JP2001326158A - カラー液晶製造用ベーク炉 - Google Patents
カラー液晶製造用ベーク炉Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジスト塗布後のガラス基板をベーク炉で加
熱処理する際、ガラス基板裏面に付着しているゴミがガ
ラス基板表面に再付着することを防止する。 【解決手段】 ガラス基板１を載置するホットプレート
は、２個のホットプレートＡ、Ｂが上下２段重ねに構成
され、ガラス基板１と接蝕する上段のホットプレートＡ
の輪郭は、このガラス基板１の輪郭よりも小さく形成さ
れ、ガラス基板１は、その周辺部が上段のホットプレー
トＡから均等に張り出すように載置され、ガラス基板１
の周辺部と上段のホットプレートＡとは非接触である。
ガラス基板１と接触しない下段のホットプレートＢの輪
郭は、このガラス基板１の輪郭よりも大きく形成され、
ガラス基板１を載置した際、上段のホットプレートＡか
ら張り出したガラス基板１の周辺部に対応する下段のホ
ットプレートＢの位置に、ガラス基板１の周辺部を排気
するための排気口４を設けている。
熱処理する際、ガラス基板裏面に付着しているゴミがガ
ラス基板表面に再付着することを防止する。 【解決手段】 ガラス基板１を載置するホットプレート
は、２個のホットプレートＡ、Ｂが上下２段重ねに構成
され、ガラス基板１と接蝕する上段のホットプレートＡ
の輪郭は、このガラス基板１の輪郭よりも小さく形成さ
れ、ガラス基板１は、その周辺部が上段のホットプレー
トＡから均等に張り出すように載置され、ガラス基板１
の周辺部と上段のホットプレートＡとは非接触である。
ガラス基板１と接触しない下段のホットプレートＢの輪
郭は、このガラス基板１の輪郭よりも大きく形成され、
ガラス基板１を載置した際、上段のホットプレートＡか
ら張り出したガラス基板１の周辺部に対応する下段のホ
ットプレートＢの位置に、ガラス基板１の周辺部を排気
するための排気口４を設けている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラー液晶表示装
置の製造工程に使用するベーク炉に関し、特に、レジス
トを塗布したガラス基板をベーク炉内に載置し加熱する
ためのホットプレートの改良に関するものである。
置の製造工程に使用するベーク炉に関し、特に、レジス
トを塗布したガラス基板をベーク炉内に載置し加熱する
ためのホットプレートの改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、カラー液晶表示装置の製造工程に
おいて、感光性樹脂に着色材料を混合した感光性着色レ
ジストをガラス基板（以下、単に基板と称する）上に塗
布した後、この基板をベーク炉に入れてホットプレート
上で加熱し、レジスト中に含まれる溶剤を揮発させるベ
ーク工程がある。
おいて、感光性樹脂に着色材料を混合した感光性着色レ
ジストをガラス基板（以下、単に基板と称する）上に塗
布した後、この基板をベーク炉に入れてホットプレート
上で加熱し、レジスト中に含まれる溶剤を揮発させるベ
ーク工程がある。
【０００３】このとき、基板上へのレジスト塗布はコー
ターにより行われ、レジスト塗布後の基板裏面にはレジ
ストやゴミ等が付着して汚れている場合がある。なかで
も基板周辺部は比較的汚れ易く、レジスト塗布後の基板
をベークする際には、基板裏面に付着したゴミが基板表
面に再付着し、基板不良となることがある。
ターにより行われ、レジスト塗布後の基板裏面にはレジ
ストやゴミ等が付着して汚れている場合がある。なかで
も基板周辺部は比較的汚れ易く、レジスト塗布後の基板
をベークする際には、基板裏面に付着したゴミが基板表
面に再付着し、基板不良となることがある。
【０００４】この基板周辺部が汚れ易い理由として、基
板をベーク炉に搬送する際、基板中央部の表示面となる
部分に搬送傷が発生するのを防ぐために、基板搬送装置
のコロが基板裏面周辺部を支持して搬送するようになっ
ている。そのため、コロにゴミが付着しているとこのゴ
ミが基板に付着してしまう。また、レジスト塗布後に基
板のエッジリンスを行なう際、基板の表面及び側面のレ
ジストが一部裏面に回り込み、裏面周辺部を汚染してし
まう。
板をベーク炉に搬送する際、基板中央部の表示面となる
部分に搬送傷が発生するのを防ぐために、基板搬送装置
のコロが基板裏面周辺部を支持して搬送するようになっ
ている。そのため、コロにゴミが付着しているとこのゴ
ミが基板に付着してしまう。また、レジスト塗布後に基
板のエッジリンスを行なう際、基板の表面及び側面のレ
ジストが一部裏面に回り込み、裏面周辺部を汚染してし
まう。
【０００５】一方、従来のベーク炉における基板加熱方
式は、例えば、特開昭６１−２０３３１号公報に示され
ているように、平らなホットプレート上に基板裏面を全
面接触させて載置するコンタクト方式と、あるいは、特
開平６−１３３０７号公報に示されているように、ホッ
トプレート上にピンを立て、基板とホットプレートを非
接触状態にしてピン上に基板を載置するプロキシミティ
ー方式とがある。
式は、例えば、特開昭６１−２０３３１号公報に示され
ているように、平らなホットプレート上に基板裏面を全
面接触させて載置するコンタクト方式と、あるいは、特
開平６−１３３０７号公報に示されているように、ホッ
トプレート上にピンを立て、基板とホットプレートを非
接触状態にしてピン上に基板を載置するプロキシミティ
ー方式とがある。
【０００６】このコンタクト方式では、図５（ａ）、
（ｂ）に示すように、ベーク炉において基板１をホット
プレート２上に載置して加熱する際、ホットプレート２
のサイズが基板１のサイズより大きく形成されているた
め基板１の裏面がホットプレート２に全面接触すること
になり、そのため、レジスト塗布後の基板１の裏面周辺
部に付着していたゴミがホットプレート２上に移り、さ
らに、このゴミが基板１の表面に再付着して基板不良を
発生させている。
（ｂ）に示すように、ベーク炉において基板１をホット
プレート２上に載置して加熱する際、ホットプレート２
のサイズが基板１のサイズより大きく形成されているた
め基板１の裏面がホットプレート２に全面接触すること
になり、そのため、レジスト塗布後の基板１の裏面周辺
部に付着していたゴミがホットプレート２上に移り、さ
らに、このゴミが基板１の表面に再付着して基板不良を
発生させている。
【０００７】また、プロキシミティー方式では、図６に
示すように、ホットプレート２に設けられたピン３で基
板１を支持するようになっており、基板１とホットプレ
ート２とが非接触であるためホットプレート２上にゴミ
が付着するという問題はないものの、基板１のピン３と
接触する部分が局部的に昇温されるため、この部分にお
ける基板パターンの電気容量が変化し、駆動時に基板表
示部にピン跡むらが発生するという問題がある。
示すように、ホットプレート２に設けられたピン３で基
板１を支持するようになっており、基板１とホットプレ
ート２とが非接触であるためホットプレート２上にゴミ
が付着するという問題はないものの、基板１のピン３と
接触する部分が局部的に昇温されるため、この部分にお
ける基板パターンの電気容量が変化し、駆動時に基板表
示部にピン跡むらが発生するという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記したよ
うな従来技術の問題点を解決するためになされたもので
あり、レジストを塗布した基板をベーク炉で加熱し溶剤
を揮発させる際に、基板裏面に付着したゴミが基板表面
に再付着することによって、基板不良が発生することを
防止し、また、プロキシミティー方式に見られるような
ピン跡むらの発生をなくし、基板の表示不良の発生を防
止しようとするものである。
うな従来技術の問題点を解決するためになされたもので
あり、レジストを塗布した基板をベーク炉で加熱し溶剤
を揮発させる際に、基板裏面に付着したゴミが基板表面
に再付着することによって、基板不良が発生することを
防止し、また、プロキシミティー方式に見られるような
ピン跡むらの発生をなくし、基板の表示不良の発生を防
止しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、レジスト塗布
後のガラス基板をベーク炉内に搬送し、ホットプレート
上に載置してガラス基板の加熱処理を行なうカラー液晶
製造用ベーク炉において、前記ホットプレートは２個の
ホットプレートが上下２段重ねに構成されていることを
特徴とするカラー液晶製造用ベーク炉である。
後のガラス基板をベーク炉内に搬送し、ホットプレート
上に載置してガラス基板の加熱処理を行なうカラー液晶
製造用ベーク炉において、前記ホットプレートは２個の
ホットプレートが上下２段重ねに構成されていることを
特徴とするカラー液晶製造用ベーク炉である。
【００１０】また、前記ガラス基板と接蝕する上段のホ
ットプレートの輪郭は、このガラス基板の輪郭よりも小
さく形成されていることを特徴とし、また、前記ガラス
基板は、その周辺部が上段のホットプレートから均等に
張り出すように載置され、ガラス基板周辺部と上段のホ
ットプレートとは非接触であることを特徴とする。
ットプレートの輪郭は、このガラス基板の輪郭よりも小
さく形成されていることを特徴とし、また、前記ガラス
基板は、その周辺部が上段のホットプレートから均等に
張り出すように載置され、ガラス基板周辺部と上段のホ
ットプレートとは非接触であることを特徴とする。
【００１１】また、前記ガラス基板と接触しない下段の
ホットプレートの輪郭は、このガラス基板の輪郭よりも
大きく形成されていることを特徴とし、また、前記ガラ
ス基板を載置した際、上段のホットプレートから張り出
したガラス基板周辺部に対応する下段のホットプレート
位置に、ガラス基板周辺部を排気するための排気口を設
けたことを特徴とする。
ホットプレートの輪郭は、このガラス基板の輪郭よりも
大きく形成されていることを特徴とし、また、前記ガラ
ス基板を載置した際、上段のホットプレートから張り出
したガラス基板周辺部に対応する下段のホットプレート
位置に、ガラス基板周辺部を排気するための排気口を設
けたことを特徴とする。
【００１２】また、上下２段のホットプレートのうち、
上段のホットプレートはガラス基板の受け渡しを行なう
ための上下駆動機構を備えたことを特徴とし、また、上
下２段のホットプレートのうち、下段のホットプレート
は上段のホットプレートが上下動する際に通り抜ける開
口を有することを特徴とする。
上段のホットプレートはガラス基板の受け渡しを行なう
ための上下駆動機構を備えたことを特徴とし、また、上
下２段のホットプレートのうち、下段のホットプレート
は上段のホットプレートが上下動する際に通り抜ける開
口を有することを特徴とする。
【００１３】また、前記ガラス基板を加熱処理する際
に、上下２段のホットプレートの加熱温度に温度差を設
けたことを特徴とし、また、前記ガラス基板を加熱処理
する際に、下段のホットプレートの加熱温度を、上段の
ホットプレートの加熱温度より高くしたことを特徴とす
る。
に、上下２段のホットプレートの加熱温度に温度差を設
けたことを特徴とし、また、前記ガラス基板を加熱処理
する際に、下段のホットプレートの加熱温度を、上段の
ホットプレートの加熱温度より高くしたことを特徴とす
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明のカラー液
晶製造用ベーク炉を含むレジスト塗布装置の全体構成図
である。
て図面を参照して説明する。図１は、本発明のカラー液
晶製造用ベーク炉を含むレジスト塗布装置の全体構成図
である。
【００１５】図１に示すレジスト塗布装置は、基板を順
次搬送し、レジスト塗布処理を行なうための複数の処理
ユニットから構成されている。すなわち、基板をセット
するローダーと、ローダーからの基板をＩＲ（赤外線）
及びＵＶ（紫外線）で加熱するＩＲ／ＵＶユニットと、
加熱処理された基板にレジスト塗布を行なうコーターユ
ニットと、レジスト塗布された基板にエッジリンスを行
なうエッジリンスユニットと、エッジリンス処理後のレ
ジスト塗布基板をベークするベーク炉と、ベーク処理後
の基板を冷却するＣＰ（クーリングプレート）ユニット
と、冷却後の基板を収納するアンローダーとから構成さ
れている。
次搬送し、レジスト塗布処理を行なうための複数の処理
ユニットから構成されている。すなわち、基板をセット
するローダーと、ローダーからの基板をＩＲ（赤外線）
及びＵＶ（紫外線）で加熱するＩＲ／ＵＶユニットと、
加熱処理された基板にレジスト塗布を行なうコーターユ
ニットと、レジスト塗布された基板にエッジリンスを行
なうエッジリンスユニットと、エッジリンス処理後のレ
ジスト塗布基板をベークするベーク炉と、ベーク処理後
の基板を冷却するＣＰ（クーリングプレート）ユニット
と、冷却後の基板を収納するアンローダーとから構成さ
れている。
【００１６】このように構成されたレジスト塗布装置を
使用し、基板にレジスト塗布を行なう方法について、図
１を用いて説明する。まず、ローダーにセットされたガ
ラス基板は、枚葉でＩＲ／ＵＶユニットに搬送される。
ＩＲ部では基板は１４０℃前後に加熱され、次いでＵＶ
部に送られてＵＶランプにより処理が行なわれる。この
処理により、基板とレジストの濡れ性がよくなる。
使用し、基板にレジスト塗布を行なう方法について、図
１を用いて説明する。まず、ローダーにセットされたガ
ラス基板は、枚葉でＩＲ／ＵＶユニットに搬送される。
ＩＲ部では基板は１４０℃前後に加熱され、次いでＵＶ
部に送られてＵＶランプにより処理が行なわれる。この
処理により、基板とレジストの濡れ性がよくなる。
【００１７】次に、基板はコーターユニットに搬送さ
れ、レジスト塗布処理が行なわれる。レジスト塗布処理
としては、基板中央部に約３０ｃｃのレジストを滴下
後、１２００ｒｐｍ前後で基板を回転させてレジストを
均一に塗り広げる。次に、基板はエッジリンスユニット
に搬送され、基板の端面及び裏面に付着したレジスト及
びゴミを除去する。エッジリンスの方法としては、基板
裏面にシンナーを吐出した後、５００ｒｐｍ前後で基板
を回転させ、シンナーを塗り広げることにより行われ
る。
れ、レジスト塗布処理が行なわれる。レジスト塗布処理
としては、基板中央部に約３０ｃｃのレジストを滴下
後、１２００ｒｐｍ前後で基板を回転させてレジストを
均一に塗り広げる。次に、基板はエッジリンスユニット
に搬送され、基板の端面及び裏面に付着したレジスト及
びゴミを除去する。エッジリンスの方法としては、基板
裏面にシンナーを吐出した後、５００ｒｐｍ前後で基板
を回転させ、シンナーを塗り広げることにより行われ
る。
【００１８】次に、基板はベーク炉に搬送され、１１０
〜１３０℃で加熱されてレジスト中の溶剤を揮発除去す
る。しかし、基板周辺部は比較的汚れやすく、レジスト
塗布後の基板をベークする際、裏面に付着したゴミが基
板表面に再付着し基板不良となることがある。基板周辺
部が汚れやすい理由としては、基板搬送コロに付着し
ているゴミが基板に付着する、エッジリンスの際、基
板の表面及び側面のレジストが一部裏面に回り込んで汚
染する、などの理由が原因として考えられる。
〜１３０℃で加熱されてレジスト中の溶剤を揮発除去す
る。しかし、基板周辺部は比較的汚れやすく、レジスト
塗布後の基板をベークする際、裏面に付着したゴミが基
板表面に再付着し基板不良となることがある。基板周辺
部が汚れやすい理由としては、基板搬送コロに付着し
ているゴミが基板に付着する、エッジリンスの際、基
板の表面及び側面のレジストが一部裏面に回り込んで汚
染する、などの理由が原因として考えられる。
【００１９】そこで、本発明は、このベーク炉内のホッ
トプレートの構造に工夫を凝らし、基板表面にゴミが再
付着して不良となることを防ぐようにしたものである。
ホットプレートの構造については、この後、図２を参照
して詳細に説明する。
トプレートの構造に工夫を凝らし、基板表面にゴミが再
付着して不良となることを防ぐようにしたものである。
ホットプレートの構造については、この後、図２を参照
して詳細に説明する。
【００２０】最後に、ベーク後の基板はＣＰユニットに
搬送され、２５℃前後にまで冷却され、アンローダーに
収納される。冷却処理後のレジスト膜厚は、１．５〜
２．０μｍになるように設定されている。以上の各ユニ
ットを経由することによって、一連のレジスト塗布処理
工程が終了する。
搬送され、２５℃前後にまで冷却され、アンローダーに
収納される。冷却処理後のレジスト膜厚は、１．５〜
２．０μｍになるように設定されている。以上の各ユニ
ットを経由することによって、一連のレジスト塗布処理
工程が終了する。
【００２１】ここで、図２を参照して本発明のベーク炉
について説明する。図２は本発明の一実施の形態のベー
ク炉におけるホットプレートの構造を示す図で、図
（ａ）は正面断面図、図（ｂ）は平面図である。また、
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はホットプレートの動作順
を示す説明図である。
について説明する。図２は本発明の一実施の形態のベー
ク炉におけるホットプレートの構造を示す図で、図
（ａ）は正面断面図、図（ｂ）は平面図である。また、
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はホットプレートの動作順
を示す説明図である。
【００２２】図２（ａ）、（ｂ）に示すように、本発明
のベーク炉は、レジスト塗布後の基板１を加熱するため
のホットプレートＡ及びホットプレートＢの２個のホッ
トプレートを上下２段重ねに備えている。上段のホット
プレートＡは、搬送されてきた基板１を受け取り、基板
１を直接載置して加熱するためのもので、その外形寸法
（輪郭）は基板１のサイズよりも縦横２０ｍｍ程度小さ
い寸法となっている。そのため、ホットプレートＡに載
置された基板１の周辺部は、ホットプレートＡから庇状
に張り出した状態となり、基板１の裏面周辺部とホット
プレートＡとは非接触状態となる。
のベーク炉は、レジスト塗布後の基板１を加熱するため
のホットプレートＡ及びホットプレートＢの２個のホッ
トプレートを上下２段重ねに備えている。上段のホット
プレートＡは、搬送されてきた基板１を受け取り、基板
１を直接載置して加熱するためのもので、その外形寸法
（輪郭）は基板１のサイズよりも縦横２０ｍｍ程度小さ
い寸法となっている。そのため、ホットプレートＡに載
置された基板１の周辺部は、ホットプレートＡから庇状
に張り出した状態となり、基板１の裏面周辺部とホット
プレートＡとは非接触状態となる。
【００２３】また、ホットプレートＡは、搬送されてき
た基板１の受け渡しを行なう構造となっているため、図
示していない駆動機構により上下に駆動でき、基板１を
受け取るときは上昇し、ベーク処理中は上昇したまま停
止し、ベーク処理後基板１が排出された後下降する。
た基板１の受け渡しを行なう構造となっているため、図
示していない駆動機構により上下に駆動でき、基板１を
受け取るときは上昇し、ベーク処理中は上昇したまま停
止し、ベーク処理後基板１が排出された後下降する。
【００２４】また、下段のホットプレートＢは、上段の
ホットプレートＡから張り出した基板１の周辺部を間接
的に加熱するためのもので、その外形寸法（輪郭）は基
板１のサイズよりも縦横２０ｍｍ程度大きく形成されて
いる。そして、ホットプレートＢの中央部には、上下に
可動するホットプレートＡが通り抜けられる大きさの開
口５が明けられ、全体として額縁状の形状となってい
る。
ホットプレートＡから張り出した基板１の周辺部を間接
的に加熱するためのもので、その外形寸法（輪郭）は基
板１のサイズよりも縦横２０ｍｍ程度大きく形成されて
いる。そして、ホットプレートＢの中央部には、上下に
可動するホットプレートＡが通り抜けられる大きさの開
口５が明けられ、全体として額縁状の形状となってい
る。
【００２５】また、ホットプレートＢには、ホットプレ
ートＡから張り出した基板１の周辺部に対応する位置に
沿って、排気口４が明けられている。この排気口４は幅
５ｍｍ程度の長穴でもよいし、直径５ｍｍ程度の孔を１
列に複数個設けてもよい。このように、ホットプレート
Ｂに排気口を設けたことによって、基板１の裏面周辺部
に付着していたゴミがベーク処理の際に剥離あるいは浮
遊しても、排気口により吸引除去されるため基板１の表
面側に再付着することを防ぐことができる。
ートＡから張り出した基板１の周辺部に対応する位置に
沿って、排気口４が明けられている。この排気口４は幅
５ｍｍ程度の長穴でもよいし、直径５ｍｍ程度の孔を１
列に複数個設けてもよい。このように、ホットプレート
Ｂに排気口を設けたことによって、基板１の裏面周辺部
に付着していたゴミがベーク処理の際に剥離あるいは浮
遊しても、排気口により吸引除去されるため基板１の表
面側に再付着することを防ぐことができる。
【００２６】なお、ホットプレートＡ，Ｂともに厚さは
２５ｍｍ程度であり、外形寸法（輪郭）は基板１のサイ
ズに応じて設定するものとする。また、ホットプレート
Ｂの温度をホットプレートＡより２０℃程度高めに設定
することによって、加熱の際の基板１の温度むらを避け
ることができることが確認されている。
２５ｍｍ程度であり、外形寸法（輪郭）は基板１のサイ
ズに応じて設定するものとする。また、ホットプレート
Ｂの温度をホットプレートＡより２０℃程度高めに設定
することによって、加熱の際の基板１の温度むらを避け
ることができることが確認されている。
【００２７】次に、上記した一実施の形態の動作につい
て、図面を用いて説明する。まず、図１に示したよう
に、レジストが塗布されエッジリンスユニットまでの工
程を経たガラス基板をベーク炉に搬送する。基板は図示
していない搬送アームに保持されてベーク炉に搬入され
る。
て、図面を用いて説明する。まず、図１に示したよう
に、レジストが塗布されエッジリンスユニットまでの工
程を経たガラス基板をベーク炉に搬送する。基板は図示
していない搬送アームに保持されてベーク炉に搬入され
る。
【００２８】ベーク炉内では、図３（ａ）に示すよう
に、ホットプレートＡは下降した状態で基板待機状態に
あり、基板１が搬入されると図３（ｂ）に示すようにホ
ットプレートＡが上昇し、基板１を受け取って加熱を開
始する。同時に排気口４から吸引を開始し、基板裏面周
辺部に付着したゴミを排除する。ベーク処理終了後、図
３（ｃ）に示すように図示していない搬送アームで基板
１を保持し、ホットプレートＡを降下させて後、基板１
を搬出する。なお、基板搬送の際、搬送アームを用いる
理由は、従来の搬送コロに比べてゴミ付着が少ないため
である。
に、ホットプレートＡは下降した状態で基板待機状態に
あり、基板１が搬入されると図３（ｂ）に示すようにホ
ットプレートＡが上昇し、基板１を受け取って加熱を開
始する。同時に排気口４から吸引を開始し、基板裏面周
辺部に付着したゴミを排除する。ベーク処理終了後、図
３（ｃ）に示すように図示していない搬送アームで基板
１を保持し、ホットプレートＡを降下させて後、基板１
を搬出する。なお、基板搬送の際、搬送アームを用いる
理由は、従来の搬送コロに比べてゴミ付着が少ないため
である。
【００２９】また、ホットプレートＡを上下動させるこ
とでホットプレートＡ自体が昇降ピンの役割を果たすこ
とになり、ホットプレートＡが基板中央部全面と均一に
接触するため膜厚も均一性が維持でき、従来のプロキシ
ミティピンによる局部的な温度上昇がなく、ピン跡むら
が発生しない。
とでホットプレートＡ自体が昇降ピンの役割を果たすこ
とになり、ホットプレートＡが基板中央部全面と均一に
接触するため膜厚も均一性が維持でき、従来のプロキシ
ミティピンによる局部的な温度上昇がなく、ピン跡むら
が発生しない。
【００３０】また、ホットプレートがＡ、Ｂの２段構造
となっているため、基板周辺部ではベーク時の温度分布
に多少の差が生じ、基板中央部と比較して多少レジスト
膜厚が厚めになるが、これは、エッジリンスで基板周辺
部のレジストを除去できること、さらに、パターンレイ
アウトによっては基板周辺部まで均一な膜厚を必要とし
ないこと等によって、十分実用化が可能である。
となっているため、基板周辺部ではベーク時の温度分布
に多少の差が生じ、基板中央部と比較して多少レジスト
膜厚が厚めになるが、これは、エッジリンスで基板周辺
部のレジストを除去できること、さらに、パターンレイ
アウトによっては基板周辺部まで均一な膜厚を必要とし
ないこと等によって、十分実用化が可能である。
【００３１】次に、本発明の他の実施の形態について説
明する。図４は他の実施の形態におけるホットプレート
構造を示す正面断面図である。図４に示すように、本実
施の形態は、ホットプレートＣ及びホットプレートＤの
２個のホットプレートを重ね合わせた構造となってい
る。
明する。図４は他の実施の形態におけるホットプレート
構造を示す正面断面図である。図４に示すように、本実
施の形態は、ホットプレートＣ及びホットプレートＤの
２個のホットプレートを重ね合わせた構造となってい
る。
【００３２】ホットプレートＣの外形寸法（輪郭）は、
前記一実施の形態と同様、基板１のサイズよりも小さい
外形寸法を有し、ホットプレートＣには上下駆動機構は
備えられていない。また、ホットプレートＤの外形寸法
は、前記一実施の形態と同様に、基板１のサイズよりも
大きい外形寸法を有し、また、ホットプレートＣが上下
動しないのでホットプレートＤにはホットプレートＣが
通る開口は設けられていない。ただし、ゴミを吸引する
排気口４は設けられており、前記一実施の形態と同様、
長穴又は複数の小孔が明けられている。
前記一実施の形態と同様、基板１のサイズよりも小さい
外形寸法を有し、ホットプレートＣには上下駆動機構は
備えられていない。また、ホットプレートＤの外形寸法
は、前記一実施の形態と同様に、基板１のサイズよりも
大きい外形寸法を有し、また、ホットプレートＣが上下
動しないのでホットプレートＤにはホットプレートＣが
通る開口は設けられていない。ただし、ゴミを吸引する
排気口４は設けられており、前記一実施の形態と同様、
長穴又は複数の小孔が明けられている。
【００３３】本実施の形態によれば、２個のホットプレ
ートＣ、Ｄを設けているので両者の間で温度差を付ける
ことができ、２個のホットプレートを同一温度で加熱し
た場合、基板の中央部と周辺部とでは約１０℃であった
温度差が、例えば、ホットプレートＣの温度を１４０℃
にし、ホットプレートＤの温度を１６０℃にした場合
は、温度差は約５℃に押さえられ、基板の温度分布を改
良することができる。
ートＣ、Ｄを設けているので両者の間で温度差を付ける
ことができ、２個のホットプレートを同一温度で加熱し
た場合、基板の中央部と周辺部とでは約１０℃であった
温度差が、例えば、ホットプレートＣの温度を１４０℃
にし、ホットプレートＤの温度を１６０℃にした場合
は、温度差は約５℃に押さえられ、基板の温度分布を改
良することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上述べてきたように、従来、レジスト
塗布後の基板をベークする際、レジスト塗布後の基板裏
面はレジストやゴミ等が付着して汚れている場合があ
り、なかでも基板裏面周辺部は比較的汚れやすく、この
裏面周辺部に付着したゴミがホットプレートを介して基
板表面に再付着し基板不良となることがあったが、本発
明によれば、ベーク炉のホットプレートの大きさを基板
サイズより小さ目にしたことによって、基板裏面周辺部
はホットプレートと非接触となるため、基板表面にゴミ
が回り込む現象を防ぐことが可能となる。
塗布後の基板をベークする際、レジスト塗布後の基板裏
面はレジストやゴミ等が付着して汚れている場合があ
り、なかでも基板裏面周辺部は比較的汚れやすく、この
裏面周辺部に付着したゴミがホットプレートを介して基
板表面に再付着し基板不良となることがあったが、本発
明によれば、ベーク炉のホットプレートの大きさを基板
サイズより小さ目にしたことによって、基板裏面周辺部
はホットプレートと非接触となるため、基板表面にゴミ
が回り込む現象を防ぐことが可能となる。
【００３５】また、本発明は、発塵源である基板裏面周
辺部近くのホットプレートに排気口を設けたので、基板
裏面についたゴミが基板表面に回り込まずに排気口から
排気され、ゴミ不良を低減できる。
辺部近くのホットプレートに排気口を設けたので、基板
裏面についたゴミが基板表面に回り込まずに排気口から
排気され、ゴミ不良を低減できる。
【００３６】また、昇降するプロキシミティーピンを設
けることなくホットプレート全面で基板中央部を支持す
る構造としたので、基板は均一に加熱され、昇降ピンで
支持したときのような局部的な温度上昇部分がなく、し
たがって、基板表示部におけるピン跡むらが発生しな
い。
けることなくホットプレート全面で基板中央部を支持す
る構造としたので、基板は均一に加熱され、昇降ピンで
支持したときのような局部的な温度上昇部分がなく、し
たがって、基板表示部におけるピン跡むらが発生しな
い。
【図１】本発明のベーク炉を含むレジスト塗布装置の全
体構成図である。
体構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態のベーク炉に用いるホッ
トプレートを示す図で、図（ａ）は正面断面図、図
（ｂ）は平面図である。
トプレートを示す図で、図（ａ）は正面断面図、図
（ｂ）は平面図である。
【図３】本発明の一実施の形態の動作を説明する図で、
図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はその動作順を示す。
図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はその動作順を示す。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す正面断面図であ
る。
る。
【図５】従来のコンタクト方式のホットプレートを示す
図で、図（ａ）は正面図、図（ｂ）は平面図である。
図で、図（ａ）は正面図、図（ｂ）は平面図である。
【図６】従来のプロキシミティー方式のホットプレート
を示す正面図である。
を示す正面図である。
１ 基板 ２ ホットプレート ３ ピン ４ 排気口 ５ 開口
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ０５Ｃ 9/14 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６７ ５Ｆ０４６
Claims (9)
- 【請求項１】 レジスト塗布後のガラス基板をベーク炉
内に搬送し、ホットプレート上に載置してガラス基板の
加熱処理を行なうカラー液晶製造用ベーク炉において、
前記ホットプレートは２個のホットプレートが上下２段
重ねに構成されていることを特徴とするカラー液晶製造
用ベーク炉。 - 【請求項２】 前記ガラス基板と接蝕する上段のホット
プレートの輪郭は、このガラス基板の輪郭よりも小さく
形成されていることを特徴とする請求項１記載のカラー
液晶製造用ベーク炉。 - 【請求項３】 前記ガラス基板と接触しない下段のホッ
トプレートの輪郭は、このガラス基板の輪郭よりも大き
く形成されていることを特徴とする請求項１記載のカラ
ー液晶製造用ベーク炉。 - 【請求項４】 前記ガラス基板は、その周辺部が上段の
ホットプレートから均等に張り出すように載置され、ガ
ラス基板周辺部と上段のホットプレートとは非接触であ
ることを特徴とする請求項２記載のカラー液晶製造用ベ
ーク炉。 - 【請求項５】 前記ガラス基板を載置した際、上段のホ
ットプレートから張り出したガラス基板周辺部に対応す
る下段のホットプレート位置に、ガラス基板周辺部を排
気するための排気口を設けたことを特徴とする請求項３
記載のカラー液晶製造用ベーク炉。 - 【請求項６】 上下２段のホットプレートのうち、上段
のホットプレートはガラス基板の受け渡しを行なうため
の上下駆動機構を備えたことを特徴とする請求項１記載
のカラー液晶製造用ベーク炉。 - 【請求項７】 上下２段のホットプレートのうち、下段
のホットプレートは上段のホットプレートが上下動する
際に通り抜ける開口を有することを特徴とする請求項６
記載のカラー液晶製造用ベーク炉。 - 【請求項８】 前記ガラス基板を加熱処理する際に、上
下２段のホットプレートの加熱温度に温度差を設けたこ
とを特徴とする請求項１記載のカラー液晶製造用ベーク
炉。 - 【請求項９】 前記ガラス基板を加熱処理する際に、下
段のホットプレートの加熱温度を、上段のホットプレー
トの加熱温度より高くしたことを特徴とする請求項８記
載のカラー液晶製造用ベーク炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000141926A JP3962799B2 (ja) | 2000-05-15 | 2000-05-15 | カラー液晶製造用ベーク炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000141926A JP3962799B2 (ja) | 2000-05-15 | 2000-05-15 | カラー液晶製造用ベーク炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326158A true JP2001326158A (ja) | 2001-11-22 |
| JP3962799B2 JP3962799B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=18648976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000141926A Expired - Fee Related JP3962799B2 (ja) | 2000-05-15 | 2000-05-15 | カラー液晶製造用ベーク炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3962799B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311501A (ja) * | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Advanced Display Inc | 熱処理装置 |
| JP2011164540A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 樹脂膜パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN107561747A (zh) * | 2017-10-12 | 2018-01-09 | 惠科股份有限公司 | 一种显示基板的预烘烤装置及预烘烤系统 |
-
2000
- 2000-05-15 JP JP2000141926A patent/JP3962799B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2011164540A (ja) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 樹脂膜パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN107561747A (zh) * | 2017-10-12 | 2018-01-09 | 惠科股份有限公司 | 一种显示基板的预烘烤装置及预烘烤系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3962799B2 (ja) | 2007-08-22 |
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