JP2002031897A

JP2002031897A - フォトリソグラフィ方法とこれに用いる研磨加工装置

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Publication number: JP2002031897A
Application number: JP2000216122A
Authority: JP
Inventors: Koichiro Kijima; 公一朗木島
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2000-07-17
Filing date: 2000-07-17
Publication date: 2002-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィにおける、感光性材料層
に突起が生じることによる、高精度パターン化の阻害を
回避する。【解決手段】本発明によるフォトリソグラフィ方法
は、平滑面１ａを有する基体１上の、平滑面に感光性材
料を塗布する工程と、この感光性材料層２にパターン露
光する工程と、現像する工程とを有するフォトリソグラ
フィ方法にあって、パターン露光に先立って感光性材料
層の表面研磨加工を行う。そして、この表面研磨加工に
よって感光性材料層表面に存在する突起を除去ないしは
切頭して、この突起の存在によって露光されるべき部分
に未露光が発生することを回避する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種微細加工を行
う場合に適用されるフォトリソグラフィ方法とこれに用
いる研磨加工装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】フォトリソグラフィは、例えば光記録媒
体の作製におけるマスタリング工程、あるいは半導体装
置の製造工程における微細加工、例えばパターンエッチ
ングにおけるマスク形成等の各種製造工程に適用され
る。

【０００３】特に、近年、光学系の高Ｎ．Ａ．化および
短波長化により、光ディスクの記録密度は格段に向上し
ている。これに伴い、再生専用光ディスク（ＲＯＭディ
スク）および記録再生用光ディスク（ＲＡＭディスク）
においても、記録媒体として、基板表面に形成される記
録マークとしてのピットおよび例えばトラッキング用の
グルーブ等による凹凸も、より高精度微細凹凸の形成が
なされることが要求される。この微細凹凸を有する記録
媒体基板の作製は、一般に、樹脂の射出成形法、あるい
は２Ｐ法（Photopolymerization 法) による。これらい
ずれの方法も、微細凹凸を転写形成するためのスタンパ
が用意される。このスタンパを作製するためには、原盤
の作製いわゆるマスタリング工程が採られる。

【０００４】例えば、図９Ａに示すように、平滑面１ａ
を有するガラス板等の基体１上に、感光性材料層２、い
わゆるフォトレジスト層が塗布され、この上に例えばレ
ーザ光Ｌが、集光レンズ３によって感光性材料層２上に
集光させて走査し、かつ微細凹凸パターンに応じて光変
調されることによって、所要のパターンの露光部４を形
成する。

【０００５】この感光性材料層４に対して現像処理を行
って、例えばこの感光性材料層４がポジティブ型である
場合は、この現像によって露光部４が除去され、図９Ｂ
に示すように、感光性材料層４がパターン化され、感光
性材料層が残された部分と除去された部分とによって基
体１上に微細凹凸５が形成された原盤６の形成がなされ
る。

【０００６】この原盤６に対して、図９Ｃに示すよう
に、例えばＮｉを無電解メッキおよび電気メッキして所
要の厚さの金属層７を形成する。この金属層７を、図９
Ｄに示すように、原盤６から剥離して、マスタあるいは
スタンパ８を得る。このようにして形成したマスタある
いはスタンパ８は、原盤の６の微細凹凸５が転写されて
反転した微細凸凹９が形成される。これをマスタとする
ときは、更に、このマスタからマザーを転写作製し、こ
のマザーから複数のスタンパを転写複製する。そして、
このようにして得たスタンパを、射出成形のスタンパと
するか、２Ｐ法のスタンパとして用いて目的とする微細
凹凸が形成された光ディスク基板を得る。

【０００７】ところが、上述したように、近年の高記録
密度の要求から、より狭ピッチ化、狭トラック化の要求
が高まり、これに伴って、上述した原盤作製における感
光性材料層に対し、より高精度、高密度化が高まってい
る。この場合、感光性材料層の塗布に際して生じる突起
による露光パターンの精度低下が問題となってくる。す
なわち、感光性材料層の塗布に当たり、気泡や異物の混
入によって図１０Ａに示すように、微小な突起１０が発
生する場合がある。このような突起１０の発生は、従来
程度の精度の要求においては、殆ど実質的問題は生じな
いものであったが、上述した高記録密度化においては、
精度の低下を来す。

【０００８】すなわち、いま、図１０Ａにおける突起１
０が存在した状態で、図１０Ｂに示すように、上述した
露光方法等によって、突起１０を含む領域に、露光部４
を形成する場合、突起１０が存在する部分では実質的厚
さが大きくなることから、高精度化のために光の滲み等
を回避する上で、露光量が制約されると、未露光部４ｓ
が生じる。このため、感光性材料層２に対して現像処理
を行ったとき、図１０Ｃに示すように、感光性材料層２
のパターンの本来除去されるべき部分に、未露光部４ｓ
による感光性材料層２の残存部を有する原盤６が形成さ
れる。

【０００９】このため、図９で説明した方法によって、
この原盤６を用いて高精度の微細凸凹を有するスタンパ
や、マスタの作製を行うことができない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、フォ
トリソグラフィにおいて、その感光性材料層表面の突起
は、高精度パターン化を阻害する。更に、近年、上述し
たように、光記録媒体の製造におけるマスタリングにお
いて、より微細パターンの必要性から、露光工程におい
て、高Ｎ．Ａ．化に伴って集光光学レンズを、被露光面
の感光性材料層に近接配置するいわゆる近接場光技術を
適用することが要求される。この場合においては、感光
性材料層と光学レンズとの距離を１００ｎｍ、望ましく
は５０ｎｍ以下にも及ぶ近接した距離にすることから、
感光性材料層の表面に上述した突起が存在することは、
場合によっては、光学レンズとの衝突を来し、近接場光
技術の適用を阻害する。

【００１１】このフォトリソグラフィにおいて、感光性
材料層に突起が生じることによる、高精度パターン化の
阻害は、光記録媒体のマスタリングのみならず、各種工
程や、例えば半導体製造技術、特に、大集積回路（ＬＳ
Ｉ）等におけるように、高精度の微細パターンを形成す
る場合においても、上述した突起の存在は同様に高精度
の微細パターンの形成を阻害するものである。本発明
は、このような不都合を改善する。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明によるフォトリソ
グラフィ方法は、平滑面を有する基体上の、その平滑面
に感光性材料を塗布する工程と、この感光性材料層にパ
ターン露光する工程と、現像する工程とを有するフォト
リソグラフィ方法にあって、パターン露光に先立って感
光性材料層の表面研磨加工を行う。そして、この表面研
磨加工は、基体をその平滑面と直交する軸を中心に回転
させ、この回転する平滑面上の感光性材料層の表面近傍
に、研磨加工用テープを配置して、この研磨加工用テー
プを局部的に加圧することにより、感光性材料層表面に
存在する突起を除去ないしは切頭する加工を施す。

【００１３】また、本発明によるフォトリソグラフィ方
法に用いられる研磨加工装置は、平滑面を有する基体上
に塗布した感光性材料層をパターン露光および現像する
フォトリソグラフィ方法に用いる装置であって、感光性
材料層が塗布された基体を、その平滑面と直交する軸を
中心に回転させる回転手段と、感光性材料の表面研磨加
工を行う加工手段とを有する。加工手段は、感光性材料
層の表面近傍に、研磨加工用テープを配置移行させ、こ
の研磨加工用テープを局部的に感光性材料層に向かって
加圧する加圧手段を有する。そして、この加工手段によ
って、感光性材料層表面に存在する突起を除去ないしは
切頭加工する。

【００１４】本発明によるフォトリソグラフィ方法で
は、感光性材料層に対するパターン露光に先立って、例
えば感光性材料層の形成と共に、その表面に発生した突
起を除去ないしは切頭する作業がなされることから、こ
の突起の存在、すなわち厚さむらから生じる露光部にお
ける未露光部の発生を回避できることから、所要の微細
パターンを高精度に形成できる。また、近接場光技術の
適用ができる。

【００１５】また、本発明装置によれば、研磨加工テー
プの使用およびこれを局部的加圧する構成としたことに
より、効果的に感光性材料層の突起の除去、あるいは切
頭を行うことができるものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明によるフォトリソグラフィ
方法の一実施形態の一例を図１および図２の工程図を参
照して説明するが、本発明は、言うまでもなく、この実
施形態およびこの例に限定されるものではない。この実
施形態においては、光記録媒体等の記録媒体の製造に適
用した場合である。

【００１７】また、この例においては、記録媒体の記録
マークとなるピットや、トラッキング用グルーブ等の微
細凹凸が形成された記録媒体用基板を、射出成形、ある
いは２Ｐ法（Photopolymerization 法) によって形成す
るためのスタンパを、作製する原盤の作製、すなわちマ
スタリングを行う場合で、図１Ａ〜Ｄ、図２Ａ〜Ｃはそ
れぞれ各工程の要部の概略断面図を示す。まず、図１Ａ
に示すように、原盤を構成するための、平滑面１ａを有
するガラス板等の基体１を用意し、この平滑面１ａ上
に、感光性材料層２、いわゆるフォトレジスト層を例え
ば回転塗布法によって塗布する。この感光性材料層２
は、ポジティブ型、ネガティブ型感光性材料を問わない
ものであるが、図１の例では、ポジティブ型の感光性材
料層２とした場合である。そして、この感光性材料層２
には、その塗布に際して気泡の巻き込み、塵埃等に起因
する突起１０が発生している。

【００１８】本発明においては、この感光性材料層２に
対してプリベークを行って後に、後述する研磨加工装置
によって表面研磨を行って、図１Ｂに示すように、感光
性材料層２の表面の突起１０を、除去ないしは切頭して
突起１０が存在しないか、極く肉薄状態とする。その
後、図１Ｃに示すように、所要のパターンすなわち最終
的に形成する記録媒体基板の微細凹凸に対応するパター
ンの露光処理を行う。このパターン露光は、例えば図９
Ａで説明したように、レーザ光、例えば短波長の紫外線
レーザ光を、集光レンズによって感光性材料層２に集光
して走査し、目的とする露光パターンに応じてオン・オ
フ制御して所要のパターンの露光部４を形成する。

【００１９】図１Ｄに示すように、感光性材料層２に対
する現像処理を行って、感光性材料層２が、ポジティブ
型感光性材料による場合は、露光部４が除去され、ここ
に透孔２ｗが形成され、感光性材料層２が所要のパター
ンに形成される。そして、この場合、露光に先立って突
起１０が除去されるか、切頭によって極く肉薄とされて
いることによって、露光部４において、底部に未露光層
の残存は回避される。このようにして、基体１上に、所
定のパターンによる感光性材料層２によって微細凹凸５
が形成された原盤６が形成される。

【００２０】そして、この原盤６からスタンパを作製す
るために、図２Ａに示すように、例えばＮｉを無電解メ
ッキおよび電気メッキして所要の厚さの金属層７を形成
する。この金属層７を、図２Ｂに示すように、原盤６か
ら剥離して、マスタあるいはスタンパ８を得る。このよ
うにして形成したマスタあるいはスタンパ８は、原盤の
６の微細凹凸５が転写されて反転した微細凸凹９が形成
される。これをマスタとするときは、更に、このマスタ
からマザーを転写作製し、このマザーから複数のスタン
パを転写複製する。そして、このようにして得たスタン
パを、射出成形のスタンパとするか、２Ｐ法のスタンパ
として用いて図２Ｃに示すように、目的とする微細凹凸
２０がが形成された記録媒体基板２１が形成される。こ
の基板２１に対して例えば反射膜や、保護膜を形成して
例えば再生専用の光ディスク例えばＣＤ（コンパクトデ
ィスク）を作製する。あるいは、反射膜や、各種記録
層、誘電体層、保護膜等を形成することによって記録再
生記録媒体、例えば相変化記録媒体、光磁気記録媒体等
の種々の構成による記録媒体を製造することができる。

【００２１】次に、本発明装置について、説明する。本
発明によるフォトリソグラフィ方法に用いられる装置
は、前述した平滑面１ａを有する基体１上に塗布した感
光性材料層２をパターン露光および現像するフォトリソ
グラフィ方法に用いる感光性材料層表面に対する研磨加
工装置であり、図３は、その一実施形態の一例の概略斜
視図を示す。

【００２２】本発明装置においては、感光性材料層２が
塗布された基体１を、その平滑面と直交する軸を中心に
回転させる回転手段３１、例えば回転ステージと、感光
性材料層２の表面研磨加工を行う加工手段３２とを有す
る。加工手段３２は、感光性材料層２の表面近傍に、研
磨加工用テープ４１を配置移行させ、この研磨加工用テ
ープ４１を局部的に感光性材料層２に向かって加圧する
加圧手段４２とを有する。

【００２３】図３で示す例においては、加圧ロールによ
って加圧手段４２が構成された場合である。この研磨加
工装置３０においては、回転手段３１すなわち回転ステ
ージ上に、研磨加工がなされる基体１が、その加工面の
感光性材料層２を上面にして配置され、この感光性材料
層２に対して、矢印ｂに示すように回転させる。そし
て、この感光性材料層２上に、研磨加工テープ４１を、
感光性材料層２の表面に沿い、かつその回転方向に沿う
矢印ｃで示すタンジェンシャル方向に移行させる。

【００２４】一方、加圧手段の加圧ロール４２を、研磨
加工テープ４１上からラジアル方向に直線的に加圧す
る。この加圧ロール４２は、その軸方向が、研磨加工テ
ープ４１の幅方向、すなわち基体１の回転半径方向に沿
い、かつ突起１０の研磨を必要とする全半径方向に差し
渡って配置され、所要の圧力をもって基体１に向かって
押圧される。このようにして、研磨加工テープ４１を、
感光性材料層２にほぼ線接触させて研磨する。この加工
テープ４１は、アルミナＡｌ₂Ｏ₃あるいはグリーンカ
ーバイトを主成分とする♯５０００〜♯１５０００のテ
ープ状研磨シートによる。そして、この研磨加工テープ
４１の移行駆動によってこれに接触する加圧ロール４２
は、この位置で、すなわち回転軸は移動することなく回
転する。そして、この場合、基体１の回転線速度は、研
磨加工テープ４１との移行速度より高速に移行するよう
になされている。

【００２５】また、図４に示す例は、その加圧手段が、
気体、例えば空気を噴出するエアノズル４３によって構
成した場合で、この場合においては、ノズル４３からの
エアの圧力によって研磨加工テープ４１が、小面積の加
圧部４４をもって感光性材料層２に圧接するようになさ
れる。そして、この場合においては、エアノズル４３
を、基体１の回転半径方向に往復移動させて、その加圧
部４４が、基体１の突起１０を研磨する領域の全幅に渡
ることができるようにする。尚、図４において、図３と
対応する部分には、同一符号を付して重複説明を省略す
る。

【００２６】これら研磨加工装置３０において、基体１
の回転線速度は、研磨加工テープの移行速度にに比し充
分大に選定される。その研磨状態は、図５に示すよう
に、研磨加工テープ４１に対する基体１の相対速度を充
分大きくすることによって、基体表面すなわち感光性材
料層２と研磨加工テープ４１との間に、矢印ｄで示す空
気の流れによる空気潤滑面が形成されると共に、研磨加
工テープ４１と感光性材料層２との接触部においては、
突起１０が切削研磨される。

【００２７】ところで、感光性材料層２は一般に柔軟性
に富むことから、突起１０の切削研磨を円滑に行うに
は、破壊力学における材料の、延性脆性遷移を利用する
ことが望ましい。すなわち、材料の破壊形態は、温度お
よびひずみ速度により延性破壊と脆性破壊との形態を遷
移するものであり、一般に、延性破壊は、温度が高く、
またひずみ速度が遅い場合に生じ、脆性破壊は、温度が
低く、またひずみ速度が早い場合に生じる。

【００２８】そこで、例えば図３および図４に示した研
磨加工装置３０において、冷却手段５０を設けて、少な
くとも研磨加工がなされる部分を、例えばその直前で冷
却する。このようにして、感光性材料層２の突起１０の
切削、すなわち破壊モードを脆性破壊モードとする。こ
のように、冷却手段５０も設けるときは、例えば基体１
の回転中心側の線速度の低下によって突起１０の破壊す
なわち切削研磨が生じにくくなる問題を解決することが
できる。

【００２９】この冷却手段としては、冷却気体を、基体
１の感光性材料層２の所定部に向けて噴出させるノズル
機構とすることができる。この場合、冷却気体の噴出面
積が小さく冷却領域が小さい場合には、図３に示すよう
に、ノズルを、基体１の回転半径方向に往復移動させる
構成とすることもできるし、ノズルの冷却基体の噴出
を、基体１の回転半径の、研磨を必要とするの全域に渡
るように、多数の噴出口が配列された構成とすることも
できるし、図４に示すように、スリット状の噴出口とす
ることもできる。

【００３０】また、図６は、本発明装置３０の他の例の
概略斜視図を示す。この例においては、基体１の回転手
段３１を、第１の回転ステージ３１１と、この第１の回
転ステージ３１１上に回転支持された第２の回転ステー
ジ３１２とによって構成した場合である。この場合、基
体１は、第２の回転ステージ３１２に同心的に配置され
る。

【００３１】そして、両回転ステージ３１１および３１
２の回転中心軸Ｏ₁およびＯ₂は、互いに一致しない偏
心した位置に選定される。また、両回転ステージ３１１
および３１２は、同一回転方向に選定され、下方の第１
のステージ３１１は、上方の第２のステージ３１２の回
転速度に比し大に選定される。

【００３２】このようにすると、単一段の回転ステージ
を用いた場合においては加工に適した相対速度を得るこ
とが容易でなかった基体１の中心付近においても、その
線速度を早めることができ、基体１と研磨加工テープ４
１との、各部における相対的速度を充分大きくすること
ができる。そして、その研磨態様は、図７に示すよう
に、基体１に対し、その加工領域が斜線を付して示すよ
うに基板中心と偏心して回転する形状となる。

【００３３】上述したように、図６の構成とすることに
よって、基体１と研磨加工テープ４１との、各部におけ
る相対的速度を充分大きくすることができることから、
この場合、突起１０の切削を、延性破壊モードにならな
いように行うことが可能となる。しかしながら、この場
合においても、図８に示すように、例えば冷却気体を噴
出するノズルによる冷却手段５０を配置することによっ
て、より安定に脆性破壊モードにて加工することができ
る。

【００３４】また、上述したように、冷却手段５０を設
ける場合、その冷却部分において、露結が発生する場
合、この露結による水分（液体）によって、加工に対す
る抵抗が大きくなって、脆性破壊を阻害するおそれがあ
ることから、この加工作業部の外囲雰囲気を液化温度が
低く、冷却気体温度が、外囲雰囲気ガス成分の液化温度
より高くなるようにすることが望ましい。例えばこの外
囲雰囲気を窒素雰囲気とし、冷却気体を炭酸ガスとする
ことができる。

【００３５】また、上述した例では、主として原盤作製
について説明したが、本発明によるフォトリソグラフィ
方法および装置は、半導体装置等の例えばＬＳＩ等の高
精度で微細加工を必要とする製造工程に適用することが
できる。この場合の一例を図８の工程図を参照して説明
する。この例においては、半導体基体より成る基体１上
に形成された例えばＳｉＯ₂等より成る絶縁層あるいは
マスク層等の被加工層７０に、例えば電極形成窓、ある
いは不純物拡散の拡散窓等の形成を行う場合のフォトリ
ソグラフィに適用する場合を例示するものである。この
場合、図８Ａに示すように、半導体基体１上に形成され
た例えばＳｉＯ₂等よりなる被加工層７０上に、感光性
材料層２を例えば回転塗布法によって塗布する。この場
合においても感光性材料層２は、ポジティブ型、ネガテ
ィブ型感光性材料を問わない。そして、この感光性材料
層２には、その塗布に際して気泡の巻き込み、塵埃等い
起因する突起１０が発生している。

【００３６】この例においても、この感光性材料層２に
対してプリベークを行って後に、前述した研磨加工装置
３０によって表面研磨を行って、図８Ｂに示すように、
感光性材料層２の表面の突起１０を、除去ないしは切頭
して突起１０が存在しないか、極く肉薄状態とする。そ
の後、前述した例えば紫外線レーザ光照射によって所要
のパターンすなわち最終的に形成する開口窓のパターン
に対応するパターンの露光処理を行い、露光部４を形成
する。

【００３７】次に、図８Ｃに示すように、感光性材料層
２に対する現像処理を行って、感光性材料層２が、ポジ
ティブ型感光性材料による場合は、露光部４を除去し、
ここに透孔２ｗが形成され、感光性材料層２が所要のパ
ターンに形成される。そして、この場合においても、露
光に先立って突起１０が除去されるか、切頭によって極
く肉薄とされていることによって、露光部４において、
底部に未露光層の残存は回避される。このようにして、
パターン化された感光性材料層２をベーキングし、これ
をエッチングマスクとしてその透孔２ｗを通じて下層の
被加工層７０をパターンエッチングする。このようにす
ると透孔２ｗに対応する窓７０ｗが被加工層７０に形成
される。

【００３８】その後、感光性材料層２を除去する。この
ようにして形成された窓７０ｗを通じて例えば不純物の
拡散を行って所要の半導体素子等の半導体領域の形成を
行うとが、電極のコンタクト等を行うことにより図示し
ないが、各種半導体装置、例えばＬＳＩ等の半導体集積
回路等を製造することができる。

【００３９】尚、本発明によるフォトリソグラフィ方法
は、上述した例に限定されるものではなく、種々の加工
等に適用するものであり、これに応じて本発明による装
置も種々の変更を行うことができる。

【００４０】

【発明の効果】上述したように、本発明によるフォトリ
ソグラフィ方法では、感光性材料層に対するパターン露
光に先立って、感光性材料層の表面に存在する突起を除
去ないしは切頭する作業がなされることから、この突起
の存在、すなわち厚さむらから生じる露光部における未
露光部の発生を確実に回避できる。したがって、感光性
材料層を、除去すべき部分において現像残しを生じるこ
とが回避される。したがって、所要の微細パターンを高
精度に形成できる。また、本発明方法によれば、感光性
材料層に対するパターン露光前に突起の除去ないしは切
頭作業を行うことから、この突起の存在によって露光処
理において光学レンズ系を充分に近づけることを阻害す
る不都合が回避され、近接場光技術を適用できる。

【００４１】また、本発明装置によれば、研磨加工テー
プの使用およびこれを局部的加圧する構成としたことに
より、効果的に感光性材料層の突起の除去あるいは切頭
作業を行うことができる。そして、この場合において、
冷却手段を設けたり、第１および第２の回転ステージ構
成による感光性材料層を有する基体１の回転速度を早め
る効果によって、脆性破断を効果的に行うことができる
ことから、感光性材料層の突起の除去ないしは切頭を確
実に行うことができる。したがって、本発明を各種フォ
トリソグラフィを適用する製造工程に用いて歩留りの向
上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ａ〜Ｄは、本発明によるフォトリソグラフィ方
法の一例の工程図（その１）である。

【図２】Ａ〜Ｃは、本発明によるフォトリソグラフィ方
法の一例の工程図（その２）である。

【図３】本発明装置の一例の概略斜視図である。

【図４】本発明装置の他の一例の概略斜視図である。

【図５】本発明装置の研磨加工状態を示す概略断面図で
ある。

【図６】本発明装置の更に他の一例の概略斜視図であ
る。

【図７】本発明装置の動作の説明図である。

【図８】Ａ〜Ｄは、本発明方法の他の例の工程図であ
る。

【図９】Ａ〜Ｄは、従来のフォトリソグラフィ方法の工
程図である。

【図１０】Ａ〜Ｃは、従来のフォトリソグラフィ方法の
工程図である。

【符号の説明】

１・・・基体、２・・・感光性材料層、３・・・集光レ
ンズ、４・・・露光部、５・・・微細凹凸、６・・・原
盤、７・・・金属層、８・・・マスタ（あるいはスタン
パ）、９・・・微細凸凹、１０・・・突起、２０・・・
微細凹凸、２１・・・記録媒体基板、３０・・・研磨加
工装置、３１・・・回転手段、３２・・・加工手段、４
１・・・研磨加工テープ、４２・・・加圧手段（加圧ロ
ール）、４３・・・加圧手段（エアノズル）、４４・・
・加圧部、５０・・・冷却手段、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２１Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６５５７８

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平滑面を有する基体上の、前記平滑面に感
光性材料を塗布する工程と、該感光性材料層にパターン
露光する工程と、現像する工程とを有するフォトリソグ
ラフィ方法にあって、上記パターン露光に先立って上記感光性材料層の表面研
磨加工が形成され、該表面研磨加工は、上記基体を上記平滑面と直交する軸
を中心に回転させ、該回転する上記平滑面上の上記感光
性材料層の表面近傍に、研磨加工用テープを配置して、
該研磨加工用テープを局部的に加圧することにより、上
記感光性材料層表面に存在する突起を除去ないしは切頭
による肉薄化する加工を施すことを特徴とするフォトリ
ソグラフィ方法。
【請求項２】上記感光性材料層に対する表面研磨加工
を、脆性破壊モードで行うことを特徴とする請求項１に
記載のフォトリソグラフィ方法。
【請求項３】上記研磨加工用テープの局部的加圧を気
体吹きつけによって行うことを特徴とする請求項１に記
載のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４】上記研磨加工用テープの加圧を、上記気
体の回転のラジアル方向に沿う直線的に加圧するように
したことを特徴とする請求項１に記載のフォトリソグラ
フィ方法。
【請求項５】上記感光性材料層に対する研磨加工がな
される部分を冷却することを特徴とする請求項１に記載
のフォトリソグラフィ方法。
【請求項６】上記感光性材料層の上記冷却温度は、該
加工部の周囲に存在するガス成分の液化温度以上とする
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトリソグラフィ
方法。
【請求項７】平滑面を有する基体上に塗布した感光性
材料をパターン露光および現像するフォトリソグラフィ
方法に用いる研磨加工装置であって、上記基体を、上記平滑面と直交する軸を中心に回転させ
る回転手段と、上記感光性材料の表面研磨加工を行う加工手段とを有
し、該加工手段は、上記感光性材料層の表面近傍に、研磨加
工用テープを配置移行するようになされ、該研磨加工用
テープを局部的に上記感光性材料層に向かって加圧する
加圧手段を有し、上記感光性材料層表面に存在する突起を除去ないしは切
頭による肉薄化加工するようになされたことを特徴とす
るフォトリソグラフィ方法に用いる研磨加工装置。
【請求項８】上記研磨加工用テープの加圧を行う気体
吹きつけノズルを有する加圧手段を具備することを特徴
とする請求項７に記載のフォトリソグラフィ方法に用い
る研磨加工装置。
【請求項９】上記研磨加工用テープの加圧を行う、上
記基体の回転のラジアル方向に沿って配置された加圧手
段を具備し、該加圧手段が、加圧ロールであることを特
徴とする請求項７に記載のフォトリソグラフィに用いる
研磨加工装置。
【請求項１０】上記感光性材料層に対する研磨加工が
なされる部分を冷却する冷却手段を具備することを特徴
とする請求項７に記載のフォトリソグラフィに用いる研
磨加工装置。
【請求項１１】上記感光性材料層に対する研磨加工が
なされる部分を冷却する冷却手段の冷却温度が、該加工
部の周囲に存在するガス成分の液化温度以上とすること
を特徴とする請求項７に記載のフォトリソグラフィに用
いる研磨加工装置。
【請求項１２】上記基体の回転手段が、第１の回転ス
テージと、該第１の回転ステージ上に、該第１の回転ス
テージの回転中心軸と平行をなし、かつ該回転中心軸と
離間する偏心位置に回転中心軸を有する第２の回転ステ
ージが設けられ、該第２の回転ステージ上に上記基体が
配置されるようになされたことを特徴とする請求項７に
記載のフォトリソグラフィに用いる研磨加工装置。