JP2002009037A - 気体吹き付け式乾燥方法及び装置 - Google Patents
気体吹き付け式乾燥方法及び装置Info
- Publication number
- JP2002009037A JP2002009037A JP2000189369A JP2000189369A JP2002009037A JP 2002009037 A JP2002009037 A JP 2002009037A JP 2000189369 A JP2000189369 A JP 2000189369A JP 2000189369 A JP2000189369 A JP 2000189369A JP 2002009037 A JP2002009037 A JP 2002009037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- dried
- spraying
- supply pipe
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で取扱いの易しい遠心乾燥方式で、被乾
燥面を完全に乾燥させることができる気体吹き付け式乾
燥方法及び装置を得ること。 【解決手段】 本発明の気体吹き付け式乾燥方法は、気
体吹き付け式乾燥装置１０を用い、プラズマ発生装置１
３によってガス供給管１２内に供給されている酸素ガス
または水素ガスを励起し、これを高速回転している半導
体ウェーハＳの被乾燥面及びその裏面に臨んで配設され
ている一対の吹き付けノズル１１Ａ、１１Ｂから吹き付
け、被乾燥面の残留水Ｗに反応させて、特に被乾燥面の
凹部Ｓａの深部に存在する残留水Ｗをも酸素ガス及び水
素ガスとし、除去、乾燥させる乾燥方法である。
燥面を完全に乾燥させることができる気体吹き付け式乾
燥方法及び装置を得ること。 【解決手段】 本発明の気体吹き付け式乾燥方法は、気
体吹き付け式乾燥装置１０を用い、プラズマ発生装置１
３によってガス供給管１２内に供給されている酸素ガス
または水素ガスを励起し、これを高速回転している半導
体ウェーハＳの被乾燥面及びその裏面に臨んで配設され
ている一対の吹き付けノズル１１Ａ、１１Ｂから吹き付
け、被乾燥面の残留水Ｗに反応させて、特に被乾燥面の
凹部Ｓａの深部に存在する残留水Ｗをも酸素ガス及び水
素ガスとし、除去、乾燥させる乾燥方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエット洗浄後の
半導体ウェーハなどの被乾燥処理物の表面（被乾燥面）
に気体を吹き付け、残留している水を除去し、乾燥状態
にする気体吹き付け式乾燥方法及び装置に関するもので
ある。
半導体ウェーハなどの被乾燥処理物の表面（被乾燥面）
に気体を吹き付け、残留している水を除去し、乾燥状態
にする気体吹き付け式乾燥方法及び装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】以下、図を参照しながら従来技術の乾燥
装置を説明する。
装置を説明する。
【０００３】図３は従来技術の気体吹き付け式乾燥方法
を説明するための略線図、そして図４は図３に示した気
体吹き付け式乾燥方法による被乾燥処理物の被乾燥面の
乾燥状態を示す一部拡大断面図である。
を説明するための略線図、そして図４は図３に示した気
体吹き付け式乾燥方法による被乾燥処理物の被乾燥面の
乾燥状態を示す一部拡大断面図である。
【０００４】なお、本明細書においては、以下、被乾燥
処理物として半導体ウェーハを採り上げて説明する。
処理物として半導体ウェーハを採り上げて説明する。
【０００５】現在、実用化されている乾燥方法として
は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）により半導体ウ
ェーハの被乾燥面に残留している水を置換し、乾燥させ
るＩＰＡ蒸発乾燥方法と、被乾燥面に水が残留している
半導体ウェーハを高速回転させ、その遠心力を利用して
残留水を吹き飛ばすことにより乾燥させる遠心乾燥方法
とに大別される。
は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）により半導体ウ
ェーハの被乾燥面に残留している水を置換し、乾燥させ
るＩＰＡ蒸発乾燥方法と、被乾燥面に水が残留している
半導体ウェーハを高速回転させ、その遠心力を利用して
残留水を吹き飛ばすことにより乾燥させる遠心乾燥方法
とに大別される。
【０００６】遠心乾燥方法は、図３に示したように、そ
の半導体ウェーハＳを高速で公転または自転させること
により発生する遠心力を利用して水を振り切り、迅速に
乾燥させる方法であるが、この方法だけでは被乾燥面か
ら残留水を除去する力が小さい。
の半導体ウェーハＳを高速で公転または自転させること
により発生する遠心力を利用して水を振り切り、迅速に
乾燥させる方法であるが、この方法だけでは被乾燥面か
ら残留水を除去する力が小さい。
【０００７】従って、表面の被乾燥面に、或いは裏面も
乾燥させる必要がある場合には、その裏面の被乾燥面に
も、それぞれノズル１Ａ、１Ｂからそれぞれの面に高温
の乾燥窒素ガス（Ｈｏｔ−Ｄｒｙ Ｎ２ ）のような気
体を吹き付けて被乾燥面から残留水を吹き飛ばす物理的
な力を補助的に加えて乾燥させる方法が用いられてき
た。
乾燥させる必要がある場合には、その裏面の被乾燥面に
も、それぞれノズル１Ａ、１Ｂからそれぞれの面に高温
の乾燥窒素ガス（Ｈｏｔ−Ｄｒｙ Ｎ２ ）のような気
体を吹き付けて被乾燥面から残留水を吹き飛ばす物理的
な力を補助的に加えて乾燥させる方法が用いられてき
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体ウェー
ハＳの被乾燥面は、図４に示したように、配線、絶縁層
などが形成されて様々な形状で多数の凹部Ｓａが存在
し、それらの凹部Ｓａの最も深いコーナ部分には洗浄後
の水Ｗが残留してしまう致命的な欠点がある。この部分
に残留している水Ｗは遠心乾燥に気体を吹き付ける乾燥
方法を用いとしても、凹部Ｓａから水Ｗを完全に吹き飛
ばし、乾燥させることは不可能である。特に凹部Ｓａの
アスペクト比（縦横比）が高い場合には、それが顕著と
なる。
ハＳの被乾燥面は、図４に示したように、配線、絶縁層
などが形成されて様々な形状で多数の凹部Ｓａが存在
し、それらの凹部Ｓａの最も深いコーナ部分には洗浄後
の水Ｗが残留してしまう致命的な欠点がある。この部分
に残留している水Ｗは遠心乾燥に気体を吹き付ける乾燥
方法を用いとしても、凹部Ｓａから水Ｗを完全に吹き飛
ばし、乾燥させることは不可能である。特に凹部Ｓａの
アスペクト比（縦横比）が高い場合には、それが顕著と
なる。
【０００９】この現象を少しでも軽減するために、吹き
付ける気体の温度を高くし、残留水Ｗの温度を上げるこ
とで蒸発させようとしても限界があった。
付ける気体の温度を高くし、残留水Ｗの温度を上げるこ
とで蒸発させようとしても限界があった。
【００１０】この問題を解決できる方法としては、前記
のＩＰＡ蒸発乾燥方法が利用されている。しかし、この
ＩＰＡ蒸発乾燥方法は高価で可燃性があり、取扱の難し
いＩＰＡを用いなければならない問題がある。
のＩＰＡ蒸発乾燥方法が利用されている。しかし、この
ＩＰＡ蒸発乾燥方法は高価で可燃性があり、取扱の難し
いＩＰＡを用いなければならない問題がある。
【００１１】従って、本発明はこのような課題を解決し
ようとするものであって、安価で取扱いの易しい遠心乾
燥方式で、被乾燥面を完全に乾燥させることができる気
体吹き付け式乾燥方法及び装置を得ることを目的とする
ものである。
ようとするものであって、安価で取扱いの易しい遠心乾
燥方式で、被乾燥面を完全に乾燥させることができる気
体吹き付け式乾燥方法及び装置を得ることを目的とする
ものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】それ故、請求項１に記載
の発明の気体吹き付け式乾燥方法では、水が残留してい
る被乾燥面に、前記残留水と反応して酸素系ガス及び水
素系ガスに分解する励起された気体を所定の圧力下で吹
き付けることにより前記被乾燥面を乾燥させる方法を採
って、前記課題を解決している。
の発明の気体吹き付け式乾燥方法では、水が残留してい
る被乾燥面に、前記残留水と反応して酸素系ガス及び水
素系ガスに分解する励起された気体を所定の圧力下で吹
き付けることにより前記被乾燥面を乾燥させる方法を採
って、前記課題を解決している。
【００１３】そして、請求項２に記載の発明の気体吹き
付け式乾燥方法では、請求項１に記載の発明の気体吹き
付け式乾燥方法において、前記被乾燥面を高速回転させ
ることを特徴とする方法を採って、前記課題を解決して
いる。
付け式乾燥方法では、請求項１に記載の発明の気体吹き
付け式乾燥方法において、前記被乾燥面を高速回転させ
ることを特徴とする方法を採って、前記課題を解決して
いる。
【００１４】また、請求項３に記載の発明の気体吹き付
け式乾燥装置では、被乾燥処理物の被乾燥面に臨んで配
設されている吹き付けノズルと、一端がその吹き付けノ
ズルに接続され、他端が水と反応して酸素系ガスまたは
水素系ガスとなる気体源に接続されるガス供給管と、そ
のガス供給管の一部分に連結され、供給される前記気体
を励起させるプラズマ発生装置と、そのプラズマ発生装
置と前記吹き付けノズルとの間のガス供給管に配設さ
れ、その部分のガス供給管内を外部から冷却する冷却装
置とを備えて構成し、前記課題を解決している。
け式乾燥装置では、被乾燥処理物の被乾燥面に臨んで配
設されている吹き付けノズルと、一端がその吹き付けノ
ズルに接続され、他端が水と反応して酸素系ガスまたは
水素系ガスとなる気体源に接続されるガス供給管と、そ
のガス供給管の一部分に連結され、供給される前記気体
を励起させるプラズマ発生装置と、そのプラズマ発生装
置と前記吹き付けノズルとの間のガス供給管に配設さ
れ、その部分のガス供給管内を外部から冷却する冷却装
置とを備えて構成し、前記課題を解決している。
【００１５】それ故、請求項１に記載の発明によれば、
励起した気体が被乾燥処理物の被乾燥面に、特にその凹
部の深部に残留している水に反応して、残留水を酸素系
ガス及び水素系ガスに分解して除去できる。
励起した気体が被乾燥処理物の被乾燥面に、特にその凹
部の深部に残留している水に反応して、残留水を酸素系
ガス及び水素系ガスに分解して除去できる。
【００１６】そして、請求項２に記載の発明によれば、
請求項１に記載の発明による作用に加えて、遠心力によ
っても残留水を除去することができる。
請求項１に記載の発明による作用に加えて、遠心力によ
っても残留水を除去することができる。
【００１７】また、請求項３に記載の発明によれば、被
乾燥処理物の被乾燥面に吹き付ける気体を容易に励起し
てラジカルまたはイオン化でき、そして所定の吹き付け
圧力の下に吹き付けることができる。
乾燥処理物の被乾燥面に吹き付ける気体を容易に励起し
てラジカルまたはイオン化でき、そして所定の吹き付け
圧力の下に吹き付けることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図を用いて、本発明の一実
施形態の気体吹き付け式乾燥装置を説明する。
施形態の気体吹き付け式乾燥装置を説明する。
【００１９】図１は本発明の一実施形態の気体吹き付け
式乾燥装置の要部を示す略線的な構成図、そして図２は
図１に示した気体吹き付け式乾燥装置により励起した気
体が吹き付けられる半導体ウェーハの被乾燥面の拡大断
面図である。
式乾燥装置の要部を示す略線的な構成図、そして図２は
図１に示した気体吹き付け式乾燥装置により励起した気
体が吹き付けられる半導体ウェーハの被乾燥面の拡大断
面図である。
【００２０】先ず、図１を用いて本発明の気体吹き付け
式乾燥装置の構成を説明する。この気体吹き付け式乾燥
装置１０は、吹き付けノズル１１、ガス供給管１２、プ
ラズマ発生装置１３、冷却装置１４などから構成されて
いる。
式乾燥装置の構成を説明する。この気体吹き付け式乾燥
装置１０は、吹き付けノズル１１、ガス供給管１２、プ
ラズマ発生装置１３、冷却装置１４などから構成されて
いる。
【００２１】前記吹き付けノズル１１は、被乾燥処理物
である半導体ウェーハＳの被乾燥面に臨んで配設された
吹き付けノズル１１Ａと、必要に応じてその裏面に臨ん
で配設されている吹き付けノズル１１Ｂとからなる。
である半導体ウェーハＳの被乾燥面に臨んで配設された
吹き付けノズル１１Ａと、必要に応じてその裏面に臨ん
で配設されている吹き付けノズル１１Ｂとからなる。
【００２２】前記ガス供給管１２は一端が分岐管１２
Ａ、１２Ｂに分岐されており、それぞれが吹き付けノズ
ル１１Ａ、１１Ｂに接続され、他端が水と反応して酸素
系ガスまたは水素系ガスとなるガス供給源、即ち、酸素
ガス源または酸素を含有した気体源、例えば、オゾンガ
ス源（不図示）、或いは水素ガスまたは水素を含有した
ガス供給源、例えば、ホーミングガス源（不図示）に接
続されている。
Ａ、１２Ｂに分岐されており、それぞれが吹き付けノズ
ル１１Ａ、１１Ｂに接続され、他端が水と反応して酸素
系ガスまたは水素系ガスとなるガス供給源、即ち、酸素
ガス源または酸素を含有した気体源、例えば、オゾンガ
ス源（不図示）、或いは水素ガスまたは水素を含有した
ガス供給源、例えば、ホーミングガス源（不図示）に接
続されている。
【００２３】前記プラズマ発生装置１３はガス供給管１
２の一部分に配設されている。このプラズマ発生装置１
３はコイル１３１と高周波源１３２とから構成されてお
り、コイル１３１は気体が流れる一部分の前記ガス供給
管１２の周りに配設されていて、前記高周波源１３２か
ら高周波電流が供給される。これは、所謂、ＩＰＣ（Ｉ
ｏｎ Ｃｕｐｐｌｅｄ Ｐｌａｚｍａ）方式により気体
を励起させる手段である。
２の一部分に配設されている。このプラズマ発生装置１
３はコイル１３１と高周波源１３２とから構成されてお
り、コイル１３１は気体が流れる一部分の前記ガス供給
管１２の周りに配設されていて、前記高周波源１３２か
ら高周波電流が供給される。これは、所謂、ＩＰＣ（Ｉ
ｏｎ Ｃｕｐｐｌｅｄ Ｐｌａｚｍａ）方式により気体
を励起させる手段である。
【００２４】前記冷却装置１４は、そのプラズマ発生装
置１３と前記吹き付けノズル１１Ａ、１１Ｂとの間のガ
ス供給管１２に配設され、その部分のガス供給管１２に
巻回したコイル状の管１４１にドライエアー或いは冷水
を流して外部から冷却する。
置１３と前記吹き付けノズル１１Ａ、１１Ｂとの間のガ
ス供給管１２に配設され、その部分のガス供給管１２に
巻回したコイル状の管１４１にドライエアー或いは冷水
を流して外部から冷却する。
【００２５】前記半導体ウェーハＳの被乾燥面の状態に
応じて被乾燥面への気体吹き付け圧力が１．１〜６Ｋｇ
／ｃｍ２ 程度になるようにレギュレータ（不図示）に
より圧力が調整されたガス供給源、即ち、酸素系ガス源
或いは水素系ガス源（不図示）からガスを供給し、ＩＰ
Ｃ方式によりそのコイル１３１に高周波電流を流して、
ガスに対して励起エネルギーを与える。
応じて被乾燥面への気体吹き付け圧力が１．１〜６Ｋｇ
／ｃｍ２ 程度になるようにレギュレータ（不図示）に
より圧力が調整されたガス供給源、即ち、酸素系ガス源
或いは水素系ガス源（不図示）からガスを供給し、ＩＰ
Ｃ方式によりそのコイル１３１に高周波電流を流して、
ガスに対して励起エネルギーを与える。
【００２６】ガスはプラズマ化し、その温度は２００〜
２０００°Ｃ程度の高温になる。この高温の励起した気
体のラジカルまたはイオンを被乾燥面に吹き付けると、
その被乾燥面上の形成物に意図しない反応を生じさせて
しまう恐れがあるので、冷却装置１４を用いてガス供給
管１２の外周から空冷或いは水冷により冷却する。例え
ば、形成物がアルミニウムであるならば、２００〜３０
０°Ｃ或いはこれ以下の温度に下げる。
２０００°Ｃ程度の高温になる。この高温の励起した気
体のラジカルまたはイオンを被乾燥面に吹き付けると、
その被乾燥面上の形成物に意図しない反応を生じさせて
しまう恐れがあるので、冷却装置１４を用いてガス供給
管１２の外周から空冷或いは水冷により冷却する。例え
ば、形成物がアルミニウムであるならば、２００〜３０
０°Ｃ或いはこれ以下の温度に下げる。
【００２７】次に、図２をも用いて、このように構成さ
れた気体吹き付け式乾燥装置１０を用いて半導体ウェー
ハの被乾燥面を乾燥させる乾燥方法を説明する。
れた気体吹き付け式乾燥装置１０を用いて半導体ウェー
ハの被乾燥面を乾燥させる乾燥方法を説明する。
【００２８】先ず、不図示の保持手段で半導体ウェーハ
Ｓを保持し、必要に応じて矢印のように高速回転させ
る。図示の例では半導体ウェーハＳを高速回転させてい
る。そのような状態の半導体ウェーハＳの被乾燥面及び
裏面に吹き付けノズル１１Ａ及び１１Ｂから励起させた
ガスを吹き付ける。例えば、酸素ガス供給源から酸素ガ
スＯ２ をガス供給管１２に供給し、プラズマ発生装置
１３で励起させ、励起させた酸素（Ｏ）ラジカルまたは
酸素（Ｏ）イオンを吹き付ける。ＯラジカルまたはＯイ
オンはその自由航程が大きく、図２に示したように、被
乾燥面が様々な形状で多数の凹部Ｓａが存在し、それら
の凹部Ｓａが深くても、そしてその深い凹部Ｓａのコー
ナ部分に残留している水Ｗであっても入り込むことがで
き、凹部Ｓａの各部に散乱させることができる。
Ｓを保持し、必要に応じて矢印のように高速回転させ
る。図示の例では半導体ウェーハＳを高速回転させてい
る。そのような状態の半導体ウェーハＳの被乾燥面及び
裏面に吹き付けノズル１１Ａ及び１１Ｂから励起させた
ガスを吹き付ける。例えば、酸素ガス供給源から酸素ガ
スＯ２ をガス供給管１２に供給し、プラズマ発生装置
１３で励起させ、励起させた酸素（Ｏ）ラジカルまたは
酸素（Ｏ）イオンを吹き付ける。ＯラジカルまたはＯイ
オンはその自由航程が大きく、図２に示したように、被
乾燥面が様々な形状で多数の凹部Ｓａが存在し、それら
の凹部Ｓａが深くても、そしてその深い凹部Ｓａのコー
ナ部分に残留している水Ｗであっても入り込むことがで
き、凹部Ｓａの各部に散乱させることができる。
【００２９】ＯラジカルまたはＯイオンが作用した残留
水Ｗは、Ｈ２ Ｏ＋Ｏ→Ｈ２ ↑＋Ｏ２ ↑の反応が生
じ、水素ガスと酸素ガスとなって、凹部Ｓａより除去さ
れる。その結果、被乾燥面は完全に乾燥される。
水Ｗは、Ｈ２ Ｏ＋Ｏ→Ｈ２ ↑＋Ｏ２ ↑の反応が生
じ、水素ガスと酸素ガスとなって、凹部Ｓａより除去さ
れる。その結果、被乾燥面は完全に乾燥される。
【００３０】酸素ガスの代わりに水素ガスを用いても、
２Ｈ２ Ｏ＋４Ｈ→４Ｈ２ ↑＋Ｏ２ ↑のような反応
を発生させて、同様の効果を得ることができる。ただ
し、この発生確率は酸素ガスを用いた場合に比べて低い
ので、酸素ガスを用いることが望ましい。
２Ｈ２ Ｏ＋４Ｈ→４Ｈ２ ↑＋Ｏ２ ↑のような反応
を発生させて、同様の効果を得ることができる。ただ
し、この発生確率は酸素ガスを用いた場合に比べて低い
ので、酸素ガスを用いることが望ましい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の気体吹き
付け式乾燥方法及び装置によれば、安価な遠心乾燥方式
における気体吹き付けで、励起させた気体を用い、これ
を被乾燥面に残留している水に反応させて気体にしてい
る。これにより残留水を完全に除去することができる。
特に被乾燥面に形成された深い凹部に残留水が存在して
いても、前記反応によりこれを完全に除去することがで
きる。
付け式乾燥方法及び装置によれば、安価な遠心乾燥方式
における気体吹き付けで、励起させた気体を用い、これ
を被乾燥面に残留している水に反応させて気体にしてい
る。これにより残留水を完全に除去することができる。
特に被乾燥面に形成された深い凹部に残留水が存在して
いても、前記反応によりこれを完全に除去することがで
きる。
【図１】 本発明の一実施形態の気体吹き付け式乾燥装
置の要部を示す略線的な構成図である。
置の要部を示す略線的な構成図である。
【図２】 図１に示した気体吹き付け式乾燥装置により
励起した気体が吹き付けられる半導体ウェーハの被乾燥
面の拡大断面図である。
励起した気体が吹き付けられる半導体ウェーハの被乾燥
面の拡大断面図である。
【図３】 従来技術の気体吹き付け式乾燥方法を説明す
るための略線図である。
るための略線図である。
【図４】 図４は図３に示した気体吹き付け式乾燥方法
による被乾燥処理物の被乾燥面の乾燥状態を示す一部拡
大断面図である。
による被乾燥処理物の被乾燥面の乾燥状態を示す一部拡
大断面図である。
１０…本発明の一実施形態の気体吹き付け式乾燥装置、
１１Ａ，１１Ｂ…吹き付けノズル、１２…ガス供給管、
１２あ、１２Ｂ…分岐管、１３…プラズマ発生装置、１
３１…コイル、１３２…高周波源、１４…冷冷却装置、
Ｓ…半導体ウェーハ（被乾燥処理物）
１１Ａ，１１Ｂ…吹き付けノズル、１２…ガス供給管、
１２あ、１２Ｂ…分岐管、１３…プラズマ発生装置、１
３１…コイル、１３２…高周波源、１４…冷冷却装置、
Ｓ…半導体ウェーハ（被乾燥処理物）
Claims (3)
- 【請求項１】 水が残留している被乾燥面に前記残留水
と反応して酸素系ガス及び水素系ガスに分解する励起さ
れた気体を所定の圧力下で吹き付けることにより前記被
乾燥面を乾燥させることを特徴とする気体吹き付け式乾
燥方法。 - 【請求項２】 前記被乾燥面を高速回転させることを特
徴とする請求項１に記載の気体吹き付け式乾燥方法。 - 【請求項３】 被乾燥処理物の被乾燥面に臨んで配設さ
れている吹き付けノズルと、 一端が該吹き付けノズルに接続され、他端が水と反応し
て酸素系ガスまたは水素系ガスとなる気体源に接続され
るガス供給管と、 該ガス供給管の一部分に連結され、供給される前記気体
を励起させるプラズマ発生装置と、 該プラズマ発生装置と前記吹き付けノズルとの間のガス
供給管に配設され、その部分のガス供給管内を外部から
冷却する冷却装置とを備えていることを特徴とする気体
吹き付け式乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189369A JP2002009037A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 気体吹き付け式乾燥方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189369A JP2002009037A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 気体吹き付け式乾燥方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002009037A true JP2002009037A (ja) | 2002-01-11 |
Family
ID=18689005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000189369A Pending JP2002009037A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 気体吹き付け式乾燥方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002009037A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7282098B2 (en) | 2002-03-15 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Processing-subject cleaning method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| US8407912B2 (en) | 2010-09-16 | 2013-04-02 | Velico Medical, Inc. | Spray dried human plasma |
| US8533972B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-09-17 | Velico Medical, Inc. | System and method for spray drying a liquid |
| US9867782B2 (en) | 2009-04-09 | 2018-01-16 | Entegrion, Inc. | Spray-dried blood products and methods of making same |
| US10251911B2 (en) | 2009-09-16 | 2019-04-09 | Entegrion, Inc. | Spray dried human plasma |
| WO2020218351A1 (ja) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、半導体製造方法、および、基板処理装置 |
| US10843100B2 (en) | 2010-10-29 | 2020-11-24 | Velico Medical, Inc. | Spray drier assembly for automated spray drying |
| US11052045B2 (en) | 2014-09-19 | 2021-07-06 | Velico Medical, Inc. | Formulations and methods for contemporaneous stabilization of active proteins during spray drying and storage |
| US11841189B1 (en) | 2022-09-15 | 2023-12-12 | Velico Medical, Inc. | Disposable for a spray drying system |
| US11975274B2 (en) | 2022-09-15 | 2024-05-07 | Velico Medical, Inc. | Blood plasma product |
| US11998861B2 (en) | 2022-09-15 | 2024-06-04 | Velico Medical, Inc. | Usability of a disposable for a spray drying plasma system |
-
2000
- 2000-06-23 JP JP2000189369A patent/JP2002009037A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7695570B2 (en) | 2002-03-15 | 2010-04-13 | Seiko Epson Corporation | Processing-subject cleaning method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| US7282098B2 (en) | 2002-03-15 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Processing-subject cleaning method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| US9867782B2 (en) | 2009-04-09 | 2018-01-16 | Entegrion, Inc. | Spray-dried blood products and methods of making same |
| US11213488B2 (en) | 2009-04-09 | 2022-01-04 | Entegrion, Inc. | Spray-dried blood products and methods of making same |
| US10251911B2 (en) | 2009-09-16 | 2019-04-09 | Entegrion, Inc. | Spray dried human plasma |
| US8434242B2 (en) * | 2010-09-16 | 2013-05-07 | Velico Medical, Inc. | Spray dried human plasma |
| US8407912B2 (en) | 2010-09-16 | 2013-04-02 | Velico Medical, Inc. | Spray dried human plasma |
| US8595950B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-12-03 | Velico Medical, Inc. | System and method for spray drying a liquid |
| US8601712B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-12-10 | Velico Medical, Inc. | System and method for spray drying a liquid |
| US8533971B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-09-17 | Velico Medical, Inc. | System and method for spray drying a liquid |
| US8533972B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-09-17 | Velico Medical, Inc. | System and method for spray drying a liquid |
| US10843100B2 (en) | 2010-10-29 | 2020-11-24 | Velico Medical, Inc. | Spray drier assembly for automated spray drying |
| US11806431B2 (en) | 2014-09-19 | 2023-11-07 | Velico Medical, Inc. | Formulations and methods for contemporaneous stabilization of active proteins during spray drying and storage |
| US11052045B2 (en) | 2014-09-19 | 2021-07-06 | Velico Medical, Inc. | Formulations and methods for contemporaneous stabilization of active proteins during spray drying and storage |
| WO2020218351A1 (ja) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、半導体製造方法、および、基板処理装置 |
| TWI759725B (zh) * | 2019-04-25 | 2022-04-01 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理方法、半導體製造方法以及基板處理裝置 |
| JP7233294B2 (ja) | 2019-04-25 | 2023-03-06 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、半導体製造方法、および、基板処理装置 |
| JP2020181892A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、半導体製造方法、および、基板処理装置 |
| US11841189B1 (en) | 2022-09-15 | 2023-12-12 | Velico Medical, Inc. | Disposable for a spray drying system |
| US11913722B1 (en) | 2022-09-15 | 2024-02-27 | Velico Medical, Inc. | Rapid spray drying system |
| US11913723B1 (en) | 2022-09-15 | 2024-02-27 | Velico Medical, Inc. | Baffle plate used in a disposable for a spray drying system |
| US11975274B2 (en) | 2022-09-15 | 2024-05-07 | Velico Medical, Inc. | Blood plasma product |
| US11998861B2 (en) | 2022-09-15 | 2024-06-04 | Velico Medical, Inc. | Usability of a disposable for a spray drying plasma system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI653682B (zh) | 在鋁電漿設備部件上產生緊密氧化鋁鈍化層 | |
| JP2002009037A (ja) | 気体吹き付け式乾燥方法及び装置 | |
| TWI660420B (zh) | 使用遠端電漿源之加強式蝕刻製程 | |
| KR0155380B1 (ko) | 시료처리방법 | |
| KR100932053B1 (ko) | 처리장치, 처리방법 및 플라즈마원 | |
| US20100154833A1 (en) | Resist film removing apparatus, resist film removing method, organic matter removing apparatus and organic matter removing method | |
| TW508652B (en) | Device and method for wafer drying | |
| TW202044401A (zh) | 使用含硫處理氣體的含碳硬遮罩移除製程 | |
| JP4917651B2 (ja) | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法 | |
| CN101154582A (zh) | 蚀刻方法以及半导体器件的制造方法 | |
| JP2000348898A (ja) | 表面波励起プラズマの生成方法 | |
| JP2000164559A (ja) | シリコン系物質の選択エッチング方法および装置 | |
| JP2001230246A (ja) | 半導体の熱酸化方法および熱酸化装置 | |
| JP2001345302A (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
| JPH05335293A (ja) | 半導体素子の製造方法およびその装置 | |
| JPH06168920A (ja) | 薄膜の除去方法 | |
| KR101575131B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
| JP2613246B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JP2003133290A (ja) | レジスト剥離装置、レジスト剥離方法、半導体装置の製造方法 | |
| JPH10331798A (ja) | エゼクタ | |
| JPS5887276A (ja) | ドライエツチング後処理方法 | |
| JP2022114412A (ja) | 基板処理方法、部品処理方法及び基板処理装置 | |
| JPH06163466A (ja) | 薄膜の除去方法 | |
| JPS595972Y2 (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH03140477A (ja) | 臭素を用いた多結晶シリコンのエッチング方法 |