JP2001339008A - Wiring board - Google Patents

Wiring board

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JP2001339008A
JP2001339008A JP2001084383A JP2001084383A JP2001339008A JP 2001339008 A JP2001339008 A JP 2001339008A JP 2001084383 A JP2001084383 A JP 2001084383A JP 2001084383 A JP2001084383 A JP 2001084383A JP 2001339008 A JP2001339008 A JP 2001339008A
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capacitor
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conductor layer
core
wiring board
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JP2001084383A
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Japanese (ja)
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Koju Ogawa
幸樹 小川
Eiji Kodera
英司 小寺
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board in which its connection terminals and the terminals of its built-in capacitor are easily connected to the terminals of electronic parts, and connection wirings connected between the connection terminals and the built-in capacitor can be reduced in inductance. SOLUTION: A wiring board 100 is equipped with a first and second solid conductor layers 126 and 127 between a first and second connection terminals 134a and 134b and the first and second potential-side surface terminals 115a and 115b, and the solid conductor layers 126 and 127 are each connected with a first and second primary surface-side via conductors 132a and 132b and a first and second capacitor-side via conductors 130 and 131.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、チップコンデンサ
を内蔵する配線基板に関する。
The present invention relates to a wiring board having a built-in chip capacitor.

【0002】[0002]

【従来の技術】集積回路技術の進歩によりますますIC
チップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源
配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこと
がある。そこでノイズ除去のため、例えば図14に示す
ように、ICチップ1を搭載する配線基板2の主面2A
あるいは裏面2Bに、別途、チップコンデンサ3を搭載
し、コンデンサ3の2つの電極とそれぞれ接続するコン
デンサ接続配線4を配線基板2の内部に設ける。これに
より、コンデンサ接続配線4及びフリップチップパッド
5を経由してチップコンデンサ3をICチップ1に接続
することが行われている。
2. Description of the Related Art Advances in integrated circuit technology are increasing ICs
Although the operation of the chip has been accelerated, noise may be superimposed on power supply wiring and the like, which may cause a malfunction. Therefore, in order to remove noise, for example, as shown in FIG. 14, the main surface 2A of the wiring board 2 on which the IC chip 1 is mounted.
Alternatively, a chip capacitor 3 is separately mounted on the back surface 2 </ b> B, and capacitor connection wirings 4 respectively connected to two electrodes of the capacitor 3 are provided inside the wiring board 2. Thus, the chip capacitor 3 is connected to the IC chip 1 via the capacitor connection wiring 4 and the flip chip pad 5.

【0003】一方、積層セラミックタイプのチップコン
デンサとしては、図15(a)に示すチップコンデンサ
6のように、コンデンサ本体7の対向する2つの側面7
a,7bに形成した側面端子8a,8bにより、それぞ
れの内部電極9a,9bを取り出すものが知られてい
る。また、近時では、図15(b)に示すコンデンサ1
0のように、コンデンサ本体11の4つの側面11a,
11b,11c,11dにそれぞれ側面端子12a〜1
2jを形成し、図15(c)に示すようにして、内部電
極13a,13bと接続させたものも提案されている。
なお、側面11b,11dには側面端子が形成されない
ものもある。
On the other hand, as a chip capacitor of a multilayer ceramic type, as shown in a chip capacitor 6 shown in FIG.
It is known that side electrodes 8a and 8b formed on a and 7b take out internal electrodes 9a and 9b, respectively. Recently, the capacitor 1 shown in FIG.
0, four side surfaces 11a,
11b, 11c, and 11d have side terminals 12a to 1 respectively.
There has also been proposed one in which 2j is formed and connected to the internal electrodes 13a and 13b as shown in FIG.
In some cases, the side surface terminals are not formed on the side surfaces 11b and 11d.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ようにチップコンデンサ3を配線基板2に搭載する場合
には、配線基板2の主面2Aや裏面2Bにチップコンデ
ンサ3を搭載する領域を予め確保しておく必要があり、
他の電子部品の搭載や配線基板の補強のための補強部材
の固着の自由度を低下させる。さらに、他の配線等に制
限されて、ICチップ1とチップコンデンサ3とを結ぶ
コンデンサ接続配線4の長さが長くなり、また細くなり
やすいため、コンデンサ接続配線4自身の持つ抵抗やイ
ンダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低インダク
タンスの要請に十分に応えられない。
However, when the chip capacitor 3 is mounted on the wiring board 2 as described above, an area for mounting the chip capacitor 3 on the main surface 2A or the rear surface 2B of the wiring board 2 is secured in advance. Need to be
The degree of freedom of mounting a reinforcing member for mounting another electronic component or reinforcing a wiring board is reduced. Further, the length of the capacitor connection wiring 4 connecting the IC chip 1 and the chip capacitor 3 is increased by being limited to other wirings and the like, and the resistance and inductance of the capacitor connection wiring 4 itself are large because they are easily thinned. It is difficult to meet the demand for low resistance and low inductance.

【0005】そこで、配線基板内にチップコンデンサを
内蔵させることが考えられる。その際、コンデンサの端
子(例えば側面端子8a,8b,11a〜11j)の数
や間隔と、主面に形成する接続端子(例えばフリップチ
ップパッド5)のうちコンデンサの各端子と接続するも
の(すなわち電源電位や接地電位とするもの)の数や間
隔は、通常は一致しないため、両者を接続するためのコ
ンデンサ接続配線の引き回しが複雑になりやすい。
Therefore, it is conceivable to incorporate a chip capacitor in the wiring board. At this time, the number and interval of the terminals of the capacitor (for example, the side terminals 8a, 8b, 11a to 11j), and the connection terminals (for example, the flip chip pads 5) formed on the main surface which are connected to each terminal of the capacitor (that is, the flip chip pads 5) Since the numbers and intervals of the power supply potential and the ground potential do not usually coincide with each other, the layout of the capacitor connection wiring for connecting them is likely to be complicated.

【0006】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、ICチップ等の電子部品の端子と接続す
る接続端子と、内蔵するコンデンサの各端子との間の接
続を容易にした配線基板を提供することを目的とする。
さらには、接続端子とコンデンサとの間の接続配線に生
じるインダクタンスを低減した配線基板を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in view of such a problem, and has facilitated connection between a connection terminal connected to a terminal of an electronic component such as an IC chip and each terminal of a built-in capacitor. An object is to provide a wiring board.
Still another object of the present invention is to provide a wiring board in which inductance generated in connection wiring between a connection terminal and a capacitor is reduced.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、主面と裏面とを有する配線基板であって、上記
主面側に形成され、この主面上に搭載する電子部品の端
子と接続可能な複数の接続端子であって、共通第1電位
とされる多数の第1接続端子、及び共通第2電位とされ
る多数の第2接続端子を含む接続端子と、上記配線基板
に内蔵され、一方の電極が共通第1電位に、他方の電極
が共通第2電位にそれぞれ接続され、上記一方の電極に
接続する少なくとも1つの第1コンデンサ端子、及び上
記他方の電極に接続する少なくとも1つの第2コンデン
サ端子、を有する少なくとも1つのチップコンデンサ
と、上記チップコンデンサと上記接続端子との間に介在
し平面方向に拡がる第2変換導体層と、上記第2変換導
体層と上記チップコンデンサとの間に介在し平面方向に
拡がる第1変換導体層と、上記第1接続端子からそれぞ
れ上記配線基板の厚さ方向裏面側に向かって延び、上記
第2変換導体層とはそれぞれ絶縁しつつ、上記第1変換
導体層とそれぞれ電気的に接続する第1主面側接続配線
と、上記第2接続端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ
方向裏面側に向かって延び、上記第2変換導体層とそれ
ぞれ電気的に接続する第2主面側接続配線と、上記第1
コンデンサ端子から上記配線基板の厚さ方向主面側に向
かって延び、上記第1変換導体層に接続する第1コンデ
ンサ側接続配線と、上記第2コンデンサ端子から上記配
線基板の厚さ方向主面側に向かって延び、上記第1変換
導体層とは絶縁しつつ、上記第2変換導体層に接続する
第2コンデンサ側接続配線と、を備える配線基板であ
る。
A means for solving the problem is a wiring board having a main surface and a back surface, which is formed on the main surface side and has terminals for electronic components mounted on the main surface. A plurality of connection terminals connectable to the wiring board, the plurality of connection terminals including a plurality of first connection terminals having a common first potential, and a plurality of second connection terminals having a common second potential. One electrode is connected to a common first potential, the other electrode is connected to a common second potential, respectively, at least one first capacitor terminal connected to the one electrode, and at least one connected to the other electrode. At least one chip capacitor having one second capacitor terminal, a second conversion conductor layer interposed between the chip capacitor and the connection terminal, and extending in a plane direction, the second conversion conductor layer and the chip capacitor. A first conversion conductor layer interposed between the second conversion conductor layer and the first conversion terminal and extending from the first connection terminal toward the back side in the thickness direction of the wiring board; A first main surface side connection wiring electrically connected to the first conversion conductor layer, and a second conversion conductor extending from the second connection terminal toward a back surface in the thickness direction of the wiring board. A second main surface side connection wiring electrically connected to each of the layers,
A first capacitor-side connection wire extending from the capacitor terminal toward the main surface in the thickness direction of the wiring board and connected to the first conversion conductor layer; and a main surface in the thickness direction of the wiring substrate from the second capacitor terminal. And a second capacitor-side connection wiring connected to the second conversion conductor layer while being insulated from the first conversion conductor layer.

【0008】本発明の配線基板は、第1,第2接続端子
とチップコンデンサとの間に平面方向に拡がる第1,第
2変換導体層を有し、この第1,第2変換導体層と第
1,第2接続端子とは、第1,第2主面側接続配線で接
続されている。また、第1,第2変換導体層と第1,第
2コンデンサ端子とは、第1,第2コンデンサ側接続配
線で接続されている。つまり、平面方向に拡がる第1,
第2変換導体層の存在によって、第1,第2主面側接続
配線と第1,第2コンデンサ側接続配線との位置関係の
規制が無くなり、互いの位置を容易に変換することがで
きる。例えば、第1主面側接続配線は共通する第1変換
導体層に接続していれば、第1コンデンサ側接続配線が
第1変換導体層と接続している位置に拘わらず、第1コ
ンデンサ側接続配線と接続することができ、結果とし
て、第1接続端子とチップコンデンサの第1コンデンサ
端子とを容易に接続することができる。第2変換導体層
についても同様である。また、第1,第2主面側接続配
線や第1,第2コンデンサ側接続配線の形成位置の選択
や引き回しが容易になり、より短い経路で第1接続端子
と第1コンデンサ端子とを接続し、第2接続端子と第2
コンデンサ端子とを接続することができ、これらの経路
で発生するインダクタンスを抑制することができる。さ
らに、平面方向に拡がる第1,第2変換導体層の存在に
よって、これらがない場合に比して、上述の経路におい
て発生する抵抗をも下げることが可能となる。
The wiring board of the present invention has first and second conversion conductor layers extending in a plane direction between the first and second connection terminals and the chip capacitor. The first and second connection terminals are connected by first and second main surface side connection wirings. Further, the first and second conversion conductor layers and the first and second capacitor terminals are connected by first and second capacitor-side connection wires. That is, the first and the first spreading in the plane direction
Due to the presence of the second conversion conductor layer, there is no restriction on the positional relationship between the first and second main surface side connection wirings and the first and second capacitor side connection wirings, and the mutual positions can be easily converted. For example, if the first main surface side connection wiring is connected to the common first conversion conductor layer, regardless of the position where the first capacitor side connection wiring is connected to the first conversion conductor layer, the first capacitor side connection wiring is connected. The connection can be made with the connection wiring, and as a result, the first connection terminal and the first capacitor terminal of the chip capacitor can be easily connected. The same applies to the second conversion conductor layer. Further, it is easy to select and route the formation positions of the first and second main surface side connection wirings and the first and second capacitor side connection wirings, and connect the first connection terminal and the first capacitor terminal with a shorter path. And the second connection terminal and the second
Capacitor terminals can be connected, and inductance generated in these paths can be suppressed. Furthermore, the presence of the first and second conversion conductor layers extending in the plane direction also makes it possible to reduce the resistance generated in the above-described path as compared with a case without these.

【0009】なお、第1,第2主面側接続配線や第1,
第2コンデンサ側接続配線は、経路を短くするため、各
絶縁層に形成したビア導体を同軸状に積み重ねて形成し
たスタックドビアや、複数の絶縁層にわたって挿通され
たベリードビアの形態とするのが好ましいが、各絶縁層
に形成したビアを中心をずらしつつ重ねるスタッガード
ビアの形態でも良いし、途中に平面方向へ延びる配線層
が介在する形態としても良い。また、チップコンデンサ
の第1,第2コンデンサ端子は、第1,第2コンデンサ
側接続配線と接続可能であれば良く、例えば、チップコ
ンデンサの主面側の面あるいは側面に形成されているも
のが挙げられる。
The first and second main surface side connection wirings and the
The second capacitor-side connection wiring is preferably in the form of a stacked via formed by coaxially stacking via conductors formed in each insulating layer or a buried via inserted through a plurality of insulating layers in order to shorten the path. Alternatively, a staggered via in which vias formed in the respective insulating layers are overlapped while being shifted from each other may be formed, or a wiring layer extending in the plane direction may be interposed in the middle. Further, the first and second capacitor terminals of the chip capacitor need only be connectable to the first and second capacitor side connection wiring, and for example, those formed on the main surface or side surface of the chip capacitor may be used. No.

【0010】また、チップコンデンサとしては、配線基
板内に内蔵できるものであればいずれのものでも良い
が、例えば、積層セラミックタイプや、電解コンデンサ
タイプ、フィルムコンデンサタイプのものなどが挙げら
れる。特に、積層セラミックタイプのチップコンデンサ
は、周波数特性も良好である点、また、内蔵させた後の
配線基板の製造工程内で熱が掛かるなどしても特性が比
較的安定で、配線基板の製造が容易になり歩留まりが向
上する点で好ましい。
The chip capacitor may be any one as long as it can be built in a wiring board, and examples thereof include a multilayer ceramic type, an electrolytic capacitor type, and a film capacitor type. In particular, multilayer ceramic type chip capacitors have good frequency characteristics, and their characteristics are relatively stable even if heat is applied during the manufacturing process of the wiring board after they are built in. This is preferable in that the yield is improved and the yield is improved.

【0011】さらに、配線基板としては、チップコンデ
ンサを内蔵できるものであればいずれでも良いが、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、BT樹脂、PPE樹脂など
の樹脂や、これらの樹脂とガラス繊維やポリエステル繊
維などの繊維との複合材料、三次元網目構造のフッ素樹
脂にエポキシ樹脂などを含浸させた樹脂複合材料を用い
たもの、さらに、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウ
ム、ガラスセラミックなどのセラミック基板とこれらの
樹脂や複合材料とを組み合わせたものなどが挙げられ
る。また、チップコンデンサを内蔵する、配線基板内に
他種類のチップ状電子部品を内蔵させることもきる。こ
のようなチップ状電子部品としては、チップ抵抗、チッ
プインダクタ、チップフィルタなどのチップ状受動部品
や、トランジスタ、ローノイズアンプ、アクティブフィ
ルタ、ICチップ、メモリ素子、FETなどのチップ状
能動素子、SAWフィルタ、LCフィルタ、アンテナス
イッチモジュール、カプラ、ダイプレクサや、これらを
組み合わせたものなどが挙げられる。
Further, any wiring board can be used as long as it can incorporate a chip capacitor. Examples of the wiring board include resins such as epoxy resin, polyimide resin, BT resin and PPE resin, and these resins and glass fiber or polyester fiber. A composite material with fibers, a resin composite material obtained by impregnating a fluororesin with a three-dimensional network structure with an epoxy resin, etc., and a ceramic substrate such as alumina, mullite, aluminum nitride, glass ceramic, and these resins. A combination of a composite material and the like can be given. In addition, other types of chip-shaped electronic components can be built in a wiring board, which has a built-in chip capacitor. Such chip-shaped electronic components include chip-shaped passive components such as chip resistors, chip inductors, and chip filters, chip-shaped active devices such as transistors, low-noise amplifiers, active filters, IC chips, memory devices, and FETs, and SAW filters. , An LC filter, an antenna switch module, a coupler, a diplexer, and a combination thereof.

【0012】さらに、上記配線基板であって、コア主面
とコア裏面とを有し、1または複数のコア絶縁層からな
るコア基板本体を含み、前記チップコンデンサを内蔵す
るコア基板を備える配線基板とすると良い。
Further, the wiring board has a core main surface and a core back surface, includes a core substrate body including one or a plurality of core insulating layers, and includes a core substrate including the chip capacitor. It is good to

【0013】本発明の配線基板では、コア基板にチップ
コンデンサを内蔵しているので、第1,第2変換導体層
や第1,第2コンデンサ側接続配線、第1,第2主面側
接続配線などまた各絶縁層を、ビルドアップ配線基板の
製造手法などにより容易、安価に配線基板を形成するこ
とができる。
In the wiring board of the present invention, since the chip capacitor is built in the core board, the first and second conversion conductor layers, the first and second capacitor side connection wiring, and the first and second main surface side connection are provided. The wiring board can be easily and inexpensively formed from the wiring and the respective insulating layers by a method of manufacturing a build-up wiring board.

【0014】さらに、他の解決手段は、 主面と裏面と
を有する配線基板であって、上記主面側に形成され、こ
の主面上に搭載する電子部品の端子と接続可能な複数の
接続端子であって、共通第1電位とされる多数の第1接
続端子、及び共通第2電位とされる多数の第2接続端子
を含む接続端子と、コア主面とコア裏面とを有し、1ま
たは複数のコア絶縁層からなるコア基板本体、及び、上
記コア基板本体に内蔵され、一方の電極が共通第1電位
に、他方の電極が共通第2電位にそれぞれ接続され、上
記一方の電極に接続する複数の第1コンデンサ端子、及
び上記他方の電極に接続する複数の第2コンデンサ端子
を有する複数のチップコンデンサを含むコア基板と、上
記コア基板のコア主面と上記接続端子との間に介在し平
面方向に拡がる第2変換導体層と、上記第2変換導体層
と上記コア基板のコア主面との間に位置し平面方向に拡
がる第1変換導体層と、上記第1接続端子からそれぞれ
上記配線基板の厚さ方向裏面側に向かって延び、上記第
2変換導体層とはそれぞれ絶縁しつつ、上記第1変換導
体層とそれぞれ電気的に接続する第1主面側ビア導体
と、上記第2接続端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ
方向裏面側に向かって延び、上記第2変換導体層とそれ
ぞれ電気的に接続する第2主面側ビア導体と、上記チッ
プコンデンサの第1コンデンサ端子からそれぞれ上記配
線基板の厚さ方向主面側に向かって延び、上記第1変換
導体層に接続する第1コンデンサ側ビア導体と、上記チ
ップコンデンサの第2コンデンサ端子からそれぞれ上記
配線基板の厚さ方向主面側に向かって延び、上記第1変
換導体層とはそれぞれ絶縁しつつ、上記第2変換導体層
に接続する第2コンデンサ側ビア導体と、を備える配線
基板である。
Still another solution is a wiring board having a main surface and a back surface, the plurality of connections being formed on the main surface side and being connectable to terminals of electronic components mounted on the main surface. A connection terminal including a plurality of first connection terminals having a common first potential and a plurality of second connection terminals having a common second potential, a core main surface and a core back surface, A core substrate body including one or a plurality of core insulating layers, and a built-in core substrate body, one electrode connected to a common first potential and the other electrode connected to a common second potential, and the one electrode A core substrate including a plurality of chip capacitors having a plurality of first capacitor terminals connected to the second electrode terminal and a plurality of second capacitor terminals connected to the other electrode; and between a core main surface of the core substrate and the connection terminals. Second intervening in the plane direction A conversion conductor layer, a first conversion conductor layer located between the second conversion conductor layer and the core main surface of the core substrate and extending in a plane direction, and a thickness direction of the wiring board from the first connection terminal. A first main surface side via conductor that extends toward the back surface and is electrically connected to the first conversion conductor layer while being insulated from the second conversion conductor layer; A second main surface side via conductor extending toward the rear surface side in the thickness direction of the wiring substrate and electrically connected to the second conversion conductor layer; and a thickness of the wiring substrate from a first capacitor terminal of the chip capacitor. A first capacitor-side via conductor extending toward the main surface in the thickness direction and connected to the first conversion conductor layer, and a second capacitor terminal of the chip capacitor toward the main surface in the thickness direction of the wiring board. Delay While insulating each from the first conversion conductor layer, a wiring substrate including a second capacitor side via conductor connected to the second conversion conductor layer.

【0015】本発明の配線基板は、第1,第2接続端子
とチップコンデンサを内蔵するコア基板との間に平面方
向に拡がる第1,第2変換導体層を有し、第1,第2変
換導体層と第1,第2接続端子とは、第1,第2主面側
ビア導体で接続されている。また、第1,第2変換導体
層と第1,第2コンデンサ端子とは、第1,第2コンデ
ンサ側ビア導体で接続されている。つまり、平面方向に
拡がる第1,第2変換導体層の存在によって、第1,第
2主面側ビア導体と第1,第2コンデンサ側ビア導体と
の位置関係の規制が無くなり、互いの位置を容易に変換
することができる。例えば、第1主面側ビア導体は共通
する第1変換導体層に接続していれば、第1コンデンサ
側ビア導体が第1変換導体層と接続している位置に拘わ
らず、第1コンデンサ側ビア導体と接続することがで
き、結果として、第1接続端子とチップコンデンサの第
1コンデンサ端子とを容易に接続することができる。第
2変換導体層についても同様である。また、第1,第2
主面側ビア導体や第1,第2コンデンサ側ビア導体の形
成位置の選択や引き回しが容易になり、より短い経路で
第1接続端子と第1コンデンサ端子とを接続し、第2接
続端子と第2コンデンサ端子とを接続することができ、
これらの経路で発生するインダクタンスや抵抗を抑制す
ることができる。しかも、チップコンデンサがコア基板
に内蔵されているので、第1,第2変換導体層や第1,
第2コンデンサ側ビア導体、第1,第2主面側ビア導体
などを、また各絶縁層を、ビルドアップ配線基板の製造
手法などにより容易、安価に配線基板を形成することが
できる。
A wiring board according to the present invention has first and second conversion conductor layers extending in a plane direction between first and second connection terminals and a core board containing a chip capacitor. The conversion conductor layer and the first and second connection terminals are connected by first and second main surface side via conductors. Further, the first and second conversion conductor layers and the first and second capacitor terminals are connected by first and second capacitor-side via conductors. In other words, the presence of the first and second conversion conductor layers extending in the plane direction eliminates the restriction on the positional relationship between the first and second main surface side via conductors and the first and second capacitor side via conductors, and the mutual positional relationship is eliminated. Can be easily converted. For example, if the first main surface side via conductor is connected to the common first conversion conductor layer, regardless of the position where the first capacitor side via conductor is connected to the first conversion conductor layer, the first capacitor side via conductor is connected to the first capacitor side via conductor. The connection can be made with the via conductor, and as a result, the first connection terminal and the first capacitor terminal of the chip capacitor can be easily connected. The same applies to the second conversion conductor layer. In addition, the first and second
It is easy to select and route the formation positions of the main surface side via conductor and the first and second capacitor side via conductors, connect the first connection terminal and the first capacitor terminal via a shorter path, and connect the second connection terminal to the first connection terminal. Can be connected to the second capacitor terminal,
Inductance and resistance generated in these paths can be suppressed. In addition, since the chip capacitor is built in the core substrate, the first and second conversion conductor layers and
A wiring substrate can be easily and inexpensively formed with the second capacitor side via conductor, the first and second main surface side via conductors, and the respective insulating layers by a method of manufacturing a build-up wiring substrate.

【0016】なお、第1,第2主面側ビア導体や第1,
第2コンデンサ側ビア導体は、経路を短くするため、ス
タックドビアやスルービアの形態とするのが好ましい
が、スタッガードビアの形態でも良い。
The first and second main surface side via conductors and the first and second main surface side via conductors
The second capacitor-side via conductor is preferably in the form of a stacked via or a through via in order to shorten the path, but may be in the form of a staggered via.

【0017】さらに他の解決手段は、主面と裏面とを有
する配線基板であって、上記主面側に形成され、この主
面上に搭載する電子部品の端子と接続可能な複数の接続
端子であって、共通第1電位とされる多数の第1接続端
子、及び共通第2電位とされる多数の第2接続端子を含
む接続端子と、コア主面とコア裏面とを有し、1または
複数のコア絶縁層からなるコア基板本体、及び、上記コ
ア基板本体に内蔵され、一方の電極が共通第1電位に、
他方の電極が共通第2電位にそれぞれ接続され、上記一
方の電極に接続する複数の第1コンデンサ端子、及び上
記他方の電極に接続する複数の第2コンデンサ端子を有
する少なくとも1つのチップコンデンサを含むコア基板
と、上記コア主面上に位置し第1コンデンサ端子と接続
し平面方向に拡がる第1変換導体層と、上記コア基板の
コア主面と上記接続端子との間に介在し平面方向に拡が
る第2変換導体層と、上記第1接続端子からそれぞれ上
記配線基板の厚さ方向裏面側に向かって延び、上記第2
変換導体層とはそれぞれ絶縁しつつ、上記第1変換導体
層とそれぞれ電気的に接続する第1主面側ビア導体と、
上記第2接続端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ方向
裏面側に向かって延び、上記第2変換導体層とそれぞれ
電気的に接続する第2主面側ビア導体と、上記チップコ
ンデンサの第2コンデンサ端子からそれぞれ上記配線基
板の厚さ方向主面側に向かって延び、上記第1変換導体
層とはそれぞれ絶縁しつつ、上記第2変換導体層に接続
する第2コンデンサ側ビア導体と、を備える配線基板で
ある。
Still another solution is a wiring board having a main surface and a back surface, wherein a plurality of connection terminals are formed on the main surface side and connectable to terminals of electronic components mounted on the main surface. A connection terminal including a plurality of first connection terminals having a common first potential and a plurality of second connection terminals having a common second potential; a core main surface and a core back surface; Or, a core substrate main body composed of a plurality of core insulating layers, and one of the electrodes embedded in the core substrate main body and having a common first potential,
The other electrode is connected to the common second potential, and includes at least one chip capacitor having a plurality of first capacitor terminals connected to the one electrode and a plurality of second capacitor terminals connected to the other electrode. A core substrate, a first conversion conductor layer located on the core main surface, connected to the first capacitor terminal, and extending in the plane direction; interposed between the core main surface of the core substrate and the connection terminal in the plane direction; A second conversion conductor layer extending from the first connection terminal and extending from the first connection terminal toward a back surface in a thickness direction of the wiring board;
A first main surface side via conductor electrically insulated from the conversion conductor layer and electrically connected to the first conversion conductor layer, respectively;
A second main surface side via conductor extending from the second connection terminal toward the back surface side in the thickness direction of the wiring board and electrically connected to the second conversion conductor layer, respectively; and a second capacitor of the chip capacitor A second capacitor-side via conductor that extends from the terminal toward the main surface in the thickness direction of the wiring board and that is insulated from the first conversion conductor layer and connected to the second conversion conductor layer. It is a wiring board.

【0018】本発明の配線基板は、チップコンデンサを
内蔵するコア基板のコア主面に平面方向に拡がる第1変
換導体層が位置し、接続端子とコア主面との間に平面方
向に拡がる第2変換導体層を有する。また、第1,第2
変換導体層と第1,第2接続端子とは、第1,第2主面
側ビア導体で接続されている。さらに、第1変換導体層
と第1コンデンサ端子とが接続しているほか、第2変換
導体層と第2コンデンサ端子とは、第2コンデンサ側ビ
ア導体で接続されている。従って、平面方向に拡がる第
1,第2変換導体層の存在によって、第1,第2主面側
ビア導体と第1コンデンサ端子及び第2コンデンサ側ビ
ア導体との位置関係の規制が無くなり、互いの位置を容
易に変換することができる。例えば、第1主面側ビア導
体は共通する第1変換導体層に接続していれば、第1コ
ンデンサ端子が第1変換導体層と接続している位置に拘
わらず、第1コンデンサ端子と接続することができ、結
果として、第1接続端子とチップコンデンサの第1コン
デンサ端子とを容易に接続することができる。また、第
2主面側ビア導体は共通する第2変換導体層に接続して
いれば、第2コンデンサ側ビア導体が第2変換導体層と
接続している位置に拘わらず、第2コンデンサ側ビア導
体と接続することができ、結果として、第2接続端子と
第2コンデンサ端子とを容易に接続することができる。
In the wiring board of the present invention, the first conversion conductor layer extending in the plane direction is located on the core main surface of the core substrate containing the chip capacitor, and the first conversion conductor layer extending in the plane direction between the connection terminal and the core main surface. It has two conversion conductor layers. In addition, the first and second
The conversion conductor layer and the first and second connection terminals are connected by first and second main surface side via conductors. Further, in addition to the connection between the first conversion conductor layer and the first capacitor terminal, the second conversion conductor layer and the second capacitor terminal are connected via a second capacitor-side via conductor. Therefore, the presence of the first and second conversion conductor layers extending in the plane direction eliminates the restriction on the positional relationship between the first and second main surface side via conductors, the first capacitor terminal, and the second capacitor side via conductor. Can be easily converted. For example, if the first main surface side via conductor is connected to the common first conversion conductor layer, it is connected to the first capacitor terminal regardless of the position where the first capacitor terminal is connected to the first conversion conductor layer. As a result, the first connection terminal and the first capacitor terminal of the chip capacitor can be easily connected. Further, if the second principal surface side via conductor is connected to the common second conversion conductor layer, the second capacitor side via conductor is connected to the second capacitor side regardless of the position where the second capacitor side via conductor is connected to the second conversion conductor layer. The connection can be made with the via conductor, and as a result, the second connection terminal and the second capacitor terminal can be easily connected.

【0019】また、第1,第2主面側ビア導体や第2コ
ンデンサ側ビア導体の形成位置の選択や引き回しが容易
になり、より短い経路で第1接続端子と第1コンデンサ
端子とを接続し、第2接続端子と第2コンデンサ端子と
を接続することができ、これらの経路で発生するインダ
クタンスや抵抗を抑制することができる。しかも、チッ
プコンデンサがコア基板に内蔵されているので、第1,
第2変換導体層や第2コンデンサ側ビア導体、第1,第
2主面側ビア導体などを、また各絶縁層を、ビルドアッ
プ配線基板の製造手法などにより容易、安価に配線基板
を形成することができる。また、第1変換導体層がコア
基板のコア主面上に形成されているので、チップコンデ
ンサの第1コンデンサ端子と第1変換導体層との接続経
路を最も短くすることができる。 特に、一般的な場合
である、第1接続端子の数がチップコンデンサの第1コ
ンデンサ端子の数よりも多い場合には、経路中に発生す
るインダクタンスを特に抑制することができる。
Further, it is easy to select and route the formation positions of the first and second main surface side via conductors and the second capacitor side via conductor, and connect the first connection terminal and the first capacitor terminal with a shorter path. In addition, the second connection terminal and the second capacitor terminal can be connected, and the inductance and resistance generated in these paths can be suppressed. In addition, since the chip capacitor is built into the core substrate,
The second conversion conductor layer, the second capacitor-side via conductor, the first and second principal-surface side via conductors, and the respective insulating layers are easily and inexpensively formed by a method of manufacturing a build-up wiring board. be able to. Further, since the first conversion conductor layer is formed on the core main surface of the core substrate, the connection path between the first capacitor terminal of the chip capacitor and the first conversion conductor layer can be minimized. In particular, when the number of the first connection terminals is larger than the number of the first capacitor terminals of the chip capacitor, which is a general case, the inductance generated in the path can be particularly suppressed.

【0020】なお、第1,第2主面側ビア導体や第2コ
ンデンサ側ビア導体は、経路を短くするため、スタック
ドビアやスルービアの形態とするのが好ましいが、スタ
ッガードビアの形態でも良い。
The first and second main surface side via conductors and the second capacitor side via conductor are preferably in the form of stacked vias or through vias in order to shorten the path, but may be in the form of staggered vias.

【0021】さらに、上記配線基板であって、前記接続
端子と前記コア基板の前記コア主面との間に、少なくと
も1つの絶縁層を備え、前記第2変換導体層は、前記コ
ア主面に接する上記絶縁層の前記主面側面上に形成され
てなる配線基板とすると良い。
Further, in the above wiring board, further comprising at least one insulating layer between the connection terminal and the core main surface of the core substrate, wherein the second conversion conductor layer is provided on the core main surface. The wiring board may be formed on the side surface of the main surface of the insulating layer in contact with the wiring board.

【0022】この配線基板では、コア主面に第1変換導
体層を備え、さらに、コア主面に接する絶縁層の主面側
つまり接続端子側の面上に第2変換導体層を備える。従
って、第1変換導体層のみならず、第2変換導体層も最
もコア基板、従って、最もチップコンデンサに近い位置
に配置されていることになる。このため、チップコンデ
ンサの第2コンデンサ端子と第2変換導体層との接続経
路をも最も短くすることができる。特に、一般的な場合
である、第2接続端子の数がチップコンデンサの第2コ
ンデンサ端子の数よりも多い場合には、これらの間の経
路についても発生するインダクタンスを特に抑制するこ
とができる。
In this wiring board, the first conversion conductor layer is provided on the core main surface, and the second conversion conductor layer is provided on the main surface side of the insulating layer in contact with the core main surface, that is, on the connection terminal side. Therefore, not only the first conversion conductor layer, but also the second conversion conductor layer is arranged at a position closest to the core substrate, and thus closest to the chip capacitor. Therefore, the connection path between the second capacitor terminal of the chip capacitor and the second conversion conductor layer can be minimized. In particular, when the number of the second connection terminals is larger than the number of the second capacitor terminals of the chip capacitor, which is a general case, it is possible to particularly suppress the inductance generated in the path between them.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】(実施形態1)本発明の第1の実
施形態を、図1〜図5を参照しつつ説明する。図1に示
す配線基板100は、チップコンデンサ113を多数内
蔵したコア基板110と、その主面110A上方及び裏
面110B下方にそれぞれ積層されたエポキシ樹脂から
なる樹脂絶縁層121〜125、141〜145とを有
する。配線基板100の主面100Aの中央部には、バ
ンプ(接続端子)134が多数形成され、破線で示すI
CチップCHの下面CHAに多数形成された端子CHT
とそれぞれフリップチップ接続可能とされている。ま
た、図中裏面100Bの略全面にはパッド154が多数
形成され、破線で示すマザーボードなどの他の配線基板
WBに多数形成された接続端子WBTと図示しないハン
ダボールなどによりそれぞれ接続可能とされている。
(Embodiment 1) A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The wiring substrate 100 shown in FIG. 1 includes a core substrate 110 having a large number of chip capacitors 113 built therein, and resin insulating layers 121 to 125 and 141 to 145 made of epoxy resin laminated above the main surface 110A and below the rear surface 110B, respectively. Having. A large number of bumps (connection terminals) 134 are formed at the center of the main surface 100A of the wiring board 100, and I
Many terminals CHT formed on the lower surface CHA of the C chip CH
And each can be flip-chip connected. A large number of pads 154 are formed on substantially the entire back surface 100B in the drawing, and can be connected to a large number of connection terminals WBT formed on another wiring substrate WB such as a motherboard indicated by a broken line by solder balls (not shown). I have.

【0024】コア基板110は、図5にも示すように、
31mm×31mmの矩形板状で、厚さ1.0mmのガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料からなるコア基板本体11
1を有している。その主面111A(110A)と下面
111B(110B)との間には、これを貫通する大き
な(7.5×8.0mm)略矩形状のコンデンサ用貫通
孔111CH、及びその周囲に形成された多数のスルー
ホール用貫通孔111Hとが穿孔されている。このコン
デンサ用貫通孔111CH内には、上述したように、本
体部が略直方体状(3.2mm×1.6mm×0.8m
m)のチップコンデンサ113が多数(本実施形態では
8ヶ=4×2)内蔵され、エポキシ樹脂からなる絶縁樹
脂体116で互いに、またコンデンサ用貫通孔111C
Hに固着している。このため、個々のチップコンデンサ
113同士は、コンデンサ用貫通孔111CH内では、
絶縁樹脂体116で互いに絶縁された状態となってい
る。一方、スルーホール用貫通孔111H内には、公知
のスルーホール導体112が形成されている。
The core substrate 110 is, as shown in FIG.
Core substrate body 11 made of a glass-epoxy resin composite material having a rectangular plate shape of 31 mm × 31 mm and a thickness of 1.0 mm
One. Between the main surface 111A (110A) and the lower surface 111B (110B), a large (7.5 × 8.0 mm) substantially rectangular through hole 111CH for the capacitor penetrating the main surface 111A (110A) and the lower surface 111B (110B) are formed. A large number of through holes 111H are formed. As described above, the main body portion has a substantially rectangular parallelepiped shape (3.2 mm × 1.6 mm × 0.8 m) in the capacitor through-hole 111CH.
m) (in this embodiment, 8 = 4 × 2) chip capacitors 113 are built in, and the insulating resin bodies 116 made of epoxy resin are used to connect each other and the capacitor through-holes 111C.
H. For this reason, the individual chip capacitors 113 are connected to each other in the capacitor through-hole 111CH.
They are insulated from each other by the insulating resin body 116. On the other hand, a well-known through-hole conductor 112 is formed in the through-hole 111H.

【0025】バンプ134のうち、一部は樹脂絶縁層1
24と125との間、あるいは樹脂絶縁層123と12
4との間に形成された配線層128,129によって、
それぞれ周縁側(図1中、右または左方向)にファンア
ウトし、ビア導体133、スルーホール導体112、ビ
ア導体153を通じて裏面100Bに形成されたパッド
154に接続している。これらは、例えば、信号用配線
として使用される。
Some of the bumps 134 are made of the resin insulating layer 1.
24 and 125 or the resin insulating layers 123 and 12
4 by the wiring layers 128 and 129 formed between them.
Each fan-out is on the peripheral side (in the right or left direction in FIG. 1), and is connected to the pad 154 formed on the back surface 100B through the via conductor 133, the through-hole conductor 112, and the via conductor 153. These are used, for example, as signal wiring.

【0026】バンプ134のうち、残りは樹脂絶縁層1
25〜122あるいは125〜123をそれぞれ貫通す
るビア導体132によって、樹脂絶縁層121と122
との間、あるいは樹脂絶縁層122と123との間に形
成された略平板状のベタ導体層(変換導体層)126,
127に接続する。具体的には、第1バンプ(第1接続
端子)134aは、樹脂絶縁層125〜122をそれぞ
れ貫通する第1主面側ビア導体(第1主面側接続配線)
132aによって、第2ベタ導体層(第2変換導体層)
127に形成された透孔127H内を通って第2ベタ導
体層127と絶縁しつつ、樹脂絶縁層121と122と
の間に形成された第1ベタ導体層(第1変換導体層)1
26に接続する。また、第2バンプ(第2接続端子)1
34bは、樹脂絶縁層125〜123をそれぞれ貫通す
る第2主面側ビア導体(第2コンデンサ側接続配線)1
32bによって、樹脂絶縁層122と123との間に形
成された第2ベタ導体層127に接続する。なお、次述
するように本実施形態では、第1ベタ導体層126は+
の電源電位(共通第1電位)に、第2ベタ導体層127
は接地電位(共通第2電位)に接続される。さらに、第
1ベタ導体層126は樹脂絶縁層121を貫通する第1
コンデンサ側ビア導体(第1コンデンサ側接続配線)1
30によって、チップコンデンサ113の一方の側面端
子(第1コンデンサ端子)115aに接続する。一方、
第2ベタ導体層127は樹脂絶縁層121,122をそ
れぞれ貫通する第2コンデンサ側ビア導体(第2コンデ
ンサ側接続配線)131によって、第1ベタ導体層12
6に形成された透孔126H内を通って第1ベタ導体層
126と絶縁しつつ、チップコンデンサ113の他方の
側面端子(第2コンデンサ端子)115bに接続する。
これによって、ICチップCH搭載時には、コンデンサ
113とICチップCHとが極めて近い距離で接続さ
れ、また電源電位及び接地電位が供給される。
The remaining of the bumps 134 is the resin insulating layer 1
Resin insulating layers 121 and 122 are formed by via conductors 132 passing through 25 to 122 or 125 to 123, respectively.
, Or between the resin insulating layers 122 and 123, a substantially flat solid conductor layer (conversion conductor layer) 126,
127. Specifically, the first bump (first connection terminal) 134a is a first main surface side via conductor (first main surface side connection wiring) penetrating through the resin insulating layers 125 to 122, respectively.
132a, the second solid conductor layer (second conversion conductor layer)
The first solid conductor layer (first conversion conductor layer) 1 formed between the resin insulating layers 121 and 122 while being insulated from the second solid conductor layer 127 through the inside of the through hole 127H formed in the second insulating layer 127.
26. Also, a second bump (second connection terminal) 1
34b is a second main surface side via conductor (second capacitor side connection wiring) 1 penetrating through the resin insulating layers 125 to 123, respectively.
32b connects to the second solid conductor layer 127 formed between the resin insulating layers 122 and 123. As described below, in the present embodiment, the first solid conductor layer 126 has +
To the power supply potential (common first potential) of the second solid conductor layer 127.
Are connected to the ground potential (common second potential). Further, the first solid conductor layer 126 is a first solid conductor layer 126 penetrating the resin insulation layer 121.
Capacitor-side via conductor (first capacitor-side connection wiring) 1
30 connects to one side terminal (first capacitor terminal) 115a of the chip capacitor 113. on the other hand,
The second solid conductor layer 127 is formed on the first solid conductor layer 12 by a second capacitor-side via conductor (second capacitor-side connection wiring) 131 penetrating through the resin insulating layers 121 and 122, respectively.
6 is connected to the other side surface terminal (second capacitor terminal) 115 b of the chip capacitor 113 while being insulated from the first solid conductor layer 126 through the inside of the through hole 126 </ b> H formed in 6.
Thus, when the IC chip CH is mounted, the capacitor 113 and the IC chip CH are connected at a very short distance, and the power supply potential and the ground potential are supplied.

【0027】チップコンデンサ113の側面端子115
a,115bは、それぞれビア導体148,149によ
って、樹脂絶縁層141と142の間、あるいは樹脂絶
縁層142と143の間に形成された変換配線146,
147によって、配置を調整した上、樹脂絶縁層142
〜145を貫通するビア導体151,152によって各
パッド154に接続している。このパッド154を通じ
て、一方の側面端子(第1電位側面端子)115a、及
び一方の電極層114aが+の電源電位になり、他方の
側面端子(第2電位側面端子)115b、及び他方の電
極層114bが接地電位となるように、配線基板WBか
ら給電される。なお、配線基板WBのうち電源電位
(「+」の記号で表す)及び接地電位(「G」の記号で
表す)とする接続端子WBTの電位を図1に示してお
く。従って、この配線基板100を用いれば、電源配線
に重畳されたノイズを、各チップコンデンサ113によ
って吸収しつつ、ごく短いビア導体132等でICチッ
プCHに、給電することができる。
Side terminal 115 of chip capacitor 113
Reference numerals a and 115b denote conversion wirings 146 and 146 formed between the resin insulating layers 141 and 142 or between the resin insulating layers 142 and 143 by via conductors 148 and 149, respectively.
147, the arrangement is adjusted, and the resin insulating layer 142 is adjusted.
Are connected to the respective pads 154 by via conductors 151 and 152 penetrating through. Through this pad 154, the one side terminal (first potential side terminal) 115a and the one electrode layer 114a have a positive power supply potential, and the other side terminal (second potential side terminal) 115b and the other electrode layer Power is supplied from the wiring board WB so that 114b becomes the ground potential. FIG. 1 shows the potential of the connection terminal WBT as the power supply potential (represented by the symbol “+”) and the ground potential (represented by the symbol “G”) in the wiring board WB. Therefore, if the wiring board 100 is used, the noise superimposed on the power supply wiring can be supplied to the IC chip CH by the very short via conductor 132 or the like while being absorbed by each chip capacitor 113.

【0028】内蔵されたチップコンデンサ113は、図
5下方の拡大図に示すように、BaTiO3系の高誘電
体セラミックからなる積層セラミックコンデンサであ
る。このうちコンデンサ本体114は、略直方形状
(3.2×1.6×0.8mm)であり、配線基板10
0の主面100A側を向きコンデンサ上面113uであ
る上面114u、下面110B側を向きコンデンサ下面
113dである下面114d、及び4つの側面114S
(114S1,114S2,114S3,114S4)
を有している(図2参照)。その内部には、一方の電極
層114aと他方の電極層114bとが、セラミック高
誘電体層114cを介して交互に、上面114uに平行
に(側面114Sに垂直に)、従って、主面100Aに
平行に多数積層されている。これらの電極層114a,
114bはNiからなる。各電極層114a,114b
の一部が、図15(c)に示したコンデンサと同様に、
それぞれ第1側面114S1及び第3側面114S3に
引き出されて、Cuからなる側面端子115に接続して
いる。具体的には一方の電極層114aが一方の側面端
子115aに、他方の電極層114bが他方の側面端子
115bに接続している。
The built-in chip capacitor 113 is a multilayer ceramic capacitor made of a BaTiO3-based high dielectric ceramic, as shown in the enlarged view at the bottom of FIG. The capacitor body 114 has a substantially rectangular shape (3.2 × 1.6 × 0.8 mm).
0, the upper surface 114u facing the lower surface 110B, the lower surface 114d facing the lower surface 110B, and the four side surfaces 114S.
(114S1, 114S2, 114S3, 114S4)
(See FIG. 2). Inside, one electrode layer 114a and the other electrode layer 114b are alternately arranged in parallel with the upper surface 114u (perpendicular to the side surface 114S) via the ceramic high dielectric layer 114c, and thus on the main surface 100A. Many are stacked in parallel. These electrode layers 114a,
114b is made of Ni. Each electrode layer 114a, 114b
Is partially similar to the capacitor shown in FIG.
The first side surface 114S1 and the third side surface 114S3 are respectively drawn out and connected to side terminals 115 made of Cu. Specifically, one electrode layer 114a is connected to one side terminal 115a, and the other electrode layer 114b is connected to the other side terminal 115b.

【0029】側面端子115a,115bは、それぞれ
上面114uに上面部115au,115buを、下面
114dに下面部115ad,115bdをそれぞれ有
している。従って、側面端子115a,115bは、こ
の上面部115au,115buから上面114uの周
縁を越えて、側面114Sを上面114u(つまり主面
100A側)から下面114d(つまり裏面100B
側)に向かって延び、さらに、下面114dの周縁を越
えて下面部115ad,115bdに接続している。な
お、本実施形態では、上面部115au,115bu
は、コア基板本体の上面111A(コア基板の主面11
0A)よりも突出している。また、下面部115ad,
115bdは、コア基板本体の下面111Bよりも引き
下がっているが、これに形成された下面バンプ117
a,117bが下面111B(コア基板の裏面110
B)よりも突出している。
The side terminals 115a and 115b have upper surfaces 115au and 115bu on the upper surface 114u and lower surfaces 115ad and 115bd on the lower surface 114d, respectively. Therefore, the side surface terminals 115a and 115b extend from the upper surface portions 115au and 115bu beyond the periphery of the upper surface 114u to the side surface 114S from the upper surface 114u (that is, the main surface 100A side) to the lower surface 114d (that is, the back surface 100B).
Side), and is connected to the lower surface portions 115ad and 115bd beyond the periphery of the lower surface 114d. In this embodiment, the upper surface portions 115au, 115bu
Is the upper surface 111A of the core substrate main body (the main surface 11A of the core substrate).
0A). Also, the lower surface 115ad,
115bd is lower than the lower surface 111B of the core substrate main body, but the lower surface bump 117
a, 117b are the lower surface 111B (the lower surface 110 of the core substrate).
B).

【0030】本実施形態のチップコンデンサ113で
は、第1側面114S1とこれに対向する第3側面11
4S3に、それぞれ4つの側面端子115が形成されて
おり、第2側面114S2及び第4側面114S4には
側面端子115は形成されていない。また、図2に示す
ように、1つのチップコンデンサ113について、第1
側面114S1から時計回りに第2側面114S2、第
3側面114S3、第4側面114S4の順に見ると、
側面端子115a,115bは交互に並んで配置されて
いる。つまり、後述するように、電極層114a,11
4bをのいずれか一方を+の電源電位(図2に「+」で
示す)に、他方を接地電位(図2に「G」で示す)にす
ると、「+」で示す電源電位に接続する側面端子115
aと、「G」で示す接地電位に接続する側面端子115
bとが交互に並ぶ構造とされている。
In the chip capacitor 113 of this embodiment, the first side surface 114S1 and the third side surface 11
Four side terminals 115 are formed on 4S3, respectively, and no side terminals 115 are formed on the second side surface 114S2 and the fourth side surface 114S4. In addition, as shown in FIG.
Looking at the second side surface 114S2, the third side surface 114S3, and the fourth side surface 114S4 in this order from the side surface 114S1 clockwise,
The side terminals 115a and 115b are arranged alternately. That is, as described later, the electrode layers 114a, 11a
When any one of 4b is set to a + power supply potential (indicated by “+” in FIG. 2) and the other is set to a ground potential (indicated by “G” in FIG. 2), the power supply potential is connected to a power supply potential indicated by “+” Side terminal 115
a and a side terminal 115 connected to the ground potential indicated by “G”
b are alternately arranged.

【0031】さらに、チップコンデンサ113は、図2
及び図3に示すように、隣り合うチップコンデンサ11
3の第1側面114S1と第3側面113S3同士、及
び第2側面114S2と第4側面114S4同士が対向
するように、主面100Aから見て、縦横格子状に配置
されている。このため、電源電位と接地電位とを各チッ
プコンデンサ113への接続を考慮することにより、図
2に示すように、隣り合って対向する側面端子115同
士を、別の電位にする、つまり一方の側面端子115a
を電源電位に、他方の側面端子115bを接地電位にす
ることができる。
Further, the chip capacitor 113 is provided as shown in FIG.
And, as shown in FIG.
3, the first side surface 114S1 and the third side surface 113S3 are arranged in a vertical and horizontal lattice shape when viewed from the main surface 100A such that the second side surface 114S2 and the fourth side surface 114S4 face each other. For this reason, by considering the connection of the power supply potential and the ground potential to each chip capacitor 113, as shown in FIG. 2, the side terminals 115 adjacent to each other are set to different potentials, Side terminal 115a
To the power supply potential and the other side terminal 115b to the ground potential.

【0032】ところで、このチップコンデンサ113に
ついて充放電させると、前記したように、側面端子11
5に電流が流れる(図1及び図3参照)。この電流によ
って、側面114S1などを上下方向に延びる側面端子
115には、自己インダクタンスが発生する。なお、図
中の矢印は電流の方向を示す。1つのチップコンデンサ
113についてみると、隣の側面端子115との関係で
は、接続される電位が異なるので、充放電の際に流れる
電流の向きが逆になる。従って、両者の結合によって発
生する相互インダクタンスの分だけ、自己インダクタン
スを減少させることができる。
By the way, when the chip capacitor 113 is charged and discharged, as described above,
5 flows (see FIGS. 1 and 3). Due to this current, self-inductance is generated in the side surface terminal 115 extending vertically on the side surface 114S1 and the like. The arrow in the figure indicates the direction of the current. Regarding one chip capacitor 113, the potentials to be connected are different in relation to the adjacent side terminal 115, so that the direction of the current flowing during charging and discharging is reversed. Therefore, the self-inductance can be reduced by the mutual inductance generated by the combination of the two.

【0033】しかも、隣り合ったチップコンデンサ11
3同士についてみると、隣り合って対向する側面端子1
15同士の関係でも、接続される電位が異なるので、充
放電の際に流れる電流の向きが逆になる。従って、両者
の結合によって発生する相互インダクタンスの分だけ、
自己インダクタンスを減少させることができる。本実施
形態では、チップコンデンサ113を縦横格子状に配置
している。このため、対向する第1側面114S1と隣
のコンデンサの第3側面114S3の側面端子同士につ
いて、さらには、対向して隣り合う側面端子115のい
ずれについても、上記のようにインダクタンスを抑制す
ることができるので、全体としてさらにインダクタンス
を低下させることができる
In addition, the adjacent chip capacitors 11
As for the three side terminals 1, the side terminals 1 which are adjacent and face each other
Also in the relationship between the 15 components, the connected potentials are different, so that the directions of the currents flowing during charging and discharging are reversed. Therefore, the mutual inductance generated by the coupling between the two,
Self-inductance can be reduced. In the present embodiment, the chip capacitors 113 are arranged in a vertical and horizontal lattice. For this reason, it is possible to suppress the inductance as described above for the side terminals of the opposing first side surface 114S1 and the third side surface 114S3 of the adjacent capacitor, and also for any of the opposing and adjacent side terminals 115. Can reduce the inductance as a whole

【0034】その上、本実施形態では、図2に示すよう
に、チップコンデンサ113内で隣り合う側面端子11
5同士の間隔(ピッチ)P1=0.8mmよりも、隣り
合うチップコンデンサ113同士の隣り合って対向する
側面端子115同士の間隔(ピッチ)P2=0.4mm
の方が小さくされている。このため、隣り合って対向す
る側面端子115同士の結合が大きくなり、インダクタ
ンスをより小さくすることができる。なお、上記したよ
うに、チップコンデンサ113同士の間には絶縁樹脂体
116が充填されて介在しているので、側面端子115
同士の絶縁は保たれている。
In addition, in the present embodiment, as shown in FIG.
The interval (pitch) P2 between adjacent chip capacitors 113 and the adjacent opposing side terminals 115 is P2 = 0.4 mm, as compared with the interval (pitch) P1 between 0.85 and 0.8 mm.
Is smaller. Therefore, the coupling between the side terminals 115 that are adjacent to each other is increased, and the inductance can be further reduced. As described above, since the insulating resin body 116 is filled and interposed between the chip capacitors 113, the side terminals 115
The insulation between them is maintained.

【0035】次いで、本実施形態の配線基板100の製
造方法について説明する。まず、コア基板110の製造
方法について説明する。まず、図4(a)に示すよう
に、31×31mmの矩形状で厚さ1.0mmのガラス
−エポキシ樹脂複合材料からなり、主面111Aと下面
111Bとの間を貫通する7.5×8.0mmの大きな
略矩形状のコンデンサ用貫通孔111CH、及びその周
囲に形成された多数のスルーホール用貫通孔111Hと
を有するコア基板本体111を用意する。これらの貫通
孔111CH,111Hは、例えば、ドリル、ルータ、
レーザ等によって穿孔する。
Next, a method for manufacturing the wiring board 100 of the present embodiment will be described. First, a method for manufacturing the core substrate 110 will be described. First, as shown in FIG. 4A, a rectangular shape of 31 × 31 mm, made of a glass-epoxy resin composite material having a thickness of 1.0 mm, and 7.5 × penetrating between the main surface 111A and the lower surface 111B. A core substrate main body 111 having a large, approximately rectangular capacitor through hole 111CH of 8.0 mm and a large number of through hole through holes 111H formed therearound is prepared. These through holes 111CH and 111H are, for example, drills, routers,
Perforate by laser or the like.

【0036】次いで、図4(b)に示すように、コア基
板本体111の上面111Aに粘着テープTPを貼り付
け、下面111Bを上にした状態で、平面台PLの平坦
な上面PLA上に載置する。その後、図示しないチップ
マウンタを用いて、チップコンデンサ113をその上面
113u(114u)を下向きにして、コンデンサ用貫
通孔111CH内に所定の間隔で配置する。チップコン
デンサ113は、粘着テープTPに粘着されるので、次
工程でチップコンデンサ113の位置がずれることが防
止される。なお、コア基板本体111の厚さよりもチッ
プコンデンサ113の高さが低いので、チップコンデン
サ113は、裏面111Bよりも低位に位置することに
なる。
Next, as shown in FIG. 4B, an adhesive tape TP is attached to the upper surface 111A of the core substrate main body 111, and is placed on the flat upper surface PLA of the flat table PL with the lower surface 111B facing upward. Place. Thereafter, the chip capacitors 113 are arranged at predetermined intervals in the capacitor through holes 111CH with the upper surface 113u (114u) facing downward by using a chip mounter (not shown). Since the chip capacitor 113 is adhered to the adhesive tape TP, the position of the chip capacitor 113 is prevented from shifting in the next step. Since the height of the chip capacitor 113 is lower than the thickness of the core substrate main body 111, the chip capacitor 113 is positioned lower than the back surface 111B.

【0037】その後、流動性の良好な熱硬化性のエポキ
シ樹脂をコンデンサ用貫通孔111CH内に充填し、加
熱(100〜120℃、1〜3時間程)して硬化させる
と、エポキシ樹脂からなる絶縁樹脂体116を介してコ
ア基板本体111とチップコンデンサ113、及び、チ
ップコンデンサ113同士が固着される。その後、粘着
テープTPを剥がし、裏面111B側をベルトサンダに
よって研磨し余分な絶縁樹脂体116を除去する。な
お、チップコンデンサ113の側面端子115の上面部
115au,115buを確実に露出させるため、必要
に応じて、上面111A側も若干研磨しても良い。
Thereafter, a thermosetting epoxy resin having good fluidity is filled in the through hole 111CH for a capacitor, and is cured by heating (100 to 120 ° C., about 1 to 3 hours). The core substrate main body 111, the chip capacitors 113, and the chip capacitors 113 are fixed to each other via the insulating resin body 116. Thereafter, the adhesive tape TP is peeled off, and the back surface 111B side is polished with a belt sander to remove an extra insulating resin body 116. In order to surely expose the upper surface portions 115au and 115bu of the side terminals 115 of the chip capacitor 113, the upper surface 111A may be slightly polished as necessary.

【0038】その後、図5に示すように、下面111B
側から側面端子115の下面部115ad,115bd
上の絶縁樹脂体116に貫通孔116Hを、例えばレー
ザ加工によって穿孔する。その後、公知の無電解Cuメ
ッキ、電解Cuメッキ及びエッチングによって、この貫
通孔116H内から下面111Bよりも突出する下面バ
ンプ117a,117bを形成し、上面部115au,
115buの厚さを厚くして上面111Aから突出さ
せ、スルーホール用貫通孔111H内にスルーホール導
体112を形成し、上面111A(主面110A)及び
下面111Bに必要な配線層を形成して、コア基板11
0を形成する。なお、図5上部の拡大図bに示すよう
に、スルーホール導体112としては、スルーホール用
貫通孔111Hの内周に内周スルーホール導体112T
Hを形成するほか、その中心部に充填樹脂112Rを充
填し、さらに蓋状導体層112Cを形成した。
Thereafter, as shown in FIG.
The lower surface portions 115ad, 115bd of the side terminals 115 from the side
A through hole 116H is formed in the upper insulating resin body 116 by, for example, laser processing. Thereafter, lower surface bumps 117a and 117b projecting from the lower surface 111B from the inside of the through hole 116H are formed by known electroless Cu plating, electrolytic Cu plating, and etching, and the upper surface portions 115au,
The thickness of 115 bu is increased to protrude from the upper surface 111A, the through-hole conductor 112 is formed in the through-hole 111H, and the necessary wiring layers are formed on the upper surface 111A (main surface 110A) and the lower surface 111B. Core substrate 11
0 is formed. As shown in the enlarged view b in the upper part of FIG. 5, as the through-hole conductor 112, an inner-peripheral through-hole conductor 112T is formed on the inner periphery of the through-hole 111H.
In addition to the formation of H, the center portion was filled with a filling resin 112R, and further a lid-like conductor layer 112C was formed.

【0039】その後、公知のビルドアップ配線基板の形
成手法によって、各樹脂絶縁層121〜125,141
〜145を形成すると共に、各層間には、第1ベタ導体
層126、第2ベタ導体層127、配線層128,12
9、変換配線146,147を形成し、また各樹脂絶縁
層を貫通するビア導体130,131,132,13
3,151,152,153,154を形成して配線基
板100を完成する。この配線基板100は、上記のよ
うにチップコンデンサ113を多数内蔵しているため、
ノイズを確実に除去できる上、複数のチップコンデンサ
113を並列に接続しているので、内蔵するコンデンサ
全体としてのインダクタンスも低減させることができ
る。しかも、各チップコンデンサ113について見る
と、隣り合って対向する側面端子115同士の極性が異
なり、流れる電流の向きが逆向きになる。このため、イ
ンダクタンスをさらに減少させることができ、より一
層、低インダクタンスでICチップCHとコンデンサ1
13とを接続することができる。
Thereafter, each of the resin insulating layers 121 to 125, 141 is formed by a known build-up wiring board forming method.
To 145 are formed, and the first solid conductor layer 126, the second solid conductor layer 127, the wiring layers 128 and
9. Via conductors 130, 131, 132, 13 which form conversion wirings 146, 147 and penetrate each resin insulation layer
3, 151, 152, 153, and 154 are formed to complete the wiring board 100. Since the wiring board 100 has a large number of built-in chip capacitors 113 as described above,
Noise can be reliably removed, and since the plurality of chip capacitors 113 are connected in parallel, the inductance of the built-in capacitors as a whole can be reduced. In addition, when looking at each chip capacitor 113, the polarities of the adjacent side terminals 115 are different, and the direction of the flowing current is opposite. Therefore, the inductance can be further reduced, and the IC chip CH and the capacitor 1 can be further reduced in inductance.
13 can be connected.

【0040】また、チップコンデンサ113の側面端子
115には、上面部115au,115buを形成して
いるので、コア基板110の上面110Aに積層した樹
脂絶縁層121に形成したビア導体130,131と側
面端子115(115a,115b)との接続が容易に
なる。一方、側面端子115には、下面部115ad,
115bdを形成し、さらに下面バンプ117a,11
7bを形成しているので、コア基板110の下面110
Bに積層した樹脂絶縁層121に形成したビア導体14
8,149と側面端子115(115a,115b)と
の接続も容易になる。
Since the upper surface portions 115 au and 115 bu are formed on the side terminals 115 of the chip capacitor 113, the via conductors 130 and 131 formed on the resin insulating layer 121 laminated on the upper surface 110 A of the core substrate 110 have side surfaces. Connection with the terminal 115 (115a, 115b) is facilitated. On the other hand, the side surface terminal 115 has a lower surface portion 115ad,
115bd, and the lower surface bumps 117a,
7b, the lower surface 110 of the core substrate 110 is formed.
Via conductor 14 formed on resin insulating layer 121 laminated on B
8,149 and the side terminals 115 (115a, 115b) are also easily connected.

【0041】さらに、上記実施形態1では、チップコン
デンサ113と主面100Aあるいはバンプ134との
間に、第1ベタ導体層126,第2ベタ導体層127を
介在させ、第1主面側ビア導体132aと第1ベタ導体
層126と第1コンデンサ側ビア導体130によって、
第1バンプ134aとチップコンデンサ113の第1電
位側面端子115aとを接続させた。また、第2主面側
ビア導体132bと第2ベタ導体層127と第2コンデ
ンサ側ビア導体131によって、第2バンプ134bと
チップコンデンサ113の第2電位側面端子115bと
を接続させた。このようにすると、一般に、側面端子1
15の間隔などに比して、間隔が狭くされており、ま
た、側面端子115の数よりも多数の第1,第2バンプ
134a,134bと第1,第2電位側面端子115と
の接続が容易にできるメリットがある。具体的に言え
ば、第1,第2ベタ導体層126,127によって、第
1,第2主面側ビア導体132a,132bと、第1,
第2コンデンサ側ビア導体130,131の数と位置を
変換し、それぞれが適切な位置で第1,第2ベタ導体層
126,127に接続できる。このため、個々の第1バ
ンプ134aとチップコンデンサ113の第1電位側面
端子115aとを、また、個々の第2バンプ134bと
第2電位側面端子115bとを複雑な接続配線の引き回
しで結ぶ必要が無く、容易に接続することができる。
Further, in the first embodiment, the first solid conductor layer 126 and the second solid conductor layer 127 are interposed between the chip capacitor 113 and the main surface 100A or the bump 134, and the first main surface side via conductor 132a, the first solid conductor layer 126, and the first capacitor-side via conductor 130,
The first bump 134a and the first potential side terminal 115a of the chip capacitor 113 were connected. Further, the second bump 134b and the second potential side terminal 115b of the chip capacitor 113 were connected by the second main surface side via conductor 132b, the second solid conductor layer 127, and the second capacitor side via conductor 131. In this case, generally, the side terminals 1
The distance between the first and second potential side terminals 115 and the first and second potential side terminals 115 is larger than the number of the side terminals 115. There are advantages that can be easily achieved. Specifically, the first and second solid conductor layers 126 and 127 form the first and second main surface side via conductors 132a and 132b and the first and second main conductor vias 132a and 132b.
The number and position of the second capacitor-side via conductors 130 and 131 can be changed, and each can be connected to the first and second solid conductor layers 126 and 127 at an appropriate position. For this reason, it is necessary to connect the individual first bumps 134a to the first potential side terminals 115a of the chip capacitor 113 and connect the individual second bumps 134b and the second potential side terminals 115b with complicated connection wiring. No connection is possible.

【0042】しかも、第1バンプ134aとチップコン
デンサ113の第1電位側面端子115aとの間の経路
を短くできるから、両者の接続配線に生じるインダクタ
ンス及び抵抗を抑制することができる。 第2バンプ1
34bと第2電位側面端子115bとの間に経路に生じ
るインダクタンス及び抵抗も同様である。さらに、第
1,第2ベタ導体層126,127に生じるインダクタ
ンスは、通常の配線に生じるそれよりも低く抑えること
ができるから、この点からも、第1バンプ134aと第
1電位側面端子115aとの間、第2バンプ134bと
第2電位側面端子115bとの間に生じるインダクタン
スをさらに抑制することできる。
Further, since the path between the first bump 134a and the first potential side terminal 115a of the chip capacitor 113 can be shortened, the inductance and resistance generated in the connection wiring between them can be suppressed. Second bump 1
The same applies to the inductance and the resistance generated in the path between the terminal 34b and the second potential side terminal 115b. Furthermore, since the inductance generated in the first and second solid conductor layers 126 and 127 can be suppressed lower than that generated in the normal wiring, the first bump 134a and the first potential side terminal 115a are also connected to this point. During this time, the inductance generated between the second bump 134b and the second potential side terminal 115b can be further suppressed.

【0043】また、いずれの第1主面側ビア導体132
aも共通の第1ベタ導体層126に一旦接続し、同様に
第2主面側ビア導体132bも共通の第2ベタ導体層1
27に一旦接続する。従って、例えば、いずれかの第
1,第2コンデンサ側ビア導体130,131に接続不
良や断線が生じても、各第1,第2バンプ134a,1
34bには正常に電源電位や接地電位(共通第1,第2
電位)を供給できるので、配線基板100の信頼性も高
くすることができる利点もある。
Also, any first main surface side via conductor 132
a is once connected to the common first solid conductor layer 126, and similarly, the second main surface side via conductor 132 b is also connected to the common second solid conductor layer 1.
27 once. Therefore, for example, even if connection failure or disconnection occurs in any of the first and second capacitor-side via conductors 130 and 131, each of the first and second bumps 134a and 1
The power supply potential and the ground potential (common first and second
Potential) can be supplied, so that there is an advantage that the reliability of the wiring board 100 can be increased.

【0044】(変形形態1)上記実施形態1では、コア
基板本体111に内蔵させたチップコンデンサ113の
うち、下面部115ad,115bdは、下面111B
よりも引き下がっており、バンプ117a,117bの
部分を除いて、その上部を絶縁樹脂体116で覆われて
いた。しかし、側面端子の上面部がコア基板本体の上面
から突出している他、下面部もコア基板本体の下面から
突出するように形成することもできる。
(Modification 1) In the first embodiment, the lower surface portions 115ad and 115bd of the chip capacitor 113 built in the core substrate main body 111 have the lower surface 111B.
And the upper part was covered with the insulating resin body 116 except for the bumps 117a and 117b. However, the upper surface of the side terminal may protrude from the upper surface of the core substrate main body, and the lower surface may also be formed to protrude from the lower surface of the core substrate main body.

【0045】本変形形態1のコア基板210は、図6
(a)に示すように、コンデンサ用貫通孔211CH内
に内蔵されたチップコンデンサ213のうち、側面端子
215a,215bの上面部215au,215buが
厚くされて、コア基板本体211の上面211Aより突
出している。また、下面部215ad,215bdも厚
くされており、コア基板本体211の下面211Bより
突出している。従って、実施形態1のように、バンプ1
17a,117bを形成する必要がない。このようなコ
ア基板210を用いても、同様にして配線基板200
(図7参照)を形成することができる。即ち、この配線
基板200は、実施形態1の配線基板100におけるコ
ア基板110に代えて、コア基板210を用い、実施形
態1と同様、その主面210A上方及び裏面210B下
方に樹脂絶縁層121〜125、141〜145、第1
ベタ導体層126、第2ベタ導体層127等を形成して
なる配線基板である。なお、チップコンデンサ213は
実施形態1のチップコンデンサ113と同様の構造を有
し、実施形態1と同様、コンデンサ用貫通孔211CH
内に縦横格子状に配置されている(図5の拡大図、図
2、図3参照)。
The core substrate 210 according to the first modification is the same as that shown in FIG.
As shown in (a), the upper surface portions 215au and 215bu of the side terminals 215a and 215b of the chip capacitor 213 built in the capacitor through hole 211CH are thickened and protrude from the upper surface 211A of the core substrate main body 211. I have. Further, the lower surfaces 215ad and 215bd are also thickened, and protrude from the lower surface 211B of the core substrate main body 211. Therefore, as in the first embodiment, the bump 1
It is not necessary to form 17a and 117b. Even when such a core substrate 210 is used, the wiring substrate 200
(See FIG. 7). That is, this wiring board 200 uses a core substrate 210 in place of the core substrate 110 in the wiring board 100 of the first embodiment, and similarly to the first embodiment, the resin insulating layers 121 to 121 above the main surface 210A and below the rear surface 210B. 125, 141-145, first
This is a wiring board on which a solid conductor layer 126, a second solid conductor layer 127 and the like are formed. The chip capacitor 213 has the same structure as the chip capacitor 113 of the first embodiment, and similarly to the first embodiment, the through hole 211CH for the capacitor.
(See an enlarged view of FIG. 5, FIGS. 2 and 3).

【0046】この配線基板200においても、隣り合う
チップコンデンサ213の対向して隣り合う側面端子2
15(215a,215b)を流れる電流の向きが互い
に逆向きとなるので、側面端子215に発生するインダ
クタンスを低下させることができる。
Also in this wiring board 200, the adjacent side terminals 2 of the adjacent chip capacitors 213 are opposed to each other.
15 (215a, 215b) are opposite in direction to each other, so that the inductance generated in the side terminal 215 can be reduced.

【0047】なお、この配線基板200に使用するコア
基板210は、図6(b)に示すように、実施形態1の
コア基板本体111よりもやや厚さの薄いコア基板本体
211を用いて、そのコンデンサ用貫通孔211CH内
にチップコンデンサ213を配置し、絶縁樹脂体216
を充填し固定した後、その上下面211A,211Bを
研磨してチップコンデンサ213の上面部215au,
215bu及び下面部215ad,215bdを露出さ
せる。その後、無電解Cuメッキ、電解Cuメッキ及び
エッチングにより、スルーホール用貫通孔211H内に
スルーホール導体212を形成すると共に、上面部21
5au,215bu及び下面部215ad,215bd
の厚さを増やすことで、図6(a)に示す主面210A
および裏面210Bを有するコア基板210を形成す
る。
As shown in FIG. 6B, a core substrate 210 used for the wiring substrate 200 is formed by using a core substrate main body 211 slightly thinner than the core substrate main body 111 of the first embodiment. A chip capacitor 213 is disposed in the capacitor through-hole 211CH, and an insulating resin body 216 is provided.
After filling and fixing, the upper and lower surfaces 211A and 211B are polished and the upper surface 215au,
215bu and the lower surfaces 215ad and 215bd are exposed. Thereafter, the through-hole conductor 212 is formed in the through-hole 211H for the through-hole by electroless Cu plating, electrolytic Cu plating and etching, and the upper surface portion 21 is formed.
5au, 215bu and lower surface portions 215ad, 215bd
By increasing the thickness of the main surface 210A shown in FIG.
And a core substrate 210 having a back surface 210B.

【0048】その後は、実施形態1と同様、公知のビル
ドアップ配線基板の形成手法に従って配線基板200を
形成すればよい。実施形態1と同様、側面端子215に
は、上面部215au,215buを形成しているの
で、主面200A側に側面端子215(コンデンサ21
3)の電位を引き出すのに、接続が容易となり都合がよ
い。また、下面部215ad,215bdを形成してい
るので、裏面200B側に側面端子215(コンデンサ
213)の電位を引き出すのにも都合がよい。
Thereafter, as in the first embodiment, the wiring board 200 may be formed according to a known build-up wiring board forming method. As in the first embodiment, since the upper surface portions 215au and 215bu are formed on the side surface terminal 215, the side surface terminal 215 (the capacitor 21) is provided on the main surface 200A side.
In order to draw out the potential of 3), connection is facilitated, which is convenient. Further, since the lower surfaces 215ad and 215bd are formed, it is convenient to draw out the potential of the side terminal 215 (capacitor 213) to the back surface 200B side.

【0049】また、この変形形態1でも前述の実施形態
1と同様に、チップコンデンサ213と主面200Aあ
るいはバンプ134との間に、第1ベタ導体層126,
第2ベタ導体層127を介在させている。従って、一般
に側面端子215の間隔などに比して、間隔が狭くされ
ており、また、側面端子215の数よりも多数の第1,
第2バンプ134a,134bと第1,第2電位側面端
子215a,215bとの接続が容易にできるメリット
を同様に得ることができる。具体的に言えば、第1,第
2ベタ導体層126,127によって、第1,第2主面
側ビア導体132a,132bと、第1,第2コンデン
サ側ビア導体130,131の数と位置を変換し、それ
ぞれが適切な位置で第1,第2ベタ導体層126,12
7に接続できる。このため、個々の第1バンプ134a
とチップコンデンサ113の第1電位側面端子115a
とを、また、個々の第2バンプ134bと第2電位側面
端子115bとを複雑な接続配線の引き回しで結ぶ必要
が無く、容易に接続することができる。
Also in the first modification, similarly to the first embodiment, the first solid conductor layer 126 and the first solid conductor layer 126 are provided between the chip capacitor 213 and the main surface 200A or the bump 134.
The second solid conductor layer 127 is interposed. Therefore, the interval is generally narrower than the interval between the side terminals 215 and the like.
The advantage that connection between the second bumps 134a and 134b and the first and second potential side terminals 215a and 215b can be easily obtained can be similarly obtained. More specifically, the number and position of the first and second principal surface side via conductors 132a and 132b and the first and second capacitor side via conductors 130 and 131 are determined by the first and second solid conductor layers 126 and 127. Are respectively converted into the first and second solid conductor layers 126 and 12 at appropriate positions.
7 can be connected. Therefore, the individual first bumps 134a
And the first potential side terminal 115a of the chip capacitor 113
Also, it is not necessary to connect the individual second bumps 134b and the second potential side terminals 115b with complicated wiring arrangements, and the connection can be easily performed.

【0050】しかも、第1,第2バンプ134a,13
4bと第1,第2電位側面端子115a,115bとの
間の経路を短くできるから、両者の接続配線に生じるイ
ンダクタンス及び抵抗を抑制することができる。また、
第1,第2ベタ導体層126,127に生じるインダク
タンスは、通常の配線に生じるそれよりも低く抑えるこ
とができるから、この点からも、第1,第2バンプ13
4a,134bと第1,第2電位側面端子115a,1
15bとの間に生じるインダクタンスをさらに抑制する
ことできる。また実施形態1と同様に、第1,第2コン
デンサ側ビア導体130,131に接続不良や断線が生
じても、各第1,第2バンプ134a,134bには正
常に電源電位や接地電位(共通第1,第2電位)を供給
できるので、配線基板100の信頼性も高くすることが
できる利点もある。
In addition, the first and second bumps 134a, 134
Since the path between the terminal 4b and the first and second potential side terminals 115a and 115b can be shortened, the inductance and resistance generated in the connection wiring between them can be suppressed. Also,
Since the inductance generated in the first and second solid conductor layers 126 and 127 can be suppressed lower than that generated in the normal wiring, the first and second bumps 13 are also considered from this point.
4a, 134b and first and second potential side terminals 115a, 1
15b can be further suppressed. Also, as in the first embodiment, even if a connection failure or disconnection occurs in the first and second capacitor-side via conductors 130 and 131, the first and second bumps 134a and 134b normally operate at the power supply potential or the ground potential ( Since the common first and second potentials can be supplied, there is an advantage that the reliability of the wiring board 100 can be increased.

【0051】(変形形態2)上記実施形態1及び変形形
態1においては、コア基板110,210に用いるコア
基板本体111,211として、ガラス−エポキシ樹脂
複合材料からなる1層のコア絶縁層からなるものを用い
た。しかし、コア基板本体としては、複数のコア絶縁層
を積層したものでも良い。例えば、図8に示す配線基板
500では、コア基板510は、コア基板本体511と
これを貫通するスルーホール導体512とを備える。し
かも、このコア基板本体511は、ガラス−エポキシ樹
脂複合材料からなるコア絶縁層513のほか、この主面
500A側及び裏面500B側に積層されたエポキシ樹
脂からなるコア絶縁層514,515を有する合計3層
のコア絶縁層を含み、さらにコア絶縁層513と514
との間には導体層516が、コア絶縁層513と515
との間には、導体層517が形成されている。なお、本
変形形態2では、導体層516,517は、図中左方に
示すように、スルーホール導体512を経由して電源電
位あるいは接地電位に接続されている。
(Modification 2) In Embodiment 1 and Modification 1, the core substrate main bodies 111 and 211 used for the core substrates 110 and 210 are each composed of a single core insulating layer made of a glass-epoxy resin composite material. Was used. However, the core substrate body may be a laminate of a plurality of core insulating layers. For example, in the wiring board 500 shown in FIG. 8, the core board 510 includes a core board main body 511 and a through-hole conductor 512 penetrating therethrough. In addition, the core substrate body 511 has a core insulating layer 513 made of a glass-epoxy resin composite material and a core insulating layer 514, 515 made of epoxy resin laminated on the main surface 500A side and the back surface 500B side. It includes three core insulating layers, and further includes core insulating layers 513 and 514.
Between the core insulating layers 513 and 515.
A conductor layer 517 is formed between the two. In the second modification, the conductor layers 516 and 517 are connected to the power supply potential or the ground potential via the through-hole conductor 512 as shown on the left side of the drawing.

【0052】なお、実施形態1及び変形形態1と同様、
コア基板本体511には、これを貫通する大きな略矩形
状のコンデンサ用貫通孔511CHが穿孔され、その内
部には、実施形態1と同様にして、チップコンデンサ1
13が内蔵されている。上記コア基板510及び配線基
板500は、導体層516,517に相当する導体パタ
ーンを形成したコア絶縁層513に公知のビルドアップ
手法によってコア絶縁層514,515を積層し、次い
で、スルーホール貫通孔511H及びコンデンサ用貫通
孔511CHを形成する。その後は、コア基板510の
主面510A上方及び裏面510B下方に前記した実施
形態1と同様の手法で絶縁層等を形成すればよい。この
ように複数のコア絶縁層を含むコア基板本体を用いて
も、同様にチップコンデンサを内蔵する配線基板を構成
することができる。なお、複数のコア絶縁層を含むコア
基板本体としては、導体層516,517を含まないも
のとしても良い。また、上記したコア絶縁層513と他
のコア絶縁層514,515のように、コア絶縁層の材
質を異ならせても良いが、複数のコア絶縁層のいずれも
が同種材料からなるコア基板本体を用いることもでき
る。また、図8に示すように、コア絶縁層513は、他
のコア絶縁層514,515よりも厚くしたが、複数の
コア絶縁層のいずれもがほぼ同じ厚さで有るコア基板本
体を用いることもできる。
As in the first embodiment and the first modification,
A large substantially rectangular capacitor through-hole 511CH penetrating the core substrate body 511 is formed in the core substrate main body 511, and the chip capacitor 1
13 is built in. The core substrate 510 and the wiring substrate 500 are formed by laminating the core insulating layers 514 and 515 on the core insulating layer 513 in which the conductor patterns corresponding to the conductor layers 516 and 517 are formed by a known build-up method. 511H and a capacitor through-hole 511CH are formed. Thereafter, an insulating layer or the like may be formed above the main surface 510A and below the back surface 510B of the core substrate 510 in the same manner as in the first embodiment. As described above, even when a core substrate body including a plurality of core insulating layers is used, a wiring substrate having a built-in chip capacitor can be similarly formed. The core substrate body including the plurality of core insulating layers may not include the conductor layers 516 and 517. Although the core insulating layer may be made of a different material like the core insulating layer 513 and the other core insulating layers 514 and 515, the core substrate body in which all of the plurality of core insulating layers are made of the same material Can also be used. Further, as shown in FIG. 8, the core insulating layer 513 is thicker than the other core insulating layers 514 and 515, but a core substrate body in which all of the plurality of core insulating layers have substantially the same thickness is used. Can also.

【0053】また、この変形形態2でも前述の実施形態
1などと同様に、チップコンデンサ113と主面500
Aあるいはバンプ134との間に、第1ベタ導体層12
6,第2ベタ導体層127を介在させている。従って、
第1,第2バンプ134a,134bと第1,第2電位
側面端子115a,115bとの接続が容易にできるな
ど同様の利点がある。
Also in the second modification, the chip capacitor 113 and the main surface 500 are similar to the first embodiment.
A or between the first solid conductor layer 12 and the bump 134.
6, the second solid conductor layer 127 is interposed. Therefore,
There are similar advantages such as easy connection between the first and second bumps 134a and 134b and the first and second potential side terminals 115a and 115b.

【0054】(実施形態2)上記実施形態1及び変形形
態1,2では、配線基板100,200,500の主面
100A,200A,500A側及び裏面100B,2
00B,500B側のいずれからも、チップコンデンサ
113,213の側面端子115,215に接続できる
構造としていた。しかし、主面側でのみチップコンデン
サと接続するように配線基板を構成することもできる。
(Embodiment 2) In Embodiment 1 and Modifications 1 and 2, the main surfaces 100A, 200A, 500A of the wiring substrates 100, 200, 500 and the back surfaces 100B, 2B
The structure can be connected to the side terminals 115 and 215 of the chip capacitors 113 and 213 from both the 00B and 500B sides. However, the wiring board may be configured so as to be connected to the chip capacitor only on the main surface side.

【0055】即ち、本実施形態の配線基板300で使用
するコア基板310は、図9に示すように、コア基板本
体311のコンデンサ用貫通孔311CH内に多数のチ
ップコンデンサ313を内蔵し、その側面端子315
(315a,315b)は、その上面部315au,3
15buがコア基板本体311の上面311A(コア基
板310の主面310A)より突出している。しかし、
下面311B(裏面310B)側は、コンデンサの下面
313d、及び側面端子315の下面部315ad,3
15bdが絶縁樹脂体316で覆われており、下面31
1B(裏面310B)側からチップコンデンサ313
(側面端子315)に接続することができない構造とな
っている。
That is, as shown in FIG. 9, the core board 310 used in the wiring board 300 of the present embodiment has a large number of chip capacitors 313 built in the capacitor through holes 311CH of the core board body 311. Terminal 315
(315a, 315b) are upper surface portions 315au, 3
15bu protrudes from the upper surface 311A of the core substrate main body 311 (the main surface 310A of the core substrate 310). But,
The lower surface 311B (rear surface 310B) side includes the lower surface 313d of the capacitor and the lower surfaces 315ad and 315ad of the side terminal 315.
15bd is covered with the insulating resin body 316, and the lower surface 31
The chip capacitor 313 from the 1B (rear surface 310B) side
(Side terminal 315).

【0056】なお、コンデンサ用貫通孔311CHの周
囲には、実施形態1のコア基板110(図5参照)と同
様に、スルーホール導体312を有するほか、次述する
ように、電源電位や接地電位をコア基板310の上下に
通すためのスルーホール導体318,319も形成され
ている。また、チップコンデンサ313は実施形態1の
チップコンデンサ113と同様の構造を有し、実施形態
1と同様にコンデンサ用貫通孔311CH内に縦横格子
状に配置されている(図5の拡大図、図2、図3参
照)。
Around the capacitor through-hole 311CH, a through-hole conductor 312 is provided similarly to the core substrate 110 of the first embodiment (see FIG. 5), and a power supply potential and a ground potential as described below. Through conductors 318 and 319 for passing through the upper and lower portions of the core substrate 310 are also formed. The chip capacitor 313 has the same structure as the chip capacitor 113 of the first embodiment, and is arranged in a vertical and horizontal lattice in the capacitor through-hole 311CH as in the first embodiment (enlarged view of FIG. 5, FIG. 2, see FIG. 3).

【0057】このようなコア基板310を用いた配線基
板300の断面図を図10に示す。この配線基板300
は、実施形態1の配線基板100とほぼ同様な構造を有
している。即ち、チップコンデンサ313を多数内蔵し
たコア基板310と、その主面310A上方及び裏面3
10B下方に積層された樹脂絶縁層321〜325、3
41〜345をそれぞれ有する。配線基板300の主面
300Aの中央部には、バンプ(接続端子)334が多
数形成され、破線で示すICチップCHの下面CHAの
接続端子CHTと接続可能とされている。また、裏面3
00Bの略全面にはパッド354が多数形成され、破線
で示す他の配線基板WBに形成された接続端子WBTと
接続可能である。
FIG. 10 is a sectional view of a wiring substrate 300 using such a core substrate 310. This wiring board 300
Has substantially the same structure as the wiring board 100 of the first embodiment. That is, a core substrate 310 having a large number of built-in chip capacitors 313, and upper and lower surfaces 3A and 3A of the main surface 310A.
10B, resin insulating layers 321 to 325, 3
41 to 345, respectively. A large number of bumps (connection terminals) 334 are formed at the center of the main surface 300A of the wiring board 300, and can be connected to the connection terminals CHT on the lower surface CHA of the IC chip CH indicated by broken lines. Also, back 3
A large number of pads 354 are formed on substantially the entire surface of 00B, and can be connected to connection terminals WBT formed on another wiring board WB indicated by broken lines.

【0058】バンプ334の一部は配線層328,32
9によって、それぞれ周縁側にファンアウトして、ビア
導体333、スルーホール導体312、ビア導体353
を通じて裏面300Bに形成されたパッド354に接続
している。これらは例えば、信号用配線として使用され
る。
Some of the bumps 334 are connected to the wiring layers 328 and 32.
9, fan-out to the peripheral side, via conductor 333, through-hole conductor 312, via conductor 353
Through the pad 354 formed on the back surface 300B. These are used, for example, as signal wiring.

【0059】バンプ334のうち残りは、ビア導体33
2によって、略平板状の第1ベタ導体層(第1変換導体
層)326あるいは第2ベタ導体層(第2変換導体層)
327に接続する。具体的には、第1バンプ(第1接続
端子)334aは、樹脂絶縁層325〜322をそれぞ
れ貫通する第1主面側ビア導体(第1主面側接続配線)
332aによって、第2ベタ導体層327に形成された
透孔327H内を通り、第2ベタ導体層327と絶縁し
つつ、樹脂絶縁層321と322との間に形成された第
1ベタ導体層326に接続する。また、第2バンプ(第
2接続端子)334bは、樹脂絶縁層325〜323を
それぞれ貫通する第2主面側ビア導体(第2主面側接続
配線)332bによって、樹脂絶縁層322と323と
の間に形成された第2ベタ導体層327に接続する。な
お、次述するように、第1ベタ導体層326は+の電源
電位(共通第1電位)に、第2ベタ導体層327は接地
電位(共通第2電位)に接続される。さらに、第1ベタ
導体層326は第1コンデンサ側ビア導体(第1コンデ
ンサ側接続配線)330により、チップコンデンサ31
3の一方の側面端子(第1電位側面端子)315aに接
続する。一方、第2ベタ導体層327は第2コンデンサ
側ビア導体(第2コンデンサ側接続配線)331によ
り、第1ベタ導体層326に形成された透孔326H内
を通り、第1ベタ導体層326と絶縁しつつ、チップコ
ンデンサ313の他方の側面端子(第2電位側面端子)
315bに接続する。これによって、ICチップCH搭
載時には、コンデンサ313とICチップCHとが極め
て近い距離で接続され、また電源電位及び接地電位が供
給される。なお、上記したように、実施形態1の配線基
板100と異なり、チップコンデンサ313の側面端子
315は直接裏面300B側に引き出されることがな
い。
The rest of the bumps 334 are connected to the via conductors 33.
2, the first solid conductor layer (first conversion conductor layer) 326 or the second solid conductor layer (second conversion conductor layer) having a substantially flat plate shape
327. Specifically, the first bump (first connection terminal) 334a is a first main surface side via conductor (first main surface side connection wiring) penetrating through the resin insulating layers 325 to 322, respectively.
The first solid conductor layer 326 formed between the resin insulating layers 321 and 322 while being insulated from the second solid conductor layer 327 by passing through the through hole 327H formed in the second solid conductor layer 327 by 332a. Connect to Further, the second bumps (second connection terminals) 334b are connected to the resin insulation layers 322 and 323 by the second main surface side via conductors (second main surface side connection wires) 332b penetrating the resin insulation layers 325 to 323, respectively. To the second solid conductor layer 327 formed between them. As described below, the first solid conductor layer 326 is connected to a positive power supply potential (common first potential), and the second solid conductor layer 327 is connected to ground potential (common second potential). Further, the first solid conductor layer 326 is connected to the chip capacitor 31 by the first capacitor side via conductor (first capacitor side connection wiring) 330.
3 is connected to one side terminal (first potential side terminal) 315a. On the other hand, the second solid conductor layer 327 passes through the through hole 326H formed in the first solid conductor layer 326 by the second capacitor-side via conductor (second capacitor-side connection wiring) 331, and is connected to the first solid conductor layer 326. The other side terminal (second potential side terminal) of the chip capacitor 313 while being insulated
315b. Thus, when the IC chip CH is mounted, the capacitor 313 and the IC chip CH are connected at a very short distance, and the power supply potential and the ground potential are supplied. Note that, as described above, unlike the wiring board 100 of the first embodiment, the side terminals 315 of the chip capacitor 313 are not directly drawn out to the back surface 300B side.

【0060】そこで、さらに第1ベタ導体層326から
は、ビア導体335、コア基板本体311内のスルーホ
ール導体318、及びビア導体348を介して、変換配
線346に接続する経路が設けられている。同様に、第
2ベタ導体層327からは、ビア導体336、コア基板
本体311内のスルーホール導体319、及びビア導体
349を介して、変換配線347に接続する経路も設け
られている。その後は、実施形態1の配線基板100と
同様に、変換配線346,347によって、配置を調整
した上、樹脂絶縁層342〜345を貫通するビア導体
351,352によって各パッド354に接続する。
Therefore, a path is provided from the first solid conductor layer 326 to the conversion wiring 346 via the via conductor 335, the through-hole conductor 318 in the core substrate body 311 and the via conductor 348. . Similarly, a path from the second solid conductor layer 327 to the conversion wiring 347 is provided via the via conductor 336, the through-hole conductor 319 in the core substrate body 311, and the via conductor 349. After that, similarly to the wiring board 100 of the first embodiment, the arrangement is adjusted by the conversion wirings 346 and 347, and the connection is connected to each pad 354 by the via conductors 351 and 352 penetrating the resin insulating layers 342 to 345.

【0061】このパッド354を通じて、第1ベタ導体
層326及び一方の側面端子315a(及びそれにつな
がる一方の電極層)が+の電源電位になり、第2ベタ導
体層327及び他方の側面端子315b(及びそれにつ
ながる他方の電極層)が接地電位となるように、配線基
板WBから給電される。従って、この配線基板300を
用いれば、電源配線に重畳されたノイズは、各チップコ
ンデンサ313によって吸収しつつ、ごく短いビア導体
332等でICチップCHに、給電することができる。
Through this pad 354, the first solid conductor layer 326 and one side terminal 315a (and one electrode layer connected to it) have a positive power supply potential, and the second solid conductor layer 327 and the other side terminal 315b ( And the other electrode layer connected thereto is supplied with power from the wiring board WB so as to be at the ground potential. Therefore, if this wiring board 300 is used, the noise superimposed on the power supply wiring can be supplied to the IC chip CH by the very short via conductor 332 or the like while being absorbed by each chip capacitor 313.

【0062】しかも、この配線基板300においても、
例えばチップコンデンサ313に充電した場合には、そ
の側面端子315に図10に矢印で示した方向の電流が
流れる。なお、放電の場合にはこの逆になることは言う
までもない。従って、隣り合うチップコンデンサ313
の対向して隣り合う側面端子315には互いに逆向きの
電流が流れる構造となっているので、側面端子315で
生じるインダクタンスをより低減することができる。な
お、実施形態1と同様、側面端子315には、上面部3
15au,315buを形成しているので、実施形態1
と同様、主面300A側に側面端子315(コンデンサ
313)の電位を引き出すのに接続が容易となり都合が
よい。
Moreover, in the wiring board 300,
For example, when the chip capacitor 313 is charged, a current flows in the side terminal 315 in the direction indicated by the arrow in FIG. It goes without saying that the opposite is true in the case of discharge. Therefore, the adjacent chip capacitors 313
Since the current flows in the opposite side terminals 315 in opposite directions, the inductance generated in the side terminals 315 can be further reduced. As in the first embodiment, the side surface terminal 315 has the upper surface portion 3
Since 15 au and 315 bu are formed, the first embodiment
Similarly to the above, connection is easy to draw out the potential of the side surface terminal 315 (capacitor 313) to the main surface 300A side, which is convenient.

【0063】本実施形態の配線基板300に用いるコア
基板310は、実施形態1のコア基板110の製法と同
様に、コア基板本体311のコンデンサ用貫通孔内31
1CHにチップコンデンサ313を配置し、エポキシ樹
脂を充填し硬化させて絶縁樹脂体316とした後、下面
311Bを研磨する(図4(a)参照)。その後、実施
形態1と異なり、貫通孔116Hを穿孔することなく、
メッキにより側面端子315の上面部315au,31
5buの厚さを増加させると共に、スルーホール用貫通
孔311H内にスルーホール導体312,318,31
9を形成して、コア基板310とすればよい。以降は、
公知のビルドアップ配線基板の製法により、配線基板3
00を形成することができる。
The core board 310 used in the wiring board 300 of the present embodiment is formed in the same way as the manufacturing method of the core board 110 of the first embodiment.
A chip capacitor 313 is arranged in 1CH, filled with epoxy resin and cured to form an insulating resin body 316, and then the lower surface 311B is polished (see FIG. 4A). Then, unlike Embodiment 1, without piercing the through-hole 116H,
The upper surface portions 315au, 31 of the side terminals 315 by plating.
The thickness of 5 bu is increased, and the through-hole conductors 312, 318, 31 are formed in the through-holes 311 </ b> H.
9 may be formed to form the core substrate 310. Later,
The wiring board 3 is manufactured by a known build-up wiring board manufacturing method.
00 can be formed.

【0064】この実施形態2でも前述の実施形態1など
と同様に、チップコンデンサ313と主面300Aある
いはバンプ334との間に、第1ベタ導体層326,第
2ベタ導体層327を介在させている。従って、第1,
第2バンプ334a,334bと第1,第2電位側面端
子315a,315bとの接続が容易にできるなど同様
の利点がある。
In the second embodiment, similarly to the first embodiment, the first solid conductor layer 326 and the second solid conductor layer 327 are interposed between the chip capacitor 313 and the main surface 300A or the bump 334. I have. Therefore, the first
There are similar advantages such as easy connection between the second bumps 334a and 334b and the first and second potential side terminals 315a and 315b.

【0065】(実施形態3)上記実施形態1,2等にお
いては、樹脂絶縁層121〜125,321〜325の
層間のうち、第1ベタ導体層126,326を、コア基
板110,310などの主面110A,310A,51
0Aに接する樹脂絶縁層121,321の主面側に形成
した。また、第2ベタ導体層127,327を、さらに
その主面側の樹脂絶縁層122,132の主面側に形成
した。このように、第1,第2ベタ導体層126,12
7等をチップコンデンサ113,313の近くに位置さ
せるのが好ましい。図1、 図7、 図8、図10にも示
すように、一般に第1,第2バンプ134a,134b
の数の方が、チップコンデンサ113,313の側面端
子115,315の数よりも多い。従って、第1,第2
バンプ134a,134b等と第1,第2ベタ導体層1
26,127等を結ぶ、第1,第2主面側ビア導体13
2a,132b,332a,332bの数の方が、側面
端子115等と第1,第2ベタ導体層126,127と
を結ぶ第1,第2コンデンサ側ビア導体130,13
1,330,331の数より多くなる。接続配線に生じ
るインダクタンス及び抵抗は、並列して設けられている
経路が多いほど、また各配線に流れる電流が少ないほど
低減できるので、このような条件では、第1,第2ベタ
導体層126,127等をチップコンデンサ113等の
近くに設けるのが好ましくなるからである。
(Embodiment 3) In Embodiments 1 and 2, etc., among the resin insulating layers 121 to 125, 321, to 325, the first solid conductor layers 126, 326 are replaced with the core substrates 110, 310, etc. Main surfaces 110A, 310A, 51
It was formed on the main surface side of the resin insulating layers 121 and 321 in contact with 0A. Further, the second solid conductor layers 127 and 327 are further formed on the main surface side of the resin insulating layers 122 and 132 on the main surface side. Thus, the first and second solid conductor layers 126, 12
7 is preferably located near the chip capacitors 113 and 313. As shown in FIGS. 1, 7, 8, and 10, generally, the first and second bumps 134a, 134b
Is larger than the number of the side terminals 115 and 315 of the chip capacitors 113 and 313. Therefore, the first and second
Bumps 134a, 134b, etc. and first and second solid conductor layers 1
26, 127, etc., the first and second main surface side via conductors 13
2a, 132b, 332a, and 332b correspond to the first and second capacitor-side via conductors 130 and 13 that connect the side terminals 115 and the first and second solid conductor layers 126 and 127, respectively.
1,330,331. Inductance and resistance generated in the connection wiring can be reduced as the number of paths provided in parallel and as the current flowing through each wiring is reduced, so that under such conditions, the first and second solid conductor layers 126, This is because it is preferable to provide 127 or the like near the chip capacitor 113 or the like.

【0066】そこで、本実施形態3の配線基板600で
は、図12に示すように、コア基板610の主面610
A上に第1ベタ導体層(第1変換導体層)626を、こ
れに接する樹脂絶縁層122の主面側(図中上方)に第
2ベタ導体層(第2変換導体層)627を設けた。具体
的には、第1バンプ134aは、樹脂絶縁層125〜1
22をそれぞれ貫通する第1主面側ビア導体132aに
よって、第2ベタ導体層627に形成された透孔627
H内を通って第2ベタ導体層627と絶縁しつつ、コア
基板610の主面610A上、つまりコア基板610と
樹脂絶縁層122との間に形成された第1ベタ導体層6
26に接続する。また、第2バンプ134bは、樹脂絶
縁層125〜123をそれぞれ貫通する第2主面側ビア
導体132bによって、樹脂絶縁層122と123との
間に形成された第2ベタ導体層627に接続する。さら
に、第1ベタ導体層626は、実施形態1等と異なり、
第1コンデンサ側ビア導体130等を介することなく、
直接チップコンデンサ613の第1電位側面端子(第1
コンデンサ端子)615aと接続している。一方、第2
ベタ導体層627は、樹脂絶縁層122を貫通する第2
コンデンサ側ビア導体631によって、第1ベタ導体層
626に形成された透孔626H内に形成されたチップ
コンデンサ613の第2電位側面端子(第2コンデンサ
端子)615bに接続する。
Therefore, in the wiring board 600 of the third embodiment, as shown in FIG.
A first solid conductor layer (first conversion conductor layer) 626 is provided on A, and a second solid conductor layer (second conversion conductor layer) 627 is provided on the main surface side (upper side in the figure) of the resin insulating layer 122 in contact with the first solid conductor layer. Was. Specifically, the first bumps 134a are formed of the resin insulating layers 125-1 to 125-1.
The through holes 627 formed in the second solid conductor layer 627 by the first main surface side via conductors 132 a penetrating through
H, the first solid conductor layer 6 formed on the main surface 610 </ b> A of the core substrate 610, that is, between the core substrate 610 and the resin insulating layer 122 while being insulated from the second solid conductor layer 627.
26. The second bump 134b is connected to the second solid conductor layer 627 formed between the resin insulating layers 122 and 123 by the second main surface side via conductor 132b penetrating the resin insulating layers 125 to 123, respectively. . Further, the first solid conductor layer 626 is different from the first embodiment and the like.
Without the first capacitor-side via conductor 130 or the like,
The first potential side terminal of the direct chip capacitor 613 (the first potential side terminal)
Capacitor terminal) 615a. On the other hand, the second
The solid conductor layer 627 is a second conductor layer penetrating the resin insulating layer 122.
The capacitor-side via conductor 631 connects to the second potential side terminal (second capacitor terminal) 615b of the chip capacitor 613 formed in the through hole 626H formed in the first solid conductor layer 626.

【0067】これにより、第1ベタ導体層626はチッ
プコンデンサ613の第1電位側面端子615aの上面
部615auと直接接続しており、第1,第2ベタ導体
層626,627は、チップコンデンサ613の最も近
くに配置されることとなる。従って、チップコンデンサ
613と第1,第2バンプ134a,134bとの間の
接続配線に生じるインダクタンス及び抵抗をさらに低減
することができる。また、ICチップCH搭載時には、
コンデンサ613とICチップCHとが極めて近い距離
で接続され、また電源電位及び接地電位が供給される。
また、図1に示す配線基板100と比較すれば容易に理
解できるように、樹脂絶縁層121,141を無くする
ことができた分、製造容易で安価な配線基板とすること
ができる。
Thus, the first solid conductor layer 626 is directly connected to the upper surface portion 615au of the first potential side terminal 615a of the chip capacitor 613, and the first and second solid conductor layers 626 and 627 are connected to the chip capacitor 613. Will be placed closest to the Therefore, the inductance and the resistance generated in the connection wiring between the chip capacitor 613 and the first and second bumps 134a and 134b can be further reduced. When the IC chip CH is mounted,
The capacitor 613 and the IC chip CH are connected at a very short distance, and a power supply potential and a ground potential are supplied.
Further, as can be easily understood from comparison with the wiring board 100 shown in FIG. 1, since the resin insulating layers 121 and 141 can be eliminated, a wiring board which is easy to manufacture and inexpensive can be obtained.

【0068】次いで、配線基板600の製造方法につい
て説明する。まず、コア基板610(図13参照)の製
造方法について説明する。実施形態1と同様、主面61
1Aと下面611Bとの間を貫通する大きな略矩形状の
コンデンサ用貫通孔611CH、及びその周囲に形成さ
れた多数のスルーホール用貫通孔611Hとを有するコ
ア基板本体611を用意する(図4(a)参照)。その
後、実施形態1と同様に、コア基板本体611の上面6
11Aに粘着テープTPを貼り付け、チップコンデンサ
613をその上面613uを下向きにして、コンデンサ
用貫通孔611CH内に所定の間隔で配置する(図4
(b)参照)。流動性の良好な熱硬化性樹脂をコンデン
サ用貫通孔611CH内に充填し、加熱して硬化させ、
絶縁樹脂体616を介してコア基板本体611とチップ
コンデンサ613、及び、チップコンデンサ613同士
を固着する。裏面611B側をベルトサンダによって研
磨し余分な絶縁樹脂体616を除去する。
Next, a method of manufacturing the wiring board 600 will be described. First, a method for manufacturing the core substrate 610 (see FIG. 13) will be described. As in the first embodiment, the main surface 61
A core substrate main body 611 having a large and substantially rectangular capacitor through-hole 611CH penetrating between 1A and the lower surface 611B and a large number of through-hole through holes 611H formed therearound is prepared (FIG. 4 ( a)). After that, as in the first embodiment, the upper surface 6
Adhesive tape TP is stuck to 11A, and chip capacitors 613 are arranged at predetermined intervals in capacitor through holes 611CH with the upper surface 613u facing down (FIG. 4).
(B)). A thermosetting resin having good fluidity is filled in the through hole 611CH for the capacitor, and is cured by heating.
The core substrate main body 611, the chip capacitor 613, and the chip capacitors 613 are fixed to each other via the insulating resin body 616. The back surface 611B side is polished with a belt sander to remove excess insulating resin body 616.

【0069】その後、下面611B側から側面端子61
5の下面部615ad,615bd上の絶縁樹脂体61
6に貫通孔616Hを、例えばレーザ加工によって穿孔
する。公知の無電解Cuメッキ、電解Cuメッキ及びエ
ッチングによって、この貫通孔616H内にパッケージ
面バンプ617aを形成し、これに直接接続する変換配
線を裏面610B上に形成する。また、貫通孔616H
内から裏面610Bよりも突出する下面バンプ617b
を形成する。また同時に、上面部615buの厚さを厚
くして主面610Aから突出させる。さらに、主面61
0Aに上面部615auと直接接続する第1ベタ導体層
626を形成する。また、スルーホール用貫通孔611
H内にはスルーホール導体612を形成して、コア基板
610を形成する。
Thereafter, the side surface terminals 61 are moved from the lower surface 611B side.
Insulating resin body 61 on lower surface portions 615ad and 615bd of 5
6, a through hole 616H is formed by, for example, laser processing. A package surface bump 617a is formed in the through-hole 616H by known electroless Cu plating, electrolytic Cu plating, and etching, and a conversion wiring directly connected to the bump 617a is formed on the back surface 610B. Also, the through hole 616H
Lower surface bump 617b projecting from inside from rear surface 610B
To form At the same time, the thickness of the upper surface portion 615bu is increased to protrude from the main surface 610A. Furthermore, the main surface 61
A first solid conductor layer 626 that is directly connected to the upper surface 615au is formed at 0A. In addition, through holes 611 for through holes
A through-hole conductor 612 is formed in H, and a core substrate 610 is formed.

【0070】その後、公知のビルドアップ配線基板の形
成手法によって、各樹脂絶縁層122〜125,142
〜145を形成すると共に、各層間には、第2ベタ導体
層627、配線層128,129、変換配線147を形
成し、また各樹脂絶縁層を貫通するビア導体630,6
31,132,133,151,152,153を形成
し、さらにパッド154を形成して配線基板600を完
成する。この配線基板600も、実施形態1の配線基板
100と同様に、チップコンデンサ613を多数内蔵し
ているため、ノイズを確実に除去できる上、複数のチッ
プコンデンサ113を並列に接続しているので、内蔵す
るコンデンサ全体としてのインダクタンスも低減させる
ことができる。しかも、各チップコンデンサ613につ
いて見ても隣り合って対向する側面端子615同士の極
性が異なり、流れる電流の向きが逆向きになるので、よ
り一層低インダクタンスでICチップCHとコンデンサ
113とを接続することができる。
Thereafter, each of the resin insulating layers 122 to 125 and 142 is formed by a known build-up wiring board forming method.
145, the second solid conductor layer 627, the wiring layers 128 and 129, and the conversion wiring 147 are formed between the respective layers, and the via conductors 630 and 6 penetrating through the respective resin insulating layers are formed.
31, 132, 133, 151, 152, and 153 are formed, and pads 154 are further formed to complete the wiring board 600. Since the wiring board 600 also includes a large number of chip capacitors 613 similarly to the wiring board 100 of the first embodiment, noise can be surely removed, and a plurality of chip capacitors 113 are connected in parallel. The inductance of the built-in capacitor as a whole can also be reduced. In addition, even when looking at each chip capacitor 613, the polarities of the side terminals 615 adjacent to each other are different, and the direction of the flowing current is opposite, so that the IC chip CH and the capacitor 113 are connected with even lower inductance. be able to.

【0071】以上において、本発明を各実施形態及び変
形形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。例
えば、上記実施形態1,2,3及び変形形態1,2にお
いては、チップコンデンサの第1側面と第3側面にそれ
ぞれ同数(実施形態では4つずつ)、側面端子115等
が形成されたコンデンサを用いた。しかし、例えば、図
11に示すチップコンデンサ413のように、第1側面
413S1と第3側面413S3だけでなく、第2側面
413S2及び第4側面413S4にも側面端子415
(415a,415b)を同数(図では2ヶずつ)形成
したものを用いても良い。この際、隣り合う側面端子4
15の電位を、図11に示すように、共通第1電位(例
えば、「+」で示す電源電位)と共通第2電位(例えば
「G]で示す接地電位)とが交互に現れる配置とする。
このようにしたチップコンデンサ415を用いても、対
向して隣り合う側面端子415同士でインダクタンスを
打ち消し合うので、より低インダクタンスでチップコン
デンサとICチップ等とを接続することができるように
なる。
In the above, the present invention has been described with reference to the respective embodiments and modifications. However, the present invention is not limited to the above embodiments and the like, and may be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. It goes without saying that it can be applied. For example, in the first, second, and third embodiments and the first and second modifications, the first and third side surfaces of the chip capacitor have the same number (four in the embodiment), side terminals 115, and the like. Was used. However, for example, like the chip capacitor 413 shown in FIG. 11, not only the first side surface 413S1 and the third side surface 413S3, but also the side surface terminals 415 on the second side surface 413S2 and the fourth side surface 413S4.
(415a, 415b) having the same number (two in the figure) may be used. At this time, the adjacent side terminals 4
As shown in FIG. 11, the 15 potentials are arranged such that a common first potential (for example, a power supply potential indicated by “+”) and a common second potential (for example, a ground potential indicated by “G”) appear alternately. .
Even if such a chip capacitor 415 is used, the inductance is canceled by the side terminals 415 adjacent to each other facing each other, so that the chip capacitor can be connected to an IC chip or the like with lower inductance.

【0072】さらに、チップコンデンサ413同士を密
集して配置し、1つのチップコンデンサにおいて隣り合
う側面端子415同士の間隔P1,P3よりも、隣り合
うチップコンデンサ413同士の対向する側面端子41
5同士の間隔P2,P4を小さくすると、さらに低イン
ダクタンスにすることができる。また、上記実施形態等
では、いずれもチップコンデンサとして同一形状のもの
を用い、これらを縦横格子状に配置した。しかし、隣り
合うコンデンサの側面端子同士が対向して隣り合ってお
り、それらの極性が異なるように接続されていれば良
い。少なくともこれらの側面端子同士の間ではインダク
タンスの低減を図ることができるからである。
Further, the chip capacitors 413 are densely arranged, and the distance between the opposing side terminals 41 of the adjacent chip capacitors 413 is smaller than the distances P1 and P3 between the adjacent side terminals 415 in one chip capacitor.
If the distances P2 and P4 between the 5 are made smaller, the inductance can be further reduced. Further, in the above embodiments and the like, chip capacitors having the same shape were used, and these were arranged in a vertical and horizontal lattice. However, it is only necessary that the side terminals of the adjacent capacitors are adjacent to each other so as to face each other, and they are connected so that their polarities are different. This is because the inductance can be reduced at least between these side terminals.

【0073】また、上記実施形態等では、チップコンデ
ンサ113等をコア基板本体111内に内蔵させたが、
チップコンデンサは配線基板に内蔵されていれば良く、
例えば、コア基板上や樹脂絶縁層上に載置するようにし
ても良い。また、チップコンデンサがコア基板内に収ま
る厚さのコア基板本体を使用するものにも限定されるも
のでもない。さらに、コア基板本体内に内蔵する場合に
も、実施形態等のようにする他、コア基板本体に形成し
た凹部内にチップコンデンサを配置し内蔵しても良い。
In the above-described embodiments and the like, the chip capacitor 113 and the like are built in the core substrate main body 111.
The chip capacitor only needs to be built in the wiring board,
For example, it may be mounted on a core substrate or a resin insulating layer. Further, the present invention is not limited to the one using a core substrate body having a thickness such that the chip capacitor can be accommodated in the core substrate. Further, even when the chip capacitor is incorporated in the core substrate main body, a chip capacitor may be arranged and embedded in a concave portion formed in the core substrate main body in addition to the embodiment.

【0074】さらに、上記実施形態等では、チップコン
デンサ113等と主面100A等との間に、第1ベタ導
体層126,第2ベタ導体層127などを形成した。こ
のようにすると、一般に側面端子115等の間隔などに
比して、間隔の狭くされているバンプ134との接続が
容易にできるメリットがある。しかし、各バンプ134
のうち所定のバンプとチップコンデンサ113の側面端
子115a,115bとを適切に接続できれば良く、樹
脂絶縁層121〜125の層間に形成した配線層や樹脂
絶縁層121等を貫通するビア導体によって、側面端子
115と各々のバンプ134とを接続するようにしても
良い。また、例えば、樹脂絶縁層121と122の層間
に縞状の導体層を設け、各縞状導体層が交互に共通第1
電位(電源電位)及び共通第2電位(接地電位)となる
ように、個々の縞状導体層と側面端子115a,115
bを接続する。さらにこの縞状導体層と各バンプ134
とを接続するという構造にしても良い。
Further, in the above-described embodiments and the like, the first solid conductor layer 126, the second solid conductor layer 127, and the like are formed between the chip capacitor 113 and the like and the main surface 100A and the like. In this case, there is an advantage that the connection with the bump 134 having a narrower interval can be easily performed as compared with the interval between the side terminals 115 and the like. However, each bump 134
It is sufficient that the predetermined bumps can be appropriately connected to the side terminals 115a and 115b of the chip capacitor 113, and the via conductor penetrates the wiring layer formed between the resin insulating layers 121 to 125, the resin insulating layer 121, and the like. The terminal 115 and each bump 134 may be connected. Also, for example, a striped conductor layer is provided between the resin insulating layers 121 and 122, and the striped conductor layers are alternately shared by the first common layer.
Each of the striped conductor layers and the side terminals 115a and 115 are set to have a potential (power supply potential) and a common second potential (ground potential).
b is connected. Further, the striped conductor layer and each bump 134
May be connected.

【0075】さらに、上記実施形態等では、第1,第2
ベタ導体層126,127等として、透孔126H,1
27H等を有するものの、平面方向に拡がるベタ状つま
り平板状のベタ導体層としたものを示した。しかし、平
面方向に拡がり、第1,第2主面側ビア導体132a,
132bや第1,第2コンデンサ側ビア導体130,1
31との接続が容易であれば、従って、第1,第2主面
側ビア導体132a,132b等と第1,第2コンデン
サ側ビア導体130,131等との位置の変換が容易で
あれば、平板状でなくとも良く、例えば、ストライプ状
やメッシュ状などの形態を採用することもできる。ま
た、第1,第2主面側ビア導体132a,132bなど
は、複数の樹脂絶縁層122等を貫通するスタックドビ
アあるいはスルービアの形態としたが、途中に配線基板
の平面方向に延びる配線層を介在させることもできる。
Further, in the above embodiment and the like, the first and second
As the solid conductor layers 126, 127, etc., the through holes 126H, 1
Although the solid conductor layer has a height of 27H or the like, but has a solid shape extending in the plane direction, that is, a flat solid conductor layer is shown. However, it spreads in the plane direction, and the first and second main surface side via conductors 132a, 132a,
132b and the first and second capacitor-side via conductors 130, 1
If the connection to the first and second capacitor-side via conductors 132a, 132b and the like and the first and second capacitor-side via conductors 130, 131 and the like can be easily converted. The shape is not limited to a flat plate shape, and for example, a form such as a stripe shape or a mesh shape can be adopted. Further, the first and second main surface side via conductors 132a, 132b and the like are in the form of stacked vias or through vias penetrating the plurality of resin insulating layers 122 and the like, but a wiring layer extending in the plane direction of the wiring board is interposed on the way. It can also be done.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1にかかる配線基板の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a wiring board according to a first embodiment.

【図2】縦横格子状に配列させたチップコンデンサの各
側面端子の電位を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing potentials at respective side terminals of chip capacitors arranged in a vertical and horizontal lattice.

【図3】縦横格子状に配列させたチップコンデンサの様
子及び側面端子を流れる電流の方向を示す斜視説明図で
ある。
FIG. 3 is a perspective explanatory view showing states of chip capacitors arranged in a vertical and horizontal lattice and directions of current flowing through side terminals.

【図4】実施形態1にかかる配線基板の製造方法の説明
図であり、(a)は使用するコア基板本体を示し、
(b)はコア基板本体内にチップコンデンサを配置する
様子を示す。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a method of manufacturing a wiring board according to the first embodiment, where (a) shows a core substrate body to be used;
(B) shows how chip capacitors are arranged in the core substrate body.

【図5】実施形態1にかかる配線基板の製造方法の断面
説明図であり、コア基板が完成した状態を示す、なお、
上方の円内は、スルーホール部分を拡大して示す説明
図、下方の円内はチップコンデンサ部分を拡大して示す
説明図である。
FIG. 5 is an explanatory sectional view of the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment, showing a state where a core substrate is completed.
The upper circle is an enlarged explanatory diagram showing a through hole portion, and the lower circle is an enlarged explanatory diagram showing a chip capacitor portion.

【図6】変形形態1にかかる配線基板に使用するコア基
板の断面を示す説明図であり、(a)はメッキを施して
コア基板が完成した状態、(b)はコア基板を配置し樹
脂を充填を研磨した状態を示す。
FIGS. 6A and 6B are explanatory views showing a cross section of a core substrate used for a wiring substrate according to Modification 1, in which FIG. 6A is a state in which a core substrate is completed by plating, and FIG. Shows a state where the filling is polished.

【図7】変形形態1にかかる配線基板の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a wiring board according to a first modification;

【図8】実施形態2にかかる配線基板の断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a wiring board according to a second embodiment.

【図9】実施形態2にかかる配線基板に使用するコア基
板の断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view of a core board used for the wiring board according to the second embodiment.

【図10】実施形態2にかかる配線基板の断面図であ
る。
FIG. 10 is a sectional view of a wiring board according to a second embodiment.

【図11】チップコンデンサの他の配列例及び各側面端
子の電位を示すを示す説明図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing another example of the arrangement of chip capacitors and the potential of each side terminal.

【図12】実施形態3にかかる配線基板の断面図であ
る。
FIG. 12 is a sectional view of a wiring board according to a third embodiment;

【図13】実施形態3にかかる配線基板に使用するコア
基板の断面図である。
FIG. 13 is a sectional view of a core substrate used for the wiring substrate according to the third embodiment;

【図14】基板の主面や裏面にチップコンデンサを搭載
した従来の配線基板を示す説明図である。
FIG. 14 is an explanatory view showing a conventional wiring board having a chip capacitor mounted on a main surface or a back surface of the substrate.

【図15】チップコンデンサの形状及び構造を示す説明
図であり、(a)は対向する2つの側面からそれぞれの
電極を取り出すタイプ、(b)は側面に多数の端子を形
成して電極を取り出すタイプ、(c)は(b)に示すチ
ップコンデンサの構造を示す。
15A and 15B are explanatory diagrams showing the shape and structure of a chip capacitor, wherein FIG. 15A shows a type in which each electrode is taken out from two opposing side surfaces, and FIG. 15B shows a case in which a large number of terminals are formed on the side surface to take out electrodes. (C) shows the structure of the chip capacitor shown in (b).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100,200,300,500,600 配線基板 100A,200A,300A,500A,600A
主面 100B,200B,300B,500B,600B
裏面 110,210,310,510,610 コア基板 110A,210A,310A,510A,610A
コア基板の主面(コア主面) 110B,210B,310B,510B,610B
コア基板の下面(コア裏面) 111,211,311,511,611 コア基板本
体 111,211,311,513,514,515,6
11 コア絶縁層 112,212,312,512,612 スルーホー
ル導体 113,213,313,613 チップコンデンサ 113u チップコンデンサの上面 115a,215a,315a,415a,615a
一方の側面端子(第1電位側面端子、第1コンデンサ端
子) 115b,215b,315b,415b,615b
他方の側面端子(第2電位側面端子、 115au,115bu,215au,215bu,3
15au,315bu,615au,615bu 上面
部 116,216,316,616 絶縁樹脂体 126,127,326,327,626,627 ベ
タ導体層 126,326,626 第1ベタ導体層(第1変換導
体層) 127,327,627 第2ベタ導体層(第2変換導
体層) 130,330 第1コンデンサ側ビア導体(第1コン
デンサ側接続配線) 131,331 第2コンデンサ側ビア導体(第2コン
デンサ側接続配線) 132a,332a 第1主面側ビア導体(第1主面側
接続配線) 132b,332b 第2主面側ビア導体(第2主面側
接続配線) 134,334 バンプ(接続端子) 134a,334a 第1バンプ(第1接続端子) 134b,334b 第2バンプ(第2接続端子)
100, 200, 300, 500, 600 Wiring board 100A, 200A, 300A, 500A, 600A
Main surface 100B, 200B, 300B, 500B, 600B
Back 110, 210, 310, 510, 610 Core substrate 110A, 210A, 310A, 510A, 610A
Main surface of core substrate (core main surface) 110B, 210B, 310B, 510B, 610B
Lower surface of core substrate (core back surface) 111, 211, 311, 511, 611 Core substrate body 111, 211, 311, 513, 514, 515, 6
11 Core insulating layer 112, 212, 312, 512, 612 Through-hole conductor 113, 213, 313, 613 Chip capacitor 113u Upper surface of chip capacitor 115a, 215a, 315a, 415a, 615a
One side terminal (first potential side terminal, first capacitor terminal) 115b, 215b, 315b, 415b, 615b
The other side terminal (second potential side terminal, 115au, 115bu, 215au, 215bu, 3
15au, 315bu, 615au, 615bu Upper surface portion 116, 216, 316, 616 Insulating resin body 126, 127, 326, 327, 626, 627 Solid conductor layer 126, 326, 626 First solid conductor layer (first conversion conductor layer) 127, 327, 627 Second solid conductor layer (second conversion conductor layer) 130, 330 First capacitor side via conductor (first capacitor side connection line) 131, 331 Second capacitor side via conductor (second capacitor side connection line) 132a, 332a First main surface side via conductor (first main surface side connection wiring) 132b, 332b Second main surface side via conductor (second main surface side connection wiring) 134, 334 Bump (connection terminal) 134a, 334a First bump (first connection terminal) 134b, 334b Second bump (second connection terminal)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/12 E ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/12 E

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】主面と裏面とを有する配線基板であって、 上記主面側に形成され、この主面上に搭載する電子部品
の端子と接続可能な複数の接続端子であって、 共通第1電位とされる多数の第1接続端子、及び共通第
2電位とされる多数の第2接続端子を含む接続端子と、 上記配線基板に内蔵され、 一方の電極が共通第1電位に、他方の電極が共通第2電
位にそれぞれ接続され、 上記一方の電極に接続する少なくとも1つの第1コンデ
ンサ端子、及び上記他方の電極に接続する少なくとも1
つの第2コンデンサ端子、 を有する少なくとも1つのチップコンデンサと、 上記チップコンデンサと上記接続端子との間に介在し平
面方向に拡がる第2変換導体層と、 上記第2変換導体層と上記チップコンデンサとの間に介
在し平面方向に拡がる第1変換導体層と、 上記第1接続端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ方向
裏面側に向かって延び、上記第2変換導体層とはそれぞ
れ絶縁しつつ、上記第1変換導体層とそれぞれ電気的に
接続する第1主面側接続配線と、 上記第2接続端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ方向
裏面側に向かって延び、上記第2変換導体層とそれぞれ
電気的に接続する第2主面側接続配線と、 上記第1コンデンサ端子から上記配線基板の厚さ方向主
面側に向かって延び、上記第1変換導体層に接続する第
1コンデンサ側接続配線と、 上記第2コンデンサ端子から上記配線基板の厚さ方向主
面側に向かって延び、上記第1変換導体層とは絶縁しつ
つ、上記第2変換導体層に接続する第2コンデンサ側接
続配線と、を備える配線基板。
1. A wiring board having a main surface and a back surface, comprising: a plurality of connection terminals formed on the main surface side and connectable to terminals of electronic components mounted on the main surface; A connection terminal including a number of first connection terminals having a first potential and a number of second connection terminals having a common second potential, and one of the electrodes being built in the wiring board, and one of the electrodes having a common first potential; The other electrodes are each connected to a common second potential, at least one first capacitor terminal connected to the one electrode, and at least one first capacitor terminal connected to the other electrode.
At least one chip capacitor having two second capacitor terminals; a second conversion conductor layer interposed between the chip capacitor and the connection terminal and extending in a plane direction; the second conversion conductor layer and the chip capacitor; A first conversion conductor layer interposed between the first conversion terminal and the first conversion conductor layer, extending from the first connection terminal toward the back side in the thickness direction of the wiring board, and insulating the second conversion conductor layer from each other; A first main-surface-side connection wiring electrically connected to the first conversion conductor layer; and a second connection terminal extending from the second connection terminal toward a back surface in the thickness direction of the wiring board. A second main surface side connection wire electrically connected to the first capacitor terminal, a first capacitor extending from the first capacitor terminal toward the main surface in the thickness direction of the wiring board, and connected to the first conversion conductor layer; A second connection conductor extending from the second capacitor terminal toward the main surface in the thickness direction of the wiring board and insulated from the first conversion conductor layer and connected to the second conversion conductor layer. A wiring board comprising: a capacitor-side connection wiring;
【請求項2】請求項1に記載の配線基板であって、 コア主面とコア裏面とを有し、1または複数のコア絶縁
層からなるコア基板本体を含み、前記チップコンデンサ
を内蔵するコア基板を備える配線基板。
2. The wiring board according to claim 1, wherein the core has a core main surface and a core back surface, includes a core substrate main body made of one or a plurality of core insulating layers, and includes the chip capacitor. A wiring board comprising a board.
【請求項3】主面と裏面とを有する配線基板であって、 上記主面側に形成され、この主面上に搭載する電子部品
の端子と接続可能な複数の接続端子であって、 共通第1電位とされる多数の第1接続端子、及び共通第
2電位とされる多数の第2接続端子を含む接続端子と、 コア主面とコア裏面とを有し、1または複数のコア絶縁
層からなるコア基板本体、及び、 上記コア基板本体に内蔵され、一方の電極が共通第1電
位に、他方の電極が共通第2電位にそれぞれ接続され、
上記一方の電極に接続する複数の第1コンデンサ端子、
及び上記他方の電極に接続する複数の第2コンデンサ端
子を有する複数のチップコンデンサを含むコア基板と、 上記コア基板のコア主面と上記接続端子との間に介在し
平面方向に拡がる第2変換導体層と、 上記第2変換導体層と上記コア基板のコア主面との間に
位置し平面方向に拡がる第1変換導体層と、 上記第1接続端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ方向
裏面側に向かって延び、上記第2変換導体層とはそれぞ
れ絶縁しつつ、上記第1変換導体層とそれぞれ電気的に
接続する第1主面側ビア導体と、 上記第2接続端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ方向
裏面側に向かって延び、上記第2変換導体層とそれぞれ
電気的に接続する第2主面側ビア導体と、 上記チップコンデンサの第1コンデンサ端子からそれぞ
れ上記配線基板の厚さ方向主面側に向かって延び、上記
第1変換導体層に接続する第1コンデンサ側ビア導体
と、 上記チップコンデンサの第2コンデンサ端子からそれぞ
れ上記配線基板の厚さ方向主面側に向かって延び、上記
第1変換導体層とはそれぞれ絶縁しつつ、上記第2変換
導体層に接続する第2コンデンサ側ビア導体と、を備え
る配線基板。
3. A wiring board having a main surface and a back surface, comprising: a plurality of connection terminals formed on the main surface and connectable to terminals of electronic components mounted on the main surface; A connection terminal including a plurality of first connection terminals having a first potential and a plurality of second connection terminals having a common second potential, a core main surface and a core back surface, and one or a plurality of core insulation members; A core substrate body composed of layers, and embedded in the core substrate body, one electrode is connected to a common first potential, and the other electrode is connected to a common second potential,
A plurality of first capacitor terminals connected to the one electrode,
And a core substrate including a plurality of chip capacitors having a plurality of second capacitor terminals connected to the other electrode; and a second conversion interposed between the core main surface of the core substrate and the connection terminals and extending in a planar direction. A conductor layer, a first conversion conductor layer located between the second conversion conductor layer and the core main surface of the core substrate and extending in a plane direction, and a back surface in the thickness direction of the wiring substrate from the first connection terminal. A first main surface side via conductor extending toward the side and electrically connected to the first conversion conductor layer while being insulated from the second conversion conductor layer, respectively; and the wiring from the second connection terminal. A second main surface side via conductor extending toward the rear surface side in the thickness direction of the substrate and electrically connected to the second conversion conductor layer; and a thickness of the wiring substrate from a first capacitor terminal of the chip capacitor. A first capacitor-side via conductor connected to the first conversion conductor layer and extending from the second capacitor terminal of the chip capacitor toward the main surface in the thickness direction of the wiring board; A second capacitor-side via conductor connected to the second conversion conductor layer while being insulated from the first conversion conductor layer.
【請求項4】主面と裏面とを有する配線基板であって、 上記主面側に形成され、この主面上に搭載する電子部品
の端子と接続可能な複数の接続端子であって、 共通第1電位とされる多数の第1接続端子、及び共通第
2電位とされる多数の第2接続端子を含む接続端子と、 コア主面とコア裏面とを有し、1または複数のコア絶縁
層からなるコア基板本体、及び、 上記コア基板本体に内蔵され、一方の電極が共通第1電
位に、他方の電極が共通第2電位にそれぞれ接続され、
上記一方の電極に接続する複数の第1コンデンサ端子、
及び上記他方の電極に接続する複数の第2コンデンサ端
子を有する少なくとも1つのチップコンデンサを含むコ
ア基板と、 上記コア主面上に位置し第1コンデンサ端子と接続し平
面方向に拡がる第1変換導体層と、 上記コア基板のコア主面と上記接続端子との間に介在し
平面方向に拡がる第2変換導体層と、 上記第1接続端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ方向
裏面側に向かって延び、上記第2変換導体層とはそれぞ
れ絶縁しつつ、上記第1変換導体層とそれぞれ電気的に
接続する第1主面側ビア導体と、 上記第2接続端子からそれぞれ上記配線基板の厚さ方向
裏面側に向かって延び、上記第2変換導体層とそれぞれ
電気的に接続する第2主面側ビア導体と、 上記チップコンデンサの第2コンデンサ端子からそれぞ
れ上記配線基板の厚さ方向主面側に向かって延び、上記
第1変換導体層とはそれぞれ絶縁しつつ、上記第2変換
導体層に接続する第2コンデンサ側ビア導体と、を備え
る配線基板。
4. A wiring board having a main surface and a back surface, comprising: a plurality of connection terminals formed on the main surface side and connectable to terminals of electronic components mounted on the main surface; A connection terminal including a plurality of first connection terminals having a first potential and a plurality of second connection terminals having a common second potential, a core main surface and a core back surface, and one or a plurality of core insulation members; A core substrate body composed of layers, and embedded in the core substrate body, one electrode is connected to a common first potential, and the other electrode is connected to a common second potential,
A plurality of first capacitor terminals connected to the one electrode,
And a core substrate including at least one chip capacitor having a plurality of second capacitor terminals connected to the other electrode; and a first conversion conductor located on the core main surface and connected to the first capacitor terminal and extending in a plane direction. A second conversion conductor layer interposed between the core main surface of the core substrate and the connection terminal and extending in a plane direction; and from the first connection terminal toward the back side in the thickness direction of the wiring substrate. A first main surface side via conductor extending and electrically connected to the first conversion conductor layer while being insulated from the second conversion conductor layer; and a thickness of the wiring board from the second connection terminal. A second main surface via conductor extending toward the rear surface in the direction and electrically connected to the second conversion conductor layer, respectively; and a thickness of the wiring board from a second capacitor terminal of the chip capacitor. It extends toward the main surface side, while insulating each from the first conversion conductor layer, a wiring substrate comprising: a second capacitor side via conductor connected to the second conversion conductor layer.
【請求項5】請求項4に記載の配線基板であって、 前記接続端子と前記コア基板の前記コア主面との間に、
少なくとも1つの絶縁層を備え、 前記第2変換導体層は、前記コア主面に接する上記絶縁
層の前記主面側面上に形成されてなる配線基板。
5. The wiring board according to claim 4, wherein: between the connection terminal and the core main surface of the core board.
A wiring board comprising at least one insulating layer, wherein the second conversion conductor layer is formed on a side surface of the main surface of the insulating layer that is in contact with the main surface of the core.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217382A (en) * 2004-02-02 2005-08-11 Shinko Electric Ind Co Ltd Capacitor device, semiconductor device having it, and method for manufacturing capacitor device
JP2007305953A (en) * 2005-09-01 2007-11-22 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring substrate, and capacitor
WO2011074283A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-23 日本特殊陶業株式会社 Capacitor-equipped wiring substrate and component-equipped wiring substrate
JP5576973B1 (en) * 2013-03-19 2014-08-20 太陽誘電株式会社 Electronic component built-in substrate
KR101472628B1 (en) * 2012-07-02 2014-12-15 삼성전기주식회사 Capacitor embedded PCB(printed circuit board)
CN108807360A (en) * 2017-04-26 2018-11-13 日月光半导体(韩国)有限公司 The method of semiconductor packaging device and manufacture semiconductor packaging device
WO2023243418A1 (en) * 2022-06-15 2023-12-21 ローム株式会社 Semiconductor device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005217382A (en) * 2004-02-02 2005-08-11 Shinko Electric Ind Co Ltd Capacitor device, semiconductor device having it, and method for manufacturing capacitor device
JP2007305953A (en) * 2005-09-01 2007-11-22 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring substrate, and capacitor
WO2011074283A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-23 日本特殊陶業株式会社 Capacitor-equipped wiring substrate and component-equipped wiring substrate
US8654539B2 (en) 2009-12-15 2014-02-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Capacitor-incorporated substrate and component-incorporated wiring substrate
KR101472628B1 (en) * 2012-07-02 2014-12-15 삼성전기주식회사 Capacitor embedded PCB(printed circuit board)
JP5576973B1 (en) * 2013-03-19 2014-08-20 太陽誘電株式会社 Electronic component built-in substrate
US9055671B2 (en) 2013-03-19 2015-06-09 Taiyo Yuden Co., Ltd Substrate with built-in electronic component
CN108807360A (en) * 2017-04-26 2018-11-13 日月光半导体(韩国)有限公司 The method of semiconductor packaging device and manufacture semiconductor packaging device
WO2023243418A1 (en) * 2022-06-15 2023-12-21 ローム株式会社 Semiconductor device

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