JP2002077735A

JP2002077735A - 固体撮像素子および撮像装置

Info

Publication number: JP2002077735A
Application number: JP2000259493A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Yoshida; 英明吉田; Junzo Sakurai; 順三桜井; Takayuki Kijima; 貴行木島
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 2000-08-29
Filing date: 2000-08-29
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】光学系のフレアの影響による誤判定の影響無し
で、撮像装置単体でのブルーミング特性測定等を実現す
る。【解決手段】ＣＣＤ撮像素子１０５の２次元画素配列に
は、オプティカルブラックＯＢ（光学的黒）領域が設け
られている。ＣＣＤ撮像素子１０５の各種特性を測定で
きるようにするために、ＯＢ領域の一部のラインにはダ
ミーホワイト部が設けられている。このダミーホワイト
部は光入力無しで蓄積電荷を読み出すことが可能な画素
列であり、当該各画素には電荷注入のための電流源が接
続されている。システムコントローラ１１２は、ＯＢ領
域からの出力信号を評価することにより、ダミーホワイ
ト部からの電荷の漏れの影響を検出することができる。
よって、光を与えることなくブルーミング特性を容易に
測定することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はＣＣＤ等の固体撮像
素子およびそれを用いて被写体像の撮像を行なう撮像装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＣＤ等の固体撮像素子を使用した撮像
装置は広く使用されている。一方で、固体撮像素子には
一般に画素欠陥があったり、また暗電流やスミア、ブル
ーミングや転送不良による混色などといった疑似信号を
生じたりする場合があり、これらを生じにくいように駆
動条件を管理したり、あるいは生じた疑似信号を補正す
る技術の採用により実質性能を向上させることによって
低コストでの実用を可能としている。

【０００３】このような技術の代表的な例としては撮像
素子に設けられたＯＢ（オプティカルブラック＝光学的
黒）がある。すなわち光電変換領域における画素の一部
に遮光部を設け常に光電荷０の画素とすることで暗電荷
レベルを検出し、その検出した暗電荷レベルをＯＢ以外
の通常の光感応画素信号出力から減じることにより、光
電荷蓄積部の暗電流の影響を補正するものである。前述
の減算は通例クランプ回路によって行なわれるため、Ｏ
Ｂクランプと称される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】撮像素子にＯＢを設け
上記ＯＢクランプを行なうことによって暗電流の補正は
可能になるが、これでは解決できない他の問題が存在し
ている。一例を挙げれば画素におけるクリップレベル
（＝飽和レベル）の最適設定がある。

【０００５】光電変換部の飽和レベルとは換言すればこ
の蓄積部のオーバーフローレベルであって、これを超え
る光電荷が発生してもオーバーフロードレインに排出さ
れてしまい蓄積されない。このような仕組みは、過剰電
荷の溢れによる画質劣化＝ブルーミングを防止するため
に設けられたものであり、オーバーフローレベルＯＦＬ
は後述する基板バイアス電圧ＶＳＵＢの設定値によって
可変できるが、ＯＦＬを高くしすぎるとブルーミングが
発生し易くなるため、通常はブルーミング特性上の許容
限界の範囲でなるべく高くなるように設定されるもので
ある。

【０００６】そしてこのブルーミング特性上の許容限界
を判定するためには、従来は撮像素子に実際に光を入射
させる必要があった。例えばスポット状の輝点チャート
を撮影し、周辺の暗黒部に出力が漏れ込まないかどうか
をチェックする方法などが使用されていた。これはそれ
自体特殊なセッティングを必要とする時間のかかる工程
である点が問題であり、従ってまた、ユーザーが使用し
ている環境で例えば電源投入直後に実行するカメラの自
己診断機能に取り込んだりすることもできないものであ
った。さらに、使用する光学系によってはフレアを生じ
るためこれによる誤判定の危険もあった。

【０００７】本発明は上述の事情を考慮してなされたみ
のであり、その目的とするところは、光入力を必要とせ
ず各種特性が容易に評価できる、従って例えば光学系の
フレアの影響による誤判定のおそれも無く撮像装置単体
でのブルーミング特性測定等を行なうことが可能となる
固体撮像素子およびこれを用いた撮像装置を提供するこ
とにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明の固体撮像素子は、被写体像を光電変換する
ための光電変換領域における画素として構成された電荷
蓄積部を２次元に配列した２次元画素配列と、前記２次
元画素配列に蓄積された電荷を読み出す撮像信号読み出
し手段と、前記２次元画素配列のうち少なくとも一部に
割り当てられた画素部であって、当該画素の電荷蓄積部
に光電荷入力が無い状態においても有意の電荷を入力す
る電流源手段を有したダミーホワイト部とを具備するこ
とを特徴とする。

【０００９】このように２次元画素配列の一部に電流源
手段を有したダミーホワイト部を設けることにより、光
を与えることなく所定の画素電荷を得ることができるの
で、各種特性を容易に評価することができる。

【００１０】また、前記ダミーホワイト部は、２次元画
素配列内のオプティカルブラックＯＢ（光学的黒）領域
に隣接して設けることが好ましい。これにより、ＯＢ領
域からの出力信号を評価するだけで、ダミーホワイト部
からの電荷の漏れの影響を検出することができるので、
光を与えることなくブルーミング特性を容易に測定する
ことが可能となる。

【００１１】また、前記ダミーホワイト部は、前記２次
元画素配列の端部に設けることが望ましい。これにより
電流源手段の配置を極めて容易に実現することが可能と
なる。

【００１２】また、本発明は、請求項１乃至３のいずれ
か１項記載の固体撮像素子を備え、前記固体撮像素子を
用いて被写体像の撮像を行なう撮像装置であって、前記
固体撮像素子の前記ダミーホワイト部からの出力信号に
基づいて、前記固体撮像素子の光電変換領域の飽和レベ
ルを検出する飽和レベル検出手段を具備することを特徴
とする。このように、ダミーホワイト部からの出力信号
を用いて飽和レベルを検出する手段を撮像装置内に設け
ることにより、光を与えることなく撮像装置単体で飽和
レベルの検出が可能となり、画素のクリップレベルの最
適設定等を容易に実現することができる。

【００１３】ダミーホワイト部が２次元画素配列内のオ
プティカルブラックＯＢ（光学的黒）領域に隣接して設
けられている請求項２の固体撮像素子を使用する撮像装
置においては、ダミーホワイト部に隣接するオプティカ
ルブラックＯＢ（光学的黒）領域からの出力信号に基づ
いて、前記固体撮像素子のオーバーフローレベルを設定
する手段を設けることが好ましい。この構成により、光
を与えることなく撮像装置単体で固体撮像素子のオーバ
ーフローレベルの設定を行なうことが可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。図１には、本発明の一実施形態に係
わる撮像装置の構成が示されている。ここでは、デジタ
ルカメラとして実現した場合を例示して説明することに
する。

【００１５】図中１０１は各種レンズからなる撮像レン
ズ系、１０２はレンズ系１０１を駆動するためのレンズ
駆動機構、１０３はレンズ系１０１の絞りを制御するた
めの露出制御機構、１０４はローパスおよび赤外カット
用の光学フィルタ、１０５は色フィルタを内蔵したＣＣ
Ｄカラー撮像素子、１０６は撮像素子１０５を駆動する
ためのＣＣＤドライバ、１０７はＡ／Ｄ変換器等を含む
プリプロセス回路、１０８は色信号生成処理，マトリッ
クス変換処理，その他各種のデジタル処理を行なうため
のデジタルプロセス回路、１０９はカードインターフェ
ース、１１０は撮影画像を記録するためのメモリカー
ド、１１１はＬＣＤ画像表示系を示している。

【００１６】また、図中の１１２は各部を統括的に制御
するためのシステムコントローラ（ＣＰＵ）、１１３は
各種ＳＷからなる操作スイッチ系、１１４は操作状態及
びモード状態等を表示するための操作表示系、１１５は
レンズ駆動機構１０２を制御するためのレンズドライ
バ、１１６は発光手段としてのストロボ、１１７は露出
制御機構１０３およびストロボ１１６を制御するための
露出制御ドライバ、１１８は各種設定情報等を記憶する
ための不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を示している。

【００１７】本実施形態のデジタルカメラにおいては、
システムコントローラ１１２が全ての制御を統括的に行
っており、ＣＣＤドライバ１０６によりＣＣＤ撮像素子
１０５の駆動を制御して露光（電荷蓄積）及び信号の読
み出しを行い、それをプリプロセス回路１０７を介して
ディジタルプロセス回路１０８に取込んで記録用の画像
信号を生成した後にカードインターフェース１０９を介
してメモリカード１１０に記録するようになっている。

【００１８】ＣＣＤ撮像素子１０５としては、縦型オー
バーフロードレイン（ＶＯＦＤ）構造のインターライン
型ＣＣＤなどが用いられる。このＣＣＤ撮像素子１０５
の駆動制御は、ＣＣＤドライバ１０６から出力される各
種駆動信号（電荷移送パルスＴＧＰ、垂直駆動パルス、
水平駆動パルス、基板電圧ＶＳＵＢ、等）を用いて行わ
れる。基板電圧ＶＳＵＢは電荷蓄積部の最大電荷蓄積レ
ベル（オーバーフローレベルＯＦＬ）を決定するための
基板バイアス電圧であり、またこのＶＳＵＢは、ここに
大きな値のパルス（ＳＢＰ）を重畳することにより基板
への全電荷強制排出にも用いられる。ＶＳＵＢの可変設
定は、ＣＣＤドライバ１０６に設けられたＶＳＵＢ可変
設定回路１０６ａによって行われる。ＶＳＵＢ可変設定
回路１０６ａは、システムコントローラ１１２の制御の
下にＶＳＵＢの値を可変設定することによってオーバー
フローレベルＯＦＬを設定するためのものであり、例え
ばＤ／Ａコンバータとバッファアンプから構成されてい
る。

【００１９】ＣＣＤ撮像素子１０５の２次元画素配列に
は、前述のオプティカルブラックＯＢ（光学的黒）領域
が設けられている。さらに、本実施形態においては、Ｃ
ＣＤ撮像素子１０５の各種特性を測定できるようにする
ために、ＯＢ領域の一部のラインにダミーホワイト部が
設けられている。このダミーホワイト部は光入力無しで
蓄積電荷を読み出すことが可能な画素列であり、当該各
画素には電荷注入のための電流源が接続されている。ま
た、ＣＣＤ撮像素子１０５の特性測定を本デジタルカメ
ラの自己診断機能等に組み込んで実現できるようにする
ために、システムコントローラ１１２には、飽和レベル
検出部１１２ａおよびオーバーフローレベル設定部１１
２ｂが設けられている。

【００２０】飽和レベル検出部１１２ａは、ダミーホワ
イト部から読み出された出力信号に基づいてＣＣＤ撮像
素子１０５の光電変換領域の飽和レベルを検出するため
のものであり、これにより各画素からの撮像信号のクリ
ップレベルが設定される。オーバーフローレベル設定部
１１２ｂは、ＣＣＤ撮像素子１０５の各電荷蓄積部のオ
ーバーフローレベルＯＦＬをＶＳＵＢ可変設定回路１０
６ａを用いて最適設定するためのものであり、ブルーミ
ング特性上の許容限界の範囲でなるべくオーバーフロー
レベルＯＦＬが高くなるように、ダミーホワイト部に隣
接するＯＢ領域から読み出された出力信号に基づいてオ
ーバーフローレベルＯＦＬの最適値を決定する。

【００２１】図２には、ＣＣＤ撮像素子１０５の構造が
模式的に示されている。ＣＣＤ撮像素子１０５は、図示
のように、光電変換領域（電荷蓄積部）を含む複数の画
素ＰＸＬ（ＰＤ）を２次元に配列した２次元画素配列を
有している。２次元画素配列の一端部側には水平転送路
（ＨＣＣＤ）が設けられ、また各垂直方向の画素配列毎
に垂直転送路（ＶＣＣＤ）が設けられている。電荷移送
パルスＴＧＰが出力されると、各画素（ＰＸＬ）の電荷
蓄積部と対応する垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）との間に
設けられた転送ゲートが開き、各電荷蓄積部から対応す
る垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）に電荷が移送される。そ
して、垂直電荷転送路（ＶＣＣＤ）および水平転送路
（ＨＣＣＤ）の転送駆動により、２次元画素配列に蓄積
された電荷が出力アンプ（フローティングディフュージ
ョンアンプＦＤＡ：Floating Diffusion Amplifier）を
通して読み出される。

【００２２】２次元画素配列において、水平転送路（Ｈ
ＣＣＤ）に対して反対側の１２ラインは画素（ＰＸＬ）
も含めて完全に遮光されており、垂直オプティカルブラ
ックＶＯＢ（光学的黒）領域を形成している。ＶＯＢ領
域の内、一番外側の１ラインにおける斜線で示す画素
（ＰＸＬ）には定電流源が接続されており、ダミーホワ
イト部を形成している（結果ＶＯＢは１１ライン）。こ
のようにダミーホワイト部を２次元画素配列の端部に設
けるのは、電流源回路の配置を極めて容易にするためで
ある。

【００２３】図３には、本実施形態の撮像素子１０５と
して利用される、縦型オーバーフロードレイン構造のイ
ンターライン型ＣＣＤの断面構造が示されている。ｎ型
半導体基板４００は接合の浅いＰウェルの第１領域４０
１と接合の深いＰウェルの第２領域４０２とで形成され
ている。第１領域４０１の接合ｎ型領域が形成された領
域部分はフォトダイオード（ＰＤ）兼電荷蓄積部からな
る光電変換領域４０３であり、画素（ＰＸＬ）として機
能する。

【００２４】第２領域４０２には埋込みチャネル４０４
からなる垂直シフトレジスタ即ち垂直転送路（ＶＣＣ
Ｄ）用の転送電極４０５が形成される。その主面には絶
縁層４０６を介して金属層４０９が配置されている。光
電変換領域４０３と埋込みチャネル４０４は高いｐ型不
純物層からなるチャネルストップ領域４０７によって分
離されている。

【００２５】また光電変換領域４０３と対応する埋込み
チャネル４０４との間にはトランスファーゲート（Ｔ
Ｇ）領域４０８が配置されている。さらに、光電変換領
域４０３以外は金属層４０９で遮光されている。なお、
ＶＯＢ領域およびダミーホワイト部については光電変換
領域４０３も含めて完全に遮光されている。

【００２６】ブルーミング抑制はＮ型半導体基板４００
と、Ｐウェルの第１領域４０１及び第２領域４０２との
接合に逆バイアス電圧である基板バイアス電圧ＶＳＵＢ
４１１を印加し、光電変換領域４０３直下のＰウェルの
第１領域４０１を完全に空乏化（空乏層化）することに
より実現される。この場合、光電変換領域の蓄積容量に
は光電子（負電荷）が蓄積されて電位が下がって（負で
大きくなって）、ＶＳＵＢ値に対応した一定レベル（Ｏ
ＦＬ）を超える部分についてはポテンシャル障壁を超え
て基板４００に掃出される。従ってＯＦＬはＶＳＵＢに
よって可変調節できる。またＶＳＵＢに通常よりも大き
な値のパルス（ＳＢＰ）を与えることによって、光電変
換領域の蓄積容量に蓄積されている光電子は全て基板に
排出される（全電荷強制排出）。

【００２７】図４（ａ），（ｂ）は、ダミーホワイト部
の画素構造とそれ以外の部分の画素構造をそれぞれ回路
図的に表現したものである。図４（ａ）に示すように、
ダミーホワイト部の画素（ＰＸＬ）においては定電流源
ＩＳが接続されており、他の点については図４（ｂ）に
示す他の部分の画素構造と同じである。ダミーホワイト
部の画素（ＰＸＬ）については、定電流源ＩＳの働きに
より、遮光状態であるにも拘わらず一定の電荷（負電
荷）が蓄積されることになる。

【００２８】なお、図４（ａ），（ｂ）において、例え
ばＯＦＬの電池記号およびダイオード記号は図３で説明
したポテンシャル障壁の作用を示したに過ぎず、回路素
子が実在する訳では無い。その意味で、図４は図３の断
面構造の等価回路ではないが、作用的にはそれに準ずる
ものである。また、図４において画素（ＰＸＬ）のＣＰ
は上記光電変換領域の蓄積容量を示し、ＣＶは各画素
（ＰＸＬ）に対応する垂直転送路（ＶＣＣＤ）の容量を
示している。

【００２９】ダミーホワイト部の定電流源ＩＳとして
は、図５に示すような公知のカレントミラー回路を使用
することができる。上述のとおり、ＣＣＤの電荷担体は
電子（負電荷）であるため、負極性（電流吸い込み）の
回路となっているが、電荷担体が正電荷の場合は正極性
回路を採用すれば良いことは言うまでも無い。以下では
簡単のため、特に負電荷ということは省略して、単に電
荷または電流の供給と表現する。

【００３０】図５のカレントミラー回路においては、一
次側のＮＰＮトランジスタＱ１と同じベース電流が二次
側の各ＮＰＮトランジスタＱ２〜Ｑｎ＋１のベースに流
れることにより、二次側の各ＮＰＮトランジスタＱ２〜
Ｑｎ＋１のコレクタ電流を一次側のＮＰＮトランジスタ
Ｑ１のコレクタ電流と等しくすることができる。二次側
のＮＰＮトランジスタＱ２〜Ｑｎ＋１のコレクタをそれ
ぞれダミーホワイト部の１ラインの画素に接続すること
により、それら１ラインの全画素に等しい電流が供給さ
れる。

【００３１】次に、以上の構造を有するＣＣＤ撮像素子
１０５のクリップレベル（＝飽和レベル）の設定動作に
ついて説明する。まず、システムコントローラ１１２の
制御の下、ＣＣＤ撮像素子１０５からの画素電荷の信号
読み出しが行われる。この場合、ＳＢＰ出力からＴＧＰ
出力までの期間で決まる蓄積時間（ダミーホワイト部へ
の電流入力時間）は定電流源ＩＳの定電流iによって十
分飽和する時間に選ばれる。

【００３２】各画素からの読み出し信号はＡ／Ｄ変換器
を介してディジタルプロセス１０８に取り込まれる。シ
ステムコントローラ１１２は、ディジタルプロセス１０
８に取り込まれたダミーホワイト部からの出力信号（Ｄ
Ｗ出力）の解析を飽和レベル検出部１１２ａを用いて行
い、これにより飽和レベル（＝クリッピングレベル）を
決定する。なお、飽和レベルに対応する蓄積時間が不明
の場合には、蓄積時間を繰り返し可変しつつ毎フレーム
ＤＷ出力を監視し、変化が無くなったことによって飽和
と判断すればよい。このようにして検出された飽和レベ
ルの値は、例えばＡ／Ｄ変換器の最大入力レベルの設定
等に使用することができる。

【００３３】次に、図６のフローチャートを参照して、
ＯＦＬの設定動作について説明する。

【００３４】ＯＦＬの設定動作は、蓄積時間（ダミーホ
ワイト部への電流入力時間）を定電流iによって十分飽
和する時間に選んだ状態で行われる（上述のように毎フ
レームＤＷ出力を監視することにより、結果として蓄積
時間を決定する場合を含む）。まず、システムコントロ
ーラ１１２のオーバーフローレベル設定部１１２ｂは、
ＶＳＵＢ可変設定回路１０６ａを用いてＶＳＵＢ電圧を
適当な初期値（例えば０）に初期設定する（ステップＳ
１１）。そして、ＣＣＤ撮像素子１０５からの画素電荷
の信号読み出しを繰り返し実行する。各画素からの読み
出し信号はＡ／Ｄ変換器を介してディジタルプロセス１
０８に取り込まれる。

【００３５】オーバーフローレベル設定部１１２ｂは、
ダミーホワイト部に隣接するＯＢ領域の１ライン分の信
号（ＯＢ出力）を毎フレーム監視し、ＯＢ出力に対する
ダミーホワイト部からのブルーミングの影響の有無を調
べる（ステップＳ１２）。当初はＶＳＵＢ電圧は低く、
これによりオバーフローレベルは高く設定されているの
で、ＯＢには有意の出力がある（ステップＳ１２のＮ
Ｏ）。この場合、オーバーフローレベル設定部１１２ｂ
は、ＶＳＵＢ可変設定回路１０６ａを用いてＶＳＵＢ電
圧を適当な分解能の単位で増加させることにより、オー
バーフローレベルを徐々に下げる（ステップＳ１３）。
ＶＳＵＢの増加に伴いオーバーフローレベルが低下し、
これに伴い隣接ＯＢ出力が低下する。隣接ＯＢ出力が０
になった時点で（ステップＳ１２のＹＥＳ）、調整完了
とし、その時のＶＳＵＢの値をＥＥＰＲＯＭ１１８に書
き込み終了する（ステップＳ１４）。

【００３６】以降の本撮像時には、ＥＥＰＲＯＭ１１８
に記憶値を用いてＶＳＵＢ値の設定つまりオーバーフロ
ーレベルの設定が行われ、その状態でシャッタトリガに
同期した撮像動作が実行されることになる。

【００３７】なお、上述の飽和レベルの検出動作及びＯ
ＦＬ設定動作は本デジタルカメラの自己診断機能として
組み込まれているものである。また、本例では、飽和レ
ベルの検出動作及びＯＦＬ設定動作についてのみ説明し
たが、ダミーホワイト部からの信号を用いることによ
り、撮像素子の様々な特性測定を実現することができ
る。さらに、本実施形態のＣＣＤ撮像素子１０５の構造
およびそのＯＦＬ設定動作等の制御はデジタルスチルカ
メラに限らず、デジタルビデオカメラ（ムービー）にも
適用することができる。

【００３８】また、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範
囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施
形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される
複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の
発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構
成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解
決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明
の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、
この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得
る。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光入力を必要とせず各種特性が容易に評価できるように
なり、従って例えば光学系のフレアの影響による誤判定
のおそれも無く撮像装置単体でのブルーミング特性測定
等を行なうことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る撮像装置の構成を示
すブロック図。

【図２】同実施形態で使用される固体撮像素子の構造を
模式的に示す図。

【図３】同実施形態で使用される固体撮像素子の断面構
造を示す図。

【図４】同実施形態で使用される固体撮像素子に設けら
れたダミーホワイト部と他の部分の画素部の構造を回路
図的に表現した図。

【図５】同実施形態で使用される固体撮像素子のダミー
ホワイト部に電流を流すための電流源回路の一例を示す
図。

【図６】同実施形態におけるオーバーフローレベル設定
動作を説明するフローチャート。

【符号の説明】

１０１…レンズ系１０２…レンズ駆動機構１０３…露出制御機構１０４…フィルタ１０５…ＣＣＤカラー撮像素子１０６…ＣＣＤドライバ１０６ａ…ＶＳＵＢ可変設定回路１０７…プリプロセス部１０８…デジタルプロセス部１０９…カードインターフェース１１０…メモリカード１１１…ＬＣＤ画像表示系１１２…システムコントローラ（ＣＰＵ）１１２ａ…飽和レベル検出部１１２ｂ…オーバーフローレベル設定部１１８…不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）ＩＳ…定電流源

フロントページの続き (72)発明者木島貴行東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号オリンパス光学工業株式会社内Ｆターム(参考） 4M118 AA05 AB01 BA13 CA04 DA03 DD09 FA06 FA13 FA26 FA33 GB09 5C024 CX12 CX32 GY24 GZ39

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被写体像を光電変換するための光電変換領
域における画素として構成された電荷蓄積部を２次元に
配列した２次元画素配列と、前記２次元画素配列に蓄積
された電荷を読み出す撮像信号読み出し手段と、前記２
次元画素配列のうち少なくとも一部に割り当てられた画
素部であって、当該画素の電荷蓄積部に光電荷入力が無
い状態においても有意の電荷を入力する電流源手段を有
したダミーホワイト部とを具備することを特徴とする固
体撮像素子。
【請求項２】前記２次元画素配列内にはオプティカルブ
ラックＯＢ（光学的黒）領域が設けられており、前記ダミーホワイト部は、前記２次元画素配列内のオプ
ティカルブラックＯＢ（光学的黒）領域に隣接して設け
られていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素
子。
【請求項３】前記ダミーホワイト部は、前記２次元画素
配列の端部に設けられていることを特徴とする請求項１
記載の固体撮像素子。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれか１項記載の固体
撮像素子を備え、前記固体撮像素子を用いて被写体像の
撮像を行なう撮像装置であって、前記固体撮像素子の前記ダミーホワイト部からの出力信
号に基づいて、前記固体撮像素子の光電変換領域の飽和
レベルを検出する飽和レベル検出手段を具備することを
特徴とする撮像装置。
【請求項５】請求項２記載の固体撮像素子を備え、前記
固体撮像素子を用いて被写体像の撮像を行なう撮像装置
であって、前記ダミーホワイト部に隣接するオプティカルブラック
ＯＢ（光学的黒）領域からの出力信号に基づいて、前記
固体撮像素子のオーバーフローレベルを設定する手段を
具備することを特徴とする撮像装置。