JP2002016289A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JP2002016289A JP2002016289A JP2000194713A JP2000194713A JP2002016289A JP 2002016289 A JP2002016289 A JP 2002016289A JP 2000194713 A JP2000194713 A JP 2000194713A JP 2000194713 A JP2000194713 A JP 2000194713A JP 2002016289 A JP2002016289 A JP 2002016289A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属細線と確実に接続でき、抵抗値が低い、
製造し易い発光ダイオードを提供する。 【解決手段】 発光ダイオード素子６ａと、電極１８と
を備え、電極１８は、発光ダイオード素子６ａにオーミ
ック接触された第１層１４と、発光ダイオード素子６ａ
内の物質及び／又は第１層１４内の物質が移動する事を
抑制し、第１層１４上に形成された第２層１１と、金属
細線接続用の材料から成り、第２層１１上に形成された
第３層１３とを有し、第１層１４と第３層１３は部分的
に接続されている。
製造し易い発光ダイオードを提供する。 【解決手段】 発光ダイオード素子６ａと、電極１８と
を備え、電極１８は、発光ダイオード素子６ａにオーミ
ック接触された第１層１４と、発光ダイオード素子６ａ
内の物質及び／又は第１層１４内の物質が移動する事を
抑制し、第１層１４上に形成された第２層１１と、金属
細線接続用の材料から成り、第２層１１上に形成された
第３層１３とを有し、第１層１４と第３層１３は部分的
に接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードに関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の発光ダイオードは例え
ば、特開平１１−２２０１６５号公報に示されている。
この公報によると、化合物半導体から成る発光ダイオー
ド素子とその表面に形成された電極と、裏面に形成され
た裏面電極が示されている。そして、上記電極は金属細
線との接続（ワイヤボンド）をし易くするために、金を
用いていた。
ば、特開平１１−２２０１６５号公報に示されている。
この公報によると、化合物半導体から成る発光ダイオー
ド素子とその表面に形成された電極と、裏面に形成され
た裏面電極が示されている。そして、上記電極は金属細
線との接続（ワイヤボンド）をし易くするために、金を
用いていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記発光ダイ
オードは、金属細線との接続が確実でない第１の欠点が
有る。本発明者が、その原因を究明したところ、化合物
半導体中の不純物が析出し、電極内に入り、電極の材料
（金の）純度が低くなるためである。
オードは、金属細線との接続が確実でない第１の欠点が
有る。本発明者が、その原因を究明したところ、化合物
半導体中の不純物が析出し、電極内に入り、電極の材料
（金の）純度が低くなるためである。
【０００４】上記欠点を解決するために、本発明者は、
発光ダイオード素子の表面にオーミック接触された第１
層と、第１層の表面全体に形成され、クロムから成る第
２層と、第２層の表面全体に形成され、金から成る第３
層により、電極を形成した。
発光ダイオード素子の表面にオーミック接触された第１
層と、第１層の表面全体に形成され、クロムから成る第
２層と、第２層の表面全体に形成され、金から成る第３
層により、電極を形成した。
【０００５】しかし、第２層を設ける事により、抵抗値
が高くなり、順電圧が高くなる第２の欠点が有る。そこ
で本発明は、この様な従来の欠点を考慮して、金属細線
と確実に接続でき、抵抗値が低い、製造し易い発光ダイ
オードを提供する。
が高くなり、順電圧が高くなる第２の欠点が有る。そこ
で本発明は、この様な従来の欠点を考慮して、金属細線
と確実に接続でき、抵抗値が低い、製造し易い発光ダイ
オードを提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の本発明では、発光ダイオード素子と、電
極とを備え、前記電極は、前記発光ダイオード素子にオ
ーミック接触された第１層と、前記発光ダイオード素子
内の物質及び／又は前記第１層内の物質が移動する事を
抑制し、前記第１層上に形成された第２層と、金属細線
接続用の材料から成り、前記第２層上に形成された第３
層とを有し、前記第１層と前記第３層は部分的に接続さ
れている構成とする。
に、請求項１の本発明では、発光ダイオード素子と、電
極とを備え、前記電極は、前記発光ダイオード素子にオ
ーミック接触された第１層と、前記発光ダイオード素子
内の物質及び／又は前記第１層内の物質が移動する事を
抑制し、前記第１層上に形成された第２層と、金属細線
接続用の材料から成り、前記第２層上に形成された第３
層とを有し、前記第１層と前記第３層は部分的に接続さ
れている構成とする。
【０００７】請求項２の本発明では、前記第１層および
前記第３層を平面から見た各々の第１外形を略同一と
し、前記第２層を平面から見た第２外形は、前記第１外
形が略均等に縮小されたものである。
前記第３層を平面から見た各々の第１外形を略同一と
し、前記第２層を平面から見た第２外形は、前記第１外
形が略均等に縮小されたものである。
【０００８】請求項３の本発明では、前記第１外形と前
記第２外形とに挟まれた領域に於て、前記第１層と前記
第３層は接続されている構成とする。
記第２外形とに挟まれた領域に於て、前記第１層と前記
第３層は接続されている構成とする。
【０００９】請求項４の本発明では、前記第２層は、ク
ロム又はチタン又は白金を有するものとする。
ロム又はチタン又は白金を有するものとする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図１ないし図６に従い、本
発明の実施の形態に係る発光ダイオード１を製造する工
程を説明する。
発明の実施の形態に係る発光ダイオード１を製造する工
程を説明する。
【００１１】最初に、図１に示す様に、Ｎ型の燐化ガリ
ウム（ＧａＰ）等から成る半導体基板２の表面上に、エ
ピタキシャル法等により、硫黄又はシリコン等の不純物
が添加された、Ｎ型の燐化ガリウムから成るＮ層３が形
成される。
ウム（ＧａＰ）等から成る半導体基板２の表面上に、エ
ピタキシャル法等により、硫黄又はシリコン等の不純物
が添加された、Ｎ型の燐化ガリウムから成るＮ層３が形
成される。
【００１２】Ｎ層３の表面上に、エピタキシャル法等に
より、亜鉛等の不純物が添加されたＰ型の燐化ガリウム
から成るＰ層４が形成される。Ｎ層３とＰ層４により、
ＰＮ接合５が形成される。これらの半導体基板２と、Ｎ
層３と、Ｐ層４により、半導体ウエハ６が形成される。
より、亜鉛等の不純物が添加されたＰ型の燐化ガリウム
から成るＰ層４が形成される。Ｎ層３とＰ層４により、
ＰＮ接合５が形成される。これらの半導体基板２と、Ｎ
層３と、Ｐ層４により、半導体ウエハ６が形成される。
【００１３】次に、シリコンが添加された金から成る裏
面電極層７が半導体基板２の裏面に形成される。そし
て、蒸着法等により、Ｐ層４の表面上に、厚さが約６０
０オングストロームの亜鉛から成る亜鉛層８が形成され
る。
面電極層７が半導体基板２の裏面に形成される。そし
て、蒸着法等により、Ｐ層４の表面上に、厚さが約６０
０オングストロームの亜鉛から成る亜鉛層８が形成され
る。
【００１４】次に、蒸着法等により、亜鉛層８の表面上
に、厚さが約９２００オングストロームの金から成る金
属９が形成される。そして、蒸着法等により、金属９の
表面上に、厚さが約２００オングストロームのクロム層
１０が形成される。
に、厚さが約９２００オングストロームの金から成る金
属９が形成される。そして、蒸着法等により、金属９の
表面上に、厚さが約２００オングストロームのクロム層
１０が形成される。
【００１５】その後、図２に示す様に、ホトリソグラフ
法により、クロム層１０のみを、所定のパターンに形成
し、クロムから成る第２層１１が形成される。
法により、クロム層１０のみを、所定のパターンに形成
し、クロムから成る第２層１１が形成される。
【００１６】次に、図３に示す様に、蒸着法等により、
金属９の表面上および第２層１１の表面上に、厚さが約
１００００オングストロームの金から成る最表層１２が
形成される。
金属９の表面上および第２層１１の表面上に、厚さが約
１００００オングストロームの金から成る最表層１２が
形成される。
【００１７】その後、図４に示す様に、ホトリソグラフ
法により、所定のパターンに形成され、第２層１１およ
びその近傍のみが残った形状となる。この時、第２層１
１の上部に、金から成る第３層１３が形成される。次
に、約５００℃の内部温度の炉（図示せず）の中に入れ
られる事により、亜鉛層８と金属９が合金化され、第１
層１４となる。この時、裏面電極層７は、シリコンと金
が合金化される。
法により、所定のパターンに形成され、第２層１１およ
びその近傍のみが残った形状となる。この時、第２層１
１の上部に、金から成る第３層１３が形成される。次
に、約５００℃の内部温度の炉（図示せず）の中に入れ
られる事により、亜鉛層８と金属９が合金化され、第１
層１４となる。この時、裏面電極層７は、シリコンと金
が合金化される。
【００１８】この様に、加熱され合金化される事によ
り、第１層１４はＰ層４にオーミック接触される。また
上記ホトリソグラフ法により、第１層１４と第３層１３
は部分的（周囲部分）に接続される。
り、第１層１４はＰ層４にオーミック接触される。また
上記ホトリソグラフ法により、第１層１４と第３層１３
は部分的（周囲部分）に接続される。
【００１９】その後、部分１５、１６、１７等に於て、
ダイシングが行われ、各々の発光ダイオード１に分割さ
れる（図５、図６参照）。
ダイシングが行われ、各々の発光ダイオード１に分割さ
れる（図５、図６参照）。
【００２０】次に、図５の平面図および図６の断面図に
従い、この発光ダイオード１の構成を詳細に説明する。
これらの図に於て、半導体基板２ａと、Ｎ層３ａと、Ｐ
層４ａと、ＰＮ接合５ａと、発光ダイオード素子６ａ
と、裏面電極７ａは、上述の半導体基板２と、Ｎ層３
と、Ｐ層４と、ＰＮ接合５と、半導体ウエハ６と、裏面
電極層７を各々、素子に分割したものを示す。
従い、この発光ダイオード１の構成を詳細に説明する。
これらの図に於て、半導体基板２ａと、Ｎ層３ａと、Ｐ
層４ａと、ＰＮ接合５ａと、発光ダイオード素子６ａ
と、裏面電極７ａは、上述の半導体基板２と、Ｎ層３
と、Ｐ層４と、ＰＮ接合５と、半導体ウエハ６と、裏面
電極層７を各々、素子に分割したものを示す。
【００２１】即ち、半導体基板２ａは例えばＮ型の燐化
ガリウム等から成る基板である。Ｎ層３ａは例えば、硫
黄又はシリコン等の不純物が添加された、Ｎ型の燐化ガ
リウムから成り、半導体基板２ａの表面上に形成されて
いる。
ガリウム等から成る基板である。Ｎ層３ａは例えば、硫
黄又はシリコン等の不純物が添加された、Ｎ型の燐化ガ
リウムから成り、半導体基板２ａの表面上に形成されて
いる。
【００２２】Ｐ層４は例えば、亜鉛等の不純物が添加さ
れた、Ｐ型の燐化ガリウムから成りＮ層３ａの表面上に
形成されている。これらのＮ層３ａとＰ層４ａにより、
ＰＮ接合５ａが形成されている。これらの半導体基板２
ａと、Ｎ層３ａと、Ｐ層４ａ等により、発光ダイオード
素子６ａが構成されている。発光ダイオード素子６ａは
平面から見れば、例えば１辺が約２６０マイクロメータ
の正方形状である。
れた、Ｐ型の燐化ガリウムから成りＮ層３ａの表面上に
形成されている。これらのＮ層３ａとＰ層４ａにより、
ＰＮ接合５ａが形成されている。これらの半導体基板２
ａと、Ｎ層３ａと、Ｐ層４ａ等により、発光ダイオード
素子６ａが構成されている。発光ダイオード素子６ａは
平面から見れば、例えば１辺が約２６０マイクロメータ
の正方形状である。
【００２３】裏面電極７ａは、シリコンを含む金から成
り、半導体基板２ａの裏面に形成されている。
り、半導体基板２ａの裏面に形成されている。
【００２４】電極１８は上述の様に、第１層１４と、第
２層１１と、第３層１３とから構成されている。第１層
１４は亜鉛を含む金等から成り、厚さが約９８００オン
グストロームであり、発光ダイオード素子６ａを構成す
るＰ層４ａの表面に、オーミック接触して形成されてい
る。第１層１４は平面から見れば（図５参照）、直径が
約１２０マイクロメータの円状である（立体的に見れば
略円柱状である）。
２層１１と、第３層１３とから構成されている。第１層
１４は亜鉛を含む金等から成り、厚さが約９８００オン
グストロームであり、発光ダイオード素子６ａを構成す
るＰ層４ａの表面に、オーミック接触して形成されてい
る。第１層１４は平面から見れば（図５参照）、直径が
約１２０マイクロメータの円状である（立体的に見れば
略円柱状である）。
【００２５】第２層１１は例えば、厚さが約２００オン
グストロームのクロムから形成され第１層１４の表面上
に形成されている。第２層１１は、この様に、クロム又
はチタン又は白金を有するものから成る。第２層１１は
平面から見れば（図５参照）直径が約１００マイクロメ
ータの円状である（立体的に見れば円柱状である）。
グストロームのクロムから形成され第１層１４の表面上
に形成されている。第２層１１は、この様に、クロム又
はチタン又は白金を有するものから成る。第２層１１は
平面から見れば（図５参照）直径が約１００マイクロメ
ータの円状である（立体的に見れば円柱状である）。
【００２６】第３層１３は例えば、第１層１４の表面か
らの厚さが約１００００オングストロームの金から成
り、第１層１４の表面上および第２層１１の表面上に形
成されている。第３層１３は平面から見れば（図５参
照）、直径が約１００オングストロームの円状である
（立体的に見れば、外形形状は略円柱状である）。この
様に、第３層１３は金属細線接続用（ワイヤボンディン
グ）の材料（例えば金等）から成る。これらの第１層１
４と、第２層１１と、第３層１３により、電極１８が構
成されている。
らの厚さが約１００００オングストロームの金から成
り、第１層１４の表面上および第２層１１の表面上に形
成されている。第３層１３は平面から見れば（図５参
照）、直径が約１００オングストロームの円状である
（立体的に見れば、外形形状は略円柱状である）。この
様に、第３層１３は金属細線接続用（ワイヤボンディン
グ）の材料（例えば金等）から成る。これらの第１層１
４と、第２層１１と、第３層１３により、電極１８が構
成されている。
【００２７】この電極１８に於て、クロム層等から成る
第２層１１は、第１層１４内の亜鉛が第３層１３へ移動
する事を抑制する。また、第２層１１は、発光ダイオー
ド素子６ａ内の亜鉛やガリウムが第１層１４を介して第
３層１３へ移動する事を抑制する。
第２層１１は、第１層１４内の亜鉛が第３層１３へ移動
する事を抑制する。また、第２層１１は、発光ダイオー
ド素子６ａ内の亜鉛やガリウムが第１層１４を介して第
３層１３へ移動する事を抑制する。
【００２８】第２層１１が上記抑制を行う事により、第
３層１３を構成する金の純度は維持され、ワイヤボンデ
ィングのし易さは、維持される。
３層１３を構成する金の純度は維持され、ワイヤボンデ
ィングのし易さは、維持される。
【００２９】また、上述した様に、第１層１４および第
３層１３を平面から見た各々の第１外形１９（例えば、
上記説明の様に円形）は、略同一に形成されている。即
ち、第１層１４の外形（直径が約１２０マイクロメー
タ）と、第３層１３の外形（直径が約１２０マイクロメ
ータ）は略同一である。
３層１３を平面から見た各々の第１外形１９（例えば、
上記説明の様に円形）は、略同一に形成されている。即
ち、第１層１４の外形（直径が約１２０マイクロメー
タ）と、第３層１３の外形（直径が約１２０マイクロメ
ータ）は略同一である。
【００３０】この様にして、構成する事により、第１層
１４と第３層１３を形成する時（図４とその説明文を参
照）、ホトリソグラフのパターニング形状が簡素化し、
製造し易い。
１４と第３層１３を形成する時（図４とその説明文を参
照）、ホトリソグラフのパターニング形状が簡素化し、
製造し易い。
【００３１】第２層１１を平面から見た第２外形２０
（例えば、直径が約１００マイクロメータの円形）は、
第１外形１９が略均等に縮小された形状をしている。こ
の様に構成する事により、第２層１１の第２外形１９の
周囲に、略均等な厚さの第３層１３の部分が形成され、
上記部分により、第２層１１が外気状態（薬品や、水分
等）で損傷する事を防止できる。
（例えば、直径が約１００マイクロメータの円形）は、
第１外形１９が略均等に縮小された形状をしている。こ
の様に構成する事により、第２層１１の第２外形１９の
周囲に、略均等な厚さの第３層１３の部分が形成され、
上記部分により、第２層１１が外気状態（薬品や、水分
等）で損傷する事を防止できる。
【００３２】また、第１外形１９と第２外形２０とに挟
まれた領域２１に於て、第１層１４と第３層１３は接続
されている。即ち、第１層１４と第３層１３は部分的に
接続されている。
まれた領域２１に於て、第１層１４と第３層１３は接続
されている。即ち、第１層１４と第３層１３は部分的に
接続されている。
【００３３】この様に、上記領域２１に於て、第１層１
４と第３層１３は第２層１１（比較的、抵抗値が高い）
を介さずに、直接に接続されるので、電極１８の抵抗値
は比較的低い。その結果、この発光ダイオード１の順電
圧を低く抑える事ができる。
４と第３層１３は第２層１１（比較的、抵抗値が高い）
を介さずに、直接に接続されるので、電極１８の抵抗値
は比較的低い。その結果、この発光ダイオード１の順電
圧を低く抑える事ができる。
【００３４】
【発明の効果】請求項１の本発明では、発光ダイオード
素子と、電極とを備え、前記電極は、前記発光ダイオー
ド素子にオーミック接触された第１層と、前記発光ダイ
オード素子内の物質及び／又は前記第１層内の物質が移
動する事を抑制し、前記第１層上に形成された第２層
と、金属細線接続用の材料から成り、前記第２層上に形
成された第３層とを有し、前記第１層と前記第３層は部
分的に接続される構成とする。この様に、第２層は発光
ダイオード素子内の物質及び／又は第１層内の物質が第
３層へ移動する事を抑制する。その結果、第３層に於け
る材料の純度は維持され、ワイヤボンディングのし易さ
は向上する。また、第１層と第３層は部分的に接続され
ているので、電極の抵抗値は低く、発光ダイオードの順
電圧を低く抑える事ができる。
素子と、電極とを備え、前記電極は、前記発光ダイオー
ド素子にオーミック接触された第１層と、前記発光ダイ
オード素子内の物質及び／又は前記第１層内の物質が移
動する事を抑制し、前記第１層上に形成された第２層
と、金属細線接続用の材料から成り、前記第２層上に形
成された第３層とを有し、前記第１層と前記第３層は部
分的に接続される構成とする。この様に、第２層は発光
ダイオード素子内の物質及び／又は第１層内の物質が第
３層へ移動する事を抑制する。その結果、第３層に於け
る材料の純度は維持され、ワイヤボンディングのし易さ
は向上する。また、第１層と第３層は部分的に接続され
ているので、電極の抵抗値は低く、発光ダイオードの順
電圧を低く抑える事ができる。
【００３５】請求項２の本発明では、前記第１層および
前記第３層を平面から見た各々の第１外形を略同一と
し、前記第２層を平面から見た第２外形は、前記第１外
形が略均等に縮小された構成とする。この様に、第１層
および第３層を平面から見た各々第１外形を略同一にす
る事により、第１層および第３層を形成する時、ホトリ
ソグラフ等によるパターニング形状が簡単化し、製造し
易い。
前記第３層を平面から見た各々の第１外形を略同一と
し、前記第２層を平面から見た第２外形は、前記第１外
形が略均等に縮小された構成とする。この様に、第１層
および第３層を平面から見た各々第１外形を略同一にす
る事により、第１層および第３層を形成する時、ホトリ
ソグラフ等によるパターニング形状が簡単化し、製造し
易い。
【００３６】請求項３の本発明では、前記第１外形と前
記第２外形とに挟まれた領域に於て前記第１層と前記第
３層は接続される構成とする。上記構成により、第２層
の第２外形の周囲に、略均等な厚さの第３層の部分が形
成され、この部分により、第２層が外気状態（薬品や、
水分等）で損傷する事を防止できる。また、上記領域に
於て、第１層と第３層は第２層（抵抗値が高い）を介さ
ずに、直接に接続されるので、電極の抵抗値を低く抑え
る事ができる。
記第２外形とに挟まれた領域に於て前記第１層と前記第
３層は接続される構成とする。上記構成により、第２層
の第２外形の周囲に、略均等な厚さの第３層の部分が形
成され、この部分により、第２層が外気状態（薬品や、
水分等）で損傷する事を防止できる。また、上記領域に
於て、第１層と第３層は第２層（抵抗値が高い）を介さ
ずに、直接に接続されるので、電極の抵抗値を低く抑え
る事ができる。
【００３７】請求項４の本発明では、前記第２層は、ク
ロム又はチタン又は白金を有するものである。この様
に、第２層の材料を選択する事により、発光ダイオード
素子内の物質及び／又は第１層内の物質が第３層へ移動
する事を抑制できる。
ロム又はチタン又は白金を有するものである。この様
に、第２層の材料を選択する事により、発光ダイオード
素子内の物質及び／又は第１層内の物質が第３層へ移動
する事を抑制できる。
【図１】本発明の実施の形態に係る発光ダイオード１を
製造する時に用いられる半導体ウエハ６の断面図であ
る。
製造する時に用いられる半導体ウエハ６の断面図であ
る。
【図２】上記半導体ウエハ６に第２層１１が形成された
事を示す図面である。
事を示す図面である。
【図３】上記半導体ウエハ６に、第２層１１と最表層１
２が形成された事を示す図面である。
２が形成された事を示す図面である。
【図４】上記半導体ウエハ６が分割される前の状態を示
す図面である。
す図面である。
【図５】上記発光ダイオード１の平面図である。
【図６】上記発光ダイオード１の断面図である。
６ａ 発光ダイオード素子 １１ 第２層 １３ 第３層 １４ 第１層 １８ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA04 BB09 CC01 DD79 GG04 HH05 HH15 5F041 AA41 AA43 CA82 CA85 CA92 DA07
Claims (4)
- 【請求項１】 発光ダイオード素子と、電極とを備え、
前記電極は、前記発光ダイオード素子にオーミック接触
された第１層と、前記発光ダイオード素子内の物質及び
／又は前記第１層内の物質が移動する事を抑制し、前記
第１層上に形成された第２層と、金属細線接続用の材料
から成り、前記第２層上に形成された第３層とを有し、
前記第１層と前記第３層は部分的に接続されている事を
特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記第１層および前記第３層を平面から
見た各々の第１外形を略同一とし、前記第２層を平面か
ら見た第２外形は、前記第１外形が略均等に縮小された
ものである事を特徴とする請求項１の発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記第１外形と前記第２外形とに挟まれ
た領域に於て、前記第１層と前記第３層は、接続されて
いる事を特徴とする請求項２の発光ダイオード。 - 【請求項４】 前記第２層は、クロム又はチタン又は白
金を有する事を特徴とする請求項１の発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194713A JP2002016289A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194713A JP2002016289A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016289A true JP2002016289A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18693495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000194713A Pending JP2002016289A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002016289A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11657370B2 (en) | 2012-09-27 | 2023-05-23 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Medical image based collaboration |
-
2000
- 2000-06-28 JP JP2000194713A patent/JP2002016289A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11657370B2 (en) | 2012-09-27 | 2023-05-23 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Medical image based collaboration |
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