JP2001298044A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Method for manufacturing semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に水晶振動子を用いた水晶発振器に関するものであ
る。The present invention relates to a semiconductor device,
In particular, the present invention relates to a crystal oscillator using a crystal resonator.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、高密度実装が要求されるなかで特
に注目されているのが、半導体チップと一緒にチップコ
ンデンサーなどを実装し、水晶振動子を取りつけた「水
晶発振器」である。水晶発振器は電子機器や電子通信機
器への需要が増えてきている。特に最近は携帯電話など
の移動体通信端末用途の需要が急速に拡大している。2. Description of the Related Art In recent years, among the demands for high-density mounting, a "crystal oscillator" in which a chip resonator and the like are mounted together with a semiconductor chip and a crystal resonator is mounted has attracted particular attention. The demand for crystal oscillators for electronic devices and electronic communication devices is increasing. Particularly in recent years, demand for mobile communication terminals such as mobile phones has been rapidly expanding.
【0003】以下、図面を用いて従来の半導体装置につ
いて説明する。以下、半導体チップの接続にハンダを用
いたフリップチップ方式を、部品にチップコンデンサー
を用いた水晶発振器を用いて説明する。Hereinafter, a conventional semiconductor device will be described with reference to the drawings. Hereinafter, a flip-chip method using solder for connecting a semiconductor chip will be described using a crystal oscillator using a chip capacitor as a component.
【0004】図1は半導体チップ接続パッド21と接続
部品接続パッド13とを、キャビティー部に持つ配線基
板を示している。図1のA−A’の断面図を図2に示
す。部品接続パッド13上へクリームハンダ15を供給
する。クリームハンダ15とは、ハンダの細かい粒子と
フラックスとの混合物である。フラックスとはハンダの
表面酸化膜の除去やハンダの再酸化防止の役割を持つ液
状物である。クリームハンダ15の供給方法はディスペ
ンス法、転写法、などがあげられる。FIG. 1 shows a wiring board having a semiconductor chip connection pad 21 and a connection component connection pad 13 in a cavity portion. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. The cream solder 15 is supplied onto the component connection pad 13. The cream solder 15 is a mixture of fine solder particles and flux. The flux is a liquid material having a role of removing a surface oxide film of the solder and preventing reoxidation of the solder. The method of supplying the cream solder 15 includes a dispense method and a transfer method.
【0005】次に図3のように、チップコンデンサー1
7を部品接続パッド13へ位置合わせ後に搭載する。チ
ップコンデンサー17の搭載後に配線基板11をリフロ
ー炉やオーブンなどで加熱し、ハンダを溶融させてチッ
プコンデンサー17と部品接続パッド13とを接続させ
る。[0005] Next, as shown in FIG.
7 is mounted on the component connection pad 13 after positioning. After mounting the chip capacitor 17, the wiring board 11 is heated in a reflow furnace, an oven, or the like to melt the solder and connect the chip capacitor 17 and the component connection pads 13.
【0006】その後、図には示さないが、半導体チップ
を配線基板上の半導体チップ接続パッドへ接続する。半
導体チップの接続の方法には、ハンダを用いたもの、導
電性接着剤を用いたもの、絶縁性接着剤を用いたもの、
異方性導電フィルムを用いたもの、異方性導電ペースト
を用いたもの、超音波接合を用いたもの、などがあげら
れる。そして、必要に応じて封止樹脂によって、配線基
板と半導体チップ間の封止を行う。熱硬化型の封止樹脂
であるならば加熱処理を行うことで封止樹脂を硬化させ
る。Thereafter, although not shown, the semiconductor chip is connected to the semiconductor chip connection pads on the wiring board. The method of connecting the semiconductor chip includes a method using solder, a method using conductive adhesive, a method using insulating adhesive,
Examples thereof include those using an anisotropic conductive film, those using an anisotropic conductive paste, those using ultrasonic bonding, and the like. Then, sealing between the wiring board and the semiconductor chip is performed with a sealing resin as necessary. If the sealing resin is a thermosetting sealing resin, the sealing resin is cured by performing a heat treatment.
【0007】さらに、配線基板の壁面上部に、水晶振動
子接続パッドを設け、接続材料を印刷法やディスペンス
法、転写法などで供給する。接続材料にはハンダ、導電
性接着剤などがある。水晶振動子を位置合わせしてから
水晶振動子接続パッド上に搭載し、リフロー炉やオーブ
ンなどで加熱し、水晶振動子を配線基板に接続する。Further, a crystal oscillator connection pad is provided on an upper wall surface of the wiring board, and a connection material is supplied by a printing method, a dispensing method, a transfer method, or the like. Examples of the connection material include solder and conductive adhesive. After aligning the crystal unit, it is mounted on the crystal unit connection pad and heated in a reflow oven or oven to connect the crystal unit to the wiring board.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来の水晶発振器の製
造方法では、図3に示したように、チップコンデンサー
接続のためのハンダの供給を、クリームハンダの状態で
ディスペンス法や転写法などによって行っていた。しか
しこれらの方法は、流動性のあるクリームハンダを用い
ているため、チップコンデンサーの接続に関わるハンダ
を定量供給することが難しい。ハンダの量がばらついて
しまうと加熱時に、図4に示すようなマンハッタン現象
と呼ばれるチップ立ちの不良を引き起こしてしまう。In the conventional method for manufacturing a crystal oscillator, as shown in FIG. 3, solder for connecting a chip capacitor is supplied in a cream solder state by a dispense method or a transfer method. I was However, these methods use fluid cream solder, so that it is difficult to quantitatively supply the solder related to the connection of the chip capacitor. If the amount of the solder varies, a heating problem such as the Manhattan phenomenon shown in FIG.
【0009】また、ハンダワイヤのウエッジボンディン
グによるハンダの供給も、ワイヤの切れる長さなどによ
ってハンダの体積にばらつきが生じてしまい、同じくマ
ンハッタン現象などを引き起こしやすい。Also, the supply of the solder by wedge bonding of the solder wire also causes a variation in the volume of the solder due to the length of the cut wire, which also tends to cause the Manhattan phenomenon.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、下記記載の方法
を採用する。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention employs the following method.
【0011】本発明の半導体装置は部品を接続するため
の部品接続パッドをキャビティー部に有する配線基板に
あって、部品を部品接続パッド上に設置し、部品と部品
接続パッドとが接している箇所の付近に一定体積の導電
性接続材を供給することを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention is a wiring board having component connection pads for connecting components in a cavity portion, wherein the components are placed on the component connection pads, and the components are in contact with the component connection pads. It is characterized in that a fixed volume of conductive connecting material is supplied in the vicinity of the location.
【0012】そして、導電性接続材を溶融することによ
って、部品と部品接続パッドを電気的に接続することを
特徴としている。さらに好ましくは、導電性接続材とし
てハンダを用いることを特徴としている。[0012] The present invention is characterized in that the component and the component connection pad are electrically connected by melting the conductive connection material. More preferably, it is characterized in that solder is used as the conductive connecting material.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】本発明のように、部品を接続する
ための導電接続材を部品と配線基板との間に設置するの
ではなく、部品接続パッドの部品を設置していないとこ
ろに、一定体積のハンダを供給することで、ハンダ量が
安定し、さらにマンハッタン現象などの不良をなくすこ
とができる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Instead of installing a conductive connecting material for connecting components between a component and a wiring board as in the present invention, instead of installing a component connecting pad component, By supplying a fixed volume of solder, the amount of solder is stabilized, and defects such as the Manhattan phenomenon can be eliminated.
【0014】[0014]
【実施例】(実施例1)以下図面を用いて本発明の実施
例における半導体装置の製造方法を説明する。以下の説
明では、部品にチップコンデンサーを、導電接続材にハ
ンダを用いたフリップチップ方式を用いる。(Embodiment 1) A method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, a flip chip method using a chip capacitor as a component and solder as a conductive connection material is used.
【0015】図5に本実施例で用いた、半導体チップ接
続パッド21と部品接続パッド13とを、キャビティー
部に持つ配線基板を示している。部品接続パッド13を
やや大きく形成し、部品を設置する箇所とハンダを供給
する箇所にフラックス16をディスペンス法や転写法な
どで供給する。フラックス16は後ほど出てくる、ハン
ダ14の表面酸化膜の除去および再酸化防止の役割と、
チップコンデンサー17の仮固定の役割を併せ持ってい
る。ここでフラックス16は一様な液状物であるため、
クリームハンダ供給時のように供給量をそれほど厳しく
管理しなくてよい。ここでフラックス16は若干粘度が
高めの方が、この後で搭載するハンダ14の仮固定に有
効である。FIG. 5 shows a wiring board having semiconductor chip connection pads 21 and component connection pads 13 in a cavity portion used in the present embodiment. The component connection pad 13 is formed to be slightly larger, and the flux 16 is supplied to a location where the component is to be installed and a location where the solder is to be supplied by a dispensing method or a transfer method. The flux 16 serves to remove the surface oxide film of the solder 14 and prevent re-oxidation, which will appear later.
It also has a role of temporarily fixing the chip capacitor 17. Here, since the flux 16 is a uniform liquid,
The supply amount does not have to be so strictly controlled as in the case of supplying cream solder. Here, a slightly higher viscosity of the flux 16 is effective for temporarily fixing the solder 14 to be mounted later.
【0016】ここでは部品接続パッドを大きめに形成し
たが、通常の大きさで形成し、部品接続パッドと接した
箇所に、ハンダを供給するためのハンダ供給パッドを形
成しても構わない。ハンダを供給する箇所のフラックス
はチップコンデンサー17が搭載される位置よりも少し
離れて、好ましくは一定体積のハンダの外形寸法分以上
離れて供給する。Here, the component connection pads are formed to be relatively large. However, the component connection pads may be formed in a normal size, and a solder supply pad for supplying solder may be formed at a position in contact with the component connection pad. The flux at the point where the solder is supplied is supplied at a distance slightly away from the position where the chip capacitor 17 is mounted, preferably at least a distance corresponding to the external dimensions of the solder having a fixed volume.
【0017】図5のB−B’の断面図を図6に示す。あ
らかじめ形成された一定体積のハンダ14を部品接続パ
ッド13へ供給する。一定体積のハンダ14はフラック
ス16によって部品接続パッド13に仮固定される。一
定体積のハンダ14の形状は特に制限はない。ハンダ1
4の組成は、スズ、鉛、銀、銅、ビスマス、亜鉛、アン
チモン、インジウム、およびこれらの金属の合金などが
あげられる。FIG. 6 is a sectional view taken along the line BB 'of FIG. A predetermined volume of solder 14 formed in advance is supplied to the component connection pads 13. Solder 14 having a fixed volume is temporarily fixed to component connection pad 13 by flux 16. The shape of the solder 14 having a fixed volume is not particularly limited. Solder 1
The composition of No. 4 includes tin, lead, silver, copper, bismuth, zinc, antimony, indium, and alloys of these metals.
【0018】次に図7に示すように、チップコンデンサ
ー17を部品接続パッド13上に搭載する。チップコン
デンサー17はフラックス16によって仮固定される。
この状態でリフロー炉やオーブンなどによって一定体積
のハンダ14を加熱溶融させ、図8のようにチップコン
デンサー17を部品接続パッド13へ電気的に接続す
る。Next, as shown in FIG. 7, a chip capacitor 17 is mounted on the component connection pad 13. The chip condenser 17 is temporarily fixed by the flux 16.
In this state, a fixed volume of the solder 14 is heated and melted by a reflow furnace or an oven, and the chip capacitor 17 is electrically connected to the component connection pad 13 as shown in FIG.
【0019】半導体チップを配線基板へ接続する工程か
ら、水晶振動子を配線基板へ接続する工程までは、前記
の従来例と同様の製造方法を用いることができる。From the step of connecting the semiconductor chip to the wiring board to the step of connecting the crystal resonator to the wiring board, the same manufacturing method as in the above-mentioned conventional example can be used.
【0020】このようにして製造した水晶発振器はチッ
プコンデンサーの接続に関わるハンダ量が一定で、マン
ハッタン現象などのチップ立ち不良を発生することはな
かった。In the crystal oscillator manufactured in this manner, the amount of solder related to the connection of the chip capacitor was constant, and no chip standing failure such as the Manhattan phenomenon occurred.
【0021】本実施例では部品にチップコンデンサーを
使用したが、他の如何なる電子部品を使用しても構わな
い。また導電接続材にはハンダを使用したが、一定の体
積で供給できるものであれば、如何なる導電材をも使用
できる。例えば、導電性接着剤、導電ペースト等があげ
られる。また接続には加熱以外に、光接合、超音波接合
等を用いてもよい。In this embodiment, a chip capacitor is used as a component, but any other electronic component may be used. Although solder is used as the conductive connecting material, any conductive material can be used as long as it can be supplied in a fixed volume. For example, a conductive adhesive, a conductive paste, and the like can be given. In addition, in addition to heating, optical bonding, ultrasonic bonding, or the like may be used for connection.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の半導体装置の製造方法によって、部品はチップ立ちの
不良を引き起こすことはない。As is apparent from the above description, the component does not cause a chip standing defect by the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
【図1】従来技術の配線基板の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a conventional wiring board.
【図2】従来技術を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a conventional technique.
【図3】従来技術を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a conventional technique.
【図4】従来技術を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a conventional technique.
【図5】本発明の配線基板の構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a wiring board of the present invention.
【図6】本発明の実施の形態を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図7】本発明の実施の形態を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing an embodiment of the present invention.
【図8】本発明の実施の形態を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
11 配線基板 13 部品接続パッド 14 一定体積のハンダ 15 クリームハンダ 16 フラックス 17 チップコンデンサー 21 半導体チップ接続パッド DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Wiring board 13 Component connection pad 14 Solder of fixed volume 15 Cream solder 16 Flux 17 Chip capacitor 21 Semiconductor chip connection pad
Claims (2)
キャビティー部に有する配線基板にあって、部品を部品
接続パッド上に設置し、一定体積の導電性接続材を部品
と部品接続パッドとが接している箇所の付近に、供給す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A wiring board having a component connection pad for connecting a component in a cavity portion, wherein the component is placed on the component connection pad, and a fixed volume of a conductive connection material is provided between the component and the component connection pad. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: supplying a semiconductor device in the vicinity of a portion where the semiconductor device contacts.
体積の導電性接続材を部品と部品接続パッドとが接して
いる箇所の付近に供給し、導電性接続材を溶融すること
によって、部品と部品接続パッドを電気的に接続するこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方
法。2. A component is placed on a component connection pad, a fixed volume of a conductive connection material is supplied near a position where the component and the component connection pad are in contact with each other, and the conductive connection material is melted. 2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the component and the component connection pad are electrically connected.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000112794A JP2001298044A (en) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000112794A JP2001298044A (en) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | Method for manufacturing semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001298044A true JP2001298044A (en) | 2001-10-26 |
Family
ID=18624889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000112794A Pending JP2001298044A (en) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | Method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2001298044A (en) |
-
2000
- 2000-04-14 JP JP2000112794A patent/JP2001298044A/en active Pending
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