JP2002049354A - Self-luminescence device and electric appliance using the same - Google Patents

Self-luminescence device and electric appliance using the same

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JP2002049354A
JP2002049354A JP2001137881A JP2001137881A JP2002049354A JP 2002049354 A JP2002049354 A JP 2002049354A JP 2001137881 A JP2001137881 A JP 2001137881A JP 2001137881 A JP2001137881 A JP 2001137881A JP 2002049354 A JP2002049354 A JP 2002049354A
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Jun Koyama
潤 小山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To raise the aperture ratio in a pixel than in the conventional practice in a self-luminescence device. SOLUTION: In this device, source signal lines connected to a source line driving circuit 102 and current supplying lines connected to a power source 106 are connected respectively to a changeover circuit 105. Moreover, the changeover circuit 105 and a pixel part 101 are connected by wirings. Furthermore, in these wirings, the same wiring can be used as a source signal line or a current supplying line by a changeover signal to be inputted to the changeover circuit 105. As a result, since the number of wirings in the pixel part can be reduced, the aperture ratio can be raised.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、自発光装置の構成
に関する。本発明は、特に、絶縁体上に作製される薄膜
トランジスタ(TFT)を有するアクティブマトリクス
型自発光装置に関する。
The present invention relates to a structure of a self-luminous device. The present invention particularly relates to an active matrix type self-luminous device having a thin film transistor (TFT) formed on an insulator.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、基板上にTFTを形成する技術が
大幅に進歩し、アクティブマトリクス型表示装置(自発
光装置)への応用開発が進められている。特に、ポリシ
リコン膜を用いたTFTは、従来のアモルファスシリコ
ン膜を用いたTFTよりも電界効果移動度(モビリティ
ともいう)が高いので、高速動作が可能である。そのた
め、従来、基板外の駆動回路で行っていた画素の制御
を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行うこと
が可能となっている。
2. Description of the Related Art In recent years, the technology for forming a TFT on a substrate has been greatly advanced, and its application to an active matrix display device (self-luminous device) has been promoted. In particular, a TFT using a polysilicon film has higher field-effect mobility (also referred to as mobility) than a TFT using a conventional amorphous silicon film, and thus can operate at high speed. Therefore, the control of the pixel, which has been conventionally performed by the drive circuit outside the substrate, can be performed by the drive circuit formed on the same substrate as the pixel.

【0003】このようなアクティブマトリクス型の自発
光装置は、同一基板上に様々な回路や素子を作り込むこ
とで製造コストの低減、電気光学装置の小型化、歩留ま
りの上昇、スループットの低減など、様々な利点が得ら
れる。
[0003] Such an active matrix type self-luminous device can be manufactured by manufacturing various circuits and elements on the same substrate to reduce the manufacturing cost, downsize the electro-optical device, increase the yield, and reduce the throughput. Various advantages are obtained.

【0004】そしてさらに、自発光型素子としてEL素
子を有したアクティブマトリクス型の自発光装置(EL
ディスプレイ)の研究が活発化している。ELディスプ
レイは有機ELディスプレイ(OELD:Organic EL D
isplay)又は有機ライトエミッティングダイオード(O
LED:Organic Light Emitting Diode)とも呼ばれて
いる。
Further, an active matrix self-luminous device (EL) having an EL element as a self-luminous element
Display) research is active. The EL display is an organic EL display (OELD: Organic EL D)
isplay) or organic light emitting diode (O
LEDs are also called Organic Light Emitting Diodes.

【0005】ELディスプレイは、自発光型である。E
L素子は一対の電極(陽極と陰極)間にEL層が挟まれ
た構造となっているが、EL層は通常、積層構造となっ
ている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパ
ニーのTangらが提案した「正孔輸送層/発光層/電子輸
送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に
発光効率が高く、現在、研究開発が進められているEL
ディスプレイは殆どこの構造を採用している。
[0005] The EL display is a self-luminous type. E
The L element has a structure in which an EL layer is sandwiched between a pair of electrodes (anode and cathode), and the EL layer usually has a laminated structure. A typical example is a laminated structure of “hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer” proposed by Tang et al. Of Kodak Eastman Company. This structure has a very high luminous efficiency, and EL which is currently being researched and developed
Most displays adopt this structure.

【0006】また他にも、陽極上に正孔注入層/正孔輸
送層/発光層/電子輸送層、または正孔注入層/正孔輸
送層/発光層/電子輸送層/電子注入層の順に積層する
構造でも良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピン
グしても良い。
In addition, a hole injection layer / hole transport layer / light-emitting layer / electron transport layer, or a hole injection layer / hole transport layer / light-emitting layer / electron transport layer / electron injection layer may be provided on the anode. A structure in which layers are sequentially stacked may be used. The light emitting layer may be doped with a fluorescent dye or the like.

【0007】本明細書において陰極と陽極の間に設けら
れる全ての層を総称してEL層と呼ぶ。具体的には、E
L(Electro Luminescence:電場を加えることで発生す
るルミネッセンス)が得られる有機EL材料を含む層の
ことをいうが、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光
層、電子輸送層、電子注入層等は、全てEL層に含まれ
る。
In this specification, all layers provided between a cathode and an anode are collectively called an EL layer. Specifically, E
L (Electro Luminescence: a layer containing an organic EL material from which luminescence generated by applying an electric field) is obtained. The above-described hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, electron injection All the layers and the like are included in the EL layer.

【0008】また、有機EL材料により得られるルミネ
ッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の
発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の
発光(リン光)とがある。本発明の自発光装置には、ど
ちらの有機EL材料を有するEL素子を用いることも可
能である。
The luminescence obtained from the organic EL material includes light emission (fluorescence) when returning from a singlet excited state to a ground state and light emission (phosphorescence) when returning from a triplet excited state to a ground state. . For the self-luminous device of the present invention, it is possible to use an EL element containing either organic EL material.

【0009】そして、上記構造からなるEL層に一対の
電極から所定の電圧をかけ、それにより発光層において
キャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書中
では、陽極、EL層及び陰極で形成される発光素子をE
L素子と呼ぶ。
Then, a predetermined voltage is applied to the EL layer having the above-mentioned structure from a pair of electrodes, whereby recombination of carriers occurs in the light emitting layer to emit light. In this specification, a light emitting element formed by an anode, an EL layer, and a cathode is referred to as E.
It is called an L element.

【0010】ELディスプレイは複数の画素がマトリク
ス状に設けられており、複数の画素は薄膜トランジスタ
(TFT)とEL素子とをそれぞれ有している。図17
にELディスプレイの画素の拡大図を示す。画素170
0は、スイッチング用TFT1701、電流制御用TF
T1702、EL素子1703、ソース信号線170
4、ゲート信号線1705、電流供給線1706、コン
デンサ1707を有している。
In an EL display, a plurality of pixels are provided in a matrix, and each of the plurality of pixels has a thin film transistor (TFT) and an EL element. FIG.
The enlarged view of the pixel of the EL display is shown in FIG. Pixel 170
0 is a switching TFT 1701, a current control TF
T1702, EL element 1703, source signal line 170
4, a gate signal line 1705, a current supply line 1706, and a capacitor 1707.

【0011】スイッチング用TFT1701のゲート電
極はゲート信号線1705に接続されている。またスイ
ッチング用TFT1701のソース領域とドレイン領域
は、一方はソース信号線に、もう一方は電流制御用TF
T1702のゲート電極に接続されている。電流制御用
TFT1702のソース領域は電流供給線1706に、
ドレイン領域はEL素子1703の陽極または陰極に接
続されている。
A gate electrode of the switching TFT 1701 is connected to a gate signal line 1705. One of a source region and a drain region of the switching TFT 1701 is a source signal line, and the other is a current control TF.
It is connected to the gate electrode of T1702. The source region of the current controlling TFT 1702 is connected to the current supply line 1706,
The drain region is connected to the anode or the cathode of the EL element 1703.

【0012】EL素子1703の陽極が電流制御用TF
T1702のドレイン領域と接続している場合、EL素
子1703の陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。
逆にEL素子1703の陰極が電流制御用TFT170
2のドレイン領域と接続している場合、EL素子170
3の陽極が対向電極、陰極が画素電極となる。
The anode of the EL element 1703 is a current control TF.
When connected to the drain region of T1702, the anode of the EL element 1703 serves as a pixel electrode and the cathode serves as a counter electrode.
Conversely, the cathode of the EL element 1703 is
2 is connected to the drain region, the EL element 170
The anode 3 is a counter electrode and the cathode is a pixel electrode.

【0013】なお本明細書において、画素電極の電位と
対向電極の電位の電位差をEL駆動電圧と呼び、このE
L駆動電圧がEL層にかかる。
In this specification, the difference between the potential of the pixel electrode and the potential of the counter electrode is referred to as an EL drive voltage.
An L drive voltage is applied to the EL layer.

【0014】なおコンデンサ1707は必ずしも設ける
必要はない。設ける場合には、図17に示すように、電
流制御用TFT1702と電流供給線1706とに接続
して設ける。
Note that the capacitor 1707 need not always be provided. When it is provided, as shown in FIG. 17, it is provided so as to be connected to the current control TFT 1702 and the current supply line 1706.

【0015】電流供給線1706の電位(電源電位)は
一定に保たれている。そしてEL素子1703の対向電
極の電位も一定に保たれている。対向電極の電位は、電
源電位がEL素子の画素電極に与えられたときにEL素
子が発光する程度に、電源電位との間に電位差を有して
いる。
The potential (power supply potential) of the current supply line 1706 is kept constant. Further, the potential of the opposite electrode of the EL element 1703 is also kept constant. The potential of the counter electrode has a potential difference from the power supply potential to such an extent that the EL element emits light when the power supply potential is applied to the pixel electrode of the EL element.

【0016】ゲート信号線1705に入力される選択信
号によってスイッチング用TFT1701がオンの状態
になる。なお本明細書においてTFTがオンの状態にな
るとは、TFTのドレイン電流が0以上の状態になるこ
とを示す。
The switching TFT 1701 is turned on by a selection signal input to the gate signal line 1705. Note that in this specification, turning on a TFT means that the drain current of the TFT is 0 or more.

【0017】スイッチング用TFT1701がオンの状
態になると、ソース信号線1704から入力されるビデ
オ信号がスイッチング用TFT1701を介して電流制
御用TFT1702のゲート電極に入力される。なおス
イッチング用TFT1701を介して信号が電流制御用
TFT1702のゲート電極に入力されるとは、スイッ
チング用TFT1701の活性層を通って信号が電流制
御用TFT1702のゲート電極に入力されることを意
味する。
When the switching TFT 1701 is turned on, a video signal input from the source signal line 1704 is input to the gate electrode of the current controlling TFT 1702 via the switching TFT 1701. Note that inputting a signal to the gate electrode of the current control TFT 1702 via the switching TFT 1701 means that a signal is input to the gate electrode of the current control TFT 1702 through the active layer of the switching TFT 1701.

【0018】電流制御用TFT1702のチャネル形成
領域を流れる電流の量は、電流制御用TFT1702の
ゲート電極とソース領域の電位差であるゲート電圧Vg
sによって制御される。よって、EL素子1703の画
素電極に与えられる電位は、電流制御用TFT1702
のゲート電極に入力されたビデオ信号の電位の高さによ
って決まる。そして画素電極に与えられる電位の高さに
よって、EL素子の発光輝度(EL素子の発する光の輝
度)が制御される。つまり、EL素子1703はソース
信号線1704に入力されるビデオ信号の電位によって
その輝度が制御され、階調表示を行う。
The amount of current flowing through the channel forming region of the current controlling TFT 1702 is determined by a gate voltage Vg which is a potential difference between the gate electrode and the source region of the current controlling TFT 1702.
s. Therefore, the potential applied to the pixel electrode of the EL element 1703 is controlled by the current control TFT 1702.
Is determined by the height of the potential of the video signal input to the gate electrode of the video signal. The luminance of the EL element (the luminance of light emitted from the EL element) is controlled by the level of the potential applied to the pixel electrode. That is, the luminance of the EL element 1703 is controlled by the potential of the video signal input to the source signal line 1704, and gradation display is performed.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】近年、画素サイズの微
細化が進み、より高精細な画像が求められている。画素
サイズの微細化は、1つの画素に占めるTFT及び配線
の形成面積が大きくなり画素開口率を低減させている。
In recent years, the pixel size has been miniaturized, and a higher definition image has been demanded. With the miniaturization of the pixel size, the formation area of the TFT and the wiring occupying one pixel is increased, and the pixel aperture ratio is reduced.

【0020】そこで、規定の画素サイズの中で各画素の
高開口率を得るためには、画素の回路構成に必要な回路
要素を効率よくレイアウトすることが不可欠である。
Therefore, in order to obtain a high aperture ratio of each pixel within a specified pixel size, it is essential to efficiently lay out circuit elements required for a pixel circuit configuration.

【0021】以上のように、画素開口率のアクティブマ
トリクス型自発光装置を実現するためには、これまでに
ない新しい画素構成が求められている。
As described above, in order to realize an active matrix type self-luminous device having a pixel aperture ratio, an unprecedented new pixel configuration is required.

【0022】本発明は、そのような要求に応えるもので
あり、ソース信号線と電流供給線を同一の配線で兼用さ
せるという構成を有する画素を用いて、高い開口率を実
現した画素を有する自発光装置を提供することを目的と
する。
The present invention satisfies such a demand, and uses a pixel having a configuration in which the same wiring is used for the source signal line and the current supply line, and the pixel having a high aperture ratio is realized. It is an object to provide a light emitting device.

【0023】[0023]

【発明を解決するための手段】本発明では、画素部に接
続されるソース信号線及び電流供給線を同一の配線で兼
用することにより画素における開口率を高めることを特
徴とする。
According to the present invention, the source signal line and the current supply line connected to the pixel portion are shared by the same wiring to increase the aperture ratio in the pixel.

【0024】ソース信号線駆動回路に接続されたソース
信号線及び電源に接続された電流供給線は、それぞれ切
り替え回路に接続されている。また、切り替え回路と画
素部は、配線により接続されている。そして、この配線
は切り替え回路に入力された切り替え信号により、ソー
ス信号線または電流供給線になる。
The source signal line connected to the source signal line drive circuit and the current supply line connected to the power supply are connected to the switching circuit, respectively. The switching circuit and the pixel portion are connected by wiring. The wiring becomes a source signal line or a current supply line according to a switching signal input to the switching circuit.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】本発明の自発光装置のブロック図
を図1に示す。なお、本発明で用いる自発光装置に用い
るTFTは、特に限定することはなくプレーナ型や逆ス
タガ型といった構造のTFTを用いればよい。さらに、
本発明で用いる自発光装置の駆動回路も公知のものを組
み合わせて用いることができる。
FIG. 1 is a block diagram of a self-luminous device according to the present invention. Note that there is no particular limitation on the TFT used in the self-luminous device used in the present invention, and a TFT having a structure such as a planar type or an inverted staggered type may be used. further,
The driving circuit of the self-luminous device used in the present invention may be a combination of known circuits.

【0026】また、本発明において自発光装置が有する
EL素子の素子構造およびEL材料には、公知のものを
用いることができる。一方、本発明の構成は、公知の液
晶装置にも対応させて用いることができる。
In the present invention, known elements can be used for the element structure and EL material of the EL element included in the self-luminous device. On the other hand, the configuration of the present invention can be used for a known liquid crystal device.

【0027】図1の自発光装置は、基板上に形成された
TFTによって画素部101、画素部の周辺に配置され
たソース信号線駆動回路102、ゲート信号線駆動回路
103が形成される。また、104は時分割階調データ
信号発生回路(SPC;Serial-to-Parallel Conversio
n Circuit)である。
In the self-luminous device of FIG. 1, a pixel portion 101, a source signal line driving circuit 102 and a gate signal line driving circuit 103 arranged around the pixel portion are formed by TFTs formed on a substrate. Reference numeral 104 denotes a time-division grayscale data signal generation circuit (SPC; Serial-to-Parallel Conversio).
n Circuit).

【0028】ソース信号線駆動回路102は基本的にシ
フトレジスタ102a、ラッチ(A)102b、ラッチ
(B)102cを有している。その他、バッファ(図示
せず)を有している。
The source signal line driving circuit 102 basically has a shift register 102a, a latch (A) 102b, and a latch (B) 102c. In addition, it has a buffer (not shown).

【0029】なお、本実施の形態における自発光装置
は、ソース信号線駆動回路を1つだけ設けているが、画
素部の上下を挟むように2つのソース信号線駆動回路を
設けても良い。
Although the self-luminous device of this embodiment has only one source signal line driving circuit, two source signal line driving circuits may be provided so as to sandwich the pixel portion from above and below.

【0030】また本発明において、ソース信号線駆動回
路102及びゲート信号線駆動回路103は、画素部1
01が設けられている基板上に設けられている構成にし
ても良いし、ICチップ上に設けてFPCまたはTAB
を介して画素部101と接続されるような構成にしても
良い。
In the present invention, the source signal line driving circuit 102 and the gate signal line driving circuit 103
01 may be provided on the substrate provided with the FPC or TAB provided on the IC chip.
May be connected to the pixel portion 101 via the.

【0031】ソース信号線駆動回路102において、シ
フトレジスタ102aにクロック信号(CLK)および
スタートパルス(SP)が入力される。シフトレジスタ
102aは、これらのクロック信号(CLK)およびス
タートパルス(SP)に基づきタイミング信号を順に発
生させ、バッファ等(図示せず)を通して後段の回路へ
タイミング信号を順次供給する。
In the source signal line driving circuit 102, a clock signal (CLK) and a start pulse (SP) are input to the shift register 102a. The shift register 102a sequentially generates a timing signal based on the clock signal (CLK) and the start pulse (SP), and sequentially supplies the timing signal to a subsequent circuit through a buffer or the like (not shown).

【0032】シフトレジスタ102aからのタイミング
信号は、バッファ等によって緩衝増幅される。タイミン
グ信号が供給される配線には、多くの回路あるいは素子
が接続されているために負荷容量(寄生容量)が大き
い。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号
の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐため
に、このバッファが設けられる。
The timing signal from the shift register 102a is buffer-amplified by a buffer or the like. The wiring to which the timing signal is supplied has a large load capacitance (parasitic capacitance) because many circuits or elements are connected. This buffer is provided to prevent "dulling" of the rise or fall of the timing signal caused by the large load capacitance.

【0033】バッファによって緩衝増幅されたタイミン
グ信号は、ラッチ(A)102bに供給される。ラッチ
(A)102bは、nビットデジタルデータ信号(n bi
t digital data signals)を処理する複数のステージの
ラッチを有している。ラッチ(A)102bは、前記タ
イミング信号が入力されると、時分割階調データ信号発
生回路104から供給されるnビットデジタルデータ信
号を順次取り込み、保持する。
The timing signal buffer-amplified by the buffer is supplied to the latch (A) 102b. The latch (A) 102b outputs an n-bit digital data signal (n bi
t digital data signals). When the timing signal is input, the latch (A) 102b sequentially captures and holds the n-bit digital data signal supplied from the time-division grayscale data signal generation circuit 104.

【0034】なお、ラッチ(A)102bにデジタルデ
ータ信号を取り込む際に、ラッチ(A)102bが有す
る複数のステージのラッチに、順にデジタルデータ信号
を入力しても良い。しかし本発明はこの構成に限定され
ない。ラッチ(A)102bが有する複数のステージの
ラッチをいくつかのグループに分け、グループごとに並
行して同時にデジタルデータ信号を入力する、いわゆる
分割駆動を行っても良い。なおこのときのグループの数
を分割数と呼ぶ。例えば4つのステージごとにラッチを
グループに分けた場合、4分割で分割駆動すると言う。
When a digital data signal is taken into the latch (A) 102b, the digital data signal may be sequentially inputted to a plurality of stages of latches of the latch (A) 102b. However, the present invention is not limited to this configuration. The latches of a plurality of stages included in the latch (A) 102b may be divided into several groups, and a so-called divided drive in which digital data signals are input simultaneously in parallel for each group may be performed. The number of groups at this time is called a division number. For example, when the latch is divided into groups for every four stages, it is referred to as divided drive in four divisions.

【0035】ラッチ(A)102bにおける全てのステ
ージのラッチにデジタルデータ信号の書き込みが一通り
終了するまでの時間を、ライン期間と呼ぶ。すなわち、
ラッチ(A)102b中で一番左側のステージのラッチ
にデジタルデータ信号の書き込みが開始される時点か
ら、一番右側のステージのラッチにデジタルデータ信号
の書き込みが終了する時点までの時間間隔がライン期間
である。実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加
えられた期間をライン期間に含むことがある。
The time until the writing of the digital data signal to the latches of all the stages in the latch (A) 102b is completed is called a line period. That is,
The time interval from the start of writing the digital data signal to the latch of the leftmost stage in the latch (A) 102b to the end of writing the digital data signal to the latch of the rightmost stage is a line. Period. Actually, the line period may include a period obtained by adding the horizontal retrace period to the line period.

【0036】1ライン期間が終了すると、ラッチ(B)
102cにラッチシグナル(LatchSignal)が供給され
る。この瞬間、ラッチ(A)102bに書き込まれ保持
されているデジタルデータ信号は、ラッチ(B)102
cに一斉に送出され、ラッチ(B)102cの全ステー
ジのラッチに書き込まれ、保持される。
When one line period ends, the latch (B)
A latch signal (LatchSignal) is supplied to 102c. At this moment, the digital data signal written and held in the latch (A) 102b is
c, and is written to and held by the latches of all the stages of the latch (B) 102c.

【0037】デジタルデータ信号をラッチ(B)102
cに送出し終えたラッチ(A)102bには、シフトレ
ジスタ102aからのタイミング信号に基づき、再び時
分割階調データ信号発生回路104から供給されるデジ
タルデータ信号の書き込みが順次行われる。
The digital data signal is latched (B) 102
The digital data signal supplied from the time-division grayscale data signal generation circuit 104 is sequentially written into the latch (A) 102b which has finished sending the data to the latch (A) 102b based on the timing signal from the shift register 102a.

【0038】この2順目の1ライン期間中には、ラッチ
(B)102bに書き込まれ、保持されているデジタル
データ信号は、ソース信号線に入力される。なお、本発
明において、ソース信号線は切り替え回路105に接続
されている。
During the second one line period, the digital data signal written and held in the latch (B) 102b is input to the source signal line. Note that, in the present invention, the source signal line is connected to the switching circuit 105.

【0039】また、切り替え回路105には、電源10
6に接続された電流供給線も接続されている。切り替え
回路105に入力される切り替え信号によって切り替え
回路105と画素電極とを電気的に接続する配線がソー
ス信号線、または電流供給線に切り替えられる。
The switching circuit 105 includes a power supply 10
The current supply line connected to 6 is also connected. A wiring that electrically connects the switching circuit 105 and the pixel electrode is switched to a source signal line or a current supply line by a switching signal input to the switching circuit 105.

【0040】また、切り替え信号は、隣り合う配線が、
交互にソース信号線と電流供給線になるように切り替え
る信号である。つまり、隣り合う配線が両方ともソース
信号線又は、電流供給線になることはない。
Further, the switching signal is generated when the adjacent wiring
This is a signal that is alternately switched to be a source signal line and a current supply line. That is, neither of the adjacent wirings becomes a source signal line or a current supply line.

【0041】画素のスイッチング用TFTに接続された
配線がソース信号線と接続されている場合には、そのス
イッチング用TFTを有する画素は、ソース信号線駆動
回路から入力されるデジタルデータ信号により発光、又
は非発光を示す。しかし、画素のスイッチング用TFT
に接続された配線が電流供給線と接続されている場合に
は、そのスイッチング用TFTを有する画素は機能しな
い。
When the wiring connected to the switching TFT of the pixel is connected to the source signal line, the pixel having the switching TFT emits light by a digital data signal input from the source signal line driving circuit. Alternatively, no light is emitted. However, the pixel switching TFT
Is connected to the current supply line, the pixel having the switching TFT does not function.

【0042】一方、画素の電流制御用TFTに接続され
た配線が電流供給線と接続されている場合には、その電
流制御用TFTを有する画素は、ソース信号線駆動回路
から入力されるデジタルデータ信号により発光、又は非
発光を示す。しかし、画素の電流制御用TFTに接続さ
れた配線がソース信号線と接続されている場合には、そ
の電流制御用TFTを有する画素は機能しない。
On the other hand, when the wiring connected to the current control TFT of the pixel is connected to the current supply line, the pixel having the current control TFT receives the digital data input from the source signal line drive circuit. Light emission or non-light emission is indicated by a signal. However, when the wiring connected to the current control TFT of the pixel is connected to the source signal line, the pixel having the current control TFT does not function.

【0043】一方、ゲート信号線駆動回路103は、シ
フトレジスタ、バッファ(いずれも図示せず)を有して
いる。また場合によっては、ゲート信号線駆動回路10
3が、シフトレジスタ、バッファの他にレベルシフタを
有していても良い。
On the other hand, the gate signal line driving circuit 103 has a shift register and a buffer (neither is shown). In some cases, the gate signal line driving circuit 10
3 may have a level shifter in addition to the shift register and the buffer.

【0044】ゲート信号線駆動回路103において、シ
フトレジスタ(図示せず)からのタイミング信号がバッ
ファ(図示せず)に供給され、対応するゲート信号線
(走査線とも呼ぶ)に供給される。ゲート信号線には、
1ライン分の画素TFTのゲート電極が接続されてお
り、1ライン分全ての画素TFTを同時にONにしなく
てはならないので、バッファは大きな電流を流すことが
可能なものが用いられる。
In the gate signal line driving circuit 103, a timing signal from a shift register (not shown) is supplied to a buffer (not shown) and supplied to a corresponding gate signal line (also referred to as a scanning line). For the gate signal line,
Since the gate electrodes of the pixel TFTs for one line are connected and all the pixel TFTs for one line must be turned on at the same time, a buffer capable of flowing a large current is used.

【0045】時分割階調データ信号発生回路104にお
いては、アナログまたはデジタルのビデオ信号(画像情
報を含む信号)が時分割階調を行うためのデジタルデー
タ信号(Digital Data Signals)
に変換され、ラッチ(A)102bに入力される。また
この時分割階調データ信号発生回路104は、時分割階
調表示を行うために必要なタイミングパルス等を発生さ
せる回路でもある。
In the time-division grayscale data signal generating circuit 104, an analog or digital video signal (a signal containing image information) performs a digital data signal (Digital Data Signals) for performing a time-division grayscale.
And input to the latch (A) 102b. The time-division grayscale data signal generating circuit 104 is also a circuit that generates timing pulses and the like necessary for performing time-division grayscale display.

【0046】この時分割階調データ信号発生回路104
は、本発明の自発光装置の外部に設けられても良い。そ
の場合、そこで形成されたデジタルデータ信号が本発明
の自発光装置に入力される構成となる。この場合、本発
明の自発光装置を表示装置として有する電気器具(自発
光装置)は、本発明の自発光装置と時分割階調データ信
号発生回路を別の部品として含むことになる。
This time-division gradation data signal generating circuit 104
May be provided outside the self-luminous device of the present invention. In that case, the digital data signal formed there is input to the self-luminous device of the present invention. In this case, an electric appliance (self-luminous device) having the self-luminous device of the present invention as a display device includes the self-luminous device of the present invention and the time-division grayscale data signal generation circuit as separate components.

【0047】また、時分割階調データ信号発生回路10
4をICチップなどの形で本発明の自発光装置に実装し
ても良い。その場合、そのICチップで形成されたデジ
タルデータ信号が本発明の自発光装置に入力される構成
となる。この場合、本発明の自発光装置を表示装置とし
て有する電気器具は、時分割階調データ信号発生回路を
含むICチップを実装した本発明の自発光装置を部品と
して含むことになる。
The time-division grayscale data signal generating circuit 10
4 may be mounted on the light emitting device of the present invention in the form of an IC chip or the like. In that case, a digital data signal formed by the IC chip is input to the self-luminous device of the present invention. In this case, an electric appliance having the self-luminous device of the present invention as a display device includes, as a component, the self-luminous device of the present invention mounted with an IC chip including a time-division grayscale data signal generation circuit.

【0048】また最終的には、時分割階調データ信号発
生回路104を画素部101、ソース信号線駆動回路1
02、ゲート信号線駆動回路103と同一の基板上にT
FTを用いて形成しうる。この場合、自発光装置に画像
情報を含むビデオ信号を入力すれば全て基板上で処理す
ることができる。この場合の時分割階調データ信号発生
回路はポリシリコン膜を活性層とするTFTで形成して
も良い。また、この場合、本発明の自発光装置を表示装
置として有する電気器具は、時分割階調データ信号発生
回路が自発光装置自体に内蔵されており、電気器具の小
型化を図ることが可能である。
Finally, the time division gray scale data signal generating circuit 104 is connected to the pixel portion 101 and the source signal line driving circuit 1.
02, T on the same substrate as the gate signal line driving circuit 103
It can be formed using FT. In this case, if a video signal containing image information is input to the self-luminous device, all can be processed on the substrate. In this case, the time division gray scale data signal generation circuit may be formed by a TFT using a polysilicon film as an active layer. In this case, in the electric appliance having the self-luminous device of the present invention as a display device, the time-division grayscale data signal generation circuit is built in the self-luminous device itself, so that the electric appliance can be downsized. is there.

【0049】また、本実施の形態で示したソース信号線
駆動回路102の構成は、実施形態の一例であり、本発
明の構成を限定するものではない。
The configuration of the source signal line driving circuit 102 described in this embodiment is an example of the embodiment and does not limit the configuration of the present invention.

【0050】次に、本発明の自発光装置における画素部
の構造について説明する。なお、図1に示す画素部10
1の拡大図を図4(A)に示した。図4(A)には、ソ
ース信号線(S1〜Sx)または電流供給線(V1〜V
x)となる配線(P1〜Px)とゲート信号線(G1〜
Gy)が画素部101に設けられている。
Next, the structure of the pixel portion in the self-luminous device of the present invention will be described. Note that the pixel portion 10 shown in FIG.
1 is shown in FIG. 4 (A). FIG. 4A shows the source signal lines (S1 to Sx) or the current supply lines (V1 to Vx).
x) and the gate signal lines (G1 to Px)
Gy) is provided in the pixel portion 101.

【0051】ここでは、ソース信号線(S1〜Sx)
と、電流供給線(V1〜Vx)と、ゲート信号線(G1
〜Gy)とを1つずつ備えた領域が画素107である。
画素部101にはマトリクス状に複数の画素107が配
置されることになる。
Here, the source signal lines (S1 to Sx)
, Current supply lines (V1 to Vx), and gate signal lines (G1
To Gy) are the pixels 107.
In the pixel portion 101, a plurality of pixels 107 are arranged in a matrix.

【0052】また、図4の画素部101の外部に切り替
え回路105が設けられている。切り替え回路105か
ら各画素に接続される配線(P1〜Px)がソース信号
線(S1〜Sx)になるか、電流供給線(V1〜Vx)
になるかは、この切り替え回路105に入力される切り
替え信号(C)により決まる。
A switching circuit 105 is provided outside the pixel unit 101 shown in FIG. Wirings (P1 to Px) connected to each pixel from the switching circuit 105 become source signal lines (S1 to Sx) or current supply lines (V1 to Vx).
Is determined by the switching signal (C) input to the switching circuit 105.

【0053】なお、図4(B)は、図4(A)における
配線(Px−1)とPxを例として、切り替え回路10
5に入力された切り替え信号と、この切り替え信号によ
り配線(P1〜Px)が1フレーム期間ごとにソース信
号線(S1〜Sx)と電流供給線(V1〜Vx)とで交
互に切り替わる様子を示したものである。また、配線
(Px−1)と配線Pxを有する画素列を本明細書中で
は、(x−1)番目の画素列といい、配線(Px−2)
と配線(Px−1)を有する画素列を(x−2)番目の
画素列という。
FIG. 4B shows an example of the wiring (Px-1) and Px in FIG.
5 shows a switching signal input to the switch 5 and a state in which the wiring (P1 to Px) is alternately switched between the source signal lines (S1 to Sx) and the current supply lines (V1 to Vx) every frame period by the switching signal. It is a thing. Further, in this specification, a pixel column having the wiring (Px-1) and the wiring Px is referred to as an (x-1) -th pixel column, and a wiring (Px-2)
The pixel column having the pixel line and the wiring (Px-1) is referred to as an (x-2) th pixel column.

【0054】ただし、ここで示したのは、1〜3番目の
フレーム期間における切り替え信号の一例であって、本
発明を限定するものではない。
However, what is shown here is an example of the switching signal in the first to third frame periods, and does not limit the present invention.

【0055】なお、本実施例では、スイッチング用TF
Tのドレイン領域又は、ソース領域のいずれか一方はソ
ース信号線および隣接した画素の電流制御用TFTのソ
ース領域に電気的に接続される。具体的には、(x−
2)列目の画素におけるスイッチング用TFTのドレイ
ン領域または、ソース領域のいずれか一方がソース信号
線に電気的に接続されているとき、(x−1)列目の画
素におけるスイッチング用TFTのソース領域又は、ド
レイン領域のいずれか一方は、(x−2)列目の画素の
電流供給線に電気的に接続される。
In this embodiment, the switching TF is used.
Either the drain region or the source region of T is electrically connected to the source signal line and the source region of the current controlling TFT of the adjacent pixel. Specifically, (x−
2) When one of the drain region and the source region of the switching TFT in the pixel in the column is electrically connected to the source signal line, the source of the switching TFT in the pixel in the (x-1) th column is One of the region and the drain region is electrically connected to the current supply line of the pixel in the (x−2) th column.

【0056】次に、画素107と切り替え回路105を
含む領域108の拡大図を図5に示す。図5において、
501はスイッチング用TFTである。スイッチング用
TFT501のゲート電極は、ゲート信号線G(G1〜
Gx)に接続されている。スイッチング用TFT501
のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線S
(S1〜Sx)又は、電流供給線V(V1〜Vx)に、
もう一方が電流制御用TFT502のゲート電極、各画
素が有するコンデンサ503にそれぞれ接続されてい
る。ただし、スイッチング用TFT501が、切り替え
回路105により電流供給線に接続された場合には、こ
の画素は機能しない。
Next, FIG. 5 is an enlarged view of a region 108 including the pixel 107 and the switching circuit 105. In FIG.
Reference numeral 501 denotes a switching TFT. The gate electrode of the switching TFT 501 is connected to a gate signal line G (G1 to G1).
Gx). Switching TFT 501
One of the source region and the drain region has a source signal line S
(S1 to Sx) or the current supply line V (V1 to Vx)
The other is connected to the gate electrode of the current control TFT 502 and the capacitor 503 of each pixel. However, when the switching TFT 501 is connected to the current supply line by the switching circuit 105, this pixel does not function.

【0057】コンデンサ503はスイッチング用TFT
501が非選択状態(オフ状態)にある時、電流制御用
TFT502のゲート電圧(ゲート電極とソース領域間
の電位差)を保持するために設けられている。なおここ
ではコンデンサ503を設ける構成を示したが、本発明
はこの構成に限定されず、コンデンサ503を設けない
構成にしても良い。
The capacitor 503 is a switching TFT.
When the TFT 501 is in a non-selection state (OFF state), it is provided to hold a gate voltage (a potential difference between a gate electrode and a source region) of the current control TFT 502. Although the configuration in which the capacitor 503 is provided is shown here, the present invention is not limited to this configuration, and a configuration in which the capacitor 503 is not provided may be employed.

【0058】また、電流制御用TFT502のソース領
域とドレイン領域は、一方が電流供給線V(V1〜V
x)又はソース信号線S(S1〜Sx)に接続され、も
う一方はEL素子504に接続される。なお、電流供給
線Vはコンデンサ503に接続されている。
One of a source region and a drain region of the current control TFT 502 has a current supply line V (V1 to V
x) or the source signal line S (S1 to Sx), and the other is connected to the EL element 504. Note that the current supply line V is connected to the capacitor 503.

【0059】ただし、電流制御用TFT502が切り替
え回路105によりソース信号線S(S1〜Sx)に接
続された場合には、この画素は機能しない。
However, when the current control TFT 502 is connected to the source signal line S (S1 to Sx) by the switching circuit 105, this pixel does not function.

【0060】EL素子504は陽極と陰極との間に設け
られたEL層とからなる。陽極が電流制御用TFT50
2のソース領域またはドレイン領域と接続している場
合、陽極が画素電極、陰極が対向電極となる。逆に陰極
が電流制御用TFT502のソース領域またはドレイン
領域と接続している場合、陰極が画素電極、陽極が対向
電極となる。
The EL element 504 comprises an EL layer provided between the anode and the cathode. The anode is a current control TFT 50
2 is connected to the source region or the drain region, the anode serves as a pixel electrode, and the cathode serves as a counter electrode. Conversely, when the cathode is connected to the source region or the drain region of the current controlling TFT 502, the cathode serves as a pixel electrode and the anode serves as a counter electrode.

【0061】EL素子504の対向電極には対向電位が
与えられている。また電流供給線Vは電源電位が与えら
れている。電源電位と対向電位は、本発明の自発光装置
に、外付けのIC等により設けられた電源によって与え
られる。
A counter potential is applied to a counter electrode of the EL element 504. The power supply potential is applied to the current supply line V. The power supply potential and the counter potential are provided to the self-luminous device of the present invention by a power supply provided by an external IC or the like.

【0062】スイッチング用TFT501、電流制御用
TFT502は、nチャネル型TFTでもpチャネル型
TFTでもどちらでも用いることができる。ただし、電
流制御用TFT502のソース領域またはドレイン領域
がEL素子504の陽極と接続されている場合、電流制
御用TFT502はpチャネル型TFTであることが望
ましい。また、電流制御用TFT502のソース領域ま
たはドレイン領域がEL素子504の陰極と接続されて
いる場合、電流制御用TFT502はnチャネル型TF
Tであることが望ましい。
As the switching TFT 501 and the current control TFT 502, either an n-channel TFT or a p-channel TFT can be used. Note that when the source region or the drain region of the current control TFT 502 is connected to the anode of the EL element 504, the current control TFT 502 is preferably a p-channel TFT. When the source region or the drain region of the current control TFT 502 is connected to the cathode of the EL element 504, the current control TFT 502 is an n-channel type TF.
Desirably T.

【0063】またスイッチング用TFT501、電流制
御用TFT502は、シングルゲート構造ではなく、ダ
ブルゲート構造やトリプルゲート構造などのマルチゲー
ト構造を有していても良い。
The switching TFT 501 and the current control TFT 502 may have a multi-gate structure such as a double gate structure or a triple gate structure instead of a single gate structure.

【0064】次に上述した構成を有する本発明の自発光
装置の駆動方法について、図6を用いて説明する。ま
た、図6は、横軸に時間(Time)をとり、縦軸にゲ
ート信号線の位置(V−Scan)をとった場合におけ
る1ライン目の画素の表示期間について示している。
Next, a method for driving the self-luminous device of the present invention having the above-described configuration will be described with reference to FIG. FIG. 6 shows the display period of the pixels on the first line when the horizontal axis represents time (Time) and the vertical axis represents the position of the gate signal line (V-Scan).

【0065】なお、ここでは、切り替え回路105によ
りスイッチング用TFTのソース領域にソース信号線S
(S1〜Sx)が接続され、電流制御用TFTの一方に
電流供給線V(V1〜Vx)が接続された場合の例を示
す。
Here, the source signal line S is connected to the source region of the switching TFT by the switching circuit 105.
(S1 to Sx) are connected, and a current supply line V (V1 to Vx) is connected to one of the current control TFTs.

【0066】まず、電流供給線の電源電位はEL素子の
対向電極の電位と同じになる。そしてゲート信号線G1
に、ゲート信号線駆動回路からゲート信号が入力され
る。その結果、ゲート信号線G1に接続されている全て
の画素(1ライン目の画素)のスイッチング用TFT5
01がオンの状態になる。
First, the power supply potential of the current supply line becomes the same as the potential of the counter electrode of the EL element. And the gate signal line G1
, A gate signal is input from the gate signal line driving circuit. As a result, the switching TFTs 5 of all the pixels (pixels of the first line) connected to the gate signal line G1
01 is turned on.

【0067】そして同時に、切り替え回路105により
切り替えられたソース信号線駆動回路と電気的に接続さ
れるソース信号線(S1〜Sx)にソース信号線駆動回
路から、1ビット目のデジタルビデオ信号が入力され
る。デジタルビデオ信号はスイッチング用TFT501
を介して電流制御用TFT502のゲート電極に入力さ
れる。
At the same time, the first bit digital video signal is inputted from the source signal line driving circuit to the source signal lines (S1 to Sx) electrically connected to the source signal line driving circuit switched by the switching circuit 105. Is done. The digital video signal is a switching TFT 501.
Through the gate electrode of the current control TFT 502.

【0068】次にG1へのゲート信号の入力が終了する
と同時に、ゲート信号線G2に同様にゲート信号が入力
される。そしてゲート信号線G2に接続されている全て
の画素のスイッチング用TFT501がオンの状態にな
り、2ライン目の画素に切り替え回路によりソース信号
線駆動回路と電気的に接続されるソース信号線(S1〜
Sx)から1ビット目のデジタルビデオ信号が入力され
る。
Next, at the same time when the input of the gate signal to G1 is completed, the gate signal is similarly input to the gate signal line G2. Then, the switching TFTs 501 of all the pixels connected to the gate signal line G2 are turned on, and the source signal line (S1) electrically connected to the source signal line driving circuit by the switching circuit to the pixel on the second line. ~
The digital video signal of the first bit from Sx) is input.

【0069】そして順に、全てのゲート信号線(G1〜
Gx)にゲート信号が入力されていく。全てのゲート信
号線(G1〜Gx)が選択され、全てのラインの画素に
1ビット目のデジタルビデオ信号が入力されるまでの期
間が書き込み期間Ta1である。
Then, all the gate signal lines (G1 to G1)
Gx) is input with a gate signal. The period from when all the gate signal lines (G1 to Gx) are selected and when the first bit digital video signal is input to the pixels on all the lines is the writing period Ta1.

【0070】書込期間Ta1が終了すると次に表示期間
Tr1になる。表示期間Tr1では、電流供給線の電源
電位は、電源電位がEL素子の画素電極に与えられたと
きにEL素子が発光する程度に、対向電極との間に電位
差を有する電位になる。
When the writing period Ta1 ends, the display period Tr1 starts next. In the display period Tr1, the power supply potential of the current supply line becomes a potential having a potential difference with the counter electrode to such an extent that the EL element emits light when the power supply potential is applied to the pixel electrode of the EL element.

【0071】そして本実施例では、デジタルビデオ信号
が「0」の情報を有していた場合、電流制御用TFT5
02はオフの状態となっている。よってEL素子504
の画素電極には電源電位は与えられない。その結果、
「0」の情報を有するデジタルビデオ信号が入力された
画素が有するEL素子504は発光しない。
In this embodiment, when the digital video signal has information of “0”, the current control TFT 5
02 is off. Therefore, the EL element 504
No power supply potential is applied to the pixel electrodes. as a result,
The EL element 504 of the pixel to which the digital video signal having the information “0” is input does not emit light.

【0072】逆に、「1」の情報を有していた場合、電
流制御用TFT502はオンの状態となっている。よっ
てEL素子504の画素電極には電源電位が与えられ
る。その結果、「1」の情報を有するデジタルビデオ信
号が入力された画素が有するEL素子504は発光す
る。
On the other hand, when the information has the information “1”, the current control TFT 502 is in the ON state. Therefore, a power supply potential is applied to the pixel electrode of the EL element 504. As a result, the EL element 504 of the pixel to which the digital video signal having the information “1” is input emits light.

【0073】このように、表示期間Tr1ではEL素子
504が発光、または非発光を行い、全ての画素は表示
を行う。画素が表示を行っている期間を表示期間Trと
呼ぶ。特に1ビット目のデジタルビデオ信号が画素に入
力されたことで開始する表示期間をTr1と呼ぶ。図6
では説明を簡便にするために、特に1ライン目の画素の
表示期間についてのみ示す。全てのラインの表示期間が
開始されるタイミングは同じである。
As described above, in the display period Tr1, the EL element 504 emits light or emits no light, and all the pixels perform display. A period during which the pixel performs display is called a display period Tr. In particular, a display period started when the first bit digital video signal is input to the pixel is referred to as Tr1. FIG.
For simplicity, only the display period of the pixels on the first line will be described. The timing at which the display periods of all the lines are started is the same.

【0074】表示期間Tr1が終了すると書込期間Ta
2となり、電流供給線の電源電位はEL素子の対向電極
の電位と同じになる。そして書込期間Ta1の場合と同
様に順に全てのゲート信号線が選択され、2ビット目の
デジタルビデオ信号が全ての画素に入力される。全ての
ラインの画素に2ビット目のデジタルビデオ信号が入力
し終わるまでの期間を、書き込み期間Ta2と呼ぶ。
When the display period Tr1 ends, the writing period Ta
The power supply potential of the current supply line becomes equal to the potential of the counter electrode of the EL element. Then, as in the case of the writing period Ta1, all the gate signal lines are sequentially selected, and the second bit digital video signal is input to all the pixels. A period until the digital video signal of the second bit is completely input to the pixels of all lines is referred to as a writing period Ta2.

【0075】書込期間Ta2が終了すると表示期間Tr
2になり、電流供給線の電源電位は、電源電位がEL素
子の画素電極に与えられたときにEL素子が発光する程
度に、対向電極との間に電位差を有する電位になる。そ
して全ての画素が表示を行う。
When the writing period Ta2 ends, the display period Tr
2, the power supply potential of the current supply line becomes a potential having a potential difference from the counter electrode to such an extent that the EL element emits light when the power supply potential is applied to the pixel electrode of the EL element. Then, all the pixels perform display.

【0076】上述した動作はnビット目のデジタルビデ
オ信号が画素に入力されるまで繰り返し行われ、書込期
間Taと表示期間Trとが繰り返し出現する。全ての表
示期間(Tr1〜Trn)が終了すると1つの画像を表
示することができる。本発明の駆動方法において、1つ
の画像を表示する期間を1フレーム期間(F)と呼ぶ。
1フレーム期間が終了すると次のフレーム期間が開始さ
れる。そして再び書込期間Ta1が出現し、上述した動
作を繰り返す。
The above operation is repeated until the n-th bit digital video signal is input to the pixel, and the writing period Ta and the display period Tr appear repeatedly. When all the display periods (Tr1 to Trn) end, one image can be displayed. In the driving method of the present invention, a period during which one image is displayed is referred to as one frame period (F).
When one frame period ends, the next frame period starts. Then, the writing period Ta1 appears again, and the above operation is repeated.

【0077】本発明の自発光装置では1秒間に120以
上のフレーム期間を設けることが好ましく、さらには、
120〜240Hzであるとより好ましい。言い換える
と、1フレーム期間は1/240〜1/120sである
ことが望ましい。なお、1秒間に表示される画像の数が
120より少なくなると、視覚的に画像のちらつきが目
立ち始めることがある。
In the self-luminous device of the present invention, it is preferable to provide 120 or more frame periods per second.
The frequency is more preferably from 120 to 240 Hz. In other words, it is desirable that one frame period is 1/240 to 1/120 s. When the number of images displayed in one second is less than 120, flickering of the images may start to be noticeable.

【0078】本発明では、全ての書き込み期間の長さの
和が1フレーム期間よりも短く、なおかつ表示期間の長
さ比は、Tr1:Tr2:Tr3:…:Tr(n−
1):Trn=20:21:22:…:2(n-2):2(n-1)
となるようにすることが必要である。この表示期間の組
み合わせで2n階調のうち所望の階調表示を行うことが
できる。
In the present invention, the sum of the lengths of all the writing periods is shorter than one frame period, and the length ratio of the display periods is Tr1: Tr2: Tr3:...: Tr (n−
1): Trn = 2 0 : 2 1 : 2 2 : ...: 2 (n-2) : 2 (n-1)
It is necessary that A desired gradation display out of 2 n gradations can be performed by the combination of the display periods.

【0079】1フレーム期間中にEL素子が発光した表
示期間の長さの総和を求めることによって、当該フレー
ム期間におけるその画素の表示した階調がきまる。例え
ば、n=8のとき、全部の表示期間で画素が発光した場
合の輝度を100%とすると、Tr1とTr2において
画素が発光した場合には1%の輝度が表現でき、Tr3
とTr5とTr8を選択した場合には60%の輝度が表
現できる。
By calculating the sum of the lengths of the display periods in which the EL elements emit light during one frame period, the displayed gray scale of the pixel in the frame period is determined. For example, assuming that when the pixel emits light in all display periods when n = 8, the luminance is 100%, and when the pixel emits light in Tr1 and Tr2, 1% luminance can be expressed.
When Tr5 and Tr8 are selected, 60% luminance can be expressed.

【0080】また表示期間Tr1〜Trnは、どのよう
な順序で出現させても良い。例えば1フレーム期間中に
おいて、Tr1の次にTr3、Tr5、Tr2、・・・と
いう順序で表示期間を出現させることも可能である。
The display periods Tr1 to Trn may appear in any order. For example, during one frame period, the display periods can appear in the order of Tr1, Tr5, Tr2,... Next to Tr1.

【0081】なおここでは、電流供給線の電源電位の高
さを書込期間と表示期間とで変化させたが、本発明はこ
れに限定されない。電源電位がEL素子の画素電極に与
えられたときにEL素子が発光する程度の電位差を、電
源電位と対向電極の電位とが常に有するようにしても良
い。その場合、書込期間においてもEL素子を発光させ
ることが可能になる。よって、当該フレーム期間におい
て画素が表示する階調は、1フレーム期間中にEL素子
が発光した書込期間と表示期間の長さの総和によって決
まる。なおこの場合、各ビットのデジタルビデオ信号に
対応する書込期間と表示期間との長さの和の比が、(T
a1+Tr1):(Ta2+Tr2):(Ta3+Tr
3):…:(Ta(n−1)+Tr(n−1)):(T
an+Trn)=20:21:22:…:2(n-2):2
(n-1)となることが必要である。
Here, the height of the power supply potential of the current supply line is changed between the writing period and the display period, but the present invention is not limited to this. The power supply potential and the potential of the counter electrode may always have a potential difference such that the EL element emits light when the power supply potential is applied to the pixel electrode of the EL element. In that case, the EL element can emit light even in the writing period. Therefore, the gray scale displayed by the pixel in the frame period is determined by the total length of the writing period and the display period in which the EL element emits light in one frame period. In this case, the ratio of the sum of the lengths of the writing period and the display period corresponding to the digital video signal of each bit is (T
a1 + Tr1): (Ta2 + Tr2): (Ta3 + Tr)
3): ...: (Ta (n-1) + Tr (n-1)): (T
an + Trn) = 2 0 : 2 1 : 2 2 : ...: 2 (n-2) : 2
It is necessary to be (n-1) .

【0082】本発明の実施の形態において説明した画素
部の上面構造について図7を用いて説明する。
The top structure of the pixel portion described in the embodiment mode of the present invention will be described with reference to FIG.

【0083】図7において、701で示される配線は、
スイッチング用TFT702のゲート電極を電気的に接
続するゲート配線である。また、スイッチング用TFT
702のソース領域702aは、ソース配線703に接
続され、ドレイン領域702bは、ドレイン配線704
に接続される。また、ドレイン配線704は、電流制御
用TFT705のゲート電極705aに電気的に接続さ
れる。また、電流制御用TFT705のソース領域70
5bは、電流供給線706に電気的に接続され、ドレイ
ン領域705cは、ドレイン配線707に電気的に接続
される。
In FIG. 7, the wiring indicated by 701 is
This is a gate wiring for electrically connecting the gate electrode of the switching TFT 702. Switching TFT
A source region 702 a of the 702 is connected to a source line 703, and a drain region 702 b is a drain line 704
Connected to. Further, the drain wiring 704 is electrically connected to the gate electrode 705a of the current controlling TFT 705. The source region 70 of the current controlling TFT 705
5b is electrically connected to the current supply line 706, and the drain region 705c is electrically connected to the drain wiring 707.

【0084】このとき、708で示される領域には、保
持容量が形成される。保持容量708は、電流供給線7
06と電気的に接続された半導体膜709、ゲート絶縁
膜と同一層の絶縁膜(図示せず)及びゲート電極705
aを形成する配線との間で形成される。なお、半導体膜
709は、スイッチング用TFT及び電流制御用TFT
を作製する際に形成される半導体膜とは、分離して形成
されるので本発明においては、分離半導体膜という。つ
まり、分離半導体膜709は、図7で示すようにスイッ
チング用TFT702のソース領域702aやドレイン
領域702b、電流制御用TFT705のソース領域7
05bやドレイン領域705cを形成するための活性層
とは、孤立して形成されている。なお、708で示され
る領域において、分離半導体膜709はゲート絶縁膜を
挟んでゲート電極705aと重なっており、この時、分
離半導体膜709の60%以上がゲート電極705aを
形成する配線と重なる構造になっている。さらに、分離
半導体膜709の60%以上が第一層間絶縁膜を挟んで
電流供給線706と重なる構造になっている。又、ゲー
ト電極705a、第一層間絶縁膜と同一の層(図示せ
ず)及び電流供給線706で形成される容量も保持容量
として用いることが可能である。
At this time, a storage capacitor is formed in a region 708. The storage capacitor 708 is connected to the current supply line 7
06, an insulating film (not shown) in the same layer as the gate insulating film, and a gate electrode 705.
It is formed between the wiring forming a. Note that the semiconductor film 709 includes a switching TFT and a current control TFT.
In the present invention, the semiconductor film is formed separately from the semiconductor film formed when the semiconductor device is manufactured. That is, as shown in FIG. 7, the separation semiconductor film 709 includes the source region 702a and the drain region 702b of the switching TFT 702 and the source region 702b of the current control TFT 705.
The active layer 05b and the active layer for forming the drain region 705c are formed in isolation. Note that in a region denoted by reference numeral 708, the separation semiconductor film 709 overlaps with the gate electrode 705a with the gate insulating film interposed therebetween. At this time, 60% or more of the separation semiconductor film 709 overlaps with a wiring forming the gate electrode 705a. It has become. Further, 60% or more of the separation semiconductor film 709 overlaps the current supply line 706 with the first interlayer insulating film interposed therebetween. Further, the capacitance formed by the gate electrode 705a, the same layer (not shown) as the first interlayer insulating film, and the current supply line 706 can also be used as the storage capacitance.

【0085】なお、本実施例において図7に示した画素
構造は本発明を何ら限定するものではなく、好ましい一
例に過ぎない。スイッチング用TFT、電流制御用TF
T又は保持容量をどのような位置に形成するかは実施者
が適宜設計すれば良い。
In the present embodiment, the pixel structure shown in FIG. 7 does not limit the present invention in any way, but is only a preferable example. Switching TFT, Current control TF
The position where the T or the storage capacitor is formed may be appropriately designed by a practitioner.

【0086】[0086]

【実施例】〔実施例1〕ここで、本発明に用いる切り替
え回路の構成を図2及び図3により説明する。なお、図
2及び図3においては、図1で用いた符号を用いるので
適宜参照すればよい。
[Embodiment 1] Here, the configuration of a switching circuit used in the present invention will be described with reference to FIGS. In FIGS. 2 and 3, the reference numerals used in FIG.

【0087】図2において、切り替え回路105は、ト
ランスミッションゲート1(201)及びトランスミッ
ションゲート2(202)で区別される2つのトランス
ミッションゲートを有している。そして、トランスミッ
ションゲート1(201)は、ソース信号線(S)20
3に接続されており、トランスミッションゲート2(2
02)は、電流供給線204に接続されている。
In FIG. 2, the switching circuit 105 has two transmission gates distinguished by a transmission gate 1 (201) and a transmission gate 2 (202). The transmission gate 1 (201) is connected to the source signal line (S) 20
3 and the transmission gate 2 (2
02) is connected to the current supply line 204.

【0088】また、切り替え信号線205は、トランス
ミッションゲート1(201)及びトランスミッション
ゲート2(202)に接続されており、切り替え信号発
生回路206からの切り替え信号とこの切り替え信号が
インバーター207により反転された反転切り替え信号
がそれぞれトランスミッションゲート1(201)及び
トランスミッションゲート2(202)に入力されるよ
うに回路が構成されている。
The switching signal line 205 is connected to the transmission gate 1 (201) and the transmission gate 2 (202). The switching signal from the switching signal generating circuit 206 and the switching signal are inverted by the inverter 207. The circuit is configured such that the inversion switching signal is input to the transmission gate 1 (201) and the transmission gate 2 (202), respectively.

【0089】また、切り替え信号発生回路206から入
力される切り替え信号は、「0」または「1」の情報を
有しており、「0」と「1」の切り替え信号は、一方が
Hi、一方がLoの電圧を有する信号である。
The switching signal input from the switching signal generation circuit 206 has information of “0” or “1”, and one of the switching signals of “0” and “1” is Hi and one of the switching signals is “Hi”. Is a signal having a voltage of Lo.

【0090】本実施例では、切り替え信号が「0」の情
報を有していた場合、図3(A)に示すようにトランス
ミッションゲート1(201)はオンの状態となり、ト
ランスミッションゲート2(202)はオフの状態とな
る。よって、トランスミッションゲート1(201)
が、オンの状態になり、ソース信号線駆動回路102か
らの信号がトランスミッションゲート1(201)に入
力され、トランスミッションゲート1(201)及びト
ランスミッションゲート2(202)から画素部101
接続される配線208には、ソース信号線駆動回路10
2からの信号が入力される。この時、配線208は、ソ
ース信号線の役割を果たすことになる。
In this embodiment, when the switching signal has information of "0", the transmission gate 1 (201) is turned on and the transmission gate 2 (202) as shown in FIG. Is turned off. Therefore, transmission gate 1 (201)
Is turned on, a signal from the source signal line driving circuit 102 is input to the transmission gate 1 (201), and the pixel portion 101 is transmitted from the transmission gate 1 (201) and the transmission gate 2 (202).
The source signal line driving circuit 10
2 is input. At this time, the wiring 208 serves as a source signal line.

【0091】この時、ソース信号線の役割を果たす配線
208が図3(A)に示すように画素107aのスイッ
チング用TFT301aと接続されている場合には、配
線208をソース信号線とする画素107aにおけるE
L素子302aは、ソース信号線駆動回路102から入
力されるデジタルビデオ信号により発光又は、非発光を
示す。
At this time, when the wiring 208 serving as a source signal line is connected to the switching TFT 301a of the pixel 107a as shown in FIG. 3A, the pixel 107a using the wiring 208 as a source signal line E in
The L element 302a emits light or does not emit light according to a digital video signal input from the source signal line driver circuit 102.

【0092】このように、ソース信号線駆動回路102
から入力されるデジタルビデオ信号によりEL素子が発
光したり発光しなかったりする状態にある画素のことを
本明細書中では、選択された(状態にある)画素と呼ぶ
ことにする。
As described above, the source signal line driving circuit 102
In the present specification, a pixel in which the EL element emits light or does not emit light in response to a digital video signal input from the device will be referred to as a selected (state) pixel.

【0093】しかし、ソース信号線の役割を果たす配線
208が図3(A)に示すように画素107bの電流制
御用TFT303bと接続されている場合には、画素1
07bには、信号が入力されず、画素107bは非選択
状態になる。
However, when the wiring 208 serving as a source signal line is connected to the current controlling TFT 303b of the pixel 107b as shown in FIG.
No signal is input to 07b, and the pixel 107b is in a non-selected state.

【0094】逆に、切り替え信号が「1」の情報を有し
ていた場合、図3(B)に示すようにトランスミッショ
ンゲート1(201)はオフの状態となり、トランスミ
ッションゲート2(202)はオンの状態となる。よっ
て、トランスミッションゲート2(202)が、オンの
状態になり、電源106から電流供給線205により入
力される信号が、トランスミッションゲート2(20
2)から画素部101に接続される配線208には、電
源106からの信号が入力される。すなわち、この配線
208は、電流供給線の役割を果たすことになる。
Conversely, when the switching signal has information of "1", the transmission gate 1 (201) is turned off and the transmission gate 2 (202) is turned on as shown in FIG. State. Accordingly, the transmission gate 2 (202) is turned on, and a signal input from the power supply 106 through the current supply line 205 is transmitted.
From 2), a signal from the power supply 106 is input to the wiring 208 connected to the pixel portion 101. That is, the wiring 208 functions as a current supply line.

【0095】この時、電流供給線の役割を果たす配線2
08が図3(B)に示すように画素107cにおいて電
流制御用TFTと接続されている場合には、配線208
を電流供給線とする画素107cにおけるEL素子30
2cは、ソース信号線駆動回路102から入力されるデ
ジタルビデオ信号により発光又は、非発光を示す。つま
り、このとき画素107cは選択されている。
At this time, the wiring 2 serving as a current supply line
08 is connected to the current controlling TFT in the pixel 107c as shown in FIG.
EL element 30 in the pixel 107c with the current supply line
2c indicates light emission or non-light emission according to the digital video signal input from the source signal line driving circuit 102. That is, at this time, the pixel 107c is selected.

【0096】しかし、電流供給線の役割を果たす配線2
08が図3(B)に示すように画素107dのスイッチ
ング用TFT301dと接続されている場合には、画素
107dには、信号が入力されず、すなわち画素107
dは非選択状態になる。
However, the wiring 2 serving as a current supply line
08 is connected to the switching TFT 301d of the pixel 107d as shown in FIG. 3B, no signal is input to the pixel 107d, that is, the pixel 107d
d is in a non-selected state.

【0097】なお、ある画素が選択されているときに
は、紙面に向かって縦方向に同じ配線に接続されている
画素列はすべて選択されている。また、ある画素が選択
されていないときには、紙面に向かって縦方向に同じ配
線に接続されている画素列はすべて選択されていないこ
とになる。
When a certain pixel is selected, all the pixel columns connected to the same wiring in the vertical direction toward the page are selected. When a certain pixel is not selected, it means that all the pixel columns connected to the same wiring in the vertical direction toward the page are not selected.

【0098】なお、1フレームごとに選択される画素列
が切り替わるようにして、ソース信号線と電流供給線と
が電気的に交互に入れ替わるようにすると良い。
It is preferable that the pixel column selected for each frame is switched so that the source signal lines and the current supply lines are electrically alternated.

【0099】よって、例えば、第1フレームにおいて左
から第1、第3、第5といった奇数の画素列を選択し、
第2フレームにおいて左から第2、第4、第6といった
偶数の画素列を選択することができる。
Therefore, for example, the first, third, and fifth odd-numbered pixel columns are selected from the left in the first frame,
In the second frame, the even, second, fourth, and sixth pixel rows can be selected from the left.

【0100】〔実施例2〕次に、上記と異なる画素部の
構造を有する自発光装置を本発明に用いる場合の画素部
の構造及びその駆動方法について説明する。ここではn
ビットのデジタルデータ信号により2n階調の表示を行
う場合について説明する。
[Embodiment 2] Next, a description will be given of the structure of a pixel portion and a method of driving the same when a self-luminous device having a structure of a pixel portion different from that described above is used in the present invention. Where n
A case in which 2 n gray scale display is performed by using a bit digital data signal will be described.

【0101】図8に本発明の自発光装置におけるブロッ
ク図の一例を示す。図8の自発光装置は、基板上に形成
されたTFTによって画素部801、画素部の周辺に配
置されたソース信号駆動回路802、書き込み用ゲー
ト信号線駆動回路(第1のゲート信号線駆動回路)80
3、消去用ゲート信号線駆動回路(第2のゲート信号線
駆動回路)804を有している。なお、本実施例で自発
光装置はソース信号線駆動回路を1つ有しているが、本
発明においてソース信号線駆動回路は2つあってもよ
い。
FIG. 8 shows an example of a block diagram of the self-luminous device of the present invention. The self-luminous device in FIG. 8 includes a pixel portion 801 using a TFT formed over a substrate, a source signal line driving circuit 802 arranged around the pixel portion, a writing gate signal line driving circuit (a first gate signal line driving circuit). Circuit) 80
3. An erase gate signal line drive circuit (second gate signal line drive circuit) 804 is provided. In this embodiment, the self-luminous device has one source signal line drive circuit, but in the present invention, there may be two source signal line drive circuits.

【0102】また本発明において、ソース信号線駆動回
路802、書き込み用ゲート信号線駆動回路803また
は消去用ゲート信号線駆動回路804は、画素部801
が設けられている基板上に設けられている構成にしても
良いし、ICチップ上に設けてFPCまたはTABを介
して画素部801と接続されるような構成にしても良
い。
In the present invention, the source signal line driving circuit 802, the writing gate signal line driving circuit 803 or the erasing gate signal line driving circuit 804 includes the pixel portion 801.
May be provided on a substrate provided with, or may be provided on an IC chip and connected to the pixel portion 801 via FPC or TAB.

【0103】ソース信号線駆動回路802は基本的にシ
フトレジスタ802a、ラッチ(A)802b、ラッチ
(B)802cを有している。
The source signal line driving circuit 802 basically has a shift register 802a, a latch (A) 802b, and a latch (B) 802c.

【0104】ソース信号線駆動回路802において、シ
フトレジスタ802aにクロック信号(CLK)および
スタートパルス(SP)が入力される。シフトレジスタ
802aは、これらのクロック信号(CLK)およびス
タートパルス(SP)に基づきタイミング信号を順に発
生させ、バッファ等(図示せず)を通して後段の回路へ
タイミング信号を順次供給する。
In the source signal line driver circuit 802, a clock signal (CLK) and a start pulse (SP) are input to the shift register 802a. The shift register 802a sequentially generates a timing signal based on the clock signal (CLK) and the start pulse (SP), and sequentially supplies the timing signal to a subsequent circuit through a buffer or the like (not shown).

【0105】シフトレジスタ802aからのタイミング
信号は、バッファ等によって緩衝増幅される。タイミン
グ信号が供給される配線には、多くの回路あるいは素子
が接続されているために負荷容量(寄生容量)が大き
い。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号
の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐため
に、このバッファが設けられる。
The timing signal from shift register 802a is buffer-amplified by a buffer or the like. The wiring to which the timing signal is supplied has a large load capacitance (parasitic capacitance) because many circuits or elements are connected. This buffer is provided to prevent "dulling" of the rise or fall of the timing signal caused by the large load capacitance.

【0106】バッファによって緩衝増幅されたタイミン
グ信号は、ラッチ(A)802bに供給される。ラッチ
(A)802bは、nビットデジタルデータ信号(n bi
t digital data signals)を処理する複数のステージの
ラッチを有している。ラッチ(A)802bは、前記タ
イミング信号が入力されると、時分割階調データ信号発
生回路805から供給されるnビットデジタルデータ信
号を順次取り込み、保持する。
The timing signal buffer-amplified by the buffer is supplied to the latch (A) 802b. The latch (A) 802b outputs an n-bit digital data signal (n bi
t digital data signals). When the timing signal is input, the latch (A) 802b sequentially captures and holds the n-bit digital data signal supplied from the time-division grayscale data signal generation circuit 805.

【0107】なお、ラッチ(A)802bにデジタルデ
ータ信号を取り込む際に、ラッチ(A)802bが有す
る複数のステージのラッチに、順にデジタルデータ信号
を入力しても良い。しかし本発明はこの構成に限定され
ない。ラッチ(A)802bが有する複数のステージの
ラッチをいくつかのグループに分け、各グループごとに
並行して同時にデジタルデータ信号を入力する、いわゆ
る分割駆動を行っても良い。なおこのときのグループの
数を分割数と呼ぶ。例えば4つのステージごとにラッチ
をグループに分けた場合、4分割で分割駆動すると言
う。
When the digital data signal is taken into the latch (A) 802b, the digital data signal may be sequentially input to the latches of a plurality of stages included in the latch (A) 802b. However, the present invention is not limited to this configuration. The latches of a plurality of stages included in the latch (A) 802b may be divided into several groups, and a so-called division drive in which digital data signals are input simultaneously in parallel for each group may be performed. The number of groups at this time is called a division number. For example, when the latch is divided into groups for every four stages, it is referred to as divided drive in four divisions.

【0108】ラッチ(A)802bの全てのステージの
ラッチにデジタルデータ信号の書き込みが一通り終了す
るまでの時間を、ライン期間と呼ぶ。すなわち、ラッチ
(A)802b中で一番左側のステージのラッチにデジ
タルデータ信号の書き込みが開始される時点から、一番
右側のステージのラッチにデジタルデータ信号の書き込
みが終了する時点までの時間間隔がライン期間である。
実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えられた
期間をライン期間に含むことがある。
The time until the digital data signal is completely written into the latches of all the stages of the latch (A) 802b is called a line period. That is, a time interval from the time when the writing of the digital data signal to the latch of the leftmost stage in the latch (A) 802b starts to the time when the writing of the digital data signal to the latch of the rightmost stage ends. Is a line period.
Actually, the line period may include a period obtained by adding the horizontal retrace period to the line period.

【0109】1ライン期間が終了すると、ラッチ(B)
802cにラッチシグナル(LatchSignal)が供給され
る。この瞬間、ラッチ(A)802bに書き込まれ保持
されているデジタルデータ信号は、ラッチ(B)802
cに一斉に送出され、ラッチ(B)802cの全ステー
ジのラッチに書き込まれ、保持される。
When one line period ends, the latch (B)
A latch signal (LatchSignal) is supplied to 802c. At this moment, the digital data signal written and held in the latch (A) 802b is changed to the latch (B) 802b.
c, and is written to and held in the latches of all the stages of the latch (B) 802c.

【0110】デジタルデータ信号をラッチ(B)802
cに送出し終えたラッチ(A)802bには、シフトレ
ジスタ802aからのタイミング信号に基づき、再び時
分割階調データ信号発生回路805から供給されるデジ
タルデータ信号の書き込みが順次行われる。
The digital data signal is latched (B) 802
The digital data signal supplied from the time-division grayscale data signal generation circuit 805 is sequentially written again into the latch (A) 802b which has finished sending the data to c, based on the timing signal from the shift register 802a.

【0111】この2順目の1ライン期間中には、ラッチ
(B)802bに書き込まれ、保持されているデジタル
データ信号がソース信号線に入力される。
During this second one line period, the digital data signal written and held in the latch (B) 802b is input to the source signal line.

【0112】なお、ソース信号線は、切り替え回路80
6に電気的に接続されている。一方、電源807に接続
されている電流供給線(図示せず)も同様に切り替え回
路806に電気的に接続されている。そして、ソース信
号線と電流供給線のうち、切り替え回路806を制御す
る切り替え信号により選択されたほうが、画素部801
の画素と電気的に接続される。
The source signal line is connected to the switching circuit 80.
6 are electrically connected. On the other hand, a current supply line (not shown) connected to the power supply 807 is also electrically connected to the switching circuit 806 in the same manner. The pixel signal of the pixel portion 801 is selected from the source signal line and the current supply line by a switching signal for controlling the switching circuit 806.
Pixel is electrically connected.

【0113】図8において、画素部801の画素808
と切り替え回路806を含む領域を領域809で示す。
In FIG. 8, a pixel 808 of the pixel portion 801 is provided.
A region including the switching circuit 806 is indicated by a region 809.

【0114】一方、書き込み用ゲート信号側駆動回路8
03及び消去用ゲート信号線駆動回路804は、それぞ
れシフトレジスタ、バッファ(いずれも図示せず)を有
している。また場合によっては、書き込み用ゲート信号
線駆動回路803及び消去用ゲート信号線駆動回路80
4が、シフトレジスタ、バッファの他にレベルシフタを
有していても良い。
On the other hand, the write gate signal side drive circuit 8
03 and the erasing gate signal line driving circuit 804 each have a shift register and a buffer (both not shown). In some cases, the write gate signal line drive circuit 803 and the erase gate signal line drive circuit 80
4 may have a level shifter in addition to the shift register and the buffer.

【0115】書き込み用ゲート信号線駆動回路803及
び消去用ゲート信号線駆動回路804において、シフト
レジスタ(図示せず)からのタイミング信号がバッファ
(図示せず)に供給され、対応するゲート信号線(走査
線とも呼ぶ)に供給される。ゲート信号線には、1ライ
ン分の画素TFTのゲート電極が接続されており、1ラ
イン分全ての画素TFTを同時にONにしなくてはなら
ないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なも
のが用いられる。
In the write gate signal line drive circuit 803 and the erase gate signal line drive circuit 804, a timing signal from a shift register (not shown) is supplied to a buffer (not shown), and the corresponding gate signal line ( Scan lines). The gate signal lines are connected to the gate electrodes of pixel TFTs for one line, and all pixel TFTs for one line must be turned on at the same time. Used.

【0116】時分割階調データ信号発生回路805にお
いては、アナログまたはデジタルのビデオ信号(画像情
報を含む信号)が時分割階調を行うためのデジタルデー
タ信号(Digital Data Signals)
に変換され、ラッチ(A)802bに入力される。また
この時分割階調データ信号発生回路805は、時分割階
調表示を行うために必要なタイミングパルス等を発生さ
せる回路でもある。
In the time division gradation data signal generation circuit 805, a digital data signal (Digital Data Signals) for performing time division gradation of an analog or digital video signal (a signal containing image information) is provided.
And input to the latch (A) 802b. The time-division grayscale data signal generation circuit 805 is a circuit that generates a timing pulse and the like necessary for performing time-division grayscale display.

【0117】この時分割階調データ信号発生回路805
は、本発明の自発光装置の外部に設けられても良い。そ
の場合、そこで形成されたデジタルデータ信号が本発明
の自発光装置に入力される構成となる。この場合、本発
明の自発光装置を表示ディスプレイとして有する電気器
具(自発光装置)は、本発明の自発光装置と時分割階調
データ信号発生回路を別の部品として含むことになる。
This time-division gradation data signal generation circuit 805
May be provided outside the self-luminous device of the present invention. In that case, the digital data signal formed there is input to the self-luminous device of the present invention. In this case, an electric appliance (self-luminous device) having the self-luminous device of the present invention as a display includes the self-luminous device of the present invention and the time-division grayscale data signal generation circuit as separate components.

【0118】また、時分割階調データ信号発生回路80
5をICチップなどの形で本発明の自発光装置に実装し
ても良い。その場合、そのICチップで形成されたデジ
タルデータ信号が本発明の自発光装置に入力される構成
となる。この場合、本発明の自発光装置をディスプレイ
として有する電気器具は、時分割階調データ信号発生回
路を含むICチップを実装した本発明の自発光装置を部
品として含むことになる。
The time-division gradation data signal generation circuit 80
5 may be mounted on the light emitting device of the present invention in the form of an IC chip or the like. In that case, a digital data signal formed by the IC chip is input to the self-luminous device of the present invention. In this case, an electric appliance having the self-luminous device of the present invention as a display includes the self-luminous device of the present invention mounted with an IC chip including a time-division gradation data signal generation circuit as a component.

【0119】また最終的には、時分割階調データ信号発
生回路805を画素部801、ソース信号線駆動回路8
02、書き込み用ゲート信号線駆動回路803、消去用
ゲート信号線駆動回路804と同一の基板上にTFTを
用いて形成しうる。この場合、自発光装置に画像情報を
含むビデオ信号を入力すれば全て基板上で処理すること
ができる。この場合の時分割階調データ信号発生回路は
ポリシリコン膜を活性層とするTFTで形成しても良
い。また、この場合、本発明の自発光装置をディスプレ
イとして有する電気器具は、時分割階調データ信号発生
回路が自発光装置自体に内蔵されており、電気器具の小
型化を図ることが可能である。
Finally, the time division gray scale data signal generating circuit 805 is connected to the pixel portion 801 and the source signal line driving circuit 8.
02, the writing gate signal line driving circuit 803 and the erasing gate signal line driving circuit 804 can be formed over the same substrate using a TFT. In this case, if a video signal containing image information is input to the self-luminous device, all can be processed on the substrate. In this case, the time division gray scale data signal generation circuit may be formed by a TFT using a polysilicon film as an active layer. In this case, in the electric appliance having the self-luminous device of the present invention as a display, the time-division grayscale data signal generation circuit is built in the self-luminous device itself, so that the electric appliance can be downsized. .

【0120】画素部801の拡大図を図9に示す。ソー
ス信号線駆動回路802のラッチ(B)802cに接続
されたソース信号線(S1〜Sx)、FPCを介して自
発光装置の外部の電源に接続された電流供給線(V1〜
Vx)、書き込み用ゲート信号線駆動回路803に接続
された書き込み用ゲート信号線(第1のゲート信号線)
(Ga1〜Gay)、消去用ゲート信号線駆動回路80
4に接続された消去用ゲート信号線(第2のゲート信号
線)(Ge1〜Gey)が画素部801に設けられてい
る。
FIG. 9 is an enlarged view of the pixel portion 801. The source signal lines (S1 to Sx) connected to the latch (B) 802c of the source signal line driving circuit 802, and the current supply lines (V1 to V1) connected to a power supply external to the light emitting device via the FPC.
Vx), a write gate signal line (first gate signal line) connected to the write gate signal line drive circuit 803
(Ga1-Gay), erase gate signal line drive circuit 80
The erase gate signal line (second gate signal line) (Ge1 to Gey) connected to the pixel unit 4 is provided in the pixel unit 801.

【0121】なお、画素部801の外部に設けられた切
り替え回路806により切り替え回路806と画素を接
続する配線(P1〜Px)がソース信号線(S1〜S
x)または電流供給線(V1〜Vx)に切り替わる。
The wiring (P1 to Px) connecting the switching circuit 806 and the pixel is connected to the source signal lines (S1 to S1) by the switching circuit 806 provided outside the pixel portion 801.
x) or the current supply line (V1 to Vx).

【0122】ソース信号線(S1〜Sx)と、電流供給
線(V1〜Vx)と、書き込み用ゲート信号線(Ga1
〜Gay)と、消去用ゲート信号線(Ge1〜Gey)
とを備えた領域が画素901である。画素部801には
マトリクス状に複数の画素901が配列されることにな
る。
A source signal line (S1 to Sx), a current supply line (V1 to Vx), and a write gate signal line (Ga1
To Gay) and the gate signal line for erasing (Ge1 to Gey)
Is a pixel 901. In the pixel portion 801, a plurality of pixels 901 are arranged in a matrix.

【0123】画素901と切り替え回路を含む領域80
9の拡大図を図10に示す。図10において、1001
はスイッチング用TFTである。スイッチング用TFT
1001のゲート電極は、書き込み用ゲート信号線Ga
(1007)に接続されている。スイッチング用TFT
1001のソース領域とドレイン領域は、一方がソース
信号線Sに、もう一方が電流制御用TFT1002のゲ
ート電極、各画素が有するコンデンサ1003及び消去
用TFT1004のソース領域又はドレイン領域にそれ
ぞれ接続されている。ただし、スイッチング用TFT1
001が、切り替え回路806により電流供給線に接続
された場合には、この画素は機能しない。
Region 80 including pixel 901 and switching circuit
9 is shown in FIG. In FIG. 10, 1001
Is a switching TFT. Switching TFT
The gate electrode 1001 is connected to the write gate signal line Ga.
(1007). Switching TFT
One of a source region and a drain region 1001 is connected to the source signal line S, and the other is connected to the gate electrode of the current control TFT 1002, the capacitor 1003 of each pixel, and the source or drain region of the erasing TFT 1004. . However, the switching TFT1
When 001 is connected to the current supply line by the switching circuit 806, this pixel does not function.

【0124】コンデンサ1003はスイッチング用TF
T1001が非選択状態(オフ状態)にある時、電流制
御用TFT1002のゲート電圧を保持するために設け
られている。なお本実施例ではコンデンサ1003を設
ける構成を示したが、本発明はこの構成に限定されず、
コンデンサ1003を設けない構成にしても良い。
The capacitor 1003 is a switching TF
When T1001 is in a non-selection state (OFF state), it is provided to hold the gate voltage of the current control TFT 1002. In this embodiment, the configuration in which the capacitor 1003 is provided is shown, but the present invention is not limited to this configuration.
A configuration without the capacitor 1003 may be employed.

【0125】また、電流制御用TFT1002のソース
領域とドレイン領域は、一方が電流供給線Vに接続さ
れ、もう一方はEL素子1005に接続される。電流供
給線Vはコンデンサ1003に接続されている。ただ
し、電流制御用TFT1002が切り替え回路806に
よりソース信号線S(S1〜Sx)に接続された場合に
は、この画素は機能しない。
One of a source region and a drain region of the current control TFT 1002 is connected to the current supply line V, and the other is connected to the EL element 1005. The current supply line V is connected to the capacitor 1003. However, when the current control TFT 1002 is connected to the source signal line S (S1 to Sx) by the switching circuit 806, this pixel does not function.

【0126】また消去用TFT1004のソース領域と
ドレイン領域のうち、スイッチング用TFT1001の
ソース領域またはドレイン領域に接続されていない方
は、電流供給線Vに接続されている。そして消去用TF
T1003のゲート電極は、消去用ゲート信号線Ge
(1008)に接続されている。
The other of the source and drain regions of the erasing TFT 1004 that is not connected to the source or drain region of the switching TFT 1001 is connected to the current supply line V. And erasing TF
The gate electrode of T1003 is connected to the erase gate signal line Ge.
(1008).

【0127】EL素子1005は陽極と陰極と、陽極と
陰極との間に設けられたEL層とからなる。陽極が電流
制御用TFT1002のソース領域またはドレイン領域
と接続している場合、陽極が画素電極、陰極が対向電極
となる。逆に陰極が電流制御用TFT1002のソース
領域またはドレイン領域と接続している場合、陰極が画
素電極、陽極が対向電極となる。
The EL element 1005 includes an anode and a cathode, and an EL layer provided between the anode and the cathode. When the anode is connected to the source region or the drain region of the current controlling TFT 1002, the anode serves as a pixel electrode and the cathode serves as a counter electrode. Conversely, when the cathode is connected to the source region or the drain region of the current controlling TFT 1002, the cathode serves as a pixel electrode and the anode serves as a counter electrode.

【0128】EL素子1005の対向電極には対向電位
が与えられている。また電流供給線Vは電源電位が与え
られている。そして対向電位と電源電位の電位差は、電
源電位が画素電極に与えられたときにEL素子が発光す
る程度の電位差に常に保たれている。電源電位と対向電
位は、本発明の自発光装置に、外付けのIC等により設
けられた電源によって与えられる。なお対向電位を与え
る電源を、本明細書では特に対向電源1006と呼ぶ。
An opposing potential is applied to the opposing electrode of the EL element 1005. The power supply potential is applied to the current supply line V. The potential difference between the opposite potential and the power supply potential is always kept at such a level that the EL element emits light when the power supply potential is applied to the pixel electrode. The power supply potential and the counter potential are provided to the self-luminous device of the present invention by a power supply provided by an external IC or the like. Note that a power supply that provides a counter potential is particularly referred to as a counter power supply 1006 in this specification.

【0129】現在の典型的な自発光装置には、画素の発
光する面積あたりの発光量が200cd/m2の場合、
画素部の面積あたりの電流が数mA/cm2程度必要と
なる。そのため特に画面サイズが大きくなると、ICに
設けられた電源から与えられる電位の高さをスイッチで
制御することが難しくなっていく。本発明においては、
電源電位と対向電位は常に一定に保たれており、ICに
設けられた電源から与えられる電位の高さをスイッチで
制御する必要がないので、より大きな画面サイズのパネ
ルの実現に有用である。
In a typical light emitting device at present, a light emitting amount per pixel emitting area is 200 cd / m 2 ,
A current per area of the pixel portion is required to be about several mA / cm 2 . Therefore, particularly when the screen size becomes large, it becomes difficult to control the level of the potential given from the power supply provided in the IC with the switch. In the present invention,
The power supply potential and the counter potential are always kept constant, and it is not necessary to control the height of the potential given from the power supply provided in the IC with a switch, which is useful for realizing a panel with a larger screen size.

【0130】そして本発明において、電源電位の高さ
は、電流制御用TFT1002のゲート電極に電源電位
が与えられたときに、電流制御用TFT1002がオフ
の状態となるような電位の高さであることが必要であ
る。
In the present invention, the height of the power supply potential is such that the current control TFT 1002 is turned off when the power supply potential is applied to the gate electrode of the current control TFT 1002. It is necessary.

【0131】スイッチング用TFT1001、電流制御
用TFT1002、消去用TFT1004は、nチャネ
ル型TFTでもpチャネル型TFTでもどちらでも用い
ることができる。またスイッチング用TFT1001、
電流制御用TFT1002、消去用TFT1004は、
シングルゲート構造ではなく、ダブルゲート構造、やト
リプルゲート構造などのマルチゲート構造を有していて
も良い。
As the switching TFT 1001, the current controlling TFT 1002, and the erasing TFT 1004, either an n-channel TFT or a p-channel TFT can be used. Also, the switching TFT 1001,
The current controlling TFT 1002 and the erasing TFT 1004 are:
Instead of a single gate structure, a multi-gate structure such as a double gate structure or a triple gate structure may be employed.

【0132】次に図8〜図10で示した本発明を用いた
自発光装置の駆動方法について、図11を用いて説明す
る。
Next, a method of driving the self-luminous device using the present invention shown in FIGS. 8 to 10 will be described with reference to FIG.

【0133】はじめに、書き込み用ゲート信号線駆動回
路803から書き込み用ゲート信号線Ga1(100
7)に入力される書き込み用ゲート信号(第1のゲート
信号)によって書き込み用ゲート信号線Ga1(100
7)が選択される。そして書き込み用ゲート信号線Ga
1に接続されている全ての画素(1ライン目の画素)の
スイッチング用TFT1001がオンの状態になる。
First, the write gate signal line driving circuit 803 sends the write gate signal line Ga1 (100
7), the write gate signal line Ga1 (100) is generated by the write gate signal (first gate signal).
7) is selected. Then, the write gate signal line Ga
The switching TFTs 1001 of all the pixels (pixels on the first line) connected to 1 are turned on.

【0134】そして同時に、ソース信号線駆動回路80
2からソース信号線S1〜Sxに入力される1ビット目
のデジタルビデオ信号が、スイッチング用TFT100
1を介して電流制御用TFT1002のゲート電極に入
力される。なお本明細書において、デジタルビデオ信号
がスイッチング用TFT1001を介して電流制御用T
FT1002のゲート電極に入力されることを、画素に
デジタルビデオ信号が入力されるとする。
At the same time, the source signal line driving circuit 80
2 is input to the source signal lines S1 to Sx, the first bit digital video signal is
1 is input to the gate electrode of the current control TFT 1002. Note that in this specification, a digital video signal is supplied to a current control TFT through a switching TFT 1001.
It is assumed that the input to the gate electrode of the FT 1002 is a digital video signal input to the pixel.

【0135】デジタルビデオ信号は「0」または「1」
の情報を有しており、「0」と「1」のデジタルビデオ
信号は、一方がHi、一方がLoの電圧を有する信号で
ある。
The digital video signal is "0" or "1"
The digital video signals of “0” and “1” are signals having one Hi voltage and one Lo voltage.

【0136】本実施例では、デジタルビデオ信号が
「0」の情報を有していた場合、電流制御用TFT10
02はオフの状態となる。よってEL素子1005の画
素電極に電源電位が与えられない。その結果、「0」の
情報を有するデジタルビデオ信号が入力された画素が有
するEL素子1005は発光しない。
In this embodiment, when the digital video signal has information of “0”, the current control TFT 10
02 is off. Therefore, no power supply potential is applied to the pixel electrode of the EL element 1005. As a result, the EL element 1005 included in the pixel to which the digital video signal having the information “0” is input does not emit light.

【0137】逆に、デジタルビデオ信号が「1」の情報
を有していた場合、電流制御用TFT1002はオンの
状態となる。よってEL素子1005の画素電極に電源
電位が与えられる。その結果、「1」の情報を有するデ
ジタルビデオ信号が入力された画素が有するEL素子1
005は発光する。
Conversely, when the digital video signal has information of “1”, the current control TFT 1002 is turned on. Thus, a power supply potential is applied to the pixel electrode of the EL element 1005. As a result, the EL element 1 included in the pixel to which the digital video signal having the information “1” is input is provided.
005 emits light.

【0138】なお本実施例ではデジタルビデオ信号が
「0」の情報を有していた場合、電流制御用TFT10
02はオフの状態となり、「1」の情報を有していた場
合電流制御用TFT1002はオンの状態となるが、本
発明はこの構成に限定されない。デジタルビデオ信号が
「0」の情報を有していた場合、電流制御用TFT10
02がオンの状態となり、「1」の情報を有していた場
合電流制御用TFT1002オフの状態となっても良
い。
In this embodiment, when the digital video signal has information of “0”, the current control TFT 10
02 is in an off state, and the current control TFT 1002 is in an on state when it has information of “1”, but the present invention is not limited to this configuration. If the digital video signal has information of “0”, the current control TFT 10
02 may be turned on and the current control TFT 1002 may be turned off if it has the information of “1”.

【0139】このように、1ライン目の画素にデジタル
ビデオ信号が入力されると同時に、EL素子1005が
発光、または非発光を行い、1ライン目の画素は表示を
行う。画素が表示を行っている期間を表示期間Trと呼
ぶ。特に1ビット目のデジタルビデオ信号が画素に入力
されたことで開始する表示期間をTr1と呼ぶ。各ライ
ンの表示期間が開始されるタイミングはそれぞれ時間差
を有している。
As described above, at the same time when the digital video signal is input to the pixels on the first line, the EL element 1005 emits light or does not emit light, and the pixels on the first line perform display. A period during which the pixel performs display is called a display period Tr. In particular, a display period started when the first bit digital video signal is input to the pixel is referred to as Tr1. The timing at which the display period of each line is started has a time difference.

【0140】次に書き込み用ゲート信号線Ga1の選択
が終了すると、書き込み用ゲート信号線Ga2が書き込
み用ゲート信号によって選択される。そして書き込み用
ゲート信号線Ga2に接続されている全ての画素のスイ
ッチング用TFT1001がオンの状態になり、2ライ
ン目の画素にソース信号線S1〜Sxから1ビット目の
デジタルビデオ信号が入力される。
Next, when the selection of the write gate signal line Ga1 is completed, the write gate signal line Ga2 is selected by the write gate signal. Then, the switching TFTs 1001 of all the pixels connected to the write gate signal line Ga2 are turned on, and the first bit digital video signals are input to the pixels of the second line from the source signal lines S1 to Sx. .

【0141】そして順に、全ての書き込み用ゲート信号
線Ga(Ga1〜Gay)が選択され、全ての画素に1
ビット目のデジタルビデオ信号が入力される。全ての画
素に1ビット目のデジタルビデオ信号が入力されるまで
の期間が、書き込み期間Ta1である。
Then, in order, all the write gate signal lines Ga (Ga1 to Gay) are selected, and 1 is applied to all the pixels.
The digital video signal of the bit is input. The period until the digital video signal of the first bit is input to all the pixels is the writing period Ta1.

【0142】一方、全ての画素に1ビット目のデジタル
ビデオ信号が入力される前、言い換えると書き込み期間
Ta1が終了する前に、画素への1ビット目のデジタル
ビデオ信号の入力と並行して、消去用ゲート信号線駆動
回路804から消去用ゲート信号線Ge1(1008)
に入力される消去用ゲート信号(第2のゲート信号)に
よって、消去用ゲート信号線Ge1(1008)が選択
される。そして、消去用ゲート信号線Ge1(100
8)に接続されている全ての画素(1ライン目の画素)
の消去用TFT1004がオンの状態になる。そして電
流供給線V1〜Vxの電源電位が消去用TFT1004
を介して電流制御用TFT1002のゲート電極に与え
られる。
On the other hand, before the digital video signal of the first bit is input to all the pixels, in other words, before the writing period Ta1 ends, in parallel with the input of the digital video signal of the first bit to the pixels, Erasing gate signal line Ge1 (1008) from erasing gate signal line driving circuit 804
, The erase gate signal line Ge1 (1008) is selected by the erase gate signal (second gate signal) input to the gate. Then, the erase gate signal line Ge1 (100
All pixels connected to 8) (pixels on the first line)
Erasing TFT 1004 is turned on. The power supply potentials of the current supply lines V1 to Vx are changed to the erasing TFT 1004.
To the gate electrode of the current controlling TFT 1002 via

【0143】電源電位が電流制御用TFT1002のゲ
ート電極に与えられると、電流制御用TFT1002の
ゲート電極とソース領域の電位が同じになり、ゲート電
圧が0Vになる。よって電流制御用TFT1002はオ
フの状態となる。つまり、書き込み用ゲート信号線Ga
1(1007)が書き込み用ゲート信号によって選択さ
れたときから電流制御用TFTのゲート電極が保持して
いたデジタルビデオ信号は、電流制御用TFTのゲート
電極に電源電位が与えられることで消去される。よって
電源電位はEL素子1005の画素電極に与えられなく
なり、1ライン目の画素が有するEL素子1005は全
て非発光の状態になり、1ライン目の画素が表示を行わ
なくなる。
When the power supply potential is applied to the gate electrode of the current control TFT 1002, the potential of the gate electrode and the source region of the current control TFT 1002 become the same, and the gate voltage becomes 0V. Therefore, the current control TFT 1002 is turned off. That is, the write gate signal line Ga
The digital video signal held by the gate electrode of the current control TFT since 1 (1007) is selected by the write gate signal is erased by applying a power supply potential to the gate electrode of the current control TFT. . Therefore, the power supply potential is not supplied to the pixel electrode of the EL element 1005, and the EL elements 1005 included in the pixels in the first line are all in a non-light emitting state, and the pixels in the first line do not perform display.

【0144】画素が表示を行わない期間を非表示期間T
dと呼ぶ。1ライン目の画素において、消去用ゲート信
号線Ge1(1008)が選択されると同時に表示期間
Tr1が終了し、非表示期間Td1となる。表示期間と
同様に、各ラインの非表示期間が開始されるタイミング
はそれぞれ時間差を有している。
A period during which the pixel does not perform display is defined as a non-display period T.
Called d. In the pixels of the first line, the display period Tr1 ends at the same time when the erasing gate signal line Ge1 (1008) is selected, and the non-display period Td1 starts. Similarly to the display period, the start timing of the non-display period of each line has a time difference.

【0145】そして消去用ゲート信号線Ge1(100
8)の選択が終了すると、消去用ゲート信号線Ge2が
選択され、消去用ゲート信号線Ge2に接続されている
全ての画素(2ライン目の画素)の消去用TFT100
4がオンの状態になる。そして電流供給線V1〜Vxの
電源電位が消去用TFT1004を介して電流制御用T
FT1002のゲート電極に与えられる。電源電位が電
流制御用TFT1002のゲート電極に与えられると、
電流制御用TFT1002はオフの状態となる。よって
電源電位はEL素子1005の画素電極に与えられなく
なる。その結果2ライン目の画素が有するEL素子は全
て非発光の状態になり、2ライン目の画素が表示を行わ
ない非表示の状態となる。
Then, the erase gate signal line Ge1 (100
When the selection in 8) is completed, the erasing gate signal line Ge2 is selected, and the erasing TFTs 100 of all the pixels (pixels on the second line) connected to the erasing gate signal line Ge2.
4 is turned on. Then, the power supply potentials of the current supply lines V1 to Vx are supplied to the current control T
It is provided to the gate electrode of FT1002. When the power supply potential is applied to the gate electrode of the current control TFT 1002,
The current control TFT 1002 is turned off. Therefore, the power supply potential is not applied to the pixel electrode of the EL element 1005. As a result, all the EL elements of the pixels on the second line are in a non-light emitting state, and the pixels on the second line are in a non-display state in which no display is performed.

【0146】そして順に、全ての消去用ゲート信号線に
消去用ゲート信号が入力されていく。全ての消去用ゲー
ト信号線Ge1〜Geyが選択され、全ての画素が保持
している1ビット目のデジタルビデオ信号が消去される
までの期間が消去期間Te1である。
Then, the erase gate signal is sequentially input to all the erase gate signal lines. An erasing period Te1 is a period from when all the erasing gate signal lines Ge1 to Gey are selected and when the first bit digital video signal held by all the pixels is erased.

【0147】一方、全ての画素が保持している1ビット
目のデジタルビデオ信号が消去される前、言い換えると
消去期間Te1が終了する前に、画素が保持している1
ビット目のデジタルビデオ信号の消去と並行して、再び
書き込み用ゲート信号による書き込み用ゲート信号線G
a1の選択が行われる。そして1ライン目の画素に、2
ビット目のデジタルビデオ信号が入力される。その結
果、1ライン目の画素は再び表示を行うので、非表示期
間Td1が終了して表示期間Tr2となる。
On the other hand, before the digital video signal of the first bit held by all the pixels is erased, in other words, before the end of the erasing period Te1, 1
In parallel with the erasure of the digital video signal of the bit, the write gate signal line G is again generated by the write gate signal.
a1 is selected. Then, in the pixels on the first line, 2
The digital video signal of the bit is input. As a result, the pixels on the first line perform display again, so that the non-display period Td1 ends and the display period Tr2 starts.

【0148】そして同様に、順に全ての書き込み用ゲー
ト信号線が選択され、2ビット目のデジタルビデオ信号
が全ての画素に入力される。全ての画素に2ビット目の
デジタルビデオ信号が入力し終わるまでの期間を、書き
込み期間Ta2と呼ぶ。
Similarly, all the write gate signal lines are sequentially selected, and the digital video signal of the second bit is input to all the pixels. A period until the input of the second bit digital video signal to all the pixels is called a writing period Ta2.

【0149】そして一方、全ての画素に2ビット目のデ
ジタルビデオ信号が入力される前、言い換えると書き込
み期間Ta2が終了する前に、画素への2ビット目のデ
ジタルビデオ信号の入力と並行して、消去用ゲート信号
による消去用ゲート信号線Ge2の選択が行われる。よ
って1ライン目の画素が有するEL素子は全て非発光の
状態になり、1ライン目の画素が表示を行わなくなる。
よって1ライン目の画素において表示期間Tr2は終了
し、非表示期間Td2となる。
On the other hand, before the digital video signal of the second bit is input to all the pixels, in other words, before the end of the writing period Ta2, in parallel with the input of the digital video signal of the second bit to the pixels. Then, the erase gate signal line Ge2 is selected by the erase gate signal. Accordingly, the EL elements of the pixels on the first line are all in a non-light emitting state, and the pixels on the first line do not perform display.
Accordingly, the display period Tr2 ends in the pixels on the first line, and the non-display period Td2 is set.

【0150】そして順に、全ての消去用ゲート信号線G
e1〜Geyが選択され、全ての画素が保持している2
ビット目のデジタルビデオ信号が消去される。全ての画
素が保持している2ビット目のデジタルビデオ信号が消
去されるまでの期間が消去期間Te2である。
Then, in order, all the erase gate signal lines G
e1 to Gey are selected and all pixels hold 2
The digital video signal of the bit is deleted. The period until the second bit digital video signal held by all the pixels is erased is the erase period Te2.

【0151】上述した動作はmビット目のデジタルビデ
オ信号が画素に入力されるまで繰り返し行われ、表示期
間Trと非表示期間Tdとが繰り返し出現する。表示期
間Tr1は、書き込み期間Ta1が開始されてから消去
期間Te1が開始されるまでの期間である。また非表示
期間Td1は、消去期間Te1が開始されてから次に出
現する書き込み期間(この場合書き込み期間Ta2)が
開始されるまでの期間である。そして表示期間Tr2、
Tr3、・・・、Tr(m−1)と非表示期間Td2、T
d3、・・・、Td(m−1)も、表示期間Tr1と非表
示期間Td1と同様に、それぞれ書き込み期間Ta1、
Ta2、・・・、Tamと消去期間Te1、Te2、・・・、
Te(m−1)とによって、その期間が定められる。
The above operation is repeatedly performed until the m-bit digital video signal is input to the pixel, and the display period Tr and the non-display period Td appear repeatedly. The display period Tr1 is a period from the start of the write period Ta1 to the start of the erase period Te1. The non-display period Td1 is a period from the start of the erase period Te1 to the start of the next appearing write period (in this case, the write period Ta2). Then, the display period Tr2,
Tr3,..., Tr (m-1) and non-display periods Td2, T
Also, d3,..., Td (m-1) are the write periods Ta1, Ta2, respectively, similarly to the display period Tr1 and the non-display period Td1.
.., Tam and the erasing periods Te1, Te2,.
The period is determined by Te (m-1).

【0152】説明を簡便にするために、図11ではm=
n−2の場合を例にとって示すが、本発明はこれに限定
されないのは言うまでもない。本発明においてmは、1
からnまでの値を任意に選択することが可能である。
For the sake of simplicity, FIG.
Although the case of n-2 is shown as an example, it goes without saying that the present invention is not limited to this. In the present invention, m is 1
To n can be arbitrarily selected.

【0153】m〔n−2(以下、括弧内はm=n−2の
場合を示す)〕ビット目のデジタルビデオ信号が1ライ
ン目の画素に入力されると、1ライン目の画素は表示期
間Trm〔n−2〕となり表示を行う。そして次のビッ
トのデジタルビデオ信号が入力されるまで、m〔n−
2〕ビット目のデジタルビデオ信号は画素に保持され
る。
When a digital video signal of the m [n-2 (hereinafter, parentheses indicate m = n-2)] bit is input to the pixels of the first line, the pixels of the first line are displayed. During the period Trm [n-2], display is performed. Until the next bit of digital video signal is input, m [n-
2] The digital video signal of the bit is held in the pixel.

【0154】そして次に(m+1)〔n−1〕ビット目
のデジタルビデオ信号が1ライン目の画素に入力される
と、画素に保持されていたm〔n−2〕ビット目のデジ
タルビデオ信号は、(m+1)〔n−1〕ビット目のデ
ジタルビデオ信号に書き換えられる。そして1ライン目
の画素は表示期間Tr(m+1)〔n−1〕となり、表
示を行う。(m+1)〔n−1〕ビット目のデジタルビ
デオ信号は、次のビットのデジタルビデオ信号が入力さ
れるまで画素に保持される。
Then, when the (m + 1) [n-1] th bit digital video signal is input to the pixels on the first line, the m [n-2] th bit digital video signal held in the pixels is received. Is rewritten to the (m + 1) [n-1] th bit digital video signal. Then, the pixels on the first line enter a display period Tr (m + 1) [n-1], and display is performed. The (m + 1) [n-1] th bit digital video signal is held in the pixel until the next bit digital video signal is input.

【0155】上述した動作をnビット目のデジタルビデ
オ信号が画素に入力されるまで繰り返し行われる。表示
期間Trm〔n−2〕、…、Trnは、書き込み期間T
am〔n−2〕、…、Tanが開始されてから、その次
に出現する書き込み期間が開始されるまでの期間であ
る。
The above operation is repeated until the n-th bit digital video signal is input to the pixel. The display period Trm [n−2],.
am [n-2],..., Tan, from the start to the start of the next appearing write period.

【0156】全ての表示期間Tr1〜Trnが終了する
と、1つの画像を表示することができる。本発明におい
て、1つの画像が表示される期間を1フレーム期間
(F)と呼ぶ。
When all the display periods Tr1 to Trn are completed, one image can be displayed. In the present invention, a period during which one image is displayed is called one frame period (F).

【0157】そして1フレーム期間終了後は、再び書き
込み用ゲート信号線Ga1が書き込み用ゲート信号によ
って選択される。そして、1ビット目のデジタルビデオ
信号が画素に入力され、1ライン目の画素が再び表示期
間Tr1となる。そして再び上述した動作を繰り返す。
After the end of one frame period, the write gate signal line Ga1 is selected again by the write gate signal. Then, the digital video signal of the first bit is input to the pixel, and the pixel of the first line again becomes the display period Tr1. Then, the above operation is repeated again.

【0158】自発光装置は1秒間に60以上のフレーム
期間を設けることが好ましい。1秒間に表示される画像
の数が60より少なくなると、視覚的に画像のちらつき
が目立ち始めることがある。
It is preferable that the self-luminous device provide 60 or more frame periods per second. When the number of images displayed in one second is less than 60, flickering of the images may start to be noticeable.

【0159】また本発明では、全ての書き込み期間にお
ける長さの和が1フレーム期間よりも短いことが重要で
ある。なおかつ表示期間の長さをTr1:Tr2:Tr
3:…:Tr(n−1):Trn=20:21:22
…:2(n-2):2(n-1)とすることが必要である。この表
示期間の組み合わせで2n階調のうち所望の階調表示を
行うことができる。
In the present invention, it is important that the sum of the lengths in all the writing periods is shorter than one frame period. In addition, the length of the display period is Tr1: Tr2: Tr
3 ::: Tr (n-1): Trn = 2 0 : 2 1 : 2 2 :
…: 2 (n−2) : 2 (n−1) . A desired gradation display out of 2 n gradations can be performed by the combination of the display periods.

【0160】1フレーム期間中にEL素子が発光した表
示期間の長さの総和を求めることによって、当該フレー
ム期間におけるその画素の表示した階調がきまる。例え
ば、n=8のとき、全部の表示期間で画素が発光した場
合の輝度を100%とすると、Tr1とTr2において
画素が発光した場合には1%の輝度が表現でき、Tr3
とTr5とTr8を選択した場合には60%の輝度が表
現できる。
By calculating the sum of the lengths of the display periods in which the EL elements emit light during one frame period, the displayed gradation of the pixel in the frame period is determined. For example, assuming that when the pixel emits light in all display periods when n = 8, the luminance is 100%, and when the pixel emits light in Tr1 and Tr2, 1% luminance can be expressed.
When Tr5 and Tr8 are selected, 60% luminance can be expressed.

【0161】mビット目のデジタルビデオ信号が画素に
書き込まれる書き込み期間Tamは、表示期間Trmの
長さよりも短いことが肝要である。よってビット数mの
値は、1〜nのうち、書き込み期間Tamが表示期間T
rmの長さよりも短くなるような値であることが必要で
ある。
It is important that the writing period Tam in which the m-bit digital video signal is written to the pixel is shorter than the length of the display period Trm. Therefore, the value of the bit number m is such that the writing period Tam is the display period T among 1 to n.
The value must be shorter than the length of rm.

【0162】また表示期間Tr1〜Trnは、どのよう
な順序で出現させても良い。例えば1フレーム期間中に
おいて、Tr1の次にTr3、Tr5、Tr2、・・・と
いう順序で表示期間を出現させることも可能である。た
だし、表示期間Tr1〜Trnが互いに重ならない順序
の方がより好ましい。また消去期間Te1〜Tenも、
互いに重ならない順序の方がより好ましい。
The display periods Tr1 to Trn may appear in any order. For example, during one frame period, the display periods can appear in the order of Tr1, Tr5, Tr2,... Next to Tr1. However, the order in which the display periods Tr1 to Trn do not overlap each other is more preferable. Also, the erasing periods Te1 to Ten are
A non-overlapping order is more preferred.

【0163】本発明は上記構成によって、TFTによっ
てID S −V GS 特性に多少のばらつきがあっても、電流制
御用TFTに等しいゲート電圧がかかったときに出力さ
れる電流量のばらつきを抑えることができる。よってI
DS−VGS特性のバラツキによって、同じ電圧の信号を入
力してもEL素子の発光量が隣接画素で大きく異なって
しまうという事態を避けることが可能になる。
[0163] According to the present invention the above structure, even if there is some variation in the I D S -V GS characteristic by TFT, suppress variations in the amount of current output when applied gate voltage equal to the current controlling TFT be able to. Therefore I
The variation of DS -V GS characteristic, the amount of light emitted from the EL element even if a signal is input with the same voltage it is possible to avoid a situation that greatly different in neighboring pixels.

【0164】また本実施例では電流制御用TFTとし
て、第1の電流制御用TFTと第2の電流制御用TFT
とが並列に設けられている。これによって、電流制御用
TFTの活性層を流れる電流によって発生した熱の放射
を効率的に行うことができ、電流制御用TFTの劣化を
抑えることができる。また、電流制御用TFTのしきい
値や移動度などの特性のばらつきによって生じるドレイ
ン電流のばらつきを抑えることができる。
In this embodiment, the first current control TFT and the second current control TFT are used as current control TFTs.
And are provided in parallel. Thus, the heat generated by the current flowing through the active layer of the current control TFT can be efficiently radiated, and deterioration of the current control TFT can be suppressed. Further, it is possible to suppress variations in drain current caused by variations in characteristics such as the threshold value and mobility of the current control TFT.

【0165】また、本実施例では、表示を行わない非発
光期間を設けることができる。従来のアナログ駆動の場
合、自発光装置に全白の画像を表示させると、常にEL
素子が発光することになり、EL層の劣化を早める原因
となってしまう。本実施例では非発光期間を設けること
ができるので、EL層の劣化をある程度抑えることがで
きる。
In this embodiment, a non-light emitting period in which no display is performed can be provided. In the case of the conventional analog drive, when an all white image is displayed on the self-light-emitting device, the EL
The device emits light, which causes deterioration of the EL layer earlier. In this embodiment, since a non-light emitting period can be provided, deterioration of the EL layer can be suppressed to some extent.

【0166】なお本実施例においては、表示期間と書き
込み期間とが一部重なっている。言い換えると書き込み
期間においても画素を表示させることが可能である。そ
のため、1フレーム期間における表示期間の長さの総和
の割合(デューティー比)が、書き込み期間の長さによ
ってのみ決定されない。
In this embodiment, the display period and the writing period partially overlap. In other words, the pixels can be displayed even in the writing period. Therefore, the ratio (duty ratio) of the total length of the display periods in one frame period is not determined only by the length of the writing period.

【0167】なお本実施例では、電流制御用TFTのゲ
ート電極にかかる電圧を保持するためにコンデンサを設
ける構造としているが、コンデンサを省略することも可
能である。電流制御用TFTが、ゲート絶縁膜を介して
ゲート電極に重なるように設けられたLDD領域を有し
ている場合、この重なり合った領域には一般的にゲート
容量と呼ばれる寄生容量が形成される。このゲート容量
を電流制御用TFTのゲート電極にかかる電圧を保持す
るためのコンデンサとして積極的に用いても良い。
In this embodiment, a capacitor is provided to hold the voltage applied to the gate electrode of the current controlling TFT. However, the capacitor may be omitted. When the current controlling TFT has an LDD region provided so as to overlap the gate electrode via the gate insulating film, a parasitic capacitance generally called a gate capacitance is formed in the overlapping region. This gate capacitance may be positively used as a capacitor for holding a voltage applied to the gate electrode of the current control TFT.

【0168】このゲート容量の容量値は、上記ゲート電
極とLDD領域とが重なり合った面積によって変化する
ため、その重なり合った領域に含まれるLDD領域の長
さによって決まる。
Since the capacitance value of the gate capacitance changes depending on the area where the gate electrode and the LDD region overlap, it is determined by the length of the LDD region included in the overlapping region.

【0169】次に、図12により本実施例における自発
光装置の画素の上面図を示し、これを用いて説明する。
なお、図9と図10と図12は共通の符号を用いるので
互いに参照すれば良い。
Next, FIG. 12 shows a top view of a pixel of the self-luminous device in this embodiment, and the description will be made with reference to FIG.
Note that FIG. 9, FIG. 10, and FIG. 12 use the same reference numerals and may be referred to each other.

【0170】図12において、ソース信号線(S)と、
電流供給線(V)と、書き込み用ゲート信号線(Ga)
と、消去用ゲート信号線(Ge)とをそれぞれ1つずつ
有する領域901が画素である。画素901はスイッチ
ング用TFT1001と、電流制御用TFT1002
と、消去用TFT1004とを有している。
In FIG. 12, a source signal line (S),
Current supply line (V) and write gate signal line (Ga)
And a region 901 having one erase gate signal line (Ge) and one erase gate signal line (Ge) are pixels. The pixel 901 includes a switching TFT 1001 and a current controlling TFT 1002
And an erasing TFT 1004.

【0171】スイッチング用TFT1001は、活性層
1001aと、書き込み用ゲート信号線(Ga)の一部
であるゲート電極1001bとを有している。電流制御
用TFT1002は、活性層1002aと、ゲート配線
1201の一部であるゲート電極1002bとを有して
いる。消去用TFT1004は、活性層1004aと、
書き込み用ゲート信号線(Ge)の一部であるゲート電
極1004bとを有している。
The switching TFT 1001 has an active layer 1001a and a gate electrode 1001b which is a part of a write gate signal line (Ga). The current control TFT 1002 has an active layer 1002a and a gate electrode 1002b which is a part of the gate wiring 1201. The erasing TFT 1004 includes an active layer 1004a,
And a gate electrode 1004b which is a part of the write gate signal line (Ge).

【0172】スイッチング用TFT1001の活性層1
001aが有するソース領域とドレイン領域は、いずれ
か一方はソース信号線に、もう一方は接続配線1202
を介してゲート配線1201に接続されている。なお1
202はソース信号線(S)に入力される信号の電位に
よって、ソース配線と呼んだり、ドレイン配線と呼んだ
りする。
Active layer 1 of switching TFT 1001
One of a source region and a drain region included in 001a is a source signal line, and the other is a connection wiring 1202.
Is connected to the gate wiring 1201 through the gate. 1
Reference numeral 202 denotes a source wiring or a drain wiring depending on the potential of a signal input to the source signal line (S).

【0173】消去用TFT1004の活性層1004a
が有するソース領域とドレイン領域は、いずれか一方は
ソース信号線に、もう一方は接続配線1203を介して
ゲート配線1201に接続されている。なお1202は
電流供給線(V)の電源電位によって、ソース配線と呼
んだり、ドレイン配線と呼んだりする。
The active layer 1004a of the erasing TFT 1004
Are connected to a source signal line and the other is connected to a gate wiring 1201 via a connection wiring 1203. Note that reference numeral 1202 denotes a source wiring or a drain wiring depending on the power supply potential of the current supply line (V).

【0174】電流制御用TFT1002の活性層100
2aが有するソース領域とドレイン領域は、それぞれ電
流供給線(V)とドレイン配線1204に接続されてい
る。ドレイン配線1204は画素電極1205に接続さ
れている。
Active layer 100 of current controlling TFT 1002
The source region and the drain region of 2a are connected to a current supply line (V) and a drain wiring 1204, respectively. The drain wiring 1204 is connected to the pixel electrode 1205.

【0175】容量配線1206は半導体膜で形成されて
いる。コンデンサ1003は、電流供給線(V)と電気
的に接続された容量配線1206、ゲート絶縁膜と同一
層の絶縁膜(図示せず)及びゲート配線1201との間
で形成される。また、ゲート配線1201、第1層間絶
縁膜と同一の層(図示せず)及び電流供給線(V)で形
成される容量もコンデンサとして用いることが可能であ
る。
The capacitance wiring 1206 is formed of a semiconductor film. The capacitor 1003 is formed between the capacitor wiring 1206 electrically connected to the current supply line (V), an insulating film (not shown) in the same layer as the gate insulating film, and the gate wiring 1201. Further, the capacitance formed by the gate wiring 1201, the same layer (not shown) as the first interlayer insulating film, and the current supply line (V) can also be used as a capacitor.

【0176】なお画素電極1205上には有機樹脂膜を
エッチングすることで開口部1207を設けたバンクが
形成されている。そして図示しないが、画素電極120
5上にEL層と対向電極が順に積層される。画素電極1
205とEL層とはバンクの開口部1207において接
しており、EL層は対向電極と画素電極とに接して挟ま
れている部分のみ発光する。
A bank having an opening 1207 is formed on the pixel electrode 1205 by etching the organic resin film. Although not shown, the pixel electrode 120
The EL layer and the counter electrode are sequentially stacked on the layer 5. Pixel electrode 1
205 and the EL layer are in contact with each other at the opening 1207 of the bank, and the EL layer emits light only in a portion sandwiched between the counter electrode and the pixel electrode.

【0177】なお本発明の自発光装置における画素部の
上面図は、図12に示した構成に限定されることはな
い。また、本実施例は実施例1の構成と組み合わせて実
施することが可能である。
Note that the top view of the pixel portion in the self-luminous device of the present invention is not limited to the configuration shown in FIG. This embodiment can be implemented in combination with the configuration of the first embodiment.

【0178】〔実施例3〕次に、本発明の自発光装置を
アナログ方式で駆動させた場合について図13及び図1
4を用いて説明する。
[Embodiment 3] Next, a case where the self-luminous device of the present invention is driven by an analog system will be described with reference to FIGS.
4 will be described.

【0179】図13(A)に本実施例における自発光装
置のブロック図を示す。1301はソース信号線駆動回
路、1302はゲート信号線駆動回路、1303は画素
部を示している。本実施例ではソース信号線駆動回路と
ゲート信号線駆動回路とを1つずつ設けたが、本発明は
この構成に限定されない。ソース信号線駆動回路を2つ
設けても良いし、ゲート信号線駆動回路を2つ設けても
良い。
FIG. 13A is a block diagram of a self-luminous device in this embodiment. Reference numeral 1301 denotes a source signal line driver circuit, 1302 denotes a gate signal line driver circuit, and 1303 denotes a pixel portion. In this embodiment, one source signal line driving circuit and one gate signal line driving circuit are provided, but the present invention is not limited to this configuration. Two source signal line driver circuits may be provided, or two gate signal line driver circuits may be provided.

【0180】ソース信号線駆動回路1301は、シフト
レジスタ1301a、レベルシフタ1301b、サンプ
リング回路1301cを有している。なおレベルシフタ
1301bは必要に応じて用いればよく、必ずしも用い
なくとも良い。また本実施例においてレベルシフタ13
01bはシフトレジスタ1301aとサンプリング回路
1301cとの間に設ける構成としたが、本発明はこの
構成に限定されない。シフトレジスタ1301aの中に
レベルシフタ1301bが組み込まれている構成にして
も良い。
The source signal line driving circuit 1301 has a shift register 1301a, a level shifter 1301b, and a sampling circuit 1301c. Note that the level shifter 1301b may be used as needed, and need not necessarily be used. In this embodiment, the level shifter 13
Although 01b is provided between the shift register 1301a and the sampling circuit 1301c, the present invention is not limited to this configuration. A configuration in which the level shifter 1301b is incorporated in the shift register 1301a may be employed.

【0181】なお、ソース信号線駆動回路1301と電
気的に接続されたソース信号線1304及び電源130
7と電気的に接続された電流供給線は、直接画素部13
03に接続されているのではなく、切り替え回路130
8から画素に電気的に接続された配線は、切り替え回路
1308に入力された切り替え信号によりソース信号線
または電流供給線のいずれかに切り替わり、画素部13
03と電気的に接続されるようになっている。
Note that the source signal line 1304 electrically connected to the source signal line driving circuit 1301 and the power source 130
The current supply line electrically connected to the
03 is not connected to the switching circuit 130
8 is electrically connected to the pixel, the switching signal input to the switching circuit 1308 switches to a source signal line or a current supply line, and the pixel portion 13
03 is electrically connected.

【0182】つまり、切り替え回路1308と画素部1
303を接続する配線は、兼用になっていて、切り替え
回路1308に入力される切り替え信号によりソース信
号線または電流供給線に切り替わる。ただし、本実施例
において、画素上のソース信号線または、電流供給線が
それぞれ隣り合うことはないものとする。
That is, the switching circuit 1308 and the pixel unit 1
The wiring for connecting the switch 303 is also used as a source signal line or a current supply line in accordance with a switching signal input to the switching circuit 1308. However, in this embodiment, it is assumed that a source signal line or a current supply line on a pixel is not adjacent to each other.

【0183】また、上記に示したように一つの配線がソ
ース信号線または、電流供給線に切り替わることから、
スイッチング用TFTに接続された配線が電流供給線に
なった場合には、その部分の画素は機能しない。つまり
ソース信号線または、電流供給線がそれぞれ隣り合うこ
となく交互に切り替わっていることから、機能する画素
も縦方向の画素列ごとに交互に切り替わっている。
Further, since one wiring is switched to a source signal line or a current supply line as described above,
When the wiring connected to the switching TFT becomes a current supply line, the pixel in that portion does not function. That is, since the source signal lines or the current supply lines are alternately switched without being adjacent to each other, the functional pixels are alternately switched for each vertical pixel column.

【0184】画素部1303では、ソース信号線駆動回
路1301に接続されたソース信号線のうち、切り替え
回路1308により選択されたソース信号線1304
(1304_1〜1304_X)、又切り替え回路13
08により選択された電流供給線(図示せず)、ゲート
信号線駆動回路1302に接続されたy本のゲート信号
線1306(1306_1〜1306_Y)とがそれぞ
れ交差している。また電流供給線1305は電源130
7と接続されることで一定の電位(電源電位)に保たれ
ている。
[0184] In the pixel portion 1303, of the source signal lines connected to the source signal line driver circuit 1301, the source signal line 1304 selected by the switching circuit 1308 is used.
(1304_1 to 1304_X), and the switching circuit 13
A current supply line (not shown) selected by 08 intersects with y gate signal lines 1306 (1306_1 to 1306_Y) connected to the gate signal line driver circuit 1302, respectively. The current supply line 1305 is connected to the power supply 130
7 is maintained at a constant potential (power supply potential).

【0185】またゲート信号線駆動回路1302は、シ
フトレジスタ、バッファ(いずれも図示せず)を有して
いる。また、レベルシフタを有していても良い。
The gate signal line driving circuit 1302 has a shift register and a buffer (both not shown). Further, a level shifter may be provided.

【0186】パネル制御信号であるクロック信号(CL
K)、スタートパルス信号(SP)がシフトレジスタ1
301aに入力される。シフトレジスタ1301aから
ビデオ信号をサンプリングするためのサンプリング信号
が出力される。出力されたサンプリング信号はレベルシ
フタ1301bに入力され、その電位の振幅が大きくな
って出力される。
The clock signal (CL) which is a panel control signal
K), the start pulse signal (SP) is supplied to the shift register 1
301a. A sampling signal for sampling a video signal is output from the shift register 1301a. The output sampling signal is input to the level shifter 1301b, and is output with its potential amplitude increased.

【0187】レベルシフタ1301bから出力されたサ
ンプリング信号は、サンプリング回路1301cに入力
される。そして同時に、ビデオ信号線を介してビデオ信
号がサンプリング回路1301cに入力される。
The sampling signal output from level shifter 1301b is input to sampling circuit 1301c. At the same time, a video signal is input to the sampling circuit 1301c via the video signal line.

【0188】サンプリング回路1301cにおいて、入
力されたビデオ信号がサンプリング信号によってサンプ
リングされ、それぞれソース信号線1304に入力され
る。
In the sampling circuit 1301c, the input video signal is sampled by the sampling signal and input to the source signal line 1304, respectively.

【0189】図13(B)に、図13(A)で示した自
発光装置の画素部1303の画素構造を示す。ゲート信
号線駆動回路1302からの選択信号を入力するy本の
ゲート信号線1306(1306_1〜1306_y)
は、各画素が有するスイッチング用TFT1309のゲ
ート電極に接続されている。また各画素が有するスイッ
チング用TFT1309のソース領域とドレイン領域
は、一方がビデオ信号を入力するx本のソース信号線1
304(1304_1〜1304_x)に、もう一方が
各画素が有する電流制御用TFT1310のゲート電極
及び各画素が有するコンデンサ1311にそれぞれ接続
されている。
FIG. 13B shows a pixel structure of the pixel portion 1303 of the self-luminous device shown in FIG. Y gate signal lines 1306 (1306_1 to 1306_y) for inputting a selection signal from the gate signal line driver circuit 1302
Is connected to the gate electrode of the switching TFT 1309 of each pixel. One of the source region and the drain region of the switching TFT 1309 included in each pixel is composed of x source signal lines 1 to which a video signal is input.
304 (1304_1 to 1304_x), the other is connected to the gate electrode of the current control TFT 1310 of each pixel and the capacitor 1311 of each pixel.

【0190】各画素が有する電流制御用TFT1310
のソース領域は電流供給線1305に、ドレイン領域は
EL素子1313の陽極または陰極に接続されている。
また電流供給線1305は、各画素が有するコンデンサ
1311に接続されている。なお本実施例ではコンデン
サ1311を有する構成を示したが、コンデンサ131
1は必ずしも設けなくとも良い。
The current control TFT 1310 of each pixel
The source region is connected to the current supply line 1305, and the drain region is connected to the anode or cathode of the EL element 1313.
The current supply line 1305 is connected to a capacitor 1311 included in each pixel. In this embodiment, the configuration having the capacitor 1311 is shown.
1 does not necessarily have to be provided.

【0191】EL素子1313は陽極と、陰極と、陽極
と陰極との間に設けられたEL層とを有する。EL素子
1313の陽極が電流制御用TFT1310のドレイン
領域と接続している場合、EL素子1313の陽極が画
素電極、陰極が対向電極となる。逆にEL素子1313
の陰極が電流制御用TFT1310のドレイン領域と接
続している場合、EL素子1313の陽極が対向電極、
陰極が画素電極となる。
The EL element 1313 has an anode, a cathode, and an EL layer provided between the anode and the cathode. When the anode of the EL element 1313 is connected to the drain region of the current controlling TFT 1310, the anode of the EL element 1313 is a pixel electrode and the cathode is a counter electrode. Conversely, the EL element 1313
Is connected to the drain region of the current controlling TFT 1310, the anode of the EL element 1313 is a counter electrode,
The cathode serves as a pixel electrode.

【0192】さらに、図13で説明した自発光装置を、
アナログ方式で駆動させた場合のタイミングチャートを
図14に示す。1つのゲート信号線が選択されてから、
その次に別のゲート信号線が選択されるまでの期間を1
ライン期間(L)と呼ぶ。なお本明細書においてゲート
信号線が選択されるとは、スイッチング用TFTがオン
の状態になるような電位を有する選択信号がゲート信号
線に入力されることを意味する。
Further, the self-luminous device described with reference to FIG.
FIG. 14 shows a timing chart in the case of driving by the analog method. After one gate signal line is selected,
Then, the period until another gate signal line is selected is set to 1
This is called a line period (L). Note that in this specification, selection of a gate signal line means that a selection signal having a potential such that the switching TFT is turned on is input to the gate signal line.

【0193】また1つの画像が表示されてから次の画像
が表示されるまでの期間が1フレーム期間(F)に相当
する。例えば、y本のゲート信号線を有する自発光装置
には、1フレーム期間中にy個のライン期間(L1〜L
y)が設けられている。
The period from the display of one image to the display of the next image corresponds to one frame period (F). For example, in a self-luminous device having y gate signal lines, y line periods (L1 to L
y) is provided.

【0194】第1のライン期間(L1)において、ゲー
ト信号線駆動回路1302から入力される選択信号によ
ってゲート信号線1306が選択され、ゲート信号線1
306に接続されている全てのスイッチング用TFT1
309が全てオンの状態になる。そして、ソース信号線
駆動回路1301からx本のソース信号線(1304_
1〜1304_x)に順にビデオ信号が入力される。ソ
ース信号線(1304_1〜1304_x)に入力され
たビデオ信号は、スイッチング用TFT1309を介し
て電流制御用TFT1310のゲート電極に入力され
る。
In the first line period (L1), the gate signal line 1306 is selected by the selection signal input from the gate signal line driving circuit 1302, and the gate signal line 1
All the switching TFTs 1 connected to 306
309 are all turned on. Then, the source signal line driver circuit 1301 supplies x source signal lines (1304_
1 to 1304 — x) are sequentially input with video signals. The video signal input to the source signal lines (1304_1 to 1304_x) is input to the gate electrode of the current control TFT 1310 via the switching TFT 1309.

【0195】電流制御用TFT1310のチャネル形成
領域を流れる電流の量は、電流制御用TFT1310の
ゲート電極とソース領域の電位差であるゲート電圧Vgs
によって制御される。よって、EL素子1313の画素
電極に与えられる電位は、電流制御用TFT1310の
ゲート電極に入力されたビデオ信号の電位の高さによっ
て決まる。したがって、EL素子1313はビデオ信号
の電位に制御されて発光を行う。
The amount of current flowing through the channel forming region of the current control TFT 1310 is determined by the gate voltage V gs, which is the potential difference between the gate electrode and the source region of the current control TFT 1310.
Is controlled by Therefore, the potential applied to the pixel electrode of the EL element 1313 is determined by the height of the potential of the video signal input to the gate electrode of the current control TFT 1310. Therefore, the EL element 1313 emits light under the control of the potential of the video signal.

【0196】上述した動作を繰り返し、ソース信号線1
304(1304_1〜1304_x)へのビデオ信号
の入力が終了すると、第1のライン期間(L1)が終了
する。なお、ソース信号線1304(1304_1〜1
304_x)へのビデオ信号の入力が終了するまでの期
間と水平帰線期間とを合わせて1つのライン期間として
も良い。そして次に第2のライン期間(L2)が開始さ
れ、選択信号によってゲート信号線1306_2が選択
され、第1のライン期間(L1)と同様にソース信号線
1304(1304_1〜1304_x)に順にビデオ
信号が入力される。
By repeating the above operation, the source signal line 1
When the input of the video signal to the 304 (1304_1 to 1304_x) ends, the first line period (L1) ends. Note that the source signal line 1304 (1304_1 to 1304_1)
The period until the input of the video signal to 304_x) is completed and the horizontal retrace period may be combined into one line period. Then, the second line period (L2) is started, the gate signal line 1306_2 is selected by the selection signal, and the video signal is sequentially transmitted to the source signal lines 1304 (1304_1 to 1304_x) similarly to the first line period (L1). Is entered.

【0197】そして全てのゲート信号線(1306_1
〜1306_y)が選択されると、全てのライン期間
(L1〜Ly)が終了する。全てのライン期間(L1〜
Ly)が終了すると、1フレーム期間が終了する。1フ
レーム期間中において全ての画素が表示を行い、1つの
画像が形成される。なお全てのライン期間(L1〜L
y)と垂直帰線期間とを合わせて1フレーム期間として
も良い。
Then, all the gate signal lines (1306_1)
11306 — y), all the line periods (L1 to Ly) end. All line periods (L1 to
When Ly) ends, one frame period ends. All the pixels display during one frame period, and one image is formed. Note that all the line periods (L1 to L
y) and the vertical flyback period may be combined into one frame period.

【0198】以上のように、ビデオ信号の電位によって
EL素子の発光量が制御され、その発光量の制御によっ
て階調表示がなされる。
As described above, the light emission amount of the EL element is controlled by the potential of the video signal, and gradation display is performed by controlling the light emission amount.

【0199】本実施例の構成は、実施例1及び実施例2
の構成と組み合わせて実施することが可能である。
The structure of this embodiment is similar to those of the first and second embodiments.
It is possible to implement in combination with the above configuration.

【0200】〔実施例4〕本発明の自発光装置を実施す
る上で、以下のような電圧電流特性を有する領域で電流
制御用TFTを駆動させるとよい。
[Embodiment 4] In implementing the self-luminous device of the present invention, it is preferable to drive the current controlling TFT in a region having the following voltage-current characteristics.

【0201】まず、デジタル方式で駆動させる場合に
は、電流制御用TFTとEL素子の両素子の動作点(両
素子の電圧電流特性がともに一致する値となる点)が線
形領域に存在するように電流制御用TFTとEL素子を
駆動させることが好ましい。これにより、電流制御用T
FTの特性のずれによるEL素子の輝度ムラを抑えた階
調表示を行うことができる。また、アナログ駆動の場合
には、|VGS|のみによって電流値を制御することが可
能な飽和領域に動作点が存在するように電流制御用TF
TとEL素子を駆動させることが好ましい。
First, in the case of driving by the digital method, the operating points of both the current controlling TFT and the EL element (points at which the voltage-current characteristics of both elements coincide) are present in the linear region. It is preferable to drive the current controlling TFT and the EL element in advance. As a result, the current control T
It is possible to perform gradation display in which luminance unevenness of the EL element due to a shift in FT characteristics is suppressed. In the case of analog driving, the current control TF is controlled so that the operating point exists in a saturation region where the current value can be controlled only by | V GS |.
It is preferable to drive the T and EL elements.

【0202】〔実施例5〕自発光装置は、自発光型であ
るため液晶ディスプレイに比べて明るい場所での視認性
に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電気器具
の表示部に用いることができる。例えば、TV放送等を
大画面で鑑賞するには対角30インチ以上(典型的には
40インチ以上)の発光装置(自発光装置を筐体に組み
込んだ電気光学装置)の表示部として本発明の自発光装
置を用いるとよい。
[Embodiment 5] The self-luminous device is of a self-luminous type, so that it has better visibility in a bright place than a liquid crystal display and has a wide viewing angle. Therefore, it can be used for display portions of various electric appliances. For example, the present invention is applied to a display unit of a light-emitting device (an electro-optical device in which a self-light-emitting device is incorporated in a housing) having a diagonal size of 30 inches or more (typically 40 inches or more) in order to watch a TV broadcast on a large screen. It is good to use the self-light-emitting device.

【0203】なお、自発光装置には、パソコン用ディス
プレイ、TV放送受信用ディスプレイ、広告表示用ディ
スプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれ
る。また、その他にも様々な電気器具の表示部として本
発明の自発光装置を用いることができる。
The self-luminous device includes all information displays such as a display for a personal computer, a display for receiving a TV broadcast, and a display for displaying an advertisement. In addition, the self-luminous device of the present invention can be used as a display portion of various electric appliances.

【0204】その様な本発明の電気器具としては、ビデ
オカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ
(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシス
テム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコン
ポ等)、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機
器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、
携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた
画像再生装置(具体的にはデジタルビデオディスク(D
VD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるデ
ィスプレイを備えた装置)などが挙げられる。特に、斜
め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さ
が重要視されるため、自発光装置を用いることが望まし
い。それら電気器具の具体例を図15、図16に示す。
[0204] Such electric appliances of the present invention include a video camera, a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system, a sound reproducing device (car audio, audio component, etc.), a notebook personal computer, a game. Devices, personal digital assistants (mobile computers, mobile phones,
An image reproducing apparatus provided with a recording medium (specifically, a digital video disc (D
VD) and the like, which reproduces a recording medium and has a display capable of displaying the image. In particular, it is desirable to use a self-luminous device for a portable information terminal, which is often viewed from an oblique direction, because importance is attached to a wide viewing angle. Specific examples of these electric appliances are shown in FIGS.

【0205】図15(A)は自発光装置であり、筐体2
001、支持台2002、表示部2003等を含む。本
発明の自発光装置は表示部2003に用いることができ
る。自発光装置は自発光型であるためバックライトが必
要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部とすること
ができる。
FIG. 15A shows a self-luminous device,
001, a support base 2002, a display unit 2003, and the like. The self-luminous device of the present invention can be used for the display portion 2003. Since the self-luminous device is a self-luminous type, it does not require a backlight and can be a display portion thinner than a liquid crystal display.

【0206】図15(B)はビデオカメラであり、本体
2101、表示部2102、音声入力部2103、操作
スイッチ2104、バッテリー2105、受像部210
6等を含む。本発明の自発光装置は表示部2102に用
いることができる。
FIG. 15B shows a video camera, which includes a main body 2101, a display portion 2102, an audio input portion 2103, operation switches 2104, a battery 2105, and an image receiving portion 210.
6 and so on. The self-luminous device of the present invention can be used for the display portion 2102.

【0207】図15(C)は頭部取り付け型の電気光学
装置の一部(右片側)であり、本体2201、信号ケー
ブル2202、頭部固定バンド2203、スクリーン部
2204、光学系2205、表示部2206等を含む。
本発明の自発光装置は表示部2206に用いることがで
きる。
FIG. 15C shows a part (right side) of a head-mounted electro-optical device, and includes a main body 2201, a signal cable 2202, a head fixing band 2203, a screen section 2204, an optical system 2205, and a display section. 2206 and the like.
The self-luminous device of the present invention can be used for the display portion 2206.

【0208】図15(D)は記録媒体を備えた画像再生
装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体230
1、記録媒体(DVD等)2302、操作スイッチ23
03、表示部(a)2304、表示部(b)2305等
を含む。表示部(a)2304は主として画像情報を表
示し、表示部(b)2305は主として文字情報を表示
するが、本発明の自発光装置はこれら表示部(a)、
(b)2304、2305に用いることができる。な
お、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機
器なども含まれる。
FIG. 15D shows an image reproducing apparatus (specifically, a DVD reproducing apparatus) provided with a recording medium.
1, recording medium (DVD or the like) 2302, operation switch 23
03, a display unit (a) 2304, a display unit (b) 2305, and the like. The display unit (a) 2304 mainly displays image information, and the display unit (b) 2305 mainly displays character information.
(B) It can be used for 2304 and 2305. Note that the image reproducing device provided with the recording medium includes a home game machine and the like.

【0209】図15(E)はゴーグル型ディスプレイ
(ヘッドマウントディスプレイ)であり、本体240
1、表示部2402、アーム部2403を含む。本発明
の自発光装置は表示部2402に用いることができる。
FIG. 15E shows a goggle type display (head-mounted display).
1, a display unit 2402, and an arm unit 2403. The self light emitting device of the present invention can be used for the display portion 2402.

【0210】図15(F)はパーソナルコンピュータで
あり、本体2501、筐体2502、表示部2503、
キーボード2504等を含む。本発明の自発光装置は表
示部2503に用いることができる。
FIG. 15F shows a personal computer, which includes a main body 2501, a housing 2502, a display portion 2503,
A keyboard 2504 and the like are included. The self-luminous device of the present invention can be used for the display portion 2503.

【0211】なお、将来的にEL材料の発光輝度が高く
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。
If the emission luminance of the EL material becomes higher in the future, the light including the output image information can be enlarged and projected by a lens or the like and used for a front-type or rear-type projector.

【0212】また、上記電気器具はインターネットやC
ATV(ケーブルテレビ)などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。EL材料の応答速
度は非常に高いため、自発光装置は動画表示に好まし
い。
[0212] Further, the above-mentioned electric appliances are available on the Internet or C
Information distributed through an electronic communication line such as an ATV (cable television) is frequently displayed, and in particular, opportunities to display moving image information are increasing. Since the response speed of the EL material is extremely high, the self-luminous device is preferable for displaying moving images.

【0213】また、自発光装置は発光している部分が電
力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情
報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、
特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とす
る表示部に自発光装置を用いる場合には、非発光部分を
背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動す
ることが望ましい。
In the self-luminous device, since the light emitting portion consumes power, it is desirable to display information so that the light emitting portion is reduced as much as possible. Therefore, portable information terminals,
In particular, when a self-light-emitting device is used for a display portion mainly including character information such as a mobile phone or a sound reproducing device, it is desirable to drive the non-light-emitting portion as a background so that character information is formed by a light-emitting portion.

【0214】ここで図16(A)は携帯電話であり、本
体2601、音声出力部2602、音声入力部260
3、表示部2604、操作スイッチ2605、アンテナ
2606を含む。本発明の自発光装置は表示部2604
に用いることができる。なお、表示部2604は黒色の
背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力
を抑えることができる。また、周囲が暗い場合印可する
電圧を下げて、輝度を下げれば低電力化により有効であ
る。
FIG. 16A shows a mobile phone, which includes a main body 2601, an audio output unit 2602, and an audio input unit 260.
3, including a display unit 2604, operation switches 2605, and an antenna 2606. The self-luminous device of the present invention has a display portion 2604.
Can be used. Note that the display portion 2604 can display power of the mobile phone by displaying white characters on a black background. If the surroundings are dark, lowering the applied voltage and lowering the luminance are effective in reducing power consumption.

【0215】また、図16(B)は音響再生装置、具体
的にはカーオーディオであり、本体2701、表示部2
702、操作スイッチ2703、2704を含む。本発
明の自発光装置は表示部2702に用いることができ
る。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携
帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表
示部2702は黒色の背景に白色の文字を表示すること
で消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置
において特に有効である。
FIG. 16B shows an audio reproducing apparatus, specifically, a car audio system.
702, and operation switches 2703 and 2704. The self-luminous device of the present invention can be used for the display portion 2702. In this embodiment, the in-vehicle audio is shown, but the present invention may be applied to a portable or home-use audio reproducing apparatus. Note that the display portion 2702 can suppress power consumption by displaying white characters on a black background. This is particularly effective in a portable sound reproducing device.

【0216】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例1〜4に示した
いずれの構成の自発光装置を用いても良い。
As described above, the applicable range of the present invention is extremely wide, and the present invention can be used for electric appliances in various fields. In addition, the electric appliance of this embodiment may use a self-luminous device having any of the configurations shown in the first to fourth embodiments.

【0217】[0219]

【発明の効果】本発明を実施することで、アクティブマ
トリクス型の自発光装置において、画素部のソース信号
線と電流供給線の配線を兼用させることができる。これ
により、画素部の開口率の高めることができる。さらに
そのような自発光装置を表示部に用いることで発光輝度
の高い電気器具を得ることができる。
According to the present invention, in the active matrix type self-luminous device, the source signal line of the pixel portion and the wiring of the current supply line can be shared. Thus, the aperture ratio of the pixel portion can be increased. Further, by using such a self-luminous device for the display portion, an electric appliance with high emission luminance can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の自発光装置の回路構成を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a self-luminous device of the present invention.

【図2】 本発明の自発光装置の切り替え回路を示す
図。
FIG. 2 is a diagram showing a switching circuit of the self-luminous device of the present invention.

【図3】 本発明の自発光装置の切り替え回路を示す
図。
FIG. 3 is a diagram showing a switching circuit of the self-luminous device of the present invention.

【図4】 本発明の自発光装置の画素部の回路図。FIG. 4 is a circuit diagram of a pixel portion of the self-luminous device of the present invention.

【図5】 本発明の自発光装置の画素の回路図。FIG. 5 is a circuit diagram of a pixel of the self-luminous device of the present invention.

【図6】 本発明の自発光装置の駆動方法を示す図。FIG. 6 is a diagram showing a driving method of the self-luminous device of the present invention.

【図7】 本発明の自発光装置の上面図。FIG. 7 is a top view of the self-luminous device of the present invention.

【図8】 本発明の自発光装置の回路構成を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a circuit configuration of a self-luminous device of the present invention.

【図9】 本発明の自発光装置の画素部の回路図。FIG. 9 is a circuit diagram of a pixel portion of the self-luminous device of the present invention.

【図10】 本発明の自発光装置の画素の回路図。FIG. 10 is a circuit diagram of a pixel of the self-luminous device of the present invention.

【図11】 本発明の自発光装置の駆動方法を示す図。FIG. 11 is a diagram showing a method for driving a self-luminous device of the present invention.

【図12】 本発明の自発光装置の上面図。FIG. 12 is a top view of the self-luminous device of the present invention.

【図13】 本発明の自発光装置の回路構成を示す図。FIG. 13 is a diagram showing a circuit configuration of a self-luminous device of the present invention.

【図14】 本発明の自発光装置の駆動方法を示す図。FIG. 14 is a diagram illustrating a driving method of a self-luminous device of the present invention.

【図15】 本発明の自発光装置を用いた電気器具。FIG. 15 shows an electric appliance using the self-luminous device of the present invention.

【図16】 本発明の自発光装置を用いた電気器具。FIG. 16 shows an electric appliance using the self-luminous device of the present invention.

【図17】 従来の自発光装置の画素部の回路図。FIG. 17 is a circuit diagram of a pixel portion of a conventional self-luminous device.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641E 680 680G ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09G 3/20 641 G09G 3/20 641E 680 680G

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の画素と、複数のゲート信号線と、複
数のソース信号線と、複数の電流供給線と複数のTFT
を有する自発光装置において、前記複数のソース信号線
と前記電流供給線は電気的に交互に入れ替わることを特
徴とする自発光装置。
A plurality of pixels, a plurality of gate signal lines, a plurality of source signal lines, a plurality of current supply lines, and a plurality of TFTs.
Wherein the plurality of source signal lines and the current supply lines are electrically alternated alternately.
【請求項2】請求項1において、ソース信号線と電流供
給線は1フレーム期間ごとに電気的に入れ替わることを
特徴とする自発光装置。
2. The self-luminous device according to claim 1, wherein the source signal line and the current supply line are electrically switched every frame period.
【請求項3】請求項2において、前記1フレーム期間は
1/240〜1/120sであることを特徴とする自発
光装置。
3. The self-luminous device according to claim 2, wherein said one frame period is 1/240 to 1/120 s.
【請求項4】請求項1乃至請求項3のいずれか一におい
て、前記複数のソース信号線及び前記電流供給線は切り
替え回路に電気的に接続されていることを特徴とする自
発光装置。
4. The self-luminous device according to claim 1, wherein the plurality of source signal lines and the current supply line are electrically connected to a switching circuit.
【請求項5】請求項4において、前記切り替え回路を制
御する切り替え信号によって、ソース信号線または、電
流供給線が画素部のスイッチング用TFTに電気的に接
続されることを特徴とする自発光装置。
5. The self-luminous device according to claim 4, wherein a source signal line or a current supply line is electrically connected to a switching TFT in a pixel portion by a switching signal for controlling the switching circuit. .
【請求項6】請求項1乃至請求項5のいずれか一におい
て、ソース信号線または、電流供給線が画素部の電流制
御用TFTに電気的に接続されることを特徴とする自発
光装置。
6. The self-luminous device according to claim 1, wherein a source signal line or a current supply line is electrically connected to a current control TFT in a pixel portion.
【請求項7】請求項4乃至請求項6のいずれか一におい
て、前記切り替え回路がトランスミッションゲートを有
することを特徴とする自発光装置。
7. The self-luminous device according to claim 4, wherein said switching circuit has a transmission gate.
【請求項8】複数の画素と、複数のゲート信号線と、複
数のソース信号線と、複数のスイッチング用TFTと複
数の電流制御用TFTを有する自発光装置において、ス
イッチング用TFTのドレイン領域またはソース領域の
いずれか一方は、ソース信号線および隣接した画素の電
流制御用TFTのソース領域に電気的に接続されている
ことを特徴とする自発光装置。
8. A self-luminous device having a plurality of pixels, a plurality of gate signal lines, a plurality of source signal lines, a plurality of switching TFTs and a plurality of current control TFTs, wherein a drain region of the switching TFT or A self-luminous device, wherein one of the source regions is electrically connected to a source signal line and a source region of a current controlling TFT of an adjacent pixel.
【請求項9】複数の画素と、複数のゲート信号線と、複
数のソース信号線と、複数の電流供給線と、複数のスイ
ッチング用TFTと複数の電流制御用TFTを有する自
発光装置において、(x−2)列目の画素におけるスイ
ッチング用TFTのドレイン領域または、ソース領域の
いずれか一方がソース信号線に電気的に接続されている
とき、(x−1)列目の画素におけるスイッチング用T
FTのソース領域または、ドレイン領域のいずれか一方
は(x−2)列目の画素の電流供給線に電気的に接続さ
れていることを特徴とする自発光装置。
9. A self-luminous device having a plurality of pixels, a plurality of gate signal lines, a plurality of source signal lines, a plurality of current supply lines, a plurality of switching TFTs and a plurality of current control TFTs, When either the drain region or the source region of the switching TFT in the pixel in the (x-2) th column is electrically connected to the source signal line, the switching TFT in the pixel in the (x-1) th column is used. T
One of a source region and a drain region of the FT is electrically connected to a current supply line of a pixel in an (x−2) -th column.
【請求項10】請求項1乃至請求項9のいずれか一に記
載の自発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
10. An electric appliance using the self-luminous device according to any one of claims 1 to 9.
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