JP2002020874A - 無電解金めっき浴 - Google Patents
無電解金めっき浴Info
- Publication number
- JP2002020874A JP2002020874A JP2000203013A JP2000203013A JP2002020874A JP 2002020874 A JP2002020874 A JP 2002020874A JP 2000203013 A JP2000203013 A JP 2000203013A JP 2000203013 A JP2000203013 A JP 2000203013A JP 2002020874 A JP2002020874 A JP 2002020874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- plating bath
- gold plating
- electroless gold
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 非シアン化金塩、錯化剤及び還元剤を含
有する無電解金めっき浴に、シアン化物又はその錯塩を
ＫＣＮとして０．１ｎｇ／Ｌ〜１ｇ／Ｌ添加してなり、
ｐＨが３．０〜９．５であることを特徴とする無電解金
めっき浴。 【効果】 本発明の無電解金めっき浴は、中性程度のｐ
Ｈ条件で比較的低い温度において高速度で安定してめっ
きを行うことができ、めっき外観の優れた金めっき皮膜
を得ることができる。
有する無電解金めっき浴に、シアン化物又はその錯塩を
ＫＣＮとして０．１ｎｇ／Ｌ〜１ｇ／Ｌ添加してなり、
ｐＨが３．０〜９．５であることを特徴とする無電解金
めっき浴。 【効果】 本発明の無電解金めっき浴は、中性程度のｐ
Ｈ条件で比較的低い温度において高速度で安定してめっ
きを行うことができ、めっき外観の優れた金めっき皮膜
を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解金めっき浴
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決ようとする課題】従来、無
電解金めっき浴としては、シアン化金を金源とする無電
解めっき浴が知られている（特公平３−２０４７１号公
報）。しかし、この種のシアン化金を金源とする無電解
金めっき浴は、強アルカリ性であり、まためっき温度が
高温であるため、被めっき物の素地の侵蝕等が起こるお
それがある。また、この種の高アルカリ無電解金めっき
浴を用いた場合には、置換反応が生じるので、最近では
むしろ置換型のめっき浴としては、中性のシアンタイプ
の置換型の無電解金めっき浴が用いられているが、かか
る置換型めっき浴は、原理的にピンホールが残るので、
金めっき皮膜に穴が開いている状態であり、皮膜性能に
限界がある。
電解金めっき浴としては、シアン化金を金源とする無電
解めっき浴が知られている（特公平３−２０４７１号公
報）。しかし、この種のシアン化金を金源とする無電解
金めっき浴は、強アルカリ性であり、まためっき温度が
高温であるため、被めっき物の素地の侵蝕等が起こるお
それがある。また、この種の高アルカリ無電解金めっき
浴を用いた場合には、置換反応が生じるので、最近では
むしろ置換型のめっき浴としては、中性のシアンタイプ
の置換型の無電解金めっき浴が用いられているが、かか
る置換型めっき浴は、原理的にピンホールが残るので、
金めっき皮膜に穴が開いている状態であり、皮膜性能に
限界がある。
【０００３】一方、非シアンタイプの中性の無電解金め
っき浴としては、（ａ）金源としての塩化金（ＩＩＩ）
酸又はその塩もしくは亜硫酸又はチオ硫酸の金（Ｉ）錯
塩、（ｂ）亜硫酸又はチオ硫酸のアルカリ金属塩又はア
ンモニウム塩、（ｃ）アスコルビン酸又はその塩及び
（ｄ）ｐＨ緩衝剤を組成成分として含有する水溶液より
なる無電解金めっき液に、６−エトキシ−メルカプトベ
ンゾチアゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、
２−メルカプトベンゾオキサゾール及びこれらの塩から
選択された化合物を含有させた無電解金めっき液が提案
されている（特開平６−１４５９９６号公報）。
っき浴としては、（ａ）金源としての塩化金（ＩＩＩ）
酸又はその塩もしくは亜硫酸又はチオ硫酸の金（Ｉ）錯
塩、（ｂ）亜硫酸又はチオ硫酸のアルカリ金属塩又はア
ンモニウム塩、（ｃ）アスコルビン酸又はその塩及び
（ｄ）ｐＨ緩衝剤を組成成分として含有する水溶液より
なる無電解金めっき液に、６−エトキシ−メルカプトベ
ンゾチアゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、
２−メルカプトベンゾオキサゾール及びこれらの塩から
選択された化合物を含有させた無電解金めっき液が提案
されている（特開平６−１４５９９６号公報）。
【０００４】しかし、この種の浴は、外観に白くもりが
生じ、ピット状の外観むらが生じるなどの問題点があ
る。
生じ、ピット状の外観むらが生じるなどの問題点があ
る。
【０００５】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、中性付近のｐＨを持ち、比較的低い温度でも安定し
て高速度でめっきし得ると共に、めっき外観の優れた皮
膜を得ることができる無電解金めっき浴を提供すること
を目的とする。
で、中性付近のｐＨを持ち、比較的低い温度でも安定し
て高速度でめっきし得ると共に、めっき外観の優れた皮
膜を得ることができる無電解金めっき浴を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、シアンを含まない金源から構成される無電解金めっ
き浴に対し、シアン化物を微量添加することにより、ｐ
Ｈ３．０〜９．５の範囲において、４０〜８０℃程度の
低温度で無電解めっきを行った場合、白いくもり等のな
い、外観の良好な無電解金めっき皮膜が形成され、また
その析出速度も比較的早いものであることを知見し、本
発明をなすに至った。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、シアンを含まない金源から構成される無電解金めっ
き浴に対し、シアン化物を微量添加することにより、ｐ
Ｈ３．０〜９．５の範囲において、４０〜８０℃程度の
低温度で無電解めっきを行った場合、白いくもり等のな
い、外観の良好な無電解金めっき皮膜が形成され、また
その析出速度も比較的早いものであることを知見し、本
発明をなすに至った。
【０００７】従って、本発明は、非シアン化金塩、錯化
剤及び還元剤を含有する無電解金めっき浴に、シアン化
物又はその錯塩をＫＣＮとして０．１ｎｇ／Ｌ〜１ｇ／
Ｌ添加してなり、ｐＨが３．０〜９．５であることを特
徴とする無電解金めっき浴を提供する。
剤及び還元剤を含有する無電解金めっき浴に、シアン化
物又はその錯塩をＫＣＮとして０．１ｎｇ／Ｌ〜１ｇ／
Ｌ添加してなり、ｐＨが３．０〜９．５であることを特
徴とする無電解金めっき浴を提供する。
【０００８】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
【０００９】本発明の無電解金めっき浴に用いる金源
は、シアンを含まない水溶性の金源（非シアン化金塩）
であり、亜硫酸金（Ｉ）又はその塩、チオ硫酸金（Ｉ）
又はその塩、亜硫酸又はチオ硫酸の金（Ｉ）錯塩、塩化
金（ＩＩＩ）酸又はその塩等を使用することができる。
は、シアンを含まない水溶性の金源（非シアン化金塩）
であり、亜硫酸金（Ｉ）又はその塩、チオ硫酸金（Ｉ）
又はその塩、亜硫酸又はチオ硫酸の金（Ｉ）錯塩、塩化
金（ＩＩＩ）酸又はその塩等を使用することができる。
【００１０】この場合、上記非シアン化金塩の配合量
は、特に制限されるものではないが、金として０．１〜
１０ｇ／Ｌ、特に０．５〜５ｇ／Ｌとすることが好まし
い。
は、特に制限されるものではないが、金として０．１〜
１０ｇ／Ｌ、特に０．５〜５ｇ／Ｌとすることが好まし
い。
【００１１】また、錯化剤としては、特に限定されるも
のではないが、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜
硫酸アンモニウム、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリ
ウム、チオ硫酸アンモニウム、ＥＤＴＡ、ニトリロ３酢
酸（ＮＴＡ）、有機ホスホン酸及びその塩、くえん酸及
びその塩、酒石酸及びその塩、グルコノ−δ−ラクト
ン、グルコン酸塩、必須アミノ酸及びその塩等が挙げら
れる。なお、有機ホスホン酸としてはアミノトリ（メチ
レンホスホン酸）及びその塩、１−ヒドロキシエチリデ
ン−１，１−ジホスホン酸及びその塩、エチレンジアミ
ンテトラ（メチレンホスホン酸）及びその塩、ジエチレ
ントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びその塩
が好適であり、また塩としてはナトリウム塩、カリウム
塩、アンモニウム塩が好適である。
のではないが、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜
硫酸アンモニウム、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリ
ウム、チオ硫酸アンモニウム、ＥＤＴＡ、ニトリロ３酢
酸（ＮＴＡ）、有機ホスホン酸及びその塩、くえん酸及
びその塩、酒石酸及びその塩、グルコノ−δ−ラクト
ン、グルコン酸塩、必須アミノ酸及びその塩等が挙げら
れる。なお、有機ホスホン酸としてはアミノトリ（メチ
レンホスホン酸）及びその塩、１−ヒドロキシエチリデ
ン−１，１−ジホスホン酸及びその塩、エチレンジアミ
ンテトラ（メチレンホスホン酸）及びその塩、ジエチレ
ントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びその塩
が好適であり、また塩としてはナトリウム塩、カリウム
塩、アンモニウム塩が好適である。
【００１２】これら錯化剤の配合量は、特に制限される
ものではないが、通常５〜２００ｇ／Ｌ、特に２０〜１
５０ｇ／Ｌとすることが好ましく、５ｇ／Ｌ未満では錯
化剤としての効果が不十分となる場合があり、また２０
０ｇ／Ｌを超える量を添加しても効果は余り上がらず不
経済である。
ものではないが、通常５〜２００ｇ／Ｌ、特に２０〜１
５０ｇ／Ｌとすることが好ましく、５ｇ／Ｌ未満では錯
化剤としての効果が不十分となる場合があり、また２０
０ｇ／Ｌを超える量を添加しても効果は余り上がらず不
経済である。
【００１３】次に、還元剤としては、抱水ヒドラジン、
硫酸ヒドラジン、中性硫酸ヒドラジン、マレイン酸ヒド
ラジン等のヒドラジン類及びその塩やヒドロキシルアミ
ン等のヒドラジン誘導体、アスコルビン酸及びそのナト
リウム、カリウム、アンモニウム塩、トリメチルアミン
ボラン（ＴＭＡＢ）、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡ
Ｂ）、チオ尿素、次亜りん酸及びその塩などが挙げられ
る。
硫酸ヒドラジン、中性硫酸ヒドラジン、マレイン酸ヒド
ラジン等のヒドラジン類及びその塩やヒドロキシルアミ
ン等のヒドラジン誘導体、アスコルビン酸及びそのナト
リウム、カリウム、アンモニウム塩、トリメチルアミン
ボラン（ＴＭＡＢ）、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡ
Ｂ）、チオ尿素、次亜りん酸及びその塩などが挙げられ
る。
【００１４】これら還元剤の作用により、めっき浴中の
金イオンが被めっき物に析出するものであり、その配合
量は、特に制限されるものではないが、通常１〜１００
ｇ／Ｌ、特に５〜７０ｇ／Ｌとされる。この場合、これ
ら還元剤の濃度にほぼ比例してめっき速度が増大する
が、１００ｇ／Ｌを超える量を添加してもめっき速度は
余り大きくならず、むしろ液安定性が劣化する場合があ
り、一方、１ｇ／Ｌ未満であるとめっき速度が非常に小
さくなってしまう。
金イオンが被めっき物に析出するものであり、その配合
量は、特に制限されるものではないが、通常１〜１００
ｇ／Ｌ、特に５〜７０ｇ／Ｌとされる。この場合、これ
ら還元剤の濃度にほぼ比例してめっき速度が増大する
が、１００ｇ／Ｌを超える量を添加してもめっき速度は
余り大きくならず、むしろ液安定性が劣化する場合があ
り、一方、１ｇ／Ｌ未満であるとめっき速度が非常に小
さくなってしまう。
【００１５】本発明の無電解金めっき浴には、更にシア
ン化物又はその錯塩を添加する。シアン化物及びその錯
塩としては、ＫＣＮ、ＮａＣＮ、Ｋ2Ｎｉ（ＣＮ）2等を
使用することができる。
ン化物又はその錯塩を添加する。シアン化物及びその錯
塩としては、ＫＣＮ、ＮａＣＮ、Ｋ2Ｎｉ（ＣＮ）2等を
使用することができる。
【００１６】これらシアン化物及びその錯塩の添加量
は、ＫＣＮとして０．１ｎｇ／Ｌ〜１ｇ／Ｌであり、好
ましくは１ｎｇ／Ｌ〜０．１ｇ／Ｌである。多すぎると
めっき速度が低下する。なお、ＫＡｕ（ＣＮ）2等の金
シアン化錯塩は、これを実質的に金源とするものではな
く、シアンを供給する目的で金として上記非シアン化金
塩の配合量に満たない量で添加することは差支えない。
は、ＫＣＮとして０．１ｎｇ／Ｌ〜１ｇ／Ｌであり、好
ましくは１ｎｇ／Ｌ〜０．１ｇ／Ｌである。多すぎると
めっき速度が低下する。なお、ＫＡｕ（ＣＮ）2等の金
シアン化錯塩は、これを実質的に金源とするものではな
く、シアンを供給する目的で金として上記非シアン化金
塩の配合量に満たない量で添加することは差支えない。
【００１７】本発明の無電解金めっき浴には、上記成分
に加え、必要に応じ、ｐＨ緩衝剤としてりん酸塩、有機
酸（カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等）塩、安定剤
として重金属（Ｐｂ、Ａｓ、Ｔｌ等）イオン、含硫黄複
素化合物（２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メル
カプトベンゾオキサゾール等）、含窒素複素化合物（ベ
ンゾトリアゾール、Ｎ−ヒドロキシベンゾトリアゾール
等）などを添加することができる。
に加え、必要に応じ、ｐＨ緩衝剤としてりん酸塩、有機
酸（カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等）塩、安定剤
として重金属（Ｐｂ、Ａｓ、Ｔｌ等）イオン、含硫黄複
素化合物（２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メル
カプトベンゾオキサゾール等）、含窒素複素化合物（ベ
ンゾトリアゾール、Ｎ−ヒドロキシベンゾトリアゾール
等）などを添加することができる。
【００１８】本発明の無電解金めっき浴は、そのｐＨが
３．０〜９．５、好ましくは４．０〜８．５の範囲に調
整される。なお、ｐＨ調整剤としては、酸として硫酸、
りん酸等、アルカリとしてＮａＯＨ、ＫＯＨ、アンモニ
ア水等を用いることができる。
３．０〜９．５、好ましくは４．０〜８．５の範囲に調
整される。なお、ｐＨ調整剤としては、酸として硫酸、
りん酸等、アルカリとしてＮａＯＨ、ＫＯＨ、アンモニ
ア水等を用いることができる。
【００１９】本発明の無電解金めっき浴を用いて無電解
金めっきする方法としては常法を採用し得るが、めっき
温度は３０〜８０℃、特に４０〜６０℃とすることが好
ましい。なお、析出速度は、５０℃のめっき温度におい
て、通常０．５〜２．５μｍ／ｈｒである。本発明のめ
っき浴を用いた無電解金めっきに際して、その前処理と
して被めっき物にストライク金めっきを施すことができ
る。特に、還元型のめっき浴においては、この金ストラ
イクめっき皮膜が金触媒として作用し、還元を開始、促
進させることができる。置換めっき法は、置換金めっき
液に卑金属導体を浸漬することにより、液中の金が卑金
属導体上に置換析出するものであるが、置換反応である
ため金が卑金属導体全面に析出したところで反応が止ま
り、厚付金めっきは不可能であるが、本発明のめっき浴
は還元めっき浴である点で、無電解金めっき液の各成分
を補充管理することにより、任意の膜厚を達成できる。
金めっきする方法としては常法を採用し得るが、めっき
温度は３０〜８０℃、特に４０〜６０℃とすることが好
ましい。なお、析出速度は、５０℃のめっき温度におい
て、通常０．５〜２．５μｍ／ｈｒである。本発明のめ
っき浴を用いた無電解金めっきに際して、その前処理と
して被めっき物にストライク金めっきを施すことができ
る。特に、還元型のめっき浴においては、この金ストラ
イクめっき皮膜が金触媒として作用し、還元を開始、促
進させることができる。置換めっき法は、置換金めっき
液に卑金属導体を浸漬することにより、液中の金が卑金
属導体上に置換析出するものであるが、置換反応である
ため金が卑金属導体全面に析出したところで反応が止ま
り、厚付金めっきは不可能であるが、本発明のめっき浴
は還元めっき浴である点で、無電解金めっき液の各成分
を補充管理することにより、任意の膜厚を達成できる。
【００２０】本発明のめっき浴は、めっき対象物（被め
っき物）を選ばないが、例えばプリント基板（ＰＷＢ）
とした場合、めっき浴ｐＨが中性付近（弱酸性〜弱アル
カリ性）であり、浴温が低い点で、一般にアルカリ性に
弱いソルダーマスク（ＳＲ）へのアタックが少なくなる
点で特に有利である。
っき物）を選ばないが、例えばプリント基板（ＰＷＢ）
とした場合、めっき浴ｐＨが中性付近（弱酸性〜弱アル
カリ性）であり、浴温が低い点で、一般にアルカリ性に
弱いソルダーマスク（ＳＲ）へのアタックが少なくなる
点で特に有利である。
【００２１】
【発明の効果】本発明の無電解金めっき浴は、中性程度
のｐＨ条件で比較的低い温度において高速度で安定して
めっきを行うことができ、めっき外観の優れた金めっき
皮膜を得ることができる。
のｐＨ条件で比較的低い温度において高速度で安定して
めっきを行うことができ、めっき外観の優れた金めっき
皮膜を得ることができる。
【００２２】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２３】[実施例、比較例]被めっき物として銅張り
積層板を使用し、常法に従って前処理した後、下記組成
の無電解金ストライク浴を用いて下記条件でストライク
金めっきを行い、次いで下記組成の無電解金めっき浴Ｎ
ｏ．１又はＮｏ．２を用いて下記条件で金めっきを行
い、得られた金めっき皮膜の外観及びめっき速度を評価
した。結果を表１，２に示す。
積層板を使用し、常法に従って前処理した後、下記組成
の無電解金ストライク浴を用いて下記条件でストライク
金めっきを行い、次いで下記組成の無電解金めっき浴Ｎ
ｏ．１又はＮｏ．２を用いて下記条件で金めっきを行
い、得られた金めっき皮膜の外観及びめっき速度を評価
した。結果を表１，２に示す。
【００２４】無電解金ストライク浴 シアン化金（Ｉ）カリウム １ｇ／Ｌ（金として） くえん酸 １０ｇ／Ｌ ＥＤＴＡ・２Ｎａ ５ｇ／Ｌ アンモニア水 ｐＨ調節のための必要量 ｐＨ ５．０ 浴温 ９０℃ めっき時間 ５分間
【００２５】無電解金めっき浴 Ｎｏ．１ 亜硫酸金ナトリウム ２．０ｇ／Ｌ（金として） 亜硫酸ナトリウム １０ｇ／Ｌ チオ硫酸ナトリウム ２０ｇ／Ｌ Ｌ−アスコルビン酸ナトリウム ２５ｇ／Ｌ りん酸二水素一ナトリウム ４ｇ／Ｌ 水酸化ナトリウム ｐＨ調節のための必要量 ２−メルカプトベンゾチアゾール １ｐｐｍ 表１に示す添加剤 表１に示す添加量 ｐＨ ７．２ 浴温 ５０℃
【００２６】
【表１】
【００２７】無電解金めっき浴 Ｎｏ．２ 塩化金（ＩＩＩ）ナトリウム ２．０ｇ／Ｌ（金として） 亜硫酸ナトリウム １０ｇ／Ｌ チオ硫酸ナトリウム ２０ｇ／Ｌ Ｌ−アスコルビン酸ナトリウム ２５ｇ／Ｌ りん酸二水素一ナトリウム ４ｇ／Ｌ 水酸化ナトリウム ｐＨ調節のための必要量 ２−メルカプトベンゾチアゾール １ｐｐｍ 表２に示す添加剤 表２に示す添加量 ｐＨ ７．２ 浴温 ５０℃
【００２８】
【表２】
Claims (1)
- 【請求項１】 非シアン化金塩、錯化剤及び還元剤を含
有する無電解金めっき浴に、シアン化物又はその錯塩を
ＫＣＮとして０．１ｎｇ／Ｌ〜１ｇ／Ｌ添加してなり、
ｐＨが３．０〜９．５であることを特徴とする無電解金
めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000203013A JP2002020874A (ja) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | 無電解金めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000203013A JP2002020874A (ja) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | 無電解金めっき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002020874A true JP2002020874A (ja) | 2002-01-23 |
Family
ID=18700464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000203013A Pending JP2002020874A (ja) | 2000-07-05 | 2000-07-05 | 無電解金めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002020874A (ja) |
-
2000
- 2000-07-05 JP JP2000203013A patent/JP2002020874A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101319318B (zh) | 无电镀金浴、无电镀金方法及电子部件 | |
| KR101488885B1 (ko) | 무전해 금 도금욕의 도금 능력 유지관리 방법 | |
| JP2000144441A (ja) | 無電解金めっき方法及びそれに使用する無電解金めっき液 | |
| JP5840454B2 (ja) | 還元型無電解銀めっき液及び還元型無電解銀めっき方法 | |
| KR20080052479A (ko) | 무전해 금도금욕, 무전해 금도금 방법 및 전자 부품 | |
| US6383269B1 (en) | Electroless gold plating solution and process | |
| US5935306A (en) | Electroless gold plating bath | |
| JP2927142B2 (ja) | 無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法 | |
| TWI709663B (zh) | 用於金之無電電鍍之鍍浴組合物、沉積金層之方法及乙二胺衍生物之用途 | |
| US6911230B2 (en) | Plating method | |
| JP2007009305A (ja) | 無電解パラジウムめっき液及びそれを用いて形成された３層めっき被膜端子 | |
| JP4599599B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| US7011697B2 (en) | Electroless gold plating solution | |
| JP2002020874A (ja) | 無電解金めっき浴 | |
| JPH0711448A (ja) | 銅系素材選択型無電解めっき用触媒液 | |
| JP7297771B2 (ja) | 無電解金めっき浴 | |
| JPH05295558A (ja) | 高速置換型無電解金めっき液 | |
| EP3705601A1 (en) | Electroless gold plating bath | |
| JP4129629B2 (ja) | 無電解金めっき浴 | |
| JPH09143749A (ja) | 無電解金めっき液 | |
| JP2001200388A (ja) | 金−錫合金電気めっき浴 | |
| JP2023006020A (ja) | 電解金めっき浴 | |
| EP3945144A1 (en) | Electroless palladium plating bath | |
| JP2003193250A (ja) | 無電解金めっき液 | |
| JPH06228761A (ja) | 置換金めっき液 |