JP2002043396A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法Info
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- JP2002043396A JP2002043396A JP2000224065A JP2000224065A JP2002043396A JP 2002043396 A JP2002043396 A JP 2002043396A JP 2000224065 A JP2000224065 A JP 2000224065A JP 2000224065 A JP2000224065 A JP 2000224065A JP 2002043396 A JP2002043396 A JP 2002043396A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の処理プロセスにおいて、基板処理終了
後のステージからの剥離時に、ステージ及び基板間に静
電気が発生するのを抑えて、電子部品の破壊を防止し、
基板の製造歩留まりの向上を図る。 【解決手段】 母材１４表面にセラミック材料を溶射し
てなるセラミック多孔質層からなる基板支持面１６を形
成してステージ１２とし、この基板支持面１６に噴霧器
１３により水分を噴霧した後、基板支持面１６に基板１
１を載置して処理プロセスを実施する。処理プロセス終
了後の基板支持面１６からの基板１１剥離時には、基板
支持面１６の湿度により静電気の発生を抑える。
後のステージからの剥離時に、ステージ及び基板間に静
電気が発生するのを抑えて、電子部品の破壊を防止し、
基板の製造歩留まりの向上を図る。 【解決手段】 母材１４表面にセラミック材料を溶射し
てなるセラミック多孔質層からなる基板支持面１６を形
成してステージ１２とし、この基板支持面１６に噴霧器
１３により水分を噴霧した後、基板支持面１６に基板１
１を載置して処理プロセスを実施する。処理プロセス終
了後の基板支持面１６からの基板１１剥離時には、基板
支持面１６の湿度により静電気の発生を抑える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の処理プロセ
スにて、処理プロセス終了後に基板をステージから剥離
する際に生じる静電気の発生を抑える基板処理装置及び
基板処理方法に関する。
スにて、処理プロセス終了後に基板をステージから剥離
する際に生じる静電気の発生を抑える基板処理装置及び
基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板に薄膜トランジスタ等の電子部品等
を加工形成したり、基板上に薄膜層を塗布形成しあるい
はそのパターン処理をする等の処理プロセスを実施する
基板処理装置にあっては、基板をステージに載置し、次
いで電子部品の加工形成等の処理プロセスを行い、処理
プロセス終了後ステージから基板を剥離している。そし
てこのステージから基板を剥離する際に、高い静電気を
発生することから、従来は基板処理装置内に除電機器を
設け、基板をステージから剥離する際に発生する静電気
を、その発生と同時に除電機器により除電していた。
を加工形成したり、基板上に薄膜層を塗布形成しあるい
はそのパターン処理をする等の処理プロセスを実施する
基板処理装置にあっては、基板をステージに載置し、次
いで電子部品の加工形成等の処理プロセスを行い、処理
プロセス終了後ステージから基板を剥離している。そし
てこのステージから基板を剥離する際に、高い静電気を
発生することから、従来は基板処理装置内に除電機器を
設け、基板をステージから剥離する際に発生する静電気
を、その発生と同時に除電機器により除電していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記除電
機器を用いて静電気を除去する従来の基板処理装置にあ
っては、基板をステージから剥離する際に発生する静電
気の発生そのものを抑える効果を有するものでは無いた
め、剥離時の静電気発生による基板の急激な電荷上昇に
より、薄膜トランジスタ等の電子部品が破壊され、基板
不良を生じてしまい基板の製造歩留まりを低下するとい
う問題を生じていた。
機器を用いて静電気を除去する従来の基板処理装置にあ
っては、基板をステージから剥離する際に発生する静電
気の発生そのものを抑える効果を有するものでは無いた
め、剥離時の静電気発生による基板の急激な電荷上昇に
より、薄膜トランジスタ等の電子部品が破壊され、基板
不良を生じてしまい基板の製造歩留まりを低下するとい
う問題を生じていた。
【０００４】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、基板をステージから剥離する際に、剥離による静電
気の発生そのものを抑え、電子部品の破壊を防止して基
板の製造歩留まりの向上を図る基板処理装置及び基板処
理方法を提供することを目的とする。
で、基板をステージから剥離する際に、剥離による静電
気の発生そのものを抑え、電子部品の破壊を防止して基
板の製造歩留まりの向上を図る基板処理装置及び基板処
理方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、静電気発生防止材からなる基板支持面を有
するステージと、前記基板支持面上に載置される基板に
所定の加工工程を実施する加工部と、を設けるものであ
る。
するために、静電気発生防止材からなる基板支持面を有
するステージと、前記基板支持面上に載置される基板に
所定の加工工程を実施する加工部と、を設けるものであ
る。
【０００６】又本発明は上記課題を解決するために、保
湿材からなる基板支持面を有するステージと、前記保湿
材に水分を供給する加湿装置と、この加湿装置により水
分を供給された前記基板支持面上に載置される基板に所
定の加工工程を実施する加工部と、を設けるものであ
る。
湿材からなる基板支持面を有するステージと、前記保湿
材に水分を供給する加湿装置と、この加湿装置により水
分を供給された前記基板支持面上に載置される基板に所
定の加工工程を実施する加工部と、を設けるものであ
る。
【０００７】又本発明は上記課題を解決するために、複
数の支持ピンを配列してなる基板支持面を有するステー
ジと、前記基板支持面上に載置される基板に所定の加工
工程を実施する加工部と、を設けるものである。
数の支持ピンを配列してなる基板支持面を有するステー
ジと、前記基板支持面上に載置される基板に所定の加工
工程を実施する加工部と、を設けるものである。
【０００８】又本発明は上記課題を解決するために、保
湿材からなる基板支持面を有するステージの前記基板支
持面に水分を供給する工程と、水分供給後前記基板支持
面上に基板を載置する工程と、前記基板に所定の加工を
実施する工程と、前記加工終了後前記基板を前記基板支
持面から剥離する工程とを具備するものである。
湿材からなる基板支持面を有するステージの前記基板支
持面に水分を供給する工程と、水分供給後前記基板支持
面上に基板を載置する工程と、前記基板に所定の加工を
実施する工程と、前記加工終了後前記基板を前記基板支
持面から剥離する工程とを具備するものである。
【０００９】又本発明は上記課題を解決するために、ス
テージ表面にセラミックを溶射して水分を含有可能な多
孔質層からなる基板支持面を形成する工程と、前記基板
支持面に水分を供給する工程と、水分供給後前記基板支
持面上に基板を載置する工程と、前記基板に所定の加工
を実施する工程と、前記加工終了後前記基板を前記基板
支持面から剥離する工程とを具備するものである。
テージ表面にセラミックを溶射して水分を含有可能な多
孔質層からなる基板支持面を形成する工程と、前記基板
支持面に水分を供給する工程と、水分供給後前記基板支
持面上に基板を載置する工程と、前記基板に所定の加工
を実施する工程と、前記加工終了後前記基板を前記基板
支持面から剥離する工程とを具備するものである。
【００１０】上記構成により本発明は、基板をステージ
から剥離する際の静電気の発生を効果的に抑え、基板不
良発生を低減して、基板の製造歩留まり向上を図るもの
である。
から剥離する際の静電気の発生を効果的に抑え、基板不
良発生を低減して、基板の製造歩留まり向上を図るもの
である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図１及び図２を参照して説明する。図１に示す基板処
理装置１０は、基板１１上に電子部品を製造する等の所
定の加工工程を実施する際に基板１１を支持するステー
ジ１２及びこのステージ１２に水分１７を噴霧する加湿
装置である噴霧器１３、更には基板１１に薄膜形成装置
やパターン形成装置等の所定の処理を行う加工装置（図
示せず）を有している。ステージ１２は、例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）からなる母材１４表面に、表面抵抗を１
０６〜１０９Ωになるよう調整したセラミック材料を溶
射して、保湿材である気孔率約１〜２０％のセラミック
多孔質層からなる基板支持面１６を形成してなってい
る。セラミック材料の溶射は、加熱され溶けたセラミッ
クを接着剤と共に母材１４に吹き付け積層することによ
りセラミック多孔質層を形成している。
を図１及び図２を参照して説明する。図１に示す基板処
理装置１０は、基板１１上に電子部品を製造する等の所
定の加工工程を実施する際に基板１１を支持するステー
ジ１２及びこのステージ１２に水分１７を噴霧する加湿
装置である噴霧器１３、更には基板１１に薄膜形成装置
やパターン形成装置等の所定の処理を行う加工装置（図
示せず）を有している。ステージ１２は、例えばアルミ
ニウム（Ａｌ）からなる母材１４表面に、表面抵抗を１
０６〜１０９Ωになるよう調整したセラミック材料を溶
射して、保湿材である気孔率約１〜２０％のセラミック
多孔質層からなる基板支持面１６を形成してなってい
る。セラミック材料の溶射は、加熱され溶けたセラミッ
クを接着剤と共に母材１４に吹き付け積層することによ
りセラミック多孔質層を形成している。
【００１２】次に基板１１の処理プロセスについて述べ
る。基板１１処理開始前に噴霧器１３を矢印ｒ方向に走
査して、ステージ１２に水分を噴霧して、基板支持面１
６を加湿する。一般に高い湿度の場所では静電気は発生
しづらいことが知られており、水分の噴霧により湿度を
高められた基板支持面１６は静電気を発生し難い状態と
なる。
る。基板１１処理開始前に噴霧器１３を矢印ｒ方向に走
査して、ステージ１２に水分を噴霧して、基板支持面１
６を加湿する。一般に高い湿度の場所では静電気は発生
しづらいことが知られており、水分の噴霧により湿度を
高められた基板支持面１６は静電気を発生し難い状態と
なる。
【００１３】このように高い湿度を保持する基板支持面
１６に基板１１を載置する。次いでステージ１２上にて
加工装置（図示せず）により基板１１に必要な加工処理
を実施する。この加工処理終了後、基板１１をステージ
１２から剥離するが、この時噴霧された水分が基板支持
面１６の気孔に保持されていて、基板１１とステージ１
２表面の間に高い湿度が保持される。従って、ステージ
１２から基板１１を剥離する時に静電気の発生が抑えら
れる。
１６に基板１１を載置する。次いでステージ１２上にて
加工装置（図示せず）により基板１１に必要な加工処理
を実施する。この加工処理終了後、基板１１をステージ
１２から剥離するが、この時噴霧された水分が基板支持
面１６の気孔に保持されていて、基板１１とステージ１
２表面の間に高い湿度が保持される。従って、ステージ
１２から基板１１を剥離する時に静電気の発生が抑えら
れる。
【００１４】このようなステージ１２を用いて、基板の
加工処理を行ったところ、急激な電荷上昇による電子部
品の破壊を生じる事無く基板不良の発生を低減出来た。
加工処理を行ったところ、急激な電荷上昇による電子部
品の破壊を生じる事無く基板不良の発生を低減出来た。
【００１５】このように構成すれば、基板１１とステー
ジ１２表面間の湿度が高く保持されることから、基板１
１をステージ１２から剥離する際に静電気の発生を抑え
ることが出来、基板１１上の電子部品等の破壊を防止出
来、基板１１の製造歩留まり向上を図れる。
ジ１２表面間の湿度が高く保持されることから、基板１
１をステージ１２から剥離する際に静電気の発生を抑え
ることが出来、基板１１上の電子部品等の破壊を防止出
来、基板１１の製造歩留まり向上を図れる。
【００１６】次に本発明の第２の実施の形態を図３乃至
図５を参照して説明する。本実施の形態は第１の実施の
形態における基板支持面に水分を付与する加湿装置が異
なるものの他は第１の実施の形態と同様であることから
同一部分については同一符号を付しその説明を省略す
る。即ち本実施の形態の基板処理装置２０は、ステージ
１２の気孔率１〜２０％のセラミック多孔質層からなる
基板支持面１６の下部に、加湿装置であり、基板支持面
１６表面に達する湧水口２１を形成した導水管２２を埋
設したものである。更に２３は、基板支持面１６表面の
余分な水分を除去するブレードである。
図５を参照して説明する。本実施の形態は第１の実施の
形態における基板支持面に水分を付与する加湿装置が異
なるものの他は第１の実施の形態と同様であることから
同一部分については同一符号を付しその説明を省略す
る。即ち本実施の形態の基板処理装置２０は、ステージ
１２の気孔率１〜２０％のセラミック多孔質層からなる
基板支持面１６の下部に、加湿装置であり、基板支持面
１６表面に達する湧水口２１を形成した導水管２２を埋
設したものである。更に２３は、基板支持面１６表面の
余分な水分を除去するブレードである。
【００１７】この基板処理装置２０では、基板処理開始
前に先ず、導水管２２により湧水口２１から基板支持面
１６表面側に水を湧水して基板支持面１６を加湿する。
その後基板支持面１６上にてブレード２３を矢印ｓ方向
に摺接して基板支持面１６表面に残った余分な水分を取
り除く。
前に先ず、導水管２２により湧水口２１から基板支持面
１６表面側に水を湧水して基板支持面１６を加湿する。
その後基板支持面１６上にてブレード２３を矢印ｓ方向
に摺接して基板支持面１６表面に残った余分な水分を取
り除く。
【００１８】この後基板１１の処理プロセスを開始す
る。先ず加湿された基板支持面１６に基板１１を載置
し、次いでステージ１２上にて基板１１に必要な処理プ
ロセスを実施する。この処理プロセス終了後、基板１１
をステージ１２から剥離する。この剥離時、基板支持面
１６が湿度を保持することからステージ１２及び基板１
１間の静電気の発生が抑えられ、電子部品の破壊を生じ
る事無く基板処理を完了する。
る。先ず加湿された基板支持面１６に基板１１を載置
し、次いでステージ１２上にて基板１１に必要な処理プ
ロセスを実施する。この処理プロセス終了後、基板１１
をステージ１２から剥離する。この剥離時、基板支持面
１６が湿度を保持することからステージ１２及び基板１
１間の静電気の発生が抑えられ、電子部品の破壊を生じ
る事無く基板処理を完了する。
【００１９】このように構成すれば、第１の実施の形態
と同様、ステージ１２表面の保湿により、基板１１剥離
時におけるステージ１２及び基板１１間の静電気の発生
を抑えることが出来、基板１１上の電子部品等の破壊を
防止出来、基板１１の製造歩留まり向上を図れる。
と同様、ステージ１２表面の保湿により、基板１１剥離
時におけるステージ１２及び基板１１間の静電気の発生
を抑えることが出来、基板１１上の電子部品等の破壊を
防止出来、基板１１の製造歩留まり向上を図れる。
【００２０】次に本発明の第３の実施の形態を図６及び
図７を参照して説明する。本実施の形態は第２の実施の
形態における導水管による湧水の仕方が異なるものであ
り、他は第２の実施の形態と同様であることから同一部
分については同一符号を付しその説明を省略する。本実
施の形態の基板処理装置３０は、ステージ１２の気孔率
１〜２０％のセラミック多孔質層からなる基板支持面１
６の下部に、加湿装置であり、基板支持面１６の裏面側
に開口される湧水口３１を形成した導水管３２を埋設し
たものである。
図７を参照して説明する。本実施の形態は第２の実施の
形態における導水管による湧水の仕方が異なるものであ
り、他は第２の実施の形態と同様であることから同一部
分については同一符号を付しその説明を省略する。本実
施の形態の基板処理装置３０は、ステージ１２の気孔率
１〜２０％のセラミック多孔質層からなる基板支持面１
６の下部に、加湿装置であり、基板支持面１６の裏面側
に開口される湧水口３１を形成した導水管３２を埋設し
たものである。
【００２１】この基板処理装置３０では、導水管３２に
より湧水口３１から基板支持面１６に、その表面が適度
に湿る程度に水分を常に供給している。この様に基板支
持面１６表面が適度に加湿された状態において、基板１
１の処理プロセス開始のため、先ず加湿された基板支持
面１６に基板１１を載置し、ステージ１２上にて基板１
１に必要な処理プロセスを実施する。処理プロセス終了
後、基板１１をステージ１２から剥離するが、この剥離
時、基板支持面１６が湿度を保持することからステージ
１２及び基板１１間の静電気の発生が抑えられ、電子部
品の破壊を生じる事無く基板処理を完了する。
より湧水口３１から基板支持面１６に、その表面が適度
に湿る程度に水分を常に供給している。この様に基板支
持面１６表面が適度に加湿された状態において、基板１
１の処理プロセス開始のため、先ず加湿された基板支持
面１６に基板１１を載置し、ステージ１２上にて基板１
１に必要な処理プロセスを実施する。処理プロセス終了
後、基板１１をステージ１２から剥離するが、この剥離
時、基板支持面１６が湿度を保持することからステージ
１２及び基板１１間の静電気の発生が抑えられ、電子部
品の破壊を生じる事無く基板処理を完了する。
【００２２】このように構成すれば、第２の実施の形態
と同様、ステージ１２表面の保湿により、基板１１剥離
時の静電気の発生を抑えることが出来、基板１１上の電
子部品等の破壊を防止出来、基板１１の製造歩留まり向
上を図れる。
と同様、ステージ１２表面の保湿により、基板１１剥離
時の静電気の発生を抑えることが出来、基板１１上の電
子部品等の破壊を防止出来、基板１１の製造歩留まり向
上を図れる。
【００２３】次に本発明の第４の実施の形態を図８を参
照して説明する。図８に示す基板処理装置４０は、基板
４１上に電子部品を製造する等の所定の加工工程を実施
する際に基板４１を支持するステージ４２及び、基板４
１に薄膜形成装置やパターン形成装置等の所定の処理を
行う加工装置（図示せず）を有している。ステージ４２
は、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる母材４４表面
に、例えばセラミックをサンドブラストで削成加工して
例えば１本／ｍｍの密度で配置される多数のセラミック
ピン４６を有してなる基板支持面４７を取着形成してい
る。
照して説明する。図８に示す基板処理装置４０は、基板
４１上に電子部品を製造する等の所定の加工工程を実施
する際に基板４１を支持するステージ４２及び、基板４
１に薄膜形成装置やパターン形成装置等の所定の処理を
行う加工装置（図示せず）を有している。ステージ４２
は、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる母材４４表面
に、例えばセラミックをサンドブラストで削成加工して
例えば１本／ｍｍの密度で配置される多数のセラミック
ピン４６を有してなる基板支持面４７を取着形成してい
る。
【００２４】この基板処理装置４０では、基板支持面４
７の多数のセラミックピン４６上に基板４１を載置し、
次いでステージ４２上にて基板４１に必要な処理プロセ
スを実施する。この処理プロセス終了後、基板４１をス
テージ４２から剥離する。この剥離時、基板支持面４７
と基板との接触面積が極めて小さいことからステージ４
２及び基板４１間の静電気の発生が抑えられ、電子部品
の破壊を生じる事無く基板処理を完了する。
７の多数のセラミックピン４６上に基板４１を載置し、
次いでステージ４２上にて基板４１に必要な処理プロセ
スを実施する。この処理プロセス終了後、基板４１をス
テージ４２から剥離する。この剥離時、基板支持面４７
と基板との接触面積が極めて小さいことからステージ４
２及び基板４１間の静電気の発生が抑えられ、電子部品
の破壊を生じる事無く基板処理を完了する。
【００２５】このように構成すれば、基板１１とステー
ジ４２表面間の接触部が少ないことから、基板１１のス
テージ４２からの剥離による静電気の発生を低減出来、
基板の急激な電荷上昇を生じる事が無く、基板１１上の
電子部品等の破壊を防止して、基板１１の製造歩留まり
向上を図れる。
ジ４２表面間の接触部が少ないことから、基板１１のス
テージ４２からの剥離による静電気の発生を低減出来、
基板の急激な電荷上昇を生じる事が無く、基板１１上の
電子部品等の破壊を防止して、基板１１の製造歩留まり
向上を図れる。
【００２６】尚本発明は上記実施の形態に限られるもの
で無く、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば静電気発生防止材は、セラミックの溶射によ
り形成するのでは無く、ステージの母材に軽石等を貼り
付けても良い。又保質材の形状も限定されず、セラミッ
クを溶射してセラミック多孔質層を形成した後、セラミ
ック多孔質層をサンドブラストでピン状に削成し、この
ピン状のセラミック多孔質層に水分を供給する等しても
よい。
で無く、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であっ
て、例えば静電気発生防止材は、セラミックの溶射によ
り形成するのでは無く、ステージの母材に軽石等を貼り
付けても良い。又保質材の形状も限定されず、セラミッ
クを溶射してセラミック多孔質層を形成した後、セラミ
ック多孔質層をサンドブラストでピン状に削成し、この
ピン状のセラミック多孔質層に水分を供給する等しても
よい。
【００２７】又第２の実施の形態において、導水管によ
る基板支持面表面への湧水が適量であれば、ブレードに
よる余分な水分の除去操作を行わなくても良い。更に第
３の実施の形態において、導水管による基板支持面側へ
の湧水も常時ではなく、適量をその都度湧水する等任意
である。又基板支持面の母材を空洞の金属で形成し、そ
の上面に湧水口を形成して、母材自体基板支持面に水分
を供給する導水部材としても良い。
る基板支持面表面への湧水が適量であれば、ブレードに
よる余分な水分の除去操作を行わなくても良い。更に第
３の実施の形態において、導水管による基板支持面側へ
の湧水も常時ではなく、適量をその都度湧水する等任意
である。又基板支持面の母材を空洞の金属で形成し、そ
の上面に湧水口を形成して、母材自体基板支持面に水分
を供給する導水部材としても良い。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
テージ表面に静電気発生防止材からなる基板支持面を形
成し、基板剥離時の静電気の発生そのものを抑える事に
より、所定の加工処理終了後に基板を剥離する際の基板
の電荷上昇を防止し、基板上の電子部品等の破壊を生じ
る事無く、基板不良を低減し、基板の製造歩留まりを向
上することが出来る。
テージ表面に静電気発生防止材からなる基板支持面を形
成し、基板剥離時の静電気の発生そのものを抑える事に
より、所定の加工処理終了後に基板を剥離する際の基板
の電荷上昇を防止し、基板上の電子部品等の破壊を生じ
る事無く、基板不良を低減し、基板の製造歩留まりを向
上することが出来る。
【図１】本発明の第１の実施の形態の基板処理装置を示
す概略説明図である。
す概略説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のテーブルに載置す
る基板を示す概略説明図である。
る基板を示す概略説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のテーブルを示す一
部を切り欠いた概略斜視図である。
部を切り欠いた概略斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の図３のＡ−Ａ´線
における概略一部断面図である。
における概略一部断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態のブレードによるテ
ーブル上の余分な水分の除去を示す概略説明図である。
ーブル上の余分な水分の除去を示す概略説明図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態のテーブルを示す一
部を切り欠いた概略斜視図である。
部を切り欠いた概略斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態の図６のＢ−Ｂ´線
における概略一部断面図である。
における概略一部断面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態のテーブルを示す一
部を切り欠いた概略斜視図である。
部を切り欠いた概略斜視図である。
１０…基板処理装置 １１…基板 １２…ステージ １３…噴霧器 １４…母材 １６…基板支持面
Claims (12)
- 【請求項１】 静電気発生防止材からなる基板支持面を
有するステージと、前記基板支持面上に載置される基板
に所定の加工工程を実施する加工部と、を具備すること
を特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 保湿材からなる基板支持面を有するステ
ージと、前記保湿材に水分を供給する加湿装置と、この
加湿装置により水分を供給された前記基板支持面上に載
置される基板に所定の加工工程を実施する加工部と、を
具備することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項３】 前記保湿材が、水分を含有可能な多孔質
層からなる事を特徴とする請求項２に記載の基板処理装
置。 - 【請求項４】 前記保湿材が、セラミックの溶射により
形成される多孔質層からなる事を特徴とする請求項２に
記載の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記保湿材が、複数の支持ピン状に形成
される事を特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記加湿装置が、前記ステージ上方から
水分を供給する噴霧器からなる事を特徴とする請求項２
に記載の基板処理装置。 - 【請求項７】 前記加湿装置が、前記基板支持面下部に
設けられ前記基板支持面側に湧水する導水部材からなる
事を特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 複数の支持ピンを配列してなる基板支持
面を有するステージと、前記基板支持面上に載置される
基板に所定の加工工程を実施する加工部と、を具備する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項９】 保湿材からなる基板支持面を有するステ
ージの前記基板支持面に水分を供給する工程と、水分供
給後前記基板支持面上に基板を載置する工程と、前記基
板に所定の加工を実施する工程と、前記加工終了後前記
基板を前記基板支持面から剥離する工程とを具備するこ
とを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項１０】 ステージ表面にセラミックを溶射して
水分を含有可能な多孔質層からなる基板支持面を形成す
る工程と、前記基板支持面に水分を供給する工程と、水
分供給後前記基板支持面上に基板を載置する工程と、前
記基板に所定の加工を実施する工程と、前記加工終了後
前記基板を前記基板支持面から剥離する工程とを具備す
ることを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項１１】 前記水分を供給する工程が、噴霧器に
より前記ステージ上方から水分を供給することを特徴と
する請求項１０に記載の基板処理方法。 - 【請求項１２】 前記水分を供給する工程が、前記基板
支持面下部に設けられる導水部材により前記基板支持面
側に湧水して水分を供給することを特徴とする請求項１
０に記載の基板処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000224065A JP2002043396A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000224065A JP2002043396A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043396A true JP2002043396A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18718088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000224065A Pending JP2002043396A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002043396A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015149502A (ja) * | 2006-09-29 | 2015-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
| CN110293107A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-10-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 清洁基板玻璃的装置及其方法 |
-
2000
- 2000-07-25 JP JP2000224065A patent/JP2002043396A/ja active Pending
Cited By (6)
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| JP2015149502A (ja) * | 2006-09-29 | 2015-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
| US9397126B2 (en) | 2006-09-29 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| JP2017028293A (ja) * | 2006-09-29 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
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| US10134784B2 (en) | 2006-09-29 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
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