JP2002020143A - 接合方法 - Google Patents

接合方法

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JP2002020143A
JP2002020143A JP2000199389A JP2000199389A JP2002020143A JP 2002020143 A JP2002020143 A JP 2002020143A JP 2000199389 A JP2000199389 A JP 2000199389A JP 2000199389 A JP2000199389 A JP 2000199389A JP 2002020143 A JP2002020143 A JP 2002020143A
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亨 有賀
Yasunobu Murofushi
康信 室伏
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 接合を低温で行うことができ、かつ接合部が
高い耐熱性を有する接合方法を提供する。 【解決手段】 銅、または表面の全部もしくは一部を銅
で被覆したガラス、セラミックもしくは銅以外の金属で
構成された2つ以上の部材1を、前記銅または銅被覆の
表面にインジウム−スズ合金4が接するように、インジ
ウム−スズ合金を介して配置し、そしてインジウム−ス
ズ合金を溶融してから冷却することによって前記2つ以
上の部材を接合し、さらにこの接合体を、各部材が相互
に脱離しないように固定した上で、熱処理する。特に、
銅の供給を好適に行う構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接合の作業温度が
低く、接合部が耐熱性を有し、かつ接合部周辺の内部歪
が少ない接合方法に関し、特に、接合部が真空気密性を
有する真空部品の接合に適した接合方法に関する。
【0002】
【従来の技術】真空部品に限って言えば、従来の部材の
接合方法には、溶接、ロー付け、フリット接合、エポキ
シ樹脂による接合などがある。例えば、真空チャンバの
組立、チャンバヘの配管やポートの取付けには溶接が用
いられ、配管ヘのフランジの取付けには溶接やロー付け
が用いられている。ビューイングポートや電流導入端子
の作製においては、金属フランジに、ガラスやセラミッ
クをフリット接合している。また、ブラウン管などのハ
ーメチックシールにもフリット接合が用いられている。
あまり真空度が高くなくてよい場合には、配線導入など
にエポキシ樹脂による接合が用いられている。
【0003】低融点合金で接合し、その後に熱処理を行
うことによって耐熱性を高める接合方法は、M.M.H
ouとT.W.Eagarにより研究されていた(M.
M.Hou&T.W.Eagar:Trans.ASM
E J.Electro.Packaging 114
443(1992))。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】好適な接合方法を実現
することを課題とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本願にかかわる接合方法
の発明のひとつは以下のように構成される。2つの部材
の接合を行う接合方法であって、前記2つの部材の間に
インジウムとスズを含む合金と銅元素の供給源とを含む
接合材料を配置し、加熱することによって前記2つの部
材の接合を行うことを特徴とする接合方法。
【0006】この方法によると、前記加熱時に溶融した
前記インジウムとスズを含む合金に銅元素の供給源から
少なくとも銅元素が供給され、好適に接合を行うことが
できる。なおこの本願にかかわる発明の範囲は2つの部
材のみを接合する方法にとどまるものではなく、更なる
部材の接合を行う場合もこの発明の範囲に含まれる。
【0007】前記銅元素の供給源は、前記インジウムと
スズを含む合金と接して設けられた少なくとも銅元素を
含む板である構成や、前記インジウムとスズを含む合金
中に分布する少なくとも銅元素を含む粒子である構成を
好適に採用できる。ここでいう粒子とは例えば球状のも
のを採用できるが、それに限らず様々な形状を有するも
の(例えば立方形状のもの、柱状のものなど)を用いる
ことができる。
【0008】また、前記部材は前記接合材料と接する部
分に銅元素を有するものであると好適である。特に2つ
の部材が共に前記接合材料と接する部分に銅元素を有す
るものであると好適である。前記部材は単体で銅元素を
表面に有するものであっても良いが、前記部材の母材が
銅元素を有さないものである場合は、該母材に銅元素を
含む膜を被覆してもよい。また、本願にかかわる接合方
法の発明のひとつは以下のように構成される。
【0009】2つの部材を接合する接合方法であって、
接合部分の少なくとも一部に表面の粗さRaが10nm
以上であり表面に銅元素を有する部分を持つ前記部材を
準備し、前記2つの部材の接合部分の間にインジウムと
スズを含む合金を設けて、加熱することによって前記2
つの部材の接合を行うことを特徴とする接合方法。
【0010】ここで、表面の粗さRaが10nm以上の
部分を接合部分の少なくとも一部にもつ部材を準備する
ためには、例えばあらし加工を行うのが好適である。ま
た、該部材の形成と同時に表面粗さRaが10nm以上
となるような形成工程を採用してもよい。
【0011】また前記各発明において、前記加熱は、前
記接合材料を120℃以上にするとよい。特には150
度以上に加熱すると好適である。また、120℃以上の
加熱状態を2時間以上維持するとよい。また、該加熱は
200℃以下でよい。また、該加熱状態の維持は20時
間以内でよい。
【0012】また前記各発明において、前記インジウム
とスズを含む合金は、インジウムを30重量%以上70
重量%以下含むものであると好適である。インジウムと
スズ以外の構成元素を含んでいてもよいが、インジウム
とスズを合わせて90重量%以上にするのが好適であ
る。
【0013】
【実施例】(参考例)図1は、熱処理前の接合体を示す
概念図である。同図において、1は接合されるガラス
板、2はガラス板1の上に成膜したTiアンダコート、
3はTiアンダコート2の上に成膜した銅コート、4は
インジウムを50wt%、スズを50wt%含有するイ
ンジウム−スズ合金である。インジウム−スズ合金4は
熱処理によりインジウム−スズ−銅合金に変化するもの
である。
【0014】まず、この接合体を作成した。すなわち、
2個の3cm×4cmのガラス板1それぞれの表面を、
逆スパッタにより300Åの深さだけ削り取り、表面を
清浄化した。次に、各ガラス板1上に、スパッタにより
Tiアンダコート2を300Åだけ成膜し、その上に銅
コート3を1000Åだけ成膜した。Tiアンダコート
2を成膜したのは、ガラス板1の表面には直接には銅コ
ート3を成膜できないためである。次に、ガラス板1上
の銅コート3表面にインジウム−スズ合金を載せ、約1
50℃の熱風を当ててインジウム−スズ合金を溶融し、
銅コート3の表面全体にメッキ状に広がらせた。さら
に、2個のガラス板1を、インジウム−スズ合金4が当
接するように重ね、約150℃の熱風を当ててインジウ
ム−スズ合金を溶融し、その後、冷却することにより、
2個のガラス板1を接合した。その後、接合したガラス
板1の接合部をクリップでクランプし、約150℃の熱
風を当ててインジウム−スズ合金4を溶融し、接合部か
らはみ出したインジウム−スズ合金を取り去って、接合
部の厚さが最小になるようにした。これにより、図1に
示す接合体の作成が完了した。
【0015】この接合体を150℃の温度で2時間熱処
理した。その際、熱処理中に接合体の接合部が脱離しな
いように、ガラス板1の接合部はクリップでクランプし
たままとした。
【0016】次に、この接合サンプルの耐熱性を調べ
た。すなわち、電気炉内で、図2に示すように、接合サ
ンプルを立てかけ、昇温して、接合サンプルの接合部が
脱離するかどうかを観察した。同図において、5はこの
接合サンプル、6は接合サンプル5を立てかける耐熱セ
ラミック製のブロックである。
【0017】この結果、120℃から140℃に昇温す
る途中で、接合サンプル5の接合部が脱離した。そし
て、離脱して表面が露出したインジウム−スズ合金は銀
灰色であり、クリップで強く押さえつけたと思われる部
分が若干黒ずんでいた。
【0018】(実施例1)前記参考例における逆スパッ
タ条件は、2個のガラス基板1をスパッタ装置に導入
し、電圧600Vを3分間だけ逆印加することにより、
Arイオンをガラス基板1の表面に衝突させ、表面を除
去するものであった。その結果、ガラス基板1の表面に
形成した銅コート3の表面粗さは、Ra=5nmであっ
た。表面粗さは、ZYGO社の微細形状測定器NEW
VIEWで評価した。ZYGO NEW VIEWは、
1nmまでの表面粗さを見ることが出来る。
【0019】本実施例においては、前記参考例における
逆スパッタ条件を変え、2個のガラス基板1をスパッタ
装置に導入し、電圧900Vを2分間だけ逆印加するこ
とにより、ガラス基板1の表面を除去した。ガラス基板
1の表面に形成した銅コート3の表面粗さは、Ra=1
0nmとなった。以降、前記参考例と同じ手順、および
同じ条件にしたがって、インジウム−スズ合金によるガ
ラス基板1の接合を行った。本実施例による接合は良好
であり、140℃に加熱しても、前記実施例に見られた
ような脱離は起こらなかった。
【0020】(実施例2)本実施例では実施例1の加熱
条件を変更し、200℃の温度で20時間保持した。さ
らに、作成した接合サンプルを、電気炉内で図2に示す
ように立てかけ、120℃、140℃、200℃、30
0℃、および400℃へと順次、昇温して、接合部が脱
離するかどうかを観察し、接合部の耐熱性を調べた。こ
の結果、接合部の脱離は認められなかった。この結果か
ら、200℃の温度で20時間保持する熱処理によれ
ば、接合部の耐熱性は400℃以上になることがわかっ
た。
【0021】(実施例3)本実施例では、後の熱処理に
おいてインジウム−スズ合金へ溶出し、拡散する銅の量
を十分確保するため、接合層のインジウム−スズ合金中
に厚さ0.1mmの銅の薄板を置く方法と、インジウム
−スズ合金中に予め銅の微粒子を混ぜておく方法を試み
た。銅の微粒子の平均粒径は10〜20μmとし、その
混入量は30wt%とした。他の点については、参考例
の場合と同様とした。
【0022】図3(a)〜(c)は作成した接合体の概
念図である。図3(a)において、7は接合する部材で
あるガラス板、セラミック板またはステンレス板、8は
部材7の上に成膜したTiアンダーコート、9はTiア
ンダーコート8上に成膜した銅コート、11は銅コート
9間に配置された、インジウムを50wt%、スズを5
0wt%含むインジウム−スズ合金、10はインジウム
−スズ合金11中に配置された銅の薄板である。インジ
ウム−スズ合金11は、後の熱処理によりインジウム−
スズ−銅合金に変化するものである。
【0023】図3(b)において、12は接合される部
材であるガラス板、セラミック板またはステンレス板、
13は部材12の上に成膜したTiアンダーコート、1
4はTiアンダーコート13の上に成膜した銅コートで
ある。16は銅コート14間に配置された、インジウム
を50wt%、スズを50wt%含むインジウム−スズ
合金であり、後の熱処理によりインジウム−スズ−銅合
金に変化するものである。15はインジウム−スズ合金
16中に混入された銅の微粒子である。
【0024】図3(c)において、17は接合される部
材である銅板である。18は銅板17間に配置された、
インジウムを50wt%、スズを50wt%含むインジ
ウム−スズ合金であり、後の熱処理によりインジウム−
スズ銅合金に変化するものである。これに参考例と同じ
熱処理を行い接合処理を行ったところ、140℃に昇温
しても脱離の生じない接合を実現できた。
【0025】(実施例4)次に、実施例3と同様にして
作成した、図3(a)〜(c)の接合体を、200℃で
20時間熱処理して、本実施例の接合を行った。その
後、実施例2と同様の方法で、各接合サンプルの耐熱性
を調べた。さらに各接合サンプルに約150℃の熱風を
当てて、接合部が部分的に溶融するかどうかを観察し
た。
【0026】その結果、いずれの接合サンプルも400
℃以上の耐熱性を有することが分かった。また、いずれ
の接合サンプルも接合部が部分的に溶融していることは
認められなかった。すなわち、本実施例の接合方法は、
ガラス、セラミック、ステンレスなどの金属、銅等の部
材の接合に適用できることがわかった。さらに、接合層
となるインジウム−スズ合金中に銅の薄板や微粒子を入
れることにより、接合層全体が、インジウム−スズ−銅
合金となることが促進され、400℃以上の耐熱性を有
するようになることがわかった。
【0027】(実施例5)実施例5として、接合に用い
るインジウム−スズ合金の組成範囲について調べるため
に、まず、インジウムを50wt%、スズを50wt%
含むインジウム−スズ合金を120℃以上にして溶融
し、これにインジウムまたはスズを混ぜ、撹伴し、その
後、冷却して、組成の異なるインジウム−スズ合金を作
製した。これにより新たに作製したインジウム−スズ合
金は、インジウムを70wt%、スズを30wt%含む
合金と、インジウムを30wt%、スズを70wt%含
む合金である。
【0028】次に、接続される部材としてガラスを用
い、接合層として新たに作製した各インジウム−スズ合
金を用い、かつ接合層中に銅の薄板を配置し、そしてそ
れ以外点では実施例4の図3(a)の場合と同様にして
接合サンプルを形成した。
【0029】次に、各接合サンプルの耐熱性を調べた。
その結果、いずれのインジウム−スズ合金を用いた接合
サンプルにおいても、接合部は400℃以上の耐熱性を
示した。すなわち、少なくとも、インジウムを70wt
%およびスズを30wt%含む組成からインジウムを3
0wt%およびスズを70wt%含む組成までの範囲の
インジウム−スズ合金について、接合部は400℃以上
の耐熱性を有することがわかった。
【0030】(実施例6)図4(a)および(b)は本
発明の第6の実施例に係る真空部品を示す断面図および
斜視図である。図5は図4の真空部品の真空気密性を調
べるための実験装置を示す。図4において、19は接合
部をTiアンダコートおよび銅コートしたガラス、20
はガラス19との接合部をTiアンダコートおよび銅コ
ートしたステンレス製の真空フランジ、21は銅の薄板
を内部に入れたインジウム−スズ合金である。
【0031】図5において、22は図4の真空部品、2
3はHeガスを真空部品22に吹き付けるエアガン、2
4は真空部品22が取り付けられた真空チャンバ、25
は真空チャンバ24に接続されたQ−Mass(Qマ
ス)メータ、26は真空チャンバ24に接続された真空
ポンプである。
【0032】図4の真空部品を試作し、図5の実験装置
で図4の真空部品の真空気密性を調べるために、まず、
実施例4の図3(a)に対応する方法に従ってガラス1
9と真空フランジ20との接合を行い、熱処理を行っ
て、真空部品22を製作した。次に、真空部品22を図
5の実験装置に取り付けてから、真空部品22にエアガ
ン23でHeを吹き付け、真空部品22の接合部からの
リークがあるかどうかをQ−Massメータ25で調べ
た。
【0033】さらに、真空部品22に不図示のリボンヒ
ータを巻き付け、これを通電加熱することにより真空部
品22の昇降温を繰り返しつつ、真空部品22にエアー
ガン23でHeを吹き付け、真空部品22の接合部から
のリークがあるかどうかをQ−Massメータ25で調
べた。真空部品22の昇降温の範囲は、室温から310
℃までであった。
【0034】この結果、いずれの温度にあっても、真空
部品22からのリークは認められなかった。また、室温
から310℃まで、真空部品22の昇降温を繰り返して
も、ガラス19にワレは認められなかった。
【0035】すなわち、実施例4の接合方法で作製した
接合部は真空気密に耐えうるものであり、したがって真
空部品の作製に使用し得ることが分かった。また、実施
例4の接合方法は、内部歪により破損しやすいガラスを
接合する場合であっても、室温から310℃の範囲でガ
ラスを破損させることはなく、ガラス内部での歪の発生
が少ない接合方法であることがわかった。
【0036】以上述べたように、本発明の各実施例の接
合方法によれば、接合を低い温度で行いながらも高い耐
熱性を得ることができる。例えば接合の作業温度を20
0℃以下とし、400℃以上の耐熱性を得ることができ
る。したがって、接合部の内部歪を少なくすることがで
きる。
【0037】したがって、本発明の各実施例の接合方法
は、接合部が真空気密を有する部材の接合に対して好適
に用いることができる。特に、ビューイングポート、電
流導入端子、真空フランジなどの真空部品の製作に、好
適に用いることができる。さらに、真空部品にとどまら
ず、エンジンやヒータなどの発熱体周辺の構造部品の製
作にも好適に用いることができる。
【0038】
【発明の効果】良好な接合方法を実現できた。
【図面の簡単な説明】
【図1】 参考例および実施例において作成した接合体
を示す概念図である。
【図2】 参考例および実施例において電気炉内で耐熱
性を調べる様子を示す図である。
【図3】 実施例において作成した接合体の概念図であ
る。
【図4】 実施例に係る真空部品を示す断面図および斜
視図である。
【図5】 図4の真空部品の真空気密性を調べるための
実験装置を示す図である。
【符号の説明】
1:ガラス板、2:Tiアンダーコート、3:銅コー
ト、4:インジウム−スズ合金、5:接合サンプル、
6:耐熱セラミック製のブロック、7:ガラス板、セラ
ミック板またはステンレス板、8:Tiアンダコート、
9:銅コート、10:銅の薄板、11:インジウム−ス
ズ合金、12:ガラス板、セラミック板またはステンレ
ス板、13:Tiアンダコート、14:銅コート、1
5:銅の微粒子、16:インジウム−スズ合金、17:
銅、18:インジウム−スズ合金、19:ガラス、2
0:真空フランジ、21:インジウム−スズ合金、2
2:真空部品、23:エアガン、24:真空チャンバ、
25:Q−Massメータ、26:真空ポンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G026 BA01 BB01 BC01 BD04 BD08 BF31 BG02 BH13 4G061 AA02 AA09 BA03 CA02 CB04 CB14 DA05 DA09 DA13 DA24 DA29

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2つの部材の接合を行う接合方法であっ
    て、前記2つの部材の間にインジウムとスズを含む合金
    と銅元素の供給源とを含む接合材料を配置し、加熱する
    ことによって前記2つの部材の接合を行うことを特徴と
    する接合方法。
  2. 【請求項2】 前記銅元素の供給源は、前記インジウム
    とスズを含む合金と接して設けられた少なくとも銅元素
    を含む板である請求項1に記載の接合方法。
  3. 【請求項3】 前記銅元素の供給源は、前記インジウム
    とスズを含む合金中に分布する少なくとも銅元素を含む
    粒子である請求項1に記載の接合方法。
  4. 【請求項4】 前記部材は前記接合材料と接する部分に
    銅元素を有するものである請求項1乃至3いずれかに記
    載の接合方法。
  5. 【請求項5】 2つの部材を接合する接合方法であっ
    て、接合部分の少なくとも一部に表面の粗さRaが10
    nm以上であり表面に銅元素を有する部分を持つ前記部
    材を準備し、前記2つの部材の接合部分の間にインジウ
    ムとスズを含む合金を設けて、加熱することによって前
    記2つの部材の接合を行うことを特徴とする接合方法。
  6. 【請求項6】 前記加熱は、前記接合材料を120℃以
    上にするものである請求項1乃至5いずれかに記載の接
    合方法。
  7. 【請求項7】 前記加熱は、前記接合材料を150℃以
    上にするものである請求項1乃至6いずれかに記載の接
    合方法。
  8. 【請求項8】 前記加熱は、前記接合材料を120℃以
    上の温度に2時間以上維持するものである請求項1乃至
    7いずれかに記載の接合方法。
  9. 【請求項9】前記インジウムとスズを含む合金は、イン
    ジウムを30重量%以上70重量%以下含むものである
    請求項1乃至8いずれかに記載の接合方法。
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