JP2001326449A - 電子部品、電子部品実装体およびその製造方法 - Google Patents

電子部品、電子部品実装体およびその製造方法

Info

Publication number
JP2001326449A
JP2001326449A JP2000394375A JP2000394375A JP2001326449A JP 2001326449 A JP2001326449 A JP 2001326449A JP 2000394375 A JP2000394375 A JP 2000394375A JP 2000394375 A JP2000394375 A JP 2000394375A JP 2001326449 A JP2001326449 A JP 2001326449A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
external electrode
conductive adhesive
silver
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000394375A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Kitae
孝史 北江
Tsutomu Mitani
力 三谷
Yukihiro Ishimaru
幸宏 石丸
Hiroteru Takezawa
弘輝 竹沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2000394375A priority Critical patent/JP2001326449A/ja
Publication of JP2001326449A publication Critical patent/JP2001326449A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29318—Zinc [Zn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29369—Platinum [Pt] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Abstract

(57)【要約】 【課題】十分な接着強度と信頼性を得ることのできる電
子部品、電子部品実装体およびその製造方法の提供。 【解決手段】 電子部品４の外部電極３の表面を、樹脂
成分を含む被膜により形成する。これにより、電子部品
４を回路基板１上に導電性接着剤を介して実装する場合
に接着強度および信頼性を大幅に向上させることができ
る。また、外部電極３を形成している導電性接着剤を接
続体として利用して実装することも可能となる。また、
電子部品の外部電極３の表面粗さ（Ｒa）を０．１μｍ
以上１０μｍ以下、好ましくは１．０μｍ以上５．０μ
ｍ以下にする。これにより、従来提供されている電子部
品に比べて、導電性接着剤との接着強度を大幅に向上さ
せることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品、電子部
品実装体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の環境問題への認識の高まりから、
エレクトロニクス実装の分野でははんだ合金中の鉛に対
する法規制が行われようとしている。そのため、電子部
品の実装に鉛を用いない接合技術の確立が急務となって
いる。鉛を用いない実装技術としては主に鉛フリーはん
だを用いたもの、および導電性接着剤を用いたものが挙
げられる。そのうち、導電性接着剤を用いた実装構造
は、接合部の柔軟性、実装温度の低温化等のメリットが
期待されるために注目されている。
【０００３】一般的に導電性接着剤は、樹脂系接着成分
中に導電性フィラを分散させることで構成されている。
導電性接着剤は、電子部品と回路基板との間に介在させ
たうえで樹脂成分を硬化させることで電子部品の外部電
極と回路基板の接続端子とを電気的に接続している。こ
のとき、導電性フィラ同士の接触により接続部分の導通
を確保している。導電性接着剤は、前記接続部分が樹脂
で接着されているために熱や外力による変形に対して柔
軟であり、前記接続部分が合金であるはんだと比較して
接続部分に亀裂が発生しにくい。また、導電性接着剤は
はんだに比べて低温で硬化させることができる。このよ
うな理由により、導電性接着剤は、はんだの代替材料と
して期待されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現行の
導電性接着剤を、現在一般に供給されているはんだメッ
キ電極を有する電子部品と回路基板との実装に用いる
と、十分な接着強度や信頼性が得られず、実際のアプリ
ケーションとして用いることが困難な場合がある。
【０００５】また、鉛を用いない実装構造の普及化に伴
いスズメッキ電極を有する電子部品も供給されている。
しかしながら、スズメッキ電極に対して導電性接着剤に
より実装した構造においても、その接着強度や信頼性は
従来のはんだ接続に比べてかなり低い。
【０００６】このように、はんだメッキ電極及びスズメ
ッキ電極に代表される金属電極を有する電子部品を、導
電性接着剤を用いて回路基板に実装しようとしても、十
分な接着強度や信頼性が得られない場合がある。
【０００７】これらの原因は現在供給されている電子部
品の外部電極がはんだ接続に適するように設計されてい
るためであり、電子部品の外部電極を導電性接着剤によ
る接続に適した仕様に変更していく必要がある。
【０００８】また、導電性接着剤を用いた実装構造にお
ける剥離破壊は、導電性接着剤と電極との接触界面で起
こっている。これに対して、現在供給されている電子部
品の外部電極表面（はんだメッキまたはスズメッキされ
ている）は、はんだ接続に適するように平滑化されてい
るものがほとんどである。そのため、剥離破壊が生じる
接触界面での接続強度を十分に維持することができず、
このことが、導電性接着剤を用いて電子部品を実装する
構造において、接着強度が十分に得られない要因になっ
ている。
【０００９】したがって、本発明の主たる目的は、はん
だの代わりに導電性接着剤を用いた電子部品実装におい
て、十分な接着強度と信頼性を得ることのできる電子部
品、電子部品実装体およびその製造方法を提供すること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ためには、本発明は、電子部品の外部電極の表面に樹脂
成分を含む被膜を設けている。これにより、電子部品を
被実装体に実装する際に接続体として導電性接着剤を用
いる場合に、電子部品の外部電極と接続体との間の親和
性が良くなり、接着強度が向上する。
【００１１】なお、前記被膜上に導電性接着剤層を設
け、前記導電性接着剤層は、金、銀、白金、ニッケル、
亜鉛、パラジウム、あるいはこれらこれらの金属を含む
合金や混合体からなる導電性フィラを含んでいるのが好
ましく、そうすれば、電子部品を直接被実装体に実装す
ることができるようになる。
【００１２】なお、前記被膜は、金、銀、白金、ニッケ
ル、亜鉛、パラジウム、あるいはこれらの金属を含む合
金や混合体からなる導電性フィラを含んでいるのが好ま
しく、そうすれば、前記被膜が導電性を得ることができ
るので、導電性接着剤からなる接続体を、電子部品と被
実装体との間に別途設ける必要がなくなる。
【００１３】なお、前記被膜の膜厚は、前記導電性フィ
ラの粒径より小さいのが好ましく、そうすれば、電子部
品を被実装体に実装するに際して、導電性接着剤が確実
に外部電極に当接して良好な導電性を得ることができる
ようになる。
【００１４】また、本発明は、導電性接着剤の被膜から
なる外部電極を有し、前記導電性接着剤は、金、銀、白
金、ニッケル、亜鉛、パラジウム、あるいはこれらの金
属を含む合金や混合体からなる導電性フィラを含んでい
る。これにより、電子部品を被実装体に実装するに際し
て、電子部品の外部電極と接続体との間の親和性が良く
なり、接着強度が向上する。
【００１５】また、本発明は、電子部品と、樹脂成分を
含み前記電子部品の外部電極の表面に形成された被膜
と、前記電子部品が実装される被実装体と、金、銀、白
金、ニッケル、亜鉛、パラジウム、あるいはこれらの金
属を含む合金や混合体からなる導電性フィラを含み、前
記電子部品の外部電極を前記被実装体の接続端子に電気
的に接続する導電性接着剤とを有して、電子部品実装体
を構成している。これにより、電子部品の外部電極と接
続体の親和性が良くなり、接着強度が向上する。
【００１６】なお、前記被膜と前記導電性接着剤とは一
体化しているのが好ましく、そうすれば、接着強度、信
頼性がより向上する。
【００１７】なお、前記被膜と前記導電性接着剤との接
合部がフィレット状の形状をしているのが好ましく、そ
うすれば、接着強度、信頼性がより向上する。
【００１８】また、本発明は、電子部品の外部電極の表
面に、金、銀、白金、ニッケル、亜鉛、パラジウム、あ
るいはこれらの金属を含む合金や混合体からなる導電性
フィラを含む導電性接着剤の被膜を形成し、前記電子部
品の外部電極を、前記被膜を接続体にして被実装体の接
続端子に電気的に接続することで、電子部品実装体を構
成している。これにより、新たに接続体を設けることな
く電子部品を直接被実装体に実装することができる。
【００１９】また、本発明は、電子部品の外部電極の表
面に樹脂成分を含む被膜を形成したうえで、金、銀、白
金、ニッケル、亜鉛、パラジウムあるいは、これらの金
属を含む合金や混合体等からなる導電性フィラを含む導
電性接着剤を用いて、前記電子部品の前記外部電極を被
実装体の接続端子に電気的に接続している。これによ
り、電子部品の外部電極と接続体と間の親和性が良いた
め接着強度が向上する。
【００２０】また、本発明は、電子部品の外部電極の表
面に金、銀、白金、ニッケル、亜鉛、パラジウムあるい
は、これらの金属を含む合金や混合体等からなる導電性
フィラを含む導電性接着剤の被膜を形成したうえで、前
記被膜を接続体にして、前記電子部品の前記外部電極を
被実装体の接続端子に電気的に接続している。これによ
り、新たに接続体を設けることなく電子部品を直接被実
装体に実装することができる。
【００２１】なお、前記被膜を半硬化の状態で電子部品
の表面に形成したうえで、接続時に前記被膜を加熱硬化
させるのが好ましく、そうすれば、熱硬化性の導電性接
着剤であっても新たに接続体を設けることなく電子部品
を直接被実装体に実装することができる。
【００２２】また、本発明は、電子部品の外部電極の表
面粗さ（Ｒa）を、０．１μｍ以上１０．０μｍ以下に
設定している。これにより、導電性接着剤との接着強度
が向上し、従来のはんだ接続と同程度の接着強度が得ら
れる。
【００２３】なお、前記表面粗さ（Ｒa）は、１．０μ
ｍ以上５．０μｍ以下に設定するので好ましく、そうす
れば、導電性接着剤を介して電子部品を被実装体に実装
する際に、よりいっそう接着強度が高まる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい具体例に
ついて図面を参照して説明する。第１の好ましい具体例 図１は本発明の第１の好ましい具体例に従う電子部品実
装体の断面図を示している。
【００２５】電子部品４の外部電極３は、その表面に接
着剤層６を有している。接着剤層６は、導電性フィラを
含んでおり、導電性接着剤として機能する。電子部品４
は、導電性接着剤からなる接続体５を介して被実装体で
ある回路基板１に実装されている。外部電極３と接続端
子２とは接着剤層６と接続体５とによって電気的に接続
されている。
【００２６】接着剤層６は、導電性フィラを含まない樹
脂成分だけで形成することも可能である。この場合、接
着剤層６の膜厚を、接続体５に含有される導電性フィラ
の粒径より小さく形成する必要がある。以下、その理由
を説明する。
【００２７】導電性接着剤において電気的導通に寄与す
る導電性フィラは、接着剤層６を突き破って外部電極３
に当接することで、外部電極３に対して電気的に接続さ
れる。そのため、接着剤層６の膜厚を、導電性フィラの
粒径より小さくしておかないと、導電性フィラは、接着
剤層６を突き破って外部電極３に確実に当接しなくな
り、導通不良の原因となる。このような理由により、接
着剤層６の膜厚を、接続体５に含有される導電性フィラ
の粒径より小さくしている。
【００２８】図１の電子部品実装体の場合、電子部品４
の接着剤層６と、接続体５を構成する導電性接着剤との
親和性が低い場合には、両者の間に十分な接着強度並び
に接続信頼性が得られない。そのため、接着剤層６と接
続体５とを同じ種類の樹脂を用いて形成した方がよく、
そうすれば、両者のなじみも良くなって十分な接着強度
および接続信頼性が得られる。
【００２９】また、接着剤層６と接続体５とが親和性の
良い樹脂同士から構成されている場合には、加熱硬化
後、これらの樹脂どうしが一体化した構造になり、区別
できなくなる場合が多い。このような電子部品実装体で
は接着強度、信頼性ともに良いものが得られる。
【００３０】さらにまた、接着剤層６と接続体５とが親
和性の良い樹脂同士から構成されている場合には、加熱
硬化後において、接続体５（導電性接着剤）は、図２に
示すような隅肉部（フィレット）７を形成し、接続体５
と接着剤層６との間の接着強度が飛躍的に向上する。親
和性が良い樹脂の組み合わせとしては、例えば同じ樹脂
（エポキシ樹脂同士）などが好ましく利用できる。
【００３１】また、接着剤層６と接続体５とにおいて、
例えば導電性フィラの種類や形状、大きさが異なる場合
であっても、接着強度や信頼性に大きな影響を与えるこ
とはない。第２の好ましい具体例 図２は本発明の第２の好ましい具体例を示す電子部品実
装体の断面図である。
【００３２】この具体例では、電子部品１４の外部電極
１３は、表面に導電性接着剤層１６を設けている。電子
部品１４は、導電性接着剤層１６を接続体にして、被実
装体である回路基板１１に実装されている。この場合、
回路基板１１の接続端子１２は導電性接着剤層１６によ
り、電子部品１４の外部電極１３に電気的に接続されて
いる。
【００３３】なお、この具体例では、導電性接着剤層１
６は、熱可塑性高分子を１重量％以上含む導電性接着剤
により構成されている。導電性接着剤層１６をこのよう
に構成することで、電子部品１４を回路基板１１に対し
て熱圧着操作により実装することができる。
【００３４】また、導電性接着剤層１６は、熱硬化性接
着剤を含む導電性接着剤により構成してもよい。この場
合には、導電性接着剤層１６を半硬化状態で電子部品１
４上に形成しておけばよい。そうすれば、電子部品１４
を回路基板１１に対して加熱硬化処理により実装するこ
とができる。第３の好ましい具体例 図４は本発明の第３の好ましい具体例を示す電子部品実
装体である。
【００３５】この具体例では、３２１６サイズのジャン
パー抵抗からなる電子部品２４の外部電極２３の表面を
粗化処理している。そして、導電性接着剤からなる接続
体２５を介して、電子部品２４の外部電極２３を回路基
板２１の接続端子２２に電気的に接続している。第４の好ましい具体例 図５は本発明の第４の好ましいから具体例における電子
部品実装体である。
【００３６】この具体例では、電解コンデンサーなる電
子部品３４の外部電極であるリード電極３３の表面を粗
化処理している。なお、この具体例は、電子部品３４の
種類が異なること以外は、基本的には第３の具体例と同
様の構成を有している。そのため、図５において、第３
の具体例（図４）と同一ないし同様の部分には、同一の
符号を付している。第５の好ましい具体例 図６は本発明の第５の好ましい具体例における電子部品
実装体である。
【００３７】この具体例では、ＱＦＰ(Quad Flat Packa
ge)である電子部品４４のリード電極４３の表面を粗化
処理している。なお、この具体例は、電子部品４４の種
類が異なること以外は、基本的には第３の具体例と同様
の構成を有している。そのため、図６においては、第３
の具体例（図４）と同一ないし同様の部分には、同一の
符号を付している。
【００３８】上述した第３〜第５の具体例においては、
外部電極やリード電極の表面部位を、金、銀、銅、白
金、ニッケル、亜鉛、パラジウムあるいはこれらの金属
を含む合金あるいは混合体で構成したうえで、電極表面
部位を粗化している。これらの材料のうち、金、銀、白
金等の貴金属類が耐湿性、耐酸化性が高く、電極表面部
位の材料として好ましく用いることができる。
【００３９】また、上述した電極表面部位材料は、焼結
したもの（焼結銀や焼結銅等）を好ましく用いることが
できる。外部電極やリード電極を構成する金属は、焼結
処理を施すことによりその表面が粗化するため、別途粗
化処理を必要としなくなるためである。焼結金属を外部
電極やリード電極の表面部位に形成した電子部品として
は、焼結銀や焼結銅により外部電極やリード電極の表面
部位を被覆した電子部品が入手も容易であり、好ましく
利用できる。
【００４０】このような理由により、第３〜第５の具体
例においては、接着強度向上、耐湿性及び耐酸化性、入
手方法、コスト面を考慮すると、外部電極やリード電極
の表面部位として焼結銀を用いた電子部品が最も好まし
い。また、外部電極やリード電極の表面部位として焼結
銅を用いた電子部品も好ましく利用できる。
【００４１】しかしながら、外部電極やリード電極の形
成材料である導電性接着剤のペースト成分を調整するこ
とで表面粗さを調整することもできる。具体的にいえ
ば、例えば、ペースト中に含まれる溶媒の量を調整する
ことで、外部電極やリード電極の表面部位に形成される
ボイドの大きさを制御し、これによって表面粗さを調整
することもできる。
【００４２】上述した具体例においては、導電性接着剤
を構成する導電性フィラとして、金、銀、白金、ニッケ
ル、亜鉛、パラジウムあるいは、これらの金属を含む合
金や混合体等を好ましく利用することができる。しかし
ながら、錫、鉛等の金属材料からなるはんだフィラにつ
いては、本発明で用いる導電性フィラ材料から除外して
いる。これは、はんだフィラが酸化しやすい等の理由に
より電気特性を長期にわたって維持しにくいという理由
によっている。ただし、はんだフィラの表面に本発明で
適用可能とした上記金属（金等）をメッキしたものにつ
いては、本発明において好適に用いることができる。
【００４３】上述した具体例において、接着剤層、導電
性接着剤層、接続体を、熱可塑性高分子を１重量％以上
含む導電性接着剤によって構成すれば、実装後であって
も、加熱処理によって回路基板から電子部品を分離させ
ることができる。そうすれば、電子部品や回路基板の再
利用が可能となる。この場合、加熱温度および加熱時間
は熱可塑性高分子の種類、含有量に応じて適宜決定すれ
ばよい。
【００４４】上述した第１〜第３の具体例において、接
着剤層や導電性接着剤層は、外部電極の表面全体に形成
する必要はなく、例えば回路基板の接続端子に接する部
分だけに設けるといったように、必要に応じて接着剤
層、導電性接着剤層を外部電極の一部の領域に選択的に
設けてもよい。
【００４５】上述した各具体例において、適用可能な電
子部品は、コンデンサー、抵抗、コイル、半導体等とい
った一般的に電子部品として用いられているものであれ
ばその種類は限定されない。また、表面実装部品、リー
ド部品など、その形状も限定されない。また、接着剤層
や導電性接着剤層を構成する樹脂成分は、熱可塑性高分
子、熱硬化性高分子、およびこれらの混合体のいずれで
も良い。接着剤層、導電性接着剤層に含まれる導電性フ
ィラの形状、大きさなども特に限定されない。また、電
子部品の外部電極は単層のものでも、複層のものでも構
わない。複層の場合は、内層の仕様（材料等）は特に問
わない。また接着剤層、導電性接着剤層を外部電極の表
面に形成させる方法も特に問わない。
【００４６】以下、本発明の各実施例について説明す
る。
【００４７】まず、上述した第１、第２の具体例の実施
例およびその比較例である実施例１〜５、実施例７、比
較例１を説明する。これらの実施例および比較例におい
ては、ガラスエポキシ樹脂からなり銅電極パターンの接
続端子を有する回路基板に、３２１６サイズのジャンパ
ーチップ抵抗からなる電子部品を実装したのち、オーブ
ン中で１５０℃／１時間にて硬化処理することで電子部
品実装体を構成した。
【００４８】実施例１〜５、実施例７においては、上述
した第１の具体例の構成を適用して電子部品実装体を構
成した。実施例６においては第２の具体例の構成を適用
して電子部品実装体を構成した。実施例１ この実施例では、接着剤層６として、熱硬化性樹脂であ
るエポキシ樹脂と銀フィラとを主成分とする導電性接着
剤を用いた。接続体５として、エポキシ樹脂と銀フィラ
とを主成分とするものの接着剤層６とは種類の異なる導
電性接着剤を用いた。実施例２ この実施例では、接着剤層６として、熱硬化性樹脂であ
るエポキシ樹脂と銀フィラとを主成分とする導電性接着
剤を用いた。接続体５として、熱可塑性樹脂であるウレ
タン樹脂と銀フィラとを主成分とする導電性接着剤を用
いた。実施例３ この実施例では、接着剤層６として、熱可塑性樹脂であ
るウレタン樹脂と銀フィラとを主成分とする導電性接着
剤を用いた。接続体５として、熱硬化性樹脂であるエポ
キシ樹脂と銀フィラとを主成分とする導電性接着剤を用
いた。実施例４ この実施例では、接着剤層６として、熱可塑性樹脂であ
るウレタン樹脂と銀フィラとを主成分とする導電性接着
剤を用いた。接続体５として、熱可塑性樹脂であるウレ
タン樹脂と銀フィラとを主成分とする導電性接着剤を用
いた。実施例５ この具体例では、接着剤層６として、熱硬化性樹脂であ
るエポキシ樹脂と銀フィラとを主成分とし、かつ熱可塑
性樹脂であるウレタン樹脂を１重量％含む導電性接着剤
を用いた。接続体５として、熱硬化性樹脂であるエポキ
シ樹脂と銀フィラとを主成分とする導電性接着剤を用い
た。実施例６ この具体例では、導電性接着剤層１６として、熱硬化性
樹脂であるエポキシ樹脂と銀フィラとを主成分とし、か
つ熱可塑性樹脂であるウレタン樹脂を１重量％含む導電
性接着剤を用いた。実施例７ この具体例では、接着剤層６として、熱硬化性樹脂であ
るエポキシ樹脂を主成分とし、かつ導電フィラを含まな
い接着剤を用いた。接続体５として、熱硬化性樹脂であ
るエポキシ樹脂と銀フィラとを主成分とする導電性接着
剤を用いた。比較例１ この比較例では、接続体として、熱硬化性樹脂であるエ
ポキシ樹脂と銀フィラとを主成分とする導電性接着剤を
用いた。
【００４９】上述した実施例１〜７および比較例１の電
子部品実装体に対して、電子部品を横から押すシュア強
度試験により測定したせん断強度、初期抵抗値、耐湿試
験（温度８５度／湿度８５％）１００時間後の抵抗値の
それぞれを測定した結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】 実施例１〜７では、比較例１に比べて約２倍程度の接着
強度が得られた。比較例１では、電子部品の外部電極
（はんだメッキ層）と接続体（導電性接着剤）との接着
強度が低いために、電子部品が回路基板から容易に剥離
した。なお、比較例１における剥離モードは、はんだメ
ッキ層と接続体との界面剥離が主であった。
【００５１】また、実施例１〜７では、耐湿試験後の抵
抗値においても初期抵抗値とほぼ変わらない値を示し
た。
【００５２】次に第３〜第５の具体例の実施例およびそ
の比較例を説明する。なお、ここでは、第３の具体例に
おける実施例をこれら具体例の代表例とするが、第４、
第５の具体例においては同様の測定結果が得られるのは
いうまでもない。
【００５３】実施例８〜実施例１７および実施例１８〜
２３では、それぞれ表面粗さの異なる外部電極を有する
電子部品を実装した電子部品実装体を作製した。比較例
２、３および比較例４、５では、表面粗さ（Ｒa）が本
発明で規定した範囲を逸脱する外部電極を有する電子部
品を実装した電子部品実装体を作製した。なお、電子部
品としては、３２１６サイズのジャンパーチップ抵抗を
用いた。
【００５４】実施例８〜１７および比較例２では、電子
部品を、組成の異なる１１種類の焼結銀で外部電極２３
を構成することで、表面粗さ（Ｒa）を設定した。比較
例３では、外部電極をはんだメッキにより形成してお
り、これにより、その表面粗さ（Ｒa）を、本発明で規
定した範囲を逸脱させてより滑らかにした。
【００５５】実施例１８〜２３および比較例４では、電
子部品を、組成の異なる７種類の焼結銅で外部電極２３
を構成することで、表面粗さ（Ｒa）を設定した。
【００５６】実施例８〜１７および比較例２、３では、
接続体として、エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）と銀フィ
ラとを主成分とする第１の導電性接着剤Ａと第２の導電
性接着剤Ｂとを用いた。第１の導電性接着剤Ａは、銀フ
ィラを重量比率で９０％含んでいる。第２の導電性接着
剤Ｂは、銀フィラを重量比率で８０％含んでいる。
【００５７】実施例１８〜２３および比較例４では、接
続体として、第１の導電性接着剤Ａを用いた。
【００５８】各実施例および各比較例では、回路基板と
しては銅電極パターンからなる接続端子を有するガラス
エポキシ樹脂基板を用いた。
【００５９】そして、電子部品を第１の導電性接着剤Ａ
または第２の導電性接着剤Ｂを用いて回路基板上に実装
して、オーブン中で１５０℃／１時間で熱硬化処理する
ことで実施例８〜１７、実施例１８〜２３および比較例
２〜４を作製した。実施例８ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を０．１１μｍに設
定した。実施例９ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を０．５２μｍに設
定した。実施例１０ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を０．８５μｍに設
定した。実施例１１ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を１．１μｍに設定
した。実施例１２ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を２．３μｍに設定
した。実施例１３ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を４．５μｍに設定
した。実施例１４ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を５．０μｍに設定
した。実施例１５ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を６．０μｍに設定
した。実施例１６ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を８．３μｍに設定
した。実施例１７ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を９．８μｍに設定
した。比較例２ この比較例では、表面粗さ（Ｒa）を１２．０μｍに設
定した。比較例３ この比較例では、はんだメッキにより電子部品の外部電
極の表面部位を形成することで、その表面粗さ（Ｒa）
を０．０８５μｍに設定した。実施例１８ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を０．１２μｍに設
定した。実施例１９ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を０．８５μｍに設
定した。実施例２０ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を１．３μｍに設定
した。実施例２１ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を４．７μｍに設定
した。実施例２２ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を６．３μｍに設定
した。実施例２３ この実施例では、表面粗さ（Ｒa）を９．５μｍに設定
した。比較例４ この比較例では、表面粗さ（Ｒa）を１０．８μｍに設
定した。
【００６０】実施例８〜１７および比較例２、３に対し
て、せん断強度試験（電子部品を横から押すことで実施
する）、耐湿試験、および耐マイグレーション試験を行
った結果を表２に示す。同様に、実施例１８〜２３およ
び比較例４に対して、上述したせん断強度試験、耐湿試
験を行った結果を表２に示す。
【００６１】なお、耐湿試験は、温度８５度／湿度８５
％の環境において、放置前の抵抗値に対して、所定時間
（２００時間または１０００時間）放置した後の抵抗値
がどれだけ増加したか（以下、抵抗値増加率（％）とい
う）を測定することで実施した。また、接続体として
は、第１の導電性接着剤Ａを用いた。
【００６２】耐マイグレーション試験における試験条件
は次のように設定した。すなわち、電子部品実装体に対
して一定電流（１０ｍＡ）を流しながら、高温高湿環境
下（温度８５度／湿度８５％）に所定時間（１０００時
間）放置した後に、電子部品実装体の耐マイグレーショ
ン性を評価した。具体的には、電子部品実装体の外観検
査によってデンドライト（銀が析出して樹氷状に成長し
たもの）の成長具合を検査することにより耐マイグレー
ション性を評価した。また、接続体としては、第１の導
電性接着剤Ａを用いた。
【００６３】
【表２】 まず、せん断強度の測定結果について説明する。電子部
品の外部電極として焼結銀や焼結銅を用いて外部電極の
表面粗さ（Ｒa）を、０．１μｍ以上に設定した実施例
８〜１７および実施例１８〜２３では、いずれの導電性
接着剤であっても、比較例３（表面粗さ（Ｒa）０．０
８５μｍ：はんだメッキ）に比べて接着強度の向上が認
められた。また、外部電極の表面粗さ（Ｒa）を、１．
０μｍ以上に設定した実施例１１〜１７および実施例２
０〜２３では、いずれの導電性接着剤であっても、せん
断強度３．７ｋｇｆ以上というさらなる接着強度の向上
が認められた。
【００６４】これに対して、表面粗さ（Ｒa）が０．１
μｍ未満である比較例３では、十分な接着強度が得られ
ず、実用化に向かない。具体的にいえば、比較例３で
は、導電性接着剤との接着強度が低く、電子部品が回路
基板から容易に剥離した。
【００６５】このように、せん断強度の測定結果からみ
て、外部電極の表面粗さ（Ｒa）は、０．１μｍ以上に
設定するのが好ましく、１．０μｍ以上に設定するのが
最適であることが理解できる。
【００６６】次に、耐湿試験の測定結果について説明す
る。比較例２（外部電極の表面粗さ（Ｒa）が１２．０
μｍ）および比較例４（外部電極の表面粗さ（Ｒa）が
１０．８μｍ）では、抵抗値が大きく増加した。すなわ
ち、比較例２の抵抗値の増加率（％）は、２００時間後
において５５％であり、５００時間後において１３０％
であった。比較例４の抵抗値の増加率（％）は、２００
時間後において１２０％であり、５００時間後において
２３０％であった。
【００６７】また、比較例３（外部電極の表面粗さ（Ｒ
a）が０．０８５μｍ）でも、抵抗値が大きく増加し
た。すなわち、比較例３の抵抗値の増加率（％）は、２
００時間後において１００％であり、５００時間後にお
いて５００％であった。
【００６８】これに対して、実施例８〜１７、実施例１
８〜２３では、比較例２〜４と比較して抵抗値の増加率
（％）が大きく抑制された。すなわち、実施例８〜１７
における抵抗値の増加率は、２００時間後において１５
％以下であり、５００時間後において９０％以下であっ
た。また、実施例１８〜２３における抵抗値の増加率
は、２００時間後において１５％以下であり、５００時
間後において１２０％以下であった。
【００６９】また、一般に、電子部品実装体の抵抗値増
加率（％）は、実使用上、２０％以内であるのが好まし
いとされている。実施例８〜１７、実施例１８〜２３
（外部電極の表面粗さが１０．０μｍ以下）において
は、２００時間放置後の抵抗値増加率は最大でも１５％
であり、上記条件（２０％以内）を満たしている。ま
た、実施例８〜１４、実施例１８〜２１（外部電極の表
面粗さが５．０μｍ以下）においては、５００時間放置
後の抵抗値増加率は最大でも１０％であり、上記条件
（２０％以内）を満たしている。
【００７０】以上の耐湿試験の測定結果からみて、外部
電極の表面粗さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下に設定
するのが好ましく、５．０μｍ以下に設定するのが最適
であることが理解できる。
【００７１】次に、耐マイグレーション試験の測定結果
について説明する。比較例２（外部電極の表面粗さ１
２．０μｍ）においては、デンドライトが成長した結
果、短絡を生じた。一方、実施例１５（外部電極の表面
粗さ６．０μｍ）においては、短絡は生じなかったもの
の、比較的大きなデンドライトの成長が確認できた。こ
れに対して、表面粗さを５．０μｍ以下とした実施例８
〜１４では、大きなデンドライトは全く確認できなかっ
た。
【００７２】以上の耐マイグレーション試験の結果から
みて、外部電極の表面粗さは１０．０μｍ以下に設定す
るのが好ましく、５．０μｍ以下に設定するのが最適で
あることが理解できる。
【００７３】以上説明した各実施例の測定結果からみ
て、外部電極の表面粗さは０．１μｍ以上１０．０μｍ
以下に設定するのが好ましく、１．０μｍ以上５．０μ
ｍ以下に設定するのが最適であることが理解できる。
【００７４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、樹脂成
分を含む接着剤層を電子部品の外部電極に設けることに
より、接続体として設ける導電性接着剤と電子部品の外
部電極との間のなじみが良なる結果、十分な接着強度、
信頼性が得られる。これにより、電子部品の鉛フリー
化、電子部品実装体の鉛フリー化が実現できる。
【００７５】また、外部電極に設ける接着剤層を接続体
として用いれば、接続体として別途新たな導電性接着剤
を設ける必要がなくなり、その分実装工程を簡略化でき
る。
【００７６】また、電子部品の外部電極表面を粗化処理
することにより、導電性接着剤との接着面積が増大し、
同時にアンカー効果も効果的に働いて接着強度が向上す
る。
【００７７】また、焼結銀や焼結銅で外部電極を形成す
ると表面が粗いため、導電性接着剤を用いた接着におい
て十分な接続強度及び信頼性が得られる。現在供給され
ている電子部品の多くは、はんだメッキ及びスズメッキ
電極部分の下地として、焼結銀及び焼結銅を用いてい
る。そのため、焼結銀及び焼結銅を外部電極の表面部位
として有する電子部品は入手も容易であり、製造に際し
て新たな技術や設備投資を必要としない。それだけでな
く、はんだ及びスズメッキの行程が省略できるため、電
子部品の製造コストも削減できる。
【００７８】このように、本発明は、電子部品および電
子部品実装体の鉛フリー化も実現でき、近年、注目を集
めている環境問題に対しても有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の好ましい具体例に従う電子部品
実装体の断面図である。
【図２】第１の具体例の要部拡大図である。
【図３】本発明の第２の好ましい具体例に従う電子部品
実装体の断面図である。
【図４】本発明の第３の好ましい具体例に従う電子部品
実装体の断面図である。
【図５】本発明の第４の好ましい具体例に従う電子部品
実装体の断面図である。
【図６】本発明の第５の好ましい具体例に従う電子部品
実装体の断面図である。
【符号の説明】
１ 回路基板 ２ 接続端子 ３ 外部
電極 ４ 電子部品 ５ 接続体 ６ 接着剤層 ７ 隅肉
部 １１ 回路基板 １２ 接続端子 １３ 外部電極 １４ 電
子部品 １５ 接続体 １６ 導電性接着剤層 ２１ 回路基板 ２２ 接
続端子 ２３ 外部電極 ２４ 電子部品 ２５ 接
続体 ２６ 導電性接着剤層 ３１ 回路基板 ３２ 接
続端子 ３３ リード電極 ３４ 電子部品 ３５ 接
続体 ３６ 導電性接着剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石丸 幸宏 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 竹沢 弘輝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AB05 BB11 CC61

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外部電極の表面に樹脂成分を含む被膜を
    設けた、電子部品。
  2. 【請求項２】 前記被膜上に導電性接着剤層を設け、 前記導電性接着剤層は、金、銀、白金、ニッケル、亜
    鉛、パラジウム、あるいはこれらの金属を含む合金や混
    合体からなる導電性フィラを含んでいる、 請求項１記載の電子部品。
  3. 【請求項３】 前記被膜は、金、銀、白金、ニッケル、
    亜鉛、パラジウム、あるいはこれらの金属を含む合金や
    混合体からなる導電性フィラを含んでいる、 請求項１記載の電子部品。
  4. 【請求項４】 前記被膜の膜厚が、前記導電性フィラの
    粒径より小さい、 請求項２記載の電子部品。
  5. 【請求項５】 導電性接着剤の被膜からなる外部電極を
    有し、 前記導電性接着剤は、金、銀、白金、ニッケル、亜鉛、
    パラジウム、あるいはこれらの金属を含む合金や混合体
    からなる導電性フィラを含んでいる、 電子部品。
  6. 【請求項６】 電子部品と、 樹脂成分を含み前記電子部品の外部電極の表面に形成さ
    れた被膜と、 前記電子部品が実装される被実装体と、 金、銀、白金、ニッケル、亜鉛、パラジウム、あるいは
    これらの金属を含む合金や混合体からなる導電性フィラ
    を含み、前記電子部品の外部電極を前記被実装体の接続
    端子に電気的に接続する導電性接着剤と、 を有する電子部品実装体。
  7. 【請求項７】 前記被膜と前記導電性接着剤とが一体化
    している、 請求項６記載の電子部品実装体。
  8. 【請求項８】 前記被膜と前記導電性接着剤との接合部
    がフィレット状の形状をしている請求項７記載の電子部
    品実装体。
  9. 【請求項９】 電子部品の外部電極の表面に、金、銀、
    白金、ニッケル、亜鉛、パラジウム、あるいはこれらの
    金属を含む合金や混合体からなる導電性フィラを含む導
    電性接着剤の被膜を形成し、 前記電子部品の外部電極を、前記被膜を接続体にして被
    実装体の接続端子に電気的に接続した、 電子部品実装体。
  10. 【請求項１０】 電子部品の外部電極の表面に樹脂成分
    を含む被膜を形成したうえで、 金、銀、白金、ニッケル、亜鉛、パラジウムあるいは、
    これらの金属を含む合金や混合体等からなる導電性フィ
    ラを含む導電性接着剤を用いて、前記電子部品の前記外
    部電極を被実装体の接続端子に電気的に接続する、 電子部品実装体の製造方法。
  11. 【請求項１１】 電子部品の外部電極の表面に金、銀、
    白金、ニッケル、亜鉛、パラジウムあるいは、これらの
    金属を含む合金や混合体等からなる導電性フィラを含む
    導電性接着剤の被膜を形成したうえで、 前記被膜を接続体にして、前記電子部品の前記外部電極
    を被実装体の接続端子に電気的に接続する、 電子部品実装体の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記被膜を半硬化の状態で電子部品の
    表面に形成したうえで、接続時に前記被膜を加熱硬化さ
    せる、 請求項１１記載の電子部品実装体の製造方法。
  13. 【請求項１３】 電子部品の外部電極の表面粗さ
    （Ｒa）を、０．１μｍ以上１０．０μｍ以下に設定し
    た、 電子部品。
  14. 【請求項１４】 前記表面粗さ（Ｒa）を、１．０μｍ
    以上５．０μｍ以下に設定した、 請求項１３記載の電子部品。
  15. 【請求項１５】 前記外部電極の少なくとも表面部位
    が、金、銀、銅、白金、ニッケル、亜鉛、パラジウムあ
    るいはこれらの金属を含む合金あるいは混合体から構成
    した、 請求項１３記載の電子部品。
  16. 【請求項１６】 電子部品と、 前記電子部品が実装される被実装体と、 前記電子部品の外部電極を前記被実装体の接続端子に電
    気的に接続する導電性接着剤とを有し、 前記外部電極の表面粗さ（Ｒa）を、０．１μｍ以上１
    ０μｍ以下に設定した、 電子部品実装体。
  17. 【請求項１７】 前記表面粗さＲaを、１．０μｍ以上
    ５．０μｍ以下に設定した、 請求項１６記載の電子部品実装体。
JP2000394375A 1999-12-27 2000-12-26 電子部品、電子部品実装体およびその製造方法 Pending JP2001326449A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000394375A JP2001326449A (ja) 1999-12-27 2000-12-26 電子部品、電子部品実装体およびその製造方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36983299 1999-12-27
JP2000-62983 2000-03-08
JP2000062983 2000-03-08
JP11-369832 2000-03-08
JP2000394375A JP2001326449A (ja) 1999-12-27 2000-12-26 電子部品、電子部品実装体およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001326449A true JP2001326449A (ja) 2001-11-22

Family

ID=27341792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000394375A Pending JP2001326449A (ja) 1999-12-27 2000-12-26 電子部品、電子部品実装体およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001326449A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012175064A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Koa Corp チップ抵抗器およびその製造方法
JP2014013867A (ja) * 2012-07-05 2014-01-23 Panasonic Corp 部品実装基板の製造システム及び製造方法
JPWO2014068923A1 (ja) * 2012-10-29 2016-09-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012175064A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Koa Corp チップ抵抗器およびその製造方法
JP2014013867A (ja) * 2012-07-05 2014-01-23 Panasonic Corp 部品実装基板の製造システム及び製造方法
JPWO2014068923A1 (ja) * 2012-10-29 2016-09-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7151306B2 (en) Electronic part, and electronic part mounting element and an process for manufacturing such the articles
US8895869B2 (en) Mounting structure of electronic component
JPS63107087A (ja) 混成集積回路基板
JPH11219849A (ja) 積層セラミックコンデンサ
JP3267067B2 (ja) セラミック電子部品
WO2002056651A1 (fr) Carte de circuit imprime et sa production
JP2001326449A (ja) 電子部品、電子部品実装体およびその製造方法
JPH07179832A (ja) 導電性接着剤
JP2748615B2 (ja) 導電性接着剤
JP2004342766A (ja) 回路基板および電子部品実装体
JPH09306231A (ja) 導電性微粒子及び基板
JP3495773B2 (ja) 回路基板
JPH10340625A (ja) 導電性ペーストおよびその製造方法およびそれを用いたプリント配線基板
JPH1177371A (ja) 半田材料並びにプリント配線板及びその製造方法
JP2003124074A (ja) 面実装電子部品
JP3420469B2 (ja) 配線基板
JPS60120588A (ja) 印刷配線板
JPH02121359A (ja) 電子部品搭載用基板
JP2002338923A (ja) 導電性接着剤
JPH07205395A (ja) 導電性接合剤
JP2000138130A (ja) チップ型電子部品
JP2001332846A (ja) 電子部品の実装方法および実装体
JP2002076565A (ja) 電子部品およびその実装体
JPH11251503A (ja) 電子部品およびその製造方法
JPH11103164A (ja) 半田材料並びにプリント配線板及びその製造方法