JP2002040229A - カラーフィルターの製造方法 - Google Patents
カラーフィルターの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スリットコート法やラミネート法等を用いる
カラーフィルターの製造方法において、気泡の発生を防
止し、高品位のカラーフィルターを得る。 【解決手段】 先行画素１２（遮光膜等）の端部の端面
を角度（θ）２０〜７０°、高さ（ｔ）０．５〜２．５
μｍのテーパー状に形成した後、次の画素等を形成する
ための被膜層１４を形成する。各画素を形成する方法
は、ラミネート法、スリットコート法等が挙げられる。
カラーフィルターの製造方法において、気泡の発生を防
止し、高品位のカラーフィルターを得る。 【解決手段】 先行画素１２（遮光膜等）の端部の端面
を角度（θ）２０〜７０°、高さ（ｔ）０．５〜２．５
μｍのテーパー状に形成した後、次の画素等を形成する
ための被膜層１４を形成する。各画素を形成する方法
は、ラミネート法、スリットコート法等が挙げられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラーフィルター
の製造方法に関し、更に詳しくは、多人数で見る携帯情
報端末、パーソナルコンピューター、ワードプロセッサ
ー、アミューズメント機器、テレビジョン装置などの平
面ディスプレイ、シャッタ効果を利用した表示板、窓、
扉、壁などに用いることができる液晶素子に用いられる
カラーフィルターの製造方法に関する。
の製造方法に関し、更に詳しくは、多人数で見る携帯情
報端末、パーソナルコンピューター、ワードプロセッサ
ー、アミューズメント機器、テレビジョン装置などの平
面ディスプレイ、シャッタ効果を利用した表示板、窓、
扉、壁などに用いることができる液晶素子に用いられる
カラーフィルターの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス基板などの基板に
カラーフィルター等の樹脂層を形成するには、従来スピ
ンコーターが用いられてきた。該スピンコーターを用い
る方法は、塗布液の９割前後をロスするためコスト的に
不利であった。近年、コストダウン要求から、塗布液の
レオロジーをチクソトロピックに調整して隙間状のノズ
ルより押し出し、薄膜状となった塗布液を基板に付着さ
せ、溶媒を除去する方法が開発され、スリットコート法
等の名前で呼ばれている。また別のコストダウンの手段
として、予め薄膜状に形成した材料フイルムを、基板に
ラミネートする方法が開発され、ラミネート法と呼ばれ
ている。これらスリットコート法やラミネート法は材料
の９割前後を使用することが可能なためコスト的に有利
であるが、薄膜状となった材料を基板に付着させる時点
で、先行画素により基板に形成された凹凸と、該薄膜の
間に気泡が残りやすい欠点があり、付着させる速度を増
す程、その傾向が大きかった。これらの気泡が残存する
と、カラーフィルターの品位を低下するおそれがある。
そこで、コストダウンを図りつつ、気泡の残存を防止し
て高品位のカラーフィルターを製造できる方法が要望さ
れている。
カラーフィルター等の樹脂層を形成するには、従来スピ
ンコーターが用いられてきた。該スピンコーターを用い
る方法は、塗布液の９割前後をロスするためコスト的に
不利であった。近年、コストダウン要求から、塗布液の
レオロジーをチクソトロピックに調整して隙間状のノズ
ルより押し出し、薄膜状となった塗布液を基板に付着さ
せ、溶媒を除去する方法が開発され、スリットコート法
等の名前で呼ばれている。また別のコストダウンの手段
として、予め薄膜状に形成した材料フイルムを、基板に
ラミネートする方法が開発され、ラミネート法と呼ばれ
ている。これらスリットコート法やラミネート法は材料
の９割前後を使用することが可能なためコスト的に有利
であるが、薄膜状となった材料を基板に付着させる時点
で、先行画素により基板に形成された凹凸と、該薄膜の
間に気泡が残りやすい欠点があり、付着させる速度を増
す程、その傾向が大きかった。これらの気泡が残存する
と、カラーフィルターの品位を低下するおそれがある。
そこで、コストダウンを図りつつ、気泡の残存を防止し
て高品位のカラーフィルターを製造できる方法が要望さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、コス
トダウンに有利なスリットコート法やラミネート法等を
用いるカラーフィルターの製造方法において、気泡の残
存を高度に防止することができるカラーフィルターの製
造方法を提供することにある。
トダウンに有利なスリットコート法やラミネート法等を
用いるカラーフィルターの製造方法において、気泡の残
存を高度に防止することができるカラーフィルターの製
造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記した目的は、下記の
カラーフィルターの製造方法によって達成される。 （１） 画素の端部の端面を角度２０〜７０°、高さ
０．５〜２．５μｍのテーパー状に形成した後、前記画
素上に被膜層を形成することを特徴とすることを特徴と
するカラーフィルターの製造方法である。 （２） 前記角度が３０〜６０°、前記高さが０．７〜
２．０μmであることを特徴とする前記（１）に記載の
カラーフィルターの製造方法である。 （３） 前記被膜層をラミネート法により形成すること
を特徴とする前記（１）または前記（２）に記載のカラ
ーフィルターの製造方法である。 （４） 前記画素が遮光膜からなり、前記被膜層がＲ画
素、Ｇ画素、Ｂ画素のいずれかを形成するための被膜層
であることを特徴とする前記（１）乃至前記（３）のい
ずれかに記載のカラーフィルターの製造方法である。 （５） 前記被膜層が、オーバーコート層があることを
特徴とする前記（１）に記載のカラーフィルターの製造
方法である。
カラーフィルターの製造方法によって達成される。 （１） 画素の端部の端面を角度２０〜７０°、高さ
０．５〜２．５μｍのテーパー状に形成した後、前記画
素上に被膜層を形成することを特徴とすることを特徴と
するカラーフィルターの製造方法である。 （２） 前記角度が３０〜６０°、前記高さが０．７〜
２．０μmであることを特徴とする前記（１）に記載の
カラーフィルターの製造方法である。 （３） 前記被膜層をラミネート法により形成すること
を特徴とする前記（１）または前記（２）に記載のカラ
ーフィルターの製造方法である。 （４） 前記画素が遮光膜からなり、前記被膜層がＲ画
素、Ｇ画素、Ｂ画素のいずれかを形成するための被膜層
であることを特徴とする前記（１）乃至前記（３）のい
ずれかに記載のカラーフィルターの製造方法である。 （５） 前記被膜層が、オーバーコート層があることを
特徴とする前記（１）に記載のカラーフィルターの製造
方法である。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を説明する。本発明において、画素とは、Ｒ画素、Ｇ
画素、Ｂ画素の他、遮光膜を含み、これらの画素の形成
順序に制限はない。例えば、（１）遮光膜を形成後、Ｒ
画素、Ｇ画素、Ｂ画素を形成する工程、あるいは（２）
Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素を形成する工程後、遮光膜を形
成する工程において、それぞれの先行する画素の端面を
所定のテーパー状に形成した後、次の画素を形成するこ
とができる。
態を説明する。本発明において、画素とは、Ｒ画素、Ｇ
画素、Ｂ画素の他、遮光膜を含み、これらの画素の形成
順序に制限はない。例えば、（１）遮光膜を形成後、Ｒ
画素、Ｇ画素、Ｂ画素を形成する工程、あるいは（２）
Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素を形成する工程後、遮光膜を形
成する工程において、それぞれの先行する画素の端面を
所定のテーパー状に形成した後、次の画素を形成するこ
とができる。
【０００６】すなわち、前記（１）の場合、遮光膜を形
成する際に遮光膜の端面を所定のテーパー状に形成した
後、次のＲ画素を形成する。また、Ｒ画素の端面を所定
のテーパー状に形成した後、次のＧ画素を形成する。こ
のようにそれぞれの画素の端面を所定のテーパー状に形
成した後、次の画素を形成することができる。また、Ｂ
画素の端面を所定のテーパー状に形成した後、オーバー
コート層（ＯＣ層）を形成することができる。
成する際に遮光膜の端面を所定のテーパー状に形成した
後、次のＲ画素を形成する。また、Ｒ画素の端面を所定
のテーパー状に形成した後、次のＧ画素を形成する。こ
のようにそれぞれの画素の端面を所定のテーパー状に形
成した後、次の画素を形成することができる。また、Ｂ
画素の端面を所定のテーパー状に形成した後、オーバー
コート層（ＯＣ層）を形成することができる。
【０００７】（２）の場合、Ｒ画素の端面を所定のテー
パー状に形成した後、次のＧ画素を形成する。また、Ｇ
画素の端面を所定のテーパー状に形成した後、次のＢ画
素を形成する。このようにＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素のそ
れぞれの端面を所定のテーパー状に形成した後、次の画
素を形成し、さらに遮光膜を形成することができる。ま
た、遮光膜の端面を所定のテーパー状に形成した後、オ
ーバーコート層（ＯＣ層）を形成することができる。
パー状に形成した後、次のＧ画素を形成する。また、Ｇ
画素の端面を所定のテーパー状に形成した後、次のＢ画
素を形成する。このようにＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素のそ
れぞれの端面を所定のテーパー状に形成した後、次の画
素を形成し、さらに遮光膜を形成することができる。ま
た、遮光膜の端面を所定のテーパー状に形成した後、オ
ーバーコート層（ＯＣ層）を形成することができる。
【０００８】本発明は、前記した各画素の中で少なくと
も１つの画素の端面を所定のテーパー状に形成した後、
次の被膜層を形成するものであればよいが、好ましくは
遮光膜の端面を所定のテーパー状に形成した後、Ｒ画
素、Ｇ画素、Ｂ画素を形成することが望ましく、より好
ましくは、全ての画素の端面を所定のテーパー状に形成
した後、それぞれの画素に続く次の画素、あるいはＯＣ
層を形成する場合であり、この場合、それぞれの画素と
後続の画素あるいはＯＣ層との間において気泡が残存生
することを防止することができる。
も１つの画素の端面を所定のテーパー状に形成した後、
次の被膜層を形成するものであればよいが、好ましくは
遮光膜の端面を所定のテーパー状に形成した後、Ｒ画
素、Ｇ画素、Ｂ画素を形成することが望ましく、より好
ましくは、全ての画素の端面を所定のテーパー状に形成
した後、それぞれの画素に続く次の画素、あるいはＯＣ
層を形成する場合であり、この場合、それぞれの画素と
後続の画素あるいはＯＣ層との間において気泡が残存生
することを防止することができる。
【０００９】本発明において、各画素の端面とは、各画
素を形成するための層を現像・パターン化した際のカラ
ーフィルターの厚み方向側の画素の面を意味する。この
意味での面には、（１）各画素の縁部の端面、（２）各
画素にコンコクトホールを形成するための元穴の端面等
がある。これらの例を図に基づいて説明すると、図１は
（１）各画素の縁部の端面をテーパー状に形成した例を
示している。図１において、基板１０上に遮光膜形成用
の被膜層が形成され、この被膜層を現像・パターン化し
て遮光膜１２を形成し、その後、次の画素（例えば、Ｒ
画素）を形成するための被膜層１４が形成される。
素を形成するための層を現像・パターン化した際のカラ
ーフィルターの厚み方向側の画素の面を意味する。この
意味での面には、（１）各画素の縁部の端面、（２）各
画素にコンコクトホールを形成するための元穴の端面等
がある。これらの例を図に基づいて説明すると、図１は
（１）各画素の縁部の端面をテーパー状に形成した例を
示している。図１において、基板１０上に遮光膜形成用
の被膜層が形成され、この被膜層を現像・パターン化し
て遮光膜１２を形成し、その後、次の画素（例えば、Ｒ
画素）を形成するための被膜層１４が形成される。
【００１０】図１において、基板１０上に遮光膜用の層
が形成され、この遮光膜用の層を現像・パターン化し、
遮光膜１２を形成し、その後、次の画素（例えば、Ｒ画
素）を形成するための被膜層１４が形成される。図２に
おいて、基板１０上に遮光膜１２が形成され、その後、
次の画素（例えば、Ｒ画素）を形成するための被膜層が
形成され、この被膜層を現像・パターン化してＲ画素１
６を形成する共にともにＲ画素１６にコンタクトホール
を形成するための元穴が形成される。この後、それぞれ
の画素表面とコンタクトホールを形成するための元穴の
端面を覆うようにオーバーコート層１８が形成される。
図２においては、１１は配線を示し、テーパー状部分を
説明するために、基板上の絶縁膜、ドレイン信号線、画
素電極、ソース電極、遮光膜内に設置されるＴＦＴ部分
等の詳細は省略している。
が形成され、この遮光膜用の層を現像・パターン化し、
遮光膜１２を形成し、その後、次の画素（例えば、Ｒ画
素）を形成するための被膜層１４が形成される。図２に
おいて、基板１０上に遮光膜１２が形成され、その後、
次の画素（例えば、Ｒ画素）を形成するための被膜層が
形成され、この被膜層を現像・パターン化してＲ画素１
６を形成する共にともにＲ画素１６にコンタクトホール
を形成するための元穴が形成される。この後、それぞれ
の画素表面とコンタクトホールを形成するための元穴の
端面を覆うようにオーバーコート層１８が形成される。
図２においては、１１は配線を示し、テーパー状部分を
説明するために、基板上の絶縁膜、ドレイン信号線、画
素電極、ソース電極、遮光膜内に設置されるＴＦＴ部分
等の詳細は省略している。
【００１１】本発明は、前記した画素の端面、またはコ
ンタクトホールの元穴の面は、図１及び図２に示すよう
に角度（θ）が２０〜７０°であり、好ましくは３０〜
６０°、より好ましくは４５〜５５°である。角度が２
０°よりも小さいと、テーパー部分が長くなり、このテ
ーパー部分より光洩れが生じやすく、角度が７０°を越
えるとこのテーパー部分が形成された画素と次の画素と
の間に気泡が残存しやすくなる。各画素の高さ（ｔ）
は、０．５〜２．５μmであり、好ましくは０．７〜
２．０μｍ、より好ましくは０．９〜１．６μｍであ
る。また、テーパー部分の長さ（ｌ）は、各画素の高さ
（ｔ）の３倍以内が好ましい。
ンタクトホールの元穴の面は、図１及び図２に示すよう
に角度（θ）が２０〜７０°であり、好ましくは３０〜
６０°、より好ましくは４５〜５５°である。角度が２
０°よりも小さいと、テーパー部分が長くなり、このテ
ーパー部分より光洩れが生じやすく、角度が７０°を越
えるとこのテーパー部分が形成された画素と次の画素と
の間に気泡が残存しやすくなる。各画素の高さ（ｔ）
は、０．５〜２．５μmであり、好ましくは０．７〜
２．０μｍ、より好ましくは０．９〜１．６μｍであ
る。また、テーパー部分の長さ（ｌ）は、各画素の高さ
（ｔ）の３倍以内が好ましい。
【００１２】本発明において、上記の画素の端面を上記
のテーパー状とするためには、画素を形成するための予
め薄膜状に形成したフィルムを基板にラミネートするラ
ミネート法によるフィルム層の厚み、塗付液を隙間状の
ノズルより押出し、薄膜状となった塗付液を基板に付着
させ、溶媒を除去するスリットコート法によるコート層
等の厚みの他、現像時間、残渣除去現像時間、ポスト露
光量、ポストベーク温度・時間等を調整することによっ
て得ることができる。
のテーパー状とするためには、画素を形成するための予
め薄膜状に形成したフィルムを基板にラミネートするラ
ミネート法によるフィルム層の厚み、塗付液を隙間状の
ノズルより押出し、薄膜状となった塗付液を基板に付着
させ、溶媒を除去するスリットコート法によるコート層
等の厚みの他、現像時間、残渣除去現像時間、ポスト露
光量、ポストベーク温度・時間等を調整することによっ
て得ることができる。
【００１３】本発明のカラーフィルターの樹脂層が形成
される基板には、「アクティブマトリクス基板」があ
り、このアクティブマトリクス基板を「薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）、単結晶シリコントランジスタ（ＭＯＳＦ
ＥＴ）、ダイオード等が形成されている、液晶素子の基
板」と定義する。
される基板には、「アクティブマトリクス基板」があ
り、このアクティブマトリクス基板を「薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）、単結晶シリコントランジスタ（ＭＯＳＦ
ＥＴ）、ダイオード等が形成されている、液晶素子の基
板」と定義する。
【００１４】（液晶素子）液晶素子では、アクティブマ
トリクス基板とこのアクティブマトリクス基板に対向配
置された対向基板と、アクティブマトリクス基板と対向
基板との間に液晶層が形成されており、アクティブマト
リクス基板上に制御信号を伝送する各ゲート信号線と映
像信号を伝送する各ソース信号線を公差させて形成し、
これらの信号線の公差部位に各スイッチング素子が形成
される。液晶素子としては、これらの信号線及びスイッ
チング素子上に感光性樹脂層が形成されたものが好まし
い。この感光性樹脂層は、各原色のフィルム層からなる
カラーフィルターでもよく、透明な感光性樹脂層からな
る層間絶縁膜として機能させるものであってもよく、遮
光膜でもよく、またカラーフィルターと透明な層間絶縁
膜の両方をこの順に重ねたものでもよい。このような液
晶素子においては、各ソース信号線、各ゲート信号線、
及び各画素電極間に感光性樹脂層が介在されるため、各
信号線と各画素電極をオーバーラップさせることがで
き、画素の開口率を向上させることができる。
トリクス基板とこのアクティブマトリクス基板に対向配
置された対向基板と、アクティブマトリクス基板と対向
基板との間に液晶層が形成されており、アクティブマト
リクス基板上に制御信号を伝送する各ゲート信号線と映
像信号を伝送する各ソース信号線を公差させて形成し、
これらの信号線の公差部位に各スイッチング素子が形成
される。液晶素子としては、これらの信号線及びスイッ
チング素子上に感光性樹脂層が形成されたものが好まし
い。この感光性樹脂層は、各原色のフィルム層からなる
カラーフィルターでもよく、透明な感光性樹脂層からな
る層間絶縁膜として機能させるものであってもよく、遮
光膜でもよく、またカラーフィルターと透明な層間絶縁
膜の両方をこの順に重ねたものでもよい。このような液
晶素子においては、各ソース信号線、各ゲート信号線、
及び各画素電極間に感光性樹脂層が介在されるため、各
信号線と各画素電極をオーバーラップさせることがで
き、画素の開口率を向上させることができる。
【００１５】（感光性樹脂層を形成する工程）本発明に
おいて、前記のラミネート法、前記のスリットコート法
の場合、特に気泡の残存を防止できるという本発明の効
果が大きい。ラミネート法による感光性樹脂層の形成方
法としては、例えば、感光性樹脂層は特開平５−７２７
２４号公報に記述されている感光性転写材料、すなわち
一体型となったフイルムを用いて形成することが好まし
い。該一体型フイルムの構成の一例は、例えば、特開平
５−７２７２４号公報に記載された支持体／熱可塑性樹
脂層／酸素遮断膜／感光性樹脂層／保護フイルムであ
る。
おいて、前記のラミネート法、前記のスリットコート法
の場合、特に気泡の残存を防止できるという本発明の効
果が大きい。ラミネート法による感光性樹脂層の形成方
法としては、例えば、感光性樹脂層は特開平５−７２７
２４号公報に記述されている感光性転写材料、すなわち
一体型となったフイルムを用いて形成することが好まし
い。該一体型フイルムの構成の一例は、例えば、特開平
５−７２７２４号公報に記載された支持体／熱可塑性樹
脂層／酸素遮断膜／感光性樹脂層／保護フイルムであ
る。
【００１６】＜感光性樹脂層＞本発明における感光性樹
脂層は、露光に用いる光の波長における光学濃度（Ｏ
Ｄ）が０．５〜４であることが必要であり、好ましくは
０．８〜３、より好ましくは１．０〜２．５である。感
光性樹脂層は、感光性樹脂層組成物における光重合開始
剤、ＵＶ吸収剤等の配合量を調整することによっての光
学濃度（ＯＤ）を調整することができる。本発明におい
て、感光性樹脂層のＯＤが０．４、特に０．３より小さ
いと、コンタクトホールの形成が不充分でコンタクトホ
ールの接続不良が生じやすく、一方、感光性樹脂層のＯ
Ｄが４、特に５を超えると、感光性樹脂層組成物の性状
が好ましくなく、所定の感光性樹脂層の形成が困難とな
る。
脂層は、露光に用いる光の波長における光学濃度（Ｏ
Ｄ）が０．５〜４であることが必要であり、好ましくは
０．８〜３、より好ましくは１．０〜２．５である。感
光性樹脂層は、感光性樹脂層組成物における光重合開始
剤、ＵＶ吸収剤等の配合量を調整することによっての光
学濃度（ＯＤ）を調整することができる。本発明におい
て、感光性樹脂層のＯＤが０．４、特に０．３より小さ
いと、コンタクトホールの形成が不充分でコンタクトホ
ールの接続不良が生じやすく、一方、感光性樹脂層のＯ
Ｄが４、特に５を超えると、感光性樹脂層組成物の性状
が好ましくなく、所定の感光性樹脂層の形成が困難とな
る。
【００１７】感光性を付与するための光重合系は表面硬
化性のものが好ましい。表面硬化性を得るに酸素遮断膜
を付与する、不活性ガス中や真空中で露光する、化学増
幅系など酸素障害の無い重合系を用いる。感光性樹脂組
成物としては、ネガ型ジアゾ樹脂とバインダーからなる
感光性樹脂組成物、光重合性組成物、アジド化合物とバ
インダーとからなる感光性樹脂組成物、桂皮酸型感光性
樹脂組成物等が挙げられる。その中でも特に好ましいの
は光重合開始剤、光重合性モノマーおよびバインダーを
基本構成要素として含む感光性樹脂である。本発明の感
光性樹脂層の素材としては公知の、例えば特願平２−８
２２６２に記載されている感光性樹脂がすべて使用でき
る。該感光性樹脂層には、アルカリ水溶液により現像可
能なものと、有機溶剤により現像可能なものが知られて
いるが、公害防止、労働安全性の確保の観点からアルカ
リ水溶液現像可能なものが好ましい。
化性のものが好ましい。表面硬化性を得るに酸素遮断膜
を付与する、不活性ガス中や真空中で露光する、化学増
幅系など酸素障害の無い重合系を用いる。感光性樹脂組
成物としては、ネガ型ジアゾ樹脂とバインダーからなる
感光性樹脂組成物、光重合性組成物、アジド化合物とバ
インダーとからなる感光性樹脂組成物、桂皮酸型感光性
樹脂組成物等が挙げられる。その中でも特に好ましいの
は光重合開始剤、光重合性モノマーおよびバインダーを
基本構成要素として含む感光性樹脂である。本発明の感
光性樹脂層の素材としては公知の、例えば特願平２−８
２２６２に記載されている感光性樹脂がすべて使用でき
る。該感光性樹脂層には、アルカリ水溶液により現像可
能なものと、有機溶剤により現像可能なものが知られて
いるが、公害防止、労働安全性の確保の観点からアルカ
リ水溶液現像可能なものが好ましい。
【００１８】該感光性樹脂層には、特開平１１−１３３
６００号公報記載の「重合性化合物Ｂ」「重合開始剤
Ｃ」「界面活性剤」「接着助剤」や、その他の組成物が
利用できる。光を照射した部分が溶解性を帯び現像で除
去されるタイプの感光性樹脂層をポジ型感光性樹脂層と
呼び、 本発明の感光性樹脂層にはポジ型感光性樹脂層
を用いることができる。該ポジ型感光性樹脂層にはノボ
ラック系の樹脂が用いられる。本発明では特開平７−４
３８９９号公報記載のアルカリ可溶性ノボラック樹脂系
を使用することができる。また、特開平６−１４８８８
８号公報記載の、ポジ型感光性樹脂層、即ち、該公報記
載のアルカリ可溶性樹脂と感光剤として１，２−ナフト
キノンジアジドスルホン酸エステルと該公報記載の熱硬
化剤の混合物を含む感光性樹脂層を用いることができ
る。また特開平５−２６２８５０号公報記載の組成物も
活用可能である。
６００号公報記載の「重合性化合物Ｂ」「重合開始剤
Ｃ」「界面活性剤」「接着助剤」や、その他の組成物が
利用できる。光を照射した部分が溶解性を帯び現像で除
去されるタイプの感光性樹脂層をポジ型感光性樹脂層と
呼び、 本発明の感光性樹脂層にはポジ型感光性樹脂層
を用いることができる。該ポジ型感光性樹脂層にはノボ
ラック系の樹脂が用いられる。本発明では特開平７−４
３８９９号公報記載のアルカリ可溶性ノボラック樹脂系
を使用することができる。また、特開平６−１４８８８
８号公報記載の、ポジ型感光性樹脂層、即ち、該公報記
載のアルカリ可溶性樹脂と感光剤として１，２−ナフト
キノンジアジドスルホン酸エステルと該公報記載の熱硬
化剤の混合物を含む感光性樹脂層を用いることができ
る。また特開平５−２６２８５０号公報記載の組成物も
活用可能である。
【００１９】該感光性樹脂層には、染料、顔料、紫外線
吸収剤を必要により添加する。該顔料は感光性樹脂層中
に均一に分散されており、好ましくは５μｍ以下の粒
径、特に好ましくは１μｍ以下の粒径を有していなけれ
ばならない。好ましい染料ないし顔料の例は次の通りで
ある。ビクトリア・ピュアーブルーＢＯ（Ｃ．Ｉ．４２
５９５）、オーラミン（Ｃ．Ｉ．４１０００）、ファッ
ト・ブラックＨＢ（Ｃ．Ｉ．２６１５０）、モノライト
・エローＧＴ（Ｃ．Ｉ．ピグメントエロー１２）、パー
マネント・エローＧＲ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・エロー１
７）、パーマネント・エローＨＲ（Ｃ．Ｉ．ピグメント
・エロー８３）、パーマネント・カーミンＦＢＢ（Ｃ．
Ｉ．ピグメント・レッド１４６）、ホスターバームレッ
ドＥＳＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・バイオレット１９）、
パーマネント・ルビーＦＢＨ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・レ
ッド１１）ファステル・ピンクＢスプラ（Ｃ．Ｉ．ピグ
メント・レッド８１）モナストラル・ファースト・ブル
ー（Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５）、モノライト・
ファースト・ブラックＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブラッ
ク１）及びカーボン。さらに、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レ
ッド９７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１２２、Ｃ．
Ｉ．ピグメント・レッド１４９、Ｃ．Ｉ．ピグメント・
レッド１６８、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１７７、
Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１８０、Ｃ．Ｉ．ピグメン
ト・レッド１９２、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド２１
５、Ｃ．Ｉ．ピグメント・グリーン７、Ｃ．Ｉ．ピグメ
ント・グリーン３６、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１
５：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：４、Ｃ．
Ｉ．ピグメント・ブルー１５：６、Ｃ．Ｉ．ピグメント
・ブルー２２、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー６０、Ｃ．
Ｉ．ピグメント・ブルー６４を挙げることができる。
吸収剤を必要により添加する。該顔料は感光性樹脂層中
に均一に分散されており、好ましくは５μｍ以下の粒
径、特に好ましくは１μｍ以下の粒径を有していなけれ
ばならない。好ましい染料ないし顔料の例は次の通りで
ある。ビクトリア・ピュアーブルーＢＯ（Ｃ．Ｉ．４２
５９５）、オーラミン（Ｃ．Ｉ．４１０００）、ファッ
ト・ブラックＨＢ（Ｃ．Ｉ．２６１５０）、モノライト
・エローＧＴ（Ｃ．Ｉ．ピグメントエロー１２）、パー
マネント・エローＧＲ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・エロー１
７）、パーマネント・エローＨＲ（Ｃ．Ｉ．ピグメント
・エロー８３）、パーマネント・カーミンＦＢＢ（Ｃ．
Ｉ．ピグメント・レッド１４６）、ホスターバームレッ
ドＥＳＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・バイオレット１９）、
パーマネント・ルビーＦＢＨ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・レ
ッド１１）ファステル・ピンクＢスプラ（Ｃ．Ｉ．ピグ
メント・レッド８１）モナストラル・ファースト・ブル
ー（Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５）、モノライト・
ファースト・ブラックＢ（Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブラッ
ク１）及びカーボン。さらに、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レ
ッド９７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１２２、Ｃ．
Ｉ．ピグメント・レッド１４９、Ｃ．Ｉ．ピグメント・
レッド１６８、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１７７、
Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１８０、Ｃ．Ｉ．ピグメン
ト・レッド１９２、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド２１
５、Ｃ．Ｉ．ピグメント・グリーン７、Ｃ．Ｉ．ピグメ
ント・グリーン３６、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１
５：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：４、Ｃ．
Ｉ．ピグメント・ブルー１５：６、Ｃ．Ｉ．ピグメント
・ブルー２２、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー６０、Ｃ．
Ｉ．ピグメント・ブルー６４を挙げることができる。
【００２０】好ましい紫外線吸収剤は、サリシレート
系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、シアノ
アクリレート系、ニッケルキレート系、ヒンダードアミ
ン系などが挙げられる。具体的には、フェニルサリシレ
ート、４−ｔ−ブチルフェニルサリシレート、２，４−
ジ−ｔ−ブチルフェニル−３’，５’−ジ−ｔ−４’−
ヒドロキシベンゾエート、４−ｔ−ブチルフェニルサリ
シレート、２，４−ジ−ヒドロキシベンゾフェノン、２
−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒド
ロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−
（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾト
リアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチ
ル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリア
ゾール、エチル−２−シアノ−３，３−ジ−フェニルア
クリレート、２，２’−ヒドロキシ−４−メトキシベン
ゾフェノン、ニッケルジブチルジチオカーバメート、ビ
ス（２，２，６，６−テトラメトル−４−ピリジン）−
セバケート、４−ｔ−ブチルフェニルサリシレート、サ
ルチル酸フェニル、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン縮合物、コハク酸−ビス（２，
２，６，６−テトラメチル−４−ピペリデニル）−エス
テル、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−
ジメチルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾ
ール、７−｛［４−クロロ−６−（ジエチルアミノ）−
５−トリアジン−２−イル］アミノ｝−３−フェニルク
マリン等が挙げられる。
系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、シアノ
アクリレート系、ニッケルキレート系、ヒンダードアミ
ン系などが挙げられる。具体的には、フェニルサリシレ
ート、４−ｔ−ブチルフェニルサリシレート、２，４−
ジ−ｔ−ブチルフェニル−３’，５’−ジ−ｔ−４’−
ヒドロキシベンゾエート、４−ｔ−ブチルフェニルサリ
シレート、２，４−ジ−ヒドロキシベンゾフェノン、２
−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒド
ロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−
（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾト
リアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチ
ル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリア
ゾール、エチル−２−シアノ−３，３−ジ−フェニルア
クリレート、２，２’−ヒドロキシ−４−メトキシベン
ゾフェノン、ニッケルジブチルジチオカーバメート、ビ
ス（２，２，６，６−テトラメトル−４−ピリジン）−
セバケート、４−ｔ−ブチルフェニルサリシレート、サ
ルチル酸フェニル、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−
テトラメチルピペリジン縮合物、コハク酸−ビス（２，
２，６，６−テトラメチル−４−ピペリデニル）−エス
テル、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−
ジメチルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾ
ール、７−｛［４−クロロ−６−（ジエチルアミノ）−
５−トリアジン−２−イル］アミノ｝−３−フェニルク
マリン等が挙げられる。
【００２１】＜酸素遮断膜＞本発明では感光性樹脂層の
上にさらに酸素遮断膜を形成して露光することが好まし
い。該酸素遮断膜としては、低い酸素透過性を示し、水
またはアルカリ水溶液に分散または溶解するものが好ま
しく、公知のものの中から適宜選択することができる。
これらの内、特に好ましいのは、ポリビニルアルコール
とポリビニルピロリドンの組み合わせである。（詳細は
特開平５−７２７２４号公報参照。）
上にさらに酸素遮断膜を形成して露光することが好まし
い。該酸素遮断膜としては、低い酸素透過性を示し、水
またはアルカリ水溶液に分散または溶解するものが好ま
しく、公知のものの中から適宜選択することができる。
これらの内、特に好ましいのは、ポリビニルアルコール
とポリビニルピロリドンの組み合わせである。（詳細は
特開平５−７２７２４号公報参照。）
【００２２】（感光性樹脂層をパターン露光する工程）
＜パターン露光＞本発明において、パターン露光とは、
画像パターンが形成されたシャドウマスクを介して感光
性樹脂層にパターン化された光を照射することである。
このパターン露光時において、パターン露光時の露光マ
スクと該感光性樹脂層の距離が１６〜３００μｍである
ことが必要であり、好ましくは２０〜２００μｍ、最も
好ましくは３０〜１００μｍである。
＜パターン露光＞本発明において、パターン露光とは、
画像パターンが形成されたシャドウマスクを介して感光
性樹脂層にパターン化された光を照射することである。
このパターン露光時において、パターン露光時の露光マ
スクと該感光性樹脂層の距離が１６〜３００μｍである
ことが必要であり、好ましくは２０〜２００μｍ、最も
好ましくは３０〜１００μｍである。
【００２３】前記の距離とは、厳密には露光マスクの感
光性樹脂層に対面する面と、感光性樹脂層表面との距離
を言い、この距離が１６μｍ未満及び３００μｍを超え
る範囲では、コンタクトホールにおける画素電極の接続
不良が生じやすい。また、レンズや鏡により画像を投影
して露光する方式では、画像のピントの調整し、解像が
良く、コンタクトホールにおける画素電極の接続不良が
生じない設定を選択できる。
光性樹脂層に対面する面と、感光性樹脂層表面との距離
を言い、この距離が１６μｍ未満及び３００μｍを超え
る範囲では、コンタクトホールにおける画素電極の接続
不良が生じやすい。また、レンズや鏡により画像を投影
して露光する方式では、画像のピントの調整し、解像が
良く、コンタクトホールにおける画素電極の接続不良が
生じない設定を選択できる。
【００２４】アクティブマトリクス基板上に感光性樹脂
層を形成する工程においては、ラミネート方式により感
光性樹脂層を形成する際に、それぞれの色の感光性樹脂
層の光学濃度（ＯＤ）を前記範囲に調整し、それぞれの
感光性樹脂層のパターン露光を前記した条件で行なうこ
とが望ましい。
層を形成する工程においては、ラミネート方式により感
光性樹脂層を形成する際に、それぞれの色の感光性樹脂
層の光学濃度（ＯＤ）を前記範囲に調整し、それぞれの
感光性樹脂層のパターン露光を前記した条件で行なうこ
とが望ましい。
【００２５】（感光性樹脂層を現像し該樹脂層にコンタ
クト部（元穴）を形成する工程）感光性樹脂層の未硬化
部分を除去するには現像液中で回転ブラシで擦るか湿潤
スポンジで擦るなどの方法を組み合わせることができ
る。現像液の液温度は２０℃〜４０℃が好ましい。該現
像処理の後に蒸留水、イオン交換水、超純水等による水
洗工程を入れることが好ましい。
クト部（元穴）を形成する工程）感光性樹脂層の未硬化
部分を除去するには現像液中で回転ブラシで擦るか湿潤
スポンジで擦るなどの方法を組み合わせることができ
る。現像液の液温度は２０℃〜４０℃が好ましい。該現
像処理の後に蒸留水、イオン交換水、超純水等による水
洗工程を入れることが好ましい。
【００２６】この工程で使用される現像液は、特に制約
はなく、公知の現像液を使用することができるが、現像
液は感光性樹脂層が溶解型の現像挙動をするものが好ま
しい。現像液としては、例えば、ｐＫａ＝７〜１３の化
合物を０．０５〜５ｍｏｌｅ／Ｌの濃度含む現像液が好
ましいが、さらに水と混和性を有す有機溶剤を少量添加
しても良い。現像液のｐＨは８〜１３が好ましい。水と
混和性を有する有機溶剤は、メタノール、エタノール、
２−プロパノール、１−プロパノール、ブタノール、ジ
アセトンアルコール、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチ
レングリコールモノｎ−ブチルエーテル、ベンジルアル
コール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、ε−カプロラクトン、γ−ブチロラクトン、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチ
ルホスホルアミド、乳酸エチル、乳酸メチル、ε−カプ
ロラクタム、Ｎ−メチルピロリドン等がある。該有機溶
剤の濃度は０．１重量％〜３０重量％である。さらに公
知の界面活性剤を添加することができる。界面活性剤の
濃度は０．０１重量％〜１０重量％が好ましい。現像方
式は、パドル現像、シャワー現像、シャワー＆スピン現
像、ディプ現像等のいずれでもよい。
はなく、公知の現像液を使用することができるが、現像
液は感光性樹脂層が溶解型の現像挙動をするものが好ま
しい。現像液としては、例えば、ｐＫａ＝７〜１３の化
合物を０．０５〜５ｍｏｌｅ／Ｌの濃度含む現像液が好
ましいが、さらに水と混和性を有す有機溶剤を少量添加
しても良い。現像液のｐＨは８〜１３が好ましい。水と
混和性を有する有機溶剤は、メタノール、エタノール、
２−プロパノール、１−プロパノール、ブタノール、ジ
アセトンアルコール、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチ
レングリコールモノｎ−ブチルエーテル、ベンジルアル
コール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、ε−カプロラクトン、γ−ブチロラクトン、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチ
ルホスホルアミド、乳酸エチル、乳酸メチル、ε−カプ
ロラクタム、Ｎ−メチルピロリドン等がある。該有機溶
剤の濃度は０．１重量％〜３０重量％である。さらに公
知の界面活性剤を添加することができる。界面活性剤の
濃度は０．０１重量％〜１０重量％が好ましい。現像方
式は、パドル現像、シャワー現像、シャワー＆スピン現
像、ディプ現像等のいずれでもよい。
【００２７】これらの現像によって感光性樹脂層にコン
タクトホールを形成するための元穴が形成されるが、こ
の元穴に透明電極形成前にアッシングやエッチングを実
施し、コンタクト部の配線上を洗浄することが望まし
い。
タクトホールを形成するための元穴が形成されるが、こ
の元穴に透明電極形成前にアッシングやエッチングを実
施し、コンタクト部の配線上を洗浄することが望まし
い。
【００２８】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて更に詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。 ［一体型フイルムの作成］厚さ７５μｍのポリエチレン
テレフタレートフィルム仮支持体に下記の処方Ｈ、Ｐか
ら成る塗布液を塗り付け、さらに下記感光性樹脂層溶液
Ｋ、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＯＣを塗り付け乾燥させ、該仮支持体
の上に乾燥膜厚が１４．６μｍの熱可塑性樹脂層と乾燥
膜厚が１．６μｍの酸素遮断膜と各種乾燥膜厚（Ｋ、
Ｒ、Ｇ、Ｂは２μｍ、ＯＣは２．８μｍ）の感光層を設
け、保護フイルムでカバーした。こうして仮支持体と熱
可塑性樹脂層と酸素遮断膜と感光層が一体となったフイ
ルムを作成し、それぞれのサンプル名を、使用した感光
性樹脂層溶液の記号Ｋ、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＯＣ（オーバーコ
ート）とした。
明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。 ［一体型フイルムの作成］厚さ７５μｍのポリエチレン
テレフタレートフィルム仮支持体に下記の処方Ｈ、Ｐか
ら成る塗布液を塗り付け、さらに下記感光性樹脂層溶液
Ｋ、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＯＣを塗り付け乾燥させ、該仮支持体
の上に乾燥膜厚が１４．６μｍの熱可塑性樹脂層と乾燥
膜厚が１．６μｍの酸素遮断膜と各種乾燥膜厚（Ｋ、
Ｒ、Ｇ、Ｂは２μｍ、ＯＣは２．８μｍ）の感光層を設
け、保護フイルムでカバーした。こうして仮支持体と熱
可塑性樹脂層と酸素遮断膜と感光層が一体となったフイ
ルムを作成し、それぞれのサンプル名を、使用した感光
性樹脂層溶液の記号Ｋ、Ｒ、Ｇ、Ｂ、ＯＣ（オーバーコ
ート）とした。
【００２９】 ＜熱可塑性樹脂層処方Ｈ＞ ・塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体 ３００質量部 ・塩化ビニル−酢酸ビニル−マレイン酸共重合体 ８０質量部 ・フタル酸ジブチル ８０質量部 （メチルエチルケトンを適宜添加） ＜酸素遮断膜処方Ｐ＞ ・ ポリビニルアルコール ２００質量部 （水を適宜添加） ＜感光性樹脂層溶液Ｋ＞ ・ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体 ６０質量部 ・ペンタエリスリトールテトラアクリレート ４０質量部 ・ミヒラーズケトン ３質量部 ・２-（ｏ-クロロフェニル）-４，５-ジフェニルアミダジール二量体 ３質量部 ・カーボンブラック ６質量部 （メチルエチルケトンを適宜添加）
【００３０】 ＜感光性樹脂層溶液Ｒ＞ ・ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体 ３２質量部 ・ペンタエリスリトールヘキサアクリレート ３１質量部 ・光重合開始剤 ２．５質量部 ２−トリクロロメチル−５−（ｐ−スチリルスチリル）１，３，４−オキサジ アゾール ・ＵＶ吸収剤 １２質量部 ７−（２−（４−（３−ヒドロキシメチルピペリジノ）−６−ジエチルアミ ノ）トリアジニルアミノ）−３−フェニルクマリン ・フェノチアジン ０．１質量部 ・ＰＲ２５４ ９．６質量部 （メチルエチルケトンを適宜添加）
【００３１】 ＜感光性樹脂層溶液Ｇ＞ ・ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体 ３０質量部 ・ペンタエリスリトールヘキサアクリレート ２９質量部 ・光重合開始剤 １．５質量部 ２−トリクロロメチル−５−（ｐ−スチリルスチリル）１，３，４−オキサジ アゾール ・ＵＶ吸収剤 ９．８質量部 ７−（２−（４−（３−ヒドロキシメチルピペリジノ）−６−ジエチルアミノ ）トリアジニルアミノ）−３−フェニルクマリン ・ＰＹ１３８ １０．１質量部 ・ＰＧ３６ ２０質量部 （メチルエチルケトンを適宜添加）
【００３２】 ＜感光性樹脂層溶液Ｂ＞ ・ベンジルメタクリレート／メタクリル酸共重合体 ４２質量部 ・ペンタエリスリトールヘキサアクリレート ３２質量部 ・光重合開始剤 1 ．６質量部 ２−トリクロロメチル−５−（ｐ−スチリルスチリル）１，３，４−オキサジ アゾール ・フェノチアジン ０．２質量部 ・ＰＢ１５：６ ２４質量部 （メチルエチルケトンを適宜添加）
【００３３】 ＜感光性樹脂層溶液ＯＣ＞ ・ポリマー ２４質量部 スチレン／マレイン酸共重合体ベンジルアミン変性物（共重合比６８／ ３２） ・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート ２０質量部 ・光重合開始剤 ＩＲＧ１８４（CAS947-19-3） １質量部 ・ＵＶ吸収剤 １２質量部 ７−（２−（４−（３−ヒドロキシメチルピペリジノ）−６−ジエチルア ミノ）トリアジニルアミノ）−３−フェニルクマリン （メチルエチルケトンを適宜添加）
【００３４】実施例１（カラーフィルター作成例） ＜基板の洗浄＞縦３２０ｍｍ横４００ｍｍのガラス基板
を、シランカップリング剤液（Ｎ−β（アミノエチル）
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン０．３重量％水
溶液）に３０秒浸漬後、純水に３０秒浸漬、１１０℃５
分乾燥した。
を、シランカップリング剤液（Ｎ−β（アミノエチル）
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン０．３重量％水
溶液）に３０秒浸漬後、純水に３０秒浸漬、１１０℃５
分乾燥した。
【００３５】＜遮光層の形成＞前期一体型フイルムＫの
保護フイルムを剥離後、基板温度１００℃、ゴムローラ
ー温度１３０℃、線圧１００Ｎ／ｃｍ、搬送速度１．０
ｍ／分でラミネートした。超高圧水銀灯を有すプロキシ
ミティー型露光機で、露光マスク下面と該感光性フイル
ムの間の距離を７０μｍに設定し、ＶＧＡ用のパターン
露光マスクで露光量７０ｍＪ／ｃｍ2でパターン露光
後、シャワー現像機で熱可塑性樹脂層と酸素遮断膜を除
去し、引き続きシャワー現像機でＫ層（遮光層）を現像
後、シャワーとブラシにより残渣除去現像を行い、額縁
及び格子状のパターン画像を得た。引き続き、該基板に
対して該樹脂層の側から超高圧水銀灯で５００ｍＪ／ｃ
ｍ2の光でポスト露光後、２２０℃、２５分熱処理し
た。同様の手順で、Ｋ層の塗布厚、現像時間、残渣除去
現像の時間、ポスト露光量、ポストベーク温度・時間を
変化させて、所望のテーパー角のサンプルを作成した。
保護フイルムを剥離後、基板温度１００℃、ゴムローラ
ー温度１３０℃、線圧１００Ｎ／ｃｍ、搬送速度１．０
ｍ／分でラミネートした。超高圧水銀灯を有すプロキシ
ミティー型露光機で、露光マスク下面と該感光性フイル
ムの間の距離を７０μｍに設定し、ＶＧＡ用のパターン
露光マスクで露光量７０ｍＪ／ｃｍ2でパターン露光
後、シャワー現像機で熱可塑性樹脂層と酸素遮断膜を除
去し、引き続きシャワー現像機でＫ層（遮光層）を現像
後、シャワーとブラシにより残渣除去現像を行い、額縁
及び格子状のパターン画像を得た。引き続き、該基板に
対して該樹脂層の側から超高圧水銀灯で５００ｍＪ／ｃ
ｍ2の光でポスト露光後、２２０℃、２５分熱処理し
た。同様の手順で、Ｋ層の塗布厚、現像時間、残渣除去
現像の時間、ポスト露光量、ポストベーク温度・時間を
変化させて、所望のテーパー角のサンプルを作成した。
【００３６】該基板上に、前記一体型フイルムＲの保護
フイルムを剥離後、温度１３０℃線圧１００Ｎ／ｃｍ搬
送速度１．０ｍ／分でラミネートした。超高圧水銀灯を
有すプロキシミティー型露光機で、露光マスク下面と該
感光性フイルムの間の距離を７０μｍに設定し、ＶＧＡ
用のパターン露光マスクで露光量５０ｍＪ／ｃｍ2でパ
ターン露光後、シャワー現像機で熱可塑性樹脂層と酸素
遮断膜を除去し、引き続きシャワー現像機でＲ層を現像
後、シャワーとブラシにより残渣除去現像を行い、Ｒ画
像を得た。引き続き、該基板に対して該樹脂層の側から
超高圧水銀灯で５００ｍＪ／ｃｍ2の光でポスト露光
後、２２０℃、２５分熱処理した。該基板上に、前記一
体型フイルムＧ、Ｂを用い、前記Ｒと同様にしてＧ、Ｂ
画像を得た。該基板上に、前記一体型フイルムＯＣの保
護フイルムを剥離後、温度１３０℃、線圧１００Ｎ／ｃ
ｍ、搬送速度１．０ｍ／分でラミネートした。
フイルムを剥離後、温度１３０℃線圧１００Ｎ／ｃｍ搬
送速度１．０ｍ／分でラミネートした。超高圧水銀灯を
有すプロキシミティー型露光機で、露光マスク下面と該
感光性フイルムの間の距離を７０μｍに設定し、ＶＧＡ
用のパターン露光マスクで露光量５０ｍＪ／ｃｍ2でパ
ターン露光後、シャワー現像機で熱可塑性樹脂層と酸素
遮断膜を除去し、引き続きシャワー現像機でＲ層を現像
後、シャワーとブラシにより残渣除去現像を行い、Ｒ画
像を得た。引き続き、該基板に対して該樹脂層の側から
超高圧水銀灯で５００ｍＪ／ｃｍ2の光でポスト露光
後、２２０℃、２５分熱処理した。該基板上に、前記一
体型フイルムＧ、Ｂを用い、前記Ｒと同様にしてＧ、Ｂ
画像を得た。該基板上に、前記一体型フイルムＯＣの保
護フイルムを剥離後、温度１３０℃、線圧１００Ｎ／ｃ
ｍ、搬送速度１．０ｍ／分でラミネートした。
【００３７】超高圧水銀灯を有すプロキシミティー型露
光機で、露光マスク下面と該感光性フイルムの間の距離
を７０μｍに設定し、露光量５０ｍＪ／ｃｍ2でパター
ン露光後、シャワー現像機で熱可塑性樹脂層と酸素遮断
膜を除去し、引き続きシャワー現像機でＯＣ層を現像
後、シャワーとブラシにより残渣除去現像を行い、前記
基板を覆う保護層画像を得た。引き続き、該基板に対し
て該樹脂層の側から超高圧水銀灯で５００ｍＪ／ｃｍ2
の光でポスト露光後、２２０℃、１３０分熱処理した。
光機で、露光マスク下面と該感光性フイルムの間の距離
を７０μｍに設定し、露光量５０ｍＪ／ｃｍ2でパター
ン露光後、シャワー現像機で熱可塑性樹脂層と酸素遮断
膜を除去し、引き続きシャワー現像機でＯＣ層を現像
後、シャワーとブラシにより残渣除去現像を行い、前記
基板を覆う保護層画像を得た。引き続き、該基板に対し
て該樹脂層の側から超高圧水銀灯で５００ｍＪ／ｃｍ2
の光でポスト露光後、２２０℃、１３０分熱処理した。
【００３８】結果を表１及び表２に示す。表中の気泡の
測定では、Ｒ、Ｇ、Ｂは額縁部内側を評価し、ＯＣは額
縁部外側を評価した。
測定では、Ｒ、Ｇ、Ｂは額縁部内側を評価し、ＯＣは額
縁部外側を評価した。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】実施例２（カラーフィルター付ＴＦＴ基板
の作成例） （１）ＴＦＴ基板受け入れ （２）ＴＦＴ基板洗浄、 シランカップリング剤液（Ｎ−β（アミノエチル）γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン０．３重量％水溶
液）に３０秒浸漬後、純水に３０秒浸漬、１１０℃５分
乾燥した。
の作成例） （１）ＴＦＴ基板受け入れ （２）ＴＦＴ基板洗浄、 シランカップリング剤液（Ｎ−β（アミノエチル）γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン０．３重量％水溶
液）に３０秒浸漬後、純水に３０秒浸漬、１１０℃５分
乾燥した。
【００４２】（３）遮光フイルムの形成 ＜額縁部分および全画素のＴＦＴ部分に遮光膜を形成＞
温度２２℃、相対湿度５０％〜６０％の環境で（相対湿
度は４０％より低いと剥離帯電が顕著となる）、前記一
体型フイルムＫの保護フィルムを剥離し、速度１．５ｍ
／ｓ・線圧１００Ｎ／ｃｍ、基板温度１００℃、ゴムロ
ーラー温度１３０℃でラミネートした後、 ベースフイルムを剥離し プロキシミティ７０μｍとしてマスク露光７０ｍＪ／
ｃｍ2 シャワー現像機にてクッション層現像除去 シャワー現像機にて遮光層の現像・パターン化
温度２２℃、相対湿度５０％〜６０％の環境で（相対湿
度は４０％より低いと剥離帯電が顕著となる）、前記一
体型フイルムＫの保護フィルムを剥離し、速度１．５ｍ
／ｓ・線圧１００Ｎ／ｃｍ、基板温度１００℃、ゴムロ
ーラー温度１３０℃でラミネートした後、 ベースフイルムを剥離し プロキシミティ７０μｍとしてマスク露光７０ｍＪ／
ｃｍ2 シャワー現像機にてクッション層現像除去 シャワー現像機にて遮光層の現像・パターン化
【００４３】パターン化の現像液はテトラメチルアンモ
ニウムを含有する有機アルカリ現像液ｐＨ１２．６ Ｎ
ａ含量２７ｐｐｂを用いた（ｐＫａが９．５〜１０．５
付近にあるアミンをアルカリ剤として含有するｐＨ１
０．６ Ｎａ含量５００ｐｐｂの現像液、あるいは、同
アミンを含有するｐＨ１０．０ Ｎａ含量５ｐｐｍの現
像液でも同様に現像可能である）。 シャワーとブラシ現像により残渣除去 ポスト露光５００ｍＪ／ｃｍ2 ベーク ２２０℃２５分 得られた遮光膜のＯＤ＝３．５、エッジの断面（テーパ
ー部）は角度５０°、高さ１．２５μｍであった。
ニウムを含有する有機アルカリ現像液ｐＨ１２．６ Ｎ
ａ含量２７ｐｐｂを用いた（ｐＫａが９．５〜１０．５
付近にあるアミンをアルカリ剤として含有するｐＨ１
０．６ Ｎａ含量５００ｐｐｂの現像液、あるいは、同
アミンを含有するｐＨ１０．０ Ｎａ含量５ｐｐｍの現
像液でも同様に現像可能である）。 シャワーとブラシ現像により残渣除去 ポスト露光５００ｍＪ／ｃｍ2 ベーク ２２０℃２５分 得られた遮光膜のＯＤ＝３．５、エッジの断面（テーパ
ー部）は角度５０°、高さ１．２５μｍであった。
【００４４】（４）Ｒの形成 ＜Ｒ画素の形成＞前記一体型フイルムＲの保護フィルム
を剥離し、速度１．５ｍ／ｓ、線圧１００Ｎ／ｃｍ、基
板温度１００℃、ゴムローラー温度１３０℃でラミネー
トした後 ベースフイルムを剥離し プロキシミティ７０μｍとしてマスク露光３０ｍＪ／
ｃｍ2 シャワー現像機にてクッション層現像除去 シャワー現像機にてＲ層の現像・パターン化 コンタクトホールの元穴を有すＲ画像を得た シャワーとブラシ現像により残渣除去 ポスト露光５００ｍＪ／ｃｍ2 ベーク ２２０℃２５分 ベーク後のコンタクトホールの元穴の角度は５０°、高
さは１．６μｍであった。
を剥離し、速度１．５ｍ／ｓ、線圧１００Ｎ／ｃｍ、基
板温度１００℃、ゴムローラー温度１３０℃でラミネー
トした後 ベースフイルムを剥離し プロキシミティ７０μｍとしてマスク露光３０ｍＪ／
ｃｍ2 シャワー現像機にてクッション層現像除去 シャワー現像機にてＲ層の現像・パターン化 コンタクトホールの元穴を有すＲ画像を得た シャワーとブラシ現像により残渣除去 ポスト露光５００ｍＪ／ｃｍ2 ベーク ２２０℃２５分 ベーク後のコンタクトホールの元穴の角度は５０°、高
さは１．６μｍであった。
【００４５】（５）Ｇの形成 ＜Ｇ画素の形成＞ 前記一体型フイルムＧの保護フィルムを剥離し、速度
１．５ｍ／ｓ・線圧１００Ｎ／ｃｍ、基板温度１００
℃、ゴムローラー温度１３０℃でラミネートした後 ベースフイルムを剥離し プロキシミティ７０μｍとしてマスク露光３０ｍＪ／
ｃｍ2 シャワー現像機にてクッション層現像除去 シャワー現像機にて遮光層の現像・パターン化 コンタクトホールの元穴を有すＧ画像を得た シャワーとブラシ現像により残渣除去 ポスト露光５００ｍＪ／ｃｍ2 ベーク ２２０℃２５分 ベーク後のコンタクトホールの元穴の角度は４０°、高
さは１．５５μｍであった。
１．５ｍ／ｓ・線圧１００Ｎ／ｃｍ、基板温度１００
℃、ゴムローラー温度１３０℃でラミネートした後 ベースフイルムを剥離し プロキシミティ７０μｍとしてマスク露光３０ｍＪ／
ｃｍ2 シャワー現像機にてクッション層現像除去 シャワー現像機にて遮光層の現像・パターン化 コンタクトホールの元穴を有すＧ画像を得た シャワーとブラシ現像により残渣除去 ポスト露光５００ｍＪ／ｃｍ2 ベーク ２２０℃２５分 ベーク後のコンタクトホールの元穴の角度は４０°、高
さは１．５５μｍであった。
【００４６】（６）Ｂの形成 ＜Ｂ画素の形成＞前記一体型フイルムＢの保護フィルム
を剥離し、速度１．５ｍ／ｓ・線圧１００Ｎ／ｃｍ、基
板温度１００℃、ゴムローラー温度１３０℃でラミネー
トした後、 ベースフイルムを剥離し プロキシミティ７０μｍとしてマスク露光３５ｍＪ／
ｃｍ2、 裏面より１００ｍＪ／ｃｍ2で露光 シャワー現像機にてクッション層現像除去 シャワー現像機にてＢ層の現像・パターン化 コンタクトホールの元穴を有すＢ画像を得た シャワーとブラシ現像により残渣除去 ポスト露光５００ｍＪ／ｃｍ2 ベーク ２２０℃２５分 ベーク後のコンタクトホールの元穴の角度は５０°、高
さは１．６μｍであった。
を剥離し、速度１．５ｍ／ｓ・線圧１００Ｎ／ｃｍ、基
板温度１００℃、ゴムローラー温度１３０℃でラミネー
トした後、 ベースフイルムを剥離し プロキシミティ７０μｍとしてマスク露光３５ｍＪ／
ｃｍ2、 裏面より１００ｍＪ／ｃｍ2で露光 シャワー現像機にてクッション層現像除去 シャワー現像機にてＢ層の現像・パターン化 コンタクトホールの元穴を有すＢ画像を得た シャワーとブラシ現像により残渣除去 ポスト露光５００ｍＪ／ｃｍ2 ベーク ２２０℃２５分 ベーク後のコンタクトホールの元穴の角度は５０°、高
さは１．６μｍであった。
【００４７】（７）ＯＣの形成 前記一体型フイルムＯＣの保護フィルムを剥離し、速度
１．５ｍ／ｓ、線圧１００Ｎ／ｃｍ、基板温度１００
℃、ゴムローラー温度１３０℃でラミネート ベースフイルムを剥離し ２ロキシミティ７０μｍとしてマスク露光５０ｍＪ／
ｃｍ2、 裏面より１００ｍＪ／ｃｍ２で露光 シャワー現像機にてクッション層現像除去 シャワー現像機にてＯＣ層の現像・パターン化 シャワーとブラシ現像により残渣除去 ポスト露光５００ｍＪ／ｃｍ2 ベーク ２２０℃１３０分 遮光フイルム、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素を覆うように、
コンタクトホールを有すＯＣ層（保護層）を得たこのよ
うにして作製された、カラーフィルター付きアクティブ
マトリクス基板は、上記遮光フイルムの額縁部及び各画
素コンタクトホールの元穴部に気泡が無かった。
１．５ｍ／ｓ、線圧１００Ｎ／ｃｍ、基板温度１００
℃、ゴムローラー温度１３０℃でラミネート ベースフイルムを剥離し ２ロキシミティ７０μｍとしてマスク露光５０ｍＪ／
ｃｍ2、 裏面より１００ｍＪ／ｃｍ２で露光 シャワー現像機にてクッション層現像除去 シャワー現像機にてＯＣ層の現像・パターン化 シャワーとブラシ現像により残渣除去 ポスト露光５００ｍＪ／ｃｍ2 ベーク ２２０℃１３０分 遮光フイルム、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素を覆うように、
コンタクトホールを有すＯＣ層（保護層）を得たこのよ
うにして作製された、カラーフィルター付きアクティブ
マトリクス基板は、上記遮光フイルムの額縁部及び各画
素コンタクトホールの元穴部に気泡が無かった。
【００４８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、画素を形
成する際に、画素の端面を所定の角度、高さのテーパー
状に設定し、その後次の画素等の被膜層を形成するの
で、ラミネート方式、スリットコート法の場合にも気泡
の残存を防止でき、高品位のカラーフィルターを製造す
ることができる。
成する際に、画素の端面を所定の角度、高さのテーパー
状に設定し、その後次の画素等の被膜層を形成するの
で、ラミネート方式、スリットコート法の場合にも気泡
の残存を防止でき、高品位のカラーフィルターを製造す
ることができる。
【図１】 本発明のカラーフィルターの製造方法の一実
施の形態を示す説明図である。
施の形態を示す説明図である。
【図２】 本発明のカラーフィルターの製造方法の他の
実施の形態を示す説明図である。
実施の形態を示す説明図である。
１０ 基板 １１ 配線 １２ 遮光膜 １４ 被膜層 １６ 画素（Ｒ） １８ オーバーコート層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H048 BA02 BA11 BA16 BA17 BA25 BA28 BA29 BA43 BB15 BB37 BB43 2H091 FA02Y FA34Y FB02 FC01 GA02 GA13 LA12
Claims (5)
- 【請求項１】 画素の端部の端面を角度２０〜７０°、
高さ０．５〜２．５μｍのテーパー状に形成した後、前
記画素上に被膜層を形成することを特徴とすることを特
徴とするカラーフィルターの製造方法。 - 【請求項２】 前記角度が３０〜６０°、前記高さが
０．７〜２．０μmであることを特徴とする請求項１に
記載のカラーフィルターの製造方法。 - 【請求項３】 前記被膜層をラミネート法により形成す
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のカ
ラーフィルターの製造方法。 - 【請求項４】 前記画素が遮光膜からなり、前記被膜層
がＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素のいずれかを形成するための
被膜層であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の
いずれかに記載のカラーフィルターの製造方法。 - 【請求項５】 前記被膜層が、オーバーコート層がある
ことを特徴とする請求項１に記載のカラーフィルターの
製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000231163A JP4252711B2 (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | カラーフィルターの製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000231163A JP4252711B2 (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | カラーフィルターの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002040229A true JP2002040229A (ja) | 2002-02-06 |
| JP4252711B2 JP4252711B2 (ja) | 2009-04-08 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000231163A Expired - Fee Related JP4252711B2 (ja) | 2000-07-31 | 2000-07-31 | カラーフィルターの製造方法 |
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| JP (1) | JP4252711B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006313379A (ja) * | 2003-03-12 | 2006-11-16 | Mitsubishi Chemicals Corp | 感光性組成物、感光性着色組成物、カラーフィルタ、及び液晶表示装置 |
| WO2007094119A1 (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Fujifilm Corporation | カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び該カラーフィルタを有する表示装置 |
| WO2009035066A1 (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Fujifilm Corporation | Thin resin film and production method thereof, and color filter for liquid crystal display and production method thereof |
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|---|---|---|---|---|
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2000
- 2000-07-31 JP JP2000231163A patent/JP4252711B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2009035066A1 (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Fujifilm Corporation | Thin resin film and production method thereof, and color filter for liquid crystal display and production method thereof |
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| JP4252711B2 (ja) | 2009-04-08 |
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