer from entering the image pickup device. Character recognition device.
【請求項4】 請求項3の遮蔽手段は、前記光源とウエ
ハとの間に置かれ、前記識別文字付近の前記半導体ウエ
ハ内部を透過しない投光を遮蔽する位置に配置された遮
蔽部材であることを特徴とする半導体ウエハ用文字認識
装置。
4. The shielding means according to claim 3, wherein the shielding means is a shielding member disposed between the light source and the wafer and arranged at a position near the identification character for shielding a light projecting through the inside of the semiconductor wafer. A character recognition device for a semiconductor wafer, comprising:
【請求項5】 請求項4の半導体ウエハ用文字認識装置
において、前記撮像光学系は前記半導体ウエハの表面側
に配置されており、さらに装置は、前記識別文字が形成
された前記半導体ウエハの表面側に可視の明視野照明光
又は可視の暗視野照明光を投光する可視光投光光学系
と、該可視光投光光学系による投光と前記赤外投光光学
系による投光とを選択的に切換える切換え手段とを備え
ることを特徴とする半導体ウエハ用文字認識装置。
5. The semiconductor wafer character recognition device according to claim 4, wherein the imaging optical system is disposed on a front surface side of the semiconductor wafer, and the apparatus further comprises a surface of the semiconductor wafer on which the identification characters are formed. A visible light projection optical system that projects visible bright field illumination light or visible dark field illumination light to the side, and a projection by the visible light projection optical system and a projection by the infrared projection optical system. A character recognition device for a semiconductor wafer, comprising: switching means for selectively switching.
【請求項6】 半導体ウエハの識別文字を含む領域に赤
外光を投光する投光光学系と、前記半導体ウエハを透過
した前記赤外光の光束を受光する受光光学系と、前記半
導体ウエハ内部を透過しない赤外光の前記受光光学系へ
の入射をカットする遮蔽手段と、を備えることを特徴と
する文字認識用光学ユニット。
6. A light projecting optical system for projecting infrared light to a region including an identification character of a semiconductor wafer, a light receiving optical system for receiving a light beam of the infrared light transmitted through the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer An optical unit for character recognition, comprising: shielding means for cutting the incidence of infrared light that does not pass through the inside of the light receiving optical system.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01109735A (en) * 1987-10-22 1989-04-26 Fujitsu Ltd Inspection method of wiring layer
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