JP2001326361A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 絶縁体層上の半導体層に形成された半導体装
置を含む電気光学装置において、開口率を確保しながら
SOI特有の基板浮遊効果を抑制した電気光学装置を提供
する。 【解決手段】 画素部の半導体層の膜厚を１００ｎｍ以
下にし、且つ、画素トランジスタに基板浮遊効果の小さ
いPチャネル型のトランジスタを用い、且つArイオン注
入によって再結合中心を導入して、余剰キャリアの蓄積
を防ぎ、ボディコンタクトを設けずに基板浮遊効果を抑
制し、開口率が高く、光リークの少ない電気光学装置を
得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁体層上の半導
体層に形成されたMISトランジスタにおいて、基板浮遊
効果を防止した電気光学装置、及び、電子機器に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】絶縁体上に単結晶シリコン層からなる半
導体層を形成し、その半導体層にトランジスタ等の半導
体デバイスを形成するSOI（Silicon On Insulator）技
術は、素子の高速化や低消費電力化、高集積化等の利点
を有し、液晶装置等の電気光学装置に適用することが可
能である。

【０００３】ところで、一般的なバルク半導体部品にあ
って、MISトランジスタのチャネル領域は、下地基板を
通じて、該チャネル領域を所定の電位に保持することが
できるので、チャネル部の電位変化に起因する寄生バイ
ポーラ効果などによって素子の耐圧などの電気的特性が
劣化することはない。

【０００４】しかしながら、SOI構造のMISトランジスタ
では、チャネル下部が下地絶縁膜により完全に分離され
ているため、チャネル領域を上記のように所定の電位に
固定させることができず、該チャネル領域が電気的に浮
いた状態となる。このとき、ドレイン領域近傍の電界で
加速されたキャリアと結晶格子との衝突によるインパク
トイオン化現象により発生した余剰キャリアがチャネル
の下部に蓄積する。この際、チャネル下部に余剰キャリ
アが蓄積してチャネル電位が上昇すると、ソース・チャ
ネル・ドレインのNPN（Nチャネル型の場合）構造が見掛
け上のバイポーラ素子として動作するため、異常電流に
より素子のソース・ドレイン間耐圧が劣化するなど電気
的な特性が悪化する、という問題があった。これらのチ
ャネル部が電気的に浮いた状態であることに起因する一
連の現象は、基板浮遊効果と呼ばれる。

【０００５】このような問題を解決するため、従来にあ
っては、チャネル領域と所定の経路で電気的に接続され
たボディコンタクト領域を設けるとともに、チャネル領
域に蓄積された余剰キャリアを該ボディコンタクト領域
から引き抜くことにより、基板浮遊効果を抑制してい
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶装
置などの電気光学装置の画素領域で使用されるMISトラ
ンジスタにボディコンタクト領域を設けると、画素の集
積度を上げることが難しく、特に透過型の場合、開口率
が小さくなってしまう、という問題があった。また、画
素領域以外の周辺駆動回路においても、ボディコンタク
ト領域を設けると、集積化が難しくなる。さらに、投射
型表示装置などの電子機器に用いられる電気光学装置に
おいては、強い光が画素トランジスタのチャネル領域や
ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域に光が入射すると
光励起でキャリアが生成して、画素蓄積容量より電荷が
リークする結果、フリッカーなどの表示ムラの原因とな
ってしまう。

【０００７】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、SOI特有の基板浮遊効
果を抑制したトランジスタを有する電気光学装置、特
に、光リークが問題となる投射型表示装置などの電子機
器に最適な電気光学装置、および、この電気光学装置を
用いた電子機器を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、次のように、絶縁体層上の半導体層に形
成された半導体装置を提供する。

【０００９】すなわち、本件の第１の発明は、支持基板
と、前記支持基板上に形成された第１の絶縁体層と、該
第１の絶縁体層上に形成された半導体層とにより構成さ
れた基板上に、複数の走査線と、前記複数の走査線に交
差する複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ
線に接続された画素トランジスタと、前記画素トランジ
スタに接続された画素電極と、前記画素トランジスタを
動作させるための駆動トランジスタを含む周辺回路とを
有する電気光学装置であって、前記画素トランジスタま
たは駆動トランジスタのチャネル領域とソース領域との
接合部分を含む領域、または、前記チャネル領域とドレ
イン領域との接合部分を含む領域のうち、少なくとも一
方の領域の欠陥密度が、前記チャネル領域の欠陥密度よ
り高いことを特徴としている。

【００１０】本発明の構成によれば、画素または駆動ト
ランジスタにおいて、チャネル領域よりも欠陥密度が高
い領域がキャリアの再結合中心として働くことによっ
て、余剰キャリアの蓄積を防止して、基板浮遊効果を抑
制することができる。また、ゲート電極で遮光できない
ＬＤＤ領域に光が入射しで、光励起でキャリアが生成し
ても、上記再結合中心により、リーク電流が流れること
を防止できる。

【００１１】本件の第２の発明は、支持基板と、前記支
持基板上に形成された第１の絶縁体層と、該第１の絶縁
体層上に形成された半導体層とにより構成された基板上
に、複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数
のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線に接続さ
れた画素トランジスタと、前記トランジスタに接続され
た画素電極とを有する電気光学装置であって、前記画素
トランジスタのチャネル領域とソース領域との接合部分
を含む領域、または、前記チャネル領域とドレイン領域
との接合部分を含む領域のうち、少なくとも一方の領域
の欠陥密度が、前記チャネル領域の欠陥密度より高いこ
とを特徴としている。

【００１２】本発明の構成によれば、画素トランジスタ
において、チャネル領域よりも欠陥密度が高い領域がキ
ャリアの再結合中心として働くことによって、余剰キャ
リアの蓄積を防止し、ボディコンタクトをとらずに基板
浮遊効果を抑制することができ、開口率の高い電気光学
装置が得られる。また、ゲート電極で遮光できないＬＤ
Ｄ領域に光が入射しで、光励起でキャリアが生成して
も、上記再結合中心により、リーク電流が流れることを
防止できる。本件の第３の発明は、支持基板と、前記支
持基板上に形成された第１の絶縁体層と、該第１の絶縁
体層上に形成された半導体層とにより構成された基板上
に、複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数
のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線に接続さ
れた画素トランジスタと、前記トランジスタに接続され
た画素電極と、前記画素トランジスタを動作させるため
の駆動トランジスタを含む周辺回路とを有する電気光学
装置であって、前記画素トランジスタまたは駆動トラン
ジスタのチャネル領域とソース領域との接合部分を含む
領域、または、前記チャネル領域とドレイン領域との接
合部分を含む領域のうち、少なくとも一方の領域の欠陥
密度が、前記チャネル領域の欠陥密度より高いことを特
徴としている。

【００１３】本発明の構成によれば、画素または駆動ト
ランジスタにおいて、チャネル領域よりも欠陥密度が高
い領域がキャリアの再結合中心として働くことによっ
て、余剰キャリアの蓄積を防止し、ボディコンタクトを
とらずに基板浮遊効果を抑制することができ、さらに、
開口率の高い電気光学装置が得られる。また、ゲート電
極で遮光できないＬＤＤ領域に光が入射しで、光励起で
キャリアが生成しても、上記再結合中心により、リーク
電流が流れることを防止できる。また、周辺回路を効率
よくレイアウトできる。

【００１４】本件の第４の発明によれば、支持基板と、
前記支持基板上に形成された第１の絶縁体層と、該第１
の絶縁体層上に形成された半導体層とで構成されている
基板上に、複数の走査線と、前記複数の走査線に交差す
る複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線に
接続された画素トランジスタと、前記画素トランジスタ
に接続された画素電極と、前記画素トランジスタを動作
させるための駆動トランジスタを含む周辺回路とを有す
る電気光学装置であって、前記画素トランジスタまたは
駆動トランジスタのチャネル領域とソース領域との接合
部分よりもチャネル側の領域、または、前記チャネル領
域とドレイン領域との接合部分よりもチャネル側の領域
のうち、少なくとも一方の領域の欠陥密度が、前記チャ
ネル領域の欠陥密度より高い画素または駆動トランジス
タを含むことを特徴としている。

【００１５】本発明の構成によれば、画素または駆動ト
ランジスタにおいて、チャネル領域よりも欠陥密度が高
い領域がキャリアの再結合中心として働くことによっ
て、余剰キャリアの蓄積を防止し、基板浮遊効果を抑制
することができる。また、ゲート電極で遮光できないＬ
ＤＤ領域に光が入射しで、光励起でキャリアが生成して
も、上記再結合中心により、リーク電流が流れることを
防止できる。 本発明の第５の発明によれば、支持基板
と、前記支持基板上に形成された第１の絶縁体層と、該
第１の絶縁体層上に形成された半導体層とで構成されて
いる基板上に、複数の走査線と、前記複数の走査線に交
差する複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ
線に接続された画素トランジスタと、前記画素トランジ
スタに接続された画素電極とを有する電気光学装置であ
って、前記画素トランジスタのチャネル領域とソース領
域との接合部分よりもチャネル側の領域、または、前記
チャネル領域とドレイン領域との接合部分よりもチャネ
ル側の領域のうち、少なくとも一方の領域の欠陥密度
が、前記チャネル領域の欠陥密度より高いことを特徴と
している。

【００１６】本発明の構成によれば、画素トランジスタ
において、チャネル領域よりも欠陥密度が高い領域がキ
ャリアの再結合中心として働くことによって、余剰キャ
リアの蓄積を防止し、ボディコンタクトをとらずに基板
浮遊効果を抑制することができ、さらに、開口率の高い
電気光学装置が得られる。また、ゲート電極で遮光でき
ないＬＤＤ領域に光が入射しで、光励起でキャリアが生
成しても、上記再結合中心により、リーク電流が流れる
ことを防止できるのでフリッカ等のない表示品位の高い
電気光学装置が得られる。本件の第６の発明は、支持基
板と、前記支持基板上に形成された第１の絶縁体層と、
該第１の絶縁体層上に形成された半導体層とで構成され
ている基板上に、複数の走査線と、前記複数の走査線に
交差する複数のデータ線と、前記各走査線と前記各デー
タ線に接続された画素トランジスタと、前記画素トラン
ジスタに接続された画素電極と、前記画素トランジスタ
を動作させるための駆動トランジスタを含む周辺回路と
を有する電気光学装置であって、前記画素トランジスタ
または駆動トランジスタのチャネル領域とソース領域と
の接合部分よりもチャネル側の領域、または、前記チャ
ネル領域とドレイン領域との接合部分よりもチャネル側
の領域のうち、少なくとも一方の領域の欠陥密度が、前
記チャネル領域の欠陥密度より高いことを特徴としてい
る。

【００１７】本発明の構成によれば、画素または駆動ト
ランジスタにおいて、チャネル領域よりも欠陥密度が高
い領域がキャリアの再結合中心として働くことによっ
て、余剰キャリアの蓄積を防止し、ボディコンタクトを
とらずに基板浮遊効果を抑制することができ、さらに、
開口率の高い電気光学装置が得られる。また、ゲート電
極で遮光できないＬＤＤ領域に光が入射しで、光励起で
キャリアが生成しても、上記再結合中心により、リーク
電流が流れることを防止できる。また、周辺回路を効率
よくレイアウトできる。

【００１８】さて、上記いずれかの発明においては、前
記各走査線と前記各データ線に接続された前記画素トラ
ンジスタがPチャネル型である構成が望ましい。この構
成によれば、画素トランジスタの少数キャリアは電子よ
りもインパクトイオン化係数の小さい正孔であるため、
画素トランジスタにNチャネル型を用いる場合よりも基
板浮遊効果が起こりにくく、ボディコンタクトをとらず
にNチャネル型よりも高い電圧で駆動させることがで
き、開口率の高い電気光学装置が得られる。さらに、各
走査線と各データ線に接続されたトランジスタにおい
て、チャネル領域よりも欠陥密度が高い領域がキャリア
の再結合中心として働くことによって、余剰キャリアの
蓄積を防止して、より基板浮遊効果を抑制するため、液
晶の駆動など、高い電圧で駆動させる場合に最適であ
る。また、ゲート電極で遮光できないＬＤＤ領域に光が
入射しで、光励起でキャリアが生成しても、上記再結合
中心により、リーク電流が流れることを防止できる。ま
た、このような構成において、前記第１の絶縁体層上に
形成された半導体層のうち、少なくとも、前記各走査線
と前記各データ線に接続された前記画素トランジスタが
形成されている部分の膜厚が１００ｎｍ以下である構成
が望ましい。この構成によれば、電気光学装置のうち、
少なくとも、各走査線と各データ線に接続された前記ト
ランジスタが形成されている部分（すなわち、光が照射
される部分）の半導体層の膜厚が薄いため、光励起によ
るリーク電流を最小限に抑制することができる。

【００１９】上記いずれかの発明においては、前記領域
における欠陥を、Arイオンの注入により導入する構成で
あることが望ましい。この構成によれば、Arイオンの注
入によって導入される欠陥が再結合中心として働く。

【００２０】上記いずれかの発明においては、前記支持
基板が単結晶シリコンである構成が望ましい。この構成
によれば、反射型の液晶装置などの電気光学装置に適用
することが可能である。さらに、バルクシリコンの装置
をそのまま使用することができるメリットがある。

【００２１】上記いずれかの発明においては、前記支持
基板が石英であり、且つ、第１の絶縁体層上に形成され
た半導体層が単結晶シリコンである構成が望ましい。こ
の構成にによれば、支持基板が透明であるため、透過型
の液晶装置などの電気光学装置に適用可能である。ま
た、支持基板がガラスでは行えない高温プロセスができ
るため、良質の絶縁膜などを得ることができ、信頼性の
高いデバイスを提供できる。さらに、前記半導体層が単
結晶シリコンであるため、駆動周波数を高めた高品質で
高精細な電気光学装置を得ることができる。

【００２２】上記いずれかの発明においては、前記支持
基板が石英であり、且つ、第１の絶縁体層上に形成され
た半導体層が多結晶シリコンである構成が望ましい。こ
の構成にによれば、支持基板が透明であるため、透過型
の液晶装置などの電気光学装置に適用可能である。ま
た、支持基板がガラスでは行えない高温プロセスができ
るため、良質の絶縁膜などを得ることができ、信頼性の
高いデバイスを提供できる。さらに、前記半導体層が多
結晶シリコンであるため、基板上に容易に成膜すること
ができ、高精細な電気光学装置を容易に得ることができ
る。

【００２３】上記いずれかの発明においては、前記支持
基板がガラスである構成が望ましい。この構成にによれ
ば、支持基板が安価な透明基板であるため、液晶装置な
どの透過型の電気光学装置を低コストで提供できる。

【００２４】そして、本発明の電子機器は、光源と、前
記光源から出射される光が入射されて画像情報に対応し
た変調を施す上記電気光学装置と、前記電気光学装置に
より変調された光を投射する投射手段とを具備すること
を特徴としている。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態に係る
電気光学装置について、図面を参照して説明する。

【００２６】（電気光学装置の構成）図１は、本発明の
一実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置のう
ち、画像形成領域の等価回路を示す図である。また、図
３は、同液晶装置におけるトランジスタの構造の一例を
示す平面図であり、図２は、そのＡ−Ａ’線に沿った断
面図である。

【００２７】さて、図１において、本実施形態に係る液
晶装置の画像表示領域を構成する複数の画素は、マトリ
クス状に複数形成された画素電極９ａと、画素電極９ａ
を制御するための画素トランジスタ３０とからなり、画
像信号が供給されるデータ線６ａが当該画素トランジス
タ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６
ａに書き込まれる画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、こ
の順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数
のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するよ
うにしても良い。

【００２８】また、画素トランジスタ３０のゲートに走
査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミング
で、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、
Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されてい
る。画素電極９ａは、画素トランジスタ３０のドレイン
に電気的に接続されており、画素トランジスタ３０を一
定期間だけスイッチを閉じることにより、データ線６ａ
から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定の
タイミングで書き込む。画素電極９ａを介して液晶に書
き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ
は、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述
する）との間で一定期間保持される。ここで、保持され
た画像信号のリークするのを防ぐために、画素電極９ａ
および対向電極の間に形成される液晶容量に対して並列
に蓄積容量７０が付加されている。この蓄積容量７０に
より、保持特性が改善され、コントラスト比の高い液晶
装置が実現できる。

【００２９】次に、本実施形態に係るトランジスタの断
面構造について、図２を用いて説明する。なお、図２
は、トランジスタだけを示すものであり、図１における
画素電極９ａや、データ線６ａ、蓄積容量７０等につい
ては省略する。

【００３０】さて、図２に示されるように、支持基板１
の上には第１の絶縁体層２が形成されており、この第１
の絶縁体層２の上に、Pチャネル型のトランジスタが形
成されている。詳細には、第１の絶縁体層２の上には、
半導体層の所定の領域にN-型のチャネル領域３、P+型の
ソース領域４およびドレイン領域５が設けられ、さら
に、チャネル領域３の上に形成された第２の絶縁体層
（ゲート絶縁膜）６、ゲート電極７とともにMISトラン
ジスタが構成されいる。なお、この図では省略されてい
るが、トランジスタの下側であって、支持基板１と第１
の絶縁体層２との間には、遮光層が設けられている。詳
細には、この遮光膜は、画像表示領域において、トラン
ジスタを、下側から見て覆う位置に設けられている。

【００３１】ここで、支持基板１は、単結晶シリコン、
石英基板、ガラス基板のいずれであってもよい。支持基
板１が単結晶シリコンであれば、反射型電気光学装置に
適用可能であり、その場合、半導体層は単結晶シリコン
である。また、支持基板１が石英基板、ガラス基板であ
れば、透過型電気光学装置に適用可能であり、その場
合、半導体層は、単結晶シリコン、多結晶シリコンのい
ずれかである。

【００３２】また、半導体層とゲート電極７とを覆うよ
うに層間絶縁膜１４が形成されている。なお、図２では
省略されているが、図１におけるデータ線６ａが、層間
絶縁膜１４に形成されるコンタクトホールを介してソー
ス領域４に接続される一方、図１における画素電極９ａ
が、同じく層間絶縁膜１４に形成されるコンタクトホー
ルを介してドレイン５に接続されている。

【００３３】さらに、通常のMISトランジスタと同じ
く、チャネル領域３とソース領域４との間には、LDD（L
ightly Doped Drain）領域９（図２において左側の点線
部）が、ソース領域４よりも低い不純物濃度を有するP-
型の半導体層として形成され、同様に、チャネル領域３
とドレイン領域５との間にも、LDD領域９（図２におい
て右側の点線部）が、ドレイン領域５よりも低い不純物
濃度を有するP-型の半導体層として形成されている。LD
D構造を有することにより、ドレイン近傍の電界分布を
緩和して基板浮遊効果の原因であるインパクトイオン化
を小さくすることができる。さらにPチャネル型トラン
ジスタの少数キャリアは電子よりもインパクトイオン化
係数の小さい正孔であるため、Nチャネル型を用いる場
合よりも基板浮遊効果が起こりにくく、ボディコンタク
トをとらずにNチャネル型よりも高い電圧で駆動させる
ことができる。よって、画素トランジスタ３０をPチャ
ネル型にすることにより、開口率の高い電気光学装置が
得られる。

【００３４】さらに、チャネル領域３とソース領域４と
の接合部分を含んだ一定幅の領域１１（図２において左
側の網掛け部）には、Arイオンが注入されて、その欠陥
密度が、チャネル領域３より高くなっている。同様に、
チャネル領域３とドレイン領域５との接合部分を含んだ
一定幅の領域１１（図２において右側の網掛け部）に
も、Arイオンが注入されて、その欠陥密度が、チャネル
領域３より高くなっている。これら２つの領域１１は、
図３に示されるように、ゲート電極７に沿って、ソース
領域４の側およびドレイン領域５の側の全域に渡ってそ
れぞれ設けられる。

【００３５】ここで、領域１１に注入されたArイオンに
より、余剰キャリアの再結合中心が導入され、基板浮遊
効果がよりいっそう抑制される。なお、ソース、ドレイ
ンが入れ替わる画素トランジスタ３０では、図２に示さ
れるように、領域１１が、ソース領域４の側およびドレ
イン領域５の側の両方にそれぞれ形成することが好まし
い。同様にLDD領域９もソース領域４の側およびドレイ
ン領域５の側の両方にそれぞれ形成することが好まし
い。

【００３６】なお、本実施形態において、素子分離はメ
サ分離で行っているが、公知のあらゆる素地分離方法、
例えばLOCOS（Local Oxidation of Silicon）分離やト
レンチ、などを用いても構わない。

【００３７】また、本実施形態のトランジスタの耐圧向
上の効果は、Pチャネル型に限ったものではなく、Nチャ
ネル型においてもその効果があるため、N型を用いても
構わない。

【００３８】さらに、本実施形態のトランジスタは、部
分空乏型でも完全空乏型でも有効である。部分空乏型で
あれば、チャネル領域３が形成されている部分の半導体
層の膜厚を、１００ｎｍ〜３００ｎｍとするのが好まし
く、完全空乏型であれば、チャネル領域３が形成されて
いる部分の半導体層の膜厚を、３０ｎｍ〜１００ｎｍと
するのが好ましい（代表的には５０ｎｍ程度）。

【００３９】なお、画素トランジスタ部分をほぼ完全に
遮光できる場合は、光励起によるリーク電流を許容でき
る範囲内で画素トランジスタ部分の半導体層の膜厚が厚
い部分空乏型を適用できる。

【００４０】また、遮光が完全ではなく迷光が侵入する
場合は、光が照射される画素トランジスタ３０では、チ
ャネル領域３が形成されている部分の半導体層の膜厚を
１００ｎｍ以下にすると、光励起によるリーク電流が抑
制される。光励起により生成されるキャリア数は、半導
体層の膜厚に比例するために、膜厚が薄い方が光リーク
電流は低いが、あまり薄すぎるとトランジスタの閾値電
圧の制御が難しくなるため、５０ｎｍ程度が好ましい。
また、半導体層膜厚を薄くしたことによってソース・ド
レインなどのシート抵抗の増加が問題になる場合には、
ソース・ドレインをシリサイド化すれば低抵抗化でき
る。

【００４１】さらに、部分空乏型トランジスタ、完全空
乏型トランジスタいずれにおいても、ゲート電極で遮光
できないＬＤＤ領域に光が入射しで、光励起でキャリア
が生成しても、再結合中心により、リーク電流が流れる
ことを防止できる。

【００４２】くわえて、画像表示領域の周辺に、画素ト
ランジスタ３０を動作させる駆動トランジスタを含む周
辺回路を設ける場合、光リーク対策の必要な画像表示領
域の画素トランジスタ３０にかかる半導体層のみ膜厚を
１００ｎｍ以下にし、周辺回路を構成する駆動トランジ
スタにかかる半導体層の膜厚は１００ｎｍ以下でも１０
０ｎｍ以上でもどちらでもよい。

【００４３】また、本実施形態ではボディコンタクトと
組み合わせても構わない。即ち、チャネル領域と所定の
経路で電気的に接続されたボディコンタクト領域をさら
に設けることにより、チャネル領域に蓄積された余剰キ
ャリアをこのボディコンタクト領域から引き抜くこと
で、基板浮遊効果をさらに抑制することが可能である。

【００４４】（本実施形態の変形例１）図４は、上述し
た実施形態の変形例１を示すものであり、上述の実施形
態と異なる点のみ説明して、共通部分についてはその説
明を省略する。

【００４５】図４に示されるように、この変形例１で
は、LDD領域９（図４において点線部）と、欠陥密度が
チャネル領域３よりも高い領域１１（図４において網掛
け部）とが重なっている。即ち、この変形例１では、LD
D領域９の全体にArイオンが注入されている。このよう
な構成によれば、ソース領域４、ドレイン領域５の抵抗
が大きくならない。

【００４６】（本実施形態の変形例２）図５は、上述し
た実施形態の変形例２を示すものであり、上述の実施形
態と異なる点のみ説明して、共通部分についてはその説
明を省略する。図５に示されるように、この変形例２で
は、LDD領域９と、ソース領域４またはドレイン領域５
と、領域１１とが重なっている。即ち、LDD領域９と、
ソース領域４またはドレイン領域５との全体にわたって
Arイオンが注入されている。このような変形例２によれ
ば、LDD領域９に不純物を注入するためのマスクと、領
域領域１１にArイオンを注入するためのマスクとを兼用
できる利点がある。即ち、LDD領域９への不純物を注入
する工程と同一工程で領域１１にArイオンを注入するこ
とができ、工程数が増えない。また、ソース領域４、ド
レイン領域５の活性化の後に、領域１１にArイオンを注
入する場合において、LDD領域９を形成するためのマス
クを使用できる。

【００４７】（本実施形態の変形例３）図６は、上述し
た実施形態の変形例３を示すものであり、上述の実施形
態と異なる点のみ説明して、共通部分についてはその説
明を省略する。

【００４８】図６に示されるように、この変形例３で
は、領域１１がチャネル領域３内のみに形成されてい
る。即ち、LDD領域９（図６において点線部）と、ソー
ス領域４、ドレイン領域５とにはArイオンが注入されて
いない構成となっている。

【００４９】このような構成によれば、欠陥に起因する
リーク電流を最小限に抑えられる。

【００５０】（その他）なお、本発明においては、ソー
ス領域およびドレイン領域が入れ替わらないトランジス
タでは、ソース領域またはドレイン領域のうち、一方の
領域だけにチャネル領域３よりも欠陥密度が高い領域１
１を設けても構わない。また、LDD領域９はドレイン側
のみに設けても構わない。また、本発明においては、チ
ャネル領域３よりも欠陥密度が高い領域１１を形成する
方法としてArイオンの注入に限ったものではない。シリ
コンや、酸素、炭素、窒素などのイオンを注入してもよ
い。

【００５１】（液晶装置の全体構成）次に、実施形態に
係る液晶装置の全体構成について、図７及び図８を参照
して説明する。尚、図７は、トランジスタが形成された
素子基板１０を、そこに形成された他の構成要素と共に
対向基板２０の側から見た平面図であり、図８は、対向
基板２０を含めて示す図７のＨ−Ｈ’断面図である。

【００５２】図７に示されるように、対向基板２０に
は、シール材５２の内側に並行して、第２遮光膜２３と
同一或いは異なる材料からなる額縁としての第３遮光膜
５３が設けられている。なお、第２遮光膜２３は、対向
基板２０の側からの入射光が、画素トランジスタ３０に
侵入するのを防止したり、画素間の混色を防止したりす
るために、画素電極９ａと対向する領域以外の領域に設
けられたものである。

【００５３】一方、素子基板１０において、シール材５
２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部
回路接続端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設け
られており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接
する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給さ
れる走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆
動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもな
い。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺
に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ
線６ａは画像表示領域の一方の辺に沿って配設されたデ
ータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ
線６ａは前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設さ
れたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにし
てもよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するよ
うにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張するこ
とができるため、複雑な回路を構成することが可能とな
る。更に素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域の
両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間をつなぐた
めの複数の配線１０５が設けられている。また、対向基
板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素
子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるた
めの上下導通材１０６が設けられている。そして、図８
に示すように、シール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向
基板２０が当該シール材５２により素子基板１０に固着
されている。

【００５４】このような液晶装置の素子基板１０上に
は、更に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠
陥等を検査するための検査回路等が設けられ、データ線
駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４とともに周
辺回路として形成されている。

【００５５】また、データ線駆動回路１０１および走査
線駆動回路１０４を素子基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディン
グ基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、素子基板１０
の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気
的及び機械的に接続するようにしてもよい。

【００５６】また、対向基板２０の投射光が入射する側
及び素子基板１０の出射光が出射する側には、各々、例
えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴ
Ｎ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（デュアルスキ
ャン−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホ
ワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じ
て、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光手段などが所
定の方向で配置される。

【００５７】以上説明した液晶装置は、例えばカラー液
晶プロジェクタ（投射型表示装置）に適用する場合に
は、３枚の液晶装置がＲＧＢ用のライトバルブに各々用
いられる。この場合、各パネルには各々ＲＧＢ色分解用
のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が
各々入射された後、合成されて投射されることになる。
従って、この場合には、対向基板２０には、実施形態の
ようにカラーフィルタは設けられない。

【００５８】ただし、実施形態における液晶装置を、液
晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレ
ビなどのカラー液晶装置として適用する場合には、画素
電極９ａと対向する領域であって、第２遮光膜２３の形
成されていない領域に、ＲＧＢのカラーフィルタをその
保護膜と共に、対向基板２０上に形成すれば良い。

【００５９】一方、実施形態における液晶装置を、液晶
プロジェクタのライトバルブに適用する場合、対向基板
２０上に１画素に１個対応するようにマイクロレンズを
形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率
を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。更に
また、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干
渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色
を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。
このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、よ
り明るいカラー液晶装置が実現できる。

【００６０】（電子機器）次に、上記液晶装置を用いた
電子機器の一例として、投射型表示装置の構成につい
て、図９を参照して説明する。図９は、上述した液晶装
置を３個用意し、夫々ＲＧＢ用の液晶装置９６２Ｒ、９
６２Ｇ及び９６２Ｂとして用いた投射型液晶装置１１０
０の光学系の概略構成を示す図である。本例の投射型表
示装置１１００の光学系には、光源装置９２０と、均一
照明光学系９２３が採用されている。そして、投射型表
示装置１１００は、この均一照明光学系９２３から出射
される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に分離す
る色分離光学系９２４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞ
れ変調するライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂ
と、変調された後の色光束を再合成する色合成プリズム
９１０と、合成された光束を投射面１００の表面に拡大
投射する投射手段としての投射レンズユニット９０６を
備えている。また、青色光束Ｂを対応するライトバルブ
９２５Ｂに導く導光系９２７をも備えている。

【００６１】均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板
９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射
ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が
直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３
の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリク
ス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源
装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２
１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。
そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の
矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２
５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。従って、均一照明光
学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が出射
光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合で
も、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂ
を均一な照明光で照明することが可能となる。

【００６２】各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイク
ロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー
９４２と、反射ミラー９４３とから構成される。まず、
青緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗ
に含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反
射され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向か
う。一方、赤色光束Ｒは、青緑反射ダイクロイックミラ
ー９４１を通過して、後方の反射ミラー９４３で直角に
反射されて、赤色光束Ｒの出射部９４４から色合成光学
系の側に出射される。

【００６３】次に、青緑反射ダイクロイックミラー９４
１により反射された青色光束Ｂ、緑色光束Ｇのうち、緑
色光束Ｇのみが、緑反射ダイクロイックミラー９４２に
おいて直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５か
ら色合成光学系の側に出射される。また、緑反射ダイク
ロイックミラー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光
束Ｂの出射部９４６から導光系９２７の側に出射され
る。本例では、均一照明光学素子の光束Ｗの出射部か
ら、色分離光学系９２４における各色光束の出射部９４
４、９４５、９４６までの距離が互いにほぼ等しくなる
ように設定されている。

【００６４】色分離光学系９２４による赤色光束Ｒの出
射部９４４の出射側、および、緑色光束Ｇの出射部９４
５の出射側には、それぞれ集光レンズ９５１、９５２が
配置されている。したがって、各出射部から出射した赤
色光束Ｒ、緑色光束Ｇは、これらの集光レンズ９５１、
９５２にそれぞれ入射して平行化される。

【００６５】このように平行化された赤色光束Ｒ、緑色
光束Ｇは、ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して
変調され、各色光に対応した画像情報が付加される。す
なわち、これらの液晶装置は、図示しない駆動手段によ
って画像情報に応じてスイッチング制御されて、これに
より、ここを通過する各色光の変調が行われる。

【００６６】一方、青色光束Ｂは、導光系９２７を介し
て対応するライトバルブ９２５Ｂに導かれ、ここにおい
て、同様に画像情報に応じて変調が施される。尚、本例
のライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂは、それ
ぞれさらに入射側偏光手段９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０
Ｂと、出射側偏光手段９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂ
と、これらの間に配置された液晶装置９６２Ｒ、９６２
Ｇ、９６２Ｂとからなるものである。

【００６７】ところで、導光系９２７は、青色光束Ｂの
出射部９４６の出射側に配置された集光レンズ９５４
と、入射側反射ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７
２と、これらの反射ミラーの間に配置した中間レンズ９
７３と、ライトバルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光
レンズ９５３とから構成されている。出射部９４６から
出射された青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装
置９６２Ｂに導かれて変調される。各色光束の光路長、
すなわち、光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９
６２Ｇ、９６２Ｂまでの距離は、青色光束Ｂが最も長く
なり、したがって、青色光束の光量損失が最も多くな
る。しかし、導光系９２７を介在させることにより、光
量損失を抑制することができる。

【００６８】各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２
５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色合成
プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そし
て、この色合成プリズム９１０によって合成された光が
投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある投
射面１００の表面に拡大投射されるようになっている。

【００６９】本例では、液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、
９６２Ｂには、トランジスタの下側に遮光層が設けられ
ているため、当該液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２
Ｂからの投射光に基づく液晶プロジェクタ内の投射光学
系による反射光や、投射光が通過する際の素子基板の表
面からの反射光、他の液晶装置から出射した後に投射光
学系を突き抜けてくる投射光の一部等が、戻り光として
素子基板の側から入射しても、画素トランジスタのチャ
ネルに対する遮光を十分に行うことができる。

【００７０】このため、小型化に適した色合成プリズム
９１０を用いても、各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９
６２Ｂと当該色合成プリズム９１０との間において、戻
り光防止用のフィルムを別途配置したり、偏光手段に戻
り光防止処理を施したりすることが不要となるので、構
成を小型且つ簡易化する上で大変有利である。

【００７１】また、本例では、戻り光によるトランジス
タのチャネル領域への影響を抑えることができるため、
液晶装置に直接戻り光防止処理を施した偏光手段９６１
Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂを貼り付けなくてもよい。そこ
で、図９に示されるように、偏光手段を液晶装置から離
して形成、より具体的には、一方の偏光手段９６１Ｒ、
９６１Ｇ、９６１Ｂは色合成プリズム９１０に貼り付
け、他方の偏光手段９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂは集
光レンズ９５１、９５２、９５３に貼り付けることが可
能である。このように、偏光手段を色合成プリズム９１
０あるいは集光レンズ９５１、９５２、９５３に貼り付
けると、偏光手段の熱が、色合成プリズム９１０あるい
は集光レンズ９５１、９５２、９５３に吸収されるた
め、液晶装置の温度上昇を抑制して、その誤動作を未然
に防止することができる。

【００７２】また、図示を省略するが、液晶装置と偏光
手段とを離間形成することにより、液晶装置と偏光手段
との間には空気層ができる。ここに、冷却手段を設け、
液晶装置と偏光手段との間に冷風等の送風を送り込むこ
とにより、液晶装置の温度上昇をさらに抑制して、液晶
装置の温度上昇による誤動作を、より確実に防止するこ
とが可能となる。

【００７３】なお、上述した説明にあっては、電気光学
装置を、液晶装置として説明したが、これに限るもので
はなく、エレクトロルミネッセンスや、プラズマディス
プレイ等の種々の電気光学装置にも本発明は適用可能で
ある。

【００７４】

【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、トランジスタにおいて、チャネル領域よりも欠陥密
度が高い領域がキャリアの再結合中心として働くことに
よって、余剰キャリアの蓄積が防止され、基板浮遊効果
を抑制することが可能となる。また、トランジスタに光
が入射した場合においても、上記再結合中心が働き光リ
ーク電流を防ぐことができるため、表示品位の高い電気
光学装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態に係る液晶装置のうち、画
像形成領域の構成を示す等価回路である。

【図２】 同液晶装置におけるトランジスタの構成を示
す断面図である。

【図３】 同液晶装置におけるトランジスタの構成を示
す平面図である。

【図４】 同実施形態の変形例１におけるトランジスタ
の構成を示す断面図である。

【図５】 同実施形態の変形例２におけるトランジスタ
の構成を示す断面図である。

【図６】 同実施形態の変形例３におけるトランジスタ
の構成を示す断面図である。

【図７】 同液晶装置の構成を示す平面図である。

【図８】 図７のＨ−Ｈ’断面図である。

【図９】 同液晶装置を用いた電子機器の一例である投
射型表示装置の構成を示す平面図である。

【符号の説明】

１…支持基板 ２…第１の絶縁体層 ３…チャネル領域 ４…ソース領域 ５…ドレイン領域 ６…第２の絶縁体層（ゲート絶縁膜） ７…ゲート電極 ９…LDD領域 １０…素子基板 １１…領域 １４…層間絶縁膜 ２０…対向基板 ５２…シール材 ５３…額縁 １００…液晶装置 １０１…データ線駆動回路 １０２…外部回路接続端子 １０４…走査線駆動回路 １０６…上下導通材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA59 JA25 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 KA07 KB14 MA05 MA07 MA13 MA17 MA27 MA28 MA35 MA37 MA41 NA21 NA25 NA27 NA29 PA01 RA05 5C094 AA10 AA21 BA03 BA04 BA43 CA19 DA09 EA03 EA04 EA07 FB14 5F110 AA15 BB02 CC02 DD02 DD03 DD05 GG02 GG12 GG13 GG24 GG25 GG33 GG52 HJ02 HJ13 HJ23 HK40 HM15 NN02 NN41 NN62 NN65 NN66

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持基板と、前記支持基板上に形成され
   た第１の絶縁体層と、該第１の絶縁体層上に形成された
   半導体層とにより構成された基板上に、 複数の走査線と、 前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、 前記各走査線と前記各データ線に接続された画素トラン
   ジスタと、 前記画素トランジスタに接続された画素電極と、 前記画素トランジスタを動作させるための駆動トランジ
   スタを含む周辺回路とを有する電気光学装置であって、 前記画素トランジスタまたは駆動トランジスタのチャネ
   ル領域とソース領域との接合部分を含む領域、または、
   前記チャネル領域とドレイン領域との接合部分を含む領
   域のうち、少なくとも一方の領域の欠陥密度が、前記チ
   ャネル領域の欠陥密度より高いことを特徴とする電気光
   学装置。
2. 【請求項２】 支持基板と、前記支持基板上に形成され
   た第１の絶縁体層と、該第１の絶縁体層上に形成された
   半導体層とにより構成された基板上に、 複数の走査線と、 前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、 前記各走査線と前記各データ線に接続された画素トラン
   ジスタと、 前記トランジスタに接続された画素電極とを有する電気
   光学装置であって、 前記画素トランジスタのチャネル領域とソース領域との
   接合部分を含む領域、または、前記チャネル領域とドレ
   イン領域との接合部分を含む領域のうち、少なくとも一
   方の領域の欠陥密度が、前記チャネル領域の欠陥密度よ
   り高いことを特徴とする電気光学装置。
3. 【請求項３】 支持基板と、前記支持基板上に形成され
   た第１の絶縁体層と、該第１の絶縁体層上に形成された
   半導体層とにより構成された基板上に、 複数の走査線と、 前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、 前記各走査線と前記各データ線に接続された画素トラン
   ジスタと、 前記トランジスタに接続された画素電極と、 前記画素トランジスタを動作させるための駆動トランジ
   スタを含む周辺回路とを有する電気光学装置であって、 前記画素トランジスタまたは駆動トランジスタのチャネ
   ル領域とソース領域との接合部分を含む領域、または、
   前記チャネル領域とドレイン領域との接合部分を含む領
   域のうち、少なくとも一方の領域の欠陥密度が、前記チ
   ャネル領域の欠陥密度より高いことを特徴とする電気光
   学装置。
4. 【請求項４】 支持基板と、前記支持基板上に形成され
   た第１の絶縁体層と、該第１の絶縁体層上に形成された
   半導体層とで構成されている基板上に、 複数の走査線と、 前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、 前記各走査線と前記各データ線に接続された画素トラン
   ジスタと、 前記画素トランジスタに接続された画素電極と、 前記画素トランジスタを動作させるための駆動トランジ
   スタを含む周辺回路とを有する電気光学装置であって、 前記画素トランジスタまたは駆動トランジスタのチャネ
   ル領域とソース領域との接合部分よりもチャネル側の領
   域、または、前記チャネル領域とドレイン領域との接合
   部分よりもチャネル側の領域のうち、少なくとも一方の
   領域の欠陥密度が、前記チャネル領域の欠陥密度より高
   い画素または駆動トランジスタを含むことを特徴とする
   電気光学装置。
5. 【請求項５】 支持基板と、前記支持基板上に形成され
   た第１の絶縁体層と、該第１の絶縁体層上に形成された
   半導体層とで構成されている基板上に、 複数の走査線と、 前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、 前記各走査線と前記各データ線に接続された画素トラン
   ジスタと、 前記画素トランジスタに接続された画素電極とを有する
   電気光学装置であって、 前記画素トランジスタのチャネル領域とソース領域との
   接合部分よりもチャネル側の領域、または、前記チャネ
   ル領域とドレイン領域との接合部分よりもチャネル側の
   領域のうち、少なくとも一方の領域の欠陥密度が、前記
   チャネル領域の欠陥密度より高いことを特徴とする電気
   光学装置。
6. 【請求項６】 支持基板と、前記支持基板上に形成され
   た第１の絶縁体層と、該第１の絶縁体層上に形成された
   半導体層とで構成されている基板上に、 複数の走査線と、 前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、 前記各走査線と前記各データ線に接続された画素トラン
   ジスタと、 前記画素トランジスタに接続された画素電極と、 前記画素トランジスタを動作させるための駆動トランジ
   スタを含む周辺回路とを有する電気光学装置であって、 前記画素トランジスタまたは駆動トランジスタのチャネ
   ル領域とソース領域との接合部分よりもチャネル側の領
   域、または、前記チャネル領域とドレイン領域との接合
   部分よりもチャネル側の領域のうち、少なくとも一方の
   領域の欠陥密度が、前記チャネル領域の欠陥密度より高
   いことを特徴とする電気光学装置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載
   の電気光学装置において、 前記各走査線と前記各データ線に接続された前記画素ト
   ランジスタがPチャネル型であることを特徴とする電気
   光学装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の電気光学装置におい
   て、 前記第１の絶縁体層上に形成された半導体層のうち、少
   なくとも、前記各走査線と前記各データ線に接続された
   前記画素トランジスタが形成されている部分の膜厚が１
   ００ｎｍ以下であることを特徴とする電気光学装置。
9. 【請求項９】 請求項１乃至請求項８のいずれかに記載
   の電気光学装置において、 前記領域における欠陥を、Arイオンの注入により導入す
   ることを特徴とする電気光学装置。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至請求項９のいずれかに記
    載の電気光学装置において、 前記支持基板が単結晶シリコンであることを特徴とする
    電気光学装置。
11. 【請求項１１】 請求項１乃至請求項９のいずれかに記
    載の電気光学装置において、 前記支持基板が石英であり、且つ、第１の絶縁体層上に
    形成された半導体層が単結晶シリコンであることを特徴
    とする電気光学装置。
12. 【請求項１２】 請求項１乃至請求項９のいずれかに記
    載の電気光学装置において、 前記支持基板が石英であり、且つ、第１の絶縁体層上に
    形成された半導体層が多結晶シリコンであることを特徴
    とする電気光学装置。
13. 【請求項１３】 請求項１及至請求項９のいずれかに記
    載の電気光学装置において、 前記支持基板がガラスであることを特徴とする電気光学
    装置。
14. 【請求項１４】 光源と、 前記光源から出射される光が入射されて画像情報に対応
    した変調を施す、請求項１乃至請求項１３のいずれかに
    記載の電気光学装置と、 前記電気光学装置により変調された光を投射する投射手
    段とを具備することを特徴とする電子機器。