JP2002015725A - 二重スクリーンサンドイッチカソード付きセルのための効率的セルスタック - Google Patents
二重スクリーンサンドイッチカソード付きセルのための効率的セルスタックInfo
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】リチウム電気化学セルの容積効率を改善し、心
臓細動除去装置等の埋め込み型医療器具に電力を供給す
ることができる新しい電極アセンブリーを提供する。 【解決手段】a)第1及び第2のカソード集積体72,
74の間にサンドイッチされた第1のカソード活性材料
76と、第1の活性材料に対向する第1及び第2のカソ
ード集積体に接触した第2のカソード活性材料78とを
有する第1のカソード構造64と、b)第1のアノード
集積体70の対向する側に接触した第1のアノード構造
62と、c)第3のカソード集積体82に接触した第3
のカソード活性材料76と、第4のカソード活性材料7
8とを有した第2のカソード構造80と、d)アノード
とカソードを活性化する非水性電解質、とを含む電気化
学セル。なお第1のカソード活性材料は比較的高エネル
ギー密度ではあるが比較的低電流性能な活性材料であ
り、第2のカソード活性材料はその逆の活性材料であ
る。
臓細動除去装置等の埋め込み型医療器具に電力を供給す
ることができる新しい電極アセンブリーを提供する。 【解決手段】a)第1及び第2のカソード集積体72,
74の間にサンドイッチされた第1のカソード活性材料
76と、第1の活性材料に対向する第1及び第2のカソ
ード集積体に接触した第2のカソード活性材料78とを
有する第1のカソード構造64と、b)第1のアノード
集積体70の対向する側に接触した第1のアノード構造
62と、c)第3のカソード集積体82に接触した第3
のカソード活性材料76と、第4のカソード活性材料7
8とを有した第2のカソード構造80と、d)アノード
とカソードを活性化する非水性電解質、とを含む電気化
学セル。なお第1のカソード活性材料は比較的高エネル
ギー密度ではあるが比較的低電流性能な活性材料であ
り、第2のカソード活性材料はその逆の活性材料であ
る。
Description
【0001】(関連出願へのクロスリファレンス)本発
明は、2000年5月16日出願の暫定出願シリアル番
号60/204,477に基づく優先権を主張する。
明は、2000年5月16日出願の暫定出願シリアル番
号60/204,477に基づく優先権を主張する。
【0002】(技術分野)本発明は化学エネルギーの電
気エネルギーへの転換に関する。特に、本発明は、二重
スクリーンサンドイッチカソードを含むプリズム状のセ
ルスタック等の細動除去装置セルのデザインに関する。
二重スクリーンサンドイッチカソード電極は、サンドイ
ッチカソード電極と名付けられる新規なカソード配置に
基づく。サンドイッチカソード電極の構造は、以下で詳
細に説明され、並びに本発明の二重スクリーンサンドイ
ッチカソード電極とどのように異なるかが説明される。
気エネルギーへの転換に関する。特に、本発明は、二重
スクリーンサンドイッチカソードを含むプリズム状のセ
ルスタック等の細動除去装置セルのデザインに関する。
二重スクリーンサンドイッチカソード電極は、サンドイ
ッチカソード電極と名付けられる新規なカソード配置に
基づく。サンドイッチカソード電極の構造は、以下で詳
細に説明され、並びに本発明の二重スクリーンサンドイ
ッチカソード電極とどのように異なるかが説明される。
【0003】(背景技術)埋め込み型心室心臓細動除去
装置は、通常、リチウム/銀バナジウム酸化物(Li/
SVO)電気化学セルをその電源として使用する。埋め
込み型医療器具それ自身については、この器具は、サイ
ズが比較的小さく、患者の医療上の要請への応答が迅速
であり、長期の器具の使用寿命を促進することが好まし
い。それゆえ、埋め込み型医療用途としてセルを組み立
てる場合、これらの要求のすべてに合わせるために、特
別な電極アセンブリーデザインが必要とされる。加え
て、心臓細動除去装置を駆動するセルについては、必要
とされる出力性能を提供するために、大きな電極表面積
が必要とされる。最小容積で最高容量を得るためには、
効率的なセルパッケージも必要とされる。
装置は、通常、リチウム/銀バナジウム酸化物(Li/
SVO)電気化学セルをその電源として使用する。埋め
込み型医療器具それ自身については、この器具は、サイ
ズが比較的小さく、患者の医療上の要請への応答が迅速
であり、長期の器具の使用寿命を促進することが好まし
い。それゆえ、埋め込み型医療用途としてセルを組み立
てる場合、これらの要求のすべてに合わせるために、特
別な電極アセンブリーデザインが必要とされる。加え
て、心臓細動除去装置を駆動するセルについては、必要
とされる出力性能を提供するために、大きな電極表面積
が必要とされる。最小容積で最高容量を得るためには、
効率的なセルパッケージも必要とされる。
【0004】Li/SVOセル用の慣用の電極アセンブ
リーにおいては、カソード活性材料は、箔またはスクリ
ーンカソード集電体の両側にプレス、コートあるいは他
の方法で接触されて、カソード電極とされる。アノード
活性材料としての箔の形のリチウムは、アノード集電体
の両側にプレスされて、アノード電極を形成する。次
に、アノード及びカソード電極が1層あるいは2層の中
間のセパレーター材料と共に相互に向き合って配置され
る。最終の電極アセンブリーは、通常、プリズム状のプ
レートデザインまたはジェリーロールデザインの形であ
る。慣用のプリズム状のプレートデザインの例は、Po
stらへの米国特許第5,147,737号に記述され
ている。慣用のジェリーロールデザインの例は、How
ardらへの米国特許第5,439,760号に記述さ
れている。
リーにおいては、カソード活性材料は、箔またはスクリ
ーンカソード集電体の両側にプレス、コートあるいは他
の方法で接触されて、カソード電極とされる。アノード
活性材料としての箔の形のリチウムは、アノード集電体
の両側にプレスされて、アノード電極を形成する。次
に、アノード及びカソード電極が1層あるいは2層の中
間のセパレーター材料と共に相互に向き合って配置され
る。最終の電極アセンブリーは、通常、プリズム状のプ
レートデザインまたはジェリーロールデザインの形であ
る。慣用のプリズム状のプレートデザインの例は、Po
stらへの米国特許第5,147,737号に記述され
ている。慣用のジェリーロールデザインの例は、How
ardらへの米国特許第5,439,760号に記述さ
れている。
【0005】この点を更に図示するために、図1は、慣
用のプリズム状のプレートデザインまたは慣用のジェリ
ーロールデザインの電極アセンブリー10の詳細断面図
を示す。電極アセンブリー10は、セパレーターシート
16により、相互に物理的に隔離されたアノード電極1
2とカソード電極14を含む。アノード電極12は、ア
ノード集電体20の少なくとも一つの側に接触した、リ
チウム等のアノード活性材料18を含む。同様に、カソ
ード電極14は、カソード集電体24の少なくとも一つ
の側に接触した、SVOまたはCFx 等のカソード活性
材料22を含む。プリズム状のプレートまたはジェリー
ロール配置であれ、セルは、通常、ケース−負極の配置
で組み立てられ、アノード集電体20がアノードまたは
負極ターミナルとしてケース(図示せず)と接触する最
外側位置を有する。このカソード電極は、当業者にはよ
く知られているように、ガラス−金属シールによりケー
スから絶縁されたターミナルリード(図示せず)と接触
する。
用のプリズム状のプレートデザインまたは慣用のジェリ
ーロールデザインの電極アセンブリー10の詳細断面図
を示す。電極アセンブリー10は、セパレーターシート
16により、相互に物理的に隔離されたアノード電極1
2とカソード電極14を含む。アノード電極12は、ア
ノード集電体20の少なくとも一つの側に接触した、リ
チウム等のアノード活性材料18を含む。同様に、カソ
ード電極14は、カソード集電体24の少なくとも一つ
の側に接触した、SVOまたはCFx 等のカソード活性
材料22を含む。プリズム状のプレートまたはジェリー
ロール配置であれ、セルは、通常、ケース−負極の配置
で組み立てられ、アノード集電体20がアノードまたは
負極ターミナルとしてケース(図示せず)と接触する最
外側位置を有する。このカソード電極は、当業者にはよ
く知られているように、ガラス−金属シールによりケー
スから絶縁されたターミナルリード(図示せず)と接触
する。
【0006】プリズム状配置におけるプレートの数、ま
たはジェリーロールセルにおける折り曲げの数に依っ
て、慣用の電極アセンブリー10は、アノード電極12
とカソード電極14のnの繰り返し単位を有することが
できる。これは図1に示され、ここではn=0、1、
2、3、4、5などである。
たはジェリーロールセルにおける折り曲げの数に依っ
て、慣用の電極アセンブリー10は、アノード電極12
とカソード電極14のnの繰り返し単位を有することが
できる。これは図1に示され、ここではn=0、1、
2、3、4、5などである。
【0007】本発明の譲受人に帰属され、ここには引用
により入れられている、2000年4月27日に出願の
米国特許出願シリアル番号09/560、060は、細
動除去装置用途用のサンドイッチカソード電極デザイン
を記述している。このサンドイッチカソード電極デザイ
ンは、慣用のプリズム状及びジェリーロールの電極アセ
ンブリーに優るパイオニア的改良であると考えられる。
このサンドイッチカソード電極デザインにおいては、カ
ソード電極は、2つの区分された、異なるカソード活性
材料と2つのカソード集電体を用いて製造される。第1
のカソード活性材料は、この2つの集電体の間にサンド
イッチされ、このアセンブリーは、次に、第2のカソー
ド活性材料の2つの層の間にサンドイッチされる。
により入れられている、2000年4月27日に出願の
米国特許出願シリアル番号09/560、060は、細
動除去装置用途用のサンドイッチカソード電極デザイン
を記述している。このサンドイッチカソード電極デザイ
ンは、慣用のプリズム状及びジェリーロールの電極アセ
ンブリーに優るパイオニア的改良であると考えられる。
このサンドイッチカソード電極デザインにおいては、カ
ソード電極は、2つの区分された、異なるカソード活性
材料と2つのカソード集電体を用いて製造される。第1
のカソード活性材料は、この2つの集電体の間にサンド
イッチされ、このアセンブリーは、次に、第2のカソー
ド活性材料の2つの層の間にサンドイッチされる。
【0008】サンドイッチカソード電極アセンブリーの
断面図は図2に示される。この図は、セパレーターシー
ト36により相互に隔離された、アノード電極32とカ
ソード電極34を含む電極アセンブリー30を示す。こ
のアノード電極は、ニッケル等のアノード集電体40の
少なくとも一つの側に接触したリチウム等のアノード活
性材料38を含む。この点で、電極アセンブリー30の
アノード電極32は、図1に関して述べられたアノード
電極と同一である。
断面図は図2に示される。この図は、セパレーターシー
ト36により相互に隔離された、アノード電極32とカ
ソード電極34を含む電極アセンブリー30を示す。こ
のアノード電極は、ニッケル等のアノード集電体40の
少なくとも一つの側に接触したリチウム等のアノード活
性材料38を含む。この点で、電極アセンブリー30の
アノード電極32は、図1に関して述べられたアノード
電極と同一である。
【0009】電極アセンブリー30は、間に第1のカソ
ード活性材料46をサンドイッチされた間隔をあけたカ
ソード集電体42と44を有するサンドイッチカソード
電極34を更に含む。カソード活性材料46は、比較的
高エネルギー密度であるが、比較的低電流性能のもので
ある。第2のカソード活性材料48は、第1のカソード
活性材料46のそれと異なり、集電体42、44の対向
する側に接触している。第2のカソード活性材料は、比
較的低エネルギー密度であるが、比較的高電流性能のも
のである。この電極アセンブリーは、サンドイッチカソ
ード電極を有する電気化学セルにとって基本的な構造で
ある。図1に示される電極アセンブリーの場合のよう
に、電極アセンブリー30は、通常、ケース−負極のデ
ザインで組み立てられる。
ード活性材料46をサンドイッチされた間隔をあけたカ
ソード集電体42と44を有するサンドイッチカソード
電極34を更に含む。カソード活性材料46は、比較的
高エネルギー密度であるが、比較的低電流性能のもので
ある。第2のカソード活性材料48は、第1のカソード
活性材料46のそれと異なり、集電体42、44の対向
する側に接触している。第2のカソード活性材料は、比
較的低エネルギー密度であるが、比較的高電流性能のも
のである。この電極アセンブリーは、サンドイッチカソ
ード電極を有する電気化学セルにとって基本的な構造で
ある。図1に示される電極アセンブリーの場合のよう
に、電極アセンブリー30は、通常、ケース−負極のデ
ザインで組み立てられる。
【0010】このサンドイッチカソードの電極デザイン
は、慣用のプリズム状及びジェリーロールカソード電極
デザインと全く異なるので、慣用のセル用の最も効率的
な電極アセンブリーは、サンドイッチカソード電極付き
のセルに最も効率的なアセンブリーではない。この理由
で、本発明は、サンドイッチカソード電極を半二重スク
リーンサンドイッチカソード電極と組み合わせてセルス
タック部材として使用する新しい効率的なセルスタック
デザインを開示する。サンドイッチカソード電極デザイ
ンに基づくこの新しい電極アセンブリーは、二重スクリ
ーンサンドイッチカソード電極デザインと名付けられ
る。
は、慣用のプリズム状及びジェリーロールカソード電極
デザインと全く異なるので、慣用のセル用の最も効率的
な電極アセンブリーは、サンドイッチカソード電極付き
のセルに最も効率的なアセンブリーではない。この理由
で、本発明は、サンドイッチカソード電極を半二重スク
リーンサンドイッチカソード電極と組み合わせてセルス
タック部材として使用する新しい効率的なセルスタック
デザインを開示する。サンドイッチカソード電極デザイ
ンに基づくこの新しい電極アセンブリーは、二重スクリ
ーンサンドイッチカソード電極デザインと名付けられ
る。
【0011】(発明の開示)本発明は、サンドイッチカ
ソードデザインに基づく新しい電極アセンブリーを提供
することにより、リチウム電気化学セルの性能を改善す
る。本発明は、二重スクリーンサンドイッチカソード電
極デザインと名付けられる。心臓細動除去装置等の埋め
込み型医療器具に電力を供給し、二重スクリーンサンド
イッチカソード電極を利用するセルは、改善された容積
効率を有する。特に、本発明は、プリズム状のプレート
あるいは渦巻き様の電極アセンブリーで2つの半二重ス
クリーンサンドイッチカソード電極の間にサンドイッチ
されたサンドイッチカソード電極を使用する。ジェリー
ロール電極アセンブリーにおいては、セルは、ケース−
正極のデザインで提供され、電極アセンブリーの外側部
分は、半二重スクリーンサンドイッチカソード電極であ
る。
ソードデザインに基づく新しい電極アセンブリーを提供
することにより、リチウム電気化学セルの性能を改善す
る。本発明は、二重スクリーンサンドイッチカソード電
極デザインと名付けられる。心臓細動除去装置等の埋め
込み型医療器具に電力を供給し、二重スクリーンサンド
イッチカソード電極を利用するセルは、改善された容積
効率を有する。特に、本発明は、プリズム状のプレート
あるいは渦巻き様の電極アセンブリーで2つの半二重ス
クリーンサンドイッチカソード電極の間にサンドイッチ
されたサンドイッチカソード電極を使用する。ジェリー
ロール電極アセンブリーにおいては、セルは、ケース−
正極のデザインで提供され、電極アセンブリーの外側部
分は、半二重スクリーンサンドイッチカソード電極であ
る。
【0012】当業者には、本発明のこれらの目的及び他
の目的は、次の説明を参照することにより益々明白にな
るであろう。
の目的は、次の説明を参照することにより益々明白にな
るであろう。
【0013】(好ましい実施形態の詳細な説明)本発明
による二重スクリーンサンドイッチカソード電極デザイ
ンを有する電気化学セルは、埋め込み型医療器具用の好
適な電源であるためには、充分なエネルギー密度と放電
容量を有しなければならない。このようなセルは、元素
の周期律表のIA、IIA及びIIIB族から選ばれる
金属のアノードを含む。これらのアノード活性材料は、
リチウム、ナトリウム、カリウムなど、及び例えば、L
i−Si、Li−Al、Li−B及びLi−Si−B合
金と金属間化合物を含むこれらの合金と金属間化合物を
含む。好ましいアノードはリチウムを含む。代替のアノ
ードは、リチウム−アルミニウム合金等のリチウム合金
を含む。合金中に存在するアルミニウムの重量が多い
程、セルのエネルギー密度は低い。
による二重スクリーンサンドイッチカソード電極デザイ
ンを有する電気化学セルは、埋め込み型医療器具用の好
適な電源であるためには、充分なエネルギー密度と放電
容量を有しなければならない。このようなセルは、元素
の周期律表のIA、IIA及びIIIB族から選ばれる
金属のアノードを含む。これらのアノード活性材料は、
リチウム、ナトリウム、カリウムなど、及び例えば、L
i−Si、Li−Al、Li−B及びLi−Si−B合
金と金属間化合物を含むこれらの合金と金属間化合物を
含む。好ましいアノードはリチウムを含む。代替のアノ
ードは、リチウム−アルミニウム合金等のリチウム合金
を含む。合金中に存在するアルミニウムの重量が多い
程、セルのエネルギー密度は低い。
【0014】アノードの形状は変わってもよいが、アノ
ードは、好ましくはチタン、チタン合金またはニッケル
からなる金属性アノード集電体上にプレスあるいはロー
ルされ、アノード部材が形成される、アノード金属の薄
い金属シートまたは箔である。銅、タングステン及びタ
ンタルもアノード集電体に好適な材料である。本発明の
例示のセルにおいては、アノード部材は、溶接等により
一体成形された、あるいは電導性金属のセルケース溶接
体によりケース−負極の電気的配置で接触した、アノー
ド集電体と同一材料、好ましくはニッケルまたはチタン
の長いタブまたはリードを有する。あるいは、このアノ
ードは、ボビン型、円筒または代替の低表面セルデザイ
ンを可能にするペレット等のいくつかの他形状に形成さ
れてもよい。
ードは、好ましくはチタン、チタン合金またはニッケル
からなる金属性アノード集電体上にプレスあるいはロー
ルされ、アノード部材が形成される、アノード金属の薄
い金属シートまたは箔である。銅、タングステン及びタ
ンタルもアノード集電体に好適な材料である。本発明の
例示のセルにおいては、アノード部材は、溶接等により
一体成形された、あるいは電導性金属のセルケース溶接
体によりケース−負極の電気的配置で接触した、アノー
ド集電体と同一材料、好ましくはニッケルまたはチタン
の長いタブまたはリードを有する。あるいは、このアノ
ードは、ボビン型、円筒または代替の低表面セルデザイ
ンを可能にするペレット等のいくつかの他形状に形成さ
れてもよい。
【0015】本発明の電気化学セルは、セルのもう一方
の電極として機能する、電気伝導性の材料のカソードを
更に含む。カソードは、好ましくは固体材料であり、カ
ソードでの電気化学反応は、アノードからカソードへ移
動するイオンの原子あるいは分子の形への変換を含む。
固体カソードは、金属元素、金属酸化物、混合金属酸化
物及び金属硫化物、及びこれらの組み合わせの第1の活
性材料と炭素化合物の第2の活性材料を含んでいてもよ
い。第1の活性材料の金属酸化物、混合金属酸化物及び
金属硫化物は、第2の活性材料よりも比較的低いエネル
ギー密度を有するが、比較的高い電流性能を有する。
の電極として機能する、電気伝導性の材料のカソードを
更に含む。カソードは、好ましくは固体材料であり、カ
ソードでの電気化学反応は、アノードからカソードへ移
動するイオンの原子あるいは分子の形への変換を含む。
固体カソードは、金属元素、金属酸化物、混合金属酸化
物及び金属硫化物、及びこれらの組み合わせの第1の活
性材料と炭素化合物の第2の活性材料を含んでいてもよ
い。第1の活性材料の金属酸化物、混合金属酸化物及び
金属硫化物は、第2の活性材料よりも比較的低いエネル
ギー密度を有するが、比較的高い電流性能を有する。
【0016】第1の活性材料は、好ましくは、混合状態
での熱処理、ゾル−ゲル生成、化学蒸着または水熱合成
時における、種々の金属酸化物、金属硫化物及び/また
は金属元素の化学的な添加、反応、または他の緊密な接
触により形成される。これにより製造される活性材料
は、IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIE、
VIlB、及び貴金属を含むVIII族の金属、酸化物
及び硫化物及び/または他の酸化物及び硫化物化合物を
含む。好ましいカソード活性材料は、少なくとも銀とバ
ナジウムの反応生成物である。
での熱処理、ゾル−ゲル生成、化学蒸着または水熱合成
時における、種々の金属酸化物、金属硫化物及び/また
は金属元素の化学的な添加、反応、または他の緊密な接
触により形成される。これにより製造される活性材料
は、IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIE、
VIlB、及び貴金属を含むVIII族の金属、酸化物
及び硫化物及び/または他の酸化物及び硫化物化合物を
含む。好ましいカソード活性材料は、少なくとも銀とバ
ナジウムの反応生成物である。
【0017】一つの好ましい混合金属酸化物は、一般式
SMx V2 Oy を有する遷移金属酸化物である。式中、
SMは元素の周期律表のIBからVIIB及びVIII
族の金属であり、xは一般式において約0.30から
2.0であり、yは約4.5から6.0である。例示で
あり、制約の意図ではないが、一つの例示のカソード活
性材料は、その多数の相のいずれか一つである一般式A
gx V2 Oy を有する銀バナジウム酸化物、すなわち、
一般式においてx=0.35とy=5.8を有するβ−
相銀バナジウム酸化物、一般式においてx=0.80と
y=5.40を有するγ−相銀バナジウム酸化物、及び
一般式においてx=1.0とy=5.5を有するε−相
銀バナジウム酸化物、及びこれらの相の組み合わせと混
合物を含む。このようなカソード活性材料の更に詳細な
記述としては、本発明の譲受人に帰属され、ここには引
用により入れられているLiangらへの米国特許第
4,310,609号を引用する。
SMx V2 Oy を有する遷移金属酸化物である。式中、
SMは元素の周期律表のIBからVIIB及びVIII
族の金属であり、xは一般式において約0.30から
2.0であり、yは約4.5から6.0である。例示で
あり、制約の意図ではないが、一つの例示のカソード活
性材料は、その多数の相のいずれか一つである一般式A
gx V2 Oy を有する銀バナジウム酸化物、すなわち、
一般式においてx=0.35とy=5.8を有するβ−
相銀バナジウム酸化物、一般式においてx=0.80と
y=5.40を有するγ−相銀バナジウム酸化物、及び
一般式においてx=1.0とy=5.5を有するε−相
銀バナジウム酸化物、及びこれらの相の組み合わせと混
合物を含む。このようなカソード活性材料の更に詳細な
記述としては、本発明の譲受人に帰属され、ここには引
用により入れられているLiangらへの米国特許第
4,310,609号を引用する。
【0018】もう一つの好ましい複合の遷移金属酸化物
カソード活性材料は、一般式Cux Agy V2 Oz を有
する銅銀バナジウム酸化物(CSVO)である。この活
性材料はV2 Oz を含む。式中、銀(II)、銀(I)
または銀(0)の酸化状態の銀のAg2 Oと銅(I
I)、銅(I)または銅(0)の酸化状態の銅のCuO
と組み合わされ、z≦5である。このように、この複合
カソード活性材料は、金属酸化物−金属酸化物−金属酸
化物、金属−金属酸化物−金属酸化物、または金属−金
属−金属酸化物と記述されてもよく、Cux Agy V2
Oz に見られる材料組成の範囲は、好ましくは約0.0
1≦z≦6.5である。CSVOの通常の形は、zが約
5.5であるCu0.16Ag0.67V2 Oz であり、zが約
5.75であるCu0.5 Ag0.5 V2 Oz である。カソ
ード材料が空気または酸素等の酸化性雰囲気中で製造さ
れたか、あるいはアルゴン、窒素及びヘリウム等の不活
性雰囲気中で製造されたかに依って、CSVO中の酸素
の厳密な化学量論的比率は変わり得るので、この酸素含
量はzで表される。このようなカソード活性材料の更に
詳細な記述としては、本発明の譲受人に帰属され、ここ
には引用により入れられているTakeuchiらへの
米国特許第5,472,810号及びTakeuchi
らへの第5,516,340号を引用する。
カソード活性材料は、一般式Cux Agy V2 Oz を有
する銅銀バナジウム酸化物(CSVO)である。この活
性材料はV2 Oz を含む。式中、銀(II)、銀(I)
または銀(0)の酸化状態の銀のAg2 Oと銅(I
I)、銅(I)または銅(0)の酸化状態の銅のCuO
と組み合わされ、z≦5である。このように、この複合
カソード活性材料は、金属酸化物−金属酸化物−金属酸
化物、金属−金属酸化物−金属酸化物、または金属−金
属−金属酸化物と記述されてもよく、Cux Agy V2
Oz に見られる材料組成の範囲は、好ましくは約0.0
1≦z≦6.5である。CSVOの通常の形は、zが約
5.5であるCu0.16Ag0.67V2 Oz であり、zが約
5.75であるCu0.5 Ag0.5 V2 Oz である。カソ
ード材料が空気または酸素等の酸化性雰囲気中で製造さ
れたか、あるいはアルゴン、窒素及びヘリウム等の不活
性雰囲気中で製造されたかに依って、CSVO中の酸素
の厳密な化学量論的比率は変わり得るので、この酸素含
量はzで表される。このようなカソード活性材料の更に
詳細な記述としては、本発明の譲受人に帰属され、ここ
には引用により入れられているTakeuchiらへの
米国特許第5,472,810号及びTakeuchi
らへの第5,516,340号を引用する。
【0019】本発明のサンドイッチカソードデザイン
は、第1のカソード活性材料と比較して比較的高エネル
ギー密度と比較的低電流性能の第2の活性材料を更に含
む。第2の活性材料は、コークス、木炭または活性炭等
の炭素のグラファイト性及び非グラファイト性の形を含
む、好ましくは炭素とフッ素から製造される炭素性化合
物である。フッ素化炭素は式(CFx )n 、及び(C2
F)n により表される。式中、xは約0.1と1.9の
間で、好ましくは約0.5と1.2の間で変わり、nは
モノマー単位の数を指し、広く変わり得る。
は、第1のカソード活性材料と比較して比較的高エネル
ギー密度と比較的低電流性能の第2の活性材料を更に含
む。第2の活性材料は、コークス、木炭または活性炭等
の炭素のグラファイト性及び非グラファイト性の形を含
む、好ましくは炭素とフッ素から製造される炭素性化合
物である。フッ素化炭素は式(CFx )n 、及び(C2
F)n により表される。式中、xは約0.1と1.9の
間で、好ましくは約0.5と1.2の間で変わり、nは
モノマー単位の数を指し、広く変わり得る。
【0020】広い意味では、本発明の範囲によれば、第
1のカソード活性材料は、第2のカソード活性材料より
も比較的低エネルギー密度を有するが、比較的高電流性
能を有するいかなる材料であってもよいと考えられる。
銀バナジウム酸化物と銅銀バナジウム酸化物に加えて、
V2 O5 、MnO2 、LiCoO2 、LiNiO2 、L
iMn2 O4 、TiS2 、Cu2 S、FeS、FeS
2 、銅酸化物、銅バナジウム酸化物、及びこれらの混合
物は第1の活性材料として有用であり、フッ素化炭素に
加えて、Ag2 O、Ag2 O2 、CuF2 、Ag2 Cr
O4 、MnO2 及びSVOそれ自身すら、第2の活性材
料として有用である。
1のカソード活性材料は、第2のカソード活性材料より
も比較的低エネルギー密度を有するが、比較的高電流性
能を有するいかなる材料であってもよいと考えられる。
銀バナジウム酸化物と銅銀バナジウム酸化物に加えて、
V2 O5 、MnO2 、LiCoO2 、LiNiO2 、L
iMn2 O4 、TiS2 、Cu2 S、FeS、FeS
2 、銅酸化物、銅バナジウム酸化物、及びこれらの混合
物は第1の活性材料として有用であり、フッ素化炭素に
加えて、Ag2 O、Ag2 O2 、CuF2 、Ag2 Cr
O4 、MnO2 及びSVOそれ自身すら、第2の活性材
料として有用である。
【0021】本発明の電気化学セル中に入れるために二
重スクリーンサンドイッチ電極に加工する前に、上記の
ように製造された第1及び第2のカソード活性材料は、
好ましくはカソード混合物の約1から約5重量パーセン
トで存在する、粉末化フルオロポリマー、更に好ましく
は粉末化ポリテトラフルオロエチレンまたは粉末化ポリ
ビニリデンフルオライド等のバインダー材料と混合され
る。更には、電導性を改善するために、約10重量パー
セント迄の電導性希釈剤が好ましくはカソード混合物に
添加される。この目的に好適な材料は、アセチレンブラ
ック、カーボンブラック及び/またはグラファイトまた
は粉末化ニッケル、アルミニウム、チタン及びステンレ
ススチール等の金属性粉末を含む。好ましいカソード活
性混合物は、このように約3重量パーセントで存在する
粉末化フルオロポリマーバインダー、約3重量パーセン
トで存在する電導性希釈剤及び約94重量パーセントの
カソード活性材料を含む。
重スクリーンサンドイッチ電極に加工する前に、上記の
ように製造された第1及び第2のカソード活性材料は、
好ましくはカソード混合物の約1から約5重量パーセン
トで存在する、粉末化フルオロポリマー、更に好ましく
は粉末化ポリテトラフルオロエチレンまたは粉末化ポリ
ビニリデンフルオライド等のバインダー材料と混合され
る。更には、電導性を改善するために、約10重量パー
セント迄の電導性希釈剤が好ましくはカソード混合物に
添加される。この目的に好適な材料は、アセチレンブラ
ック、カーボンブラック及び/またはグラファイトまた
は粉末化ニッケル、アルミニウム、チタン及びステンレ
ススチール等の金属性粉末を含む。好ましいカソード活
性混合物は、このように約3重量パーセントで存在する
粉末化フルオロポリマーバインダー、約3重量パーセン
トで存在する電導性希釈剤及び約94重量パーセントの
カソード活性材料を含む。
【0022】本発明の電気化学セルに入れるためのカソ
ード部材は、ステンレススチール、チタン、タンタル、
白金、金、アルミニウム、コバルトニッケル合金、ニッ
ケル含有合金、モリブデンとクロムを含有する高合金化
フェライト性ステンレススチール、及びニッケル−、ク
ロム−及びモリブデン−含有合金からなる群から選ばれ
る好適な集電体の上に第1及び第2のカソード活性材料
をロール、打ち延べあるいはプレスすることにより製造
されてもよい。好ましい集電体材料は、チタンであり、
最も好ましくはチタンカソード集電体は、それに施され
たグラファイト/炭素材料、イリジウム、イリジウム酸
化物または白金の薄い層を有する。上述のように製造さ
れたカソードは、アノード材料の少なくとも一つあるい
はそれ以上のプレートと動作的に関係した一つあるいは
それ以上のプレートの形、または「ジェリーロール」に
類似した構造でアノード材料の対応するストリップと共
に巻かれたストリップの形であってよい。
ード部材は、ステンレススチール、チタン、タンタル、
白金、金、アルミニウム、コバルトニッケル合金、ニッ
ケル含有合金、モリブデンとクロムを含有する高合金化
フェライト性ステンレススチール、及びニッケル−、ク
ロム−及びモリブデン−含有合金からなる群から選ばれ
る好適な集電体の上に第1及び第2のカソード活性材料
をロール、打ち延べあるいはプレスすることにより製造
されてもよい。好ましい集電体材料は、チタンであり、
最も好ましくはチタンカソード集電体は、それに施され
たグラファイト/炭素材料、イリジウム、イリジウム酸
化物または白金の薄い層を有する。上述のように製造さ
れたカソードは、アノード材料の少なくとも一つあるい
はそれ以上のプレートと動作的に関係した一つあるいは
それ以上のプレートの形、または「ジェリーロール」に
類似した構造でアノード材料の対応するストリップと共
に巻かれたストリップの形であってよい。
【0023】内部短絡条件を防止するために、このサン
ドイッチカソードは、好適なセパレーター材料によりI
A、IIAまたはIIIB族のアノードから分離され
る。このセパレーターは電気絶縁性材料であり、セパレ
ーター材料は、また、アノード及びカソード活性材料と
化学的に非反応性であり、双方は、電解質と化学的に非
反応性であり、不溶である。加えて、セパレーター材料
は、セルの電気化学反応時に通過する電解質の流れを可
能にするのに充分な多孔性を有する。例示としてのセパ
レーター材料は、ポリビニリデンフルオライド、ポリエ
チレンテトラフルオロエチレン、及びポリエチレンクロ
ロトリフルオロエチレンを含むフルオロポリマーファイ
バーから織られた布であって、単独で使用されるもの
を、あるいはフルオロポリマー微小多孔性フィルム、不
織ガラス、ポリプロピレン、ポリエチレン、ガラスファ
イバー材料、セラミックス、ZITEX(Chempl
astInc.)の名称で市販されているポリテトラフ
ルオロエチレン膜、CELGARD(Celanese
Plastic Company、Inc.)の名称
で市販されているポリプロピレン膜、及びDEXIGL
AS(C.H.Dexter、Div.、Dexter
Corp.)の名称で市販されている膜とラミネーシ
ョンされたものを含む。
ドイッチカソードは、好適なセパレーター材料によりI
A、IIAまたはIIIB族のアノードから分離され
る。このセパレーターは電気絶縁性材料であり、セパレ
ーター材料は、また、アノード及びカソード活性材料と
化学的に非反応性であり、双方は、電解質と化学的に非
反応性であり、不溶である。加えて、セパレーター材料
は、セルの電気化学反応時に通過する電解質の流れを可
能にするのに充分な多孔性を有する。例示としてのセパ
レーター材料は、ポリビニリデンフルオライド、ポリエ
チレンテトラフルオロエチレン、及びポリエチレンクロ
ロトリフルオロエチレンを含むフルオロポリマーファイ
バーから織られた布であって、単独で使用されるもの
を、あるいはフルオロポリマー微小多孔性フィルム、不
織ガラス、ポリプロピレン、ポリエチレン、ガラスファ
イバー材料、セラミックス、ZITEX(Chempl
astInc.)の名称で市販されているポリテトラフ
ルオロエチレン膜、CELGARD(Celanese
Plastic Company、Inc.)の名称
で市販されているポリプロピレン膜、及びDEXIGL
AS(C.H.Dexter、Div.、Dexter
Corp.)の名称で市販されている膜とラミネーシ
ョンされたものを含む。
【0024】図3は、アノード電極62とセパレーター
シート66により相互に隔離されたサンドイッチカソー
ド電極64を含む、二重スクリーンサンドイッチカソー
ド電極アセンブリー60の詳細断面図を示す。アノード
電極62は、アノード集電体70の少なくとも一つの側
に接続した、リチウム等のアノード活性材料68を含
む。サンドイッチカソード電極64は、図2に示される
サンドイッチカソード電極34と同一であり、間に第1
のカソード活性材料76を有する間隔をあけたカソード
集電体72と74を含む。図2の電極のように、カソー
ド活性材料76は、比較的高エネルギー密度であるが、
比較的低電流性能のものである。第2のカソード活性材
料78は、第1のカソード活性材料76のそれと異な
り、集電体72、74の対向する側に接触する。第2の
カソード活性材料78は、比較的低エネルギー密度であ
るが、比較的高電流性能のものである。
シート66により相互に隔離されたサンドイッチカソー
ド電極64を含む、二重スクリーンサンドイッチカソー
ド電極アセンブリー60の詳細断面図を示す。アノード
電極62は、アノード集電体70の少なくとも一つの側
に接続した、リチウム等のアノード活性材料68を含
む。サンドイッチカソード電極64は、図2に示される
サンドイッチカソード電極34と同一であり、間に第1
のカソード活性材料76を有する間隔をあけたカソード
集電体72と74を含む。図2の電極のように、カソー
ド活性材料76は、比較的高エネルギー密度であるが、
比較的低電流性能のものである。第2のカソード活性材
料78は、第1のカソード活性材料76のそれと異な
り、集電体72、74の対向する側に接触する。第2の
カソード活性材料78は、比較的低エネルギー密度であ
るが、比較的高電流性能のものである。
【0025】それゆえ、一つの例示としてのサンドイッ
チカソード電極デザインは、次の配置を有する: SVO/集電体/CFx /集電体/SVO
チカソード電極デザインは、次の配置を有する: SVO/集電体/CFx /集電体/SVO
【0026】もう一つのサンドイッチカソード電極デザ
インは、次の配置を有する: SVO/集電体/SVO/CFx /SVO/集電体/S
VO
インは、次の配置を有する: SVO/集電体/SVO/CFx /SVO/集電体/S
VO
【0027】二重スクリーンサンドイッチカソード電極
アセンブリー60は、少なくとも半分の二重スクリーン
サンドイッチカソード80を更に含む。カソード80
は、その一つの側に接続した第3のカソード活性材料7
6と集電体のもう一方の側に接続した第4のカソード活
性材料78とを有する、カソード集電体82を含む。好
ましくは、第3のカソード活性材料76は、比較的高エ
ネルギー密度であるが、比較的低電流性能である一方
で、第4のカソード活性材料78は、比較的低エネルギ
ー密度であるが、比較的高電流性能である。第4のカソ
ード活性材料78は、アノード活性材料68と向き合
う。好ましくは、第1及び第3のカソード活性材料は同
一であり、第2及び第4のカソード活性材料は同一であ
る。
アセンブリー60は、少なくとも半分の二重スクリーン
サンドイッチカソード80を更に含む。カソード80
は、その一つの側に接続した第3のカソード活性材料7
6と集電体のもう一方の側に接続した第4のカソード活
性材料78とを有する、カソード集電体82を含む。好
ましくは、第3のカソード活性材料76は、比較的高エ
ネルギー密度であるが、比較的低電流性能である一方
で、第4のカソード活性材料78は、比較的低エネルギ
ー密度であるが、比較的高電流性能である。第4のカソ
ード活性材料78は、アノード活性材料68と向き合
う。好ましくは、第1及び第3のカソード活性材料は同
一であり、第2及び第4のカソード活性材料は同一であ
る。
【0028】本発明の重要な面は、低電流性能を有する
高容量材料が好ましくは高電流カソード材料(高あるい
は低容量のいずれであっても)の2つの層の間に配設さ
れるということである。言い換えれば、例示のCFx 材
料は、リチウムアノードに直接に向き合うことはない。
加えて、低電流カソード材料は、第2の例示された配置
において上記に示されたように直接接触により、あるい
は上記の第1の例示された配置におけるように集電体に
よる並列接続により、高電流材料と短絡していなければ
ならない。
高容量材料が好ましくは高電流カソード材料(高あるい
は低容量のいずれであっても)の2つの層の間に配設さ
れるということである。言い換えれば、例示のCFx 材
料は、リチウムアノードに直接に向き合うことはない。
加えて、低電流カソード材料は、第2の例示された配置
において上記に示されたように直接接触により、あるい
は上記の第1の例示された配置におけるように集電体に
よる並列接続により、高電流材料と短絡していなければ
ならない。
【0029】前述の図2に図示されたサンドイッチカソ
ード電極アセンブリーは、次の配置を有する: SVO/スクリーン/CFx /スクリーン/SVO
ード電極アセンブリーは、次の配置を有する: SVO/スクリーン/CFx /スクリーン/SVO
【0030】セル中のプレート数に依って、電極アセン
ブリー30は、nのアノード電極32とカソード電極3
4の繰り返し単位を有することができる。図2に示され
るように、n=0、1、2、3、4、5などである。こ
のセルスタックデザインにおいては、各部材に対する層
の数は次のように計算される:セパレーターの層数=2
(2n+3)、リチウム箔の層数=2(n+1)、アノ
ードスクリーンの数=n+2、SVOの層数=2(n+
1)、CFx の層数=n+1、カソードスクリーンの数
=2(n+1)。
ブリー30は、nのアノード電極32とカソード電極3
4の繰り返し単位を有することができる。図2に示され
るように、n=0、1、2、3、4、5などである。こ
のセルスタックデザインにおいては、各部材に対する層
の数は次のように計算される:セパレーターの層数=2
(2n+3)、リチウム箔の層数=2(n+1)、アノ
ードスクリーンの数=n+2、SVOの層数=2(n+
1)、CFx の層数=n+1、カソードスクリーンの数
=2(n+1)。
【0031】図2においてn=1と仮定すると、10の
セパレーター層、4つのリチウム箔層、3つのアノード
集電体スクリーン、4つのSVO層、2つのCFx 層及
び4つの集電体カソードスクリーンが存在する。
セパレーター層、4つのリチウム箔層、3つのアノード
集電体スクリーン、4つのSVO層、2つのCFx 層及
び4つの集電体カソードスクリーンが存在する。
【0032】半二重スクリーンサンドイッチカソード
は、SVO/スクリーン/CFx として定義される。言
い換えれば、半二重スクリーンサンドイッチカソード
は、完全なサンドイッチカソード電極をCFx 層の中間
で半分に切断することにより、作られたと考えることが
できる。半二重スクリーンサンドイッチカソードの詳細
断面は、前述の図3に示されている。このセルスタック
デザインにおいては、各部材に対する層数は次のように
計算される:セパレーターの層数=2(2n+3)、リ
チウム箔の層数=2(n+1)、アノードスクリーンの
数=n+1、SVOの層数=2(n+1)、CFx の層
数=n+1、カソードスクリーンの数=2(n+1)。
は、SVO/スクリーン/CFx として定義される。言
い換えれば、半二重スクリーンサンドイッチカソード
は、完全なサンドイッチカソード電極をCFx 層の中間
で半分に切断することにより、作られたと考えることが
できる。半二重スクリーンサンドイッチカソードの詳細
断面は、前述の図3に示されている。このセルスタック
デザインにおいては、各部材に対する層数は次のように
計算される:セパレーターの層数=2(2n+3)、リ
チウム箔の層数=2(n+1)、アノードスクリーンの
数=n+1、SVOの層数=2(n+1)、CFx の層
数=n+1、カソードスクリーンの数=2(n+1)。
【0033】図3においてn=1と仮定すると、10の
セパレーター層、4つのリチウム箔層、2つのアノード
集電体スクリーン、4つのSVO層、2つのCFx 層及
び4つの集電体カソードスクリーンが存在する。このよ
うに、図2に示されるサンドイッチカソード電極デザイ
ンを図3に示される二重スクリーンサンドイッチカソー
ド電極アセンブリーと比較すると、本発明の電極アセン
ブリーにおいて、アノード集電体スクリーンの層は、一
つ少ないことが明白である。電極アセンブリーの厚さは
各部材の厚さの合計なので、非活性部材層が少ない程、
活性部材の容積が多く、結果としてセルの容積容量が大
きい。それゆえ、二重スクリーンサンドイッチカソード
電極アセンブリーは、既知のものに比べてセルパッケー
ジ効率の改良を意味する。本発明の図3の電極アセンブ
リーを有するセルの容積エネルギー密度は、図2に示さ
れるようなサンドイッチカソード電極アセンブリーを有
するセルのエネルギー密度よりも高い。
セパレーター層、4つのリチウム箔層、2つのアノード
集電体スクリーン、4つのSVO層、2つのCFx 層及
び4つの集電体カソードスクリーンが存在する。このよ
うに、図2に示されるサンドイッチカソード電極デザイ
ンを図3に示される二重スクリーンサンドイッチカソー
ド電極アセンブリーと比較すると、本発明の電極アセン
ブリーにおいて、アノード集電体スクリーンの層は、一
つ少ないことが明白である。電極アセンブリーの厚さは
各部材の厚さの合計なので、非活性部材層が少ない程、
活性部材の容積が多く、結果としてセルの容積容量が大
きい。それゆえ、二重スクリーンサンドイッチカソード
電極アセンブリーは、既知のものに比べてセルパッケー
ジ効率の改良を意味する。本発明の図3の電極アセンブ
リーを有するセルの容積エネルギー密度は、図2に示さ
れるようなサンドイッチカソード電極アセンブリーを有
するセルのエネルギー密度よりも高い。
【0034】本発明の電気化学セルは、セルの電気化学
反応時にアノードとカソード電極の間にイオンを泳動さ
せるための媒体として機能する、非水性のイオン電導性
電解質を更に含む。電極での電気化学反応は、アノード
からカソードへ移動するイオンの原子あるいは分子の形
での変換を含む。このように、本発明に好適な非水性電
解質は、アノード及びカソード材料に実質的に不活性で
あり、イオン輸送に必要な物性、すなわち低粘度、低表
面張力及び濡れ性を示す。
反応時にアノードとカソード電極の間にイオンを泳動さ
せるための媒体として機能する、非水性のイオン電導性
電解質を更に含む。電極での電気化学反応は、アノード
からカソードへ移動するイオンの原子あるいは分子の形
での変換を含む。このように、本発明に好適な非水性電
解質は、アノード及びカソード材料に実質的に不活性で
あり、イオン輸送に必要な物性、すなわち低粘度、低表
面張力及び濡れ性を示す。
【0035】好適な電解質は、非水性溶剤に溶解した無
機の、イオン電導性塩を有し、更に好ましくは、この電
解質は、低粘性溶剤と高誘電率溶剤を含む非プロトン性
溶剤の混合物に溶解されたイオン化型アルカリ金属塩を
含む。無機の、イオン電導性塩は、アノードイオンが泳
動して、カソード活性材料とインターカレーションある
いは反応するビヒクルとして機能する。好ましくは、ア
ルカリ金属塩を形成するイオンは、アノードを構成する
アルカリ金属に類似している。
機の、イオン電導性塩を有し、更に好ましくは、この電
解質は、低粘性溶剤と高誘電率溶剤を含む非プロトン性
溶剤の混合物に溶解されたイオン化型アルカリ金属塩を
含む。無機の、イオン電導性塩は、アノードイオンが泳
動して、カソード活性材料とインターカレーションある
いは反応するビヒクルとして機能する。好ましくは、ア
ルカリ金属塩を形成するイオンは、アノードを構成する
アルカリ金属に類似している。
【0036】リチウムを含むアノードの場合には、電解
質のアルカリ金属塩は、リチウムをベースとする塩であ
る。アノードからカソードへのアルカリ金属イオンの輸
送のためのビヒクルとして有用である既知のリチウム塩
は、LiPF6 、LiBF4 、LiAsF6 、LiSb
F6 、LiClO4 、LiO2 、LiAlCl4 、Li
GaCl4 、LiC(SO2 CF3 )3 、LiN(SO
2 CF3 )2 、LiSCN、LiO3 SCF3 、LiC
6 F5 SO3 、LiO2 CCF3 、LiSO6 F、Li
B(C6 H5 )4 、LiCF3 SO3 、及びこれらの混
合物を含む。
質のアルカリ金属塩は、リチウムをベースとする塩であ
る。アノードからカソードへのアルカリ金属イオンの輸
送のためのビヒクルとして有用である既知のリチウム塩
は、LiPF6 、LiBF4 、LiAsF6 、LiSb
F6 、LiClO4 、LiO2 、LiAlCl4 、Li
GaCl4 、LiC(SO2 CF3 )3 、LiN(SO
2 CF3 )2 、LiSCN、LiO3 SCF3 、LiC
6 F5 SO3 、LiO2 CCF3 、LiSO6 F、Li
B(C6 H5 )4 、LiCF3 SO3 、及びこれらの混
合物を含む。
【0037】本発明に有用である低粘性溶剤は、テトラ
ヒドロフラン(THF)、メチルアセテート(MA)、
ジグリム、トリグリム、テトラグリム、ジメチルカーボ
ネート(DMC)、1,2−ジメトキシエタン(DM
E)、1,2−ジエトキシエタン(DEE)、1−エト
キシ−2−メトキシエタン(EME)、エチルメチルカ
ーボネート、メチルプロピルカーボネート、エチルプロ
ピルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピル
カーボネート、及びこれらの混合物等のエステル、線状
及び環状エーテルとジアルキルカーボネート及びプロピ
レンカーボネート(PC)、エチレンカーボネート(E
C)、ブチレンカーボネート、アセトニトリル、ジメチ
ルスルホキサイド、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド、γ−バレロラクトン、γ−ブチロラクトン
(GBL)、N−メチル−ピロリドン(NMP)及びこ
れらの混合物等の環状カーボネート、環状エステル、環
状アミド及びスルホキサイドを含む高誘電率溶剤を含
む。本発明においては、好ましいアノード活性材料はリ
チウム金属であり、好ましい電解質は、好ましい高誘電
率溶剤としてプロピレンカーボネートと好ましい低粘性
溶剤として1,2−ジメトキシエタンの50:50(容
量)混合物に溶解された0.8Mから1.5MのLiA
sF6 またはLiPF6 である。
ヒドロフラン(THF)、メチルアセテート(MA)、
ジグリム、トリグリム、テトラグリム、ジメチルカーボ
ネート(DMC)、1,2−ジメトキシエタン(DM
E)、1,2−ジエトキシエタン(DEE)、1−エト
キシ−2−メトキシエタン(EME)、エチルメチルカ
ーボネート、メチルプロピルカーボネート、エチルプロ
ピルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピル
カーボネート、及びこれらの混合物等のエステル、線状
及び環状エーテルとジアルキルカーボネート及びプロピ
レンカーボネート(PC)、エチレンカーボネート(E
C)、ブチレンカーボネート、アセトニトリル、ジメチ
ルスルホキサイド、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド、γ−バレロラクトン、γ−ブチロラクトン
(GBL)、N−メチル−ピロリドン(NMP)及びこ
れらの混合物等の環状カーボネート、環状エステル、環
状アミド及びスルホキサイドを含む高誘電率溶剤を含
む。本発明においては、好ましいアノード活性材料はリ
チウム金属であり、好ましい電解質は、好ましい高誘電
率溶剤としてプロピレンカーボネートと好ましい低粘性
溶剤として1,2−ジメトキシエタンの50:50(容
量)混合物に溶解された0.8Mから1.5MのLiA
sF6 またはLiPF6 である。
【0038】付随するクレームにより定義されるような
本発明の精神と範囲を逸脱することなくここで述べられ
た本発明の概念に対する種々の変形は、当業者には明白
であることが認識される。
本発明の精神と範囲を逸脱することなくここで述べられ
た本発明の概念に対する種々の変形は、当業者には明白
であることが認識される。
【図1】従来技術のプリズム状のプレートあるいはジェ
リーロールの電極アセンブリーを含む電気化学セルの断
面図である。
リーロールの電極アセンブリーを含む電気化学セルの断
面図である。
【図2】サンドイッチカソード電極デザインを含む電気
化学セルの断面図である。
化学セルの断面図である。
【図3】本発明の二重スクリーンサンドイッチカソード
電極デザインを含む電気化学セルの断面図である。
電極デザインを含む電気化学セルの断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01M 4/50 H01M 4/50 4/54 4/54 4/58 4/58 4/66 4/66 A 10/40 10/40 A B Fターム(参考) 5H017 AA03 AS02 CC03 EE01 EE04 EE05 EE06 5H029 AJ03 AK02 AK03 AK04 AK05 AL11 AL12 AL13 AM02 AM03 AM04 AM05 AM07 BJ04 BJ06 BJ12 HJ02 5H050 AA08 BA16 BA17 CA02 CA05 CA07 CA08 CA09 CA10 CA11 CB12 FA01 FA02 HA02
Claims (30)
- 【請求項1】 a)第1及び第2のカソード集電体の間
にサンドイッチされた、比較的高エネルギー密度である
が、比較的低電流性能である第1のカソード活性材料
と、第1のカソード活性材料に対向する第1及び第2の
カソード集電体に接触した、比較的低エネルギー密度で
あるが、比較的高電流性能である第2のカソード活性材
料とを有する第1のカソード構造と、 b)第1のアノード集電体の対向する側に接触したアル
カリ金属の第1のアノード構造であって、第1のアノー
ド構造が第1のカソード集電体に接触する第2のカソー
ド活性材料と電気的に関連した第1のアノード構造と、 c)第3のカソード集電体の一つの側に接触した、比較
的高エネルギー密度であるが、比較的低電流性能の第3
のカソード活性材料と、第3のカソード集電体のもう一
つの側に接触した、比較的低エネルギー密度であるが、
比較的高電流性能の第4のカソード活性材料とを有する
第2のカソード構造であって、第4のカソード活性材料
が第1のカソード集電体に接触する第2のカソード活性
材料と対向する第1のアノード構造と電気的に関連した
第2のカソード構造と、そして d)アノードとカソードを活性化する非水性電解質とを
含むことを特徴とする電気化学セル。 - 【請求項2】 第1及び第3のカソード活性材料がCF
x 、Ag2 O、Ag2 O 2 、CuF、Ag2 CrO4 、
MnO2 、SVO、及びこれらの混合物からなる群から
選ばれることを特徴とする請求項1に記載の電気化学セ
ル。 - 【請求項3】 第2及び第4のカソード活性材料がSV
O、CSVO、V2 O5、MnO2 、LiCoO2 、L
iNiO2 、LiMnO2 、CuO2 、TiS、Cu2
S、FeS、FeS2 、銅酸化物、銅バナジウム酸化
物、及びこれらの混合物からなる群から選ばれることを
特徴とする請求項1に記載の電気化学セル。 - 【請求項4】 第1及び第3のカソード活性材料がCF
x であり、第2及び第4のカソード活性材料がSVOで
あることを特徴とする請求項1に記載の電気化学セル。 - 【請求項5】 第1のカソード構造がSVO/集電体/
CFx /集電体/SVOの配置を有することを特徴とす
る請求項1に記載の電気化学セル。 - 【請求項6】 第2のカソード構造がCFx /集電体/
SVOの配置を有することを特徴とする請求項1に記載
の電気化学セル。 - 【請求項7】 第2のアノード集電体の対向する側に接
触したアルカリ金属の第2のアノード構造であって、第
2のアノード構造が第2のカソード集電体に接触する第
2のカソード活性材料と電気的に関連した第2のアノー
ド構造を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の電
気化学セル。 - 【請求項8】 第4のカソード集電体の一つの側に接触
した、比較的高エネルギー密度であるが、比較的低電流
性能の第5のカソード活性材料と、第4のカソード集電
体のもう一つの側に接触した、比較的低エネルギー密度
であるが、比較的高電流性能の第6のカソード活性材料
とを有する第3のカソード構造であって、第6のカソー
ド活性材料が第2のカソード集電体に接触する第2のカ
ソード活性材料と対向する第2のアノード構造と電気的
に関連した第3のカソード構造を更に含むことを特徴と
する請求項7に記載の電気化学セル。 - 【請求項9】 第1、第3及び第5のカソード活性材料
がCFx 、Ag2 O、Ag2 O2 、CuF、Ag2 Cr
O4 、MnO2 、SVO、及びこれらの混合物からなる
群から選ばれることを特徴とする請求項8に記載の電気
化学セル。 - 【請求項10】 第2、第4及び第6のカソード活性材
料がSVO、CSVO、V2 O5 、MnO2 、LiCo
O2 、LiNiO2 、LiMnO2 、CuO2 、Ti
S、Cu2 S、FeS、FeS2 、銅酸化物、銅バナジ
ウム酸化物、及びこれらの混合物からなる群から選ばれ
ることを特徴とする請求項8に記載の電気化学セル。 - 【請求項11】 第1、第3及び第5のカソード活性材
料がCFx であり、第2、第4及び第6のカソード活性
材料がSVOであることを特徴とする請求項8に記載の
電気化学セル。 - 【請求項12】 第2及び第3のカソード構造がCFx
/集電体/SVOの配置を有することを特徴とする請求
項8に記載の電気化学セル。 - 【請求項13】 カソード構造がSVO/集電体/SV
O/CFx /集電体/SVOの配置を有することを特徴
とする請求項1に記載の電気化学セル。 - 【請求項14】 第1、第2及び第3の集電体がステン
レススチール、チタン、タンタル、白金、金、アルミニ
ウム、コバルトニッケル合金、ニッケル含有合金、モリ
ブデンとクロムを含有する高合金化フェライト性ステン
レススチール、及びニッケル−、クロム−及びモリブデ
ン−含有合金からなる群から選ばれることを特徴とする
請求項1に記載の電気化学セル。 - 【請求項15】 第1、第2及び第3の集電体がグラフ
ァイト/炭素材料、イリジウム、イリジウム酸化物及び
白金からなる群から選ばれる、その上に設けられたコー
ティングを有するチタンであることを特徴とする請求項
1に記載の電気化学セル。 - 【請求項16】 アノードがリチウムであり、第1及び
第3のカソード活性材料がCFx であり、第2及び第4
のカソード活性材料がSVOであり、そして第1、第2
及び第3の集電体がチタンであることを特徴とする請求
項1に記載の電気化学セル。 - 【請求項17】 電解質がエステル、線状エーテル、環
状エーテル、ジアルキルカーボネート、及びこれらの混
合物から選ばれる第1の溶剤と、環状カーボネート、環
状エステル、環状アミド、及びこれらの混合物から選ば
れる第2の溶剤とを有することを特徴とする請求項1に
記載の電気化学セル。 - 【請求項18】 第1の溶剤がテトラヒドロフラン(T
HF)、メチルアセテート(MA)、ジグリム、トリグ
リム、テトラグリム、ジメチルカーボネート(DM
C)、1,2−ジメトキシエタン(DME)、1,2−
ジエトキシエタン(DEE)、1−エトキシ−2−メト
キシエタン(EME)、エチルメチルカーボネート、メ
チルプロピルカーボネート、エチルプロピルカーボネー
ト、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、
及びこれらの混合物からなる群から選ばれ、第2の溶剤
がプロピレンカーボネート(PC)、エチレンカーボネ
ート(EC)、ブチレンカーボネート、アセトニトリ
ル、ジメチルスルホキサイド、ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、γ−バレロラクトン、γ−ブチ
ロラクトン(GBL)、N−メチル−ピロリドン(NM
P)及びこれらの混合物からなる群から選ばれることを
特徴とする請求項17に記載の電気化学セル。 - 【請求項19】 LiPF6 、LiBF4 、LiAsF
6 、LiSbF6 、LiClO4 、LiO2 、LiAl
Cl4 、LiGaCl4 、LiC(SO2 CF3)3 、
LiN(SO2 CF3 )2 、LiSCN、LiO3 SC
F3 、LiC6 F 5 SO3 、LiO2 CCF3 、LiS
O6 F、LiB(C6 H5 )4 、LiCF 3 SO3 、及
びこれらの混合物からなる群から選ばれるリチウム塩を
含むことを特徴とする請求項1に記載の電気化学セル。 - 【請求項20】 電解質が第1の溶剤としてプロピレン
カーボネートと第2の溶剤として1、2−ジメトキシエ
タンの50:50(容量)混合物に溶解された0.8M
から1.5MのLiAsF6 またはLiPF6 であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の電気化学セル。 - 【請求項21】 アノードがリチウムであり、カソード
がSVO/集電体/Ag 2 Oの配置を有しており、SV
Oがリチウムアノードに面していることを特徴とする請
求項1に記載の電気化学セル。 - 【請求項22】 a)第1及び第2のカソード集電体の
間にサンドイッチされた、比較的高エネルギー密度であ
るが、比較的低電流性能である第1のカソード活性材料
と、第1のカソード活性材料に相対した第1及び第2の
カソード集電体に接触した、比較的低エネルギー密度で
あるが、比較的高電流性能である第2のカソード活性材
料とを有する第1のカソード構造と、 b)第1のアノード集電体の対向する側に接触したアル
カリ金属の第1のアノード構造であって、第1のアノー
ド構造が第1のカソード集電体に接触する第2のカソー
ド活性材料と電気的に関連した第1のアノード構造と、 c)第3のカソード集電体の一つの側に接触した、比較
的高エネルギー密度であるが、比較的低電流性能の第3
のカソード活性材料と、第3のカソード集電体のもう一
つの側に接触された、比較的低エネルギー密度である
が、比較的高電流性能の第4のカソード活性材料とを有
する第2のカソード構造であって、第4のカソード活性
材料が第1のカソード集電体に接触する第2のカソード
活性材料と対向する第1のアノード構造と電気的に関連
した第2のカソード構造と、 d)第2のアノード集電体の対向する側に接触したアル
カリ金属の第2のアノード構造であって、第2のアノー
ド構造が第2のカソード集電体に接触する第2のカソー
ド活性材料と電気的に関連した第2のアノード構造と、 e)第4のカソード集電体の一つの側に接触した、比較
的高エネルギー密度であるが、比較的低電流性能の第5
のカソード活性材料と、第4のカソード集電体のもう一
つの側に接触した、比較的低エネルギー密度であるが、
比較的高電流性能の第6のカソード活性材料とを有する
第3のカソード構造であって、第6のカソード活性材料
が第2のカソード集電体に接触する第2のカソード活性
材料と対向する第2のアノード構造と電気的に関連した
第3のカソード構造と、そして f)アノードとカソードを活性化する非水性電解質とを
含むことを特徴とする電気化学セル。 - 【請求項23】 第1、第3及び第5のカソード活性材
料が、CFx 、Ag2 O、Ag2 O2 、CuF、Ag2
CrO4 、MnO2 、SVO、及びこれらの混合物から
なる群から選ばれることを特徴とする請求項22に記載
の電気化学セル。 - 【請求項24】 第2、第4及び第6のカソード活性材
料がSVO、CSVO、V2 O5 、MnO2 、LiCo
O2 、LiNiO2 、LiMnO2 、CuO2 、Ti
S、Cu2 S、FeS、FeS2 、銅酸化物、銅バナジ
ウム酸化物、及びこれらの混合物からなる群から選ばれ
ることを特徴とする請求項22に記載の電気化学セル。 - 【請求項25】 a)医療器具を準備する工程、 b)電気化学セルを準備する工程であって、下記のi)
〜v): i)アルカリ金属のアノードを準備し、 ii)第1及び第2のカソード集電体の間にサンドイッ
チされた、比較的高エネルギー密度であるが、比較的低
電流性能である第1のカソード活性材料と、第1のカソ
ード活性材料に相対した第1及び第2のカソード集電体
に接触した、比較的低エネルギー密度であるが、比較的
高電流性能である第2のカソード活性材料とを有する第
1のカソード構造を準備し、 iii)第1のアノード集電体の対向する側に接触した
アルカリ金属の第1のアノード構造であって、第1のア
ノード構造が第1のカソード集電体に接触する第2のカ
ソード活性材料と電気的に関連した第1のアノード構造
を準備し、 iv)第3のカソード集電体の一つの側に接触した、比
較的高エネルギー密度であるが、比較的低電流性能の第
3のカソード活性材料を有する第2のカソード構造を準
備し、そして第3のカソード集電体のもう一つの側に接
触した、比較的低エネルギー密度であるが、比較的高電
流性能の第4のカソード活性材料を有する第2のカソー
ド構造であって、第4のカソード活性材料が第1のカソ
ード集電体に接触する第2のカソード活性材料と対向す
る第1のアノード構造と電気的に関連した第2のカソー
ド構造を準備し、そして v)アノードとカソードを非水性電解質により活性化す
る工程から成る工程、及び c)電気化学セルを医療器具に電気的に接続する工程 とを含むことを特徴とする埋め込み型医療器具に電力を
供給する方法。 - 【請求項26】 第1及び第3のカソード活性材料をC
Fx 、Ag2 O、Ag2O2 、CuF、Ag2 CrO
4 、MnO2 、SVO、及びこれらの混合物からなる群
から選ぶことを含むことを特徴とする請求項25に記載
の方法。 - 【請求項27】 第2及び第4のカソード活性材料をS
VO、CSVO、V2 O 5 、MnO2 、LiCoO2 、
LiNiO2 、LiMnO2 、CuO2 、TiS、Cu
2 S、FeS、FeS2 、銅酸化物、銅バナジウム酸化
物、及びこれらの混合物からなる群から選ぶことを含む
ことを特徴とする請求項25に記載の方法。 - 【請求項28】 アノードがリチウムであり、第1及び
第3のカソード活性材料がCFx であり、第2及び第4
のカソード活性材料がSVOであることを特徴とする請
求項25に記載の方法。 - 【請求項29】 SVO/集電体/CFx /集電体/S
VOの配置を有する第1のカソード構造を設けることを
含むことを特徴とする請求項25に記載の方法。 - 【請求項30】 CFx /集電体/SVOの配置を有す
る第2のカソード構造を設けることを含むことを特徴と
する請求項25に記載の方法。
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---|---|---|---|
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EP (1) | EP1156544A3 (ja) |
JP (1) | JP2002015725A (ja) |
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