JPS63500675A

JPS63500675A - 小型装置

Info

Publication number: JPS63500675A
Application number: JP61504404A
Authority: JP
Inventors: ロ・スイ‐イェン
Original assignee: アプリコ・ソシエテ・アノニム
Priority date: 1985-07-25
Filing date: 1986-07-25
Publication date: 1988-03-10
Also published as: JO1489B1; ZA865567B; WO1987000681A1; ES2000736A6; KR880700446A; DD251664A5; HUT44871A; PL260805A1; PT83069B; GB2191336A; IL79437A0; YU134386A; CN86105630A; NZ216956A; GB2191336B; HU203165B; EP0232330A4; PT83069A; DK152787D0; IS1436B6

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】小　型　装　置本発明は、種々の目的のエネルギー源として用いるコヒーレントな帯電ボゾンビームの生成に関するものである。

コヒーレントな帯電ボゾンを生成する装置は、以下の説明において“ペーサ”と称される。

小型ペーサ（ボゾン及びレーザ類似物）は、小さな容積内における独立した多数粒子モデルと共に２個の減衰モデルにおいて説明および研究されている。上記現象は、１９８４年発行のフィジカル、レビュー、レター、５２　１１８４においてシー、ニス、ラム（Ｃ，Ｓ、Ｌａｍ）及びシー、ソイ。ロー（Ｃ，Ｙ、Ｌｏ　）によって説明されている。この論文で説明されているモデルは容積が微視的サイズの場合に有効であるが、このモデルを用いて微視的スケールでコヒーレントな帯電ポゾンを生成するのに有効な微視的ペーサを達成できるか否か明らかではない。

本発明の目的は、小型ペーサを作成することができる装置を提供するものである。

最も広い範囲において、本発明は真空領域内においてボゾンを供給する手段と、このボゾンの誘導散乱を生成してコヒーレントな集束したボゾンビームを作成する手段とを具える小型ペーサを提供するものである。

特に、本発明は、真空領域にボゾンを供給する手段と、この真空領域中でボゾンを反射する手段と、この真空領域中でボゾンを集束させる手段と、集束したボゾンビームをコヒーレントにする手段とを具えるペーサを提供する。

本発明の効適実施例において、集束したボゾンビームはボゾンビームの集束線に沿う方向のレーザビームによりコヒーレントにされる。

或いは、ボゾンビームはボゾンイオンビームの集束線に沿う方向にプロトン又はエレクトロンのような帯電粒子ビームによってコヒーレントにされる。

ボゾンはイオンのような帯電粒子であるから、ボゾンビームの集束は四重棒磁石なような磁気集束装置によって達成することができる。同様に、ボゾンビームを反射する手段は、真空領域の両端に配置した曲げ用磁石のような装置を有することができる。或いはまた、電気的反射体を用いて同様な目的を達成することもできる。

好ましいことに、ボゾンは帯電している。帯電ボゾンは、Ｂ＝Ｚ＋Ｎ＋ｌ　（Ｚ　：プロトンの数、Ｎ：中性子の数、Ｉ２：電子の数）とした場合に、Ｂが偶数となる原子である。この帯電ボゾンは、例えば重陽子及びα粒子（ヘリューム原子核）のようなｌ＝０及びＺ＋Ｎが偶数となる原子核帯電ボゾン（ｎｕｃｌｅａｒ　ｃｈａｒｇｅｄ　ｂｏｓｏｎ）　、或いはｌ≠０となる例えば負帯電水素原子及び負帯電へリューム原子又は負帯電水素分子のような負帯電ボゾン分子のような原子状帯電ボゾンを含むものである。

一般的に、帯電ボゾンを用いてペーサ内及びペーサからのボゾンの方向及び制御を磁気的又は電気的手段によって行なうことは望ましいことである。しかしながら、帯電ボゾンを用いると、ペーサ内のボゾン流又はペーサからの出射ビームの方向又は集束性が種々の目的に対して所望通りには完全に満足できなくなってしまう。すなわち、ボゾン流のイオン又はペーサ内のイオン間において発生するクーロン力により、出力ビームの移動方向と直交する方向に移動させる成分を有しイオンを互いに離れる方向に移動させる力（これらイオンの電荷のようなものに基づき）を有する出力ビームが生じてしまう。ペーサ自身の内部で又はペーサからの出射ビームのいずれかにおいて非集束性及び方向誤りが生ずる可能性は本発明によるペーサの特有の構造により少なくとも教示することができる。従って、種々の多数の電荷から成るボゾンを用いることができる。

イオンの誘導散乱を発生させる手段は、これら電荷のうちの少なくとも一極性ボシンを散乱させてコヒーレントな集束性ボゾンビームを生成することができる。

一実施例において、２種類の互いに異なる極性電荷から成るボゾンは、少なくとも各共通の部分が互いにほぼ一致している経路中を移動する。特に、２種類の互いに異なる電荷から成るボゾンはル＝ブ状形態のようなほぼ一致した閉じた経路に沿って互いに反対方向に移動することができ、一方の極性の電荷のイオンをこの経路から外に向けて少なくとも周期的に放射させる手段を設けてコヒーレントビームを生成する。この場合出射ビームは帯電ボゾンを有しているが、ペーサ自身内を循環するのは実際には互いに逆帯電したボゾンの２種の成分流で構成される合成流であり、ペーサ内の所望の経路からボゾンが変位する可能性が減少する。適当なものとしては、第１極性のボゾンは重陽子とすることができ第２極性のイオンは単一に負帯電した重水素イオンとすることができる。特に、出射ビームは、２種の電荷のう゛ちのいずれか一方の選択したボゾンを有することができる。

本発明に基づいて構成される別の形態の小型ペーサにおいて、２種の互いに逆帯電したボゾンは閉ループに沿って移動し、これら閉ループは各極性のボゾンの閉ループとそれぞれほぼ一致している。例えばこれらの経路は、互いに平行に対向する第１及び第２の細長状経路部分を有する細長状ループ形態とすることができ、８第１及び第２の細長状経路部分の対向する端部においてループ端部部分によって相互接続する。これらのループは、はぼ一致し対応する経路の一部分が各ループの２個の細長状経路部分のそれぞれの経路部分を占めるように互いに並んで配置することができる。この場合、互いに反対極性に帯電したボゾンは互いに背中合わせの状態で各ループに沿って循環するように移動でき、経路の実質的に一致する部分において各ループに沿って移動するずシンは同一方向において互いに平行に又は混じり合った状態で移動する。この場合、２種類の異なる電荷から成るボゾンを各電荷毎に移動経路に注入することができ、細長状のループ部分の互いに隣接する一端に向く位置において細長状のほぼ一致する経路部分に注入する。ペーサから出射するビームは、２本の細長状ループの間の位置でほぼ一致する経路部分の他端から出射する。この場合、２個のループの共通経路部分に沿って移動する合成ボゾン流は、２種類の異なる電荷のボゾンが混じり合ったものを有することになり、出射ビームも同様に２種類の異なる電荷のボゾンの混合物となる。この場合、誘導散乱を発生させる手段は、コヒーレント光ビーム、フォトン又は他の粒子を経路の周囲の適当な位置でボゾン流に注入する手段を有することができる。前述したように、第１電荷のボゾンを重陽子とし第２電荷のボゾンを単一負帯電した重陽子イオンとすることができる。

他の実施例において、４個のボゾン流のような多数のボゾン流がペーサ内の各閉ループに沿って移動する。これらのループはボゾンビームの出射方向と平行な面内の２方向に延在するアレイ状に配置される。一実施例においては、４個のボゾンビームを形成し、各ボゾンビームをアレイに沿って交互に形成されそれぞれ反対極性のボゾンを有する細長状の経路に沿ってそれぞれ移動させる。互いに隣接する経路はペーサの長手方向に延在する共通経路部分を有することができ、これら隣接する経路部分に亘って２種類の異なる電荷のボゾンが移動する。このような場合、断面方向に見て矩形アレイ中に適切に配設さ、れた４個の共通経路部分を形成することができる。アレイ中の２個の対向する共通経路部分において、− 極性のボゾン及び反対極性のボゾンを各経路の隣接する一端に向く位置でそれぞれ注入する。ペーサの対応する一端であって各経路の隣接する反対側の端部において２本の帯電ボゾンビームをペーサから取り出す。他の２個の対向する共通経路部分において、誘電散乱を発生させるコヒーレントな光ビーム又は他の粒子を注入して出射ビームをコヒーレントにすることができる。

本発明の種々の実施例を図面を参照して説明する。

第１図から第７図は本発明によるペーサの種々の構成を示す側面図であり、第８図は第７図のペーサの横方向断面図である。

本発明による好適実施を説明する前に、各好適装置によって達成される機構を支持する理論について説明することとする。以下の説明においてイオンビームをコヒーレントにするためレーザ光を用いる例について説明するが、レーザ光に限定されず、上述した構成によって規定される置換可能ないかなるメカニズムを用いても同様な効果を達成することができる。

ｌｍＸ１ｃｍ２の寸法の真空管中の閉ループに沿って移動するαと称せられているボゾンビームについて検討する。

波動関数の離散正規化に基づき、量子化条件によって全ての方向について１ｅＶ／ｃの運動量の広がりに対して１０ＩＳＯ離散運動量状態が与えられる。ランダムベースのもとにおいては、数ＫｅＶ／ｃの運動量の広がりを有し、サイズがｎｙｌＯ”の通常の粒子線に対して同一の運動量状態を占める２種類のボゾンは実際に存在しない。しかしながら、Ｔと称せられている他の粒子線でα−ビームを散乱させることは可能であり、ビーム中のα−ボゾンはボゾンのα特性に基づき多数回散乱した後−緒になって同一の運動状態となる。

αボゾンと１粒子との間の弾性散乱に対する現象学的なハミルトニアン密度を次式のように仮定する。

Ｈ（ｘ）＝ｇφ（ｘ）　φ（ｘ）　Ａ（ｘ）　Ａ（ｘ）　−（１）ここで、φ（Ｘ）及びＡ（ｘ）はそれぞれα及びＴに対する量子場モあり、ｇは無次元の現象学的な結合定数である。

スピンは不要な事項であり無視することとする。遷移速度が次式で示される場合、ｎ次の摂動論を用いることにより種々の弾性散乱に対して公式を導くことができる。

２種類の粒子間での弾性散乱の最も簡単なものは、符号化した運動量を以ってα （Ｐ）＋γ（Ｋ）−α（Ｐ’）＋Ｔ（Ｋ’）で表わされる。その確率ＰＩ、遷移速度Ｗ、及び断面セクションσ、は：ここで、■は正規化体積、Ｔは閉じた真空管に沿って移動する粒子の周期、Ｖ　ｒ＠Ｌはαとγとの間の相対速度、Ｅ。

−Ｐｏ＋Ｋａは全エネルギー、及びに’　、Ｐ、、に、は全でマスフレーム中心における数値である。

バックグランド中に（Ｐ′）の運動量状態の一群のαボゾンが存在する２種類の粒子の弾性散乱に対して、ｎαのような同一の最終状態に散乱することが誘導される。

α（Ｐ）’＋ｒ　（Ｋ）＋ｎα（Ｐ′）→（ｎ＋１）α（Ｐ’）＋ｒ　（Ｋ’）　−（４）遷移速度Ｗ、、は（２）式を適用することにより次のようになる。

Ｗ、＝（ｎ＋１）ηＷ、　・・・　（５）この公式について簡単に物理的解釈を行う。（ｎ＋１）番目の因子は最終状態のα−ボゾン＜ｎ　ｌ　ａα＝＜ｎ＋１１Ｅ１ゴの消滅演算子に基づき、η因子はＰ′−運動量状態が多数の有効な運動量状態のうちのただ１個の運動量状態となるとう云う事項に基づいている。

η＝１７全有効運動量状態　有効状態の数はＶＸ４　Ｐ２ΔＰ’　ＶＰ”　ΔＰ ′ （２ＴＩ）３　２Ｔ２　ΔＰ′。

Ｖ＝Ａ　（ビームの断面）×１（真空管長）になる事実を利用すれば、１＝Ｖ（＝真空管中でのα−ビームの速度）×Ｔ（α−ビームの循環周期）となり、不確定原理からΔＥ２ＴＴ／Ｔとなる。

ｎｒ個のγ粒子との散乱によって生成される状態Ｐ′のｎ個のコヒーレントαボゾンの生成に対する速度式は：となる。ここで、ｎ、はビーム中のα粒子の数であり、初期運動量Ｋを有するγ粒子により有限の最終状態Ｐ′に散乱することは運動学的に可能である。第１項ｎＷ、は、ｎ個のコヒーレントα粒子がｎ　個の γ粒子によって散乱されて最終状態において異なる運動量状態となる場合における損失速度である。第２項は、α−ビームを用いるγ−粒子の散乱に基づくコヒーレントαボゾンの増加を示す。

（５）式及び（８）式を結合すると、次式で示される小型ペーサ現象が生ずるための臨界条件が与えられる。

ηｎｔ＞１　・・・　（９）べ−ザビームの成長を支配する成長定数２は次式で規定される。

他の損失がない場合λは次式で与えられる。

λ＝ｎ（Ｗ＋（ｎｔ７７−１）＝ＪＷｕｌｉ　−ＱＤ（９）式及び（１１）式の実現性を確認するため、特別の場合、レーザからのフォトン（γ）によるα粒子（Ｈｅ原子の原子核）の散乱：について検討するのが有用である。

運動エネルギーＫ及び中心運動量Ｐ。を中心にしてガウス状の運動量分布△を具える運動量Ｐを有するα−ビームについて検討する。

α−ビームのわずかな量（ΔＮ／Ｎ）だけがエネルギーＫ。

のフォトンによって運動力学的に散乱され固定された最終の運動量Ｐ′になると、となり、更にここで、Ｎはビーム中のα粒子の全数である。臨界条件は：となる。表１は、運動エネルギーかに＝ＩＫｅＶ、１０ＫｅＶ、１．００　Ｋ　ｅ　Ｖでビームの断面積がＡ＝１ｃｍ２および１ｍｍ２の場合に対するη及びＮの値を含んでいる。

ＩＫｅＶ　１ｍｍ２４，４Ｘ１０−”　１０”　１０”　２８４従って、λの１／Δ２となるので、より小さい大きさのビームは大きいビームよりも一層大きな利点がある。

レーザビーム自身がコヒーレントなフォトンで構成されるので、レーザを用いて α−ビームがコヒーレントになるように誘導することは有用な効果を有している。

ヤ及びｎをそれぞれコヒーレントなフォトン及びα粒子の数とし、ｎｔ＞ｎとする。弾性散乱（と対する遷移速度は：ｎ　（Ｋ）　＋　ｎ（Ｐ）→（ｎｒ−ｎ）　（Ｋ）　＋　Ｌ　’　＋　−−−Ｌ　’　＋　Ｐ＋　’　＋　−Ｐｈ　’となり、ここで、Ｋｌ’＋Ｐｌ′は必ずしもコヒーレントではない最終状態におけるそれぞれフォトン及びα粒子の運動量であり、遷移速度は次式で与えられる。

この結果は、（２）式の１次の摂動論の応用から厳格に得られるが、簡単には説明できない。ｎ個のコヒーレントビームが一緒になる場合は、次式のようなボゾンの消滅演算子の特性に基づき遷移速度においてｎ！を有することは簡単に説明される。

ａａ−−−ａ　ｌ　ｎ　（ｋ）　＞＝Ｊｎ　！　Ｉ　Ｏ＞　−Ｑｅ散乱中における初期のｎ　個のフォトンはｎ　（ｎと−１）−（ｎ７−　ｎ＋］、）を与える。けだし、＜ｎ（ｎ）個の初期フォトンだけが相互作用中で関係するからである。

αω式の分子中の（ｎり２は初期状態および最終状態におけるｎ個のα粒子から得られる。最後の倍数的に増加する因子は、コヒーレント又コヒーレントにならない全ての最終状態の合計から得られる。最終状態のｎ　（ｒ）及びｎ（α）の粒子が同一の運動量ｙ：、、’　−Ｋ　’　、　Ｐ、’　＝Ｐ　’でコヒーレントな場合でさえ、これらの粒子が初期運動量のものと同一になるようには思われない。よって、上記種類の遷移はコヒーレントビームの損失を表すことになる。

遷移確率ＰＩ　−（Ｖ、、Ｌ　／Ｖ）−（σ／Ａ）　〜１．０−”が極めて小さいので、上記事項は開始時において重要である。すなわち、ｎが１０７程度まで増大する場合にだけ重要になる。

しかしながら、コヒーレントビームを構成する粒子数ｎが増大すると、コヒーレントビームを増大させ易くなると云う更に好ましい結果が生ずる。ビーム中に運動量だけが存在するレーザ光とは全く異なるが、誘導弾性散乱から得られるコヒーレントビームは異なる運動量状態で成長することができる。運動量Ｐ１を有するｎＩ（Ｐ＋）α及び運動量Ｐ２を有するｎｚ（Ｐ２）αが存在するものと仮定すると、次の型式の誘導弾性散乱が生ずる。

ｎｒ（Ｋ）＋ｎ＋（Ｐ＋）＋１２（Ｐ２）−（ｎｙ−ｎＩ）（Ｋ）＋（ｎＩ＋１２）（Ｐ２）十に＋’＋　Ｋ。ｌ・・・面最初のｎ２個のα−粒子及び（ｎｒ−ｎ、）（Ｋ）個のフォトンは運動量が変化しない。これらの粒子は、ｎ２　（Ｐ２）のα粒子の存在によってｎｌ　（Ｐｌ）のα粒子に散乱を誘導してＰ２の運動量状態とする場合を除きスペクテエイタのようにふるまう。遷移速度は次式により与えられる。

この比Ｗｃ／Ｗ０は：ｎ　＋　−ｎ２　＞＞Ｉ　Ｑの場合、比ｒは１よりも大きくなる。運動学的に許される場合には、誘導弾性散乱が質量的にコヒーレントなビームの成長を増長する。この現象はブロックスイチングαａと称せられる。

式０■をプロセスａ″Ｑに対する遷移確率の項で書き直すと、次の形態で表される。

遷移確率はｎＩで急激に大きくなるが、ユニタリティ（ｕｎｉｔａｒｉｔｙ）により１を超えることはない。ｐ、　〜ｉ　ｏ−”　。

ｎ〜１０−５の値に対してｎ〜６Ｘ１０”の場合に限界に到達する。限界に達すると摂動論が不十分になることは明らかである。従って、この散乱プロセスを全ての次数のものに取り扱うことが必要である。

小型ペーサは多くの実用的有用性を有している。レーザと比較すれば、ペーサは通常のメカニズムによってＭｅＶ。

ＧｅＶ、ＴｅＶ等の一層高いエネルギーに加速された帯電ボゾンを生成することができることに気付くであろう。フォトンとは異なり帯電ボゾンは通常強い相互作用を有する粒子である。レーザは原子又は分子レベルの非線形効果及び特異的効果を研究するのに有用であるが、一方ペーサは原子核レベル及びハトロンレベルにおける非線形効果、外来的な状態、外来的な散乱及び生成プロセス等の研究に用いられることができる。

第１図から第４図を参照しながら本発明の種々の実施例を線図的に説明する。

まず、第１図を参照するが、本装置は真空管１（或いはまた本装置を真空チャンバ内に配置することもできる）と、真空管１内に重陽子ビームｄを発生させるためのイオン源２と、重陽子ビームｄを真空管ｌ内に反射する一対の曲げ用磁石３及び４と、重陽子ビームｄを集束させる一対の四重棒磁石５及び６と、四重棒磁石５及び６によって集束された重陽子ビームｄに沿って真空管１の透明孔を経て真空管中にレーザビームを投射するレーザ７を有し、レーザ７は適当な方法でレーザ光を反射するように配置されている反射ミラー又はプリズム８を含んでいる。上記理論説明で説明したように、レーザビームは重陽子ビームｄをコヒーレントにする作用を有している。キックオフ装置９を設けてコヒーレントな重陽子ビームｄを本装置から放射し、本例ではこのキックオフ装置９は図示の位置において曲げ用磁石の磁界を中和する手段の形態とすることができる。或いはまた、電気的キックオフ装置を配置してもよい。

単色性の重陽子ビームが必要な場合、四重棒磁石をオフすることができる。重陽子−ペーサ（ｄ−ペーサ）に用いる上記レーザの操作は、連続モード又はパルスモードのいずれとすることができる。このｄ−ペーサは高温の原子核融合で使用する。

上記実施例においてイオン源２は、米国テネシー州にあるオーチック株式会社（Ｏｒｔｅｃ　Ｉｎｃ、　）によって製造されたもののようなＩＫｅＶから１００ＫｅＶの重陽子アルファ曲げ用磁石３及び４はＭｅＶ／ｃの範囲のモーメントを有する粒子を１８０°回転させるのに適当な磁石としなければならない。同様に、四重棒磁石５及び６も同様なモーメントを有する粒子を集束できなければならない。適当な磁石は、ニューシーラントのニュークリア　アクツリー株式会社（Ｎｕｃｌｅａｒ　Ａｃｃｅｓｓｏｒｉｅｓ　ｃｏ、　Ｌｔｄ　）で製造されている。

レーザ７は、米国のカルフォルニア　レーザ　コーポレーション（Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ　Ｌａ５ｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）によって製作された２０Ｗ又はそれ以」二のＣＯ２レーザとすることができる。

キックオフ装置９は上述した型式の曲げ用磁石とすることができる。

第２図の実施例について説明すると、本装置は第１図の実施例と構造的に類似しており、同一の部材には同一符号を用いる。本例では別のイオン源１２を配置してプロトン流Ｐを放射し、このプロトン流Ｐを配置されている四重棒磁石１５及び１６によって集束し、このプロトン流Ｐを重陽子ビームｄと整合させる。この機構は第１図に関して説明した機構とほぼ同様である。しかしながら、このプロトンは前述した実施例のレーザにより放射したフォトンよりも一層強い相互作用を誘導するので、反応速度は前述した実施例よりも一層高くなる。反応速度において１０５の利得を予期することができる。

第３図に示す実施例は別のイオン源２２が用いられている点を除き第１図の実施例と同様である。本例では別のイオン源２２から電子ビームｅを放射し、この電子ビームｅを四重棒磁石２５及び２６で集束すると共に曲げ用磁石２３及び２４によって反射して重陽子ビームｄに整合させる。この装置においては、重陽子ビームｄをコヒーレントするため電子ビームを用いることにより、ビームを構成する負電荷が静電エネルギーによる問題を減少させるように作用する利点が達成される。電子ビームｅ中の電子の質量が重陽子の質量よりも相当量さいので、より弱い曲げ用磁石を用いて電子ビームを正しく位置決めする必要がある。

第４図においては、電気的ミラー機構を用い前述した実施例における曲げ用磁石３及び４と同一の目的を達成する。

本例においては、重陽子ビームｄは曲げ用磁石１ｏにより真空管３０の軸に整合させる。一対の導電性プレート３１及び３２を真空管３０の両端に配置し、これらプレートをＶ、＝２ＶＩ（イオン源エネルギー＝ｑＶ＋　）の電圧に維持する。レーザ７からプレート３２の中心部の透明部を経てフォトンビームを放射すると共に回動ミラー３３を配置して真空管３０の他端のプレート３１０開口３４を覆う。

重陽子ｄのコヒーレントビームが一旦発生すると、回動ミラー３３が回動してコヒーレントビームを放射させる。イオンビームを集束させる必要がある場合、四重棒磁石（図示せず）を真空管３０の外部に配置することができる。この装置は低エネルギーのコヒーレント重陽子ビームを発生させるのに好適である。

上述した実施例は次の場合に用いられる。

１、通常の方法によって所望のレベルまで加速した後コヒーレントな重陽子ビームをデユーチリウム又はトリチュウムベレットに向けて放射する高温核融合。この方法はｄ−ペーサの置換によって本装置を多数回高出力状態とする点を除き、レーザを用いる内破法と同様である。

２、加速器用のイオン源。この場合のペーサの利点は、ビームのコヒーレント性に基づき不連続なモーメントを有すると共に高エネルギー加速器を簡単化できることである。

３、マイクロプローブ又は微視的な原子核類似物のためのイオン源。

４、核ホログラフ、原子ホログラフ又は分子ホログラフの形成。この原理はレーザを用いてホログラフを形成する原理と同様である。

コヒーレントな帯電ボゾンビームの前側に適当な材料を配置することによりコヒーレント中性粒子ビームを得ることができる。例えば、Ｈ−→　Ｈ＋ｅ−ｅ− 原子Ｈ２−＊　Ｈ２＋ｅ−＋ｅ− ｅ−図は拡大されたループ状形態の真空管１（真空室）を示し、この真空室は一対の平行な管５６．５８を有し、これらの管の一対の隣接する端部を曲線状の環状部６２により相互接続すると共に他端を曲線状の管状部６０により相互接続する。重陽子を発生させるために用いるイオン源２をペーサの一端に、より詳細には管状部６２と隣接する管５８の端部に配置し、この端部から管５８に重陽子流を注入して真空室１内を進行させる。すなわち、重陽子は管５８に沿って延在するループ状経路７０、端部６０、管５６、端部６２を通過して管５８に戻り、経路７０に沿って循環する。

重陽子のだめの端部６０，６２の案内は曲げ用磁石３゜４を用いることにより行い、また２個の四重棒磁石５及び６の形態をした集束手段を管５６内に配置して重陽子流を集束流に維持する。

第２のイオン源５２を配置して単一の負極性に帯電した重陽子イオンを発生させる。この第２のイオン源５２はペーサのイオン源２と同一の端部に位置し、上述した重陽子イオンを端部６２と隣接する端部から管５６に注入する。

注入されたイオンは、管５６に沿って延在する経路、端部６０、管５８に沿う経路を通り端部６２を経て管５６に戻る閉ループ状の経路７２を進行する。経路７２は経路７゜にほとんど一致しており、重陽子イオンは真空室１を時計方向に沿って進行し、−万里陽子は真空管１を反時計方向に沿って進行することは明らかである。

コヒーレント光を発生するレーザ７は真空室１の端部６０と隣接するペーサの端部に位置し端部６０に隣接する端部から管５６内にコヒーレント光を注入し、このコヒーレント光を経路７２に沿って進行させる。ミラー又はプリズム８を管５６の反対側の端部に配置し、このコヒーレント光を端部６０に隣接する管５６の端部に向けて反射する。

キックオフ装置９を真空室１の端部６ｏに隣接す管５８の端部に配置する。このキックオフ装置は曲げ用磁石３を遮断することによって作動し、管５８に沿って経路７ｏ上を進行する重陽子を端部６０に向かって進行させず端部６０に隣接する管５８の端部で真空管１から出射させる。

このキックオフ装置９は、例えば曲げ用磁石３を瞬時に又は別の方法で遮断する手段を具えることができる。従って、重陽子ビーム７４はキックオフ装置９を経てペーサから出射することになる。

レーザ７から発する光によって経路７０及び７２を進行する重陽子及び重陽子イオンに誘導散乱が生じ、これら重陽子流及び重陽子イオン流がコヒーレント状態になり、従って出射重陽子ビーム７４は重陽子のコヒーレントビームを有することになる。

上述した装置において、ビーム７４は、ビームを構成する重陽子によって運ばれる正電荷によって正に帯電（正帯電している）しているけれども、はぼ一致した拡がりを有しほぼ一致した経路７０．７２を流れる重陽子流及び重用イオン流の正味の電荷は零となり、重陽子の正電荷は重陽子イオンの負電荷によって相殺され、この結果経路７０及び７２に沿って移動する両方の粒子を有する合成流は電気的に中性なる。このため、クーロン力の作用のもとて重陽子が経路７０．７２に対して直交する移動成分となる機会が相当量減少する。この結果、ビーム流が真空管内で非集束状態となる傾向が減少し、コヒーレンス性が増強される。

第５図において、重陽子はキックオフ装置９によって取り出されペーサから出射するビーム７４が形成されるが、重陽子に代わって重陽子イオンを取り出して重陽子イオンビームを発生させることも可能である。これは、レーザ７及びキックオフ装置９の配置を相互変換することにより簡単に行うことができる。

勿論、四重棒磁石５及び６のような別の集束装置を真空管１内に配置して重陽子及び重陽子イオン流の集束性を増進させることができる。特にこのような別の集束装置は四電極磁石５及び６の配置方法と同様な方法で管５８内に配置することができる。

第６図において、真空室１は３本の互いに平行な管８０゜８２．８４を具えている。管８０．８２は一方の一対の隣接する端部において真空管１の端部部分８５により相互接続され、他方の一対の隣接する端部において端部部分８６により相互接続されている。同様に、管８２．８４は一対の互いに隣接する端部が真空管１の端部部分８８によって相互接続され、他方の端部は真空管１の端部部分９０により相互接続されている。この装置において、単一の負帯電している重陽子イオン及び重陽子は真空室１の端部、特に°互いに隣接する端部部分８５及び８８から管８２内に平行流で導入され、第１図で説明した方法と同様な方法で曲げ用磁石及び四重棒磁石を用いることにより各経路９８及び１００に沿って案内される。特に、重陽子イオンが移動する経路９８は伸長した閉ループの形態をなし重陽子イオンが管８２に導入される導入部から端部部分８６、管８０、端部部分８５を経て管８２に戻るように延在する。一方、重陽子が移動する経路１００は同様な閉ループの形態をなし管８２、端部部分９０、管８４、端部部分８８を経て再び管８２に導入されるように延在する。

経路９８．１００に沿って移動する重陽子イオン及び重陽子に誘導散乱を発生させるため、図示の位置において、すなわち真空室１の互いに隣接する端部８５及び８８側に位置する多管８０．８４の端部から管８０及び８４内にコヒーレント光ビーム８７．８９によってフォトンをそれぞ特ノ（口Ｕ６３−５００６７５　（１０）し入射する。これらの光ビームはレーザによって発生させることができ、前述したようにミラー又はプリズムによって反射する。管８２中を移動する重陽子及び重陽子イオンは、真空室１の端部部分８６．９０側の管８２の端部からペーサの外部に向けてビームの形態で出射する。このビーム出射は、前述したキックオフ装置９と同様なキックオフ機構を用いることによって行うことができる。このときの出射ビーム１０２は重陽子及び重陽子イオンの混合物である。

第６図の装置は、ペーサで発生したビートが互いに反対に帯電している重陽子及び重陽子イオンが混じり合っている効果によって電気的に中性なコヒーレントビームになる利点がある。更に、真空管１内における重陽子及び重陽子イオンの移動経路のほぼ一部分に亘って、すなわち管８２を進行する部分において重陽子及び重陽子イオンの合成流は正味電気的に中性になる。

第７図及び第８図の装置において、真空室１は長手方向に平行に延在する４個の管１２０，１２２，１２４．１２６を有し、これら４本の管は第８図に示すように真空室の断面方向に見て矩形アレイのように配置されている。第７図においては図面を明瞭にするため多管を互いに平行に示す。隣接する端部の第１及び第２対において管１２６゜１２０を各端部部分１３０，１３２によって相互接続する。

隣接する端部第１及び第２対において管１２０，１２２を各端部部分１３４，１３６により相互接続する。隣接する端部の第１及び第２対において管１２２，１２４を各端部部分１３８．１４０により相互接続する。隣接する端部の第１及び第２対において管１２４．１２６を真空室１の各端部部分１４２．１４４によって相互接続する。従って、管１２０．１２６が端部部分１３０，１３２と共に真空室部状の第１の伸長ループを画成し、管１２０，１２２が端部部分１３４，１３６と共に真空室部状の第２の伸長ループを画成し、管１２２．１２４が端部部分１３８，１４０と共に真空室部状の第３の伸長ループを画成し、管１２４゜１２６が端部部分１４２及び１４４と共に真空室部状の第４の伸長ループを画成する。第４及び第１真空室部は管１２６の全長に亘って共通し、第１及び第２真空室部は管１２０の全長に亘って共通し、第２及び第３の真空室部は管１２２の全長に亘って共通し、第３及び第４の真空室部は管１２４の全長に亘って共通する。

第７図及び第８図に示されるペーサの一端において、単一に負帯電した重陽子イオン及び重陽子を真空室１内に注入する。一方、これら重陽子イオン及び重陽子は真空室１の端部部分１３０と隣接する端部まで管１２０を進行する。

一方、別の重陽子イオン及び重陽子は管１２４内を真空室１の端部部分１３８，１４２と隣接する端部まで進行する。

管１２０内に注入された重陽子イオンは、管１２０、端部部分１３２．管１２６及び端部部分１３０を通過し前述した第１真空室部を通り経路１４５で示す細長状の閉ループ内を移動する。同様に、管１２０を通過する重陽子は、管１２０、端部部分１３６、管１２２及び端部部分１３４を経て管１２０に戻り、上述した第２真空室部内の伸長閉ループに沿って移動する。管１２４内に注入された重陽子イオンは、管１２４、端部部分１４０、管１２２及び端部部分１３８を経て管１２４に戻り、上述した第３真空室部の細長状の閉ループに沿って移動する。管１２４に注入された重陽子は、管１２４、真空室１の端部部分１４４、管１２６及び端部部分１４２を経て管１２４に戻り、上述した真空室１の第４真空室部の細長状の閉ループに沿って移動する。これら経路の重陽子イオン及び重陽子の移動方向及び必要な集束の制御は、第１図及び第２図の実施例で説明した曲げ用磁石及び四重棒磁石を用いて行う。

符号１６０，１６２で示されるコヒーレント光は管１２６に入射し、経路１５０に沿って移動する重陽子及び経路１４８に沿って移動する重陽子イオンに対して誘導散乱を生じさせ、また経路１４６に沿って移動する重陽子及び経路１４５に沿って移動する重陽子イオンに対しても誘導散乱を発生させる。所望の場合には、前述したミラー又はプリズム８のような反射体を管１２６及び管１２２の端部の入射点に対する反対側にそれぞれ配置してコヒーレント光を入射点に向けて反射することができる。前例と同様にコヒーレント光はレーザによって発生させることができる。

前述したキックオフ装置９のような適当な偏向装置を用いることにより、重陽子イオンと重陽子とが混じり合った各コヒーレントビームは管１２０及び１２４の重陽子及び重陽子イオンの入射端部とは反対側の端部において本装置から出射する。

第７図及び第８図の装置は、イオンのコヒーレントビームが発生し各コヒーレントビームは異なる極性のイオンの混合効果により電気的に正味中性になると共に、同時にループ１５０，１４８，１４６及び１４５に沿って移動する重陽子と重陽子イオンとから成るイオン流はそのループ経路の全長に亘って混合され同様に正味中性の電荷を有する利点がある。従って、出射ビームの非集束性が最小になると共にペーサ自身を移動するイオン流の非集束性も最小になる。

勿論、第７図及び第８図の装置は図示の４個の経路１４５．１４６．１４８及び１５０以上の多数の経路を含むように拡張することができる。例えば、断面方向に見て８個、１２個、１６個又はそれ以上の経路を含むアレイを構成することができる。

一方、上述した装置において真空室１は端部部分によって相互接続されている複数の管で構成されているが、このように構成することは必須要件ではない。特に、真空室は各瞬時おいて１個の群としてペーサ内の粒子の移動経路の全てを囲む真空室を単に有することもできる。

また、上述した第５図から第８図の実施例において、ペーサが重陽子イオン及び重陽子から成るイオン流で作動するように説明したが、前述したような他の帯電粒子を用いることもできる。

本発明は、次のプロセスによってエネルギーを放出するよう作動する核融合原子炉を構成するために適用することができる。

ｄ＋ｄ＝Ｈｅ＋ｎすなわち、２個の重水素原子核（重陽子）の核融合を含むプロセスによってヘリューム原子核と中性子を生成する場合に適用される。

２個の重陽子のうちの一方はペレット状の酸化重水素（Ｄ２０）のような重水素化合物として供給することができ、他方の重陽子は本発明のペーサによって供給することができる。このプロセスにより重水素酸化物は、本発明の１又はそれ以上のペーサによって形成される１又はそれ以上のコヒーレント重陽子ビームになる。

従って、このビームは反応材料を含む重陽子ベレットに向けられている３次元アレイのように種々の方向から供給されることができ、これらのペレットは順次連続して原子炉内に供給される。

核融合エネルギーを生成する既知の内破法の材料を含み、重陽子に対してコヒーレントなフォトンビームを当てる核融合プロセスと比べて、本発明のペーサからのコヒーレント重陽子ビームは２つの明瞭な利点を有している。第１に、コヒーレントな重陽子ビーム中の各重陽子粒子は、１０２ＫｅＶに亘る範囲のエネルギーを有し、このエネルギーはレーザで生成されるプロトンのエネルギーの１０３〜１０５倍である。第２に、コヒーレントな重陽子ビーム自身が重陽子ベレットと直接相互作用を行い、従って核融合を一層有効に且つ瞬時に行うことができる。

従って、核融合炉の大きさを一層小型化することができ、装置をポータプル型とすることが可能である。

国際調査報告仙、＝−ｍ＝肖ＩＡ、、＝、、１．．１１．、ＰＣＴ／ＡＵ　８６１００２１２

Claims

【特許請求の範囲】

１．真空領域中にボゾンを供給する手段と、このボゾンの誘導散乱を発生させてコヒーレントな集束ボゾンビームを生成する手段とを具えることを特徴とする小型ベーサ。
２．前記真空領域中でボゾンを反射する反射手段を更に有することを特徴とする請求の範囲第１項記載の小型べーサ。
３．前記反射手段が、前記真空領域のいずれか一方の端部に配置されている曲げ用磁石を有することを特徴とする請求の範囲第２項記載の小型ベーサ。
４．前記反射手段が電気的ミラーを有することを特徴とする請求の範囲第２項又は第３項記載の小型ベーサ。
５．前記反射手段が、前記ボゾンを前記真空領域中の実質的な共通な経路に沿って後退文は前進させるために用いられることを特徴とする請求の範囲第２項から第４項のいずれか１に記載の小型ベーサ。
６．前記反射手段が、前記ボゾンを真空領域中で循環移動させるために用いられることを特徴とする請求の範囲第２項から第４項のいずれか１に記載の小型ベーサ。
７．前記真空領域中で前記ボゾンを集束流に集束させる集束手段が含まれていることを特徴とする請求の範囲第１項から前記までのいずれか１に記載の小型ベーサ。
８．前記集束手段が磁気的集束装置を有することを特徴とする請求の範囲第７項記載の小型ベーサ。
９．前記誘導散乱を発生させる手段が、前記ボゾンに向けて放射するレーザビームを有することを特徴とする請求の範囲第１項から前項までのいずれか１に記載の小型べーサ。
１０．前記誘導散乱を発生させる手段が、前記ボゾンに向けて放射する帯電粒子ビームを有することを特徴とする請求の範囲第１項から第８項までのいずれか１に記載の小型ベーサ。
１１．前記帯電粒子ビームがプロトンビームを有することを特徴とする請求の範囲第８項記載の小型ベーサ。
１２．前記帯電粒子ビームが電子ビームを有することを特徴とする請求の範囲第１０項記載の小型ベーサ。
１３．前記真空領域中にボゾンを供給する手段が、多数の異なる電荷のボゾンを供給するように用いられることを特徴とする請求の範囲第１項から前項までのいずれか１に記載の小型ベーサ。
１４．前記ボゾンの誘導散乱を発生させる手段が、前記電荷の少なくとも１個のボゾンを散乱させてこれらボゾンから成るコヒーレントな集束ボゾンビームを生成するように用いられることを特徴とする請求の範囲第１３項記載の小型ベーサ。
１５．２種の反対極性の電荷から成るボゾンが、少なくとも各共通部分が互いにほぼ一致している経路に沿って移動するように構成したことを特徴とする請求の範囲第１４項記載の小型ベーサ。
１６．前記２種類の反対極性の電荷から成るボゾンがほぼ一致する閉ループに沿って互いに反対方向に移動し、前記ボゾンビームを生成するために一方の極性の電荷から成るボゾンを対応する経路から外方に向けて少なくとも周期的に出射させる手段が設けられているように構成したことを特徴とする請求の範囲第１５項記載の小型ベーサ。
１７．前記複数の経路が閉じていると共に、これら経路の共通部分が各経路の一部分をなし、共通部分において２種類の反対極性電荷から成るボゾンの合成流を生成し、この合成流がベーサから出射して前記ボゾンビームを生成するように構成したことを特徴とする請求の範囲第１４項記載の小型ベーサ。
１８．前記経路が、対向する第１及び第２の細長状の平行経路部分を画成する細長状のループ形態をなし、各ループ毎にこれら第１及び第２の細長状の部分が各ループの対向端部において各ループの端部部分によって相互接続されるように構成したことを特徴とする請求の範囲第１７項記載の小型ベーサ。
１９．前記複数のループが並んで位置し、これらループの共通部分が各ループの２個の細長状の経路部分の各細長状経路部分をなすように構成したことを特徴とする請求の範囲第１８項記載の小型ベーサ。
２０．前記ボゾンが背中合せての回転状態状態で各ループに沿って循環するように移動し、経路の共通部分において各経路を移動するボゾンが平行に又は同一方向に混合した状態で移動するように構成したことを特徴とする請求の範囲第１９項記載の小型ベーサ。
２１．前記２種類の反対極性の電荷から成るボゾンが、各極性の電荷毎に前記経路の共通部分に対する入口点に互いに隣接して移動経路に注入されるように構成したことを特徴とする請求の範囲第１９項又は２０頂記載の小型ベーサ。
２２．前記誘導散乱を発生させる手段が、各経路の周囲の各位置でコヒーレントビーム中のフォトン又は他の粒子を各経路に沿って移動するボゾンに注入する手段を有することを特徴とする請求の範囲第２１項記載の小型ベーサ。
２３．前記ボゾンビームの出射方向に平行な面内で２方向に延在するアレイ状に配設された各閉経路の少なくとも４個の流路に沿って前記ボゾンが移動するように構成したことを特徴とする請求の範囲第１５項記載の小型ベーサ。
２４．前記アレイ中の閉経路の互いに隣接する経路が、これら経路に沿って移動するそれぞれ反対極性のボゾンを有するように構成したことを特徴とする請求の範囲第２３項記載の小型ベーサ。
２５．前記各経路が２個の共通経路部分を有し、各共通経路部分がアレイ中で平行な２個の経路の各共通経路部分とほぼ一致し、前記共通経路部分がベーサの長手方向に延在し、２種類の異なる電荷から成るボゾンが前記各共通部分に沿って同一方向に進行するように構成したことを特徴とする請求の範囲第２４項記載の小型ベーサ。
２６．前記複数の共通経路部分が、断面方向に見て矩形アレイ状に配設されていることを特徴とする請求の範囲第２５項記載の小型ベーサ。
２７．前記アレイ中の共通経路部分の横方向に対向する共通経路部分において、一方の極性のボゾン及び反対極性のボゾンを経路の互いに隣接する一端に向く位置で注入し、２種類の反対極性の各電荷から成るボゾンが、これら２個の共通通路部分内において正味ほぼ中性の電荷の合成流を生成するように構成したことを特徴とする請求の範囲第２６項記載の小型ベーサ。
２８．前記経路の前記一端と対向する隣接端部において、２個のボゾン流をベーサから取り出し、これらボゾンビームの各々が２種類の反対極性の各々から成るボゾンを有し、正味の電荷がほぼ中性のビームとなるように構成したことを特徴とする請求の範囲第２８項記載の小型ぺーサ。
２９．前記共通通路部分の２個の対向他端において、コヒーレント光ビーム又は他の粒子を注入して誘導散乱を発生させ、共通経路部分を進行するボゾンがコヒーレントになるように構成したことを特徴とする請求の範囲第２８項記載の小型ベーサ。
３０．前記ボゾンがイオンを含むことを特徴とする請求の範囲第１項から前項までのいずれか１に記載の小型ベーサ。
３１．前記第１極性のボゾンが重陽子を有し、第２極性のボゾンが単一の負帯電した重陽子イオンを有することを特徴とする請求の範囲第１５項から第２９項のいずれか１に記載の小型ベーサ。
３２．真空領域中でボゾンを供給し、このボゾンの誘導散乱を発生させることを特徴とするコヒーレントボゾンビームの生成方法。
３３．前記ボゾンが前記真空領域中で反射されることを特徴とする請求の範囲第３２項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
３４．前記反射が、真空領域中でほぼ共通の経路に沿ってボゾンを前進又は後退させることを特徴とする請求の範囲第３３項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
３５．前記反射が、前記真空領域中でボゾンを循環移動させることを特徴とする請求の範囲第３３項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
３６．更に、前記真空領域中で前記ボゾンビームを集束させることを特徴とする請求の範囲第３２項から第３５項のいずれか１に記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
３７．前記散乱が、ボゾン中にコヒーレント光ビームを放射することによって誘導されることを特徴とする請求の範囲第３２項から第３６項のいずれか１に記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
３８．前記誘導散乱が、ボゾンに向けて帯電粒子ビームを放射することにより行なわれることを特徴とする請求の範囲第３２項から第３６項のいずれか１に記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
３９．前記帯電粒子がプロトンを含むことを特徴とする請求の範囲第３８項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
４０．前記帯電粒子が電子を含むことを特徴とする請求の範囲第３８項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
４１．前記真空領域の多数の異なる電荷から成るボゾンを導入することを特徴とする請求の範囲第３２項から第４０項のいずれか１に記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
４２．前記電荷のうちの少なくとも１種類のボゾンについて前記散乱が行なわれ、これらボゾンのコヒーレントボゾンビームの生成することを特徴とする請求の範囲第４１項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
４３．２種類の反対極性の電荷から成るボゾンが、互いにほぼ一致する少なくとも各共通部分となる経路に沿って移動することを特徴とする請求の範囲第４２項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
４４．２種類の反対極性の電荷から成るボゾンが、互いにほぼ一致する閉経路に沿って反対方向に移動することを特徴とする請求の範囲第４３項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
４５．前記複数の経路が閉じていると共に、これら経路の共通部分が各経路の一部分をなし、前記共通部分に亘って２種類の反対極性の電荷から成るボゾンの共通流を形成し、この共通流が出射して前記ボゾンビームを形成するごとを特徴とする請求の範囲第４２項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
４６．前記経路が、対向する第１及び第２の細長状の平行経路部分を画成する細長状のループ形態をなし、各ループ毎に第１及び第２の細長状の経路部分が各ループの対向端部において各ループの端部部分によって相互接続されることを特徴とする請求の範囲第４５項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
４７．前記複数のループが並んで位置し、これらループの共通部分が各ループの２個の細長状経路部分のうちの各細長状経路部分をなすことを特徴とする請求の範囲第４６項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
４８．前記ボゾンが背中合せの回転状態で各ループに沿って循環するように移動し、経路の共通部分において各経路を移動するボゾンが平行に又は周一方向に混合した状態で移動することを特徴とする請求の範囲第４７項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
４９．２種類の反対極性の電荷から成るボゾンが、各極性の電荷毎に前記共通の経路部分の入口点に互いに隣接して移動経路に注入されることを特徴とする請求の範囲第４７項又は第４８項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
５０．コヒーレントビーム中のフォトン又は他の粒子を前記各経路周囲の各位置で各経路に沿って移動するボゾンに注入することにより散乱を発生させることを特徴とする請求の範囲第４９項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
５１．前記ボゾンビームに平行な面内で２方向に延在するアレイ状に配設された各閉経路の少なくとも４個の流路に沿って前記ボゾンが移動することを特徴とする請求の範囲第４３項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
５２．前記アレイ中の閉ループのうち隣接する閉ループが、これら閉ループに沿って移動する互いに反対極性のボゾンをそれぞれ有することを特徴とする請求の範囲第５１項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
５３．前記各経路が２個の共通通路部分を有し、各共通部分がアレイ中で平行な２個の経路の各共通経路部分とほぼ一致し、前記共通経路部分がベーサの長手方向に延在し、２種類の異なる電荷から成るボゾンが各共通経路部分に沿って同一方向に進行することを特徴とする請求の範囲第５２項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
５４．前記共通の経路部分が、断面方向と見て矩形アレイ状に配設されていることを特徴とする請求の範囲第５３項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
５５．前記アレイ中の共通経路部の横方向に対向する２個の共通部分において、一方の極性のボゾン及び反対極性のボゾンを経路の互いに隣接する一端に向く位置で注入し、２種類の反対極性の各電荷から成るボゾンが、これら２個の共通通路部分内において正味ほぼ中性の電荷の合成流を生成することを特徴とする請求の範囲第５４項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
５６．前記経路の前記一端と対向する隣接端部において、２個帯電ボゾンビームが取り出されることを特徴とする請求の範囲第５５項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
５７．前記共通経路部の２個の対向他端において、コヒーレント光ビーム又は他の散乱誘導粒子が注入され、共通経路部分を進行するボゾンをコヒーレントすることを特徴とする請求の範囲第５６項記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
５８．前記ボゾンがイオンを含むことを特徴とする請求の範囲第３２項から５７項のいずれか１に記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
５９．前記第１極性のボゾンが重陽子を有し、第２極性のボゾンが単一の負帯電した重陽子イオンを有することを特徴とする請求の範囲第４３項から第５７項のいずれか１に記載のコヒーレントボゾンビームの生成方法。
６０．２種の核の核融合によってエネルギーを生成するに当たり、少なくとも一方の核が、他方の核と当たるように向けられたコヒーレントな核ビームとして与えられることを特徴とするエネルギー生成方法。
６１．前記核をデューテリウム核としたことを特徴とする請求の範囲第６０項記載のエネルギー生成方法。
６２．前記核ビームが、他方の核に当たるように向けられた複数の重陽子ビームの核ビームとされていることを特徴とする請求の範囲第６１項記載のエネルギー生成方法。
６３．前記他方の核が、重水素化合物のペレットから成る多数のデューテリウム原子の核とされていることを特徴とする請求の範囲６１項又は第６２項記載のエネルギー生成方法。
６４．前記重水素化合物がデューテリウム酸化物（Ｄ２Ｏ）とされていることを特徴とする請求の範囲第６３項記載のエネルギー生成方法。
６５．前記重水素化合物がトリチウム化合物を含むことを特徴とする請求の範囲第６４項記載のエネルギー生成方法。
６６．前記核ビームが、請求の範囲第１項から第５９項のいずれか１に記載の少なくとも１個の小型ベーサによって与えられること特徴とする請求の範囲第６０項から第６５項のいずれか１に記載のエネルギー生成方法。
６７．少なくとも１個のコヒーレントな核ビームを生成するのに有効な小型ベーサと、別の核を前記ビームと一致するように位置決めする手段とを具え、請求の範囲第６０項記載のエネルギー生成方法によってエネルギーを生成するための原子核融合炉。
６８．前記ベーサが、別の核に向く複数のコヒーレントな核ビームを発生させる複数のベーサのうちの１個のベーサとされていることを特徴とする請求の範囲第６７項記載の原子核融合炉。
６９．前記手段が、重水素化合物のペレットを供給する手段を有することを特徴とする請求の範囲第６７項又は第６８項記載の原子核融合炉。
７０．前記ベーサが入射重陽子のコヒーレントビーム又は別の核を生成するのに有効なものとされていることを特徴とする請求の範囲第６７項から第６９項のいずれか１に記載の原子核融合炉。