JP2001345338A

JP2001345338A - 金属電極パターン形成方法および金属膜剥離除去用接着シート

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Publication number: JP2001345338A
Application number: JP2000376017A
Authority: JP
Inventors: Hideshi Toyoda; 英志豊田; Hiroki Ichikawa; 浩樹市川; Akira Namikawa; 亮並河; Yoshio Terada; 好夫寺田; Ichiro Nakano; 一郎中野; Seiji Izumitani; 誠治泉谷; Ichiji Kondo; 市治近藤; Takeshi Miyajima; 健宮嶋
Original assignee: Denso Corp; Nitto Denko Corp
Current assignee: Denso Corp; Nitto Denko Corp
Priority date: 2000-03-31
Filing date: 2000-12-11
Publication date: 2001-12-14
Anticipated expiration: 2020-12-11
Also published as: JP4477767B2

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体基板上に形成された絶縁部と電極部の
表面に設けた金属膜に金属膜剥離除去用接着シートを貼
り付け、引き剥がしにより絶縁部表面の金属膜を良好に
剥離除去して半導体基板上の電極部に確実に金属電極パ
ターンを形成する方法を提供すること。【解決手段】金属膜剥離除去用接着シートとして、接
着シートの貼り付け時と引き剥がし時において、接着シ
ートの接着層を構成する接着剤の貯蔵弾性率の比（引き
剥がし時／貼り付け時）を５以上となるように設定され
たものを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオード、トラ
ンジスタ、ＬＳＩ等の半導体デバイス製造時における金
属電極パターンの形成方法および金属電極パターンの形
成方法に用いられる金属膜剥離除去用接着シートに関す
るものである。より詳しくは、半導体デバイスの製造工
程において、バンプ形成領域に金属膜（ＵＢＭ膜；アン
ダーバンプメタル）の金属電極パターンを配置する技術
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスとしては、アルミ電極等
の金属電極を備えたものが知られている。当該アルミ電
極にはハンダなどによりバンプが形成されるが、ハンダ
とアルミ電極とは濡れ性がよくない。そのため、アルミ
電極上には、さらにハンダなどとの濡れ性の良好な金属
膜の電極パターンが形成されている。

【０００３】半導体デバイスの製造における前記金属電
極パターンの形成は、一般にホトリソグラフィによるパ
ターン形成方法が行われている。しかしながら、前述の
ホトリソグラフィによるパターン形成は、ホトリソグラ
フィおよびエッチング工程における設備等のプロセスコ
ストが非常に高く、またエッチング液等の廃液処理が煩
わしく、作業環境を悪化させるという問題点がある。

【０００４】また、最近では、前記金属電極パターンの
形成方法として、半導体基板上に形成された絶縁部と電
極部の表面に濡れ性の良好な金属膜を設け、この金属膜
に対する絶縁部と電極部との接着性の差を利用して、接
着シートにより絶縁部上の金属膜のみを剥離除去してパ
ターンを形成する手法も提案されている（特開平１０−
６４９１２号公報）。この接着シートの金属膜剥離除去
によるパターンの形成方法においては、金属膜表面に接
着シートを確実に接着させることが必要である。しか
し、従来知られている金属膜剥離除去用接着シートで
は、金属膜表面に対する十分な接着性が得られていなか
ったため、絶縁部上の金属膜を完全にパターン化した形
で剥離除去するのは困難であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、半
導体基板上に形成された絶縁部と電極部の表面に設けた
金属膜に金属膜剥離除去用接着シートを貼り付け、引き
剥がしにより絶縁部表面の金属膜を良好に剥離除去して
半導体基板上の電極部に確実に金属電極パターンを形成
する方法を提供することを目的とする。

【０００６】また本発明は前記金属電極パターン形成方
法に用いる金属膜剥離除去用接着シートを提供すること
を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するため鋭意検討した結果、金属電極パターン
形成方法において用いる金属膜剥離除去用接着シートの
接着層を構成する接着剤として、接着シートの貼り付け
時と引き剥がし時において、接着シートの接着層を構成
する接着剤の貯蔵弾性率の比が特定値以上のものが有効
であるとの新たな知見を得た。本発明は、かかる新たな
知見に基づいて完成されたものである。

【０００８】すなわち、本発明は、半導体基板上に形成
された絶縁部と電極部の表面に設けた金属膜に、金属膜
剥離除去用接着シートを貼り付けた後、当該接着シート
を引き剥がして絶縁部表面の金属膜を剥離除去すること
により、半導体基板上の電極部に金属電極パターンを形
成する方法において、接着シートの貼り付け時と引き剥
がし時における、接着シートの接着層を構成する接着剤
の貯蔵弾性率の比（引き剥がし時／貼り付け時）を５以
上となるように設定することを特徴とする金属電極パタ
ーン形成方法、に関する。

【０００９】金属電極パターン形成方法において、接着
シートの貼り付け時と引き剥がし時における、前記接着
シートの接着層を構成する接着剤の貯蔵弾性率の比を前
記範囲に設定することで、接着剤の貼り付け時における
柔軟性が引き剥がし時に対して相対的によくなり、接着
シートの金属膜への接着性が向上し、また引き剥がし時
に応力が絶縁部と金属膜界面へかかりやすくなり、半導
体基板上の電極部に確実に金属電極パターンが形成され
る。貯蔵弾性率の比が大きいほど接着性の向上効果が大
きいため、前記貯蔵弾性率の比は５以上、さらには１０
以上とするのが好ましい。なお、接着シートの引き剥が
しは通常、常温で行う。一方、貼り付け時の温度等は、
接着剤の貯蔵弾性率が前記比になるように、接着剤の種
類に応じて適宜に設定する。

【００１０】前記金属電極パターン形成方法において、
接着シートの接着層を構成する接着剤としては、たとえ
ば、ホットメルト型接着剤が好ましく用いられる。

【００１１】接着シートの接着層にホットメルト型接着
剤を用いている場合は、接着シートを加熱しながら、接
着剤を軟化して貼り付けを行った後、接着シートの引き
剥がしを行う常温に戻すことにより、接着剤の貯蔵弾性
率を前記比になるように設定できる。貼り付け時の軟化
により接着剤は金属膜表面に対して大きな接触面積を得
ることができる。これにより、ホットメルト型接着剤を
用いた接着シートは、感圧性接着剤を用いた接着シート
に比べて、接着シートと金属膜表面の接着性が良好にな
る。その結果、金属膜の絶縁部からの剥離性が向上し、
半導体基板上の電極部に確実に金属電極パターンが形成
される。かかる方法により形成された金属電極パターン
は、バンプとの濡れ性がよく、半導体デバイスの製造に
良好である。

【００１２】前記接着シートの接着層としてホットメル
ト型接着剤を用いた金属電極パターン形成方法におい
て、前記接着シートの接着層を構成するホットメルト型
接着剤の１００℃における貯蔵弾性率は、１×１０⁶ Ｐ
ａ未満であることが好ましい。ホットメルト型接着剤の
１００℃における貯蔵弾性率は、１×１０⁵ Ｐａ以下、
さらには５×１０⁴ Ｐａ以下が好ましく、一方、好まし
い下限は５×１０² Ｐａ以上である。１００℃におい
て、貯蔵弾性率が前記範囲のものは、接着シートの貼り
付け時において、接着剤が十分に軟化し、金属膜との接
着性が良好であり、半導体基板上の電極部に確実に金属
電極パターンが形成される。

【００１３】前記接着シートの接着層としてホットメル
ト型接着剤を用いた金属電極パターン形成方法におい
て、前記接着シートの接着層を構成するホットメルト型
接着剤の２０℃における貯蔵弾性率は、１×１０⁶ Ｐａ
以上であることが好ましい。ホットメルト型接着剤の２
０℃における貯蔵弾性率は、５×１０⁶ Ｐａ以上、さら
には１×１０⁷ Ｐａ以上が好ましく、一方、好ましい上
限は１×１０⁹ Ｐａ以下である。２０℃において、貯蔵
弾性率が前記範囲のものは、接着シートの金属膜からの
引き剥がし時において、接着剤が高弾性率化しているた
め、剥離応力が、接着剤と金属膜との界面へかかりやす
い状態となっている。このことにより、金属膜の剥離不
良が著しく減少し、良好な剥離結果を得ることができ、
半導体基板上の電極部に確実に金属電極パターンが形成
される。

【００１４】また、前記金属電極パターン形成方法にお
いて、接着シートの接着層を構成する接着剤としては、
たとえば、硬化型接着剤が好ましく用いられる。

【００１５】接着シートの接着層に硬化型接着剤を用い
ている場合は、接着剤が未硬化の状態で接着シートを貼
り付け、貼り付け後に接着剤を硬化させることにより接
着層を高弾性率化して、貯蔵弾性率を前記比になるよう
に設定できる。貼り付け時の硬化前の接着剤は金属膜表
面に対して大きな接触面積を得ることができる。これに
より、硬化型接着剤を用いた接着シートは、感圧性接着
剤を用いた接着シートに比べて、接着シートと金属膜表
面の接着性が良好になる。その結果、金属膜の絶縁部か
らの剥離性が向上し、半導体基板上の電極部に確実に金
属電極パターンが形成される。かかる方法により形成さ
れた金属電極パターンは、バンプとの濡れ性がよく、半
導体デバイスの製造に良好である。

【００１６】前記接着シートの接着層として硬化型接着
剤を用いた金属電極パターン形成方法において、接着シ
ートの接着層を構成する接着剤の硬化前の２０℃におけ
る貯蔵弾性率は、１×１０⁶ Ｐａ未満であることが好ま
しい。未硬化の硬化型接着剤の２０℃における貯蔵弾性
率は、１×１０⁵ Ｐａ以下、さらには５×１０⁴ Ｐａ以
下が好ましく、一方、好ましい下限は５×１０² Ｐａ以
上である。２０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の未硬
化の硬化型接着剤は、接着シートの貼り付け時におい
て、接着剤と金属膜との接着性が良好であり、半導体基
板上の電極部に確実に金属電極パターンが形成される。
また、貼り付け時の貯蔵弾性率が前記範囲のものは、十
分な接着面積が得られ、硬化処理を行いながら貼り合わ
せを行う場合に、貼り合わせムラや、貼り合わせ時に気
泡が生じない。

【００１７】前記接着シートの接着層として硬化型接着
剤を用いた金属電極パターン形成方法において、接着シ
ートの接着層を構成する接着剤の硬化後の２０℃におけ
る貯蔵弾性率は、１×１０⁶ Ｐａ以上であることが好ま
しい。硬化した接着剤の２０℃における貯蔵弾性率は、
５×１０⁶ Ｐａ以上、さらには１×１０⁷ Ｐａ以上が好
ましく、一方、好ましい上限は１×１０⁹ Ｐａ以下であ
る。２０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の硬化した接
着剤は、接着シートの金属膜からの引き剥がし時におい
て、接着剤が高弾性率化しているため、剥離応力が、接
着剤と金属膜との界面へかかりやすい状態となってい
る。このことにより、金属膜の剥離不良が著しく減少
し、良好な剥離結果を得ることができ、半導体基板上の
電極部に確実に金属電極パターンが形成される。また、
引き剥がし時の貯蔵弾性率が前記範囲のものは、接着剤
と金属膜との界面の応力が高く、剥がれムラが生ない。

【００１８】さらに、本発明は、半導体基板上に形成さ
れた絶縁部と電極部の表面に設けた金属膜に貼り付けら
れ、引き剥がしにより絶縁部表面の金属膜を剥離除去し
て、半導体基板上の電極部に金属電極パターンを形成す
るために用いられる金属膜剥離除去用接着シートにおい
て、接着シートの貼り付け時と引き剥がし時における、
接着シートの接着層を構成する接着剤の貯蔵弾性率の比
（引き剥がし時／貼り付け時）が５以上となるように設
定されていること特徴とする金属膜剥離除去用接着シー
ト、に関する。

【００１９】前記同様、接着シートの接着層を構成する
接着剤がホットメルト型接着剤または硬化型接着剤ある
のが有効である。

【００２０】接着シートの接着層を構成するホットメル
ト型接着剤としては、接着シートの接着層を構成する接
着剤の１００℃における貯蔵弾性率が、１×１０⁶ Ｐａ
未満であるものが有効である。また、接着シートの接着
層を構成するホットメルト型接着剤としては、接着シー
トの接着層を構成する接着剤の２０℃における貯蔵弾性
率が、１×１０⁶ Ｐａ以上であるものが有効である。

【００２１】接着シートの接着層を構成する硬化型接着
剤としては、接着シートの接着層を構成する接着剤の硬
化前の２０℃における貯蔵弾性率が、１×１０⁶ Ｐａ未
満であるものが有効である。また、接着シートの接着層
を構成する硬化型接着剤としては、接着シートの接着層
を構成する接着剤の硬化後の２０℃における貯蔵弾性率
が、１×１０⁶ Ｐａ以上であるものが有効である。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明の金属電極パターン形成方
法を、図面を参照しながら説明する。図１は、半導体基
板１上に電極部４と絶縁部３が形成されたものの断面図
であり、当該電極部４上に金属電極パターンが形成され
る。

【００２３】半導体基板１としては、シリコン基板等が
あげられる。また、本発明の半導体基板１上には、ダイ
オード、トランジスタ等の半導体素子領域２を形成する
こともできる。電極部４は半導体素子２との導通を得る
ためにパターン化されている。半導体基板１上の電極部
４と絶縁部３の形成方法は特に制限されず、各種の方法
により形成することができる。たとえば、かかる電極部
４と絶縁部３は、半導体基板１上にＣＶＤ法などにより
絶縁部３を形成した後、ホトリソグラフィ法を用いて、
絶縁部３をパターン化し、その必要箇所にアルミ電極部
４を形成する方法により形成される。電極部４として
は、アルミ電極等が用いられ、絶縁部３としては、シリ
カ、ＢＰＳＧ（Bolon Phosphorus Silicate Glass ) 、
ＰＳＧ（ Phosphorus Silicate Glass ) 、窒素化ケイ
素、ポリイミド等が用いられる。

【００２４】図２は、半導体基板１上に形成された絶縁
部３と電極部４の表面に金属膜が設けられたものの断面
図であり、当該金属膜が本発明の金属膜剥離除去用接着
シートの被着部である。被着部となる金属膜７は、はん
だ濡れ性の良好な膜であり、具体的には金、銅、銀、白
金、鉄、錫、ニッケル、ニッケル−バナジウム合金等を
用いて形成されている。これらのなかでも金を用いるの
が好ましい。

【００２５】金属膜は、図２に示すように金属膜５，
６，７を順次に形成した３層とするのが好ましい。第１
層の金属膜５は、電極部４と良好な接合を形成するため
の膜であり、具体的にはチタン、チタン、バナジウム、
クロム、コバルト、ジルコニウム、アルミニウム、タン
タル、タングステン、白金、これら金属の窒化物やこれ
ら金属を主成分とする合金等の薄膜が用いられる。これ
らのなかでもチタン薄膜が好ましい。第２層の金属膜６
は、金属膜５と絶縁部３との界面にかかる応力を調整す
るための膜であり、具体的にはニッケル、銅、パラジウ
ム、これらの金属を主成分とする合金等の薄膜が用いら
れる。これらのなかでもニッケル薄膜が好ましい。第２
層の金属膜６の内部応力により、金属膜５と絶縁部３と
の界面の接着性が低下し、本発明の接着シートによる金
属膜の剥離除去がより容易になっている。そして、第３
層として、本発明の接着シートの被着部となる、はんだ
濡れ性の良好な金属膜７が設けられている。

【００２６】本発明の金属電極パターン形成方法は、図
２に示すような半導体基板１上に形成された絶縁部３と
電極部４の表面に設けた金属膜７に、図３に示すよう
に、金属膜剥離除去用接着シート８の接着層ａを貼り付
け、その後、当該接着シート８を引き剥がす。接着層ａ
は１層または２層以上形成されている。この操作によ
り、絶縁部３表面の金属膜５，６，７が選択的に剥離除
去除去され、図４に示すように、半導体基板１上の電極
部４に所望の金属電極パターンが形成される。この剥離
除去の際、電極部４と金属膜５との界面は接着性が良い
ため、接着シート８で剥離除去されることはない。な
お、形成される金属電極パターンは、実用上問題ない程
度であれば、絶縁部と金属膜界面が１００％パターニン
グされている必要はなく絶縁部上に金属膜の一部が剥離
されずに残っていてよい。

【００２７】接着シート８の貼り付け温度、引き剥がし
温度、その他の条件は、接着剤の貯蔵弾性率の比（引き
剥がし時／貼り付け時）が前記範囲になるように、使用
する接着層ａの種類により適宜に調整する。

【００２８】接着シート８の接着層ａとして、たとえ
ば、ホットメルト接着剤を用いた場合には、接着シート
８の接着層を構成する接着剤が軟化する温度で貼り付け
を行う。貼り付け温度は、接着剤の種類によって適宜に
決定されるが、通常、７０〜１３０℃程度とするのが好
ましい。また、接着シート８の引き剥がし温度は、通
常、常温であり、１５〜３０℃程度とするのが好まし
い。

【００２９】また接着シート８の接着層ａに用いられ
る、硬化型接着剤としては熱硬化型接着剤、光硬化型接
着剤等があげられる。これらのなかでも、簡便性の点で
熱硬化型接着剤が好ましい。これら硬化型接着剤は、接
着シート８の接着層ａを構成する接着剤が流動性を有
し、被着体表面に濡れやすく、十分接着力を発現できる
状態で貼り付けが行われる。硬化型接着剤の貼り付け温
度は、接着剤の種類によって適宜に決定される。貼り付
け温度は、通常、常温であるが、２０〜１００℃未満の
硬化型接着剤が硬化しない温度で熱処理を行いながら貼
り合わせることもできる。次いで、熱硬化型の場合には
１００℃以上、好ましくは１２０〜１６０℃で接着剤を
熱硬化または湿熱硬化させ、高弾性化する。光硬化型の
場合には紫外線等を照射して光硬化させ、高弾性化す
る。接着シート８の引き剥がし温度は、通常、常温であ
り、１５〜３０℃程度とするのが好ましい。

【００３０】かかる本発明の金属電極パターン形成方法
により、図４のように半導体基板１上の電極部４に確実
に、バンプとの濡れ性のよい金属電極パターンが形成さ
れる。このようにパターン形成された金属電極にはバン
プを容易に形成することができ、半導体デバイスの製造
工程を簡易かつ低コストで行うことができる。

【００３１】前記金属電極パターンの形成に用いる、本
発明の金属膜剥離除去用接着シート８は、シート基材ｂ
上に、前記特定の貯蔵弾性率を有する接着剤による接着
層ａが形成されたものである。なお、接着シートは、シ
ート状、テープ状のいずれでもよい。

【００３２】シート基材としては、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のポリエス
テル、アセチルセルロース、ポリイミドなどのプラスチ
ックフィルムやこれらを導電化したもの、金属箔、紙製
基材等の一般的な接着シートに用いられる基材があげら
れる。またシート基材の厚さは特に制限されないが、通
常、１０〜１００μｍ程度である。

【００３３】一方、シート基材上に形成される接着層の
厚さは、通常５〜３００μｍ程度、好ましくは１０〜１
８０μｍ程度である。

【００３４】接着層を形成する接着剤としては、各種接
着剤を使用できる。ホットメルト型接着剤には、一般的
なホットメルト型接着剤に適用されるベースポリマーが
用いられる。かかるベースポリマーとしては、エチレン
−酢酸ビニル共重合系ポリマー、アクリル系ポリマー、
イオノマー、ポリエステル、ポリアミド等の公知の各種
のものをいずれも使用できるが、特にエチレン−酢酸ビ
ニル共重合系ポリマーを使用するのが好ましい。

【００３５】本発明の接着シートの接着層を形成するホ
ットメルト型接着剤は、各種ベースポリマーに加えて、
粘着付与剤、ワックス等を適宜に配合した接着剤組成物
とすることもできる。粘着付与剤等の配合割合は、特に
制限されないが、本発明の目的を損なわない範囲で用い
る。

【００３６】粘着付与剤としては、ロジン系樹脂、テル
ペン系樹脂、石油系樹脂およびこれらの水素化物等があ
げられる。これらのなかでも、所定の酸価を有するロジ
ン系樹脂が好ましい。

【００３７】また、ワックスとしては、ホットメルト接
着剤において用いられるものを使用でき、具体的にはパ
ラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックスなど
の石油系ワックス、フィシャー・トロプシュワックス、
低分子量ポリエチレンワックスなどの合成ワックスがあ
げられる。ワックスにより接着剤組成物の溶融粘度を調
整できる。

【００３８】また、熱硬化型接着剤としては、一般的な
メラミン樹脂、尿素樹脂、フェノール系樹脂、エポキシ
系樹脂（エポキシ化ＳＢＳ型ブロックゴム等のエポキシ
化樹脂を含む）、ポリウレタン系樹脂（イソシアネート
化合物）、不飽和ポリエステル、アクリレート基含有樹
脂等があげられる。また、熱硬化型接着剤としては、前
記熱硬化性成分をベースポリマーまたは架橋成分とし
て、アクリル系ポリマー、合成ゴム、スチレン系ブロッ
クゴム（ＳＢＳ型ブロックゴム、官能基を有するスチレ
ンブロックポリマー等）、エチレン−酢酸ビニル共重合
系ポリマー、イオノマー、ポリエステル、ポリアミド、
ポリオレフィン系ポリマー等のベースポリマーに配合し
たもの等を使用できる。前記熱硬化性接着剤には、本発
明の目的を損なわない範囲で前記粘着付与剤等を適宜に
配合できる。

【００３９】また前記例示のホットメルト型接着剤、熱
硬化型接着剤には、さらに熱硬化型または光硬化型の重
合性化合物を併用して、熱硬化型または光硬化型接着剤
とすることもできる。重合性化合物としては、（メタ）
アクリロイル基を官能基として有するものを例示でき、
たとえば、フエノキシポリエチレングリコール（メタ）
アクリレート、ε−カプロラクトン（メタ）アクリレ−
ト、ポリエチレングリコ−ルジ（メタ）アクリレート、
ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ト
リメチロールプロパントリ（メタ）アクリレ−ト、ジペ
ンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレ−ト、ウレ
タン（メタ）アクリレ−ト、エポキシ（メタ）アクリレ
ート、オリゴエステル（メタ）アクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラ（メタ）アクリレート、等があげら
れる。各種重合性化合物は特に制限されず各種のものを
使用できる。オリゴマー成分の平均分子量は、通常１万
以下である。

【００４０】さらに、前記接着剤（接着剤組成物を含
む）には必要に応じて充填剤、酸化防止剤、紫外線吸収
剤、着色剤、界面活性剤、帯電防止剤、カップリング剤
（チタン、系、シラン系等）、軟化剤、金属酸化物（酸
化マグネシウム、酸化亜鉛等やその水和物）等を適宜使
用できる。

【００４１】

【実施例】以下に、実施例によって本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例によって何等限定され
るものではない。

【００４２】実施例１エチレン−酢酸ビニル共重合体（住友化学工業（株）
製，商品名：スミテートＨＡ２０）１００重量部、ロジ
ン系粘着付与樹脂（荒川化学工業（株）製，商品名：パ
インクリスタルＫＲ−８５）１２０重量部からなる接着
剤組成物を、厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に、厚さ４０μｍの接着層になるように
ホットメルトコーターを用いて製膜塗工し、接着シート
を作製した。

【００４３】前記接着剤組成物の粘弾性スペクトルを図
５に示す。図５の通り、当該接着剤組成物の１００℃に
おける貯蔵弾性率は７．４×１０³ Ｐａ、２０℃におけ
る貯蔵弾性率は１．４×１０⁷ Ｐａであった。なお、貯
蔵弾性率の測定は、厚さ０．５ｍｍ、直径８ｍｍの円盤
状に成形した接着剤組成物を、粘弾性スぺクトロメータ
ー（レオメトリック・サイエンティフィク社製、装置名
ＡＲＥＳ）によりパラレルプレート法（測定周波数１Ｈ
ｚ）によって測定した。

【００４４】次に、この接着シートを、図２に示す半導
体基板１上の金属膜７に１００℃でシリコンロ−ルに沿
わせながら貼り付けた。その後、この温度で１分間加熱
保持し、室温まで冷却したのち、上記接着シートを３０
０ｍｍ／分の速度で引き剥がしたところ、絶縁部３上の
金属膜５，６，７のみが、接着シートと共に剥離除去さ
れ、電極部４上にバンプ接続用の金属電極パターンが形
成された。

【００４５】実施例２実施例１において、接着剤組成物として、エチレン−酢
酸ビニル共重合体（三井・デュポンポリケミカル（株）
製，商品名：ＥＶＡＦＬＥＸ４１０）１００重量部、ロ
ジン系粘着付与剤（荒川化学工業（株）製，商品名：ス
ーパーエステルＡ−７５）７０重量部からなる接着剤組
成物を用いた以外は、実施例１と同様にして、接着シー
トを作製した。

【００４６】前記接着剤組成物の粘弾性スぺクトルを実
施例１と同様にして測定したところ、１００℃における
貯蔵弾性率は８．５×１０⁵ Ｐａ、２０℃における貯蔵
弾性率は１．５×１０⁷ Ｐａであった。

【００４７】次に、この接着シートを、図２に示す半導
体基板１上の金属膜７に１００℃でシリコンロ−ルに沿
わせながら貼り付けた。その後、この温度で１分間加熱
保持し、室温まで冷却したのち、上記接着シートを引き
剥がしたところ、絶縁部３上の金属膜５，６，７が、接
着シートと共に、部分的に約５０％剥離除去され、電極
部４上にバンプ接続用の金属電極パターンが形成され
た。

【００４８】比較例１アクリル酸ブチル／アクリロニトリル／アクリル酸＝８
５／１５／１（重量比）の共重合体からなるアクリル系
ポリマー（重量平均分子量７０万、重量平均分子量（Ｍ
ｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）＝５．６）の２０％トルエ
ン溶液１００重量部に、フタル酸ジオクチル６重量部、
非イオン性界面活性剤（第一工業製薬（株）製，商品
名：ＥＰ−１２０Ａ）０．２重量部、メラミン架橋剤
（大日本インキ化学工業（株）製，商品名：スーパーベ
ツカミンＪ−８２０−６０Ｎ）０．８重量部およびポリ
イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン製；コロネー
トＬ）０．６重量部を配合した接着剤組成物（トルエン
溶液）を、厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレー
トフィルム上のシリコン処理面に塗布し、乾燥オーブン
にて１３０℃で各々３分間乾燥し、これを厚さ１３５μ
ｍのＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合体）フィルム
でラミネートすることで接着層の厚みが４５μｍの接着
シートを作製した。

【００４９】前記接着剤組成物の粘弾性スぺクトルを実
施例１と同様にして測定したところ、１００℃における
貯蔵弾性率の値は１．８×１０⁶ Ｐａ、２０℃における
貯蔵弾性率の値は２．６×１０⁶ Ｐａであった。

【００５０】このようにして作製した接着シートを実施
例１と同様の条件にて図２に示す半導体基板１上の金属
膜７に貼り付けた。室温まで冷却した後、接着シートを
引き剥がしたが、絶縁膜上の金属膜５，６，７は全く除
去されなかった。

【００５１】実施例３ＳＢＳ型ブロックゴム（スチレン−ブタジエン−スチレ
ン，シェル化学（株）製，商品名：ＴＲＫＸ６５Ｓ，ス
チレンの割合２８重量％，メルトインデックス：６ｇ／
ｍｉｎ（２００℃，５ｋｇ））７０重量部およびエポキ
シ化ＳＢＳ型ブロックゴム（ダイセル化学工業 (株）
製，商品名：エポフレンド）３０重量部をベースポリマ
ー（合計１００重量部）とし、粘着付与剤として石油系
樹脂（荒川化学工業（株）製，商品名アルコンＰ−７
０）３０重量部とロジン系樹脂（荒川化学工業（株）
製，商品名ＫＲ−８５）３０重量部および酸化防止剤
（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製，商品名イル
ガノックス＃１０１０）２重量部からなる接着剤組成物
をニーダーにて混合し、トルエンで希釈して溶液とし
た。この溶液を厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルム上に、厚さ４０μｍになるように、ロー
ルコーターにより製膜塗工した後、接着シートを作製し
た。前記接着剤組成物の２０℃における貯蔵弾性率は５
×１０⁵ Ｐａであった。

【００５２】この接着シートを、図２に示す半導体基板
１上の金属膜７に常温でラミネートロールを用いて貼り
付けた。その後、１７０℃で５分間加熱した。加熱硬化
処理した前記接着剤組成物の２０℃における貯蔵弾性率
は６×１０⁷ Ｐａであった。室温まで冷却したのち、上
記接着シートを３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたと
ころ、絶縁部３上の金属膜５，６，７のみが、接着シー
トと共に剥離除去され、電極部４上にバンプ接続用の金
属電極パターンが形成された。

【００５３】実施例４アクリル酸ブチル／アクリル酸＝９５／５（重量比）の
共重合体からなるアクリル系ポリマー（重量平均分子量
６０万、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍ
ｎ）＝１０）１００重量部、フェノール系樹脂（群栄化
学（株）製，商品名レジトップ４６０９）７０重量部、
架橋剤としてポリイソシアネート架橋剤（日本ポリウレ
タン製；コロネートＨＬ）１０重量部およびメラミン架
橋剤（大日本インキ化学工業（株）製，商品名スーパー
ベッカミンＪ−８２０）５重量部を配合した接着剤組成
物（トルエン溶液）を９０℃で厚さが６０μｍのポリプ
ロピレン／ポリエチレンのブレンドフィルムのコロナ面
に塗布した後、乾燥処理して、接着層の厚さ３０μｍの
接着シートを作製した。前記接着剤組成物の２０℃にお
ける貯蔵弾性率は５×１０⁵ Ｐａであった。

【００５４】この接着シートを、図２に示す半導体基板
１上の金属膜７に常温でラミネートロールを用いて貼り
付けた。その後、１５０℃で５分間加熱した。加熱硬化
処理した前記接着剤組成物の２０℃における貯蔵弾性率
は５×１０⁶ Ｐａであった。室温まで冷却したのち、上
記接着シートを３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたと
ころ、絶縁部３上の金属膜５，６，７のみが、接着シー
トと共に剥離除去され、電極部４上にバンプ接続用の金
属電極パターンが形成された。

【００５５】比較例２エチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポンポリケミ
カル (株）製，商品名エバフレックスＥＶ２６０，軟化
点４１℃，酢酸ビニルの割合２８重量％）１００重量
部、アルキルフェノール系樹脂（住友化学工業 (株）
製，商品名スミライトレジンＰＲ１２６０３，軟化点１
３０℃）５０重量部および酸化防止剤（フェノール系）
２重量部からなる接着剤組成物を、５０μｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルム上にホットメルトコーター
により塗工し、接着層の厚さ４０μｍの接着シートを作
製した。前記接着剤組成物の２０℃における貯蔵弾性率
は５×１０⁷ Ｐａであった。

【００５６】この接着シートを、図２に示す半導体基板
１上の金属膜７に常温でラミネートロールを用いて貼り
付けた。その後、１２０℃で５分間加熱した。貼り合わ
せ時に十分密着していないため、浮き、剥がれが部分的
に生じた。加熱硬化処理した前記接着剤組成物の２０℃
における貯蔵弾性率は５．９×１０⁷ Ｐａであった。室
温まで冷却したのち、上記接着シートを３００ｍｍ／分
の速度で引き剥がしたところ、絶縁膜上の金属膜５，
６，７は十分に除去されなかった。

【００５７】比較例３アクリル酸ブチル／アクリル酸＝９５／５（重量比）の
共重合体からなるアクリル系ポリマー（重量平均分子量
６０万、重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍ
ｎ）＝１０）１００重量部、メラミン架橋剤（大日本イ
ンキ化学工業（株）製，商品名：スーパーベツカミンＪ
−８２０）０．５重量部およびポリイソシアネート架橋
剤（日本ポリウレタン製；コロネートＬ）０．０５重量
部を配合した接着剤組成物（トルエン溶液）を、厚さが
５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗
布した後、乾燥処理し、接着層の厚さ３０μｍの接着シ
ートを作製した。前記接着剤組成物の２０℃における貯
蔵弾性率は３×１０⁵ Ｐａであった。

【００５８】この接着シートを、図２に示す半導体基板
１上の金属膜７に常温でラミネートロールを用いて貼り
付けた。その後、１００℃で５分間加熱した。加熱硬化
処理した前記接着剤組成物の２０℃における貯蔵弾性率
は４×１０⁵ Ｐａであった。室温まで冷却したのち、上
記接着シートを引き剥がしたところ、絶縁部３上の金属
膜５，６，７は全く除去されなかった。

【図面の簡単な説明】

【図１】絶縁部と電極部を有する半導体基板の断面図で
ある。

【図２】図１の絶縁部と電極部の表面に金属膜が設けら
れたもの断面図である。

【図３】図２の金属膜に金属膜剥離除去用接着シートを
貼り付ける工程である。

【図４】図３で金属膜に貼り付けた金属膜剥離除去用接
着シートを剥離除去する工程である。

【図５】実施例１の接着組成物の温度変化に伴う貯蔵弾
性率の変化を示すグラフである。

【符号の説明】

１半導体基板３絶縁部４電極部５，６，７金属膜８接着シートａ接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者市川浩樹大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者並河亮大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者寺田好夫大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者中野一郎大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者泉谷誠治大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者近藤市治愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地株式会社デンソー内 (72)発明者宮嶋健愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地株式会社デンソー内Ｆターム(参考） 4J004 AA07 AA09 AA10 AA15 AA16 AB01 AB03 AB05 AB07 CA02 CA04 CA06 CA08 CB02 FA05 FA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に形成された絶縁部と電極
部の表面に設けた金属膜に、金属膜剥離除去用接着シー
トを貼り付けた後、当該接着シートを引き剥がして絶縁
部表面の金属膜を剥離除去することにより、半導体基板
上の電極部に金属電極パターンを形成する方法におい
て、接着シートの貼り付け時と引き剥がし時における、
接着シートの接着層を構成する接着剤の貯蔵弾性率の比
（引き剥がし時／貼り付け時）を５以上となるように設
定することを特徴とする金属電極パターン形成方法。
【請求項２】接着シートの接着層を構成する接着剤
が、ホットメルト型接着剤であることを特徴とする請求
項１記載の金属電極パターン形成方法。
【請求項３】接着シートの接着層を構成する接着剤の
１００℃における貯蔵弾性率が、１×１０⁶ Ｐａ未満で
あることを特微とする請求項２記載の金属電極パターン
形成方法。
【請求項４】接着シートの接着層を構成する接着剤の
２０℃における貯蔵弾性率が、１×１０⁶ Ｐａ以上であ
ることを特微とする請求項２または３記載の金属電極パ
ターン形成方法。
【請求項５】接着シートの接着層を構成する接着剤
が、硬化型接着剤であることを特徴とする請求項１記載
の金属電極パターン形成方法。
【請求項６】接着シートの接着層を構成する接着剤の
硬化前の２０℃における貯蔵弾性率が、１×１０⁶ Ｐａ
未満であることを特微とする請求項５記載の金属電極パ
ターン形成方法。
【請求項７】接着シートの接着層を構成する接着剤の
硬化後の２０℃における貯蔵弾性率が、１×１０⁶ Ｐａ
以上であることを特微とする請求項５または６記載の金
属電極パターン形成方法。
【請求項８】半導体基板上に形成された絶縁部と電極
部の表面に設けた金属膜に貼り付けられ、引き剥がしに
より絶縁部表面の金属膜を剥離除去して、半導体基板上
の電極部に金属電極パターンを形成するために用いられ
る金属膜剥離除去用接着シートにおいて、接着シートの
貼り付け時と引き剥がし時における、接着シートの接着
層を構成する接着剤の貯蔵弾性率の比（引き剥がし時／
貼り付け時）が５以上となるように設定されていること
特徴とする金属膜剥離除去用接着シート。
【請求項９】接着シートの接着層を構成する接着剤が
ホットメルト型接着剤であることを特徴とする請求項８
記載の金属膜剥離除去用接着シート。
【請求項１０】接着シートの接着層を構成する接着剤
の１００℃における貯蔵弾性率が、１×１０⁶ Ｐａ未満
であることを特微とする請求項９記載の金属膜剥離除去
用接着シート。
【請求項１１】接着シートの接着層を構成する接着剤
の２０℃における貯蔵弾性率が、１×１０⁶ Ｐａ以上で
あることを特微とする請求項９または１０記載の金属膜
剥離除去用接着シート。
【請求項１２】接着シートの接着層を構成する接着剤
が、硬化型接着剤であることを特徴とする請求項８記載
の金属膜剥離除去用接着シート。
【請求項１３】接着シートの接着層を構成する接着剤
の硬化前の２０℃における貯蔵弾性率が、１×１０⁶ Ｐ
ａ未満であることを特微とする請求項１２記載の金属膜
剥離除去用接着シート。
【請求項１４】接着シートの接着層を構成する接着剤
の硬化後の２０℃における貯蔵弾性率が、１×１０⁶ Ｐ
ａ以上であることを特微とする請求項１２または１３記
載の金属膜剥離除去用接着シート。