JP2001356146A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JP2001356146A JP2001356146A JP2000178340A JP2000178340A JP2001356146A JP 2001356146 A JP2001356146 A JP 2001356146A JP 2000178340 A JP2000178340 A JP 2000178340A JP 2000178340 A JP2000178340 A JP 2000178340A JP 2001356146 A JP2001356146 A JP 2001356146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- circuit
- memory
- output
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部からメモリの内容を容易に読み出すこと
ができず、メモリの内容の不正コピーを防ぐことができ
る半導体集積回路を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体集積回路は、ROM11
と、論理回路12と、テスト信号及び実稼動用の信号を
受け取り、TE信号の入力に応じて何れか一方の信号を
選択してROM11に出力するMUX13〜15と、R
OM11から出力される信号を受け取り論理回路12及
びMUX16に出力する組み合わせ回路17と、組み合
わせ回路17の出力を受け取るバスキーパー回路18
と、組み合わせ回路17から出力された信号及び論理回
路12から出力された信号を受け取り、TE信号の入力
に応じて何れか一方を選択して出力するMUX16と、
を備えている。組み合わせ回路17への入力信号によっ
てROM11からの出力を制御することができるので、
外部からROM11などのメモリの内容を容易に読み出
すことができず、メモリの内容の不正コピーを防ぐこと
ができる。
ができず、メモリの内容の不正コピーを防ぐことができ
る半導体集積回路を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体集積回路は、ROM11
と、論理回路12と、テスト信号及び実稼動用の信号を
受け取り、TE信号の入力に応じて何れか一方の信号を
選択してROM11に出力するMUX13〜15と、R
OM11から出力される信号を受け取り論理回路12及
びMUX16に出力する組み合わせ回路17と、組み合
わせ回路17の出力を受け取るバスキーパー回路18
と、組み合わせ回路17から出力された信号及び論理回
路12から出力された信号を受け取り、TE信号の入力
に応じて何れか一方を選択して出力するMUX16と、
を備えている。組み合わせ回路17への入力信号によっ
てROM11からの出力を制御することができるので、
外部からROM11などのメモリの内容を容易に読み出
すことができず、メモリの内容の不正コピーを防ぐこと
ができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ROM(Read Onl
y Memory)やフラッシュメモリなどのメモリ、論理回路
などを備えた半導体集積回路に関し、特に、メモリや論
理回路などを備え、外部からデータを入出力してテスト
を行うことができる半導体集積回路に関する。
y Memory)やフラッシュメモリなどのメモリ、論理回路
などを備えた半導体集積回路に関し、特に、メモリや論
理回路などを備え、外部からデータを入出力してテスト
を行うことができる半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体技術の急速な進歩に伴い、
多種多様な半導体集積回路が開発されている。これらの
半導体集積回路においては、設計、製造された半導体集
積回路が必要な仕様を満たすか否かを検証するために、
対象となる半導体集積回路に外部からデータを入力し、
出力された値を予め設定された値と比較してテストする
ことが一般的に行われている。
多種多様な半導体集積回路が開発されている。これらの
半導体集積回路においては、設計、製造された半導体集
積回路が必要な仕様を満たすか否かを検証するために、
対象となる半導体集積回路に外部からデータを入力し、
出力された値を予め設定された値と比較してテストする
ことが一般的に行われている。
【0003】図2は、従来の半導体集積回路の構成を示
す回路図である。図2において、従来の半導体集積回路
は、プログラムなどを記録したROM21と、所定の論
理演算処理を行う論理回路22と、外部から入力される
テスト用のテスト信号及び他の論理回路(図示せず)な
どから出力された実稼動用の信号を受け取り、TE(T
est Enable)信号の入力に応じて何れか一方
の信号を選択してROM21に出力するマルチプレクサ
(以下、単に「MUX」ともいう)23〜25と、RO
M21から出力された信号及び論理回路22から出力さ
れた信号を受け取り、TE信号の入力に応じて何れか一
方を選択して外部または他の論理回路(図示せず)など
に出力するMUX26と、を備えている。
す回路図である。図2において、従来の半導体集積回路
は、プログラムなどを記録したROM21と、所定の論
理演算処理を行う論理回路22と、外部から入力される
テスト用のテスト信号及び他の論理回路(図示せず)な
どから出力された実稼動用の信号を受け取り、TE(T
est Enable)信号の入力に応じて何れか一方
の信号を選択してROM21に出力するマルチプレクサ
(以下、単に「MUX」ともいう)23〜25と、RO
M21から出力された信号及び論理回路22から出力さ
れた信号を受け取り、TE信号の入力に応じて何れか一
方を選択して外部または他の論理回路(図示せず)など
に出力するMUX26と、を備えている。
【0004】ここで、MUX23は、他の論理回路(図
示せず)などから入力されるアドレス信号ADDR及び
外部から入力されるテストアドレス信号T_ADDRE
SSを受け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じて
アドレス信号ADDRを選択してROM21に出力し、
TE信号のHI信号の入力に応じてテストアドレス信号
T_ADDRESSを選択してROM21に出力する。
示せず)などから入力されるアドレス信号ADDR及び
外部から入力されるテストアドレス信号T_ADDRE
SSを受け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じて
アドレス信号ADDRを選択してROM21に出力し、
TE信号のHI信号の入力に応じてテストアドレス信号
T_ADDRESSを選択してROM21に出力する。
【0005】また、MUX24は、他の論理回路(図示
せず)などから入力されるシステムクロック信号CLK
及び外部から入力されるテストクロック信号T_CKを
受け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じてシステ
ムクロック信号CLKを選択してROM21に出力し、
TE信号のHI信号の入力に応じてテストクロック信号
T_CKを選択してROM21に出力する。
せず)などから入力されるシステムクロック信号CLK
及び外部から入力されるテストクロック信号T_CKを
受け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じてシステ
ムクロック信号CLKを選択してROM21に出力し、
TE信号のHI信号の入力に応じてテストクロック信号
T_CKを選択してROM21に出力する。
【0006】また、MUX25は、他の論理回路(図示
せず)などから入力されるコントロール信号CS及び外
部から入力されるテストコントロール信号T_CSを受
け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じてコントロ
ール信号CSを選択してROM21に出力し、TE信号
のHI信号の入力に応じてテストコントロール信号T_
CSを選択してROM21に出力する。
せず)などから入力されるコントロール信号CS及び外
部から入力されるテストコントロール信号T_CSを受
け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じてコントロ
ール信号CSを選択してROM21に出力し、TE信号
のHI信号の入力に応じてテストコントロール信号T_
CSを選択してROM21に出力する。
【0007】さらに、MUX26は、論理回路22から
出力される出力信号OUT及びROM21から出力され
る信号ROM_OUTを受け取り、TE信号のLOW信
号の入力に応じて出力信号OUTを選択して外部や他の
論理回路(図示せず)などに出力し、TE信号のHI信
号の入力に応じて信号ROM_OUTを選択して外部や
他の論理回路(図示せず)などに出力する。
出力される出力信号OUT及びROM21から出力され
る信号ROM_OUTを受け取り、TE信号のLOW信
号の入力に応じて出力信号OUTを選択して外部や他の
論理回路(図示せず)などに出力し、TE信号のHI信
号の入力に応じて信号ROM_OUTを選択して外部や
他の論理回路(図示せず)などに出力する。
【0008】以上のように、MUX23〜26は、テス
トイネーブル信号TEに応じて、受け取った信号のうち
いずれか一方の信号を選択して出力するように制御され
る。
トイネーブル信号TEに応じて、受け取った信号のうち
いずれか一方の信号を選択して出力するように制御され
る。
【0009】上述のように、図2に示した従来の半導体
集積回路においては、テストの際に、テストイネーブル
信号TEによってMUX23〜26の出力信号を制御
し、MUX26から外部に出力される信号を予め設定し
た値と比較することによって、テストの対象となる半導
体集積回路が正常に動作しているか否かを検証すること
ができる。
集積回路においては、テストの際に、テストイネーブル
信号TEによってMUX23〜26の出力信号を制御
し、MUX26から外部に出力される信号を予め設定し
た値と比較することによって、テストの対象となる半導
体集積回路が正常に動作しているか否かを検証すること
ができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体集積回路においては、MUX23〜26に外部か
ら直接アクセスすることができるため、TE信号のHI
信号を入力することによってROM21の内容を容易に
読み出されて、盗用される恐れがあるという問題があっ
た。
半導体集積回路においては、MUX23〜26に外部か
ら直接アクセスすることができるため、TE信号のHI
信号を入力することによってROM21の内容を容易に
読み出されて、盗用される恐れがあるという問題があっ
た。
【0011】さらに、ROM21の内容を容易に読み出
すことができるため、ROM21の内容を容易にコピー
することができ、不正にコピーされたROM21の内容
を大量に作成され頒布される恐れがあるという問題があ
った。
すことができるため、ROM21の内容を容易にコピー
することができ、不正にコピーされたROM21の内容
を大量に作成され頒布される恐れがあるという問題があ
った。
【0012】そこで、上記の点に鑑み、本発明の目的
は、外部からROM21などのメモリの内容を容易に読
み出すことができず、メモリの内容の不正コピーを防ぐ
ことができる半導体集積回路を提供することである。
は、外部からROM21などのメモリの内容を容易に読
み出すことができず、メモリの内容の不正コピーを防ぐ
ことができる半導体集積回路を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明の半導体集積回路は、プログラムなどを記録
したメモリと、メモリからの出力信号に基づいて所定の
論理演算処理を行う論理回路と、を有する半導体集積回
路であって、テスト信号及び実稼動用の信号を受け取
り、制御信号の入力に応じて何れか一方の信号を選択し
てメモリに出力する第1の選択回路と、メモリから出力
されたメモリ出力信号及び論理回路12から出力された
信号を受け取り、制御信号の入力に応じて何れか一方を
選択して出力する第2の選択回路と、メモリの出力側と
論理回路及び第2の選択回路の入力側との間に設けら
れ、所定の入力信号に応じて、メモリからのメモリ出力
信号を論理回路12及び第2の選択回路に出力する論理
制御回路と、を備えることを特徴とする。
め、本発明の半導体集積回路は、プログラムなどを記録
したメモリと、メモリからの出力信号に基づいて所定の
論理演算処理を行う論理回路と、を有する半導体集積回
路であって、テスト信号及び実稼動用の信号を受け取
り、制御信号の入力に応じて何れか一方の信号を選択し
てメモリに出力する第1の選択回路と、メモリから出力
されたメモリ出力信号及び論理回路12から出力された
信号を受け取り、制御信号の入力に応じて何れか一方を
選択して出力する第2の選択回路と、メモリの出力側と
論理回路及び第2の選択回路の入力側との間に設けら
れ、所定の入力信号に応じて、メモリからのメモリ出力
信号を論理回路12及び第2の選択回路に出力する論理
制御回路と、を備えることを特徴とする。
【0014】ここで、論理制御回路は、組み合わせ回路
または順序回路とバスキーパー回路を具備した3ステー
トバッファにすればよい。また、このとき、組み合わせ
回路は、所定の入力信号を論理積して出力するAND回
路と、AND回路の出力信号に応じて、メモリからのメ
モリ出力信号を論理回路及び第2の選択回路に出力する
バッファ回路と、を備えるようにするとよい。
または順序回路とバスキーパー回路を具備した3ステー
トバッファにすればよい。また、このとき、組み合わせ
回路は、所定の入力信号を論理積して出力するAND回
路と、AND回路の出力信号に応じて、メモリからのメ
モリ出力信号を論理回路及び第2の選択回路に出力する
バッファ回路と、を備えるようにするとよい。
【0015】論理制御回路への所定の入力信号によって
メモリからのメモリ出力信号を制御することができるの
で、外部からメモリの内容を容易に読み出すことができ
ず、メモリの内容の不正コピーを防ぐことができる。ま
た、制御を正しく行わないとあたかも常に同じデータが
でることになる。
メモリからのメモリ出力信号を制御することができるの
で、外部からメモリの内容を容易に読み出すことができ
ず、メモリの内容の不正コピーを防ぐことができる。ま
た、制御を正しく行わないとあたかも常に同じデータが
でることになる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の半
導体集積回路について説明する。図1は、本発明の半導
体集積回路の構成の一例を示す回路図である。図1にお
いて、本発明の半導体集積回路は、プログラムなどを記
録したROM11と、所定の論理演算処理を行う論理回
路12と、外部から入力されるテスト用のテスト信号及
び他の論理回路(図示せず)などから出力された実稼動
用の信号を受け取り、TE(Test Enable)
信号の入力に応じて何れか一方の信号を選択してROM
11に出力するマルチプレクサ(以下、単に「MUX」
ともいう)13〜15と、ROM11から出力される信
号を受け取り論理回路12及びMUX16に出力する組
み合わせ回路17と、組み合わせ回路17の出力を受け
取るバスキーパー回路18と、組み合わせ回路17から
出力された信号及び論理回路12から出力された信号を
受け取り、TE信号の入力に応じて何れか一方を選択し
て外部または他の論理回路(図示せず)などに出力する
MUX16と、を備えている。
導体集積回路について説明する。図1は、本発明の半導
体集積回路の構成の一例を示す回路図である。図1にお
いて、本発明の半導体集積回路は、プログラムなどを記
録したROM11と、所定の論理演算処理を行う論理回
路12と、外部から入力されるテスト用のテスト信号及
び他の論理回路(図示せず)などから出力された実稼動
用の信号を受け取り、TE(Test Enable)
信号の入力に応じて何れか一方の信号を選択してROM
11に出力するマルチプレクサ(以下、単に「MUX」
ともいう)13〜15と、ROM11から出力される信
号を受け取り論理回路12及びMUX16に出力する組
み合わせ回路17と、組み合わせ回路17の出力を受け
取るバスキーパー回路18と、組み合わせ回路17から
出力された信号及び論理回路12から出力された信号を
受け取り、TE信号の入力に応じて何れか一方を選択し
て外部または他の論理回路(図示せず)などに出力する
MUX16と、を備えている。
【0017】ここで、MUX13は、他の論理回路(図
示せず)などから入力されるアドレス信号ADDR及び
外部から入力されるテストアドレス信号T_ADDRE
SSを受け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じて
アドレス信号ADDRを選択してROM11に出力し、
TE信号のHI信号の入力に応じてテストアドレス信号
T_ADDRESSを選択してROM11に出力する。
示せず)などから入力されるアドレス信号ADDR及び
外部から入力されるテストアドレス信号T_ADDRE
SSを受け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じて
アドレス信号ADDRを選択してROM11に出力し、
TE信号のHI信号の入力に応じてテストアドレス信号
T_ADDRESSを選択してROM11に出力する。
【0018】また、MUX14は、他の論理回路(図示
せず)などから入力されるシステムクロック信号CLK
及び外部から入力されるテストクロック信号T_CKを
受け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じてシステ
ムクロック信号CLKを選択してROM11に出力し、
TE信号のHI信号の入力に応じてテストクロック信号
T_CKを選択してROM11に出力する。
せず)などから入力されるシステムクロック信号CLK
及び外部から入力されるテストクロック信号T_CKを
受け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じてシステ
ムクロック信号CLKを選択してROM11に出力し、
TE信号のHI信号の入力に応じてテストクロック信号
T_CKを選択してROM11に出力する。
【0019】また、MUX15は、他の論理回路(図示
せず)などから入力されるコントロール信号CS及び外
部から入力されるテストコントロール信号T_CSを受
け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じてコントロ
ール信号CSを選択してROM11に出力し、TE信号
のHI信号の入力に応じてテストコントロール信号T_
CSを選択してROM11に出力する。
せず)などから入力されるコントロール信号CS及び外
部から入力されるテストコントロール信号T_CSを受
け取り、TE信号のLOW信号の入力に応じてコントロ
ール信号CSを選択してROM11に出力し、TE信号
のHI信号の入力に応じてテストコントロール信号T_
CSを選択してROM11に出力する。
【0020】さらに、MUX16は、論理回路12から
出力される出力信号OUT及び組み合わせ回路17から
出力される信号ROM_OUTを受け取り、TE信号の
LOW信号の入力に応じて出力信号OUTを選択して外
部や他の論理回路(図示せず)などに出力し、TE信号
のHI信号の入力に応じて信号ROM_OUTを選択し
て外部や他の論理回路(図示せず)などに出力する。
出力される出力信号OUT及び組み合わせ回路17から
出力される信号ROM_OUTを受け取り、TE信号の
LOW信号の入力に応じて出力信号OUTを選択して外
部や他の論理回路(図示せず)などに出力し、TE信号
のHI信号の入力に応じて信号ROM_OUTを選択し
て外部や他の論理回路(図示せず)などに出力する。
【0021】以上のように、MUX13〜16は、テス
トイネーブル信号TEに応じて、受け取った信号のうち
いずれか一方の信号を選択して出力するように制御され
る。
トイネーブル信号TEに応じて、受け取った信号のうち
いずれか一方の信号を選択して出力するように制御され
る。
【0022】また、組み合わせ回路17は、3つの入力
端子IN1〜3からの入力信号を論理積して制御信号を
出力するAND回路17Aと、AND回路17Aから出
力される出力信号Xに応じて、ROM11からの出力信
号ROM_OUTを出力するバッファ回路17bと、を
備えている。
端子IN1〜3からの入力信号を論理積して制御信号を
出力するAND回路17Aと、AND回路17Aから出
力される出力信号Xに応じて、ROM11からの出力信
号ROM_OUTを出力するバッファ回路17bと、を
備えている。
【0023】この組み合わせ回路17において、AND
回路17Aは、入力信号IN1がHI信号(「1」)、
入力信号IN2がHI信号(「1」)及び入力信号IN
3がLOW信号(「0」)の場合にのみ、その出力信号
XがHI信号になる。一方、入力信号IN1〜3の信号
の組み合わせが上記以外の場合には、AND回路17A
の出力信号XはLOW信号となる。ここで、バッファ回
路17bは、AND回路17Aからの出力信号XがHI
信号の場合に、ROM11からの出力信号ROM_OU
Tを受け取って出力する。一方、AND回路17Aから
の出力信号XがLOW信号の場合には、バッファ回路1
7bはバスキーパー回路18により、前の状態を維持す
る。
回路17Aは、入力信号IN1がHI信号(「1」)、
入力信号IN2がHI信号(「1」)及び入力信号IN
3がLOW信号(「0」)の場合にのみ、その出力信号
XがHI信号になる。一方、入力信号IN1〜3の信号
の組み合わせが上記以外の場合には、AND回路17A
の出力信号XはLOW信号となる。ここで、バッファ回
路17bは、AND回路17Aからの出力信号XがHI
信号の場合に、ROM11からの出力信号ROM_OU
Tを受け取って出力する。一方、AND回路17Aから
の出力信号XがLOW信号の場合には、バッファ回路1
7bはバスキーパー回路18により、前の状態を維持す
る。
【0024】図1に示した半導体集積回路においては、
テストの際に、テストイネーブル信号TEによってMU
X13〜16を制御し、MUX16から外部に出力され
る信号を予め設定した値と比較することによって、テス
トの対象となる回路が正常に動作しているか否かを検証
することができる。
テストの際に、テストイネーブル信号TEによってMU
X13〜16を制御し、MUX16から外部に出力され
る信号を予め設定した値と比較することによって、テス
トの対象となる回路が正常に動作しているか否かを検証
することができる。
【0025】また、図1に示した半導体集積回路におい
て、組み合わせ回路17は、外部から入力される信号I
N1〜3が予め設定した値でない場合には、ROM11
から出力される信号ROM_OUTを論理回路12及び
MUX16に出力しない。したがって、ROM11から
出力される信号ROM_OUTは、組み合わせ回路17
に入力される信号IN1〜3の組み合わせが正しい場合
のみ、つまり正式な使用の場合のみ、組み合わせ回路1
7の外部に出力されるようになる。
て、組み合わせ回路17は、外部から入力される信号I
N1〜3が予め設定した値でない場合には、ROM11
から出力される信号ROM_OUTを論理回路12及び
MUX16に出力しない。したがって、ROM11から
出力される信号ROM_OUTは、組み合わせ回路17
に入力される信号IN1〜3の組み合わせが正しい場合
のみ、つまり正式な使用の場合のみ、組み合わせ回路1
7の外部に出力されるようになる。
【0026】図1に示した半導体集積回路においては、
ROM11から出力される信号ROM_OUTを受け取
り論理回路12及びMUX16に出力する回路として組
み合わせ回路17を用いたが、順序回路であってもよ
い。
ROM11から出力される信号ROM_OUTを受け取
り論理回路12及びMUX16に出力する回路として組
み合わせ回路17を用いたが、順序回路であってもよ
い。
【0027】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体集積回路
によれば、組み合わせ回路17への入力信号によってR
OM11からの出力を制御することができるので、外部
からROM11などのメモリの内容を容易に読み出すこ
とができず、メモリの内容の不正コピーを防ぐことがで
きるようになった。
によれば、組み合わせ回路17への入力信号によってR
OM11からの出力を制御することができるので、外部
からROM11などのメモリの内容を容易に読み出すこ
とができず、メモリの内容の不正コピーを防ぐことがで
きるようになった。
【図1】本発明の半導体集積回路の構成を示す回路図で
ある。
ある。
【図2】従来の半導体集積回路の構成を示す回路図であ
る。
る。
11、21 ROM 12、22 論理回路 13〜16、23〜26 MUX 17 組み合わせ回路 17a AND回路 17b バッファ回路 18 バスキーパー回路
Claims (4)
- 【請求項1】 プログラムなどを記録したメモリと、前
記メモリからの出力信号に基づいて所定の論理演算処理
を行う論理回路と、を有する半導体集積回路であって、 テスト信号及び実稼動用の信号を受け取り、制御信号の
入力に応じて何れか一方の信号を選択して前記メモリに
出力する第1の選択回路と、 前記メモリから出力されたメモリ出力信号及び論理回路
12から出力された信号を受け取り、制御信号の入力に
応じて何れか一方を選択して出力する第2の選択回路
と、 前記メモリの出力側と前記論理回路及び前記第2の選択
回路の入力側との間に設けられ、所定の入力信号に応じ
て、前記メモリからの前記メモリ出力信号を前記論理回
路12及び前記第2の選択回路に出力する論理制御回路
と、 を備えることを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項2】 前記論理制御回路は、組み合わせ回路と
3ステートバッファで構成されることを特徴とする請求
項1記載の半導体集積回路。 - 【請求項3】 前記組み合わせ回路は、前記所定の入力
信号を論理積して出力するAND回路と、前記AND回
路の出力信号に応じて、前記メモリからの前記メモリ出
力信号を前記論理回路及び前記第2の選択回路に出力す
るバスキーパー回路を具備した3ステートバッファ回路
と、を備えることを特徴とする請求項2記載の半導体集
積回路。 - 【請求項4】 前記論理制御回路は、順序回路とバスキ
ーパー回路を具備した3ステートバッファで構成される
ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000178340A JP2001356146A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000178340A JP2001356146A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001356146A true JP2001356146A (ja) | 2001-12-26 |
Family
ID=18679788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000178340A Withdrawn JP2001356146A (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001356146A (ja) |
-
2000
- 2000-06-14 JP JP2000178340A patent/JP2001356146A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007188633A (ja) | メモリアレイ試験回路 | |
US7299393B2 (en) | Microprocessor with trace module | |
US20050157565A1 (en) | Semiconductor device for detecting memory failure and method thereof | |
JP3823026B2 (ja) | 集積回路における性能パラメータを指定する回路および方法 | |
JPS6211734B2 (ja) | ||
JP2005300308A (ja) | 半導体集積回路 | |
US20030140289A1 (en) | Dual port RAM | |
US6546510B1 (en) | Burn-in mode detect circuit for semiconductor device | |
US6327683B1 (en) | Device scan testing | |
JP2001356146A (ja) | 半導体集積回路 | |
US5874854A (en) | Control scheme for on-chip capacitor degating | |
JP3339479B2 (ja) | クロック制御回路および方法 | |
JPH09185899A (ja) | マルチビットテスト回路及びそのテスト方法 | |
JP3099739B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20050209715A1 (en) | Monitoring device for monitoring internal signals during initialization of an electronic circuit unit | |
US20050289421A1 (en) | Semiconductor chip | |
US8656233B2 (en) | Scan cell designs with serial and parallel loading of test data | |
JP3278833B2 (ja) | 論理回路テスト方法及びテスト入力回路及びテスト出力回路 | |
JP2005201829A (ja) | 半導体集積回路の遅延故障テストパターン生成方法および遅延故障検査方法 | |
JP2870291B2 (ja) | 半導体記憶回路 | |
JP3092179B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
US20120173938A1 (en) | Scan cell designs with serial and parallel loading of test data | |
US7475300B2 (en) | Test circuit and test method | |
JP2001159661A (ja) | 半導体集積回路 | |
JP2004184362A (ja) | 半導体集積回路及び電子回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070904 |