JP2001335590A - スルホニル基含有ホスファゼン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
スルホニル基含有ホスファゼン誘導体及びその製造方法Info
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- JP2001335590A JP2001335590A JP2000157053A JP2000157053A JP2001335590A JP 2001335590 A JP2001335590 A JP 2001335590A JP 2000157053 A JP2000157053 A JP 2000157053A JP 2000157053 A JP2000157053 A JP 2000157053A JP 2001335590 A JP2001335590 A JP 2001335590A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非水電解液二次電池の電解液に利用可能な新
規な構造を有するスルホニル基含有ホスファゼン誘導体
およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（１）； （Ｒ1 Ｏ）3 Ｐ＝Ｎ−ＳＯ2 −Ｒ2 （１） ｛式中、Ｒ1 はハロゲン原子で置換されていてもよい次
式の基；ＣＨ3-( ＯＣＨ 2 ＣＨ2)n - （ｎは１〜５の整
数を示す。）を示し、Ｒ2 はハロゲン原子で置換されて
いてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、ハロゲン原子
で置換されていてもよいフェニル基又は炭素数１〜４の
アルキル基で置換されたフェニル基を示し、該アルキル
基で置換されたフェニル基は、該アルキル基がハロゲン
原子で置換されていてもよい。｝で表されるスルホニル
基含有ホスファゼン誘導体。
規な構造を有するスルホニル基含有ホスファゼン誘導体
およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（１）； （Ｒ1 Ｏ）3 Ｐ＝Ｎ−ＳＯ2 −Ｒ2 （１） ｛式中、Ｒ1 はハロゲン原子で置換されていてもよい次
式の基；ＣＨ3-( ＯＣＨ 2 ＣＨ2)n - （ｎは１〜５の整
数を示す。）を示し、Ｒ2 はハロゲン原子で置換されて
いてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、ハロゲン原子
で置換されていてもよいフェニル基又は炭素数１〜４の
アルキル基で置換されたフェニル基を示し、該アルキル
基で置換されたフェニル基は、該アルキル基がハロゲン
原子で置換されていてもよい。｝で表されるスルホニル
基含有ホスファゼン誘導体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、電解液、
潤滑油等の難燃化に有用な新規なスルホニル基含有ホス
ファゼン誘導体およびその製造方法に関するものであ
る。
潤滑油等の難燃化に有用な新規なスルホニル基含有ホス
ファゼン誘導体およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ホスファゼンは、難燃剤、耐油性
エラストマー、ガス分離膜、電解質などに用いられてき
た。近年、非水電解液二次電池は、高電圧、高エネルギ
ー密度という優れた自己放電性を有することから、特に
パソコン、ＶＴＲ等の情報機器やＡＶのメモリーのバッ
クアップやそれらの駆動電源用電池として注目され、特
開平０６−１３１０８号公報には、非水電解質二次電池
の電解質に、（ＮＰＲ2)n（式中、Ｒは一価の有機基、
ｎは３〜１５）で表される環状ホスファゼン誘導体又は
Ｒ3 ( Ｐ＝Ｎ) m - ＰＲ4 ( 式中、ｍは１〜２０、Ｒは
一価の有機基、Ｏ、又はＣの中から選ばれる。）で表さ
れる鎖状型ホスファゼン誘導体を含有させることによ
り、短絡時における破裂、発火の危険性を取り除いた非
水電解質二次電池が提案されている。
エラストマー、ガス分離膜、電解質などに用いられてき
た。近年、非水電解液二次電池は、高電圧、高エネルギ
ー密度という優れた自己放電性を有することから、特に
パソコン、ＶＴＲ等の情報機器やＡＶのメモリーのバッ
クアップやそれらの駆動電源用電池として注目され、特
開平０６−１３１０８号公報には、非水電解質二次電池
の電解質に、（ＮＰＲ2)n（式中、Ｒは一価の有機基、
ｎは３〜１５）で表される環状ホスファゼン誘導体又は
Ｒ3 ( Ｐ＝Ｎ) m - ＰＲ4 ( 式中、ｍは１〜２０、Ｒは
一価の有機基、Ｏ、又はＣの中から選ばれる。）で表さ
れる鎖状型ホスファゼン誘導体を含有させることによ
り、短絡時における破裂、発火の危険性を取り除いた非
水電解質二次電池が提案されている。
【０００３】しかし、このホスファゼン誘導体を電解質
に含有させることにより、電解質の難燃性をある程度改
善できるものの、その反面、電池性能が低下するという
問題がある。近年、非水電解液二次電池において、スピ
ネル構造のマンガン酸リチウムを正極活物質を用いた非
水電解液二次電池の電解液にホスファゼン誘導体を含有
させ高温寿命特性を向上させた非水電解液二次電池（特
開平２０００−２１４４２号公報）、電解液にホスファ
ゼン誘導体を含有させ、電池特性、特に、充放電サイク
ル特性および難燃性に優れたリチウム二次電池（特開平
２０００−３０７４０号公報）、電解液にリン酸エステ
ルとホスファゼン誘導体を含有させた、難燃性と電池の
サイクル特性に優れた非水電解液電池（特開平１１−１
９１４３１号公報）等で見られるように、非水電解液電
池の電解液にホスファゼン誘導体を含有させることによ
り、電解液の難燃化だけでなく、電池性能を向上させる
ことが提案されている。
に含有させることにより、電解質の難燃性をある程度改
善できるものの、その反面、電池性能が低下するという
問題がある。近年、非水電解液二次電池において、スピ
ネル構造のマンガン酸リチウムを正極活物質を用いた非
水電解液二次電池の電解液にホスファゼン誘導体を含有
させ高温寿命特性を向上させた非水電解液二次電池（特
開平２０００−２１４４２号公報）、電解液にホスファ
ゼン誘導体を含有させ、電池特性、特に、充放電サイク
ル特性および難燃性に優れたリチウム二次電池（特開平
２０００−３０７４０号公報）、電解液にリン酸エステ
ルとホスファゼン誘導体を含有させた、難燃性と電池の
サイクル特性に優れた非水電解液電池（特開平１１−１
９１４３１号公報）等で見られるように、非水電解液電
池の電解液にホスファゼン誘導体を含有させることによ
り、電解液の難燃化だけでなく、電池性能を向上させる
ことが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ホスファゼン化合物は、難燃性と電池性能の向上という
点ではそれなりの効果を示しているものの、未だ十分で
はなく、難燃性を付与する機能と共に、優れた電気特性
を持つ新規なホスファゼン化合物の出現が望まれてい
た。
ホスファゼン化合物は、難燃性と電池性能の向上という
点ではそれなりの効果を示しているものの、未だ十分で
はなく、難燃性を付与する機能と共に、優れた電気特性
を持つ新規なホスファゼン化合物の出現が望まれてい
た。
【０００５】従って、本発明の目的は、非水電解液二次
電池の電解液に利用可能な新規な構造を有するスルホニ
ル基含有ホスファゼン誘導体およびその製造方法を提供
することにある。
電池の電解液に利用可能な新規な構造を有するスルホニ
ル基含有ホスファゼン誘導体およびその製造方法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる実情において、本
発明者らは鋭意検討を行った結果、五ハロゲン化リンと
特定のスルホンアミドとを反応させることによりハロゲ
ン化ホスファゼンを得、次いで、該ハロゲン化ホスファ
ゼンと特定のアルコラートとを反応させることにより、
新規なスルホニル基含有ホスファゼン誘導体が得られる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
発明者らは鋭意検討を行った結果、五ハロゲン化リンと
特定のスルホンアミドとを反応させることによりハロゲ
ン化ホスファゼンを得、次いで、該ハロゲン化ホスファ
ゼンと特定のアルコラートとを反応させることにより、
新規なスルホニル基含有ホスファゼン誘導体が得られる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】すなわち、本発明は、下記一般式（１）； （Ｒ1 Ｏ）3 Ｐ＝Ｎ−ＳＯ2 −Ｒ2 （１） ｛式中、Ｒ1 はハロゲン原子で置換されていてもよい次
式の基；ＣＨ3-( ＯＣＨ 2 ＣＨ2)n - （ｎは１〜５の整
数を示す。）を示し、Ｒ2 はハロゲン原子で置換されて
いてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、ハロゲン原子
で置換されていてもよいフェニル基又は炭素数１〜４の
アルキル基で置換されたフェニル基を示し、該アルキル
基で置換されたフェニル基は、ハロゲン原子で置換され
ていてもよい。｝で表されるスルホニル基含有ホスファ
ゼン誘導体を提供するものである。
式の基；ＣＨ3-( ＯＣＨ 2 ＣＨ2)n - （ｎは１〜５の整
数を示す。）を示し、Ｒ2 はハロゲン原子で置換されて
いてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、ハロゲン原子
で置換されていてもよいフェニル基又は炭素数１〜４の
アルキル基で置換されたフェニル基を示し、該アルキル
基で置換されたフェニル基は、ハロゲン原子で置換され
ていてもよい。｝で表されるスルホニル基含有ホスファ
ゼン誘導体を提供するものである。
【０００８】また、本発明は、五ハロゲン化リンと、下
記一般式（２）； Ｈ2 Ｎ−ＳＯ2 −Ｒ2 （２） （式中、Ｒ2 は前記と同義。）で表されるスルホンアミ
ドとを反応させて、下記一般式（３）； Ｘ3 Ｐ＝Ｎ―ＳＯ2 −Ｒ2 （３） （式中、Ｒ2 は前記と同義。Ｘはハロゲン原子を示
す。）で表されるハロゲン化ホスファゼン誘導体を得、
次いで、該ハロゲン化ホスファゼン誘導体と一般式
（４）； Ｒ1 −ＯＭ （４） （式中、Ｒ1 は前記と同義。Ｍはアルカリ金属を示
す。）で表されるアルコラート類とを反応させて、前記
一般式（１）で表されるスルホニル基含有ホスファゼン
誘導体を得る製造方法を提供するものである。
記一般式（２）； Ｈ2 Ｎ−ＳＯ2 −Ｒ2 （２） （式中、Ｒ2 は前記と同義。）で表されるスルホンアミ
ドとを反応させて、下記一般式（３）； Ｘ3 Ｐ＝Ｎ―ＳＯ2 −Ｒ2 （３） （式中、Ｒ2 は前記と同義。Ｘはハロゲン原子を示
す。）で表されるハロゲン化ホスファゼン誘導体を得、
次いで、該ハロゲン化ホスファゼン誘導体と一般式
（４）； Ｒ1 −ＯＭ （４） （式中、Ｒ1 は前記と同義。Ｍはアルカリ金属を示
す。）で表されるアルコラート類とを反応させて、前記
一般式（１）で表されるスルホニル基含有ホスファゼン
誘導体を得る製造方法を提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
前記一般式（１）中、Ｒ1 は次式の基；ＣＨ3-( ＯＣＨ
2 ＣＨ2)n - （ｎは１〜５の整数を示す。）であるか、
又は当該基がハロゲン原子で置換されたものである。ｎ
の好ましい数は１〜３である。置換するハロゲン原子と
しては、特に制限されないが、塩素原子又はフッ素原子
が好ましく、特に好ましくはフッ素原子である。
前記一般式（１）中、Ｒ1 は次式の基；ＣＨ3-( ＯＣＨ
2 ＣＨ2)n - （ｎは１〜５の整数を示す。）であるか、
又は当該基がハロゲン原子で置換されたものである。ｎ
の好ましい数は１〜３である。置換するハロゲン原子と
しては、特に制限されないが、塩素原子又はフッ素原子
が好ましく、特に好ましくはフッ素原子である。
【００１０】前記一般式（１）中、Ｒ2 は、炭素数１〜
１２のアルキル基、ハロゲン原子で置換された炭素数１
〜１２のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子で一部
又は全部が置換されたフェニル基又は炭素数１〜４のア
ルキル基で置換されたフェニル基を示し、炭素数１〜４
のアルキル基で置換されたフェニル基は、アルキル基が
ハロゲン原子で一部又は全部が置換されていてもよい
し、また、アルキル基置換以外のベンゼン環に結合する
水素原子がハロゲン原子で一部又は全部が置換されてい
てもよい。炭素数１〜１２のアルキル基としては、具体
的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓec- ブチル
基、tert- ブチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル
基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル
基、ｎ−デシル基、イソデシル基、ｎ−ドデシル基、イ
ソドデシル基等が挙げられ、この中、炭素数１〜３のメ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基が
好ましい。置換するハロゲン原子としては、特に制限さ
れないが、塩素原子又はフッ素原子が好ましく、特に好
ましくはフッ素原子である。
１２のアルキル基、ハロゲン原子で置換された炭素数１
〜１２のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子で一部
又は全部が置換されたフェニル基又は炭素数１〜４のア
ルキル基で置換されたフェニル基を示し、炭素数１〜４
のアルキル基で置換されたフェニル基は、アルキル基が
ハロゲン原子で一部又は全部が置換されていてもよい
し、また、アルキル基置換以外のベンゼン環に結合する
水素原子がハロゲン原子で一部又は全部が置換されてい
てもよい。炭素数１〜１２のアルキル基としては、具体
的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓec- ブチル
基、tert- ブチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル
基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル
基、ｎ−デシル基、イソデシル基、ｎ−ドデシル基、イ
ソドデシル基等が挙げられ、この中、炭素数１〜３のメ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基が
好ましい。置換するハロゲン原子としては、特に制限さ
れないが、塩素原子又はフッ素原子が好ましく、特に好
ましくはフッ素原子である。
【００１１】また、Ｒ2 は、炭素数１〜３のアルキル基
がフッ素置換されたトリフルオロメチル基、テトラフル
オロエチル基、ヘキサフルオロプロピル基；フェニル
基、ハロゲン置換されたフェニル基、メチル基で置換さ
れたフェニル基、ハロゲン化されたメチル基で置換され
たフェニル基が好ましい。
がフッ素置換されたトリフルオロメチル基、テトラフル
オロエチル基、ヘキサフルオロプロピル基；フェニル
基、ハロゲン置換されたフェニル基、メチル基で置換さ
れたフェニル基、ハロゲン化されたメチル基で置換され
たフェニル基が好ましい。
【００１２】次いで、前記一般式（１）で表されるスル
ホニル基を有するホスファゼン誘導体の製造方法につい
て説明する。本発明の前記一般式（１）で表されるスル
ホニル基含有ホスファゼン誘導体は、例えば、五ハロゲ
ン化リンと前記一般式（２）で表されるスルホンアミド
とを反応させて、前記一般式（３）で表されるハロゲン
化ホスファゼン誘導体を得る第一工程、次いで、得られ
た前記一般式（３）で表されるハロゲン化ホスファゼン
誘導体と前記一般式（４）で表されるアルコラート類と
を反応させて、目的とする前記一般式（１）で表される
スルホニル基を有するホスファゼン誘導体を得る第二工
程からなる方法で得ることができる。
ホニル基を有するホスファゼン誘導体の製造方法につい
て説明する。本発明の前記一般式（１）で表されるスル
ホニル基含有ホスファゼン誘導体は、例えば、五ハロゲ
ン化リンと前記一般式（２）で表されるスルホンアミド
とを反応させて、前記一般式（３）で表されるハロゲン
化ホスファゼン誘導体を得る第一工程、次いで、得られ
た前記一般式（３）で表されるハロゲン化ホスファゼン
誘導体と前記一般式（４）で表されるアルコラート類と
を反応させて、目的とする前記一般式（１）で表される
スルホニル基を有するホスファゼン誘導体を得る第二工
程からなる方法で得ることができる。
【００１３】＜第一工程＞第一工程の反応原料となる五
ハロゲン化リンとしては、五塩化リン、五臭化リン、五
ヨウ化リンが挙げられ、この中、反応性の面で五塩化リ
ンが好ましい。他方の反応原料の前記一般式（２）で表
されるスルホンアミドの式中、Ｒ2 は、炭素数１〜１２
のアルキル基、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜１
２のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子で一部又は
全部が置換されたフェニル基又は炭素数１〜４のアルキ
ル基で置換されたフェニル基を示し、炭素数１〜４のア
ルキル基で置換されたフェニル基は、アルキル基がハロ
ゲン原子で一部又は全部が置換されていてもよい。炭素
数１〜１２のアルキル基としては、具体的には、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓec- ブチル基、tert- ブチ
ル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｎ−デシル基、
イソデシル基、ｎ−ドデシル基、イソドデシル基等が挙
げられ、この中、炭素数１〜３のメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基が好ましい。該アルキ
ル基を置換するハロゲン原子としては、特に制限されな
いが、塩素原子又はフッ素原子が好ましく、特にフッ素
原子が好ましい。
ハロゲン化リンとしては、五塩化リン、五臭化リン、五
ヨウ化リンが挙げられ、この中、反応性の面で五塩化リ
ンが好ましい。他方の反応原料の前記一般式（２）で表
されるスルホンアミドの式中、Ｒ2 は、炭素数１〜１２
のアルキル基、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜１
２のアルキル基、フェニル基、ハロゲン原子で一部又は
全部が置換されたフェニル基又は炭素数１〜４のアルキ
ル基で置換されたフェニル基を示し、炭素数１〜４のア
ルキル基で置換されたフェニル基は、アルキル基がハロ
ゲン原子で一部又は全部が置換されていてもよい。炭素
数１〜１２のアルキル基としては、具体的には、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−
ブチル基、イソブチル基、ｓec- ブチル基、tert- ブチ
ル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル
基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｎ−デシル基、
イソデシル基、ｎ−ドデシル基、イソドデシル基等が挙
げられ、この中、炭素数１〜３のメチル基、エチル基、
ｎ−プロピル基、イソプロピル基が好ましい。該アルキ
ル基を置換するハロゲン原子としては、特に制限されな
いが、塩素原子又はフッ素原子が好ましく、特にフッ素
原子が好ましい。
【００１４】前記一般式（２）で表されるスルホンアミ
ドの式中、Ｒ2 が炭素数１〜１２のアルキル基である場
合の好ましい化合物としては、メチルスルホンアミド、
エチルスルホンアミド、ｎ−プロピルスルホンアミド、
イソプロピルスルホンアミド等が例示される。
ドの式中、Ｒ2 が炭素数１〜１２のアルキル基である場
合の好ましい化合物としては、メチルスルホンアミド、
エチルスルホンアミド、ｎ−プロピルスルホンアミド、
イソプロピルスルホンアミド等が例示される。
【００１５】前記一般式（２）で表されるスルホンアミ
ドの式中、Ｒ2 がハロゲン原子で置換され炭素数１〜１
２のアルキル基である場合の好ましい化合物としては、
トリフルオロメチルスルホンアミド、テトラフルオロエ
チルスルホンアミド、ヘキサフルオロプロピルスルホン
アミド等が例示される。
ドの式中、Ｒ2 がハロゲン原子で置換され炭素数１〜１
２のアルキル基である場合の好ましい化合物としては、
トリフルオロメチルスルホンアミド、テトラフルオロエ
チルスルホンアミド、ヘキサフルオロプロピルスルホン
アミド等が例示される。
【００１６】前記一般式（２）で表されるスルホンアミ
ドの式中、Ｒ2 がフェニル基、ハロゲン原子で置換され
たフェニル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換された
フェニル基及びハロゲン原子で置換された炭素数１〜４
のアルキル基を有するフェニル基である場合の好ましい
化合物としては、ベンゼンスルホンアミド、メチルベン
ゼンスルホンアミド、トリフルオロメチルベンゼンスル
ホンアミド、フルオロベンゼンスルホンアミド、メタジ
フルオロベンゼンスルホンアミド、オルトジフルオロベ
ンゼンスルホンアミド、２，３，６−トリフルオロベン
ゼンスルホンアミド、２，４，５−トリフルオロベンゼ
ンスルホンアミド、３，４，５−トリフルオロベンゼン
スルホンアミド、２，３，５，６−テトラフルオロベン
ゼンスルホンアミド、３，４，５，６−テトラフルオロ
ベンゼンスルホンアミド、２，３，４，５，６−ペンタ
フルオロベンゼンスルホンアミド等を例示することがで
きる。
ドの式中、Ｒ2 がフェニル基、ハロゲン原子で置換され
たフェニル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換された
フェニル基及びハロゲン原子で置換された炭素数１〜４
のアルキル基を有するフェニル基である場合の好ましい
化合物としては、ベンゼンスルホンアミド、メチルベン
ゼンスルホンアミド、トリフルオロメチルベンゼンスル
ホンアミド、フルオロベンゼンスルホンアミド、メタジ
フルオロベンゼンスルホンアミド、オルトジフルオロベ
ンゼンスルホンアミド、２，３，６−トリフルオロベン
ゼンスルホンアミド、２，４，５−トリフルオロベンゼ
ンスルホンアミド、３，４，５−トリフルオロベンゼン
スルホンアミド、２，３，５，６−テトラフルオロベン
ゼンスルホンアミド、３，４，５，６−テトラフルオロ
ベンゼンスルホンアミド、２，３，４，５，６−ペンタ
フルオロベンゼンスルホンアミド等を例示することがで
きる。
【００１７】この五ハロゲン化リンとスルホンアミドと
の反応は、下記反応式（I ）；
の反応は、下記反応式（I ）；
【００１８】 ＰＸ5 ＋Ｈ2 Ｎ−ＳＯ2-Ｒ2 →Ｘ3 Ｐ＝Ｎ―ＳＯ2-Ｒ2 （I) 一般式（２） 一般式（３）
【００１９】（式中、Ｒ2 及びＸは前記と同義。）に従
って進行し、五ハロゲン化リンと前記一般式（２）で表
されるスルホンアミドを有機溶媒中で反応させる。五ハ
ロゲン化リンに対するスルホンアミドのモル比は、通
常、０．８〜１．５、好ましくは１．０〜１．１、反応
温度は、通常、０〜８０℃、好ましくは２０〜４０℃で
あり、反応時間は、通常、０．５〜４時間、好ましくは
１〜２時間である。反応溶媒としては、五ハロゲン化リ
ン及び前記一般式（２）で表されるスルホンアミドが溶
解するもので、かつ不活性なものであれば特に制限され
ないが、例えばトルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香
族炭化水素類、アセトニトリル、プロピオニトリル等の
ニトリル類、クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化
水素及び塩化メチレン、クロロホルム等のハロアルカン
類、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等が挙げられ、これ
らは１種又は２種以上を組合わせて用いることができ
る。
って進行し、五ハロゲン化リンと前記一般式（２）で表
されるスルホンアミドを有機溶媒中で反応させる。五ハ
ロゲン化リンに対するスルホンアミドのモル比は、通
常、０．８〜１．５、好ましくは１．０〜１．１、反応
温度は、通常、０〜８０℃、好ましくは２０〜４０℃で
あり、反応時間は、通常、０．５〜４時間、好ましくは
１〜２時間である。反応溶媒としては、五ハロゲン化リ
ン及び前記一般式（２）で表されるスルホンアミドが溶
解するもので、かつ不活性なものであれば特に制限され
ないが、例えばトルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香
族炭化水素類、アセトニトリル、プロピオニトリル等の
ニトリル類、クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化
水素及び塩化メチレン、クロロホルム等のハロアルカン
類、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等が挙げられ、これ
らは１種又は２種以上を組合わせて用いることができ
る。
【００２０】反応終了後は乾燥して、あるいは乾燥する
ことなく溶液のままで前記一般式（３）で表されるハロ
ゲン化ホスファゼン誘導体を得ることが出来る。本発明
では、反応終了後、乾燥して更に、常法の精製手段によ
り精製を行うことができる。
ことなく溶液のままで前記一般式（３）で表されるハロ
ゲン化ホスファゼン誘導体を得ることが出来る。本発明
では、反応終了後、乾燥して更に、常法の精製手段によ
り精製を行うことができる。
【００２１】＜第二工程＞第二工程は、第一工程で得ら
れた前記一般式（３）で表されるハロゲン化ホスファゼ
ン誘導体と、前記一般式（４）で表されるＲ1-ＯＭ（式
中、Ｒ1 は前記と同義。Ｍはアルカリ金属を示す。）で
表されるアルコラート類とを反応させて、目的とする前
記一般式（１）で表されるスルホニル基を有するホスフ
ァゼン誘導体を得る工程である。
れた前記一般式（３）で表されるハロゲン化ホスファゼ
ン誘導体と、前記一般式（４）で表されるＲ1-ＯＭ（式
中、Ｒ1 は前記と同義。Ｍはアルカリ金属を示す。）で
表されるアルコラート類とを反応させて、目的とする前
記一般式（１）で表されるスルホニル基を有するホスフ
ァゼン誘導体を得る工程である。
【００２２】反応原料となるＲ1-ＯＭで表されるアルコ
ラート類の式中、Ｒ1 は、前記一般式（１）で表される
スルホニル基を有するホスファゼン誘導体の式中のＲ1
に相当し、ｎは通常１〜５の整数、好ましくは１〜３の
整数を示し、Ｍは、ナトリウム、カリウム等のアルカリ
金属であり、好ましくはナトリウムである。このハロゲ
ン化ホスファゼン誘導体とアルコラート類との反応は、
下記反応式（II）；
ラート類の式中、Ｒ1 は、前記一般式（１）で表される
スルホニル基を有するホスファゼン誘導体の式中のＲ1
に相当し、ｎは通常１〜５の整数、好ましくは１〜３の
整数を示し、Ｍは、ナトリウム、カリウム等のアルカリ
金属であり、好ましくはナトリウムである。このハロゲ
ン化ホスファゼン誘導体とアルコラート類との反応は、
下記反応式（II）；
【００２３】 Ｘ3 Ｐ＝Ｎ- ＳＯ2-Ｒ2 ＋Ｒ1-ＯＭ →（Ｒ1 Ｏ）3 Ｐ＝Ｎ−ＳＯ2 Ｒ2 （II) 前記一般式（３） 前記一般式（４） 前記一般式（１）
【００２４】（式中、Ｍはアルカリ金属を示し、Ｒ1 及
びＲ2 は前記に同じ。）に従って進行し、前記一般式
（３）で表されるハロゲン化ホスファゼン誘導体と前記
一般式（４）で表されるアルコラート類とを有機溶媒中
で反応させ、前記一般式（１）で表されるスルホニル基
含有ホスファゼン誘導体を生成させる。ハロゲン化ホス
ファゼン誘導体に対するアルコラート類のモル比は、通
常、２．０〜４．５、好ましくは２．７〜３．３であ
る。反応温度は、通常、−２０〜４０℃、好ましくは０
〜２０℃、反応時間は、通常、２〜１２時間、好ましく
は３〜６時間である。反応溶媒としては、ハロゲン化ホ
スファゼン誘導体とアルコール類が溶解でき、かつ不活
性な溶媒であれば特に限定はなく、例えば、炭化水素、
ハロゲン化芳香族炭化水素、ハロアルカン、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテ
ル類、アセトニトリル、プロピオニトリル等が挙げら
れ、このうち、１種又は２種以上を組合わせて用いるこ
とができる。反応終了後は抽出、脱水、乾燥等の常法に
より前記一般式（１）で表されるスルホニル基含有ホス
ファゼン誘導体を得る。
びＲ2 は前記に同じ。）に従って進行し、前記一般式
（３）で表されるハロゲン化ホスファゼン誘導体と前記
一般式（４）で表されるアルコラート類とを有機溶媒中
で反応させ、前記一般式（１）で表されるスルホニル基
含有ホスファゼン誘導体を生成させる。ハロゲン化ホス
ファゼン誘導体に対するアルコラート類のモル比は、通
常、２．０〜４．５、好ましくは２．７〜３．３であ
る。反応温度は、通常、−２０〜４０℃、好ましくは０
〜２０℃、反応時間は、通常、２〜１２時間、好ましく
は３〜６時間である。反応溶媒としては、ハロゲン化ホ
スファゼン誘導体とアルコール類が溶解でき、かつ不活
性な溶媒であれば特に限定はなく、例えば、炭化水素、
ハロゲン化芳香族炭化水素、ハロアルカン、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル等のエーテ
ル類、アセトニトリル、プロピオニトリル等が挙げら
れ、このうち、１種又は２種以上を組合わせて用いるこ
とができる。反応終了後は抽出、脱水、乾燥等の常法に
より前記一般式（１）で表されるスルホニル基含有ホス
ファゼン誘導体を得る。
【００２５】本発明の前記一般式（１）で表されるスル
ホニル基含有ホスファゼン誘導体は元素分析、1 Ｈ−Ｎ
ＭＲ、31Ｐ−ＮＭＲ、ＭＡＳＳ及びＩＲにより同定する
ことができる。
ホニル基含有ホスファゼン誘導体は元素分析、1 Ｈ−Ｎ
ＭＲ、31Ｐ−ＮＭＲ、ＭＡＳＳ及びＩＲにより同定する
ことができる。
【００２６】本発明の前記一般式（１）で表されるスル
ホニル基含有ホスファゼン誘導体は、ホスファゼン化合
物自体の難燃性機能と共に、スルホニル基を有すること
から優れた電気性能が期待できる。従って、例えば、リ
チウムイオン二次電池、リチウムイオン一次電池、ポリ
マー電池、ポリマー二次電池等の非水電解液電池、電解
コンデンサー等の電池の電解液に含有させることによ
り、優れた難燃性能と電気特性を付与することができ
る。
ホニル基含有ホスファゼン誘導体は、ホスファゼン化合
物自体の難燃性機能と共に、スルホニル基を有すること
から優れた電気性能が期待できる。従って、例えば、リ
チウムイオン二次電池、リチウムイオン一次電池、ポリ
マー電池、ポリマー二次電池等の非水電解液電池、電解
コンデンサー等の電池の電解液に含有させることによ
り、優れた難燃性能と電気特性を付与することができ
る。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、これは単に例示であって、本発明を制限するも
のではない。 実施例１ 攪拌機を付けた四口フラスコに五塩化リン４６．６ｇ
（０．２２４モル）、メタンスルホンアミド２１．３ｇ
（０．２２４モル）、脱水トルエン６２．９ｇ及びＴＨ
Ｆ０．２ｇを仕込み、窒素雰囲気下、室温で２時間反応
させ、トリクロロホスファゾスルホニルメタンを得た。
反応終了後、溶液をそのまま原料として用いた。攪拌機
を付けた四口フラスコに水素化ナトリウム２７．８ｇ
（０．６９５モル）及び脱水ＴＨＦ２３３．５ｇを仕込
み、次いで、ジエチレングリコールモノメチルエーテル
１３６．９ｇ（１．１３モル）を滴下し、ジエチレング
リコールモノメチルエーテルのアルコラート溶液を調製
した。攪拌機を付けた四口フラスコにトリクロロホスフ
ァゾスルホニルメタン５１．６ｇ（０．２２４モル）と
トルエン２２５．６ｇを仕込み、窒素雰囲気中で、前記
で調製したジエチレングリコールモノメチルエーテルの
アルコラート溶液（０．６９５モル）を反応系内の温度
を０〜１０℃に保持しながら滴下した。滴下終了後、更
に、１０℃以下で１．５時間攪拌下に反応させた。反応
終了後、酢酸で中和した。次いで、濾過し、ろ液をクロ
ロホルムで抽出して得られた有機層を、濃縮、脱水し
て、オイル状の物質３７．７ｇ（収率８３．１％）を得
た。元素分析、1 Ｈ−ＮＭＲ、31Ｐ−ＮＭＲ、ＭＡＳＳ
及びＩＲにより同定したところ、表１に示したスルホニ
ル基を有するホスファゼン誘導体であることが確認され
た。
するが、これは単に例示であって、本発明を制限するも
のではない。 実施例１ 攪拌機を付けた四口フラスコに五塩化リン４６．６ｇ
（０．２２４モル）、メタンスルホンアミド２１．３ｇ
（０．２２４モル）、脱水トルエン６２．９ｇ及びＴＨ
Ｆ０．２ｇを仕込み、窒素雰囲気下、室温で２時間反応
させ、トリクロロホスファゾスルホニルメタンを得た。
反応終了後、溶液をそのまま原料として用いた。攪拌機
を付けた四口フラスコに水素化ナトリウム２７．８ｇ
（０．６９５モル）及び脱水ＴＨＦ２３３．５ｇを仕込
み、次いで、ジエチレングリコールモノメチルエーテル
１３６．９ｇ（１．１３モル）を滴下し、ジエチレング
リコールモノメチルエーテルのアルコラート溶液を調製
した。攪拌機を付けた四口フラスコにトリクロロホスフ
ァゾスルホニルメタン５１．６ｇ（０．２２４モル）と
トルエン２２５．６ｇを仕込み、窒素雰囲気中で、前記
で調製したジエチレングリコールモノメチルエーテルの
アルコラート溶液（０．６９５モル）を反応系内の温度
を０〜１０℃に保持しながら滴下した。滴下終了後、更
に、１０℃以下で１．５時間攪拌下に反応させた。反応
終了後、酢酸で中和した。次いで、濾過し、ろ液をクロ
ロホルムで抽出して得られた有機層を、濃縮、脱水し
て、オイル状の物質３７．７ｇ（収率８３．１％）を得
た。元素分析、1 Ｈ−ＮＭＲ、31Ｐ−ＮＭＲ、ＭＡＳＳ
及びＩＲにより同定したところ、表１に示したスルホニ
ル基を有するホスファゼン誘導体であることが確認され
た。
【００２８】（同定データ） ・元素分析：構造式：Ｃ16Ｈ36ＮＯ11ＰＳ（分子量481.
1 ）に対する 計算値；Ｃ；39.94%、Ｈ；7.54% 、Ｎ；2.91% 、Ｓ；6.
66% 実測値；Ｃ；39.71%、Ｈ；8.01% 、Ｎ；2.89% 、Ｓ；6.
86% ・1 Ｈ−ＮＭＲ（ppm,CDCl3 ）δ；3.01(d,3H)、3.40
(m,9H)、3.53(m,6H)、3.65(m,6H)、3.74(m,6H)、4.37(
ｍ，6H) ・31Ｐ−ＮＭＲ（ppm,CDCl3 ）δ；−1.81(m) ・ＩＲ；ν（KBr ）ｃｍ-1；2882、1455、1328、1220、
1143、1111 ・ＭＡＳＳ（FAB ）m/z ；482(M +H) +
1 ）に対する 計算値；Ｃ；39.94%、Ｈ；7.54% 、Ｎ；2.91% 、Ｓ；6.
66% 実測値；Ｃ；39.71%、Ｈ；8.01% 、Ｎ；2.89% 、Ｓ；6.
86% ・1 Ｈ−ＮＭＲ（ppm,CDCl3 ）δ；3.01(d,3H)、3.40
(m,9H)、3.53(m,6H)、3.65(m,6H)、3.74(m,6H)、4.37(
ｍ，6H) ・31Ｐ−ＮＭＲ（ppm,CDCl3 ）δ；−1.81(m) ・ＩＲ；ν（KBr ）ｃｍ-1；2882、1455、1328、1220、
1143、1111 ・ＭＡＳＳ（FAB ）m/z ；482(M +H) +
【００２９】実施例２ 攪拌機を付けた四口フラスコに五塩化リン３１．４ｇ
（０．１５１モル）、ベンゼンスルホンアミド２３．６
ｇ（０．１５０モル）、脱水トルエン７４．３ｇ及びＴ
ＨＦ１．０ｇを仕込み、室温で２．５時間攪拌下に反応
させ、トリクロロホスファゾスルホニルベンゼン４２．
５ｇを得た（収率９６．９％）。攪拌機を付けた四口フ
ラスコに水素化ナトリウム１７．９ｇ（０．４４９モ
ル）及び脱水ＴＨＦ１５３．３ｇを仕込み、次いで、エ
チレングリコールモノメチルエーテル５８．２ｇ（０．
７６４モル）を滴下し、エチレングリコールモノメチル
エーテルのアルコラート溶液を調製した。攪拌機を付け
た四口フラスコに前記で調製したトリクロロホスファゾ
スルホニルベンゼン４２．６９ｇ（０．１４６モル）と
トルエン１４５．１ｇを仕込み、窒素雰囲気中で、前記
で調製したエチレングリコールモノメチルエーテルのア
ルコラート溶液（０．４４９モル）を反応系内の温度を
０〜１０℃に保持しながら滴下した。滴下終了後、更
に、室温で３．５時間攪拌下に反応させた。反応終了
後、塩酸で中和した。次いで、濾過し、ろ液をジクロロ
メタンで抽出して得られた有機層を濃縮、脱水して、オ
イル状の物質４７．１ｇ（収率７８．４％）を得た。元
素分析、1 Ｈ−ＮＭＲ、31Ｐ−ＮＭＲ、ＭＡＳＳ及びＩ
Ｒにより同定したところ、表１に示したスルホニル基を
有するホスファゼン誘導体であることが確認された。
（０．１５１モル）、ベンゼンスルホンアミド２３．６
ｇ（０．１５０モル）、脱水トルエン７４．３ｇ及びＴ
ＨＦ１．０ｇを仕込み、室温で２．５時間攪拌下に反応
させ、トリクロロホスファゾスルホニルベンゼン４２．
５ｇを得た（収率９６．９％）。攪拌機を付けた四口フ
ラスコに水素化ナトリウム１７．９ｇ（０．４４９モ
ル）及び脱水ＴＨＦ１５３．３ｇを仕込み、次いで、エ
チレングリコールモノメチルエーテル５８．２ｇ（０．
７６４モル）を滴下し、エチレングリコールモノメチル
エーテルのアルコラート溶液を調製した。攪拌機を付け
た四口フラスコに前記で調製したトリクロロホスファゾ
スルホニルベンゼン４２．６９ｇ（０．１４６モル）と
トルエン１４５．１ｇを仕込み、窒素雰囲気中で、前記
で調製したエチレングリコールモノメチルエーテルのア
ルコラート溶液（０．４４９モル）を反応系内の温度を
０〜１０℃に保持しながら滴下した。滴下終了後、更
に、室温で３．５時間攪拌下に反応させた。反応終了
後、塩酸で中和した。次いで、濾過し、ろ液をジクロロ
メタンで抽出して得られた有機層を濃縮、脱水して、オ
イル状の物質４７．１ｇ（収率７８．４％）を得た。元
素分析、1 Ｈ−ＮＭＲ、31Ｐ−ＮＭＲ、ＭＡＳＳ及びＩ
Ｒにより同定したところ、表１に示したスルホニル基を
有するホスファゼン誘導体であることが確認された。
【００３０】（同定データ） ・元素分析：構造式Ｃ15Ｈ26ＮＯ8 ＰＳ（分子量411.3
）に対する 計算値；Ｃ；43.79%、Ｈ；6.37% 、Ｎ；3.40% 、Ｓ；7.
70% 実測値；Ｃ；43.71%、Ｈ；6.59% 、Ｎ；3.54% 、Ｓ；8.
02% ・1 Ｈ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；3.35(s,9H)、3.58
(m,6H)、4.32(m,6H)、7.47(m,3H)、7.96(m,2H) ・31Ｐ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；−2.01(m) ・ＩＲ；ν（KBr ）cm-1ν；2890、2824、1447、1370、
1203、1155、1133 ・ＭＡＳＳ（FAB ）m/z ；412(M +H) +
）に対する 計算値；Ｃ；43.79%、Ｈ；6.37% 、Ｎ；3.40% 、Ｓ；7.
70% 実測値；Ｃ；43.71%、Ｈ；6.59% 、Ｎ；3.54% 、Ｓ；8.
02% ・1 Ｈ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；3.35(s,9H)、3.58
(m,6H)、4.32(m,6H)、7.47(m,3H)、7.96(m,2H) ・31Ｐ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；−2.01(m) ・ＩＲ；ν（KBr ）cm-1ν；2890、2824、1447、1370、
1203、1155、1133 ・ＭＡＳＳ（FAB ）m/z ；412(M +H) +
【００３１】実施例３ 攪拌機を付けた四口フラスコに五塩化リン４６．２ｇ
（０．２２２モル）、４−フルオロベンゼンスルホンア
ミド３９．１ｇ（０．２２２モル）、テトラヒドロフラ
ン８．０ｇ及びトルエン２５０ｍｌを仕込み、窒素雰囲
気中で２時間、室温で反応させた。反応終了後、溶媒を
留去し、Ｎ−４−フルオロベンゼンスルホニル−Ｐ，
Ｐ，Ｐ−トリクロロホスファゼン６６．１ｇ（収率９
５．６％）を得た。次いで、攪拌機を付けた四つ口フラ
スコに上記で得たＮ−４−フルオロベンゼンスルホニル
−Ｐ，Ｐ，Ｐ−トリクロロホスファゼン６０．０ｇ
（０．１９３モル）とテトラヒドロフラン２５０ｍＬを
仕込み、実施例２と同様にして得られたエチレングリコ
ールモノメチルエーテルのアルコラート溶液（０．６３
７モル）を、窒素雰囲気中で、０〜５℃で一昼夜攪拌下
に反応させた。反応終了後、濃硫酸で中和した。次い
で、水洗後、クロロホルムで抽出して得られた有機層を
濃縮、脱水して、オイル状の物質７５．２ｇ（収率７
８．９％）を得た。元素分析、1 Ｈ−ＮＭＲ、31Ｐ−Ｎ
ＭＲ、ＭＡＳＳ及びＩＲにより同定したところ、表１に
示したスルホニル基を有するホスファゼン誘導体である
ことが確認された。
（０．２２２モル）、４−フルオロベンゼンスルホンア
ミド３９．１ｇ（０．２２２モル）、テトラヒドロフラ
ン８．０ｇ及びトルエン２５０ｍｌを仕込み、窒素雰囲
気中で２時間、室温で反応させた。反応終了後、溶媒を
留去し、Ｎ−４−フルオロベンゼンスルホニル−Ｐ，
Ｐ，Ｐ−トリクロロホスファゼン６６．１ｇ（収率９
５．６％）を得た。次いで、攪拌機を付けた四つ口フラ
スコに上記で得たＮ−４−フルオロベンゼンスルホニル
−Ｐ，Ｐ，Ｐ−トリクロロホスファゼン６０．０ｇ
（０．１９３モル）とテトラヒドロフラン２５０ｍＬを
仕込み、実施例２と同様にして得られたエチレングリコ
ールモノメチルエーテルのアルコラート溶液（０．６３
７モル）を、窒素雰囲気中で、０〜５℃で一昼夜攪拌下
に反応させた。反応終了後、濃硫酸で中和した。次い
で、水洗後、クロロホルムで抽出して得られた有機層を
濃縮、脱水して、オイル状の物質７５．２ｇ（収率７
８．９％）を得た。元素分析、1 Ｈ−ＮＭＲ、31Ｐ−Ｎ
ＭＲ、ＭＡＳＳ及びＩＲにより同定したところ、表１に
示したスルホニル基を有するホスファゼン誘導体である
ことが確認された。
【００３２】（同定データ） 元素分析：構造式Ｃ15Ｈ25ＦＮＯ8 ＰＳ（分子量429.4
）に対する 計算値；Ｃ；41.95%、Ｈ；5.87% 、Ｎ；3.26% 、Ｓ；7.
47% 実測値；Ｃ；42.34%、Ｈ；6.16% 、Ｎ；3.36% 、Ｓ；7.
79% ・1 Ｈ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；3.24(s,9H)、3.45
(m,6H)、4.17(m,6H)、6.99(m,2H)、7.86(m,2H) ・31Ｐ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；−2.2(m) ・ＩＲ；ν（KBr ）cm-1；2932 、2890、1591、1494、1
371、1280、1218、1150、1039、839 、687 ・ＭＡＳＳ（FAB ）m/z ；430(M +H) +
）に対する 計算値；Ｃ；41.95%、Ｈ；5.87% 、Ｎ；3.26% 、Ｓ；7.
47% 実測値；Ｃ；42.34%、Ｈ；6.16% 、Ｎ；3.36% 、Ｓ；7.
79% ・1 Ｈ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；3.24(s,9H)、3.45
(m,6H)、4.17(m,6H)、6.99(m,2H)、7.86(m,2H) ・31Ｐ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；−2.2(m) ・ＩＲ；ν（KBr ）cm-1；2932 、2890、1591、1494、1
371、1280、1218、1150、1039、839 、687 ・ＭＡＳＳ（FAB ）m/z ；430(M +H) +
【００３３】実施例４ 攪拌機を付けた四口フラスコに五塩化リン１０．６ｇ
（０．０５１モル）、２，４−ジフルオロベンゼンスル
ホンアミド１０．０ｇ（０．０５２モル）、テトラヒド
ロフラン１．４ｇ及びトルエン１００ｍｌを仕込み、窒
素雰囲気中で２時間、室温で反応させた。反応終了後、
溶媒を留去し、Ｎ−２，４−ジフルオロベンゼンスルホ
ニル−Ｐ，Ｐ，Ｐ−トリクロロホスファゼン１６．１ｇ
（収率９６．２％）を得た。次いで、攪拌機を付けた四
つ口フラスコに上記で得たＮ−２，４−ジフルオロベン
ゼンスルホニル−Ｐ，Ｐ，Ｐ−トリクロロホスファゼン
１６．１ｇ（０．０４９０モル）とテトラヒドロフラン
１００ｍＬを仕込み、実施例２と同様にして得られたエ
チレングリコールモノメチルエーテルのアルコラート溶
液（０．１６０モル）を、窒素雰囲気中で、０〜５℃で
一昼夜攪拌下に反応させた。反応終了後、濃硫酸で中和
した。次いで、水洗後、クロロホルムで抽出して得られ
た有機層を濃縮、脱水して、オイル状の物質１７．０ｇ
（収率７７．７％）を得た。元素分析、1 Ｈ−ＮＭＲ、
31Ｐ−ＮＭＲ、ＭＡＳＳ及びＩＲにより同定したとこ
ろ、表１に示したスルホニル基を有するホスファゼン誘
導体であることが確認された。
（０．０５１モル）、２，４−ジフルオロベンゼンスル
ホンアミド１０．０ｇ（０．０５２モル）、テトラヒド
ロフラン１．４ｇ及びトルエン１００ｍｌを仕込み、窒
素雰囲気中で２時間、室温で反応させた。反応終了後、
溶媒を留去し、Ｎ−２，４−ジフルオロベンゼンスルホ
ニル−Ｐ，Ｐ，Ｐ−トリクロロホスファゼン１６．１ｇ
（収率９６．２％）を得た。次いで、攪拌機を付けた四
つ口フラスコに上記で得たＮ−２，４−ジフルオロベン
ゼンスルホニル−Ｐ，Ｐ，Ｐ−トリクロロホスファゼン
１６．１ｇ（０．０４９０モル）とテトラヒドロフラン
１００ｍＬを仕込み、実施例２と同様にして得られたエ
チレングリコールモノメチルエーテルのアルコラート溶
液（０．１６０モル）を、窒素雰囲気中で、０〜５℃で
一昼夜攪拌下に反応させた。反応終了後、濃硫酸で中和
した。次いで、水洗後、クロロホルムで抽出して得られ
た有機層を濃縮、脱水して、オイル状の物質１７．０ｇ
（収率７７．７％）を得た。元素分析、1 Ｈ−ＮＭＲ、
31Ｐ−ＮＭＲ、ＭＡＳＳ及びＩＲにより同定したとこ
ろ、表１に示したスルホニル基を有するホスファゼン誘
導体であることが確認された。
【００３４】（同定データ） ・元素分析：構造式Ｃ15Ｈ24Ｆ2 ＮＯ8 ＰＳ（分子量44
7.4 ）に対する 計算値；Ｃ；40.27%、Ｈ；5.41% 、Ｎ；3.13% 、Ｓ；7.
17% 実測値；Ｃ；40.24%、Ｈ；5.48% 、Ｎ；3.16% 、Ｓ；7.
54% ・1 Ｈ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；3.27(s,9H)、3.51
(m,6H)、4.25(m,6H)、6.83(m,2H)、7.89(m,1H) ・31Ｐ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；−2.58（m ） ・ＩＲ；ν（KBr ）cm-1；2893 、2825、1603、1485、1
424、1372、1290、1203、1159、1040 、970 、850 、68
7 、620 ・ＭＡＳＳ（FAB ）m/z ；448(M +H) +
7.4 ）に対する 計算値；Ｃ；40.27%、Ｈ；5.41% 、Ｎ；3.13% 、Ｓ；7.
17% 実測値；Ｃ；40.24%、Ｈ；5.48% 、Ｎ；3.16% 、Ｓ；7.
54% ・1 Ｈ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；3.27(s,9H)、3.51
(m,6H)、4.25(m,6H)、6.83(m,2H)、7.89(m,1H) ・31Ｐ−ＮＭＲ（ppm ，CDCl3 ）δ；−2.58（m ） ・ＩＲ；ν（KBr ）cm-1；2893 、2825、1603、1485、1
424、1372、1290、1203、1159、1040 、970 、850 、68
7 、620 ・ＭＡＳＳ（FAB ）m/z ；448(M +H) +
【００３５】
【表１】
【００３６】
【発明の効果】本発明のスルホニル基を有するホスファ
ゼン誘導体は、ホスファゼン化合物自体の難燃性機能と
共に、スルホニル基を有することから優れた電気性能が
期待できる。従って、例えば、リチウムイオン二次電
池、リチウムイオン一次電池、ポリマー電池、ポリマー
二次電池等の非水電解液電池、電解コンデンサー等の電
池の電解液に含有させることにより、優れた難燃性能と
電気特性を付与することができる。
ゼン誘導体は、ホスファゼン化合物自体の難燃性機能と
共に、スルホニル基を有することから優れた電気性能が
期待できる。従って、例えば、リチウムイオン二次電
池、リチウムイオン一次電池、ポリマー電池、ポリマー
二次電池等の非水電解液電池、電解コンデンサー等の電
池の電解液に含有させることにより、優れた難燃性能と
電気特性を付与することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大原 宣彦 東京都江東区亀戸９丁目11番１号 日本化 学工業株式会社研究開発本部内 (72)発明者 和久井 淳 東京都江東区亀戸９丁目11番１号 日本化 学工業株式会社研究開発本部内 (72)発明者 鎌田 智久 東京都江東区亀戸９丁目11番１号 日本化 学工業株式会社研究開発本部内 Ｆターム(参考） 4H050 AA01 AA02 AA03 AB60 AB80 WA15 WA23 WA27 5H024 AA01 AA09 AA12 FF11 5H029 AJ12 AK00 AL00 AM00 DJ09 EJ11 HJ02
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（１）； （Ｒ1 Ｏ）3 Ｐ＝Ｎ−ＳＯ2 −Ｒ2 （１） ｛式中、Ｒ1 はハロゲン原子で置換されていてもよい次
式の基；ＣＨ3-( ＯＣＨ 2 ＣＨ2)n - （ｎは１〜５の整
数を示す。）を示し、Ｒ2 はハロゲン原子で置換されて
いてもよい炭素数１〜１２のアルキル基、ハロゲン原子
で置換されていてもよいフェニル基又は炭素数１〜４の
アルキル基で置換されたフェニル基を示し、該アルキル
基で置換されたフェニル基は、ハロゲン原子で置換され
ていてもよい。｝で表されることを特徴とするスルホニ
ル基含有ホスファゼン誘導体。 - 【請求項２】 五ハロゲン化リンと、下記一般式
（２）； Ｈ2 Ｎ−ＳＯ2 −Ｒ2 （２） （式中、Ｒ2 は前記と同義。）で表されるスルホンアミ
ドとを反応させて、下記一般式（３）； Ｘ3 Ｐ＝Ｎ―ＳＯ2 −Ｒ2 （３） （式中、Ｒ2 は前記と同義。Ｘはハロゲン原子を示
す。）で表されるハロゲン化ホスファゼン誘導体を得、
次いで、該ハロゲン化ホスファゼン誘導体と一般式
（４）； Ｒ1 −ＯＭ （４） （式中、Ｒ1 は前記と同義。Ｍはアルカリ金属を示
す。）で表されるアルコラート類とを反応させて、下記
一般式（１）； （Ｒ1 Ｏ）3 Ｐ＝Ｎ−ＳＯ2 −Ｒ2 （１） ｛式中、Ｒ1 はハロゲン原子で置換されていてもよい次
式の基；ＣＨ3-( ＯＣＨ 2 ＣＨ2)n - （ｎは１〜５の整
数）を示し、Ｒ2 はハロゲン原子で置換されていてもよ
い炭素数１〜１２のアルキル基、ハロゲン原子で置換さ
れていてもよいフェニル基又は炭素数１〜４のアルキル
基で置換されたフェニル基を示し、該アルキル基で置換
されたフェニル基は、ハロゲン原子で置換されていても
よい。｝で表されるスルホニル基含有ホスファゼン誘導
体を得ることを特徴とするスルホニル基含有ホスファゼ
ン誘導体の製造方法。
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| JP2000157053A JP4484318B2 (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | スルホニル基含有ホスファゼン誘導体及びその製造方法 |
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| JP2000157053A JP4484318B2 (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | スルホニル基含有ホスファゼン誘導体及びその製造方法 |
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-
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- 2000-05-26 JP JP2000157053A patent/JP4484318B2/ja not_active Expired - Fee Related
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