JP2001348669A - 無電解めっき方法 - Google Patents
無電解めっき方法Info
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- JP2001348669A JP2001348669A JP2000169529A JP2000169529A JP2001348669A JP 2001348669 A JP2001348669 A JP 2001348669A JP 2000169529 A JP2000169529 A JP 2000169529A JP 2000169529 A JP2000169529 A JP 2000169529A JP 2001348669 A JP2001348669 A JP 2001348669A
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- plating
- plating layer
- electroless plating
- plating method
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 めっき厚さを減じることなくめっき表面を平
坦化でき、めっき処理に要するコストを安価にできる無
電解めっき方法を提供する。 【解決手段】 銅めっき層２の表面２Ａにガラスビーズ
３を圧搾空気ととも吹き付けることによって、凹凸状の
針状晶２Ｂの凸部を研削するようにした。
坦化でき、めっき処理に要するコストを安価にできる無
電解めっき方法を提供する。 【解決手段】 銅めっき層２の表面２Ａにガラスビーズ
３を圧搾空気ととも吹き付けることによって、凹凸状の
針状晶２Ｂの凸部を研削するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は無電解めっき方法に
関し、特に、めっき表面の平坦性を向上させることので
きる無電解めっき方法に関する。
関し、特に、めっき表面の平坦性を向上させることので
きる無電解めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の化学めっき方法として、化学還元
剤を用いた無電解めっき方法が知られている。この無電
解めっき方法によるめっき処理では、被めっき物の処理
面に脱脂、アルカリエッチング、酸洗浄等の表面清浄化
処理を行った後、無電解金属の析出の核となるパラジウ
ム（Ｐｄ）等の触媒膜を形成してめっき液中に浸漬する
ことにより被めっき物の表面に無電解金属を析出させる
ものであり、回路基板の製造等に広く用いられている。
剤を用いた無電解めっき方法が知られている。この無電
解めっき方法によるめっき処理では、被めっき物の処理
面に脱脂、アルカリエッチング、酸洗浄等の表面清浄化
処理を行った後、無電解金属の析出の核となるパラジウ
ム（Ｐｄ）等の触媒膜を形成してめっき液中に浸漬する
ことにより被めっき物の表面に無電解金属を析出させる
ものであり、回路基板の製造等に広く用いられている。
【０００３】上記した無電解めっきの形成時にめっき表
面に微小の凹凸が形成されることがある。このような場
合には、薬品処理に基づく化学エッチングを行うことに
より、めっき表面の荒れを低減させている。
面に微小の凹凸が形成されることがある。このような場
合には、薬品処理に基づく化学エッチングを行うことに
より、めっき表面の荒れを低減させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の無電解
めっき方法によると、凹凸を有するめっき表面が均等に
エッチングされるため、エッチングが不用な凹部でめっ
きが溶解し、そのことによってめっきの膜厚が減少す
る。このため、めっき層の耐久性、外観を低下させると
ともに、所定のめっき厚を得るためにエッチングによる
溶解分を考慮しなければならず、めっき処理に要する手
間が大になってコストアップを招くという問題がある。
めっき方法によると、凹凸を有するめっき表面が均等に
エッチングされるため、エッチングが不用な凹部でめっ
きが溶解し、そのことによってめっきの膜厚が減少す
る。このため、めっき層の耐久性、外観を低下させると
ともに、所定のめっき厚を得るためにエッチングによる
溶解分を考慮しなければならず、めっき処理に要する手
間が大になってコストアップを招くという問題がある。
【０００５】従って、本発明の目的は、めっき厚さを減
じることなくめっき表面を平坦化でき、めっき処理に要
するコストを安価にできる無電解めっき方法を提供する
ことにある。
じることなくめっき表面を平坦化でき、めっき処理に要
するコストを安価にできる無電解めっき方法を提供する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、めっき表面に形成される凹凸部の表面粗さ
に基づくサイズを有した粒状の固形物質を前記凹凸部に
吹き付ける無電解めっき方法を提供する。
成するため、めっき表面に形成される凹凸部の表面粗さ
に基づくサイズを有した粒状の固形物質を前記凹凸部に
吹き付ける無電解めっき方法を提供する。
【０００７】上記した無電解めっき方法によると、粒状
の固形物質をめっき表面の凹凸部に吹き付けることで凹
凸部の凸部を局所的に研削する。粒状の固形物質は凹凸
部の凹部に入り込まないように表面粗さに基づくサイズ
で形成される。このことによりめっき厚さを確保しなが
ら凸部を研削してめっき表面の平坦化を行う。
の固形物質をめっき表面の凹凸部に吹き付けることで凹
凸部の凸部を局所的に研削する。粒状の固形物質は凹凸
部の凹部に入り込まないように表面粗さに基づくサイズ
で形成される。このことによりめっき厚さを確保しなが
ら凸部を研削してめっき表面の平坦化を行う。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の無電解めっき方法
を図面を参照して詳細に説明する。
を図面を参照して詳細に説明する。
【０００９】図１は、本発明の実施の形態に係る無電解
めっき方法に基づくめっき処理工程を、電子部品へのめ
っき処理に基づいて示す。
めっき方法に基づくめっき処理工程を、電子部品へのめ
っき処理に基づいて示す。
【００１０】図１（ａ）は、被めっき物としての樹脂成
形基板１の断面を示し、熱可塑性樹脂組成物を射出成形
することによって形成する。形成後、表面１Ａに後述す
る銅めっき処理によって銅が析出するように触媒として
のＰｄを塗布する。
形基板１の断面を示し、熱可塑性樹脂組成物を射出成形
することによって形成する。形成後、表面１Ａに後述す
る銅めっき処理によって銅が析出するように触媒として
のＰｄを塗布する。
【００１１】図１（ｂ）は、銅めっき層２の形成工程を
示し、無電解めっきによって樹脂成形基板１の表面１Ａ
に厚さ約１５μｍの銅めっき層２を形成する。このめっ
き層２の表面２Ａには、表面粗さが約５μｍの針状晶２
Ｂが形成されている。
示し、無電解めっきによって樹脂成形基板１の表面１Ａ
に厚さ約１５μｍの銅めっき層２を形成する。このめっ
き層２の表面２Ａには、表面粗さが約５μｍの針状晶２
Ｂが形成されている。
【００１２】図１（ｃ）は、針状晶２Ｂの除去工程を示
し、銅めっき層２の表面２Ａに直径約２０μｍから５０
μｍのサイズで形成された球形のガラスビーズ３を５ｋ
ｇ／ｃｍ2の圧力に設定された圧搾空気に基づいて３分
間吹き付けてブラスト処理する。このことによって針状
晶２Ｂの凸部を除去する。
し、銅めっき層２の表面２Ａに直径約２０μｍから５０
μｍのサイズで形成された球形のガラスビーズ３を５ｋ
ｇ／ｃｍ2の圧力に設定された圧搾空気に基づいて３分
間吹き付けてブラスト処理する。このことによって針状
晶２Ｂの凸部を除去する。
【００１３】図１（ｄ）は、ブラスト処理された樹脂成
形基板１の断面を示し、樹脂成形基板１上に表面２Ａが
平坦化された銅めっき層２が形成されている。上記した
ブラスト処理後の銅めっき層２の表面粗さは１μｍ以下
であり、針状晶２Ｂの凸部だけを除去することで厚さＬ
1のめっき厚を有している。
形基板１の断面を示し、樹脂成形基板１上に表面２Ａが
平坦化された銅めっき層２が形成されている。上記した
ブラスト処理後の銅めっき層２の表面粗さは１μｍ以下
であり、針状晶２Ｂの凸部だけを除去することで厚さＬ
1のめっき厚を有している。
【００１４】図１(ｅ)は、Ｎｉめっき層を形成した樹脂
成形基板１の断面を示し、ブラスト処理後に無電解めっ
きによって銅めっき層２の表面２Ａに厚さ約３μｍのＮ
ｉめっき層４を形成する。このＮｉめっき層４は、ブラ
スト処理された銅めっき層２の表面２Ａを保護する。
成形基板１の断面を示し、ブラスト処理後に無電解めっ
きによって銅めっき層２の表面２Ａに厚さ約３μｍのＮ
ｉめっき層４を形成する。このＮｉめっき層４は、ブラ
スト処理された銅めっき層２の表面２Ａを保護する。
【００１５】図２(ａ）〜(ｃ）は、第１の比較例とし
て、樹脂成形基板１に無電解めっきによって銅めっき層
２を形成後、銅めっき層２の表面２Ａに保護めっき層と
してＮｉめっき層４を形成したときの樹脂成形基板１の
断面を示す。この樹脂成形基板１では、Ｎｉめっき層４
の形成後に、図２(ｂ）に示す表面２Ａの表面粗さが露
出することから、めっき表面の色、光沢といった外観が
悪くなる。
て、樹脂成形基板１に無電解めっきによって銅めっき層
２を形成後、銅めっき層２の表面２Ａに保護めっき層と
してＮｉめっき層４を形成したときの樹脂成形基板１の
断面を示す。この樹脂成形基板１では、Ｎｉめっき層４
の形成後に、図２(ｂ）に示す表面２Ａの表面粗さが露
出することから、めっき表面の色、光沢といった外観が
悪くなる。
【００１６】図３(ａ）〜(ｄ）は、第２の比較例とし
て、樹脂成形基板１に無電解めっきによって銅めっき層
２を形成後、１００ｇ／Ｌの濃度を有する過硫酸アンモ
ニウム溶液による表面２Ａのエッチングを１０分行った
後、銅めっき層２の表面２Ａに保護めっき層としてＮｉ
めっき層４を形成したときの樹脂成形基板１の断面を示
す。この樹脂成形基板１では、表面２Ａのエッチングに
よって銅めっき層２の厚さＬ2が１５μｍから１２μｍ
に減少しており、Ｎｉめっき層４を形成したとしても銅
めっき層２の耐久性が低下する恐れがある。
て、樹脂成形基板１に無電解めっきによって銅めっき層
２を形成後、１００ｇ／Ｌの濃度を有する過硫酸アンモ
ニウム溶液による表面２Ａのエッチングを１０分行った
後、銅めっき層２の表面２Ａに保護めっき層としてＮｉ
めっき層４を形成したときの樹脂成形基板１の断面を示
す。この樹脂成形基板１では、表面２Ａのエッチングに
よって銅めっき層２の厚さＬ2が１５μｍから１２μｍ
に減少しており、Ｎｉめっき層４を形成したとしても銅
めっき層２の耐久性が低下する恐れがある。
【００１７】上記した無電解めっき方法によると、銅め
っき層２の表面２Ａにガラスビーズ３を圧搾空気ととも
に吹き付けることによって、凹凸状の針状晶２Ｂの凸部
を研削することができ、そのことによってめっき表面の
平坦化が図れる。このとき、ガラスビーズ３の直径が表
面粗さより大なる直径を有するように選択することで、
ガラスビーズ３が凹部に入りこむことがなく、銅めっき
層２の厚さＬ1を確保しながら凸部を局所的に研削する
ことができる。
っき層２の表面２Ａにガラスビーズ３を圧搾空気ととも
に吹き付けることによって、凹凸状の針状晶２Ｂの凸部
を研削することができ、そのことによってめっき表面の
平坦化が図れる。このとき、ガラスビーズ３の直径が表
面粗さより大なる直径を有するように選択することで、
ガラスビーズ３が凹部に入りこむことがなく、銅めっき
層２の厚さＬ1を確保しながら凸部を局所的に研削する
ことができる。
【００１８】また、化学エッチングと比較して薬品を使
用しないことから、エッチング後の薬品除去処理が不用
になって工程の簡素化を図ることができ、そのことによ
ってめっき処理に要するコストを安価にできる。
用しないことから、エッチング後の薬品除去処理が不用
になって工程の簡素化を図ることができ、そのことによ
ってめっき処理に要するコストを安価にできる。
【００１９】ガラスビーズ３を吹き付ける圧搾空気の代
わりに、加圧されたガス等の気体、あるいは水等の液体
と混合して吹き付けるようにしても良い。
わりに、加圧されたガス等の気体、あるいは水等の液体
と混合して吹き付けるようにしても良い。
【００２０】また、ガラスビーズの代わりに応じた直径
を有する樹脂、アルミナ等の粒状の固形物質をめっき表
面の表面粗さ、結晶形状、あるいはめっき膜の種類等に
応じて選択して用いるようにしても良い。
を有する樹脂、アルミナ等の粒状の固形物質をめっき表
面の表面粗さ、結晶形状、あるいはめっき膜の種類等に
応じて選択して用いるようにしても良い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の無電解めっ
き方法によると、無電解めっき層の表面に表面粗さより
サイズの大なるガラスビーズ等の固形物質を圧搾空気と
ともに吹き付けるようにしたため、めっき厚さを減じる
ことなくめっき表面を平坦化でき、めっき処理に要する
コストを安価にすることができる。
き方法によると、無電解めっき層の表面に表面粗さより
サイズの大なるガラスビーズ等の固形物質を圧搾空気と
ともに吹き付けるようにしたため、めっき厚さを減じる
ことなくめっき表面を平坦化でき、めっき処理に要する
コストを安価にすることができる。
【図１】(ａ）は、本発明の実施の形態に係る無電解め
っき方法に基づいてめっき処理される樹脂成形基板の断
面図 (ｂ）は、銅めっき層の形成工程を示す断面図 (ｃ）は、針状晶の除去工程を示す断面図 (ｄ）は、ブラスト処理された樹脂成形基板を示す断面
図 (ｅ）は、Ｎｉめっき層を形成した樹脂成形基板を示す
断面図
っき方法に基づいてめっき処理される樹脂成形基板の断
面図 (ｂ）は、銅めっき層の形成工程を示す断面図 (ｃ）は、針状晶の除去工程を示す断面図 (ｄ）は、ブラスト処理された樹脂成形基板を示す断面
図 (ｅ）は、Ｎｉめっき層を形成した樹脂成形基板を示す
断面図
【図２】(ａ）〜(ｃ）は、第１の比較例に係る樹脂成形
基板の断面図
基板の断面図
【図３】(ａ）〜(ｄ）は、第２の比較例に係る樹脂成形
基板の断面図
基板の断面図
１ 樹脂成形基板 １Ａ 表面 ２ 銅めっき層 ２Ａ 表面 ２Ｂ 針状晶 ３ ガラスビーズ ４ Ｎｉめっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鷲見 亨 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社総合技術研究所内 Ｆターム(参考） 4K022 AA13 BA08 BA14 BA36 CA02 DA01 DB29 EA04
Claims (2)
- 【請求項１】 めっき表面に形成される凹凸部の表面粗
さに基づくサイズを有した粒状の固形物質を前記凹凸部
に吹き付けることを特徴とする無電解めっき方法。 - 【請求項２】 前記表面粗さよりサイズの大なる粒状の
固形物質を圧搾空気又はガス等の気体、又は水等の液体
に混入して吹き付ける請求項第１項記載の無電解めっき
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000169529A JP2001348669A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | 無電解めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000169529A JP2001348669A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | 無電解めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001348669A true JP2001348669A (ja) | 2001-12-18 |
Family
ID=18672372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000169529A Pending JP2001348669A (ja) | 2000-06-06 | 2000-06-06 | 無電解めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001348669A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020101183A1 (ko) * | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 와이엠티 주식회사 | 도금 적층체 및 인쇄회로기판 |
| CN111893465A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 | 一种降低lds工艺中化镀层粗糙度的化学镀液、方法及化学镀滚筒 |
-
2000
- 2000-06-06 JP JP2000169529A patent/JP2001348669A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020101183A1 (ko) * | 2018-11-14 | 2020-05-22 | 와이엠티 주식회사 | 도금 적층체 및 인쇄회로기판 |
| CN112969819A (zh) * | 2018-11-14 | 2021-06-15 | Ｙｍｔ股份有限公司 | 电镀积层和印刷电路板 |
| US11499233B2 (en) | 2018-11-14 | 2022-11-15 | Ymt Co., Ltd. | Plated laminate and printed circuit board |
| CN111893465A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 | 一种降低lds工艺中化镀层粗糙度的化学镀液、方法及化学镀滚筒 |
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