JP2001307313A - 薄膜ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜ヘッドの製造方法Info
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-
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヘッドの浮上面に形成される浮上パターン等
の耐蝕性を向上させ、耐摩耗性、撥水性にすぐれた信頼
性の高いヘッドを提供する。 【解決手段】 ディスクに接触するパッドと浮上パター
ンとが浮上面に形成された薄膜ヘッドの製造方法におい
て、ヘッドの本体である基板３０の浮上面に、密着層３
２と保護膜層３４をこの順に成膜し、保護膜層３４をレ
ジスト４６により被覆するとともに、該レジスト４６を
パターン形成して前記パッドを形成する部位にパッド穴
４６ａを形成し、前記パッド穴内を含む前記レジストが
被着された面に下地膜４８とパッド膜５０を成膜し、前
記レジスト４６をリフトオフしてパッドを形成する。パ
ッド穴４６ａを所定のパッド形状よりも大径に形成して
おき、パッド膜５０をエッチングして所定形状のパッド
に形成する。
の耐蝕性を向上させ、耐摩耗性、撥水性にすぐれた信頼
性の高いヘッドを提供する。 【解決手段】 ディスクに接触するパッドと浮上パター
ンとが浮上面に形成された薄膜ヘッドの製造方法におい
て、ヘッドの本体である基板３０の浮上面に、密着層３
２と保護膜層３４をこの順に成膜し、保護膜層３４をレ
ジスト４６により被覆するとともに、該レジスト４６を
パターン形成して前記パッドを形成する部位にパッド穴
４６ａを形成し、前記パッド穴内を含む前記レジストが
被着された面に下地膜４８とパッド膜５０を成膜し、前
記レジスト４６をリフトオフしてパッドを形成する。パ
ッド穴４６ａを所定のパッド形状よりも大径に形成して
おき、パッド膜５０をエッチングして所定形状のパッド
に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜ヘッドの製造方
法に関し、より詳細には、ヘッドに形成される、媒体と
ヘッドとの吸着防止用のパッドの製造方法に関する。
法に関し、より詳細には、ヘッドに形成される、媒体と
ヘッドとの吸着防止用のパッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置では、ディスクの回転
が停止した状態でヘッドがディスクの表面に接触し、デ
ィスクの回転とともに発生する空気流によりヘッドがデ
ィスクの表面から浮上する、いわゆるコンタクト・スタ
ート・ストップ方式（ＣＳＳ方式）が採用されている。
このため、ヘッドのディスクに対向する面には、空気流
の作用によってヘッドを浮上させる浮上パターンが形成
され、また、ディスクとヘッドとの接触抵抗を小さくす
るためのパッドが形成されている。
が停止した状態でヘッドがディスクの表面に接触し、デ
ィスクの回転とともに発生する空気流によりヘッドがデ
ィスクの表面から浮上する、いわゆるコンタクト・スタ
ート・ストップ方式（ＣＳＳ方式）が採用されている。
このため、ヘッドのディスクに対向する面には、空気流
の作用によってヘッドを浮上させる浮上パターンが形成
され、また、ディスクとヘッドとの接触抵抗を小さくす
るためのパッドが形成されている。
【０００３】図６は、ヘッド１０を浮上面側から見た状
態を示す。１２ａ、１２ｂ、１２ｃが浮上パターン、１
４ａ、１４ｂ、１４ｃが浅溝部、１６が深溝部である。
浅溝部１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び深溝部１６は、ヘッ
ド１０が浮上した際に負圧を生じさせ、ヘッド１０が所
定の高さ以上に浮上しないようにするためのものであ
る。浮上面内ではパッド１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８
ｄ以外では、浮上パターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃが最
も突出し、浅溝部１４ａ、１４ｂ、１４ｃが浮上パター
ン１２ａ、１２ｂ、１２ｃから僅かに低位に形成され、
深溝部１６がさらに低位に形成される。パッド１８ａ〜
１８ｄは浅溝部１４ａ、１４ｂ、１４ｃを形成した部位
に配置され、端面が浮上パターン１２ａ、１２ｂ、１２
ｃの表面から突出するように形成される。図７は、磁気
ディスク２０が回転して、ヘッド１０がディスク面から
浮上している状態を示す。２２はヘッド１０を支持する
サスペンションである。
態を示す。１２ａ、１２ｂ、１２ｃが浮上パターン、１
４ａ、１４ｂ、１４ｃが浅溝部、１６が深溝部である。
浅溝部１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び深溝部１６は、ヘッ
ド１０が浮上した際に負圧を生じさせ、ヘッド１０が所
定の高さ以上に浮上しないようにするためのものであ
る。浮上面内ではパッド１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８
ｄ以外では、浮上パターン１２ａ、１２ｂ、１２ｃが最
も突出し、浅溝部１４ａ、１４ｂ、１４ｃが浮上パター
ン１２ａ、１２ｂ、１２ｃから僅かに低位に形成され、
深溝部１６がさらに低位に形成される。パッド１８ａ〜
１８ｄは浅溝部１４ａ、１４ｂ、１４ｃを形成した部位
に配置され、端面が浮上パターン１２ａ、１２ｂ、１２
ｃの表面から突出するように形成される。図７は、磁気
ディスク２０が回転して、ヘッド１０がディスク面から
浮上している状態を示す。２２はヘッド１０を支持する
サスペンションである。
【０００４】パッドはディスクが停止と回転を繰り返す
ごとにディスクの表面に接触する。したがって、パッド
には多数回のディスクとの接触に耐えられる耐久性が求
められる。このためパッドとディスクとの接触抵抗を小
さくして、ディスクの表面にパッドが吸着されにくくす
ること、ヘッドの表面に塵埃が付着しにくくして、パッ
ドが汚れたりすることを防止し、所要の接触抵抗以下に
維持することが求められる。
ごとにディスクの表面に接触する。したがって、パッド
には多数回のディスクとの接触に耐えられる耐久性が求
められる。このためパッドとディスクとの接触抵抗を小
さくして、ディスクの表面にパッドが吸着されにくくす
ること、ヘッドの表面に塵埃が付着しにくくして、パッ
ドが汚れたりすることを防止し、所要の接触抵抗以下に
維持することが求められる。
【０００５】図５は、ヘッド（スライダ）にパッドを形
成する従来の製造方法を示す。なお、図５は図６のＡ−
Ａ線断面図について示している。図５(a)は、仕上げラ
ップ加工したスライダの基板３０の表面に密着層３２、
保護膜層３４、ストッパー層３６、パッド層３８をこの
順に積層した状態である。密着層３２およびストッパー
層３６はシリコンを成膜して形成し、保護膜層３４及び
パッド層３８はＤＬＣ(Diamond Like Carbon)を成膜し
て形成したものである。図５(b)は、パッド層３８をエ
ッチングしさらにストッパー層３６をエッチングしてパ
ッド１８を形成した状態を示す。このエッチング操作で
は、パッド層３８の表面にレジスト４０をコーティング
し、露光・現像プロセスによりパッド１８を形成する部
位を被覆するパターンを形成してエッチングする。
成する従来の製造方法を示す。なお、図５は図６のＡ−
Ａ線断面図について示している。図５(a)は、仕上げラ
ップ加工したスライダの基板３０の表面に密着層３２、
保護膜層３４、ストッパー層３６、パッド層３８をこの
順に積層した状態である。密着層３２およびストッパー
層３６はシリコンを成膜して形成し、保護膜層３４及び
パッド層３８はＤＬＣ(Diamond Like Carbon)を成膜し
て形成したものである。図５(b)は、パッド層３８をエ
ッチングしさらにストッパー層３６をエッチングしてパ
ッド１８を形成した状態を示す。このエッチング操作で
は、パッド層３８の表面にレジスト４０をコーティング
し、露光・現像プロセスによりパッド１８を形成する部
位を被覆するパターンを形成してエッチングする。
【０００６】パッド層３８は酸素ガス中でのドライエッ
チングにより、レジスト４０によって被覆された部位が
残りパッド１８が形成される。ストッパー層３６のエッ
チングは、ＣＦ４ガスを用いてシリコンを選択的にエッ
チングすることによって行う。このエッチングにより、
パッド１８を形成した部位を除いて保護膜層３４が露出
する。図５(c)は、浮上パターン１２と浅溝部１４を形
成する工程である。レジスト４２は浮上パターン１２を
形成する部位とパッド１８とを被覆している。ドライエ
ッチングによりＤＬＣの保護膜層３４をエッチングして
浮上パターン１２を形成し、次にイオンミリングにより
密着層３２と基板３０とをエッチングして浅溝部１４を
形成する。この工程では、基板３０の表面は全体的にエ
ッチングされる。
チングにより、レジスト４０によって被覆された部位が
残りパッド１８が形成される。ストッパー層３６のエッ
チングは、ＣＦ４ガスを用いてシリコンを選択的にエッ
チングすることによって行う。このエッチングにより、
パッド１８を形成した部位を除いて保護膜層３４が露出
する。図５(c)は、浮上パターン１２と浅溝部１４を形
成する工程である。レジスト４２は浮上パターン１２を
形成する部位とパッド１８とを被覆している。ドライエ
ッチングによりＤＬＣの保護膜層３４をエッチングして
浮上パターン１２を形成し、次にイオンミリングにより
密着層３２と基板３０とをエッチングして浅溝部１４を
形成する。この工程では、基板３０の表面は全体的にエ
ッチングされる。
【０００７】図５(d)は、基板３０に深溝部１６を形成
する工程である。深溝部１６を形成する部位をエッチン
グするため、深溝部１６を形成する部位を除いたパッド
１８、浮上パターン１２、浅溝部１４をレジスト４４に
よって被覆する。基板３０をイオンミリングあるいはド
ライエッチングすることにより、基板３０の表面に深溝
部１６を形成する。
する工程である。深溝部１６を形成する部位をエッチン
グするため、深溝部１６を形成する部位を除いたパッド
１８、浮上パターン１２、浅溝部１４をレジスト４４に
よって被覆する。基板３０をイオンミリングあるいはド
ライエッチングすることにより、基板３０の表面に深溝
部１６を形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したヘッド１０の
浮上面にパッド１８を形成する従来方法では、保護膜層
３４の上にストッパー層３６を設け、パッド層３８をド
ライエッチングする際に下層の保護膜層３４がエッチン
グされないようにしている。ところが、保護膜層３４の
上にシリコンのストッパー層３６を成膜する際に、保護
膜層３４にシリコンが混入して保護膜層３４にミキシン
グ層が形成されることが避けられない。保護膜層３４に
混入したシリコンはストッパー層３６をエッチングして
除去する通常処理では除去することができず、保護膜層
３４の撥水性を低下させるという問題がある。一方、保
護膜層３４に混入したシリコンを完全に除去するためス
トッパー層３６をエッチングする時間を長くとると、保
護膜層３４がダメージを受けてポーラス状となり、この
場合は保護膜層３４が腐食しやすくなって耐蝕性が低下
するという問題がある。
浮上面にパッド１８を形成する従来方法では、保護膜層
３４の上にストッパー層３６を設け、パッド層３８をド
ライエッチングする際に下層の保護膜層３４がエッチン
グされないようにしている。ところが、保護膜層３４の
上にシリコンのストッパー層３６を成膜する際に、保護
膜層３４にシリコンが混入して保護膜層３４にミキシン
グ層が形成されることが避けられない。保護膜層３４に
混入したシリコンはストッパー層３６をエッチングして
除去する通常処理では除去することができず、保護膜層
３４の撥水性を低下させるという問題がある。一方、保
護膜層３４に混入したシリコンを完全に除去するためス
トッパー層３６をエッチングする時間を長くとると、保
護膜層３４がダメージを受けてポーラス状となり、この
場合は保護膜層３４が腐食しやすくなって耐蝕性が低下
するという問題がある。
【０００９】本発明は、ヘッドにパッドを形成する際の
これらの問題点を解消すべくなされたものであり、その
目的とするところは、保護膜層として所要の耐蝕性を備
え、撥水性にすぐれることにより、高温多湿環境であっ
てもヘッドの汚れを防止し、十分な耐久性を備えて、信
頼性の高い薄膜ヘッドを得ることができる薄膜ヘッドの
製造方法を提供するにある。
これらの問題点を解消すべくなされたものであり、その
目的とするところは、保護膜層として所要の耐蝕性を備
え、撥水性にすぐれることにより、高温多湿環境であっ
てもヘッドの汚れを防止し、十分な耐久性を備えて、信
頼性の高い薄膜ヘッドを得ることができる薄膜ヘッドの
製造方法を提供するにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため次の構成を備える。すなわち、ディスクに接
触するパッドと浮上パターンとが浮上面に形成された薄
膜ヘッドの製造方法において、ヘッドの本体である基板
の浮上面に、密着層と保護膜層をこの順に成膜し、該保
護膜層をレジストにより被覆するとともに、該レジスト
をパターン形成して前記パッドを形成する部位にパッド
穴を形成し、前記パッド穴内を含む前記レジストが被着
された面にパッド膜を成膜し、前記レジストをリフトオ
フすることによりパッドを形成することを特徴とする。
成するため次の構成を備える。すなわち、ディスクに接
触するパッドと浮上パターンとが浮上面に形成された薄
膜ヘッドの製造方法において、ヘッドの本体である基板
の浮上面に、密着層と保護膜層をこの順に成膜し、該保
護膜層をレジストにより被覆するとともに、該レジスト
をパターン形成して前記パッドを形成する部位にパッド
穴を形成し、前記パッド穴内を含む前記レジストが被着
された面にパッド膜を成膜し、前記レジストをリフトオ
フすることによりパッドを形成することを特徴とする。
【００１１】また、前記レジストに形成するパッド穴を
前記パッド形状よりも大径に形成し、前記レジストをリ
フトオフした後、前記パッド膜をエッチングして所定形
状のパッドを形成することを特徴とする。パッド穴を所
定のパッド形状よりも大径に形成することにより、パッ
ドとして所定の膜厚および形状に精度よく形成すること
ができる。また、前記レジストの厚さと、該レジストに
形成するパッド穴の径としては、前記レジストの厚さを
ｔ、前記パッド穴と前記パッドの半径の寸法差をＬとし
て、Ｌ≧０．５ｔとすることがとくに好適である。
前記パッド形状よりも大径に形成し、前記レジストをリ
フトオフした後、前記パッド膜をエッチングして所定形
状のパッドを形成することを特徴とする。パッド穴を所
定のパッド形状よりも大径に形成することにより、パッ
ドとして所定の膜厚および形状に精度よく形成すること
ができる。また、前記レジストの厚さと、該レジストに
形成するパッド穴の径としては、前記レジストの厚さを
ｔ、前記パッド穴と前記パッドの半径の寸法差をＬとし
て、Ｌ≧０．５ｔとすることがとくに好適である。
【００１２】また、レジストをリフトオフした後、前記
パッド膜と前記保護膜層をレジストにより被覆し、該レ
ジストをパターン形成して、前記パッドを形成する部位
と前記浮上パターンを形成する部位をレジストにより被
覆し、前記パッド膜、保護膜層及び前記基板表面をエッ
チングして、パッド及び浮上パターンを形成することを
特徴とする。また、前記パッド及び浮上パターンを形成
した後、浮上面の全面に撥水処理を施すことを特徴とす
る。これによって、浮上面の撥水性が良好となり、浮上
面が汚れることを抑え、ヘッドの信頼性を高めることが
可能になる。また、前記パッド膜の下地層として、パッ
ドの耐摩耗性を向上させる下地膜を成膜することを特徴
とする。下地膜としてはシリコン膜、ＳｉＣ膜等の硬度
の高い膜が好適に使用できる。
パッド膜と前記保護膜層をレジストにより被覆し、該レ
ジストをパターン形成して、前記パッドを形成する部位
と前記浮上パターンを形成する部位をレジストにより被
覆し、前記パッド膜、保護膜層及び前記基板表面をエッ
チングして、パッド及び浮上パターンを形成することを
特徴とする。また、前記パッド及び浮上パターンを形成
した後、浮上面の全面に撥水処理を施すことを特徴とす
る。これによって、浮上面の撥水性が良好となり、浮上
面が汚れることを抑え、ヘッドの信頼性を高めることが
可能になる。また、前記パッド膜の下地層として、パッ
ドの耐摩耗性を向上させる下地膜を成膜することを特徴
とする。下地膜としてはシリコン膜、ＳｉＣ膜等の硬度
の高い膜が好適に使用できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて、添付図面と共に詳細に説明する。図１は本発明
に係る薄膜ヘッドの製造方法についての実施形態を示す
説明図である。なお、薄膜ヘッドの構成は図６に示す従
来の薄膜ヘッドと同一である。図１では、実施形態の製
造方法を図６のＡ−Ａ線断面図について示す。
ついて、添付図面と共に詳細に説明する。図１は本発明
に係る薄膜ヘッドの製造方法についての実施形態を示す
説明図である。なお、薄膜ヘッドの構成は図６に示す従
来の薄膜ヘッドと同一である。図１では、実施形態の製
造方法を図６のＡ−Ａ線断面図について示す。
【００１４】図１(a)は、仕上げラップ加工したスライ
ダの基板３０の表面にシリコンの密着層３２とＤＬＣの
保護膜層３４を成膜した状態を示す。実施形態での密着
層３２の膜厚は１０〜３０オングストローム、保護膜層
３４の膜厚は１０〜５０オングストローム程度である。
密着層３２及び保護膜層３４は通常の成膜装置を使用し
て成膜する。
ダの基板３０の表面にシリコンの密着層３２とＤＬＣの
保護膜層３４を成膜した状態を示す。実施形態での密着
層３２の膜厚は１０〜３０オングストローム、保護膜層
３４の膜厚は１０〜５０オングストローム程度である。
密着層３２及び保護膜層３４は通常の成膜装置を使用し
て成膜する。
【００１５】本発明に係る薄膜ヘッドの製造方法ではリ
フトオフ法によってパッドを形成する。そのため、保護
膜層３４を形成した後、図１(b)に示すように、保護膜
層３４の表面にレジストをコーティングし、パッドを形
成する部位にパッド穴４６ａを形成する。パッド穴４６
ａは、露光・現像プロセスにより、レジスト４６を貫通
して形成し、底面に保護膜層３４を露出させる。なお、
本実施形態では、パッド穴４６ａは最終的に形成するパ
ッドよりも大きな径寸法に形成している。これは、パッ
ド穴４６ａ内にパッド層等を成膜する場合にパッド穴４
６ａ内では均等な厚さに成膜されにくいことから、パッ
ド穴４６ａをある程度大きく形成して、パッドの厚さ及
び形状が所定の精度で得られるようにするためである。
本実施形態では、レジスト４６の厚さを５〜２０μｍ、
パッド穴４６ａの直径を４０〜１００μｍとした。
フトオフ法によってパッドを形成する。そのため、保護
膜層３４を形成した後、図１(b)に示すように、保護膜
層３４の表面にレジストをコーティングし、パッドを形
成する部位にパッド穴４６ａを形成する。パッド穴４６
ａは、露光・現像プロセスにより、レジスト４６を貫通
して形成し、底面に保護膜層３４を露出させる。なお、
本実施形態では、パッド穴４６ａは最終的に形成するパ
ッドよりも大きな径寸法に形成している。これは、パッ
ド穴４６ａ内にパッド層等を成膜する場合にパッド穴４
６ａ内では均等な厚さに成膜されにくいことから、パッ
ド穴４６ａをある程度大きく形成して、パッドの厚さ及
び形状が所定の精度で得られるようにするためである。
本実施形態では、レジスト４６の厚さを５〜２０μｍ、
パッド穴４６ａの直径を４０〜１００μｍとした。
【００１６】図１(c)は、レジスト４６にパッド穴４６
ａを形成した後、下地膜４８とパッド膜５０をこの順に
成膜した状態を示す。この成膜操作によってレジスト４
６の外表面に下地膜４８とパッド膜５０が形成され、同
時にパッド穴４６ａ内に下地膜４８とパッド膜５０が積
層して形成される。なお、本実施形態では下地膜４８と
してシリコン膜を成膜し、パッド膜５０としてＤＬＣ膜
を成膜した。また、本実施形態での下地膜４８の膜厚は
３０〜１００オングストローム、パッド膜の膜厚は３０
０〜５００オングストロームである。。
ａを形成した後、下地膜４８とパッド膜５０をこの順に
成膜した状態を示す。この成膜操作によってレジスト４
６の外表面に下地膜４８とパッド膜５０が形成され、同
時にパッド穴４６ａ内に下地膜４８とパッド膜５０が積
層して形成される。なお、本実施形態では下地膜４８と
してシリコン膜を成膜し、パッド膜５０としてＤＬＣ膜
を成膜した。また、本実施形態での下地膜４８の膜厚は
３０〜１００オングストローム、パッド膜の膜厚は３０
０〜５００オングストロームである。。
【００１７】図４(a)は、パッド穴４６ａ内に積層して
成膜した下地膜４８とパッド膜５０を拡大して示す。図
のように、パッド穴４６ａ内では、下地膜４８とパッド
膜５０とは、中央部の膜厚が厚い腕形に成膜される。こ
れは、成膜時にレジスト４６の厚さによってパッド穴４
６ａが部分的に遮蔽され、パッド穴４６ａ内では均一に
成膜されないことによる。パッド穴４６ａをパッドより
も十分に大径に形成しておくことにより、パッド穴４６
ａの中央部近傍で所要の膜厚が得られる。パッド穴４６
ａの穴径を設定する場合には、レジスト４６の厚さを
ｔ、パッド穴の半径と最終的に形成するパッドの半径の
差をＬとして、Ｌ≧０．５ｔに設定するのがよい。この
条件とすることで、高精度にパッドを形成することがで
きる。
成膜した下地膜４８とパッド膜５０を拡大して示す。図
のように、パッド穴４６ａ内では、下地膜４８とパッド
膜５０とは、中央部の膜厚が厚い腕形に成膜される。こ
れは、成膜時にレジスト４６の厚さによってパッド穴４
６ａが部分的に遮蔽され、パッド穴４６ａ内では均一に
成膜されないことによる。パッド穴４６ａをパッドより
も十分に大径に形成しておくことにより、パッド穴４６
ａの中央部近傍で所要の膜厚が得られる。パッド穴４６
ａの穴径を設定する場合には、レジスト４６の厚さを
ｔ、パッド穴の半径と最終的に形成するパッドの半径の
差をＬとして、Ｌ≧０．５ｔに設定するのがよい。この
条件とすることで、高精度にパッドを形成することがで
きる。
【００１８】図１(d)は、下地膜４８とパッド膜５０を
形成した後、レジスト４６をエッチングして除去した状
態を示す。レジスト４６を除去することにより、レジス
ト４６の表面に被着していた下地膜４８とパッド膜５０
が除去され、パッド穴４６ａ内の下地膜４８とパッド膜
５０が保護膜層３４の上に残る。
形成した後、レジスト４６をエッチングして除去した状
態を示す。レジスト４６を除去することにより、レジス
ト４６の表面に被着していた下地膜４８とパッド膜５０
が除去され、パッド穴４６ａ内の下地膜４８とパッド膜
５０が保護膜層３４の上に残る。
【００１９】図２(a)は、パッド１８と浮上パターン１
２を形成し、浅溝部１４を形成する工程である。パッド
１８及び浮上パターン１２を所定のパターンに形成する
ため、パッド膜５０及び保護膜層３４の全面にレジスト
５２をコーティングし、露光・現像プロセスによりレジ
スト５２をパターニングしてパッド１８及び浮上パター
ン１２を形成する部位をレジスト５２によって被覆す
る。この状態でドライエッチング、イオンミリングする
ことにより、露出部分のパッド膜５０、下地膜４８、保
護膜層３４がエッチングされ、パッド１８、浮上パター
ン１２が形成される。また、基板３０もエッチングされ
浅溝部１４が形成される。
２を形成し、浅溝部１４を形成する工程である。パッド
１８及び浮上パターン１２を所定のパターンに形成する
ため、パッド膜５０及び保護膜層３４の全面にレジスト
５２をコーティングし、露光・現像プロセスによりレジ
スト５２をパターニングしてパッド１８及び浮上パター
ン１２を形成する部位をレジスト５２によって被覆す
る。この状態でドライエッチング、イオンミリングする
ことにより、露出部分のパッド膜５０、下地膜４８、保
護膜層３４がエッチングされ、パッド１８、浮上パター
ン１２が形成される。また、基板３０もエッチングされ
浅溝部１４が形成される。
【００２０】図４(b)は、パッド穴４６ａ内に成膜され
た下地膜４８とパッド膜５０をエッチングして所定形状
のパッド１８が形成された状態を示す。パッド穴４６ａ
の中央部近傍部分のパッド膜５０と下地膜４８を残すこ
とによって、所定の厚さ寸法でかつ所定形状のパッド１
８を形成することができる。本実施形態では、パッド１
８の直径は３０μｍ〜８０μｍ、浅溝部１４の深さは
０．１μｍ〜０．３μｍである。本方法によれば、パッ
ド１８と浮上パターン１２を被覆するレジスト５２を利
用して、パッド１８及び浮上パターン１２のパターニン
グと浅溝部１４の形成まで行うことができる。
た下地膜４８とパッド膜５０をエッチングして所定形状
のパッド１８が形成された状態を示す。パッド穴４６ａ
の中央部近傍部分のパッド膜５０と下地膜４８を残すこ
とによって、所定の厚さ寸法でかつ所定形状のパッド１
８を形成することができる。本実施形態では、パッド１
８の直径は３０μｍ〜８０μｍ、浅溝部１４の深さは
０．１μｍ〜０．３μｍである。本方法によれば、パッ
ド１８と浮上パターン１２を被覆するレジスト５２を利
用して、パッド１８及び浮上パターン１２のパターニン
グと浅溝部１４の形成まで行うことができる。
【００２１】図２(b)は、深溝部１６を形成する工程で
ある。基板３０の表面に新たにレジスト５４をコーティ
ングし、露光・現像プロセスによりレジスト５４をパタ
ーン形成して深溝部１６を形成する部位のみを露出させ
る。この状態でイオンミリングを施すことにより、深溝
部１６が形成される。実施形態の深溝部１６の深さは
１．５μｍ〜３．０μｍである。こうして、基板３０の
表面に浮上パターン１２、浅溝部１４、深溝部１６、パ
ッド１８が所定パターンで形成されたヘッドが得られ
る。
ある。基板３０の表面に新たにレジスト５４をコーティ
ングし、露光・現像プロセスによりレジスト５４をパタ
ーン形成して深溝部１６を形成する部位のみを露出させ
る。この状態でイオンミリングを施すことにより、深溝
部１６が形成される。実施形態の深溝部１６の深さは
１．５μｍ〜３．０μｍである。こうして、基板３０の
表面に浮上パターン１２、浅溝部１４、深溝部１６、パ
ッド１８が所定パターンで形成されたヘッドが得られ
る。
【００２２】図３は、基板３０の表面にさらに撥水処理
を施す工程を示す。撥水処理は基板３０の表面に汚れが
付着しにくくするための処理である。本実施形態では、
ＣＦ４ガスを用いたドライエッチングによって撥水処理
を施した。エッチング条件は、ＣＦ４ガス１５〜２５sc
cm、ガス圧力５０〜１５０mTorr、ＲＦPower５０〜２０
０Ｗで、エッチング時間１０〜５０secである。
を施す工程を示す。撥水処理は基板３０の表面に汚れが
付着しにくくするための処理である。本実施形態では、
ＣＦ４ガスを用いたドライエッチングによって撥水処理
を施した。エッチング条件は、ＣＦ４ガス１５〜２５sc
cm、ガス圧力５０〜１５０mTorr、ＲＦPower５０〜２０
０Ｗで、エッチング時間１０〜５０secである。
【００２３】本実施形態の薄膜ヘッドの製造方法によれ
ば、パッド１８はリフトオフ法によって形成するから、
保護膜層３４をストッパー層によって被覆する必要がな
い。したがって、保護膜層３４にシリコンのミキシング
層が形成されることを完全に回避することができる。保
護膜層３４にミキシング層が形成されないことから、浮
上面に撥水処理を施すことによって、保護膜層３４及び
基板３０の撥水性をきわめて良好にすることができる。
浮上パターン１２での撥水性を比較すると、従来製品で
純水の接触角６０度程度であったものが、本発明方法に
よる場合は接触角８５度程度にまで向上し、基板３０の
表面での撥水性は、従来製品で接触角５０度程度であっ
たものが本発明方法による場合は６０度程度まで向上さ
せることができる。
ば、パッド１８はリフトオフ法によって形成するから、
保護膜層３４をストッパー層によって被覆する必要がな
い。したがって、保護膜層３４にシリコンのミキシング
層が形成されることを完全に回避することができる。保
護膜層３４にミキシング層が形成されないことから、浮
上面に撥水処理を施すことによって、保護膜層３４及び
基板３０の撥水性をきわめて良好にすることができる。
浮上パターン１２での撥水性を比較すると、従来製品で
純水の接触角６０度程度であったものが、本発明方法に
よる場合は接触角８５度程度にまで向上し、基板３０の
表面での撥水性は、従来製品で接触角５０度程度であっ
たものが本発明方法による場合は６０度程度まで向上さ
せることができる。
【００２４】また、浮上パターン１２は保護膜層３４を
所定パターンにエッチングして形成するが、保護膜層３
４にミキシング層が形成されないことによって、浮上パ
ターン１２の耐蝕性を向上させることができる。従来製
品と本発明方法によって製造した製品について同一の耐
蝕性試験を行って耐蝕性を比較したところ、本発明方法
による場合は保護膜層３４の厚さを従来の６０％程度に
薄くしても従来と同等の耐蝕性を得ることができる。浮
上パターン１２を薄く形成できることは、ヘッドに備え
られている素子とディスク面との実効間隔を狭めること
を可能とし、情報の記録・再生効率を向上させ、ディス
ク装置の高密度化に効果的に寄与するという利点があ
る。
所定パターンにエッチングして形成するが、保護膜層３
４にミキシング層が形成されないことによって、浮上パ
ターン１２の耐蝕性を向上させることができる。従来製
品と本発明方法によって製造した製品について同一の耐
蝕性試験を行って耐蝕性を比較したところ、本発明方法
による場合は保護膜層３４の厚さを従来の６０％程度に
薄くしても従来と同等の耐蝕性を得ることができる。浮
上パターン１２を薄く形成できることは、ヘッドに備え
られている素子とディスク面との実効間隔を狭めること
を可能とし、情報の記録・再生効率を向上させ、ディス
ク装置の高密度化に効果的に寄与するという利点があ
る。
【００２５】上述した薄膜ヘッドの製造方法では、パッ
ド１８を形成する際に、パッド膜５０の下地膜４８とし
てシリコン膜を成膜した。このシリコン膜はパッド膜５
０の下地に硬度の高い膜を形成することによってパッド
１８の耐摩耗性を向上させる目的で設けたものである。
下地膜４８としてはシリコン膜の他にＳｉＣ膜等が利用
できる。
ド１８を形成する際に、パッド膜５０の下地膜４８とし
てシリコン膜を成膜した。このシリコン膜はパッド膜５
０の下地に硬度の高い膜を形成することによってパッド
１８の耐摩耗性を向上させる目的で設けたものである。
下地膜４８としてはシリコン膜の他にＳｉＣ膜等が利用
できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る薄膜ヘッドの製造方法によ
れば、上述したように、ヘッドの浮上面に成膜して形成
される浮上パターン等の耐蝕性を向上させることがで
き、ヘッド表面の撥水性を向上させることができて、耐
久性にすぐれ信頼性の高い薄膜ヘッドを製造することが
可能になる。
れば、上述したように、ヘッドの浮上面に成膜して形成
される浮上パターン等の耐蝕性を向上させることがで
き、ヘッド表面の撥水性を向上させることができて、耐
久性にすぐれ信頼性の高い薄膜ヘッドを製造することが
可能になる。
【図１】本発明に係る薄膜ヘッドの製造工程を示す説明
図である。
図である。
【図２】パッド及び浮上パターン等を形成する工程を示
す説明図である。。
す説明図である。。
【図３】撥水処理を施す工程を示す説明図である。
【図４】パッド穴内に成膜される状態を示す平面図及び
断面図である。
断面図である。
【図５】薄膜ヘッドを形成する従来の製造工程を示す説
明図である。
明図である。
【図６】薄膜ヘッドの浮上面の構成を示す平面図であ
る。
る。
【図７】薄膜ヘッドがディスク面から浮上する様子を示
す説明図である。
す説明図である。
１０ ヘッド １２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ 浮上パターン １４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ 浅溝部 １６ 深溝部 １８、１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ パッド ２０ 磁気ディスク ３０ 基板 ３２ 密着層 ３４ 保護膜層 ３６ ストッパー層 ３８ パッド層 ４０、４２、４４、４６ レジスト ４６ａ パッド穴 ４８ 下地膜 ５０ パッド層 ５２、５４ レジスト
Claims (6)
- 【請求項１】 ディスクに接触するパッドと浮上パター
ンとが浮上面に形成された薄膜ヘッドの製造方法におい
て、 ヘッドの本体である基板の浮上面に、密着層と保護膜層
をこの順に成膜し、 該保護膜層をレジストにより被覆するとともに、該レジ
ストをパターン形成して前記パッドを形成する部位にパ
ッド穴を形成し、 前記パッド穴内を含む前記レジストが被着された面にパ
ッド膜を成膜し、 前記レジストをリフトオフすることによりパッドを形成
することを特徴とする薄膜ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記レジストに形成するパッド穴を前記
パッド形状よりも大径に形成し、 前記レジストをリフトオフした後、 前記パッド膜をエッチングして所定形状のパッドを形成
することを特徴とする請求項１記載の薄膜ヘッドの製造
方法。 - 【請求項３】 前記レジストの厚さと、該レジストに形
成するパッド穴の径を、前記レジストの厚さをｔ、前記
パッド穴と前記パッドの半径の寸法差をＬとして、Ｌ≧
０．５ｔとすることを特徴とする請求項２記載の薄膜ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項４】 レジストをリフトオフした後、前記パッ
ド膜と前記保護膜層をレジストにより被覆し、 該レジストをパターン形成して、前記パッドを形成する
部位と前記浮上パターンを形成する部位をレジストによ
り被覆し、 前記パッド膜、保護膜層及び前記基板表面をエッチング
して、パッド及び浮上パターンを形成することを特徴と
する請求項２または３記載の薄膜ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 前記パッド及び浮上パターンを形成した
後、浮上面の全面に撥水処理を施すことを特徴とする請
求項１、２、３または４記載の薄膜ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 前記パッド膜の下地層として、パッドの
耐摩耗性を向上させる下地膜を成膜することを特徴とす
る請求項１、２、３、４または５記載の薄膜ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000119845A JP2001307313A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 薄膜ヘッドの製造方法 |
| US09/726,924 US6627094B2 (en) | 2000-04-20 | 2000-11-30 | Method of manufacturing thin film head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000119845A JP2001307313A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 薄膜ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001307313A true JP2001307313A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18630763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000119845A Pending JP2001307313A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 薄膜ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6627094B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001307313A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100349212C (zh) * | 2002-07-11 | 2007-11-14 | Tdk股份有限公司 | 薄膜磁头、其制造方法和带使用薄膜磁头的滑动器的磁盘装置 |
| US6793778B2 (en) * | 2002-07-15 | 2004-09-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands N.V. | Method of fabricating slider pads for a transducer operating with moving magnetic media |
| US7377032B2 (en) * | 2003-11-21 | 2008-05-27 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Process for producing a printed wiring board for mounting electronic components |
| KR101263327B1 (ko) * | 2011-05-06 | 2013-05-16 | 광주과학기술원 | 레이저 유도 이온 가속용 박막 부재 제조방법 및 이를 이용한 박막 표적 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06251351A (ja) | 1993-02-25 | 1994-09-09 | Sony Corp | 浮上型磁気ヘッド装置の製造方法 |
| US5738931A (en) * | 1994-09-16 | 1998-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic device and magnetic device |
| JP3426082B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2003-07-14 | 富士通株式会社 | 磁気ヘッド用スライダ及び磁気ディスク装置 |
| JP3597664B2 (ja) | 1997-03-14 | 2004-12-08 | 株式会社東芝 | 磁気ヘッドの製造方法 |
-
2000
- 2000-04-20 JP JP2000119845A patent/JP2001307313A/ja active Pending
- 2000-11-30 US US09/726,924 patent/US6627094B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6627094B2 (en) | 2003-09-30 |
| US20020127342A1 (en) | 2002-09-12 |
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