JP2001351076A - 非接触ｉｃカード及び補強板搭載方法 - Google Patents
非接触ｉｃカード及び補強板搭載方法Info
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- JP2001351076A JP2001351076A JP2000167664A JP2000167664A JP2001351076A JP 2001351076 A JP2001351076 A JP 2001351076A JP 2000167664 A JP2000167664 A JP 2000167664A JP 2000167664 A JP2000167664 A JP 2000167664A JP 2001351076 A JP2001351076 A JP 2001351076A
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- Japan
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- card
- chip
- reinforcing plate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】工程が簡単で、厚みバラツキがなく、ＩＣチッ
プの厚み方向に補強板を搭載することができる非接触Ｉ
Ｃカードを提供する。 【解決手段】ＩＣチップが搭載され、カード基材中に収
納される非接触ＩＣカード用フィルム基板１において、
ＩＣチップの上下に搭載される補強板１０を、ＩＣチッ
プにトランスファーモールド法によって樹脂封止を行う
際に同時に搭載することを特徴とした非接触ＩＣカー
ド。
プの厚み方向に補強板を搭載することができる非接触Ｉ
Ｃカードを提供する。 【解決手段】ＩＣチップが搭載され、カード基材中に収
納される非接触ＩＣカード用フィルム基板１において、
ＩＣチップの上下に搭載される補強板１０を、ＩＣチッ
プにトランスファーモールド法によって樹脂封止を行う
際に同時に搭載することを特徴とした非接触ＩＣカー
ド。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、端末装置等の外部
装置との間で、非接触にてデータの送受信を行う非接触
ＩＣカードに関し、特に非接触ＩＣカード用フィルム基
板への補強板搭載方法と、補強板が搭載されたフィルム
基板を収納する非接触ＩＣカードに関するものである。
装置との間で、非接触にてデータの送受信を行う非接触
ＩＣカードに関し、特に非接触ＩＣカード用フィルム基
板への補強板搭載方法と、補強板が搭載されたフィルム
基板を収納する非接触ＩＣカードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、キャッシュカード、ＩＤカー
ド等重要かつ大量なデータを記憶、処理する目的でＩＣ
チップを用いたＩＣカードが普及している。近年では、
ＩＣカードの外部端子と外部端末を接続して使用する接
触式のＩＣカードだけでなく、アンテナを内蔵し、電波
や静電結合により非接触で外部機器との間でデータ交換
を行う非接触式のＩＣカードの使用が増加し、カードの
出し入れの不要、外部端末のメンテナンスの軽減等の理
由から、需要が高まっている。
ド等重要かつ大量なデータを記憶、処理する目的でＩＣ
チップを用いたＩＣカードが普及している。近年では、
ＩＣカードの外部端子と外部端末を接続して使用する接
触式のＩＣカードだけでなく、アンテナを内蔵し、電波
や静電結合により非接触で外部機器との間でデータ交換
を行う非接触式のＩＣカードの使用が増加し、カードの
出し入れの不要、外部端末のメンテナンスの軽減等の理
由から、需要が高まっている。
【０００３】図４は従来の非接触式ＩＣカードの構造を
示す斜視図である。非接触ＩＣカード（１４）は限られ
たカード厚み制限内に、非接触にて外部機器との通信を
行うためのアンテナ（３）とＩＣチップ（４）を収納し
なければならない為、エッチングや印刷によりアンテナ
（３）が形成された、１０〜５０μｍ程度のフィルム基
板（１）上にＩＣチップ（４）を搭載し、カード基材
（１３）中に収納することによって製造されている。し
かし、実装されたベア状態のＩＣチップをカード基材中
に収納しただけでは、ＩＣチップを高温多湿な環境から
保護し、曲げ、捻じれ等の外部応力に対する物理的な強
度を確保することができない。
示す斜視図である。非接触ＩＣカード（１４）は限られ
たカード厚み制限内に、非接触にて外部機器との通信を
行うためのアンテナ（３）とＩＣチップ（４）を収納し
なければならない為、エッチングや印刷によりアンテナ
（３）が形成された、１０〜５０μｍ程度のフィルム基
板（１）上にＩＣチップ（４）を搭載し、カード基材
（１３）中に収納することによって製造されている。し
かし、実装されたベア状態のＩＣチップをカード基材中
に収納しただけでは、ＩＣチップを高温多湿な環境から
保護し、曲げ、捻じれ等の外部応力に対する物理的な強
度を確保することができない。
【０００４】そこで熱硬化性または紫外線硬化性のエポ
キシまたはシリコン系樹脂によりＩＣチップを封止する
事が通常行われている。封止は所定の形状の孔を有する
印刷用金属板の上面に封止樹脂を滴下し、封止樹脂をス
クイージにより前記孔に流し込み印刷することによりＩ
Ｃチップを封止するスクリーン印刷法、空気圧作動方式
の液体塗布装置であるディスペンサーを用いて塗布する
方法等がある。
キシまたはシリコン系樹脂によりＩＣチップを封止する
事が通常行われている。封止は所定の形状の孔を有する
印刷用金属板の上面に封止樹脂を滴下し、封止樹脂をス
クイージにより前記孔に流し込み印刷することによりＩ
Ｃチップを封止するスクリーン印刷法、空気圧作動方式
の液体塗布装置であるディスペンサーを用いて塗布する
方法等がある。
【０００５】また、外部応力からＩＣチップを守る目的
で、カード基材中のＩＣチップの厚み方向に補強板を搭
載することも行われている。
で、カード基材中のＩＣチップの厚み方向に補強板を搭
載することも行われている。
【０００６】補強板の搭載方法としては、あらかじめ補
強板が搭載されたＩＣチップをフィルム基板に実装する
方法や、フィルム基板をＰＥＴ等のカード基材により収
納する場合には、補強板をカード基材側に貼り付けてお
き、フィルム基板をカード基材に収納する際に、補強板
がＩＣチップの上下に位置する様にする方法等がある。
強板が搭載されたＩＣチップをフィルム基板に実装する
方法や、フィルム基板をＰＥＴ等のカード基材により収
納する場合には、補強板をカード基材側に貼り付けてお
き、フィルム基板をカード基材に収納する際に、補強板
がＩＣチップの上下に位置する様にする方法等がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記ＩＣチップの樹脂
封止、補強板搭載はＩＣチップを外部応力から守る為に
行われているが、同時に行うことが難しく、工程が複雑
になっていた。また、製造方法によっては、完成したカ
ードに厚みばらつきが生じるという問題があった。本発
明は上述のような問題を解決するためになされたもの
で、工程が簡単で、厚みバラツキがなく、ＩＣチップの
厚み方向に補強板を搭載することを目的とする。
封止、補強板搭載はＩＣチップを外部応力から守る為に
行われているが、同時に行うことが難しく、工程が複雑
になっていた。また、製造方法によっては、完成したカ
ードに厚みばらつきが生じるという問題があった。本発
明は上述のような問題を解決するためになされたもの
で、工程が簡単で、厚みバラツキがなく、ＩＣチップの
厚み方向に補強板を搭載することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を達成するために、まず請求項１においては、ＩＣチッ
プが搭載され、カード基材中に収納される非接触ＩＣカ
ード用フィルム基板において、ＩＣチップの上下に搭載
される補強板を、ＩＣチップにトランスファーモールド
法によって樹脂封止を行う際に同時に搭載することによ
って、工程が簡単で、厚みバラツキのない補強板搭載方
法を提供する。請求項２においては、請求項１に記載の
方法で補強板を搭載した、非接触ＩＣカード用フィルム
基板を収納した非接触ＩＣカードを提供する。
を達成するために、まず請求項１においては、ＩＣチッ
プが搭載され、カード基材中に収納される非接触ＩＣカ
ード用フィルム基板において、ＩＣチップの上下に搭載
される補強板を、ＩＣチップにトランスファーモールド
法によって樹脂封止を行う際に同時に搭載することによ
って、工程が簡単で、厚みバラツキのない補強板搭載方
法を提供する。請求項２においては、請求項１に記載の
方法で補強板を搭載した、非接触ＩＣカード用フィルム
基板を収納した非接触ＩＣカードを提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき
説明する。図１は本発明の方法により補強板が搭載され
るフィルム基板（１）の斜視図である。１０〜５０μｍ
程度の厚みのポリイミド、ＰＥＴ等のフィルム（２）上
に銅、アルミ、銀ペースト等をエッチング処理または印
刷することによって非接触通信用のアンテナ（３）が形
成され、アンテナ（３）と接続するようにＩＣチップ
（４）が搭載されている。
説明する。図１は本発明の方法により補強板が搭載され
るフィルム基板（１）の斜視図である。１０〜５０μｍ
程度の厚みのポリイミド、ＰＥＴ等のフィルム（２）上
に銅、アルミ、銀ペースト等をエッチング処理または印
刷することによって非接触通信用のアンテナ（３）が形
成され、アンテナ（３）と接続するようにＩＣチップ
（４）が搭載されている。
【００１０】フィルム基板（１）とＩＣチップ（４）の
接続は、図示しない異方性導電膜（以下ＡＣＦ：Ａｎｉ
ｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍと
示す）によって接続される。ＡＣＦとはニッケル、金属
コートされたプラスチック等の導電粒子をエポキシ系樹
脂等の接着剤中に分散した接着材料であり、加熱により
接着剤が溶け、硬化する過程で加圧により導電粒子がＩ
Ｃチップのバンプとフィルム基板の配線パターン上で保
持されることにより、縦方向の導電性と横方向では粒子
は単独で存在するので絶縁性が得られる。フィルム状で
はなく液状の異方性導電ペースト（以下ＡＣＰ：Ａｎｉ
ｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔ
ｅ）、導電粒子を含まないアンダーフィル剤等を用いて
実装されることもある。
接続は、図示しない異方性導電膜（以下ＡＣＦ：Ａｎｉ
ｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍと
示す）によって接続される。ＡＣＦとはニッケル、金属
コートされたプラスチック等の導電粒子をエポキシ系樹
脂等の接着剤中に分散した接着材料であり、加熱により
接着剤が溶け、硬化する過程で加圧により導電粒子がＩ
Ｃチップのバンプとフィルム基板の配線パターン上で保
持されることにより、縦方向の導電性と横方向では粒子
は単独で存在するので絶縁性が得られる。フィルム状で
はなく液状の異方性導電ペースト（以下ＡＣＰ：Ａｎｉ
ｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔ
ｅ）、導電粒子を含まないアンダーフィル剤等を用いて
実装されることもある。
【００１１】図２はＩＣチップが搭載されたフィルム基
板に、トランスファーモールド法により樹脂封止を行う
とともに、補強板の搭載を行う状態を示す断面図であ
る。
板に、トランスファーモールド法により樹脂封止を行う
とともに、補強板の搭載を行う状態を示す断面図であ
る。
【００１２】ＩＣチップ（４）を搭載したフィルム基板
（１）は、金属製のモールド型下側（５）に形成された
モールド穴下側（６）上にＩＣチップ（４）が位置する
ように載置され、モールド型上側（７）に形成されたモ
ールド穴上側（８）がＩＣチップ（４）の上側に位置す
るようにモールド型上側（７）がセットされる。モール
ド穴下側（６）とモールド穴上側（８）には吸着穴
（９）によって補強板（１０）が吸着固定されている。
（１）は、金属製のモールド型下側（５）に形成された
モールド穴下側（６）上にＩＣチップ（４）が位置する
ように載置され、モールド型上側（７）に形成されたモ
ールド穴上側（８）がＩＣチップ（４）の上側に位置す
るようにモールド型上側（７）がセットされる。モール
ド穴下側（６）とモールド穴上側（８）には吸着穴
（９）によって補強板（１０）が吸着固定されている。
【００１３】次に樹脂注入口（１１）よりモールド穴上
側（８）及びモールド穴下側（６）内にモールド樹脂
（１２）を圧注入し、モールド樹脂（１２）でモールド
穴上側（８）及びモールド穴下側（６）内を充填し、Ｉ
Ｃチップ（４）を樹脂封止する。モールド樹脂（１２）
の充填が終了したモールド型上側（７）及びモールド型
下側（５）は、モールド樹脂（１２）の硬化温度にまで
加熱され、モールド樹脂（１２）を硬化させる。また、
この時モールド穴上側（８）及びモールド穴下側（６）
で吸着固定されていた補強板（１０）が、モールド樹脂
（１２）を介してフィルム基板（１）上のＩＣチップ
（４）に搭載される。補強板（１０）はモールド樹脂
（１２）の硬化によってモールド穴上側（８）及びモー
ルド穴下側（６）内で固定されるため、補強板（１０）
搭載後のＩＣチップ部は厚みばらつきを生じることがな
い。
側（８）及びモールド穴下側（６）内にモールド樹脂
（１２）を圧注入し、モールド樹脂（１２）でモールド
穴上側（８）及びモールド穴下側（６）内を充填し、Ｉ
Ｃチップ（４）を樹脂封止する。モールド樹脂（１２）
の充填が終了したモールド型上側（７）及びモールド型
下側（５）は、モールド樹脂（１２）の硬化温度にまで
加熱され、モールド樹脂（１２）を硬化させる。また、
この時モールド穴上側（８）及びモールド穴下側（６）
で吸着固定されていた補強板（１０）が、モールド樹脂
（１２）を介してフィルム基板（１）上のＩＣチップ
（４）に搭載される。補強板（１０）はモールド樹脂
（１２）の硬化によってモールド穴上側（８）及びモー
ルド穴下側（６）内で固定されるため、補強板（１０）
搭載後のＩＣチップ部は厚みばらつきを生じることがな
い。
【００１４】モールド樹脂（１２）としては、フェノー
ル系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー等が添加され
たエポキシ系樹脂が使用される。
ル系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー等が添加され
たエポキシ系樹脂が使用される。
【００１５】補強板（１０）としては、例えばステンレ
ス、セラミック、ガラスエポキシ樹脂等からなる補強板
が使用される。補強板の厚みは、ＩＣチップ搭載後のフ
ィルム基板両面に搭載され、ＩＣカードには厚み制限が
あることを考慮すると、厚み５０μｍ程度のものが望ま
しく、形状は特に限定しない。次に、図２でモールド樹
脂の硬化が終了し、モールド型上側（７）及びモールド
型下側（５）が取り外された状態のフィルム基板（１）
はカード化基材によりカード化される。
ス、セラミック、ガラスエポキシ樹脂等からなる補強板
が使用される。補強板の厚みは、ＩＣチップ搭載後のフ
ィルム基板両面に搭載され、ＩＣカードには厚み制限が
あることを考慮すると、厚み５０μｍ程度のものが望ま
しく、形状は特に限定しない。次に、図２でモールド樹
脂の硬化が終了し、モールド型上側（７）及びモールド
型下側（５）が取り外された状態のフィルム基板（１）
はカード化基材によりカード化される。
【００１６】図３は補強板（１０）が搭載されたフィル
ム基板（１）をカード化基材（１３）によりカード化す
る状態の斜視図である。
ム基板（１）をカード化基材（１３）によりカード化す
る状態の斜視図である。
【００１７】カード化基材（１３）としては、塩化ビニ
ール、ＡＢＳ、ＰＥＴ等の樹脂を用いる事ができ、カー
ド化の方法としては、図３に示すように熱可塑性のカー
ド化基材（１３）で熱ラミネートする方式の他に、フィ
ルム基板を金型内に挿入し、カード化樹脂を射出し、カ
ード化を行う射出成形方式、フィルム基板に接着剤を塗
布し、カード基材を貼りあわせカード化を行う、接着剤
充填ラミネート方式等がある。以上の様にして、本発明
による補強板搭載方法により補強板を搭載した、非接触
ＩＣカード用フィルム基板を収納する非接触ＩＣカード
が製作される。
ール、ＡＢＳ、ＰＥＴ等の樹脂を用いる事ができ、カー
ド化の方法としては、図３に示すように熱可塑性のカー
ド化基材（１３）で熱ラミネートする方式の他に、フィ
ルム基板を金型内に挿入し、カード化樹脂を射出し、カ
ード化を行う射出成形方式、フィルム基板に接着剤を塗
布し、カード基材を貼りあわせカード化を行う、接着剤
充填ラミネート方式等がある。以上の様にして、本発明
による補強板搭載方法により補強板を搭載した、非接触
ＩＣカード用フィルム基板を収納する非接触ＩＣカード
が製作される。
【００１８】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。厚み２５μｍのポリイミドのフィルム上に、銅１８
μｍが接着剤レスで形成されたフィルム基板材料をエッ
チング処理することによって、非接触通信用のアンテナ
を形成し、ニッケル粒子を含む厚み３０μｍのＡＣＦに
よって、縦４ｍｍ×横４．５ｍｍ×厚み１５０μｍのＩ
Ｃチップを搭載した。ＩＣチップの搭載後のフィルム基
板２００枚のＩＣチップ部を測定したところ、すべての
フィルム基板で１８０±５μｍの精度でＩＣチップが搭
載されていた。
る。厚み２５μｍのポリイミドのフィルム上に、銅１８
μｍが接着剤レスで形成されたフィルム基板材料をエッ
チング処理することによって、非接触通信用のアンテナ
を形成し、ニッケル粒子を含む厚み３０μｍのＡＣＦに
よって、縦４ｍｍ×横４．５ｍｍ×厚み１５０μｍのＩ
Ｃチップを搭載した。ＩＣチップの搭載後のフィルム基
板２００枚のＩＣチップ部を測定したところ、すべての
フィルム基板で１８０±５μｍの精度でＩＣチップが搭
載されていた。
【００１９】ＩＣチップを搭載したフィルム基板は図２
の様なモールド型内に載置し、トランスファーモールド
法により樹脂封止を行うとともに、補強板の搭載を行っ
た。
の様なモールド型内に載置し、トランスファーモールド
法により樹脂封止を行うとともに、補強板の搭載を行っ
た。
【００２０】樹脂封止方法、補強板搭載方法は前述した
通りであり、樹脂注入口よりモールド型内にモールド樹
脂を圧注入し、モールド樹脂でモールド型内を充填し、
ＩＣチップを樹脂封止した。モールド樹脂の充填が終了
したモールド型内は、モールド樹脂の硬化温度１８０℃
にまで加熱され、モールド樹脂を硬化させた。また、こ
の時モールド穴上側（８）及びモールド穴下側（６）で
吸着固定されていた補強板（１０）が、モールド樹脂を
介してフィルム基板（１）上のＩＣチップ（４）に搭載
された。つまり、本発明の目的とする、樹脂封止と補強
板搭載とを同時に行うことができた。モールド樹脂はエ
ポキシ樹脂（ＣＶ５１９４Ａ：松下電工株式会社製）を
用いた。補強板（１０）はステンレス製の厚み５０μ
ｍ、円形でφ＝６ｍｍのものを用いた。モールド樹脂の
硬化が終了し、モールド型上側（７）及びモールド型下
側（５）が取り外された、補強板の搭載までを行ったフ
ィルム基板２００枚のＩＣチップ部を測定したところ、
すべてのフィルム基板で３６０±５μｍの精度で補強板
の搭載が行えたことが確認できた。最後にＩＣチップ部
の測定を行ったフィルム基板（１）２００枚をカード化
基材によりカード化した。
通りであり、樹脂注入口よりモールド型内にモールド樹
脂を圧注入し、モールド樹脂でモールド型内を充填し、
ＩＣチップを樹脂封止した。モールド樹脂の充填が終了
したモールド型内は、モールド樹脂の硬化温度１８０℃
にまで加熱され、モールド樹脂を硬化させた。また、こ
の時モールド穴上側（８）及びモールド穴下側（６）で
吸着固定されていた補強板（１０）が、モールド樹脂を
介してフィルム基板（１）上のＩＣチップ（４）に搭載
された。つまり、本発明の目的とする、樹脂封止と補強
板搭載とを同時に行うことができた。モールド樹脂はエ
ポキシ樹脂（ＣＶ５１９４Ａ：松下電工株式会社製）を
用いた。補強板（１０）はステンレス製の厚み５０μ
ｍ、円形でφ＝６ｍｍのものを用いた。モールド樹脂の
硬化が終了し、モールド型上側（７）及びモールド型下
側（５）が取り外された、補強板の搭載までを行ったフ
ィルム基板２００枚のＩＣチップ部を測定したところ、
すべてのフィルム基板で３６０±５μｍの精度で補強板
の搭載が行えたことが確認できた。最後にＩＣチップ部
の測定を行ったフィルム基板（１）２００枚をカード化
基材によりカード化した。
【００２１】図３はカード化基材（１３）によりカード
化する状態の斜視図である。カード化基材（１３）とし
ては、２００μｍ厚の塩化ビニールのシート２枚を用
い、カード化の方法としては、熱ラミネート方式を用い
た。フィルム基板に厚みばらつきがないので、すべての
でカードでＩＣチップ部の厚みが７６０±１０μｍの精
度でカード化が行えた。よって本発明によって試作した
カードは、樹脂封止と補強板搭載とを同時に行うことが
できるとともに、厚みばらつきのない補強板搭載後のフ
ィルム基板及びそのフィルム基板を収納した厚みばらつ
きのない非接触ＩＣカードを得る事ができた。
化する状態の斜視図である。カード化基材（１３）とし
ては、２００μｍ厚の塩化ビニールのシート２枚を用
い、カード化の方法としては、熱ラミネート方式を用い
た。フィルム基板に厚みばらつきがないので、すべての
でカードでＩＣチップ部の厚みが７６０±１０μｍの精
度でカード化が行えた。よって本発明によって試作した
カードは、樹脂封止と補強板搭載とを同時に行うことが
できるとともに、厚みばらつきのない補強板搭載後のフ
ィルム基板及びそのフィルム基板を収納した厚みばらつ
きのない非接触ＩＣカードを得る事ができた。
【００２２】
【発明の効果】本発明は以下の構成であるから下記に示
す如き効果がある。まず請求項１においては、ＩＣチッ
プが搭載され、カード基材中に収納される非接触ＩＣカ
ード用フィルム基板において、ＩＣチップの上下に搭載
される補強板を、ＩＣチップにトランスファーモールド
法によって樹脂封止を行う際に同時に搭載することをす
ることによって、工程が簡略化する効果と、厚みばらつ
きのない補強板搭載後のフィルム基板を得る事ができ
る。請求項２においては、請求項１に記載の方法で補強
板を搭載した、非接触ＩＣカード用フィルム基板を収納
する事を特徴とする厚みばらつきのない非接触ＩＣカー
ドを得る事ができる。
す如き効果がある。まず請求項１においては、ＩＣチッ
プが搭載され、カード基材中に収納される非接触ＩＣカ
ード用フィルム基板において、ＩＣチップの上下に搭載
される補強板を、ＩＣチップにトランスファーモールド
法によって樹脂封止を行う際に同時に搭載することをす
ることによって、工程が簡略化する効果と、厚みばらつ
きのない補強板搭載後のフィルム基板を得る事ができ
る。請求項２においては、請求項１に記載の方法で補強
板を搭載した、非接触ＩＣカード用フィルム基板を収納
する事を特徴とする厚みばらつきのない非接触ＩＣカー
ドを得る事ができる。
【図１】本発明の方法により補強板が搭載されるフィル
ム基板の斜視図である。
ム基板の斜視図である。
【図２】トランスファーモールド法により樹脂封止を行
うとともに、補強板の搭載を行う状態を示す断面図であ
る。
うとともに、補強板の搭載を行う状態を示す断面図であ
る。
【図３】カード化基材によりカード化する状態の斜視図
である。
である。
【図４】従来の非接触ＩＣカードの構造を示す斜視図で
ある。
ある。
１ フィルム基板 ２ フィルム ３ アンテナ ４ ＩＣチップ ５ モールド型下側 ６ モールド穴下側 ７ モールド型上側 ８ モールド穴上側 ９ 吸着穴 １０ 補強板 １１ モールド樹脂注入口 １２ モールド樹脂 １３ カード化基材 １４ 非接触ＩＣカード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C005 NA09 NA31 NB34 PA18 PA25 RA04 RA07 TA22 4M109 AA01 AA02 CA21 EA01 EE01 GA03 5B035 AA07 BA03 BB09 CA01 CA23 5F061 AA01 AA02 CA21 DA01 DA06 FA03
Claims (2)
- 【請求項１】ＩＣチップが搭載され、カード基材中に収
納される非接触ＩＣカード用フィルム基板において、Ｉ
Ｃチップの上下に搭載される補強板を、ＩＣチップにト
ランスファーモールド法によって樹脂封止を行う際に同
時に搭載することを特徴とする、非接触ＩＣカード用フ
ィルム基板への補強板搭載方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の方法で補強板を搭載し
た、非接触ＩＣカード用フィルム基板を収納する事を特
徴とする非接触ＩＣカード
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167664A JP2001351076A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | 非接触ｉｃカード及び補強板搭載方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167664A JP2001351076A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | 非接触ｉｃカード及び補強板搭載方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001351076A true JP2001351076A (ja) | 2001-12-21 |
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ID=18670790
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000167664A Pending JP2001351076A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | 非接触ｉｃカード及び補強板搭載方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001351076A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043967A1 (fr) * | 2000-11-30 | 2002-06-06 | Sony Corporation | Carte a circuit integre sans contact |
-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167664A patent/JP2001351076A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002043967A1 (fr) * | 2000-11-30 | 2002-06-06 | Sony Corporation | Carte a circuit integre sans contact |
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