JP2001352222A - マイクロ波増幅回路、マイクロ波増幅装置、歪み補償回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 利得偏差を調整可能なマイクロ波増幅回路、
マイクロ波増幅装置、歪み補償回路を提供する。 【解決手段】 マイクロ波増幅回路１は、トランジスタ
６、８、１０と、回路部１２，１４，１６、１８とを備
える。回路部１４は、トランジスタ６の第１の電流端子
に電気的に接続された一端とトランジスタ８の制御端子
に電気的に接続された他端とを有し、一端と他端との間
に変更可能なインピーダンスを提供するためのインピー
ダンス手段２０ａを含む。回路部１６は、トランジスタ
８の第１の電流端子に電気的に接続された一端とトラン
ジスタ１０の制御端子に電気的に接続された他端とを有
し、一端と他端との間に変更可能なインピーダンスを提
供するためのインピーダンス手段２０ｂとを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波増幅回
路、マイクロ波増幅装置、および歪み補償回路に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】Ｗ−ＣＤＭＡ向けの携帯器用の高出力増
幅器に関する文献には、文献１（日経エレクトロニクス
1999年4月19日,(no.741),p142〜143）、文献２（日経
エレクトロニクス 1999年7月12日,(no.747),p158〜15
9）がある。

【０００３】また、移動体通信システムの基地局用の高
出力増幅器に関しては、例えば、文献３(電気通信情報
学会技術研究報告 Vol.92 No.93 p31〜36)、文献４(電
気通信情報学会技術研究報告 Vol.97 No.93 p37〜42)が
ある。

【０００４】文献３には、電界効果トランジスタを２個
並列に接続して所望の特性を得る単一増幅段のパワーア
ンプが記載されている。文献４には、電界効果トランジ
スタを２個直列に接続して所望の特性を得る２つの増幅
段のパワーアンプが記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】発明者は、このような
増幅器について検討を行っている。移動体通信システム
の基地局では、隣接するチャネルの信号と混信しないよ
うにするために、信号を歪むことなく線形に増幅するこ
とが求められている。また、このような基地局に用いら
れる増幅器は、また高出力であることも求められてい
る。

【０００６】一方、携帯端末機において、高出力増幅器
には、投入した電力に対する電波信号出力電力の比率、
つまり、電力効率が高いことが求められている。これに
よって、バッテリ駆動による動作時間を長くすることが
でき、基地局の消費電力の抑制を図ることができる。す
なわち、高出力増幅器に対しては、歪み特性および高効
率化に関する要求がある。

【０００７】また、Ｗ−ＣＤＭＡ方式の基地局において
は３次歪みを約３０ｄＢ改善するために、フィードフォ
ワード方式を適用した歪み補償回路を用いる。

【０００８】しかしながら、フィードフォワード方式で
は、歪み補償回路に対して厳しい利得偏差を求める。こ
れは、同方式の歪み補償特性が歪み補償回路の利得の変
化に大きく依存するからである。このため、歪み補償回
路において、利得偏差を極力小さくすることが求めら
れ、理想的には、利得偏差がゼロであることが望まし
い。

【０００９】一方、高出力増幅器を構成する個々の電子
部品、例えばトランジスタ、抵抗器、キャパシタの各々
は、個々の部品毎に周波数特性を有している。このた
め、これらの電子部品を用いて製造された高出力増幅器
も、また個々の利得偏差を持つことになる。故に、それ
ぞれ個々の高出力増幅器毎に利得偏差を調整する必要が
ある。

【００１０】そこで、本発明の目的は、利得偏差を調整
可能なマイクロ波増幅回路、マイクロ波増幅装置、歪み
補償回路を提供することとした。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の高出力増幅器で
は、利得偏差を小さくするために電子部品を組み合わせ
て、所望の利得偏差を得ることが考えられる。一方、基
地局は、小型化および低コスト化を図るために、高出力
増幅器にハイブリットＩＣが用いられる。ハイブリット
ＩＣでは、電子部品が数十ｍｍ角の基板上に集積されて
いる。ハイブリットＩＣを適用すると、利得偏差を調整
するために使用可能な組合せ部品が減ってしまう。した
がって、ハイブリッドＩＣを採用すると、基地局の製造
歩留まりが低下してしまう可能性がある。

【００１２】このような課題を解決するために、発明者
は様々な試行錯誤を行った。その結果、以下のような発
明をするに至った。

【００１３】本発明に係わるマイクロ波増幅回路は、回
路入力と、回路出力と、第１、第２および第３のトラン
ジスタと、第１、第２、第３および第４の回路部と、を
備える。

【００１４】第１の回路部は、回路入力と第１のトラン
ジスタの制御端子との間を直流的に分離すると共に交流
的に結合するための第１のＲＦ結合手段と、入力インピ
ーダンスを規定するための第１のインピーダンス手段と
を有する。

【００１５】第２の回路部は、第１のトランジスタの第
１の電流端子と第２のトランジスタの制御端子との間を
直流的に分離すると共に交流的に結合するための第２の
ＲＦ結合手段と、第１のトランジスタの第１の電流端子
と第２のトランジスタの制御端子との間に整合を与える
ための第１の整合手段と、第１のトランジスタの第１の
電流端子と第２のトランジスタの制御端子との間に変更
可能なインピーダンスを提供するための第２のインピー
ダンス手段とを含む。

【００１６】第３の回路部は、第２のトランジスタの制
御端子と第３のトランジスタの制御端子との間を直流的
に分離すると共に交流的に結合する第３のＲＦ結合手段
と、第２のトランジスタの第１の電流端子と第３のトラ
ンジスタの制御端子との間に整合を与えるための第２の
整合手段と、第２のトランジスタの第１の電流端子と第
３のトランジスタの制御端子との間に変更可能なインピ
ーダンスを提供するための第３のインピーダンス手段と
を含む。

【００１７】第４の回路部は、回路出力と第３のトラン
ジスタの第１の電流端子との間を直流的に分離すると共
に交流的に結合するための第４のＲＦ手段と、出力イン
ピーダンスを規定するための第４のインピーダンス手段
とを有する。

【００１８】少なくとも３段からなる増幅段を設けると
共に、それぞれの増幅段の間に変更可能なインピーダン
スを提供するためのインピーダンス手段を設けた。これ
らの変更可能なインピーダンスを調整することによって
利得偏差が調整される。

【００１９】本発明に係わるマイクロ波増幅回路は、回
路入力と、回路出力と、第１、第２、および第３の増幅
段と、第１および第２のキャパシタと、を備える。第
１、第２、および第３の増幅段の各々は、段入力および
段出力を有し段入力に受けた信号を増幅して段出力に提
供する。第１のキャパシタは、第１の増幅段の段出力と
第２の増幅段の段入力との間に配置され、そのキャパシ
タンス値が調整可能である。第２のキャパシタは、第２
の増幅段の段出力と第３の増幅段の段入力との間に配置
され、そのキャパシタンス値を調整可能である。

【００２０】第１の増幅段は、第１のトランジスタを含
む増幅部と、このトランジスタの前記制御端子と前記段
入力との間に配置され入力インピーダンスを規定するた
めの第１の回路手段と、を有する。また、第１の増幅段
は、回路入力からの信号を段入力を介してトランジスタ
の制御端子に受け、トランジスタの第１の電流端子から
の信号を段出力へ提供する。

【００２１】第２の増幅段は、第２のトランジスタを含
む増幅部を有する。また、第２の増幅段は、段入力から
の信号をトランジスタの制御端子に受け、トランジスタ
の第１の電流端子からの信号を段出力に提供する。

【００２２】第３の増幅段は、第３のトランジスタを含
む増幅部と、このトランジスタの第１の電流端子と段出
力との間に配置され出力インピーダンスを規定するため
の第２の回路手段とを有する。また、第３の増幅段は、
段入力からの信号を増幅部の制御端子に受け、増幅部の
第１の電流端子からの信号を段出力を介して回路出力へ
提供する。

【００２３】第１および第２のキャパシタをそれぞれの
増幅段の間に配置したので、これらのキャパシタンスを
変更することによって、利得偏差を回路部品を変更する
ことなく調整することができる。

【００２４】これらのマイクロ波増幅回路は、以下のマ
イクロ波増幅装置および歪み補償回路に適用することが
できる。

【００２５】本発明に係わるマイクロ波増幅装置は、複
数の端子と、マイクロ波増幅回路が設けられた基板と、
マイクロ波増幅回路を覆う電磁シールド手段と、を備え
る。このマイクロ波増幅回路では、マイクロ波増幅回路
の回路入力は基板の複数の端子のうちの一つに接続さ
れ、マイクロ波増幅回路の回路出力は基板の複数の端子
のうちの一つに接続されている。

【００２６】本発明に係わる歪み補償回路は、フィード
フォワード方式により歪み特性の補償を行う。歪み補償
回路は、歪み補償回路の入力と、歪み補償回路の出力
と、第１および第２の信号分配手段と、第１および第２
の信号結合手段と、第１および第２の増幅器と、第１お
よび第２の信号遅延手段と、等化器と、を備える。第１
の信号分配手段の入力は、当該歪み補償回路の入力から
信号を受ける。第１の信号結合手段の出力は、当該歪み
補償回路の出力に信号を提供する。また、本発明に係わ
る歪み補償回路では、第１の信号分配手段の入力に接続
された前置増幅器を更に備えることができる。

【００２７】第１および第２の増幅器の各々には、既に
説明された、またはこれから説明されるマイクロ波増幅
回路を用いることができる。また、第１の増幅器、第２
の増幅器および前置増幅器の少なくともいずれかに、既
に説明された、またはこれから説明されるマイクロ波増
幅回路を用いることができる。

【００２８】第１および第２の信号分配手段は、入力お
よび２つの出力を有し、入力に受けた信号を２つの出力
に分配する。第１および第２の信号結合手段は、２つの
入力および出力を有し、２つの入力のそれぞれに受けた
信号を結合し出力に提供する。第１の増幅器は、第１の
信号分配手段の一方の出力に接続されると共に、第２の
信号分配手段の入力に接続されている。第１の信号遅延
手段は、第２の信号分配手段の一方の出力に接続される
と共に、第２の信号結合手段の一方の入力に接続されて
いる。第２の信号遅延手段は、第１の信号分配手段の他
方の出力に接続されると共に、第１の信号結合手段の一
方の入力に接続されている。第２の増幅器は、第１の信
号結合手段の出力に接続されると共に、第２の信号結合
手段の他方の入力に接続されている。等化器は、第２の
信号分配手段の他方の出力と前記第１の信号結合手段の
他方の入力との間に設けられている。

【００２９】本発明に係わるマイクロ波増幅回路、マイ
クロ波増幅装置および歪み補償回路では、第１、第２お
よび第３の入力バイアス手段並びに第１、第２および第
３の出力バイアス手段を有することができる。

【００３０】第１の入力バイアス手段は、第１のトラン
ジスタの制御端子にバイアスを与える機能を有する。第
２の入力バイアス手段は、第２のトランジスタの制御端
子にバイアスを与える機能を有する。第３の入力バイア
ス手段は、第３のトランジスタの制御端子にバイアスを
与える機能を有する。

【００３１】第１の出力バイアス手段は、第１のトラン
ジスタの第１の電流端子にバイアスを与える機能を有す
る。第２の出力バイアス手段は、第２のトランジスタの
第１の電流端子にバイアスを与える機能を有する。第３
の出力バイアス手段は、第３のトランジスタの第１の電
流端子にバイアスを与える機能を有する。

【００３２】これらのバイアス手段によれば、それぞれ
の増幅段に合わせて、バイアスを設定することができ
る。

【００３３】本発明に係わるマイクロ波増幅回路、マイ
クロ波増幅装置および歪み補償回路では、第１および第
２のキャパシタいずれか一方のキャパシタンス値が変更
されると、特性直線の傾斜(Ｇ１−Ｇ２)／(ｆ１−ｆ２)
の値が変化することが可能である。ここで、特性曲線
は、Ｘ軸およびＹ軸にそれぞれ周波数および利得を付与
した座標系において、使用する周波数帯域に含まれるよ
うに選択された異なる周波数ｆ１およびｆ２に関して、
周波数ｆ１における利得Ｇ１と周波数ｆ２における利得
Ｇ２とから規定される２点(ｆ１、Ｇ１)、(ｆ２、Ｇ２)
を通過する直線として規定される。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明の知見は、添付図面を参照
して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理
解することができる。以下、図面と共に本発明によるマ
イクロ波増幅回路、マイクロ波増幅装置、および歪み補
償回路を詳細に説明する。図面の説明において、可能な
場合には同一要素には同一符号を付し、重複する説明を
省略する。

【００３５】図１(ａ)は、本実施の形態に係わるマイク
ロ波増幅回路１を示す。マイクロ波増幅回路１は、回路
入力２と、回路出力４と、第１、第２および第３のトラ
ンジスタ６，８、１０とを備える。第１、第２および第
３のトランジスタ６．８、１０の各々は、第１電流端
子、第２の電流端子および制御端子を有する。以下、マ
イクロ波増幅回路１が、高性能なマイクロ波増幅回路に
適用可能なIII-Ｖ族化合物半導体トランジスタ６．８、
１０を含む場合について記述され、この場合、第１電流
端子がドレイン、第２の電流端子はソース、制御端子は
ゲートである。また、マイクロ波増幅回路１は、第１、
第２、第３および第４の回路部１２，１４，１６、１８
を備える。これらのトランジスタ６，８、１０は、それ
ぞれの増幅部１１、１３、１５に含まれる。

【００３６】第１の回路部１２は、回路入力２からの信
号を受ける入力端子１２ａおよびトランジスタ６のゲー
トに信号を提供する出力端子１２ｂを有する。第１の回
路部１２は、上記の端子１２ａ、１２ｂとの間に設けら
れ、入力端子１２ａとトランジスタ６のゲートとの間に
おいて直流電圧を阻止すると共に交流的に結合するため
の第１のＲＦ結合手段１２ｃ、例えばキャパシタを有す
ると共に、入力インピーダンスを規定するための第１の
インピーダンス手段１２ｄを有する。

【００３７】第２の回路部１４は、トランジスタ６のド
レインに電気的に接続された入力端子１４ａとトランジ
スタ８のゲートに電気的に接続された出力端子１４ｂと
を有する。第２の回路部１４は、これらに端子１４ａ、
１４ｂの間を設けられ直流電圧を阻止するための第２の
ＲＦ結合手段２０ａ、例えばキャパシタを有すると共
に、これらの端子１４ａ、１４ｂの間に変更可能なイン
ピーダンスを提供するための第２のインピーダンス手段
２０ａ、例えばインピーダンス素子を有する。これらの
端子間には、インピーダンス整合および雑音整合の少な
くともいずれかの整合を提供する第１の整合手段１４ｃ
が設けられることができる。

【００３８】第３の回路部１６は、トランジスタ８のド
レインに電気的に接続された入力端子１６ａとトランジ
スタ１０のゲートに電気的に接続された出力端子１６ｂ
とを有する。第３の回路部１６は、トランジスタ８のド
レインとトランジスタ１０のゲートとの間において直流
電圧を阻止すると共に交流的に結合する第３のＲＦ結合
手段２０ｂ、例えばインピーダンス素子を有すると共
に、この端子１６ａ、１６ｂの間に変更可能なインピー
ダンスを提供するための第３のインピーダンス手段２０
ｂを有する。これらの端子間には、インピーダンス整合
および雑音整合の少なくともいずれかの整合を提供する
第１の整合手段１４ｃが設けられることができる。

【００３９】第４の回路部１８は、回路出力４とトラン
ジスタ１０のドレインとの間において直流電圧を阻止す
ると共に交流的に結合するための第４のＲＦ手段１８ｃ
を有すると共に、出力インピーダンスを規定するための
第４のインピーダンス手段１８ｄを有する。

【００４０】図１(ｂ)は、本実施の形態に係わるマイク
ロ波増幅回路２１を示す。マイクロ波増幅回路２１は、
回路入力２と、回路出力４と、第１、第２、および第３
の増幅段２、４、６と、第１および第２のキャパシタ２
０ａ、２０ｂとを備える。第１の増幅段２２は、段入力
２２ａおよび段出力２２ｂを有し、第２の増幅段２４
は、段入力２４ａおよび段出力２４ｂを有し、第３の増
幅段２６は、段入力２６ａおよび段出力２６ｂを有す
る。各増幅段２２、２４、２６は、それぞれの段入力に
受けた信号を増幅して段出力に提供する。

【００４１】第１のキャパシタ２０ａは、第１の増幅段
２２の段出力２２ｂと第２の増幅段２４の段入力２４ａ
との間に配置され、そのキャパシタンスは変更可能であ
る。第２のキャパシタ２０ｂは、第２の増幅段２４の段
出力２４ｂと第３の増幅段２６の段入力２６ａとの間に
配置され、そのキャパシタンスは変更可能である。

【００４２】第１の増幅段２２は、トランジスタ６を含
む増幅部２２ｃと、トランジスタ６のゲートと段入力２
２ａとの間に配置され入力インピーダンスを規定するた
めの回路手段２２ｄと、を有する。第１の増幅段２２
は、回路入力２からの信号を段入力２２ａを介してトラ
ンジスタ６のゲートに受けると共に、トランジスタ６ド
レインからの信号を段出力２２ｂへ提供する。第１の増
幅段２２は、また、第１の入力バイアス手段２２ｅと、
第１の出力バイアス手段２２ｆと、回路手段２２ｇとを
有する。第１の入力バイアス手段２２ｅは、トランジス
タ６のゲートにバイアスを与える機能を有する。第１の
出力バイアス手段２２ｆは、トランジスタ６のドレイン
にバイアスを与える機能を有する。回路手段２２ｇは、
段出力２２ｂとトランジスタ６のドレインとの間に配置
され、増幅段の出力インピーダンスを規定するための機
能を有する。

【００４３】第２の増幅段２４は、トランジスタ８を含
む増幅部２４ｃを有する。第２の増幅段２２は、増幅部
２２ｃは段入力２２ａからの信号をトランジスタ８のゲ
ートに受け、ドレインからの信号を段出力２４ｂに提供
する。第２の増幅段２４は、また、入力回路手段２４ｄ
と、第２の入力バイアス手段２４ｅと、第２の出力バイ
アス手段２４ｆと、出力回路手段２４ｇとを有する。出
力回路手段２４ｄは、トランジスタ６のゲートと段入力
２２ａとの間に配置され、増幅段の入力インピーダンス
を規定するための機能を有する。第２の入力バイアス手
段２４ｅは、トランジスタ８のゲートにバイアスを与え
る機能を有する。第２の出力バイアス手段２４ｆは、ト
ランジスタ８のドレインにバイアスを与える機能を有す
る。回路手段２４ｇは、段出力２４ｂとトランジスタ８
のドレインとの間に配置され、増幅段２４の出力インピ
ーダンスを規定するための機能を有する。

【００４４】第３の増幅段２６は、トランジスタ１０を
含む増幅部２６ｃを有する。第３の増幅段２６は、トラ
ンジスタ１０のドレインと段出力２６ｂとの間に配置さ
れ、増幅段２６の出力インピーダンスを規定するための
出力回路手段２６ｇとを有する。第３の増幅段２６は、
段入力２６ａからの信号をトランジスタ１０のゲートに
受け、トランジスタ１０のドレインからの信号を段出力
２６ｂを介して回路出力４へ提供する。第３の増幅段２
６は、また、入力回路手段２６ｄと、第３の入力バイア
ス手段２６ｅと、第３の出力バイアス手段２６ｆとを有
する。回路手段２６ｄは、トランジスタ１０のゲートと
段入力２６ａとの間に配置され、増幅段２６の入力イン
ピーダンスを規定するための機能を有する。第３の入力
バイアス手段２６ｅは、トランジスタ１０のゲートにバ
イアスを与える機能を有する。第３の出力バイアス手段
２６ｆは、トランジスタ１０のドレインにバイアスを与
える機能を有する。

【００４５】図２を参照すると、マイクロ波増幅回路３
０の回路図が示されている。

【００４６】増幅部２２ｃは、トランジスタ６に加え
て、帰還手段２２ｈを含むことができる。帰還手段２２
ｈは、トランジスタ６のゲート(ノード３０ｂ)およびド
レイン(ノード３０ｃ)の間に配置され、出力信号の一部
を入力に帰還してこの増幅段の周波数帯域を拡大する。
帰還手段２２ｈは、抵抗器Ｒ５と、キャパシタＣ４とを
含む回路であり、抵抗器Ｒ５およびキャパシタＣ４は直
列に接続されている。

【００４７】入力回路手段２２ｄが、入力２とノード３
０ｂとの間に設けられている。入力回路手段２２ｄは、
直列に接続された抵抗器Ｒ１、キャパシタＣ１、抵抗器
Ｒ４と、ノード３０ａと第１の基準電位線３４と間に設
けられたキャパシタＣ２とを有する。キャパシタＣ１
は、入力２とノード３０ｂとの間を直流的に分離すると
共に、交流的に結合する。キャパシタＣ１の値は、当該
回路の増幅帯域内の各周波数ωとするときに、１／ωＣ
が入力インピーダンスに対して十分に小さく設定されて
いる。当該回路の増幅帯域において、回路手段２２ｄに
よって、当該回路の入力インピーダンスが５０Ωになる
ように設定される。

【００４８】入力バイアス手段２２ｅは、入力２から直
流的に分離されたノード３０ａ、３０ｂに適切な直流バ
イアスを与えるように設けられている。入力バイアス手
段２２ｅは、第１の基準電位線３４とノード３０ａとの
間に設けられた抵抗器Ｒ３と、第２の基準電位線３２と
ノード３０ａとの間に設けられた抵抗器Ｒ２と、第２の
基準電位線３２と抵抗器Ｒ２の一端との間に設けられた
キャパシタＣ７とを有する。抵抗器Ｒ２、Ｒ３の値は、
入力インピーダンスに比べて十分に大きな値に設定され
ている。キャパシタＣ７は、当該回路の増幅帯域内にお
いて給電点を短絡する。これによって、基準電位線から
の影響を低減することができる。

【００４９】回路手段２２ｇは、ノード３０ｄとノード
３０ｃとの間に配置され、増幅段２２の出力インピーダ
ンスを規定する。回路手段２２ｇは、基準電位線３２と
ノード３０ｄとの間に配置されたスタブ導波路Ｓ１と、
ノード３０ｃとノード３０ｄとの間に配置されたキャパ
シタＣ５を有する。

【００５０】出力バイアス手段２２ｆは、ノード３０ｅ
に適切な直流バイアスを与えるように設けられている。
出力バイアス手段２２ｆは、第２の基準電位線３２とノ
ード３０ｃとの間に設けられたインダクタＬ１と、第２
の基準電位線３２とインダクタＬ１の一端との間に設け
られたキャパシタＣ６とを有する。インダクタＬ１の値
は、ωＬが出力回路手段２２ｄによって規定されるイン
ピーダンスに比べて十分に小さいように設定されてい
る。キャパシタＣ６もまた、Ｃ７と同様に、給電点を短
絡するように作用する。

【００５１】増幅部２４ｃは、トランジスタ８に加え
て、帰還手段２４ｈを含むことができる。帰還手段２４
ｈは、トランジスタ８のゲート(ノード３０ｆ)およびド
レイン(ノード３０ｇ)の間に配置され、出力信号の一部
を入力に帰還してこの増幅段の周波数帯域を拡大する。
帰還手段２４ｈは、抵抗器Ｒ９と、キャパシタＣ１０と
を含む回路であり、抵抗器Ｒ９およびキャパシタＣ１０
は直列に接続されている。

【００５２】回路手段２４ｄは、ノード３０ｅとノード
３０ｆとの間に配置された抵抗器Ｒ６を有し、入力イン
ピーダンスを規定する。

【００５３】入力バイアス手段２４ｅは、ノード３０ｄ
から直流的に分離されたノード３０ｆに適切な直流バイ
アスを与えるように設けられている。入力バイアス手段
２４ｅは、第１の基準電位線３４とノード３０ｆとの間
に設けられた抵抗器Ｒ７と、第２の基準電位線３２とノ
ード３０ｆとの間に設けられた抵抗器Ｒ８と、第２の基
準電位線３２と抵抗器Ｒ２の一端との間に設けられたキ
ャパシタＣ９とを有する。抵抗器Ｒ７、Ｒ８の値は、ノ
ード３０ｆから見たトランジスタ８の入力インピーダン
スに比べて十分に大きな値に設定されている。キャパシ
タＣ９も、キャパシタＣ７と同様な作用を有する。

【００５４】出力回路手段２４ｇは、ノード３０ｇとノ
ード３０ｈとの間に配置され、出力インピーダンスを規
定する。出力回路手段２４ｇは、基準電位線３２とノー
ド３０ｈとの間に配置されたスタブ導波路Ｓ２と、ノー
ド３０ｇとノード３０ｈとの間に配置されたキャパシタ
Ｃ１１を有する。

【００５５】出力バイアス手段２４ｆは、ノード３０ｇ
に適切な直流バイアスを与えるように設けられている。
出力バイアス手段２４ｆは、第２の基準電位線３２とノ
ード３０ｃとの間に設けられたスタブ導波路Ｓ３と、第
２の基準電位線３２とスタブ導波路Ｓ３の一端との間に
設けられたキャパシタＣ１２とを有する。キャパシタＣ
１２もまた、Ｃ７と同様に、給電点を短絡するように作
用する。

【００５６】増幅部２６ｃは、トランジスタ１０からな
る。この増幅部２６ｃは、周波数帯域を拡大するよりも
電力増幅することを優先している。しかしながら、この
ことは、帰還手段を排除する趣旨ではない。また、図２
の実施の形態では、回路手段２６ｄが示されていない
が、回路手段２６ｄを含むこともできる。

【００５７】入力バイアス手段２６ｅは、ノード３０ｈ
から直流的に分離されたノード３０ｉに適切な直流バイ
アスを与えるように設けられている。入力バイアス手段
２６ｅは、第１の基準電位線３４とノード３０ｆとの間
に設けられた抵抗器Ｒ１１，Ｒ１３と、第２の基準電位
線３２とノード３０ｉとの間に設けられた抵抗器Ｒ１２
と、第２の基準電位線３２と抵抗器Ｒ１２の一端との間
に設けられたキャパシタＣ９と、抵抗器Ｒ１１、Ｒ１３
との接続点に設けられたキャパシタＣ１５と、を有す
る。抵抗器Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３の値は、ノード３０
ｉから見たトランジスタ１０の入力インピーダンスに比
べて十分に大きな値に設定されている。キャパシタＣ１
６, Ｃ１５も、キャパシタＣ７と同様な作用を有する。

【００５８】出力バイアス手段２６ｆは、ノード３０ｊ
に適切な直流バイアスを与えるように設けられている。
出力バイアス手段２６ｆは、第２の基準電位線３２とノ
ード３０ｊとの間に設けられたスタブ導波路Ｓ４と、第
２の基準電位線３２とスタブ導波路Ｓ４の一端との間に
設けられたキャパシタＣ１７とを有する。キャパシタＣ
１７もまた、Ｃ７と同様に、給電点を短絡するように作
用する。

【００５９】回路手段２６ｇは、ノード３０ｊと回路出
力４との間に配置され、増幅段２６の出力インピーダン
スを規定する。回路手段２６ｇは、基準電位線３２とノ
ード３０ｋとの間に配置されたスタブ導波路Ｓ４と、ノ
ード３０ｊとノード３０ｋとの間に配置されたキャパシ
タＣ１８と、ノード３０ｋと基準電位線３４との間に配
置されたキャパシタＣ２０と、ノード３０ｋと回路出力
４との間に配置されたキャパシタＣ２２とを有する。キ
ャパシタＣ２２は、出力４とノード３０ｋとの間を直流
的に分離すると共に、交流的に結合する。キャパシタＣ
２２の値は、当該回路の増幅帯域内の各周波数ωとする
ときに、１／ωＣが入力インピーダンスに対して十分に
小さく設定されている。当該回路の増幅帯域において、
回路手段２６ｇによって、当該回路の出力インピーダン
スが５０Ωになるように設定されることができる。

【００６０】図２に示されたマイクロ波増幅回路３０で
は、ノード３０ｄとノード３０ｅとの間には、トリマブ
ルキャパシタＣ８が配置され、またノード３０ｈとノー
ド３０ｉとの間には、トリマブルキャパシタＣ１３が配
置されている。トリマブルキャパシタＣ８、Ｃ１３は、
これらそれぞれのキャパシタの前後に配置された増幅段
の電気的結合の程度を変化させることができる。この結
果、各増幅段の間のインピーダンス整合の程度を変化さ
せることが可能になる。これによって、当該マイクロ波
増幅回路の利得偏差を調整することが可能になる。

【００６１】このマイクロ波増幅回路３０は、これに限
定されるのもではないが、Ｗ−ＣＤＭＡ方式に適用する
ことができる。Ｗ−ＣＤＭＡ方式の基地局では、６０Ｍ
Ｈｚのダイナミックレンジ、さらに１００ＭＨｚのダイ
ナミックレンジが求められる。従来の基地局では、２０
ＭＨｚの増幅帯域であったことに比べて広帯域増幅器が
要求されている。Ｗ−ＣＤＭＡ方式では、１キャリア当
たり２０ＭＨｚのダイナミックレンジが必要であり、３
キャリア分に相当するダイナミックレンジが達成される
と、基地局のための部品の共通化を図るために好適であ
る。

【００６２】また、この応用分野では、入力の整合、出
力の整合が十分に図られる必要がある。整合の程度は、
ＶＳＷＲ(電圧定在波比)が２以下であり、且つ極力１に
近づけることが求められる。

【００６３】この点について、発明者は検討を行った。
この結果によれば、上記の構成の増幅器において利得偏
差を意図的に変化させたとき、それに伴って、入出力の
ＶＳＷＲの値も変化する可能性ある。入出力のＶＳＷＲ
の値が０．３以上変化しては、当該増幅回路の前後の電
子部品との整合がずれてしまうことが分かった。整合が
ずれると、この増幅回路の利得の値自体が低下してしま
うことになる。

【００６４】発明者は、入力回路段、第１の増幅段、段
間の整合段、出力回路段からなる増幅回路を検討した。
様々な試行錯誤においては、入力回路段および出力回路
段において、トリマブルキャパシタを設けて、回路の特
性を測定した。しかしながら、発明者の試行の範囲で
は、入力回路段および出力回路段にトリマブルキャパシ
タを設けた場合には、利得偏差を変化させながら、６０
ＭＨｚ以上の増幅帯域において、ＶＳＷＲを２以下に抑
えると共に、入出力ＶＳＷＲの値が０．３以下の範囲に
抑えることができなかった。

【００６５】増幅帯域の広くすることに加えて、利得偏
差とＶＳＷＲとの要求を両立させるために更に検討を進
めた結果、発明者は、段間にトリマキャパシタを配置す
ると共に、増幅段を増加するという構成に至った。つま
り、増幅段は少なくとも３段として広い増幅帯域を得
る。加えて、それぞれに段間にトリマキャパシタを配置
して、利得偏差の調整の際に複数のパラメータを制御す
ることができるようにした。

【００６６】図３は、図２のマイクロ波増幅回路におい
て、キャパシタＣ１３のキャパシタンスを５通りに変化
したときの利得の周波数依存性を示している。図４は、
図２のマイクロ波増幅回路において、キャパシタＣ８の
キャパシタンスを５通りに変化したときの利得の周波数
依存性を示している。測定周波数の範囲は、２０７０Ｍ
Ｈｚ以上２１７０ＭＨｚ以下の範囲である。図３の結果
によれば、キャパシタＣ８のキャパシタンスを１．００
ｐＦのとき、Ｃ１３を変化することによって周波数の変
化に対する利得変化の傾きを調整することができる。つ
まり、キャパシタＣ８のキャパシタンスが変更されるに
つれて、特性曲線の傾きが単調に変化しており、特に、
傾きの符号が変化している。図４の結果によれば、キャ
パシタＣ１３のキャパシタンスを０．７ｐＦのとき、Ｃ
８を変化することによって周波数の変化に対する利得変
化の傾きをほとんど変化させることなく、上記の測定周
波数帯域において利得を全体的に調整することができ
る。

【００６７】図５(ａ)および図５(ｂ)を参照すると、Ｃ
１３を変化させたときの入力および出力のＶＳＷＲの周
波数依存性を示している。この測定結果によれば、ＶＳ
ＷＲの値は２以下を満たし、且つ入出力におけるＶＳＷ
Ｒの差が０．３以下を満たしている。

【００６８】したがって、マイクロ波増幅回路におい
て、入力および出力ＶＳＷＲ値をほとんど変化させるこ
となく、利得の周波数特性を変化させることができる。

【００６９】図６(ａ)および図６(ｃ)は、直列に接続さ
れた３つのマイクロ波増幅回路を含む増幅デバイスを示
している。図６(ｂ)および図６(ｄ)は、それぞれの増幅
回路の利得の周波数特性、および合成された利得の周波
数特性をそれぞれ示している。

【００７０】図６(ａ)および図６(ｂ)を参照すると、前
段の増幅器の利得特性は周波数に関して単調に増加、後
段の増幅器の利得特性は周波数に関してほぼ平坦であ
る。また、図６(ｃ)および図６(ｄ)を参照すると、前段
の増幅器の利得特性は周波数に関してほぼ平坦、後段の
増幅器の利得特性は周波数に関して単調に減少である。
このような増幅デバイスにおいて、中間の増幅回路に本
実施の形態に係わるマイクロ波増幅回路を適用すれば、
全体として利得特性を所望の特性に調整することができ
る。つまり、増幅デバイスを組み上げた後にも、利得偏
差が周波数の変化に対して平坦なるように調整すること
ができる。

【００７１】以上説明した実施の形態では、利得の周波
数依存性を変化させるためにインピーダンス整合を故意
にずらす方法として、トリマブルキャパシタを利用する
例を示した。しかしながら、本発明は、この例示に限定
されるものではなく、例えば抵抗値、インダクタンス
値、電圧値、電流値といった、インピーダンスを変化さ
せるための手段が適用されることができる。本実施の形
態のマイクロ波増幅回路が適用可能なマイクロ波帯と
は、３００ＭＨｚ以上６．０ＧＨｚ以下の範囲をいう。

【００７２】図７(ａ)、図７(ｂ)、図７(ｃ)および図７
(ｄ)は、上記の実施の形態のマイクロ波増幅回路をマイ
クロ波増幅装置に適用した場合を示す。

【００７３】本実施の形態に係わるマイクロ波増幅装置
５０は、複数の端子５２ａと、マイクロ波増幅回路３０
が設けられた回路基板５２と、マイクロ波増幅回路３０
を覆う、例えばシールド板といった電磁シールド手段５
４と、を備える。このマイクロ波増幅装置５０では、マ
イクロ波増幅回路３０の回路入力は基板５２の複数の端
子５２ａのうちの一つに接続され、マイクロ波増幅回路
３０の回路出力は基板５２の複数の端子５２ａのうちの
一つに接続されている。

【００７４】基板５２は、高周波特性の優れたアルミナ
基板、ＰＰＯ基板といったプリント配線基板であること
ができる。基板５２上には、図２に示されたマイクロ波
増幅回路３０を構成する電子部品が搭載されている。例
示的に説明すれば、基板５２上には、トランジスタ６，
８，１０およびトリマブルキャパシタ２０ａ、２０ｂが
配置されている。回路基板５２は、その裏面において導
電板５６に支持されている。この導電板５６はシールド
のために接地電位線に接続されている。導電板５６は、
固定のために突起が設けられている。この実施の形態で
は、この突起は、端子が設けられた配線基板５２の一辺
に沿って伸びる軸の方向に伸びる。

【００７５】シールド板５４には、トリマキャパシタ２
０ａ、２０ｂの位置に合わせて、貫通孔５４ａ、５４ｂ
が設けられている。この貫通孔５４ａ、５４ｂを通して
調整用治具を用いて、トリマキャパシタ２０ａ、２０ｂ
のキャパシタンスを変更して、マイクロ波増幅装置５０
の特性を調整する。この調整は、所定の調整範囲では、
電子部品の変更を伴うことなく行われる。シールド板５
４は、基板５２の導電層を介して接地電位線に接続され
ている。

【００７６】発明者は、当初、シールド板５４に貫通孔
を設けることによって生じる輻射ノイズの増加を心配し
た。しかしながら、試行錯誤の結果、凸図形状の孔であ
れば輻射ノイズを実質的に影響を生じない程度まで抑制
可能であることが発見された。調整用孔の形状は、凸図
形、例えば円、略円、楕円、略楕円であることができ
る。本実施の形態では、貫通孔を容易に形成することが
できるので、円形状の貫通孔を採用した。さらに、ノイ
ズに対する要求レベルの高い応用分野では、貫通孔を導
電性の覆い部材、例えば金属キャップによって塞ぐこと
もできる。

【００７７】図８を参照すると、歪み補償回路が示され
ている。歪み補償回路６０は、フィードフォワード方式
により歪み特性の補償を行う。歪み補償回路６０は、歪
み補償回路の入力６２と、歪み補償回路の出力６４と、
第１および第２の信号分配手段６６、６８と、第１およ
び第２の信号結合手段７０、７２と、主増幅器７４およ
び副増幅器７６と、第１および第２の信号遅延手段７
８、８０と、等化器８２と、を備える。また、歪み補償
回路６０では、これらの歪み補償部に加えて、信号分配
手段６６の入力６６ａに接続された前置増幅器８４を更
に備えることができる。

【００７８】第１および第２の信号分配手段６６、６８
は、以下のものに限定されるものはでないが、例えば、
３ｄＢ分配器、方向性結合器といった部品が適用される
ことができる。第１および第２の信号結合手段７０、７
２は、以下のものに限定されるものはでないが、例え
ば、方向性結合器といった部品が適用されることができ
る。第１および第２の信号遅延手段７８、８０は、以下
のものに限定されるものはでないが、例えば、同軸ケー
ブルおよびインダクタを用いて構成された遅延回路が適
用されることができ、並列して配置されているそれそれ
の増幅器７４、７６における遅延量に合わせて信号を遅
延する。等化器８２は、主増幅器７４において増幅され
た信号レベルを副増幅器７６に入力する前にレベルを合
わせために設けられ、可変アッテネータ、可変利得増幅
器等が適用される。

【００７９】主増幅器７４および副増幅器７６並びに前
置増幅器８４の少なくともいずれかには、既に説明され
たマイクロ波増幅回路を用いることができる。前置増幅
器８４に適用すると、歪み補償回路６０内の歪み補償部
に入力される信号を低歪みで増幅することが可能にな
る。主増幅器７４および副増幅器７６に適用すれば、主
増幅器７４および副増幅器７６のそれぞれにおいて、全
体として低歪みを達成することを可能にする。

【００８０】引き続く説明では、上記のそれぞれの手段
に対してその例示物を用いる場合について説明するが、
本発明は、このような例示物に限定されるものではな
い。歪み補償部は、２つの信号経路を有する。分配器６
６は、受けた信号を２経路に分配して、この信号がそれ
ぞれ処理された後に、結合器７２は、２経路からの信号
を結合する。

【００８１】歪み補償部においては、分配器６６の入力
６６ａは、当該歪み補償回路６０の入力６２から信号を
受ける。分配器６６の一方の出力６６ｂは、主増幅器７
４の入力７４ａに信号を提供する。主増幅器７４の出力
７４ｂは、分配器６８の入力６８ａに信号を提供する。
分配器６８に一方の出力６８ｂは、遅延回路８０の入力
８０ａに信号を提供する。遅延回路８０の出力８０ｂ
は、結合器７２の一方の入力７２ａに信号を提供する。

【００８２】歪み補償部においては、分配器６６の他方
の出力６６ｃは、遅延回路７８の入力７８ａに信号を提
供する。遅延回路７８の出力７８ｂは、結合器７０の一
方の入力７０ａに信号を提供する。結合器７０の出力７
０ｂは、副増幅器７６の入力７６ａに信号を提供する。
副増幅器７６の出力７６ｂは、結合器７２の他方の入力
７２ｂに信号を提供する。結合器７２の出力７２ｃは、
歪み補償された信号を歪み補償回路の出力６４に提供す
る。分配器６８の他方の出力６８ｃと結合器７０の他方
の入力７０ｃとの間には、等化器８２が配置されてい
る。

【００８３】主増幅器７４は、１または複数の増幅回
路、図８においては４個の増幅回路７４ｃ〜７４ｆを備
える。副増幅器７６は、１または複数の増幅回路、図８
においては４個の増幅回路７６ｃ〜７６ｆを備える。主
増幅器７４において増幅された信号は、分配器６８、等
化器８２および結合器７０を介して、遅延回路７８によ
って遅延された信号と合波される。この合波によって、
入力信号に含まれていた歪みの検出を行う。これを副増
幅器７６において増幅すると共に位相反転する。主増幅
器７４において増幅された信号は、また遅延回路８０に
おいて遅延される。このようにして生成された２経路の
信号を結合器７２において合波すると、歪み補償された
信号が得られる。

【００８４】このようなフィードフォワード方式を採用
した歪み補償回路においては、主増幅器７４および副増
幅器７６が示す利得の周波数特性が相対的に揃ってお
り、また利得偏差がほぼ０ｄＢであることが求められ
る。本実施の形態に示されたマイクロ波増幅回路を適用
すれば、利得偏差を抑えることができる。

【００８５】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
わるマイクロ波増幅回路、マイクロ波増幅装置、歪み補
償回路では、少なくとも３段からなる増幅段を設けると
共に、それぞれの増幅段の間に変更可能なインピーダン
スを提供するためのインピーダンス手段を設けた。これ
らの変更可能なインピーダンスを調整することによって
利得偏差が調整される。

【００８６】したがって、利得偏差を調整可能なマイク
ロ波増幅回路、マイクロ波増幅装置、歪み補償回路が提
供された。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１(ａ) および図１(ｂ)は、本実施の形態に
係わるマイクロ波増幅回路のブロック図を示す。

【図２】図２は、本実施の形態に係わるマイクロ波増幅
回路の回路図を示す。

【図３】図３は、本実施の形態に係わるマイクロ波増幅
回路の利得特性図を示す。

【図４】図４は、本実施の形態に係わるマイクロ波増幅
回路の利得特性図を示す。

【図５】図５(ａ)および図５(ｂ)は、本実施の形態に係
わるマイクロ波増幅回路のＶＳＷＲ特性図を示す。

【図６】図６(ａ)および図６(ｃ)は、マイクロ波増幅回
路の応用形態を示すブロック図である。図６(ｂ)および
図６(ｄ)は、それぞれ、図６(ａ)および図６(ｃ)のブロ
ック図における利得の周波数依存性の関係を示す図面で
ある。

【図７】図７(ａ)は、マイクロ波増幅装置の上面図であ
り、図７(ｂ)はシールド板を除いた状態を示す上面図で
あり、図７(ｃ)は、マイクロ波増幅装置の正面図であり
図７(ｄ)は、マイクロ波増幅装置の側面図である。

【図８】図８は、歪み補償回路のブロック図である。

【符号の説明】

１…マイクロ波増幅回路、２…入力、４…入力、６、
８、１０…トランジスタ、２０ａ、２０ｂ…トリマキャ
パシタ、５０…マイクロ波増幅装置、５２…回路基板、
５４…電磁シールド手段、６０…歪み補償回路、６６、
６８…信号分配手段、７０、７２…信号結合手段、７
４、７６…増幅器、７８、８０…信号遅延手段、８２…
等化器、８４…前置増幅器、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大岡 幹治 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 松崎 賢一郎 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 佐野 博昭 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Ｆターム(参考） 5J067 AA04 AA41 CA21 CA22 CA64 CA75 FA19 FA20 HA09 HA25 HA30 HA32 HA33 KA13 KA15 KA29 KA68 KS04 KS11 LS12 MA08 MA14 QA04 QA05 QA06 QS03 QS17 SA14 TA01 TA03 5J090 AA04 AA41 CA21 CA22 CA64 CA75 FA19 FA20 GN02 GN05 GN07 HA09 HA25 HA30 HA32 HA33 HN13 HN16 KA13 KA15 KA29 KA68 MA08 MA14 QA04 QA05 QA06 SA14 5J091 AA04 AA41 CA21 CA22 CA64 CA75 FA19 FA20 HA09 HA25 HA30 HA32 HA33 KA13 KA15 KA29 KA68 MA08 MA14 QA04 QA05 QA06 SA14 TA01 TA03 5J092 AA04 AA41 CA21 CA22 CA64 CA75 FA19 FA20 HA09 HA25 HA30 HA32 HA33 KA13 KA15 KA29 KA68 MA08 MA14 QA04 QA05 QA06 SA14 TA01 TA03 VL03 VL08 5J100 AA02 AA14 AA17 BA01 BB12 BC01 CA08 FA01

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回路入力と、 回路出力と、 各々が第１および第２の電流端子並びに制御端子を有す
   る第１、第２および第３のトランジスタと、 前記回路入力と前記第１のトランジスタの制御端子との
   間を直流的に分離すると共に交流的に結合するための第
   １のＲＦ結合手段と、入力インピーダンスを規定するた
   めの第１のインピーダンス手段とを有する第１の回路部
   と、 前記第１のトランジスタの第１の電流端子と前記第２の
   トランジスタの制御端子との間を直流的に分離すると共
   に交流的に結合するための第２のＲＦ結合手段と、前記
   第１のトランジスタの第１の電流端子と前記第２のトラ
   ンジスタの制御端子との間に整合を提供するための整合
   手段と、前記第１のトランジスタの第１の電流端子と前
   記第２のトランジスタの制御端子との間に変更可能なイ
   ンピーダンスを提供するための第２のインピーダンス手
   段とを含む第２の回路部と、 前記第２のトランジスタの第１の電流端子と前記第３の
   トランジスタの制御端子との間を直流的に分離すると共
   に交流的に結合する第３のＲＦ結合手段と、前記第２の
   トランジスタの第１の電流端子と前記第３のトランジス
   タの制御端子との間に整合を提供するための整合手段
   と、前記第２のトランジスタの第１の電流端子と前記第
   ３のトランジスタの制御端子との間に変更可能なインピ
   ーダンスを提供するための第３のインピーダンス手段と
   を含む第３の回路部と、 前記回路出力と前記第３のトランジスタの第１の電流端
   子との間を直流的に分離すると共に交流的に結合するた
   めの第４のＲＦ手段と、出力インピーダンスを規定する
   ための第４のインピーダンス手段とを有する第４の回路
   部と、を備える、マイクロ波増幅回路。
2. 【請求項２】 回路入力と、 回路出力と、 それぞれが段入力および段出力を有し前記段入力に受け
   た信号を増幅して前記段出力に提供する第１、第２、お
   よび第３の増幅段と、 前記第１の増幅段の段出力と前記第２の増幅段の段入力
   との間に配置されキャパシタンスを調整可能な第１のキ
   ャパシタと、 前記第２の増幅段の段出力と前記第３の増幅段の段入力
   との間に配置されキャパシタンスを調整可能な第２のキ
   ャパシタと、を備え、 前記第１の増幅段は、第１および第２の電流端子並びに
   制御端子を有する第１のトランジスタを含む増幅部と、
   前記制御端子と前記段入力との間に配置され入力インピ
   ーダンスを規定するための第１の回路手段と、を有する
   と共に、前記回路入力からの信号を前記段入力を介して
   前記制御端子に受け前記増幅部の第１の電流端子からの
   信号を前記段出力へ提供し、 前記第２の増幅段は、第１および第２の電流端子並びに
   制御端子を有する第２のトランジスタを含む増幅部を有
   すると共に、前記増幅部は前記段入力からの信号を前記
   制御端子に受け前記第１の電流端子からの信号を前記段
   出力に提供し、 前記第３の増幅段は、第１および第２の電流端子並びに
   制御端子を有する第３のトランジスタを含む増幅部と、
   前記第１の電流端子と前記段出力との間に配置され出力
   インピーダンスを規定するための第２の回路手段と、を
   有すると共に、前記増幅部は前記段入力からの信号を前
   記制御端子に受け前記第１の電流端子からの信号を前記
   段出力を介して前記回路出力へ提供する、マイクロ波増
   幅回路。
3. 【請求項３】 前記第１のトランジスタの制御端子にバ
   イアスを与えるための第１の入力バイアス手段および前
   記第１のトランジスタの第１の電流端子にバイアスを与
   えるための第１の出力バイアス手段と、 前記第２のトランジスタの制御端子にバイアスを与える
   ための第２の入力バイアス手段および前記第２のトラン
   ジスタの第１の電流端子にバイアスを与えるための第２
   の出力バイアス手段と、 前記第３のトランジスタの制御端子にバイアスを与える
   ための第３の入力バイアス手段および前記第３のトラン
   ジスタの第１の電流端子にバイアスを与えるための第３
   の出力バイアス手段と、を更に有する、請求項１または
   請求項２に記載のマイクロ波増幅回路。
4. 【請求項４】 前記第１、第２、および第３のトランジ
   スタの各々は、III-Ｖ族化合物半導体トランジスタであ
   る、請求項１から請求項３のいずれかに記載のマイクロ
   波増幅回路。
5. 【請求項５】 Ｘ軸およびＹ軸にそれぞれ周波数および
   利得を付与した座標系において、使用する周波数帯域に
   含まれるように選択された異なる周波数ｆ１およびｆ２
   に関して前記周波数ｆ１における利得Ｇ１と前記周波数
   ｆ２における利得Ｇ２とから規定される２点(ｆ１、Ｇ
   １)、(ｆ２、Ｇ２)を通過する直線に関して、 前記第１および第２のキャパシタいずれか一方のキャパ
   シタンス値が変更されると、前記直線の傾斜(Ｇ１−Ｇ
   ２)／(ｆ１−ｆ２)の値が変化することが可能である、
   請求項２に記載のマイクロ波増幅回路。
6. 【請求項６】 複数の端子と、 マイクロ波増幅回路が設けられた回路基板と、 前記マイクロ波増幅回路を覆う電磁シールド手段と、を
   備え、 前記マイクロ波増幅回路は、 前記複数の端子のうちの一つに接続された回路入力と、 前記複数の端子のうちの一つに接続された回路出力と、 前記回路入力と前記回路出力との間に配置されそれぞれ
   が段入力および段出力を有する第１、第２、および第３
   の増幅段と、 前記第１の増幅段の段出力と前記第２の増幅段の段入力
   との間に配置されキャパシタンスが調整可能な第１のキ
   ャパシタと、 前記第２の増幅段の段出力と前記第３の増幅段の段入力
   との間に配置されキャパシタンスが調整可能な第２のキ
   ャパシタと、を備え、 前記第１の増幅段は、第１および第２の電流端子並びに
   制御端子を有する第１のトランジスタを含む増幅部と、
   前記制御端子と前記段入力との間に配置され入力インピ
   ーダンスを規定するための第１の回路手段と、を有する
   と共に、前記回路入力からの信号を前記段入力に受け前
   記第１の電流端子からの信号を前記段出力へ提供し、 前記第２の増幅段は、第１および第２の電流端子並びに
   制御端子を有する第２のトランジスタを含む増幅部を有
   すると共に、前記増幅部は前記段入力からの信号を前記
   制御端子に受け前記第１の電流端子からの信号を前記段
   出力に提供し、 前記第３の増幅段は、第１および第２の電流端子並びに
   制御端子を有する第３のトランジスタを含む増幅部と、
   前記第１の電流端子と前記段出力との間に配置され出力
   インピーダンスを規定するための第２の回路手段と、を
   有すると共に、前記増幅部は前記段入力からの信号を前
   記制御端子に受け前記増幅部の第１の電流端子からの信
   号を前記段出力へ提供する、マイクロ波増幅装置。
7. 【請求項７】 前記電磁シールド手段は、前記基板上の
   前記第１および第２のキャパシタの位置に合わせて設け
   られた複数の調整用孔を有する、請求項６に記載のマイ
   クロ波増幅装置。
8. 【請求項８】 前記第１および第２のキャパシタの各々
   は、トリマブルコンデンサを含む、請求項６または請求
   項７に記載のマイクロ波増幅装置。
9. 【請求項９】 フィードフォワード方式により歪み特性
   の補償を行う歪み補償回路であって、 当該歪み補償回路の入力と、 当該歪み補償回路の出力と、 入力および２つの出力を有し前記入力に受けた信号を前
   記２つの出力に分配する第１および第２の信号分配手段
   と、 ２つの入力および出力を有し前記２つの入力のそれぞれ
   に受けた信号を結合し前記出力に提供する第１および第
   ２の信号結合手段と、 前記第１の信号分配手段の一方の出力に接続されると共
   に前記第２の信号分配手段の入力に接続された第１の増
   幅器と、 前記第２の信号分配手段の一方の出力に接続されると共
   に前記第２の信号結合手段の一方の入力に接続された第
   １の信号遅延手段と、 前記第１の信号分配手段の他方の出力に接続されると共
   に前記第１の信号結合手段の一方の入力に接続された第
   ２の信号遅延手段と、 前記第１の信号結合手段の出力に接続されると共に前記
   第２の信号結合手段の他方の入力に接続された第２の増
   幅器と、 前記第２の信号分配手段の他方の出力と前記第１の信号
   結合手段の他方の入力との間に設けられた等化器と、を
   備え、 前記第１の信号分配手段の入力は、当該歪み補償回路の
   入力から信号を受け、 前記第１の信号結合手段の出力は、当該歪み補償回路の
   出力に信号を提供し、 前記第１および第２の増幅器の各々は、請求項１または
   請求項２に記載のマイクロ波増幅回路を含む、歪み補償
   回路。
10. 【請求項１０】 前記第１の信号分配手段の入力に接続
    された前置増幅器を更に備え、 前記前置増幅器は、請求項１または請求項２に記載のマ
    イクロ波増幅回路を有する、請求項９に記載の歪み補償
    回路。
11. 【請求項１１】 フィードフォワード方式により歪み特
    性の補償を行う歪み補償回路であって、 当該歪み補償回路の入力と、 当該歪み補償回路の出力と、 入力および２つの出力を有し前記入力に受けた信号を前
    記２つの出力に分配する第１および第２の信号分配手段
    と、 ２つの入力および出力を有し前記２つの入力のそれぞれ
    に受けた信号を結合し前記出力に提供する第１および第
    ２の信号結合手段と、 前記第１の信号分配手段の一方の出力に接続されると共
    に前記第２の信号分配手段の入力に接続された第１の増
    幅器と、 前記第２の信号分配手段の一方の出力に接続されると共
    に前記第２の信号結合手段の一方の入力に接続された第
    １の信号遅延手段と、 前記第１の信号分配手段の他方の出力に接続されると共
    に前記第１の信号結合手段の一方の入力に接続された第
    ２の信号遅延手段と、 前記第１の信号結合手段の出力に接続されると共に前記
    第２の信号結合手段の他方の入力に接続された第２の増
    幅器と、 前記第２の信号分配手段の他方の出力と前記第１の信号
    結合手段の他方の入力との間に設けられた等化器と、 前記第１の信号分配手段の入力に接続された前置増幅器
    と、を備え、 前記前置増幅器の入力は、当該歪み補償回路の入力から
    信号を受け、 前記第１の信号結合手段の出力は、当該歪み補償回路の
    出力に信号を提供し、 前記前置増幅器は、請求項１または請求項２に記載のマ
    イクロ波増幅回路を有する、歪み補償回路。