JP2002014947A - Microcomputer - Google Patents

Microcomputer

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JP2002014947A
JP2002014947A JP2000196873A JP2000196873A JP2002014947A JP 2002014947 A JP2002014947 A JP 2002014947A JP 2000196873 A JP2000196873 A JP 2000196873A JP 2000196873 A JP2000196873 A JP 2000196873A JP 2002014947 A JP2002014947 A JP 2002014947A
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data
power supply
writing
circuit
voltage
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Hiroshi Fukuoka
浩 福岡
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely hold data at no operation by a smaller circuit scale in a 1-chip microcomputer obtained by integrating a CPU and a memory for storing data. SOLUTION: In writing operation, for example, a voltage detection circuit 14 detects that power source voltage from a power source circuit 11 drops to power interruption voltage. Then, the circuit 14 varies the level of a voltage detection signal (d) to be outputted to a writing/reading control circuit 15. Then, at the timing of the break of a data bus 17, the circuit 15 stops the output of writing control signal (c) to a ferroelectric memory 21. Thus, data in the middle of being written is prevented from being written in the memory 21 as uncertain data.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロコンピ
ュータに関するもので、特に、CPUとデータの書込み
/読出しが可能なデータ格納用のメモリとを集積してな
る、いわゆるRAM(Random Access M
emory)内蔵型の1チップマイクロコンピュータに
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a microcomputer, and more particularly, to a so-called RAM (Random Access Memory) which integrates a CPU and a data storage memory capable of writing and reading data.
emory) relates to a built-in one-chip microcomputer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、RAM内蔵型の1チップマイクロ
コンピュータにおいては、非動作時にRAMデータを保
持するために、以下のような構成がとられていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, a one-chip microcomputer with a built-in RAM has the following configuration in order to hold RAM data when not in operation.

【0003】図3は、SRAM(Static RA
M)に専用の電源電圧を供給するように構成した場合
の、1チップマイクロコンピュータの例である。
FIG. 3 shows an SRAM (Static RA).
This is an example of a one-chip microcomputer configured to supply a dedicated power supply voltage to M).

【0004】図3において、電源回路101からの電源
電圧は、電源配線102aを介して、CPU103、電
圧検出回路104、書込み/読出し制御回路105、お
よび、その他の回路106にそれぞれ供給されるように
なっている。
In FIG. 3, a power supply voltage from a power supply circuit 101 is supplied to a CPU 103, a voltage detection circuit 104, a write / read control circuit 105, and other circuits 106 via a power supply wiring 102a. Has become.

【0005】SRAM107には、上記電源回路101
とは別の、電源回路108から専用の電源電圧が、常
時、電源配線102bを介して供給されるようになって
いる。
In the SRAM 107, the power supply circuit 101 is provided.
A dedicated power supply voltage different from that of the power supply circuit 108 is always supplied via the power supply wiring 102b.

【0006】このような構成において、動作時には、電
源回路101より、SRAM107を除く各部に、通常
の動作に必要な動作電圧が供給される。また、SRAM
107には、電源回路108から、通常の動作に必要な
動作電圧が供給される。
In such a configuration, at the time of operation, the operating voltage required for normal operation is supplied from the power supply circuit 101 to each unit except the SRAM 107. Also, SRAM
The operating voltage required for normal operation is supplied to the power supply circuit 107 from the power supply circuit 108.

【0007】この状態において、CPU103より書込
み/読出し制御回路105に、書込み/読出し状態を示
すR/W状態信号aおよび書込み/読出し信号bが供給
されたとする。すると、書込み/読出し制御回路105
からの書込み/読出し制御信号cにしたがって、SRA
M107が制御される。
In this state, it is assumed that an R / W state signal a and a write / read signal b indicating a write / read state are supplied from the CPU 103 to the write / read control circuit 105. Then, the write / read control circuit 105
SRA according to write / read control signal c from
M107 is controlled.

【0008】たとえば、書込み/読出し制御回路105
に、CPU103から読出し状態を示すR状態信号
(a)および読出し信号(b)が供給される。すると、
書込み/読出し制御回路105から、読出し制御信号
(c)がSRAM107に出力される。これにより、S
RAM107内に保持されているデータのうち、上記読
出し制御信号(c)に対応するデータがデータバス10
9を介して読み出され、CPU103やその他の回路1
06に送られる。
For example, write / read control circuit 105
The CPU 103 is supplied with an R state signal (a) and a read signal (b) indicating a read state. Then
A read control signal (c) is output from the write / read control circuit 105 to the SRAM 107. Thereby, S
Of the data held in the RAM 107, data corresponding to the read control signal (c) is
9 and the CPU 103 and other circuits 1
06.

【0009】たとえば、書込み/読出し制御回路105
に、CPU103から書込み状態を示すW状態信号
(a)および書込み信号(b)が供給される。すると、
書込み/読出し制御回路105から、書込み制御信号
(c)がSRAM107に出力される。これにより、デ
ータバス109を介して、CPU103やその他の回路
106から送られるデータが、上記書込み制御信号
(c)に応じて、SRAM107内に書き込まれる。
For example, write / read control circuit 105
The CPU 103 supplies a W state signal (a) and a write signal (b) indicating a write state. Then
A write control signal (c) is output from the write / read control circuit 105 to the SRAM 107. As a result, data sent from the CPU 103 and other circuits 106 via the data bus 109 is written into the SRAM 107 in accordance with the write control signal (c).

【0010】このSRAM107内のデータは、非動作
時、つまり電源回路101からの電力の供給が断たれた
後においては、電源回路108からの電力の供給により
保持される。この場合、通常の動作電圧よりも低い、デ
ータを保持するのに必要な最低電圧(最低データ保持電
圧)のみの供給によって、データを保持することが可能
である。
The data in the SRAM 107 is held by the supply of power from the power supply circuit 108 during non-operation, that is, after the supply of power from the power supply circuit 101 is cut off. In this case, data can be held by supplying only a minimum voltage (minimum data holding voltage) necessary for holding data, which is lower than a normal operating voltage.

【0011】ところで、上記した構成の1チップマイク
ロコンピュータにおいては、たとえば図4に示すよう
に、動作時に、上記電源回路101からの電源電圧が規
定値(電源遮断電圧)にまで低下したことが検出される
と、電圧検出回路104より書込み/読出し制御回路1
05に電圧検出信号dが出力される。
In the one-chip microcomputer having the above configuration, for example, as shown in FIG. 4, during operation, it is detected that the power supply voltage from the power supply circuit 101 has dropped to a specified value (power supply cutoff voltage). Then, the write / read control circuit 1 is
At 05, a voltage detection signal d is output.

【0012】すると、電源電圧が通常の動作に最低限必
要な限界値(最低動作電圧)に達するまでの間に、書込
み/読出し制御回路105からのSRAM107への書
込み制御信号(c)の出力が停止される。これにより、
電源電圧が最低動作電圧以下となって、書込み途中のデ
ータが不定なデータとしてSRAM107内に書き込ま
れるのを防ぐことができる。
Then, the output of the write control signal (c) from the write / read control circuit 105 to the SRAM 107 until the power supply voltage reaches the minimum value (minimum operating voltage) required for normal operation. Stopped. This allows
It is possible to prevent the power supply voltage from falling below the minimum operating voltage and writing data in the middle of writing into the SRAM 107 as indefinite data.

【0013】しかしながら、このような構成の1チップ
マイクロコンピュータの場合、2系統の電源回路が必要
であるという問題があった。また、非動作時には最低限
の電力の供給によって、データを保持することが可能で
あるものの、電力の供給そのものが断たれた場合には、
SRAM107でのデータの保持ができなくなるという
欠点があった。
However, in the case of a one-chip microcomputer having such a configuration, there is a problem that two power supply circuits are required. In addition, data can be retained by supplying a minimum amount of power during non-operation, but if power supply itself is cut off,
There is a disadvantage that data cannot be held in the SRAM 107.

【0014】さらに、SRAM107以外の回路に電源
電圧を供給する電源回路101側の電源電圧変化のみに
もとづいて、SRAM107へのデータの書込みを制御
しており、SRAM107そのものに電源電圧を供給す
る電源回路108側の電源電圧変化は検出されていな
い。そのため、不定なデータがSRAM107に書き込
まれるおそれを、精度よく回避することは困難であっ
た。
Further, data writing to the SRAM 107 is controlled based only on a power supply voltage change on the power supply circuit 101 side for supplying a power supply voltage to circuits other than the SRAM 107, and a power supply circuit for supplying a power supply voltage to the SRAM 107 itself. No change in the power supply voltage on the 108 side is detected. For this reason, it has been difficult to accurately avoid the possibility of writing indefinite data to the SRAM 107.

【0015】これに対し、上記したような2系統の電源
回路を1系統に統合し、統合した電源回路からの電源電
圧が、SRAMの最低データ保持電圧以下には下がらな
いようにすることによって、1系統の電源回路により、
非動作時のSRAMでのデータの保持を可能にした構成
も開発されている。
On the other hand, by integrating the two power supply circuits as described above into a single power supply circuit and preventing the power supply voltage from the integrated power supply circuit from falling below the minimum data holding voltage of the SRAM, With one power supply circuit,
A configuration that enables data to be held in the SRAM during non-operation has also been developed.

【0016】しかし、この構成の場合、非動作時に1系
統に統合された大規模の電源回路から、SRAM以外の
各部に対しても最低データ保持電圧が常に供給されるこ
とになる。その結果、電力を無駄に消費し、不要な消費
電力が増えるという問題があった。
However, in the case of this configuration, the minimum data holding voltage is always supplied from the large-scale power supply circuit integrated into one system to each unit other than the SRAM during non-operation. As a result, there is a problem that power is wasted and unnecessary power consumption increases.

【0017】次に、図5に、上記した問題点を解決する
ために、最低データ保持電圧の供給が不要であるE2
ROM(Electrically Erasable
Programmable Read Only M
emory)を追加して、動作時にのみ1系統の電源回
路よりシステム全体に電源電圧を供給するように構成し
た場合の、1チップマイクロコンピュータの例を示す。
Next, in FIG. 5, in order to solve the problems described above, E 2 P supplied minimum data holding voltage is required
ROM (Electrically Erasable)
Programmable Read Only M
2 shows an example of a one-chip microcomputer in a case where a power supply voltage is supplied to the entire system from one power supply circuit only during operation by adding an additional memory.

【0018】図5において、電源回路101からの電源
電圧は、電源配線102を介して、CPU103、電圧
検出回路104、書込み/読出し制御回路105、その
他の回路106、SRAM107、および、E2 PRO
M201にそれぞれ供給されるようになっている。
In FIG. 5, a power supply voltage from a power supply circuit 101 is supplied to a CPU 103, a voltage detection circuit 104, a write / read control circuit 105, other circuits 106, an SRAM 107, and E 2 PRO via a power supply line 102.
M201.

【0019】このような構成においては、たとえば図6
に示すように、動作時に、上記電源回路101からの電
源電圧が電源遮断電圧にまで低下したことが検出される
と、電圧検出回路104より書込み/読出し制御回路1
05に電圧検出信号dが出力される。
In such a configuration, for example, FIG.
As shown in (1), when it is detected during operation that the power supply voltage from the power supply circuit 101 has dropped to the power supply cut-off voltage, the voltage detection circuit 104 causes the write / read control circuit 1 to operate.
At 05, a voltage detection signal d is output.

【0020】すると、書込み/読出し制御回路105か
らのSRAM107への書込み制御信号(c)の出力が
停止される。これにより、不定なデータがSRAM10
7内に書き込まれるのを防ぐことができる。
Then, the output of the write control signal (c) from the write / read control circuit 105 to the SRAM 107 is stopped. As a result, the indefinite data is stored in the SRAM 10
7 can be prevented from being written.

【0021】また、電源電圧が最低動作電圧に達するま
での間に、書込み/読出し制御回路105より、SRA
M107に対して読出し制御信号(c)が、E2 PRO
M201に対して書込み制御信号(e)が、それぞれ出
力される。これにより、SRAM107内で保持されて
いるデータが、データバス109を介して読み出され
る。そして、E2 PROM201内に書き込まれる。
In addition, before the power supply voltage reaches the minimum operating voltage, the write / read control circuit 105 controls the SRA
The read control signal (c) for M107 is changed to E 2 PRO
A write control signal (e) is output to M201. As a result, the data held in the SRAM 107 is read out via the data bus 109. Then, the data is written into the E 2 PROM 201.

【0022】このように、電源電圧が遮断などされる前
に、SRAM107で保持されているデータをE2 PR
OM201内に書き移すことにより、電力の供給を特に
必要とすることなしに、非動作時におけるデータの保持
が可能となっている。
As described above, before the power supply voltage is cut off, the data held in the SRAM 107 is transferred to the E 2 PR
By rewriting data in the OM 201, data can be retained during non-operation without requiring power supply.

【0023】しかしながら、この構成の1チップマイク
ロコンピュータの場合、電源電圧が電源遮断電圧以下に
低下してから最低動作電圧に達するまでの短い時間に、
データを書き移す必要がある。特に、SRAM107に
比べ、E2 PROM201は書込み動作に時間がかか
る。そのため、書き移すことができるデータの量には限
界があるとともに、電源遮断電圧をより高く設定する必
要が生じるため、電源電圧の低電圧化に対しては不向き
な方式である。
However, in the case of the one-chip microcomputer having this configuration, the power supply voltage is reduced from the power supply cut-off voltage to the minimum operating voltage to a short time.
You need to transfer the data. In particular, the writing operation of the E 2 PROM 201 takes longer time than the SRAM 107. Therefore, there is a limit to the amount of data that can be transferred, and it is necessary to set a higher power cutoff voltage, which is not suitable for lowering the power supply voltage.

【0024】また、E2 PROM201内に書き移され
たデータが、SRAM107で保持されていたデータで
あることを保証するのが難しい。
Further, it is difficult to guarantee that the data written in the E 2 PROM 201 is the data held in the SRAM 107.

【0025】さらに、データを保持するための2つのメ
モリが必要となるため、回路面積の点で不利であり、回
路規模が大型化するという問題があった。
Further, two memories for holding data are required, which is disadvantageous in terms of a circuit area, and there is a problem that a circuit scale is increased.

【0026】[0026]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、E2 PROMを内蔵させることによって、
電源回路を1系統に削減できるとともに、非動作時にも
電力を無駄に消費することなく、データを保持すること
が可能となるものの、E2 PROMに書き移すことがで
きるデータの量には限界があり、回路規模が大型化する
などの欠点があった。
As described above, conventionally, by incorporating an E 2 PROM,
With the power circuit can be reduced to one system without even during non-operation wastefully consumes power, although the data can be held, and limit the amount of data that can be transferred to write to the E 2 PROM is There are drawbacks such as an increase in circuit scale.

【0027】そこで、この発明は、RAM専用の電源電
圧を特に必要とすることなしに、非動作時にもデータを
確実に保持できるとともに、より小さな回路規模によっ
て容易に実現することが可能なマイクロコンピュータを
提供することを目的としている。
Therefore, the present invention provides a microcomputer which can securely hold data even when it is not operating and does not require a power supply voltage exclusively for RAM, and which can be easily realized with a smaller circuit scale. It is intended to provide.

【0028】[0028]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明のマイクロコンピュータにあっては、C
PUと、このCPUからの書込み信号にしたがってデー
タの書込みが制御される強誘電体メモリと、電源電圧の
変化を検出する電圧検出手段と、この電圧検出手段によ
って、前記電源電圧が規定値よりも低下したことが検出
された場合に、前記強誘電体メモリへのデータの書込み
を禁止する書込み制御手段とを具備したことを特徴とす
る。
In order to achieve the above-mentioned object, a microcomputer according to the present invention comprises:
PU, a ferroelectric memory in which data writing is controlled in accordance with a writing signal from the CPU, voltage detecting means for detecting a change in power supply voltage, and the voltage detecting means, whereby the power supply voltage is higher than a specified value. Writing control means for prohibiting writing of data to the ferroelectric memory when the decrease is detected.

【0029】この発明のマイクロコンピュータによれ
ば、E2 PROMを用いることなく、しかも、電源電圧
が低下または遮断された場合にも不定なデータが書き込
まれるのを防止できるようになる。これにより、回路規
模の縮小化とともに、書き込むことができるデータの量
に制限を受けたりすることなく、有効なデータだけを確
実に保持させることが可能となるものである。
According to the microcomputer of the present invention, it is possible to prevent writing of indefinite data without using an E 2 PROM and even when the power supply voltage is reduced or cut off. As a result, it is possible to hold only effective data without reducing the circuit scale and without limiting the amount of data that can be written.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0031】図1は、本発明の一実施形態にかかる、1
チップマイクロコンピュータの構成例を示すものであ
る。
FIG. 1 shows one embodiment of the present invention.
1 shows a configuration example of a chip microcomputer.

【0032】図1において、電源回路11からの電源電
圧は、電源配線12を介して、CPU13、電圧検出回
路14、書込み/読出し制御回路15、その他の回路1
6、および、データ格納用の強誘電体メモリ21にそれ
ぞれ供給されるようになっている。
In FIG. 1, a power supply voltage from a power supply circuit 11 is supplied to a CPU 13, a voltage detection circuit 14, a write / read control circuit 15, and other circuits 1 via a power supply line 12.
6 and a data storage ferroelectric memory 21 respectively.

【0033】強誘電体メモリ21は、自己分極の性質を
利用した不揮発性のメモリであり、SRAMと同様に高
速書込み動作が可能とされている。
The ferroelectric memory 21 is a nonvolatile memory utilizing the property of self-polarization, and is capable of performing a high-speed write operation like an SRAM.

【0034】このような構成において、動作時には、電
源回路11より、各部に、通常の動作に必要な動作電圧
が供給される。
In such a configuration, at the time of operation, an operating voltage required for normal operation is supplied from the power supply circuit 11 to each section.

【0035】この状態において、CPU13より書込み
/読出し制御回路15に、書込み/読出し状態を示すR
/W状態信号aおよび書込み/読出し信号bが供給され
たとする。すると、書込み/読出し制御回路15からの
書込み/読出し制御信号cにしたがって、強誘電体メモ
リ21が制御される。
In this state, the CPU 13 sends a write / read control circuit 15 to the write / read control circuit 15 with R indicating the write / read state.
Assume that / W state signal a and write / read signal b are supplied. Then, the ferroelectric memory 21 is controlled according to the write / read control signal c from the write / read control circuit 15.

【0036】たとえば、書込み/読出し制御回路15
に、CPU13から読出し状態を示すR状態信号(a)
および読出し信号(b)が供給される。すると、書込み
/読出し制御回路15から、読出し制御信号(c)が強
誘電体メモリ21に出力される。これにより、強誘電体
メモリ21内に保持されているデータのうち、上記読出
し制御信号(c)に対応するデータがデータバス17を
介して読み出され、CPU13やその他の回路16に送
られる。
For example, the write / read control circuit 15
The R state signal (a) indicating the read state from the CPU 13
And a read signal (b). Then, a read control signal (c) is output from the write / read control circuit 15 to the ferroelectric memory 21. As a result, of the data held in the ferroelectric memory 21, data corresponding to the read control signal (c) is read via the data bus 17 and sent to the CPU 13 and other circuits 16.

【0037】一方、書込み/読出し制御回路15に、C
PU13から書込み状態を示すW状態信号(a)および
書込み信号(b)が供給されたとする。すると、書込み
/読出し制御回路15から、書込み制御信号(c)が強
誘電体メモリ21に出力される。これにより、データバ
ス17を介して、CPU13やその他の回路16から送
られるデータが、上記書込み制御信号(c)に応じて、
強誘電体メモリ21内にリアルタイムで書き込まれる。
On the other hand, the write / read control circuit 15
It is assumed that the W state signal (a) and the write signal (b) indicating the write state are supplied from the PU 13. Then, the write / read control circuit 15 outputs a write control signal (c) to the ferroelectric memory 21. As a result, the data sent from the CPU 13 and the other circuits 16 via the data bus 17 changes according to the write control signal (c).
The data is written in the ferroelectric memory 21 in real time.

【0038】また、たとえば図2に示すように、動作時
に、上記電源回路11からの電源電圧が規定値(電源遮
断電圧)にまで低下したことが検出される。そして、電
圧検出回路14より、書込み/読出し制御回路15に電
圧検出信号dが出力(レベルが変化)される。
Further, as shown in FIG. 2, for example, it is detected during operation that the power supply voltage from the power supply circuit 11 has dropped to a specified value (power supply cutoff voltage). Then, the voltage detection signal d is output (the level is changed) from the voltage detection circuit 14 to the write / read control circuit 15.

【0039】すると、書込み動作時においては、電源電
圧が通常の動作に最低限必要な限界値(最低動作電圧)
に達するまでの間に、書込み/読出し制御回路15から
の、強誘電体メモリ21への書込み制御信号(c)の出
力が停止される。この場合、上記書込み制御信号(c)
は、CPU13からの書込み状態を示すW状態信号
(a)にもとづく、データバス17の動作の切れ目のタ
イミングで、その出力が停止される。これにより、電源
電圧が最低動作電圧以下となって、書込み途中のデータ
が不定なデータとして強誘電体メモリ21内に書き込ま
れるのを防ぐことができる。
Then, at the time of the write operation, the power supply voltage is set to the minimum value (minimum operating voltage) required for normal operation.
, The output of the write control signal (c) from the write / read control circuit 15 to the ferroelectric memory 21 is stopped. In this case, the write control signal (c)
Is stopped at the timing of the break of the operation of the data bus 17 based on the W state signal (a) indicating the write state from the CPU 13. As a result, it is possible to prevent the power supply voltage from dropping below the minimum operating voltage and writing data in the middle of writing into the ferroelectric memory 21 as indefinite data.

【0040】なお、図2中の最低動作電圧は各回路の動
作保証電圧と同等のものであり、たとえば、強誘電体メ
モリ21の場合だと、電源電圧を検知してパワーオン信
号を発生する内蔵の検知回路の検知レベルに相当する。
The minimum operation voltage in FIG. 2 is equivalent to the operation guarantee voltage of each circuit. For example, in the case of the ferroelectric memory 21, a power-on signal is generated by detecting a power supply voltage. This corresponds to the detection level of the built-in detection circuit.

【0041】また、上記したような電源遮断電圧は、こ
のような回路の動作保証電圧レベルにもとづいて決定さ
れており、強誘電体メモリ21への書込み制御信号
(c)の出力が停止される前に、電源電圧が最低動作電
圧に達することがないように、各回路の動作保証電圧に
対し、所定の電圧マージンを加算したレベルに設定され
ている。
The power cutoff voltage as described above is determined based on the operation guarantee voltage level of such a circuit, and the output of the write control signal (c) to the ferroelectric memory 21 is stopped. Previously, the level is set to a value obtained by adding a predetermined voltage margin to the operation guarantee voltage of each circuit so that the power supply voltage does not reach the minimum operation voltage.

【0042】このように、非動作時を含む、たとえば電
源電圧の低下時および遮断時においても、強誘電体メモ
リ21内のデータは確実に保持されるとともに、電源電
圧の再投入時に有効なデータとして利用できる。
As described above, the data in the ferroelectric memory 21 is securely retained even when the power supply voltage is lowered and cut off, for example, when the power supply voltage is turned off, including when the power supply voltage is turned off. Available as

【0043】特に、強誘電体メモリ21においては、リ
アルタイムでの高速書込み動作が可能となる。そのた
め、たとえば、自動車の燃料噴射量を調整するための補
正データを逐次更新記録したり、飛行機の交信内容を記
録したりするような場合に用いて好適である。
In particular, in the ferroelectric memory 21, a high-speed write operation can be performed in real time. Therefore, for example, it is suitable for use in the case where correction data for adjusting the fuel injection amount of an automobile is sequentially updated and recorded, or the communication content of an airplane is recorded.

【0044】上記したように、E2 PROMを用いるこ
となく、しかも、電源電圧が低下または遮断された場合
にも不定なデータが書き込まれるのを防止できるように
している。
As described above, it is possible to prevent writing of indefinite data without using an E 2 PROM and even when the power supply voltage is lowered or cut off.

【0045】すなわち、データ格納用のメモリとして、
強誘電体メモリを内蔵させるようにしている。これによ
り、専用の電源電圧を特に必要とすることなく、しか
も、1つのメモリにより、非動作時のデータの保持が可
能となる。したがって、回路規模の縮小化とともに、書
き込むことができるデータの量に著しい制限を受けたり
することなく、有効なデータを確実に保持できるように
なるものである。
That is, as a memory for storing data,
A ferroelectric memory is built in. This makes it possible to hold data during non-operation by one memory without requiring a special power supply voltage. Therefore, as the circuit scale is reduced, valid data can be reliably held without being significantly limited in the amount of data that can be written.

【0046】特に、通常の動作電圧が電源遮断電圧より
も低下したことが検出された場合には、強誘電体メモリ
へのデータの書込みを禁止するようにしているため、誤
って不定なデータが書き込まれるのを防止できるもので
ある。
In particular, when it is detected that the normal operating voltage is lower than the power cutoff voltage, the writing of data to the ferroelectric memory is prohibited, so that erroneous data is erroneously detected. It is possible to prevent writing.

【0047】その他、本願発明は、上記実施形態に限定
されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しな
い範囲で種々に変形することが可能である。さらに、上
記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示
される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより
種々の発明が抽出され得る。たとえば、実施形態に示さ
れる全構成要件からいくつかの構成要件が削除されて
も、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少
なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられて
いる効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構
成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified in an implementation stage without departing from the gist of the invention. Furthermore, the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent features. For example, even if some components are deleted from all the components shown in the embodiments, at least one of the problems described in the column of the problem to be solved by the invention can be solved and the effects described in the column of the effect of the invention can be solved. In the case where at least one of the effects described above is obtained, a configuration from which this component is deleted can be extracted as an invention.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、RAM専用の電源電圧を特に必要とすることなし
に、非動作時にもデータを確実に保持できるとともに、
より小さな回路規模によって容易に実現することが可能
なマイクロコンピュータを提供できる。
As described in detail above, according to the present invention, data can be securely retained even when the system is not operating without requiring a power supply voltage dedicated to the RAM.
A microcomputer which can be easily realized with a smaller circuit scale can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施形態にかかる、1チップマイ
クロコンピュータの概略構成を示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a one-chip microcomputer according to an embodiment of the present invention.

【図2】同じく、図1の構成における1チップマイクロ
コンピュータの動作の概要を説明するために示すタイミ
ングチャート。
FIG. 2 is a timing chart showing an outline of the operation of the one-chip microcomputer having the configuration shown in FIG. 1;

【図3】従来技術とその問題点を説明するために、SR
AMを用いて構成した場合を例に示す1チップマイクロ
コンピュータのブロック図。
FIG. 3 is a diagram illustrating a conventional technique and its problems.
FIG. 2 is a block diagram of a one-chip microcomputer showing an example of a configuration using AM.

【図4】同じく、図3の構成における1チップマイクロ
コンピュータの動作の概要を説明するために示すタイミ
ングチャート。
FIG. 4 is a timing chart for explaining an outline of the operation of the one-chip microcomputer having the configuration of FIG. 3;

【図5】従来技術とその問題点を説明するために、SR
AMとE2 PROMとを用いて構成した場合を例に示す
1チップマイクロコンピュータのブロック図。
FIG. 5 is a diagram illustrating a conventional technique and its problems.
FIG. 2 is a block diagram of a one-chip microcomputer showing an example of a configuration using an AM and an E 2 PROM.

【図6】同じく、図5の構成における1チップマイクロ
コンピュータの動作の概要を説明するために示すタイミ
ングチャート。
6 is a timing chart shown for explaining an outline of the operation of the one-chip microcomputer having the configuration shown in FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…電源回路 12…電源配線 13…CPU 14…電圧検出回路 15…書込み/読出し制御回路 16…その他の回路 17…データバス 21…強誘電体メモリ a…R/W状態信号 b…書込み/読出し信号 c…書込み/読出し制御信号 d…電圧検出信号 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Power supply circuit 12 ... Power supply wiring 13 ... CPU 14 ... Voltage detection circuit 15 ... Write / read control circuit 16 ... Other circuits 17 ... Data bus 21 ... Ferroelectric memory a ... R / W state signal b ... Write / read Signal c: Write / read control signal d: Voltage detection signal

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 CPUと、 このCPUからの書込み信号にしたがってデータの書込
みが制御される強誘電体メモリと、 電源電圧の変化を検出する電圧検出手段と、 この電圧検出手段によって、前記電源電圧が規定値より
も低下したことが検出された場合に、前記強誘電体メモ
リへのデータの書込みを禁止する書込み制御手段とを具
備したことを特徴とするマイクロコンピュータ。
1. A CPU, a ferroelectric memory in which writing of data is controlled in accordance with a writing signal from the CPU, voltage detecting means for detecting a change in power supply voltage, A writing control means for prohibiting writing of data to the ferroelectric memory when it is detected that the value of the ferroelectric memory drops below a specified value.
【請求項2】 前記書込み制御手段は、前記CPUから
の書込み状態信号にもとづく、バス動作の切れ目のタイ
ミングで、前記強誘電体メモリへのデータの書込みを禁
止することを特徴とする請求項1に記載のマイクロコン
ピュータ。
2. The writing control unit according to claim 1, wherein writing of data to said ferroelectric memory is prohibited at a timing of a bus operation break based on a writing state signal from said CPU. The microcomputer according to 1.
【請求項3】 前記書込み制御手段は、前記電源電圧が
書込み動作に最低限必要な限界値に達するまでの間に、
前記強誘電体メモリへのデータの書込みを禁止すること
を特徴とする請求項1に記載のマイクロコンピュータ。
3. The write control unit according to claim 1, wherein the power supply voltage reaches a minimum value required for a write operation.
2. The microcomputer according to claim 1, wherein writing of data to the ferroelectric memory is prohibited.
【請求項4】 前記強誘電体メモリは、前記データの書
込みがリアルタイムで制御されることを特徴とする請求
項1〜3に記載のマイクロコンピュータ。
4. The microcomputer according to claim 1, wherein the writing of the data in the ferroelectric memory is controlled in real time.
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