JP2002016195A - Semiconductor device, manufacturing method, and electronic device - Google Patents

Semiconductor device, manufacturing method, and electronic device

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JP2002016195A JP2000201422A JP2000201422A JP2002016195A JP 2002016195 A JP2002016195 A JP 2002016195A JP 2000201422 A JP2000201422 A JP 2000201422A JP 2000201422 A JP2000201422 A JP 2000201422A JP 2002016195 A JP2002016195 A JP 2002016195A
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  • Wire Bonding (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability in electrical connection between a semiconductor chip and a board while flatness of the semiconductor chip is maintained. SOLUTION: A semiconductor device is provided which comprises a wiring board where a wiring comprising a land and an external connection terminal are formed, a semiconductor chip connected to the land by metal-jointing with a bump, and a sealing resin for sealing a part of the wiring board and the semiconductor chip. Here, a first sealing resin for sealing except for the vicinity of metal-joint part between the wiring board and the semiconductor chip and a second sealing resin for sealing the vicinity of metal-joint part are provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及び製
造方法及び電子装置に関し、ＴＡＢ等の基板に直接半導
体チップをフリップボンディング（ＦＣ接合）する半導
体装置及び製造方法及び電子装置に適用して有効な技術
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, a manufacturing method, and an electronic device, and more particularly, to a semiconductor device in which a semiconductor chip is directly flip-bonded (FC bonded) to a substrate such as a TAB, and is effectively applied to a manufacturing method and an electronic device. Technology.

【０００２】[0002]

【従来の技術】図８は、従来の半導体装置の構成を説明
するための図であり、図８（ａ）は上方から見た平面
図、図８（ｂ）は図８（ａ）に示すＡ−Ａ線で切った断
面図である。2. Description of the Related Art FIG. 8 is a view for explaining the structure of a conventional semiconductor device. FIG. 8 (a) is a plan view seen from above, and FIG. 8 (b) is shown in FIG. 8 (a). It is sectional drawing cut | disconnected by the AA line.

【０００３】従来の半導体装置は、図８（ａ）及び図８
（ｂ）に示すように、中心の一列にバンプ１５を有する
半導体チップ１０を基板（ＴＡＢテープ）３０のランド
２０上にＦＣ接合して、樹脂４４で封止し、外部接続端
子用ランド２５上に外部接続端子であるはんだボール端
子５０を設けた構成をとる。FIGS. 8A and 8B show a conventional semiconductor device.
As shown in (b), the semiconductor chip 10 having the bumps 15 in one line in the center is FC-bonded to the land 20 of the substrate (TAB tape) 30, sealed with a resin 44, Is provided with a solder ball terminal 50 as an external connection terminal.

【０００４】次に、上記従来の半導体装置の製造方法に
ついて説明する。図９は、従来の半導体装置の製造方法
を説明するための断面図である。Next, a method for manufacturing the above-described conventional semiconductor device will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a conventional method for manufacturing a semiconductor device.

【０００５】従来の半導体装置は、まず、図９（ａ）に
示すように、ランド２０と外部接続端子用ランド２５を
含む配線を形成したＴＡＢテープ３０上に液状の樹脂
（Ｂ−ステージ樹脂）４４を塗布またはポッティングし
たものと、バンプ１５を形成した半導体チップ１０とを
用意し、図９（ｂ）に示すように、半導体チップ１０を
裏返してＴＡＢテープ３０の樹脂４４に加熱押圧し、半
導体チップ１０のバンプ１５とＴＡＢテープ３０のラン
ド２０とを電気的に接合し、樹脂４４で封止し、外部接
続端子用ランド２５上に外部接続端子であるはんだボー
ル端子５０を形成する。また、上述の液状の樹脂の代わ
りにフィルム状樹脂を貼り付ける場合がある。In a conventional semiconductor device, first, as shown in FIG. 9A, a liquid resin (B-stage resin) is formed on a TAB tape 30 on which wiring including lands 20 and lands 25 for external connection terminals is formed. The semiconductor chip 10 on which the bumps 15 are formed and the semiconductor chip 10 on which the semiconductor chip 10 has been coated or potted are prepared, and as shown in FIG. 9B, the semiconductor chip 10 is turned over and heated and pressed against the resin 44 of the TAB tape 30. The bumps 15 of the chip 10 and the lands 20 of the TAB tape 30 are electrically joined, sealed with a resin 44, and solder ball terminals 50 as external connection terminals are formed on the external connection terminal lands 25. Further, a film-like resin may be attached instead of the above-described liquid resin.

【０００６】このとき、半導体チップ１０のバンプ１５
がＴＡＢテープ３０上樹脂４４の層を突き破り、ランド
２０上の樹脂４４を押し除けることによってバンプ１５
とランド２０は電気的に接合される。At this time, the bumps 15 of the semiconductor chip 10
Breaks through the layer of the resin 44 on the TAB tape 30 and pushes the resin 44 on the land 20 to remove the bumps 15.
And the land 20 are electrically connected.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、Ｔ
ＡＢテープ３０上に設けられる樹脂４４は液状のものを
用いているが、ＴＡＢテープ３０の外に流れ出さないよ
うにある程度の粘性があるものが必要になる。In the above prior art, T
Although the resin 44 provided on the AB tape 30 is in a liquid state, a resin having a certain degree of viscosity is required so as not to flow out of the TAB tape 30.

【０００８】このため、樹脂４４上から押圧して半導体
チップ１０のＴＡＢテープ３０へ接合する従来の方法で
は、樹脂４４を突き破れずに接合できないということが
生じ、接合の信頼性が低くなるという問題点があった。For this reason, in the conventional method in which the resin 44 is pressed from above and joined to the TAB tape 30 of the semiconductor chip 10, the resin 44 cannot be joined without being pierced, and the reliability of joining is reduced. There was a problem.

【０００９】特に、センタランドの半導体チップ１０の
ように、中心の一列のバンプ１５で半導体チップ１０を
支持するようになるものでは、不安定であるために接合
時及び接合後の平坦性を保つことが困難であり、接合の
信頼性がより低いものとなり、なかなか実現できないの
現状である。In particular, in the case where the semiconductor chip 10 is supported by a row of bumps 15 in the center like the semiconductor chip 10 in the center land, the flatness at the time of bonding and after bonding is maintained because it is unstable. Is difficult, the reliability of the bonding is lower, and it is difficult to realize the bonding.

【００１０】また、フリップチップ接合後にアンダフィ
ル封止する方法においても、同様に半導体チップの平坦
度を保つことができないという問題点があった。Also, in the method of underfill sealing after the flip chip bonding, there is a problem that the flatness of the semiconductor chip cannot be similarly maintained.

【００１１】本発明の目的は、上記問題点を解決するた
めに成されたものであり、半導体チップの平坦度を保ち
つつ、半導体チップと基板との電気的接続の信頼性を向
上することが可能な技術を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the reliability of electrical connection between a semiconductor chip and a substrate while maintaining the flatness of the semiconductor chip. It is to provide a possible technology.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれ
ば、下記のとおりである。SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present invention, typical ones will be briefly described as follows.

【００１３】（１）ランドを含む配線と外部接続端子と
が形成された配線基板と、前記ランド上にバンプによる
金属接合をした半導体チップと、前記配線基板と半導体
チップの一部分を封止する封止樹脂とからなる半導体装
置において、前記配線基板と半導体チップの金属接合部
分周辺以外を封止する第１の封止樹脂と、前記金属接合
部分周辺を封止する第２の封止樹脂とからなる。(1) A wiring board on which wiring including lands and external connection terminals are formed, a semiconductor chip metal-bonded on the lands by bumps, and a seal for sealing a part of the wiring board and the semiconductor chip In a semiconductor device made of a sealing resin, a first sealing resin for sealing a portion other than a periphery of a metal bonding portion between the wiring substrate and the semiconductor chip, and a second sealing resin for sealing a periphery of the metal bonding portion. Become.

【００１４】（２）（１）の半導体装置において、前記
第１の封止樹脂は所定粘度より高い粘度の封止樹脂であ
り、前記第２の封止樹脂は所定粘度より低い粘度の封止
樹脂である。(2) In the semiconductor device according to (1), the first sealing resin is a sealing resin having a viscosity higher than a predetermined viscosity, and the second sealing resin is a sealing resin having a viscosity lower than a predetermined viscosity. Resin.

【００１５】（３）（１）または（２）の半導体装置に
おいて、前記第１の封止樹脂の代わりに接着性シートを
用いる。(3) In the semiconductor device of (1) or (2), an adhesive sheet is used instead of the first sealing resin.

【００１６】（４）配線基板のランド上に半導体チップ
をバンプによるフリップチップ接合し、前記配線基板と
半導体チップの一部分を封止樹脂する半導体装置の製造
方法であって、前記ランドを含む配線が形成された配線
基板を形成し、前記ランド周辺以外の配線基板上に半導
体チップを支持するための第１の封止樹脂を形成し、バ
ンプを有する半導体チップを形成し、前記半導体チップ
と前記配線基板を加熱押圧して前記バンプと前記ランド
を金属接合し、前記バンプとランドとの接続部分周辺に
第２の封止樹脂を流し込み、接合部分を封止する。(4) A method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is flip-chip bonded by bumps on lands of a wiring substrate and a part of the wiring substrate and the semiconductor chip is sealed with a resin, wherein the wiring including the lands is Forming a formed wiring board, forming a first sealing resin for supporting the semiconductor chip on the wiring board other than around the land, forming a semiconductor chip having bumps, and forming the semiconductor chip and the wiring The substrate is heated and pressed to metal-bond the bump and the land, and a second sealing resin is poured around a connection portion between the bump and the land to seal the bonded portion.

【００１７】（５）（４）の半導体装置の製造方法にお
いて、前記第１の封止樹脂は所定粘度より高い粘度の封
止樹脂を用い、前記第２の封止樹脂は所定粘度より低い
粘度の封止樹脂を用いる。(5) In the method of manufacturing a semiconductor device according to (4), the first sealing resin uses a sealing resin having a viscosity higher than a predetermined viscosity, and the second sealing resin has a viscosity lower than the predetermined viscosity. Is used.

【００１８】（６）（４）または（５）の半導体装置の
製造方法において、前記第１の封止樹脂の代わりに接着
性シートを用いる。(6) In the method of manufacturing a semiconductor device according to (4) or (5), an adhesive sheet is used instead of the first sealing resin.

【００１９】（７）配線基板のランド上に半導体チップ
をバンプによるフリップチップ接合し、前記配線基板と
半導体チップの一部分を封止樹脂する半導体装置の製造
方法であって、前記ランドを含む配線が形成された配線
基板を形成し、前記配線基板上の前記ランド周辺以外に
半導体チップの支持及び封止を兼ねた封止樹脂を形成
し、バンプを有する半導体チップを形成し、前記半導体
チップと前記配線基板を加熱押圧して前記バンプと前記
ランドを金属接合し、且つ前記封止樹脂を前記バンプと
ランドとの接続部分周辺に流し込み、接合部分を封止す
る。(7) A method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is flip-chip bonded by bumps on lands of a wiring board, and a part of the wiring board and the semiconductor chip is sealed with a resin. Forming a formed wiring board, forming a sealing resin also serving as a support and sealing of the semiconductor chip other than around the land on the wiring board, forming a semiconductor chip having a bump, the semiconductor chip and the The bumps and the lands are metal-bonded by heating and pressing the wiring board, and the sealing resin is poured around a connection portion between the bumps and the lands to seal the bonding portion.

【００２０】（８）ランドを含む配線形成されたマザー
ボードと、前記マザーボードに搭載された半導体装置と
を備えた電子装置において、前記半導体装置は、前記ラ
ンド上にバンプによる金属接合をした半導体チップと、
前記配線基板と半導体チップの金属接合部分周辺以外を
封止する第１の封止樹脂と、前記金属接合部分周辺を封
止する第２の封止樹脂とからなる。(8) In an electronic device including a motherboard on which wiring including lands is formed, and a semiconductor device mounted on the motherboard, the semiconductor device includes a semiconductor chip having a metal bonded by bumps on the lands. ,
The semiconductor device includes a first sealing resin for sealing the periphery of the metal bonding portion between the wiring substrate and the semiconductor chip, and a second sealing resin for sealing the periphery of the metal bonding portion.

【００２１】（９）（８）の電子装置において、前記第
１の封止樹脂は所定粘度より高い粘度の封止樹脂であ
り、前記第２の封止樹脂は所定粘度より低い粘度の封止
樹脂である。(9) In the electronic device of (8), the first sealing resin is a sealing resin having a viscosity higher than a predetermined viscosity, and the second sealing resin is a sealing resin having a viscosity lower than a predetermined viscosity. Resin.

【００２２】（１０）（８）または（９）の電子装置に
おいて、前記第１の封止樹脂の代わりに接着性シートを
用いる。(10) In the electronic device according to (8) or (9), an adhesive sheet is used instead of the first sealing resin.

【００２３】上述した手段によれば、半導体チップのバ
ンプと配線基板のランドの接合部分周辺以外に樹脂を設
けて、その樹脂で半導体チップを支持固着してバンプと
ランドを接合することにより、接合時及び接合後の平坦
性を保つことが可能になり、且つ接合部分の電気的接続
の信頼性が向上する。According to the above-described means, a resin is provided in the vicinity of the junction between the bumps of the semiconductor chip and the lands of the wiring board, the semiconductor chip is supported and fixed by the resin, and the bumps and the lands are joined. The flatness at the time and after the bonding can be maintained, and the reliability of the electrical connection at the bonding portion is improved.

【００２４】また、バンプとランドの接合後に樹脂を流
し込んで接合部分周辺を封止することにより、半導体チ
ップと基板との電気的接続の信頼性を向上することが可
能となる。In addition, it is possible to improve the reliability of the electrical connection between the semiconductor chip and the substrate by injecting a resin after bonding the bump and the land to seal the periphery of the bonding portion.

【００２５】[0025]

【発明の実施の形態】本発明にかかる一実施形態の半導
体装置を図面を用いて詳細に説明する。図１は、本実施
形態の半導体装置の構成を説明するための図であり、図
１（ａ）は上から見た平面図、図１（ｂ）は半導体チッ
プを取り除いた図、図１（ｃ）は図１（ａ）に示すＡ−
Ａ線で切った断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 1A and 1B are diagrams for explaining the configuration of the semiconductor device according to the present embodiment. FIG. 1A is a plan view seen from above, FIG. 1B is a diagram with a semiconductor chip removed, and FIG. c) shows A- shown in FIG.
It is sectional drawing cut | disconnected by the A line.

【００２６】図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、本
実施形態の半導体装置１００は、センターランド型半導
体装置であり、バンプ（例えば、金バンプ）１５が形成
された半導体チップ１０と、半導体チップ１０と接続す
るためのランド２０と外部接続端子（ボール端子）５０
を接続するための外部接続端子用ランド２５とを含む配
線が形成された配線基板（リジットまたはフレキシブ
ル）３０と、その配線基板３０上のランド２０部分を除
く箇所に設けられ、接続時に半導体チップを平坦に保つ
ように支持する支持用封止樹脂４０と、その支持用封止
樹脂間のバンプ１５とランド２０との接合部分を封止す
る接合部分用封止樹脂４１と、外部接続端子用ランド２
５上に設けられたはんだボール端子５０とから構成され
る。As shown in FIGS. 1A to 1C, a semiconductor device 100 according to the present embodiment is a center land type semiconductor device, and a semiconductor chip having bumps (for example, gold bumps) 15 formed thereon. 10, a land 20 for connecting to the semiconductor chip 10, and an external connection terminal (ball terminal) 50
And a wiring board (rigid or flexible) 30 on which a wiring including an external connection terminal land 25 for connecting the semiconductor chip is provided, and a portion of the wiring board 30 other than the land 20 is provided. A sealing resin 40 for supporting the semiconductor device so as to be kept flat, a sealing resin 41 for a bonding portion for sealing a bonding portion between the bump 15 and the land 20 between the sealing resin for supporting, and a land for an external connection terminal 2
5 and a solder ball terminal 50 provided on the upper surface 5.

【００２７】本実施形態の半導体装置１００では、樹脂
封止のために支持用封止樹脂４０と接合部分用封止樹脂
４１の２種類（異なる粘度）の封止樹脂を用いる。これ
らの封止樹脂は、例えば、硬化剤配合の熱硬化性液状エ
ポキシ樹脂、アクリルニトリル配合の変成エポキシ樹脂
など、あるいはメチルピロリドン溶剤希釈のポリイミド
ワニス（ポリアミック酸無水物）などの液状樹脂を用い
る。In the semiconductor device 100 of the present embodiment, two types of sealing resins (different viscosities) of the sealing resin 40 for support and the sealing resin 41 for the joint portion are used for resin sealing. As the sealing resin, for example, a liquid resin such as a thermosetting liquid epoxy resin containing a curing agent, a modified epoxy resin containing acrylonitrile, or a polyimide varnish (polyamic anhydride) diluted with a methylpyrrolidone solvent is used.

【００２８】支持用封止樹脂４０は、基板３０と半導体
チップ１０との接続時に、半導体チップ１０を平坦に保
持するためのものであり、樹脂が流れでないように粘度
が高い樹脂を用いる。例えば、基準値となる１０Ｐａ・
Ｓ以上の粘度の樹脂を用いる。The supporting sealing resin 40 is used to keep the semiconductor chip 10 flat when the substrate 30 and the semiconductor chip 10 are connected, and uses a resin having a high viscosity so that the resin does not flow. For example, a reference value of 10 Pa
A resin having a viscosity of S or more is used.

【００２９】本実施形態では、この支持用封止樹脂４０
は、ランド２０の列に対して対称な位置に、所定の厚さ
（少なくともバンプ１５の高さより大きい値）と幅（少
なくともランド２０部分まで達しない値）で設ける。な
お、支持用封止樹脂４０の代わりに接着性シートやエラ
ストマ等を用いても構わない。In this embodiment, the supporting sealing resin 40 is used.
Are provided at predetermined positions (at least values larger than the height of the bumps 15) and widths (at least values not reaching the land 20) at positions symmetrical with respect to the rows of the lands 20. Note that an adhesive sheet, an elastomer, or the like may be used instead of the sealing resin 40 for support.

【００３０】このように、バンプ１５の接続部分には封
止樹脂を設けていないので、バンプ１５とランド２０と
の接続の信頼性は向上する。また、バンプ１５の高さの
ばらつきや、突き破れないときに生じていた従来の問題
点（平坦性の損失）も防止できる。これにより、センタ
ーランド型などの押圧接着時にチップの平坦を保てにく
い半導体チップでも平坦に支持できる。As described above, since the sealing resin is not provided at the connection portions of the bumps 15, the reliability of the connection between the bumps 15 and the lands 20 is improved. In addition, the conventional problem (loss of flatness) caused when the height of the bump 15 does not vary and the bump 15 does not break through can be prevented. Thereby, even a semiconductor chip, such as a center land type, which cannot maintain the flatness of the chip when pressed and bonded, can be flatly supported.

【００３１】なお、この支持用封止樹脂４０の形状は、
これに限るものではないが、後述する接合部分用封止樹
脂４１が流れ込みやすくなる形状であることが望まし
い。例えば、図２に示すように、半導体チップ１０の４
角に設け、残りを接合部分用封止樹脂で封止するように
してもよい。The shape of the supporting sealing resin 40 is as follows.
The shape is not limited to this, but is desirably a shape that allows the later-described joining portion sealing resin 41 to flow easily. For example, as shown in FIG.
It may be provided at a corner, and the rest may be sealed with a sealing resin for a joining portion.

【００３２】接合部分用封止樹脂４１は、それぞれのバ
ンプ１５とランド２０との接合部分の間に樹脂が回折し
やすいように粘度が低い樹脂を用いる。例えば、基準値
となる１０Ｐａ・Ｓ以下の粘度の樹脂を用いる。これに
よって、接合部分のボイドの発生を防止可能である。As the sealing resin 41 for the joint portion, a resin having a low viscosity is used so that the resin is easily diffracted between the joint portions between the bumps 15 and the lands 20. For example, a resin having a viscosity of 10 Pa · S or less as a reference value is used. As a result, it is possible to prevent the occurrence of voids at the joint.

【００３３】なお、本実施形態では、支持用封止樹脂と
接合部分用封止樹脂に粘度が異なる封止樹脂を用いた場
合を示したが、互いの粘度の中間粘度を有する封止樹脂
を用いることにより、支持用封止樹脂及び接合部分用封
止樹脂に同一の封止樹脂を用いても構わない。また、粘
度も上述した値に限定されるものではない。In this embodiment, a case is shown in which sealing resins having different viscosities are used as the sealing resin for the support and the sealing resin for the joint portion. By using the same, the same sealing resin may be used for the supporting sealing resin and the joining portion sealing resin. Further, the viscosity is not limited to the above value.

【００３４】次に、本実施形態の半導体装置１００の製
造方法について説明する。図３は、本実施形態の半導体
装置１００の製造方法を説明するための図であり、説明
し易いように断面図で示してある。Next, a method for manufacturing the semiconductor device 100 of the present embodiment will be described. FIG. 3 is a diagram for explaining the method for manufacturing the semiconductor device 100 of the present embodiment, and is shown in a sectional view for easy explanation.

【００３５】本実施形態の半導体装置１００の製造方法
は、図３（ａ）に示すように、まず、リジットまたはフ
レキシブル基材にランド２０と外部接続端子用ランド２
５とを含む配線が形成された配線基板３０を形成する。
なお、ランド２０は半導体チップとの接合のために、金
または錫めっき等が施される場合がある。As shown in FIG. 3A, the method of manufacturing the semiconductor device 100 according to the present embodiment firstly comprises attaching a land 20 and an external connection terminal land 2 to a rigid or flexible base material.
The wiring substrate 30 on which the wiring including the above 5 is formed is formed.
The lands 20 may be plated with gold or tin for bonding with the semiconductor chip.

【００３６】次に、図３（ｂ）に示すように、ランド２
０の周辺以外の配線基板上にランド２０の両サイドを囲
むように支持用封止樹脂４０を塗布する。塗布する各支
持用封止樹脂４０の厚さは少なくともバンプ１５の高さ
より厚くし、幅は少なくともランド２０部分まで達しな
い幅にする。Next, as shown in FIG.
A supporting sealing resin 40 is applied on the wiring substrate other than the periphery of the periphery of the land so as to surround both sides of the land 20. The thickness of each supporting sealing resin 40 to be applied is set to be at least larger than the height of the bump 15, and the width is set to a width which does not reach at least the land 20.

【００３７】次に、図３（ｃ）に示すように、バンプ
（金バンプ、半田バンプ等）１５を形成した半導体チッ
プ１０を用意し、バンプ１５とランド２０を位置合わせ
して半導体チップ１０と配線基板３０を加熱押圧してバ
ンプ１５とランド２０を金属接合（例えば、金金接合、
金錫接合、はんだ接合）する。Next, as shown in FIG. 3C, a semiconductor chip 10 on which bumps (gold bumps, solder bumps, etc.) 15 are formed is prepared, and the bumps 15 and the lands 20 are aligned with each other. The wiring board 30 is heated and pressed, and the bump 15 and the land 20 are metal-bonded (for example, gold-gold bonding,
Gold-tin bonding, solder bonding).

【００３８】半導体チップ１０と配線基板３０が加熱押
圧されるときに、支持用封止樹脂４０により半導体チッ
プ１０の平坦性を保ったまま押圧されるので、バンプ１
５とランド２０の接続の信頼性が向上する。そして、押
圧されることにより支持用封止樹脂４０の一部分は半導
体チップ１０の側面の一部を封止するように流れ出し、
半導体チップ１０と配線基板３０を固着する。When the semiconductor chip 10 and the wiring board 30 are heated and pressed, the semiconductor chip 10 is pressed by the supporting sealing resin 40 while maintaining the flatness of the semiconductor chip 10.
5 and the land 20 are connected more reliably. Then, by being pressed, a part of the supporting sealing resin 40 flows out so as to seal a part of the side surface of the semiconductor chip 10, and
The semiconductor chip 10 and the wiring board 30 are fixed.

【００３９】次に、図３（ｄ）に示すように、半導体チ
ップ１０、配線基板３０、支持用封止樹脂によって形成
された２つの開口のいずれか一方または両方から、バン
プ１５とランド２０との接続部分周辺に接合部分用封止
樹脂４１を流し込み、接合部分を封止する。このとき、
一方の開口から接合部分用封止樹脂４０を流し込み、他
の開口部で空気を吸い込ませることで各接合部分間の樹
脂の回折をスムーズにさせるため、ボイドの発生も抑え
ることが可能であり、同時に樹脂封止する時間を短縮可
能である。Next, as shown in FIG. 3D, the bump 15 and the land 20 are formed through one or both of the semiconductor chip 10, the wiring board 30, and the two openings formed by the supporting sealing resin. The sealing resin 41 for the joining portion is poured into the vicinity of the connecting portion to seal the joining portion. At this time,
Since the sealing resin 40 for the joint portion is poured from one opening and air is sucked into the other opening to smoothly diffract the resin between the joint portions, it is possible to suppress the occurrence of voids. At the same time, the time for resin sealing can be reduced.

【００４０】最後に、図３（ｅ）に示すように、外部接
続端子用ランド２５上にはんだを塗布し、リフローして
はんだボール端子５０を形成する。Finally, as shown in FIG. 3E, solder is applied on the external connection terminal lands 25 and reflowed to form solder ball terminals 50.

【００４１】このように、半導体チップのバンプと配線
基板のランドの接合部分周辺以外に樹脂を設けて、その
樹脂で半導体チップを支持固着してバンプとランドを接
合し、その接合後に樹脂を流し込んで接合部分周辺を封
止することにより、従来のセンタランド型半導体装置で
は困難だったバンプとランドの接合時及び接合後の平坦
性を保つことが可能になり、接合部分の電気的接続の信
頼性が向上する。As described above, a resin is provided in a portion other than the vicinity of the joint between the bump of the semiconductor chip and the land of the wiring board, the semiconductor chip is supported and fixed by the resin, the bump and the land are joined, and after the joining, the resin is poured. By sealing the periphery of the bonding portion with the semiconductor device, it is possible to maintain flatness at the time of bonding between the bump and the land and after bonding, which was difficult in the conventional center land type semiconductor device, and to improve the reliability of the electrical connection at the bonding portion. The performance is improved.

【００４２】また、バンプとランドの接合時には、接合
部分付近に樹脂を設けないため、従来のように樹脂封止
と同時に行われることはないので、突き破れずに接合で
きないということもなくなる。Further, when the bump and the land are joined, no resin is provided in the vicinity of the joining portion, so that the resin sealing is not performed at the same time as in the prior art, so that it is not impossible to join without breaking through.

【００４３】したがって、これらのことから半導体チッ
プと基板との電気的接続の信頼性を向上することが可能
となる。Therefore, it is possible to improve the reliability of the electrical connection between the semiconductor chip and the substrate from the above.

【００４４】なお、支持用封止樹脂４０に粘度が低いも
のを用い、図３（ｂ）に示す支持用封止樹脂４０の厚さ
をさらに厚くすることで、図４（ａ）に示すように、支
持用封止樹脂４０がバンプとランドの接合部分にも回り
込むようになり、図４（ｂ）に示すように、接合部分を
も封止する。このようにすると、接合部分用封止樹脂を
用いなくても半導体チップと配線基板を封止できる。By using a resin having a low viscosity for the supporting sealing resin 40 and further increasing the thickness of the supporting sealing resin 40 shown in FIG. 3B, as shown in FIG. Then, the supporting sealing resin 40 also wraps around the joint between the bump and the land, and also seals the joint as shown in FIG. In this case, the semiconductor chip and the wiring board can be sealed without using the sealing resin for the joint portion.

【００４５】この場合も、接続時には接合部分に樹脂が
なく、パンプとランドの接合がなされてから封止される
ので、従来のようにバンプとランドの接合が同時になさ
れることはないので、半導体チップと基板との電気的接
続の信頼性を向上することが可能となる。Also in this case, since there is no resin at the joint portion at the time of connection and the sealing is performed after the pump and the land are joined, the bump and the land are not joined at the same time as in the conventional case. It is possible to improve the reliability of the electrical connection between the chip and the substrate.

【００４６】（実施例１）：複数列のパットを有する半
導体装置 図５は、実施例１の半導体装置１００ａの構成を説明す
るための図であり、図５（ａ）は上から見た平面図、図
５（ｂ）は半導体チップを取り除いた図、図５（ｃ）は
図５（ａ）に示すＢ−Ｂ線で切った断面図である。(Embodiment 1): Semiconductor Device Having Plural Rows of Pads FIG. 5 is a diagram for explaining the configuration of a semiconductor device 100a of Embodiment 1, and FIG. 5 (a) is a plan view from above. FIG. 5B is a view in which the semiconductor chip is removed, and FIG. 5C is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG.

【００４７】本実施例１の半導体装置１００ａは、図５
（ａ）〜図５（ｃ）に示すように、２列のランドを有す
る半導体装置であり、バンプ１５が形成された半導体チ
ップ１０と接続するための２列のランド２０と５列の外
部接続端子用ランド２５とを含む配線が形成された配線
基板（リジットまたはフレキシブル）３０と、その配線
基板３０上のランド２０部分を除く箇所に設けられ、接
続時に半導体チップを平坦に保つように支持する３枚の
接着性シート４５と、３枚の各接着性シート４５間のバ
ンプ１５とランド２０との接続部分を封止する接合部分
用封止樹脂４１と、外部接続端子用ランド２５上に設け
られたはんだボール端子５０とから構成される。The semiconductor device 100a of the first embodiment is different from the semiconductor device 100a of FIG.
As shown in FIGS. 5A to 5C, the semiconductor device has two rows of lands, two rows of lands 20 for connecting to the semiconductor chip 10 on which the bumps 15 are formed, and five rows of external connections. A wiring board (rigid or flexible) 30 on which wiring including terminal lands 25 is formed, and a portion other than the land 20 on the wiring board 30 are provided to support the semiconductor chip so as to keep the semiconductor chip flat during connection. Provided on the three adhesive sheets 45, the sealing resin 41 for the joining portion for sealing the connection between the bumps 15 and the lands 20 between the three adhesive sheets 45, and the external connection terminal lands 25. And the solder ball terminals 50 provided.

【００４８】なお、本実施形態と同様に、接着性シート
４５の代わりに支持用封止樹脂４０を用いても構わな
い。As in the present embodiment, a sealing resin for support 40 may be used instead of the adhesive sheet 45.

【００４９】図５に示す本実施例１の半導体装置１００
ａでは、３枚の接着性シート４５は例えば、エポキシ樹
脂系、シリコン樹脂系等のシートであり、ランド２０部
分周辺を空けるように設けられる。例えば、ランド２０
の列に対して等間隔に平行に設ける。また、接着性シー
ト４５の代わりにエラストマシートを用いても構わな
い。The semiconductor device 100 of the first embodiment shown in FIG.
3A, the three adhesive sheets 45 are, for example, sheets of an epoxy resin type, a silicon resin type, or the like, and are provided so as to leave the periphery of the land 20. For example, land 20
Are provided in parallel at equal intervals with respect to the rows. Further, an elastomer sheet may be used instead of the adhesive sheet 45.

【００５０】接合部分用封止樹脂４１は、実施形態と同
様に、それぞれのバンプ１５とランド２０との接合部分
の間に樹脂が回り込みやすいように粘度が低い樹脂を用
いる。As in the embodiment, a resin having a low viscosity is used as the sealing resin 41 for the joining portion so that the resin easily flows between the joining portions between the bumps 15 and the lands 20.

【００５１】次に、本実施例１の半導体装置１００ａの
製造方法について説明する。図６は、本実施例１の半導
体装置１００ａの製造方法を説明するための図であり、
説明し易いように断面図で示してある。Next, a method of manufacturing the semiconductor device 100a according to the first embodiment will be described. FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing the semiconductor device 100a according to the first embodiment.
It is shown in cross section for ease of explanation.

【００５２】本実施例１の半導体装置１００ａの製造方
法は、図６（ａ）に示すように、まず、リジットまたは
フレキシブル基材に２列のランド２０を含む配線が形成
された配線基板３０を形成する。なお、ランド２０は半
導体チップとの接合のために、金または錫めっき等が施
される場合がある。In the method of manufacturing the semiconductor device 100a of the first embodiment, as shown in FIG. 6A, first, a wiring board 30 on which a wiring including two rows of lands 20 is formed on a rigid or flexible base material is formed. Form. The lands 20 may be plated with gold or tin for bonding with the semiconductor chip.

【００５３】次に、図６（ｂ）に示すように、各ランド
２０の周辺以外の配線基板上にランド２０の両サイドを
囲むように支持用封止樹脂４０を塗布またはポッティン
グする。接着性シート４５を貼り付ける。各接着性シー
ト４５の厚さは少なくともバンプ１５の高さより厚く
し、幅は少なくともランド２０部分まで達しない幅にす
る。Next, as shown in FIG. 6B, a supporting sealing resin 40 is applied or potted on the wiring board other than around each land 20 so as to surround both sides of the land 20. The adhesive sheet 45 is attached. The thickness of each adhesive sheet 45 is set to be at least larger than the height of the bump 15, and the width is set to a width not reaching at least the land 20.

【００５４】次に、図６（ｃ）に示すように、バンプ
（金バンプ、半田バンプ等）１５を形成した半導体チッ
プ１０を用意し、バンプ１５とランド２０を位置合わせ
して半導体チップ１０と配線基板３０を加熱押圧してバ
ンプ１５とランド２０を金属接合（例えば、金金接合、
金錫接合、はんだ接合）する。Next, as shown in FIG. 6C, a semiconductor chip 10 on which bumps (gold bumps, solder bumps, etc.) 15 are formed is prepared, and the bumps 15 and the lands 20 are aligned with each other. The wiring board 30 is heated and pressed, and the bump 15 and the land 20 are metal-bonded (for example, gold-gold bonding,
Gold-tin bonding, solder bonding).

【００５５】半導体チップ１０と配線基板３０が加熱押
圧されるときに、接着性シート４５により半導体チップ
１０の平坦性を保ったまま押圧されるので、バンプ１５
とランド２０の接続の信頼性が向上する。そして、押圧
されることにより接着性シート４５の一部分は半導体チ
ップ１０の側面の一部を埋め込むように封止し、半導体
チップ１０と配線基板３０を固着する。When the semiconductor chip 10 and the wiring board 30 are heated and pressed, the semiconductor chip 10 is pressed by the adhesive sheet 45 while the flatness of the semiconductor chip 10 is maintained.
And the reliability of the connection between the land 20 is improved. Then, by being pressed, a part of the adhesive sheet 45 is sealed so as to bury a part of the side surface of the semiconductor chip 10, and the semiconductor chip 10 and the wiring board 30 are fixed.

【００５６】次に、図６（ｄ）に示すように、バンプ１
５とランド２０との接続部分周辺に接合部分用封止樹脂
４１を流し込み、接合部分を封止する。Next, as shown in FIG.
The sealing resin 41 for the joining portion is poured around the connection portion between the land 5 and the land 20 to seal the joining portion.

【００５７】最後に、図６（ｅ）に示すように、外部接
続端子用ランド２５上にはんだを塗布し、リフローして
はんだボール端子５０を形成する。Finally, as shown in FIG. 6E, solder is applied to the external connection terminal lands 25 and reflowed to form solder ball terminals 50.

【００５８】このように、半導体チップのバンプと配線
基板のランドの接合部分周辺以外に接着性シートを設け
て、その接着性シートで半導体チップを支持固着してバ
ンプとランドを接合することにより、接合時及び接合後
の平坦性を保つことが可能になり、接合部分の電気的接
続の信頼性が向上する。As described above, the adhesive sheet is provided around the periphery of the joint between the bump of the semiconductor chip and the land of the wiring board, the semiconductor chip is supported and fixed by the adhesive sheet, and the bump and the land are joined. The flatness at the time of joining and after joining can be maintained, and the reliability of electrical connection at the joining portion is improved.

【００５９】また、バンプとランドの接合後に樹脂を流
し込んで接合部分周辺を封止することにより、半導体チ
ップと基板との電気的接続の信頼性を向上することが可
能となる。In addition, by pouring a resin after the bump and the land are bonded to seal the periphery of the bonded portion, it is possible to improve the reliability of the electrical connection between the semiconductor chip and the substrate.

【００６０】（実施例２）：電子装置 上述した実施形態または実施例１の半導体装置１００，
１００ａを搭載した電子装置について説明する。本実施
例２では、電子装置としてメモリモジュールを取り挙げ
て説明する。(Embodiment 2): Electronic Device The semiconductor device 100 of the above embodiment or Embodiment 1
An electronic device equipped with 100a will be described. In the second embodiment, a memory module will be described as an electronic device.

【００６１】図７は、本実施例２のメモリモジュールの
構成を説明するための図であり、図７（ａ）は上から見
た平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すＸ−Ｘ線で切
った断面図である。FIGS. 7A and 7B are diagrams for explaining the configuration of the memory module according to the second embodiment. FIG. 7A is a plan view seen from above, and FIG. 7B is a diagram shown in FIG. It is sectional drawing cut | disconnected by the XX line | wire shown.

【００６２】図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、本
実施例２のメモリモジュール２００は、配線２２０が形
成されたマザーボード２１０上に、実施形態または実施
例１の半導体装置１００，１００ａが搭載された構成を
とる。As shown in FIGS. 7A and 7B, the memory module 200 according to the second embodiment includes a semiconductor device 100 according to the first embodiment or the first embodiment on a motherboard 210 on which a wiring 220 is formed. , 100a are mounted.

【００６３】このように、電気的接続において信頼性の
ある実施形態または実施例１の半導体装置１００，１０
０ａを搭載することによってメモリモジュール（電子装
置）の動作の信頼性を向上できる。As described above, the semiconductor devices 100 and 10 of the embodiment or the example 1 having a reliable electric connection.
By mounting Oa, the reliability of the operation of the memory module (electronic device) can be improved.

【００６４】なお、本実施例２では、電子装置としてメ
モリモジュールを取り挙げたが、これに限定されるもの
ではなく、例えば、携帯電話、ページャ、ＧＰＳ端末、
電子手帳、電子辞書、または電子翻訳機等の各種電子装
置にも適応可能である。In the second embodiment, a memory module has been described as an electronic device. However, the present invention is not limited to this. For example, a mobile phone, a pager, a GPS terminal,
The present invention is also applicable to various electronic devices such as an electronic organizer, an electronic dictionary, and an electronic translator.

【００６５】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。As described above, the invention made by the present inventor is:
Although specifically described based on the embodiment, the present invention
It is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified without departing from the scope of the invention.

【００６６】[0066]

【発明の効果】本発明において開示される発明のうち代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。The effects obtained by the representative inventions among the inventions disclosed in the present invention will be briefly described.
It is as follows.

【００６７】半導体チップのバンプと配線基板のランド
の接合部分周辺以外に樹脂を設けて、その樹脂で半導体
チップを支持固着してバンプとランドを接合し、その接
合後に樹脂を流し込んで接合部分周辺を封止することに
より、従来のセンタランド型半導体装置では困難だった
バンプとランドの接合時及び接合後の平坦性を保つこと
が可能になり、接合部分の電気的接続の信頼性が向上す
る。A resin is provided around the junction between the bumps of the semiconductor chip and the lands of the wiring board, the semiconductor chip is supported and fixed by the resin, and the bumps and the lands are joined. Sealing makes it possible to maintain the flatness of the bump and land during and after bonding, which was difficult in the conventional center land type semiconductor device, and improves the reliability of the electrical connection at the bonded portion. .

【００６８】また、バンプとランドの接合時には、接合
部分付近に樹脂を設けないので、従来のように突き破れ
ずに接合できないということもなくなり、半導体チップ
と基板との電気的接続の信頼性を向上することが可能と
なる。Further, when the bump and the land are joined, no resin is provided in the vicinity of the joining portion, so that it is not impossible to join without breaking through as in the prior art, and the reliability of the electrical connection between the semiconductor chip and the substrate is improved. It is possible to improve.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施形態にかかるの半導体装置の構成
を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図２】本実施形態の支持用封止樹脂の他の形状例を説
明するための図である。FIG. 2 is a view for explaining another example of the shape of the supporting sealing resin of the present embodiment.

【図３】本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する
ための図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a method for manufacturing the semiconductor device according to the embodiment;

【図４】本実施形態の半導体装置の他の製造方法を説明
するための図である。FIG. 4 is a view illustrating another method of manufacturing the semiconductor device according to the embodiment;

【図５】本実施例１の半導体装置の構成を説明するため
の図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the configuration of the semiconductor device according to the first embodiment;

【図６】本実施例１の半導体装置の製造方法を説明する
ための図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment;

【図７】本実施例２のメモリモジュールの構成を説明す
るための図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration of a memory module according to a second embodiment.

【図８】従来の半導体装置の構成を説明するための図で
ある。FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of a conventional semiconductor device.

【図９】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
図である。FIG. 9 is a diagram for explaining a conventional method of manufacturing a semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 半導体チップ １５ バンプ ２０ ランド ２５ 外部接続端子用ランド ３０ 配線基板 ４０ 支持用封止樹脂 ４１ 接合部分用封止樹脂 ４５ 封止樹脂 ５０ はんだボール端子 １００，１００ａ 半導体装置 ２００ メモリモジュール ２１０ マザーボード ２２０ 配線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor chip 15 Bump 20 Land 25 Land for external connection terminal 30 Wiring board 40 Sealing resin for support 41 Sealing resin for joining part 45 Sealing resin 50 Solder ball terminal 100, 100a Semiconductor device 200 Memory module 210 Motherboard 220 Wiring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 23/52 Ｈ０１Ｌ 25/04 Ｚ 25/04 25/18 Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA04 CA05 CA22 DB17 EA03 EA10 EC04 EC20 EE02 5F044 KK02 LL01 RR17 RR18 RR19 5F061 AA02 BA04 CA05 CA22 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) // H01L 23/52 H01L 25/04 Z 25/04 25/18 F term (Reference) 4M109 AA02 BA04 CA05 CA22 DB17 EA03 EA10 EC04 EC20 EE02 5F044 KK02 LL01 RR17 RR18 RR19 5F061 AA02 BA04 CA05 CA22

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】ランドを含む配線と外部接続端子とが形成
された配線基板と、前記ランド上にバンプによる金属接
合をした半導体チップと、前記配線基板と半導体チップ
の一部分を封止する封止樹脂とからなる半導体装置にお
いて、前記配線基板と半導体チップの金属接合部分周辺
以外を封止する第１の封止樹脂と、前記金属接合部分周
辺を封止する第２の封止樹脂とからなることを特徴とす
る半導体装置。A wiring board on which a wiring including a land and an external connection terminal are formed; a semiconductor chip metal-bonded on the land by a bump; and a seal for sealing a part of the wiring board and the semiconductor chip. In a semiconductor device made of resin, a first sealing resin for sealing the periphery of the metal bonding portion between the wiring substrate and the semiconductor chip, and a second sealing resin for sealing the periphery of the metal bonding portion are provided. A semiconductor device characterized by the above-mentioned. 【請求項２】前記請求項１に記載の半導体装置におい
て、前記第１の封止樹脂は所定粘度より高い粘度の封止
樹脂であり、前記第２の封止樹脂は所定粘度より低い粘
度の封止樹脂であることを特徴とする半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein said first sealing resin has a viscosity higher than a predetermined viscosity, and said second sealing resin has a viscosity lower than a predetermined viscosity. A semiconductor device, which is a sealing resin. 【請求項３】前記請求項１または２に記載の半導体装置
において、前記第１の封止樹脂の代わりに接着性シート
を用いたことを特徴とする半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein an adhesive sheet is used instead of said first sealing resin. 【請求項４】配線基板のランド上に半導体チップをバン
プによるフリップチップ接合し、前記配線基板と半導体
チップの一部分を封止樹脂する半導体装置の製造方法で
あって、前記ランドを含む配線が形成された配線基板を
形成し、前記ランド周辺以外の配線基板上に半導体チッ
プを支持するための第１の封止樹脂を形成し、バンプを
有する半導体チップを形成し、前記半導体チップと前記
配線基板を加熱押圧して前記バンプと前記ランドを金属
接合し、前記バンプとランドとの接続部分周辺に第２の
封止樹脂を流し込み、接合部分を封止することを特徴と
する半導体装置の製造方法。4. A method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is flip-chip bonded by bumps on lands of a wiring board and a portion of the wiring board and the semiconductor chip is sealed with a resin, wherein the wiring including the lands is formed. Forming a first sealing resin for supporting a semiconductor chip on a wiring board other than around the land, forming a semiconductor chip having bumps, and forming the semiconductor chip and the wiring board. The bumps and the lands are metal-bonded by heating and pressing, and a second sealing resin is poured around a connection portion between the bumps and the lands to seal the bonding portion. . 【請求項５】前記請求項４に記載の半導体装置の製造方
法において、前記第１の封止樹脂は所定粘度より高い粘
度の封止樹脂を用い、前記第２の封止樹脂は所定粘度よ
り低い粘度の封止樹脂を用いることを特徴とする半導体
装置の製造方法。5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the first sealing resin uses a sealing resin having a viscosity higher than a predetermined viscosity, and the second sealing resin has a viscosity higher than a predetermined viscosity. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising using a sealing resin having a low viscosity. 【請求項６】前記請求項４または５に記載の半導体装置
の製造方法において、前記第１の封止樹脂の代わりに接
着性シートを用いたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。6. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein an adhesive sheet is used instead of said first sealing resin. 【請求項７】配線基板のランド上に半導体チップをバン
プによるフリップチップ接合し、前記配線基板と半導体
チップの一部分を封止樹脂する半導体装置の製造方法で
あって、前記ランドを含む配線が形成された配線基板を
形成し、前記配線基板上の前記ランド周辺以外に半導体
チップの支持及び封止を兼ねた封止樹脂を形成し、バン
プを有する半導体チップを形成し、前記半導体チップと
前記配線基板を加熱押圧して前記バンプと前記ランドを
金属接合し、且つ前記封止樹脂を前記バンプとランドと
の接続部分周辺に流し込み、接合部分を封止することを
特徴とする半導体装置の製造方法。7. A method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor chip is flip-chip bonded to a land of a wiring board by bumps and a part of the wiring board and the semiconductor chip is sealed with a resin, wherein the wiring including the land is formed. Forming a semiconductor chip having bumps, forming a sealing resin also serving as a support and sealing of the semiconductor chip other than around the land on the wiring board, and forming the semiconductor chip with the wiring A method of manufacturing a semiconductor device, wherein a substrate is heated and pressed to metal-join the bump and the land, and the sealing resin is poured around a connection between the bump and the land to seal the joint. . 【請求項８】ランドを含む配線形成されたマザーボード
と、前記マザーボードに搭載された半導体装置とを備え
た電子装置において、前記半導体装置は、前記ランド上
にバンプによる金属接合をした半導体チップと、前記配
線基板と半導体チップの金属接合部分周辺以外を封止す
る第１の封止樹脂と、前記金属接合部分周辺を封止する
第２の封止樹脂とからなることを特徴とする電子装置。8. An electronic device comprising: a mother board on which wiring including lands is formed; and a semiconductor device mounted on the mother board, wherein the semiconductor device comprises: a semiconductor chip metal-bonded on the land by a bump; An electronic device comprising: a first sealing resin that seals a portion other than a periphery of a metal bonding portion between the wiring board and a semiconductor chip; and a second sealing resin that seals a periphery of the metal bonding portion. 【請求項９】前記請求項８に記載の電子装置において、
前記第１の封止樹脂は所定粘度より高い粘度の封止樹脂
であり、前記第２の封止樹脂は所定粘度より低い粘度の
封止樹脂であることを特徴とする電子装置。9. The electronic device according to claim 8, wherein
The electronic device according to claim 1, wherein the first sealing resin is a sealing resin having a viscosity higher than a predetermined viscosity, and the second sealing resin is a sealing resin having a viscosity lower than a predetermined viscosity. 【請求項１０】前記請求項８または９に記載の電子装置
において、前記第１の封止樹脂の代わりに接着性シート
を用いたことを特徴とする電子装置。10. An electronic device according to claim 8, wherein an adhesive sheet is used in place of said first sealing resin.
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