JP2001518192A - 核融合反応によりエネルギーを生ずる方法及び機械 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 低温核融合反応を生ずるための実験機械（１）であって、イオン源（３）が、活性成分（３０、３１）と、重水で水和された金属硫酸塩の集合体によって限定されるターゲット（５）を収容する反応室（２）に陽ジュウテリウムイオンのフラックスを供給し、ポンピングアッセンブリ（４）が反応室（２）に真空を維持するために提供され、反応室（２）は、入射ジュウテリウムイオンと活性成分の一部の原子間に核融合反応を開始させるような方法で、反応室（２）内に電界を発生させて、ターゲット（５）の活性成分に対してジュウテリウムイオンを運び加速する、陽ジュウテリウムイオンを加速するための加速装置（１０）を有する。

Description

【発明の詳細な説明】 核融合反応によりエネルギーを生ずる方法及び機械 技術分野 本発明は核融合反応によりエネルギーを生ずる方法に関する。 背景技術 ほとんどの科学界において、核放出自体が２つのジュウテリウム原子、あるい は１つのジュウテリウムと１つのトリチウム原子の核融合の議論の余地のない証 拠であるということが一般的なコンセンサスになっている。 発明の開示 本発明の目的は、中性子とガンマ線の予備及び／または同時放出がジュウテリ ウムとトリチウム原子間の核融合反応が発生するために最も重要な条件であるこ とを示すことにより、この仮定に論駁することである。換言すれば、本発明の目 的は、ジュウテリウム／トリチウム核融合現象の前に、必ずジュウテリウム／ジ ュウテリウム核融合現象が発生する、及び／または同時に発生することを示すこ とである。 本発明によれば、核融合反応によりエネルギーを生ずる方法が提供され、前記 方法は： ‐その結晶格子内のジュウテリウム原子と活性金属成分を有するターゲットを 含む反応室に陽ジュウテリウムイオンのフラックスを供給するステップ；及び ‐前記陽ジュウテリウムイオンのフラックスがターゲットに突き当たって、入 射陽ジュウテリウムイオンとターゲット自体を構成する原子の一部との間の核融 合反応を作り出すように、反応室内部で、ターゲットに向けて前記陽ジュウテリ ウムイオンのフラックスを運ぶステップとを備える。 本発明は核融合反応によりエネルギーを生ずる機械にも関する。 本発明によれば、核融合反応によりエネルギーを生ずる機械が提供され、前記 機械は：反応室と；前記反応室内部に収容されるターゲットと；前記反応室と連 通する陽ジュウテリウムイオン源と；前記反応室と連通し、反応室内部に真空を 維持するポンピングアッセンブリとを備え；前記ターゲットはその結晶構造にジ ュウテリウム原子を有し；前記陽ジュウテリウムイオン源は陽ジュウテリウムイ オンのフラックスがターゲットの全ての成分に突き当たり、入射陽ジュウテリウ ムイオンとターゲット自体を構成する原子間の低温核融合反応を生ずるように、 陽ジュウテリウムイオンのフラックスを反応室に供給することを特徴とする。 図面の簡単な説明 本発明の非制限的な実施形態を添付図面を参照して、例として説明する。 図１は本発明の教示に従って核融合反応によりエネルギーを生ずる機械の概略 図である。 図２は図１の機械の詳細な一部を示す。 図３は中性子の製造を示すグラフである。 発明を実施するための最良の形態 図１の符号１は、仮説的な「熱核」反応から明確であるように、低温核融合反 応によってエネルギーを生ずる機械全体を示している。 機械１は反応室２と；反応室２に陽ジュウテリウムイオン（重陽子）のフラッ クスを供給するための陽ジュウテリウムイオン源３と；反応室２内部に比較的低 い圧力を維持するためのポンピングアッセンブリ４と；反応室２内部に収容され 、陽イオン源３によって反応室２へと供給された陽ジュウテリウムイオンのフラ ックスが突き当たるターゲット５とを備える。 反応室２は好ましくは円筒形であるが、必ずしもそうである必要はなく、基準 軸６と同軸に伸び、各々の接続導管７、８を介して陽イオン源３及びポンピング アッセンブリ４と連通し、その各々が反応室２の各々の端２ａ、２ｂにおいて反 応室２と接続される。特に、反応室２を陽イオン源３に接続する導管７は、前記 陽ジュウテリウムイオンが反応室２内へと供給されるように反応室２の端２ａに 接続される。 図１において、反応室２はターゲット５に向けて陽イオンのフラックスを加速 するために、反応室２内部に電界を発生させるためのイオン加速装置１０に接続 される。加速装置１０は、反応室２の両端２ａ、２ｂに置かれた一対の電極と； ２つの電極間の所定の電位差を維持するための電気エネルギー源１１とを備える 。符号１２で示される電極の１つは反応室２の一端に配置され、反応室２を貫通 し、他方の電極は反応室２の端２ｂの近傍に、反応室２内部に収容されるターゲ ット５によって限定される。 ）で作られ、ターゲット５の近傍に集束装置１３を収容する。集束装置１３は金 属材料で作られ、電極１２とターゲット５から電気的に絶縁されており、ターゲ ット５に陽ジュウテリウムイオンのフラックスを集中させるためのものである。 より詳細には、集束装置１３は２つの部分１３ａと１３ｂに分けられ、前者が電 極１２に面し、基準軸６と同軸的に伸びる円筒形管体により限定され、後者がタ ーゲット５に面し、基準軸６と同軸の弓形本体により限定され、部分１３ａを限 定する円筒形管体の内径よりはるかに小さな内径の貫通孔を有する。 図示した例では、陽ジュウテリウムイオン‐以後「重陽子」と称する‐の源３ は、導管７を介して反応室２と連通する、気体状ジュウテリウムを貯蔵するため の公知のタンク１５と；反応室２内に供給される陽ジュウテリウムイオンのフラ ックスを形成するために、タンク１５からのジュウテリウムをイオン化するため の公知のイオン化装置１６とを備える。 更に陽ジュウテリウムイオン源３は、連続して、タンク１５からの気体状ジュ ウテリウムの供給を可能化／不能化するために、導管７に沿って配置される公知 のオン／オフ弁１７と；公知の圧力低下装置１８と；公知のミニオン／オフ調整 弁１９とを備える。圧力低下装置１８はタンク１５からの気体状ジュウテリウム の所定の圧力を維持するためである。 より詳細には、イオン化装置１６は導管７に沿って配置されるほぼ円筒形のイ オン化室２０と；高周波電気振動を発生させる装置２１とを備え、次に、イオン 化室２０のまわりに巻かれた電導材料のコイル２２と、タンク１５からの気体状 ジュウテリウムをイオン化することができる電磁界をイオン化室２０内部に発生 させるために、コイル２２内に高周波電流を誘導するための電源２３とを備えて いる。 更に、イオン化装置１６はイオン化室２０内部に発生された陽イオンのフラッ クスを反応室２と連通する導管７の部分に運ふために、イオン化室２０内部に電 界を発生させるイオン加速装置も備えている。加速装置は導管７に接続されたイ オン化室の２つの対向する端に配置された一対の電極２５と；２つの電極２５間 に所定の調整可能な電位差を維持するために、中電圧の電気エネルギー源２６と を備えている。 図示した例では、電極１２はイオン化室２０を反応室２に接続する導管７の部 分の入口に配置された電極２５に電気接続される。 ポンピングアッセンブリ４は、ポンピングアッセンブリ４から反応室２を選択 的に隔離するために、公知のオン／オフ弁２９の介入を介して導管８によって反 応室２に接続される、公知の一対の真空ポンプ２８（１つは回転式であり、１つ は拡散ポンプである）によって限定される。 図１及び図２において、ターゲット５は必ずしもそうである必要はないが、好 ましくは円筒形の外部ケーシング３０を備え、それはほぼカップ形状であり、軸 ６と同軸であり、その空洞３０ａが集束装置１３に面している。更に、ターゲッ ト５はケーシング３０内に収容されるほぼカップ形状の活性成分３１も備え、そ の空洞３１ａが軸６と同軸であり、集束装置１３に面している。 図示した例では、ケーシング３０はそれ自体も活性成分であり、縦のスクリュ ータイ等の把持成分（図示せず）によって共に保持される、異なる金属（例えば 、銅、チタニウム、鉄、ニッケル及び／または同じ様な化学的‐物理的特徴の他 の金属）の互い違いのワッシャの積み重ねによって限定される。 活性成分３１は金属塩の緻密な集合体によって限定され、次に集合体の緻密さ を改善するために、触媒作用を及ぼす、及び／または結合する成分を添加すると 共に混合された多数の粉末金属硫酸塩（例えば、硫酸銅、硫酸リチウム、硫酸チ タニウム、硫酸カリウム等）によって限定される。硫酸銅と硫酸リチウムは重水 （Ｄ₂Ｏ）で水和される。 重水（Ｄ₂Ｏ）で水和された各々の金属塩は水（Ｈ₂Ｏ）で水和された対応する 金属塩、例えば、ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏから得られ、まず全ての水（Ｈ₂ Ｏ）の分子が除去されるまで、ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏを約２５０℃の温度のオーブ ンに置き、次にシリカゲル乾燥促進剤（公知のタイプ）の中に置き、そこで塩を 重水（Ｄ₂Ｏ）の存在下に再結晶させて、重水（Ｄ₂Ｏ）で水和された対応する金 属塩、例えばＣｕＳＯ₄・４Ｄ₂Ｏを得る。 硫酸チタニウムは必ずしもそうであるとは限らないが、好ましくは触媒作用を 及ぼす成分として使用され、重水（Ｄ₂Ｏ）に溶解されたシリコーン樹脂または アルカリアルキルシリコネートを好ましくは結合成分として使用するが、必ずし もそうでなくてもよい。 活性成分３１の第１の可能な組成物は、 ０．２７８モルのＣｕＳＯ₄・４Ｄ₂Ｏ； １．８５３モルのＬｉＳＯ₄・０．８Ｄ₂Ｏ； ０．０６２５モルのＴｉＯＳＯ₄；及び 約１．５のＲ／Ｓｉ比を有するアルキルポリシロキサン樹脂の５％エーテ ル溶液のｇ．ｓ．を含み、厚い均質な混合物を得るために前記混合物を所定の温 度（約４０℃）で型に入れて乾燥させる。 活性成分３１の第２の可能な組成物は、 ０．１２５モルのＮｉＳＯ₄・５．６Ｄ₂Ｏ； ０．２７８モルのＣｕＳＯ₄・４Ｄ₂Ｏ； １．８５３モルのＬｉ₂ＳＯ₄・０．８Ｄ₂Ｏ； ０．１７２モルのＫ₂ＳＯ₄；及び 約１．５のＲ／Ｓｉ比を有するアルキルポリシロキサン樹脂の５％エーテ ル溶液のｇ．ｓ．を含み、厚い均質な混合物を得るために前記混合物を所定の温 度（約４０℃）で型に入れて乾燥させる。 活性成分３１の第３の可能な組成物は、： ０．２７８モルのＣｕＳＯ₄・４Ｄ₂Ｏ； １．８５３モルのＬｉ₂ＳＯ₄・０．８Ｄ₂Ｏ； ０．１７２モルのＫ₂ＳＯ₄； ０．１２５モルのＴｉＯＳＯ₄；及び 約１．５のＲ／Ｓｉ比を有するアルキルポリシロキサン樹脂の５％エー テル溶液のｇ．ｓ．を含み、厚い均質な混合物を得るために前記混合物を所定の 温度（約４０℃）で型に入れて乾燥させる。 金属塩ＣｕＳＯ₄、Ｌｉ₂ＳＯ₄及びＮｉＳＯ₄を再結晶させる重水（Ｄ₂Ｏ）の 量は、ターゲット５の活性時間を短くするために、化学量論的に計算された量よ り２０％少ない。 図１において、機械１は更に、反応室２に近接して配置される、ターゲット５ の温度を測るための装置３３（例えば熱電対）と、放出された中性子を検出し、 カウントするための装置３４と、ガンマ線の放射を測定する装置３５；更に、反 応室２と弁２９間の導管８に接続される分岐である、反応室２内の圧力を測定す ろ装置３６；及びポンピングアッセンブリ４から下流に導管８に沿って配置され ろ、反応室２内のトリチウムの存在を検出する装置３７を備える。 装置３３、３４、３５、３６及び３７は全て公知のタイプであり、従って説明 する必要はない。 ポンピングアッセンブリ４のポンプ２８が既に非常に低い（Ｈｇのｍｍの数千 分の１の）値の圧力を反応室２内にもたらしていると仮定して、機械１の操作に ついて説明する。 実際の使用に際して、弁１７が開かれている時、気体状ジュウテリウムが導管 ７内へと流れ、また圧力低下装置１８を通ってイオン化装置１６へと流れ、そこ でイオン化されて反応室２に重陽子のフラックスを供給する。より詳細には、気 体状ジュウテリウムは装置２１によって作られる高周波磁界による電磁励磁によ ってイオン化され、２つの電極２５によって発生される電界により反応室２に向 かって運ばれ、それら２つの電極間には数キロボルトの電位差が維持されている 。 同時に、エネルギー源１１は電極１２とターゲット５間に、必ずしもそうでは ないが、好ましくは２〜１０キロボルトの電位差を維持しており、重陽子が一旦 反応室２に入ると、反応室２内の電界によってターゲット５に向かって運ばれ、 図３のグラフに示されているようにターゲット５に衝撃を与える。図３のグラフ は印加される加速電圧の関数として、秒あたりの中性子の製造を示している。 ターゲット５に衝撃を与える前に、重陽子のフラックスが集束装置１３を通し て供給され、それによって活性成分３１に突き当たるのに適した狭い重陽子ビー ムに集められる。 重陽子ビームが活性成分３１に突き当たると同時に、装置３３がターゲット５ の温度低下を検出し、装置３６が反応室２内の圧力低下を検出するが、それらの 現象は活性成分３１内への入射重陽子の吸収と、以下の吸熱核反応による活性成 分３１の結晶格子内の次に続く重陽子の接触壊変により説明することができる： 式中、”Ｄ”はジュワテリウム原子を示し、”ｎ”は中性子を示し、”ｐ”は陽 子を示す。 次に、装置３３がターゲット５の温度の急上昇（約１０００℃までの上昇）を 検出する一方、装置３４、３５、３７は各々自然束より大きな数マグニチュード の（３から５の）オーダーの中性子束（秒あたり１０⁵中性子まで）と、γ線と Ｘ線を含む様々な波長の電磁波の高い放出と、トリチウムの製造を検出する。こ れらの現象は以下の吸熱核反応による低温核融合反応の開始によって説明するこ とができる： Ｉ）Ｄ＋Ｄ→Ｔ＋ｐ＋γ（＋４．０１５ＭｅＶ） ＩＩ）Ｄ＋Ｄ→³Ｈｅ＋ｎ＋γ（＋３．２５０ＭｅＶ） 式中、”Ｄ”はジュウテリウム原子を示し、”Ｔ”はトリチウム原子を示し、 ”³Ｈｅ”はヘリウム−３原子を示し、”ｎ”は中性子を示し、”ｐ”は陽子を 示し、”γ”はｙ線の放出を示す。 より詳細には、吸熱反応（１）は以下の反応の合計結果であり得るし： また吸熱反応（ＩＩ）は以下の反応の合計結果であり得る： 吸熱反応（Ｉ）はトリチウムの製造を含むので、以下の吸熱反応に従って更な る低温核融合反応が開始され得る： ＩＩＩ）Ｄ＋Ｔ→⁴Ｈｅ＋ｎ（＋１７．６ＭｅＶ） 式中、”Ｄ”はジュウテリウム原子を示し、”Ｔ”はトリチウム原子を示し、 ”⁴Ｈｅ”はヘリウム−４原子を示し、”ｎ”は中性子を示す。 製造される多量のエネルギーを考慮して、吸熱反応（ＩＩＩ）はターゲット５ の温度の急上昇を説明することができる（実験中に、ターゲット５は約１０００ ℃の温度に達した）。 活性成分３１の異成分からなる組成物を仮定すると、例えば以下のようなその 他の低温核融合反応が発生してもよい： ジュウテリウム＋ジュウテリウム → ヘリウム−４ ジュウテリウム十陽子 → ヘリウム−３＋ガンマ光子 ジュウテリウム十中性子 → トリチウム＋ガンマ光子 リチウム−６＋中性子 → トリチウム＋ヘリウム−４ リチウム−７＋中性子 → トリチウム＋ヘリウム−４＋中性子 リチウム−７＋陽子 → ベリリウム＋ガンマ光子 銅＋ガンマ光子 → 放射性銅＋中性子 チタニウム＋中性子 → 放射性チタニウム＋ガンマ光子 カリウム＋中性子 → 放射性カリウム＋２中性子 ベリリウム−９＋陽子 → ベリリウム−８＋重陽子 操作中に、実験は、核融合反応の開始と同化できる、温度の急上昇の直後の電 極１２とターゲット５間の電位差の減少が、比例した中性子束の減少を生じさせ ないことを示した（５〜３キロボルトの電位の低下が、単位時間あたり放出され る中性子の数のおよそ２５％の減少を生じた）。 従って、本発明による方法はその結晶格子にジュウテリウム原子を有するター ゲット５を収容する反応室２に陽ジュウテリウムイオンのフラックスを供給する ことを含んでいる。次に、前記方法は反応室２に入る陽ジュウテリウムイオンの フラックスをターゲット５に向けて運び、陽ジュウテリウムイオンのフラックス がターゲット５に突き当たって入射陽ジュウテリウムイオンとターゲット５を構 成する原子の一部との間に核融合反応を生じさせる準備をする。 より詳細には、陽ジュウテリウムイオンをターゲット５に向けて運ぶステップ は、電界によって陽ジュウテリウムイオンのフラックスを加速し、ターゲット５ に突き当たる前に、陽ジュウテリウムイオンのフラックスを集中したビームに集 束させることを含んでいる。 図示した例では、反応室２に陽ジュウテリウムイオンのフラックスを供給する ステップは、タンク１５から気体状のジュウテリウム原子を引き出し、続いてジ ュウテリウム原子をイオン化して反応室２に供給するために陽ジュウテリウムイ オンのフラックスを作り出すことを含んでいる。 しかしながら、本発明の範囲を逸脱することなく、ここで説明し図示した方法 及び機械１を変更できることが明らかである。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１１年４月２０日（１９９９．４．２０） 【補正内容】 請求の範囲 １．核融合反応によりエネルギーを生ずる方法であって、前記方法は： ‐ターゲット（５）を含む反応室（２）に陽ジュウテリウムイオンのフラック スを供給するステップ、前記ターゲットは少なくとも１つの活性成分を含んでお り、前記活性成分は結晶格子と、その結晶格子内にジュウテリウム原子を有する 材料から作られており；及び ‐前記陽ジュウテリウムイオンのフラックスがターゲット（５）に突き当たっ て、入射陽ジュウテリウムイオンとターゲット（５）の活性成分を構成する原子 の一部との間の核融合反応を作り出すように、反応室（２）内部で、ターゲット （５）に向けて前記陽ジュウテリウムイオンのフラックスを運ぶステップとを含 んでいることを特徴とする方法。 ２．陽ジュウテリウムイオンをターゲット（５）に向けて運ぷ前記ステップは 、電界によって陽ジュウテリウムイオンのフラックスを加速することを含んでい る、請求項１に記載の方法。 ３．陽ジュウテリウムイオンをターゲット（５）に向けて運ぶ前記ステップは 、ターゲット（５）に突き当たる前に、陽ジュウテリウムイオンのフラックスを 集中したビームに集束させることを含んでいる、請求項１及び／または２に記載 の方法。 ４．反応室（２）に陽ジュウテリウムイオンのフラックスを供給する前記ステ ッブは、タンク（１５）から気体状のジュウテリウム原子を引き出し、続いて前 記ジュウテリウム原子をイオン化して前記陽ジュウテリウムイオンのフラックス を作り出すことを含んでいる、前述の請求項のいずれか１項に記載の方法。 ５．核融合反応によりエネルギーを生ずる機械（１）であって：反応室（２） と；前記反応室（２）内部に収容されるターゲット（５）と；前記反応室（２） と連通する陽ジュウテリウムイオン源（３）と；前記反応室（２）と連通し、反 応室（２）内部に真空を維持するポンピングアッセンブリ（４）とを備え；前記 ターゲット（５）は少なくとも１つの活性成分（３１）を含んでおり、前記活性 成分（３１）は結晶格子と、その結晶格子内にジュウテリウム原子を有する材料 から作られており；前記陽ジュウテリウムイオン源（３）は陽ジュウテリウムイ オンのフラックスがターゲット（５）の前記少なくとも１つの活性成分（３１） に突き当たり、入射陽ジュウテリウムイオンとターゲット（５）自体を構成する 原子間に核融合反応を生ずるように、陽ジュウテリウムイオンのフラックスを反 応室（２）に供給することを特徴とする機械。 ６．前記反応室（２）が前記ターゲット（５）に対して前記陽ジュウテリウム イオンのフラックスを運び、陽ジュウテリウムイオンを加速するための加速手段 （１０）を備えていることを特徴とする、請求項５に記載の機械。 ７．前記加速手段（１０）が、反応室（２）内に収容される少なくとも２つの 電極（５、１２）と；２つの電極（５、１２）間にいずれにしても可変の電位差 を維持するための電気エネルギー源（１１）とを備えており、前記２つの電極（ ５、１２）の一方が前記ターゲット（５）によって限定されることを特徴とする 、請求項６に記載の機械。 ８．前記反応室（２）が、前記ターゲット（５）に突き当たる前に、前記陽ジ ュウテリウムイオンのフラックスが通過する集束装置（１３）を備えており、前 記集束装置（１３）が前記陽ジュウテリウムイオンのフラックスを集束させて、 陽ジュウテリウムイオンの集中したビームを形成することを特徴とする、請求項 ５から７のいずれか１項に記載の機械。 ９．前記ターゲット（５）が、前記集束装置（１３）に面する空洞（３０ａ） を備えた実質的にカップ形状である外部ケーシング（３０）を備えており；前記 少なくとも１つの活性成分（３１）が前記外部ケーシング（３０）に収容され、 前記集束装置（１３）に面する空洞（３１ａ）を備えた実質的にカップ形状であ り、前記活性成分（３１）に前記陽ジュウテリウムイオンの集中したビームが突 き当たることを特徴とする、請求項５から８のいずれか１項に記載の機械。 １０．前記外部ケーシング（３０）が金属材料で作られることを特徴とする、 請求項９に記載の機械。 １１．前記外部ケーシング（３０）が異なる金属材料で作られた互い違いのワ ッシャ（３２）の積み重ねによって限定され、把持手段によって共に保持される ことを特徴とする、請求項１０に記載の機械。 １２．前記活性成分（３１）が金属塩を含んでいる集合体によって限定される ことを特徴とする、請求項９に記載の機械。 １３．金属塩の一部が硫酸鉄、硫酸ニッケル、硫酸チタニウム及び硫酸カリウ ムを含んでいる硫酸塩のクラスに属することを特徴とする、請求項１２に記載の 機械。 １４．金属塩が硫酸銅と硫酸リチウムから選ばれ、前記硫酸塩は重水で水和さ れろことを特徴とする、請求項１２に記載の機械。 １５．ジュウテリウムイオンフラックスが突き当たった時、前記活性成分（３ １）の前記材料が陽ジュウテリウムイオンを吸収し、前記陽ジュウテリウムイオ ンとの吸熱反応を開始させることができることを特徴とする、請求項９に記載の 機械。 １６．前記陽ジュウテリウムイオン源（３）が、前記反応室（２）に供給する ための気体状ジュウテリウム原子を包含するタンク（１５）と；前記反応室（２ ）に陽ジュウテリウムイオンのフラックスを供給するために、前記タンク（１５ ）と前記反応室（２）との間に挿入される、ジュウテリウム原子をイオン化する ためのイオン化装置１６とを備えていることを特徴とする、請求項５に記載の機 械。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，Ｍ Ｗ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ， ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，Ｅ Ｓ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ Ｇ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ， ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，Ｖ Ｎ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．核融合反応によりエネルギーを生ずる方法であって、前記方法は： ‐その結晶格子内のジュウテリウム原子と活性金属成分を有するターゲット（ ５）を含む反応室（２）に陽ジュウテリウムイオンのフラックスを供給するステ ップ；及び ‐前記陽ジュウテリウムイオンのフラックスがターゲット（５）に突き当たっ て、入射陽ジュウテリウムイオンとターゲット（５）自体を構成する原子の一部 との間の核融合反応を作り出すように、反応室（２）内部で、ターゲット（５） に向けて前記陽ジュウテリウムイオンのフラックスを運ぶステップとを含んでい ることを特徴とする方法。 ２．陽ジュウテリウムイオンをターゲット（５）に向けて運ふ前記ステップは 、電界によって陽ジュウテリウムイオンのフラックスを加速することを含んでい る、請求項１に記載の方法。 ３．陽ジュウテリウムイオンをターゲット（５）に向けて運ぷ前記ステップは 、ターゲット（５）に突き当たる前に、陽ジュウテリウムイオンのフラックスを 集中したビームに集束させることを含んでいる、請求項１及び／または２に記載 の方法。 ４．反応室（２）に陽ジュウテリウムイオンのフラックスを供給する前記ステ ップは、タンク（１５）から気体状のジュウテリウム原子を引き出し、続いて前 記ジュウテリウム原子をイオン化して前記陽ジュウテリウムイオンのフラックス を作り出すことを含んでいる、前述の請求項のいずれか１項に記載の方法。 ５．核融合反応によりエネルギーを生ずる機械（１）であって：反応室（２） と；前記反応室（２）内部に収容されるターゲット（５）と；前記反応室（２） と連通する陽ジュウテリウムイオン源（３）と；前記反応室（２）と連通し、反 応室（２）内部に真空を維持するポンピングアッセンブリ（４）とを備え；前記 ターゲット（５）はその結晶構造にジュウテリウム原子を有し；前記陽ジュウテ リウムイオン源（３）は陽ジュウテリウムイオンのフラックスがターゲット（５ ）の全ての成分に突き当たり、入射陽ジュウテリウムイオンとターゲット（５） 自体を構成する原子間に低温核融合反応を生ずるように、陽ジュウテリウムイオ ンのフラックスを反応室（２）に供給することを特徴とする機械。 ６．前記反応室（２）が前記ターゲット（５）に対して前記陽ジュウテリウム イオンのフラックスを運び、陽ジュウテリウムイオンを加速するための加速手段 （１０）を備えていることを特徴とする、請求項５に記載の機械。 ７．前記加速手段（１０）が、反応室（２）内に収容される少なくとも２つの 電極（５、１２）と；２つの電極（５、１２）間にいずれにしても可変の電位差 を維持するための電気エネルギー源（１１）とを備えており、前記２つの電極（ ５、１２）の一方が前記ターゲット（５）によって限定されることを特徴とする 、請求項６に記載の機械。 ８．前記反応室（２）が、前記ターゲット（５）に突き当たる前に、前記陽ジ ュウテリウムイオンのフラックスが通過する集束装置（１３）を備えており、前 記集束装置（１３）が前記陽ジュウテリウムイオンのフラックスを集束させて、 陽ジュウテリウムイオンの集中したビームを形成することを特徴とする、請求項 ５から７のいずれか１項に記載の機械。 ９．前記ターゲット（５）が、前記集束装置（１３）に面する空洞（３０ａ） を備えた実質的にカップ形状である外部ケーシング（３０）と；前記集束装置（ １３）に面する空洞（３１ａ）を備えた実質的にカップ形状である、前記外部ケ ーシング（３０）に収容される活性成分（３１）を備えており、前記活性成分（ ３１）に前記陽ジュウテリウムイオンの集中したビームが突き当たることを特徴 とする、請求項５から８のいずれか１項に記載の機械。 １０．前記外部ケーシング（３０）が金属材料で作られることを特徴とする、 請求項９に記載の機械。 １１．前記外部ケーシング（３０）が異なる金属材料で作られた互い違いのワ ッシャ（３２）の積み重ねによって限定され、把持手段によって共に保持される ことを特徴とする、請求項１０に記載の機械。 １２．前記活性成分（３１）が金属塩を含んでいる集合体によって限定される ことを特徴とする、請求項９に記載の機械。 １３．金属塩の一部が硫酸鉄、硫酸ニッケル、硫酸チタニウム及び硫酸カリウ ムを含んでいる硫酸塩のクラスに属することを特徴とする、請求項１２に記載の 機械。 １４．金属塩が硫酸銅と硫酸リチウムから選ばれ、前記硫酸塩は重水で水和さ れることを特徴とする、請求項１２に記載の機械。 １５．前記活性成分（３１）が吸熱触媒壊変反応により、入射陽ジュウテリウ ムイオンを吸収することを特徴とする、請求項９に記載の機械。 １６．前記陽ジュウテリウムイオン源（３）が、前記反応室（２）に供給する ための気体状ジュウテリウム原子を包含するタンク（１５）と；前記反応室（２ ）に陽ジュウテリウムイオンのフラックスを供給するために、前記タンク（１５ ）と前記反応室（２）との間に挿入される、ジュウテリウム原子をイオン化する ためのイオン化装置１６とを備えていることを特徴とする、請求項５に記載の機 械。