JP2001307980A - 半導体製品製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製品製造装置および半導体装置の製造方法Info
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- JP2001307980A JP2001307980A JP2000118909A JP2000118909A JP2001307980A JP 2001307980 A JP2001307980 A JP 2001307980A JP 2000118909 A JP2000118909 A JP 2000118909A JP 2000118909 A JP2000118909 A JP 2000118909A JP 2001307980 A JP2001307980 A JP 2001307980A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジスト面への現像液の衝撃を抑制して、レ
ジストパターンのパターン細りやパターン崩れを抑制す
る。 【解決手段】 ウエハチャック３に、レジスト１面を下
向きにしてウエハ２を固定し、格子状に整列された複数
のノズル５より、レジスト面に対して下方から霧状の現
像液４をウエハ２全面に均一に噴射する。
ジストパターンのパターン細りやパターン崩れを抑制す
る。 【解決手段】 ウエハチャック３に、レジスト１面を下
向きにしてウエハ２を固定し、格子状に整列された複数
のノズル５より、レジスト面に対して下方から霧状の現
像液４をウエハ２全面に均一に噴射する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製品製造装
置および半導体装置の製造方法に関し、特に、リソグラ
フィ工程おいてレジストを現像する現像装置および現像
方法に関する。さらに特定すると、下向きのレジスト面
に対して下から現像液を均一に噴射しかつレジストへの
衝撃と現像液の交換を考慮した上方噴射型の現像装置お
よび現像方法に関する。
置および半導体装置の製造方法に関し、特に、リソグラ
フィ工程おいてレジストを現像する現像装置および現像
方法に関する。さらに特定すると、下向きのレジスト面
に対して下から現像液を均一に噴射しかつレジストへの
衝撃と現像液の交換を考慮した上方噴射型の現像装置お
よび現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置に回路パターンをパターニン
グしていくフォトリソグラフィ工程では、回路パターン
の形成されたマスクを介してエキシマレーザ光、電子
線、軟Ｘ線がレジストに照射されて、露光が行われる。
その後、有機アルカリ溶液（テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド）、有機溶剤（キシレン、酢酸ブチ
ル）等の現像液を露光部表面に供給し、露光によりレジ
ストの化学変化した部分とそうでない部分との溶解速度
の差を利用して現像が行われる。現像方法としては、ウ
エハを現像液に浸漬するディップ法とウエハの上部から
現像液をかけるパドル法とがあるが、現状では現像液管
理の容易性の面からパドル法が主流となっている。
グしていくフォトリソグラフィ工程では、回路パターン
の形成されたマスクを介してエキシマレーザ光、電子
線、軟Ｘ線がレジストに照射されて、露光が行われる。
その後、有機アルカリ溶液（テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド）、有機溶剤（キシレン、酢酸ブチ
ル）等の現像液を露光部表面に供給し、露光によりレジ
ストの化学変化した部分とそうでない部分との溶解速度
の差を利用して現像が行われる。現像方法としては、ウ
エハを現像液に浸漬するディップ法とウエハの上部から
現像液をかけるパドル法とがあるが、現状では現像液管
理の容易性の面からパドル法が主流となっている。
【０００３】図４は、パドル法の現像工程を説明する図
であって、従来、図４（ａ）に示すように、レジスト膜
３１の塗布されたウエハ３２を支持台３３上に載置し、
取付け部３６に取り付けられたノズル３５から現像液３
４を下方に向けウエハ３２上に噴射していた。この装置
により所定時間噴射を行い、ウエハが十分濡れ現像があ
る程度進行した段階で現像液の噴射を止め、図４（ｂ）
に示すように、レジスト膜３１の表面張力を利用して現
像液３４を液盛りにした状態にして現像を行っていた。
であって、従来、図４（ａ）に示すように、レジスト膜
３１の塗布されたウエハ３２を支持台３３上に載置し、
取付け部３６に取り付けられたノズル３５から現像液３
４を下方に向けウエハ３２上に噴射していた。この装置
により所定時間噴射を行い、ウエハが十分濡れ現像があ
る程度進行した段階で現像液の噴射を止め、図４（ｂ）
に示すように、レジスト膜３１の表面張力を利用して現
像液３４を液盛りにした状態にして現像を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在、高解像度レジス
トとして広く採用されているポジ型の化学増幅レジスト
は、ネガ型レジスト等に比較して機械的強度が低下して
おり、また、近年、微細化が進行したことにより、レジ
スト膜に形成されるパターンのアスペクト比が大きくな
ってきているため、レジスト膜が現像液粒子の衝撃によ
って損傷、倒壊を受け易くなってきている。すなわち、
レジスト膜が現像液粒子の衝撃を受けて、パターン細
り、パターン崩れなどを起こす可能性が高くなってきて
いる。また、従来の現像方法では、レジストが濡れ性の
悪い（疎水性の）場合、図５（ａ）に示すように、レジ
スト膜３１が現像液３４をはじいて十分な現像が行えな
かったり、図５（ｂ）に示すように、現像液がレジスト
面上に定着して開口内部の現像の進行が停滞し反応レジ
ストの残滓３７が取り除かれなくなる問題があった。
トとして広く採用されているポジ型の化学増幅レジスト
は、ネガ型レジスト等に比較して機械的強度が低下して
おり、また、近年、微細化が進行したことにより、レジ
スト膜に形成されるパターンのアスペクト比が大きくな
ってきているため、レジスト膜が現像液粒子の衝撃によ
って損傷、倒壊を受け易くなってきている。すなわち、
レジスト膜が現像液粒子の衝撃を受けて、パターン細
り、パターン崩れなどを起こす可能性が高くなってきて
いる。また、従来の現像方法では、レジストが濡れ性の
悪い（疎水性の）場合、図５（ａ）に示すように、レジ
スト膜３１が現像液３４をはじいて十分な現像が行えな
かったり、図５（ｂ）に示すように、現像液がレジスト
面上に定着して開口内部の現像の進行が停滞し反応レジ
ストの残滓３７が取り除かれなくなる問題があった。
【０００５】さらに、従来の現像方法では、パターンの
疎密により、現像液の対流・拡散の差が発生して濃度に
差が生じ疎パターンと密パターンとで現像の進行差が現
れる問題が発生していた。図６は、この状況を説明する
図であって、図６（ａ）は、疎パターン４０および密パ
ターン５０を含むレジスト設計パターンの断面図であ
り、図６（ｂ）は、従来方法により現像した疎パターン
４０ａおよび密パターン５０ａを含むレジストパターン
の断面図である。従来方法によると、図６（ｂ）に示さ
れるように、疎パターン４０ａと密パターンの両端の端
部パターン５１、５３では現像の進行が比較的速く、密
パターンの内部パターン５２では現像の進行が比較的遅
いという、現像液の交換差（つまり、濃度差が生じてい
る）による現像の進行差が現れ、仕上がり寸法が設計寸
法からずれる問題が生じていた。
疎密により、現像液の対流・拡散の差が発生して濃度に
差が生じ疎パターンと密パターンとで現像の進行差が現
れる問題が発生していた。図６は、この状況を説明する
図であって、図６（ａ）は、疎パターン４０および密パ
ターン５０を含むレジスト設計パターンの断面図であ
り、図６（ｂ）は、従来方法により現像した疎パターン
４０ａおよび密パターン５０ａを含むレジストパターン
の断面図である。従来方法によると、図６（ｂ）に示さ
れるように、疎パターン４０ａと密パターンの両端の端
部パターン５１、５３では現像の進行が比較的速く、密
パターンの内部パターン５２では現像の進行が比較的遅
いという、現像液の交換差（つまり、濃度差が生じてい
る）による現像の進行差が現れ、仕上がり寸法が設計寸
法からずれる問題が生じていた。
【０００６】したがって、本発明の解決すべき課題は、
第１に、現像液粒子の衝撃によってパターン細り／崩れ
が発生することのないようにすることであり、第２に、
濡れ性のよくないレジストに対しても十分に現像が行わ
れるようにすることであり、第３に、現像液がレジスト
面上に定着することのないようにすることであり、第４
に、パターンの疎密により現像の進行に差が生じること
のないようにすることである。
第１に、現像液粒子の衝撃によってパターン細り／崩れ
が発生することのないようにすることであり、第２に、
濡れ性のよくないレジストに対しても十分に現像が行わ
れるようにすることであり、第３に、現像液がレジスト
面上に定着することのないようにすることであり、第４
に、パターンの疎密により現像の進行に差が生じること
のないようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、表面に露光されたレジスト膜を有
するウエハを、ウエハ表面側を下向きにして保持するウ
エハ保持手段と、下方から霧状の現像液を前記ウエハ表
面全体に均一に噴射する現像液噴射手段と、を有するこ
とを特徴とする半導体製品製造装置、が提供される。そ
して、好ましくは、前記現像液噴射手段は、前記ウエハ
に対面して格子状に配列された複数のノズルにより構成
される。さらに、好ましくは、一度現像に使用された現
像液が再度ウエハ面へ持ち上げられないように、前記ノ
ズルの先端部が突起状になっている。
め、本発明によれば、表面に露光されたレジスト膜を有
するウエハを、ウエハ表面側を下向きにして保持するウ
エハ保持手段と、下方から霧状の現像液を前記ウエハ表
面全体に均一に噴射する現像液噴射手段と、を有するこ
とを特徴とする半導体製品製造装置、が提供される。そ
して、好ましくは、前記現像液噴射手段は、前記ウエハ
に対面して格子状に配列された複数のノズルにより構成
される。さらに、好ましくは、一度現像に使用された現
像液が再度ウエハ面へ持ち上げられないように、前記ノ
ズルの先端部が突起状になっている。
【０００８】また、上記の課題を解決するため、本発明
によれば、露光されたレジスト膜を有するウエハ面を下
向きにして下方から霧状の現像液を前記ウエハ表面全体
に均一に噴射して現像を行なうことを特徴とする半導体
装置の製造方法、が提供される。そして、好ましくは、
前記現像液の噴射の最初期には前記噴射量を少なくして
前記現像液が前記レジストに与える衝撃を極力抑えるよ
うにし、前記ウエハが濡れてくると前記噴射量を徐々に
多くしていき前記レジストの奥部の前記現像液の交換を
促進するようになされる。
によれば、露光されたレジスト膜を有するウエハ面を下
向きにして下方から霧状の現像液を前記ウエハ表面全体
に均一に噴射して現像を行なうことを特徴とする半導体
装置の製造方法、が提供される。そして、好ましくは、
前記現像液の噴射の最初期には前記噴射量を少なくして
前記現像液が前記レジストに与える衝撃を極力抑えるよ
うにし、前記ウエハが濡れてくると前記噴射量を徐々に
多くしていき前記レジストの奥部の前記現像液の交換を
促進するようになされる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を好ま
しい実施例に基づいて説明する。図１（ａ）は、本発明
の一実施例の現像装置の概略構成図であり、図１（ｂ）
は、ノズル５の配列を示す平面図である。図１に示され
るように、エキシマレーザ光、電子線あるいは軟Ｘ線な
どにより露光されて化学変化し現像液に可溶になった部
分をもつレジスト膜１が表面に形成されたウエハ２は、
レジスト膜１形成面を下向きにして、真空吸着によりウ
エハチャック３に固定される。ウエハチャック３の下部
には、霧（ミスト）状の現像液４が噴射される格子状に
配列されたノズル５を上面に有する現像液溜め６が配置
される。現像液溜め６には、タンク７内に貯蔵された現
像液４が、制御部９により開閉が制御されるバルブ８を
介して供給される。タンク７内の現像液４は、窒素ガス
源１０により常時加圧されている。
しい実施例に基づいて説明する。図１（ａ）は、本発明
の一実施例の現像装置の概略構成図であり、図１（ｂ）
は、ノズル５の配列を示す平面図である。図１に示され
るように、エキシマレーザ光、電子線あるいは軟Ｘ線な
どにより露光されて化学変化し現像液に可溶になった部
分をもつレジスト膜１が表面に形成されたウエハ２は、
レジスト膜１形成面を下向きにして、真空吸着によりウ
エハチャック３に固定される。ウエハチャック３の下部
には、霧（ミスト）状の現像液４が噴射される格子状に
配列されたノズル５を上面に有する現像液溜め６が配置
される。現像液溜め６には、タンク７内に貯蔵された現
像液４が、制御部９により開閉が制御されるバルブ８を
介して供給される。タンク７内の現像液４は、窒素ガス
源１０により常時加圧されている。
【００１０】本実施例で使用される現像液の噴射粒子サ
イズは、数十ｎｍ〜数百μｍであり、現像液の噴射量
は、ウエハ全面で数ｍｌ／分〜数十ｍｌ／分である。ウ
エハ２とノズル５との間隔は、５〜２０ｍｍが好まし
い。ノズル５の先端部の形状は、一度現像された現像液
を再度持ち上げウエハに付着しないように、突起状にし
てある。図１（ｂ）に示されるように、本実施例におい
てはノズル５の数が６９個であるが、望ましいノズル数
は、２００ｍｍ（８インチ）のウエハの場合、２５〜１
００個である。すなわち、１００ｃｍ2 当たり約８〜３
２個である。
イズは、数十ｎｍ〜数百μｍであり、現像液の噴射量
は、ウエハ全面で数ｍｌ／分〜数十ｍｌ／分である。ウ
エハ２とノズル５との間隔は、５〜２０ｍｍが好まし
い。ノズル５の先端部の形状は、一度現像された現像液
を再度持ち上げウエハに付着しないように、突起状にし
てある。図１（ｂ）に示されるように、本実施例におい
てはノズル５の数が６９個であるが、望ましいノズル数
は、２００ｍｍ（８インチ）のウエハの場合、２５〜１
００個である。すなわち、１００ｃｍ2 当たり約８〜３
２個である。
【００１１】ノズル５上にウエハが存在しない初期状態
では、バルブ８は閉じられノズル５から現像液は噴射さ
れていない。図示されない搬送装置により露光済みのレ
ジスト膜１が形成されたウエハがウエハチャック３下に
搬送されてきて、これに真空吸着により固定される。す
ると、制御部９はバルブ８を開き、現像液４が現像液溜
め６内に圧入されることにより、霧状の現像液４がレジ
スト膜１面に吹き付けられる。初期の段階では噴射量を
低く抑えて、現像液がウエハ面を十分に濡らした後に噴
射量を多くして、新しい現像液４がレジスト膜１の開口
奥まで達するようにし、現像液４の交換を促す。
では、バルブ８は閉じられノズル５から現像液は噴射さ
れていない。図示されない搬送装置により露光済みのレ
ジスト膜１が形成されたウエハがウエハチャック３下に
搬送されてきて、これに真空吸着により固定される。す
ると、制御部９はバルブ８を開き、現像液４が現像液溜
め６内に圧入されることにより、霧状の現像液４がレジ
スト膜１面に吹き付けられる。初期の段階では噴射量を
低く抑えて、現像液がウエハ面を十分に濡らした後に噴
射量を多くして、新しい現像液４がレジスト膜１の開口
奥まで達するようにし、現像液４の交換を促す。
【００１２】現像液４は霧状でレジスト膜面上に吹き付
けられるため、現像液粒子による衝撃は小さくレジスト
膜が損傷を受けたり倒壊してしまったりすることはなく
なり、パターン細りやパターン崩れは防止される。ま
た、現像液４は満遍なく均一にレジスト面に吹き付けら
れることにより、濡れにくいレジスト膜であっても濡れ
残りが発生することがなくなり、現像むらが発生するこ
とがなくなる。さらに、レジスト膜が下向きに配置され
ていることにより、レジスト膜表面および開口内部の現
像液の交換がスムースに行われ、開口内部に残滓が残っ
たり、パターンの疎密に起因して仕上がりパターン幅に
差が生じたりすることが防止される。
けられるため、現像液粒子による衝撃は小さくレジスト
膜が損傷を受けたり倒壊してしまったりすることはなく
なり、パターン細りやパターン崩れは防止される。ま
た、現像液４は満遍なく均一にレジスト面に吹き付けら
れることにより、濡れにくいレジスト膜であっても濡れ
残りが発生することがなくなり、現像むらが発生するこ
とがなくなる。さらに、レジスト膜が下向きに配置され
ていることにより、レジスト膜表面および開口内部の現
像液の交換がスムースに行われ、開口内部に残滓が残っ
たり、パターンの疎密に起因して仕上がりパターン幅に
差が生じたりすることが防止される。
【００１３】図２は、本発明の第２の実施例の現像液噴
射部を示す平面図である。本実施例においては、第１の
実施例の面状の現像液溜めに代え、枝分かれした現像液
供給管１１が用いられ、各現像液供給管１１に複数のノ
ズル５が設けられている。なお、図示した例では、両側
に、バルブ８と制御部９とを配置したが、片側にまとめ
ることもできる。本実施例によれば、現像液供給管１１
間に他の処理液、例えば洗浄液や界面活性剤を噴射する
ノズルを配置することが可能になり、より効率的に作業
を行うことが可能になる。
射部を示す平面図である。本実施例においては、第１の
実施例の面状の現像液溜めに代え、枝分かれした現像液
供給管１１が用いられ、各現像液供給管１１に複数のノ
ズル５が設けられている。なお、図示した例では、両側
に、バルブ８と制御部９とを配置したが、片側にまとめ
ることもできる。本実施例によれば、現像液供給管１１
間に他の処理液、例えば洗浄液や界面活性剤を噴射する
ノズルを配置することが可能になり、より効率的に作業
を行うことが可能になる。
【００１４】図３は、本発明の第３の実施例の現像液噴
射部を示す断面図である。本実施例においては、現像液
溜め６内に、圧電振動子１２と振動板１３とが配置され
ており、現像液溜め６内の現像液４に超音波振動を付与
できるように構成されている。現像液に超音波振動が加
えられることにより現像液は容易に霧化されるようにな
る。さらに、可変容量素子を接続して超音波振動周波数
を変更できるようにすることにより霧化される現像液の
粒子の大きさを調整することができる。この機能を使う
ことにより、現像を行う過程で現像液粒子のサイズを調
整することが可能になる。例えば、現像の最初期に粒子
サイズを小さくしてレジスト膜表面をよく濡らすことが
できるようにするとともに濡れる前に現像液粒子の大き
な衝撃が加わるのを防止することができる。
射部を示す断面図である。本実施例においては、現像液
溜め６内に、圧電振動子１２と振動板１３とが配置され
ており、現像液溜め６内の現像液４に超音波振動を付与
できるように構成されている。現像液に超音波振動が加
えられることにより現像液は容易に霧化されるようにな
る。さらに、可変容量素子を接続して超音波振動周波数
を変更できるようにすることにより霧化される現像液の
粒子の大きさを調整することができる。この機能を使う
ことにより、現像を行う過程で現像液粒子のサイズを調
整することが可能になる。例えば、現像の最初期に粒子
サイズを小さくしてレジスト膜表面をよく濡らすことが
できるようにするとともに濡れる前に現像液粒子の大き
な衝撃が加わるのを防止することができる。
【００１５】以上、本発明を好ましい実施例について説
明したが、本発明は、これら実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱することのない範囲内にお
いて適宜の変更が可能なものである。例えば、実施例で
は、ウエハを固定して現像液の噴射を行う構成とした
が、ウエハを回転、つまり、ウエハチャックを回転させ
て現像液を噴射する構成にしてもよい。また、ノズルの
配置パターンは格子状に代え、放射状ないし渦巻き状と
してもよい。
明したが、本発明は、これら実施例に限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱することのない範囲内にお
いて適宜の変更が可能なものである。例えば、実施例で
は、ウエハを固定して現像液の噴射を行う構成とした
が、ウエハを回転、つまり、ウエハチャックを回転させ
て現像液を噴射する構成にしてもよい。また、ノズルの
配置パターンは格子状に代え、放射状ないし渦巻き状と
してもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、下側よ
りレジスト膜に霧状の現像液を吹き付けるものであるの
で、機械的強度の低いレジスト膜であってもまたアスペ
クト比が高くなるレジスト膜であっても現像液の衝撃に
よって機械的な損傷を受けることがなくなり、パターン
細りやパターン崩れの発生を防止することができる。ま
た、濡れ性のよくないレジスト膜であっても一様に濡ら
して現像むらなくパターンを形成することができる。さ
らに、開口内部に残滓が残されたりパターンの疎密によ
って現像の進行に差が生じたりすることを防止すること
ができる。
りレジスト膜に霧状の現像液を吹き付けるものであるの
で、機械的強度の低いレジスト膜であってもまたアスペ
クト比が高くなるレジスト膜であっても現像液の衝撃に
よって機械的な損傷を受けることがなくなり、パターン
細りやパターン崩れの発生を防止することができる。ま
た、濡れ性のよくないレジスト膜であっても一様に濡ら
して現像むらなくパターンを形成することができる。さ
らに、開口内部に残滓が残されたりパターンの疎密によ
って現像の進行に差が生じたりすることを防止すること
ができる。
【図１】 本発明の第１の実施例の現像装置の概略構成
図。
図。
【図２】 本発明の第２の実施例の部分平面図。
【図３】 本発明の第３の実施例の部分断面図。
【図４】 従来の現像方法の説明図。
【図５】 従来の現像方法の問題点を説明するための
図。
図。
【図６】 従来の現像方法の問題点を説明するための
図。
図。
１、３１ レジスト膜 ２、３２ ウエハ ３ ウエハチャック ４、３４ 現像液 ５、３５ ノズル ６ 現像液溜め ７ タンク ８ バルブ ９ 制御部 １０ 窒素ガス源 １１ 現像液供給管 １２ 圧電振動子 １３ 振動板 ３３ 支持台 ３６ ノズル取付け部 ３７ 反応レジストの残滓 ４０、４０ａ 疎パターン ５０、５０ａ 密パターン ５１、５３ 密パターンの端部パターン ５２ 密パターンの内部パターン
Claims (12)
- 【請求項１】 表面に露光されたレジスト膜を有するウ
エハを、ウエハ表面側を下向きにして保持するウエハ保
持手段と、下方から霧状の現像液を前記ウエハ表面全体
に均一に噴射する現像液噴射手段と、を有することを特
徴とする半導体製品製造装置。 - 【請求項２】 前記現像液噴射手段が、前記ウエハに対
面して配置された複数のノズルであることを特徴とする
請求項１記載の半導体製品製造装置。 - 【請求項３】 前記複数のノズルが格子状に配列されて
いることを特徴とする請求項２記載の半導体製品製造装
置。 - 【請求項４】 一度現像に使用された現像液が再度ウエ
ハ面へ持ち上げられないように、前記ノズルの先端部が
突起状になっていることを特徴とする請求項２または３
記載の半導体製品製造装置。 - 【請求項５】 前記ノズルの数はウエハ面積１００ｃｍ
2 当たり８〜３２個であることを特徴とする請求項２〜
４の何れかに記載の半導体製品製造装置。 - 【請求項６】 前記ノズルと前記ウエハとの間隔は５〜
２０ｍｍであることを特徴とする請求項２〜５の何れか
に記載の半導体製品製造装置。 - 【請求項７】 前記ウエハ保持手段が回転可能であるこ
とを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の半導体製
品製造装置。 - 【請求項８】 前記霧状現像液の粒子のサイズを調整す
る手段を備えたことを特徴とする請求項１〜７の何れか
に記載の半導体製品製造装置。 - 【請求項９】 露光されたレジスト膜を有するウエハ面
を下向きにして下方から霧状の現像液を前記ウエハ表面
全体に均一に噴射して現像を行なうことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記霧状の現像液の粒子サイズが、数
十ｎｍ〜数百μｍであることを特徴とする請求項９記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記現像液の噴射の最初期には前記噴
射量を少なくして前記現像液が前記レジストに与える衝
撃を極力抑えるようにし、前記ウエハが濡れてくると前
記噴射量を徐々に多くしていき前記レジストの奥部の前
記現像液の交換を促すことを特徴とする請求項９または
１０記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記霧状の現像液の粒子サイズを、前
記現像液の噴射の最初期には小さくしレジスト表面が濡
れた後徐々に大きくすることを特徴とする請求項９〜１
１の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118909A JP2001307980A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 半導体製品製造装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000118909A JP2001307980A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 半導体製品製造装置および半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184685A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Risotetsuku Japan Kk | 現像方法 |
| JP2011077071A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2016006850A (ja) * | 2014-05-30 | 2016-01-14 | 東京化工機株式会社 | 基板材の現像装置 |
-
2000
- 2000-04-20 JP JP2000118909A patent/JP2001307980A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JP2002184685A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Risotetsuku Japan Kk | 現像方法 |
| JP2011077071A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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