JP2002066933A - 溝切り用砥石およびその製造方法、並びにワ−クの研削加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 幅が０．１０ｍｍ以下の真直ぐな
スリット溝を研削加工可能な砥石の提供。および該砥石
を用いて幅が０．１０ｍｍ以下の真直ぐなスリット溝を
金型素材に加工する。 【解決手段】 中央部に砥石軸に装着するための
空所２を有し、直径が３０〜１５０ｍｍの円環状砥石１
であって、砥石厚みが０．０１〜０．１０ｍｍ、素材が
ダイヤモンド含有金属複合メッキ物である、溝切り用砥
石。砥石１を３，０００〜１０，０００ｒｐｍの回転速
度で回転させ、金型素材の表面に１〜３ｍｍの連続した
研削液膜が形成される量の研削液をワ−ク表面に供給し
つつ、砥石を下降させて金型素材表面に対して溝切り用
砥石の外周が垂直となるように切り込みをかけ、研削を
行い、金型素材に幅０．１２ｍｍ以下で深さ１〜５ｍｍ
の溝を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パ−ソナル コン
ピュ−タ（ＰＣ）用のピンコネクタの成形金型作成時に
金型に幅０．１２ｍｍ以下で深さ１〜５ｍｍの溝を形成
する方法および、その加工に用いるダイヤモンド・金属
複合メッキ砥石ならびに該砥石の製造方法に関する。該
砥石は、セラミックチャック表面に溝を形成したり、半
導体チップ製造の際にデバイスウエハを切断用ラインに
沿って回転切断させるダイサ−の回転刃としても使用可
能である。

【０００２】

【従来の技術】パ−ソナル コンピュ−タ（ＰＣ）用の
ピンコネクタの成形金型作成時に押出成型金型に、厚み
１５０μｍ以下の円環状薄刃砥石を用い、狭い幅のスリ
ット溝を研削加工することは知られている（特開平１１
−５８４０７号）。上記円環状薄刃砥石としては、ダイ
ヤモンドやＣＢＮ砥粒を結合剤でボンディングしたボン
ド砥石が例示されている。実際には、厚み０．１５ｍｍ
のダイヤモンドボンド砥石が使用された。

【０００３】パ−ソナル コンピュ−タの小型化、高集
積化に伴い、ピンコネクタの溝も０．０５〜０．１０ｍ
ｍ、深さ１〜５ｍｍの溝を形成する金型が要求され、該
要求性能を満たす円環状薄刃砥石の出現が望まれてい
る。かかる要求性能を満たすには、厚みが０．１０ｍｍ
以下の円環状薄刃砥石が要求されるが、該厚みのダイヤ
モンドボンド砥石では砥石強度が低く、研削中に破損し
たり、研削中の砥石の回転振れ幅が１〜２ｍｍあり、真
直な溝を研削することは困難である。

【０００４】また、アルミニウム基台面にダイヤモンド
砥粒を含む第１ニッケルメッキ層（厚み２０μｍ）を設
ける工程と、該第１メッキ層の上に砥粒を含まない銅メ
ッキ層（厚み２００μｍ）を設ける工程と、この２層メ
ッキ層の上面にダイヤモンド砥粒を含む第２ニッケルメ
ッキ層（厚み２０μｍ）を設ける工程と、第１メッキ層
と第２メッキ層とに挟持されているメッキ層の外周部を
エッチングする工程を含む、基台一体型マルチメッキブ
レ−ド（円板状薄刃砥石）を製造すること、およびこの
ブレ−ドを回転軸に取り付けたダイサ−でデバイスウエ
ハのダイシングする切断ライン（間隔０．２ｍｍ）を同
時に２箇所切削（切断）する方法を特開平８−２５７９
１９号公報は提案する。

【０００５】この基台一体型マルチメッキブレ−ドは、
硬いニッケルメッキブレ−ドのチッピングが大きい欠点
を柔らかい銅メッキ層で補うものでそれ自体はブレ−ド
として優れているが、第１メッキ層と第２メッキ層とに
挟持されているメッキ層の外周部をエッチングして第１
ニッケルメッキ層外周刃と第２ニッケルメッキ層外周刃
の厚みを均一とすることが困難である。また、基台の厚
みをも含めると砥石の厚みは２〜３ｍｍと厚い。さら
に、ダイヤモンド砥粒を含むニッケルメッキ層（厚み２
０μｍ）と、砥粒を含まない銅メッキ層（厚み２００μ
ｍ）間の層間強度に信頼性が乏しく、砥石軸にフランジ
を用いて装着する部分が占める面積部分を大きくし、刃
幅を数ｍｍ程度しか取ることができず、砥石寿命が短
い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の１は、０．１
ｍｍ幅以下、深さ１〜５ｍｍのスリット溝を金型に形成
することができる円環状薄刃砥石の提供を目的とする。
本発明の２は、研削（切削）加工時に破損がなく、か
つ、チッピングもない円環状薄刃砥石の製造方法の提供
を目的とする。本発明の３は、該円環状薄刃砥石を用
い、研削（切削）加工時に円環状薄刃砥石の横幅揺れが
なく、真直ぐなスリット溝を金型やセラミックスチャッ
クに形成する方法、または、デバイスウエハの切断ライ
ンを真直ぐに切断する方法の提供を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、中
央部に砥石軸に装着するための空所を有し、直径が３０
〜１５０ｍｍの円環状砥石であって、砥石厚みが０．０
１〜０．１０ｍｍ、素材がダイヤモンド含有金属複合メ
ッキ物である、溝切り用砥石を提供するものである。

【０００８】砥石厚みが０．０１〜０．１０ｍｍのダイ
ヤモンド含有金属複合メッキ砥石とすることにより強度
が高く、幅が０．１ｍｍ以下のスリット溝を形成するこ
とが可能となった。

【０００９】本発明の請求項２は、前記溝切り用砥石を
形成するメッキ金属が、ニッケルまたはクロムを主成分
とし、銅を従成分とするものであることを特徴とする。

【００１０】主成分のニッケルまたはクロムで砥石の硬
さを維持し、破損を防止し、従成分の銅で柔らかさを付
与し、砥石のチッピングを防ぐ。

【００１１】本発明の請求項３は、下記の工程を経て砥
石厚みが０．０１〜０．１０ｍｍ、ダイヤモンド含有金
属複合メッキ物を素材とする溝切り用砥石を製造する方
法を提供するものである。 （１）アルミニウム、ステンレス、鉛より選ばれた金属
製円板の表面が剥離性樹脂フィルムで被覆されている円
板状金属電極を鉛直方向に回転させながら、かつ、該電
極の１／２の高さ以上を（ａ）ニッケル塩またはクロム
塩、（ｂ）カチオン性またはノニオン性界面活性剤、
（ｃ）平均粒子径が３〜５０μｍのダイヤモンド粒子、
（ｄ）有機酸または無機酸、及び（ｅ）銅塩を含有する
メッキ浴中に浸漬させながら電流を流して前記円板状電
極表面にダイヤモンド含有金属複合メッキ膜を析出させ
る。 （２）ダイヤモンド砥石を用いて該電極のダイヤモンド
含有金属複合メッキ膜面をラップ加工し、表面を平坦化
する。 （３）円板状金属電極よりダイヤモンド含有金属複合メ
ッキ膜を剥離させる。 （４）剥離したダイヤモンド含有金属複合メッキ膜をプ
レス機でリング状に打ち抜いて、中央部に砥石軸に装着
するための空所を有し、直径が３０〜１５０ｍｍ、砥石
厚みが０．０１〜０．１０ｍｍ、素材がダイヤモンド含
有金属複合メッキ物である溝切り用砥石を製造する。

【００１２】ダイヤモンド含有金属複合メッキ膜を基台
の金属電極より剥離することにより厚みが０．０１〜
０．１０ｍｍの砥石の製造が可能となった。また、ダイ
ヤモンド含有金属複合メッキ膜が形成される金属電極
は、メッキ中、鉛直方向に回転されるので、メッキ浴が
攪拌され、ダイヤモンド粒子の凝集が防止され、厚みが
均一なダイヤモンド含有金属複合メッキ膜が形成され
る。さらに、メッキ終了時は、ダイヤモンド含有金属複
合メッキ膜は金属電極側から剥離された面は平滑で、そ
の反対面はダイヤモンド粒子の金属メッキ膜面からの突
出で平滑性が乏しいのをラップ加工で平坦とすることに
より、砥石両面とも平坦性を示し、砥石を回転軸にフラ
ンジ等で回転自在に装着し、研削する際の砥石の横振れ
が小さくなる。

【００１３】本発明の請求項４は、前記円環状砥石の製
造方法において、用いたメッキ浴は、水を分散体とし、 （ａ）ニッケル塩またはクロム塩 ２００〜８５０ｇ／リットル、 （ｂ）界面活性剤 ０．１〜１０ｇ／リットル、 （ｃ）ダイヤモンド粒子 ２０〜１５０ｇ／リットル、 （ｄ）有機酸または無機酸 ０．１〜５０ｇ／リットル、 （ｅ）銅塩 ５〜６０ｇ／リットル、 を含有する組成であることを特徴とする。

【００１４】界面活性剤によりダイヤモンド砥粒の凝集
を防ぐ。有機酸または無機酸の添加によりメッキ時の水
素発生によるメッキ膜中へピンホ−ルが形成されるのを
防ぐ。メッキ膜形成金属の主成分をニッケルまたはクロ
ムとすることにより砥石の硬さを維持し、破損を防止す
る。従成分の銅で柔らかさを付与し、砥石のチッピング
を防ぐ。

【００１５】本発明の請求項５は、ワ−クの表面に１〜
３ｍｍの連続した研削液膜が形成される量の研削液をワ
−ク表面に供給しつつ、砥石軸に回転自在に装着された
直径が３０〜１５０ｍｍ、砥石厚みが０．０１〜０．１
０ｍｍ、素材がダイヤモンド含有金属複合メッキ物であ
る溝切り用砥石を３，０００〜１０，０００ｒｐｍの回
転速度で回転させ、該溝切り用砥石を下降させてワ−ク
表面に対して該溝切り用砥石の外周が垂直となるように
ワ−クに切り込みをかけ、研削を行い、ワ−ク表面に幅
０．１２ｍｍ以下で深さ１〜５ｍｍの溝を形成するか、
ワ−クの厚みが０．０３〜３ｍｍであるときはワ−クを
切断することを特徴とする、ワ−クを研削加工する方法
を提供するものである。

【００１６】従来の研削加工では、ワ−クに多量の研削
液が供給されて、ワ−ク面上で研削液滴が跳ね返った
り、落下してワ−ク面上では不連続の研削液膜となって
いた。砥石の厚みが０．１０ｍｍ以下と薄いと、研削液
滴の跳ね返りが砥石の横振れを助長したり、ワ−ク面上
の不連続な研削液膜が砥石のワ−ク切込み時に砥石の横
振れを助長し、振れ幅のため、スリット溝幅も所望幅よ
り広くなってしまう傾向がある。本発明の研削加工方法
では、砥石の回転数を３，０００〜１０，０００ｒｐｍ
と高速回転させて砥石の自律真直性（横揺れを無くす）
を発揮させ、かつ、ワ−クの表面に１〜３ｍｍの連続し
た研削液膜が形成される量の研削液をワ−ク表面に供給
することにより、研削液の液滴が跳ね返らないようにし
て高速で回転している砥石に横振れが生じるのを防ぎ、
真直ぐなスリット溝がワ−クである金型に研削加工でき
るようにした。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図を用いて本発明をさらに
詳細に説明する。図１は、本発明の円環状薄型砥石の斜
視図、図２は本発明の円環状薄型砥石を製造する工程を
示すフロ−図、図３は本発明の円環状薄型砥石を用いて
ワ−クである金型にスリット溝を研削加工している状態
を示すスリット溝と平行な断面から見た説明図である。

【００１８】図１に示すように、本発明の円環状薄型砥
石は、中央部に砥石軸に装着するための空所２を有し、
直径が３０〜１５０ｍｍの円環状砥石１であって、砥石
厚みが０．０１〜０．１０ｍｍで素材３がダイヤモンド
含有金属複合メッキ物である。空所２の直径は、砥石の
直径により依存するが、通常は砥石直径の１／５〜２／
３、具体的には５ｍｍ〜６５ｍｍである。ダイヤモンド
含有金属複合メッキ物を素材とする砥石１の外周４面に
はダイヤモンド粒子７が突出しており、ワ−クへの切り
込み、切削に寄与する。勿論、表裏面５，６にもダイヤ
モンド粒子７が突出している。

【００１９】メッキ金属としては、ニッケル、クロム、
銅、等が使用される。好ましくは、硬さと柔らかさのバ
ランスからニッケルまたはクロムを主成分（金属成分中
の７５〜９５重量％）とし、銅を従成分（金属成分中の
２５〜５重量％）とした混合物がよい。必要により、コ
バルト、タングステン、モリブテン等が含有されてもよ
い。

【００２０】図２は本発明の円環状薄型砥石を製造する
工程を示すフロ−図で、下記の工程を経て砥石厚みが
０．０１〜０．１０ｍｍ、ダイヤモンド含有金属複合メ
ッキ物を素材とする溝切り用砥石を製造する。

【００２１】図２ａに示すように、メッキ槽８中に
（ａ）ニッケル塩またはクロム塩、（ｂ）カチオン性ま
たはノニオン性界面活性剤、（ｃ）平均粒子径が５〜５
０μｍのダイヤモンド粒子、（ｄ）有機酸または無機
酸、及び（ｅ）銅塩を含有するメッキ浴９を容れ、つい
で、表面が剥離性樹脂フィルム１０ｂで被覆されている
円板状アルミニウム、ステンレス、または鉛（負電極に
接続される。以下、「負電極」と表現する。）１０ａを
円板の径方向が鉛直方向となるように、かつ、該負電極
の１／２の高さ以上がメッキ浴中に浸漬させ、モ−タ−
１１ａの回転力をプ−リ−１１ｂ、ベルト１１ｃ、プ−
リ−１１ｄに伝達して該負電極１０ａを鉛直方向に回転
させながら、メッキ浴に正電極を入れ、負電極と正電極
間に電流を流し、メッキを行い、負電極の剥離性樹脂フ
ィルム１０ｂ上にダイヤモンド含有金属複合メッキ膜を
形成させる。

【００２２】用いる負電極１０ａは、その表面を予め脱
脂処理、酸洗浄し、乾燥後、スピナ上に載置し、紫外線
硬化型シリコン樹脂を負電極表面に２〜２０μｍの厚み
スピンコ−トし、ついで紫外線を照射して剥離性樹脂フ
ィルム１０ｂを形成させたものを用いる。紫外線硬化型
シリコン樹脂に代えて、溶剤型ポリシリコンを塗布し、
乾燥させて剥離性樹脂フィルムを負電極の表面に形成さ
せてもよい。負電極の回転数は、１０〜１００ｒｐｍ、
電流密度は０．５〜２０Ａ／ｄｍ²が好ましい。負電極
の回転によりメッキ皮膜にピンホ−ルが発生するのが防
止される。メッキ時間は電流密度の大きさに正比例す
る。

【００２３】メッキ浴は、水を分散体とし、 （ａ）ニッケル塩またはクロム塩 ２００〜８５０ｇ／リットル、 （ｂ）界面活性剤 ０．１〜１０ｇ／リットル、 （ｃ）ダイヤモンド粒子 ２０〜１５０ｇ／リットル、 （ｄ）有機酸または無機酸 ０．１〜５０ｇ／リットル、 （ｅ）銅塩 ５〜６０ｇ／リットル、 を含有する組成が好ましい。必要により、グリセリン、
グリセリン脂肪酸エステル、ソルビト−ル脂肪酸エステ
ル等の粘稠剤を１０ｇ／リットル以下配合してもよい。

【００２４】メッキ浴成分の（ａ）ニッケル塩として
は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、スルファミン酸ニッ
ケル等が、クロム塩としては、重クロム酸カリウム等が
使用される。

【００２５】（ｂ）成分のカチオン性界面活性剤として
は、ラウリン硫酸ソ−ダ、サッカリンソ−ダ等の脂肪酸
アルカリ金属塩、アミン型、第４アンモニウム塩型、ポ
リビニルピリジン型のものが、ノニオン性界面活性剤と
してはポリオキシエチレンアルキルエ−テル、ポリオキ
シエチレンアルキルフェニルエ−テル、プルオニック、
脂肪酸ポリオキシエチレンエステル、脂肪酸ポリオキシ
エチレンソルビタンエステル、脂肪酸蔗糖エステル、ポ
リグリセリンステアリン酸エステル、ポリグリセリンカ
プリノ−ル酸エステル等が使用できる。

【００２６】（ｃ）成分のダイヤモンド粒子は、平均粒
子径が３〜５０μｍ、好ましくは８〜４０μｍの単結晶
ダイヤモンド、合成ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド
が用いられる。

【００２７】（ｄ）成分の有機酸としては、乳酸、クエ
ン酸、プロピオン酸、リンゴ酸、マロン酸、アスコルビ
ン酸等が、無機酸としては硫酸、亜リン酸、硝酸、塩
酸、硼酸、ピロリン酸等が使用される。 （ｅ）銅塩としては、硫酸銅、シアン化銅、ピロリン酸
銅等が使用される。

【００２８】前記円板状負電極１０ａの剥離性樹脂フィ
ルム１０ｂ表面にダイヤモンド含有金属複合メッキ膜１
０ｃが形成された負電極は、水洗された後、図２ｂに示
すラップ工程に廻される。ラップ装置を用い、チャック
された円板状負電極のダイヤモンド含有金属複合メッキ
膜１０ｃ面に研磨液１２を供給しつつ、スピンドルに軸
承されて回転しているダイヤモンド砥石１３を押圧して
該電極のダイヤモンド含有金属複合メッキ膜面をラップ
加工し、表面を平坦化し、ついで、水洗し、乾燥させ
る。ラップ加工により、ダイヤモンド含有金属複合メッ
キ膜表面が１〜３μｍ程除かれ、ダイヤモンド含有金属
複合メッキ膜表面がより平滑となる。

【００２９】ついで、図２ｃに示すように円板状負電極
１０ａよりダイヤモンド含有金属複合メッキ膜１０ｃを
剥離させる。剥離性樹脂フィルムが積層されている円板
状負電極１０ａは砥石の製造に再利用される。

【００３０】図２ｄに示すように剥離された厚みが０．
０１〜０．１０ｍｍのダイヤモンド含有金属複合メッキ
膜１０ｃは、プレス機の打ち抜き刃で円環状に打ち抜か
れ、中央部に砥石軸に装着するための空所２が形成され
た円環状薄刃砥石１が得られる。

【００３１】実施例１ 下記組成のメッキ液を調製した。なお、溶液はイオン交
換水である。 硫酸ニッケル ３００ｇ／リットル 塩化ニッケル ４００ｇ／リットル ラウリン硫酸ソ−ダ ２ｇ／リットル 平均粒径２０μｍの単結晶ダイヤモンド粒子 ６０ｇ／リットル 硼酸 ７０ｇ／リットル 硫酸銅 ６５ｇ／リットル

【００３２】別に、厚み２ｍｍ、直径１１２ｍｍの円板
状アルミニウムを脱脂処理、酸洗浄、水洗し、乾燥させ
た後、スピナ上に置き、回転させつつ紫外線照射型硬化
性エポキシポ変性シリコン樹脂組成物をスピンコ−ト
し、ついで紫外線照射して硬化させ、厚み８μｍの剥離
性樹脂膜を備えたアルミニウム負電極を得た。

【００３３】前記メッキ液をメッキ槽に収容し、アルミ
ニウム負電極を鉛直方向にして負極に接続し、かつ、そ
の１／２がメッキ液に浸漬するように装備し、アルミニ
ウム負電極を１０ｒｐｍで回転させつつ、電流密度５Ａ
／ｄｍ²でメッキ（メッキ液の温度は６０℃）を２８０
分行い、厚みが約８２μｍのダイヤモンド・ニッケル・
銅複合メッキ膜をアルミニウム円板上の剥離性樹脂膜表
面に析出させた。

【００３４】ついで、メッキ槽よりメッキが終了したア
ルミニウム負電極を取り出し、水洗した後、ラップ装置
を用い、メッキ面が上向きとなるようにチャックにアル
ミニウム円板を保持し、チャックを回転させつつ、ダイ
ヤモンド・ニッケル・銅複合メッキ膜面に研磨液を供給
しつつ、スピンドルに軸承されて回転しているダイヤモ
ンド砥石を押圧してダイヤモンド・ニッケル・銅複合メ
ッキ膜面をラップ加工し、表面を３μｍ取除いて平坦化
した後、水洗し、乾燥させた。

【００３５】ついで、円板状アルミニウム負電極よりダ
イヤモンド・ニッケル・銅複合メッキ膜を剥離させ、こ
のメッキ膜をプレス機の打ち抜き刃で円環状に打ち抜
き、中央部に砥石軸に装着するための２．５インチ径の
円が刳り貫かれた外形１１０ｍｍ、厚み７９μｍのダイ
ヤモンド・ニッケル・銅複合メッキ膜を素材とした円環
状薄刃砥石を製造した。

【００３６】実施例２ 下記組成のメッキ液を調製した。なお、溶液はイオン交
換水である。 重クロム酸カリウム ８００ｇ／リットル ノニルフェノ−ルポリエチレンエ−テル ３ｇ／リットル 平均粒径１２μｍの単結晶ダイヤモンド粒子 ４５ｇ／リットル クエン酸 ５０ｇ／リットル スルファミン酸銅 ８０ｇ／リットル ポリグリセリンステアリン酸エステル ５ｇ／リットル

【００３７】別に、厚み２ｍｍ、直径９２ｍｍの円板状
アルミニウムを脱脂処理、酸洗浄、水洗し、乾燥させた
後、スピナ上に置き、回転させつつ紫外線照射型硬化性
エポキシポ変性シリコン樹脂組成物をスピンコ−トし、
ついで紫外線照射して硬化させ、厚み１０μｍの剥離性
樹脂膜を備えたアルミニウム負電極を得た。

【００３８】前記メッキ液をメッキ槽に収容し、アルミ
ニウム負電極を鉛直方向にして負極に接続し、かつ、そ
の１／２がメッキ液に浸漬するように装備し、アルミニ
ウム負電極を１０ｒｐｍで回転させつつ、電流密度１５
Ａ／ｄｍ²でメッキ（メッキ液の温度は５５℃）を４０
分行い、厚みが約７６μｍのダイヤモンド・クロム・銅
複合メッキ膜を円板状アルミニウム負電極の剥離性樹脂
膜表面に析出させた。

【００３９】ついで、メッキ槽よりメッキが終了したア
ルミニウム負電極を取り出し、水洗した後、ラップ装置
を用い、メッキ面が上向きとなるようにチャックにアル
ミニウム円板を保持し、チャックを回転させつつ、ダイ
ヤモンド・クロム・銅複合メッキ膜面に研磨液を供給し
つつ、スピンドルに軸承されて回転しているダイヤモン
ド砥石を押圧してダイヤモンド・クロム・銅複合メッキ
膜面をラップ加工し、表面を３μｍ取除いて平坦化した
後、水洗し、乾燥させた。

【００４０】ついで、円板状アルミニウム負電極よりダ
イヤモンド・クロム・銅複合メッキ膜を剥離させ、この
メッキ膜をプレス機の打ち抜き刃で円環状に打ち抜き、
中央部に砥石軸に装着するための２インチ径の円が刳り
貫かれた外形９０ｍｍ、厚み７３μｍのダイヤモンド・
クロム・銅複合メッキ膜を素材とした円環状薄刃砥石を
製造した。

【００４１】応用例１ 図３に示す研削装置の左右方向に往復移動可能なワ−ク
テ−ブル１４上に減圧室１５を形成する電磁性枠体１６
を載置し、この枠体の上に下部に供給孔１７を有するＰ
Ｃピンコネクタ成型用金型素材１８をさらに載せ、枠体
に接続された吸引管１９を減圧して減圧室を減圧した状
態で砥石軸にフランジ２１を用いて回転自在に装着され
た実施例１で得た円環状薄刃砥石１を４，５００ｒｐｍ
で回転させながら下降させて金型素材１８の表面に切り
込みをかけ、ワ−クテ−ブル１４を左右方向に往復移動
させて研削加工してスリット溝２０を０．６ｃｍピッチ
毎に８本形成させ、円環状薄刃砥石１の刃先が各供給孔
１７，１７、１７に到達し、スリット溝２０と各供給孔
が連通状態となったスリット溝深さ３ｍｍとなった状態
で砥石軸を上昇させ、研削を終了させた。

【００４２】なお、研削中は、防錆剤を少量含有するイ
オン交換水よりなる研削液を供給ノズル２２より金型素
材１８の溝形成面２３上に厚み２ｍｍの連続した水膜が
形成される量連続して供給した。

【００４３】スリット溝２０はいずれも深さ３ｍｍ、幅
８３μｍの真直ぐな溝であった。また、研削中、砥石の
破損は見受けられなかった。

【００４４】応用例２ 応用例１において、実施例２で得た円環状薄刃砥石１を
用い、その回転数を３，６００ｒｐｍと変更する外は同
様にして金型素材１８に深さ３ｍｍ、幅７４μｍの真直
ぐな溝を形成させた。研削中、砥石の破損は見受けられ
なかった。

【００４５】以上、スリット溝の形成の応用例を示した
が、本発明の円環状薄刃砥石はダイサ−のブレ−ド刃と
しても使用できる。

【００４６】

【発明の効果】本発明の円環状薄刃砥石は、幅０．１０
ｍｍ以下の真直ぐなスリット溝を形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の円環状薄刃砥石の斜視図である。

【図２】 本発明の円環状薄型砥石を製造する工程を示
すフロ−図である。

【図３】 金型素材にスリット溝を形成する状態を示す
断面図である。

【符号の説明】

１ 円環状薄刃砥石 ２ 空所 ８ メッキ槽 ９ メッキ浴 １０ａ 円板状金属 １０ｂ 剥離性樹脂フィルム １０ｃ ダイヤモンド・金属複合メッキ膜 １３ ダイヤモンド砥石

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 中央部に砥石軸に装着するための空所を
   有し、直径が３０〜１５０ｍｍの円環状砥石であって、
   砥石厚みが０．０１〜０．１０ｍｍ、素材がダイヤモン
   ド含有金属複合メッキ物である、溝切り用砥石。
2. 【請求項２】 金属が、ニッケルまたはクロムを主成分
   とし、銅を従成分とするものである、請求項１に記載の
   溝切り用砥石。
3. 【請求項３】 下記の工程を経て砥石厚みが０．０１〜
   ０．１０ｍｍ、ダイヤモンド含有金属複合メッキ物を素
   材とする溝切り用砥石を製造する方法。 （１）アルミニウム、ステンレス、鉛より選ばれた金属
   製円板の表面が剥離性樹脂フィルムで被覆されている円
   板状金属電極を鉛直方向に回転させながら、かつ、該電
   極の１／２の高さ以上を（ａ）ニッケル塩またはクロム
   塩、（ｂ）カチオン性またはノニオン性界面活性剤、
   （ｃ）平均粒子径が３〜５０μｍのダイヤモンド粒子、
   （ｄ）有機酸または無機酸、及び（ｅ）銅塩を含有する
   メッキ浴中に浸漬させながら電流を流して前記円板状電
   極表面にダイヤモンド含有金属複合メッキ膜を析出させ
   る。 （２）ダイヤモンド砥石を用いて該電極のダイヤモンド
   含有金属複合メッキ膜面をラップ加工し、表面を平坦化
   する。 （３）円板状金属電極よりダイヤモンド含有金属複合メ
   ッキ膜を剥離させる。 （４）剥離したダイヤモンド含有金属複合メッキ膜をプ
   レス機で円環状に打ち抜いて、中央部に砥石軸に装着す
   るための空所を有し、直径が３０〜１５０ｍｍ、砥石厚
   みが０．０１〜０．１０ｍｍ、素材がダイヤモンド含有
   金属複合メッキ物である溝切り用砥石を製造する。
4. 【請求項４】 メッキ浴は、水を分散体とし、 （ａ）ニッケル塩またはクロム塩 ２００〜８５０ｇ／リットル、 （ｂ）界面活性剤 ０．１〜１０ｇ／リットル、 （ｃ）ダイヤモンド粒子 ２０〜１５０ｇ／リットル、 （ｄ）有機酸または無機酸 ０．１〜５０ｇ／リットル、 （ｅ）銅塩 ５〜６０ｇ／リットル、 を含有する組成であることを特徴とする、請求項３に記
   載の溝切り用砥石の製造方法。
5. 【請求項５】 ワ−クの表面に１〜３ｍｍの連続した研
   削液膜が形成される量の研削液をワ−ク表面に供給しつ
   つ、砥石軸に回転自在に装着された直径が３０〜１５０
   ｍｍ、砥石厚みが０．０１〜０．１０ｍｍ、素材がダイ
   ヤモンド含有金属複合メッキ物である溝切り用砥石を
   ３，０００〜１０，０００ｒｐｍの回転速度で回転さ
   せ、該溝切り用砥石を下降させてワ−ク表面に対して該
   溝切り用砥石の外周が垂直となるようにワ−クに切り込
   みをかけ、研削を行い、ワ−ク表面に幅０．１２ｍｍ以
   下で深さ１〜５ｍｍの溝を形成するか、ワ−クの厚みが
   ０．０３〜３ｍｍであるときはワ−クを切断することを
   特徴とする、ワ−クを研削加工する方法。