JP2002043269A - レーザクリーニング処理の終了判定装置及び方法 - Google Patents
レーザクリーニング処理の終了判定装置及び方法Info
- Publication number
- JP2002043269A JP2002043269A JP2000230603A JP2000230603A JP2002043269A JP 2002043269 A JP2002043269 A JP 2002043269A JP 2000230603 A JP2000230603 A JP 2000230603A JP 2000230603 A JP2000230603 A JP 2000230603A JP 2002043269 A JP2002043269 A JP 2002043269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- laser
- cleaning
- laser cleaning
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、真空雰囲気下においてもレーザク
リーニングの終了を判定することのできるレーザクリー
ニングの終了判定装置及び方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 本発明によるレーザクリーニングの終了
判定装置は、チャンバ(2)内の基板(3)の表面(3A)近傍に
設置され、基板(3)へのレーザビーム(5A)の照射により
基板(3)の表面(3A)から離脱すると共に帯電され電荷を
持った帯電パーティクル(24)を介してチャンバ(2)との
間に発生した電位差を検出する電圧検出手段(20)と、電
圧検出手段(20)による検出信号が零になったときにレー
ザビーム(5A)による基板(3)の洗浄が終了したと判定す
る終了判定手段(23)とを備える構成である。
リーニングの終了を判定することのできるレーザクリー
ニングの終了判定装置及び方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 本発明によるレーザクリーニングの終了
判定装置は、チャンバ(2)内の基板(3)の表面(3A)近傍に
設置され、基板(3)へのレーザビーム(5A)の照射により
基板(3)の表面(3A)から離脱すると共に帯電され電荷を
持った帯電パーティクル(24)を介してチャンバ(2)との
間に発生した電位差を検出する電圧検出手段(20)と、電
圧検出手段(20)による検出信号が零になったときにレー
ザビーム(5A)による基板(3)の洗浄が終了したと判定す
る終了判定手段(23)とを備える構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程又
は液晶パネル製造工程等に用いられるレーザクリーニン
グ処理の終了判定装置及び方法に関し、特に、チャンバ
内が真空雰囲気下である場合においても確実に洗浄の終
了を判定できるようにするための新規な改良に関する。
は液晶パネル製造工程等に用いられるレーザクリーニン
グ処理の終了判定装置及び方法に関し、特に、チャンバ
内が真空雰囲気下である場合においても確実に洗浄の終
了を判定できるようにするための新規な改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、用いられていたこの種の装置とし
ては図３で示される、例えばマイクロホンを用いたレー
ザクリーニングの終了判定装置の構成を挙げることがで
きる。すなわち、図３において、符号１で示されるもの
はマイクロホンであり、このマイクロホン１は、半導体
製造装置のレーザクリーニングのチャンバ２内に配設さ
れている。
ては図３で示される、例えばマイクロホンを用いたレー
ザクリーニングの終了判定装置の構成を挙げることがで
きる。すなわち、図３において、符号１で示されるもの
はマイクロホンであり、このマイクロホン１は、半導体
製造装置のレーザクリーニングのチャンバ２内に配設さ
れている。
【０００３】前記チャンバ２では、洗浄対象物である基
板３がステージ４の上に設置されており、この基板３に
は、例えばＫｒＦエキシマレーザ発振器で構成されるパ
ルスレーザ発振器５から発振されたパルスレーザ５Ａが
光学系６及びミラー７を介して照射されるように構成さ
れている。
板３がステージ４の上に設置されており、この基板３に
は、例えばＫｒＦエキシマレーザ発振器で構成されるパ
ルスレーザ発振器５から発振されたパルスレーザ５Ａが
光学系６及びミラー７を介して照射されるように構成さ
れている。
【０００４】前記マイクロホン１にはプリアンプ８及び
ＦＥＴ９を介して終了判定装置１０が接続されており、
パルスレーザ５Ａの照射による基板３の表面のクリーニ
ングにあたり、パルスレーザ５Ａを基板表面３Ａに照射
することによって基板表面３Ａから発生される音波を検
出し、この音波の検出信号に基づいて基板表面３Ａの状
態を検出し、これによりレーザクリーニングの終了時を
判定していた。このような装置は、特開平７−３１１１
８１号公報により周知であった。
ＦＥＴ９を介して終了判定装置１０が接続されており、
パルスレーザ５Ａの照射による基板３の表面のクリーニ
ングにあたり、パルスレーザ５Ａを基板表面３Ａに照射
することによって基板表面３Ａから発生される音波を検
出し、この音波の検出信号に基づいて基板表面３Ａの状
態を検出し、これによりレーザクリーニングの終了時を
判定していた。このような装置は、特開平７−３１１１
８１号公報により周知であった。
【０００５】即ち、具体的には、基板表面３Ａのクリー
ニングを行うために基板３上の所定の領域にパルスレー
ザ５Ａを照射すると同時に、パルスレーザ５Ａと基板表
面３Ａとの相互作用によって発生した音波をマイクロホ
ン１を用いて検出し、検出した音波の振幅や周波数スペ
クトルなどに基づき、基板表面３Ａのクリーニング状態
を検出する。
ニングを行うために基板３上の所定の領域にパルスレー
ザ５Ａを照射すると同時に、パルスレーザ５Ａと基板表
面３Ａとの相互作用によって発生した音波をマイクロホ
ン１を用いて検出し、検出した音波の振幅や周波数スペ
クトルなどに基づき、基板表面３Ａのクリーニング状態
を検出する。
【０００６】図３において、パルスレーザ発振器５から
出射されたパルスレーザ５Ａを光学系６によりクリーニ
ングに適したビーム形状に整形した後に、ミラー７によ
り垂直または任意の角度でパーティクル１１が付着した
基板３に照射する。基板３にパルスレーザ５Ａを照射し
た際にパーティクルの脱離量に応じて基板表面３Ａから
音波が発生する。この音波をマイクロホン１で集音し、
プリアンプ８で信号を増幅する。周波数分析装置として
機能するＦＦＴ６にて特定の周波数スペクトルを選択し
た後に、終了判定装置１０にて信号強度をリアルタイム
に観察することにより、基板表面３Ａのクリーニング状
態を検出する。
出射されたパルスレーザ５Ａを光学系６によりクリーニ
ングに適したビーム形状に整形した後に、ミラー７によ
り垂直または任意の角度でパーティクル１１が付着した
基板３に照射する。基板３にパルスレーザ５Ａを照射し
た際にパーティクルの脱離量に応じて基板表面３Ａから
音波が発生する。この音波をマイクロホン１で集音し、
プリアンプ８で信号を増幅する。周波数分析装置として
機能するＦＦＴ６にて特定の周波数スペクトルを選択し
た後に、終了判定装置１０にて信号強度をリアルタイム
に観察することにより、基板表面３Ａのクリーニング状
態を検出する。
【０００７】図４に示すようなクリーニング時における
音波の信号強度はレーザ照射パルス毎に変化するが、パ
ーティクルが完全に除去されると、パーティクルが付着
されていない状態の信号強度（ほぼ零）に収束するた
め、このように信号強度が収束した時点をレーザクリー
ニングの終了と判定していた。なお、ステージ４は基板
３の全域または任意の領域をクリーニングできるよう
に、基板３に対するパルスレーザ５Ａの照射位置をＸＹ
方向に移動可能または照射方向を回転可能に構成されて
いる。
音波の信号強度はレーザ照射パルス毎に変化するが、パ
ーティクルが完全に除去されると、パーティクルが付着
されていない状態の信号強度（ほぼ零）に収束するた
め、このように信号強度が収束した時点をレーザクリー
ニングの終了と判定していた。なお、ステージ４は基板
３の全域または任意の領域をクリーニングできるよう
に、基板３に対するパルスレーザ５Ａの照射位置をＸＹ
方向に移動可能または照射方向を回転可能に構成されて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置は以上のよ
うに構成されていたため、次のような課題が存在してい
た。すなわち、半導体製造や液晶基板製造工程では、多
くの製造装置が微細加工に有利である真空中での加工
（成膜や食刻工程）を行っており、真空排気時間やリー
ク時間の短縮による生産能率の改善や排気やリークの繰
り返しによるパーティクルの付着を防止すると共に歩留
まりを向上させるために、製造装置同士を接続し、真空
中で基板３を搬送している。
うに構成されていたため、次のような課題が存在してい
た。すなわち、半導体製造や液晶基板製造工程では、多
くの製造装置が微細加工に有利である真空中での加工
（成膜や食刻工程）を行っており、真空排気時間やリー
ク時間の短縮による生産能率の改善や排気やリークの繰
り返しによるパーティクルの付着を防止すると共に歩留
まりを向上させるために、製造装置同士を接続し、真空
中で基板３を搬送している。
【０００９】従って、レーザクリーニングを真空中で行
うことにより、生産効率や歩留まりの向上を図ることが
当然に要求されるが、音波を用いた従来のレーザクリー
ニングの終了時の判定方法は、大気中またはガス中での
み実施可能であり、真空中では実施不可能であるという
課題があった。また、音波を検出する際に、様々な周辺
装置から発生する騒音により正確な検出ができなくなる
おそれがあるという課題があった。
うことにより、生産効率や歩留まりの向上を図ることが
当然に要求されるが、音波を用いた従来のレーザクリー
ニングの終了時の判定方法は、大気中またはガス中での
み実施可能であり、真空中では実施不可能であるという
課題があった。また、音波を検出する際に、様々な周辺
装置から発生する騒音により正確な検出ができなくなる
おそれがあるという課題があった。
【００１０】本発明は、以上のような課題を解決するた
めになされたもので、特に、真空雰囲気下においてもレ
ーザクリーニングの終了を正確に判定することのできる
レーザクリーニング処理の終了判定装置及び方法を提供
することを目的とする。
めになされたもので、特に、真空雰囲気下においてもレ
ーザクリーニングの終了を正確に判定することのできる
レーザクリーニング処理の終了判定装置及び方法を提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザクリーニ
ング処理の終了判定装置は、チャンバ内の基板の表面近
傍に設置され、前記基板へのレーザビームの照射により
前記基板の表面から離脱すると共に帯電され電荷を持っ
た帯電パーティクルを介して前記チャンバとの間に発生
した電位差を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手
段による検出信号が零になったときに前記レーザビーム
による前記基板の洗浄が終了したと判定する終了判定手
段とを備える構成であり、前記電圧検出手段はプローブ
型である構成である。また、本発明のレーザクリーニン
グ処理の終了判定方法は、チャンバ内の基板へのレーザ
ビームの照射によって前記基板の表面から離脱すると共
に帯電され電荷を持った帯電パーティクル中を流れる電
流を検出し、前記検出信号が零になったときに前記レー
ザビームによる前記基板の洗浄が終了したと判定する構
成であり、さらに、前記基板の表面近傍に設けられたプ
ローブ型の電圧検出手段を用いることにより、前記帯電
パーティクル中な発生した電圧を検出する構成である。
ング処理の終了判定装置は、チャンバ内の基板の表面近
傍に設置され、前記基板へのレーザビームの照射により
前記基板の表面から離脱すると共に帯電され電荷を持っ
た帯電パーティクルを介して前記チャンバとの間に発生
した電位差を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手
段による検出信号が零になったときに前記レーザビーム
による前記基板の洗浄が終了したと判定する終了判定手
段とを備える構成であり、前記電圧検出手段はプローブ
型である構成である。また、本発明のレーザクリーニン
グ処理の終了判定方法は、チャンバ内の基板へのレーザ
ビームの照射によって前記基板の表面から離脱すると共
に帯電され電荷を持った帯電パーティクル中を流れる電
流を検出し、前記検出信号が零になったときに前記レー
ザビームによる前記基板の洗浄が終了したと判定する構
成であり、さらに、前記基板の表面近傍に設けられたプ
ローブ型の電圧検出手段を用いることにより、前記帯電
パーティクル中な発生した電圧を検出する構成である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明によるレ
ーザクリーニング処理の終了判定装置及び方法の好適な
実施の形態について詳細に説明する。なお、従来装置と
同一または同等部分には同一符号を付し、その説明を省
略する。
ーザクリーニング処理の終了判定装置及び方法の好適な
実施の形態について詳細に説明する。なお、従来装置と
同一または同等部分には同一符号を付し、その説明を省
略する。
【００１３】図１に示すように、本発明のレーザクリー
ニングの終了判定装置は、従来のマイクロホン１に代え
て、例えばタングステン等の金属製のプローブ２０を備
える。前記プローブ２０は、基板表面３の近傍における
電圧を検出するために基板表面３の近傍に設置されてい
る。また、前記プローブ２０にはプリアンプ８、ピーク
ホールド回路２２及び終了判定装置２３が接続されてい
る。
ニングの終了判定装置は、従来のマイクロホン１に代え
て、例えばタングステン等の金属製のプローブ２０を備
える。前記プローブ２０は、基板表面３の近傍における
電圧を検出するために基板表面３の近傍に設置されてい
る。また、前記プローブ２０にはプリアンプ８、ピーク
ホールド回路２２及び終了判定装置２３が接続されてい
る。
【００１４】また、本発明のレーザクリーニングの終了
判定装置及び方法におけるパルスレーザ５Ａの照射方式
は、従来の終了判定装置及び方法におけるものと同一で
ある。図１に示すように、パルスレーザ発振器５から出
射されたレーザビームであるパルスレーザ５Ａを光学系
６によりクリーニングに適したビーム形状に整形した後
に、ミラー７を調整することにより基板表面３Ａに対し
て垂直または任意の角度でパルスレーザ５Ａを照射す
る。
判定装置及び方法におけるパルスレーザ５Ａの照射方式
は、従来の終了判定装置及び方法におけるものと同一で
ある。図１に示すように、パルスレーザ発振器５から出
射されたレーザビームであるパルスレーザ５Ａを光学系
６によりクリーニングに適したビーム形状に整形した後
に、ミラー７を調整することにより基板表面３Ａに対し
て垂直または任意の角度でパルスレーザ５Ａを照射す
る。
【００１５】パルスレーザ５Ａが基板表面３Ａに照射さ
れると、パーティクル１１の脱離量に応じてプローブ２
０に電圧が発生する。このようにプローブ２０に電圧が
発生するのは、基板表面３Ａに付着していたパーティク
ル１１がパルスレーザ５Ａにより基板表面３Ａから離脱
する際に帯電されて基板表面３Ａ近傍に拡散するためで
あり、このように帯電されたパーティクル（以下帯電パ
ーティクル２４と称す）が電荷の搬送媒体となるからで
ある。
れると、パーティクル１１の脱離量に応じてプローブ２
０に電圧が発生する。このようにプローブ２０に電圧が
発生するのは、基板表面３Ａに付着していたパーティク
ル１１がパルスレーザ５Ａにより基板表面３Ａから離脱
する際に帯電されて基板表面３Ａ近傍に拡散するためで
あり、このように帯電されたパーティクル（以下帯電パ
ーティクル２４と称す）が電荷の搬送媒体となるからで
ある。
【００１６】このようにしてプローブ２０により検出さ
れた電圧は、高入力抵抗のプリアンプ８で増幅され、さ
らにピークホールド回路２２にて電圧のピーク値が保持
される。このピークホールド回路２２で得た電圧のピー
ク値を終了判定装置２３でリアルタイムに観察し、クリ
ーニング状態を検出する。
れた電圧は、高入力抵抗のプリアンプ８で増幅され、さ
らにピークホールド回路２２にて電圧のピーク値が保持
される。このピークホールド回路２２で得た電圧のピー
ク値を終了判定装置２３でリアルタイムに観察し、クリ
ーニング状態を検出する。
【００１７】このとき、基板表面３Ａから離脱するパー
ティクル１１の量が多いと、帯電パーティクル２４の量
も増大するため、プローブ２０に流れる電圧値は増大す
る。一方、基板表面３Ａが洗浄されて離脱するパーティ
クル１１の量が減少し、これに伴い帯電パーティクル２
４の量も減少すると、プローブ２０に発生する電圧も減
少する。従って、基板表面３Ａが汚染されているときほ
どプローブ２０に流れる電圧が増大し、基板表面３Ａの
浄化が進むほどプローブ２０に発生する電圧が減少する
ことになるため、プローブ２０に発生する電圧値がほぼ
零になったときをレーザクリーニングが終了したときで
あると判定できる。
ティクル１１の量が多いと、帯電パーティクル２４の量
も増大するため、プローブ２０に流れる電圧値は増大す
る。一方、基板表面３Ａが洗浄されて離脱するパーティ
クル１１の量が減少し、これに伴い帯電パーティクル２
４の量も減少すると、プローブ２０に発生する電圧も減
少する。従って、基板表面３Ａが汚染されているときほ
どプローブ２０に流れる電圧が増大し、基板表面３Ａの
浄化が進むほどプローブ２０に発生する電圧が減少する
ことになるため、プローブ２０に発生する電圧値がほぼ
零になったときをレーザクリーニングが終了したときで
あると判定できる。
【００１８】図２は、本発明によるレーザクリーニング
の終了判定装置を用いてプローブ２０に発生する電圧を
測定した結果を示す特性図である。図２において、第１
特性２５ないし第３特性２７は、基板表面３Ａにインク
を塗布した場合の第１回目（第１ショット）、第５回目
（第５ショット）及び第１０回目（第１０ショット）の
パルスレーザ５Ａの照射時においてプローブ２０に発生
する電圧特性を示しており、又、第４特性２８は、基板
表面３Ａにインクを塗布せず、かつ、基板表面３Ａにい
かなるパーティクルも付着していない場合における電圧
特性を示したものである。なお、これらの特性２５ない
し２８は、プリアンプ８によって増幅した直後の電圧波
形である。なお、前記プリアンプ８は、電圧検出手段２
０からの検出感度を上げるために、入力インピーダンス
を上げて５ＭΩに設定している。
の終了判定装置を用いてプローブ２０に発生する電圧を
測定した結果を示す特性図である。図２において、第１
特性２５ないし第３特性２７は、基板表面３Ａにインク
を塗布した場合の第１回目（第１ショット）、第５回目
（第５ショット）及び第１０回目（第１０ショット）の
パルスレーザ５Ａの照射時においてプローブ２０に発生
する電圧特性を示しており、又、第４特性２８は、基板
表面３Ａにインクを塗布せず、かつ、基板表面３Ａにい
かなるパーティクルも付着していない場合における電圧
特性を示したものである。なお、これらの特性２５ない
し２８は、プリアンプ８によって増幅した直後の電圧波
形である。なお、前記プリアンプ８は、電圧検出手段２
０からの検出感度を上げるために、入力インピーダンス
を上げて５ＭΩに設定している。
【００１９】図２から分かるように、第１ショットない
し第１０ショットのパルスレーザ５Ａの照射時における
ピーク２５Ａないし２７Ａは、パルスレーザ５Ａの印加
回数の増大に伴って減衰しており、特に第１０ショット
に対応する第３特性２７は、基板表面３Ａにインクを塗
布せず、かつ、基板表面３Ａにいかなるパーティクルも
付着していない場合における第４特性２８とほぼ同一
で、ピーク２７Ａ付近の振幅も基板表面３Ａにパーティ
クル１１が付着してない状態を表すに収束している。こ
のことは、第１０ショット目前後のパルスレーザ５Ａの
印加により、レーザクリーニングが終了したことを示し
ている。従って、この時をレーザクリーニングの終了と
判定することができる。
し第１０ショットのパルスレーザ５Ａの照射時における
ピーク２５Ａないし２７Ａは、パルスレーザ５Ａの印加
回数の増大に伴って減衰しており、特に第１０ショット
に対応する第３特性２７は、基板表面３Ａにインクを塗
布せず、かつ、基板表面３Ａにいかなるパーティクルも
付着していない場合における第４特性２８とほぼ同一
で、ピーク２７Ａ付近の振幅も基板表面３Ａにパーティ
クル１１が付着してない状態を表すに収束している。こ
のことは、第１０ショット目前後のパルスレーザ５Ａの
印加により、レーザクリーニングが終了したことを示し
ている。従って、この時をレーザクリーニングの終了と
判定することができる。
【００２０】以上、本発明のレーザクリーニングの終了
判定装置及び方法によれば、レーザクリーニングに用い
られるチャンバ２内が真空状態でない場合だけでなく真
空雰囲気下である場合においても、レーザクリーニング
用のパルスレーザ５Ａによる影響を受けることなく、レ
ーザクリーニングの終了を判定することができる。な
お、以上の説明では、プローブ２０がタングステン製で
ある場合について説明したが、プローブ２０の材質はこ
れに限定されるものではなく、導電性があれ端の金属製
であってもよい。また、その形状も、プローブのような
針状に限られず、板状や網状等の任意の形状であっても
かまわない。
判定装置及び方法によれば、レーザクリーニングに用い
られるチャンバ２内が真空状態でない場合だけでなく真
空雰囲気下である場合においても、レーザクリーニング
用のパルスレーザ５Ａによる影響を受けることなく、レ
ーザクリーニングの終了を判定することができる。な
お、以上の説明では、プローブ２０がタングステン製で
ある場合について説明したが、プローブ２０の材質はこ
れに限定されるものではなく、導電性があれ端の金属製
であってもよい。また、その形状も、プローブのような
針状に限られず、板状や網状等の任意の形状であっても
かまわない。
【００２１】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、チャンバ
内が真空雰囲気下においてもレーザクリーニングの終了
を判定することのできるレーザクリーニングの終了判定
装置を提供することができる。請求項２記載の発明によ
れば、プローブにより電圧を測定できるので、装置構成
の簡略化を図ることができる。請求項３記載の発明によ
れば、チャンバ内が真空雰囲気下においてもレーザクリ
ーニングの終了を判定することのできるレーザクリーニ
ングの終了判定方法を提供することができる。請求項４
記載の発明によれば、プローブにより電圧を測定できる
ので、簡単な手段で判定することができる。
内が真空雰囲気下においてもレーザクリーニングの終了
を判定することのできるレーザクリーニングの終了判定
装置を提供することができる。請求項２記載の発明によ
れば、プローブにより電圧を測定できるので、装置構成
の簡略化を図ることができる。請求項３記載の発明によ
れば、チャンバ内が真空雰囲気下においてもレーザクリ
ーニングの終了を判定することのできるレーザクリーニ
ングの終了判定方法を提供することができる。請求項４
記載の発明によれば、プローブにより電圧を測定できる
ので、簡単な手段で判定することができる。
【図１】本発明のレーザクリーニングの終了判定装置を
概略的に示す構成図である。
概略的に示す構成図である。
【図２】本発明のレーザクリーニングの終了判定装置に
おけるプローブに発生する電圧とパルスレーザのショッ
ト数との関係を示す特性図である。
おけるプローブに発生する電圧とパルスレーザのショッ
ト数との関係を示す特性図である。
【図３】従来のレーザクリーニングの終了判定装置を概
略的に示す構成図である。
略的に示す構成図である。
【図４】従来のレーザクリーニングの終了判定装置にお
けるマイクロホンが検出した音波とパルスレーザのショ
ット数の関係を示す特性図である。
けるマイクロホンが検出した音波とパルスレーザのショ
ット数の関係を示す特性図である。
２ チャンバ ３ 基板 ３Ａ 基板表面 ４ ステージ ５ パルスレーザ発振器 ５Ａ パルスレーザ ６ 光学系 ７ ミラー ８ プリアンプ １０ 終了判定装置 １１ パーティクル １２ パーティクル ２０ プローブ ２２ ピークホールド回路 ２３ 終了判定装置 ２４ 帯電パーティクル
Claims (4)
- 【請求項１】 チャンバ(2)内の基板(3)の表面(3A)近傍
に設置され、前記基板(3)へのレーザビーム(5A)の照射
により前記基板(3)の表面(3A)から離脱すると共に帯電
され電荷を持った帯電パーティクル(24)を介して前記チ
ャンバ(2)との間に発生した電位差を検出する電圧検出
手段(20)と、 前記電圧検出手段(20)による検出信号が零になったとき
に前記レーザビーム(5A)による前記基板(3)の洗浄が終
了したと判定する終了判定手段(23)とを備えることを特
徴とするレーザクリーニング処理の終了判定装置。 - 【請求項２】 前記電圧検出手段(20)はプローブ型であ
ることを特徴とする請求項１記載のレーザクリーニング
処理の終了判定装置。 - 【請求項３】 チャンバ(2)内の基板(3)へのレーザビー
ム(5A)の照射によって前記基板(3)の表面(3A)から離脱
すると共に帯電され電荷を持った帯電パーティクル(24)
中を流れる電流を検出し、前記検出信号が零になったと
きに前記レーザビーム(5A)による前記基板(3)の洗浄が
終了したと判定することを特徴とするレーザクリーニン
グ処理の終了判定方法。 - 【請求項４】 前記基板(3)の表面(3A)近傍に設けられ
たプローブ型の電圧検出手段(20)を用いることにより、
前記帯電パーティクル(24)中に発生した電圧を検出する
ことを特徴とする請求項３記載のレーザクリーニング処
理の終了判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000230603A JP2002043269A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | レーザクリーニング処理の終了判定装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000230603A JP2002043269A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | レーザクリーニング処理の終了判定装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043269A true JP2002043269A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18723540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000230603A Withdrawn JP2002043269A (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | レーザクリーニング処理の終了判定装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002043269A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102012373A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-04-13 | 江苏大学 | 一种激光除锈状态探测方法及装置 |
| US8420512B2 (en) | 2008-12-11 | 2013-04-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN103063167A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-04-24 | 江苏大学 | 一种自动判断激光清洗效果的方法 |
| CN103090969A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-05-08 | 江苏大学 | 一种激光清洗阈值的测试方法 |
| CN105717135A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-06-29 | 南开大学 | 一种基于高光谱成像的监控激光清洗进程的方法 |
| CN113533304A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-10-22 | 长江大学 | 一种判断激光除垢效果的方法及装置 |
-
2000
- 2000-07-31 JP JP2000230603A patent/JP2002043269A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8420512B2 (en) | 2008-12-11 | 2013-04-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN102012373A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-04-13 | 江苏大学 | 一种激光除锈状态探测方法及装置 |
| CN103063167A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-04-24 | 江苏大学 | 一种自动判断激光清洗效果的方法 |
| CN103090969A (zh) * | 2012-12-28 | 2013-05-08 | 江苏大学 | 一种激光清洗阈值的测试方法 |
| CN105717135A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-06-29 | 南开大学 | 一种基于高光谱成像的监控激光清洗进程的方法 |
| CN113533304A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-10-22 | 长江大学 | 一种判断激光除垢效果的方法及装置 |
| CN113533304B (zh) * | 2021-07-06 | 2023-03-17 | 长江大学 | 一种判断激光除垢效果的方法及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4828162B2 (ja) | 電子顕微鏡応用装置および試料検査方法 | |
| US7645987B2 (en) | Acoustic desorption mass spectrometry | |
| US5393980A (en) | Quality monitor and monitoring technique employing optically stimulated electron emmission | |
| WO2006041656B1 (en) | Methods and apparatus for monitoring a process in a plasma processing system by measuring a plasma frequency | |
| JPH10509557A (ja) | プラズマ中のイオン流の測定方法及び装置 | |
| JP2002176088A (ja) | 半導体デバイス検査装置 | |
| EP2732299A2 (en) | Electrical inspection of electronic devices using electron-beam induced plasma probes | |
| JP2002159926A (ja) | レーザクリーニング処理時における基板表面の洗浄状況検出装置及び方法 | |
| KR20190014467A (ko) | 프로브 장치 | |
| JP2002043269A (ja) | レーザクリーニング処理の終了判定装置及び方法 | |
| JP2003173896A (ja) | 異常放電検出装置、異常放電検出方法、及び、プラズマ処理装置 | |
| JPH0330258B2 (ja) | ||
| JPH04305954A (ja) | 製造プロセスを試験する装置と方法 | |
| US20050016953A1 (en) | Method of detecting particles and a processing apparatus using the same | |
| US7205539B1 (en) | Sample charging control in charged-particle systems | |
| JP2010016051A (ja) | 半導体評価装置 | |
| JP3668190B2 (ja) | パーティクルカウント方法及びパーティクルカウンタ | |
| JP3976480B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4008094B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP2004028741A (ja) | パーティクルカウンタ装置およびパーティクル計数方法 | |
| JP3837531B2 (ja) | 顕微鏡及び表面観察方法 | |
| JPH0890261A (ja) | レーザー加工における被加工物の加工状態の検出方法 | |
| JP2690572B2 (ja) | 表面状態評価方法およびその装置 | |
| JP2000074783A (ja) | 光学測定方法及び光学測定装置 | |
| JPH0815173B2 (ja) | 半導体集積回路の動作評価方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060508 |
|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071002 |