JP2001308351A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JP2001308351A JP2001308351A JP2000116810A JP2000116810A JP2001308351A JP 2001308351 A JP2001308351 A JP 2001308351A JP 2000116810 A JP2000116810 A JP 2000116810A JP 2000116810 A JP2000116810 A JP 2000116810A JP 2001308351 A JP2001308351 A JP 2001308351A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面実装等にも適する小型化、薄型化した信
頼性の高い、安価な光半導体装置を提供する。 【解決手段】 外囲器１２内に該外囲器１２表面に受光
面１７が開口するよう受光素子１３を備えてなるもの
で、受光素子１３の受光面１７に、直接蒸着によって、
高屈折率薄膜の二酸化チタン薄膜と低屈折率薄膜の二酸
化シリコン薄膜とを交互に積層し、赤外域の光を反射し
可視光域の光を透過する多層膜構成のフィルタ１８を被
着する。
頼性の高い、安価な光半導体装置を提供する。 【解決手段】 外囲器１２内に該外囲器１２表面に受光
面１７が開口するよう受光素子１３を備えてなるもの
で、受光素子１３の受光面１７に、直接蒸着によって、
高屈折率薄膜の二酸化チタン薄膜と低屈折率薄膜の二酸
化シリコン薄膜とを交互に積層し、赤外域の光を反射し
可視光域の光を透過する多層膜構成のフィルタ１８を被
着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば照度測定等
に好適する光半導体装置に関する。
に好適する光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術を、図７を参照して説明する。
図７は光半導体装置の外観を示す図で、図７（ａ）は正
面図、図７（ｂ）は側面図である。
図７は光半導体装置の外観を示す図で、図７（ａ）は正
面図、図７（ｂ）は側面図である。
【０００３】図７において、１は光半導体装置で、これ
はエポキシ樹脂系の合成樹脂でなる外囲器２内にフォト
ダイオード等の受光素子３を封止して形成されており、
さらに受光素子３の受光面４が開口する外囲器２の外表
面には、特定の波長帯域、例えば赤外域の光をカットす
る、いわゆる赤外カットフィルタ５が合成樹脂製の接着
剤６によって固着されている。なお、７は外囲器２から
延出するリードフレームのアウターリードで、各アウタ
ーリード７は受光素子３の対応する図示しない電極等に
導通するように接続されている。
はエポキシ樹脂系の合成樹脂でなる外囲器２内にフォト
ダイオード等の受光素子３を封止して形成されており、
さらに受光素子３の受光面４が開口する外囲器２の外表
面には、特定の波長帯域、例えば赤外域の光をカットす
る、いわゆる赤外カットフィルタ５が合成樹脂製の接着
剤６によって固着されている。なお、７は外囲器２から
延出するリードフレームのアウターリードで、各アウタ
ーリード７は受光素子３の対応する図示しない電極等に
導通するように接続されている。
【０００４】またフィルタ５は、例えば外囲器２が、縦
寸法と横寸法がそれぞれ５ｍｍの正方形をなし厚さ寸法
が２．０ｍｍの形状をなしているのに対し、縦寸法が３
ｍｍ、横寸法が３ｍｍで厚さ寸法が０．５ｍｍのガラス
板あるいは合成樹脂板を基材として用いたものとなって
いる。
寸法と横寸法がそれぞれ５ｍｍの正方形をなし厚さ寸法
が２．０ｍｍの形状をなしているのに対し、縦寸法が３
ｍｍ、横寸法が３ｍｍで厚さ寸法が０．５ｍｍのガラス
板あるいは合成樹脂板を基材として用いたものとなって
いる。
【０００５】そして、以上のように構成された光半導体
装置１は、図示しないが照度センサなどとして、アウタ
ーリード７を機器装置等の配線基板の所定端子部分に半
田付けする等して実装され、用いられる。
装置１は、図示しないが照度センサなどとして、アウタ
ーリード７を機器装置等の配線基板の所定端子部分に半
田付けする等して実装され、用いられる。
【０００６】しかしながら上記の従来技術においては、
外囲器２の外表面に赤外カットフィルタ５を合成樹脂製
の接着剤６で接着しているため、例えば光半導体装置１
を配線基板等にリフローソルダリングによって表面実装
しようとした場合、ソルダリングの際の熱によって赤外
カットフィルタ５の接着部分に悪影響が出る虞がある。
また、接着そのものの有する経年劣化の問題など、信頼
性の観点からさらに高い信頼性が得られるようにするこ
とが望まれている。
外囲器２の外表面に赤外カットフィルタ５を合成樹脂製
の接着剤６で接着しているため、例えば光半導体装置１
を配線基板等にリフローソルダリングによって表面実装
しようとした場合、ソルダリングの際の熱によって赤外
カットフィルタ５の接着部分に悪影響が出る虞がある。
また、接着そのものの有する経年劣化の問題など、信頼
性の観点からさらに高い信頼性が得られるようにするこ
とが望まれている。
【０００７】一方、実装する機器装置等の小型化が進む
なかで、光半導体装置１の形状寸法をより小型化、薄型
化した、例えば表面実装に適したものが強く望まれてい
る。しかし、外囲器２の外表面に赤外カットフィルタ５
を接着する構成では、このままで小型化した場合、受光
素子３を封止する外囲器２の大きさに対し、その外表面
に固着するフィルタ５の形状が、比較的大きなもの、特
に厚さ寸法が大きくなものとなってしまって小型化にも
限界があり、また外囲器２に赤外カットフィルタ５を接
着することから製造コストが高いものとなっていた。
なかで、光半導体装置１の形状寸法をより小型化、薄型
化した、例えば表面実装に適したものが強く望まれてい
る。しかし、外囲器２の外表面に赤外カットフィルタ５
を接着する構成では、このままで小型化した場合、受光
素子３を封止する外囲器２の大きさに対し、その外表面
に固着するフィルタ５の形状が、比較的大きなもの、特
に厚さ寸法が大きくなものとなってしまって小型化にも
限界があり、また外囲器２に赤外カットフィルタ５を接
着することから製造コストが高いものとなっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
表面実装等にも適する小型化、薄型化された、信頼性が
高く、安価な光半導体装置を提供することにある。
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
表面実装等にも適する小型化、薄型化された、信頼性が
高く、安価な光半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、外囲器内に該外囲器表面に受光面が開口するよう受
光素子を備えてなる光半導体装置において、受光素子の
受光面に、直接所定波長域の光を反射し、所要波長域の
光を透過するフィルタが被着されていることを特徴とす
るものであり、さらに、フィルタが、受光素子の受光面
に直接蒸着するようにして被着されていることを特徴と
するものであり、さらに、フィルタが、赤外域の光を反
射し、可視光域の光を透過するものであることを特徴と
するものであり、さらに、フィルタが、高屈折率薄膜と
低屈折率薄膜とを交互に積層してなる多層膜フィルタで
あることを特徴とするものであり、さらに、高屈折率薄
膜と低屈折率薄膜の膜厚と積層膜数が等しいことを特徴
とするものであり、さらに、高屈折率薄膜が二酸化チタ
ン薄膜であり、低屈折率薄膜が二酸化シリコン薄膜であ
ることを特徴とするものである。
は、外囲器内に該外囲器表面に受光面が開口するよう受
光素子を備えてなる光半導体装置において、受光素子の
受光面に、直接所定波長域の光を反射し、所要波長域の
光を透過するフィルタが被着されていることを特徴とす
るものであり、さらに、フィルタが、受光素子の受光面
に直接蒸着するようにして被着されていることを特徴と
するものであり、さらに、フィルタが、赤外域の光を反
射し、可視光域の光を透過するものであることを特徴と
するものであり、さらに、フィルタが、高屈折率薄膜と
低屈折率薄膜とを交互に積層してなる多層膜フィルタで
あることを特徴とするものであり、さらに、高屈折率薄
膜と低屈折率薄膜の膜厚と積層膜数が等しいことを特徴
とするものであり、さらに、高屈折率薄膜が二酸化チタ
ン薄膜であり、低屈折率薄膜が二酸化シリコン薄膜であ
ることを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を、図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１１】先ず第１の実施形態を図１乃至図４により
説明する。図１は光半導体装置の外観を示す図で、図１
（ａ）は正面図、図１（ｂ）は側面図であり、図２は受
光素子の側面図であり、図３は膜構成の異なるフィルタ
の特性を対比して示す図であり、図４は受光素子の分光
感度特性を示す図で、図４（ａ）は受光面にフィルタを
有する場合の分光感度特性図、図４（ｂ）は受光面にフ
ィルタがない状態の分光感度特性図である。
説明する。図１は光半導体装置の外観を示す図で、図１
（ａ）は正面図、図１（ｂ）は側面図であり、図２は受
光素子の側面図であり、図３は膜構成の異なるフィルタ
の特性を対比して示す図であり、図４は受光素子の分光
感度特性を示す図で、図４（ａ）は受光面にフィルタを
有する場合の分光感度特性図、図４（ｂ）は受光面にフ
ィルタがない状態の分光感度特性図である。
【００１２】図１乃至図４において、１１は光半導体装
置で、外囲器１２がエポキシ樹脂系の合成樹脂で形成さ
れた、例えば縦寸法と横寸法がそれぞれ５ｍｍの正方形
をなし、厚さ寸法が１．１ｍｍの直方体形状をなすもの
となっている。そして、外囲器１２内には縦寸法が１．
１ｍｍ、横寸法が１．０ｍｍの受光素子１３が、リード
フレーム１４の所定部位に搭載され、透明樹脂で形成さ
れた外囲器１２内に封止されていて、また外囲器１２の
１つの側壁面からは、受光素子１３の図示しない電極等
と、これに対応する部位とが導通するように接続された
リードフレーム１４の各アウターリード１６が延出して
いる。
置で、外囲器１２がエポキシ樹脂系の合成樹脂で形成さ
れた、例えば縦寸法と横寸法がそれぞれ５ｍｍの正方形
をなし、厚さ寸法が１．１ｍｍの直方体形状をなすもの
となっている。そして、外囲器１２内には縦寸法が１．
１ｍｍ、横寸法が１．０ｍｍの受光素子１３が、リード
フレーム１４の所定部位に搭載され、透明樹脂で形成さ
れた外囲器１２内に封止されていて、また外囲器１２の
１つの側壁面からは、受光素子１３の図示しない電極等
と、これに対応する部位とが導通するように接続された
リードフレーム１４の各アウターリード１６が延出して
いる。
【００１３】そして受光素子１３は、例えばシリコン基
板上に受光部を形成してなるフォトダイオード等の光半
導体素子によってなるもので、受光面１７上に赤外域の
光を反射し、可視光域の光を透過するフィルタ１８を被
着するようにして受光部分１５が形成されている。また
フィルタ１８は、二酸化チタン（ＴｉＯ２）薄膜の高屈
折率薄膜１８Ｈと、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）薄膜の
低屈折率薄膜１８Ｌとを交互に積層してなる多層膜フィ
ルタであって、受光面１７上に、直接蒸着によって所定
膜厚の各薄膜１８Ｈ，１８Ｌをそれぞれ所定膜数交互に
積層するように被着することにより形成されている。
板上に受光部を形成してなるフォトダイオード等の光半
導体素子によってなるもので、受光面１７上に赤外域の
光を反射し、可視光域の光を透過するフィルタ１８を被
着するようにして受光部分１５が形成されている。また
フィルタ１８は、二酸化チタン（ＴｉＯ２）薄膜の高屈
折率薄膜１８Ｈと、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）薄膜の
低屈折率薄膜１８Ｌとを交互に積層してなる多層膜フィ
ルタであって、受光面１７上に、直接蒸着によって所定
膜厚の各薄膜１８Ｈ，１８Ｌをそれぞれ所定膜数交互に
積層するように被着することにより形成されている。
【００１４】例えばｎ型シリコン基板の上部にｎ＋型領
域とｐ＋型領域を離間して設け、また各電極を設けてフ
ォトダイオードを形成し、受光部であるｐ＋型領域の受
光面１７上にフィルタ１８を直接蒸着する。蒸着条件
は、 真空度 ：１Ｐａ〜２×１０−４Ｐａ 基板温度：１２０℃〜３５０℃ 蒸発源 ：抵抗加熱または電子銃 である。
域とｐ＋型領域を離間して設け、また各電極を設けてフ
ォトダイオードを形成し、受光部であるｐ＋型領域の受
光面１７上にフィルタ１８を直接蒸着する。蒸着条件
は、 真空度 ：１Ｐａ〜２×１０−４Ｐａ 基板温度：１２０℃〜３５０℃ 蒸発源 ：抵抗加熱または電子銃 である。
【００１５】このような蒸着により形成した受光面１７
上のフィルタ１８は、例えば図３に示す試料Ｎｏ．６の
ように、膜厚が０．２４μｍの二酸化チタン薄膜の高屈
折率薄膜１８Ｈと、同じく膜厚が０．２４μｍの二酸化
シリコン薄膜の低屈折率薄膜１８Ｌとを交互に７５づ
つ、全膜数が１５０で全膜厚（フィルタ厚さ）が３６μ
ｍとなるよう積層してなるものである。なお、受光素子
１３のフィルタ１８を除く厚さ寸法は２９０μｍ程度と
なっている。
上のフィルタ１８は、例えば図３に示す試料Ｎｏ．６の
ように、膜厚が０．２４μｍの二酸化チタン薄膜の高屈
折率薄膜１８Ｈと、同じく膜厚が０．２４μｍの二酸化
シリコン薄膜の低屈折率薄膜１８Ｌとを交互に７５づ
つ、全膜数が１５０で全膜厚（フィルタ厚さ）が３６μ
ｍとなるよう積層してなるものである。なお、受光素子
１３のフィルタ１８を除く厚さ寸法は２９０μｍ程度と
なっている。
【００１６】そして、こうした構成を有するフィルタ１
８を受光部分１５に有する受光素子１３の場合、その分
光感度特性は図４（ａ）に示す通りで、ピーク感度波長
は５５０ｎｍとなる。また、フィルタ１８がない状態の
分光感度特性を示す図４（ｂ）と対比すると、フィルタ
１８がない状態ではピーク感度波長が６５０ｎｍ〜７０
０ｎｍで、そのピーク感度を１００％とした場合、フィ
ルタ１８を有する上記のものではピーク感度が４９％と
なり、波長９００ｎｍにおける赤外感度は４０〜５０％
であったものが、フィルタ１８を有することで１０％以
下とすることができる。
８を受光部分１５に有する受光素子１３の場合、その分
光感度特性は図４（ａ）に示す通りで、ピーク感度波長
は５５０ｎｍとなる。また、フィルタ１８がない状態の
分光感度特性を示す図４（ｂ）と対比すると、フィルタ
１８がない状態ではピーク感度波長が６５０ｎｍ〜７０
０ｎｍで、そのピーク感度を１００％とした場合、フィ
ルタ１８を有する上記のものではピーク感度が４９％と
なり、波長９００ｎｍにおける赤外感度は４０〜５０％
であったものが、フィルタ１８を有することで１０％以
下とすることができる。
【００１７】以上のように構成されたものでは、接着を
用いず蒸着によってフィルタ１８を受光素子１３に固着
するようにしているので、配線基板等にリフローソルダ
リングによって表面実装しようとした場合においても、
ソルダリングの際の熱によって剥がれたり、固着部分が
経年劣化してしまう虞が少なく、信頼性が高いものとな
る。
用いず蒸着によってフィルタ１８を受光素子１３に固着
するようにしているので、配線基板等にリフローソルダ
リングによって表面実装しようとした場合においても、
ソルダリングの際の熱によって剥がれたり、固着部分が
経年劣化してしまう虞が少なく、信頼性が高いものとな
る。
【００１８】また、フィルタ１８はガラス基板等で形成
したものを外囲器１２の表面に接着せず、ガラス基板等
を用いずに受光素子１３の受光面１７に直接蒸着したも
のであるため、光半導体装置１１の外形形状を大きくす
るものではなく、実装する機器装置等の小型化に寄与す
るものとなる。またさらに、フィルタ１８を設けるに当
たって、外囲器１２の外表面に別部品を付加する必要が
ないため、製造コスト面でも低コスト化することが可能
となる。
したものを外囲器１２の表面に接着せず、ガラス基板等
を用いずに受光素子１３の受光面１７に直接蒸着したも
のであるため、光半導体装置１１の外形形状を大きくす
るものではなく、実装する機器装置等の小型化に寄与す
るものとなる。またさらに、フィルタ１８を設けるに当
たって、外囲器１２の外表面に別部品を付加する必要が
ないため、製造コスト面でも低コスト化することが可能
となる。
【００１９】なお、フィルタ１８は、上記のものに限る
ものではなく、図３に示す試料Ｎｏ．２乃至試料Ｎｏ．
５の通り、高屈折率薄膜１８Ｈの二酸化チタン（ＴｉＯ
２）薄膜と、低屈折率薄膜１８Ｌの二酸化シリコン薄膜
はそのままとし、各薄膜１８Ｈ，１８Ｌの膜厚、全膜
数、全膜厚（フィルタ厚さ）を変えることにより、使用
目的に応じた特性を出すことができる。また高屈折率薄
膜１８Ｈ、低屈折率薄膜１８Ｌに用いる材料について
も、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ３、さら
にＡｌ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３の混合物、Ａｌ２Ｏ３とＴａ
２Ｏ３の混合物等、所定の屈折率差を有する材料を組合
わせることで、さらに幅広い使用目的に対応することが
できる。
ものではなく、図３に示す試料Ｎｏ．２乃至試料Ｎｏ．
５の通り、高屈折率薄膜１８Ｈの二酸化チタン（ＴｉＯ
２）薄膜と、低屈折率薄膜１８Ｌの二酸化シリコン薄膜
はそのままとし、各薄膜１８Ｈ，１８Ｌの膜厚、全膜
数、全膜厚（フィルタ厚さ）を変えることにより、使用
目的に応じた特性を出すことができる。また高屈折率薄
膜１８Ｈ、低屈折率薄膜１８Ｌに用いる材料について
も、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ３、さら
にＡｌ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３の混合物、Ａｌ２Ｏ３とＴａ
２Ｏ３の混合物等、所定の屈折率差を有する材料を組合
わせることで、さらに幅広い使用目的に対応することが
できる。
【００２０】次に、第２の実施形態を図５及び図６によ
り説明する。図５は光半導体装置の外観を示す図で、図
５（ａ）は正面図、図５（ｂ）は側面図であり、図６は
液晶表示装置の部分断面図である。なお、第１の実施形
態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、第１
の実施形態と異なる本実施形態の構成について説明す
る。
り説明する。図５は光半導体装置の外観を示す図で、図
５（ａ）は正面図、図５（ｂ）は側面図であり、図６は
液晶表示装置の部分断面図である。なお、第１の実施形
態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、第１
の実施形態と異なる本実施形態の構成について説明す
る。
【００２１】図５及び図６において、２１は液晶表示装
置であり、液晶表示部２２がケース２３内に、枠部に取
り付けられると共に外表面に表示面２４が開口部２５を
介して外部に臨むように収納されており、さらに液晶表
示部２２を照明するよう光源２６が、液状表示部２２の
背後に配置されている。光源部２６は、ケース２３内に
収納された図示しない電源によって発光するＥＬ（エレ
クトロルミネッセンス）、あるいはＬＥＤ（フォトダイ
オード）などを直下方式、エッジ方式に配してなるもの
で、その発光の制御が実装基板２７に表面実装された光
源制御部２８によって行われるようになっている。
置であり、液晶表示部２２がケース２３内に、枠部に取
り付けられると共に外表面に表示面２４が開口部２５を
介して外部に臨むように収納されており、さらに液晶表
示部２２を照明するよう光源２６が、液状表示部２２の
背後に配置されている。光源部２６は、ケース２３内に
収納された図示しない電源によって発光するＥＬ（エレ
クトロルミネッセンス）、あるいはＬＥＤ（フォトダイ
オード）などを直下方式、エッジ方式に配してなるもの
で、その発光の制御が実装基板２７に表面実装された光
源制御部２８によって行われるようになっている。
【００２２】また、実装基板２７上には光半導体装置２
９が表面実装されており、その受光素子１３の受光部分
１５が、液晶表示部２２の表示面２４が開口する開口部
２５の設けられているケース２３の外表面に形成された
受光窓３０を介し、外部に臨むようになっている。そし
て、光半導体装置２９は出力が光源制御部２８に入力す
るように設けられていて、光半導体装置２９が受光した
ケース２３の外表面における照度に応じ、光源制御部２
８による光源部２６の「入」、「切」が行われ、液晶表
示部２２の照明を自動的に行ったり、停止したりするこ
とができ、液晶表示装置２１の電源の省エネを実現する
ことができる。
９が表面実装されており、その受光素子１３の受光部分
１５が、液晶表示部２２の表示面２４が開口する開口部
２５の設けられているケース２３の外表面に形成された
受光窓３０を介し、外部に臨むようになっている。そし
て、光半導体装置２９は出力が光源制御部２８に入力す
るように設けられていて、光半導体装置２９が受光した
ケース２３の外表面における照度に応じ、光源制御部２
８による光源部２６の「入」、「切」が行われ、液晶表
示部２２の照明を自動的に行ったり、停止したりするこ
とができ、液晶表示装置２１の電源の省エネを実現する
ことができる。
【００２３】一方、光半導体装置２９は、外囲器３１が
エポキシ樹脂系の合成樹脂で形成された、例えば縦寸法
が２．４ｍｍ、横寸法が３．２ｍｍで、厚さ寸法が１．
１ｍｍの直方体形状をなすＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍ
ｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ）となっている。そして
外囲器３１内の所定位置には、受光面１７上に赤外域の
光を反射し、可視光域の光を透過するフィルタ１８が、
直接蒸着により被着されて受光部分１５が形成されたフ
ォトダイオード等の光半導体素子によってなる受光素子
１３が、リードフレーム３２の所定部位に搭載され、透
明樹脂で形成された外囲器３１内に封止されていて、ま
た外囲器３１の１つの側壁面からは、受光素子１３の図
示しない電極等と、これに対応する部位とが導通するよ
うに接続されたリードフレーム３２の各アウターリード
３３が、表面実装可能な程度のアウターリード３３の略
厚さ寸法程度だけ延出している。
エポキシ樹脂系の合成樹脂で形成された、例えば縦寸法
が２．４ｍｍ、横寸法が３．２ｍｍで、厚さ寸法が１．
１ｍｍの直方体形状をなすＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍ
ｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ）となっている。そして
外囲器３１内の所定位置には、受光面１７上に赤外域の
光を反射し、可視光域の光を透過するフィルタ１８が、
直接蒸着により被着されて受光部分１５が形成されたフ
ォトダイオード等の光半導体素子によってなる受光素子
１３が、リードフレーム３２の所定部位に搭載され、透
明樹脂で形成された外囲器３１内に封止されていて、ま
た外囲器３１の１つの側壁面からは、受光素子１３の図
示しない電極等と、これに対応する部位とが導通するよ
うに接続されたリードフレーム３２の各アウターリード
３３が、表面実装可能な程度のアウターリード３３の略
厚さ寸法程度だけ延出している。
【００２４】そして、上記のような構成とした光半導体
装置２９は、第１の実施形態におけるものよりもより小
型化、薄型化したものとなり、また同じように、実装基
板２７にリフローソルダリングによって表面実装する場
合でも、ソルダリングの際の熱による光半導体装置２９
の損傷や劣化等の虞がなくなるなど信頼性の高いものと
することができる。さらに光半導体装置２９の外形形状
が小型化されているので、これを実装している液晶表示
装置２１、さらには液晶表示装置２１を内蔵する機器装
置等の小型化に寄与し、低コスト化が可能となる。
装置２９は、第１の実施形態におけるものよりもより小
型化、薄型化したものとなり、また同じように、実装基
板２７にリフローソルダリングによって表面実装する場
合でも、ソルダリングの際の熱による光半導体装置２９
の損傷や劣化等の虞がなくなるなど信頼性の高いものと
することができる。さらに光半導体装置２９の外形形状
が小型化されているので、これを実装している液晶表示
装置２１、さらには液晶表示装置２１を内蔵する機器装
置等の小型化に寄与し、低コスト化が可能となる。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、小型化、薄型化され、信頼性も高く表面実装
等にも適し、低コスト化できる等の効果を奏する。
によれば、小型化、薄型化され、信頼性も高く表面実装
等にも適し、低コスト化できる等の効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施形態の外観を示す図で、図
１（ａ）は正面図、図１（ｂ）は側面図である。
１（ａ）は正面図、図１（ｂ）は側面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における受光素子の側
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る膜構成の異なる
フィルタの特性を対比して示す図である。
フィルタの特性を対比して示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における受光素子の分
光感度特性を示す図で、図４（ａ）は受光面にフィルタ
を有する場合の分光感度特性図、図４（ｂ）は受光面に
フィルタがない状態の分光感度特性図である。
光感度特性を示す図で、図４（ａ）は受光面にフィルタ
を有する場合の分光感度特性図、図４（ｂ）は受光面に
フィルタがない状態の分光感度特性図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の外観を示す図で、図
５（ａ）は正面図、図５（ｂ）は側面図である。
５（ａ）は正面図、図５（ｂ）は側面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図７】従来技術の外観を示す図で、図７（ａ）は正面
図、図７（ｂ）は側面図である。
図、図７（ｂ）は側面図である。
１２…外囲器 １３…受光素子 １５…受光部分 １７…受光面 １８…フィルタ １８Ｈ…高屈折率薄膜 １８Ｌ…低屈折率薄膜
Claims (6)
- 【請求項１】 外囲器内に該外囲器表面に受光面が開口
するよう受光素子を備えてなる光半導体装置において、
前記受光素子の受光面に、直接所定波長域の光を反射
し、所要波長域の光を透過するフィルタが被着されてい
ることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 フィルタが、受光素子の受光面に直接蒸
着するようにして被着されていることを特徴とする請求
項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】 フィルタが、赤外域の光を反射し、可視
光域の光を透過するものであることを特徴とする請求項
１記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 フィルタが、高屈折率薄膜と低屈折率薄
膜とを交互に積層してなる多層膜フィルタであることを
特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項５】 高屈折率薄膜と低屈折率薄膜の膜厚と積
層膜数が等しいことを特徴とする請求項４記載の光半導
体装置。 - 【請求項６】 高屈折率薄膜が二酸化チタン薄膜であ
り、低屈折率薄膜が二酸化シリコン薄膜であることを特
徴とする請求項４記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000116810A JP2001308351A (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000116810A JP2001308351A (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308351A true JP2001308351A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18628220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000116810A Pending JP2001308351A (ja) | 2000-04-18 | 2000-04-18 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308351A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005041247A3 (de) * | 2003-09-30 | 2005-07-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsdetektor |
| JP2011060788A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Sharp Corp | 近接照度センサおよびその製造方法 |
| US8212285B2 (en) | 2004-03-31 | 2012-07-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation detector |
| JP2015192006A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体ウェハー、受光センサー製造方法及び受光センサー |
-
2000
- 2000-04-18 JP JP2000116810A patent/JP2001308351A/ja active Pending
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