JP2002043283A - タングステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法 - Google Patents
タングステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法Info
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- JP2002043283A JP2002043283A JP2000210306A JP2000210306A JP2002043283A JP 2002043283 A JP2002043283 A JP 2002043283A JP 2000210306 A JP2000210306 A JP 2000210306A JP 2000210306 A JP2000210306 A JP 2000210306A JP 2002043283 A JP2002043283 A JP 2002043283A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングによるゲートオキサイドの破損を
防止する。 【解決手段】 ＮＦ３またはＳＦ６ベースのエッチング
ガスに、ＣＦ系ガスを添加したエッチングガスを使用し
てタングステンのエッチングを行う。
防止する。 【解決手段】 ＮＦ３またはＳＦ６ベースのエッチング
ガスに、ＣＦ系ガスを添加したエッチングガスを使用し
てタングステンのエッチングを行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハの
ドライエッチング方法に関し、さらに詳細には、タング
ステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法に関する
ものである。
ドライエッチング方法に関し、さらに詳細には、タング
ステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路は、夥しい数のトランジスタ、
キャパシタおよび抵抗を単一のチップ状に含めることが
できる複雑な装置として開発され、近年では、さらに高
い回路の動作速度および集積密度が要求されている。こ
れらの要求を満たす回路構成材料としては、抵抗が小さ
いタングステンが一般に使用されている。
キャパシタおよび抵抗を単一のチップ状に含めることが
できる複雑な装置として開発され、近年では、さらに高
い回路の動作速度および集積密度が要求されている。こ
れらの要求を満たす回路構成材料としては、抵抗が小さ
いタングステンが一般に使用されている。
【０００３】このタングステンは、一般に、ゲートオキ
サイドを被覆するポリシリコン層の上に、バリア層を介
して物理蒸着（ＰＶＤ）または化学蒸着（ＣＶＤ）によ
り堆積され、集積密度を高めるために、非常に薄く形成
される。そして、このタングステン層の上にマスク材料
を堆積して回路パターンを露光した後に、露光された部
分のタングステン、バリア層およびポリシリコンを、エ
ッチングを行って除去することによりゲートを形成する
こととしている。
サイドを被覆するポリシリコン層の上に、バリア層を介
して物理蒸着（ＰＶＤ）または化学蒸着（ＣＶＤ）によ
り堆積され、集積密度を高めるために、非常に薄く形成
される。そして、このタングステン層の上にマスク材料
を堆積して回路パターンを露光した後に、露光された部
分のタングステン、バリア層およびポリシリコンを、エ
ッチングを行って除去することによりゲートを形成する
こととしている。
【０００４】タングステン／ポリシリコンゲートのエッ
チングを行うためのエッチングガスとしては、ＳＦ６，
ＮＦ３，ＣＦ４等が知られており、一般には、その経済
性等の理由からＳＦ６が使用されている。しかしなが
ら、ＳＦ６は、ポリシリコンに対するエッチング速度が
タングステンに対するエッチング速度より速いため、タ
ングステン／ポリシリコンの選択比が低くなり、エッチ
ングを適正に制御することが困難であるという不都合が
ある。一方、ＣＦ４を用いた場合には、エッチングが緩
やかに行われるため、正確な形状を得ることができない
という不都合がある。
チングを行うためのエッチングガスとしては、ＳＦ６，
ＮＦ３，ＣＦ４等が知られており、一般には、その経済
性等の理由からＳＦ６が使用されている。しかしなが
ら、ＳＦ６は、ポリシリコンに対するエッチング速度が
タングステンに対するエッチング速度より速いため、タ
ングステン／ポリシリコンの選択比が低くなり、エッチ
ングを適正に制御することが困難であるという不都合が
ある。一方、ＣＦ４を用いた場合には、エッチングが緩
やかに行われるため、正確な形状を得ることができない
という不都合がある。
【０００５】そこで、適度のエッチング速度を有し、か
つ、タングステン／ポリシリコンの選択比を高めつつ、
所望の形状を達成することができるＮＦ３／Ｃｌ２ を
エッチングガスとして使用することが好ましいと考えら
れている。ＮＦ３／Ｃｌ２をエッチングガスとして使用
する場合には、タングステンの表面をある程度平坦にエ
ッチングすることができ、ほぼマスクのパターン通りの
断面形状を達成することができるという利点がある。
つ、タングステン／ポリシリコンの選択比を高めつつ、
所望の形状を達成することができるＮＦ３／Ｃｌ２ を
エッチングガスとして使用することが好ましいと考えら
れている。ＮＦ３／Ｃｌ２をエッチングガスとして使用
する場合には、タングステンの表面をある程度平坦にエ
ッチングすることができ、ほぼマスクのパターン通りの
断面形状を達成することができるという利点がある。
【０００６】例として、エッチングガスＮＦ３／Ｃｌ２
によりエッチングされたタングステンの拡大写真を図２
に示す。このエッチングガスＮＦ３／Ｃｌ２によれば、
タングステン／ポリシリコンゲートの断面形状が正確に
矩形状に形成されていることがわかる。図２の例では、
ＮＦ３：Ｃｌ２＝５：５の混合比率のエッチングガスを
使用している。また、この場合のタングステン／ポリシ
リコンの選択比は０．４８であった。
によりエッチングされたタングステンの拡大写真を図２
に示す。このエッチングガスＮＦ３／Ｃｌ２によれば、
タングステン／ポリシリコンゲートの断面形状が正確に
矩形状に形成されていることがわかる。図２の例では、
ＮＦ３：Ｃｌ２＝５：５の混合比率のエッチングガスを
使用している。また、この場合のタングステン／ポリシ
リコンの選択比は０．４８であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、タング
ステンの表面におけるエッチング速度は一定ではなく、
タングステンの粒界におけるエッチング速度は、それ以
外の部分におけるエッチング速度よりも速い。このため
に、エッチング中のタングステンの表面では、図２に示
されるように、タングステンの粒界におけるエッチング
が先に進行し、該表面を平滑にエッチングすることが困
難である。
ステンの表面におけるエッチング速度は一定ではなく、
タングステンの粒界におけるエッチング速度は、それ以
外の部分におけるエッチング速度よりも速い。このため
に、エッチング中のタングステンの表面では、図２に示
されるように、タングステンの粒界におけるエッチング
が先に進行し、該表面を平滑にエッチングすることが困
難である。
【０００８】タングステンの表面が平滑にエッチングさ
れない場合には、その凹凸のある表面状態が、その後に
エッチングされることになるポリシリコンの表面にも転
写されてしまい、ひいては、ゲートオキサイドを破損す
ることにもなるという不都合が生ずる。
れない場合には、その凹凸のある表面状態が、その後に
エッチングされることになるポリシリコンの表面にも転
写されてしまい、ひいては、ゲートオキサイドを破損す
ることにもなるという不都合が生ずる。
【０００９】また、タングステン／ポリシリコンの選択
比が０．４８では、ポリシリコンのエッチングがタング
ステンの２倍以上の速さで進行するため、ポリシリコン
を検出する終点検出直後にエッチングガスの供給を停止
しても、ポリシリコンのエッチングは急速にに進行し続
けることになる。このため、タングステンの表面に凹凸
があり、部分的に速くエッチングが進行する場合には、
エッチングガスが部分的にゲートオキサイドにまで達
し、該ゲートオキサイドを破損する可能性が高い。
比が０．４８では、ポリシリコンのエッチングがタング
ステンの２倍以上の速さで進行するため、ポリシリコン
を検出する終点検出直後にエッチングガスの供給を停止
しても、ポリシリコンのエッチングは急速にに進行し続
けることになる。このため、タングステンの表面に凹凸
があり、部分的に速くエッチングが進行する場合には、
エッチングガスが部分的にゲートオキサイドにまで達
し、該ゲートオキサイドを破損する可能性が高い。
【００１０】特に、上述したように、集積密度の向上が
要求されている今日においては、タングステン層のみな
らずポリシリコン層の膜厚も、さらに薄くなる傾向にあ
り、このために、上記不都合はさらに顕著になることが
考えられる。
要求されている今日においては、タングステン層のみな
らずポリシリコン層の膜厚も、さらに薄くなる傾向にあ
り、このために、上記不都合はさらに顕著になることが
考えられる。
【００１１】この発明は、上述した事情に鑑みてなされ
たものであって、ゲートオキサイドに損傷を与える可能
性を低減したタングステン／ポリシリコンゲートのエッ
チング方法を提供することを目的としている。
たものであって、ゲートオキサイドに損傷を与える可能
性を低減したタングステン／ポリシリコンゲートのエッ
チング方法を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、ＮＦ３またはＳＦ６ベースのエッチン
グガスに、ＣＦ系ガスを添加したエッチングガスを使用
してタングステンのエッチングを行うタングステン／ポ
リシリコンゲートのエッチング方法を提案している。上
記エッチング方法においては、前記ＣＦ系ガスが、ＣＦ
４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＣＨＦ
３，ＣＨ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆまたはこれらの組合せからな
る一群から選択されることとしてもよい。
に、この発明は、ＮＦ３またはＳＦ６ベースのエッチン
グガスに、ＣＦ系ガスを添加したエッチングガスを使用
してタングステンのエッチングを行うタングステン／ポ
リシリコンゲートのエッチング方法を提案している。上
記エッチング方法においては、前記ＣＦ系ガスが、ＣＦ
４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＣＨＦ
３，ＣＨ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆまたはこれらの組合せからな
る一群から選択されることとしてもよい。
【００１３】
【作用】本発明に係るタングステン／ポリシリコンゲー
トのエッチング方法によれば、ＮＦ３またはＳＦ６をベ
ースエッチングガスとしているので、エッチング速度は
比較的速く、所望の断面形状を達成することが可能であ
る。また、ＣＦ系ガスを添加することにより、ＣＦ系ガ
スの特性、すなわち、緩やかなエッチング性能を加える
ことが可能となる。これはＣＦ系ガスの炭素原子がタン
グステン表面に付着して、エッチングされ易い粒界を保
護するためであると考えられる。
トのエッチング方法によれば、ＮＦ３またはＳＦ６をベ
ースエッチングガスとしているので、エッチング速度は
比較的速く、所望の断面形状を達成することが可能であ
る。また、ＣＦ系ガスを添加することにより、ＣＦ系ガ
スの特性、すなわち、緩やかなエッチング性能を加える
ことが可能となる。これはＣＦ系ガスの炭素原子がタン
グステン表面に付着して、エッチングされ易い粒界を保
護するためであると考えられる。
【００１４】これにより、タングステン表面において
は、粒界のみが先行してエッチングされることが防止さ
れ、平滑な表面状態を達成することが可能となる。ＣＦ
系ガスとしては、任意のものが考えられるが、ＣＦ４，
Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＣＨＦ３，
ＣＨ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆまたはこれらの組合せからなる一
群から選択することにより上記作用を達成することがで
きる。
は、粒界のみが先行してエッチングされることが防止さ
れ、平滑な表面状態を達成することが可能となる。ＣＦ
系ガスとしては、任意のものが考えられるが、ＣＦ４，
Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＣＨＦ３，
ＣＨ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆまたはこれらの組合せからなる一
群から選択することにより上記作用を達成することがで
きる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るタングステン
／ポリシリコンゲートのエッチング方法の一実施形態に
ついて、図面を参照して説明する。本実施形態に係るエ
ッチング方法は、従来使用されてきたエッチングガスＮ
Ｆ ３／Ｃｌ２をベースエッチングガスとし、これに、Ｃ
Ｆ系ガスを添加してエッチングを行うものである。
／ポリシリコンゲートのエッチング方法の一実施形態に
ついて、図面を参照して説明する。本実施形態に係るエ
ッチング方法は、従来使用されてきたエッチングガスＮ
Ｆ ３／Ｃｌ２をベースエッチングガスとし、これに、Ｃ
Ｆ系ガスを添加してエッチングを行うものである。
【００１６】ここで、ＣＦ系ガスとは、炭素およびフッ
素原子を含むガスであって、例えば、ＣＦ４，Ｃ
２Ｆ６，Ｃ３Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＣＨＦ３，Ｃ
Ｈ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆまたはこれらの組合せが考えられ
る。本発明のＣＦ系ガスは、これらのガスに限定される
ものではなく、炭素およびフッ素原子を含む任意の構成
のガスをも意味するものである。本実施形態では、ＣＦ
系ガスとして、例えば、ＣＦ４を使用している。混合比
率は、例えば、ＮＦ３：Ｃｌ２：ＣＦ４＝５：５：３で
ある。
素原子を含むガスであって、例えば、ＣＦ４，Ｃ
２Ｆ６，Ｃ３Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＣＨＦ３，Ｃ
Ｈ２Ｆ２，ＣＨ３Ｆまたはこれらの組合せが考えられ
る。本発明のＣＦ系ガスは、これらのガスに限定される
ものではなく、炭素およびフッ素原子を含む任意の構成
のガスをも意味するものである。本実施形態では、ＣＦ
系ガスとして、例えば、ＣＦ４を使用している。混合比
率は、例えば、ＮＦ３：Ｃｌ２：ＣＦ４＝５：５：３で
ある。
【００１７】このようにして構成したエッチングガスを
用いてエッチングした結果を図１に示す。この図によれ
ば、本実施形態のエッチング方法により、正確な矩形状
の断面形状を達成することができるとともに、タングス
テン表面の状態は、図２に示された従来のエッチング方
法による場合よりもきわめて平滑となっていることが示
されている。
用いてエッチングした結果を図１に示す。この図によれ
ば、本実施形態のエッチング方法により、正確な矩形状
の断面形状を達成することができるとともに、タングス
テン表面の状態は、図２に示された従来のエッチング方
法による場合よりもきわめて平滑となっていることが示
されている。
【００１８】また、本実施形態に係るエッチング方法に
よれば、タングステン／ポリシリコンの選択比は０．６
０であった。すなわち、図２に示した従来のエッチング
方法による選択比０．４８と比較して大幅に向上されて
いることがわかる。
よれば、タングステン／ポリシリコンの選択比は０．６
０であった。すなわち、図２に示した従来のエッチング
方法による選択比０．４８と比較して大幅に向上されて
いることがわかる。
【００１９】このように、本実施形態に係るエッチング
方法によれば、ＮＦ３／Ｃｌ２からなるベースエッチン
グガスにＣＦ４を添加することにより、ＮＦ３／Ｃｌ２
本来のエッチング特性である、正確な断面形状を達成で
きるという特性に加えて、ＣＦ４によるエッチング表面
の保護を図り、全体として、正確な断面形状を達成しな
がら、平坦なタングステン表面を得ることができる。
方法によれば、ＮＦ３／Ｃｌ２からなるベースエッチン
グガスにＣＦ４を添加することにより、ＮＦ３／Ｃｌ２
本来のエッチング特性である、正確な断面形状を達成で
きるという特性に加えて、ＣＦ４によるエッチング表面
の保護を図り、全体として、正確な断面形状を達成しな
がら、平坦なタングステン表面を得ることができる。
【００２０】また、ＣＦ４の添加により、タングステン
／ポリシリコンの選択比を高めることができるので、ポ
リシリコンの検出による終点検出後のポリシリコンのエ
ッチング速度を抑え、エッチングを適正に制御すること
が容易になる。
／ポリシリコンの選択比を高めることができるので、ポ
リシリコンの検出による終点検出後のポリシリコンのエ
ッチング速度を抑え、エッチングを適正に制御すること
が容易になる。
【００２１】したがって、タングステンの表面の平滑な
エッチングと、タングステン／ポリシリコンの選択比の
向上とにより、タングステン／ポリシリコンゲートのエ
ッチングにおけるゲートオキサイドの健全性を維持する
ことができるという効果がある。
エッチングと、タングステン／ポリシリコンの選択比の
向上とにより、タングステン／ポリシリコンゲートのエ
ッチングにおけるゲートオキサイドの健全性を維持する
ことができるという効果がある。
【００２２】なお、本実施形態においては、ＮＦ３／Ｃ
ｌ２をベースエッチングガスとして使用したが、これに
代えて、ＳＦ６をベースエッチングガスとして使用する
ことにしてもよい。この場合には、ＮＦ３／Ｃｌ２をベ
ースエッチングガスとする場合よりもＣＦ４の混合比率
を高める必要がある。
ｌ２をベースエッチングガスとして使用したが、これに
代えて、ＳＦ６をベースエッチングガスとして使用する
ことにしてもよい。この場合には、ＮＦ３／Ｃｌ２をベ
ースエッチングガスとする場合よりもＣＦ４の混合比率
を高める必要がある。
【００２３】また、ＣＦ系ガスとしてＣＦ４を使用した
が、これに代えて、上述した他のＣＦ系ガスを使用して
もよい。なお、ＣＦ系ガスの組成は、きわめて柔軟な組
合せが可能であるので、上記において示したもの以外の
ものを使用することもこの発明の範囲に含まれるもので
ある。
が、これに代えて、上述した他のＣＦ系ガスを使用して
もよい。なお、ＣＦ系ガスの組成は、きわめて柔軟な組
合せが可能であるので、上記において示したもの以外の
ものを使用することもこの発明の範囲に含まれるもので
ある。
【００２４】さらに、本実施形態では、ＮＦ３とＣｌ２
とＣＦ４の混合比率を５：５：３としたが、これに限定
されるものではなく、任意の混合比率を採用することが
可能である。すなわち、炭素原子によるタングステン表
面の保護作用が生じる限り、ＣＦ系ガスの混合比率はき
わめて微細なものでも可能であると考えられる。
とＣＦ４の混合比率を５：５：３としたが、これに限定
されるものではなく、任意の混合比率を採用することが
可能である。すなわち、炭素原子によるタングステン表
面の保護作用が生じる限り、ＣＦ系ガスの混合比率はき
わめて微細なものでも可能であると考えられる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るタン
グステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法によれ
ば、ＣＦ系ガスを添加することにより、所望の正確な断
面形状を達成しながら、タングステン表面を平滑な状態
にエッチングすることができるという効果を奏する。ま
た、ＣＦ系ガスの添加により、タングステン／ポリシリ
コンの選択比が向上され、エッチングの制御性を向上す
ることができる。
グステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法によれ
ば、ＣＦ系ガスを添加することにより、所望の正確な断
面形状を達成しながら、タングステン表面を平滑な状態
にエッチングすることができるという効果を奏する。ま
た、ＣＦ系ガスの添加により、タングステン／ポリシリ
コンの選択比が向上され、エッチングの制御性を向上す
ることができる。
【００２６】したがって、本発明のエッチング方法によ
れば、これらの効果が相乗的に作用し、エッチングによ
りゲートオキサイドが破損することを確実に防止するこ
とができ、タングステンおよびポリシリコンの膜厚をさ
らに低減して、集積密度の向上を図ることができるとい
う効果を奏する。
れば、これらの効果が相乗的に作用し、エッチングによ
りゲートオキサイドが破損することを確実に防止するこ
とができ、タングステンおよびポリシリコンの膜厚をさ
らに低減して、集積密度の向上を図ることができるとい
う効果を奏する。
【図１】 本発明の一実施形態に係るエッチング法によ
るタングステン／ポリシリコンゲートの断面の顕微鏡写
真を示す図である。
るタングステン／ポリシリコンゲートの断面の顕微鏡写
真を示す図である。
【図２】 従来のエッチング法によるタングステン／ポ
リシリコンゲートの断面の顕微鏡写真を示す図である。
リシリコンゲートの断面の顕微鏡写真を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 釘宮 克尚 千葉県成田市新泉14−３ 野毛平工業団地 内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K057 DA12 DB08 DD01 DD08 DE06 DE07 DE08 DE09 DG12 DN01 4M104 BB01 CC05 DD67 FF13 GG09 GG10 GG14 HH14 5F004 AA05 CB01 DA01 DA02 DA15 DA16 DA17 DA18 DA30 DB10 EB02
Claims (2)
- 【請求項１】 ＮＦ３またはＳＦ６ベースのエッチング
ガスに、ＣＦ系ガスを添加したエッチングガスを使用し
てタングステンのエッチングを行うことを特徴とするタ
ングステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法。 - 【請求項２】 前記ＣＦ系ガスが、ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，
Ｃ３Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＣＨＦ３，ＣＨ
２Ｆ２，ＣＨ３Ｆまたはこれらの組合せからなる一群か
ら選択されることを特徴とする請求項１記載のエッチン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000210306A JP4702983B2 (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | タングステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000210306A JP4702983B2 (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | タングステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043283A true JP2002043283A (ja) | 2002-02-08 |
| JP4702983B2 JP4702983B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=18706590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000210306A Expired - Fee Related JP4702983B2 (ja) | 2000-07-11 | 2000-07-11 | タングステン／ポリシリコンゲートのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4702983B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266466A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、コンピュータ記憶媒体及び処理レシピが記憶された記憶媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496223A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06188224A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Nippon Motorola Ltd | エッチングガス |
-
2000
- 2000-07-11 JP JP2000210306A patent/JP4702983B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0496223A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-27 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06188224A (ja) * | 1992-12-16 | 1994-07-08 | Nippon Motorola Ltd | エッチングガス |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266466A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、コンピュータ記憶媒体及び処理レシピが記憶された記憶媒体 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4702983B2 (ja) | 2011-06-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100603 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A601 | Written request for extension of time |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101210 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110104 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |