JP2001518852A - 改良研磨パッド及びこれに関連する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.複数のスラリー粒子を吸収あるいは移送する本質的な能力を持たない親水性 研磨層であって、この層は i.密度が0.5g/cm3よりも高く、 ii.臨界表面張力が34ミリニュートン/m以上であり、 iii.引張応力が0.2〜5ギガパスカル、 iv.30℃の引張応力と60℃の引張応力との比が1.0〜2.5、 v.硬さが25〜80ショワーD、 vi.降伏応力が300−6000psi、 vii.引張強度が1000〜15,000psi、 viii.破壊伸度が500%以下である 研磨材から成る研磨表面を有し、 前記研磨材は、(1)イソシアン反応を速める、銅、タングステン、鉄又は クロムを含まない触媒によって作られたウレタン、(2)炭酸塩、(3)アミド 、(4)エステル、(5)エーテル、(6)アクリル酸塩、(7)メタクリル酸塩 、(8)アクリル酸、(9)メタクリル酸、(10)スルフォン、(11)アクリル アミド、(12)ハロゲン化物および(13)水酸化物からなるグループの内少な くとも一つを成分とし、 前記研磨表面が、流動材料の凝固によって作られたランダムな表面トポグラ フィーとマクロ−テクスチャーを有することを特徴とする研磨パッド。 2.前記マクロ−テクスチャーが、(i)エンボシング、(ii)モールディング 、(iii)プリンティング、(iv)キャスティング、(v)焼結、(vi)フォ ト−イメージング、あるいは、(vii)化学エッチングによって研磨表面に組 み込まれていることを特徴とする請求項1記載の研磨パッド。 3.前記研磨表面が、モールディングによって形成されていることを特徴とする 請求項2記載の研磨パッド。 4.前記研磨表面が、1000倍に拡大して見たときに、研磨表面の1平方ミリ メートル当たりに、観察可能なマクロの傷が平均して2よりも少ないことを特 徴とする請求項1記載のパッド。 5.前記研磨材が、さらに、複数の軟質領域と複数の硬質領域からなり、この硬 質領域及び軟質領域が平均100ミクロン未満の大きさであることを特徴とす る請求項1記載のパッド。 6.前記硬質領域及び軟質領域が、研磨層が形成されるときに、相分離によって 作られ、この研磨層には複数の硬質部分と複数の軟質部分があることを特徴と する請求項5記載のパッド。 7.前記研磨層が主として二相ポリウレタンからなることを特徴とする請求項3 記載のパッド。 8.前記研磨層が、反応射出成形工程においてモールド内で形成されることを特 徴とする請求項1記載のパッド。 9.前記モールドが、研磨表面がモールド内で凝固すると、その表面上に複数の ミクロの凹凸を作りだすことになる相補の表面テクスチャーを有していること を特徴とする請求項8記載のパッド。 10.前記モールドが、周辺において充填されることを特徴とする請求項9記載 のパッド。 11.前記モールドが、中心において充填されることを特徴とする請求項9記載 のパッド。 12.さらに、挿入物を有し、この挿入物の回りで流動材が凝固していることを 特徴とする請求項1記載のパッド。 13.さらに、非金属触媒を含むことを特徴とする請求項1記載のパッド。 14.研磨層の反応射出成形前に、固形有機物質がモールド面に加えられること を特徴とする請求項8記載のパッド。 15.前記固形有機物質が、液体によって移送されることを特徴とする請求項1 4記載のパッド。 16.前記固形有機物質が、ワックスであり、液体が無極性有機溶剤であること を特徴とする請求項15記載のパッド。 17.平均縦横比が少なくとも400であることを特徴とする請求項8記載のパ ッド。 18.前記研磨層がさらに研摩粒子を含んでいることを特徴とする請求項1記載 のパッド。 19.a)主として、複数のスラリー粒子を吸収する本質的な能力のない親水性 研磨層からなる研磨層を具備する研磨パッドであって、その研磨層が、主とし て、 i.密度が0.5/cm3よりも高く、 ii.臨界表面張力が34ミリニュートン/m以上であり、 iii.引張応力が0.2〜5ギガパスカル、 iv.30℃の引張応力と60℃の引張応力との比が1.0〜2.5、 v.硬さが25〜80ショワーD、 vi.降伏応力が300−6000psi、 vii.引張強度が1000〜15,000psi、 viii.破壊伸度が500%以下である 研磨材から成る研磨表面を有し、 前記研磨材が、イソシアン反応を速める、銅、タングステン、鉄又はクロム を含まない触媒によって作られたウレタン、炭酸塩、アミド、エステル、エー テル、アクリル酸塩、メタクリル酸塩、アクリル酸、メタクリル酸、スルフォ ン、アクリルアミド、ハロゲン化物、水酸化物からなるグループの内少なくと も一つを成分とし、 前記研磨表面が、流動材料を凝固させることによって作られたランダムな表 面トポグラフィーとマクロ−テクスチャーを有する研磨パッドを準備する工程 と、 b)金属、シリコン又はシリカ基板を前記バッドで化学機械的に研磨する 工程と からなるシリコン、シリカ又は金属基板を平坦化する方法。 20.前記マクロ−テクスチャーが、(i)正圧あるいは負圧による圧縮、(ii )モールディング、(iii)プリンティング、(iv)キャスティング、(v) 焼結、(vi)フォト−イメージング、あるいは、(vii)化学エッチングによ って研磨表面に組み込まれていることを特徴とする請求項19記載の方法。 21.複数の硬質粒子を含んでいる研摩手段を研磨表面に対して動かすことによ って、前記研磨表面が複数のミクロの凹凸を有するように調整されていること を特徴とする請求項19記載の方法。 22.前記研磨層が、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニル、ポリスルフォ ン、ナイロン、ポリカーボネイト、ポリウレタン、エチレン共重合体、ポリエ ーテル、スルフォンポリエーテルイミド、ポリエチレンイミン、ポリケトン、 およびこれらの組合せのいずれかの物質を主とすることを特徴とする請求項1 記載のパッド。 23.前記の凝固した材料が二相ポリウレタンであることを特徴とるす請求項1 9記載の方法。 24.前記研磨パッドが、反応射出成形により形成されていることを特徴とする 請求項23記載の方法。 25.複数のスラリー粒子を吸収あるいは移送する本質的能力持たず、ランダム な表面トポグラフィーを有する親水性研磨表面上に、この研磨表面に対して研 摩手段を移動させることによって、複数のミクロの凹凸を作る工程と、 シリコン、シリカ、ガラス又は金属の基板と研磨層の間の0.1キログラム /m2より大きい圧力を利用しながら、ミクロの凹凸を有する前記研磨表面によ ってこのシリコン、シリカ、ガラス又は金属基板を研磨する工程と、 からなる半導体デバイスの基板を研磨する方法。 26.さらに、基板の研磨中に、再度研摩手段を研磨表面に対して動かして、周 期的にミクロの凹凸を更新する工程含む請求項25記載の方法。 27.研摩手段が、最初の段階で、その後ミクロの凹凸が更新される時よりも激 しくパッドと係合することによってミクロの凹凸が作られることを特徴とする 請求項26記載の方法。 28.主として、複数のスラリー粒子を吸収する本質的な能力のない親水性研磨 層からなる研磨層であって、前記研磨層が、主として、 i.密度が0.5/cm3よりも高く、 ii.臨界表面張力が34ミリニュートン/m以上であり、 iii.引張応力が0.2〜5ギガパスカル、 iv.30℃の引張応力と60℃の引張応力との比が1.0〜2.5、 v.硬さが25〜80ショワーD、 vi.降伏応力が300−6000psi、 vii.引張強度が1000〜15,000psi、 viii.破壊伸度が500%以下である 研磨材料から成る連続的あるいは非連続的な研磨表面を有し、 前記研磨層は、少なくとも一つの溝とこの溝に近接する研磨表面からなる表 面テクスチャーを持ち、前記溝は、少なくとも0.01ミリメートルの幅、少 なくとも0.01ミリメートルの深さ、少なくとも0.1ミリメートルの長さ を有し、前記表面テクスチャーはその一部に、前記研磨表面から溝の境界面ま で変移する変移領域を有し、前記溝の境界面は第一平面に、前記研磨表面はこ れとは異なる第二平面に存在し、前記移送領域は第一平面と第二平面を架橋す る研磨表面の一部によって構成され、全研磨表面の変移領域には、溝の長さの 1ミリメートル当たりに、25ミクロンよりも大きなマクロの傷が10よりも 少ないことを特徴とする化学機械的な研磨に使用される研磨パッド。 29.前記固形有機物質が、揮発性有機溶剤を含まない噴霧推進剤によって、モ ールド表面まで移送される炭化フッ素であることを特徴とする請求項14記載 のパッド。
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---|---|
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073796A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法並びに研磨方法 |
JP2007313641A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ケミカルメカニカル研磨パッド |
JP2007313640A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ケミカルメカニカル研磨パッド |
JP2008188757A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ケミカルメカニカル研磨パッド |
JP2008546167A (ja) * | 2005-02-18 | 2008-12-18 | ネオパッド テクノロジーズ コーポレイション | Cmp用のカスタマイズされた研磨パッド、ならびにその製造方法および使用 |
JP2009148891A (ja) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
WO2011105494A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
US8094456B2 (en) | 2006-01-10 | 2012-01-10 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8148441B2 (en) | 2005-03-08 | 2012-04-03 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and manufacturing method thereof |
JP2012114454A (ja) * | 2000-05-27 | 2012-06-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 化学機械平坦化用の研磨パッド |
US8303372B2 (en) | 2006-08-31 | 2012-11-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8304467B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-11-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8309466B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-11-13 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8865785B2 (en) | 2007-03-28 | 2014-10-21 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8993648B2 (en) | 2006-08-28 | 2015-03-31 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6390890B1 (en) | 1999-02-06 | 2002-05-21 | Charles J Molnar | Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element |
WO2000043159A1 (en) * | 1999-01-21 | 2000-07-27 | Rodel Holdings, Inc. | Improved polishing pads and methods relating thereto |
US6641463B1 (en) | 1999-02-06 | 2003-11-04 | Beaver Creek Concepts Inc | Finishing components and elements |
US20010041511A1 (en) * | 2000-01-19 | 2001-11-15 | Lack Craig D. | Printing of polishing pads |
US6477926B1 (en) | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
US6641471B1 (en) * | 2000-09-19 | 2003-11-04 | Rodel Holdings, Inc | Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto |
US6568997B2 (en) | 2001-04-05 | 2003-05-27 | Rodel Holdings, Inc. | CMP polishing composition for semiconductor devices containing organic polymer particles |
JP2003062748A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Inoac Corp | 研磨用パッド |
US7059936B2 (en) | 2004-03-23 | 2006-06-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Low surface energy CMP pad |
DE602005007125D1 (de) | 2004-09-17 | 2008-07-10 | Jsr Corp | Chemisch-mechanisches Polierkissen und chemisch-mechanisches Polierverfahren |
CN102990530B (zh) | 2006-07-14 | 2016-02-10 | 圣戈本磨料股份有限公司 | 无背衬研磨制品 |
WO2018136694A1 (en) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | Applied Materials, Inc. | A thin plastic polishing article for cmp applications |
KR102203714B1 (ko) * | 2018-07-17 | 2021-01-18 | 한국철도기술연구원 | 사출강도 개선을 위한 인서트 일체형 롤러 |
US11717936B2 (en) | 2018-09-14 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Methods for a web-based CMP system |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4927432A (en) * | 1986-03-25 | 1990-05-22 | Rodel, Inc. | Pad material for grinding, lapping and polishing |
US5177908A (en) * | 1990-01-22 | 1993-01-12 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad |
JPH04310365A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-11-02 | Toshiba Corp | 研磨皿 |
US5273558A (en) * | 1991-08-30 | 1993-12-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Abrasive composition and articles incorporating same |
MY114512A (en) * | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
US5441598A (en) * | 1993-12-16 | 1995-08-15 | Motorola, Inc. | Polishing pad for chemical-mechanical polishing of a semiconductor substrate |
US5486131A (en) * | 1994-01-04 | 1996-01-23 | Speedfam Corporation | Device for conditioning polishing pads |
US5489233A (en) * | 1994-04-08 | 1996-02-06 | Rodel, Inc. | Polishing pads and methods for their use |
US5534106A (en) * | 1994-07-26 | 1996-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for processing semiconductor wafers |
EP1011919B1 (en) * | 1997-08-06 | 2004-10-20 | Rodel Holdings, Inc. | Method of manufacturing a polishing pad |
-
1998
- 1998-04-03 DE DE69812127T patent/DE69812127T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-03 EP EP98914471A patent/EP1015176B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-03 KR KR10-1999-7009038A patent/KR100485847B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-04-03 WO PCT/US1998/006622 patent/WO1998045087A1/en active IP Right Grant
- 1998-04-03 JP JP54292998A patent/JP2001518852A/ja not_active Ceased
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013239737A (ja) * | 2000-05-27 | 2013-11-28 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 化学機械平坦化用溝付き研磨パッド |
JP2012114454A (ja) * | 2000-05-27 | 2012-06-14 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 化学機械平坦化用の研磨パッド |
JP2008546167A (ja) * | 2005-02-18 | 2008-12-18 | ネオパッド テクノロジーズ コーポレイション | Cmp用のカスタマイズされた研磨パッド、ならびにその製造方法および使用 |
US8148441B2 (en) | 2005-03-08 | 2012-04-03 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad and manufacturing method thereof |
US8530535B2 (en) | 2005-05-17 | 2013-09-10 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8304467B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-11-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8779020B2 (en) | 2005-05-17 | 2014-07-15 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US8309466B2 (en) | 2005-08-30 | 2012-11-13 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
JP2007073796A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Nihon Micro Coating Co Ltd | 研磨パッド及びその製造方法並びに研磨方法 |
US8094456B2 (en) | 2006-01-10 | 2012-01-10 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
KR101360654B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2014-02-07 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 화학 기계적 연마 패드 |
KR101360622B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2014-02-07 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 화학 기계적 연마 패드 |
JP2007313640A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ケミカルメカニカル研磨パッド |
JP2007313641A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ケミカルメカニカル研磨パッド |
US8993648B2 (en) | 2006-08-28 | 2015-03-31 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US9358661B2 (en) | 2006-08-28 | 2016-06-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad |
US8303372B2 (en) | 2006-08-31 | 2012-11-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
JP2008188757A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ケミカルメカニカル研磨パッド |
US8865785B2 (en) | 2007-03-28 | 2014-10-21 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
JP2009148891A (ja) * | 2009-04-02 | 2009-07-09 | Nitta Haas Inc | 研磨パッド |
CN102655983A (zh) * | 2010-02-25 | 2012-09-05 | 东洋橡胶工业株式会社 | 研磨垫 |
JP2011194563A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-10-06 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
WO2011105494A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
TWI450794B (zh) * | 2010-02-25 | 2014-09-01 | Toyo Tire & Rubber Co | Polishing pad |
US8939818B2 (en) | 2010-02-25 | 2015-01-27 | Toyo Tire & Rubber Co. Ltd. | Polishing pad |
CN102655983B (zh) * | 2010-02-25 | 2015-12-16 | 东洋橡胶工业株式会社 | 研磨垫 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1015176A4 (en) | 2000-12-06 |
DE69812127D1 (de) | 2003-04-17 |
EP1015176B1 (en) | 2003-03-12 |
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KR20010005961A (ko) | 2001-01-15 |
WO1998045087A1 (en) | 1998-10-15 |
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