JP2002055047A - 原料液の品質評価方法及び出荷管理方法、並びに半導体処理方法 - Google Patents
原料液の品質評価方法及び出荷管理方法、並びに半導体処理方法Info
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- JP2002055047A JP2002055047A JP2000230861A JP2000230861A JP2002055047A JP 2002055047 A JP2002055047 A JP 2002055047A JP 2000230861 A JP2000230861 A JP 2000230861A JP 2000230861 A JP2000230861 A JP 2000230861A JP 2002055047 A JP2002055047 A JP 2002055047A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】安定性の低い原料液の分解度を即時的に検出し
て半導体処理の可否の制御を行う。 【解決手段】半導体ウエハＷ上に銅薄膜を形成するため
のＭＯＣＶＤ処理方法において、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍ
ｖｓが銅原料液として使用される。原料液ＰＬの分解度
を検出するため、その指標として原料液ＰＬの屈折率ま
たは６６９ｎｍのスペクトルに対する吸光度が使用され
る。原料液ＰＬの屈折率または吸光度は、原料タンク２
４に配設された測定器３４により測定される。測定器３
４により得られた測定値は、品質コントローラ３６にお
いて、しきい値と比較される。測定値がしきい値を越え
る場合は、供給ライン２２及び加圧ライン３２の電磁弁
Ｖ１、Ｖ２が閉鎖され、ＭＯＣＶＤ処理の実行が保留さ
れる。
て半導体処理の可否の制御を行う。 【解決手段】半導体ウエハＷ上に銅薄膜を形成するため
のＭＯＣＶＤ処理方法において、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍ
ｖｓが銅原料液として使用される。原料液ＰＬの分解度
を検出するため、その指標として原料液ＰＬの屈折率ま
たは６６９ｎｍのスペクトルに対する吸光度が使用され
る。原料液ＰＬの屈折率または吸光度は、原料タンク２
４に配設された測定器３４により測定される。測定器３
４により得られた測定値は、品質コントローラ３６にお
いて、しきい値と比較される。測定値がしきい値を越え
る場合は、供給ライン２２及び加圧ライン３２の電磁弁
Ｖ１、Ｖ２が閉鎖され、ＭＯＣＶＤ処理の実行が保留さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、（Ｏ2 Ｃ5 Ｈ
Ｆ6 ）Ｃｕ・Ｌの化学式（ここで、Ｌは電気的に中性
で、炭素原子の多重結合を有し、且つ前記多重結合のπ
電子が一価の銅との配位結合に関与する有機配位子）で
表される物質を含む原料液の品質評価方法及び出荷管理
方法、並びにこの原料液を使用する半導体処理方法に関
する。特に、本発明に係る半導体処理方法は、ＣＶＤに
より被処理基板上に銅を含む膜を形成するＭＯＣＶＤ
（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）処理方
法に関する。なお、ここで、半導体処理とは、半導体ウ
エハやＬＣＤ基板等の被処理体上に半導体層、絶縁層、
導電層等を所定のパターンで形成することにより、該被
処理体上に半導体デバイスや、半導体デバイスに接続さ
れる配線、電極等を含む構造物を製造するために実施さ
れる種々の処理を意味する。
Ｆ6 ）Ｃｕ・Ｌの化学式（ここで、Ｌは電気的に中性
で、炭素原子の多重結合を有し、且つ前記多重結合のπ
電子が一価の銅との配位結合に関与する有機配位子）で
表される物質を含む原料液の品質評価方法及び出荷管理
方法、並びにこの原料液を使用する半導体処理方法に関
する。特に、本発明に係る半導体処理方法は、ＣＶＤに
より被処理基板上に銅を含む膜を形成するＭＯＣＶＤ
（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）処理方
法に関する。なお、ここで、半導体処理とは、半導体ウ
エハやＬＣＤ基板等の被処理体上に半導体層、絶縁層、
導電層等を所定のパターンで形成することにより、該被
処理体上に半導体デバイスや、半導体デバイスに接続さ
れる配線、電極等を含む構造物を製造するために実施さ
れる種々の処理を意味する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの電極や配線の材料とし
ては、アルミニウム或いはアルミニウム合金が最も一般
的である。これに対して、銅は、電極や配線層の一部、
例えばバリア層の材料や、アルミニウムとの合金材料と
して使用されている。また、近年、アルミニウム配線に
代わる銅配線の実用化が急ピッチで進んでいる。
ては、アルミニウム或いはアルミニウム合金が最も一般
的である。これに対して、銅は、電極や配線層の一部、
例えばバリア層の材料や、アルミニウムとの合金材料と
して使用されている。また、近年、アルミニウム配線に
代わる銅配線の実用化が急ピッチで進んでいる。
【０００３】半導体ウエハ上に銅或いは銅合金の膜を形
成する場合、一般的に、蒸着或いはスパッタリングが成
膜方法として使用される。しかし、最近、銅或いは銅合
金の膜をＭＯＣＶＤにより形成する技術が開発された。
典型的には、銅原料液として、（Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ
・（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 の化学式で表されるヘ
キサフロロアセチルアセトン銅トリメチルビニルシラン
（Hexafluoro-acetylacetonato Copper(I) Trimethylvi
nylsilane）が使用される。この銅原料液は液相状態で
貯蔵部に貯蔵され、貯蔵部から気化器を通して気相状態
とされた後、被処理基板を収納した処理室内へ供給さ
れ、成膜処理に使用される。
成する場合、一般的に、蒸着或いはスパッタリングが成
膜方法として使用される。しかし、最近、銅或いは銅合
金の膜をＭＯＣＶＤにより形成する技術が開発された。
典型的には、銅原料液として、（Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ
・（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 の化学式で表されるヘ
キサフロロアセチルアセトン銅トリメチルビニルシラン
（Hexafluoro-acetylacetonato Copper(I) Trimethylvi
nylsilane）が使用される。この銅原料液は液相状態で
貯蔵部に貯蔵され、貯蔵部から気化器を通して気相状態
とされた後、被処理基板を収納した処理室内へ供給さ
れ、成膜処理に使用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ヘキサフロロアセチル
アセトン銅トリメチルビニルシランを銅原料液として使
用したＭＯＣＶＤ銅薄膜の形成方法においては、他の材
料系のＭＯＣＶＤ薄膜よりも品質のばらつきが大きくな
るという問題がある。本発明者によれば、その問題の原
因の１つとして、この銅原料液が非常に不安定であるた
め、貯蔵中に分解してしまうことが見出されている。こ
の銅原料液の分解の進行度（分解度）は、原料液をサン
プリングして化学的分析を行うことにより検出すること
ができるが、この検出方法は時間を要するため、ＭＯＣ
ＶＤ処理等の半導体処理の制御に適していない。
アセトン銅トリメチルビニルシランを銅原料液として使
用したＭＯＣＶＤ銅薄膜の形成方法においては、他の材
料系のＭＯＣＶＤ薄膜よりも品質のばらつきが大きくな
るという問題がある。本発明者によれば、その問題の原
因の１つとして、この銅原料液が非常に不安定であるた
め、貯蔵中に分解してしまうことが見出されている。こ
の銅原料液の分解の進行度（分解度）は、原料液をサン
プリングして化学的分析を行うことにより検出すること
ができるが、この検出方法は時間を要するため、ＭＯＣ
ＶＤ処理等の半導体処理の制御に適していない。
【０００５】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、この種の安定性の低い原料液の
分解度を即時的に検出してその品質評価や出荷管理をお
こなう方法を提供することを目的とする。本発明はま
た、この種の安定性の低い原料液を使用し、被処理基板
に対して半導体処理を施すための方法において、原料液
の分解度を即時的に検出して半導体処理の可否の制御を
行うことにより、最終製品の品質及び歩留まりを向上さ
せることを目的とする。
てなされたものであり、この種の安定性の低い原料液の
分解度を即時的に検出してその品質評価や出荷管理をお
こなう方法を提供することを目的とする。本発明はま
た、この種の安定性の低い原料液を使用し、被処理基板
に対して半導体処理を施すための方法において、原料液
の分解度を即時的に検出して半導体処理の可否の制御を
行うことにより、最終製品の品質及び歩留まりを向上さ
せることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の視点は、
下記の化学式（１）で表される物質を主要部として含む
原料液の品質を評価するための方法であって、 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）前記原料液の分解度と、前記
原料液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光度
と、の関係を表すデータベースを形成する工程と、評価
時点において、前記原料液の屈折率または前記特定スペ
クトルに対する吸光度を測定する工程と、前記データベ
ースを参照し、前記原料液の屈折率または前記特定スペ
クトルに対する吸光度の測定値から前記原料液の分解度
を推定する工程と、推定された前記原料液の分解度に基
づいて、前記評価時点における前記原料液の品質を評価
する工程と、を具備することを特徴とする。
下記の化学式（１）で表される物質を主要部として含む
原料液の品質を評価するための方法であって、 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）前記原料液の分解度と、前記
原料液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光度
と、の関係を表すデータベースを形成する工程と、評価
時点において、前記原料液の屈折率または前記特定スペ
クトルに対する吸光度を測定する工程と、前記データベ
ースを参照し、前記原料液の屈折率または前記特定スペ
クトルに対する吸光度の測定値から前記原料液の分解度
を推定する工程と、推定された前記原料液の分解度に基
づいて、前記評価時点における前記原料液の品質を評価
する工程と、を具備することを特徴とする。
【０００７】本発明の第２の視点は、下記の化学式
（１）で表される物質を主要部として含む原料液の出荷
を管理するための方法であって、 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）前記原料液の分解度の指標と
して前記原料液の屈折率または特定スペクトルに対する
吸光度のしきい値を設定する工程と、前記原料液の出荷
前に、前記原料液の屈折率または前記特定スペクトルに
対する吸光度を測定する工程と、前記原料液の屈折率ま
たは前記特定スペクトルに対する吸光度の測定値と前記
しきい値とを比較し、前記しきい値を越える場合は前記
原料液の出荷を保留する工程と、を具備することを特徴
とする。
（１）で表される物質を主要部として含む原料液の出荷
を管理するための方法であって、 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）前記原料液の分解度の指標と
して前記原料液の屈折率または特定スペクトルに対する
吸光度のしきい値を設定する工程と、前記原料液の出荷
前に、前記原料液の屈折率または前記特定スペクトルに
対する吸光度を測定する工程と、前記原料液の屈折率ま
たは前記特定スペクトルに対する吸光度の測定値と前記
しきい値とを比較し、前記しきい値を越える場合は前記
原料液の出荷を保留する工程と、を具備することを特徴
とする。
【０００８】本発明の第３の視点は、下記の化学式
（１）で表される物質を主要部として含む原料液を使用
し、被処理基板に対して半導体処理を施すための方法で
あって、 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）前記原料液の分解度の指標と
して前記原料液の屈折率または特定スペクトルに対する
吸光度のしきい値を設定する工程と、前記原料液を貯蔵
する貯蔵部から前記被処理基板を収納する処理室までの
間で、前記原料液の屈折率または前記特定スペクトルに
対する吸光度を測定する工程と、前記原料液の屈折率ま
たは前記特定スペクトルに対する吸光度の測定値と前記
しきい値とを比較し、前記しきい値を越える場合は前記
半導体処理の実行を保留する工程と、を具備することを
特徴とする。
（１）で表される物質を主要部として含む原料液を使用
し、被処理基板に対して半導体処理を施すための方法で
あって、 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）前記原料液の分解度の指標と
して前記原料液の屈折率または特定スペクトルに対する
吸光度のしきい値を設定する工程と、前記原料液を貯蔵
する貯蔵部から前記被処理基板を収納する処理室までの
間で、前記原料液の屈折率または前記特定スペクトルに
対する吸光度を測定する工程と、前記原料液の屈折率ま
たは前記特定スペクトルに対する吸光度の測定値と前記
しきい値とを比較し、前記しきい値を越える場合は前記
半導体処理の実行を保留する工程と、を具備することを
特徴とする。
【０００９】本発明の第４の視点は、第３の視点の方法
において、前記半導体処理は、前記原料液を、前記貯蔵
部から前記処理室内へ供給すると共に、少なくとも前記
処理室内で気相状態にし、ＣＶＤにより前記被処理基板
上に銅を含む膜を形成するＭＯＣＶＤ処理であり、前記
原料液の屈折率または前記特定スペクトルに対する吸光
度を測定する前記工程は、前記貯蔵部から前記原料液が
気化されるまでの間で行うことを特徴とする。
において、前記半導体処理は、前記原料液を、前記貯蔵
部から前記処理室内へ供給すると共に、少なくとも前記
処理室内で気相状態にし、ＣＶＤにより前記被処理基板
上に銅を含む膜を形成するＭＯＣＶＤ処理であり、前記
原料液の屈折率または前記特定スペクトルに対する吸光
度を測定する前記工程は、前記貯蔵部から前記原料液が
気化されるまでの間で行うことを特徴とする。
【００１０】本発明の第５の視点は、第１乃至第４の視
点のいずれかの方法において、前記化学式（１）のＬは
トリメチルビニルシラン、アリルトリメチルシラン、ビ
ニルトリメトキシシラン、トリエトキシビニルシラン、
ジメトキシメチルビニルシラン、ビニルシクロヘキサ
ン、２−メチル−１−ヘキセン−３−イン、3,3 −ジメ
チル−１−ブテン、1,5 −シクロオクタジエンからなる
群から選択された有機配位子であることを特徴とする。
点のいずれかの方法において、前記化学式（１）のＬは
トリメチルビニルシラン、アリルトリメチルシラン、ビ
ニルトリメトキシシラン、トリエトキシビニルシラン、
ジメトキシメチルビニルシラン、ビニルシクロヘキサ
ン、２−メチル−１−ヘキセン−３−イン、3,3 −ジメ
チル−１−ブテン、1,5 −シクロオクタジエンからなる
群から選択された有機配位子であることを特徴とする。
【００１１】本発明の第６の視点は、第１乃至第４の視
点のいずれかの方法において、前記化学式（１）のＬは
Ｒ3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）n ＣＨ＝ＣＨ2 である（ここで、ｎ
は零または正の整数、Ｒはアルキル基またはアルコキシ
ル基）ことを特徴とする。
点のいずれかの方法において、前記化学式（１）のＬは
Ｒ3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）n ＣＨ＝ＣＨ2 である（ここで、ｎ
は零または正の整数、Ｒはアルキル基またはアルコキシ
ル基）ことを特徴とする。
【００１２】本発明の第７の視点は、第１乃至第４の視
点のいずれかの方法において、前記化学式（１）のＬは
Ｒ2 Ｃ＝ＣＨ2 である（ここで、ＲはＨまたは炭化水素
基）ことを特徴とする。
点のいずれかの方法において、前記化学式（１）のＬは
Ｒ2 Ｃ＝ＣＨ2 である（ここで、ＲはＨまたは炭化水素
基）ことを特徴とする。
【００１３】本発明の第８の視点は、第１乃至第４の視
点のいずれかの方法において、前記化学式（１）のＬは
（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 であることを特徴とす
る。
点のいずれかの方法において、前記化学式（１）のＬは
（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 であることを特徴とす
る。
【００１４】本発明の第９の視点は、第８の視点の方法
において、前記特定スペクトルの波長は６６９ｎｍであ
ることを特徴とする。
において、前記特定スペクトルの波長は６６９ｎｍであ
ることを特徴とする。
【００１５】本発明の第１０の視点は、第１乃至第４の
視点のいずれかの方法において、前記原料液は前記物質
を９０重量％以上含むことを特徴とする。
視点のいずれかの方法において、前記原料液は前記物質
を９０重量％以上含むことを特徴とする。
【００１６】本発明の第１１の視点は、第２乃至第４の
視点のいずれかの方法において、前記原料液は（Ｏ2 Ｃ
5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 から実
質的になることを特徴とする。
視点のいずれかの方法において、前記原料液は（Ｏ2 Ｃ
5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 から実
質的になることを特徴とする。
【００１７】本発明の第１２の視点は、第１１の視点の
方法において、前記しきい値が前記原料液の屈折率であ
り且つ前記分解度が５％以上の値に対応して設定される
場合、前記しきい値は１．４３７９６以下であることを
特徴とする。
方法において、前記しきい値が前記原料液の屈折率であ
り且つ前記分解度が５％以上の値に対応して設定される
場合、前記しきい値は１．４３７９６以下であることを
特徴とする。
【００１８】本発明の第１３の視点は、第１１の視点の
方法において、前記しきい値が６６９ｎｍの波長のスペ
クトルに対する吸光度であり且つ前記分解度が１％以上
の値に対応して設定される場合、光路長１０ｍｍの時、
前記しきい値は１．２９４以上であることを特徴とす
る。
方法において、前記しきい値が６６９ｎｍの波長のスペ
クトルに対する吸光度であり且つ前記分解度が１％以上
の値に対応して設定される場合、光路長１０ｍｍの時、
前記しきい値は１．２９４以上であることを特徴とす
る。
【００１９】更に、本発明の実施の形態には種々の段階
の発明が含まれており、開示される複数の構成要件にお
ける適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得
る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つ
かの構成要件が省略されることで発明が抽出された場
合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が
周知慣用技術で適宜補われるものである。
の発明が含まれており、開示される複数の構成要件にお
ける適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得
る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つ
かの構成要件が省略されることで発明が抽出された場
合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が
周知慣用技術で適宜補われるものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】銅或いは銅合金の膜をＭＯＣＶＤ
により形成する際、原料液として、（Ｏ2 Ｃ 5 ＨＦ6 ）
Ｃｕ・（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 の化学式で表され
るヘキサフロロアセチルアセトン銅トリメチルビニルシ
ラン（一般的にはＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓと書かれ
る）が使用される。Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓは不安定
な液体で、下記の反応式に従って自発的に分解する。２
Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓ→ Ｃｕ ＋ Ｃｕ（ｈｆａ
ｃ）2 ＋ ２ｔｍｖｓなお、ここで、ｈｆａｃはＯ2
Ｃ5 ＨＦ6 を表し、ｔｍｖｓは（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝
ＣＨ2 を表す。
により形成する際、原料液として、（Ｏ2 Ｃ 5 ＨＦ6 ）
Ｃｕ・（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 の化学式で表され
るヘキサフロロアセチルアセトン銅トリメチルビニルシ
ラン（一般的にはＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓと書かれ
る）が使用される。Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓは不安定
な液体で、下記の反応式に従って自発的に分解する。２
Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓ→ Ｃｕ ＋ Ｃｕ（ｈｆａ
ｃ）2 ＋ ２ｔｍｖｓなお、ここで、ｈｆａｃはＯ2
Ｃ5 ＨＦ6 を表し、ｔｍｖｓは（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝
ＣＨ2 を表す。
【００２１】このように原料液の分解が進んで品質が低
下していると、この原料液を使用して得られる最終処理
製品の品質及び歩留まりを低下させる原因となる。従っ
て、原料液の分解が進んでいると判断される場合、原料
液の出荷を保留する、或いは半導体処理を保留する等の
処置をとることが必要となる。本発明者等の研究によれ
ば、このような制御を行うためのＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍ
ｖｓ原料液の分解度の指標として、原料液の屈折率また
は特定スペクトルに対する吸光度が使用できることが明
らかとなった。
下していると、この原料液を使用して得られる最終処理
製品の品質及び歩留まりを低下させる原因となる。従っ
て、原料液の分解が進んでいると判断される場合、原料
液の出荷を保留する、或いは半導体処理を保留する等の
処置をとることが必要となる。本発明者等の研究によれ
ば、このような制御を行うためのＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍ
ｖｓ原料液の分解度の指標として、原料液の屈折率また
は特定スペクトルに対する吸光度が使用できることが明
らかとなった。
【００２２】先ず、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓ原料液の
屈折率について説明する。１００％純粋のＣｕ（ｈｆａ
ｃ）ｔｍｖｓは屈折率が１．４４１３１（２０℃）であ
るのに対して、１００％純粋のｔｍｖｓは屈折率が１．
３９１０７（２０℃）である。実験において、１００％
純粋のＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓと１００％純粋のｔｍ
ｖｓとを混合したところ、屈折率（２０℃）は以下のよ
うに変化した。
屈折率について説明する。１００％純粋のＣｕ（ｈｆａ
ｃ）ｔｍｖｓは屈折率が１．４４１３１（２０℃）であ
るのに対して、１００％純粋のｔｍｖｓは屈折率が１．
３９１０７（２０℃）である。実験において、１００％
純粋のＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓと１００％純粋のｔｍ
ｖｓとを混合したところ、屈折率（２０℃）は以下のよ
うに変化した。
【００２３】１．４３９０７（２．２９％ｔｍｖｓ）、
１．４３６９１（４．４８％ｔｍｖｓ）、１．４３３５
２（８．５７％ｔｍｖｓ）、１．４３００５（１２．３
３％ｔｍｖｓ）、１．４２５３４（１８．９９％ｔｍｖ
ｓ）、１．４１６８５（３１．９２％ｔｍｖｓ）、１．
４０８３３（４８．４０％ｔｍｖｓ）、１．４０３１７
（６０．９８％ｔｍｖｓ）、１．３９９８９（７０．１
０％ｔｍｖｓ）、１．３９５６９（８２．４２％ｔｍｖ
ｓ）、１．３９３５９（９０．３６％ｔｍｖｓ）。
１．４３６９１（４．４８％ｔｍｖｓ）、１．４３３５
２（８．５７％ｔｍｖｓ）、１．４３００５（１２．３
３％ｔｍｖｓ）、１．４２５３４（１８．９９％ｔｍｖ
ｓ）、１．４１６８５（３１．９２％ｔｍｖｓ）、１．
４０８３３（４８．４０％ｔｍｖｓ）、１．４０３１７
（６０．９８％ｔｍｖｓ）、１．３９９８９（７０．１
０％ｔｍｖｓ）、１．３９５６９（８２．４２％ｔｍｖ
ｓ）、１．３９３５９（９０．３６％ｔｍｖｓ）。
【００２４】一方、Ｃｕ（ｈｆａｃ）2 をｔｍｖｓに解
かしても、その屈折率は実質的に変化しなかった。
かしても、その屈折率は実質的に変化しなかった。
【００２５】以上のような実験結果から、Ｃｕ（ｈｆａ
ｃ）ｔｍｖｓの分解に伴う屈折率の変化は、Ｃｕ（ｈｆ
ａｃ）ｔｍｖｓとｔｍｖｓとの混合比（２元系の混合
比）に依存する、概ね一次方程式な屈折率の変化に準じ
ることが判明した。より具体的には、Ｃｕ（ｈｆａｃ）
ｔｍｖｓの分解度と屈折率（２０℃）との関係は次のよ
うなものであった。
ｃ）ｔｍｖｓの分解に伴う屈折率の変化は、Ｃｕ（ｈｆ
ａｃ）ｔｍｖｓとｔｍｖｓとの混合比（２元系の混合
比）に依存する、概ね一次方程式な屈折率の変化に準じ
ることが判明した。より具体的には、Ｃｕ（ｈｆａｃ）
ｔｍｖｓの分解度と屈折率（２０℃）との関係は次のよ
うなものであった。
【００２６】１．４４１３１（０％分解）、１．４３７
９６（５％分解）、１．４３４８９（１０％分解）、
１．４３３０４（１５％分解）、１．４３０５８（２０
％分解）、１．４２０５１（４０％分解）、１．４１１
６２（６０％分解）、１．４０１７４（８０％分解）、
１．３９１０８（１００％分解）。
９６（５％分解）、１．４３４８９（１０％分解）、
１．４３３０４（１５％分解）、１．４３０５８（２０
％分解）、１．４２０５１（４０％分解）、１．４１１
６２（６０％分解）、１．４０１７４（８０％分解）、
１．３９１０８（１００％分解）。
【００２７】従って、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓ原料液
の評価時点において、上述の如く、測定器により原料液
の屈折率を測定することにより、原料液の分解度を推定
し、原料液の品質を評価することができる。また、この
測定値を予設定の屈折率のしきい値と比較することによ
り、原料液の出荷の可否或いは半導体処理の可否の制御
を行うことができる。
の評価時点において、上述の如く、測定器により原料液
の屈折率を測定することにより、原料液の分解度を推定
し、原料液の品質を評価することができる。また、この
測定値を予設定の屈折率のしきい値と比較することによ
り、原料液の出荷の可否或いは半導体処理の可否の制御
を行うことができる。
【００２８】次に、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓ原料液の
特定スペクトルに対する吸光度について説明する。Ｃｕ
（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓの自発的な分解により現れるＣｕ
（ｈｆａｃ）2 は、６６９ｎｍのスペクトルに対して吸
収極大を有し、そのモル吸光係数は約３４．２である。
これに対して、１００％純粋のＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖ
ｓ及び１００％純粋のｔｍｖｓは、６６９ｎｍのスペク
トルを殆ど吸収しない。Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓの分
解度と６６９ｎｍのスペクトルに対する吸光度との関係
は、光路長１０ｍｍの時、次のようなものであった。
特定スペクトルに対する吸光度について説明する。Ｃｕ
（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓの自発的な分解により現れるＣｕ
（ｈｆａｃ）2 は、６６９ｎｍのスペクトルに対して吸
収極大を有し、そのモル吸光係数は約３４．２である。
これに対して、１００％純粋のＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖ
ｓ及び１００％純粋のｔｍｖｓは、６６９ｎｍのスペク
トルを殆ど吸収しない。Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓの分
解度と６６９ｎｍのスペクトルに対する吸光度との関係
は、光路長１０ｍｍの時、次のようなものであった。
【００２９】０．０４０（０％分解）、０．６５０
（０．５％分解）、１．２９４（１％分解）、１．９４
３（１．５％分解）、２．４３２（２％分解）。
（０．５％分解）、１．２９４（１％分解）、１．９４
３（１．５％分解）、２．４３２（２％分解）。
【００３０】従って、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓ原料液
の評価時点において、上述の如く、原料液の６６９ｎｍ
のスペクトルに対する吸光度を測定することにより、原
料液の分解度を推定し、原料液の品質を評価することが
できる。また、この測定値を予設定の吸光度のしきい値
と比較することにより、原料液の出荷の可否或いは半導
体処理の可否の制御を行うことができる。
の評価時点において、上述の如く、原料液の６６９ｎｍ
のスペクトルに対する吸光度を測定することにより、原
料液の分解度を推定し、原料液の品質を評価することが
できる。また、この測定値を予設定の吸光度のしきい値
と比較することにより、原料液の出荷の可否或いは半導
体処理の可否の制御を行うことができる。
【００３１】なお、上述の説明においては、原料液が
（Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・（ＣＨ3 ） 3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ
2 の化学式で表されるヘキサフロロアセチルアセトン銅
トリメチルビニルシランである場合について例示してい
るが、本発明は、類似の特性を有する原料液に対しても
適用することができる。類似の特性を有する原料液は、
下記の化学式（１）で表すことができる。 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）。
（Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・（ＣＨ3 ） 3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ
2 の化学式で表されるヘキサフロロアセチルアセトン銅
トリメチルビニルシランである場合について例示してい
るが、本発明は、類似の特性を有する原料液に対しても
適用することができる。類似の特性を有する原料液は、
下記の化学式（１）で表すことができる。 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）。
【００３２】上記化学式のＬは、上述の説明で例示した
ものも含め、例えば、下記の（ａ）〜（ｉ）の有機配位
子の何れかとすることができる。 （ａ） トリメチルビニルシラン（Trimethylvinylsila
ne）： （ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｂ） アリルトリメチルシラン（Allyltrimethylsila
ne）： （ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｃ） ビニルトリメトキシシラン（Vinyltrimethoxys
ilane）： （ＯＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｄ） トリエトキシビニルシラン（Triethoxyvinylsi
lane）： （ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｅ） ジメトキシメチルビニルシラン（Dimethoxymet
hylvinylsilane）： （ＯＣＨ3 ）2 （ＣＨ3 ）ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｆ） ビニルシクロヘキサン（Vinylcyclohexane）： （Ｃ6 Ｈ11）ＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｇ） ２−メチル−１−ヘキセン−３−イン（2-meth
yl-1-hexen-3-yne）： Ｃ2 Ｈ5 Ｃ≡ＣＣ（ＣＨ3 ）＝ＣＨ2 、 （ｈ） 3,3 −ジメチル−１−ブテン（3,3-dimethyl-1
-butene）： （ＣＨ3 ）3 ＣＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｉ） 1,5 −シクロオクタジエン（1,5-cyclooctadie
ne）。
ものも含め、例えば、下記の（ａ）〜（ｉ）の有機配位
子の何れかとすることができる。 （ａ） トリメチルビニルシラン（Trimethylvinylsila
ne）： （ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｂ） アリルトリメチルシラン（Allyltrimethylsila
ne）： （ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ2 ＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｃ） ビニルトリメトキシシラン（Vinyltrimethoxys
ilane）： （ＯＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｄ） トリエトキシビニルシラン（Triethoxyvinylsi
lane）： （ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｅ） ジメトキシメチルビニルシラン（Dimethoxymet
hylvinylsilane）： （ＯＣＨ3 ）2 （ＣＨ3 ）ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｆ） ビニルシクロヘキサン（Vinylcyclohexane）： （Ｃ6 Ｈ11）ＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｇ） ２−メチル−１−ヘキセン−３−イン（2-meth
yl-1-hexen-3-yne）： Ｃ2 Ｈ5 Ｃ≡ＣＣ（ＣＨ3 ）＝ＣＨ2 、 （ｈ） 3,3 −ジメチル−１−ブテン（3,3-dimethyl-1
-butene）： （ＣＨ3 ）3 ＣＣＨ＝ＣＨ2 、 （ｉ） 1,5 −シクロオクタジエン（1,5-cyclooctadie
ne）。
【００３３】ここで、上記（ａ）〜（ｅ）のように、上
記化学式（１）のＬがＳｉを含む有機配位子である場
合、ＬはＲ3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）n ＣＨ＝ＣＨ2 で表すこと
ができる（ここで、ｎは零または正の整数、Ｒはアルキ
ル基またはアルコキシル基）。また、上記（ｆ）〜
（ｉ）の場合、上記化学式（１）のＬはＲ2 Ｃ＝ＣＨ2
で表すことができる（ここで、ＲはＨまたは炭化水素
基）。
記化学式（１）のＬがＳｉを含む有機配位子である場
合、ＬはＲ3 Ｓｉ（ＣＨ2 ）n ＣＨ＝ＣＨ2 で表すこと
ができる（ここで、ｎは零または正の整数、Ｒはアルキ
ル基またはアルコキシル基）。また、上記（ｆ）〜
（ｉ）の場合、上記化学式（１）のＬはＲ2 Ｃ＝ＣＨ2
で表すことができる（ここで、ＲはＨまたは炭化水素
基）。
【００３４】なお、本発明は、原料液の実質的に全体
（１００％）が上記化学式（１）で表される物質からな
る場合に限定されるものではない。即ち、少なくとも、
原料液がこの物質を主要部として含んでいれば（５０重
量％以上）、原料液の分解度の指標として原料液の屈折
率または特定スペクトルに対する吸光度を使用すること
ができる。
（１００％）が上記化学式（１）で表される物質からな
る場合に限定されるものではない。即ち、少なくとも、
原料液がこの物質を主要部として含んでいれば（５０重
量％以上）、原料液の分解度の指標として原料液の屈折
率または特定スペクトルに対する吸光度を使用すること
ができる。
【００３５】例えば、ＭＯＣＶＤ処理用の銅原料液とし
ては、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓの安定度を高めるため
（成膜前の分解を防ぐため）、これに加えてｔｍｖｓ
（上記化学式（１）のＬに対応）が安定剤として添加さ
れる場合がある。しかし、反面ｔｍｖｓを添加しすぎる
と、膜質の低下が起こるおそれがある。かかる観点か
ら、この場合、原料液は、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓが
９０重量％以上、ｔｍｖｓが１０重量％未満となるよう
に調製される。
ては、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓの安定度を高めるため
（成膜前の分解を防ぐため）、これに加えてｔｍｖｓ
（上記化学式（１）のＬに対応）が安定剤として添加さ
れる場合がある。しかし、反面ｔｍｖｓを添加しすぎる
と、膜質の低下が起こるおそれがある。かかる観点か
ら、この場合、原料液は、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓが
９０重量％以上、ｔｍｖｓが１０重量％未満となるよう
に調製される。
【００３６】このように、本発明は、上記化学式（１）
で表される物質以外の物質をも実質的に含む原料液に対
しても適用することを意図している。以下に、上述のよ
うな知見に基づく本発明の実施の形態に係る原料液の品
質評価方法及び出荷管理方法、並びに半導体処理方法に
ついて説明する。
で表される物質以外の物質をも実質的に含む原料液に対
しても適用することを意図している。以下に、上述のよ
うな知見に基づく本発明の実施の形態に係る原料液の品
質評価方法及び出荷管理方法、並びに半導体処理方法に
ついて説明する。
【００３７】図１は本発明の実施の形態に係る原料液の
品質評価方法を示すフローチャートである。ここで、原
料液は、上記の化学式（１）で表される物質を主要部と
して含む。
品質評価方法を示すフローチャートである。ここで、原
料液は、上記の化学式（１）で表される物質を主要部と
して含む。
【００３８】図１図示の原料液の品質評価方法において
は、先ず、原料液の分解度と、原料液の屈折率または特
定スペクトルに対する吸光度と、の関係を表すデータベ
ースを形成する（工程Ｓ１）。そして、このデータベー
スを品質コントローラに入力する（工程Ｓ２）。このよ
うなデータベースは上述のような実験により得られたデ
ータにより構築することができ、一旦形成すれば、その
後基準データとして使用することができる。
は、先ず、原料液の分解度と、原料液の屈折率または特
定スペクトルに対する吸光度と、の関係を表すデータベ
ースを形成する（工程Ｓ１）。そして、このデータベー
スを品質コントローラに入力する（工程Ｓ２）。このよ
うなデータベースは上述のような実験により得られたデ
ータにより構築することができ、一旦形成すれば、その
後基準データとして使用することができる。
【００３９】次に、評価時点において、対象となる原料
液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光度を測定
器により測定する（工程Ｓ３）。そして、この測定値を
測定器から品質コントローラへ送り込む（工程Ｓ４）。
次に、品質コントローラにおいて、データベースを参照
し、原料液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光
度の測定値から原料液の分解度を推定する（工程Ｓ
５）。そして、推定された原料液の分解度に基づいて、
品質コントローラにより、或いはオペレータ自身の判断
により、評価時点における原料液の品質を評価する（工
程Ｓ６）。
液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光度を測定
器により測定する（工程Ｓ３）。そして、この測定値を
測定器から品質コントローラへ送り込む（工程Ｓ４）。
次に、品質コントローラにおいて、データベースを参照
し、原料液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光
度の測定値から原料液の分解度を推定する（工程Ｓ
５）。そして、推定された原料液の分解度に基づいて、
品質コントローラにより、或いはオペレータ自身の判断
により、評価時点における原料液の品質を評価する（工
程Ｓ６）。
【００４０】図１図示の方法によれば、原料液をサンプ
リングして化学的分析を行う必要がなく、原料液の分解
度を即時的に検出してその品質評価を行うことができ
る。
リングして化学的分析を行う必要がなく、原料液の分解
度を即時的に検出してその品質評価を行うことができ
る。
【００４１】図２は本発明の別の実施の形態に係る原料
液の出荷管理方法を示すフローチャートである。ここで
も、原料液は、上記の化学式（１）で表される物質を主
要部として含む。
液の出荷管理方法を示すフローチャートである。ここで
も、原料液は、上記の化学式（１）で表される物質を主
要部として含む。
【００４２】図２図示の原料液の出荷管理方法において
は、先ず、原料液の分解度の指標として原料液の屈折率
または特定スペクトルに対する吸光度のしきい値を設定
する（工程Ｓ１１）。そして、このしきい値を品質コン
トローラに入力する（工程Ｓ１２）。このようなしきい
値は上述のような実験により得られたデータに基づいて
設定することができる。なお、ここで、図１図示の方法
のように、原料液の分解度と、原料液の屈折率または特
定スペクトルに対する吸光度と、の関係を表すデータベ
ースを予め形成し、品質コントローラに入力してもよ
い。このようなデータベースを形成することにより、し
きい値の変更に容易に対応することができるようにな
る。
は、先ず、原料液の分解度の指標として原料液の屈折率
または特定スペクトルに対する吸光度のしきい値を設定
する（工程Ｓ１１）。そして、このしきい値を品質コン
トローラに入力する（工程Ｓ１２）。このようなしきい
値は上述のような実験により得られたデータに基づいて
設定することができる。なお、ここで、図１図示の方法
のように、原料液の分解度と、原料液の屈折率または特
定スペクトルに対する吸光度と、の関係を表すデータベ
ースを予め形成し、品質コントローラに入力してもよ
い。このようなデータベースを形成することにより、し
きい値の変更に容易に対応することができるようにな
る。
【００４３】次に、原料液の出荷直前に、対象となる原
料液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光度を測
定器により測定する（工程Ｓ１３）。そして、この測定
値を測定器から品質コントローラへ送り込む（工程Ｓ１
４）。次に、品質コントローラにおいて、原料液の屈折
率または特定スペクトルに対する吸光度の測定値としき
い値とを比較する（工程Ｓ１５）。そして、測定値がし
きい値を越えない場合は原料液の出荷を実行し（工程Ｓ
１６）、測定値がしきい値を越える場合は原料液の出荷
を保留する（工程Ｓ１７）。
料液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光度を測
定器により測定する（工程Ｓ１３）。そして、この測定
値を測定器から品質コントローラへ送り込む（工程Ｓ１
４）。次に、品質コントローラにおいて、原料液の屈折
率または特定スペクトルに対する吸光度の測定値としき
い値とを比較する（工程Ｓ１５）。そして、測定値がし
きい値を越えない場合は原料液の出荷を実行し（工程Ｓ
１６）、測定値がしきい値を越える場合は原料液の出荷
を保留する（工程Ｓ１７）。
【００４４】図２図示の方法によれば、原料液をサンプ
リングして化学的分析を行う必要がなく、原料液の分解
度を即時的に検出してその出荷管理を行うことができ
る。
リングして化学的分析を行う必要がなく、原料液の分解
度を即時的に検出してその出荷管理を行うことができ
る。
【００４５】図３は本発明の更に別の実施の形態に係る
半導体処理方法を実施するためのＭＯＣＶＤ装置を示す
概略図である。ここでも、原料液は、上記の化学式
（１）で表される物質を主要部として含み、例えば、実
質的に全体がＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓからなる。
半導体処理方法を実施するためのＭＯＣＶＤ装置を示す
概略図である。ここでも、原料液は、上記の化学式
（１）で表される物質を主要部として含み、例えば、実
質的に全体がＣｕ（ｈｆａｃ）ｔｍｖｓからなる。
【００４６】図３図示の如く、このＭＯＣＶＤ装置１０
は、被処理基板である半導体ウエハＷを収納するための
処理室１２を具備する。処理室１２内には、被処理基板
Ｗを載置するための載置台１４が配設される。処理室１
２の下部には、内部を排気すると共に真空に設定するた
めの排気系１６が接続される。また、処理室１２の上部
には、原料液を気化することにより得られる処理ガスを
供給するためのシャワーヘッド１８を含む供給系が接続
される。
は、被処理基板である半導体ウエハＷを収納するための
処理室１２を具備する。処理室１２内には、被処理基板
Ｗを載置するための載置台１４が配設される。処理室１
２の下部には、内部を排気すると共に真空に設定するた
めの排気系１６が接続される。また、処理室１２の上部
には、原料液を気化することにより得られる処理ガスを
供給するためのシャワーヘッド１８を含む供給系が接続
される。
【００４７】シャワーヘッド１８は、供給ライン２２を
介して、上述の銅原料液ＰＬを貯蔵する貯蔵部即ち原料
タンク２４に接続される。供給ライン２２には、上流側
から順に、流量コントローラ２６、原料液ＰＬを気化さ
せるための気化器２８等が配設される。原料タンク２４
には、原料液ＰＬを圧送するため、Ｈｅ等の加圧気体を
供給するための加圧ライン３２が接続される。
介して、上述の銅原料液ＰＬを貯蔵する貯蔵部即ち原料
タンク２４に接続される。供給ライン２２には、上流側
から順に、流量コントローラ２６、原料液ＰＬを気化さ
せるための気化器２８等が配設される。原料タンク２４
には、原料液ＰＬを圧送するため、Ｈｅ等の加圧気体を
供給するための加圧ライン３２が接続される。
【００４８】原料タンク２４にはまた、原料液ＰＬの屈
折率または特定スペクトルに対する吸光度を測定するた
めの測定器３４が配設される。測定器３４は品質コント
ローラ３６に接続され、測定器３４で得られた測定値は
コントローラ３６に供給される。コントローラ３６は、
測定器３４からの測定値に基づいて、供給ライン２２に
配設された電磁弁Ｖ１、及び加圧ライン３２に配設され
た電磁弁Ｖ２の開閉を制御する。
折率または特定スペクトルに対する吸光度を測定するた
めの測定器３４が配設される。測定器３４は品質コント
ローラ３６に接続され、測定器３４で得られた測定値は
コントローラ３６に供給される。コントローラ３６は、
測定器３４からの測定値に基づいて、供給ライン２２に
配設された電磁弁Ｖ１、及び加圧ライン３２に配設され
た電磁弁Ｖ２の開閉を制御する。
【００４９】図３図示のＭＯＣＶＤ装置１０において、
原料液ＰＬは、加圧ライン３２から供給される加圧気体
により、原料タンク２４から送り出される。原料液ＰＬ
は、流量コントローラ２６により流量制御されながら気
化器２８に供給され、ここで気化されることにより気相
状態となる。原料液ＰＬから得られた処理ガスは、供給
ライン２２及びシャワーヘッド１８を通して処理室１２
内に供給され、被処理基板Ｗ上に銅薄膜を堆積するため
に使用される。
原料液ＰＬは、加圧ライン３２から供給される加圧気体
により、原料タンク２４から送り出される。原料液ＰＬ
は、流量コントローラ２６により流量制御されながら気
化器２８に供給され、ここで気化されることにより気相
状態となる。原料液ＰＬから得られた処理ガスは、供給
ライン２２及びシャワーヘッド１８を通して処理室１２
内に供給され、被処理基板Ｗ上に銅薄膜を堆積するため
に使用される。
【００５０】測定器３４で測定される原料液ＰＬの屈折
率または特定スペクトルに対する吸光度は、上述のよう
に、原料液ＰＬの分解度の指標として使用される。品質
コントローラ３６には、予め、原料液ＰＬの屈折率また
は特定スペクトルに対する吸光度のしきい値が設定され
る。測定器３４で得られた測定値は、コントローラ３６
において、しきい値と比較される。測定値がしきい値を
越える場合は、コントローラ３６により、供給ライン２
２及び加圧ライン３２の電磁弁Ｖ１、Ｖ２が共に閉鎖さ
れ、処理の実行が保留される。
率または特定スペクトルに対する吸光度は、上述のよう
に、原料液ＰＬの分解度の指標として使用される。品質
コントローラ３６には、予め、原料液ＰＬの屈折率また
は特定スペクトルに対する吸光度のしきい値が設定され
る。測定器３４で得られた測定値は、コントローラ３６
において、しきい値と比較される。測定値がしきい値を
越える場合は、コントローラ３６により、供給ライン２
２及び加圧ライン３２の電磁弁Ｖ１、Ｖ２が共に閉鎖さ
れ、処理の実行が保留される。
【００５１】高い分解度のしきい値が設定される場合、
原料液ＰＬの分解度の指標として原料液ＰＬの屈折率が
使用可能となる。例えば、分解度が５％以上の時に処理
を保留したいのであれば、屈折率のしきい値を５％分解
の屈折率の値１．４３７９６に予め設定し、これを品質
コントローラ３６において測定器３４による屈折率の測
定値と比較することにより、処理の制御を行う。
原料液ＰＬの分解度の指標として原料液ＰＬの屈折率が
使用可能となる。例えば、分解度が５％以上の時に処理
を保留したいのであれば、屈折率のしきい値を５％分解
の屈折率の値１．４３７９６に予め設定し、これを品質
コントローラ３６において測定器３４による屈折率の測
定値と比較することにより、処理の制御を行う。
【００５２】一方、低い分解度のしきい値が設定される
場合、原料液ＰＬの分解度の指標として原料液ＰＬの特
定スペクトルに対する吸光度が使用可能となる。例え
ば、分解度が１％以上の時に処理を保留したいのであれ
ば、光路長１０ｍｍとすると共に、吸光度のしきい値を
１％分解の吸光度の値１．２９４に予め設定し、これを
品質コントローラ３６において測定器３４による吸光度
の測定値と比較することにより、処理の制御を行う。
場合、原料液ＰＬの分解度の指標として原料液ＰＬの特
定スペクトルに対する吸光度が使用可能となる。例え
ば、分解度が１％以上の時に処理を保留したいのであれ
ば、光路長１０ｍｍとすると共に、吸光度のしきい値を
１％分解の吸光度の値１．２９４に予め設定し、これを
品質コントローラ３６において測定器３４による吸光度
の測定値と比較することにより、処理の制御を行う。
【００５３】図４は図３図示の半導体処理方法を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【００５４】先ず、原料液ＰＬの分解度の指標として原
料液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光度のし
きい値を設定する（工程Ｓ２１）。そして、このしきい
値を品質コントローラ３６に入力する（工程Ｓ２２）。
次に、原料タンク２４から気化器２８までの間で、原料
液ＰＬの屈折率または特定スペクトルに対する吸光度を
測定器３４により測定する（工程Ｓ２３）。そして、こ
の測定値を測定器３４から品質コントローラ３６へ送り
込む（工程Ｓ２４）。次に、品質コントローラ３６にお
いて、原料液ＰＬの屈折率または特定スペクトルに対す
る吸光度の測定値としきい値とを比較する（工程Ｓ２
５）。そして、測定値がしきい値を越えない場合はＭＯ
ＣＶＤ処理の実行を継続し（工程Ｓ２６）、測定値がし
きい値を越える場合は、品質コントローラ３６により電
磁弁Ｖ１、Ｖ２を閉鎖し、ＭＯＣＶＤ処理の実行を保留
する（工程Ｓ２７）。
料液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光度のし
きい値を設定する（工程Ｓ２１）。そして、このしきい
値を品質コントローラ３６に入力する（工程Ｓ２２）。
次に、原料タンク２４から気化器２８までの間で、原料
液ＰＬの屈折率または特定スペクトルに対する吸光度を
測定器３４により測定する（工程Ｓ２３）。そして、こ
の測定値を測定器３４から品質コントローラ３６へ送り
込む（工程Ｓ２４）。次に、品質コントローラ３６にお
いて、原料液ＰＬの屈折率または特定スペクトルに対す
る吸光度の測定値としきい値とを比較する（工程Ｓ２
５）。そして、測定値がしきい値を越えない場合はＭＯ
ＣＶＤ処理の実行を継続し（工程Ｓ２６）、測定値がし
きい値を越える場合は、品質コントローラ３６により電
磁弁Ｖ１、Ｖ２を閉鎖し、ＭＯＣＶＤ処理の実行を保留
する（工程Ｓ２７）。
【００５５】図４図示の方法によれば、原料液ＰＬをサ
ンプリングして化学的分析を行う必要がなく、原料液Ｐ
Ｌの分解度を即時的に検出してＭＯＣＶＤ処理の可否の
制御を行うことにより、最終製品の品質及び歩留まりを
向上させることができる。
ンプリングして化学的分析を行う必要がなく、原料液Ｐ
Ｌの分解度を即時的に検出してＭＯＣＶＤ処理の可否の
制御を行うことにより、最終製品の品質及び歩留まりを
向上させることができる。
【００５６】なお、図３図示の実施の形態においては、
原料タンク２４において原料液ＰＬの屈折率または特定
スペクトルに対する吸光度を測定しているが、屈折率ま
たは吸光度は、原料液ＰＬが液相状態にある間、即ち原
料タンク２４と気化器２８との間であれば、どこで測定
してもよい。また、本発明に係る半導体処理は、ＭＯＣ
ＶＤ処理のみに限定的に適用されるものでなく、銅原料
液を使用した半導体処理全般に対して適用することがで
きる。もし、半導体処理が原料液を液相状態のまま処理
室に供給するタイプのものであれば、屈折率または吸光
度は、原料タンクから処理室までの間の供給ライン上の
何れかの場所で測定すればよい。
原料タンク２４において原料液ＰＬの屈折率または特定
スペクトルに対する吸光度を測定しているが、屈折率ま
たは吸光度は、原料液ＰＬが液相状態にある間、即ち原
料タンク２４と気化器２８との間であれば、どこで測定
してもよい。また、本発明に係る半導体処理は、ＭＯＣ
ＶＤ処理のみに限定的に適用されるものでなく、銅原料
液を使用した半導体処理全般に対して適用することがで
きる。もし、半導体処理が原料液を液相状態のまま処理
室に供給するタイプのものであれば、屈折率または吸光
度は、原料タンクから処理室までの間の供給ライン上の
何れかの場所で測定すればよい。
【００５７】その他、本発明の思想の範疇において、当
業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るも
のであり、それら変更例及び修正例についても本発明の
範囲に属するものと了解される。
業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るも
のであり、それら変更例及び修正例についても本発明の
範囲に属するものと了解される。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
上記の化学式（１）で表される物質を含む安定性の低い
原料液の分解度を即時的に検出してその品質評価や出荷
管理をおこなう方法を提供することができる。
上記の化学式（１）で表される物質を含む安定性の低い
原料液の分解度を即時的に検出してその品質評価や出荷
管理をおこなう方法を提供することができる。
【００５９】本発明はよれば、また、上記の化学式
（１）で表される物質を含む安定性の低い原料液を使用
し、被処理基板に対して半導体処理を施すための方法に
おいて、原料液の分解度を即時的に検出して半導体処理
の可否の制御を行うことにより、最終製品の品質及び歩
留まりを向上させることができる。
（１）で表される物質を含む安定性の低い原料液を使用
し、被処理基板に対して半導体処理を施すための方法に
おいて、原料液の分解度を即時的に検出して半導体処理
の可否の制御を行うことにより、最終製品の品質及び歩
留まりを向上させることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る原料液の品質評価方
法を示すフローチャート。
法を示すフローチャート。
【図２】本発明の別の実施の形態に係る原料液の出荷管
理方法を示すフローチャート。
理方法を示すフローチャート。
【図３】本発明の更に別の実施の形態に係る半導体処理
方法を実施するためのＭＯＣＶＤ装置を示す概略図。
方法を実施するためのＭＯＣＶＤ装置を示す概略図。
【図４】図３図示の半導体処理方法を示すフローチャー
ト。
ト。
１０…ＭＯＣＶＤ装置 １２…処理室 １４…載置台 １６…排気系 １８…シャワーヘッド ２２…供給ライン ２４…原料タンク ２６…流量コントローラ ２８…気化器 ３２…加圧ライン ３４…測定器 ３６…品質コントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｎ 33/00 Ｇ０１Ｎ 33/00 Ｂ Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｃ ３０１ ３０１Ｚ (72)発明者 ジャンマルク・ジラルド 茨城県つくば市東光台１−９−25 Ｆターム(参考） 2G059 AA01 AA02 BB04 BB16 CC12 DD12 DD15 EE04 EE12 HH02 HH06 MM05 MM10 4K030 AA06 AA11 BA01 CA04 CA12 EA01 HA17 4M104 BB04 DD45 HH20
Claims (13)
- 【請求項１】下記の化学式（１）で表される物質を主要
部として含む原料液の品質を評価するための方法であっ
て、 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）前記原料液の分解度と、前記
原料液の屈折率または特定スペクトルに対する吸光度
と、の関係を表すデータベースを形成する工程と、 評価時点において、前記原料液の屈折率または前記特定
スペクトルに対する吸光度を測定する工程と、 前記データベースを参照し、前記原料液の屈折率または
前記特定スペクトルに対する吸光度の測定値から前記原
料液の分解度を推定する工程と、 推定された前記原料液の分解度に基づいて、前記評価時
点における前記原料液の品質を評価する工程と、を具備
することを特徴とする原料液の品質評価方法。 - 【請求項２】下記の化学式（１）で表される物質を主要
部として含む原料液の出荷を管理するための方法であっ
て、 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）前記原料液の分解度の指標と
して前記原料液の屈折率または特定スペクトルに対する
吸光度のしきい値を設定する工程と、 前記原料液の出荷前に、前記原料液の屈折率または前記
特定スペクトルに対する吸光度を測定する工程と、 前記原料液の屈折率または前記特定スペクトルに対する
吸光度の測定値と前記しきい値とを比較し、前記しきい
値を越える場合は前記原料液の出荷を保留する工程と、
を具備することを特徴とする原料液の出荷管理方法。 - 【請求項３】下記の化学式（１）で表される物質を主要
部として含む原料液を使用し、被処理基板に対して半導
体処理を施すための方法であって、 （Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・Ｌ…（１） （ここで、Ｌは電気的に中性で、炭素原子の多重結合を
有し、且つ前記多重結合のπ電子が一価の銅との配位結
合に関与する有機配位子）前記原料液の分解度の指標と
して前記原料液の屈折率または特定スペクトルに対する
吸光度のしきい値を設定する工程と、 前記原料液を貯蔵する貯蔵部から前記被処理基板を収納
する処理室までの間で、前記原料液の屈折率または前記
特定スペクトルに対する吸光度を測定する工程と、 前記原料液の屈折率または前記特定スペクトルに対する
吸光度の測定値と前記しきい値とを比較し、前記しきい
値を越える場合は前記半導体処理の実行を保留する工程
と、を具備することを特徴とする半導体処理方法。 - 【請求項４】前記半導体処理は、前記原料液を、前記貯
蔵部から前記処理室内へ供給すると共に、少なくとも前
記処理室内で気相状態にし、ＣＶＤにより前記被処理基
板上に銅を含む膜を形成するＭＯＣＶＤ処理であり、前
記原料液の屈折率または前記特定スペクトルに対する吸
光度を測定する前記工程は、前記貯蔵部から前記原料液
が気化されるまでの間で行うことを特徴とする請求項３
に記載の半導体処理方法。 - 【請求項５】前記化学式（１）のＬはトリメチルビニル
シラン、アリルトリメチルシラン、ビニルトリメトキシ
シラン、トリエトキシビニルシラン、ジメトキシメチル
ビニルシラン、ビニルシクロヘキサン、２−メチル−１
−ヘキセン−３−イン、3,3−ジメチル−１−ブテン、
1,5 −シクロオクタジエンからなる群から選択された有
機配位子であることを特徴とする請求項１乃至４のいず
れかに記載の方法。 - 【請求項６】前記化学式（１）のＬはＲ3 Ｓｉ（Ｃ
Ｈ2 ）n ＣＨ＝ＣＨ2 である（ここで、ｎは零または正
の整数、Ｒはアルキル基またはアルコキシル基）ことを
特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】前記化学式（１）のＬはＲ2 Ｃ＝ＣＨ2 で
ある（ここで、ＲはＨまたは炭化水素基）ことを特徴と
する請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】前記化学式（１）のＬは（ＣＨ3 ）3 Ｓｉ
ＣＨ＝ＣＨ2 であることを特徴とする請求項１乃至４の
いずれかに記載の方法。 - 【請求項９】前記特定スペクトルの波長は６６９ｎｍで
あることを特徴とする請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】前記原料液は前記物質を９０重量％以上
含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載
の方法。 - 【請求項１１】前記原料液は（Ｏ2 Ｃ5 ＨＦ6 ）Ｃｕ・
（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣＨ＝ＣＨ2 から実質的になることを
特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１２】前記しきい値が前記原料液の屈折率であ
り且つ前記分解度が５％以上の値に対応して設定される
場合、前記しきい値は１．４３７９６以下であることを
特徴とする請求項１１に記載の方法。 - 【請求項１３】前記しきい値が６６９ｎｍの波長のスペ
クトルに対する吸光度であり且つ前記分解度が１％以上
の値に対応して設定される場合、光路長１０ｍｍの時、
前記しきい値は１．２９４以上であることを特徴とする
請求項１１に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000230861A JP2002055047A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 原料液の品質評価方法及び出荷管理方法、並びに半導体処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000230861A JP2002055047A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 原料液の品質評価方法及び出荷管理方法、並びに半導体処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002055047A true JP2002055047A (ja) | 2002-02-20 |
Family
ID=18723764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000230861A Pending JP2002055047A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | 原料液の品質評価方法及び出荷管理方法、並びに半導体処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002055047A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160066504A (ko) * | 2014-12-02 | 2016-06-10 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 분해 검출 장치, 농도 측정 장치 및 농도 제어 장치 |
-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000230861A patent/JP2002055047A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160066504A (ko) * | 2014-12-02 | 2016-06-10 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 분해 검출 장치, 농도 측정 장치 및 농도 제어 장치 |
| JP2016111068A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 株式会社堀場エステック | 分解検出装置、濃度測定装置、及び、濃度制御装置 |
| KR102320188B1 (ko) | 2014-12-02 | 2021-11-02 | 가부시키가이샤 호리바 에스텍 | 분해 검출 장치, 농도 측정 장치 및 농도 제어 장치 |
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