JP2002026038A - 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップの取り扱いに優れる半導体装置
及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並
びに電子機器に関する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、電極１２を有
する半導体チップ１０が一方の面に貼り付けられた接着
テープ２０を、その他方の面でステージ３０に吸着させ
る工程を含み、ステージ３０の接着テープ２０を吸着す
る支持面３２には、吸着時に半導体チップ１０が傾くこ
とを妨げるような小さな間隔で複数の突起３６が２次元
的に広がって形成され、接着テープ２０をステージ３０
に吸着させる工程で、接着テープ２０を、複数の突起３
６で支持して、突起間において半導体チップ１０から剥
がす。
及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並
びに電子機器に関する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法は、電極１２を有
する半導体チップ１０が一方の面に貼り付けられた接着
テープ２０を、その他方の面でステージ３０に吸着させ
る工程を含み、ステージ３０の接着テープ２０を吸着す
る支持面３２には、吸着時に半導体チップ１０が傾くこ
とを妨げるような小さな間隔で複数の突起３６が２次元
的に広がって形成され、接着テープ２０をステージ３０
に吸着させる工程で、接着テープ２０を、複数の突起３
６で支持して、突起間において半導体チップ１０から剥
がす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電
子機器に関する。
の製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電
子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】高密度の半導体装置を実現するため、近
年、半導体チップの薄型化が進んでいる。これによっ
て、製造時において半導体チップの取り扱いが従来にも
増して難しくなっている。
年、半導体チップの薄型化が進んでいる。これによっ
て、製造時において半導体チップの取り扱いが従来にも
増して難しくなっている。
【０００３】例えば、接着テープ上において個片に切断
された半導体チップを、その後、基板上に搭載するまで
の間の取り扱いにおいて、半導体チップに直接的に加え
られるストレスで、半導体チップが割れてしまう場合が
あった。
された半導体チップを、その後、基板上に搭載するまで
の間の取り扱いにおいて、半導体チップに直接的に加え
られるストレスで、半導体チップが割れてしまう場合が
あった。
【０００４】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、半導体チップの取り扱いに優れる
半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、
回路基板並びに電子機器に関する。
であり、その目的は、半導体チップの取り扱いに優れる
半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、
回路基板並びに電子機器に関する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置の製造方法は、電極を有する半導体チップが一方
の面に貼り付けられた接着テープを、その他方の面でス
テージに吸着させる工程を含み、前記ステージの前記接
着テープを吸着する支持面には、吸着時に前記半導体チ
ップが傾くことを妨げるような小さな間隔で複数の突起
が２次元的に広がって形成され、前記接着テープを前記
ステージに吸着させる工程で、前記接着テープを、前記
複数の突起で支持して、突起間において前記半導体チッ
プから剥がす。
体装置の製造方法は、電極を有する半導体チップが一方
の面に貼り付けられた接着テープを、その他方の面でス
テージに吸着させる工程を含み、前記ステージの前記接
着テープを吸着する支持面には、吸着時に前記半導体チ
ップが傾くことを妨げるような小さな間隔で複数の突起
が２次元的に広がって形成され、前記接着テープを前記
ステージに吸着させる工程で、前記接着テープを、前記
複数の突起で支持して、突起間において前記半導体チッ
プから剥がす。
【０００６】本発明によれば、半導体チップを、例えば
接着テープ越しにピンによって突き上げることなく、接
着テープから剥離できる。これによって、突き上げピン
による調整及び管理等の手間をなくすことができる。ま
た、ピンで突き上げることによる半導体チップへの直接
的なストレスをなくすことができる。したがって、例え
ば、薄く割れやすい半導体チップであっても、容易に半
導体装置を製造できる。
接着テープ越しにピンによって突き上げることなく、接
着テープから剥離できる。これによって、突き上げピン
による調整及び管理等の手間をなくすことができる。ま
た、ピンで突き上げることによる半導体チップへの直接
的なストレスをなくすことができる。したがって、例え
ば、薄く割れやすい半導体チップであっても、容易に半
導体装置を製造できる。
【０００７】（２）この半導体装置の製造方法におい
て、前記突起は、前記ステージの前記支持面が砥粒材で
削られることによって形成されてもよい。
て、前記突起は、前記ステージの前記支持面が砥粒材で
削られることによって形成されてもよい。
【０００８】これによれば、例えば、一様に複数の突起
が細かく並んだ支持面で接着テープを吸着できるので、
バランス良く接着テープを吸着できる。これによって、
接着テープをステージに吸着させたときに半導体チップ
が傾くことを妨げ、かつ、効果的に半導体チップを接着
テープから剥がすことができる。
が細かく並んだ支持面で接着テープを吸着できるので、
バランス良く接着テープを吸着できる。これによって、
接着テープをステージに吸着させたときに半導体チップ
が傾くことを妨げ、かつ、効果的に半導体チップを接着
テープから剥がすことができる。
【０００９】（３）この半導体装置の製造方法におい
て、前記接着テープは、所定のエネルギーを加えること
でその接着力が弱められる性質を有し、前記接着テープ
を前記ステージに吸着させる工程を終える前に、前記接
着テープに前記エネルギーを加えて、前記接着テープと
前記半導体チップとの接着力を弱める工程をさらに含ん
でもよい。
て、前記接着テープは、所定のエネルギーを加えること
でその接着力が弱められる性質を有し、前記接着テープ
を前記ステージに吸着させる工程を終える前に、前記接
着テープに前記エネルギーを加えて、前記接着テープと
前記半導体チップとの接着力を弱める工程をさらに含ん
でもよい。
【００１０】これによって、より容易に接着テープを半
導体チップから剥がすことができる。
導体チップから剥がすことができる。
【００１１】（４）この半導体装置の製造方法におい
て、前記接着テープは、紫外線を照射することでその接
着力が弱められる性質を有し、前記接着力を弱める工程
は、前記接着テープに紫外線を照射して、前記接着テー
プと前記半導体チップとの接着力を弱める工程であって
もよい。
て、前記接着テープは、紫外線を照射することでその接
着力が弱められる性質を有し、前記接着力を弱める工程
は、前記接着テープに紫外線を照射して、前記接着テー
プと前記半導体チップとの接着力を弱める工程であって
もよい。
【００１２】これによって、より容易に接着テープを半
導体チップから剥がすことができる。
導体チップから剥がすことができる。
【００１３】（５）この半導体装置の製造方法におい
て、前記接着テープを前記ステージに吸着させる工程の
後に、前記半導体チップを前記接着テープとは反対側で
吸着して、前記半導体チップを前記接着テープから分離
する工程をさらに含んでもよい。
て、前記接着テープを前記ステージに吸着させる工程の
後に、前記半導体チップを前記接着テープとは反対側で
吸着して、前記半導体チップを前記接着テープから分離
する工程をさらに含んでもよい。
【００１４】これによれば、ステージの支持面は、その
吸着時に半導体チップが傾くことを妨げるようになって
いるので、半導体チップを傷つけることなく容易に接着
テープとは反対側で吸着できる。
吸着時に半導体チップが傾くことを妨げるようになって
いるので、半導体チップを傷つけることなく容易に接着
テープとは反対側で吸着できる。
【００１５】（６）この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップを前記接着テープから分離する工
程の後に、前記半導体チップを、吸着した状態で所定の
搭載領域に搬送し、その吸着を解除するとともに気体の
圧縮によって押圧して前記搭載領域に搭載する工程をさ
らに含んでもよい。
て、前記半導体チップを前記接着テープから分離する工
程の後に、前記半導体チップを、吸着した状態で所定の
搭載領域に搬送し、その吸着を解除するとともに気体の
圧縮によって押圧して前記搭載領域に搭載する工程をさ
らに含んでもよい。
【００１６】これによれば、気体の圧縮によって半導体
チップを押圧するので、直接的に半導体チップの面をツ
ールで押圧する必要がない。これによって、半導体チッ
プを傷つけることなく搭載できる。また、気体の圧縮に
よって押圧するので、半導体チップに搭載に必要な応力
をほぼ均一に加えることができる。したがって、例え
ば、半導体チップを搭載領域との間に気泡残すことなく
確実に搭載できる。
チップを押圧するので、直接的に半導体チップの面をツ
ールで押圧する必要がない。これによって、半導体チッ
プを傷つけることなく搭載できる。また、気体の圧縮に
よって押圧するので、半導体チップに搭載に必要な応力
をほぼ均一に加えることができる。したがって、例え
ば、半導体チップを搭載領域との間に気泡残すことなく
確実に搭載できる。
【００１７】（７）この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップは、前記電極が形成された側とは
反対側の面において前記接着テープが貼り付けられ、前
記半導体チップを分離及び搬送する工程で、前記半導体
チップを前記電極が形成された側の面から吸着し、前記
半導体チップを搭載する工程で、気体の圧縮によって、
前記半導体チップの前記電極が形成された側の面を押圧
して、前記半導体チップの前記電極が形成された側とは
反対側の面を前記搭載領域に対向させて搭載してもよ
い。
て、前記半導体チップは、前記電極が形成された側とは
反対側の面において前記接着テープが貼り付けられ、前
記半導体チップを分離及び搬送する工程で、前記半導体
チップを前記電極が形成された側の面から吸着し、前記
半導体チップを搭載する工程で、気体の圧縮によって、
前記半導体チップの前記電極が形成された側の面を押圧
して、前記半導体チップの前記電極が形成された側とは
反対側の面を前記搭載領域に対向させて搭載してもよ
い。
【００１８】これによって、半導体チップの電極が形成
された側の面を傷つけることなく半導体チップを搭載で
きる。
された側の面を傷つけることなく半導体チップを搭載で
きる。
【００１９】（８）この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップの前記電極が形成された側の面の
内側を避けて外周において、ツールを接触させることに
よって、前記ツールと前記半導体チップにおける前記電
極が形成された側の面との間に空間が設けられ、前記空
間に強制的に気体を出し入れさせて、前記半導体チップ
を吸着又は押圧してもよい。
て、前記半導体チップの前記電極が形成された側の面の
内側を避けて外周において、ツールを接触させることに
よって、前記ツールと前記半導体チップにおける前記電
極が形成された側の面との間に空間が設けられ、前記空
間に強制的に気体を出し入れさせて、前記半導体チップ
を吸着又は押圧してもよい。
【００２０】これによれば、ツールと半導体チップの面
との空間に、気体を出し入れさせるだけで、半導体チッ
プを吸着又は押圧できる。これによって、１つのツール
でこれらの工程を行うことができる。したがって、一連
の工程として素早く半導体チップを搬送及び搭載でき
る。また、ツールは半導体チップの面の外周に接触する
ので、半導体チップの面を傷つけることなく搬送及び搭
載できる。
との空間に、気体を出し入れさせるだけで、半導体チッ
プを吸着又は押圧できる。これによって、１つのツール
でこれらの工程を行うことができる。したがって、一連
の工程として素早く半導体チップを搬送及び搭載でき
る。また、ツールは半導体チップの面の外周に接触する
ので、半導体チップの面を傷つけることなく搬送及び搭
載できる。
【００２１】（９）本発明に係る半導体装置の製造方法
は、電極を有する半導体チップを吸着して所定の搭載領
域に搬送し、前記半導体チップを、その吸着を解除する
とともに気体の圧縮によって押圧して前記搭載領域に搭
載する工程を含む。
は、電極を有する半導体チップを吸着して所定の搭載領
域に搬送し、前記半導体チップを、その吸着を解除する
とともに気体の圧縮によって押圧して前記搭載領域に搭
載する工程を含む。
【００２２】本発明によれば、気体の圧縮によって半導
体チップを押圧するので、直接的に半導体チップの面を
ツールで押圧する必要がない。これによって、半導体チ
ップを傷つけることなく搭載できる。また、気体の圧縮
によって押圧するので、半導体チップに搭載に必要な応
力をほぼ均一に加えることができる。したがって、例え
ば、半導体チップを搭載領域との間に気泡残さずに確実
に搭載できる。
体チップを押圧するので、直接的に半導体チップの面を
ツールで押圧する必要がない。これによって、半導体チ
ップを傷つけることなく搭載できる。また、気体の圧縮
によって押圧するので、半導体チップに搭載に必要な応
力をほぼ均一に加えることができる。したがって、例え
ば、半導体チップを搭載領域との間に気泡残さずに確実
に搭載できる。
【００２３】（１０）この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップを搬送する工程で、前記半導体チ
ップを前記電極が形成された側の面から吸着し、前記半
導体チップを搭載する工程で、気体の圧縮によって、前
記半導体チップの前記電極が形成された側の面を押圧し
て、前記半導体チップの前記電極が形成された側とは反
対側の面を前記搭載領域に対向させて搭載してもよい。
て、前記半導体チップを搬送する工程で、前記半導体チ
ップを前記電極が形成された側の面から吸着し、前記半
導体チップを搭載する工程で、気体の圧縮によって、前
記半導体チップの前記電極が形成された側の面を押圧し
て、前記半導体チップの前記電極が形成された側とは反
対側の面を前記搭載領域に対向させて搭載してもよい。
【００２４】これによって、半導体チップの電極が形成
された側の面を傷つけることなく半導体チップを搭載で
きる。
された側の面を傷つけることなく半導体チップを搭載で
きる。
【００２５】（１１）この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップの前記電極が形成された側の面の
内側を避けて外周において、ツールを接触させることに
よって、前記ツールと前記半導体チップにおける前記電
極が形成された側の面との間に空間が設けられ、前記空
間に強制的に気体を出し入れさせて、前記半導体チップ
を吸着又は押圧してもよい。
て、前記半導体チップの前記電極が形成された側の面の
内側を避けて外周において、ツールを接触させることに
よって、前記ツールと前記半導体チップにおける前記電
極が形成された側の面との間に空間が設けられ、前記空
間に強制的に気体を出し入れさせて、前記半導体チップ
を吸着又は押圧してもよい。
【００２６】これによれば、ツールと半導体チップの面
との空間に、気体を出し入れさせるだけで、半導体チッ
プを吸着又は押圧できる。これによって、１つのツール
でこれらの工程を行うことができる。したがって、一連
の工程として素早く半導体チップを搬送及び搭載でき
る。また、ツールは半導体チップの面の外周に接触する
ので、半導体チップの面を傷つけることなく搬送及び搭
載できる。
との空間に、気体を出し入れさせるだけで、半導体チッ
プを吸着又は押圧できる。これによって、１つのツール
でこれらの工程を行うことができる。したがって、一連
の工程として素早く半導体チップを搬送及び搭載でき
る。また、ツールは半導体チップの面の外周に接触する
ので、半導体チップの面を傷つけることなく搬送及び搭
載できる。
【００２７】（１２）本発明に係る半導体装置は、上記
半導体装置の製造方法によって製造されてなる。
半導体装置の製造方法によって製造されてなる。
【００２８】（１３）本発明に係る回路基板は、上記半
導体装置が搭載されている。
導体装置が搭載されている。
【００２９】（１４）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。
導体装置を有する。
【００３０】（１５）本発明に係る半導体装置の製造装
置は、半導体チップが一方の面に貼り付けられた接着テ
ープを、他方の面で吸着するステージを含み、前記ステ
ージは、接着テープを支える支持面と、前記支持面に接
着テープを吸着させる吸引孔と、を有し、前記ステージ
の前記支持面には、接着テープの吸着時に前記半導体チ
ップが傾くことを妨げるような小さな間隔で複数の突起
が２次元的に広がって形成されてなる。
置は、半導体チップが一方の面に貼り付けられた接着テ
ープを、他方の面で吸着するステージを含み、前記ステ
ージは、接着テープを支える支持面と、前記支持面に接
着テープを吸着させる吸引孔と、を有し、前記ステージ
の前記支持面には、接着テープの吸着時に前記半導体チ
ップが傾くことを妨げるような小さな間隔で複数の突起
が２次元的に広がって形成されてなる。
【００３１】本発明によれば、接着テープを半導体チッ
プから剥離するときに、半導体チップを、例えば接着テ
ープ越しにピンによって突き上げることなく、接着テー
プから剥離できる。これによって、突き上げピンによる
調整及び管理等の手間をなくすことができる。また、ピ
ンで突き上げることによる半導体チップへの直接的なス
トレスをなくすことができる。したがって、例えば、薄
く割れやすい半導体チップであっても、容易に半導体装
置を製造できる装置を提供できる。
プから剥離するときに、半導体チップを、例えば接着テ
ープ越しにピンによって突き上げることなく、接着テー
プから剥離できる。これによって、突き上げピンによる
調整及び管理等の手間をなくすことができる。また、ピ
ンで突き上げることによる半導体チップへの直接的なス
トレスをなくすことができる。したがって、例えば、薄
く割れやすい半導体チップであっても、容易に半導体装
置を製造できる装置を提供できる。
【００３２】（１６）この半導体装置の製造装置におい
て、前記突起は、前記ステージの前記支持面が砥粒材で
削られることによって形成されてもよい。
て、前記突起は、前記ステージの前記支持面が砥粒材で
削られることによって形成されてもよい。
【００３３】これによれば、接着テープを半導体チップ
から剥離するときに、例えば、一様に複数の突起が細か
く並んだ支持面で接着テープを吸着できるので、バラン
ス良く接着テープを吸着できる。これによって、接着テ
ープをステージに吸着させたときに半導体チップが傾く
ことを妨げ、かつ、効果的に半導体チップを接着テープ
から剥がすことができる。
から剥離するときに、例えば、一様に複数の突起が細か
く並んだ支持面で接着テープを吸着できるので、バラン
ス良く接着テープを吸着できる。これによって、接着テ
ープをステージに吸着させたときに半導体チップが傾く
ことを妨げ、かつ、効果的に半導体チップを接着テープ
から剥がすことができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、
以下の実施の形態に限定されるものではない。
について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、
以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００３５】図１〜図３は、本実施の形態に係る半導体
装置の製造方法及びその製造装置を示す図である。ま
た、図４は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法
を示す図である。
装置の製造方法及びその製造装置を示す図である。ま
た、図４は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法
を示す図である。
【００３６】本実施の形態では、半導体チップ１０を用
意する。半導体チップ１０は、図示しない半導体ウェー
ハが個片に切断されることで形成されてもよい。半導体
チップ１０の外形は、矩形をなすことが多いがこれに限
定されない。半導体チップ１０は、複数の電極１２を有
する。電極１２は、半導体チップ１０の内部に形成され
た集積回路の電極となる。電極１２は、半導体チップ１
０の集積回路を有する側の面（能動面）に形成されても
よい。電極１２は、半導体チップ１０の面の端部に並ん
でいても、中央部に並んでいてもよい。電極１２は、例
えばアルミニウムなどで形成される。なお、半導体チッ
プ１０には、電極１２が形成された側の面に、パッシベ
ーション膜（図示しない）が形成されてもよい。
意する。半導体チップ１０は、図示しない半導体ウェー
ハが個片に切断されることで形成されてもよい。半導体
チップ１０の外形は、矩形をなすことが多いがこれに限
定されない。半導体チップ１０は、複数の電極１２を有
する。電極１２は、半導体チップ１０の内部に形成され
た集積回路の電極となる。電極１２は、半導体チップ１
０の集積回路を有する側の面（能動面）に形成されても
よい。電極１２は、半導体チップ１０の面の端部に並ん
でいても、中央部に並んでいてもよい。電極１２は、例
えばアルミニウムなどで形成される。なお、半導体チッ
プ１０には、電極１２が形成された側の面に、パッシベ
ーション膜（図示しない）が形成されてもよい。
【００３７】図１に示すように、半導体チップ１０は、
接着テープ２０に貼り付けられている。例えば、接着テ
ープ２０は、半導体ウェーハの切断時に使用されたもの
であってもよい。詳しくは、接着テープ２０は、半導体
ウェーハの面に、切断する側とは反対側に貼り付けら
れ、切断後の複数の半導体チップ１０にそのまま貼り付
けられたものであってもよい。半導体ウェーハは電極１
２を有する側の面が切断面となることが多く、この場合
には図１に示すように、接着テープ２０は、半導体チッ
プ１０の電極１２が形成された側の面とは反対側の面に
貼り付けられる。なお、この場合の接着テープ２０は、
ダイシングテープと称してもよい。
接着テープ２０に貼り付けられている。例えば、接着テ
ープ２０は、半導体ウェーハの切断時に使用されたもの
であってもよい。詳しくは、接着テープ２０は、半導体
ウェーハの面に、切断する側とは反対側に貼り付けら
れ、切断後の複数の半導体チップ１０にそのまま貼り付
けられたものであってもよい。半導体ウェーハは電極１
２を有する側の面が切断面となることが多く、この場合
には図１に示すように、接着テープ２０は、半導体チッ
プ１０の電極１２が形成された側の面とは反対側の面に
貼り付けられる。なお、この場合の接着テープ２０は、
ダイシングテープと称してもよい。
【００３８】あるいは、接着テープ２０は、半導体チッ
プ１０の電極１２が形成された側の面に貼り付けられて
いてもよい。なお、本実施の形態では、接着テープ２０
は、例えば半導体ウェーハを切断した後の半導体チップ
１０に改めて貼り付けられてもよい。
プ１０の電極１２が形成された側の面に貼り付けられて
いてもよい。なお、本実施の形態では、接着テープ２０
は、例えば半導体ウェーハを切断した後の半導体チップ
１０に改めて貼り付けられてもよい。
【００３９】接着テープ２０は、例えば、半導体ウェー
ハの切断によって個片となった半導体チップ１０を確実
に接着し、かつ、後の工程で、半導体チップ１０を容易
に剥離できるものであることが好ましい。接着テープ２
０は、所定のエネルギーを加えることでその接着力が弱
められる性質を有するものであってもよい。例えば、接
着テープ２０は、紫外線を照射することでその接着力が
弱められる、いわゆる紫外線硬化性を有してもよい。あ
るいは、接着テープ２０は、熱硬化性又は熱可塑性など
性質を有するものであってもよく、これらに限定されな
い。
ハの切断によって個片となった半導体チップ１０を確実
に接着し、かつ、後の工程で、半導体チップ１０を容易
に剥離できるものであることが好ましい。接着テープ２
０は、所定のエネルギーを加えることでその接着力が弱
められる性質を有するものであってもよい。例えば、接
着テープ２０は、紫外線を照射することでその接着力が
弱められる、いわゆる紫外線硬化性を有してもよい。あ
るいは、接着テープ２０は、熱硬化性又は熱可塑性など
性質を有するものであってもよく、これらに限定されな
い。
【００４０】図１及び図２に示すように、半導体チップ
１０が一方の面に貼り付けられた接着テープ２０を、ス
テージ３０上に載置して、接着テープ２０の他方の面で
ステージ３０に吸着させる。ここで、ステージ３０は、
接着テープ２０を支える支持面３２と、支持面３２に接
着テープ２０を吸着させる吸引孔３４と、を有する。
１０が一方の面に貼り付けられた接着テープ２０を、ス
テージ３０上に載置して、接着テープ２０の他方の面で
ステージ３０に吸着させる。ここで、ステージ３０は、
接着テープ２０を支える支持面３２と、支持面３２に接
着テープ２０を吸着させる吸引孔３４と、を有する。
【００４１】ステージ３０の支持面３２は、接着テープ
２０における半導体チップ１０を向く側とは反対側の面
を支持する。支持面３２は、接着テープ２０に貼り付け
られた１つ又は複数の半導体チップ１０を載置する領域
を有する。例えば、複数の半導体チップ１０を、接着テ
ープ２０を介して同時にステージ３０上に載置した場合
は、複数の半導体チップ１０に対して後述する工程をま
とめて行うことができる。
２０における半導体チップ１０を向く側とは反対側の面
を支持する。支持面３２は、接着テープ２０に貼り付け
られた１つ又は複数の半導体チップ１０を載置する領域
を有する。例えば、複数の半導体チップ１０を、接着テ
ープ２０を介して同時にステージ３０上に載置した場合
は、複数の半導体チップ１０に対して後述する工程をま
とめて行うことができる。
【００４２】図１に示すように、支持面３２は荒れた面
となっている。詳しくは、支持面３２には複数の突起３
６が形成されている。複数の突起３６は、支持面３２に
おいて２次元的に広がって形成されている。詳しくは、
複数の突起３６は、接着テープ２０を支持面３２に吸着
したときに、半導体チップ１０が傾くことを妨げる程度
の小さな間隔で２次元的に広がって形成されている。こ
の場合に、複数の突起３６は、突起間の距離がほぼ同一
周期で２次元的に広がって形成されてもよい。ほぼ同一
周期で形成されていれば、バランス良く接着テープ２０
を吸着できるので、半導体チップ１０が傾くことを妨げ
ることができる。
となっている。詳しくは、支持面３２には複数の突起３
６が形成されている。複数の突起３６は、支持面３２に
おいて２次元的に広がって形成されている。詳しくは、
複数の突起３６は、接着テープ２０を支持面３２に吸着
したときに、半導体チップ１０が傾くことを妨げる程度
の小さな間隔で２次元的に広がって形成されている。こ
の場合に、複数の突起３６は、突起間の距離がほぼ同一
周期で２次元的に広がって形成されてもよい。ほぼ同一
周期で形成されていれば、バランス良く接着テープ２０
を吸着できるので、半導体チップ１０が傾くことを妨げ
ることができる。
【００４３】このように形成された複数の突起３６によ
れば、接着テープ２０を支持面３２に吸着させたとき
に、例えば、半導体チップ１０を、一対の突起３６の間
にその端部が入り込まないようにして、接着テープ２０
上に平坦に保持できる（図２参照）。
れば、接着テープ２０を支持面３２に吸着させたとき
に、例えば、半導体チップ１０を、一対の突起３６の間
にその端部が入り込まないようにして、接着テープ２０
上に平坦に保持できる（図２参照）。
【００４４】複数の突起３６は、その上端部が接着テー
プ２０を突き破らない形状であることが好ましい。ま
た、一対の突起３６の間における深さは限定されない。
例えば、図２に示すように、支持面３２の突起間は、接
着テープ２０を吸着させたときに、接着テープ２０が支
持面３２の突起間に吸い付く程度に浅く形成されてもよ
い。
プ２０を突き破らない形状であることが好ましい。ま
た、一対の突起３６の間における深さは限定されない。
例えば、図２に示すように、支持面３２の突起間は、接
着テープ２０を吸着させたときに、接着テープ２０が支
持面３２の突起間に吸い付く程度に浅く形成されてもよ
い。
【００４５】複数の突起３６は、支持面３２が砥粒材で
削られることによって形成されてもよい。例えば、複数
の突起３６は、支持面３２の表面に砥粒材が吹きつけら
れて形成されてもよい。複数の突起３６は、ブラスト処
理によって形成されてもよい。これによれば、例えば、
一様に細かく複数の突起３６が並んだ支持面３２を形成
できるので、バランス良く接着テープ２０を吸着でき
る。したがって、接着テープ２０をステージ３０に吸着
させたときに半導体チップ１０が傾くことを妨げること
ができる。
削られることによって形成されてもよい。例えば、複数
の突起３６は、支持面３２の表面に砥粒材が吹きつけら
れて形成されてもよい。複数の突起３６は、ブラスト処
理によって形成されてもよい。これによれば、例えば、
一様に細かく複数の突起３６が並んだ支持面３２を形成
できるので、バランス良く接着テープ２０を吸着でき
る。したがって、接着テープ２０をステージ３０に吸着
させたときに半導体チップ１０が傾くことを妨げること
ができる。
【００４６】吸引孔３４は、支持面３２に１つ又は複数
形成されている。吸引孔３４は、接着テープ２０と支持
面３２との間を真空（大気圧より小さい圧力）にして、
接着テープ２０を支持面３２に吸着させるための孔であ
る。吸引孔３４の孔の大きさは限定されない。また、支
持面３２の平面視おける吸引孔３４の配置は限定されな
い。
形成されている。吸引孔３４は、接着テープ２０と支持
面３２との間を真空（大気圧より小さい圧力）にして、
接着テープ２０を支持面３２に吸着させるための孔であ
る。吸引孔３４の孔の大きさは限定されない。また、支
持面３２の平面視おける吸引孔３４の配置は限定されな
い。
【００４７】図１に示すように、接着テープ２０をステ
ージ３０に吸着させる工程を終える前に、所定のエネル
ギーを加えて、接着テープ２０と半導体チップ１０との
接着力を弱めてもよい。この工程は、接着テープ２０を
ステージ３０に載置する前に別ステージで行ってもよ
い。所定のエネルギーとして、例えば、接着テープ２０
に紫外線２２を照射して両者の接着力を弱めてもよい。
この工程によれば、接着テープ２０を、半導体チップ１
０との接着力を弱めて、ステージ３０の支持面３２に容
易に吸着させることができる。すなわち、後述する工程
において、半導体チップ１０に加えられるストレスをよ
り小さく抑えて、より容易に半導体チップ１０を接着テ
ープ２０から剥離できる。
ージ３０に吸着させる工程を終える前に、所定のエネル
ギーを加えて、接着テープ２０と半導体チップ１０との
接着力を弱めてもよい。この工程は、接着テープ２０を
ステージ３０に載置する前に別ステージで行ってもよ
い。所定のエネルギーとして、例えば、接着テープ２０
に紫外線２２を照射して両者の接着力を弱めてもよい。
この工程によれば、接着テープ２０を、半導体チップ１
０との接着力を弱めて、ステージ３０の支持面３２に容
易に吸着させることができる。すなわち、後述する工程
において、半導体チップ１０に加えられるストレスをよ
り小さく抑えて、より容易に半導体チップ１０を接着テ
ープ２０から剥離できる。
【００４８】図２に示すように、接着テープ２０をステ
ージ３０の支持面３２に吸着させる。接着テープ２０と
支持面３２との間を、吸引孔３４で気体を吸い込むこと
で真空にして、接着テープ２０を支持面３２に吸着させ
る。詳しく説明すると、まず、吸引孔３４によって気体
を吸い込む前は、図１に示すように、接着テープ２０は
支持面３２の複数の突起３６によって支持される。その
後、図２に示すように、気体を吸い込むことで、接着テ
ープ２０を、複数の突起３６で支持しつつ、突起間にお
いて半導体チップ１０から剥がす。すなわち、複数の突
起３６を作用点として、突起間において接着テープ２０
を半導体チップ１０から剥がす。例えば、複数の突起が
低く形成され突起間の深さが浅い場合には、図２に示す
ように、接着テープ２０は支持面３２の表面の凹凸形状
に合わせて吸着される。
ージ３０の支持面３２に吸着させる。接着テープ２０と
支持面３２との間を、吸引孔３４で気体を吸い込むこと
で真空にして、接着テープ２０を支持面３２に吸着させ
る。詳しく説明すると、まず、吸引孔３４によって気体
を吸い込む前は、図１に示すように、接着テープ２０は
支持面３２の複数の突起３６によって支持される。その
後、図２に示すように、気体を吸い込むことで、接着テ
ープ２０を、複数の突起３６で支持しつつ、突起間にお
いて半導体チップ１０から剥がす。すなわち、複数の突
起３６を作用点として、突起間において接着テープ２０
を半導体チップ１０から剥がす。例えば、複数の突起が
低く形成され突起間の深さが浅い場合には、図２に示す
ように、接着テープ２０は支持面３２の表面の凹凸形状
に合わせて吸着される。
【００４９】こうして、接着テープ２０は、半導体チッ
プ１０から部分的に剥がされて、半導体チップ１０に対
する保持力が極めて小さくなる。その後、半導体チップ
１０を接着テープ２０から分離する。
プ１０から部分的に剥がされて、半導体チップ１０に対
する保持力が極めて小さくなる。その後、半導体チップ
１０を接着テープ２０から分離する。
【００５０】例えば、図３に示すように、半導体チップ
１０を、接着テープ２０とは反対側で吸着し、接着テー
プ２０とは反対方向に持ち上げることによって分離して
もよい。この場合に、ツール４０を使用して、半導体チ
ップ１０を接着テープ２０から分離してもよい。図３に
示す例では、ツール４０を、半導体チップ１０の面の内
側を避けて外周に接触させる。この場合のツール４０
は、角錐コレットであってもよい。これによれば、特
に、半導体チップ１０の接着テープ２０とは反対側の面
が電極１２を有する面である場合に、その面を傷つけず
にツール４０を半導体チップ１０に接触させることがで
きるので効果的である。あるいは、半導体チップ１０の
面のうち、少なくとも一部（面の全部又は一部）にツー
ルを接触させてもよい。
１０を、接着テープ２０とは反対側で吸着し、接着テー
プ２０とは反対方向に持ち上げることによって分離して
もよい。この場合に、ツール４０を使用して、半導体チ
ップ１０を接着テープ２０から分離してもよい。図３に
示す例では、ツール４０を、半導体チップ１０の面の内
側を避けて外周に接触させる。この場合のツール４０
は、角錐コレットであってもよい。これによれば、特
に、半導体チップ１０の接着テープ２０とは反対側の面
が電極１２を有する面である場合に、その面を傷つけず
にツール４０を半導体チップ１０に接触させることがで
きるので効果的である。あるいは、半導体チップ１０の
面のうち、少なくとも一部（面の全部又は一部）にツー
ルを接触させてもよい。
【００５１】図３に示すように、半導体チップ１０にツ
ール４０を接触させることによって、ツール４０と半導
体チップ１０の面との間に空間４２が設けられ、空間４
２の気体を吸い込むことで半導体チップ１０を吸着す
る。この場合に、空間４２に連通するツール４０の穴４
４を介して、気体を吸い込んでもよい。接着テープ２０
はステージ３０に吸着されて部分的に半導体チップ１０
から剥がされているので、ツール４０によって半導体チ
ップ１０を接着テープ２０から容易に分離できる。ま
た、接着テープ２０の接着力が所定のエネルギーによっ
て既に弱められている場合には、半導体チップ１０にさ
らにストレスを加えることなく分離できる。また、接着
テープ２０を吸着する支持面３２は、半導体チップ１０
が傾くことを妨げるようになっているので、半導体チッ
プ１０を水平に保った状態で分離できる。したがって、
半導体チップ１０を傷つけることなく、確実に吸着でき
る。なお、半導体チップ１０を接着テープ２０から分離
するときに、継続してステージ３０によって接着テープ
２０を吸着させ続けていてもよい。
ール４０を接触させることによって、ツール４０と半導
体チップ１０の面との間に空間４２が設けられ、空間４
２の気体を吸い込むことで半導体チップ１０を吸着す
る。この場合に、空間４２に連通するツール４０の穴４
４を介して、気体を吸い込んでもよい。接着テープ２０
はステージ３０に吸着されて部分的に半導体チップ１０
から剥がされているので、ツール４０によって半導体チ
ップ１０を接着テープ２０から容易に分離できる。ま
た、接着テープ２０の接着力が所定のエネルギーによっ
て既に弱められている場合には、半導体チップ１０にさ
らにストレスを加えることなく分離できる。また、接着
テープ２０を吸着する支持面３２は、半導体チップ１０
が傾くことを妨げるようになっているので、半導体チッ
プ１０を水平に保った状態で分離できる。したがって、
半導体チップ１０を傷つけることなく、確実に吸着でき
る。なお、半導体チップ１０を接着テープ２０から分離
するときに、継続してステージ３０によって接着テープ
２０を吸着させ続けていてもよい。
【００５２】これまでの工程によれば、半導体チップ１
０を、例えば接着テープ２０越しにピンによって突き上
げることなく、接着テープ２０から剥離することができ
る。これによって、突き上げピンによる調整及び管理等
の手間をなくすことができる。また、ピンで突き上げる
ことによる半導体チップ１０への直接的なストレスをな
くすことができる。したがって、例えば、薄く割れやす
い半導体チップであっても、容易に半導体装置を製造で
きる。
０を、例えば接着テープ２０越しにピンによって突き上
げることなく、接着テープ２０から剥離することができ
る。これによって、突き上げピンによる調整及び管理等
の手間をなくすことができる。また、ピンで突き上げる
ことによる半導体チップ１０への直接的なストレスをな
くすことができる。したがって、例えば、薄く割れやす
い半導体チップであっても、容易に半導体装置を製造で
きる。
【００５３】図４は、半導体チップ１０を所定の搭載領
域に搭載する方法を示す図である。以下に示す工程で
は、半導体チップ１０を所定の搭載領域に搬送し、半導
体チップ１０を搭載する。
域に搭載する方法を示す図である。以下に示す工程で
は、半導体チップ１０を所定の搭載領域に搬送し、半導
体チップ１０を搭載する。
【００５４】半導体チップ１０を搬送する工程は、上述
の工程に引き続いて行ってもよい。すなわち、図３に示
すように、ツール４０によって、半導体チップ１０を吸
着して接着テープ２０から分離し、そのまま所定の搭載
領域に搬送してもよい。あるいは、本工程は、上述の工
程に続くものでなく、改めて半導体チップ１０を吸着し
て所定の搭載領域に搬送する工程であってもよい。
の工程に引き続いて行ってもよい。すなわち、図３に示
すように、ツール４０によって、半導体チップ１０を吸
着して接着テープ２０から分離し、そのまま所定の搭載
領域に搬送してもよい。あるいは、本工程は、上述の工
程に続くものでなく、改めて半導体チップ１０を吸着し
て所定の搭載領域に搬送する工程であってもよい。
【００５５】図４に示すように、半導体チップ１０を所
定の搭載領域に搭載する。所定の搭載領域は、例えば基
板５０であってもよい。ここで、基板５０は、有機系又
は無機系のいずれの材料によって形成されてもよい。基
板５０の一例として、例えばポリイミド樹脂からなるフ
レキシブル基板であってもよく、又はセラミック、ガラ
スもしくはガラスエポキシなどのものであってもよい。
また、基板５０として、多層基板やビルドアップ型基板
を用いてもよい。なお、基板５０には配線パターン５２
が形成されている。
定の搭載領域に搭載する。所定の搭載領域は、例えば基
板５０であってもよい。ここで、基板５０は、有機系又
は無機系のいずれの材料によって形成されてもよい。基
板５０の一例として、例えばポリイミド樹脂からなるフ
レキシブル基板であってもよく、又はセラミック、ガラ
スもしくはガラスエポキシなどのものであってもよい。
また、基板５０として、多層基板やビルドアップ型基板
を用いてもよい。なお、基板５０には配線パターン５２
が形成されている。
【００５６】図４に示すように、台６０上に用意した基
板５０に、半導体チップ１０を搭載する。半導体チップ
１０の搭載は、少なくとも半導体チップ１０を基板５０
に向けて押圧することで行う。本実施の形態では、半導
体チップ１０の搭載は、気体の圧縮によって、半導体チ
ップ１０の面を押圧して行う。
板５０に、半導体チップ１０を搭載する。半導体チップ
１０の搭載は、少なくとも半導体チップ１０を基板５０
に向けて押圧することで行う。本実施の形態では、半導
体チップ１０の搭載は、気体の圧縮によって、半導体チ
ップ１０の面を押圧して行う。
【００５７】詳しく説明すると、まず、ツール４０に吸
着させた状態で半導体チップ１０を基板５０上に載せ
る。その後、半導体チップ１０の吸着を解除し、逆に半
導体チップ１０を気体の圧縮によって押圧する。気体の
圧縮で押圧するときには、ツール４０によって、半導体
チップ１０を基板５０の所定の搭載領域からずれない程
度の微小な力で押圧してもよい。言い換えると、ツール
４０は、半導体チップ１０との間の空間４２に、安定し
て気体を送り込むことができる程度の最低限の力で、半
導体チップ１０を押圧してもよい。
着させた状態で半導体チップ１０を基板５０上に載せ
る。その後、半導体チップ１０の吸着を解除し、逆に半
導体チップ１０を気体の圧縮によって押圧する。気体の
圧縮で押圧するときには、ツール４０によって、半導体
チップ１０を基板５０の所定の搭載領域からずれない程
度の微小な力で押圧してもよい。言い換えると、ツール
４０は、半導体チップ１０との間の空間４２に、安定し
て気体を送り込むことができる程度の最低限の力で、半
導体チップ１０を押圧してもよい。
【００５８】半導体チップ１０の吸着又は押圧は、ツー
ル４０と半導体チップ１０の面との間の空間４２に、気
体を強制的に出し入れさせて行う。詳しくは、吸着時
は、空間４２に連通するツール４０の穴４４を介して気
体を吸い込んで、半導体チップ１０を吸着する。吸着か
ら押圧への切り替えは、半導体チップ１０を基板５０に
載せた後に、気体の吸い込みを止めて、逆に穴４４を介
して空間４２に気体を送り込み、空間４２において真空
状態から真空破壊を起こさせる。その後、さらに継続し
て空間４２に気体を送り込んで、空間４２において気体
を圧縮させて半導体チップ１０の面を押圧する。吸着及
び押圧は、気体の出し入れを制御すればよいので、１つ
のツール４０によってこれらの工程を行うことができ
る。したがって、一連の工程として素早く半導体チップ
１０を搬送及び搭載できる。
ル４０と半導体チップ１０の面との間の空間４２に、気
体を強制的に出し入れさせて行う。詳しくは、吸着時
は、空間４２に連通するツール４０の穴４４を介して気
体を吸い込んで、半導体チップ１０を吸着する。吸着か
ら押圧への切り替えは、半導体チップ１０を基板５０に
載せた後に、気体の吸い込みを止めて、逆に穴４４を介
して空間４２に気体を送り込み、空間４２において真空
状態から真空破壊を起こさせる。その後、さらに継続し
て空間４２に気体を送り込んで、空間４２において気体
を圧縮させて半導体チップ１０の面を押圧する。吸着及
び押圧は、気体の出し入れを制御すればよいので、１つ
のツール４０によってこれらの工程を行うことができ
る。したがって、一連の工程として素早く半導体チップ
１０を搬送及び搭載できる。
【００５９】空間４２に対して気体を出し入れする機構
として、ツール４０の穴４４に接続されたパイプ（図示
しない）を使用して気体の出し入れを制御してもよい。
例えば、気体を吸い込むためのパイプと、気体を送り込
むためのパイプと、を穴４４に接続する前に合流させ
て、合流させた１つのパイプによって空間４２に気体を
出し入れさせてもよい。この場合に、気体とともにゴミ
を空間４２に送り込まないように、双方のパイプが合流
する前の地点で各パイプにフィルターを取り付けること
が好ましい。これによって、気体を吸い込むことでパイ
プ内に入ったゴミを、逆流して空間４２に送り込むこと
を妨げることができる。したがって、半導体チップ１０
がゴミの吹きつけによって傷つけられることを防止でき
る。
として、ツール４０の穴４４に接続されたパイプ（図示
しない）を使用して気体の出し入れを制御してもよい。
例えば、気体を吸い込むためのパイプと、気体を送り込
むためのパイプと、を穴４４に接続する前に合流させ
て、合流させた１つのパイプによって空間４２に気体を
出し入れさせてもよい。この場合に、気体とともにゴミ
を空間４２に送り込まないように、双方のパイプが合流
する前の地点で各パイプにフィルターを取り付けること
が好ましい。これによって、気体を吸い込むことでパイ
プ内に入ったゴミを、逆流して空間４２に送り込むこと
を妨げることができる。したがって、半導体チップ１０
がゴミの吹きつけによって傷つけられることを防止でき
る。
【００６０】半導体チップ１０を気体の圧縮によって押
圧することで、半導体チップ１０の面を、部分的に偏る
ことなくほぼ均一に押圧できる。さらに、例えば、ツー
ル４０を、バネ４６などの弾性力を有する機構によって
半導体チップ１０に対して一定の力で押圧させたときに
は、気体の圧縮による押圧力に左右されずに、半導体チ
ップ１０をほぼ一定の荷重で押圧できる。詳しくは、気
体の圧縮による押圧力が一定以上になっても、半導体チ
ップ１０に働く反作用によって、バネ４６における半導
体チップ１０を押圧する力が小さくなり、全体として初
期の設定値を変化させることなく半導体チップ１０をほ
ぼ一定の荷重で押圧できる。したがって、押圧時の気体
の供給量等を多少ばらつかせても、一定の荷重で半導体
チップ１０を搭載できる。これによって、一定以上のス
トレスを加えることによって半導体チップ１０を割って
しまうことがない。したがって、これによれば半導体チ
ップ１０が薄くて割れやすい場合に特に有効である。
圧することで、半導体チップ１０の面を、部分的に偏る
ことなくほぼ均一に押圧できる。さらに、例えば、ツー
ル４０を、バネ４６などの弾性力を有する機構によって
半導体チップ１０に対して一定の力で押圧させたときに
は、気体の圧縮による押圧力に左右されずに、半導体チ
ップ１０をほぼ一定の荷重で押圧できる。詳しくは、気
体の圧縮による押圧力が一定以上になっても、半導体チ
ップ１０に働く反作用によって、バネ４６における半導
体チップ１０を押圧する力が小さくなり、全体として初
期の設定値を変化させることなく半導体チップ１０をほ
ぼ一定の荷重で押圧できる。したがって、押圧時の気体
の供給量等を多少ばらつかせても、一定の荷重で半導体
チップ１０を搭載できる。これによって、一定以上のス
トレスを加えることによって半導体チップ１０を割って
しまうことがない。したがって、これによれば半導体チ
ップ１０が薄くて割れやすい場合に特に有効である。
【００６１】なお、半導体チップ１０の搭載時におい
て、半導体チップ１０を押圧するとともに例えば熱をさ
らに加えてもよい。また、半導体チップ１０を押圧する
気体は、例えば空気又はガスであってもよく、これらに
限定されない。
て、半導体チップ１０を押圧するとともに例えば熱をさ
らに加えてもよい。また、半導体チップ１０を押圧する
気体は、例えば空気又はガスであってもよく、これらに
限定されない。
【００６２】図４に示すように、半導体チップ１０の吸
着又は押圧は、半導体チップ１０の電極１２が形成され
た側の面に対して行ってもよい。言い換えると、半導体
チップ１０を電極１２が形成された側の面から吸着して
搬送し、半導体チップ１０の電極１２が形成された側の
面を気体の圧縮で押圧して、それとは反対側の面を基板
５０に対向させて搭載してもよい。これによれば、その
信頼性に最も影響する半導体チップ１０における電極１
２が形成された面に、直接的にストレスを加えることな
く、半導体チップ１０を搭載できる。
着又は押圧は、半導体チップ１０の電極１２が形成され
た側の面に対して行ってもよい。言い換えると、半導体
チップ１０を電極１２が形成された側の面から吸着して
搬送し、半導体チップ１０の電極１２が形成された側の
面を気体の圧縮で押圧して、それとは反対側の面を基板
５０に対向させて搭載してもよい。これによれば、その
信頼性に最も影響する半導体チップ１０における電極１
２が形成された面に、直接的にストレスを加えることな
く、半導体チップ１０を搭載できる。
【００６３】また、半導体チップ１０を、接着剤５４を
介して基板５０に搭載してもよい。例えば、接着剤５４
は、予め半導体チップ１０の搭載面に設けておいてもよ
い。あるいは、基板５０上に設けておいてもよい。な
お、接着剤５４は、ペースト状、あるいはシート状のも
のを使用することができる。
介して基板５０に搭載してもよい。例えば、接着剤５４
は、予め半導体チップ１０の搭載面に設けておいてもよ
い。あるいは、基板５０上に設けておいてもよい。な
お、接着剤５４は、ペースト状、あるいはシート状のも
のを使用することができる。
【００６４】これまでの工程によれば、気体の圧縮によ
って半導体チップ１０を押圧するので、直接的に半導体
チップ１０の面をツールで押圧する必要がない。これに
よって、半導体チップ１０を傷つけることなく搭載でき
る。また、気体の圧縮によって押圧するので、半導体チ
ップ１０に搭載に必要な応力をほぼ均一に加えることが
できる。したがって、例えば、半導体チップ１０を搭載
領域との間に気泡残さずに確実に搭載できる。
って半導体チップ１０を押圧するので、直接的に半導体
チップ１０の面をツールで押圧する必要がない。これに
よって、半導体チップ１０を傷つけることなく搭載でき
る。また、気体の圧縮によって押圧するので、半導体チ
ップ１０に搭載に必要な応力をほぼ均一に加えることが
できる。したがって、例えば、半導体チップ１０を搭載
領域との間に気泡残さずに確実に搭載できる。
【００６５】図５は、本実施の形態における製造方法に
よって製造された半導体装置の一例を示す図である。半
導体装置１は、半導体チップ１０と、基板５０と、外部
端子８０と、を含む。
よって製造された半導体装置の一例を示す図である。半
導体装置１は、半導体チップ１０と、基板５０と、外部
端子８０と、を含む。
【００６６】半導体チップ１０は、電極１２を有する側
とは反対側の面が基板５０に対向して搭載されている。
複数の電極１２は、ワイヤ１４によって配線パターン５
２に電気的に接続されている。図５に示す半導体装置１
は、ワイヤボンディング型のＢＧＡ（Ball Grid Arra
y）又はＣＳＰ（Chip Scale/Size Package）などのパッ
ケージに分類できる。
とは反対側の面が基板５０に対向して搭載されている。
複数の電極１２は、ワイヤ１４によって配線パターン５
２に電気的に接続されている。図５に示す半導体装置１
は、ワイヤボンディング型のＢＧＡ（Ball Grid Arra
y）又はＣＳＰ（Chip Scale/Size Package）などのパッ
ケージに分類できる。
【００６７】半導体チップ１０は、樹脂７０によって封
止されている。樹脂７０は、図示しない金型を使用して
成型してもよい。
止されている。樹脂７０は、図示しない金型を使用して
成型してもよい。
【００６８】半導体装置１は外部端子８０を有する。図
５に示す例では、外部端子８０としてボール状のバンプ
が形成されている。外部端子８０は、例えばハンダボー
ルであってもよい。半導体チップ１０と電気的に接続す
る配線パターン５２を所定の配置に引き回すことで、外
部端子８０を基板５０における２次元的に広がる領域に
設けることができる。すなわち、半導体装置の外部端子
８０のピッチを変換して、例えば回路基板（マザーボー
ド）への搭載を容易に行うことができる。
５に示す例では、外部端子８０としてボール状のバンプ
が形成されている。外部端子８０は、例えばハンダボー
ルであってもよい。半導体チップ１０と電気的に接続す
る配線パターン５２を所定の配置に引き回すことで、外
部端子８０を基板５０における２次元的に広がる領域に
設けることができる。すなわち、半導体装置の外部端子
８０のピッチを変換して、例えば回路基板（マザーボー
ド）への搭載を容易に行うことができる。
【００６９】外部端子５０のその他の形態として、基板
５０の配線パターン５２の一部を延出し、そこから外部
接続を図るようにしてもよい。配線パターン５２の一部
をコネクタのリードとしたり、コネクタを基板５０上に
実装してもよい。さらに、積極的に外部端子８０を形成
せず回路基板への実装時に回路基板側に塗布されるハン
ダクリームを利用し、その溶融時の表面張力で結果的に
外部端子を形成してもよい。その半導体装置は、いわゆ
るランドグリッドアレイ型の半導体装置である。
５０の配線パターン５２の一部を延出し、そこから外部
接続を図るようにしてもよい。配線パターン５２の一部
をコネクタのリードとしたり、コネクタを基板５０上に
実装してもよい。さらに、積極的に外部端子８０を形成
せず回路基板への実装時に回路基板側に塗布されるハン
ダクリームを利用し、その溶融時の表面張力で結果的に
外部端子を形成してもよい。その半導体装置は、いわゆ
るランドグリッドアレイ型の半導体装置である。
【００７０】本実施の形態における半導体装置によれ
ば、その製造工程において半導体チップ１０に加えられ
るストレスを抑えることができるので、信頼性の高い半
導体装置を提供できる。
ば、その製造工程において半導体チップ１０に加えられ
るストレスを抑えることができるので、信頼性の高い半
導体装置を提供できる。
【００７１】本実施の形態における半導体装置の製造装
置は、図１〜図３に示すように、半導体チップ１０が一
方の面に貼り付けられた接着テープ２０を他方の面で吸
着するステージ３０を含む。ステージ３０は、接着テー
プ２０を支える支持面３２と、支持面３２に接着テープ
２０を吸着させる吸引孔３４と、を有する。支持面３２
及び吸引孔３４の説明は上述の通りである。なお、本実
施の形態における半導体装置の製造装置の効果は、製造
方法において説明した通りである。
置は、図１〜図３に示すように、半導体チップ１０が一
方の面に貼り付けられた接着テープ２０を他方の面で吸
着するステージ３０を含む。ステージ３０は、接着テー
プ２０を支える支持面３２と、支持面３２に接着テープ
２０を吸着させる吸引孔３４と、を有する。支持面３２
及び吸引孔３４の説明は上述の通りである。なお、本実
施の形態における半導体装置の製造装置の効果は、製造
方法において説明した通りである。
【００７２】図６には、本実施の形態に係る半導体装置
１を実装した回路基板９０が示されている。回路基板９
０には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用い
ることが一般的である。回路基板９０には例えば銅など
からなる配線パターンが所望の回路となるように形成さ
れていて、それらの配線パターンと半導体装置１の外部
端子８０とを機械的に接続することでそれらの電気的導
通を図る。
１を実装した回路基板９０が示されている。回路基板９
０には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用い
ることが一般的である。回路基板９０には例えば銅など
からなる配線パターンが所望の回路となるように形成さ
れていて、それらの配線パターンと半導体装置１の外部
端子８０とを機械的に接続することでそれらの電気的導
通を図る。
【００７３】そして、本発明を適用した半導体装置を有
する電子機器として、図７にはノート型パーソナルコン
ピュータ１００、図８には携帯電話１１０が示されてい
る。
する電子機器として、図７にはノート型パーソナルコン
ピュータ１００、図８には携帯電話１１０が示されてい
る。
【図１】図１は、本実施の形態に係る半導体装置の製造
方法及びその製造装置を示す図である。
方法及びその製造装置を示す図である。
【図２】図２は、本実施の形態に係る半導体装置の製造
方法及びその製造装置を示す図である。
方法及びその製造装置を示す図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係る半導体装置の製造
方法及びその製造装置を示す図である。
方法及びその製造装置を示す図である。
【図４】図４は、本実施の形態に係る半導体装置の製造
方法を示す図である。
方法を示す図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る製造方法によって
製造された半導体装置を示す図である。
製造された半導体装置を示す図である。
【図６】図６は、本実施の形態に係る半導体装置が実装
された回路基板を示す図である。
された回路基板を示す図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係る半導体装置を有す
る電子機器を示す図である。
る電子機器を示す図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係る半導体装置を有す
る電子機器を示す図である。
る電子機器を示す図である。
１０ 半導体チップ １２ 電極 ２０ 接着テープ ２２ 紫外線 ３０ ステージ ３２ 支持面 ３６ 突起 ４０ ツール ４２ 空間
Claims (16)
- 【請求項１】 電極を有する半導体チップが一方の面に
貼り付けられた接着テープを、その他方の面でステージ
に吸着させる工程を含み、 前記ステージの前記接着テープを吸着する支持面には、
吸着時に前記半導体チップが傾くことを妨げるような小
さな間隔で複数の突起が２次元的に広がって形成され、 前記接着テープを前記ステージに吸着させる工程で、前
記接着テープを、前記複数の突起で支持して、突起間に
おいて前記半導体チップから剥がす半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記突起は、前記ステージの前記支持面が砥粒材で削ら
れることによって形成されてなる半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の半導体装置
の製造方法において、 前記接着テープは、所定のエネルギーを加えることでそ
の接着力が弱められる性質を有し、 前記接着テープを前記ステージに吸着させる工程を終え
る前に、前記接着テープに前記エネルギーを加えて、前
記接着テープと前記半導体チップとの接着力を弱める工
程をさらに含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記接着テープは、紫外線を照射することでその接着力
が弱められる性質を有し、 前記接着力を弱める工程は、前記接着テープに紫外線を
照射して、前記接着テープと前記半導体チップとの接着
力を弱める工程である半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記接着テープを前記ステージに吸着させる工程の後
に、 前記半導体チップを前記接着テープとは反対側で吸着し
て、前記半導体チップを前記接着テープから分離する工
程をさらに含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記半導体チップを前記接着テープから分離する工程の
後に、 前記半導体チップを、吸着した状態で所定の搭載領域に
搬送し、その吸着を解除するとともに気体の圧縮によっ
て押圧して前記搭載領域に搭載する工程をさらに含む半
導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記半導体チップは、前記電極が形成された側とは反対
側の面において前記接着テープが貼り付けられ、 前記半導体チップを分離及び搬送する工程で、前記半導
体チップを前記電極が形成された側の面から吸着し、 前記半導体チップを搭載する工程で、気体の圧縮によっ
て、前記半導体チップの前記電極が形成された側の面を
押圧して、前記半導体チップの前記電極が形成された側
とは反対側の面を前記搭載領域に対向させて搭載する半
導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記半導体チップの前記電極が形成された側の面の内側
を避けて外周において、ツールを接触させることによっ
て、前記ツールと前記半導体チップにおける前記電極が
形成された側の面との間に空間が設けられ、前記空間に
強制的に気体を出し入れさせて、前記半導体チップを吸
着又は押圧する半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 電極を有する半導体チップを吸着して所
定の搭載領域に搬送し、前記半導体チップを、その吸着
を解除するとともに気体の圧縮によって押圧して前記搭
載領域に搭載する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置の製造方法
において、 前記半導体チップを搬送する工程で、前記半導体チップ
を前記電極が形成された側の面から吸着し、 前記半導体チップを搭載する工程で、気体の圧縮によっ
て、前記半導体チップの前記電極が形成された側の面を
押圧して、前記半導体チップの前記電極が形成された側
とは反対側の面を前記搭載領域に対向させて搭載する半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の半導体装置の製造方
法において、 前記半導体チップの前記電極が形成された側の面の内側
を避けて外周において、ツールを接触させることによっ
て、前記ツールと前記半導体チップにおける前記電極が
形成された側の面との間に空間が設けられ、前記空間に
強制的に気体を出し入れさせて、前記半導体チップを吸
着又は押圧する半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１から請求項１１のいずれかに
記載の半導体装置の製造方法によって製造されてなる半
導体装置。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の半導体装置が搭載さ
れた回路基板。 - 【請求項１４】 請求項１２記載の半導体装置を有する
電子機器。 - 【請求項１５】 半導体チップが一方の面に貼り付けら
れた接着テープを、他方の面で吸着するステージを含
み、 前記ステージは、接着テープを支える支持面と、前記支
持面に接着テープを吸着させる吸引孔と、を有し、 前記ステージの前記支持面には、接着テープの吸着時に
前記半導体チップが傾くことを妨げるような小さな間隔
で複数の突起が２次元的に広がって形成されてなる半導
体装置の製造装置。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の半導体装置の製造装
置において、 前記突起は、前記ステージの前記支持面が砥粒材で削ら
れることによって形成されてなる半導体装置の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000204016A JP3610888B2 (ja) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000204016A JP3610888B2 (ja) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002026038A true JP2002026038A (ja) | 2002-01-25 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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