JP2006048304A - Microcomputer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microcomputer for holding control information showing a power supply voltage and an operating status even in a stand-by time. <P>SOLUTION: This microcomputer including a voltage step-down circuit for generating an internal power supply voltage by decreasing a power supply voltage supplied from the outside and an internal logic circuit for operating when the output voltage of the step-down circuit is supplied, which can be shifted to a stand-by status, is provided with a first area 29 in which the supply of the internal power supply voltage is interrupted in the stand-by status, a second area 23 in which the supply of the internal power supply voltage is maintained in the stand-by status and a third area 28 in which the power supply voltage supplied from the outside is supplied. The first area is provided with a control circuit 19 for outputting control information related with stand-by, and the third area is provided with a storage part 66 for fetching and storing the control information when the microcomputer is shifted to the stand-by status. Thus, it is possible to prevent the control information from being lost even in the stand-by status. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、マイクロコンピュータ、さらには外部から供給された電源電圧を降圧して内部回路に供給する降圧回路を備えたマイクロコンピュータに関する。   The present invention relates to a microcomputer and further to a microcomputer provided with a step-down circuit that steps down a power supply voltage supplied from the outside and supplies it to an internal circuit.

例えば特許文献1に記載されているように、半導体集積回路において、外部から供給される供給電圧を降圧回路で降圧し、この降圧後の電源電圧で内部回路を駆動する技術が知られている。このような半導体装置では、入出力インタフェースの電圧に合わせた単一電源電圧(たとえば3.3V)を採用しても、内部降圧を採用することにより、EMIの発生源となりやすい内部回路(コア回路)には低電圧を供給し、消費電力を低減することができる。   For example, as described in Patent Document 1, a technique is known in which, in a semiconductor integrated circuit, a supply voltage supplied from the outside is stepped down by a step-down circuit and an internal circuit is driven by a power supply voltage after the step-down. In such a semiconductor device, even if a single power supply voltage (for example, 3.3 V) matched to the voltage of the input / output interface is adopted, an internal circuit (core circuit) that is likely to be an EMI generation source by adopting an internal step-down voltage. ) Can be supplied with a low voltage to reduce power consumption.

特許文献2には、小面積化を図りつつ、高性能で低消費電力とし、アクティブ用とスタンバイ用の2つの降圧電源回路の自動電圧調整を実現した半導体集積回路装置について記載されている。これによれば、固定電圧発生回路で形成された固定電圧を、抵抗回路と第1トリミングスイッチ設定信号により制御されるスイッチとにより電圧利得が調整される増幅回路で増幅して第1基準電圧を形成し、第1制御信号により活性化される第1出力バッファにより内部回路がアクティブ状態のときの内部降圧電圧を出力し、複数のMOSFETと第2トリミングスイッチ設定信号により制御されるスイッチとにより上記MOSFETのしきい値電圧の組み合わせを調整して第2基準電圧を形成して、第2制御信号により活性化される第2出力バッファにより内部回路がスタンバイ状態のときの内部降圧電圧を出力するようにしている。   Patent Document 2 describes a semiconductor integrated circuit device that achieves high performance and low power consumption while achieving automatic voltage adjustment of two step-down power supply circuits for active and standby while reducing the area. According to this, the fixed voltage formed by the fixed voltage generation circuit is amplified by the amplifier circuit whose voltage gain is adjusted by the resistor circuit and the switch controlled by the first trimming switch setting signal, and the first reference voltage is obtained. The first output buffer that is formed and activated by the first control signal outputs the internal step-down voltage when the internal circuit is in the active state, and the plurality of MOSFETs and the switch controlled by the second trimming switch setting signal A combination of threshold voltages of MOSFETs is adjusted to form a second reference voltage, and an internal step-down voltage when the internal circuit is in a standby state is output by a second output buffer activated by a second control signal. I have to.

特許文献3には、書き込み/読み出し動作モード時においては、メモリセルアレイとその周辺回路に電源電圧を供給し、データ保持付待機モード時においては、上記メモリセルアレイには電源電圧を供給するものの、上記周辺回路への電源電圧を遮断するようにした半導体記憶装置が記載されている。   In Patent Document 3, a power supply voltage is supplied to the memory cell array and its peripheral circuits in the write / read operation mode, and a power supply voltage is supplied to the memory cell array in the data holding standby mode. A semiconductor memory device is described in which the power supply voltage to the peripheral circuit is cut off.

特開2003−318352号公報JP 2003-318352 A 特開2004−133800号公報JP 2004-133800 A 特開2000−298987号公報JP 2000-298987 A

半導体集積回路は、高電圧を印加できるトランジスタ(高耐圧MOS)によって形成されるロジックと、耐圧は低いが高速動作可能なトランジスタ(コアMOS)によって形成されるコアロジックとに分かれる。マイクロコンピュータは、中央処理装置(CPU)やその周辺回路はコアロジックとされる。これらコアロジックは、外部から供給された電源電圧Vccを降圧回路で降圧して得た内部電源電圧Vddが供給されることで動作される。一方、マイクロコンピュータに内蔵されるランダム・アクセス・メモリ(RAM)は、メモリ部と制御部とで電源電圧の制御が異なる。例えばメモリ部に供給される電源電圧はマイクロコンピュータのスタンバイ状態において遮断されない。これはメモリ部の記憶情報が失われるのを回避するためである。RAMの制御部の電源端子には内部電源電圧が供給されるが、スタンバイ状態においては遮断され、0Vにされる。また、制御部への電源供給遮断と共にRAMへのアクセス主体となるCPUへの内部電源電圧の供給も遮断されており、スタンバイ状態時には、記憶情報の保持が必要なメモリ部以外のコアロジックは電源供給遮断状態となる。上記のような動作状態に基づいた電源電圧制御はシステムコントローラで行われる。このシステムコントローラはVdd系とVcc系とにそれぞれ設けられる。ソフトウェアによってアクティブ状態やスタンバイ状態を含む動作状態の制御が行われる場合、CPUにより動作状態を示す情報を設定するためのレジスタ設定が行われる。この動作は内部電源電圧Vdd系内で閉じている。しかし、スタンバイ時にはCPU、Vdd系共に電源が遮断されるため、上記レジスタに設定された動作状態を保持することが出来ず、更にはその保持された動作状態に基づく電源電圧の制御を行うことができない。   A semiconductor integrated circuit is divided into a logic formed by a transistor (high voltage MOS) to which a high voltage can be applied and a core logic formed by a transistor (core MOS) that has a low withstand voltage but can operate at high speed. In the microcomputer, a central processing unit (CPU) and its peripheral circuits are core logic. These core logics are operated by supplying an internal power supply voltage Vdd obtained by stepping down a power supply voltage Vcc supplied from the outside by a step-down circuit. On the other hand, in a random access memory (RAM) built in the microcomputer, the control of the power supply voltage differs between the memory unit and the control unit. For example, the power supply voltage supplied to the memory unit is not cut off in the standby state of the microcomputer. This is to avoid losing information stored in the memory unit. Although the internal power supply voltage is supplied to the power supply terminal of the control unit of the RAM, it is cut off and set to 0 V in the standby state. In addition, the supply of power to the control unit is cut off and the supply of the internal power supply voltage to the CPU, which is the main access to the RAM, is also cut off. In the standby state, the core logic other than the memory unit that needs to hold stored information is turned off. The supply is cut off. The power supply voltage control based on the operation state as described above is performed by the system controller. This system controller is provided in each of the Vdd system and the Vcc system. When the operation state including the active state and the standby state is controlled by software, the CPU sets a register for setting information indicating the operation state. This operation is closed in the internal power supply voltage Vdd system. However, since both the CPU and the Vdd system are powered off during standby, the operation state set in the register cannot be maintained, and furthermore, the power supply voltage can be controlled based on the retained operation state. Can not.

本発明の目的は、ソフトウェアによって設定されるスタンバイ状態においてもそのソフトウェアスタンバイ状態の情報を保持可能なマイクロコンピュータを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a microcomputer capable of holding information on a software standby state even in a standby state set by software.

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。   The following is a brief description of an outline of typical inventions disclosed in the present application.

すなわち、外部から供給された電源電圧を降圧することで内部電源電圧を生成する降圧回路と、上記降圧回路の出力電圧が供給されることで動作する内部論理回路とを含み、通常動作状態(アクティブ状態)、スタンバイ状態を含む複数の動作状態を有し、アクティブ状態からスタンバイ状態に遷移可能なマイクロコンピュータにおいて、スタンバイ状態で上記内部電源電圧の供給が遮断される第1エリアと、スタンバイ状態で上記内部電源電圧の供給が維持される第2エリアと、上記外部から供給された電源電圧に基づいて動作可能であってスタンバイ状態時も上記外部電源供給が維持される第3エリアとを設け、上記第1エリアには、スタンバイに関する制御情報を出力する制御回路を設け、上記第3エリアには、スタンバイ状態に遷移する際に上記制御情報を取り込んで保持可能な記憶部を設ける。また、上記アクティブ状態とは上記第1、第2エリアに対し内部電源電圧が供給され、第3エリアに対し外部電源電圧が供給される状態であり、何れの回路も動作可能な状態にあるものである。更に、上記動作状態の設定方法として、外部から動作モードを指定される場合と、CPUによってソフトウェア制御で動作モードを含む上記制御情報が設定される場合とがある。   That is, it includes a step-down circuit that generates an internal power supply voltage by stepping down a power supply voltage supplied from the outside, and an internal logic circuit that operates when an output voltage of the step-down circuit is supplied, and is in a normal operation state (active State), a microcomputer having a plurality of operating states including a standby state and capable of transitioning from the active state to the standby state, the first area where the supply of the internal power supply voltage is cut off in the standby state, and the microcomputer in the standby state A second area in which the supply of the internal power supply voltage is maintained, and a third area that is operable based on the power supply voltage supplied from the outside and that maintains the external power supply in the standby state, The first area is provided with a control circuit that outputs control information related to standby, and the third area transitions to the standby state. It takes in providing the retainable storage unit the control information in that. The active state is a state in which an internal power supply voltage is supplied to the first and second areas and an external power supply voltage is supplied to the third area, and any circuit is operable. It is. Furthermore, as a method for setting the operation state, there are a case where an operation mode is designated from the outside and a case where the control information including the operation mode is set by software control by the CPU.

上記の手段によれば、スタンバイ状態であっても電源供給が遮断されない第3エリアの記憶部に、スタンバイ状態に遷移する際に上記制御情報を上記電源遮断制御が行われる第1エリアから取り込んで保持することにより、スタンバイ状態で上記制御情報を失わずに済む。このことが、スタンバイ状態であることを保持可能なマイクロコンピュータの提供を達成する。   According to the above means, the control information is fetched from the first area where the power cut-off control is performed when the storage section of the third area where the power supply is not cut off even in the standby state when transitioning to the standby state. By holding it, the control information is not lost in the standby state. This achieves the provision of a microcomputer capable of maintaining the standby state.

さらに具体的な態様としては、外部から供給された電源電圧を降圧することで内部電源電圧を生成する降圧回路と、
上記降圧回路の出力電圧が供給されることで動作する内部論理回路と、を含み、アクティブ状態からスタンバイ状態に遷移可能なマイクロコンピュータにおいて、スタンバイ状態で上記内部電源電圧の供給が遮断される第1エリアと、スタンバイ状態で上記内部電源電圧の供給が維持される第2エリアと、上記外部から供給された電源電圧を供給されスタンバイ状態であっても電源供給が遮断されない第3エリアとを設け、上記第1エリアには、スタンバイに関する制御情報を出力可能な中央処理装置と、上記スタンバイに関する制御情報を保持可能な第1フリップフロップ回路とを設け、上記第2エリアには、スタンバイ状態で上記内部電源の供給が維持されることにより内部情報を保持することが可能なRAMのメモリセル部を設け、上記第3エリアには、スタンバイ状態に遷移する際に上記第1フリップフロップ回路に保持された制御情報を取り込んで保持可能な第2フリップフロップ回路を設けることができる。
As a more specific aspect, a step-down circuit that generates an internal power supply voltage by stepping down a power supply voltage supplied from outside,
A microcomputer capable of transitioning from an active state to a standby state, wherein the supply of the internal power supply voltage is cut off in a standby state. An area, a second area in which the supply of the internal power supply voltage is maintained in the standby state, and a third area in which the power supply voltage supplied from the outside is supplied and the power supply is not interrupted even in the standby state, The first area is provided with a central processing unit capable of outputting control information relating to standby and a first flip-flop circuit capable of holding control information relating to standby, and the second area includes the internal circuit in a standby state. A RAM memory cell unit capable of holding internal information by maintaining power supply is provided. The third area can be provided with a second flip-flop circuit capable of retaining captures control information held in the first flip-flop circuit when a transition to the standby state.

このとき、上記第1エリアには、上記降圧回路を制御するためのトリミング情報を保持可能な第1トリミングレジスタと、スタンバイ時に電源電圧が供給されるモジュールの情報を保持可能な第1モジュール選択レジスタとを設け、上記第3エリアには、スタンバイ状態に遷移する際に、上記第2フリップフロップ回路の出力信号に基づいて上記第1トリミングレジスタの保持情報を取り込んで保持可能な第2トリミングレジスタと、スタンバイ状態に遷移する際に、上記第2フリップフロップ回路の出力信号に基づいて上記第1モジュール選択レジスタの保持情報を取り込んで保持可能な第2モジュール選択レジスタと設けることができる。上記制御情報の伝達の高速化を図るため、その情報を設定する主体であるCPUと情報を設定されるフリップフロップ回路、及びレジスタとを同一内部電源領域に配置し、スタンバイ状態に遷移する際に設定された情報を高速に伝達するために上記第1フリップフロップ回路と第2フリップフロップ回路、上記第1トリミングレジスタと第2トリミングレジスタ、上記第1モジュール選択レジスタと第2モジュール選択レジスタとをレベルシフタを介して専用線で結合すると良い。   At this time, the first area includes a first trimming register capable of holding trimming information for controlling the step-down circuit, and a first module selection register capable of holding information on a module to which a power supply voltage is supplied during standby. In the third area, a second trimming register capable of capturing and holding information held in the first trimming register based on an output signal of the second flip-flop circuit when transitioning to a standby state; The second module selection register that can take and hold the information held in the first module selection register on the basis of the output signal of the second flip-flop circuit when transitioning to the standby state can be provided. In order to increase the speed of transmission of the control information, when the CPU that is the main body for setting the information, the flip-flop circuit for setting the information, and the register are arranged in the same internal power supply area, and when transitioning to the standby state In order to transmit the set information at high speed, the first flip-flop circuit and the second flip-flop circuit, the first trimming register and the second trimming register, the first module selection register and the second module selection register are level shifters. It is better to connect with a dedicated line through.

上記第3エリアには、上記第2トリミングレジスタの保持情報に従って、上記第2エリアに属する回路の電源電圧をトリミング可能なトリミング回路を設けることができる。   In the third area, a trimming circuit capable of trimming the power supply voltage of the circuit belonging to the second area can be provided according to the information held in the second trimming register.

それぞれ上記トリミング回路によって出力電圧のトリミングが可能とされるレギュレータを設け、上記レギュレータによって、上記第1エリア及び第2エリアに属する回路の電源電圧を形成することができる。   Each of the trimming circuits can be provided with a regulator capable of trimming the output voltage, and the regulator can form a power supply voltage for circuits belonging to the first area and the second area.

アクティブ状態において第1レベルの第1電源電圧が供給され、スタンバイ状態において上記第1レベルよりも低いレベルの第2電源電圧が供給される第2エリアに含まれるメモリセル部と、スタンバイ状態において電源電圧供給が遮断され、アクティブ状態において上記第1レベルの第1電源電圧が供給されることで上記メモリセル部の動作を制御可能な第1エリアに含まれる制御部と、を含むRAMを設けることができる。   A memory cell portion included in a second area to which a first power supply voltage of a first level is supplied in an active state and a second power supply voltage of a level lower than the first level is supplied in a standby state; A RAM including a control unit included in a first area capable of controlling the operation of the memory cell unit when the voltage supply is cut off and the first power supply voltage of the first level is supplied in the active state. Can do.

その場合において、上記レギュレータは、上記制御部に供給される上記第1電源電圧を形成可能な第1メインレギュレータと、アクティブ時における上記メモリセル部に供給される上記第1電源電圧を形成可能な第2メインレギュレータと、スタンバイ時における上記メモリセル部に供給される上記第2電源電圧を形成可能なスタンバイレギュレータと、を設けることができる。このとき、電圧出力の衝突を避けるため、スタンバイ時には上記第2メインレギュレータの出力端子を高インピーダンス状態に制御する。   In this case, the regulator can form a first main regulator capable of forming the first power supply voltage supplied to the control unit, and the first power supply voltage supplied to the memory cell unit when active. A second main regulator and a standby regulator capable of forming the second power supply voltage supplied to the memory cell unit during standby can be provided. At this time, in order to avoid a collision of voltage outputs, the output terminal of the second main regulator is controlled to a high impedance state during standby.

上記第1トリミングレジスタ及び上記第1モジュール選択レジスタには、上記スタンバイレギュレータの出力電圧を給することができる。   The output voltage of the standby regulator can be supplied to the first trimming register and the first module selection register.

また、上記レギュレータは、上記制御部に供給される上記第1電源電圧を形成可能な第1メインレギュレータと、アクティブ時における上記メモリセル部に供給される上記第1電源電圧を形成可能な第2メインレギュレータと、スタンバイ時における上記メモリセル部に供給される上記第2電源電圧を形成可能なスタンバイレギュレータと、上記第1メインレギュレータの出力端子及びそれに短絡された上記第2メインレギュレータの出力端子と、上記スタンバイレギュレータから上記メモリセル部への電源電圧供給経路との間に配置されたスイッチとを含んで構成することができる。   The regulator may form a first main regulator capable of forming the first power supply voltage supplied to the control unit, and a second main regulator capable of forming the first power supply voltage supplied to the memory cell unit when active. A main regulator; a standby regulator capable of forming the second power supply voltage supplied to the memory cell unit during standby; an output terminal of the first main regulator; and an output terminal of the second main regulator short-circuited to the output terminal And a switch disposed between the standby regulator and the power supply voltage supply path to the memory cell portion.

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。   The effects obtained by the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、マイクロコンピュータにおいて、スタンバイ時においても動作状態を示す制御情報を保持することができる。   In other words, the microcomputer can hold control information indicating the operating state even during standby.

図1には、本発明にかかるマイクロコンピュータの全体的な構成例が示される。   FIG. 1 shows an example of the overall configuration of a microcomputer according to the present invention.

図1に示されるマイクロコンピュータ10は、特に制限されないが、PLL(フェーズ・ロックド・ループ)11、トリミング回路12、レギュレータ13、フラッシュメモリ17、BSC(バスステートコントローラ)18、CPU(中央処理装置)19、FPU(浮動小数点ユニット)20、その他のコアロジック21、RAM22、システムコントローラ25を含み、公知の半導体集積回路製造技術により単結晶シリコン基板などの一つの半導体基板に形成される。上記フラッシュメモリ17、BSC18、CPU19、FPU20は、システムバス26によって信号のやり取り可能に結合される。   The microcomputer 10 shown in FIG. 1 is not particularly limited, but includes a PLL (phase locked loop) 11, a trimming circuit 12, a regulator 13, a flash memory 17, a BSC (bus state controller) 18, and a CPU (central processing unit). 19, FPU (floating point unit) 20, other core logic 21, RAM 22, and system controller 25, which are formed on one semiconductor substrate such as a single crystal silicon substrate by a known semiconductor integrated circuit manufacturing technique. The flash memory 17, BSC 18, CPU 19, and FPU 20 are coupled by a system bus 26 so that signals can be exchanged.

PLL11は、外部端子EXTALを介して外部から入力されたクロック信号に同期したシステムクロック信号を生成する。生成されたシステムクロック信号はCPUを含む各内部回路へ供給される。レギュレータ13は、内部電源電圧Vddを生成する。トリミング回路12は、トリミング情報に基づいて上記レギュレータ13によって生成される電圧レベルの調整を可能とする。フラッシュメモリ17には、CPU19で実行されるプログラムが格納される。BSC18は、システムバスと26と周辺バス27との間に配置され、両バス間の信号の橋渡しの制御をする。CPU19は上記フラッシュメモリ17内のプログラムを実行することによって所定の演算処理を行う。FPU20は、非整数に関係する命令を実行するために用いられる。RAM22は、特に制限されないが、メモリセル部23とRAM制御部24とを含み、上記CPU19での演算処理における作業領域などとして使用される。メモリセル部23は、特に制限されないが、複数のスタティック型メモリセルがアレイ状に配列されて成る。RAM制御部24は、上記メモリセル部23の動作を制御する。システムコントローラ25は、Vcc系コントローラ14、レベルシフタ15、及びVdd系コントローラ16を含み、外部から与えられたモード信号MDや、ハードウェアスタンバイ信号/HSTBY、リセット信号RST、外部印加制御信号VDDVLDに基づいて各部の動作を制御し、更にCPUによって設定される動作状態に基づいた動作制御も可能である。Vcc系コントローラ14は、外部から供給された高電位側電源Vcc(第1電源電位、例えば3.3V)が供給される回路についての動作を制御する。Vdd系コントローラ16は、上記高電位側電源Vccを降圧することによって得られた高電位側電源Vdd(第2電源電位、例えば1.5V)が供給されることによって動作する回路についての動作を制御する。レベルシフタ15は、Vcc系コントローラ14とVdd系コントローラ16との間でやり取りされる信号のレベルシフトを行う。   The PLL 11 generates a system clock signal synchronized with a clock signal input from the outside via the external terminal EXTAL. The generated system clock signal is supplied to each internal circuit including the CPU. The regulator 13 generates an internal power supply voltage Vdd. The trimming circuit 12 can adjust the voltage level generated by the regulator 13 based on the trimming information. The flash memory 17 stores a program executed by the CPU 19. The BSC 18 is disposed between the system bus 26 and the peripheral bus 27, and controls signal bridging between the two buses. The CPU 19 performs a predetermined calculation process by executing a program in the flash memory 17. The FPU 20 is used to execute instructions related to non-integer numbers. The RAM 22 is not particularly limited, but includes a memory cell unit 23 and a RAM control unit 24, and is used as a work area in the arithmetic processing by the CPU 19. The memory cell unit 23 is not particularly limited, but is formed by arranging a plurality of static memory cells in an array. The RAM control unit 24 controls the operation of the memory cell unit 23. The system controller 25 includes a Vcc controller 14, a level shifter 15, and a Vdd controller 16, and is based on a mode signal MD, a hardware standby signal / HSTBY, a reset signal RST, and an external application control signal VDDVLD given from the outside. It is also possible to control the operation of each part, and further control the operation based on the operation state set by the CPU. The Vcc controller 14 controls the operation of a circuit to which a high potential side power supply Vcc (first power supply potential, for example, 3.3 V) supplied from the outside is supplied. The Vdd system controller 16 controls the operation of a circuit that operates by being supplied with a high potential side power supply Vdd (second power supply potential, for example, 1.5 V) obtained by stepping down the high potential side power supply Vcc. To do. The level shifter 15 performs level shift of signals exchanged between the Vcc controller 14 and the Vdd controller 16.

図2には上記マイクロコンピュータ10における電源系の詳細な構成が示される。   FIG. 2 shows a detailed configuration of the power supply system in the microcomputer 10.

マイクロコンピュータ10は、外部からの高電位側電源Vccが供給される回路(「Vcc系回路」という)28と、内部降圧された高電位側電源Vddが供給される回路(Vdd系回路)29とを含む。Vcc系回路28には、トリミング回路12、Vcc系コントローラ14、スタンバイレギュレータ13−0、メインレギュレータ13−1,13−2が含まれる。Vdd系回路29には、Vdd系コントローラ16、RAM22、フラッシュメモリ17、BSC18、CPU19、FPU20、その他のコアロジック21が含まれる。   The microcomputer 10 includes a circuit (referred to as a “Vcc system circuit”) 28 to which an external high potential side power supply Vcc is supplied, and a circuit (Vdd system circuit) 29 to which an internally lowered high potential side power supply Vdd is supplied. including. The Vcc system circuit 28 includes a trimming circuit 12, a Vcc system controller 14, a standby regulator 13-0, and main regulators 13-1 and 13-2. The Vdd system circuit 29 includes a Vdd system controller 16, RAM 22, flash memory 17, BSC 18, CPU 19, FPU 20, and other core logic 21.

Vcc系コントローラ14は、モード制御部25A、トリミング制御部25B、スタンバイ制御部25C、外部印加制御部25Dを含み、外部端子を介して高電位側電源Vcc(コア降圧前電源)が供給される。モード制御部25Aは、外部から供給されたモード制御信号MD0〜MD2に従ってモード制御を行う。トリミング制御部25Bは、Vdd系コントローラ16から伝達されたトリミング信号に基づいて電圧レベルのトリミング制御を行う。スタンバイ制御部25Cは、外部から供給されたハードウェアスタンバイ信号/HSTBY又はVdd系コントローラ16から伝達されたソフトウェアスタンバイ制御信号に基づいてスタンバイ制御を行う。外部電圧印加制御部25Dは、外部から供給された外部印加制御信号に基づいて高電位側電源Vddの印加制御を行う。また、レギュレータ13は、それぞれ出力電圧の調整が可能なスタンバイレギュレータ13−0及びメインレギュレータ13−1,13−2を含む。スタンバイレギュレータ13−0、及びメインレギュレータ13−1の出力電圧VddRAMは、メモリセル部23に供給される。メインレギュレータ13−2の出力電圧Vddは、Vdd系コントローラ16、RAM22、フラッシュメモリ17、BSC18、CPU19、FPU20、及びその他のコアロジック21に供給される。   The Vcc controller 14 includes a mode control unit 25A, a trimming control unit 25B, a standby control unit 25C, and an external application control unit 25D, and is supplied with a high potential side power supply Vcc (power before core step-down) via an external terminal. The mode control unit 25A performs mode control according to mode control signals MD0 to MD2 supplied from the outside. The trimming control unit 25B performs voltage level trimming control based on the trimming signal transmitted from the Vdd controller 16. The standby control unit 25C performs standby control based on the hardware standby signal / HSTBY supplied from the outside or the software standby control signal transmitted from the Vdd controller 16. The external voltage application control unit 25D performs application control of the high potential side power supply Vdd based on an external application control signal supplied from the outside. The regulator 13 includes a standby regulator 13-0 and main regulators 13-1 and 13-2, each of which can adjust the output voltage. The output voltage VddRAM of the standby regulator 13-0 and the main regulator 13-1 is supplied to the memory cell unit 23. The output voltage Vdd of the main regulator 13-2 is supplied to the Vdd controller 16, RAM 22, flash memory 17, BSC 18, CPU 19, FPU 20, and other core logic 21.

図3及び図4には、上記マイクロコンピュータ10の構成ブロックが電源電圧との関係で示される。   3 and 4 show the constituent blocks of the microcomputer 10 in relation to the power supply voltage.

Vcc系回路28には、マイクロコンピュータ10のアクティブ状態、スタンバイ状態にかかわらず、高電位側電源Vcc(例えば3.3V)が供給されるのに対して、Vdd系回路29においては、アクティブ状態とスタンバイ状態
とでスタンバイレギュレータ13−0及びメインレギュレータ13−1,13−2の動作がVdd系コントローラ16によって制御されることで、電源電圧の供給状態が切り換えられる。すなわち、アクティブ状態では、図3に示されるように、スタンバイレギュレータ13−0及びメインレギュレータ13−1,13−2の出力電圧が1.5Vとされ、それがVdd系回路29における各部に供給されるのに対して、スタンバイ状態では、スタンバイレギュレータ13−0の出力電圧がスタンバイ用の所定電圧VddRAM(Vddよりも低いレベル)に切り換えられ、メインレギュレータ13−1の出力端子は高インピーダンス状態(Hiz)とされ、メインレギュレータ13−2の出力電圧は0Vとされる。このようにスタンバイレギュレータ13−0の出力電圧がスタンバイ用の所定電圧VddRAM(Vddよりも低いレベル)に切り換えられ、メインレギュレータ13−1の出力端子が高インピーダンス状態(Hiz)とされることにより、スタンバイ状態におけるメモリセル部23の記憶状態が維持され、メインレギュレータ13−2の出力電圧が0Vとされることで、Vdd系コントローラ16、RAM制御部24、及びその他のコアロジック21など、上記メモリセル部23を除くVdd回路への電源電圧供給が遮断されることによって消費電力の低減が図られる。
The Vcc system circuit 28 is supplied with a high potential side power supply Vcc (eg, 3.3 V) regardless of whether the microcomputer 10 is in an active state or a standby state, whereas the Vdd system circuit 29 is in an active state. When the standby regulator 13-0 and the main regulators 13-1 and 13-2 are controlled by the Vdd controller 16 in the standby state, the supply state of the power supply voltage is switched. That is, in the active state, as shown in FIG. 3, the output voltages of the standby regulator 13-0 and the main regulators 13-1 and 13-2 are set to 1.5 V, which are supplied to each part in the Vdd system circuit 29. On the other hand, in the standby state, the output voltage of the standby regulator 13-0 is switched to a predetermined voltage VddRAM for standby (a level lower than Vdd), and the output terminal of the main regulator 13-1 is in a high impedance state (Hiz). And the output voltage of the main regulator 13-2 is 0V. As described above, the output voltage of the standby regulator 13-0 is switched to the predetermined voltage VddRAM for standby (a level lower than Vdd), and the output terminal of the main regulator 13-1 is set to the high impedance state (Hiz). The memory state of the memory cell unit 23 in the standby state is maintained, and the output voltage of the main regulator 13-2 is set to 0 V, so that the memory such as the Vdd controller 16, the RAM control unit 24, and other core logic 21 The power consumption is reduced by cutting off the power supply voltage supply to the Vdd circuit excluding the cell portion 23.

尚、スタンバイ状態でVdd系コントローラ16への電源電圧の供給が停止されることから、スタンバイ状態においてはVdd系コントローラ16による電源電圧制御が不可能になる。そこで本例では、アクティブ状態からスタンバイ状態に遷移する際にVdd系コントローラ16の制御情報をVcc系コントローラ14に伝達し、Vcc系コントローラ14によってスタンバイ時の電源電圧制御を行うようにしている。   Since the supply of the power supply voltage to the Vdd controller 16 is stopped in the standby state, the power supply voltage control by the Vdd controller 16 becomes impossible in the standby state. Therefore, in this example, control information of the Vdd controller 16 is transmitted to the Vcc controller 14 when transitioning from the active state to the standby state, and the power supply voltage control during standby is performed by the Vcc controller 14.

図5には、上記マイクロコンピュータ10における主要部のさらに詳細な構成例が示される。   FIG. 5 shows a more detailed configuration example of the main part of the microcomputer 10.

Vccコントローラ14とVdd系コントローラ16とは、互いに動作用電源電圧が異なるため、両者間でやり取りされる信号のレベルを整合させる必要がある。そのため本例では、Vccコントローラ14とVdd系コントローラ16との間に、信号レベルをシフト可能なレベルシフタ43〜46が介在され、Vcc系コントローラ14の出力信号は、レベルシフタ43〜46によりVdd系の信号レベルにシフトされてからVdd系コントローラ16に伝達される。また、Vdd系コントローラ16の出力信号は、レベルシフタ41〜46によりVcc系の信号レベルにシフトされてからVcc系コントローラ14に伝達される。   Since the Vcc controller 14 and the Vdd system controller 16 have different operating power supply voltages, it is necessary to match the levels of signals exchanged between them. Therefore, in this example, level shifters 43 to 46 capable of shifting the signal level are interposed between the Vcc controller 14 and the Vdd controller 16, and the output signal of the Vcc controller 14 is a Vdd signal by the level shifters 43 to 46. After being shifted to the level, it is transmitted to the Vdd controller 16. Further, the output signal of the Vdd controller 16 is shifted to the Vcc signal level by the level shifters 41 to 46 and then transmitted to the Vcc controller 14.

Vcc系コントローラ14は、論理ゲート67,73、フリップフロップ回路(FF)66、スタンバイ制御論理68、トリミングレジスタ69、セレクタ70、モジュール選択レジスタ(Vcc系)72を含んで成る。フリップフロップ回路66は、Vcc系コントローラ16からの信号によってセットされ、リセット信号/reset及びハードウェアスタンバイ信号/HSTBYによってリセットされる。フリップフロップ回路66の出力信号は、論理ゲート67を介してスタンバイ制御論理68や、トリミングレジスタ69に伝達される。また、外部端子から入力されたハードウェアスタンバイ信号/HSTBYは、論理ゲート(インバータ)73で論理が反転されてから論理ゲート(オア)67を介してスタンバイ制御論理68や、トリミングレジスタ69に伝達される。トリミングレジスタ69の出力信号と、Vdd系コントローラ16から伝達された信号とはセレクタ70により選択的にトリミング回路12に伝達され、このトリミング回路12を介してスタンバイレギュレータ13−0やメインレギュレータ13−1,13−2の出力電圧レベルのトリミングが行われる。   The Vcc controller 14 includes logic gates 67 and 73, a flip-flop circuit (FF) 66, standby control logic 68, a trimming register 69, a selector 70, and a module selection register (Vcc system) 72. The flip-flop circuit 66 is set by a signal from the Vcc controller 16 and is reset by a reset signal / reset and a hardware standby signal / HSTBY. The output signal of the flip-flop circuit 66 is transmitted to the standby control logic 68 and the trimming register 69 via the logic gate 67. The hardware standby signal / HSTBY input from the external terminal is transmitted to the standby control logic 68 and the trimming register 69 via the logic gate (OR) 67 after the logic is inverted by the logic gate (inverter) 73. The The output signal of the trimming register 69 and the signal transmitted from the Vdd controller 16 are selectively transmitted to the trimming circuit 12 by the selector 70, and the standby regulator 13-0 and the main regulator 13-1 are transmitted via the trimming circuit 12. , 13-2 are trimmed.

Vdd系コントローラ16は、トリミングレジスタ51,52、モジュール選択レジスタ53、フリップフロップ回路54、論理ゲート55を含んで成る。トリミングレジスタ51,52、モジュール選択レジスタ53は、周辺バス27を介してCPU19に結合され、CPU19によって設定可能とされる。フリップフロップ回路54は、CPU19によってスリープ命令が実行されてスリープ制御信号SLEEPが論理値“1”にされることでセットされ、リセット信号/resetやハードウェアスタンバイ信号/HSTBYが論理値“0”にされることでリセットされる。そして上記フリップフロップ回路54の出力信号は後段の論理ゲート55に伝達され、そこでソフトウェアスタンバイ(SSTBY)ビットとアンド論理がとられる。この論理ゲート55の出力信号はレベルシフタ44を介してトリミングレジスタ69に伝達される。トリミングレジスタ52の出力信号はレベルシフタ45を介してセレクタ70に伝達される。モジュール選択レジスタ53の出力信号はレベルシフタ46を介してモジュール選択レジスタ72に伝達される。   The Vdd system controller 16 includes trimming registers 51 and 52, a module selection register 53, a flip-flop circuit 54, and a logic gate 55. The trimming registers 51 and 52 and the module selection register 53 are coupled to the CPU 19 via the peripheral bus 27 and can be set by the CPU 19. The flip-flop circuit 54 is set when the sleep instruction is executed by the CPU 19 and the sleep control signal SLEEP is set to the logical value “1”, and the reset signal / reset and the hardware standby signal / HSTBY are set to the logical value “0”. Will be reset. Then, the output signal of the flip-flop circuit 54 is transmitted to the logic gate 55 in the subsequent stage, where the software standby (SSTBY) bit and the AND logic are taken. The output signal of the logic gate 55 is transmitted to the trimming register 69 via the level shifter 44. The output signal of the trimming register 52 is transmitted to the selector 70 via the level shifter 45. The output signal of the module selection register 53 is transmitted to the module selection register 72 via the level shifter 46.

また、本例においてRAM22は、3個のRAM22−1,22−2,22−3を含む。この3個のRAM22−1,22−2,22−3には、個別的に電源電圧の供給を可能とするため、それぞれ対応するスイッチSW1,SW2,SW3を介してスタンバイレギュレータ13−0,13−1の出力電圧が供給されるようになっている。上記スイッチSW1,SW2,SW3は上記モジュール選択レジスタ72の出力信号によって動作制御される。   In this example, the RAM 22 includes three RAMs 22-1, 22-2, and 22-3. The three RAMs 22-1, 22-2, and 22-3 can be individually supplied with a power supply voltage, so that the standby regulators 13-0, 13 are respectively connected via the corresponding switches SW1, SW2, and SW3. -1 output voltage is supplied. The switches SW1, SW2 and SW3 are controlled in operation by the output signal of the module selection register 72.

上記構成の作用を説明する。   The operation of the above configuration will be described.

ソフトウェアスタンバイ状態には、SSTBYビット56を“1”にセットし、CPU19においてスリープ命令が実行された場合にそれをトリガとしてスタンバイ状態に遷移する。スタンバイ状態では消費電力低減のため、メモリセル部22−1,22−2,22−3を除いて高電位側電源Vddの供給が遮断される。ソフトウェアスタンバイ状態であることを決定している信号は、電源が遮断される部分に存在する。そこで本例では、ソフトウェアスタンバイ状態であることを決定している信号を以下の手順に従ってVcc系回路28に保持するようにしている。   In the software standby state, the SSTBY bit 56 is set to “1”, and when the CPU 19 executes a sleep instruction, the CPU 19 makes a transition to the standby state as a trigger. In the standby state, in order to reduce power consumption, the supply of the high potential side power supply Vdd is cut off except for the memory cell units 22-1, 22-2 and 22-3. The signal determining that the software standby state is present exists in the portion where the power is cut off. Therefore, in this example, a signal that is determined to be in the software standby state is held in the Vcc circuit 28 according to the following procedure.

CPU19によってSSTBYビット56が論理値“1”に設定され、また、CPU19によってスタンバイ時のトリミング情報がトリミングレジスタ51に設定され、スタンバイ時に電源電圧が供給されるモジュールの情報がモジュール選択レジスタ53に設定されているものとする。この状態で、CPU19によってスリープ命令が実行されると、CPU19によりスリープ制御信号SLEEPが論理値“1”にされ、それがフリップフロップ回路54にセットされる。そしてこのフリップフロップ回路54の出力信号は、論理ゲート55を介してレベルシフタ43に伝達され、そこでレベルシフトされた後にVcc系コントローラ14内のフリップフロップ回路66に伝達されてそこにセットされる。このようにVddコントローラ16内のフリップフロップ回路54のセット情報がVcc系コントローラ14内のフリップフロップ回路66に伝達されてセットされることから、スタンバイによりVdd系回路29への電源電圧供給が遮断されることでVdd系コントローラ16側の信号が論理不定になった場合でも、上記スリープ制御信号SLEEPの情報を失わずに済む。また、Vcc系コントローラ14内のフリップフロップ回路66がセットされた場合の出力信号に基づいてトリミングレジスタ69及びモジュール選択レジスタ72が書き込み状態とされ、Vcc系コントローラ回路16内のトリミングレジスタ51の保持情報、モジュール選択レジスタ53の保持情報が、それぞれ対応するレベルシフタ44,46を介してVcc系コントローラ14内のトリミングレジスタ69、モジュール選択レジスタ72に伝達されて書き込まれる。   The CPU 19 sets the SSTBY bit 56 to the logical value “1”, and the CPU 19 sets the trimming information at the standby time in the trimming register 51, and sets the information on the module to which the power supply voltage is supplied at the standby time in the module selection register 53. It is assumed that When a sleep command is executed by the CPU 19 in this state, the sleep control signal SLEEP is set to a logical value “1” by the CPU 19 and is set in the flip-flop circuit 54. The output signal of the flip-flop circuit 54 is transmitted to the level shifter 43 through the logic gate 55, and after being level-shifted there, is transmitted to the flip-flop circuit 66 in the Vcc controller 14 and set therein. As described above, the set information of the flip-flop circuit 54 in the Vdd controller 16 is transmitted and set to the flip-flop circuit 66 in the Vcc controller 14, so that the power supply voltage supply to the Vdd system circuit 29 is cut off by standby. Thus, even when the signal on the Vdd controller 16 side becomes logic indefinite, the information of the sleep control signal SLEEP is not lost. Further, the trimming register 69 and the module selection register 72 are written based on the output signal when the flip-flop circuit 66 in the Vcc-related controller 14 is set, and the information held in the trimming register 51 in the Vcc-related controller circuit 16 is set. The information held in the module selection register 53 is transmitted and written to the trimming register 69 and the module selection register 72 in the Vcc controller 14 via the corresponding level shifters 44 and 46, respectively.

次に、Vcc系コントローラ14内のトリミングレジスタ69の出力信号は、セレクタ70を介してトリミング回路12に伝達され、さらにスタンバイレギュレータ13−0、及びメインレギュレータ13−1、13−2に伝達される。スタンバイにおいては、スタンバイレギュレータ13−0の出力電圧は、スタンバイ時のトリミングで決定された電圧レベルに設定され、メインレギュレータ13−1の出力端子は高インピーダンス(Hiz)に制御され、メインレギュレータ13−2の出力電圧は0Vにされる。上記スタンバイ時のトリミングで決定された電圧レベルは、高電位側電源Vddが1.5Vの場合に、それよりも若干低めの値とされる。この値が低すぎると、RAM22−1,22−2,22−3におけるメモリセル部において記憶情報にエラーを生ずることが考えるので、それを考慮して可能な限り低いレベルとなるように設定される。   Next, the output signal of the trimming register 69 in the Vcc controller 14 is transmitted to the trimming circuit 12 via the selector 70 and further transmitted to the standby regulator 13-0 and the main regulators 13-1 and 13-2. . In standby, the output voltage of the standby regulator 13-0 is set to the voltage level determined by the trimming during standby, the output terminal of the main regulator 13-1 is controlled to high impedance (Hiz), and the main regulator 13- The output voltage of 2 is set to 0V. The voltage level determined by the trimming during standby is set to a value slightly lower than that when the high-potential-side power supply Vdd is 1.5V. If this value is too low, it is considered that an error occurs in the stored information in the memory cell portion of the RAM 22-1, 22-2, 22-3, so that it is set to be as low as possible in view of this. The

上記メインレギュレータ13−2の出力電圧が0Vにされることで、Vdd系コントローラ16における電源電圧供給が遮断されるため、Vddコントローラ16におけるスタンバイ状態であることを決定する信号、例えばトリミングレジスタ51の出力論理やモジュール選択レジスタ53の出力論理は不定とされる。Vdd系コントローラ16におけるスタンバイ状態であることを決定する信号が不定になっている間、電源検出信号によりレベルシフタ43の出力論理を論理値“0”固定することで、論理不定の伝播、貫通電流がながれることを防止している。スタンバイレギュレータ69の出力電圧はトリミングデータに依存するが、このトリミングデータもスタンバイ状態に遷移されるタイミングでVcc系コントローラ14内の所定レジスタに転送されて保持されるため、アクティブ状態において、トリミングレジスタ51内に所望のスタンバイ電圧レベルを設定しておくことにより、スタンバイ時に所望レベルのスタンバイ電圧を形成することができる。また、電源供給を行うモジュールをモジュール選択レジスタ53に設定することにより、スタンバイ中に所望のRAMにおけるメモリセル部のみのデータ保持が可能とされる。   When the output voltage of the main regulator 13-2 is set to 0V, the power supply voltage supply in the Vdd controller 16 is cut off, so that a signal for determining that the Vdd controller 16 is in a standby state, for example, the trimming register 51 The output logic and the output logic of the module selection register 53 are undefined. While the signal for determining that the Vdd controller 16 is in the standby state is indefinite, the output logic of the level shifter 43 is fixed to the logical value “0” by the power supply detection signal. It is prevented from flowing. Although the output voltage of the standby regulator 69 depends on the trimming data, the trimming data is also transferred to and held in a predetermined register in the Vcc controller 14 at the timing of transition to the standby state. By setting a desired standby voltage level inside, a standby voltage of a desired level can be formed during standby. Further, by setting a module for supplying power in the module selection register 53, it is possible to hold data only in a memory cell portion in a desired RAM during standby.

トリミングレジスタ51,52に設定されるトリミング情報の初期値はフラッシュメモリ17に記憶されているため、フラッシュメモリ17内のトリミング情報を変更することによってトリミング情報の初期値を変更することができる。   Since the initial value of the trimming information set in the trimming registers 51 and 52 is stored in the flash memory 17, the initial value of the trimming information can be changed by changing the trimming information in the flash memory 17.

図6には上記スタンバイ遷移のタイミングが示される。   FIG. 6 shows the timing of the standby transition.

Vdd系コントローラ16のスタンバイ信号は、レベルシフタを介してVcc系コントローラ14に伝播され、対応するレジスタにラッチされる。その変化をトリガとしてVdd系のトリミングデータがVcc系コントローラ14における所定レジスタにラッチされることで電源の遷移が開始されるため、このタイミングを守ることで高電位側電源Vddが遮断される直前のデータをVcc系コントローラ14における所定のレジスタへのラッチを的確に行うことができる。   The standby signal of the Vdd controller 16 is propagated to the Vcc controller 14 via the level shifter and latched in the corresponding register. Since the change causes the Vdd trimming data to be latched in a predetermined register in the Vcc controller 14, the power supply transition starts. Therefore, by keeping this timing, the high potential side power supply Vdd immediately before being cut off can be obtained. Data can be accurately latched into a predetermined register in the Vcc controller 14.

図7乃至図9には、上記マイクロコンピュータ10における主要部の別の構成例が示される。   7 to 9 show other configuration examples of the main part of the microcomputer 10.

図7に示されるのが、図5に示されるのと大きく相違するのは、このマイクロコンピュータ10のリセット処理において、フラッシュメモリ17に記憶されているトリミング情報が、レベルシフタ44を介してトリミングレジスタ69に転送されるようになっている点である。かかる構成によれば、スタンバイの直前にVdd系コントローラ16内のトリミングレジスタ51からVcc系コントローラ14内のトリミングレジスタ69にトリミング情報を転送する必要がないため、図5に示される構成に比べると、スタンバイの直前におけるVdd系コントローラ16での制御が容易になる。また、図5におけるVdd系コントローラ16内のトリミングレジスタ51に相当するものを省略することができるので、その分ハードウェアの規模を小さくすることができる。   7 is greatly different from that shown in FIG. 5 in that the trimming information stored in the flash memory 17 is reset via the level shifter 44 in the reset process of the microcomputer 10. It is a point that is transferred to. According to such a configuration, it is not necessary to transfer trimming information from the trimming register 51 in the Vdd-related controller 16 to the trimming register 69 in the Vcc-related controller 14 immediately before standby, so that compared to the configuration shown in FIG. Control by the Vdd controller 16 immediately before standby becomes easy. Further, since the one corresponding to the trimming register 51 in the Vdd controller 16 in FIG. 5 can be omitted, the scale of hardware can be reduced accordingly.

図8に示されるのが図5に示されるのと大きく相違するのは、RAM22−1,22−2,22−3におけるメモリセル部に供給される電源電圧VddRAMが、トリミングレジスタ51及びモジュール選択レジスタ53にそれらの動作用電源電圧として供給されている点である。第2エリアは上記RAMのメモリセル部23に加え、トリミングレジスタ51及びモジュール選択レジスタ53が含まれる。かかる構成によれば、Vdd系コントローラ16内にトリミングレジスタ51やモジュール選択レジスタ53を設ける必要が無いため、Vdd系コントローラ16内の制御が容易になる。   8 is greatly different from that shown in FIG. 5 in that the power supply voltage VddRAM supplied to the memory cell portion in the RAMs 22-1, 22-2, and 22-3 is the trimming register 51 and the module selection. The point is that the operation power supply voltage is supplied to the register 53. The second area includes a trimming register 51 and a module selection register 53 in addition to the memory cell portion 23 of the RAM. According to such a configuration, since it is not necessary to provide the trimming register 51 and the module selection register 53 in the Vdd controller 16, the control in the Vdd controller 16 is facilitated.

図9に示されるのが図5に示されるのと大きく相違するのは、メインレギュレータ13−1,13−2の出力端子が短絡され、このメインレギュレータ13−1,13−2の出力端子と、スタンバイレギュレータ13−0の出力電圧伝達経路との間にスイッチSW4が設けられている点である。スタンバイ制御論理68は、高電位側電源Vddの電圧レベルの検出機能を有し、このVdd検出結果に基づいてスイッチSW4の動作制御を行う。スタンバイ時おいて、メインレギュレータ13−1,13−2の出力電圧は0Vになり、スタンバイレギュレータ13−0の出力電圧はトリミングにより決定された値とされるため、スイッチSW4をオフすることによって、メインレギュレータ13−1,13−2の出力端子と、スタンバイレギュレータ13−0の出力電圧伝達経路との短絡が回避されるようになっている。かかる構成によれば、メインレギュレータ13−1,13−2が共通の電源で接続されるため、レギュレータの制御が容易になる。   9 is greatly different from that shown in FIG. 5 in that the output terminals of the main regulators 13-1 and 13-2 are short-circuited, and the output terminals of the main regulators 13-1 and 13-2 are short-circuited. The switch SW4 is provided between the standby regulator 13-0 and the output voltage transmission path. The standby control logic 68 has a function of detecting the voltage level of the high-potential side power supply Vdd, and controls the operation of the switch SW4 based on the Vdd detection result. In standby mode, the output voltages of the main regulators 13-1 and 13-2 become 0V, and the output voltage of the standby regulator 13-0 is set to a value determined by trimming. Therefore, by turning off the switch SW4, A short circuit between the output terminals of the main regulators 13-1 and 13-2 and the output voltage transmission path of the standby regulator 13-0 is avoided. According to such a configuration, since the main regulators 13-1 and 13-2 are connected by a common power source, the regulator can be easily controlled.

図10には上記スイッチSW4の動作タイミングが示される。   FIG. 10 shows the operation timing of the switch SW4.

アクティブ状態からスタンバイ状態へ遷移される場合、スタンバイ信号がアサートされると、それより電源電圧が0Vに近づく、ある電位で電源電圧検出結果がローレベルとなる。スタンバイ状態からアクティブ状態に遷移する場合にスタンバイ信号がネゲートされると、それにより電源電圧が1.5Vに上昇される。このとき、ある電圧で電源電圧検出結果がハイレベルに変化する。アクティブ状態からスタンバイ状態へ遷移する場合、RAM22−1,22−2,22−3におけるメモリセル部の電源電圧が保持される必要があるので、電源電圧が低下される前にスタンバイ制御論理68によってスイッチSW4がオフされる。逆に、スタンバイ状態からアクティブ状態へ遷移される場合には、電源電圧検出結果によってスイッチSW4がオンされる。   In the transition from the active state to the standby state, when the standby signal is asserted, the power supply voltage detection result becomes a low level at a certain potential from which the power supply voltage approaches 0V. If the standby signal is negated when transitioning from the standby state to the active state, the power supply voltage is raised to 1.5V. At this time, the power supply voltage detection result changes to a high level at a certain voltage. When transitioning from the active state to the standby state, it is necessary to hold the power supply voltage of the memory cell portion in the RAMs 22-1, 22-2, and 22-3, so that the standby control logic 68 before the power supply voltage is lowered. The switch SW4 is turned off. On the contrary, when the standby state is changed to the active state, the switch SW4 is turned on according to the power supply voltage detection result.

以上本発明者によってなされた発明を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described above, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that various changes can be made without departing from the scope of the invention.

本発明にかかるマイクロコンピュータの全体的な構成例ブロック図である。1 is a block diagram illustrating an example of the overall configuration of a microcomputer according to the present invention. 上記マイクロコンピュータにおける電源系の詳細な構成例ブロック図である。It is a block diagram of a detailed configuration example of a power supply system in the microcomputer. 上記マイクロコンピュータのアクティブ状態における電源電圧供給状態の説明図である。It is explanatory drawing of the power supply voltage supply state in the active state of the said microcomputer. 上記マイクロコンピュータのスタンバイ状態における電源電圧供給状態の説明図である。It is explanatory drawing of the power supply voltage supply state in the standby state of the said microcomputer. 上記マイクロコンピュータにおける主要部のさらに詳細な構成例ブロック図である。It is a block diagram of a more detailed configuration example of the main part in the microcomputer. 図5に示される構成における主要部の動作タイミング図である。FIG. 6 is an operation timing chart of the main part in the configuration shown in FIG. 5. 上記マイクロコンピュータにおける主要部の別の構成例ブロック図である。It is another example of a block diagram of the principal part in the said microcomputer. 上記マイクロコンピュータにおける主要部の別の構成例ブロック図である。It is another example of a block diagram of the principal part in the said microcomputer. 上記マイクロコンピュータにおける主要部の別の構成例ブロック図である。It is another example of a block diagram of the principal part in the said microcomputer. 図9に示される構成における主要部の動作タイミング図である。FIG. 10 is an operation timing chart of the main part in the configuration shown in FIG. 9.

符号の説明Explanation of symbols

10 マイクロコンピュータ
11 PLL
12 トリミング回路
13 レギュレータ
13−0 スタンバイレギュレータ
13−1,13−2 メインレギュレータ
14 Vcc系コントローラ
15,41〜46 レベルシフタ
16 Vddコントローラ
17 フラッシュメモリ
18 BSC
19 CPU
20 FPU
21 その他のコアロジック
22 RAM
23 メモリセル部
24 RAM制御部
25 システムコントローラ
10 Microcomputer 11 PLL
12 Trimming Circuit 13 Regulator 13-0 Standby Regulator 13-1, 13-2 Main Regulator 14 Vcc Controller 15, 41-46 Level Shifter 16 Vdd Controller 17 Flash Memory 18 BSC
19 CPU
20 FPU
21 Other core logic 22 RAM
23 memory cell unit 24 RAM control unit 25 system controller

Claims (12)

外部から供給された電源電圧を降圧することで内部電源電圧を生成する降圧回路と、
上記降圧回路の出力電圧が供給されることで動作する内部論理回路と、を含み、
アクティブ状態からスタンバイ状態に遷移可能なマイクロコンピュータであって、
上記内部論理回路は、スタンバイ状態で上記内部電源電圧の供給が遮断される第1エリアと、
スタンバイ状態で上記内部電源電圧の供給が維持される第2エリアと、
上記外部から供給された電源電圧が供給される第3エリアとを含み、
上記第1エリアには、スタンバイ状態に関する制御情報を出力する制御回路が設けられ、
上記第3エリアには、スタンバイ状態に遷移する際に上記制御情報を取り込んで保持可能な記憶部が設けられて成るマイクロコンピュータ。
A step-down circuit that generates an internal power supply voltage by stepping down a power supply voltage supplied from outside;
An internal logic circuit that operates by being supplied with the output voltage of the step-down circuit,
A microcomputer capable of transitioning from an active state to a standby state,
The internal logic circuit includes a first area in which supply of the internal power supply voltage is interrupted in a standby state;
A second area in which the supply of the internal power supply voltage is maintained in a standby state;
A third area to which the power supply voltage supplied from the outside is supplied,
The first area is provided with a control circuit that outputs control information related to the standby state.
The microcomputer in which said 3rd area is provided with the memory | storage part which can take in and hold | maintain the said control information when changing to a standby state.
上記第3エリアは、上記スタンバイ状態で、上記外部からの電源電圧供給が維持される請求項1記載のマイクロコンピュータ。 The microcomputer according to claim 1, wherein the third area is maintained in the standby state and the external power supply voltage supply is maintained. 外部から供給された電源電圧を降圧することで内部電源電圧を生成する降圧回路と、
上記降圧回路の出力電圧が供給されることで動作する内部論理回路と、を含み、
アクティブ状態からスタンバイ状態に遷移可能なマイクロコンピュータであって、
スタンバイ状態で上記内部電源電圧の供給が遮断される第1エリアと、
スタンバイ状態で上記内部電源電圧の供給が維持される第2エリアと、
上記外部から供給された電源電圧が供給される第3エリアとを含み、
上記内部論理回路は上記第1エリアと第2エリアとを含み、
上記第1エリアには、スタンバイに関する制御情報を出力可能な中央処理装置と、上記スタンバイに関する制御情報を保持可能な第1フリップフロップ回路と、が設けられ、
上記第3エリアには、スタンバイ状態に遷移する際に上記第1フリップフロップ回路に格納された制御情報を取り込んで保持可能な第2フリップフロップ回路が設けられて成るマイクロコンピュータ。
A step-down circuit that generates an internal power supply voltage by stepping down a power supply voltage supplied from outside;
An internal logic circuit that operates by being supplied with the output voltage of the step-down circuit,
A microcomputer capable of transitioning from an active state to a standby state,
A first area in which the supply of the internal power supply voltage is cut off in a standby state;
A second area in which the supply of the internal power supply voltage is maintained in a standby state;
A third area to which the power supply voltage supplied from the outside is supplied,
The internal logic circuit includes the first area and the second area,
The first area is provided with a central processing unit capable of outputting control information relating to standby and a first flip-flop circuit capable of holding control information relating to standby,
The microcomputer in which said 3rd area is provided with the 2nd flip-flop circuit which can take in and hold the control information stored in said 1st flip-flop circuit at the time of changing to a standby state.
上記第1エリアには、更に上記降圧回路に対するトリミング情報を保持可能な第1トリミングレジスタが設けられ、
上記第3エリアには、スタンバイ状態に遷移する際に上記第2フリップフロップ回路の出力信号に基づいて上記第1トリミングレジスタの保持情報を取り込んで保持可能な第2トリミングレジスタが設けられた請求項3記載のマイクロコンピュータ。
The first area is further provided with a first trimming register capable of holding trimming information for the step-down circuit,
The second trimming register is provided in the third area, which is capable of taking in and holding information held in the first trimming register based on an output signal of the second flip-flop circuit when transiting to a standby state. 3. The microcomputer according to 3.
上記第1エリアには、更にスタンバイ状態時に内部電源電圧が供給されるモジュールの情報を保持可能な第1モジュール選択レジスタが設けられ、
上記第3エリアには、スタンバイ状態に遷移する際に上記第2フリップフロップ回路の出力信号に基づいて上記第1モジュール選択レジスタの保持情報を取り込んで保持可能な第2モジュール選択レジスタが設けられた請求項4記載のマイクロコンピュータ。
The first area is further provided with a first module selection register capable of holding information on a module to which the internal power supply voltage is supplied in the standby state.
The third area is provided with a second module selection register capable of capturing and holding information held in the first module selection register based on an output signal of the second flip-flop circuit when transitioning to a standby state. The microcomputer according to claim 4.
上記内部電源電圧で動作される第1フリップフロップ回路と、上記外部から供給される電源電圧で動作される第2フリップフロップ回路とは上記制御情報の伝達を可能とする専用線で互いに結合されて成る請求項3記載のマイクロコンピュータ。 The first flip-flop circuit operated by the internal power supply voltage and the second flip-flop circuit operated by the external power supply voltage are coupled to each other by a dedicated line that enables transmission of the control information. 4. The microcomputer according to claim 3. 上記第3エリアは、上記第2トリミングレジスタの保持情報に従って、上記第2エリアに属する回路へ供給するための内部電源電圧をトリミング可能なトリミング回路を含む請求項6記載のマイクロコンピュータ。 7. The microcomputer according to claim 6, wherein the third area includes a trimming circuit capable of trimming an internal power supply voltage to be supplied to a circuit belonging to the second area according to information held in the second trimming register. それぞれ上記トリミング回路によって出力電圧のトリミングが可能とされるレギュレータを含み、上記レギュレータは外部から供給される電源電圧に基づいて動作可能で、上記レギュレータによって、上記第1エリアに属する内部回路の電源電圧が形成される請求項7記載のマイクロコンピュータ。 Each regulator includes a regulator capable of trimming an output voltage by the trimming circuit, the regulator is operable based on a power supply voltage supplied from the outside, and the power supply voltage of the internal circuit belonging to the first area is regulated by the regulator. 8. The microcomputer according to claim 7, wherein: アクティブ状態において第1レベルの第1電源電圧が供給され、スタンバイ状態において上記第1レベルよりも低いレベルの第2電源電圧が供給されるメモリセル部と、
スタンバイ状態において電源電圧供給が遮断され、アクティブ状態において上記第1レベルの第1電源電圧が供給されることで上記メモリセル部の動作を制御可能な制御部と、を含むRAMを備え、
上記制御部は第1エリアに含まれ、上記メモリセル部は第2エリアに含まれる請求項8記載のマイクロコンピュータ。
A memory cell portion to which a first power supply voltage of a first level is supplied in an active state and a second power supply voltage of a level lower than the first level is supplied in a standby state;
A control unit capable of controlling the operation of the memory cell unit by cutting off the power supply voltage supply in the standby state and supplying the first power supply voltage of the first level in the active state;
9. The microcomputer according to claim 8, wherein the control unit is included in a first area, and the memory cell unit is included in a second area.
上記レギュレータは、上記第1エリアに供給される上記第1電源電圧を形成可能な第1メインレギュレータと、
アクティブ時における上記第2エリアに供給される上記第1電源電圧を形成可能な第2メインレギュレータと、
スタンバイ時における上記第2エリアに供給される上記第2電源電圧を形成可能なスタンバイレギュレータと、を含み、スタンバイ状態時において上記第2メインレギュレータの出力端子は高インピーダンス状態に制御される請求項9記載のマイクロコンピュータ。
The regulator includes a first main regulator capable of forming the first power supply voltage supplied to the first area;
A second main regulator capable of forming the first power supply voltage supplied to the second area when active;
10. A standby regulator capable of forming the second power supply voltage supplied to the second area during standby, wherein the output terminal of the second main regulator is controlled to be in a high impedance state during standby. The microcomputer as described.
上記第1トリミングレジスタ及び上記第1モジュール選択レジスタには、上記第1メインレギュレータの出力電圧が供給される請求項10記載のマイクロコンピュータ。 11. The microcomputer according to claim 10, wherein an output voltage of the first main regulator is supplied to the first trimming register and the first module selection register. 上記レギュレータは、上記第1エリアに供給される上記第1電源電圧を形成可能な第1メインレギュレータと、
アクティブ時における上記第2エリアに供給される上記第1電源電圧を形成可能な第2メインレギュレータと、
スタンバイ時における上記第2エリアにに供給される上記第2電源電圧を形成可能なスタンバイレギュレータと、
上記第1メインレギュレータの出力端子及びそれに短絡された上記第2メインレギュレータの出力端子と、上記スタンバイレギュレータから上記第2エリアへの電源電圧供給経路との間に配置されたスイッチと、を含む請求項9記載のマイクロコンピュータ。
The regulator includes a first main regulator capable of forming the first power supply voltage supplied to the first area;
A second main regulator capable of forming the first power supply voltage supplied to the second area when active;
A standby regulator capable of forming the second power supply voltage supplied to the second area during standby;
And a switch disposed between the output terminal of the first main regulator and the output terminal of the second main regulator short-circuited thereto, and a power supply voltage supply path from the standby regulator to the second area. Item 11. The microcomputer according to Item 9.
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