JP2002043268A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus

Info

Publication number
JP2002043268A
JP2002043268A JP2000223690A JP2000223690A JP2002043268A JP 2002043268 A JP2002043268 A JP 2002043268A JP 2000223690 A JP2000223690 A JP 2000223690A JP 2000223690 A JP2000223690 A JP 2000223690A JP 2002043268 A JP2002043268 A JP 2002043268A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
ultraviolet
illuminance
unit
mounting table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000223690A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3742986B2 (en
Inventor
Norio Uchihira
則夫 内平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2000223690A priority Critical patent/JP3742986B2/en
Priority to TW090116475A priority patent/TW505959B/en
Priority to KR1020010043011A priority patent/KR100873265B1/en
Publication of JP2002043268A publication Critical patent/JP2002043268A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3742986B2 publication Critical patent/JP3742986B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stably maintain the processing quality and efficiency through appropriate management of intensity of the ultraviolet-ray for a substrate to be processed in the ultraviolet-ray irradiation process. SOLUTION: An output signal (for example, a photo-current) of a photo-sensor 104 on a stage 94 is inputted to an illuminance measuring circuit 128. The illuminance measuring circuit 128 obtains a measuring value E of the intensity of the ultraviolet-ray at the surface of a substrate G on the stage 94 using a value of the output signal of the photo-sensor 104, and an offset value (d) of the height position between the photo-sensing surface of the photo-sensor 104 and the surface of the substrate G as the parameters. An illuminance comparator 132 compares the measured value E of the ultraviolet-ray intensity with the reference standard Es from a reference illuminance setting means 134 to obtain a difference, namely an error δE of illuminance. A stage lifting control means 136 drives and controls a stage lifting drive mean 116 so as to approximate such error δE to zero in order to change the substrate supporting height Ha of the stage 94. As a result, variable adjustment of height of the stage is stopped when the ultraviolet-ray illuminance measuring value E obtained from the illuminance measuring circuit 128 matches the reference standard Es.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に紫外
線を照射して所定の処理を行う基板処理装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing predetermined processing by irradiating a substrate to be processed with ultraviolet rays.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、被処
理基板(たとえば半導体ウエハ、LCD基板等)の表面
が清浄化された状態にあることを前提として各種の微細
加工が行われる。したがって、各加工処理に先立ちまた
は各加工処理の合間に被処理基板表面の洗浄が行われ、
たとえばフォトリソグラフィー工程では、レジスト塗布
に先立って被処理基板の表面が洗浄される。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, various types of fine processing are performed on the premise that a surface of a substrate to be processed (for example, a semiconductor wafer, an LCD substrate, etc.) is in a cleaned state. Therefore, prior to each processing or between each processing, the surface of the substrate to be processed is cleaned,
For example, in a photolithography process, the surface of a substrate to be processed is cleaned before applying a resist.

【0003】従来より、被処理基板表面の有機物を除去
するための洗浄法として、紫外線照射による乾式洗浄技
術が知られている。この紫外線照射洗浄技術は、所定波
長(紫外線光源として低圧水銀ランプを使用するときは
185nm、254nm、誘電体バリア放電ランプでは
172nm)の紫外線を用いて酸素を励起させ、生成さ
れるオゾンや発生期の酸素によって基板表面上の有機物
を酸化・気化させ除去するものである。
Conventionally, as a cleaning method for removing organic substances on the surface of a substrate to be processed, a dry cleaning technique using ultraviolet irradiation has been known. This ultraviolet irradiation cleaning technology excites oxygen using ultraviolet light of a predetermined wavelength (185 nm, 254 nm when using a low-pressure mercury lamp as an ultraviolet light source, and 172 nm when using a dielectric barrier discharge lamp) to generate ozone and the generation time. The organic material on the substrate surface is oxidized and vaporized by the oxygen to remove it.

【0004】従来の典型的な紫外線照射式洗浄装置は、
上記のような紫外線光源となるランプを石英ガラスの窓
を有するランプ室内に複数本並べて収容し、該石英ガラ
ス窓を介してランプ室に隣接する洗浄処理室内に被処理
基板を配置し、ランプ室内のランプより発せられる紫外
線を該石英ガラス窓を通して被処理基板の表面に一定時
間照射するようになっている。最近は、被処理基板の表
面と平行にランプを相対移動つまり走査させる機構によ
り、装置のコンパクト化(ランプ数の削減や石英ガラス
窓の小型化等)も図られている。
[0004] A typical conventional ultraviolet irradiation type cleaning apparatus is as follows.
A plurality of the lamps serving as the ultraviolet light sources as described above are housed side by side in a lamp chamber having a quartz glass window, and a substrate to be processed is arranged in a cleaning processing chamber adjacent to the lamp chamber through the quartz glass window. UV light emitted from the lamp is irradiated to the surface of the substrate to be processed through the quartz glass window for a certain period of time. In recent years, a mechanism for relatively moving or scanning the lamp in parallel with the surface of the substrate to be processed has also been used to reduce the size of the apparatus (reducing the number of lamps, downsizing the quartz glass window, etc.).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のような紫外線照
射式洗浄装置において、所期の洗浄効果を得るには、紫
外線ランプより被処理基板に照射される紫外線の照度お
よび光量をそれぞれ所定値以上確保する必要があり、そ
のような紫外線照射条件を満たすように装置各部の仕様
がなされてはいる。しかしながら、紫外線ランプの輝度
が経時変化で低下すると、被処理基板に対する紫外線の
照度ないし光量が不足して、洗浄不良を来すおそれがあ
る。しかるに、従来のこの種の装置は、被処理基板にお
ける紫外線照度を正確に測定する手段や、紫外線照度の
変化を適確に補償する手段を備えておらず、紫外線洗浄
処理の品質および効率を安定に維持するのが難しかっ
た。
In the above-described ultraviolet irradiation type cleaning apparatus, in order to obtain a desired cleaning effect, the illuminance and the amount of ultraviolet light applied to a substrate to be processed by an ultraviolet lamp must be at least a predetermined value. It is necessary to secure them, and specifications of each part of the apparatus are made so as to satisfy such ultraviolet irradiation conditions. However, if the luminance of the ultraviolet lamp decreases with the lapse of time, the illuminance or the amount of ultraviolet light on the substrate to be processed becomes insufficient, and there is a possibility that cleaning failure may occur. However, this type of conventional apparatus does not have a means for accurately measuring the UV illuminance on the substrate to be processed and a means for accurately compensating for the change in the UV illuminance. It was difficult to maintain.

【0006】また、誘電体バリア放電ランプを用いる装
置では、該ランプより放射される波長172nmの紫外
エキシマ光が酸素に非常に吸収されやすく、石英ガラス
窓を出てから被処理基板の表面に到達するまでの距離が
大きいほど指数関数的に減衰する。このため、両者(石
英ガラス窓と被処理基板)間の隙間をできるだけ狭くす
るのが好ましく、通常は寸法誤差や機械精度の誤差を勘
案して3〜7mmに設定している。しかし、このような
小さな隙間でも紫外線の照度は数分の1程度まで大幅に
減衰してしまい、エネルギー効率が低かった。
In an apparatus using a dielectric barrier discharge lamp, ultraviolet excimer light having a wavelength of 172 nm emitted from the lamp is very easily absorbed by oxygen, and reaches the surface of a substrate to be processed after exiting a quartz glass window. Exponentially decay as the distance up to is increased. For this reason, it is preferable to make the gap between the two (the quartz glass window and the substrate to be processed) as small as possible. Usually, the distance is set to 3 to 7 mm in consideration of dimensional errors and errors in mechanical accuracy. However, even in such a small gap, the illuminance of the ultraviolet light is greatly attenuated to about a fraction, and the energy efficiency is low.

【0007】さらに、この種の装置では、石英ガラスの
外側表面(基板側の表面)に紫外線による反応生成物が
付着する現象が問題となっている。すなわち、被処理基
板の表面またはその付近に付着または漂遊している有機
物や薬品等が紫外線の光エネルギーで反応して、その反
応生成物が基板と間近に対向する石英ガラスに付着して
白色の析出物となり、それによって石英ガラスの紫外線
透過特性が低下したり、石英ガラスから反応生成物また
は析出物が剥がれてパーティクルの原因になることがあ
る。
Further, in this type of apparatus, there is a problem that a reaction product due to ultraviolet rays adheres to the outer surface (surface on the substrate side) of quartz glass. In other words, organic substances and chemicals that adhere or float on or near the surface of the substrate to be processed react with the light energy of ultraviolet rays, and the reaction product adheres to the quartz glass that is in close proximity to the substrate, resulting in a white color. It may become a precipitate, thereby deteriorating the ultraviolet transmission properties of the quartz glass, or peeling off a reaction product or a precipitate from the quartz glass, which may cause particles.

【0008】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、紫外線照射処理において被処理基板に対
する紫外線の照度を適確に管理して、処理品質および効
率を安定に維持するようにした基板処理装置を提供する
ことを第1の目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and is intended to appropriately control the illuminance of ultraviolet rays on a substrate to be processed in an ultraviolet irradiation process so as to stably maintain processing quality and efficiency. It is a first object to provide a substrate processing apparatus having the above-mentioned configuration.

【0009】本発明の第2の目的は、紫外線照射用の窓
部材を紫外線反応生成物から効果的に保護するようにし
た基板処理装置を提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of effectively protecting a window member for irradiating ultraviolet rays from an ultraviolet ray reaction product.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るために、本発明の基板処理装置は、被処理基板に紫外
線を照射して所定の処理を行う基板処理装置において、
前記被処理基板を載置して支持する載置台と、電力の供
給を受けて紫外線を発するランプと紫外線を透過させる
窓部材とを有し、前記ランプより発せられた紫外線を前
記窓部材を介して前記載置台上の前記被処理基板に照射
する紫外線照射手段と、前記紫外線照射手段からの紫外
線を所定位置で受光して前記紫外線の照度を測定する紫
外線照度測定手段と、前記紫外線照度測定手段より得ら
れる紫外線照度測定値に応じて前記紫外線照射手段と前
記載置台との間の距離を可変調整する照射距離調整手段
とを具備する構成とした。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a predetermined process by irradiating a substrate to be processed with ultraviolet rays.
A mounting table for mounting and supporting the substrate to be processed, a lamp that emits ultraviolet light when supplied with power, and a window member that transmits ultraviolet light, and the ultraviolet light emitted from the lamp is transmitted through the window member. Ultraviolet irradiation means for irradiating the substrate to be processed on the mounting table, ultraviolet light measurement means for receiving the ultraviolet light from the ultraviolet irradiation means at a predetermined position and measuring the illuminance of the ultraviolet light, and the ultraviolet illuminance measurement means An irradiation distance adjusting means for variably adjusting the distance between the ultraviolet light irradiating means and the mounting table according to the ultraviolet irradiance measurement value obtained as described above.

【0011】かかる構成においては、紫外線照射手段よ
り載置置台上の被処理基板に与えられる紫外線の照度が
変化しても、紫外線照度測定手段により照度変化を検出
し、照射距離調整手段により照度変化を補償するように
照射距離を可変調整するので、紫外線照度を一定または
安定に維持し、紫外線照射処理の品質および効率を安定
に維持できる。
In this configuration, even if the illuminance of the ultraviolet light applied to the substrate to be processed on the mounting table by the ultraviolet light irradiating means changes, the illuminance change is detected by the ultraviolet irradiance measuring means, and the illuminance change is detected by the irradiation distance adjusting means. Since the irradiation distance is variably adjusted to compensate for, the ultraviolet illuminance can be maintained constant or stable, and the quality and efficiency of the ultraviolet irradiation processing can be stably maintained.

【0012】本発明の基板処理装置において、上記のよ
うな照度調整の精度を高めるために、好ましくは、前記
紫外線照度測定手段が、前記載置台上の前記被処理基板
に照射される紫外線の照度を測定するために前記被処理
基板に干渉しない位置で前記載置台側に設けられた光セ
ンサを含む構成であってよい。特に、走査式の紫外線照
射処理を行う場合は、前記光センサが前記走査方向にお
いて前記被処理基板よりも前の位置に配置されるのが好
ましい。
In the substrate processing apparatus of the present invention, in order to improve the accuracy of the illuminance adjustment as described above, it is preferable that the ultraviolet illuminance measuring means includes an illuminance of the ultraviolet light applied to the substrate to be processed on the mounting table. It may be configured to include an optical sensor provided on the mounting table side at a position that does not interfere with the substrate to be processed in order to measure. In particular, when performing a scanning type ultraviolet irradiation process, it is preferable that the optical sensor is arranged at a position before the substrate to be processed in the scanning direction.

【0013】また、別の態様として、前記照射距離調整
手段が、前記載置台上に載置される前記被処理基板の板
厚に応じて前記紫外線照射手段と前記載置台との間の距
離を可変調整する手段を含む構成であってよい。このよ
うに、被処理基板の板厚を照度調整のパラメータとする
ことも、照度測定ないし照度調整の精度を高めるうえで
有効である。
In another aspect, the irradiation distance adjusting means adjusts the distance between the ultraviolet irradiation means and the mounting table according to the thickness of the substrate to be processed mounted on the mounting table. It may be configured to include a means for variably adjusting. As described above, using the plate thickness of the substrate to be processed as a parameter for illuminance adjustment is also effective in increasing the accuracy of illuminance measurement or illuminance adjustment.

【0014】また、基板に対する紫外線照度を所望の値
に安定に維持するために、好ましくは、前記照射距離調
整手段が、所望の基準照度を設定する基準照度設定手段
と、前記紫外線照度測定値を前記基準照度と比較して、
その比較誤差を零に近づけるように前記載置台と前記紫
外線照射手段との間の相対位置を調整する相対位置調整
手段とを有する構成であってよい。
Preferably, in order to stably maintain the UV illuminance on the substrate at a desired value, the irradiation distance adjusting means preferably includes a reference illuminance setting means for setting a desired reference illuminance, and the UV illuminance measurement value. In comparison with the reference illuminance,
The apparatus may have a relative position adjusting unit that adjusts a relative position between the mounting table and the ultraviolet irradiation unit so that the comparison error approaches zero.

【0015】また、安定かつ良好な紫外線照射処理を行
うために、好ましくは、前記照射距離調整手段が、前記
窓部材と前記載置台または前記基板との間隔について最
大値を設定する最大間隔設定手段と、前記間隔の可変調
整において前記間隔が前記最大値越えそうなときは前記
間隔を前記最大値に制限する最大間隔制限手段とを有し
てよく、および/または、前記窓部材と前記載置台また
は前記基板との間隔について最小値を設定する最小間隔
設定手段と、前記間隔の可変調整において前記間隔が前
記最小値を割りそうなときは前記間隔を前記最小値に制
限する最小間隔制限手段とを有してよい。
Preferably, in order to perform a stable and favorable ultraviolet irradiation treatment, the irradiation distance adjusting means preferably sets a maximum value for a distance between the window member and the mounting table or the substrate. And, when the interval is likely to exceed the maximum value in the variable adjustment of the interval, the interval may include a maximum interval limiting unit that limits the interval to the maximum value, and / or the window member and the mounting table described above. Or a minimum interval setting unit that sets a minimum value for the interval with the substrate, and a minimum interval limiting unit that limits the interval to the minimum value when the interval is likely to be less than the minimum value in the variable adjustment of the interval. May be provided.

【0016】上記第2の目的を達成するために、本発明
の基板処理装置は、被処理基板に紫外線を照射して所定
の処理を行う基板処理装置において、前記被処理基板を
載置して支持する載置台と、電力の供給を受けて紫外線
を発するランプと紫外線を透過させる窓部材とを有し、
前記ランプより発せられた紫外線を前記窓部材を介して
前記載置台上の前記被処理基板に照射する紫外線照射手
段と、前記窓部材と前記載置台上の前記被処理基板との
間の隙間に不活性ガスを流す手段とを具備する構成とし
た。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a predetermined process by irradiating a substrate to be processed with ultraviolet rays. A mounting table for supporting, having a lamp that emits ultraviolet rays when supplied with electric power and a window member that transmits ultraviolet rays,
Ultraviolet irradiation means for irradiating the substrate to be processed on the mounting table with ultraviolet light emitted from the lamp through the window member, and a gap between the window member and the substrate to be processed on the mounting table. And a means for flowing an inert gas.

【0017】かかる構成においては、窓部材と載置台上
の被処理基板との間の隙間に不活性ガスが流れること
で、その隙間から空気、特に酸素を追い出すようにして
排除できるため、紫外線照射手段の窓部材から出た紫外
線が被処理基板に到達するまでに酸素に吸収されて減衰
する度合いが低減される。これにより、所望の照度を得
るためのランプ消費電力が少なくて済み、ランプ寿命も
延びる。また、紫外線反応生成物も不活性ガスの流れに
乗って隙間から排除されるため、窓部材に付着し難くな
る。
In this configuration, since the inert gas flows through the gap between the window member and the substrate to be processed on the mounting table, air, especially oxygen, can be removed from the gap by driving it out. The degree to which the ultraviolet light emitted from the window member of the means is absorbed by oxygen and attenuated before reaching the substrate to be processed is reduced. As a result, the power consumption of the lamp for obtaining the desired illuminance is reduced, and the life of the lamp is extended. In addition, since the ultraviolet reaction product is also removed from the gap by riding the flow of the inert gas, it becomes difficult to adhere to the window member.

【0018】走査式の紫外線照射処理を行う本発明の基
板処理装置において、不活性ガスを流す手段は、好まし
くは、前記紫外線照射手段からみて第1の方角から前記
走査の方向とほぼ平行に前記窓部材と前記載置台上の前
記被処理基板との間の隙間に不活性ガスを送り込む不活
性ガス噴射手段と、前記紫外線照射手段からみて前記第
1の方角とは反対側の第2の方角にて前記隙間を通って
きた不活性ガスを吸い込んで排出する不活性ガス吸い込
み手段とで構成してよい。
In the substrate processing apparatus of the present invention for performing a scanning type ultraviolet irradiation treatment, the means for flowing an inert gas is preferably such that the inert gas is substantially parallel to the scanning direction from a first direction as viewed from the ultraviolet irradiation means. Inert gas injection means for feeding an inert gas into a gap between the window member and the substrate to be processed on the mounting table, and a second direction opposite to the first direction as viewed from the ultraviolet irradiation means. And inert gas suction means for sucking and discharging the inert gas passing through the gap.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0020】図1に、本発明の基板処理装置が組み込み
可能なシステム例として塗布現像処理システムを示す。
この塗布現像処理システムは、クリーンルーム内に設置
され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製
造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
クの各処理を行うものである。露光処理は、このシステ
ムに隣接して設置される外部の露光装置(図示せず)で
行われる。
FIG. 1 shows a coating and developing system as an example of a system into which the substrate processing apparatus of the present invention can be incorporated.
This coating and developing system is installed in a clean room, and performs, for example, cleaning, resist coating, pre-baking, developing and post-baking in a photolithography process in an LCD manufacturing process, for example, using an LCD substrate as a substrate to be processed. is there. The exposure processing is performed by an external exposure apparatus (not shown) installed adjacent to this system.

【0021】この塗布現像処理システムは、大きく分け
て、カセットステーション(C/S)10と、プロセス
ステーション(P/S)12と、インタフェース部(I
/F)14とで構成される。
This coating and developing system is roughly divided into a cassette station (C / S) 10, a process station (P / S) 12, and an interface section (I / O).
/ F) 14.

【0022】システムの一端部に設置されるカセットス
テーション(C/S)10は、複数の基板Gを収容する
カセットCを所定数たとえば4個まで載置可能なカセッ
トステージ16と、このステージ16上のカセットCに
ついて基板Gの出し入れを行う搬送機構20とを備えて
いる。この搬送機構20は、基板Gを保持できる手段た
とえば搬送アームを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作
可能であり、後述するプロセスステーション(P/S)
12側の主搬送装置38と基板Gの受け渡しを行えるよ
うになっている。
A cassette station (C / S) 10 installed at one end of the system includes a cassette stage 16 on which a predetermined number of cassettes C containing a plurality of substrates G, for example, up to four, can be mounted, and a cassette stage 16 on this stage 16. And a transfer mechanism 20 for loading and unloading the substrate G with respect to the cassette C. The transfer mechanism 20 has a unit capable of holding the substrate G, for example, a transfer arm, is operable in four axes of X, Y, Z, and θ, and is a process station (P / S) described later.
The transfer of the substrate G to and from the main transfer device 38 on the 12th side can be performed.

【0023】プロセスステーション(P/S)12は、
上記カセットステーション(C/S)10側から順に洗
浄プロセス部22と、塗布プロセス部24と、現像プロ
セス部26とを基板中継部23、薬液供給ユニット25
およびスペース27を介して(挟んで)横一列に設けて
いる。
The process station (P / S) 12
The cleaning process unit 22, the coating process unit 24, and the developing process unit 26 are sequentially changed from the cassette station (C / S) 10 side to the substrate relay unit 23, the chemical solution supply unit 25.
And are provided in a horizontal row with (and sandwiching) a space 27 therebetween.

【0024】洗浄プロセス部22は、2つのスクラバ洗
浄ユニット(SCR)28と、上下2段の紫外線照射/
冷却ユニット(UV/COL)30と、加熱ユニット
(HP)32と、冷却ユニット(COL)34とを含ん
でいる。
The cleaning process unit 22 includes two scrubber cleaning units (SCRs) 28 and two upper and lower ultraviolet irradiation /
It includes a cooling unit (UV / COL) 30, a heating unit (HP) 32, and a cooling unit (COL).

【0025】塗布プロセス部24は、レジスト塗布ユニ
ット(CT)40と、減圧乾燥ユニット(VD)42
と、エッジリムーバ・ユニット(ER)44と、上下2
段型アドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)4
6と、上下2段型加熱/冷却ユニット(HP/COL)
48と、加熱ユニット(HP)50とを含んでいる。
The coating processing section 24 includes a resist coating unit (CT) 40 and a reduced-pressure drying unit (VD) 42
And the edge remover unit (ER) 44 and the upper and lower 2
Stage type adhesion / cooling unit (AD / COL) 4
6, upper and lower two-stage heating / cooling unit (HP / COL)
48 and a heating unit (HP) 50.

【0026】現像プロセス部26は、3つの現像ユニッ
ト(DEV)52と、2つの上下2段型加熱/冷却ユニ
ット(HP/COL)55と、加熱ユニット(HP)5
3とを含んでいる。
The developing process section 26 includes three developing units (DEV) 52, two upper and lower two-stage heating / cooling units (HP / COL) 55, and a heating unit (HP) 5
3 is included.

【0027】各プロセス部22,24,26の中央部に
は長手方向に搬送路36,52,58が設けられ、主搬
送装置38,54,60が各搬送路に沿って移動して各
プロセス部内の各ユニットにアクセスし、基板Gの搬入
/搬出または搬送を行うようになっている。なお、この
システムでは、各プロセス部22,24,26におい
て、搬送路36,52,58の一方の側にスピンナ系の
ユニット(SCR,CT,DEV等)が配置され、他方
の側に熱処理または照射処理系のユニット(HP,CO
L,UV等)が配置されている。
At the center of each of the process sections 22, 24 and 26, transport paths 36, 52 and 58 are provided in the longitudinal direction, and the main transport devices 38, 54 and 60 move along the respective transport paths and Each unit in the unit is accessed to carry in / out or carry in the substrate G. In this system, in each of the process units 22, 24, and 26, a spinner system unit (SCR, CT, DEV, etc.) is disposed on one side of the transport paths 36, 52, and 58, and heat treatment or heat treatment is performed on the other side. Irradiation treatment system unit (HP, CO
L, UV, etc.).

【0028】システムの他端部に設置されるインタフェ
ース部(I/F)14は、プロセスステーション12と
隣接する側にイクステンション(基板受け渡し部)57
およびバッファステージ56を設け、露光装置と隣接す
る側に搬送機構59を設けている。
The interface unit (I / F) 14 installed at the other end of the system has an extension (substrate transfer unit) 57 on the side adjacent to the process station 12.
And a buffer stage 56, and a transport mechanism 59 on the side adjacent to the exposure apparatus.

【0029】図2に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション(C
/S)10において、搬送機構20が、ステージ16上
の所定のカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、
プロセスステーション(P/S)12の洗浄プロセス部
22の主搬送装置38に渡す(ステップS1)。
FIG. 2 shows a processing procedure in the coating and developing system. First, the cassette station (C
/ S) 10, the transport mechanism 20 takes out one substrate G from the predetermined cassette C on the stage 16 and
It is transferred to the main transfer device 38 of the cleaning process section 22 of the process station (P / S) 12 (step S1).

【0030】洗浄プロセス部22において、基板Gは、
先ず紫外線照射/冷却ユニット(UV/COL)30に
順次搬入され、上段の紫外線照射ユニット(UV)では
紫外線照射による乾式洗浄を施され、次に下段の冷却ユ
ニット(COL)では所定温度まで冷却される(ステッ
プS2)。この紫外線照射洗浄では基板表面の有機物が
除去される。これによって、基板Gの濡れ性が向上し、
次工程のスクラビング洗浄における洗浄効果を高めるこ
とができる。
In the cleaning process section 22, the substrate G
First, they are sequentially carried into an ultraviolet irradiation / cooling unit (UV / COL) 30, subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation in the upper ultraviolet irradiation unit (UV), and then cooled to a predetermined temperature in the lower cooling unit (COL). (Step S2). This ultraviolet irradiation cleaning removes organic substances on the substrate surface. This improves the wettability of the substrate G,
The cleaning effect in the scrubbing cleaning in the next step can be enhanced.

【0031】次に、基板Gはスクラバ洗浄ユニット(S
CR)28の1つでスクラビング洗浄処理を受け、基板
表面から粒子状の汚れが除去される(ステップS3)。
スクラビング洗浄の後、基板Gは、加熱ユニット(H
P)32で加熱による脱水処理を受け(ステップS
4)、次いで冷却ユニット(COL)34で一定の基板
温度まで冷却される(ステップS5)。これで洗浄プロ
セス部22における前処理が終了し、基板Gは、主搬送
装置38により基板受け渡し部23を介して塗布プロセ
ス部24へ搬送される。
Next, the substrate G is placed in a scrubber cleaning unit (S
One of the CRs 28 undergoes a scrubbing cleaning process to remove particulate contamination from the substrate surface (step S3).
After the scrubbing cleaning, the substrate G is heated by a heating unit (H
(P) 32 undergoes dehydration by heating (step S)
4) Then, the substrate is cooled to a certain substrate temperature by the cooling unit (COL) 34 (step S5). Thus, the pre-processing in the cleaning process unit 22 is completed, and the substrate G is transported by the main transport unit 38 to the coating process unit 24 via the substrate transfer unit 23.

【0032】塗布プロセス部24において、基板Gは、
先ずアドヒージョン/冷却ユニット(AD/COL)4
6に順次搬入され、最初のアドヒージョンユニット(A
D)では疎水化処理(HMDS)を受け(ステップS
6)、次の冷却ユニット(COL)で一定の基板温度ま
で冷却される(ステップS7)。
In the coating processing section 24, the substrate G
First, the adhesion / cooling unit (AD / COL) 4
6 in sequence, and the first adhesion unit (A
In D), a hydrophobizing treatment (HMDS) is performed (step S).
6) Then, the substrate is cooled to a constant substrate temperature in the next cooling unit (COL) (step S7).

【0033】その後、基板Gは、レジスト塗布ユニット
(CT)40でレジスト液を塗布され、次いで減圧乾燥
ユニット(VD)42で減圧による乾燥処理を受け、次
いでエッジリムーバ・ユニット(ER)44で基板周縁
部の余分(不要)なレジストを除かれる(ステップS
8)。
Thereafter, the substrate G is coated with a resist solution in a resist coating unit (CT) 40, then subjected to a drying process under reduced pressure in a reduced-pressure drying unit (VD) 42, and then in an edge remover unit (ER) 44. Excess (unnecessary) resist on the periphery is removed (step S
8).

【0034】次に、基板Gは、加熱/冷却ユニット(H
P/COL)48に順次搬入され、最初の加熱ユニット
(HP)では塗布後のベーキング(プリベーク)が行わ
れ(ステップS9)、次に冷却ユニット(COL)で一
定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。なお、
この塗布後のベーキングに加熱ユニット(HP)50を
用いることもできる。
Next, the substrate G is supplied to the heating / cooling unit (H
P / COL) 48, and the first heating unit (HP) performs baking (pre-bake) after coating (step S9), and then cools to a constant substrate temperature by the cooling unit (COL) (step S9). Step S10). In addition,
The heating unit (HP) 50 can be used for baking after the application.

【0035】上記塗布処理の後、基板Gは、塗布プロセ
ス部24の主搬送装置54と現像プロセス部26の主搬
送装置60とによってインタフェース部(I/F)14
へ搬送され、そこから露光装置に渡される(ステップS
11)。露光装置では基板G上のレジストに所定の回路パ
ターンを露光される。そして、パターン露光を終えた基
板Gは、露光装置からインタフェース部(I/F)14
に戻される。インタフェース部(I/F)14の搬送機
構59は、露光装置から受け取った基板Gをイクステン
ション57を介してプロセスステーション(P/S)1
2の現像プロセス部26に渡す(ステップS11)。
After the coating process, the substrate G is transferred to the interface (I / F) 14 by the main transfer device 54 of the coating process unit 24 and the main transfer device 60 of the development process unit 26.
To the exposure apparatus from there (step S
11). The exposure device exposes a resist on the substrate G to a predetermined circuit pattern. Then, the substrate G after the pattern exposure is transferred from the exposure apparatus to the interface unit (I / F) 14.
Is returned to. The transfer mechanism 59 of the interface unit (I / F) 14 transfers the substrate G received from the exposure apparatus via the extension 57 to the process station (P / S) 1.
(Step S11).

【0036】現像プロセス部26において、基板Gは、
現像ユニット(DEV)52のいずれか1つで現像処理
を受け(ステップS12)、次いで加熱/冷却ユニット
(HP/COL)55の1つに順次搬入され、最初の加
熱ユニット(HP)ではポストベーキングが行われ(ス
テップS13)、次に冷却ユニット(COL)で一定の基
板温度まで冷却される(ステップS14)。このポストベ
ーキングに加熱ユニット(HP)53を用いることもで
きる。
In the developing process section 26, the substrate G
One of the developing units (DEV) 52 undergoes a developing process (step S12), and then is sequentially loaded into one of the heating / cooling units (HP / COL) 55, and is post-baked in the first heating unit (HP). Is performed (step S13), and then cooled to a certain substrate temperature by the cooling unit (COL) (step S14). A heating unit (HP) 53 can be used for this post-baking.

【0037】現像プロセス部26での一連の処理が済ん
だ基板Gは、プロセスステーション(P/S)24内の
搬送装置60,54,38によりカセットステーション
(C/S)10まで戻され、そこで搬送機構20により
いずれか1つのカセットCに収容される(ステップS
1)。
The substrate G that has been subjected to a series of processes in the developing process section 26 is returned to the cassette station (C / S) 10 by the transfer devices 60, 54, and 38 in the process station (P / S) 24. Stored in one of the cassettes C by the transport mechanism 20 (step S
1).

【0038】この塗布現像処理システムにおいては、洗
浄プロセス部22の紫外線照射ユニット(UV)に本発
明を適用することができる。以下、図3〜図11につき
本発明を紫外線照射ユニット(UV)に適用した実施形
態を説明する。
In this coating and developing system, the present invention can be applied to the ultraviolet irradiation unit (UV) of the cleaning process section 22. Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to an ultraviolet irradiation unit (UV) will be described with reference to FIGS.

【0039】図3に示すように、本発明の一実施形態に
よる紫外線照射ユニット(UV)は、下面に合成石英ガ
ラスからなる紫外線照射窓62を取付し、室内に複数本
(図示の例は3本)の円筒状紫外線ランプ64(1),6
4(2)‥‥,64(n)をランプの長手方向と直交する水平
方向に並べて収容してなるランプ室66と、このランプ
室66の下に隣接して設けられた洗浄処理室68とを有
する。
As shown in FIG. 3, an ultraviolet irradiation unit (UV) according to one embodiment of the present invention has an ultraviolet irradiation window 62 made of synthetic quartz glass attached to the lower surface, and a plurality of windows (in the illustrated example, 3). Book) cylindrical ultraviolet lamp 64 (1), 6
4 (2) ‥‥, 64 (n) are housed side by side in a horizontal direction orthogonal to the longitudinal direction of the lamp, and a cleaning chamber 68 provided adjacent to and below the lamp chamber 66. Having.

【0040】ランプ室66内において、各紫外線ランプ
64(1)〜64(n)はたとえば誘電体バリア放電ランプで
よく、後述するランプ電源部(120)より商用交流電
力の供給を受けて発光し、有機汚染の洗浄に好適な波長
172nmの紫外線(紫外エキシマ光)を放射する。各
紫外線ランプ64(1)〜64(n)の背後つまり上には横断
面円弧状の凹面反射鏡70が配置されており、各ランプ
64(1)〜64(n)より上方ないし側方に放射された紫外
線は直上の反射鏡凹面部で反射して紫外線照射窓62側
に向けられるようになっている。
In the lamp chamber 66, each of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) may be, for example, a dielectric barrier discharge lamp, and emits light when supplied with commercial AC power from a lamp power supply (120) described later. It emits ultraviolet light (ultraviolet excimer light) having a wavelength of 172 nm, which is suitable for cleaning organic contaminants. A concave reflecting mirror 70 having an arc-shaped cross section is disposed behind, that is, above, each of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n), and above or to the side of each of the lamps 64 (1) to 64 (n). The emitted ultraviolet light is reflected by the concave surface of the reflector just above and directed to the ultraviolet irradiation window 62 side.

【0041】ランプ室66内には、紫外線ランプ64
(1)〜64(n)をたとえば水冷方式で冷却する冷却ジャケ
ット(図示せず)や、紫外線を吸収する(ランプ発光効
率を悪化させる)酸素の室内への進入を防止するための
不活性ガスたとえばN2ガスを導入しかつ充満させるガ
ス流通機構(図示せず)等も設けられてよい。
An ultraviolet lamp 64 is provided in the lamp chamber 66.
A cooling jacket (not shown) for cooling (1) to 64 (n) by, for example, a water-cooling method, or an inert gas for preventing ultraviolet light absorbing (deteriorating lamp luminous efficiency) oxygen from entering the room. For example, a gas distribution mechanism (not shown) for introducing and filling N2 gas may be provided.

【0042】ランプ室66の両側には、紫外線洗浄処理
中に紫外線照射窓62の下面に沿って酸素または空気排
除用の不活性ガスたとえばN2ガスを流すための不活性
ガス噴射部72および不活性ガス吸い込み部74が設け
られている。
On both sides of the lamp chamber 66, an inert gas injection section 72 for flowing an inert gas for removing oxygen or air, such as N 2 gas, along the lower surface of the ultraviolet irradiation window 62 during the ultraviolet cleaning process, and an inert gas injection section 72 A gas suction section 74 is provided.

【0043】不活性ガス噴射部72は、図3においてラ
ンプ室66の右隣つまり後述する走査時のテーブル移動
方向(Y方向)において前方側に配置されており、紫外
線ランプ64(1)〜64(n)と平行に延在するガス配管7
6と、このガス配管76に一定の間隔を置いて一列に設
けられた多数の不活性ガス噴射口78と、ガス配管76
に不活性ガスを所定の流量および圧力で供給する不活性
ガス供給部80と、各不活性ガス噴射口78より噴射さ
れる不活性ガスを紫外線照射窓62の下に案内するガス
案内部材82とを有している。
The inert gas injection section 72 is disposed on the right side of the lamp chamber 66 in FIG. 3, that is, on the front side in the table moving direction (Y direction) during scanning, which will be described later, and has ultraviolet lamps 64 (1) to 64. Gas pipe 7 extending parallel to (n)
6, a large number of inert gas injection ports 78 provided in a line at regular intervals in the gas pipe 76,
An inert gas supply unit 80 for supplying an inert gas at a predetermined flow rate and a predetermined pressure, and a gas guide member 82 for guiding the inert gas injected from each inert gas injection port 78 below the ultraviolet irradiation window 62. have.

【0044】不活性ガス吸い込み部74は、図3におい
てランプ室66の左隣つまり走査時のテーブル移動方向
(Y方向)において後方側に配置されており、紫外線ラ
ンプ64(1)〜64(n)と平行に延在するガス配管84
と、このガス配管84に一定の間隔を置いて一列に設け
られた多数のガス吸気口86と、ガス配管84に負圧を
与えるとともに、流入したガスを排気するガス排気部8
8と、不活性ガス噴射部72より紫外線照射窓62の下
を流れて来た不活性ガスをガス吸気口86に向けて案内
するためのガス案内部材90とを有している。なお、ラ
ンプ室66に対して不活性ガス噴射部72および不活性
ガス吸い込み部74の配置位置を反対にしてもよい。
The inert gas suction section 74 is disposed on the left side of the lamp chamber 66 in FIG. 3, that is, on the rear side in the table moving direction (Y direction) during scanning, and has the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n). Gas pipe 84 extending parallel to
A large number of gas inlets 86 provided in a line at regular intervals in the gas pipe 84, and a gas exhaust unit 8 for applying a negative pressure to the gas pipe 84 and exhausting the gas that has flowed in.
8, and a gas guide member 90 for guiding the inert gas flowing below the ultraviolet irradiation window 62 from the inert gas injection unit 72 toward the gas inlet 86. The positions of the inert gas injection unit 72 and the inert gas suction unit 74 may be reversed with respect to the lamp chamber 66.

【0045】不活性ガス噴射部72および不活性ガス吸
い込み部74の外側に隣接して、この紫外線照射ユニッ
ト(UV)内の各部に所要の用力または制御信号を供給
するための用力供給部および制御部を収容するユーティ
リティ・ユニット92が設けられている。
A utility supply unit and a control unit for supplying a required utility or control signal to each unit in the ultraviolet irradiation unit (UV) adjacent to the outside of the inert gas injection unit 72 and the inert gas suction unit 74. A utility unit 92 for housing the unit is provided.

【0046】洗浄処理室68内には、基板Gを載置して
支持するための水平移動および昇降可能なステージ94
が設けられている。この実施形態では、ボールネジ96
を用いる自走式のステージ駆動部98の上にステージ9
4を垂直方向(図のZ方向)に昇降可能に搭載し、ステ
ージ駆動部98がボールネジ96およびこれと平行に延
在するガイド100に沿って図のY方向に、つまりラン
プ室66の真下をランプ配列方向と平行に横切るよう
に、可変制御可能な速度で往復移動できるように構成さ
れている。
A horizontally movable and vertically movable stage 94 for placing and supporting the substrate G is provided in the cleaning processing chamber 68.
Is provided. In this embodiment, the ball screw 96
Stage 9 on a self-propelled stage drive 98 using
4 is mounted so as to be able to move up and down in the vertical direction (Z direction in the figure). It is configured to be able to reciprocate at a variable controllable speed so as to cross in parallel with the lamp arrangement direction.

【0047】ステージ94には、基板Gの搬入/搬出時
に基板Gを水平姿勢で担持するための複数本(たとえば
6本)のリフトピン102が垂直に貫通している。この
実施形態では、各リフトピン102が基板受け渡し用の
所定高さ位置で固定され、基板Gの搬入/搬出時には、
これらの固定リフトピン102に対してステージ94が
基板Gの搬入/搬出の邪魔にならない退避用の下限高さ
位置Hbとステージ94自ら基板Gを載置支持するため
の一点鎖線で示す上限高さ位置Haとの間で昇降機構
(図示せず)により昇降可能となっている。
A plurality of (for example, six) lift pins 102 for supporting the substrate G in a horizontal posture when loading / unloading the substrate G are vertically penetrated through the stage 94. In this embodiment, each lift pin 102 is fixed at a predetermined height position for substrate transfer, and when loading / unloading the substrate G,
With respect to these fixed lift pins 102, the lower limit height position Hb for retracting the stage 94 so as not to hinder the loading / unloading of the substrate G, and the upper limit height position indicated by a dashed line for placing and supporting the substrate G by itself. It is possible to move up and down with Ha by an elevating mechanism (not shown).

【0048】ステージ94は基板Gよりも一回り大きな
サイズに形成され、基板Gを載置する中心部付近の所定
領域(基板載置領域)94aには、基板Gを支持するた
めの多数の支持ピン(図示せず)や基板Gを吸引保持す
るための真空チャック吸引口(図示せず)が設けられて
いる。そして、図3において基板載置領域94aの右
隣、より詳細には図4に示すようにステージ往動方向
(Y方向)の前隣に位置するステージ右側端部94b上
には、ランプ室66からステージ94上の基板Gに照射
される紫外線の照度を測定するための光センサ104が
設けられている。
The stage 94 is formed to have a size slightly larger than the substrate G, and a predetermined area (substrate mounting area) 94a near the center where the substrate G is mounted has a large number of supports for supporting the substrate G. A pin (not shown) and a vacuum chuck suction port (not shown) for sucking and holding the substrate G are provided. In FIG. 3, a lamp chamber 66 is provided on the right side end 94b of the stage, which is located on the right side of the substrate mounting area 94a, more specifically, on the front side in the stage forward direction (Y direction) as shown in FIG. There is provided an optical sensor 104 for measuring the illuminance of the ultraviolet light applied to the substrate G on the stage 94 from above.

【0049】図3において、ステージ94のY方向原点
位置に隣接する洗浄処理室68の側璧には、固定リフト
ピン102の上端部に近い高さ位置にて基板Gを搬入/
搬出するための開閉可能なシャッタ(扉)106が取り
付けられている。このシャッタ106は洗浄プロセス部
22の搬送路36(図1)に面しており、搬送路36上
から主搬送装置38が開状態のシャッタ104を通って
洗浄処理室68内への基板Gの搬入・搬出を行えるよう
になっている。
In FIG. 3, the substrate G is loaded / unloaded into the side wall of the cleaning chamber 68 adjacent to the origin position of the stage 94 in the Y direction at a height near the upper end of the fixed lift pins 102.
An openable and closable shutter (door) 106 for carrying out is mounted. The shutter 106 faces the transport path 36 (FIG. 1) of the cleaning process unit 22, and the substrate G is transferred from the transport path 36 into the cleaning processing chamber 68 through the shutter 104 in which the main transport device 38 is open. Loading and unloading can be performed.

【0050】洗浄処理室68の側璧または底面には1つ
または複数の排気口108が設けられており、各排気口
108は排気管110を介して排気ダクト等の排気系統
(図示せず)に接続されている。また、洗浄処理室68
の適当な箇所に外気吸い込み口(図示せず)が設けられ
てよい。
One or more exhaust ports 108 are provided on the side wall or bottom surface of the cleaning processing chamber 68, and each exhaust port 108 is connected to an exhaust system such as an exhaust duct (not shown) via an exhaust pipe 110. It is connected to the. Further, the cleaning processing chamber 68
An outside air suction port (not shown) may be provided at an appropriate place in the apparatus.

【0051】図5に、この紫外線照射ユニット(UV)
における制御系の構成を示す。制御部112は、マイク
ロコンピュータおよび所要の周辺回路で構成されてよ
く、内蔵のメモリには本ユニット内の各部および全体を
制御するための所要のプログラムを格納しており、適当
なインタフェースを介して、本塗布現像処理システムの
全体的な処理手順を統括するメインコントローラ(図示
せず)や本紫外線照射ユニット(UV)内の制御系の各
部に接続されている。
FIG. 5 shows the ultraviolet irradiation unit (UV)
3 shows the configuration of the control system. The control unit 112 may be composed of a microcomputer and necessary peripheral circuits, and a built-in memory stores necessary programs for controlling each unit in the unit and the whole, and via an appropriate interface It is connected to a main controller (not shown) that controls the overall processing procedure of the present coating and developing processing system and to various parts of a control system in the present ultraviolet irradiation unit (UV).

【0052】この実施形態において、制御部112と関
係する本紫外線照射ユニット(UV)内の主要な部分
は、シャッタ106を開閉駆動するためのシャッタ駆動
部114、ステージ94をZ方向で昇降駆動するための
ステージ昇降駆動部116、ステージ94をY方向で水
平駆動または走査駆動するための走査駆動部118、ラ
ンプ室66内の紫外線ランプ64(1)〜64(n)を点灯駆
動するためのランプ電源部120、ランプ室66の紫外
線照射窓62の下に不活性ガスの流れをつくるための不
活性ガス流駆動部122、装置内の各部の状態または状
態量を検出するためのセンサ類124等である。
In this embodiment, a main part in the ultraviolet irradiation unit (UV) related to the control unit 112 drives a shutter drive unit 114 for opening and closing the shutter 106 and a stage 94 in the Z direction. Raising and lowering drive unit 116 for scanning, driving unit 118 for horizontally or scanningly driving stage 94 in the Y direction, and lamp for lighting and driving ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in lamp chamber 66. A power supply section 120, an inert gas flow driving section 122 for creating an inert gas flow below the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66, sensors 124 for detecting the state or state quantity of each section in the apparatus, and the like. It is.

【0053】ステージ昇降駆動部116および走査駆動
部118はそれぞれの駆動源としてたとえばサーボモー
タを有し、ステージ駆動部98内に設けられる。不活性
ガス流駆動部122は、不活性ガス噴射部72の不活性
ガス供給部80および不活性ガス吸い込み部74のガス
排気部88にそれぞれ設けられる開閉弁を開閉駆動す
る。センサ類112には、ステージ94の右側端部94
bに設置されている上記光センサ104が含まれる。
The stage elevating drive unit 116 and the scanning drive unit 118 have, for example, servo motors as respective drive sources, and are provided in the stage drive unit 98. The inert gas flow drive unit 122 opens and closes the on-off valves provided in the inert gas supply unit 80 of the inert gas injection unit 72 and the gas exhaust unit 88 of the inert gas suction unit 74, respectively. The sensors 112 include a right end 94 of the stage 94.
b includes the above-mentioned optical sensor 104.

【0054】図6に、この紫外線照射ユニット(UV)
においてランプ室66よりステージ94上の基板Gに照
射される紫外線の照度を所定値に調整するための照度調
整部の構成を示す。この照度調整部において、光センサ
104およびステージ昇降駆動部116を除く部分12
8〜138は制御部112に含まれる。
FIG. 6 shows the ultraviolet irradiation unit (UV)
3 shows the configuration of an illuminance adjustment unit for adjusting the illuminance of ultraviolet light emitted from the lamp chamber 66 to the substrate G on the stage 94 to a predetermined value. In this illuminance adjustment unit, a part 12 excluding the optical sensor 104 and the stage elevation drive unit 116
8 to 138 are included in the control unit 112.

【0055】光センサ104の出力信号(たとえば光電
流)は照度測定回路128に入力される。照度測定回路
128は、光センサ104の出力信号の値と光センサ1
04の受光面と基板Gの表面との間の高さ位置のオフセ
ットdとを変数としてステージ94上の基板Gの表面に
おける紫外線照度の測定値(または推定値でもよい)E
を所要の信号処理または演算処理で求める。ここで、ス
テージ94の基板載置面94aを基準面として、光セン
サ104の受光面の高さ位置Shは一定であり、基板G
の板厚Gtはこの塗布現像処理システムで現在流れてい
る(処理を受けている)被処理基板に関する条件データ
または属性データの1つとして板厚設定部130にセッ
トされる。したがって、上記の高さ位置オフセットdは
d=Gt−Shで与えられる。
An output signal (for example, a photocurrent) of the optical sensor 104 is input to the illuminance measuring circuit 128. The illuminance measurement circuit 128 determines the value of the output signal of the optical sensor 104 and the value of the optical sensor 1.
The measured value (or may be an estimated value) of the ultraviolet illuminance E on the surface of the substrate G on the stage 94 using the offset d of the height position between the light receiving surface of the substrate G and the surface of the substrate G as a variable.
Is obtained by required signal processing or arithmetic processing. Here, the height position Sh of the light receiving surface of the optical sensor 104 is constant with the substrate mounting surface 94a of the stage 94 as a reference surface.
Is set in the thickness setting section 130 as one of condition data or attribute data relating to the substrate to be processed which is currently flowing (being processed) in the coating and developing system. Therefore, the height position offset d is given by d = Gt-Sh.

【0056】照度測定回路128より得られた紫外線照
度測定値Eは、照度比較部132に与えられる。照度比
較部132は、紫外線照度測定値Eを基準照度設定部1
34からの基準照度Esと比較し、両者の差分つまり誤
差δEを求める。ここで、基準照度Esは、所定の走査
速度の下で所望の紫外線洗浄効果を保証できる適当な照
度に設定されてよい。
The ultraviolet illuminance measured value E obtained from the illuminance measuring circuit 128 is given to the illuminance comparing section 132. The illuminance comparison unit 132 compares the ultraviolet illuminance measurement value E with the reference illuminance setting unit 1.
Then, the difference between the two is compared with the reference illuminance Es from E.34, that is, the error δE is obtained. Here, the reference illuminance Es may be set to an appropriate illuminance that can guarantee a desired ultraviolet light cleaning effect at a predetermined scanning speed.

【0057】ステージ昇降制御部136は、照度比較部
132からの照度誤差δEに応じて、その誤差δEを零
に近づけるようにステージ昇降駆動部116を駆動制御
してステージ94の基板載置用高さ位置Haを変える。
これにより、照度測定回路128より得られる紫外線照
度測定値Eが基準照度Esに一致したところで、ステー
ジ高さ位置の可変調整が停止するようになっている。
The stage elevation control unit 136 drives and controls the stage elevation drive unit 116 in accordance with the illuminance error δE from the illuminance comparison unit 132 so that the error δE approaches zero, and controls the height of the stage 94 for mounting the substrate. Change the position Ha.
Thus, when the measured ultraviolet illuminance E obtained from the illuminance measurement circuit 128 matches the reference illuminance Es, the variable adjustment of the stage height position is stopped.

【0058】ただし、ステージ昇降制御部136は、所
定の位置センサ(図示せず)等からのステージ高さ位置
を表す位置情報と、板厚設定部130からの基板板厚
(Gt)データとからステージ94上の基板Gとランプ
室66の紫外線照射窓62との間の間隔Dをモニタする
とともに、この間隔Dについて最大/最小間隔設定部1
38より最大値Dmaxおよび最小値Dminのデータを受け
取る。そして、照度比較部132からの照度誤差δEに
応じてステージ94の高さ位置を変えていく過程で間隔
Dが最大値Dmax(たとえば7mm)または最小値Dmin
(たとえば3mm)に達したときは、そこで強制的にス
テージ94の高さ調整を停止して、間隔Dを最大値Dma
xまたは最小値Dminに制限または固定保持するようにな
っている。
However, the stage elevating control unit 136 obtains the position information indicating the stage height position from a predetermined position sensor (not shown) or the like and the substrate thickness (Gt) data from the thickness setting unit 130. The distance D between the substrate G on the stage 94 and the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66 is monitored.
38, the data of the maximum value Dmax and the minimum value Dmin is received. Then, in the process of changing the height position of the stage 94 according to the illuminance error δE from the illuminance comparison unit 132, the interval D becomes the maximum value Dmax (for example, 7 mm) or the minimum value Dmin.
(For example, 3 mm), the height adjustment of the stage 94 is forcibly stopped there, and the interval D is set to the maximum value Dma.
x or the minimum value Dmin is limited or fixedly held.

【0059】図7に、この紫外線照射ユニット(UV)
における主要な動作手順を示す。先ず、上記メインコン
トローラからの指示を受けて制御部112を含めてユニ
ット内の各部を初期化する(ステップA1)。この初期
化の中で、ステージ94は、Y方向ではシャッタ106
に近接する所定の原点位置に位置決めされ、Z方向では
退避用の高さ位置(Hb)に降ろされる。
FIG. 7 shows the ultraviolet irradiation unit (UV)
The main operation procedure in is shown. First, upon receiving an instruction from the main controller, each unit in the unit including the control unit 112 is initialized (step A1). During this initialization, the stage 94 moves the shutter 106 in the Y direction.
Is located at a predetermined origin position close to, and is lowered to a retreat height position (Hb) in the Z direction.

【0060】主搬送装置38(図1)がカセットステー
ション(C/S)10から処理前の基板Gを本紫外線照
射ユニット(UV)の前まで搬送してくると、制御部1
12は主搬送装置38と基板Gの受け渡しをするように
該当の各部を制御する(ステップA2)。
When the main transfer device 38 (FIG. 1) transfers the unprocessed substrate G from the cassette station (C / S) 10 to a position before the main ultraviolet irradiation unit (UV), the controller 1
Numeral 12 controls the respective units so as to transfer the substrate G to and from the main transfer device 38 (step A2).

【0061】より詳細には、先ずシャッタ駆動部114
を制御してシャッタ106を開けさせる。主搬送装置3
8は一対の搬送アームを有しており、一方の搬送アーム
に洗浄前の基板Gを載せ、他方の搬送アームを空き(基
板無し)状態にしてくる。本紫外線照射ユニット(U
V)内に洗浄済みの基板Gがないときは、洗浄前の基板
Gを支持する方の搬送アームをそのまま開状態のシャッ
タ106を通って洗浄処理室68内に伸ばし、その未洗
浄基板Gを固定リフトピン102の上に移載する。本紫
外線照射ユニット(UV)内に洗浄済みの基板Gが有る
ときは、最初に空の搬送アームでその洗浄済みの基板G
を搬出してから、未洗浄の基板Gを上記と同様にして搬
入する。上記のようにして本紫外線照射ユニット(U
V)で紫外線洗浄処理を受けるべき基板Gが主搬送装置
38により固定リフトピン102の上に搬入載置された
なら、シャッタ106を閉める。
More specifically, first, the shutter driving unit 114
To open the shutter 106. Main transfer device 3
Numeral 8 has a pair of transfer arms. The substrate G before cleaning is placed on one of the transfer arms, and the other transfer arm is made empty (no substrate). This ultraviolet irradiation unit (U
When there is no cleaned substrate G in V), the transfer arm supporting the substrate G before cleaning is directly extended into the cleaning processing chamber 68 through the shutter 106 in the open state, and the uncleaned substrate G is removed. It is mounted on the fixed lift pins 102. If there is a cleaned substrate G in the ultraviolet irradiation unit (UV), first, the cleaned substrate G is emptied by an empty transfer arm.
Is carried out, and the uncleaned substrate G is carried in in the same manner as described above. As described above, the ultraviolet irradiation unit (U
In step V), when the substrate G to be subjected to the ultraviolet cleaning process is loaded and mounted on the fixed lift pins 102 by the main transfer device 38, the shutter 106 is closed.

【0062】次いで、制御部112は、ステージ昇降駆
動部116を制御してステージ94を基板載置用の基準
高さ位置Ha0まで上昇させる(ステップA3)。この
際、ステージ94の上昇する間に真空チャック部の吸引
を開始させ、ステージ94が基板載置用の基準高さ位置
Ha0に到達すると同時に基板Gを吸引保持できるように
してよい。なお、基板載置用の基準高さ位置Ha0と固定
リフトピン102の先端の高さ位置との間に適当なマー
ジンが設定されてよい。
Next, the control section 112 controls the stage up / down drive section 116 to raise the stage 94 to the reference height position Ha0 for mounting the substrate (step A3). At this time, the suction of the vacuum chuck portion may be started while the stage 94 moves up, so that the substrate G can be sucked and held at the same time when the stage 94 reaches the reference height position Ha0 for mounting the substrate. Note that an appropriate margin may be set between the reference height position Ha0 for mounting the substrate and the height position of the tip of the fixed lift pin 102.

【0063】次に、制御部112は、ランプ電源部12
0を制御して紫外線ランプ64(1)〜64(n)を点灯させ
るとともに(ステップA4)、不活性ガス流駆動部12
2を制御して不活性ガス噴射部72および不活性ガス吸
い込み部74を作動させる(ステップA5)。これによ
り、ランプ室66の右側の不活性ガス噴射部72が紫外
線照射窓62の下に向けて不活性ガス(N2ガス)を送
り込み、ランプ室66の左側または下流側で不活性ガス
吸い込み部74が不活性ガスを吸い込むことにより、紫
外線照射窓62の下面に沿ってステージ移動方向(Y方
向)と平行に不活性ガスの流れ(フロー)が形成され
る。
Next, the controller 112 controls the lamp power supply 12
0 to control the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) (step A4).
2 to control the inert gas injection unit 72 and the inert gas suction unit 74 (step A5). As a result, the inert gas injection section 72 on the right side of the lamp chamber 66 feeds the inert gas (N2 gas) below the ultraviolet irradiation window 62, and the inert gas suction section 74 on the left side or downstream side of the lamp chamber 66. Sucks the inert gas, whereby an inert gas flow is formed along the lower surface of the ultraviolet irradiation window 62 in parallel with the stage moving direction (Y direction).

【0064】次に、制御部112は、紫外線洗浄処理
(ステップA7)に入る前に照度調整を行う(ステップ
A6)。
Next, the control unit 112 performs illuminance adjustment (step A6) before starting the ultraviolet cleaning process (step A7).

【0065】図8に、一実施例による照度調整の手順を
示す。先ず、ランプ室66に対して照度測定用光センサ
104の位置合わせが必要であればこれを行う(ステッ
プB1)。たとえば、図3のY方向原点位置ではステー
ジ右側端部94b上の光センサ104が紫外線照射窓6
2直下の紫外線照射領域から外れるようであれば、ステ
ージ94をY方向に幾らか移動させて光センサ104を
該紫外線照射領域の中に入れるようにしてよい。また、
Z方向においては、上記基板載置用の基準高さ位置Ha0
とは異なる照度調整用の基準位置Ha1を設定し、ステー
ジ94をその高さ位置Ha1に合わせることも可能であ
る。
FIG. 8 shows a procedure for adjusting the illuminance according to one embodiment. First, if it is necessary to position the illuminance measuring optical sensor 104 with respect to the lamp chamber 66, this is performed (step B1). For example, at the origin position in the Y direction in FIG.
If it is deviated from the ultraviolet irradiation area immediately below the position 2, the stage 94 may be moved somewhat in the Y direction so that the optical sensor 104 is inserted into the ultraviolet irradiation area. Also,
In the Z direction, the reference height position Ha0 for mounting the substrate
It is also possible to set a reference position Ha1 for illuminance adjustment different from that described above, and adjust the stage 94 to the height position Ha1.

【0066】上記のようにランプ室66に対して光セン
サ104を所定位置にセットしたうえで、上記照度制御
部(図6)における照度測定回路128および板厚設定
部130によりステージ94上の基板Gに対する紫外線
の照度を測定する(ステップB2)。次いで、照度比較
部132および基準照度設定部134により基準照度E
sに対する照度測定値Eの誤差δE(δE=Es−E)を
求める(ステップB3)。
After setting the optical sensor 104 at a predetermined position with respect to the lamp chamber 66 as described above, the illuminance measuring circuit 128 and the thickness setting unit 130 in the illuminance control unit (FIG. 6) set the substrate on the stage 94. The illuminance of the ultraviolet rays with respect to G is measured (step B2). Next, the reference illuminance E is set by the illuminance comparison unit 132 and the reference illuminance setting unit 134.
An error δE (δE = Es−E) of the illuminance measurement value E with respect to s is obtained (step B3).

【0067】そして、ステージ昇降制御部136が、こ
の誤差δEの極性および絶対値を判定し(ステップB
4)、ステージ昇降駆動部116を制御してステージ9
4の高さ位置を選択的に可変調整する(ステップB5〜
B11)。
Then, the stage elevation control unit 136 determines the polarity and absolute value of the error δE (step B).
4) The stage 9 is controlled by controlling the
4 is selectively variably adjusted (steps B5 to B5).
B11).

【0068】この実施例では、δE<0のとき、つまり
照度測定値Eが基準照度Esよりも大きいときは、原則
的にはステージ高さ位置Haを所定ピッチ(たとえば
0.1mm)だけ下げて紫外線照射窓62とステージ9
4上の基板Gとの間隔Dを当該ピッチだけ広げ(ステッ
プB6)、それから照度測定に戻る(ステップB12,B
2)。しかし、間隔Dが最大/最小間隔設定部138よ
り与えられる最大値Dmaxに達しているか、これを越え
るようであるときは、間隔Dが最大値Dmaxに止まる高
さ位置でステージ94を固定する(ステップB8)。通
常、間隔Dが最大値Dmax付近に調整されるのは、ラン
プ室66側のランプ輝度が最大のとき、つまり紫外線ラ
ンプ62(1)〜62(n)の使用開始直後または交換直後で
ある。
In this embodiment, when δE <0, that is, when the illuminance measurement value E is larger than the reference illuminance Es, the stage height position Ha is basically lowered by a predetermined pitch (for example, 0.1 mm). UV irradiation window 62 and stage 9
The distance D from the substrate G on the substrate 4 is widened by the pitch (step B6), and the process returns to the illuminance measurement (steps B12 and B
2). However, when the interval D has reached or exceeds the maximum value Dmax provided by the maximum / minimum interval setting unit 138, the stage 94 is fixed at a height position where the interval D stops at the maximum value Dmax ( Step B8). Usually, the interval D is adjusted to the vicinity of the maximum value Dmax when the lamp brightness on the lamp chamber 66 side is the maximum, that is, immediately after the use of the ultraviolet lamps 62 (1) to 62 (n) is started or immediately after replacement.

【0069】また、δE>0のとき、つまり照度測定値
Eが基準照度Esより小さいときは、原則的にはステー
ジ高さ位置Haを所定ピッチ(たとえば0.1mm)だ
け上げて紫外線照射窓62とステージ94上の基板Gと
の間隔Dを当該ピッチだけ狭め(ステップB10)、それ
から照度測定に戻る(ステップB12,B2)。しかし、
間隔Dが最大/最小間隔設定部138より与えられる最
小値Dminに達しているか、これを割るようであるとき
は、間隔Dが最小値Dminに止まる高さ位置にステージ
94を固定する(ステップB11)。さらに、このように
間隔Dが最小値Dminに調整されるのは、ランプ室66
における紫外線ランプ62(1)〜62(n)の輝度が経時劣
化等により相当低下しているときであるから、ランプ交
換等のメンテナンスを促すためのアラームを発してもよ
い(ステップB11)。また、そのようなアラームを発し
た場合は、紫外線洗浄処理を中止してもよい。
When δE> 0, that is, when the measured illuminance value E is smaller than the reference illuminance Es, the stage height position Ha is raised by a predetermined pitch (for example, 0.1 mm) in principle and the ultraviolet irradiation window 62 is increased. The distance D between the target and the substrate G on the stage 94 is narrowed by the pitch (step B10), and then the process returns to the illuminance measurement (steps B12 and B2). But,
If the interval D has reached the minimum value Dmin provided by the maximum / minimum interval setting section 138 or is likely to divide it, the stage 94 is fixed at a height position where the interval D stops at the minimum value Dmin (step B11). ). Further, the interval D is adjusted to the minimum value Dmin in this manner because the lamp chamber 66
Since the brightness of the ultraviolet lamps 62 (1) to 62 (n) in FIG. 6 is considerably reduced due to deterioration over time or the like, an alarm may be issued to prompt maintenance such as lamp replacement (step B11). When such an alarm is issued, the ultraviolet cleaning process may be stopped.

【0070】照度測定値Eが基準照度Esに一致すると
き(δE=0)は、ステージ94の高さ位置Haを変え
ずに照度測定に戻る(ステップB5,B2)。なお、基準
照度Esの値に適当な幅または範囲を持たせ、照度測定
値Eがその範囲内に収まるときは両者一致(δE=0)
とみなすことも可能である。
When the measured illuminance value E matches the reference illuminance Es (δE = 0), the process returns to the illuminance measurement without changing the height position Ha of the stage 94 (steps B5 and B2). The value of the reference illuminance Es is given an appropriate width or range, and when the illuminance measurement value E falls within the range, the two coincide (δE = 0).
It is also possible to regard as.

【0071】この実施例では、照度測定値Eが基準照度
Esに一致するまでフィードバックをかけるため、精度
の高い照度調整を行うことができる。しかし、照度比較
部132からの比較誤差δEに応じた間隔またはステー
ジ高さ位置の調整目標値を演算し、その調整目標値に到
達するようにステージ94の高さ位置をオープンループ
制御で調整することも可能である。
In this embodiment, feedback is applied until the measured illuminance value E matches the reference illuminance Es, so that highly accurate illuminance adjustment can be performed. However, an adjustment target value of the interval or the stage height position according to the comparison error δE from the illuminance comparison unit 132 is calculated, and the height position of the stage 94 is adjusted by open loop control so as to reach the adjustment target value. It is also possible.

【0072】上記のような照度調整(ステップA6)が
行われている間、紫外線照射窓62とステージ右側端部
94bとの隙間Pには後述する紫外線照射洗浄処理のと
きとほぼ同じ条件で不活性ガス噴射部72から不活性ガ
ス吸い込み部74に向けて不活性ガス(N2ガス)が流
れる。この不活性ガスの流れF(図3)は隙間Pから空
気、特に酸素を効果的に排除する働きがある。これによ
り、ランプ室66の紫外線照射窓62より垂直下方に放
射された紫外線(紫外エキシマ光)が光センサ104の
受光面に到達するまでに酸素に吸収されて減衰する度合
いが大幅に軽減され、不活性ガスの流れがないときと比
較して同じ間隔Dでのステージ上の照度は大きく向上す
る。なお、不活性ガスの流れFは、ステージ側よりは紫
外線照射窓62側に寄って流れるのが好ましい。
During the above-described illuminance adjustment (step A6), the gap P between the ultraviolet irradiation window 62 and the right end 94b of the stage is not subjected to the same conditions as in the ultraviolet irradiation cleaning process described later. An inert gas (N2 gas) flows from the active gas injection unit 72 to the inert gas suction unit 74. The flow F of the inert gas (FIG. 3) has a function of effectively removing air, particularly oxygen, from the gap P. Thereby, the degree of absorption of ultraviolet rays (ultraviolet excimer light) emitted vertically downward from the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66 by the oxygen before reaching the light receiving surface of the optical sensor 104 is greatly reduced, and The illuminance on the stage at the same interval D is greatly improved as compared with the case where there is no flow of the inert gas. The flow F of the inert gas preferably flows closer to the ultraviolet irradiation window 62 than to the stage.

【0073】上記のような照度調整(ステップA6)の
後に、ステージ96上の基板Gに対する紫外線洗浄処理
が実行される(ステップA7)。この紫外線照射洗浄処
理を行うため、制御部112はステージ駆動部98内の
走査駆動部118によりステージ94を原点位置と点線
94’で示す往動位置との間でY方向に片道移動または
往復移動させる。このステージ移動では、ステージ94
がランプ室66の真下を先の照度調整(ステップA6)
で決定された高さ位置でY方向に横切ることで、ランプ
室66の紫外線照射窓62よりほぼ垂直下方に向けて放
射される波長172nmの紫外線が基板Gを基準照度に
ほぼ等しい照度で照射しながらステージ移動方向(Y方
向)とは逆方向に基板の一端から他端まで走査する。
After the illuminance adjustment (Step A6) as described above, an ultraviolet cleaning process is performed on the substrate G on the stage 96 (Step A7). To perform this ultraviolet irradiation cleaning process, the control unit 112 causes the scanning drive unit 118 in the stage drive unit 98 to move the stage 94 one-way or reciprocate in the Y direction between the origin position and the forward movement position indicated by the dotted line 94 ′. Let it. In this stage movement, the stage 94
Adjusts the illuminance immediately below the lamp chamber 66 (step A6)
Traverses in the Y direction at the height position determined by the above, the ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm emitted from the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66 substantially vertically downward irradiate the substrate G with illuminance substantially equal to the reference illuminance. While scanning from one end to the other end of the substrate in the direction opposite to the stage movement direction (Y direction).

【0074】このように基板Gに対して波長172nm
の紫外線が照射されることにより、基板表面付近に存在
している酸素が該紫外線によりオゾンO3に変わり、さ
らにこのオゾンO3が該紫外線によって励起され酸素原
子ラジカルO*が生成される。この酸素原子ラジカルに
より、基板Gの表面に付着している有機物が二酸化炭素
と水とに分解して基板表面から除去される。分解・気化
した有機物は排気口108から排気される。
As described above, the wavelength of the substrate G is 172 nm.
Is irradiated, the oxygen existing near the substrate surface is changed into ozone O3 by the ultraviolet light, and the ozone O3 is excited by the ultraviolet light to generate oxygen atom radicals O *. Due to the oxygen atom radicals, organic substances attached to the surface of the substrate G are decomposed into carbon dioxide and water and removed from the substrate surface. The decomposed and vaporized organic matter is exhausted from the exhaust port 108.

【0075】このような走査式の紫外線洗浄処理におい
て、基板Gに対する紫外線の照射量または積算光量はス
テージ94の移動速度(走査速度)に反比例する。つま
り、走査速度Fを速くするほど基板Gに対する紫外線照
射時間が短くなって紫外線照射量は少なくなり、反対に
走査速度を遅くするほど基板Gに対する紫外線照射時間
が長くなって紫外線照射量は多くなる。一定の限度内
で、紫外線照射量が多いほど、基板Gの表面から除去さ
れる有機物も多くなる。
In such a scanning type ultraviolet cleaning process, the irradiation amount or the integrated light amount of the ultraviolet ray to the substrate G is inversely proportional to the moving speed (scanning speed) of the stage 94. That is, as the scanning speed F increases, the ultraviolet irradiation time on the substrate G decreases and the amount of ultraviolet irradiation decreases. On the contrary, as the scanning speed decreases, the ultraviolet irradiation time on the substrate G increases and the amount of ultraviolet irradiation increases. . Within a certain limit, the larger the amount of ultraviolet irradiation, the more organic substances are removed from the surface of the substrate G.

【0076】この実施形態では、上記のように照度調整
(ステップA6)でランプ室66よりステージ94上の
基板Gに与えられる紫外線の照度を基準照度付近の値に
調整してから、上記のような走査式の紫外線洗浄処理
(ステップA7)を行うので、ランプ室66における紫
外線ランプ64(1)〜64(n)の輝度が経時劣化等により
低下しても紫外線照射時間および走査速度を設定値に保
ったまま(したがってスループットを下げることな
く)、良好な洗浄処理品質を維持できる。
In this embodiment, the illuminance of the ultraviolet light applied to the substrate G on the stage 94 from the lamp chamber 66 is adjusted to a value near the reference illuminance in the illuminance adjustment (step A6) as described above. Since the scanning-type ultraviolet cleaning process (Step A7) is performed, even if the luminance of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 is reduced due to aging, the ultraviolet irradiation time and the scanning speed are set to the set values. , And good cleaning process quality can be maintained.

【0077】また、紫外線洗浄処理中には、図9に示す
ように、不活性ガス噴射部72および不活性ガス吸い込
み部74によりランプ室66の紫外線照射窓62とステ
ージ94上の基板Gとの間の隙間Pに不活性ガス(N2
ガス)の流れFが形成される。先の照度調整(ステップ
A6)のときと同様に、この不活性ガスの流れFは隙間
Pから空気、特に酸素を効果的に排除する働きがある。
なお、基板Gの表面付近に付着または浮遊している酸素
はそれほど排除されず、紫外線洗浄処理用のオゾンの生
成に必要な酸素は十分に確保される。
During the ultraviolet cleaning process, as shown in FIG. 9, the inert gas injection unit 72 and the inert gas suction unit 74 connect the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66 to the substrate G on the stage 94. Inert gas (N2
A flow F of gas) is formed. As in the case of the illuminance adjustment (step A6), the flow F of the inert gas has a function of effectively removing air, particularly oxygen, from the gap P.
Note that oxygen adhering or floating near the surface of the substrate G is not so much eliminated, and oxygen necessary for generation of ozone for ultraviolet cleaning processing is sufficiently secured.

【0078】このように不活性ガスの流れFにより隙間
Pから空気中の酸素が除去されることで、ランプ室66
の紫外線照射窓62より垂直下方に放射された紫外線
(紫外エキシマ光)がそれほど減衰せずに基板表面の各
部に到達することができる。このため、ランプ室66側
ではランプ投入電力をそのぶん低減できるとともに、ラ
ンプ64の寿命を延ばすことができる。さらに、紫外線
洗浄処理に付随して生成される紫外線反応生成物は不活
性ガスの流れFに巻き込まれるようにして不活性ガス吸
い込み部74に吸い込まれて外部へ排出されため、紫外
線照射窓62には付着し難いという利点もある。
As described above, the oxygen in the air is removed from the gap P by the flow F of the inert gas.
Ultraviolet rays (ultraviolet excimer light) emitted vertically downward from the ultraviolet irradiation window 62 can reach each part of the substrate surface without being attenuated so much. For this reason, in the lamp chamber 66, the lamp input power can be reduced by that much, and the life of the lamp 64 can be extended. Further, the ultraviolet ray reaction product generated in association with the ultraviolet ray cleaning process is drawn into the inert gas suction section 74 so as to be drawn into the inert gas flow F and discharged to the outside. Also has the advantage that it is difficult to adhere.

【0079】上記のようなステージ94上の基板Gに対
する走査式の紫外線洗浄処理が終了したなら、制御部1
12はランプ電源部120を制御して紫外線ランプ64
(1)〜64(n)を消灯させる(ステップA8)。そして、
直後に不活性ガス流駆動部122を制御して、紫外線照
射窓62直下の不活性ガスの流れFを止める(ステップ
A9)。
When the scanning type ultraviolet cleaning process for the substrate G on the stage 94 as described above is completed, the control unit 1
12 controls the lamp power supply unit 120 to control the ultraviolet lamp 64
(1) to 64 (n) are turned off (step A8). And
Immediately thereafter, the inert gas flow driving unit 122 is controlled to stop the flow F of the inert gas immediately below the ultraviolet irradiation window 62 (step A9).

【0080】次いで、制御部112はステージ94をス
タート位置に戻す(ステップA10)。この実施形態で
は、先ず走査駆動部118によりステージ94を復動さ
せ、次にY方向原点位置にて真空チャックをオフにして
からステージ昇降駆動部116によりステージ94を退
避用の高さ位置(Hb)まで降ろし、基板Gを固定リフ
トピン102に支持させる。こうして、1枚の基板Gに
対する本紫外線洗浄ユニット(UV)内の全工程が終了
し、主搬送装置38(図1)が来るのを待つ。
Next, the control section 112 returns the stage 94 to the start position (step A10). In this embodiment, first, the stage 94 is moved backward by the scanning drive unit 118, then the vacuum chuck is turned off at the origin position in the Y direction, and then the stage 94 is moved by the stage elevation drive unit 116 to the retreat height position (Hb). ), And the substrate G is supported by the fixed lift pins 102. In this way, all the steps in the main ultraviolet ray cleaning unit (UV) for one substrate G are completed, and the process waits for the arrival of the main transfer device 38 (FIG. 1).

【0081】上記した実施形態のように走査式で紫外線
洗浄処理を行う場合には、ステージ94上の照度測定用
の光センサ104がランプ室66の紫外線照射窓62を
通過する際に照度調整部(図6)の照度モニタ機能を働
かせて、紫外線照射窓62直下の紫外線照度(分布)を
測定ないし監視することも可能である。この照度モニタ
機能により、ランプ室66内の各紫外線ランプ64(1)
〜64(n)の輝度をステージ94側からモニタし、輝度
が異常に低いランプまたは点灯不能のランプを検出でき
る。
In the case where the ultraviolet cleaning process is performed in a scanning manner as in the above-described embodiment, the illuminance adjusting unit is used when the illuminance measuring optical sensor 104 on the stage 94 passes through the ultraviolet irradiation window 62 of the lamp chamber 66. It is also possible to measure or monitor the UV illuminance (distribution) immediately below the UV irradiation window 62 by operating the illuminance monitor function (FIG. 6). By this illuminance monitor function, each ultraviolet lamp 64 (1) in the lamp chamber 66 is
The luminance of ~ 64 (n) is monitored from the stage 94 side, and a lamp having an abnormally low luminance or a lamp which cannot be turned on can be detected.

【0082】上記した実施形態では、ランプ室66側を
固定し、ステージ94側を基板Gの表面と平行に移動さ
せる走査方式であった。しかし、ステージ94側を所定
位置で固定し、ランプ室66側を基板Gの表面と平行に
移動させる走査方式も可能である。
In the above-described embodiment, the scanning method is such that the lamp chamber 66 is fixed and the stage 94 is moved in parallel with the surface of the substrate G. However, a scanning method in which the stage 94 is fixed at a predetermined position and the lamp chamber 66 is moved in parallel with the surface of the substrate G is also possible.

【0083】また、紫外線走査のためのランプ室66と
ステージ94との相対移動を回転運動で実現することも
可能である。図10および図11に回転走査式の装置構
成例を示す。図中、上記した実施形態のものと同様の構
成または機能を有する部分には同一の符号を附してあ
る。この構成例では、ステージ駆動部140にステージ
昇降機構と回転機構(図示せず)を設け、紫外線照射処
理を行うときは該回転機構が作動してステージ94およ
び基板Gをステージ中心鉛直軸Oの回りに所定の速度で
回転移動させるようにしている。なお、ステージ94側
を固定し、ランプ室66側を回転移動させる構成も可能
である。
Further, the relative movement between the lamp chamber 66 and the stage 94 for ultraviolet ray scanning can be realized by a rotational movement. 10 and 11 show examples of the configuration of a rotary scanning apparatus. In the figure, parts having the same configuration or function as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals. In this configuration example, the stage driving unit 140 is provided with a stage elevating mechanism and a rotating mechanism (not shown). When performing the ultraviolet irradiation process, the rotating mechanism operates to move the stage 94 and the substrate G to the stage center vertical axis O. It rotates around at a predetermined speed. A configuration in which the stage 94 side is fixed and the lamp chamber 66 side is rotationally moved is also possible.

【0084】このような回転走査式によれば、ステージ
94またはランプ室66の平面的スペースは必要最小限
で済むので、装置スペースの小型化を実現できる。ま
た、図11に示すように、ランプ室66内の紫外線ラン
プ64(1)〜64(n)の所要長さ寸法を短くすることもで
きる。
According to such a rotary scanning method, the planar space of the stage 94 or the lamp chamber 66 can be kept to a minimum, so that the apparatus space can be reduced in size. Further, as shown in FIG. 11, the required length of the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n) in the lamp chamber 66 can be reduced.

【0085】上記した実施形態におけるランプ室66内
や洗浄処理室68内の構成、特に紫外線照射窓62、紫
外線ランプ64(1)〜64(n)、ステージ94、ステージ
駆動部98,140、照度調整部(図6)等の構成も一
例であり、各部について種々の変形が可能である。
The structure in the lamp chamber 66 and the cleaning processing chamber 68 in the above-described embodiment, particularly, the ultraviolet irradiation window 62, the ultraviolet lamps 64 (1) to 64 (n), the stage 94, the stage driving sections 98 and 140, the illuminance The configuration of the adjustment unit (FIG. 6) and the like is also an example, and various modifications can be made to each unit.

【0086】上記実施形態では、照度測定用の光センサ
104をステージ94上の基板Gに最近接する位置に配
置して、光センサ104の出力信号を基に基板Gにおけ
る紫外線照度を測定するので、精度の高い照度測定を行
うことができる。しかし、精度は落ちるが、そのような
照度測定用の光センサ104を他の場所、たとえばステ
ージ94の外側に配置することも可能であり、あるいは
ステージ94上の基板載置領域94a内に受光面を露出
させて埋設配置することも可能である。
In the above-described embodiment, the illuminance measuring optical sensor 104 is arranged at the position closest to the substrate G on the stage 94, and the ultraviolet illuminance on the substrate G is measured based on the output signal of the optical sensor 104. Highly accurate illuminance measurement can be performed. However, although the accuracy is reduced, it is also possible to dispose such an optical sensor 104 for measuring the illuminance in another place, for example, outside the stage 94, or to arrange the light receiving surface in the substrate mounting area 94a on the stage 94. May be exposed and buried.

【0087】上記実施形態では、ランプ室66とステー
ジ94との距離(照明距離)を可変調整するために、ラ
ンプ室66を固定配置し、ステージ94の高さ位置を可
変調整した。しかし、反対に、ステージ94の高さ位置
を固定し、ランプ室66の高さ位置を可変調整する構成
も可能であり、あるいは双方の位置をそれぞれ可変調整
する構成も可能である。
In the above embodiment, in order to variably adjust the distance (illumination distance) between the lamp chamber 66 and the stage 94, the lamp chamber 66 is fixedly arranged, and the height position of the stage 94 is variably adjusted. However, conversely, a configuration in which the height position of the stage 94 is fixed and the height position of the lamp chamber 66 is variably adjusted is possible, or a configuration in which both positions are variably adjusted is also possible.

【0088】上記実施形態では、ステージ94上に載置
される基板Gの板厚Gtに応じた照度測定ないしステー
ジ高さ位置調整を行うため、より精度の高い照度調整を
実現できる。しかし、精度は低くなるが、基板Gの板厚
Gtを無視してランプ室66とステージ94との距離
(照明距離)を可変調整しても、実用上十分な照度調整
が可能である。
In the above embodiment, the illuminance is measured or the stage height is adjusted in accordance with the thickness Gt of the substrate G placed on the stage 94, so that the illuminance can be adjusted with higher accuracy. However, although the accuracy is low, even if the distance (illumination distance) between the lamp chamber 66 and the stage 94 is variably adjusted ignoring the plate thickness Gt of the substrate G, practically sufficient illuminance adjustment is possible.

【0089】上記実施形態は、紫外線照射洗浄装置(U
V)に係わるものであった。しかし、本発明の基板処理
装置は、有機汚染の除去以外の目的で被処理基板に紫外
線を照射する処理にも適用可能である。たとえば、上記
したような塗布現像処理システムにおいて、ポストベー
キング(ステップS13)の後にレジストを硬化させる目
的で基板Gに紫外線を照射する工程に上記実施形態と同
様の紫外線照射装置を使用できる。本発明における被処
理基板はLCD基板に限らず、半導体ウエハ、CD基
板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能
である。
In the above embodiment, the ultraviolet irradiation cleaning device (U
V). However, the substrate processing apparatus of the present invention is also applicable to a process of irradiating a substrate to be processed with ultraviolet rays for a purpose other than the removal of organic contamination. For example, in the coating and developing system as described above, the same ultraviolet irradiating apparatus as in the above embodiment can be used in the step of irradiating the substrate G with ultraviolet rays for the purpose of curing the resist after the post-baking (step S13). The substrate to be processed in the present invention is not limited to the LCD substrate, but may be a semiconductor wafer, a CD substrate, a glass substrate, a photomask, a printed substrate, or the like.

【0090】[0090]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、紫外線照射処理において被処理基板に対
する紫外線の照度を適確に管理して、処理品質および効
率を安定に維持することができる。また、紫外線照射用
の窓部材を紫外線反応生成物から効果的に保護すること
もできる。
As described above, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the irradiance of the ultraviolet light to the substrate to be processed in the ultraviolet irradiation processing is properly controlled, and the processing quality and efficiency are stably maintained. Can be. In addition, the window member for ultraviolet irradiation can be effectively protected from ultraviolet reaction products.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の基板処理装置が適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a coating and developing processing system to which a substrate processing apparatus of the present invention can be applied.

【図2】実施形態の塗布現像処理システムにおける処理
の手順を示すフローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart illustrating a processing procedure in the coating and developing processing system according to the embodiment.

【図3】実施形態の紫外線照射ユニットの構成を示す斜
視図である。
FIG. 3 is a perspective view illustrating a configuration of an ultraviolet irradiation unit according to the embodiment.

【図4】実施形態の紫外線照射ユニットにおける照度測
定用光センサの取付構造を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing an attachment structure of an illuminance measurement optical sensor in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.

【図5】実施形態の紫外線照射ユニットの制御系の構成
を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration of a control system of the ultraviolet irradiation unit according to the embodiment.

【図6】実施形態の紫外線照射ユニットにおける照度調
整部の一構成例を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration example of an illuminance adjustment unit in the ultraviolet irradiation unit according to the embodiment.

【図7】実施形態の紫外線照射ユニットにおける主要な
動作手順を示すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart showing a main operation procedure in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.

【図8】実施形態の紫外線照射ユニットにおける照度調
整の手順を示すフローチャートである。
FIG. 8 is a flowchart illustrating a procedure of illuminance adjustment in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.

【図9】実施形態の紫外線照射ユニットにおいて紫外線
照射窓と基板との間の隙間に不活性ガスを流す方式の作
用を示す部分側面図である。
FIG. 9 is a partial side view showing an operation of a method of flowing an inert gas into a gap between an ultraviolet irradiation window and a substrate in the ultraviolet irradiation unit of the embodiment.

【図10】別の実施形態の紫外線照射ユニットの構成を
示す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view illustrating a configuration of an ultraviolet irradiation unit according to another embodiment.

【図11】別の実施形態の紫外線照射ユニットの要部を
示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view illustrating a main part of an ultraviolet irradiation unit according to another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

38 主搬送装置 UV 紫外線照射ユニット 62 紫外線照射窓(石英ガラス窓) 64(1),64(2),‥‥,64(n) 紫外線ランプ 66 ランプ室 68 洗浄処理室 72 不活性ガス噴射部 74 不活性ガス吸い込み部 94 ステージ 94a 基板載置領域 94b ステージ右側端部 98 ステージ駆動部 104 光センサ 112 制御部 116 ステージ昇降駆動部 118 走査駆動部 122 不活性ガス流駆動部 128 照度測定回路 130 板厚設定部 132 照度比較部 134 基準照度設定部 136 ステージ昇降制御部 138 最大/最小間隔設定部 140 ステージ駆動部 38 Main carrier unit UV UV irradiation unit 62 UV irradiation window (quartz glass window) 64 (1), 64 (2), ‥‥, 64 (n) UV lamp 66 Lamp room 68 Cleaning treatment room 72 Inert gas injection unit 74 Inert gas suction unit 94 Stage 94a Substrate mounting area 94b Right end of stage 98 Stage drive unit 104 Optical sensor 112 Control unit 116 Stage up / down drive unit 118 Scan drive unit 122 Inert gas flow drive unit 128 Illuminance measurement circuit 130 Plate thickness Setting unit 132 illuminance comparison unit 134 reference illuminance setting unit 136 stage elevation control unit 138 maximum / minimum interval setting unit 140 stage drive unit

フロントページの続き Fターム(参考) 5F031 CA02 CA05 FA01 FA07 FA12 GA47 GA48 GA50 HA13 HA33 HA57 HA58 HA59 JA02 JA05 JA13 JA32 JA45 LA12 MA02 MA03 MA23 NA04 NA16 5F046 HA03 MA13 Continued on the front page F term (reference) 5F031 CA02 CA05 FA01 FA07 FA12 GA47 GA48 GA50 HA13 HA33 HA57 HA58 HA59 JA02 JA05 JA13 JA32 JA45 LA12 MA02 MA03 MA23 NA04 NA16 5F046 HA03 MA13

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理基板に紫外線を照射して所定の処
理を行う基板処理装置において、 前記被処理基板を載置して支持する載置台と、 電力の供給を受けて紫外線を発するランプと紫外線を透
過させる窓部材とを有し、前記ランプより発せられた紫
外線を前記窓部材を介して前記載置台上の前記被処理基
板に照射する紫外線照射手段と、 前記紫外線照射手段からの紫外線を所定位置で受光して
前記紫外線の照度を測定する紫外線照度測定手段と、 前記紫外線照度測定手段より得られる紫外線照度測定値
に応じて前記紫外線照射手段と前記載置台との間の距離
を可変調整する照射距離調整手段とを具備する基板処理
装置。
1. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing by irradiating a substrate to be processed with ultraviolet light, comprising: a mounting table for mounting and supporting the substrate to be processed; and a lamp for receiving the supply of electric power and emitting ultraviolet light. A window member that transmits ultraviolet light, an ultraviolet irradiation unit that irradiates the substrate to be processed on the mounting table with ultraviolet light emitted from the lamp through the window member, and an ultraviolet light from the ultraviolet irradiation unit. An ultraviolet illuminance measuring unit that receives light at a predetermined position and measures the illuminance of the ultraviolet light, and variably adjusts a distance between the ultraviolet irradiating unit and the mounting table according to an ultraviolet illuminance measurement value obtained from the ultraviolet illuminance measuring unit. A substrate processing apparatus comprising:
【請求項2】 前記照射距離調整手段が、前記載置台上
に載置される前記被処理基板の板厚に応じて前記紫外線
照射手段と前記載置台との間の距離を可変調整する手段
を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装
置。
2. An irradiation distance adjusting means for variably adjusting a distance between the ultraviolet irradiation means and the mounting table according to a thickness of the substrate to be processed mounted on the mounting table. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising:
【請求項3】 前記照射距離調整手段が、 所望の基準照度を設定する基準照度設定手段と、 前記紫外線照度測定値を前記基準照度と比較して、その
比較誤差を零に近づけるように前記載置台と前記紫外線
照射手段との間の相対位置を調整する相対位置調整手段
とを有することを特徴とする請求項1または2に記載の
基板処理装置。
3. An irradiation distance adjusting means, comprising: a reference illuminance setting means for setting a desired reference illuminance; and comparing the ultraviolet illuminance measurement value with the reference illuminance so as to make a comparison error close to zero. 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a relative position adjusting unit that adjusts a relative position between the mounting table and the ultraviolet irradiation unit.
【請求項4】 前記照射距離調整手段が、 前記窓部材と前記載置台または前記基板との間隔につい
て最大値を設定する最大間隔設定手段と、 前記間隔の可変調整において前記間隔が前記最大値を越
えそうなときは前記間隔を前記最大値に制限する最大間
隔制限手段とを有することを特徴とする請求項1〜3の
いずれかに記載の基板処理装置。
4. An irradiation distance adjusting means, a maximum interval setting means for setting a maximum value of an interval between the window member and the mounting table or the substrate, and the variable value adjustment of the interval, the interval is the maximum value. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a maximum interval limiting means for limiting the interval to the maximum value when the interval is likely to exceed.
【請求項5】 前記照射距離調整手段が、 前記窓部材と前記載置台または前記基板との間隔につい
て最小値を設定する最小間隔設定手段と、 前記間隔の可変調整において前記間隔が前記最小値を割
りそうなときは前記間隔を前記最小値に制限する最小間
隔制限手段と、 前記間隔が前記最小値を割りそうなときにアラームを発
生する警報手段とを有することを特徴とする請求項1〜
4のいずれかに記載の基板処理装置。
5. An irradiation distance adjusting means, a minimum interval setting means for setting a minimum value for an interval between the window member and the mounting table or the substrate, and the variable interval adjusting means sets the interval to the minimum value. A minimum interval limiting means for limiting the interval to the minimum value when the interval is likely to be divided, and an alarm means for generating an alarm when the interval is likely to be less than the minimum value.
5. The substrate processing apparatus according to any one of 4.
【請求項6】 前記紫外線照度測定手段が、前記載置台
上の前記被処理基板に照射される紫外線の照度を測定す
るために前記被処理基板に干渉しない位置で前記載置台
側に設けられた光センサを含むことを特徴とする請求項
1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
6. The ultraviolet irradiance measuring means is provided on the mounting table side at a position not interfering with the substrate to measure the illuminance of ultraviolet light applied to the substrate on the mounting table. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an optical sensor.
【請求項7】 前記紫外線照射手段からの紫外線が前記
載置台上の前記被処理基板の被処理面を走査するよう
に、前記載置台および前記紫外線照射手段のいずれか一
方または双方を所定の方向で移動させる駆動手段を有す
ることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の基
板処理装置。
7. One or both of the mounting table and the ultraviolet irradiation means in a predetermined direction so that the ultraviolet light from the ultraviolet irradiation means scans the processing surface of the substrate to be processed on the mounting table. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, further comprising a driving unit for moving the substrate.
【請求項8】 前記光センサが、前記走査方向において
前記被処理基板よりも前の位置に配置されることを特徴
とする請求項7に記載の基板処理装置。
8. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein the optical sensor is arranged at a position before the substrate to be processed in the scanning direction.
【請求項9】 被処理基板に紫外線を照射して所定の処
理を行う基板処理装置において、 前記被処理基板を載置して支持する載置台と、 電力の供給を受けて紫外線を発するランプと紫外線を透
過させる窓部材とを有し、前記ランプより発せられた紫
外線を前記窓部材を介して前記載置台上の前記被処理基
板に照射する紫外線照射手段と、 前記窓部材と前記載置台上の前記被処理基板との間の隙
間に不活性ガスを流す手段とを具備する基板処理装置。
9. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing by irradiating a substrate to be processed with ultraviolet light, comprising: a mounting table for mounting and supporting the substrate to be processed; and a lamp for receiving the supply of power and emitting ultraviolet light. A window member that transmits ultraviolet light, and an ultraviolet irradiation unit that irradiates the substrate to be processed on the mounting table through the window member with ultraviolet light emitted from the lamp; and on the mounting table and the window member. Means for flowing an inert gas into a gap between the substrate and the substrate to be processed.
【請求項10】 被処理基板に紫外線を照射して所定の
処理を行う基板処理装置において、 前記被処理基板を載置して支持する載置台と、 電力の供給を受けて紫外線を発するランプと紫外線を透
過させる窓部材とを有し、前記ランプより発せられた紫
外線を前記窓部材を介して前記被処理基板に照射する紫
外線照射手段と、 前記紫外線照射手段からの紫外線が前記載置台上の前記
被処理基板の被処理面を走査するように、前記載置台お
よび前記紫外線照射手段のいずれか一方または双方を所
定の方向で移動させる駆動手段と、 前記紫外線照射手段からみて第1の方角から前記走査の
方向とほぼ平行に前記窓部材と前記載置台上の前記被処
理基板との間の隙間に不活性ガスを送り込む不活性ガス
噴射手段と、 前記紫外線照射手段からみて前記第1の方角とは反対側
の第2の方角にて前記隙間を通ってきた不活性ガスを吸
い込んで排出する不活性ガス吸い込み手段とを具備する
基板処理装置。
10. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing by irradiating a substrate to be processed with ultraviolet light, comprising: a mounting table for mounting and supporting the substrate to be processed; and a lamp for receiving the supply of electric power and emitting ultraviolet light. A window member that transmits ultraviolet light, an ultraviolet irradiation unit that irradiates the substrate to be processed with ultraviolet light emitted from the lamp through the window member, and the ultraviolet light from the ultraviolet irradiation unit is on the mounting table. Driving means for moving one or both of the mounting table and the ultraviolet irradiation means in a predetermined direction so as to scan the processing surface of the processing substrate, and from a first direction viewed from the ultraviolet irradiation means An inert gas injection unit that feeds an inert gas into a gap between the window member and the substrate to be processed on the mounting table substantially in parallel with the scanning direction; 1 of a substrate processing apparatus including the inert gas suction means for discharging inhale the inert gas which has passed through the gap in the second direction opposite to the direction.
【請求項11】 前記駆動手段は、前記載置台および前
記紫外線照射手段のいずれか一方を第1の位置で固定し
たまま他方を第2の位置で回転移動させる回転駆動手段
を有することを特徴とする請求項7または10に記載の
基板処理装置。
11. The apparatus according to claim 1, wherein the driving unit has a rotation driving unit that rotates one of the mounting table and the ultraviolet irradiation unit while rotating the other at a second position while fixing the other at a first position. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein:
JP2000223690A 2000-07-19 2000-07-25 Substrate processing equipment Expired - Fee Related JP3742986B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000223690A JP3742986B2 (en) 2000-07-25 2000-07-25 Substrate processing equipment
TW090116475A TW505959B (en) 2000-07-19 2001-07-05 Apparatus for processing substrate and apparatus for forming thin film
KR1020010043011A KR100873265B1 (en) 2000-07-19 2001-07-18 Substrate processing apparatus and film forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000223690A JP3742986B2 (en) 2000-07-25 2000-07-25 Substrate processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002043268A true JP2002043268A (en) 2002-02-08
JP3742986B2 JP3742986B2 (en) 2006-02-08

Family

ID=18717745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000223690A Expired - Fee Related JP3742986B2 (en) 2000-07-19 2000-07-25 Substrate processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3742986B2 (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166316A (en) * 2006-12-27 2008-07-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Substrate processing equipment
JP2009224377A (en) * 2008-03-13 2009-10-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus of substrate treatment
JP2009238880A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Ushio Inc Ultraviolet irradiation processing method aparatus
JP2009246161A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing device
JP2011233569A (en) * 2010-04-23 2011-11-17 Shibaura Mechatronics Corp Apparatus for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2012129471A (en) * 2010-12-17 2012-07-05 Tatsumo Kk Substrate processing device
JP2012211984A (en) * 2011-03-31 2012-11-01 Harison Toshiba Lighting Corp Uv light irradiation apparatus
CN103543687A (en) * 2013-10-17 2014-01-29 浙江工业大学 Lifting stage control device and control method thereof
KR20160030357A (en) * 2014-09-09 2016-03-17 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Uv irradiation apparatus and irradiation method thereof, substrate processing apparatus and production method thereof
JP2017072769A (en) * 2015-10-08 2017-04-13 ウシオ電機株式会社 Light irradiation device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5386232B2 (en) * 2009-05-26 2014-01-15 日東電工株式会社 UV irradiation equipment

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166316A (en) * 2006-12-27 2008-07-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Substrate processing equipment
JP2009224377A (en) * 2008-03-13 2009-10-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus of substrate treatment
JP2009238880A (en) * 2008-03-26 2009-10-15 Ushio Inc Ultraviolet irradiation processing method aparatus
JP2009246161A (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing device
JP2011233569A (en) * 2010-04-23 2011-11-17 Shibaura Mechatronics Corp Apparatus for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2012129471A (en) * 2010-12-17 2012-07-05 Tatsumo Kk Substrate processing device
JP2012211984A (en) * 2011-03-31 2012-11-01 Harison Toshiba Lighting Corp Uv light irradiation apparatus
CN103543687A (en) * 2013-10-17 2014-01-29 浙江工业大学 Lifting stage control device and control method thereof
CN103543687B (en) * 2013-10-17 2015-10-28 浙江工业大学 Elevator stage control device and control method
KR20160030357A (en) * 2014-09-09 2016-03-17 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Uv irradiation apparatus and irradiation method thereof, substrate processing apparatus and production method thereof
JP2016058524A (en) * 2014-09-09 2016-04-21 東京応化工業株式会社 Ultraviolet irradiation device, ultraviolet irradiation method, substrate processing apparatus, and method of manufacturing substrate processing apparatus
KR102341442B1 (en) * 2014-09-09 2021-12-20 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Uv irradiation apparatus and irradiation method thereof, substrate processing apparatus and production method thereof
JP2017072769A (en) * 2015-10-08 2017-04-13 ウシオ電機株式会社 Light irradiation device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3742986B2 (en) 2006-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101764534B1 (en) Exposure device, substrate processing apparatus, exposure method for substrate and substrate processing method
US5998766A (en) Apparatus and method for cleaning substrate surface by use of Ozone
KR101846652B1 (en) Exposure device and substrate processing apparatus
JP3742986B2 (en) Substrate processing equipment
TW201250850A (en) Heat treatment method and heat treatment apparatus
KR100729906B1 (en) Substrate processing apparatus and method
TWI706226B (en) Exposure device, substrate processing apparatus, exposure method of substrate and substrate processing method
KR100873265B1 (en) Substrate processing apparatus and film forming apparatus
KR100818019B1 (en) Substrate processing apparatus and method
JP2002057133A (en) Wafer treatment apparatus
WO2018190273A1 (en) Exposure device, substrate treatment device, substrate exposure method, and substrate treatment method
JP5014208B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP3704677B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3772325B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2018159005A1 (en) Exposure device, substrate treatment device, substrate exposure method, and substrate treatment method
JP3878470B2 (en) Processing equipment
JP7009122B2 (en) Board processing equipment and board processing method
JP7295754B2 (en) Exposure device
JP3027686B2 (en) UV irradiation device
JP2002158203A (en) Method and apparatus for processing substrate with uv ray

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040810

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041008

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051101

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051104

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081125

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111125

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees