JP2002025978A - 半導体装置用ボトル型ディープトレンチの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 製造コストの増加を招くことなく、４０ｐＦ
以上の電気容量が得られる高側壁面を備えたボトル型デ
ィープトレンチの製造工程を開発する。 【解決手段】 くびれ部分２１は、約８７：１３：３５
sccmの流量で供給される臭化水素、フッ化窒素、および
ヘリウム・酸素からなるエッチングガスを用いてエッチ
ングし、トレンチ下部２３は、約１１３±１２：１７±
２：４６±５sccmの流量比で供給される臭化水素、フッ
化窒素、ヘリウム・酸素、および１０〜４０sccmの流量
で供給される塩素ガスからなるエッチングガスによって
プラズマエッチングする。トレンチの下部２３の幅は、
臭化水素および（または）窒化水素の流量が実質的に３
０％増加することによりプラズマチャンバーにポリマー
は堆積しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ディープトレンチ
型コンデンサを少なくとも一つ含んだサブミクロンサイ
ズの半導体装置の製造方法に係り、特に、プラズマチャ
ンバー（plasma chamber ）壁にポリマーが堆積すると
いった問題を発生することなく、直径を大きくした、よ
り一般的に言えば、その下部における円周または断面積
を大きくした一つ以上のボトル型ディープトレンチを半
導体装置内に製造する方法に関するものである。

【従来の技術】半導体装置に備えられる標準型のコンデ
ンサとして、クラウン型コンデンサとディープトレンチ
型コンデンサの２種類がある。コンデンサは、所定間隔
を有する一組の電導面によって挟まれる誘電体層で構成
される。半導体製造技術においては、緊密に充てんされ
た回路構成部品の単位面積当たりの密度が大きくなる傾
向にあるので、各回路構成部分が占める面積を小さくす
る技術が必要とされている。そこで、ディープトレンチ
の技術が開発され、構造の面で、基板の表面に対して直
角の方向に形成された大面積のディープトレンチコンデ
ンサが開発されている。

【０００２】典型的なディープトレンチコンデンサは、
ディープトレンチの側壁に形成され、かつ、高度にドー
プされた埋込面（第一電導面構成する）によって包囲さ
れた誘電体層と、前記ディープトレンチを満たし、か
つ、高度にドープされたポリフィル（Poly fill：第二
電導面を構成する）とから成る。ポリフィルは、一般
に、ｎ型またはｐ型の不純物がドープされたポリシリコ
ンの充填物で構成される。

【０００３】なお、ディープトレンチコンデンサの電気
容量は、ディープトレンチの直径または円周によって決
まるディープトレンチの全側壁面の面積により決定され
る。半導体製造技術は、ディープサブミクロンに移行し
ているので、ディープトレンチコンデンサを製造するた
めには、現在の技術では不十分であるとの認識が高い。
そして、ディープトレンチはディープサブミクロンの半
導体装置に適用されるので、ディープトレンチの長さお
よび直径のアスペクト比は３５：１、またはそれ以上に
なる。ところが、現在の技術では、ディープトレンチの
直径、幅、または円周は、ディープトレンチが深くなる
に従って小さくなる。その結果、ディープトレンチはテ
ーパ状の断面積を有することになるので、全側壁面の面
積がその分小さくなり、ディープトレンチコンデンサの
電気容量がその分小さくなってしまう。半導体製造技術
は、約０．１５μｍ、またはそれより小さいディープサ
ブミクロンの限界寸法を備えた次世代のＵＬＳＩ製造に
移行しているので、ディープトレンチの問題は一層発生
すると予想される。

【０００４】半導体のディープトレンチコンデンサの電
気容量を大きくするために、いわゆるボトル型ディープ
トレンチが提供されている。「0.228μｍ Trench CellT
echnologies with Bottle Shaped Capacitor for 1Gbit
DRAMs, by T.Ozaki, et al, IEDM, 95, pp661-664, 19
95」には、ディープトレンチの直径を大きくする方法が
開示されている。該方法は、（１）選択的酸化によって
トレンチの上部に８０ｎｍのカラー酸化物（Collar oxi
de）を形成する工程、（２）酸化マスクと自然酸化物と
の除去工程等を含み、その間にカラー酸化物層の厚さが
５０ｎｍまで小さくなるコンデンサ工程、（３）リンド
ープされたポリシリコンを蒸着させ、炉なまし（furnac
e annealing）の技術によって、コンデンサ部（電極
面）のトレンチ側壁にリンドープする工程、によって構
成される。カラー酸化物は、トレンチの上部にリンドー
プされるのを防ぐとともに、電極面と転送トランジスタ
（transfer transistor）との間に電気絶縁（electrica
l isolation）を生じさせる。ポリシリコンは化学ドラ
イエッチングによって除去され、同時にカラー酸化物下
のトレンチの直径が大きくなる。「Ozaki el al」に開
示される方法は、ディープトレンチの下部における基板
の熱酸化に続いてカラー酸化物を最初に形成する付加的
な工程が必要であるため、実質的には製造コストの増加
を招くことになる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】以上により、本発明
は、実質的な製造コストの増加を招くことなく、４０ｐ
Ｆまたはそれ以上の電気容量が得られるような、高側壁
面を備えたディープサブミクロンのディープトレンチ型
コンデンサに用いられ得るボトル型ディープトレンチの
製造工程を開発することを第一目的とする。特に、従来
の工程を実質的に逸脱することなく、製造コストを抑え
た上で最大利益を得られるような、基板にボトル型ディ
ープトレンチを形成することにより、ディープトレンチ
コンデンサの側壁面を大きくする方法を開発することを
第一目的とする。本発明はまた、この方法に組み入れる
工程から成る半導体に関するものであり、それにより、
プラズマチャンバーウォールにポリマーが堆積すること
によって清浄に処理されなくなるのを防ぐ。

【０００６】従来、臭化水素、フッ化窒素、ヘリウム、
および酸素を所定の比率で含んだプラズマガスを用いる
異方性プラズマエッチング工程によって、基板にディー
プトレンチを形成してきた。頂部から底部までのトレン
チ幅（直径など）の格差を最小限にするため、また、ト
レンチ上部の幅を実質的に大きくしないようにするた
め、異方性エッチングの間、プラズマガスの圧力は増圧
される。その一方で、臭化水素とフッ化窒素の組成比率
は維持される。従来の方法への基礎的考察は、サブミク
ロンディープトレンチの形成において、幅の劣化を最小
限にすることである。製造されたボトル型ディープトレ
ンチに同じ方法を用いることは、たとえ改善された形成
方法でも不可能だとされていた。

【０００７】‘８２５発明には、ボトル型トレンチを形
成するために改良された従来の方法が開示されている。
本発明で開示される方法は従来の方法に代わる工程を２
つ含んでいる。まず、形成されるトレンチに、（従来の
工程では臭化水素およびフッ化窒素の濃度が一定であっ
たのに対して）臭化水素とフッ化窒素の濃度は実質的に
増加するが、従来の方法と大体同じ圧力のプラズマガス
で短時間「ショック」処理を施す。それから臭化水素と
フッ化窒素の濃度を小さくするが、従来の方法に代わる
一連の工程において（プラズマガスの圧力を実質的に増
加させたことに対して）プラズマガスの圧力は実質的に
減少する。従来の方法に代わる第二段階はエッチング工
程が完了するまで続く。本発明の主な長所の一つは、従
来の方法と同じ設備およびプラズマエッチング要素を用
いてボトル型ディープトレンチを形成することができ、
それによって他の余分な操作費用や資本投資の必要がな
くなるということである。

【０００８】しかしながら、上記発明は他のコエッチン
グ液（co-etchants）を補強することなく高濃度（ある
いは実際には高流量）で臭化水素を使用することによ
り、プラズマチャンバー壁にポリマーの堆積を生じ得る
ことが分かった。もし‘８２５発明で使用されるものよ
り高濃度の臭化水素がこの工程において必要であるなら
ば、このことはさらに深刻なものになると考えられる。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明では、フッ化窒
素、臭化水素、ヘリウム、および酸素を含んだ従来のデ
ィープトレンチのエッチング処方に塩素ガスを加えるこ
とにより、他のエッチング要素に関連する臭化水素の濃
度にスパイク（spikes）を生じることなくボトル型ディ
ープトレンチのプロファイルを得られることを開示す
る。本発明の主な長所の一つは、プラズマチャンバーに
ポリマーが堆積するのを防ぐことによって清潔なチャン
バーを維持できることである。また、従来の工程に比べ
てトレンチの直径をほぼ１００％大きくすることができ
る。

【００１０】本発明は、４０ｐＦまたはそれ以上の電気
容量が得られるような、ボトル型高側壁面を備えたディ
ープサブミクロンのディープトレンチ型コンデンサの形
成方法を開示する。本発明の主な長所の一つは、従来の
方法と同じ設備、本質的に同じプラズマ要素、同じ手順
によって、ボトル型ディープトレンチを形成することに
より、余分な資本投資の必要がなくなるということであ
る。また、本発明の他の主な長所は、このようなプラズ
マエッチング処理の間に高濃度の臭化水素が用いられる
一方で、プラズマチャンバーにポリマーが堆積すること
なく、清潔なチャンバーを維持できるということであ
る。このため、チャンバーを定期的に洗浄する必要がな
く、ボトル型ディープトレンチを製造するためのこの新
規的な工程におけるコスト上の効果を実質的に向上させ
ることができる。

【００１１】従来、ディープトレンチは、臭化水素、フ
ッ化窒素、ヘリウム、および酸素からなるプラズマガス
を所定の濃度で用いる異方性プラズマエッチング工程に
よって基板内に形成されていた。頂部から底部までのト
レンチ幅（直径等）の格差を最小にするため、また、ト
レンチ上部の幅を大きくしないようにするために、プラ
ズマガスの圧力は異方性エッチング工程の途中で増圧さ
れる。一方で臭化水素、フッ化窒素、およびヘリウム・
酸素の濃度は一定に保たれる。プラズマガスの圧力が高
くなると、垂直エッチング率に関する水平（またはラジ
カル）エッチング率が増大する。一方、既に形成された
側壁におけるプラズマエッチングの効果は、臭化水素、
フッ化窒素、およびヘリウム・酸素の濃度をそれぞれ一
定に保つことにより最小化される。従来の方法における
主な設計考察は、ディープトレンチの幅の減成を含むこ
とであり、ボトル型ディープトレンチを形成することは
不可能とされていた。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１から図４は従来の方法と同じ
方法によるディープトレンチの形成における主な工程を
示す略図である。図１では、パッドスタック層１５が基
板１０上に形成されることが示されている。パッドスタ
ック層１５は、一般的にパッド酸化層１１、窒化ケイ素
層１２、およびホウ酸ケイ酸塩ガラス誘電体層（dielec
trc boron silicate glass layer）１４からなる。パッ
ド酸化層１１は主に窒化層とシリコン基板との間の付着
力を改善し、熱応力および機械的ストレスを減少させる
ために備えられる。図１はまた、光露光工程によって形
成されるフォトレジストパターン１６を示している。

【００１３】図２では、フォトレジスト層１６を利用し
た反応イオンエッチングまたはプラズマエッチングの技
術によって、パッドスタック層１５を突き抜けて開口部
（通し穴）２０が形成されることが示されている。フォ
トレジスト層が除去された後、シリコン基板が外環境に
露出されることにより形成される自然酸化層を除去する
ために、基板に第一プラズマエッチングが施される。し
ばしば「ブレークスルー」（breakthrough）工程と呼ば
れるこの第一プラズマエッチングは、約２０〜５０mTor
r（特に２５mTorrが好ましい）のプラズマガスの圧力、
約５００〜９００Ｗ（特に６００Ｗが好ましい）の無線
周波数エネルギー、および１０〜４０ガウス（特に１５
ガウスが好ましい）の磁界という条件で行われる。臭化
水素およびフッ化窒素が２０：５の比率でなるプラズマ
ガスの流量は、体積流量を示すsccm（立方センチメート
ル）で表される。エッチング時間は約２０〜４０秒（特
に２５秒が好ましい）である。この工程については第一
プラズマエッチングとして述べる。

【００１４】図３では、基板に一連のプラズマエッチン
グ工程を施すことにより基板内にくびれ型プロファイル
（Profile）を形成することが示されている。第二プラ
ズマエッチングは、約８０〜１１０mTorr（特に１００m
Torrが好ましい）のプラズマガスの圧力、約７００〜９
００Ｗ（特に８００Ｗが好ましい）の無線周波数エネル
ギー、および８０〜１１０ガウス（特に１００ガウスが
好ましい）の磁界という条件で行われる。プラズマガス
は、臭化水素、フッ化窒素、ヘリウム・酸素が約８７：
１３：３５の流量比（sccm）で構成される。そのうち、
ヘリウム・酸素におけるヘリウムと酸素の比率は約７０
％：３０％である。エッチング時間は約９０〜１１０秒
（特に９５秒が好ましい）である。図３では、ディープ
トレンチ（上方トレンチセクション）２１の上部を構成
するテーパ状のくびれ型プロファイルが示されている。
この工程については第二プラズマエッチングとして述べ
る。

【００１５】プラズマエッチングがさらに進むにつれて
トレンチ幅が急激に減成するのを防ぐため、従来の方法
には、プラズマガスの圧力を８０〜１１０mTorr の範囲
から約１１０〜１３０mTorr（特に１２５mTorrが好まし
い）の範囲へ増大させる一方、プラズマエッチングガス
の構成を含む他の条件を実質的に同様に保持することが
必要である。エッチング時間は約４５０〜５００秒（特
に４８５秒が好ましい）である。その結果は図４に示さ
れており、トレンチ幅の斜面の減少が事実上改良された
ことを指している。しかしながら、トレンチの下部２２
全体の幅は上部の最も狭い幅よりもさらに狭くなってい
る。この工程については第三プラズマエッチングとして
述べる。

【００１６】本発明で開示する方法は、従来の工程であ
る第三プラズマエッチング工程に取って代わるような工
程を含み、この方法によってトレンチはまず従来の方法
に取って代わる第一、第二プラズマエッチング工程が施
される。それから、臭化水素、フッ化窒素、およびヘリ
ウム・酸素の流量を２０〜４０％（特に３０％が好まし
い）増加させ、つまり、約１１３±１２：１７±２：４
６±５（sccm）程度の流量に増加させる。ヘリウム・酸
素におけるヘリウムと酸素の比率は同じく７０％：３０
％である。臭化水素とフッ化窒素の流量が増加すること
により、半径方向へのエッチング率が増加する。しかし
ながら、この効果はヘリウム・酸素の流量が増加するこ
とにより抑制される。臭化水素とフッ化窒素の流量が増
加するだけで、ポリマーの堆積といった問題が生じ得
る。本発明では、増加した流量で塩素ガスをエッチング
ガス流にさらに加えたとき、図５に示されるようなボト
ル型ディープトレンチ（下方トレンチセクション）２３
が得られるという、予想もしなかった結果が観察され
た。このことは、プラズマチャンバー内にポリマーがほ
とんど堆積することなく達成される。

【００１７】第三プラズマエッチング工程は、約１１０
〜１３０mTorr（特に１２５mTorrが好ましい）のプラズ
マガス圧力、約６００〜１０００Ｗ（特に１０００Ｗが
好ましい）の無線周波数エネルギー、約４０〜５５ガウ
ス（特に５５ガスが好ましい）の磁界といった条件で行
われる。’８２５発明に開示される工程のように、他の
エッチング要素に関して臭化水素の流量におけるスパイ
クを必要としない。このことは、プラズマチャンバーウ
ォールにポリマーが堆積するのを防ぐ。

【００１８】

【実施例】本発明では、以下に好ましい実施の形態を挙
げて更に詳しく説明するが、この目的は本発明について
説明することであって、本発明に限定するものではない
ことをここに明記しておく。

【００１９】実施例１ 図１では、パッド酸化層１１、窒化ケイ素層１２、およ
びホウ酸ケイ酸塩ガラス誘電体層１４からなるパッドス
タック層１５が、化学蒸着によって基板１０上に形成さ
れる。それから、パッドスタック層１５上に光露光工程
が施されることにより、フォトレジストパターン１６が
形成される。

【００２０】図２では、フォトレジスト層１６を利用し
たプラズマエッチング技術により、パッドスタック層１
５を突き抜けて開口部２０が形成される。フォトレジス
ト層が除去された後、基板に第一（またはブレークスル
ー）プラズマエッチングが施されて、シリコン基板を外
環境に露出することによって形成される自然酸化層を除
去する。第一プラズマエッチング工程は、２５mTorrの
プラズマガス圧力、６００Ｗの無線周波数エネルギー、
１５ガウスの磁界といった条件のもとで行われる。プラ
ズマガスは、臭化水素とフッ化窒素が約２０：５の比率
で構成される。比率の数字はガス流量（sccm）を指して
いる。エッチング時間は２５秒である。

【００２１】次に、基板に第二プラズマエッチングが施
され、図３に示されるようなくびれ型プロファイル２１
を形成する。第二プラズマエッチングは、１００mTorr
のプラズマガス圧力、８００Ｗの無線周波エネルギー、
１００ガウスの磁界といった条件の下で行われる。プラ
ズマガスは、臭化水素、フッ化窒素、およびヘリウム・
酸素が約８７：１３：３５の比率で構成される。ヘリウ
ムと酸素の比率は約７０％：３０％である。エッチング
時間は９５秒である。

【００２２】そして、ディープトレンチの幅を大きくし
てボトル型にするために、基板に第三プラズマエッチン
グ工程が施される。そのうち、臭化水素、フッ化窒素、
およびヘリウム・酸素の流量はそれぞれ３０％増加され
て１１３：１７：４６（sccm）となり、塩素ガスが１０
sccmの比率でエッチングガス流に加えられる。ヘリウム
・酸素におけるヘリウムと酸素の比率は前回と同じよう
に約７０％：３０％に保った。第三プラズマエッチング
工程は、１２０mTorrのプラズマガス圧力、１０００Ｗ
の無線周波エネルギー、および５０ガウスの磁界といっ
た条件の下で行われた。

【００２３】臭化水素、フッ化窒素、およびヘリウム・
酸素の流量を増加させ、塩素ガスを１０sccmの比率で含
ませることにより、ディープトレンチの幅が２１３μｍ
まで大きくなった。プラズマエッチングチャンバー内に
はポリマーの堆積がほとんど見られなかった。トレンチ
の底部から約１．５μｍの位置でトレンチの深さを測定
した。このトレンチの深さは最大トレンチ幅の位置に対
応して現れた。

【００２４】実施例２〜３ 実施例２〜３の手順は、塩素ガスの流量がそれぞれ２５
sccmおよび４０sccmまで増加されたことを以外は実施例
１と同じである。ディープトレンチの幅は、それぞれ２
９６μｍおよび３３３μｍと測定された。

【００２５】比較例１ 比較例１の手順は、プラズマガス流に塩素ガスを加えな
いこと以外は実施例１と同じである。ディープトレンチ
の幅は１６０μｍと測定された。

【００２６】本発明では好ましい実施例を前述の通り開
示したが、これらは決して本発明に限定するものではな
く、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と
領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えること
ができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で
指定した内容を基準とする。

【００２７】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に開示
される方法によれば、トレンチの表面積を大きくさせ、
それによってディープトレンチの側壁周辺に形成される
コンデンサの電気容量が大きくなる。

【００２８】本発明に開示される方法は、公知技術とは
異なり、カラー酸化物（collar oxide）を形成したり、
あるいは基板の側面に酸化層を形成するために付加的熱
酸化（additional thermal oxidaion）を施したりする
必要がない。

【００２９】また、本発明によれば、トレンチの直径を
増大させるためのエッチング液を用いることによりプラ
ズマチャンバー内に不利に生じ得るポリマーの堆積をな
くし、あるいは少なくとも該ポリマーの堆積量を最小に
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 パッドスタック誘電体層およびフォトレジス
トパターンが基板上に形成されることを示す略図であ
る。

【図２】 フォトレジスト層を利用した反応イオンエッ
チングまたはプラズマエッチング技術によって、パッド
スタック層を突き抜けて開口部が形成されることを示す
略図である。

【図３】 基板に第二プラズマエッチング工程を施すこ
とによって、基板内にくびれ型プロファイルが形成され
ることを示す略図である。

【図４】 高ガス圧力であるが同じプラズマエッチング
ガスを用いた第三プラズマエッチング工程に切換えるこ
とにより、トレンチ幅の狭くなった斜面を実質的に改良
することを示す略図である。

【図５】 図４に示される工程に続くものとして、本発
明である新規のプラズマエッチング要素を用いてボトル
型トレンチが形成されることを示す略図である。

【符号の説明】

１０…基板、１１…パッド酸化層、１２…窒化ケイ素
層、１４…ホウ酸ケイ酸塩ガラス誘電体層、１５…パッ
ドスタック層、１６…フォトレジスト層、２０…開口
部、２１…くびれ型プロファイル、２２…（トレンチ
の）下部、２３…ボトル型ディープトレンチ。

フロントページの続き (71)出願人 599002397 モーゼル バイテリック インコーポレイ テッド 台湾、シンチュウ、サイエンス−ベースド インダストリアルパーク、リシンロード ナンバー 19 (71)出願人 599002401 ジーメンス・アー・ゲー ドイツ連邦共和国、Ｄ−80333、ミュンヘ ン、ヴィッテルスバッハープラッツ ２ (72)発明者 林 明弘 台湾高雄縣湖内郷民權路164号 (72)発明者 李 錦瑞 台湾台北市中山北路六段728巷１号 (72)発明者 蔡 念諭 台湾台北市仁愛路四段266巷10号３樓 Ｆターム(参考） 5F004 BB07 BB13 DA00 DA04 DA17 DA22 DA26 DA30 DB01 EA28 EA37 EB05 5F038 AC05 AC10 EZ15

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）基板上にパッドスタック層を形成す
   る工程と、 （ｂ）光露光工程を用いて前記パッドスタック層内に通
   し穴を形成する工程と、 （ｃ）第二所定流量での第二エッチングガスを用いて第
   二プラズマエッチング工程を行い、前記基板内に上方ト
   レンチセクションを形成する工程と、 （ｄ）第三所定流量での塩素ガスを含む第三エッチング
   ガスを用いて第三プラズマエッチングを行い、前記上方
   トレンチセクション下の前記基板内に幅を大きくした下
   方トレンチセクションを形成する工程と、 を有することを特徴とする半導体基板内にディープトレ
   ンチを形成する方法。
2. 【請求項２】 前記パッドスタック層は、窒化層および
   誘電ガラス層からなる、請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 前記第二プラズマエッチング工程の以前
   に、第一エッチングガスを用い、前記通し穴が形成され
   たときに形成され得る自然酸化層を除去するための第一
   プラズマエッチング工程をさらに有する、請求項１また
   は２に記載の方法。
4. 【請求項４】 前記塩素ガスは１０sccm以上の流量で供
   給される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
5. 【請求項５】 前記塩素ガスは、１０〜４０sccmの流量
   で供給される、請求項４に記載の方法。
6. 【請求項６】 前記第二エッチングガスおよび第三エッ
   チングガスは共に、臭化水素、フッ化窒素、およびヘリ
   ウムと酸素の混合からなり、前記第三エッチング工程に
   おける前記臭化水素、フッ化窒素、およびヘリウムと酸
   素の混合の流量は、前記第二エッチング工程の場合より
   約２０〜４０％大きい、請求項１〜５のいずれかに記載
   の方法。
7. 【請求項７】 前記第二エッチングガスおよび第三エッ
   チングガスは共に、臭化水素、フッ化窒素、およびヘリ
   ウムと酸素の混合からなり、前記第三エッチング工程に
   おける前記臭化水素、フッ化窒素、およびヘリウムと酸
   素の混合の流量は、前記第二エッチング工程の場合より
   約３０％大きい、請求項６に記載の方法。
8. 【請求項８】 前記第二エッチングガスおよび第三エッ
   チングガスは共に、ヘリウムと酸素の比率が実質的に７
   ０％：３０％であるヘリウム・酸素の混合を含む、請求
   項１〜７のいずれかに記載の方法。
9. 【請求項９】 前記第二エッチングガスは、第二エッチ
   ング工程において実質的に８７：１３：３５の流量比で
   供給される臭化水素、フッ化窒素、およびヘリウム・酸
   素の混合からなる、請求項１〜８のいずれかに記載の方
   法。
10. 【請求項１０】 前記第三エッチングガスは、第三エッ
    チング工程において実質的に１１３±１２：１７±２：
    ４６±５sccmの流量比で供給される臭化水素、フッ化窒
    素、およびヘリウム・酸素からなる、請求項１〜９のい
    ずれかに記載の方法。