JP2002033511A

JP2002033511A - 窒化物半導体素子

Info

Publication number: JP2002033511A
Application number: JP2000138879A
Authority: JP
Inventors: Shinji Kawachi; 晋治河内
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 2000-05-10
Filing date: 2000-05-11
Publication date: 2002-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】同一面上に両電極が形成される窒化物半導体
素子において、十分に高い信頼性を有し且つ発光特性に
優れた窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層
と、該ｎ型窒化物半導体層上に互いに分離されて設けら
れたｎパッド電極とｐ型窒化物半導体層と、該ｐ型窒化
物半導体層上のほぼ全面に設けられた透光性のｐ型全面
電極と、該ｐ型全面電極の上面の一部に形成されたボン
ディング用のｐパッド電極とを少なくとも有する窒化物
半導体素子であって、前記ｐパッド電極及び前記ｎパッ
ド電極は、窒化物半導体素子の平面から視て、前記ｐパ
ッド電極及び前記ｎパッド電極とが互いに対向する角が
角取り若しくはＲ取りされた多角形となるように形成さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード
（ＬＥＤ）、レーザーダイオード（ＬＤ）、太陽電池、
光センサー等の発光素子、あるいはトランジスタ、パワ
ーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体
（Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦
１）よりなる窒化物半導体素子に関し、特に前記窒化物
半導体素子における電極の形状に関する。

【０００２】

【従来技術】窒化物半導体素子は高輝度純緑色発光ＬＥ
Ｄ、青色ＬＥＤとして、フルカラーＬＥＤディスプレ
イ、交通信号灯、イメージスキャナー光源等の各種光源
で実用化されている。

【０００３】これらのＬＥＤ素子は、例えば、サファイ
ア基板上にｎ型窒化物半導体層を成長させ、そのｎ型窒
化物半導体層上に活性層とｐ型窒化物半導体層を順に積
層形成させた構造となっている。また、ｐ型窒化物半導
体層側からエッチング等により露出されたｎ型窒化物半
導体層上にｎ電極が形成され、ｐ型窒化物半導体層上に
はｐ型全面電極及びＰパッド電極が形成されている。

【０００４】上記のように、サファイア基板は絶縁性で
あるため、半導体層側の同一面上にｐ型及びｎ型の両電
極を取り出す必要がある。そのため電極による光の遮断
を考慮し、ｎパッド電極をｎ型窒化物半導体層の隅部
に、及びｐパッド電極をｐ型窒化物半導体層の隅部に配
置させている。また各電極の形状は、ワイヤーボンディ
ングの際における画像認識のしやすさから、これまで円
形若しくは四角形のパターンが用いられており、種別を
認識しやすくするため各電極の形状を異ならせている。
例えば、図５に示すように、ｐパッド電極５は半導体層
側から垂直に視て正方形であり、また、ｎパッド電極６
はｐ型全面電極４の所定の形状にあわせて形成面から垂
直に視て円形に形成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発光素
子の利用分野の広がりとともに発光素子の小型化が要求
されている現在において、上記したＬＥＤ素子では不十
分であり更なる改良が求められている。

【０００６】そこで、本発明は、光学特性に優れ且つ十
分高い信頼性を有した発光素子を提供することを目的と
する。

【課題を解決するための手段】

【０００７】すなわち、本発明に係る窒化物半導体素子
は、基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型
窒化物半導体層上に互いに分離されて設けられたｎパッ
ド電極とｐ型窒化物半導体層と、該ｐ型窒化物半導体層
上のほぼ全面に設けられた透光性のｐ型全面電極と、該
ｐ型全面電極の上面の一部に形成されたボンディング用
のｐパッド電極とを少なくとも有する窒化物半導体素子
であって、前記ｐパッド電極及び前記ｎパッド電極は、
窒化物半導体素子の平面から視て、前記ｐパッド電極及
び前記ｎパッド電極とが互いに対向する角が角取り若し
くはＲ取りされた多角形であることを特徴とする。

【０００８】このような形状に各パッド電極を形成する
ことにより、発光層全体に均一に電流を注入することが
でき、窒化物半導体素子の高い発光効率を十分に引き出
しつつ均一な発光を得ることができる。

【０００９】また、前記ｐパッド電極及び前記ｎパッド
電極とが互いに対向する角と反対側の前記ｐパッド電極
の角が、前記ｐ型全面電極の角と略一致して形成されて
いる。

【００１０】このように形成することにより、発光箇所
を窒化物半導体素子の中央一カ所とすることができ、更
に均一な発光が得られる。

【００１１】また、前記窒化物半導体素子は１辺が１５
０μｍ〜３５０μｍの四辺形であり、前記窒化物半導体
素子を構成するｐ型全面電極はＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓ
ｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉの１種類以上の金属よりなり、該
ｐ型全面電極は膜厚５０オングストローム〜５００オン
グストローム、且つ、透過率５〜９０％となるように形
成されている。

【００１２】また、前記ｐ型全面電極の表面抵抗率は
０．３Ω／□〜１０Ω／□である。

【００１３】上記のような範囲で構成された窒化物半導
体素子において、本発明の効果が大きくみられる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明者は、種々の実験の結果、
窒化物半導体素子はｎパッド電極及びｐパッド電極の配
置及び形状を考慮することで素子の発光特性及び信頼性
を向上させることができることを見いだし本発明を成す
に至った。

【００１５】現状の窒化物半導体素子は絶縁性の異種基
板を用いているため、同一面側にｎ電極及びｐ電極の両
電極を取り出す必要がある。このため、発光素子のチッ
プサイズを小型化するにつれて両電極間は近接し、両電
極が最近接している箇所では抵抗が低いため電流密度が
高くなり、素子全体における発光状態が不均一となって
しまう。

【００１６】また、このようは素子を用いて発光装置を
製造すると、素子を覆うモールド樹脂が焦げる傾向にあ
る。これは、両電極が最近接している箇所において波長
の狭窄が発生し、波長が短波長側にシフトする際に生じ
る熱が原因だと考えられる。

【００１７】そこで、単に電極間を広げようと各パッド
電極の面積を極端に狭くすると、ボンディングの際にお
ける信頼性が欠けてしまう。また、各パッド電極と各層
との接触面積が減少してしまい、発光層全体に均一に電
流を供給することがかえって困難となってしまう。

【００１８】また、発光面積を広げようと、ｐ型全面電
極上に配置されるｐパッド電極が、ｎパッド電極と対向
していない側の角においても角取り若しくはＲ取りされ
ている形状を有する場合、例えば、ｐパッド電極が窒化
物半導体素子の平面から視て円形の場合、発光部分が隅
部と中央部との２カ所となってしまい、発光ムラの原因
となる。

【００１９】そこで、本発明は、同一面上に両電極が形
成されている窒化物半導体素子において、上記のことを
考慮しつつ、両電極間の最近接箇所を広げることで発光
素子全体の電流密度を均一にし、十分に高い信頼性を有
し且つ光学特性に優れた窒化物半導体素子を提供するも
のである。

【００２０】以下、図を参照にして本発明に係る実施の
形態について説明する。図１−（ａ）は本発明の一実施
の形態に係るＬＥＤ素子の平面図であり、図１−（ｂ）
は図１−（ａ）のＡ−Ａ’線についての模式的断面図で
ある。絶縁性基板１上に、少なくともｎ型窒化物半導体
層２、活性層（図示されていない）、及びｐ型窒化物半
導体層３が順に積層形成されている。ｐ型窒化物半導体
層３のほぼ全面に形成された透明なｐ型全面電極４と、
ｐ型全面電極４の上面の一部に形成されたボンディング
用のｐパッド電極５が形成され、ｐ型窒化物半導体層３
側からエッチング等により露出されたｎ型窒化物半導体
層２上にｎパッド電極６が形成されている。また、各パ
ッド電極は、それぞれ四角形の互いに対向する角が面取
り（角取りまたはＲ取り）された形状を有する。以下、
本発明の構成について詳述する。

【００２１】（絶縁性基板１）本発明において用いるこ
とのできる絶縁性基板１は、サファイアＣ面の他、Ｒ
面、Ａ面を主面とするサファイア、スピネル（ＭｇＡｌ
₂Ｏ₄）等を用いることができる。

【００２２】結晶性の良い窒化物半導体を成長させるた
めにはサファイア基板を用いることが好ましい。また、
発光された光は絶縁性基板を介して取り出すことも、透
光性の電極を形成することにより半導体層側から取り出
すことも可能である。本実施の形態では、透光性の電極
を介して光を取り出すように構成している。

【００２３】（ｎ型窒化物半導体層２、ｐ型窒化物半導
体層３）本発明において、ｎ型窒化物半導体層２及びｐ
型窒化物半導体層３は、特に限定されず、いずれの層構
成のものを用いてもよい。

【００２４】本発明の実施の形態において、ｐ型窒化物
半導体層３は、ｐ型不純物の濃度がそれぞれ、中濃度ド
ープのｐ型クラッド層（ｐ型多層膜層又はｐ型単一膜
層）と、低濃度ドープのｐ型低濃度ドープ層と、高濃度
ドープのｐ型コンタクト層とを順に成長させた３種の層
を有することが好ましい。このように、素子構造のｐ側
に特定の３種の層にわたってｐ型不純物の特定の濃度変
化を形成すると、３種の層が相対的に作用し発光出力の
向上、及び静電耐圧の向上が可能となる。

【００２５】さらに、ｐ型低濃度ドープ層がＡｌ_SＧａ
_1-SＮ（０＜ｓ＜０．５）からなり、さらにｐ型低濃度
ドープ層のＡｌ組成比を、ｐ型多層膜層の平均のＡｌ組
成比、または、ｐ型単一膜層のＡｌ組成比より小さくす
ると、ｐ型低濃度ドープ層の膜厚を薄くしても良好な発
光出力と共に高い静電耐圧を得ることができるので好ま
しい。

【００２６】また、ｐ型クラッド層（多層膜層及び単一
膜層）のｐ型不純物濃度は、５×１０¹⁷〜１×１０²¹／
ｃｍ³に設定することが好ましく、これにより発光出力
及び静電耐圧を効果的に向上させることができ且つ隣接
するｐ型低濃度ドープ層の濃度の調整を良好に行うこと
ができる。尚、ｐ型不純物濃度とは、多層膜からなるｐ
型多層膜層の場合、多層膜を構成している各層の平均の
濃度をいう。また、効果的に発光出力及び静電耐圧を向
上させるためにｐ型低濃度ドープ層のｐ型不純物濃度
を、１×１０¹⁹／ｃｍ³未満に設定することが好まし
い。

【００２７】また更に、ｐ型コンタクト層のｐ型不純物
濃度は、１×１０¹⁸〜５×１０²¹／ｃｍ³であることが
好ましく、効果的に発光出力及び静電耐圧を向上させる
ことができる。

【００２８】本発明におけるｐ型窒化物半導体層３は、
ｐ型クラッド層（多層膜層及び単一膜層）、ｐ型低濃度
ドープ層、及びｐ型コンタクト層の各ｐ型不純物の濃度
は、効果的に発光出力及び静電耐圧を向上させるため
に、それら３つの層における総合の濃度関係（ｐ型クラ
ッド層が中濃度であり、ｐ型低濃度ドープ層が低濃度で
あり、ｐ型コンタクト層が高濃度であるという相互の関
係）を満たしたうえで前記のような不純物濃度範囲に設
定することが好ましい。

【００２９】また、前記ｐ型クラッド層（多層膜層及び
単一膜層）と、前記ｐ型コンタクト層から、ｐ型不純物
をｐ型低濃度ドープ層中に拡散させることによりｐ型低
濃度ドープ層中にｐ型不純物を含有させるようにしても
よい。このようにすると、ｐ型低濃度ドープ層のｐ型不
純物濃度を、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層より
低濃度に容易に調節することができるので好ましく、発
光出力及び静電耐圧を容易に向上させることができる。

【００３０】また、ｎ型窒化物半導体層２として、アン
ドープの窒化物半導体からなる下層、ｎ型不純物がドー
プされている窒化物半導体層からなる中間層、及びアン
ドープの窒化物半導体層からなる上層の少なくとも３層
が順に積層されてなるｎ型第１多層膜層を有することが
好ましく、このようにするとｐ側の前記の層との組み合
わせによりさらに静電耐圧を向上させることができる。

【００３１】また、更に、ｎ型第１多層膜層と基板との
間に、基板側から順に、ｎ型不純物を含有するｎ型コン
タクト層及びアンドープＧａＮ層を形成することが好ま
しく、これによりさらに静電耐圧を向上させることがで
きる。

【００３２】また、更に、アンドープＧａＮ層、ｎ型コ
ンタクト層、及びｎ型第１多層膜層の合計の膜厚は、静
電耐圧をより向上させるために、好ましくは２〜２０μ
ｍ、より好ましくは３〜１０μｍ、よりいっそう好まし
くは４〜９μｍに設定する。また前記範囲の膜厚に設定
すると、静電耐圧以外の他の素子特性も良好にできる。
また、前記３層の合計の膜厚は、以下の実施の形態に置
いて記載する各層の好ましい膜厚の範囲内で、３層の合
計の膜厚が前記範囲となるように適宜調整される。

【００３３】このように、本発明に係る窒化物半導体素
子において、前記特定の３種のｐ型層と、更に特定のｎ
型層とを組み合わせることにより、発光出力及び静電耐
圧の向上をより向上させることができる。このような素
子構造を用いると本発明の効果がより一層大きくなる。

【００３４】また、アンドープとは、意図的に不純物を
ドープしないで形成した層を示し、隣接する層からの不
純物の拡散、原料又は装置からのコンタミネーションに
より不純物が混入した層であっても、意図的に不純物を
ドープしていない場合にはアンドープ層という。なお、
拡散により混入する不純物は層内において不純物濃度に
勾配がついている場合がある。

【００３５】また、本発明において、不純物濃度の測定
は、種々の測定方法により測定可能であるが、例えば、
二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ；Secondary Ion Mass S
pectrometry）が挙げられる。

【００３６】（電極４、５、６）本発明においてｐ電極
は、ｐ型窒化物半導体素子のほぼ全面に設けられたｐ型
全面電極４と、前記ｐ型全面電極上に設けられたボンデ
ィング用のｐパッド電極５からなる。ｐ電極は、ｐ型窒
化物半導体層３とオーミック接触可能な電極材料であれ
ば特に限定されない。また、本発明の実施の形態におい
てｐ型全面電極４は透光性であることが好ましい。

【００３７】例えば、ｐ型全面電極４としては、Ａｕ、
Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ等の１種類以上を
用いることができる。本実施の形態において、ｐ型全面
電極の表面抵抗率は０．３Ω／□〜１０Ω／□に設定さ
れている。また、膜厚５０オングストローム〜５００オ
ングストローム、且つ、透過率５〜９０％に設定されて
おり、これらは前記に記載する表面抵抗率の範囲を満た
すように適宜調整される。

【００３８】また、本発明において、ｐ型全面電極４の
表面抵抗率の測定は、種々の測定方法により測定可能で
あるが、例えば四探針法が挙げられる。

【００３９】本発明において、窒化物半導体素子のｐ型
全面電極４の透過率及び表面抵抗率を測定するにあたっ
ては、素子完成後のｐ型全面電極４を測定するのではな
く、絶縁性基板上に直接ｐ型全面電極４を積層した状態
での前記ｐ型全面電極４を測定した値を本発明の窒化物
半導体素子におけるｐ型全面電極４の測定値とする。

【００４０】ｐパッド電極５としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ａ
ｌ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ等の１種類以上の金属材料
を用いることができる。ｐパッド電極５の膜厚は、２０
００オングストローム〜５μｍ、好ましくは５０００オ
ングストローム〜１．５μｍに設定する。

【００４１】ｎパッド電極６は、ｐ型窒化物半導体層３
の一部を除去して露出されたｎ型窒化物半導体層２上に
形成されている。窒化物半導体をエッチングする方法と
して、共振面となるような平滑な面を形成するには、好
ましくはドライエッチングを用いるとよい。ドライエッ
チングには、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＢ
Ｅ）、電子サイクロトロンエッチング（ＥＣＲ）、イオ
ンビームエッチング等の装置があり、いずれもエッチン
グガスを適宜選択することにより、窒化物半導体をエッ
チングして平滑面を形成することができる。例えば、特
開平８−１７８０３号公報に記載の窒化物半導体の具体
的なエッチング手段が挙げられる。

【００４２】ｎパッド電極６は、ｎ型窒化物半導体２と
オーミック接触が可能な電極材料であれば特に限定され
ない。例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｗ、Ｖ、Ｐｔ
等の金属材料の１種類以上を用いることができるが、Ｔ
ｉ、Ｗ、ＶをそれぞれベースとするＴｉ／Ａｌ、Ｗ／Ａ
ｌ／Ｗ／Ａｕ、Ｗ／Ａｌ／Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｖ／Ａｌ等
の多層構造とすることが好ましい。また、ｎ型窒化物半
導体層２とオーミック接触が可能な電極材料を用いるこ
とによりＶ_fを低減することができる。ｎ電極７の膜厚
は、２０００オングストローム〜５μｍ、好ましくは５
０００オングストローム〜１．５μｍに設定する。

【００４３】本発明において、ｎパッド電極６及びｐパ
ッド電極５の形状は、窒化物半導体素子の平面から視
て、前記ｎパッド電極６及びｐパッド電極５とが互いに
対向する角が角取り若しくはＲ取りされた多角形であれ
ばよい。角取り及びＲ取りの仕方は特に限定されず、前
記対向する角がＲ取りされることで曲線を帯びているか
若しくは角取りされることで２つ以上の鈍角になってい
ればよい。また、ｐパッド電極５はｐ型全面電極４上に
形成されるため、ボンディングの際におけるｎパッド電
極６との種別の認識は、形状を異ならせなくても容易で
ある。よって、ｐ型全面電極４を設けることによりｎパ
ッド電極６とｐパッド電極５とを同様な形状にすること
が可能となる。

【００４４】また本発明の窒化物半導体素子は、発光面
がチップ中央の一カ所となるように、ｐパッド電極５及
びｎパッド電極６とが互いに対向する角と反対側の前記
ｐパッド電極５の角がｐ型全面電極４の角と略一致する
ように形成されている。このようにｐパッド電極５を配
置させることにより、発光ムラを抑制することができ
る。

【００４５】このようなｐパッド電極５及びｎパッド電
極６の形状は、電極金属を成膜した後にレジスト膜を設
けてパターニングをするか、予めレジスト膜を設けてお
いてパターニングした後に電極金属を成膜するリフトオ
フ法により所望のパターン形状に形成される。つまり、
マスクとするレジスト膜のパターニング形状により比較
的簡単に所望のパターン形状の電極を得ることができ
る。

【００４６】また、チップサイズ２５０μｍ×２５０μ
ｍにおいて、ｐ型全面電極４とｐパッド電極５との最近
接間距離７は５μｍ〜３０μｍが好ましく、より好まし
くは１０μｍ〜２５μｍである。また、ｐパッド電極５
とｎパッド電極６との最近接間距離８は２０μｍ〜６０
μｍが好ましく、より好ましくは３０μｍ〜５０μｍで
ある。このように配置することにより、より発光層全体
に均一に電流を注入することができる。

【００４７】

【実施例】以下、本発明に係る実施例の窒化物半導体素
子について説明する。なお、本発明は以下に示す実施例
のみに限定されるものではない。

【００４８】［実施例１］サファイア（Ｃ面）よりなる
絶縁性基板１上に各半導体層２，３及び青色（４７０ｎ
ｍ）が発光可能な発光層（図示していない）をＭＯＶＰ
Ｅ法により形成する。アニーリング後、ウェーハを反応
容器から取り出し、ｐ型窒化物半導体層３の表面にＳｉ
Ｏ₂等からなる絶縁膜を成膜した後、前記絶縁膜表面上
に所定の形状のレジスト膜を形成し、ＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）装置でｐ型窒化物半導体層３側からエ
ッチングを行い、ｎパッド電極６を形成するｎ型窒化物
半導体層２の表面を露出させる。

【００４９】次に、前記絶縁膜を酸により剥離した後、
ｐ型窒化物半導体層３上のほぼ全面に、リフトオフ法に
より図１に示すような形状を有するＮｉ／Ａｕからなる
透過率６０％、且つ、表面抵抗率２Ω／□のｐ型全面電
極４を膜厚２００オングストロームで形成する。

【００５０】次に、前記ｐ型全面電極４上に、リフトオ
フ法により図１に示すような扇形の形状を有しＡｕ／Ｎ
ｉからなるｐパッド電極５を膜厚０．７μｍで形成す
る。

【００５１】一方、エッチングにより露出させたｎ型窒
化物半導体層２の表面には、同じくリフトオフ法によ
り、前記ｐパッド電極５と同様な形状を有し、Ｗ／Ａｌ
／Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｎｉからなるｎパッド電極６を膜厚
０．８μｍで形成し、ＬＥＤ素子とする。

【００５２】このように構成することで、チップサイズ
２５０μｍ×２５０μｍにおいて、ｐパッド電極５とｐ
型全面電極４との最近接間距離７は２３．５μｍ、ｐパ
ッド電極５とｎパッド電極６との最近接間距離８は４
５．５μｍとなる。

【００５３】また、以上のようにして形成された窒化物
半導体素子を用いたチップＬＥＤ素子を１０００個実装
しモールド樹脂で被覆された発光装置を、６０℃、９０
％の相対湿度のもとで２４時間放置し、２４０℃で１０
秒間の条件でリフローを実施し電流を供給すると、１０
００個中１０００個全てが青色に発光する。また、全て
において均一な発光が得られる。

【００５４】［比較例］これに対して、実施例１と比較
するために、ｐパッド電極５が窒化物半導体の平面から
視て四角形であり、ｐパッド電極及びｎパッド電極とが
互いに対向する角と反対側の前記ｐパッド電極の角が、
ｐ型全面電極の角と略一致されず、内側になるように設
定されている以外は実施例１と同様にして窒化物半導体
素子を形成すると、チップサイズ２５０μｍ×２５０μ
ｍにおいて、ｐパッド電極５とｐ型全面電極４との最近
接間距離７は４．９μｍ、ｐパッド電極５とｎパッド電
極６との最近接間距離８は２６．９μｍとなる。

【００５５】また、上記比較例に係る窒化物半導体素子
を用いた発光装置において、実施例１に施した試験と同
様な試験を実施すると、１０００個中１００個が発光不
可能となる。この発光しない不灯品を調べたところ、そ
の全てにおいてモールド樹脂が焦げている。

【００５６】また、試験後、発光したものについて、実
施例１に係る窒化物半導体素子を用いた発光装置と比較
例に係る窒化物半導体素子を用いた発光装置とを比較し
てみると、実施例１の窒化物半導体素子は全体が均一に
発光しているのに対し、比較例の窒化物半導体素子は、
発光部分が２カ所となり且つｎパッド電極６とｐパッド
電極５の最近接である箇所が素子全体に比べ顕著に発光
してしまい発光ムラが生じる。

【００５７】［実施例２］ｐパッド電極５及びｎパッド
電極６において、窒化物半導体素子の平面から視て、互
いに対向する角がそれぞれ、一方向から角取りされ２つ
の鈍角となる以外は実施例１と同様にして構成された窒
化物半導体素子を形成すると実施例１と同様の効果が得
られる。

【００５８】［実施例３］ｐパッド電極５及びｎパッド
電極６において、窒化物半導体素子の平面から視て、互
いに対向する角がそれぞれ、二方向から角取りされ３つ
の鈍角となる以外は実施例１と同様にして構成された窒
化物半導体素子を形成すると実施例１と同様の効果が得
られる。

【００５９】本実施例において、ｐパッド電極とｎパッ
ド電極の形状は同様でなくてもよく、実施例１乃至実施
例４に記載されたｐパッド電極及びｎパッド電極のパタ
ーンの形状をそれぞれどのように組み合わせても同様の
効果が得られる。

【００６０】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る窒化物半導体素子は、ｐパッド電極及びｎパッド電
極を、窒化物半導体素子の平面から視て、前記ｐパッド
電極及び前記ｎパッド電極とが互いに対向する角がそれ
ぞれ角取り若しくはＲ取りされた多角形とすることで、
各電極において各層との接触面積を確保しつつ各電極の
最近接箇所を広げることができる。このように構成する
ことで十分に高い信頼性を有し且つ発光特性に優れた窒
化物半導体素子が得られる。

【００６１】また、前記ｐパッド電極及び前記ｎパッド
電極とが互いに対向する角と反対側の前記ｐパッド電極
の角が、前記ｐ型全面電極の角と略一致して形成される
ことで、発光可能な面がチップ中央の一カ所となり発光
ムラを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明に係る実施例１の窒化物半導
体素子の模式的平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−
Ａ’についての模式的断面図である。

【図２】本発明に係る実施例２の窒化物半導体素子の
模式的平面図である。

【図３】本発明に係る実施例３の窒化物半導体素子の
模式的平面図である。

【図４】従来の窒化物半導体素子の一例を示す模式的
平面図である。

【符号の説明】

１・・・絶縁性基板２・・・ｎ型窒化物半導体層３・・・ｐ型窒化物半導体層４・・・ｐ型全面電極５・・・ｐパッド電極６・・・ｎパッド電極７・・・ｐ型全面電極とｐパッド電極との最近間距離８・・・ｐパッド電極とｎパッド電極との最近間距離

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4M104 AA03 BB02 BB04 BB05 BB06 BB09 BB13 BB14 BB18 CC01 DD63 DD68 FF11 FF13 GG04 HH20 5F033 HH07 HH08 HH13 HH17 HH18 MM05 MM08 MM21 VV07 5F041 AA11 CA34 CA40 CA46 CA83 CA85 CA87 CA91 CA93 FF01 FF11 5F073 CA17 CB05 CB22 DA05 DA25 EA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層
と、該ｎ型窒化物半導体層上に互いに分離されて設けら
れたｎパッド電極とｐ型窒化物半導体層と、該ｐ型窒化
物半導体層上のほぼ全面に設けられた透光性のｐ型全面
電極と、該ｐ型全面電極の上面の一部に形成されたボン
ディング用のｐパッド電極とを少なくとも有する窒化物
半導体素子であって、前記ｐパッド電極及び前記ｎパッ
ド電極は、窒化物半導体素子の平面から視て、前記ｐパ
ッド電極及び前記ｎパッド電極とが互いに対向する角が
角取り若しくはＲ取りされた多角形であることを特徴と
する窒化物半導体素子。
【請求項２】前記ｐパッド電極及びｎパッド電極とが
互いに対向する角と反対側の前記ｐパッド電極の角が、
前記ｐ型全面電極の角と略一致して形成されている請求
項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】前記窒化物半導体素子は１辺が１５０μ
ｍ〜３５０μｍの四辺形であり、前記窒化物半導体素子
を構成するｐ型全面電極はＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｎｉの１種類以上の金属よりなり、該ｐ型全
面電極は膜厚５０オングストローム〜５００オングスト
ローム、且つ、透過率５〜９０％である請求項１乃至２
に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】前記ｐ型全面電極の表面抵抗率は０．３
Ω／□〜１０Ω／□である請求項１乃至３に記載の窒化
物半導体素子。