JP2001305554A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JP2001305554A JP2001305554A JP2000118912A JP2000118912A JP2001305554A JP 2001305554 A JP2001305554 A JP 2001305554A JP 2000118912 A JP2000118912 A JP 2000118912A JP 2000118912 A JP2000118912 A JP 2000118912A JP 2001305554 A JP2001305554 A JP 2001305554A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スペーサによる断線を回避する。
【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に他方の基板との間のギャッ
プを保持する突起体が設けられているとともに、この突
起体は前記各基板の少なくとも一方の液晶側の面に形成
された信号線と重畳するのを回避して配置されている。
ち一方の基板の液晶側の面に他方の基板との間のギャッ
プを保持する突起体が設けられているとともに、この突
起体は前記各基板の少なくとも一方の液晶側の面に形成
された信号線と重畳するのを回避して配置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、液晶を介して対向配置される各基板のギャッ
プを保持するためのスペーサに関する。
り、特に、液晶を介して対向配置される各基板のギャッ
プを保持するためのスペーサに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、液晶を介して対向配置
される各透明基板を外囲器とし、該液晶の広がり方向に
多数の画素の集合からなる表示部を備える。
される各透明基板を外囲器とし、該液晶の広がり方向に
多数の画素の集合からなる表示部を備える。
【０００３】そして、前記液晶は表示部の全域にわたっ
てその層厚を均一にすることによって表示の品質の向上
を図ることができるようになる。
てその層厚を均一にすることによって表示の品質の向上
を図ることができるようになる。
【０００４】このため、表示部における各透明基板の間
にはたとえば球状のビーズと称される複数のスペーサが
介在された構成となっている。
にはたとえば球状のビーズと称される複数のスペーサが
介在された構成となっている。
【０００５】これら各ビーズは、各透明基板の間に液晶
を封入する際に、該液晶中に予め混入されたものとなっ
ており、液晶とともに各透明基板の間に配置されるよう
になっている。
を封入する際に、該液晶中に予め混入されたものとなっ
ており、液晶とともに各透明基板の間に配置されるよう
になっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなビ
ーズは、液晶表示基板のたとえば振動によって各透明基
板が離間する方向に変位した際に、透明基板の間でその
位置が変動することが否めなかった。
ーズは、液晶表示基板のたとえば振動によって各透明基
板が離間する方向に変位した際に、透明基板の間でその
位置が変動することが否めなかった。
【０００７】そして、このビーズの変動によって、各画
素領域に形成されている薄膜トランジタに干渉し合う場
合があり、その電極における断線等を発生せしめる原因
になっていた。
素領域に形成されている薄膜トランジタに干渉し合う場
合があり、その電極における断線等を発生せしめる原因
になっていた。
【０００８】また、薄膜トランジスタに限らず、この薄
膜トランジスタを駆動させるためのゲート信号線、ある
いはこの薄膜トランジスタを介して画素電極へ映像信号
を供給するためのドレイン信号線にも干渉し合い、その
断線を発生せしめる原因になっていた。
膜トランジスタを駆動させるためのゲート信号線、ある
いはこの薄膜トランジスタを介して画素電極へ映像信号
を供給するためのドレイン信号線にも干渉し合い、その
断線を発生せしめる原因になっていた。
【０００９】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、スペーサによる断線を引
き起こすことのない液晶表示装置を提供することにあ
る。
れたものであり、その目的は、スペーサによる断線を引
き起こすことのない液晶表示装置を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明による液晶表示装置は、
基本的には、液晶を介して対向配置される各基板のうち
一方の基板の液晶側の面に他方の基板との間のギャップ
を保持する突起体が設けられているとともに、この突起
体は前記各基板の少なくとも一方の液晶側の面に形成さ
れた信号線と重畳するのを回避して配置されていること
を特徴とするものである。
基本的には、液晶を介して対向配置される各基板のうち
一方の基板の液晶側の面に他方の基板との間のギャップ
を保持する突起体が設けられているとともに、この突起
体は前記各基板の少なくとも一方の液晶側の面に形成さ
れた信号線と重畳するのを回避して配置されていること
を特徴とするものである。
【００１２】このように構成された液晶表示装置は、た
とえば外部からの振動による一方の基板に対する他方の
基板の変動によって該突起体が振動しても、ドレイン信
号線上ではないことから、該ドレイン信号線の損傷ある
いは断線が発生するようなことはなくなる。
とえば外部からの振動による一方の基板に対する他方の
基板の変動によって該突起体が振動しても、ドレイン信
号線上ではないことから、該ドレイン信号線の損傷ある
いは断線が発生するようなことはなくなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。 〔実施例１〕図１は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す平面構成図である。また、図２は図１のII−
II線における断面図である。
の実施例を図面を用いて説明をする。 〔実施例１〕図１は、本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す平面構成図である。また、図２は図１のII−
II線における断面図である。
【００１４】同図はマトリックス状に配置された各画素
領域の一つを示し、このことから、図中の画素領域に対
して左右上下の各画素領域は同様の構成となっている。
領域の一つを示し、このことから、図中の画素領域に対
して左右上下の各画素領域は同様の構成となっている。
【００１５】同図において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側
の面に、図中ｘ方向に延在するゲート信号線ＧＬが形成
されている。
の面に、図中ｘ方向に延在するゲート信号線ＧＬが形成
されている。
【００１６】このゲート信号線ＧＬは画素領域の下側に
形成され、たとえばクロムあるいはその合金等から形成
されている。
形成され、たとえばクロムあるいはその合金等から形成
されている。
【００１７】そして、このゲート信号線ＧＬをも被って
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮ膜からなる
絶縁膜ＧＩが形成されている。
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮ膜からなる
絶縁膜ＧＩが形成されている。
【００１８】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線
ＤＬに対してはゲート信号線ＧＬの層間絶縁膜としての
機能、後述の薄膜トラジスタＴＦＴに対してはそのゲー
ト絶縁膜としての機能、後述の容量素子Ｃａｄｄに対し
てはその誘電体膜としての機能を有するようになってい
る。
ＤＬに対してはゲート信号線ＧＬの層間絶縁膜としての
機能、後述の薄膜トラジスタＴＦＴに対してはそのゲー
ト絶縁膜としての機能、後述の容量素子Ｃａｄｄに対し
てはその誘電体膜としての機能を有するようになってい
る。
【００１９】前記絶縁膜ＧＩの上面にはその薄膜トラン
ジスタＴＦＴの形成領域において、すなわち前記ゲート
信号線ＧＬの一部に重畳する領域においてたとえばａ−
Ｓｉからなる半導体層ＡＳが形成されている。
ジスタＴＦＴの形成領域において、すなわち前記ゲート
信号線ＧＬの一部に重畳する領域においてたとえばａ−
Ｓｉからなる半導体層ＡＳが形成されている。
【００２０】この半導体層ＡＳの上面にドレイン電極Ｓ
Ｄ２およびソース電極ＳＤ１を形成することによって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタ
ガ構造のＭＩＳトランジスタが形成されることになる
が、上記各電極はドレイン信号線ＤＬの形成と同時に形
成されるようになっている。
Ｄ２およびソース電極ＳＤ１を形成することによって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタ
ガ構造のＭＩＳトランジスタが形成されることになる
が、上記各電極はドレイン信号線ＤＬの形成と同時に形
成されるようになっている。
【００２１】すなわち、画素領域の図中左側の部分にお
いてｙ方向に延在するドレイン信号線ＤＬが形成されて
いる。このドレイン信号線ＤＬはたとえばクロムあるい
はその合金等で形成されている。
いてｙ方向に延在するドレイン信号線ＤＬが形成されて
いる。このドレイン信号線ＤＬはたとえばクロムあるい
はその合金等で形成されている。
【００２２】そして、このドレイン信号線ＤＬの一部が
前記半導体層ＡＳ上にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
２が形成され、このドレイン電極ＳＤ２からチャネル長
に相当する間隔で離間されてソース電極ＳＤ１が形成さ
れている。
前記半導体層ＡＳ上にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
２が形成され、このドレイン電極ＳＤ２からチャネル長
に相当する間隔で離間されてソース電極ＳＤ１が形成さ
れている。
【００２３】また、前記絶縁膜ＧＩの上面には、図中に
示すドレイン信号線ＤＬとこの信号線に隣接する他のド
レイン信号線（図示せず）、図中に示すゲート信号線Ｇ
Ｌとこの信号線に隣接する他のゲート信号線（図示せ
ず）とで囲まれた領域の全域にわたってたとえばＩＴＯ
（Indium-Tin-Oxide）膜からなる画素電極ＰＸが形成さ
れている。
示すドレイン信号線ＤＬとこの信号線に隣接する他のド
レイン信号線（図示せず）、図中に示すゲート信号線Ｇ
Ｌとこの信号線に隣接する他のゲート信号線（図示せ
ず）とで囲まれた領域の全域にわたってたとえばＩＴＯ
（Indium-Tin-Oxide）膜からなる画素電極ＰＸが形成さ
れている。
【００２４】この画素電極ＰＸは前記薄膜トランジスタ
ＴＦＴのソース電極ＳＤ１と重畳されて形成され、これ
により該ソース電極ＳＤ１と接続されるようになる。
ＴＦＴのソース電極ＳＤ１と重畳されて形成され、これ
により該ソース電極ＳＤ１と接続されるようになる。
【００２５】また、この画素電極ＰＸの一部は図中に示
すゲート信号線ＧＬに隣接する他のゲート信号線に重畳
されて形成され、該他のゲート信号線との間に前記絶縁
膜ＧＩを誘電体膜とする容量素子Ｃａｄｄを形成するよ
うになっている。
すゲート信号線ＧＬに隣接する他のゲート信号線に重畳
されて形成され、該他のゲート信号線との間に前記絶縁
膜ＧＩを誘電体膜とする容量素子Ｃａｄｄを形成するよ
うになっている。
【００２６】この容量素子Ｃａｄｄは、薄膜トランジス
タＴＦＴがオフした際に、画素電極ＰＸに供給された映
像信号を長く蓄積させるため等に設けられている。
タＴＦＴがオフした際に、画素電極ＰＸに供給された映
像信号を長く蓄積させるため等に設けられている。
【００２７】そして、このように構成された透明基板Ｓ
ＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶ
が全域に形成され、主として前記薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの液晶への直接の接触を回避するようになっている。
ＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶ
が全域に形成され、主として前記薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの液晶への直接の接触を回避するようになっている。
【００２８】また、この保護膜ＰＳＶの上面には配向膜
ＯＲＩ１が形成され、これに直接接触する液晶の初期配
向方向を規制するようになっている。
ＯＲＩ１が形成され、これに直接接触する液晶の初期配
向方向を規制するようになっている。
【００２９】このように構成された透明基板ＳＵＢ１は
いわゆるＴＦＴ基板と称され、液晶を介していわゆるＦ
ＩＬ基板と称される他の透明基板ＳＵＢ２と対向配置さ
れるようになっている。
いわゆるＴＦＴ基板と称され、液晶を介していわゆるＦ
ＩＬ基板と称される他の透明基板ＳＵＢ２と対向配置さ
れるようになっている。
【００３０】この他の透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に
は、図２に示すように、画素領域を画するようにしてブ
ラックマトリックスＢＭ（図１にも示している）が形成
され、このブラックマトリックスＢＭの開口部には赤、
緑、青のいずれかのフィルタＦＩＬが形成されている。
は、図２に示すように、画素領域を画するようにしてブ
ラックマトリックスＢＭ（図１にも示している）が形成
され、このブラックマトリックスＢＭの開口部には赤、
緑、青のいずれかのフィルタＦＩＬが形成されている。
【００３１】そして、これらブラックマトリックスＢＭ
およびフィルタＦＩＬをも被って表面を平坦化するため
のいわゆる平坦膜ＯＣが形成されている。この平坦膜Ｏ
Ｃはたとえば樹脂材からなり、それを塗布によって形成
することによって、その表面に前記ブラックマトリック
スＢＭおよびフィルタＦＩＬの段差が顕在しなくなる。
およびフィルタＦＩＬをも被って表面を平坦化するため
のいわゆる平坦膜ＯＣが形成されている。この平坦膜Ｏ
Ｃはたとえば樹脂材からなり、それを塗布によって形成
することによって、その表面に前記ブラックマトリック
スＢＭおよびフィルタＦＩＬの段差が顕在しなくなる。
【００３２】そして、この平坦膜ＯＣの表面には突起体
ＰＲＯが形成されている。この突起体ＰＲＯは前記ＴＦ
Ｔ基板との間に均一なギャップを形成するためのもの
で、液晶の層厚を表示領域の全域にわたって均一になる
ように設けられている。
ＰＲＯが形成されている。この突起体ＰＲＯは前記ＴＦ
Ｔ基板との間に均一なギャップを形成するためのもの
で、液晶の層厚を表示領域の全域にわたって均一になる
ように設けられている。
【００３３】この突起体ＰＲＯはたとえば平坦膜ＯＣの
表面に形成された樹脂膜をいわゆるフォトリソグラフィ
技術による選択エッチング方法によって形成され、この
ため、表示領域内（あるいは画素領域内）の所定の個所
に精度よく形成することができるようになる。また、平
坦膜ＯＣの表面に形成する樹脂膜の層厚を充分に均一に
形成する配慮がなされれば、形成される各突起体の高さ
は精度よく均一にすることができる。
表面に形成された樹脂膜をいわゆるフォトリソグラフィ
技術による選択エッチング方法によって形成され、この
ため、表示領域内（あるいは画素領域内）の所定の個所
に精度よく形成することができるようになる。また、平
坦膜ＯＣの表面に形成する樹脂膜の層厚を充分に均一に
形成する配慮がなされれば、形成される各突起体の高さ
は精度よく均一にすることができる。
【００３４】そして、この各突起体は、図１に示すよう
に、ドレイン信号線ＤＬから若干の間隔を有して形成さ
れ、その一部が画素電極ＰＸに重畳するようにして形成
されている。
に、ドレイン信号線ＤＬから若干の間隔を有して形成さ
れ、その一部が画素電極ＰＸに重畳するようにして形成
されている。
【００３５】このようにする理由は、該突起体ＰＲＯが
ドレイン信号線ＤＬと重畳して配置されることを回避
し、しかも画素領域内に侵入してしまうことを回避せん
がためである。
ドレイン信号線ＤＬと重畳して配置されることを回避
し、しかも画素領域内に侵入してしまうことを回避せん
がためである。
【００３６】このため、該突起体ＰＲＯは、ブラックマ
トリックスＢＭと重畳されて形成され表示面側からは目
視できないようになっている。
トリックスＢＭと重畳されて形成され表示面側からは目
視できないようになっている。
【００３７】このように構成された液晶表示装置は、た
とえば外部からの振動による一方の基板に対する他方の
基板の変動によって該突起体ＰＲＯが振動しても、ドレ
イン信号線ＤＬ上ではないことから、該ドレイン信号線
ＤＬの損傷あるいは断線が発生するようなことはなくな
る。
とえば外部からの振動による一方の基板に対する他方の
基板の変動によって該突起体ＰＲＯが振動しても、ドレ
イン信号線ＤＬ上ではないことから、該ドレイン信号線
ＤＬの損傷あるいは断線が発生するようなことはなくな
る。
【００３８】また、前記平坦膜ＯＣおよび突起体ＰＲＯ
の表面には各画素に共通な対向電極ＣＴがたとえばＩＴ
Ｏ膜によって形成され、このＩＴＯ膜の上面には配向膜
ＯＲＩ２が形成されている。
の表面には各画素に共通な対向電極ＣＴがたとえばＩＴ
Ｏ膜によって形成され、このＩＴＯ膜の上面には配向膜
ＯＲＩ２が形成されている。
【００３９】前記対向電極ＣＴは基準信号（電圧）が印
加されるようになっており、映像信号（電圧）が印加さ
れる画素電極ＰＸとの間に電界（透明基板に対して垂直
な方向：縦電界方式と称される）を発生せしるようにな
っており、この電界によって液晶の光透過率を制御する
ようになっている。
加されるようになっており、映像信号（電圧）が印加さ
れる画素電極ＰＸとの間に電界（透明基板に対して垂直
な方向：縦電界方式と称される）を発生せしるようにな
っており、この電界によって液晶の光透過率を制御する
ようになっている。
【００４０】上述した実施例は、ドレイン信号線ＤＬに
近接して配置される突起体ＰＲＯは画素電極ＰＸに一部
重畳して形成されたものである。しかし、図３に示すよ
うに、画素電極ＰＸに一部切欠きＣＵを設け、この切欠
きの部分に該突起体が位置づけられるようにしてもよい
ことはいうまでもない。画素電極の該突起体による損傷
がブラックマトリックスに囲まれた実質的な画素領域に
まで及ぶのを回避するためである。
近接して配置される突起体ＰＲＯは画素電極ＰＸに一部
重畳して形成されたものである。しかし、図３に示すよ
うに、画素電極ＰＸに一部切欠きＣＵを設け、この切欠
きの部分に該突起体が位置づけられるようにしてもよい
ことはいうまでもない。画素電極の該突起体による損傷
がブラックマトリックスに囲まれた実質的な画素領域に
まで及ぶのを回避するためである。
【００４１】また、上述した実施例は、突起体ＰＲＯを
ドレイン信号線ＤＬに近接する部分に形成されたもので
ある。しかし、図４に示すように、ドレイン信号線ＤＬ
に限定されることはなく、ゲート信号線ＧＬに近接する
部分に形成するようにしてもよいことはいうまでもな
い。この場合、図３に示したように、画素電極に切欠き
を設けてもよいことはいうまでもない。 〔実施例２〕図５は、本発明による液晶表示装置の他の
実施例を示す平面図で、図１に対応した図面となってい
る。また、図６は図５のVI−VI線における断面を示した
図となっている。
ドレイン信号線ＤＬに近接する部分に形成されたもので
ある。しかし、図４に示すように、ドレイン信号線ＤＬ
に限定されることはなく、ゲート信号線ＧＬに近接する
部分に形成するようにしてもよいことはいうまでもな
い。この場合、図３に示したように、画素電極に切欠き
を設けてもよいことはいうまでもない。 〔実施例２〕図５は、本発明による液晶表示装置の他の
実施例を示す平面図で、図１に対応した図面となってい
る。また、図６は図５のVI−VI線における断面を示した
図となっている。
【００４２】同図は、いわゆる横電界方式と称され、対
向電極ＣＴは画素電極ＰＸとともにＴＦＴ基板側に形成
され、これら電極の間に該ＴＦＴ基板とほぼ平行な成分
をもつ電界によって液晶の光透過率を制御するようにな
っている。
向電極ＣＴは画素電極ＰＸとともにＴＦＴ基板側に形成
され、これら電極の間に該ＴＦＴ基板とほぼ平行な成分
をもつ電界によって液晶の光透過率を制御するようにな
っている。
【００４３】図１と同一の符号は同一の機能を有するも
のである。図１と異なる構成は、まず対向電極ＣＴおよ
びこれに接続される対向電圧信号線ＣＬにある。
のである。図１と異なる構成は、まず対向電極ＣＴおよ
びこれに接続される対向電圧信号線ＣＬにある。
【００４４】対向電圧信号線ＣＬはたとえば画素領域の
中央を横切って図中ｘ方向に延在され、それと一体とな
って図中ｙ方向に延在された対向電極ＣＴが形成されて
いる。
中央を横切って図中ｘ方向に延在され、それと一体とな
って図中ｙ方向に延在された対向電極ＣＴが形成されて
いる。
【００４５】この対向電極ＣＴはたとえば３本形成さ
れ、そのうちの１本は画素領域の中央を横切って形成さ
れ、残りの２本はそれぞれドレイン信号線ＤＬに隣接し
て形成されている。
れ、そのうちの１本は画素領域の中央を横切って形成さ
れ、残りの２本はそれぞれドレイン信号線ＤＬに隣接し
て形成されている。
【００４６】そして、この対向電圧信号線ＣＬおよび対
向電極ＣＴはたとえばゲート信号線ＧＬと同時に形成さ
れ、したがって該ゲート信号線ＧＬと同層で同材料によ
って形成されている。
向電極ＣＴはたとえばゲート信号線ＧＬと同時に形成さ
れ、したがって該ゲート信号線ＧＬと同層で同材料によ
って形成されている。
【００４７】一方、画素電極ＰＸはたとえばドレイン信
号線ＤＬと同層に形成され、前記各対向電極ＣＴの間に
図中ｙ方向に延在されて形成されている。
号線ＤＬと同層に形成され、前記各対向電極ＣＴの間に
図中ｙ方向に延在されて形成されている。
【００４８】これにより、画素電極ＰＸは２本から構成
され、そのうちの１本はその一端において薄膜トランジ
スタＴＦＴのソース電極ＳＤ１と接続されているととも
に、残りの一本とは対向電圧信号線ＣＬ上において互い
に接続されている。
され、そのうちの１本はその一端において薄膜トランジ
スタＴＦＴのソース電極ＳＤ１と接続されているととも
に、残りの一本とは対向電圧信号線ＣＬ上において互い
に接続されている。
【００４９】各画素電極ＰＸの対向電圧信号線ＣＬ上に
おける接続部は比較的面積が大きく形成され、この部分
において該画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとの間に
容量素子Ｃａｄｄが形成されている。
おける接続部は比較的面積が大きく形成され、この部分
において該画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとの間に
容量素子Ｃａｄｄが形成されている。
【００５０】また、このように構成された透明基板ＳＵ
Ｂ１の表面には保護膜ＰＳＶが形成され、その表面には
配向膜ＯＲＩ１が形成されている。
Ｂ１の表面には保護膜ＰＳＶが形成され、その表面には
配向膜ＯＲＩ１が形成されている。
【００５１】このような構成においても、実施例１と同
様に、ＴＦＴ基板と対向する他の透明基板側には突起体
ＰＲＯが形成され、この各突起体ＰＲＯは、図５に示す
ように、ドレイン信号線ＤＬから若干の間隔を有して形
成され、その一部が対向電極ＣＴに重畳するようにして
形成されている。
様に、ＴＦＴ基板と対向する他の透明基板側には突起体
ＰＲＯが形成され、この各突起体ＰＲＯは、図５に示す
ように、ドレイン信号線ＤＬから若干の間隔を有して形
成され、その一部が対向電極ＣＴに重畳するようにして
形成されている。
【００５２】また、この突起体ＰＲＯはブラックマトリ
ックスＢＭに重畳されて形成されている。
ックスＢＭに重畳されて形成されている。
【００５３】上述した実施例は、ドレイン信号線ＣＴに
近接して配置される突起体ＰＲＯは対向電極ＣＴに一部
重畳して形成されたものである。しかし、図７に示すよ
うに、対向電極ＣＴに一部切欠きＣＵを設け、この切欠
きＣＵの部分に該突起体ＰＲＯを位置づけ該対向電極Ｃ
Ｔに重畳させないで形成してもよいことはいうまでもな
い。
近接して配置される突起体ＰＲＯは対向電極ＣＴに一部
重畳して形成されたものである。しかし、図７に示すよ
うに、対向電極ＣＴに一部切欠きＣＵを設け、この切欠
きＣＵの部分に該突起体ＰＲＯを位置づけ該対向電極Ｃ
Ｔに重畳させないで形成してもよいことはいうまでもな
い。
【００５４】また、上述した実施例は、突起体ＰＲＯを
ドレイン信号線ＤＬに近接する部分に形成されたもので
ある。しかし、図８に示すように、ドレイン信号線ＤＬ
に限定されることはなく、ゲート信号線ＧＬに近接する
部分に形成するようにしてもよいことはいうまでもな
い。 〔実施例３〕図９は、本発明による液晶表示装置の他の
実施例を示す図である。
ドレイン信号線ＤＬに近接する部分に形成されたもので
ある。しかし、図８に示すように、ドレイン信号線ＤＬ
に限定されることはなく、ゲート信号線ＧＬに近接する
部分に形成するようにしてもよいことはいうまでもな
い。 〔実施例３〕図９は、本発明による液晶表示装置の他の
実施例を示す図である。
【００５５】同図は、横電界方式の液晶表示装置の各ゲ
ート信号線ＧＬのうちの一つに沿って切断された断面図
であり、透明基板ＳＵＢ２側に突起体ＰＲＯが形成され
ている。
ート信号線ＧＬのうちの一つに沿って切断された断面図
であり、透明基板ＳＵＢ２側に突起体ＰＲＯが形成され
ている。
【００５６】そして、前記突起体ＰＲＯは、各基板のギ
ャップを保持するスペーサ（ＰＲＯ１と称す：図中領域
Ｂに存在する）と、特に、各ゲート信号線ＧＬの両端に
それぞれ重畳されて配置される突起体ＰＲＯ（ＰＲＯ２
と称す：図中領域Ａに存在する）からなっている。
ャップを保持するスペーサ（ＰＲＯ１と称す：図中領域
Ｂに存在する）と、特に、各ゲート信号線ＧＬの両端に
それぞれ重畳されて配置される突起体ＰＲＯ（ＰＲＯ２
と称す：図中領域Ａに存在する）からなっている。
【００５７】さらに、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に
は、透明基板ＳＵＢ１側の各ゲート信号線ＧＬにそれぞ
れ重畳するようにしてそれぞれ導電層２１が形成されて
いる。
は、透明基板ＳＵＢ１側の各ゲート信号線ＧＬにそれぞ
れ重畳するようにしてそれぞれ導電層２１が形成されて
いる。
【００５８】この場合、これら各導電層２１は、必然的
に突起体ＰＲＯ２を被服する状態で形成されることにな
り、この突起体ＰＲＯ２の個所で対向配置されるゲート
信号線ＧＬと電気的な接続がなされるようになる。
に突起体ＰＲＯ２を被服する状態で形成されることにな
り、この突起体ＰＲＯ２の個所で対向配置されるゲート
信号線ＧＬと電気的な接続がなされるようになる。
【００５９】このことから、ゲート信号線ＧＬは、それ
本来の信号線とは別に迂回回路を備えることになり、た
とえゲート信号線ＧＬに断線が発生したとしても、その
断線は該迂回回路によって保護される効果を奏するよう
になる。
本来の信号線とは別に迂回回路を備えることになり、た
とえゲート信号線ＧＬに断線が発生したとしても、その
断線は該迂回回路によって保護される効果を奏するよう
になる。
【００６０】そして、上述した実施例は、ゲート信号線
ＧＬの保護回路について説明したものであるが、ドレイ
ン信号線ＤＬを保護する場合にもそのまま適用できるこ
とはいうまでもない。この場合、図中のゲート信号線Ｇ
Ｌがドレイン信号線ＤＬに置き換えられることとなる。 〔実施例４〕図１０は、本発明による液晶表示装置のう
ち縦電界方式のものの他の実施例を示す図である。
ＧＬの保護回路について説明したものであるが、ドレイ
ン信号線ＤＬを保護する場合にもそのまま適用できるこ
とはいうまでもない。この場合、図中のゲート信号線Ｇ
Ｌがドレイン信号線ＤＬに置き換えられることとなる。 〔実施例４〕図１０は、本発明による液晶表示装置のう
ち縦電界方式のものの他の実施例を示す図である。
【００６１】同図は、液晶表示装置の各ゲート信号線Ｇ
Ｌのうちの一つに沿って切断された断面図であり、透明
基板ＳＵＢ２側に固定された突起体ＰＲＯが備えられて
いる。
Ｌのうちの一つに沿って切断された断面図であり、透明
基板ＳＵＢ２側に固定された突起体ＰＲＯが備えられて
いる。
【００６２】前記突起体ＰＲＯは、各基板のギャップを
保持する突起体（ＰＲＯ１と称す：図中領域Ｂに存在す
る）と、特に、各基板をシールするシール材ＳＬの近傍
に配置された突起体（ＰＲＯ２と称す：図中領域Ａに存
在する）からなっている。
保持する突起体（ＰＲＯ１と称す：図中領域Ｂに存在す
る）と、特に、各基板をシールするシール材ＳＬの近傍
に配置された突起体（ＰＲＯ２と称す：図中領域Ａに存
在する）からなっている。
【００６３】この突起体ＰＲＯ２は、その形成時におい
て突起体ＰＲＯ１と同時に形成されるようになってい
る。
て突起体ＰＲＯ１と同時に形成されるようになってい
る。
【００６４】そして、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に
は、前記各突起体ＰＲＯをも被って各画素に共通な対向
電極ＣＴが形成されている。
は、前記各突起体ＰＲＯをも被って各画素に共通な対向
電極ＣＴが形成されている。
【００６５】また、前記各突起体ＰＲＯ２のうち少なく
とも一つと当接する透明基板ＳＵＢ１面に、該突起体Ｐ
ＲＯ２を被う対向電極２２と電気的に接続される導電層
２３が形成されている。
とも一つと当接する透明基板ＳＵＢ１面に、該突起体Ｐ
ＲＯ２を被う対向電極２２と電気的に接続される導電層
２３が形成されている。
【００６６】この導電層２３は透明基板ＳＵＢ１上でシ
ール材ＳＬを超えて延在され、前記対向電極２２に基準
信号を供給するための端子に接続されるようになってい
る。
ール材ＳＬを超えて延在され、前記対向電極２２に基準
信号を供給するための端子に接続されるようになってい
る。
【００６７】したがって、透明基板ＳＵＢ１上の該端子
に基準信号を供給した場合に、この基準信号は、突起体
ＰＲＯ２の部分を介して透明基板ＳＵＢ２側の対向電極
２２に供給されるようになる。
に基準信号を供給した場合に、この基準信号は、突起体
ＰＲＯ２の部分を介して透明基板ＳＵＢ２側の対向電極
２２に供給されるようになる。
【００６８】このように構成した液晶表示装置は、対向
電極２２を透明基板ＳＵＢ１面に引き出すための導電手
段を特に設ける必要がなくなるという効果を奏するよう
になる。 〔実施例５〕図１１（ａ）は、表示領域ＡＲにおいて、
各画素の輪郭を画するブラックマトリックスＢＭに重畳
するようにして配置された突起体ＰＲＯを示した図であ
る。
電極２２を透明基板ＳＵＢ１面に引き出すための導電手
段を特に設ける必要がなくなるという効果を奏するよう
になる。 〔実施例５〕図１１（ａ）は、表示領域ＡＲにおいて、
各画素の輪郭を画するブラックマトリックスＢＭに重畳
するようにして配置された突起体ＰＲＯを示した図であ
る。
【００６９】このようにして配置される突起体ＰＲＯは
表示領域全体として均一に配置されているが、互いに隣
接されたほぼ同数の画素に対して一つの突起体ＰＲＯが
配置されるようになっている。
表示領域全体として均一に配置されているが、互いに隣
接されたほぼ同数の画素に対して一つの突起体ＰＲＯが
配置されるようになっている。
【００７０】表示領域における突起体ＰＲＯの数を減ら
し、これにともない該突起体ＰＲＯに起因する配向乱れ
を少なくしている。
し、これにともない該突起体ＰＲＯに起因する配向乱れ
を少なくしている。
【００７１】これにより、光漏れ（特に黒表示の場合）
によるコントラストの防止が図れる効果を奏する。 〔実施例６〕図１１（ｂ）は、実施例５と同様に、表示
領域における突起体ＰＲＯの数を減らしているととも
に、その配置が均一でなく、ランダム（均一性なく）に
なっている点が実施例５と異なっている。
によるコントラストの防止が図れる効果を奏する。 〔実施例６〕図１１（ｂ）は、実施例５と同様に、表示
領域における突起体ＰＲＯの数を減らしているととも
に、その配置が均一でなく、ランダム（均一性なく）に
なっている点が実施例５と異なっている。
【００７２】人間の視覚の特性として、光漏れの部分が
繰り返しパターンで発生している場合それを認識し易い
ことから、スペーサを均一性なく配置させることによっ
て、その不都合を解消している。 〔実施例７〕図１２は、本発明による液晶表示装置の他
の実施例を示す説明図である。
繰り返しパターンで発生している場合それを認識し易い
ことから、スペーサを均一性なく配置させることによっ
て、その不都合を解消している。 〔実施例７〕図１２は、本発明による液晶表示装置の他
の実施例を示す説明図である。
【００７３】同図において、突起体ＰＲＯが固定された
側の透明基板ＳＵＢ２と対向する他の透明基板ＳＵＢ１
との間の該突起体ＰＲＯの当接部に接着剤３０が介在さ
れている。
側の透明基板ＳＵＢ２と対向する他の透明基板ＳＵＢ１
との間の該突起体ＰＲＯの当接部に接着剤３０が介在さ
れている。
【００７４】該突起体ＰＲＯの当接部は配向膜同士の接
触部であり、これらは同材料であることから固着力が弱
いという不都合が生じる。
触部であり、これらは同材料であることから固着力が弱
いという不都合が生じる。
【００７５】それ故、該接着剤３０としてたとえばＳｉ
カップリング剤を用いることにより、各透明基板ＳＵＢ
１，ＳＵＢ２の間のギャップの保持の信頼性を確保する
ことができるようになる。
カップリング剤を用いることにより、各透明基板ＳＵＢ
１，ＳＵＢ２の間のギャップの保持の信頼性を確保する
ことができるようになる。
【００７６】次に、このような構成からなる液晶表示装
置の製造方法の一実施例を図１３を用いて説明する。 工程１．一方の基板に突起体ＰＲＯを形成し、その突起
体ＰＲＯをも被って配向膜が形成されたものを用意する
（同図（ａ））。 工程２．接着剤が満たされた容器に、前記基板を近接さ
せ、その突起体ＰＲＯの頂部に該接着剤３０の表面を接
触させる（同図（ｂ））。 工程３．これにより、突起体ＰＲＯの頂部に接着剤３０
が塗布されるようになる（同図（ｃ））。 工程４．上記基板を他の基板と対向配置させる（同図
（ｄ））。 工程５．熱処理を加えることにより、接着剤３０を硬化
させる。これにより、突起体ＰＲＯは各基板のそれぞれ
に固着された状態となる（同図（ｅ））。
置の製造方法の一実施例を図１３を用いて説明する。 工程１．一方の基板に突起体ＰＲＯを形成し、その突起
体ＰＲＯをも被って配向膜が形成されたものを用意する
（同図（ａ））。 工程２．接着剤が満たされた容器に、前記基板を近接さ
せ、その突起体ＰＲＯの頂部に該接着剤３０の表面を接
触させる（同図（ｂ））。 工程３．これにより、突起体ＰＲＯの頂部に接着剤３０
が塗布されるようになる（同図（ｃ））。 工程４．上記基板を他の基板と対向配置させる（同図
（ｄ））。 工程５．熱処理を加えることにより、接着剤３０を硬化
させる。これにより、突起体ＰＲＯは各基板のそれぞれ
に固着された状態となる（同図（ｅ））。
【００７７】また、上述した構成からなる液晶表示装置
の製造方法の他の実施例を図１４を用いて説明する。 工程１．一方の基板に突起体ＰＲＯを形成し、その突起
体ＰＲＯをも被って配向膜が形成されたものを用意する
（同図（ａ））。 工程２．接着剤３０が満たされた容器でローラ３１を備
える装置を用意し、該ローラ３１の回転によってその表
面に付着する接着剤を前記突起体ＰＲＯの頂部に塗布さ
せる（同図（ｂ））。 工程３．これにより、突起体ＰＲＯの頂部に接着剤３０
が塗布されるようになる（同図（ｃ））。 工程４．上記基板を他の基板と対向配置させる（同図
（ｄ））。 工程５．熱処理を加えることにより、接着剤３０を硬化
させる。これにより、突起体ＰＲＯは各基板のそれぞれ
に固着された状態となる（同図（ｅ））。なお、この実
施例は、上述した各実施例の液晶表示装置の構成におい
て適用してもよいことはいうまでもない。 〔実施例８〕図１５は、本発明による液晶表示装置の他
の実施例を示す説明図である。
の製造方法の他の実施例を図１４を用いて説明する。 工程１．一方の基板に突起体ＰＲＯを形成し、その突起
体ＰＲＯをも被って配向膜が形成されたものを用意する
（同図（ａ））。 工程２．接着剤３０が満たされた容器でローラ３１を備
える装置を用意し、該ローラ３１の回転によってその表
面に付着する接着剤を前記突起体ＰＲＯの頂部に塗布さ
せる（同図（ｂ））。 工程３．これにより、突起体ＰＲＯの頂部に接着剤３０
が塗布されるようになる（同図（ｃ））。 工程４．上記基板を他の基板と対向配置させる（同図
（ｄ））。 工程５．熱処理を加えることにより、接着剤３０を硬化
させる。これにより、突起体ＰＲＯは各基板のそれぞれ
に固着された状態となる（同図（ｅ））。なお、この実
施例は、上述した各実施例の液晶表示装置の構成におい
て適用してもよいことはいうまでもない。 〔実施例８〕図１５は、本発明による液晶表示装置の他
の実施例を示す説明図である。
【００７８】同図は、突起体ＰＲＯが固定された基板に
対向する他の基板側に、該突起体ＰＲＯの頂部が嵌め込
まれる凹陥部４０を備えている。
対向する他の基板側に、該突起体ＰＲＯの頂部が嵌め込
まれる凹陥部４０を備えている。
【００７９】そして、この凹陥部４０はたとえばＴＦＴ
基板１Ａの側の保護膜４１に形成されており、その表面
に対して底面側において面積の大きないわゆる逆テーパ
状となっている。
基板１Ａの側の保護膜４１に形成されており、その表面
に対して底面側において面積の大きないわゆる逆テーパ
状となっている。
【００８０】このように構成した場合、突起体ＰＲＯ
は、その頂部が該凹陥部４０に食い込んで配置され、透
明基板ＳＵＢ１に対して接着された状態と同様になる。
は、その頂部が該凹陥部４０に食い込んで配置され、透
明基板ＳＵＢ１に対して接着された状態と同様になる。
【００８１】また、図１６は、同様の趣旨で構成された
他の実施例であり、前記凹陥部４０と同様の機能を有す
る手段を一対の信号線（配線）４２の間の溝で構成した
ものである。
他の実施例であり、前記凹陥部４０と同様の機能を有す
る手段を一対の信号線（配線）４２の間の溝で構成した
ものである。
【００８２】そして、この場合、各信号線の互いに対向
する辺部が逆テーパ状となっている。
する辺部が逆テーパ状となっている。
【００８３】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、スペーサによる断
線を引き起こすことがなくなる。
本発明による液晶表示装置によれば、スペーサによる断
線を引き起こすことがなくなる。
【図１】本発明による液晶表示装置の画素領域の一実施
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
【図２】図１のI−I線における断面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【図６】図５のVI−VI線における断面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素領域の他の実
施例を示す平面図である。
施例を示す平面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の製造方法の一実
施例を示す工程図である。
施例を示す工程図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の製造方法の他の
実施例を示す工程図である。
実施例を示す工程図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図１６】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
ＳＵＢ…基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信
号線、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＰＲＯ…突起
体、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＢＭ…ブラックマトリ
ックス。
号線、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＰＲＯ…突起
体、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＢＭ…ブラックマトリ
ックス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 正宏 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 引場 正行 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H089 LA12 LA16 NA14 QA01 QA16 TA13 2H091 FA35Y GA06 GA08 GA13 GA16 2H092 GA14 HA04 JA26 JB58 JB61 KA05 KB04 KB25 MA13 NA15 PA03 PA09 5C094 AA32 BA03 BA43 EA04 EB02 EC03 HA08
Claims (6)
- 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に他方の基板との間のギャッ
プを保持する突起体が設けられているとともに、この突
起体は前記各基板の少なくとも一方の液晶側の面に形成
された信号線と重畳するのを回避して配置されているこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記各基板のうち少なくともいずれか一
方にブラックマトリックスが形成され、前記突起体はこ
のブラックマトリックスに重畳されていることを特徴す
る請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面の画素領域にゲート信号線か
らの走査信号の供給によって駆動されるスイッチング素
子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線か
らの映像信号が供給される画素電極とが備えられ、 前記各基板のうちの他方の基板の液晶側の面に前記スイ
ッチング素子、ゲート信号線およびドレイン信号線に重
畳することなく突起体が形成されていることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項４】 画素電極との間に電界を発生せしめる対
向電極が他方の基板側に形成されていることを特徴とす
る請求項３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 画素電極との間に電界を発生せしめる対
向電極が一方の基板側に形成されていることを特徴とす
る請求項３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 他方の基板の液晶側の面には画素領域を
画するブラックマトリックスが形成され、突起体はこの
ブラックマトリックスに重畳されて形成されていること
を特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118912A JP2001305554A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118912A JP2001305554A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001305554A true JP2001305554A (ja) | 2001-10-31 |
Family
ID=18629972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000118912A Pending JP2001305554A (ja) | 2000-04-20 | 2000-04-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001305554A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007199744A (ja) * | 2002-05-17 | 2007-08-09 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
| US7345731B2 (en) | 2002-05-17 | 2008-03-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display device |
| JP2012128408A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶シャッタ眼鏡 |
-
2000
- 2000-04-20 JP JP2000118912A patent/JP2001305554A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007199744A (ja) * | 2002-05-17 | 2007-08-09 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
| US7345731B2 (en) | 2002-05-17 | 2008-03-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display device |
| US7428034B2 (en) | 2002-05-17 | 2008-09-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Liquid crystal display device |
| JP2012128408A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶シャッタ眼鏡 |
| JP2016128926A (ja) * | 2010-11-24 | 2016-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶シャッタ眼鏡 |
| US9488882B2 (en) | 2010-11-24 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal shutter glasses |
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